[go: up one dir, main page]

KR101741683B1 - 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 - Google Patents

도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 Download PDF

Info

Publication number
KR101741683B1
KR101741683B1 KR1020100075697A KR20100075697A KR101741683B1 KR 101741683 B1 KR101741683 B1 KR 101741683B1 KR 1020100075697 A KR1020100075697 A KR 1020100075697A KR 20100075697 A KR20100075697 A KR 20100075697A KR 101741683 B1 KR101741683 B1 KR 101741683B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
glass
conductive paste
metal glass
electrode
liquid section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020100075697A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120013617A (ko
Inventor
지상수
이은성
김세윤
이상목
원정연
김도향
Original Assignee
삼성전자주식회사
연세대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 연세대학교 산학협력단 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020100075697A priority Critical patent/KR101741683B1/ko
Priority to US13/016,403 priority patent/US8715535B2/en
Priority to EP11176323.1A priority patent/EP2416327B1/en
Publication of KR20120013617A publication Critical patent/KR20120013617A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101741683B1 publication Critical patent/KR101741683B1/ko
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/008—Selection of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H05K1/095—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks for polymer thick films, i.e. having a permanent organic polymeric binder
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

도전성 분말, 과냉각 액체 구간을 가지는 금속 유리, 그리고 유기 비히클을 포함하는 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지에 관한 것이다.

Description

도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지{CONDUCTIVE PASTE AND ELECTRONIC DEVICE AND SOLAR CELL INCLUDING AN ELECTRODE FORMED USING THE CONDUCTIVE PASTE}
도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지에 관한 것이다.
태양 전지는 태양 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전 변환 소자로서, 무한정 무공해의 차세대 에너지 자원으로 각광받고 있다.
태양 전지는 p형 반도체 및 n형 반도체를 포함하며, 광활성층에서 태양 광 에너지를 흡수하면 반도체 내부에서 전자-정공 쌍(electron-hole pair, EHP)이 생성되고, 여기서 생성된 전자 및 정공이 n형 반도체 및 p형 반도체로 각각 이동하고 이들이 전극에 수집됨으로써 외부에서 전기 에너지로 이용할 수 있다.
태양 전지는 태양 에너지로부터 가능한 많은 전기 에너지를 출력할 수 있도록 효율을 높이는 것이 중요하다. 이러한 태양 전지의 효율을 높이기 위해서는 반도체 내부에서 가능한 많은 전자-정공 쌍을 생성하는 것도 중요하지만 생성된 전하를 손실됨 없이 외부로 끌어내는 것 또한 중요하다.
한편, 태양 전지의 전극은 증착법으로 형성할 수 있지만 이 경우 공정이 복잡하고 비용 및 시간이 많이 소요된다. 이에 따라 도전성 물질을 포함한 도전성 페이스트를 스크린 인쇄(screen printing) 방법으로 형성하여 공정을 단순화하는 방안이 제안되었다.
그러나 도전성 페이스트에 사용하여 전극을 형성하는 경우, 도전성 페이스트에 포함되어 있는 유리 프릿에 의해 전극의 도전성이 떨어질 수 있다.
본 발명의 일 측면은 전극의 도전성을 개선할 수 있는 도전성 페이스트를 제공한다.
본 발명의 다른 측면은 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
본 발명의 또 다른 측면은 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 태양 전지를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 도전성 분말, 과냉각 액체 구간을 가지는 금속 유리, 그리고 유기 비히클을 포함하는 도전성 페이스트를 제공한다.
상기 과냉각 액체 구간은 약 5 내지 200℃ 일 수 있다.
상기 과냉각 액체 구간은 약 20 내지 100 ℃ 일 수 있다.
상기 과냉각 액체 구간은 상기 금속 유리의 유리 전이 온도와 결정화 온도 사이의 온도 범위일 수 있고, 상기 과냉각 액체 구간에서 상기 금속 유리는 액체와 같은 거동을 나타낼 수 있다.
상기 금속 유리의 유리 전이 온도는 약 100℃ 이상일 수 있다.
상기 금속 유리의 결정화 온도는 약 800℃ 이하일 수 있다.
상기 도전성 분말, 상기 금속 유리 및 상기 유기 비히클은 상기 도전성 페이스트의 총 함량에 대하여 각각 약 30 내지 98 중량%, 약 1 내지 50중량% 및 잔량으로 포함될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 도전성 분말, 과냉각 액체 구간을 가지는 금속 유리 및 유기 비히클을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
상기 과냉각 액체 구간은 약 5 내지 200℃ 일 수 있다.
상기 과냉각 액체 구간은 약 20 내지 100℃ 인 전자 소자.
상기 과냉각 액체 구간은 상기 금속 유리의 유리 전이 온도와 결정화 온도 사이의 온도 범위이고,
상기 과냉각 액체 구간에서 상기 금속 유리는 액체와 같은 거동을 나타낼 수 있다.
상기 금속 유리의 유리 전이 온도는 약 100℃ 이상일 수 있고, 상기 금속 유리의 결정화 온도는 약 800℃ 이하일 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 반도체 층, 그리고 상기 반도체 층에 전기적으로 연결되어 있으며 도전성 분말, 과냉각 액체 구간을 가지는 금속 유리 및 유기 비히클을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 태양 전지를 제공한다.
상기 과냉각 액체 구간은 약 5 내지 200℃ 일 수 있다.
상기 과냉각 액체 구간은 약 20 내지 100℃ 일 수 있다.
상기 과냉각 액체 구간은 상기 금속 유리의 유리 전이 온도와 결정화 온도 사이의 온도 범위일 수 있고, 상기 과냉각 액체 구간에서 상기 금속 유리는 액체와 같은 거동을 나타낼 수 있다.
상기 금속 유리의 유리 전이 온도는 약 100℃ 이상일 수 있고, 상기 금속 유리의 결정화 온도는 800℃ 이하일 수 있다.
상기 과냉각 액체 구간에서 상기 도전성 분말은 상기 금속 유리 및 상기 반도체 층 중 적어도 하나에 확산되어 유입될 수 있다.
상기 태양 전지는 상기 반도체 층과 상기 전극 사이에 위치하며 상기 금속 유리를 포함하는 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
상기 버퍼층은 결정화된 상기 금속 유리 및 결정화된 상기 도전성 분말을 포함할 수 있다.
도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극의 도전성을 개선하고 하부막과의 접촉 저항을 낮출 수 있다. 이에 따라 상기 전극을 적용한 전자 소자의 전기적 특성을 개선하는 한편 태양 전지의 경우 전하를 효과적으로 모으고 전극 측으로 이동할 수 있어서 효율을 개선할 수 있다.
도 1은 과냉각 액체 구간을 가지는 금속 유리의 온도에 따른 상 변화를 보여주는 다이아그램이고,
도 2 내지 도 4는 일 구현예에 따른 도전성 페이스트를 반도체 기판에 적용한 경우 금속 유리가 소성 변형되어 반도체 기판과 접촉하는 예를 도시한 개략도이고,
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 'A' 부분을 확대하여 도시한 개략도이고,
도 6은 일 구현예에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이고,
도 7은 다른 구현예에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이다.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
이하에서 '금속'은 금속 및 반금속을 포괄하는 용어이다.
먼저 일 구현예에 따른 도전성 페이스트에 대하여 설명한다.
일 구현예에 따른 도전성 페이스트는 도전성 분말, 과냉각 액체 구간(supercooled liquid region)을 가지는 금속 유리(metallic glass) 및 유기 비히클을 포함한다.
상기 도전성 분말은 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 같은 알루미늄(Al) 함유 금속, 은 또는 은 합금과 같은 은(Ag) 함유 금속, 구리(Cu) 또는 구리 합금과 같은 구리(Cu) 함유 금속, 니켈(Ni) 또는 니켈 합금과 같은 니켈(Ni) 함유 금속 또는 이들의 조합일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 다른 종류의 금속일 수도 있으며 상기 금속 외에 다른 첨가물을 포함할 수도 있다.
상기 도전성 분말은 약 0.1 내지 50㎛의 크기를 가질 수 있다.
상기 금속 유리는 두 종류 이상의 금속이 무질서한 원자 구조를 가지는 비정질 상태의 합금으로, 비정질 금속(amorphous metal)이라고도 부른다. 금속 유리는 실리케이트(silicate)와 같은 일반 유리와 달리 비저항이 낮아 도전성을 나타낸다.
상기 금속 유리는 과냉각 액체 구간(△Tsc)을 가진다. 과냉각 액체 구간(△Tsc)이란 금속 유리의 유리 전이 온도(glass transition temperature, Tg)와 결정화 온도(crystalline temperature, Tc) 사이의 영역으로, 이 영역에서는 금속 유리가 소성 변형(plastic deformation)을 일으켜 액체와 같은 거동을 나타낸다. 따라서 과냉각 액체 구간에서 금속 유리는 하부막에 대하여 젖음성(wetting)을 나타낼 수 있다.
금속 유리의 과냉각 액체 구간(△Tsc)은 약 5 내지 200℃일 수 있다. 상기 범위의 과냉각 액체 구간(△Tsc)을 가지는 경우 후술하는 바와 같이 하부막에 대하여 충분한 젖음성을 나타낼 수 있다.
상기 범위 내에서 금속 유리의 과냉각 액체 구간(△Tsc)은 약 20 내지 100℃일 수 있다.
한편, 과냉각 액체 구간(△Tsc)의 시작 온도, 즉 금속 유리의 유리 전이 온도(Tg)는 약 100℃보다 높을 수 있으며, 과냉각 액체 구간(△Tsc)의 종료 온도, 즉 금속 유리의 결정화 온도는 약 800℃보다 낮을 수 있다.
과냉각 액체 구간을 가지는 금속 유리를 예시적으로 도 1에 도시하였다.
도 1은 과냉각 액체 구간을 가지는 금속 유리의 온도에 따른 상 변화를 보여주는 다이아그램이다.
도 1을 참고하면, Cu50Zr50, Cu30Ag30Zr30Ti10, Ti50Ni15Cu32Sn3, Ti45Ni15Cu25Sn3Be7Zr5, Ni60Nb30Ta10, Ni61Zr20Nb7Al4Ta8, Ni57 .5Zr35Al7 .5, Mm55Al25Ni20, La55Al25Ni10Cu10, Mg65Cu7 .5Ni7 .5Ag5Zn5Gd10, Mg65Cu15Ag10Y6Gd4, Fe77Nb6B17, Fe67Mo13B17Y3, Ca65Mg15Zn20 및 Ca66 .4Al33 .6 와 같은 금속 유리는 약 5 내지 200℃, 그 중에서도 약 20 내지 100℃의 과냉각 액체 구간을 가지는 것을 알 수 있다.
그러나 표 1에 나열한 금속 유리는 예시적이며, 과냉각 액체 구간을 보이는 어떠한 금속 유리도 여기에 해당될 수 있다.
상기 유기 비히클은 상술한 도전성 분말 및 금속 유리와 혼합되어 적절한 점도를 부여할 수 있는 유기 화합물과 이들을 용해하는 용매를 포함한다.
유기 화합물은 예컨대 (메타)아크릴레이트계 수지; 에틸 셀룰로오스와 같은 셀룰로오스 수지; 페놀 수지; 알코올 수지; 테플론; 및 이들의 조합에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 계면활성제, 증점제 및 안정화제와 같은 첨가제를 더 포함할 수 있다.
용매는 이들을 혼합할 수 있는 형태이면 특히 한정되지 않으며, 예컨대 터피네올, 부틸카비톨, 부틸카비톨 아세테이트, 펜테인디올, 다이펜틴, 리모닌, 에틸렌글리콜 알킬에테르, 디에틸렌글리콜 알킬에테르, 에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트 디에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 디알킬에테르 아세테이트, 트리에틸렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 트리에틸렌 글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 페닐에테르, 디프로필렌글리콜 알킬에테르, 트리프로필렌글리콜 알킬에테르, 프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 디프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트, 트리프로필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 디메틸프탈산, 디에틸프탈산, 디부틸프탈산 및 탈염수에서 선택된 적어도 하나 이상일 수 있다.
상기 도전성 분말, 상기 금속 유리 및 상기 유기 비히클은 상기 도전성 페이스트의 총 함량에 대하여 각각 30 내지 98중량%, 약 1 내지 50중량% 및 잔량으로 포함될 수 있다.
상술한 도전성 페이스트는 스크린 인쇄 등의 방법으로 형성되어 전자 소자의 전극으로 사용될 수 있다.
상술한 도전성 페이스트의 열 처리에 따른 변화를 도 2 내지 도 5c를 참고하여 설명한다.
도 2 내지 도 4는 일 구현예에 따른 도전성 페이스트를 반도체 기판에 적용한 경우 금속 유리가 소성 변형되어 반도체 기판과 접촉하는 예를 도시한 개략도이고, 도 5a 내지 도 5c는 도 4의 'A' 부분을 확대하여 도시한 개략도이다.
도 2를 참고하면, 반도체 기판(110) 위에 도전성 분말(120a) 및 금속 유리(115a)를 포함하는 도전성 페이스트를 적용한다. 도전성 분말(120a) 및 금속 유리(115a)는 각각 입자 형태로 존재할 수 있다.
도 3을 참고하면, 금속 유리(115a)의 유리 전이 온도(Tg) 이상으로 승온하는 경우, 금속 유리(115a)는 연화되어 액체 거동(liquid-like)의 금속 유리(115b)로 변하며, 이러한 액체 거동의 금속 유리(115b)는 복수의 도전성 분말(120a) 사이의 틈을 채우거나 금속 입자를 적셔 금속 입자의 표면에 층을 형성할 수 있다. 이 때 금속 유리(115a)의 유리 전이 온도(Tg)는 도전성 분말(120a)의 소결 온도보다 낮으므로, 도전성 분말(120a)이 소결되기 전에 금속 유리(115a)가 먼저 연화된다.
액체 거동의 금속 유리(115b)는 반도체 기판(110) 위에서 퍼지면서 넓은 영역에 걸쳐 젖음성을 나타낸다. 젖음성이 나타나는 영역은 후술하는 더 높은 온도에서 도전성 분말이 반도체 기판(110) 측으로 침투할 수 있는 면적인 동시에 금속 유리(115b)와 반도체 기판(110)이 접촉하는 면적이다. 따라서, 금속 유리의 젖음성이 클수록 최종적으로 형성되는 전극과 반도체 기판 사이의 접촉 면적이 넓어져 이들 사이의 접착성이 개선될 뿐만 아니라, 태양 광에 의해 반도체 기판에서 생성된 전하가 전극으로 이동할 수 있는 통로가 넓어져 태양 전지의 효율 또한 개선될 수 있다.
도 4를 참고하면, 도전성 페이스트의 소결 온도(Ts) 이상으로 승온하는 경우, 도전성 분말(120a)은 소결되어 이웃하는 도전성 분말(120a)과 서로 단단히 밀착되어 도전성 분말 덩어리(120b)가 형성된다.
도 3 및 도 4에 도시된 단계에서, 액체 거동의 금속 유리(115b)는 과냉각 액체 상태이며, 반도체 기판(110)에 젖음성(wetting)을 나타낼 수 있다.
도 5(a)를 참고하면, 액체 거동의 금속 유리(115b)가 과냉각 액체 상태일 때, 도전성 분말 덩어리(120)의 일부 도전성 입자(120c)는 액체 거동의 금속 유리(115b) 내로 확산될 수 있다. 이 때 금속 유리의 과냉각 액체 구간이 넓을수록 액체 거동의 금속 유리(115b)로 존재하는 시간이 길어져 금속 유리(115b)의 반도체 기판(110)에 대한 젖음성을 강화할 수 있고 액체 거동의 금속 유리(115b) 내에 확산되는 도전성 입자(120c)의 양을 늘릴 수 있다.
도 5(b)를 참고하면, 더욱 높은 온도로 승온하는 경우, 액체 거동의 금속 유리(115b)로 확산된 도전성 입자(120c)가 반도체 기판(110) 내로 침투한다. 이 때 상술한 바와 같이 액체 거동의 금속 유리(115b)는 젖음성을 가짐으로써 금속 유리(115b)와 반도체 기판(110) 사이의 접촉 면적을 넓힘으로써 도전성 입자(120c)가 반도체 기판(110)으로 침투할 수 있는 면적을 확보할 수 있다.
도 5(c)를 참고하면, 반도체 기판(110)을 냉각하는 경우, 반도체 기판(110)으로 침투한 도전성 입자(120c)는 재결정화되어 반도체 기판(110)의 표면에서 재결정화된 도전성 입자(120d)가 형성된다. 한편, 액체 거동의 금속 유리(115b) 또한 재결정화되어 결정성 금속 유리(115c)를 형성하며, 금속 유리 내에 존재하는 도전성 입자(120c) 또한 재결정화된다.
이에 따라 도전성 분말(120b)로 이루어진 전극(120)이 형성되는 한편, 전극(120)과 반도체 기판(115) 사이에는 결정성 금속 유리(115c)를 포함하는 버퍼층(buffer layer)이 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(115) 및 상기 반도체 기판(110) 표면에 존재하는 재결정화된 도전성 입자(120d)는 태양 광에 의해 반도체 기판(110)에 생성된 전하를 전극(120)으로 효과적으로 이동시킬 수 있도록 하는 동시에 반도체 기판(110)과 전극(120) 사이의 접촉 저항을 낮추어 태양 전지의 전하 손실을 줄일 수 있다. 이에 따라 궁극적으로 태양 전지의 효율을 높일 수 있다.
상기 전극은 다양한 전자 소자에서 도전성 전극으로 사용될 수 있다.
상기 전자 소자 중의 하나는 태양 전지일 수 있다.
그러면 도 6을 참고하여 일 구현예에 따른 태양 전지에 대하여 설명한다.
도 6은 일 구현예에 따른 태양 전지를 도시한 단면도이다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하에서는 설명의 편의상 반도체 기판(110)을 중심으로 상하의 위치 관계를 설명하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 반도체 기판(110) 중 태양 에너지를 받는 면을 전면(front side)이라 하고 전면의 반대면을 후면(rear side)이라 한다.
도 6을 참고하면, 일 구현예에 따른 태양 전지는 하부 반도체 층(110a) 및 상부 반도체 층(110b)을 포함하는 반도체 기판(110)을 포함한다.
반도체 기판(110)은 결정질 규소 또는 화합물 반도체로 만들어질 수 있으며, 결정질 규소인 경우 예컨대 실리콘 웨이퍼가 사용될 수 있다. 하부 반도체 층(110a) 및 상부 반도체 층(110b) 중 하나는 p형 불순물로 도핑된 반도체 층일 수 있으며 다른 하나는 n형 불순물로 도핑된 반도체 층일 수 있다. 예컨대 하부 반도체 층(110a)은 p형 불순물로 도핑된 반도체 층이고, 상부 반도체층(110b)은 n형 불순물로 도핑된 반도체 층일 수 있다. 이 때 p형 불순물은 붕소(B)와 같은 III족 화합물일 수 있고, n형 불순물은 인(P)과 같은 V족 화합물일 수 있다.
상부 반도체 층(110b)의 표면은 표면 조직화(surface texturing) 되어 있을 수 있다. 표면 조직화된 상부 반도체 층(110b)은 예컨대 피라미드 모양과 같은 요철 또는 벌집(honeycomb) 모양과 같은 다공성 구조일 수 있다. 표면 조직화된 상부 반도체 층(110b)은 빛을 받는 표면적을 넓혀 빛의 흡수율을 높이고 반사도를 줄여 태양 전지의 효율을 개선할 수 있다.
상부 반도체 층(110b) 위에는 복수의 전면 전극(120)이 형성되어 있다. 전면 전극(120)은 기판의 일 방향을 따라 나란히 뻗어 있으며, 빛 흡수 손실(shadowing loss) 및 면저항을 고려하여 그리드 패턴(grid pattern)으로 설계될 수 있다.
전면 전극(120)은 도전성 물질로 만들어질 수 있으며, 예컨대 은(Ag) 등의 저저항 도전성 물질로 만들어질 수 있다.
전면 전극(120)은 도전성 페이스트를 사용한 스크린 인쇄 방법으로 형성될 수 있다. 도전성 페이스트는 전술한 바와 같다.
상부 반도체 층(110b)과 전면 전극(120) 사이에는 버퍼층(115)이 형성되어 있다. 버퍼층(115)은 전술한 바와 같으며, 금속 유리를 포함하여 도전성을 가진다. 버퍼층(115)은 전면 전극(120)과 접촉하는 부분과 상부 반도체 층(110b)과 접촉하는 부분을 가지므로, 상부 반도체 층(110b)과 전면 전극(120) 사이에서 전하가 이동할 수 있는 통로(path)의 면적을 넓혀 전하가 손실되는 것을 줄일 수 있다.
버퍼층(115)에 포함되어 있는 금속 유리는 전면 전극(120)의 도전성 페이스트에 포함된 성분으로, 공정 중 전면 전극(120)의 도전성 물질보다 먼저 용융되어 전면 전극(120)의 하부에 위치할 수 있다.
전면 전극(121) 위에는 전면 버스 바(bus bar) 전극(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 버스 바 전극은 복수의 태양 전지 셀을 조립할 때 이웃하는 태양 전지 셀을 연결하기 위한 것이다.
반도체 기판(110)의 하부에는 유전막(130)이 형성되어 있다. 유전막(130)은 전하의 재결합을 방지하는 동시에 전류가 새는 것을 방지하여 태양 전지의 효율을 높일 수 있다. 유전막(130)은 복수의 관통부(135)를 가지며, 관통부(135)를 통하여 반도체 기판(110)과 후술하는 후면 전극(140)이 접촉할 수 있다.
유전막(130)은 예컨대 산화규소(SiO2), 질화규소(SiNx), 산화알루미늄(Al2O3) 또는 이들의 조합으로 만들어질 수 있으며, 약 100 내지 2000Å의 두께를 가질 수 있다.
유전막(130) 하부에는 후면 전극(140)이 형성되어 있다. 후면 전극(140)은 도전성 물질로 만들어질 수 있으며, 예컨대 알루미늄(Al) 과 같은 불투명 금속으로 만들어질 수 있다. 후면 전극(140)은 전면 전극(120)과 마찬가지로 도전성 페이스트를 사용한 스크린 인쇄 방법으로 형성될 수 있다.
후면 전극(140)과 하부 반도체 층(110a) 사이에는 전면 전극(120)과 마찬가지로 버퍼층(도시하지 않음)이 형성될 수 있다.
이하 상기 태양 전지의 제조 방법에 대하여 도 6을 참고하여 설명한다.
먼저 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판(110)을 준비한다. 이 때 반도체 기판(110)은 예컨대 p형 불순물이 도핑되어 있을 수 있다.
이어서, 반도체 기판(110)을 표면 조직화한다. 표면 조직화는 예컨대 질산 및 불산과 같은 강산 또는 수산화나트륨과 같은 강염기 용액을 사용하는 습식 방법으로 수행하거나 플라스마를 사용한 건식 방법으로 수행할 수 있다.
다음 반도체 기판(110)에 예컨대 n형 불순물을 도핑한다. 여기서 n형 불순물은 POCl3 또는 H3PO4 등을 고온에서 확산시킴으로써 도핑할 수 있다. 이에 따라 반도체 기판(110)은 다른 불순물로 도핑된 하부 반도체 층(110a)과 상부 반도체 층(110b)을 포함한다.
다음 상부 반도체 층(110b) 위에 전면 전극용 도전성 페이스트를 도포한다. 전면 전극용 도전성 페이스트는 스크린 인쇄 방법으로 형성할 수 있다. 스크린 인쇄는 도전성 분말, 금속 유리 및 유기 비히클을 포함하는 상술한 도전성 페이스트를 전극이 형성될 위치에 도포하고 건조하는 단계를 포함한다.
도전성 페이스트는 상술한 바와 같이 금속 유리를 포함할 수 있으며, 금속 유리는 예컨대 용융방사법(melt spinning), 흡입주조법(infiltration casting), 기체분무법(gas atomization), 이온조사법(ion irradiation) 또는 기계적 합금법(mechanical alloying) 등의 공지의 방법으로 제조될 수 있다.
이어서 전면 전극용 도전성 페이스트를 건조한다.
다음 반도체 기판(110)의 후면에 예컨대 알루미늄 산화물(Al2O3) 또는 산화규소(SiO2)를 플라스마 화학 기상 증착 방법으로 적층하여 유전막(130)을 형성한다.
이어서 유전막(130)의 일부에 레이저를 조사하여 복수의 관통부(135)를 형성한다.
다음 유전막(130) 일면에 후면 전극용 도전성 페이스트를 스크린 인쇄 방법으로 도포하고 건조한다.
이어서 후면 전극용 도전성 페이스트를 건조한다.
이어서 전면 전극용 도전성 페이스트 및 후면 전극용 도전성 페이스트를 공 소성(co-firing)한다. 그러나 이에 한정되지 않고, 전면 전극용 도전성 페이스트와 후면 전극용 도전성 페이스트를 각각 소성할 수 있다.
소성은 소성 로에서 도전성 금속의 용융 온도보다 높은 온도까지 승온할 수 있으며, 예컨대 약 400 내지 1000℃에서 수행할 수 있다.
이하 다른 구현예에 따른 태양 전지에 대하여 도 7을 참고하여 설명한다.
도 7은 다른 구현예에 따른 태양 전지를 보여주는 단면도이다.
본 구현예에 따른 태양 전지는 p형 또는 n형 불순물로 도핑된 반도체 기판(110)을 포함한다. 반도체 기판(110)은 후면 측에 형성되어 있으며 서로 다른 불순물로 도핑된 복수의 제1 도핑 영역(111a) 및 제2 도핑 영역(111b)을 포함한다. 제1 도핑 영역(111a)은 예컨대 n형 불순물로 도핑될 수 있고 제2 도핑 영역(111b)은 예컨대 p형 불순물로 도핑될 수 있다. 제1 도핑 영역(111a)과 제2 도핑 영역(111b)은 반도체 기판(110)의 후면에 교대로 배치될 수 있다.
반도체 기판(110)의 전면은 표면 조직화 되어 있을 수 있으며, 표면 조직화에 의해 빛의 흡수율을 높이고 반사도를 줄여 태양 전지의 효율을 개선할 수 있다.
반도체 기판(110) 위에는 절연막(112)이 형성되어 있다. 절연막(112)은 빛을 적게 흡수하고 절연성이 있는 물질로 만들어질 수 있으며, 예컨대 질화규소(SiNx), 산화규소(SiO2), 산화티타늄(TiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화마그네슘(MgO), 산화세륨(CeO2) 및 이들의 조합일 수 있으며, 단일 층 또는 복수 층으로 형성될 수 있다. 절연막(112)은 예컨대 약 200 내지 1500Å의 두께를 가질 수 있다.
절연막(112)은 태양 전지 표면에서 빛의 반사율을 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시키는 반사 방지막(anti reflective coating) 역할을 하는 동시에 반도체 기판(110)의 표면에 존재하는 실리콘과의 접촉 특성을 개선하여 태양 전지의 효율을 높일 수 있다.
반도체 기판(110)의 후면에는 복수의 관통부를 가진 유전막(150)이 형성되어 있다.
반도체 기판(110)의 후면에는 제1 도핑 영역(111a)에 연결되어 있는 전면 전극(120)과 제2 도핑 영역(111b)에 연결되어 있는 후면 전극(140)이 각각 형성되어 있다. 전면 전극(120)은 관통부를 통하여 제1 도핑 영역(111a)과 접촉할 수 있으며, 후면 전극(140)은 관통부를 통하여 제2 도핑 영역(111b)과 접촉할 수 있다. 전면 전극(120)과 후면 전극(140)은 교대로 배치될 수 있다.
전면 전극(120)과 후면 전극(140)은 전술한 구현예와 마찬가지로, 도전성 분말, 금속 유리 및 유기 비히클을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하여 형성될 수 있으며, 상세한 설명은 전술한 바와 같다.
제1 도핑 영역(111a)과 전면 전극(120) 사이 및 제2 도핑 영역(111b)과 후면 전극(140) 사이에는 버퍼층(115)이 각각 형성되어 있다. 버퍼층(115)은 전술한 바와 마찬가지로 금속 유리를 포함하므로 도전성을 가지며, 전면 전극(120) 또는 후면 전극(140)과 접촉하는 부분과 제1 도핑 영역(111a) 또는 제2 도핑 영역(111b)과 접촉하는 부분을 가지므로, 제1 도핑 영역(111a)과 전면 전극(120) 사이 또는 제2 도핑 영역(111b)과 후면 전극(140) 사이에서 전하가 이동할 수 있는 통로의 면적을 넓혀 전하가 손실되는 것을 줄일 수 있다. 또한 버퍼층(115)은 전면 전극(120) 또는 후면 전극(140)을 이루는 물질이 제1 또는 제2 도핑 영역(111a, 111b) 내로 확산되는 것을 방지할 수 있다.
본 구현예에 따른 태양 전지는 전술한 구현예와 달리, 전면 전극(120) 및 후면 전극(140)이 모두 태양 전지의 후면에 위치함으로써 전면에서 금속이 차지하는 면적을 줄여 빛 흡수 손실을 줄일 수 있고 이에 따라 태양 전지의 효율을 높일 수 있다.
이하 본 구현예에 따른 태양 전지의 제조 방법에 대하여 도 7을 참고하여 설명한다.
먼저, 예컨대 n형 불순물로 도핑되어 있는 반도체 기판(110)을 준비한다. 이어서 반도체 기판(110)을 표면 조직화한 후, 반도체 기판(110)의 전면 및 후면에 절연막(112, 150)을 형성한다. 절연막(112, 150)은 예컨대 화학 기상 증착으로 형성할 수 있다.
다음, 반도체 기판(110)의 후면 측에 예컨대 p형 불순물 및 n형 불순물을 차례로 고농도로 도핑하여 제1 도핑 영역(111a) 및 제2 도핑 영역(111b)을 형성한다.
이어서 유전막(150)의 일면에 제1 도핑 영역(111a)에 대응하는 영역에 전면 전극용 도전성 페이스트를 도포하고 제2 도핑 영역(111b)에 대응하는 영역에 후면 전극용 도전성 페이스트를 도포한다. 전면 전극용 도전성 페이스트 및 후면 전극용 도전성 페이스트는 각각 스크린 인쇄 방법으로 형성할 수 있으며, 각각 전술한 도전성 분말, 금속 유리 및 유기 비히클을 포함하는 도전성 페이스트를 사용할 수 있다.
이어서 전면 전극용 도전성 페이스트 및 후면 전극용 도전성 페이스트를 함께 또는 각각 소성할 수 있으며, 소성은 소성 로에서 도전성 금속의 용융 온도보다 높은 온도까지 승온할 수 있다.
상기에서는 상술한 도전성 페이스트를 태양 전지의 전극으로 적용한 예만 구체적으로 예시하였지만, 이에 한정되지 않고 전극을 포함하는 모든 전자 소자에 적용할 수 있다.
이하 실시예를 통해서 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
실시예 1
도전성 페이스트의 제조
은(Ag) 분말 및 금속 유리 Cu43Zr43Al7Ag7 를 에틸셀룰로오스 바인더 및 부틸 카르비톨 용매를 포함한 유기 비히클에 첨가한다. 이 때 은(Ag) 분말, 금속 유리 Cu43Zr43Al7Ag7 및 유기 비히클은 도전성 페이스트의 총 함량에 대하여 각각 약 84 중량%, 약 4 중량% 및 약 12 중량%로 혼합한다.
이어서 3-롤 밀을 사용하여 반죽하여 도전성 페이스트를 제조한다.
전극 형성
실리콘 웨이퍼 위에 상기 도전성 페이스트를 스크린 인쇄 방법으로 도포한다. 이어서 벨트 퍼니스(belt furnace)를 사용하여 약 500℃까지 급격히 가열한 후 약 900℃까지 서서히 가열한다. 이 후 냉각하여 전극을 형성한다.
비교예
금속 유리 대신 PbO-SiO2계 유리 프릿(glass frit)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 도전성 페이스트를 제조하고 전극을 형성한다.
평가
실시예 1 및 비교예 1에 따른 전극의 접촉저항 값을 측정한다. 접촉저항은 Transfer length method (TLM)으로 측정한다.
그 결과는 표 1과 같다.
접촉저항(mΩ㎠)
실시예 1 51
비교예 1 72
표 1에서 보는 바와 같이, 실시예 1에 따른 전극은 비교예 1에 따른 전극과 비교하여 접촉저항 값이 낮은 것을 알 수 있다. 이는 실시예 1에 따른 전극에서 사용한 도전성 페이스트가 비교예 1에 따른 전극에서 사용한 도전성 페이스트와 비교하여 과냉각 액체 구간을 가지는 금속 유리를 사용함으로써 도전성이 개선되었음을 의미한다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
110: 반도체 기판 115a: 금속 유리
115b: 액체 거동의 금속 유리 115c: 결정성 금속 유리
120a: 도전성 분말 120b: 도전성 분말 덩어리
120c: 결정성 도전성 분말 120: 전극

Claims (20)

  1. 도전성 분말,
    5 내지 200℃의 과냉각 액체 구간을 가지는 금속 유리, 그리고
    유기 비히클
    을 포함하는 도전성 페이스트.
  2. 삭제
  3. 제1항에서,
    상기 과냉각 액체 구간은 20 내지 100 ℃ 인 도전성 페이스트.
  4. 제1항에서,
    상기 과냉각 액체 구간은 상기 금속 유리의 유리 전이 온도와 결정화 온도 사이의 온도 범위이고,
    상기 과냉각 액체 구간에서 상기 금속 유리는 액체와 같은 거동을 나타내는 도전성 페이스트.
  5. 제4항에서,
    상기 금속 유리의 유리 전이 온도는 100℃ 이상인 도전성 페이스트.
  6. 제4항에서,
    상기 금속 유리의 결정화 온도는 800℃ 이하인 도전성 페이스트.
  7. 제1항에서,
    상기 도전성 분말, 상기 금속 유리 및 상기 유기 비히클은 상기 도전성 페이스트의 총 함량에 대하여 각각 30 내지 98 중량%, 1 내지 50중량% 및 잔량으로 포함되어 있는 도전성 페이스트.
  8. 도전성 분말, 5 내지 200℃의 과냉각 액체 구간을 가지는 금속 유리 및 유기 비히클을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자.
  9. 삭제
  10. 제8항에서,
    상기 과냉각 액체 구간은 20 내지 100℃ 인 전자 소자.
  11. 제8항에서,
    상기 과냉각 액체 구간은 상기 금속 유리의 유리 전이 온도와 결정화 온도 사이의 온도 범위이고,
    상기 과냉각 액체 구간에서 상기 금속 유리는 액체와 같은 거동을 나타내는 전자 소자.
  12. 제11항에서,
    상기 금속 유리의 유리 전이 온도는 100℃ 이상이며,
    상기 금속 유리의 결정화 온도는 800℃ 이하인
    전자 소자.
  13. 반도체 층, 그리고
    상기 반도체 층에 전기적으로 연결되어 있으며 도전성 분말, 5 내지 200℃의 과냉각 액체 구간을 가지는 금속 유리 및 유기 비히클을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극
    을 포함하는 태양 전지.
  14. 삭제
  15. 제13항에서,
    상기 과냉각 액체 구간은 20 내지 100℃ 인 태양 전지.
  16. 제13항에서,
    상기 과냉각 액체 구간은
    상기 금속 유리의 유리 전이 온도와 결정화 온도 사이의 온도 범위이고,
    상기 과냉각 액체 구간에서 상기 금속 유리는 액체와 같은 거동을 나타내는 태양 전지.
  17. 제16항에서,
    상기 금속 유리의 유리 전이 온도는 100℃ 이상이며,
    상기 금속 유리의 결정화 온도는 800℃ 이하인
    태양 전지.
  18. 제16항에서,
    상기 과냉각 액체 구간에서
    상기 도전성 분말은 상기 금속 유리 및 상기 반도체 층 중 적어도 하나에 확산되어 유입되는 태양 전지.
  19. 제13항에서,
    상기 반도체 층과 상기 전극 사이에 위치하며 상기 금속 유리를 포함하는 버퍼층을 더 포함하는 태양 전지.
  20. 제19항에서,
    상기 버퍼층은 결정화된 상기 금속 유리 및 결정화된 상기 도전성 분말을 포함하는 태양 전지.
KR1020100075697A 2010-08-05 2010-08-05 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 Expired - Fee Related KR101741683B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100075697A KR101741683B1 (ko) 2010-08-05 2010-08-05 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
US13/016,403 US8715535B2 (en) 2010-08-05 2011-01-28 Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
EP11176323.1A EP2416327B1 (en) 2010-08-05 2011-08-02 Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100075697A KR101741683B1 (ko) 2010-08-05 2010-08-05 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120013617A KR20120013617A (ko) 2012-02-15
KR101741683B1 true KR101741683B1 (ko) 2017-05-31

Family

ID=44653161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100075697A Expired - Fee Related KR101741683B1 (ko) 2010-08-05 2010-08-05 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8715535B2 (ko)
EP (1) EP2416327B1 (ko)
KR (1) KR101741683B1 (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7872022B2 (en) * 2006-04-03 2011-01-18 Hoffmann-La Roche Inc. Serotonin transporter (SERT) inhibitors for the treatment of depression and anxiety
US9947809B2 (en) 2009-11-11 2018-04-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
EP2325848B1 (en) 2009-11-11 2017-07-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and solar cell
US20120037216A1 (en) * 2010-08-13 2012-02-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
US8668847B2 (en) 2010-08-13 2014-03-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
US8987586B2 (en) 2010-08-13 2015-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
KR101735571B1 (ko) * 2010-08-20 2017-05-16 삼성전자주식회사 방열 재료, 상기 방열 재료로 만들어진 접합부를 포함하는 발광 다이오드 패키지
KR101960465B1 (ko) * 2010-10-27 2019-03-21 삼성전자주식회사 도전성 페이스트 및 태양 전지
EP2448003A3 (en) * 2010-10-27 2012-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste comprising a conductive powder and a metallic glass for forming a solar cell electrode
US9105370B2 (en) 2011-01-12 2015-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste, and electronic device and solar cell including an electrode formed using the same
US8940195B2 (en) 2011-01-13 2015-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste, and electronic device and solar cell including an electrode formed using the same
KR20130027784A (ko) * 2011-09-08 2013-03-18 삼성전기주식회사 외부 전극용 도전성 페이스트, 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법
KR101985929B1 (ko) 2011-12-09 2019-06-05 삼성전자주식회사 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
KR20140006152A (ko) * 2012-06-26 2014-01-16 삼성전자주식회사 전극 및 그 형성 방법과 상기 전극을 포함하는 전자 소자
KR101999795B1 (ko) 2012-06-27 2019-07-12 삼성전자주식회사 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
JP2014060261A (ja) * 2012-09-18 2014-04-03 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト、太陽電池、及び太陽電池の製造方法
CN103048888B (zh) * 2012-12-14 2015-01-28 华中科技大学 一种以金属玻璃为光刻胶的光刻方法及系统
CN105409009A (zh) * 2013-07-25 2016-03-16 纳美仕有限公司 导电性糊剂以及结晶系硅太阳能电池的制造方法
KR102303001B1 (ko) * 2020-02-18 2021-09-15 한국기술교육대학교 산학협력단 전이 액상 소결용 전극 물질

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3905276C1 (ko) 1989-02-21 1990-05-03 Demetron Gesellschaft Fuer Elektronik-Werkstoffe Mbh, 6450 Hanau, De
US5170930A (en) 1991-11-14 1992-12-15 Microelectronics And Computer Technology Corporation Liquid metal paste for thermal and electrical connections
JPH1040738A (ja) 1996-07-18 1998-02-13 Asahi Chem Ind Co Ltd 導電性ペースト
JP3592006B2 (ja) 1996-11-12 2004-11-24 松下電器産業株式会社 ビアホール充填用導電性ペースト及びそれを用いたプリント配線板
US6027575A (en) 1997-10-27 2000-02-22 Ford Motor Company Metallic adhesive for forming electronic interconnects at low temperatures
JP2000082461A (ja) 1998-07-06 2000-03-21 Canon Inc Ｍｇ系負極活物質、その製造法、水素吸蔵合金電極およびアルカリ二次電池
JP3620703B2 (ja) * 1998-09-18 2005-02-16 キヤノン株式会社 二次電池用負極電極材、電極構造体、二次電池、及びこれらの製造方法
CA2287648C (en) 1999-10-26 2007-06-19 Donald W. Kirk Amorphous metal/metallic glass electrodes for electrochemical processes
AU2001293004A1 (en) * 2000-09-25 2002-04-08 Johns Hopkins University Alloy with metallic glass and quasi-crystalline properties
JP3564089B2 (ja) 2001-01-24 2004-09-08 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 導体ペースト及びその製造方法
JP3860445B2 (ja) 2001-04-19 2006-12-20 独立行政法人科学技術振興機構 Ｃｕ−Ｂｅ基非晶質合金
KR100855169B1 (ko) 2001-09-06 2008-08-29 가부시키가이샤 노리타케 캄파니 리미티드 도체 조성물 및 그 제조방법
JP3963802B2 (ja) 2002-08-30 2007-08-22 独立行政法人科学技術振興機構 Ｃｕ基非晶質合金
WO2004111283A1 (en) * 2003-06-11 2004-12-23 University Of Virginia Patent Foundation Thermally stable calcium-aluminum bulk amorphous metal with low mass density
CN100339914C (zh) 2003-07-23 2007-09-26 夏普株式会社 银合金材料、电路基板、电子装置及电路基板的制造方法
JP4439213B2 (ja) 2003-07-31 2010-03-24 京セラ株式会社 太陽電池素子およびその製造方法
KR20050087249A (ko) 2004-02-26 2005-08-31 삼성에스디아이 주식회사 나노입자의 페이스트를 이용하여 형성된 전극을 포함하는태양전지 및 그 제조방법
KR100583230B1 (ko) 2004-03-29 2006-05-25 한국과학기술연구원 구리계 비정질 합금 조성물
US20050228097A1 (en) 2004-03-30 2005-10-13 General Electric Company Thermally conductive compositions and methods of making thereof
US20060102228A1 (en) 2004-11-12 2006-05-18 Ferro Corporation Method of making solar cell contacts
US7662317B2 (en) 2005-06-30 2010-02-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Dispersant, paste composition including the dispersant, inorganic device using the paste composition, and display apparatus including the inorganic device
US7628871B2 (en) 2005-08-12 2009-12-08 Intel Corporation Bulk metallic glass solder material
KR101178053B1 (ko) 2005-09-27 2012-08-30 삼성전자주식회사 카르복실 에스테르계 분산제 및 그를 포함하는 황화물계 형광체 페이스트 조성물
KR101146667B1 (ko) 2005-11-07 2012-05-24 삼성에스디아이 주식회사 금속산화물 페이스트 조성물 및 그를 이용한 반도체 전극의제조방법
US8575474B2 (en) 2006-03-20 2013-11-05 Heracus Precious Metals North America Conshohocken LLC Solar cell contacts containing aluminum and at least one of boron, titanium, nickel, tin, silver, gallium, zinc, indium and copper
KR100784914B1 (ko) 2006-05-01 2007-12-11 학교법인연세대학교 다단계 변형이 가능한 이상분리 비정질 합금
JP2008010527A (ja) 2006-06-28 2008-01-17 Sharp Corp 太陽電池電極用導電性ペースト
WO2008001518A1 (en) 2006-06-30 2008-01-03 Mitsubishi Materials Corporation Composition for forming electrode in solar cell, method of forming the electrode, and solar cell employing electrode obtained by the formation method
US20100096014A1 (en) 2006-12-25 2010-04-22 Hideyo Iida Conductive paste for solar cell
US20080196794A1 (en) 2007-02-20 2008-08-21 Centre National De La Recherche Scientifique Institut National Polytechnique De Grenoble Bulk metallic glass/metal composites produced by codeformation
TWI477332B (zh) 2007-02-27 2015-03-21 Mitsubishi Materials Corp 金屬奈米粒子分散液及其製造方法及金屬奈米粒子之合成方法
US8309844B2 (en) * 2007-08-29 2012-11-13 Ferro Corporation Thick film pastes for fire through applications in solar cells
JP2009099371A (ja) 2007-10-17 2009-05-07 Sanyo Special Steel Co Ltd 燃料電池用電極の製造方法
JP2009138266A (ja) 2007-11-16 2009-06-25 Sanyo Special Steel Co Ltd 高密度かつ非晶質の金属ガラス粉末焼結体の製造方法およびその焼結体
JP5332624B2 (ja) 2008-01-22 2013-11-06 三菱マテリアル株式会社 金属ナノ粒子分散液及びその製造方法
US20090211626A1 (en) 2008-02-26 2009-08-27 Hideki Akimoto Conductive paste and grid electrode for silicon solar cells
US8629462B2 (en) 2008-06-09 2014-01-14 San Diego State University Research Foundation Organic photovoltaic cell and light emitting diode with an array of 3-dimensionally fabricated electrodes
JP5224514B2 (ja) 2008-07-14 2013-07-03 国立大学法人東北大学 ナノサイズ金属ガラス構造体
TWI423462B (zh) 2008-10-22 2014-01-11 Ind Tech Res Inst 矽晶太陽電池之背面電極製造方法
JP2010133021A (ja) 2008-10-31 2010-06-17 Topy Ind Ltd 溶射用粒子
JP5326647B2 (ja) 2009-02-24 2013-10-30 三菱マテリアル株式会社 太陽電池の電極形成用組成物の製造方法
EP2325848B1 (en) 2009-11-11 2017-07-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste and solar cell
EP2448003A3 (en) 2010-10-27 2012-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Conductive paste comprising a conductive powder and a metallic glass for forming a solar cell electrode

Also Published As

Publication number Publication date
EP2416327A1 (en) 2012-02-08
EP2416327B1 (en) 2017-07-26
US20120031481A1 (en) 2012-02-09
KR20120013617A (ko) 2012-02-15
US8715535B2 (en) 2014-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101741683B1 (ko) 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
US8974703B2 (en) Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the same
EP2325848B1 (en) Conductive paste and solar cell
KR102035253B1 (ko) 도전성 페이스트 및 태양 전지
KR101960463B1 (ko) 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
KR102100291B1 (ko) 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
US8668847B2 (en) Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
KR101741682B1 (ko) 도전성 페이스트와 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
US9039940B2 (en) Conductive paste and electronic device, and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
KR101960465B1 (ko) 도전성 페이스트 및 태양 전지
US20120048360A1 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
US8987586B2 (en) Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
KR101796658B1 (ko) 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
KR101985929B1 (ko) 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
KR101960466B1 (ko) 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
US8940195B2 (en) Conductive paste, and electronic device and solar cell including an electrode formed using the same
KR101960464B1 (ko) 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
KR101910600B1 (ko) 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20100805

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20150703

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20100805

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20161005

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20170414

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20170524

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20170524

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200416

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210419

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220419

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230418

Start annual number: 7

End annual number: 7

PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20250304