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KR101757932B1 - Wafer transfer mechanism - Google Patents

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KR101757932B1
KR101757932B1 KR1020110102716A KR20110102716A KR101757932B1 KR 101757932 B1 KR101757932 B1 KR 101757932B1 KR 1020110102716 A KR1020110102716 A KR 1020110102716A KR 20110102716 A KR20110102716 A KR 20110102716A KR 101757932 B1 KR101757932 B1 KR 101757932B1
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grinding
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야스타카 미조모토
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명의 과제는 연삭면에 연삭 부스러기 등의 오염의 부착을 방지할 수 있는 웨이퍼 반송 기구를 제공하는 것이다.
웨이퍼를 유지하여 반송하는 웨이퍼 반송 기구로서, 아암과, 상기 아암의 선단에 탄성 지지 수단을 개재하여 지지된 웨이퍼를 흡인 유지하는 유지 패드를 포함하고, 상기 유지 패드는, 웨이퍼의 외측 둘레를 흡인 유지하는 환형의 흡인 유지부와, 상기 환형의 흡인 유지부에 둘러싸여 흡인 유지된 웨이퍼와의 사이에서 공간을 형성하는 오목부와, 상기 오목부에 액체를 공급하는 액체 공급부와, 상기 오목부로부터 액체를 배출하고 상기 환형의 흡인 유지부에 형성된 배출부를 포함하는 것을 특징으로 한다.A problem to be solved by the present invention is to provide a wafer transport mechanism capable of preventing contamination such as grinding debris from being attached to a grinding surface.
And a holding pad for sucking and holding the wafer held by the elastic supporting means at the tip of the arm, the holding pad being configured to hold the outer periphery of the wafer by suction A recessed portion which forms a space between the suction holding portion held in the annular shape and the suction held by the suction holding portion; a liquid supply portion which supplies the liquid to the recessed portion; And a discharge portion formed in the annular suction holding portion.

Description

웨이퍼 반송 기구{WAFER TRANSFER MECHANISM}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 웨이퍼를 유지하여 반송하는 웨이퍼 반송 기구에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer transport mechanism for holding and transporting a wafer such as a semiconductor wafer.

반도체 디바이스 제조 프로세스에서는, 반도체 웨이퍼의 표면에 스트리트라고 불리는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 각 영역에 반도체 디바이스가 형성된다. 반도체 웨이퍼는 연삭 장치에 의해 이면이 연삭되어 정해진 두께로 가공된 후, 다이싱 장치에 의해 스트리트를 따라서 절삭됨으로써 개개의 디바이스로 분할되어, IC, LSI 등의 반도체 디바이스가 제조된다.In a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor device is formed on each surface of a semiconductor wafer, which is defined by a plurality of lines to be divided, called streets. The back surface of the semiconductor wafer is ground by a grinding machine, processed to a predetermined thickness, and then cut along the street by a dicing machine, thereby being divided into individual devices to produce semiconductor devices such as ICs and LSIs.

연삭 장치는, 웨이퍼를 유지하는 척테이블과, 척테이블에 유지된 웨이퍼를 연삭하는 연삭 수단과, 연삭된 웨이퍼를 척테이블로부터 반출하는 웨이퍼 반송 기구와, 반출된 웨이퍼의 연삭면을 세정하는 스피너 세정 유닛으로 대략 형성되어 있어, 웨이퍼를 원하는 두께로 가공할 수 있다(예컨대, 일본 특허 공개 제2003-300155호 공보 참조).The grinding apparatus includes a chuck table for holding a wafer, a grinding means for grinding the wafer held on the chuck table, a wafer transport mechanism for carrying out the grinded wafer from the chuck table, a spinner cleaning Unit, so that the wafer can be processed to have a desired thickness (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-300155).

웨이퍼의 이면을 연삭하는 연삭 장치는, 웨이퍼를 얇게 연삭하고 연삭후의 웨이퍼의 연삭면에 미세한 연삭 부스러기가 부착되지 않는 것이 요구된다. 또, 연삭 장치로 웨이퍼의 이면을 연삭한 후, 웨이퍼의 이면에 서브 디바이스(재배선층)를 형성하는 경우가 있는데, 이러한 경우에는 웨이퍼의 이면에 부착되는 연삭 부스러기 등의 오염이 기준치를 하회해야 한다.The grinding apparatus for grinding the back surface of the wafer is required to thinly grind the wafer and to prevent fine grinding debris from adhering to the grinding surface of the wafer after grinding. Further, in some cases, a sub-device (re-wiring layer) is formed on the back surface of the wafer after grinding the back surface of the wafer with the grinding apparatus. In such a case, contamination of grinding chips or the like attached to the back surface of the wafer must be below the reference value .

종래 일반적으로는, 연삭이 끝난 웨이퍼를 척테이블로부터 반출할 때에는, 회동 가능한 아암의 선단에 부착된 진공 흡인식 흡착 패드로 웨이퍼를 흡인하여, 척테이블로부터 세정 유닛까지 반송하였다.Conventionally, in general, when a wafer after grinding is taken out of the chuck table, the wafer is sucked by a vacuum suction / adsorption adsorption pad attached to the tip of a rotatable arm and transferred from the chuck table to the cleaning unit.

일본 특허 공개 제2003-300155호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-300155

그러나, 흡착 패드를 사용하는 웨이퍼 반송 장치에서는, 연삭 직후의 웨이퍼는 연삭면을 세정하기 위해 세정 유닛에 반송되지만, 웨이퍼 반송 기구의 흡착 패드의 흡인으로 인해 웨이퍼의 이면이 건조해서, 기준치를 넘는 오염이 웨이퍼의 이면에 부착되어, 세정 유닛으로 세정하더라도 연삭 부스러기 등의 오염을 제거하는 것이 어렵다고 하는 문제가 있다. However, in the wafer transfer apparatus using the adsorption pad, the wafer immediately after the grinding is conveyed to the cleaning unit for cleaning the grinding surface, but the back side of the wafer is dried due to the suction of the adsorption pad of the wafer transfer mechanism, There is a problem that it is difficult to remove contamination such as grinding debris even if it is attached to the back surface of the wafer and cleaned by the cleaning unit.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적하는 바는 연삭후의 웨이퍼의 연삭면을 오염시키지 않고 연삭면에 연삭 부스러기가 부착되지 않는 웨이퍼 반송 기구를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of this point, and an object of the present invention is to provide a wafer transport mechanism that does not contaminate the grinding surface of the wafer after grinding and does not adhere to the grinding surface.

본 발명에 의하면, 웨이퍼를 유지하여 반송하는 웨이퍼 반송 기구로서, 아암과, 상기 아암의 선단에 탄성 지지 수단을 개재하여 지지된 웨이퍼를 흡인 유지하는 유지 패드를 포함하고, 상기 유지 패드는 웨이퍼의 외측 둘레를 흡인 유지하는 환형의 흡인 유지부와, 상기 환형의 흡인 유지부에 둘러싸여 흡인 유지된 웨이퍼와의 사이에서 공간을 형성하는 오목부와, 상기 오목부에 액체를 공급하는 액체 공급부와, 상기 오목부로부터 액체를 배출하고 상기 환형의 흡인 유지부에 형성된 배출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 반송 기구가 제공된다.According to the present invention, there is provided a wafer transfer mechanism for holding and transferring a wafer, the wafer transfer mechanism comprising: an arm; and a holding pad for sucking and holding a wafer supported at an end of the arm via elastic supporting means, A concave portion for forming a space between the wafer held in the suction holding portion surrounded by the annular suction holding portion; a liquid supply portion for supplying liquid to the concave portion; And a discharge portion formed in the annular suction holding portion for discharging the liquid from the holding portion.

본 발명의 웨이퍼 반송 기구에 의하면, 연삭후의 웨이퍼의 외측 둘레부를 환형의 흡인 유지부로 유지하기 때문에, 웨이퍼 연삭면에 접촉하는 부분이 적을 뿐만 아니라, 웨이퍼 연삭면을 항상 수층(水層)으로 채우면서 척테이블로부터 세정 유닛까지 웨이퍼를 반송하기 때문에, 연삭면이 건조하지 않고, 기준치를 넘는 오염의 부착을 방지할 수 있다.According to the wafer transfer mechanism of the present invention, since the outer peripheral portion of the wafer after grinding is held by the annular suction holding portion, not only the portion contacting the wafer grinding surface is small, but also the wafer grinding surface is always filled with the water layer The wafer is transported from the chuck table to the cleaning unit, so that the grinding surface is not dried and adhesion of contamination exceeding the reference value can be prevented.

도 1은 반도체 웨이퍼의 표면측 사시도이다.
도 2는 표면에 보호 테이프를 점착한 상태의 반도체 웨이퍼의 이면측 사시도이다.
도 3은 본 발명의 웨이퍼 반송 기구를 포함한 연삭 장치의 사시도이다.
도 4는 본 발명 실시형태에 따른 웨이퍼 반송 기구의 사시도이다.
도 5는 웨이퍼 반송 기구의 주요부 단면도이다.
도 6은 유지 패드의 이면측 사시도이다.
도 7은 배출부로부터 물이 배출되는 상태를 나타내는 유지 패드 부분의 사시도이다. 1 is a front side perspective view of a semiconductor wafer.
2 is a rear perspective view of a semiconductor wafer with a protective tape adhered to the surface thereof.
3 is a perspective view of a grinding apparatus including the wafer transport mechanism of the present invention.
4 is a perspective view of a wafer transport mechanism according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a main part of the wafer transport mechanism.
6 is a rear perspective view of the holding pad.
7 is a perspective view of a portion of the holding pad showing a state in which water is discharged from the discharge portion.

이하, 본 발명 실시형태의 웨이퍼 반송 기구를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1은 정해진 두께로 가공되기 전의 반도체 웨이퍼(11)의 사시도이다. 도 1에 나타내는 반도체 웨이퍼(11)는, 예를 들어 두께가 700 ㎛인 실리콘 웨이퍼를 포함하고, 표면(11a)에 복수의 스트리트(분할 예정 라인; 13)가 격자형으로 형성되고, 그 복수의 스트리트(13)에 의해 구획된 복수의 영역에 IC, LSI 등의 디바이스(15)가 형성된다. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a wafer transport mechanism according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 1 is a perspective view of the semiconductor wafer 11 before being processed to a predetermined thickness. The semiconductor wafer 11 shown in Fig. 1 includes, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 mu m, and a plurality of streets (lines to be divided) 13 are formed in a lattice pattern on the surface 11a, Devices 15 such as ICs and LSIs are formed in a plurality of areas defined by the streets 13. [

이와 같이 구성된 반도체 웨이퍼(11)는 디바이스(15)가 형성되어 있는 디바이스 영역(17)과, 디바이스 영역(17)을 둘러싸는 외측 둘레 잉여 영역(19)을 포함한다. 또, 반도체 웨이퍼(11)의 외측 둘레에는, 실리콘 웨이퍼의 결정 방위를 나타내는 마크로서의 노치(21)가 형성된다.The semiconductor wafer 11 thus configured includes a device region 17 in which the device 15 is formed and an outer peripheral surplus region 19 surrounding the device region 17. A notch 21 is formed around the outer periphery of the semiconductor wafer 11 as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer.

반도체 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 연삭하기 전에, 반도체 웨이퍼(11)의 표면(11a)에는, 보호 테이프 점착 공정에 의해 보호 테이프(23)가 점착된다. 따라서, 반도체 웨이퍼(11)의 표면(11a)은 보호 테이프(23)에 의해 보호되고, 도 2에 나타낸 바와 같이 이면(11b)이 노출된 형태가 된다. 보호 테이프(23) 대신 강성이 있는 유리 등의 보호 부재를 사용하여도 된다.The protective tape 23 is adhered to the surface 11a of the semiconductor wafer 11 by a protective tape adhering step before grinding the back surface 11b of the semiconductor wafer 11. [ Therefore, the surface 11a of the semiconductor wafer 11 is protected by the protective tape 23, and the back surface 11b is exposed as shown in Fig. Instead of the protective tape 23, a protective member such as rigid glass may be used.

다음으로, 도 3을 참조하여, 본 발명 실시형태의 웨이퍼 반송 기구를 채택한 연삭 장치에 관해 설명한다. 도면 부호 4는 연삭 장치(2)의 베이스이고, 베이스의 후방에는 2개의 칼럼(6a, 6b)이 수직으로 설치된다. 칼럼(6a)에는, 상하 방향으로 연장되는 한쌍의 가이드 레일(1개만 도시; 8)이 고정된다.Next, with reference to Fig. 3, a description will be given of a grinding apparatus employing the wafer transport mechanism of the embodiment of the present invention. Reference numeral 4 denotes the base of the grinding apparatus 2, and two columns 6a and 6b are vertically installed at the rear of the base. In the column 6a, a pair of guide rails (only one shown) 8 extending in the vertical direction is fixed.

이 한쌍의 가이드 레일(8)을 따라서 조(粗)연삭 유닛(10)이 상하 방향으로 이동 가능하게 장착된다. 조연삭 유닛(10)은 그 하우징(20)이 한쌍의 가이드 레일(8)을 따라서 상하 방향으로 이동하는 이동 베이스(12)에 부착된다.The coarse grinding unit 10 is mounted movably in the vertical direction along the pair of guide rails 8. The coarse grinding unit 10 is attached to the movable base 12 whose housing 20 moves in the vertical direction along a pair of guide rails 8.

조연삭 유닛(10)은 하우징(20)과, 하우징(20) 내에 회전 가능하게 수용된 도시하지 않은 스핀들과, 스핀들을 회전 구동시키는 서보 모터(22)와, 스핀들의 선단에 고정된 복수의 조연삭용 연삭 지석(26)을 갖는 연삭 휠(24)을 포함한다.The coarse grinding unit 10 includes a housing 20, a not-shown spindle rotatably received in the housing 20, a servo motor 22 for rotating the spindle, a plurality of coarse grinding And a grinding wheel (24) having a grinding wheel (26) for grinding.

조연삭 유닛(10)은 그 조연삭 유닛(10)을 한쌍의 안내 레일(8)을 따라서 상하 방향으로 이동시키는 볼나사(14)와 펄스 모터(16)로 구성되는 조연삭 유닛 이동 기구(18)를 포함한다. 펄스 모터(16)를 펄스 구동시키면, 볼나사(14)가 회전하여 이동 베이스(12)가 상하 방향으로 이동한다. The coarse grinding unit 10 is provided with a coarse grinding unit moving mechanism 18 including a ball screw 14 and a pulse motor 16 for moving the coarse grinding unit 10 in the vertical direction along a pair of guide rails 8 ). When the pulse motor 16 is pulse-driven, the ball screw 14 rotates and the movable base 12 moves in the vertical direction.

다른쪽 칼럼(6b)에도, 상하 방향으로 연장되는 한쌍의 가이드 레일(1개만 도시; 19)이 고정된다. 이 한쌍의 가이드 레일(19)을 따라서 마무리 연삭 유닛(28)이 상하 방향으로 이동 가능하게 장착된다.In the other column 6b, a pair of guide rails (only one shown) 19 extending in the vertical direction is fixed. The finishing grinding unit 28 is mounted movably in the vertical direction along the pair of guide rails 19.

마무리 연삭 유닛(28)은 그 하우징(36)이 한쌍의 가이드 레일(19)을 따라서 상하 방향으로 이동하는 도시하지 않은 이동 베이스에 부착된다. 마무리 연삭 유닛(28)은 하우징(36)과, 하우징(36) 내에 회전 가능하게 수용된 도시하지 않은 스핀들과, 스핀들을 회전 구동시키는 서보 모터(38)와, 스핀들의 선단에 고정된 마무리 연삭용 연삭 지석(42)을 갖는 연삭 휠(40)을 포함한다.The finish grinding unit 28 is attached to a moving base (not shown) in which the housing 36 is moved up and down along a pair of guide rails 19. The finish grinding unit 28 includes a housing 36, a not-shown spindle rotatably received in the housing 36, a servo motor 38 for rotationally driving the spindle, a finishing grinding grinding And a grinding wheel (40) having a grinding wheel (42).

마무리 연삭 유닛(28)은 그 마무리 연삭 유닛(28)을 한쌍의 안내 레일(19)을 따라서 상하 방향으로 이동시키는 볼나사(30)와 펄스 모터(32)로 구성되는 마무리 연삭 유닛 이동 기구(34)를 포함한다. 펄스 모터(32)를 구동시키면, 볼나사(30)가 회전하여, 마무리 연삭 유닛(28)이 상하 방향으로 이동한다. The finish grinding unit 28 includes a finishing grinding unit moving mechanism 34 consisting of a ball screw 30 and a pulse motor 32 for moving the finishing grinding unit 28 in the vertical direction along a pair of guide rails 19 ). When the pulse motor 32 is driven, the ball screw 30 rotates, and the finishing grinding unit 28 moves up and down.

연삭 장치(2)는 칼럼(6a, 6b)의 앞쪽에서 베이스(4)의 상면과 대략 수평하게 설치된 턴테이블(44)을 포함한다. 턴테이블(44)은 비교적 직경이 큰 원반형으로 형성되고, 도시하지 않은 회전 구동 기구에 의해 화살표 45가 가리키는 방향으로 회전한다.The grinding apparatus 2 includes a turntable 44 provided substantially horizontally with the upper surface of the base 4 in front of the columns 6a and 6b. The turntable 44 is formed in a disc shape having a relatively large diameter and is rotated in the direction indicated by the arrow 45 by a rotation drive mechanism (not shown).

턴테이블(44)에는, 서로 원주 방향으로 120° 이격된 3개의 척테이블(46)이 수평면 내에서 회전 가능하게 배치된다. 척테이블(46)은 다공성 세라믹재에 의해 원반형으로 형성된 흡착부를 갖고 있고, 흡착부의 유지면 상에 배치된 웨이퍼를 진공 흡인 수단을 작동시킴으로써 흡인 유지한다. On the turntable 44, three chuck tables 46, which are spaced apart from each other by 120 degrees in the circumferential direction, are rotatably arranged in the horizontal plane. The chuck table 46 has a suction portion formed in a disk shape by a porous ceramic material, and the wafer placed on the holding surface of the suction portion is suction-held by operating a vacuum suction means.

턴테이블(44)에 설치된 3개의 척테이블(46)은 턴테이블(44)이 적절하게 회전함으로써, 웨이퍼 반입ㆍ반출 영역(A), 조연삭 가공 영역(B), 마무리 연삭 가공 영역(C) 및 웨이퍼 반입ㆍ반출 영역(A)에 순차적으로 이동한다. The three chuck tables 46 provided on the turntable 44 are rotated by the turntable 44 appropriately so that the wafer carrying-in / out area A, the coarse grinding area B, the finish grinding area C, To the carry-in / carry-out area (A).

베이스(4)의 앞쪽 부분에는, 제1 웨이퍼 카세트(50)와, 제2 웨이퍼 카세트(66)와, 링크 기구(51)와 핸드(52)를 갖는 웨이퍼 반송 로봇(54)과, 복수의 위치 결정 핀(58)을 갖는 위치 결정 테이블(56)과, 웨이퍼 반입 기구(로딩 아암; 60)와, 웨이퍼 반출 기구(언로딩 아암; 62)와, 스피너 세정 유닛(64)이 설치된다.A wafer transfer robot 54 having a first wafer cassette 50 and a second wafer cassette 66 as well as a link mechanism 51 and a hand 52 and a plurality of (Unloading arm) 62, and a spinner cleaning unit 64 are provided on the positioning table 56 having the crystal pin 58, the wafer loading mechanism (loading arm) 60, the wafer unloading mechanism (unloading arm)

스피너 세정 유닛(64)은 웨이퍼를 흡인 유지하여 회전시키는 스피너 테이블(68)을 갖는다. 도면 부호 70은 스피너 세정 유닛(64)의 커버이다. 웨이퍼 반출 기구(62)가 본 발명 실시형태의 웨이퍼 반송 기구를 구성한다. The spinner cleaning unit 64 has a spinner table 68 for holding and rotating the wafer. Reference numeral 70 denotes a cover of the spinner cleaning unit 64. And the wafer carrying mechanism 62 constitutes the wafer carrying mechanism of the embodiment of the present invention.

연삭후의 웨이퍼(11)는 연삭면을 세정하기 위해 스피너 세정 유닛(64)에 반송되지만, 웨이퍼의 연삭면을 흡착 패드로 흡착하여 반송하면, 흡착 패드가 웨이퍼의 연삭면에 접촉하기 때문에 연삭면의 오염이 우려된다. The wafer 11 after the grinding is conveyed to the spinner cleaning unit 64 for cleaning the grinding surface. However, when the grinding surface of the wafer is sucked and conveyed by the adsorption pad, the adsorption pad comes into contact with the grinding surface of the wafer, Pollution is a concern.

또한, 웨이퍼 반송시에 흡착 패드의 흡인으로 인해 웨이퍼의 이면이 건조해서, 연삭 부스러기가 웨이퍼의 연삭면에 부착되어 스피너 세정 유닛(64)으로 세정하더라도 떨어지지 않는다고 하는 문제가 발생하였다. 이 문제를 해결하는 본 발명 실시형태의 웨이퍼 반송 기구(62)를 도 4 내지 도 7을 참조하여 상세히 설명한다. In addition, when the back of the wafer is dried due to suction of the adsorption pad during wafer transfer, a problem arises that the grinding chips adhere to the grinding surface of the wafer and do not fall off even if it is cleaned by the spinner cleaning unit 64. The wafer transport mechanism 62 of the embodiment of the present invention for solving this problem will be described in detail with reference to Figs. 4 to 7. Fig.

웨이퍼 반송 기구(62)는 도 4에 나타낸 바와 같이, 상하 방향으로 이동 가능한 칼럼(72)과, 칼럼(72)의 선단부에 회동 가능하게 장착된 아암(74)과, 아암(74)의 선단부에 부착된 유지 패드(흡착 패드; 76)를 포함한다.4, the wafer transfer mechanism 62 includes a column 72 movable in the vertical direction, an arm 74 rotatably mounted on the distal end of the column 72, And an attached sustain pad (adsorption pad) 76.

도 5에 나타낸 바와 같이, 아암(74)의 선단부에는 삽입 구멍(75)이 형성되고, 이 삽입 구멍(75) 내에 유지 패드(76)의 지지부(78)를 삽입하고, 유지 패드(76)와 아암(74) 사이에 코일 스프링(80)을 개재함으로써, 유지 패드(76)는 아암(74)의 선단에 탄성적으로 지지된다. 5, an insertion hole 75 is formed at the distal end of the arm 74, a support portion 78 of the holding pad 76 is inserted into the insertion hole 75, and the holding pad 76 The holding pad 76 is elastically supported at the tip of the arm 74 by interposing the coil spring 80 between the arms 74. [

도 6에 가장 잘 나타낸 바와 같이, 유지 패드(76)는 웨이퍼(11)의 외측 둘레를 흡인 유지하는 환형의 흡인 유지부(82)와, 환형의 흡인 유지부(82)에 둘러싸여 있고 웨이퍼(11)와의 사이에서 공간을 형성하는 원형 오목부(84)를 갖는다. 그리고, 흡인 유지부(82)와 원형 오목부(84)의 단차(h)는 1∼2 mm 정도로 형성된다. 6, the holding pad 76 includes an annular suction holding portion 82 for holding the outer periphery of the wafer 11 by suction, a holding portion 82 surrounded by the annular suction holding portion 82, And a circular recess 84 for forming a space therebetween. The height h between the suction holding portion 82 and the circular recess 84 is about 1 to 2 mm.

환형의 흡인 유지부(82)에는 복수의 흡인 구멍(86)이 형성되고, 도 5에 나타낸 바와 같이, 이들 흡인 구멍(86)은 환형의 흡인로(88) 및 흡인구(90)를 통해 흡인원(92)에 접속된다. 환형의 흡인 유지부(82)에는 또한, 복수의(본 실시형태에서는 4개) 배출부(94)가 형성된다.5, a plurality of suction holes 86 are formed in the annular suction holding portion 82 and these suction holes 86 are suctioned through the annular suction path 88 and the suction port 90 And is connected to the circle 92. A plurality of (four in this embodiment) discharge portions 94 are formed in the annular suction holding portion 82.

원형 오목부(84)에는, 그 원형 오목부(84)에 물을 공급하는 복수의(본 실시형태로서는 4개) 공급 구멍(96)이 형성되고, 이들 공급 구멍(96)은 유지 패드(76)의 표면에 설치된 가요성 배관(98)을 통해 도 5에 나타낸 바와 같이 수원(100)에 접속된다.A plurality of (four in this embodiment) supply holes 96 for supplying water to the circular concave portions 84 are formed in the circular concave portions 84. These supply holes 96 are formed by the holding pads 76 As shown in Fig. 5, through a flexible pipe 98 provided on the surface of the water source 100. [

이하, 전술한 바와 같이 구성된 본 발명의 실시형태의 웨이퍼 반송 기구(웨이퍼 반출 기구; 62)의 작용에 관해 설명한다. 조연삭 유닛(10)에 의한 조연삭, 및 마무리 연삭 유닛(28)에 의한 마무리 연삭이 종료된 웨이퍼(11)는 턴테이블(44)을 회전하여 웨이퍼 반입ㆍ반출 영역(A)에 위치 결정된다.Hereinafter, the operation of the wafer transport mechanism (wafer transport mechanism 62) of the embodiment of the present invention configured as described above will be described. After the rough grinding by the coarse grinding unit 10 and the finishing grinding by the finishing grinding unit 28 are completed, the wafer 11 is positioned in the wafer loading / unloading area A by rotating the turntable 44.

이어서, 웨이퍼 반송 기구(62)의 아암(74)이 회동하여 유지 패드(76)를 척테이블(46)에 유지된 웨이퍼(11) 위에 위치 결정하고, 칼럼(72)을 하강시켜 유지 패드(76)를 웨이퍼(11)의 이면(연삭면; 11b)에 접촉시킨다. The arm 74 of the wafer transfer mechanism 62 is rotated to position the holding pad 76 on the wafer 11 held on the chuck table 46 and lower the column 72 to hold the holding pad 76 Is brought into contact with the back surface (grinding surface) 11b of the wafer 11.

그리고, 척테이블(46)의 흡인 유지를 해제하고 나서, 유지 패드(76)의 환형의 흡인 유지부(82)로 웨이퍼(11)의 외측 둘레부를 흡인 유지한다. 따라서, 웨이퍼(11)의 연삭면과 유지 패드(76) 사이에는 원형 오목부(84)에 의해 공간이 형성되고, 웨이퍼(11)는 그 외측 둘레부에서만 유지 패드(76)에 의해 흡인 유지된다. After the suction holding of the chuck table 46 is released, the outer peripheral portion of the wafer 11 is sucked and held by the annular suction holding portion 82 of the holding pad 76. Therefore, a space is formed between the grinding surface of the wafer 11 and the holding pad 76 by the circular recess 84, and the wafer 11 is sucked and held by the holding pad 76 only at the outer periphery thereof .

원형 오목부(84) 내에는 수원(100)에 접속된 공급 구멍(96)으로부터 물이 공급되어 웨이퍼(11)를 흡인 유지한 원형 오목부(84) 내부는 물로 채워지고, 도 7에 나타낸 바와 같이 환형의 흡인 유지부(82)에 형성된 배출부(94)로부터 배수(102)가 배출된다. Water is supplied from the supply hole 96 connected to the water source 100 and the inside of the circular concave portion 84 in which the wafer 11 is sucked and held is filled with water in the circular concave portion 84, The drainage 102 is discharged from the discharge portion 94 formed in the annular suction holding portion 82 as well.

이 상태로 칼럼(72)을 정해진 거리만큼 위쪽으로 이동시켜 웨이퍼(11)를 척테이블(46)로부터 상승시키고, 또한 아암(74)을 회동시킴으로써 유지 패드(76)로 웨이퍼(11)를 흡인 유지한 상태에서 스피너 세정 유닛(64)의 스피너 테이블(68)까지 웨이퍼(11)를 반송하고, 유지 패드(76)의 환형의 흡인 유지부(82)의 흡인을 해제한다. In this state, the column 72 is moved upward by a predetermined distance to raise the wafer 11 from the chuck table 46 and the arm 74 is pivoted to suction and hold the wafer 11 with the holding pad 76 The wafer 11 is carried to the spinner table 68 of the spinner cleaning unit 64 and the suction of the annular suction holding portion 82 of the holding pad 76 is released.

스피너 세정 유닛(64)에서는, 스피너 테이블(68)로 웨이퍼(11)를 흡인 유지하고, 스피너 테이블(68)을 회전시키면서 웨이퍼(11)를 세정한다. 웨이퍼(11)의 세정이 종료되면, 스피너 세정 유닛(64)에서 웨이퍼(11)를 스핀 건조시킨 후, 웨이퍼 반송 로봇(54)의 핸드(52)로 웨이퍼(11)를 흡인 유지하여 제2 웨이퍼 카세트(66)의 정해진 개소에 웨이퍼(11)를 수용한다. In the spinner cleaning unit 64, the wafer 11 is sucked and held by the spinner table 68, and the wafer 11 is cleaned while rotating the spinner table 68. After the cleaning of the wafer 11 is completed, the wafer 11 is spin-dried in the spinner cleaning unit 64, and then the wafer 11 is sucked and held by the hand 52 of the wafer transfer robot 54, And accommodates the wafer 11 at a predetermined position of the cassette 66. [

전술한 실시형태의 웨이퍼 반송 기구(62)에 의하면, 연삭후의 웨이퍼(11)의 외측 둘레부를 환형의 흡인 유지부(82)로 유지하면서 반송하기 때문에, 웨이퍼 연삭면에 접촉하는 부분이 적을 뿐만 아니라, 웨이퍼(11)의 연삭면에 항상 수층을 형성하면서 반송하기 때문에, 웨이퍼(11)의 연삭면이 건조하지 않고, 연삭 부스러기 등에 의한 웨이퍼 연삭면의 오염을 철저히 방지하여, 웨이퍼를 척테이블(46)로부터 스피너 세정 유닛(64)까지 반송할 수 있다.According to the wafer transfer mechanism 62 of the above-described embodiment, since the outer peripheral portion of the wafer 11 after grinding is conveyed while being held by the annular suction holding portion 82, not only the portion contacting the wafer grinding surface is small The grinding surface of the wafer 11 is not dried and the contamination of the grinding surface of the wafer due to the grinding chips or the like is thoroughly prevented and the wafer is transferred to the chuck table 46 ) To the spinner cleaning unit 64. [

2 : 연삭 장치 10 : 조연삭 유닛
11 : 반도체 웨이퍼 23 : 보호 테이프
28 : 마무리 연삭 유닛 44 : 턴테이블
46 : 척테이블
62 : 웨이퍼 반송 기구(웨이퍼 반출 기구)
64 : 스피너 세정 유닛 76 : 유지 패드
82 : 환형의 흡인 유지부 84 : 원형 오목부
86 : 흡인 구멍 94 : 배출부
96 : 공급 구멍2: Grinding device 10: Coarse grinding unit
11: semiconductor wafer 23: protective tape
28: finish grinding unit 44: turntable
46: Chuck table
62: Wafer transport mechanism (wafer transport mechanism)
64: spinner cleaning unit 76: retaining pad
82: annular suction holding portion 84: circular recess
86: suction hole 94:
96: Feed hole

Claims (1)

웨이퍼를 유지하여 반송하는 웨이퍼 반송 기구에 있어서,
아암과,
상기 아암의 선단에 탄성 지지 수단을 개재하여 지지된 웨이퍼를 흡인 유지하는 유지 패드
를 포함하고,
상기 유지 패드는 웨이퍼의 외측 둘레를 흡인 유지하는 환형의 흡인 유지부와, 상기 환형의 흡인 유지부에 둘러싸여 흡인 유지된 웨이퍼와의 사이에서 공간을 형성하는 오목부와, 상기 오목부에 액체를 공급하는 액체 공급부와, 상기 오목부로부터 액체를 배출하고 상기 환형의 흡인 유지부에 홈 형상으로 형성된 복수의 배출부를 포함하며,
상기 복수의 배출부는 웨이퍼를 유지했을 때에 상기 오목부와 상기 유지 패드의 외부를 연통하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 반송 기구. A wafer transport mechanism for holding and transporting a wafer,
The arm,
A holding pad for sucking and holding the wafer supported by elastic supporting means at the tip of the arm;
Lt; / RTI >
Wherein the holding pad has an annular suction holding portion for holding the outer periphery of the wafer by suction, a recess for forming a space between the suction holding portion surrounded by the annular suction holding portion, And a plurality of discharge portions for discharging the liquid from the concave portion and formed in a groove shape in the annular suction holding portion,
And the plurality of discharge portions communicate with the outside of the holding pad when the wafer is held.
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