[go: up one dir, main page]

KR101758983B1 - Ingot growing apparatus and growing method by it - Google Patents

Ingot growing apparatus and growing method by it Download PDF

Info

Publication number
KR101758983B1
KR101758983B1 KR1020150097050A KR20150097050A KR101758983B1 KR 101758983 B1 KR101758983 B1 KR 101758983B1 KR 1020150097050 A KR1020150097050 A KR 1020150097050A KR 20150097050 A KR20150097050 A KR 20150097050A KR 101758983 B1 KR101758983 B1 KR 101758983B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
drum
ingot
displacement
seed
seed cable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020150097050A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170006439A (en
Inventor
이재준
Original Assignee
주식회사 엘지실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지실트론 filed Critical 주식회사 엘지실트론
Priority to KR1020150097050A priority Critical patent/KR101758983B1/en
Publication of KR20170006439A publication Critical patent/KR20170006439A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101758983B1 publication Critical patent/KR101758983B1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
    • C30B15/28—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using weight changes of the crystal or the melt, e.g. flotation methods
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02598—Microstructure monocrystalline

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

본 발명은 시드 케이블의 흔들림이 발생되더라도 시드 케이블의 변위 측정값에 따라 시드 케이블이 감긴 드럼의 수평 방향 위치를 보정할 수 있는 잉곳 성장장치 및 그 성장방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 잉곳 성장장치 및 그 성장방법은 변위측정센서들이 시드 케이블 둘레에 서로 다른 방향에서 변위를 측정한 다음, 변위 측정값을 고려하여 드럼 이동수단은 시드 케이블이 감긴 드럼의 위치를 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.The present invention relates to an ingot growing apparatus capable of correcting a horizontal position of a drum in which a seed cable is wound according to a displacement measurement value of a seed cable even if a swing of the seed cable occurs, and a growing method thereof.
In the ingot growing apparatus and the growing method thereof according to the present invention, the displacement measuring sensors measure displacements in different directions around the seed cable, and then, considering the displacement measurement value, the drum moving means moves the position of the drum, .

Description

잉곳 성장장치 및 그 성장방법 {INGOT GROWING APPARATUS AND GROWING METHOD BY IT}[0001] INGOT GROWING APPARATUS AND GROWING METHOD BY IT [0002]

본 발명은 시드 케이블의 흔들림이 발생되더라도 시드 케이블의 변위 측정값에 따라 시드 케이블이 감긴 드럼의 수평 방향 위치를 보정할 수 있는 잉곳 성장장치 및 그 성장방법에 관한 것이다.The present invention relates to an ingot growing apparatus capable of correcting a horizontal position of a drum in which a seed cable is wound according to a displacement measurement value of a seed cable even if a swing of the seed cable occurs, and a growing method thereof.

일반적으로 웨이퍼를 제조하기 위하여 단결정 실리콘을 잉곳 형태로 성장시키는 초크랄스키(CZ)법이 많이 사용되고 있다.Generally, a Czochralski (CZ) method for growing a single crystal silicon into an ingot form is widely used for manufacturing wafers.

초크랄스키법에 의한 잉곳 성장 공정을 살펴보면, 챔버 내부에 불활성 기체를 유동시키고, 챔버 내부에 구비된 도가니를 가열하여 실리콘 융액을 만든 다음, 시드 케이블의 끝단에 매달린 종자결정인 시드(seed)를 실리콘 융액에 넣어 단결정 실리콘을 직경 방향으로 성장시키고, 타겟 직경까지 잉곳의 직경이 성장하면, 시드 케이블을 감아 올리면서 시드 케이블에 매달린 잉곳을 타겟 직경을 유지하면서 길이 방향으로 성장시킨다.In the ingot growth process according to the Czochralski method, an inert gas is flowed into a chamber, a crucible provided in the chamber is heated to form a silicon melt, and a seed, which is a seed crystal suspended at the end of the seed cable, The ingot suspended in the seed cable is grown in the longitudinal direction while maintaining the target diameter while the seed cable is rolled up when the diameter of the ingot grows to the target diameter.

이때, 잉곳의 직경을 제어하기 위하여 직경측정센서에 의해 잉곳의 직경을 측정하고, 그 측정값에 따라 시드 케이블의 인상속도를 제어한다.At this time, the diameter of the ingot is measured by a diameter measuring sensor to control the diameter of the ingot, and the pulling speed of the seed cable is controlled according to the measured value.

또한, 잉곳의 직경 제어가 용이할 뿐 아니라 품질을 균일하게 유지하기 위하여 잉곳 성장 공정 시 실리콘 융액 계면에서 잉곳의 위치를 도가니 중심에 맞추도록 제어한다.In addition, it is easy to control the diameter of the ingot and control the position of the ingot in the silicon melt interface at the center of the crucible in the ingot growing step in order to uniformly maintain the quality.

도 1은 일반적인 잉곳 성장장치에 적용된 직경측정센서가 잉곳의 직경을 감지하는 일예가 도시된 도면이다.1 is a diagram showing an example in which a diameter measuring sensor applied to a general ingot growing apparatus senses the diameter of an ingot.

도 1에 도시된 바와 같이 직경측정센서(1)는 실리콘 융액면과 잉곳 사이에 형성된 메니스커스(maniscus)를 감지하는데, 상기 직경측정센서(1)의 중심부(c)를 통하여 메니스커스로부터 빛의 세기를 감지하게 된다.1, the diameter measuring sensor 1 senses a maniscus formed between the silicon melt surface and the ingot, and the diameter measurement sensor 1 is connected to the silicon melt surface via a central portion (c) of the diameter measuring sensor 1 from a meniscus It senses the intensity of light.

물론, 상기 직경측정센서(1)는 수평 방향으로 이동 가능하다.Of course, the diameter measuring sensor 1 is movable in the horizontal direction.

따라서, 직경이 작아짐에 따라 메니스커스의 위치가 P1에서 P3로 이동하면, 상기 직경측정센서(1)가 이동함에 따라 상기 직경측정센서(1)의 중심부(c)가 메니스커스로부터 빛의 세기를 인식하게 되고, 상기 직경측정센서(1)의 이동 거리에 따라 잉곳의 직경을 측정할 수 있다.Accordingly, as the diameter of the diameter measurement sensor 1 moves from the position P1 to the position P3 as the diameter decreases, the center portion c of the diameter measurement sensor 1 moves from the meniscus And the diameter of the ingot can be measured according to the moving distance of the diameter measuring sensor 1. [

그런데, 시드 케이블에 중량이 큰 잉곳이 매달린 형태로 바디 성장 공정이 진행되기 때문에 여러 가지 요인으로 시드 케이블의 흔들림이 발생될 수 있으며, 이로 인하여 직경측정센서를 이용하여 잉곳의 직경을 정확하게 측정하는데 한계가 있으며, 나아가 잉곳의 직경을 제어하거나, 잉곳의 위치를 도가니의 중심에 맞추도록 제어하기 어려운 문제점이 있다.However, since the body growth process is carried out in the form of a heavy ingot hanging on the seed cable, the seed cable may be shaken due to various factors. As a result, the diameter of the ingot can not be accurately measured There is a problem that it is difficult to control the diameter of the ingot or to control the position of the ingot to match the center of the crucible.

일본공개특허 제2004-256340호에는 시드 케이블의 흔들림을 방지하기 위하여 시드 케이블의 양측에 배치된 한 쌍의 진동방지수단이 개시되고 있으며, 상기 진동방지수단은 상기 시드 케이블을 측면 방향에서 기계적으로 밀어주는 형태로 구성된다.Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-256340 discloses a pair of vibration preventing means disposed on both sides of a seed cable to prevent shaking of the seed cable. The vibration preventing means mechanically pushes the seed cable in the lateral direction The form of the note is composed.

그러나, 종래 기술에 따르면, 시드 케이블과 진동방지수단이 직접적으로 마찰되기 때문에 시드 케이블 또는 진동방지수단에서 떨어져 나온 메탈 이물질이 실리콘 융액을 오염시킬 수 있고, 나아가 공정 중에 시드 케이블의 파단 가능성이 높아지는 문제점이 있다. However, according to the related art, since the seed cable and the anti-vibration means are directly rubbed, the metal foreign matter separated from the seed cable or the anti-vibration means can contaminate the silicon melt and further increase the possibility of breakage of the seed cable during the process .

또한, 종래 기술에서, 진동방지수단을 이동시켜 그 지점에서 시드 케이블의 흔들림을 방지할 수 있지만, 실제 실리콘 융액 계면에서 잉곳의 위치가 시드 케이블만큼 이동한 것으로 보기 어렵다.Further, in the prior art, it is possible to prevent the shaking of the seed cable at that point by moving the anti-vibration means, but it is hard to see that the position of the ingot actually moved by the seed cable at the silicon melt interface.

따라서, 종래의 진동방지수단이 이동한 거리를 이용하여 실리콘 융액 계면에서 잉곳의 위치를 정확하게 파악하기 어렵고, 이로 인하여 잉곳의 위치를 도가니의 중심에 맞추도록 제어하기 어려운 문제점이 있다.Therefore, it is difficult to precisely grasp the position of the ingot on the silicon melt interface using the distance traveled by the conventional anti-vibration means, and it is difficult to control the position of the ingot to match the center of the crucible.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 시드 케이블의 흔들림이 발생되더라도 시드 케이블의 변위 측정값에 따라 시드 케이블이 감긴 드럼의 수평 방향 위치를 보정할 수 있는 잉곳 성장장치 및 그 성장방법을 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide an ingot growing apparatus capable of correcting a horizontal position of a drum wound around a seed cable according to a measurement value of a displacement of a seed cable even if a swing of the seed cable occurs, The goal is to provide the growth method.

본 발명은 실리콘 융액이 담기는 도가니; 상기 도가니 상측에 수평하게 구비되고, 정/역방향으로 회전 가능한 드럼; 상기 드럼에 감기도록 구비되고, 상기 드럼이 회전함에 따라 상기 실리콘 융액에 잠긴 시드를 인상시켜 잉곳을 성장시키는 시드 케이블; 상기 시드 케이블 둘레에 서로 다른 방향에 구비되고, 상기 시드 케이블의 수평 방향 변위를 측정하는 적어도 두 개 이상의 변위측정센서; 및 상기 드럼과 연결되고, 상기 변위측정센서의 변위 측정값에 따라 상기 드럼의 위치를 수평 방향으로 이동시키는 드럼 이동수단;을 포함하는 잉곳 성장장치를 제공한다.The present invention relates to a crucible containing a silicon melt; A drum horizontally provided above the crucible and rotatable in a forward / reverse direction; A seed cable wound around the drum for pulling up a seed immersed in the silicon melt as the drum rotates to grow an ingot; At least two displacement measurement sensors provided in different directions around the seed cable and measuring horizontal displacement of the seed cable; And drum moving means connected to the drum and moving the position of the drum in a horizontal direction according to a displacement measurement value of the displacement measurement sensor.

한편, 본 발명은시드 케이블의 끝단에 구비된 시드가 도가니에 담긴 실리콘 융액에 잠긴 다음, 상기 시드 케이블이 감긴 드럼이 회전함에 따라 실리콘 융액으로부터 잉곳을 성장시키는 제1단계; 상기 제1단계에서 잉곳 성장 공정 중에 상기 시드 케이블 둘레에 서로 다른 방향에서 상기 시드 케이블의 수평 방향 변위를 측정하는 제2단계; 및 상기 제2단계에서 측정된 변위 측정값에 따라 상기 드럼의 위치를 수평 방향으로 이동시키는 제3단계;를 포함하는 잉곳 성장방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a first step of immersing a seed provided at an end of a seed cable into a silicon melt contained in a crucible, and then growing an ingot from a silicon melt as the drum with the seed cable is rotated; A second step of measuring the horizontal displacement of the seed cable in different directions around the seed cable during the ingot growing step in the first step; And a third step of moving the position of the drum in a horizontal direction according to the measured displacement value measured in the second step.

본 발명에 따른 잉곳 성장장치 및 그 성장방법은 변위측정센서들이 시드 케이블 둘레에 서로 다른 방향에서 변위를 측정한 다음, 변위 측정값을 고려하여 드럼 이동수단은 시드 케이블이 감긴 드럼의 위치를 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.In the ingot growing apparatus and the growing method thereof according to the present invention, the displacement measuring sensors measure displacements in different directions around the seed cable, and then, considering the displacement measurement value, the drum moving means moves the position of the drum, .

따라서, 시드 케이블의 흔들림이 발생되더라도 시드 케이블의 변위 측정값에 따라 실리콘 융액 계면에서 잉곳의 위치를 도가니의 중심에 정확하게 맞추도록 제어할 수 있고, 이러한 공정 조건에서 성장한 잉곳의 반경 방향 또는 길이 방향으로 웨이퍼의 품질을 균일하게 유지시킬 수 있는 이점이 있다.Therefore, even if the shear wave of the seed cable is generated, it is possible to control the position of the ingot at the silicon melt interface precisely to the center of the crucible according to the displacement measurement value of the seed cable. In the radial direction or longitudinal direction There is an advantage that the quality of the wafer can be uniformly maintained.

도 1은 일반적인 잉곳 성장장치에 적용된 직경측정센서가 잉곳의 직경을 감지하는 일예가 도시된 도면.
도 2는 본 발명에 따른 잉곳 성장장치 일예가 도시된 도면.
도 3은 도 2에 적용된 시드 케이블의 변위에 따라 잉곳의 변위 및 드럼의 이동 거리가 개략적으로 도시된 도면.
도 4는 본 발명에 직경제어장치 일예가 도시된 블럭도.
도 5는 본 발명에 따른 잉곳 성장방법 일예가 도시된 순서도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view showing an example in which a diameter measuring sensor applied to a general ingot growing apparatus senses the diameter of an ingot. Fig.
2 is a view showing an example of an ingot growing apparatus according to the present invention.
Fig. 3 is a view schematically showing the displacement of the ingot and the moving distance of the drum according to the displacement of the seed cable applied to Fig. 2; Fig.
4 is a block diagram showing an example of a diameter control device according to the present invention.
5 is a flowchart showing an example of an ingot growing method according to the present invention.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다. Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the scope of the inventive concept of the present embodiment can be determined from the matters disclosed in the present embodiment, and the spirit of the present invention possessed by the present embodiment is not limited to the embodiments in which addition, Variations.

도 2는 본 발명에 따른 잉곳 성장장치 일예가 도시된 도면이고,도 3은 도 2에 적용된 시드 케이블의 변위에 따라 잉곳의 변위 및 드럼의 이동 거리가 개략적으로 도시된 도면이다.FIG. 2 is a view showing an example of an ingot growing apparatus according to the present invention, and FIG. 3 is a diagram schematically showing a displacement of the ingot and a moving distance of the drum according to the displacement of the seed cable applied to FIG.

본 발명에 따른 잉곳 성장장치는 도 2에 도시된 바와 같이 챔버(110) 내측에 잉곳을 성장시키기 위하여 도가니(120)와 히터(130) 및 냉각부재(140)가 구비되고, 상기 도가니(120) 상측에 잉곳을 끌어올리기 위하여 시드 케이블(160) 및 드럼(170)이 구비되며, 상기 시드 케이블(160)의 변위를 측정하는 변위측정센서(180) 및 상기 드럼(170)을 수평 방향으로 이동시키는 드럼 이동수단(190)이 구비된다.2, the ingot growing apparatus includes a crucible 120, a heater 130, and a cooling member 140 for growing an ingot inside the chamber 110, and the crucible 120, A displacement sensor 180 for measuring the displacement of the seed cable 160 and a displacement sensor 180 for moving the drum 170 in the horizontal direction and having a seed cable 160 and a drum 170 for lifting the ingot upward, A drum moving means 190 is provided.

상기 챔버(110)는 잉곳(IG)이 성장되는 소정의 밀폐 공간을 제공하며, 상측에서 하측 방향으로 Ar 등과 같은 불활성 기체가 유동시키기 위하여 상부 일측에 흡입구(150)가 구비되고, 각종 구성 요소가 내/외측에 장착된다.The chamber 110 provides a predetermined closed space in which the ingot IG is grown and includes an inlet 150 at an upper side for flowing an inert gas such as Ar from the upper side to the lower side, And is mounted inside / outside.

실시예에서, 상기 챔버(110)의 양측 상부에는 내부를 관찰할 수 있는 뷰 포트(W)가 구비되고, 상기 뷰 포트(W) 외측에 메니스커스의 밝기를 측정하는 직경측정센서(210)가 구비된다.A diameter measurement sensor 210 for measuring the brightness of the meniscus is disposed outside the view port W. The diameter measurement sensor 210 measures the brightness of the meniscus, .

물론, 잉곳의 직경이 실제로 가변되거나, 상기 시드 케이블(160)이 흔들려 잉곳이 이동된 경우에 모두 상기 직경측정센서(210)는 잉곳의 직경 측정값을 변화된 것으로 감지한다.Of course, when the diameter of the ingot is actually varied, or when the seed cable 160 is shaken to move the ingot, the diameter measuring sensor 210 senses the diameter measurement value of the ingot as changed.

상기 도가니(120)는 실리콘 융액이 담기는 용기로써, 상기 챔버(110) 내측에 회전 가능하게 설치된다. 이때, 상기 도가니(120)는 불순물의 유입을 차단하는 동시에 고온 하에서도 견딜 수 있도록 석영 도가니와 흑연 도가니가 겹쳐진 형태로 구성된다.The crucible 120 is a container containing a silicon melt and is rotatably installed inside the chamber 110. At this time, the crucible 120 is configured in such a manner that the quartz crucible and the graphite crucible are overlapped so as to prevent the inflow of the impurities and withstand high temperatures.

상기 히터(130)는 상기 도가니(120) 둘레에 구비되고, 상기 도가니(120)를 가열함에 따라 상기 도가니(120)에 담긴 폴리 형태의 원료를 실리콘 융액으로 액화시킨다.The heater 130 is provided around the crucible 120 and liquefies the poly-shaped raw material contained in the crucible 120 with the silicon melt as the crucible 120 is heated.

상기 냉각부재(140)는 고온의 실리콘 융액으로부터 성장되는 잉곳(IG)을 바로 냉각시키기 위하여 구비되는데, 상기 도가니(120) 상측에 매달리도록 설치되고, 상기 도가니(120)에 담긴 실리콘 융액으로부터 성장되는 잉곳(IG) 둘레에 소정 간격을 두고 감싸도록 설치된다.The cooling member 140 is provided to directly cool the ingot IG to be grown from the silicon melt at a high temperature. The cooling member 140 is installed to hang above the crucible 120 and is grown from the silicon melt contained in the crucible 120 And is installed so as to surround the ingot IG at a predetermined interval.

상기 시드 케이블(160)은 여러 개의 와이어가 꼬임 형태로 구성되며, 무거운 잉곳을 들어올릴 수 있는 강도와 탄성을 가진다. 물론, 상기 시드 케이블(160)에는 종자 결정인 시드(seed)가 장착되는 시드 척(seed chuck)이 구비될 수 있다.The seed cable 160 has a plurality of wires formed in a twisted shape and has strength and elasticity to lift a heavy ingot. Of course, the seed cable 160 may be provided with a seed chuck on which a seed as a seed crystal is mounted.

상기 드럼(170)은 상기 시드 케이블(160)이 감겼다가 풀릴 수 있는 원통 형태로 구성되며, 상기 챔버(110)의 상측에 구비된다.The drum 170 is formed in a cylindrical shape in which the seed cable 160 is wound and unwound, and is provided on the upper side of the chamber 110.

실시예에서, 상기 드럼(170)의 회전축은 인상 모터(도 4에 도시 : 171)와 연결되며, 상기 드럼(170)이 정/역방향으로 회전함에 따라 상기 시드 케이블(160)을 승/하강시킬 수 있다.The rotary shaft of the drum 170 is connected to a pull motor 171 shown in FIG. 4, and the seed cable 160 is moved up and down as the drum 170 rotates in the forward / .

물론, 상기 시드 케이블(160)의 인상 속도를 조절하여 잉곳의 직경을 타겟 직경으로 제어할 수 있다.Of course, it is possible to control the pulling speed of the seed cable 160 to control the diameter of the ingot to the target diameter.

상기 변위측정센서(180)는 상기 시드 케이블(160)이 흔들리더라도 그 변위를 정확하게 측정하기 위하여 상기 시드 케이블(160)의 둘레에 서로 다른 방향에 적어도 두 개 이상이 구비되는데, 실시예에서 90°각도를 두고 네 개가 동일한 수평면 상에 구비된다.In order to accurately measure the displacement of the seed cable 160 even if the seed cable 160 swings, the displacement measurement sensor 180 is provided at least two or more in the different directions around the seed cable 160, Four angles are provided on the same horizontal plane.

상기 드럼 이동수단(190)은 X축과 Y축으로 이루어진 수평면상에서 상기 드럼(170)을 이동시킬 수 있도록 구성되는데, 실시예에서 상기 드럼(170)과 연결된 X축 스크루(181)와, 상기 X축 스크루(181)를 회전시키는 X축 모터(182)와, 상기 X축 모터(182)와 연결된 Y축 스크루(183)와, 상기 Y축 스크루(183)를 회전시키는 Y축 모터(184)로 구성된다.The drum moving means 190 is configured to move the drum 170 on a horizontal plane formed by the X axis and the Y axis. In the embodiment, the X axis screw 181 connected to the drum 170, the X An X-axis motor 182 for rotating the shaft screw 181, a Y-axis screw 183 connected to the X-axis motor 182, and a Y-axis motor 184 for rotating the Y-axis screw 183 .

따라서, 상기 X축 모터(182)가 구동되면, 상기 드럼(170)이 상기 X축 스크루(181)를 따라 X축 방향으로 이동되고, 상기 Y축 모터(184)가 구동되면, 상기 드럼과 X축 모터(182)가 상기 Y축 스크루(183)를 따라 Y축 방향으로 이동된다.Accordingly, when the X-axis motor 182 is driven, the drum 170 is moved in the X-axis direction along the X-axis screw 181. When the Y-axis motor 184 is driven, The shaft motor 182 is moved along the Y-axis screw 183 in the Y-axis direction.

상기와 같이 잉곳 성장 공정에 영향을 미치는 요인을 제어하기 위하여 제어부(230)가 구비되는데, 실시예에서 상기 제어부(230)는 잉곳의 변위를 고려하여 잉곳의 직경 및 위치를 제어하는 것에 한정하여 설명하기로 한다.The control unit 230 controls the diameter and the position of the ingot in consideration of the displacement of the ingot. The control unit 230 controls the diameter and the position of the ingot in consideration of the displacement of the ingot. .

도 3에 도시된 바와 같이, 상기 변위측정센서(180)에서 상기 시드 케이블(160)의 변위(ΔR)가 측정되면, 상기 제어부(230)는 상기 드럼(170)과 변위측정위치 사이의 거리(H) 및 상기 드럼(170)과 실리콘 융액 계면 사이의 거리(L)를 고려하여 실리콘 융액 계면에서 잉곳의 변위(R)를 하기의 [수학식 1]에 의해 산출한다.3, when the displacement? R of the seed cable 160 is measured by the displacement measuring sensor 180, the controller 230 calculates the distance? Between the drum 170 and the displacement measuring position H and the distance L between the drum 170 and the silicon melt interface are taken into consideration, the displacement R of the ingot at the silicon melt interface is calculated by the following equation (1).

Figure 112015066091619-pat00001
Figure 112015066091619-pat00001

이와 같이, 상기 제어부(230)는 상기 시드 케이블(160)의 변위(ΔR)를 실리콘 융액 계면에서 잉곳의 변위(R)로 산출하고, 잉곳의 변위(R)를 고려하여 잉곳의 직경 및 위치를 제어할 수 있다.The control unit 230 calculates the displacement R of the seed cable 160 at the silicon melt interface at the displacement R of the ingot and calculates the diameter and position of the ingot in consideration of the displacement R of the ingot Can be controlled.

도 4는 본 발명에 따른 잉곳 성장장치에 적용된 직경제어장치 일예가 도시된 블럭도이다.4 is a block diagram illustrating an example of a diameter control apparatus applied to the ingot growing apparatus according to the present invention.

본 발명에 적용된 직경제어장치는 도 4에 도시된 바와 같이 직경측정센서(210)와, 변위측정센서(180)와, 제어부(230)와, 드럼(170) 및 인상 모터(171)와, 드럼 이동수단(190)을 포함하도록 구성된다.4, the diameter control apparatus according to the present invention includes a diameter measuring sensor 210, a displacement measuring sensor 180, a control unit 230, a drum 170 and a pull motor 171, And a moving means 190.

먼저, 상기 드럼(170)에 감긴 시드 케이블이 소정의 인상 속도(P/S)로 인상되면, 실리콘 융액으로부터 잉곳이 성장한다.First, when the seed cable wound on the drum 170 is pulled up at a predetermined pulling rate (P / S), the ingot grows from the silicon melt.

상기와 같이 잉곳 성장 공정이 진행되는 동안, 상기 직경측정센서(210)를 통하여 실리콘 융액 계면에서 잉곳의 직경이 측정되고, 상기 변위측정센서(180)를 통하여 시드 케이블의 변위(ΔR)가 측정된다.During the ingot growth process, the ingot diameter is measured at the silicon melt interface through the diameter measurement sensor 210, and the displacement? R of the seed cable is measured through the displacement measurement sensor 180 .

이때, 상기 제어부(230)는 상기 시드 케이블의 변위 측정값(ΔR)에 따라 상기 드럼 이동수단(190)의 작동을 제어함으로써, 잉곳의 위치를 보정하여 잉곳을 도가니의 중심에서 성장시킬 수 있다.At this time, the controller 230 controls the operation of the drum moving means 190 according to the displacement measurement value? R of the seed cable, thereby correcting the position of the ingot to grow the ingot at the center of the crucible.

구체적으로, 상기 제어부(230)는 상기에서 언급한 바와 같이 [수학식 1]을 이용하여 시드 케이블의 변위(ΔR)를 실리콘 융액 계면에서 잉곳의 변위(R)로 산출하고, 상기 잉곳의 변위(R)와 반대 방향으로 상기 X축 모터(192)와 Y축 모터(194)에 제어 신호를 전달하면, 상기 드럼(170)의 위치가 이동됨에 따라 상기 시드 케이블에 매달린 잉곳의 위치를 제어할 수 있다.Specifically, the control unit 230 calculates the displacement (R) of the seed cable at the silicon melt interface at the displacement (R) of the ingot using Equation (1) as described above, Axis motor 192 and the Y-axis motor 194 in the direction opposite to the direction of rotation of the drum 170. As the position of the drum 170 is moved, the position of the ingot suspended from the seed cable can be controlled have.

또한, 상기 제어부(230)는 잉곳의 직경 측정값(D0)에 따라 상기 인상 모터(171)의 작동을 제어함으로써, 인상속도(P/S)를 조절하여 잉곳의 직경(D)을 제어할 수 있다. Further, the control unit 230 by controlling the operation of the lifting motor 171 in accordance with the diameter measurements of the ingot (D 0), adjusting the pull rate (P / S) to control the diameter (D) of the ingot .

물론, 상기 제어부(230)는 실리콘 융액 계면에서 잉곳의 위치(R)을 고려하여 잉곳의 직경 측정값(D0)을 보정하고, 잉곳의 직경 보정값(D1)을 반영하여 인상속도(P/S)를 제어함으로써, 잉곳의 직경(D)을 보다 정확하게 제어할 수 있다.Of course, the controller 230 may raise to reflect the diameter correction value (D 1) of the correction, and the ingot diameter measurements of the ingot in consideration of the position (R) of the ingot from the silicon melt surface (D 0) rate (P / S), the diameter D of the ingot can be more accurately controlled.

도 5는 본 발명에 따른 잉곳 성장방법 일예가 도시된 순서도이다.5 is a flowchart showing an example of an ingot growing method according to the present invention.

본 발명의 잉곳 성장방법은 도 5에 도시된 바와 같이 설정된 인상속도(P/S)로 잉곳 성장 공정을 진행하는 동안 서로 다른 방향에서 시드 케이블의 수평 방향 변위(ΔR)를 측정한다.(S1,S2 참조)The ingot growth method of the present invention measures the horizontal displacement (? R) of the seed cable in different directions during the ingot growing process at the set pulling rate (P / S) as shown in FIG. S2)

상기 드럼이 정방향으로 회전하면, 상기 시드 케이블이 하강하여 상기 시드 케이블에 매달린 시드가 실리콘 융액에 담긴 다음, 소정의 직경으로 잉곳을 성장시키고, 상기 드럼이 역방향으로 회전하면, 상기 시드 케이블이 소정의 인상 속도(P/S)로 상승함에 따라 일정한 직경의 잉곳을 인상시킨다.When the drum rotates in the normal direction, the seed cable is lowered, the seed suspended in the seed cable is contained in the silicon melt, and the ingot is grown to a predetermined diameter. When the drum rotates in the reverse direction, And the ingot having a constant diameter is lifted as it rises at the pulling rate (P / S).

상기와 같은 잉곳 성장 공정이 진행되는 동안, 여러 가지 요인에 의해 상기 시드 케이블이 흔들리거나, 소정 궤적의 원운동 또는 타원운동을 하게 되며, 이로 인하여 상기 시드 케이블의 수평 방향 위치가 변경될 뿐 아니라 상기 시드 케이블에 매달린 잉곳도 실리콘 융액 계면에서 위치가 변경된다.During the ingot growth process, the seed cable may be shaken by various factors, or may be subjected to circular motion or elliptical motion of a predetermined locus, thereby changing the horizontal position of the seed cable, The ingot suspended in the seed cable is also repositioned at the silicon melt interface.

따라서, 상기 시드 케이블 둘레에 서로 다른 각도에 위치한 변위측정센서들이 상기 시드 케이블의 변위(ΔR)를 측정한다.Thus, displacement measuring sensors located at different angles around the seed cable measure the displacement (? R) of the seed cable.

다음, 잉곳의 변위(R)를 비롯하여 X축 이동거리(x) 및 Y축 이동 거리(y)를 산출한다.(S3,S4 참조)Next, the X-axis movement distance x and the Y-axis movement distance y, including the displacement R of the ingot, are calculated (refer to S3 and S4)

상기 제어부는 상기 시드 케이블의 변위 측정값(ΔR)을 상기에서 설명한 [수학식 1]에 적용하여 실리콘 융액 계면에서 잉곳의 변위(R)로 산출하며, 상기 잉곳의 변위를 X축과 Y축으로 이루어진 수평면을 기준으로 X축 이동거리(x) 및 Y축 이동 거리(y)로 나타낼 수 있다.The control unit calculates the displacement measurement value R of the seed cable according to the above-described expression (1) to calculate the displacement R of the ingot in the silicon melt interface, and calculates the displacement of the ingot in the X and Y axes Axis movement distance (x) and the Y-axis movement distance (y) with respect to the horizontal plane.

다음, 상기 드럼의 위치를 X축 이동거리(x) 및 Y축 이동 거리(y)와 반대 방향으로 보정한다.(S5 참조)Next, the position of the drum is corrected in the opposite direction to the X-axis moving distance (x) and the Y-axis moving distance (y) (see S5).

상기 제어부가 상기 X축 모터와 Y축 모터로 제어 신호를 전달하면, 상기 X축 모터와 Y축 모터가 구동됨에 따라 상기 드럼과 시드 케이블을 X축 이동거리(x) 및 Y축 이동 거리(y)와 반대 방향으로 이동시킨다.When the control unit transmits control signals to the X-axis motor and the Y-axis motor, the X-axis motor and the Y-axis motor are driven so that the drum and the seed cable are moved in the X-axis moving distance (x) In the opposite direction.

따라서, 상기 시드 케이블에 흔들림이 발생됨에 따라 실리콘 융액 계면에서 잉곳의 위치(R)가 변경되더라도 상기 시드 케이블과 함께 잉곳을 그 반대 방향으로 이동시킴으로써, 잉곳 성장 공정 중 실리콘 융액 계면에서 잉곳의 위치를 도가니의 중심에 맞출 수 있다.Therefore, even if the position (R) of the ingot is changed at the silicon melt interface due to the occurrence of shaking in the seed cable, the ingot is moved in the opposite direction together with the seed cable so that the position of the ingot in the silicon melt interface It can be fitted to the center of the crucible.

나아가, 실리콘 융액 계면에서 잉곳의 변위(R)를 고려하여 직경측정센서에서 측정된 잉곳의 직경 측정값(D0)을 보정할 수 있으며, 직경 보정값(D1)을 고려하여 인상 속도를 제어함으로써, 보다 잉곳의 직경(D)을 정확하게 제어할 수 있다.Further, in consideration of the displacement (R) of the ingot from the silicon melt surface, and to correct the diameter measurement value (D 0) of the measured ingot in diameter sensor, controlling a pulling rate in consideration of the diameter correction value (D 1) , The diameter D of the ingot can be controlled more precisely.

110 : 챔버 120 : 도가니
130 : 히터 140 : 냉각부재
150 : 흡입구 160 : 시드 케이블
170 : 드럼 180 : 변위측정센서
190 : 드럼 이동수단 210 : 직경측정센서
230 : 제어부110: chamber 120: crucible
130: heater 140: cooling member
150: Suction port 160: Seed cable
170: Drum 180: Displacement measurement sensor
190: drum moving means 210: diameter measuring sensor
230:

Claims (10)

실리콘 융액이 담기는 도가니;
상기 도가니 상측에 수평하게 구비되고, 정/역방향으로 회전 가능한 드럼;
상기 드럼에 감기도록 구비되고, 상기 드럼이 회전함에 따라 상기 실리콘 융액에 잠긴 시드를 인상시켜 잉곳을 성장시키는 시드 케이블;
상기 시드 케이블 둘레에 서로 다른 방향에 구비되고, 상기 시드 케이블의 수평 방향 변위를 측정하는 적어도 두 개 이상의 변위측정센서; 및
상기 드럼과 연결되고, 상기 변위측정센서의 변위 측정값에 따라 상기 드럼의 위치를 수평 방향으로 이동시키는 드럼 이동수단;을 포함하고,
상기 드럼 이동수단은,
상기 드럼과 연결된 X축 스크루와,
상기 드럼을 상기 X축 스크루를 따라 이동시키기 위하여 상기 X축 회전시키는 X축 모터와,
상기 변위측정센서의 변위 측정값에 따라 상기 X축 모터의 작동을 제어하는 제어부를 포함하는 잉곳 성장장치.Crucible containing silicon melt;
A drum horizontally provided above the crucible and rotatable in a forward / reverse direction;
A seed cable wound around the drum for pulling up a seed immersed in the silicon melt as the drum rotates to grow the ingot;
At least two displacement measurement sensors provided in different directions around the seed cable and measuring horizontal displacement of the seed cable; And
And drum moving means connected to the drum and moving the position of the drum in a horizontal direction according to a displacement measurement value of the displacement measurement sensor,
Wherein the drum moving means comprises:
An X-axis screw connected to the drum,
An X-axis motor that rotates the X-axis to move the drum along the X-axis screw,
And a control unit for controlling operation of the X-axis motor according to a displacement measurement value of the displacement measurement sensor. 제1항에 있어서,
상기 변위측정센서는,
상기 시드 케이블의 둘레에 90°각도를 두고 네 개가 구비되는 잉곳 성장장치.The method according to claim 1,
The displacement measuring sensor includes:
Wherein four seed wires are provided at an angle of 90 DEG around the seed cable. 제1항에 있어서,
상기 드럼 이동수단은,
상기 실리콘 융액 계면에서 잉곳의 위치가 상기 도가니의 중심에 위치하도록 상기 드럼의 위치를 상기 변위측정센서의 변위와 반대 방향으로 수평 이동시키는 잉곳 성장장치.The method according to claim 1,
Wherein the drum moving means comprises:
And the position of the drum is horizontally moved in a direction opposite to the displacement of the displacement measurement sensor so that the position of the ingot is located at the center of the crucible at the silicon melt interface. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 드럼 이동수단은,
상기 X축 모터와 연결된 Y축 스크루와,
상기 드럼과 X축 모터를 상기 Y축 스크루를 따라 이동시키기 위하여 상기 Y축 회전시키는 Y축 모터를 더 포함하고,
상기 제어부는 상기 변위측정센서의 변위 측정값에 따라 상기 Y축 모터의 작동을 제어하는 잉곳 성장장치.The method according to claim 1,
Wherein the drum moving means comprises:
A Y-axis screw connected to the X-axis motor,
And a Y-axis motor for rotating the Y-axis to move the drum and the X-axis motor along the Y-axis screw,
Wherein the control unit controls the operation of the Y-axis motor according to a displacement measurement value of the displacement measurement sensor. 제5항에 있어서,
상기 제어부는,
상기 변위측정센서의 변위 측정값을 상기 드럼과 변위측정센서 사이의 거리및 상기 드럼과 실리콘 융액 계면 사이의 거리를 고려하여 실리콘 융액 계면에서 잉곳의 변위로 산출하고,
상기 잉곳의 변위에 따라 상기 X축 모터와 Y축 모터의 작동을 제어하는 잉곳 성장장치.6. The method of claim 5,
Wherein,
The displacement measurement value of the displacement measurement sensor is calculated as the displacement of the ingot in the silicon melt interface in consideration of the distance between the drum and the displacement measurement sensor and the distance between the drum and the silicon melt interface,
And controlling the operation of the X-axis motor and the Y-axis motor in accordance with the displacement of the ingot. 시드 케이블의 끝단에 구비된 시드가 도가니에 담긴 실리콘 융액에 잠긴 다음, 상기 시드 케이블이 감긴 드럼이 회전함에 따라 실리콘 융액으로부터 잉곳을 성장시키는 제1단계;
상기 제1단계에서 잉곳 성장 공정 중에 상기 시드 케이블 둘레에 서로 다른 방향에서 상기 시드 케이블의 수평 방향 변위(ΔR)를 측정하는 제2단계; 및
상기 제2단계에서 측정된 변위 측정값(ΔR)에 따라 상기 드럼의 위치를 수평 방향으로 이동시키는 제3단계;를 포함하고,
상기 제3단계는,
상기 변위 측정값(ΔR)을 상기 드럼과 변위측정위치 사이의 거리(H) 및 상기 드럼과 실리콘 융액 계면 사이의 거리(L)를 고려하여 실리콘 융액 계면에서 잉곳의 변위(R)로 산출하는 제1과정과,
상기 제1과정에서 산출된 잉곳의 변위(R)만큼 상기 드럼의 위치를 반대 방향으로 수평 이동시키는 제2과정을 포함하는 잉곳 성장방법.A first step of immersing a seed provided at an end of the seed cable into a silicon melt contained in a crucible and then growing an ingot from the silicon melt as the drum with the seed cable is rotated;
A second step of measuring the horizontal displacement (? R) of the seed cable in different directions around the seed cable during the ingot growing step in the first step; And
And a third step of moving the position of the drum in the horizontal direction according to the displacement measurement value? R measured in the second step,
In the third step,
(R) of the ingot in the silicon melt interface in consideration of the distance (H) between the drum and the displacement measuring position and the distance (L) between the drum and the silicon melt interface 1,
And a second step of horizontally moving the position of the drum in the opposite direction by a displacement (R) of the ingot calculated in the first step. 제7항에 있어서,
상기 제2단계는,
상기 시드 케이블의 수평 방향 변위(ΔR)가 상기 시드 케이블의 둘레에 90°각도를 두고 네 방향에서 측정되는 잉곳 성장방법.8. The method of claim 7,
The second step comprises:
Wherein a horizontal displacement (DELTA R) of the seed cable is measured in four directions at an angle of 90 DEG around the seed cable. 삭제delete 삭제delete
KR1020150097050A 2015-07-08 2015-07-08 Ingot growing apparatus and growing method by it Active KR101758983B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150097050A KR101758983B1 (en) 2015-07-08 2015-07-08 Ingot growing apparatus and growing method by it

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150097050A KR101758983B1 (en) 2015-07-08 2015-07-08 Ingot growing apparatus and growing method by it

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170006439A KR20170006439A (en) 2017-01-18
KR101758983B1 true KR101758983B1 (en) 2017-07-17

Family

ID=57992038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150097050A Active KR101758983B1 (en) 2015-07-08 2015-07-08 Ingot growing apparatus and growing method by it

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101758983B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102244480B1 (en) * 2019-07-22 2021-04-26 에스케이실트론 주식회사 Driving unit measuring apparatus and silicon single crystal growing apparatus having same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000272993A (en) 1999-03-26 2000-10-03 Toshiba Ceramics Co Ltd Ingot runout measuring method and apparatus
JP2004352520A (en) 2003-05-27 2004-12-16 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp Apparatus for growing single crystal
JP2010285343A (en) 2009-06-10 2010-12-24 Siltronic Ag Method and apparatus for pulling single crystal from melt
KR101331753B1 (en) 2012-07-19 2013-11-20 주식회사 엘지실트론 Single crystal growing apparatus' eccentric control apparatus and method for it

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000272993A (en) 1999-03-26 2000-10-03 Toshiba Ceramics Co Ltd Ingot runout measuring method and apparatus
JP2004352520A (en) 2003-05-27 2004-12-16 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp Apparatus for growing single crystal
JP2010285343A (en) 2009-06-10 2010-12-24 Siltronic Ag Method and apparatus for pulling single crystal from melt
KR101331753B1 (en) 2012-07-19 2013-11-20 주식회사 엘지실트론 Single crystal growing apparatus' eccentric control apparatus and method for it

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170006439A (en) 2017-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5664573B2 (en) Method for calculating height position of silicon melt surface, method for pulling silicon single crystal, and silicon single crystal pulling apparatus
JP6583142B2 (en) Method and apparatus for producing silicon single crystal
TWI411709B (en) Method for controlling diameter of single crystal
JP6885301B2 (en) Single crystal manufacturing method and equipment
KR101758980B1 (en) Ingot growing apparatus and growing method by it
CN107109687A (en) The crystal growth system and method for ingot interface shape can be controlled
JP6729470B2 (en) Single crystal manufacturing method and apparatus
KR101758983B1 (en) Ingot growing apparatus and growing method by it
JP6939714B2 (en) Method for measuring the distance between the melt surface and the seed crystal, method for preheating the seed crystal, and method for producing a single crystal
KR101862157B1 (en) Method and apparatus for manufacturing silicon monocrystalline ingot
US20090293801A1 (en) Production method of silicon single crystal
WO2006025238A1 (en) Magnetic field application method of pulling silicon single crystal
JP4496723B2 (en) Single crystal manufacturing method and single crystal manufacturing apparatus
KR102666361B1 (en) Method for estimating oxygen concentration in silicon single crystal, manufacturing method for silicon single crystal, and silicon single crystal manufacturing device
US7470326B2 (en) Apparatus for manufacturing silicon single crystal, method for manufacturing silicon single crystal, and silicon single crystal
KR101540235B1 (en) Apparutus and Method for Manufacturing Single Crystal Ingot
JP2018043904A (en) Method for manufacturing silicon single crystal
KR101781463B1 (en) Apparatus and method for growing silicon single crystal ingot
WO2022254885A1 (en) Method for producing silicon monocrystal
JPS6321280A (en) Method for controlling diameter of single crystal
CN110273178A (en) The method of pulling up of monocrystalline silicon
JP2000034189A (en) Single crystal-pulling machine and pulling method
KR20240126297A (en) Single crystal ingot growth control device
KR20170081562A (en) Ingot growth control device and control method of it
JP2010076947A (en) Production method of silicon single crystal and silicon single crystal produced by the method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20150708

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20161214

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20170526

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20170711

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20170711

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210624

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230627

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240619

Start annual number: 8

End annual number: 8