KR101721966B1 - Laminate, electroconductive pattern, and electric circuit - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 특정의 폴리이미드 수지를 함유하는 지지체로 이루어지는 층(I)과, 도전성 물질(x)을 함유하는 유동체를 수용하는 수지층(Ⅱ)과, 상기 도전성 물질(x)에 의해 형성되는 도전층(Ⅲ)을 갖는 것을 특징으로 하는 적층체, 도전성 패턴 및 전기회로에 관한 것이다. 본 발명의 적층체는, 지지체로 이루어지는 층과, 도전성 물질을 수용하는 수지층과의 밀착성이 우수하고, 또한, 고온 환경 하에 노출된 경우에서도, 우수한 밀착성을 유지할 수 있으므로, 도전성 패턴 등의 적층체로서 사용할 수 있다.The present invention relates to a method for producing a polyimide resin which comprises a layer (I) comprising a support containing a specific polyimide resin, a resin layer (II) containing a fluid containing the conductive material (x) A conductive pattern (III), and a conductive pattern and an electric circuit. Since the laminate of the present invention has excellent adhesion between the layer made of the support and the resin layer containing the conductive material and can maintain excellent adhesion even when exposed under a high temperature environment, .
Description
본 발명은, 전자파(電磁波) 쉴드나 집적회로나 유기 트랜지스터 등의 제조에 사용 가능한 도전성 패턴 등의 적층체에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laminate such as an electromagnetic wave shield, a conductive pattern usable for manufacturing an integrated circuit, an organic transistor, and the like.
전자기기의 고성능화나 소형화, 박형화에 수반하여, 그것에 사용되는 전자회로나 집적회로의 고밀도화나 박형화가, 근래, 강하게 요구되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, there has been a strong demand for high density and thinness of electronic circuits and integrated circuits used for electronic devices with high performance, miniaturization and thinness.
상기 전자회로 등에 사용 가능한 도전성 패턴으로서는, 예를 들면, 지지체의 표면에, 은 등의 도전성 물질을 함유하는 도전성 잉크나 도금핵제를 도포하고 소성함에 의해 도전성 물질층을 형성하고, 이어서, 상기 도전성 물질층의 표면을 도금처리함에 의해, 상기 도전성 물질층의 표면에 도금층이 마련된 도전성 패턴이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌1 참조).Examples of the conductive pattern that can be used in the above electronic circuit include a conductive material layer formed by applying a conductive ink or a plating agent containing a conductive material such as silver to the surface of a support and firing to form a conductive material layer, There is known a conductive pattern in which a plating layer is provided on the surface of the conductive material layer by plating the surface of the layer (see, for example, Patent Document 1).
그러나, 상기 도전성 패턴은, 상기 지지체와 상기 도전성 물질층과의 밀착성이 충분하지 않기 때문에, 경시적(經時的)으로 상기 지지체 표면으로부터 상기 도전성 물질이 결락하여, 상기 도전성 물질에 의해 형성된 도전성 패턴의 단선이나, 도전성의 저하(저항값의 상승)을 일으키는 경우가 있었다.However, since the conductive pattern has insufficient adhesion between the support and the conductive material layer, the conductive material may be lost from the surface of the support over time, and the conductive pattern may be formed by the conductive material. (Increase of the resistance value) of the conductive layer.
상기 지지체와 상기 도전성 물질과의 밀착성을 향상하는 방법으로서는, 예를 들면, 지지체 표면에 라텍스층을 마련한 잉크 수용 기재에, 도전성 잉크를 사용하여, 소정의 방법에 의해 패턴을 묘화함에 의해 도전성 패턴을 제작하는 방법이 알려져 있다(특허문헌2 참조).As a method for improving the adhesion between the support and the conductive material, for example, a conductive ink is applied to an ink containing base material provided with a latex layer on the surface of the support, and a pattern is drawn by a predetermined method, (See Patent Document 2).
그러나, 상기 방법에서 얻어진 도전성 패턴은, 여전히 상기 지지체와 상기 잉크 수용층과의 밀착성의 점에서 아직 충분하지 않을 경우가 있기 때문에, 경시적으로 상기 지지체의 표면으로부터, 상기 잉크 수용층과 상기 도전성 물질이 결락하여, 상기 도전성 물질에 의해 형성된 도전성 패턴의 단선이나, 도전성의 저하를 일으키는 경우가 있었다.However, since the conductive pattern obtained by the above method may still not be sufficient in terms of adhesion between the support and the ink receiving layer, the ink receiving layer and the conductive material may be separated from the surface of the support over time Resulting in disconnection of the conductive pattern formed by the conductive material and deterioration of the conductivity.
또한, 상기 지지체 표면으로부터의 잉크 수용층의 박리는, 예를 들면, 상기 도금처리 공정 등에서 100℃~200℃ 정도로 가열된 경우에 일어나는 등 내열성의 점에서 충분하지 않기 때문에, 상기 도전성 패턴으로는, 그 강도의 향상 등을 목적으로 하여 도금처리를 실시할 수 없는 경우가 있었다.In addition, the peeling of the ink receiving layer from the surface of the support is not sufficient in terms of isothermal resistance which occurs when the substrate is heated to, for example, about 100 ° C to 200 ° C in the plating process or the like. The plating treatment can not be carried out for the purpose of improving the strength and the like.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 지지체로 이루어지는 층과, 도전성 물질을 수용하는 수지층과의 밀착성이 우수하고, 또한, 고온 환경 하에 노출된 경우에서도, 우수한 상기 밀착성을 유지하는 것이 가능한 레벨의 내열성을 구비한 도전성 패턴 등의 적층체를 제공하는 것이다.A problem to be solved by the present invention is to provide a resin composition which is excellent in adhesion between a layer composed of a support and a resin layer containing a conductive material and has a heat resistance at a level capable of maintaining excellent adhesion even when exposed under a high temperature environment And a conductive pattern provided with a conductive pattern.
본 발명자 등은, 상기 과제를 검토하고자 검토를 진행한 결과, 특정의 지지체를 사용함에 의해, 상기 과제를 해결할 수 있음을 알아냈다.The inventors of the present invention have conducted studies to examine the above problems, and as a result, they have found that the above problems can be solved by using a specific support.
즉, 본 발명은, 하기 일반식(1)으로 표시되는 구조를 갖는 폴리이미드 수지(i-1) 및 하기 일반식(2)으로 표시되는 구조를 갖는 폴리이미드 수지(i-2)를 함유하는 지지체(I1), 또는, 하기 일반식(1)으로 표시되는 구조 및 하기 일반식(2)으로 표시되는 구조를 갖는 폴리이미드 수지(i-3)를 함유하는 지지체(I2)로 이루어지는 층(I)과, 도전성 물질(x)을 함유하는 유동체를 수용하는 수지층(Ⅱ)과, 상기 도전성 물질(x)에 의해 형성되는 도전층(Ⅲ)을 갖는 것을 특징으로 하는 적층체, 도전성 패턴 및 전기회로에 관한 것이다.That is, the present invention relates to a polyimide resin composition comprising a polyimide resin (i-1) having a structure represented by the following general formula (1) and a polyimide resin (i-2) (I) comprising a support (I1) or a support (I2) containing a polyimide resin (i-3) having a structure represented by the following formula (1) and a structure represented by the following formula , A resin layer (II) containing a fluid containing the conductive material (x), and a conductive layer (III) formed of the conductive material (x) Circuit.
〔일반식(1) 중의 R1~R8은, 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자 또는 유기기를 나타낸다. n은 1~1,000의 정수를 나타낸다〕[R 1 to R 8 in the general formula (1) each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group. and n represents an integer of 1 to 1,000.
〔일반식(2) 중의 R9~R22는, 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자 또는 유기기를 나타낸다. m은 1~1,000의 정수를 나타낸다〕[R 9 to R 22 in the general formula (2) each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group. and m represents an integer of 1 to 1,000.
본 발명의 적층체는, 고온 환경 하에 노출된 경우에서도 우수한 밀착성을 유지할 수 있고, 그 결과, 단선 등을 일으키지 않고 우수한 도전성을 유지할 수 있으므로, 예를 들면, 도전성 패턴이나 전자회로의 형성, 유기 태양전지나 전자 서적단말, 유기 EL, 유기 트랜지스터, 플렉서블 프린트기판, 비접촉 IC카드 등의 RFID 등을 구성하는 각층이나 주변 배선의 형성, 플라스마 디스플레이의 전자파 쉴드의 배선, 집적회로, 유기 트랜지스터의 제조 등의, 일반적으로 프린티드 일렉트로닉스 분야로 불리는 신규분야에서 사용할 수 있다.The laminate of the present invention can maintain excellent adhesiveness even when exposed under a high temperature environment, and as a result, can maintain excellent conductivity without causing disconnection or the like. Therefore, for example, formation of a conductive pattern or an electronic circuit, Such as the formation of layers or peripheral wirings constituting RFID such as a battery, an electronic book terminal, an organic EL, an organic transistor, a flexible printed board, a noncontact IC card and the like, wiring of an electromagnetic wave shield of a plasma display, And can be used in a new field generally referred to as the field of printed electronics.
본 발명의 적층체는, 하기 일반식(1)으로 표시되는 구조를 갖는 폴리이미드 수지(i-1) 및 하기 일반식(2)으로 표시되는 구조를 갖는 폴리이미드 수지(i-2)를 함유하는 지지체(I1), 또는, 하기 일반식(1)으로 표시되는 구조 및 하기 일반식(2)으로 표시되는 구조를 갖는 폴리이미드 수지(i-3)를 함유하는 지지체(I2)로 이루어지는 층(I)과, 도전성 물질(x)을 함유하는 유동체를 수용하는 수지층(Ⅱ)과, 상기 도전성 물질(x)에 의해 형성되는 도전층(Ⅲ)을 적어도 갖는 적층체로서, 예를 들면, 도전성 패턴이나 전기회로 등에 호적(好適)하게 사용 가능한 것이다.The laminate of the present invention comprises a polyimide resin (i-1) having a structure represented by the following general formula (1) and a polyimide resin (i-2) having a structure represented by the following general formula (2) (I2) containing a polyimide resin (i-3) having a structure represented by the following general formula (1) and a structure represented by the following general formula (2) And a conductive layer (III) formed of the conductive material (x), wherein the conductive layer (I) comprises a conductive material (x) It can be suitably used for a pattern or an electric circuit.
〔일반식(1) 중의 R1~R8은, 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자 또는 유기기를 나타낸다. n은 1~1,000의 정수를 나타낸다〕[R 1 to R 8 in the general formula (1) each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group. and n represents an integer of 1 to 1,000.
〔일반식(2) 중의 R9~R22는, 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자 또는 유기기를 나타낸다. m은 1~1,000의 정수를 나타낸다〕[R 9 to R 22 in the general formula (2) each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group. and m represents an integer of 1 to 1,000.
먼저, 본 발명의 적층체를 구성하는 층(I)에 대해 설명한다.First, the layer (I) constituting the laminate of the present invention will be described.
본 발명의 적층체를 구성하는 층(I)은, 적층체를 지지하는 지지체(I1) 또는 지지체(I2)에 의해 구성되는 층이다.The layer (I) constituting the laminate of the present invention is a layer constituted by the support (I1) or the support (I2) for supporting the laminate.
상기 지지체로서는, 하기 일반식(1)으로 표시되는 구조를 갖는 폴리이미드 수지(i-1) 및 하기 일반식(2)으로 표시되는 구조를 갖는 폴리이미드 수지(i-2)를 함유하는 지지체(I1), 또는, 하기 일반식(1)으로 표시되는 구조 및 하기 일반식(2)으로 표시되는 구조를 갖는 폴리이미드 수지(i-3)를 함유하는 지지체(I2)를 사용한다.As the support, a support containing a polyimide resin (i-1) having a structure represented by the following general formula (1) and a polyimide resin (i-2) having a structure represented by the following general formula (2) Or a support (I2) containing a polyimide resin (i-3) having a structure represented by the following general formula (1) and a structure represented by the following general formula (2) is used.
〔일반식(1) 중의 R1~R8은, 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자 또는 유기기를 나타낸다. n은 1~1,000의 정수를 나타낸다〕[R 1 to R 8 in the general formula (1) each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group. and n represents an integer of 1 to 1,000.
〔일반식(2) 중의 R9~R22는, 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자 또는 유기기를 나타낸다. m은 1~1,000의 정수를 나타낸다〕[R 9 to R 22 in the general formula (2) each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group. and m represents an integer of 1 to 1,000.
상기 지지체(I1)는, 상기 폴리이미드 수지(i-1) 및 폴리이미드 수지(i-2)를 함유하는 것이다.The support (I1) contains the polyimide resin (i-1) and the polyimide resin (i-2).
상기 폴리이미드 수지(i-1)는, 상기 일반식(1)으로 표시되는 구조를 갖는 것이다.The polyimide resin (i-1) has a structure represented by the general formula (1).
상기 일반식(1) 중의 R1~R8은, 각각 독립하여 수소 원자, 수산기, 할로겐 원자 또는 유기기이다. 상기 유기기로서는, 구체적으로는 알킬기, 아릴기를 들 수 있다. 상기 R1~R8은, 우수한 밀착성이나 내열성을 부여하고, 비교적 저렴하게 입수 가능하므로, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 1 to R 8 in the general formula (1) are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, a halogen atom or an organic group. Specific examples of the organic group include an alkyl group and an aryl group. The above R 1 to R 8 are preferably hydrogen atoms since they give excellent adhesion and heat resistance and can be obtained at relatively low cost.
상기 일반식(1) 중의 m은, 1~1,000의 정수인 것이 바람직하고, 3~500의 정수인 것이 보다 바람직하고, 50~500의 정수인 것이 더 바람직하고, 100~500의 정수인 것이 특히 바람직하다.M in the general formula (1) is preferably an integer of 1 to 1,000, more preferably an integer of 3 to 500, still more preferably an integer of 50 to 500, particularly preferably an integer of 100 to 500.
상기 폴리이미드 수지(i-1)로서는, 그 분자말단의 구조가 아미노기인 것이 바람직하다.As the polyimide resin (i-1), it is preferable that the molecular terminal structure is an amino group.
상기 폴리이미드 수지(i-1)는, 예를 들면, 4,4'-옥시디아닐린 등을 함유하는 폴리아민과, 무수피로멜리트산을 함유하는 테트라카르복시산이수화물을 반응시킴에 의해 폴리아믹산을 제조하고, 이어서, 필요에 따라 촉매 등과 혼합하고, 가열 등 함에 의해 제조할 수 있다.The polyimide resin (i-1) can be produced, for example, by reacting a polyamine containing 4,4'-oxydianiline and the like with a tetracarboxylic acid dihydrate containing anhydrous pyromellitic acid to prepare a polyamic acid , Followed by mixing with a catalyst or the like, if necessary, followed by heating or the like.
상기 폴리아민과 상기 테트라카르복시산이수화물과의 반응은, 종래 알려진 방법에 의해 행할 수 있다.The reaction of the polyamine and the tetracarboxylic acid dihydrate can be carried out by a conventionally known method.
상기 폴리이미드 수지(i-1)를 제조할 때에는, 4,4'-옥시디아닐린 이외의 폴리아민이나, 무수피로멜리트산 이외의 테트라카르복시산이수화물을 병용해도 되지만, 상기 폴리이미드 수지(i-1)의 제조에 사용하는 원료의 전량에 대해, 4,4'-옥시디아닐린 및 무수피로멜리트산을 합계 95질량%~100질량%의 범위에서 사용하는 것이 바람직하다.In producing the polyimide resin (i-1), a polyamine other than 4,4'-oxydianiline or a tetracarboxylic acid dihydrate other than anhydrous pyromellitic acid may be used in combination, but the polyimide resin (i-1) ), It is preferable to use 4,4'-oxydianiline and anhydrous pyromellitic acid in a total amount of 95 mass% to 100 mass% with respect to the total amount of raw materials used in the production of
또한, 상기에서 얻은 폴리아믹산을 사용하여 폴리이미드 수지(i-1)를 제조하는 방법으로서는, 가열하는 방법을 들 수 있다.As a method for producing the polyimide resin (i-1) using the polyamic acid obtained above, a method of heating may be mentioned.
상기 가열은, 바람직하게는 150℃ 이상, 보다 바람직하게는 200℃~300℃에서 행할 수 있다.The heating can be performed preferably at 150 ° C or higher, more preferably 200 ° C to 300 ° C.
상기 폴리이미드 수지(i-1)를 제조하는 방법으로서는, 구체적으로는 JOURNAL OF POLYMER SCIENCE : PART A-2 VOL.6, 953-960(1968)에 기재된 방법을 들 수 있다.Specific examples of the method for producing the polyimide resin (i-1) include the methods described in JOURNAL OF POLYMER SCIENCE: PART A-2 VOL.6, 953-960 (1968).
상기 지지체(I1)를 구성하는 폴리이미드 수지(i-2)는, 상기 일반식(2)으로 표시되는 구조를 갖는 것이다.The polyimide resin (i-2) constituting the support (I1) has a structure represented by the general formula (2).
상기 일반식(2) 중의 R9~R22는, 각각 독립하여 수소 원자, 수산기, 할로겐 원자 또는 유기기이다. 상기 유기기로서는, 구체적으로는 알킬기, 아릴기를 들 수 있다. 상기 R9~R22는, 우수한 밀착성을 부여하는 데에, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 9 to R 22 in the general formula (2) are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, a halogen atom or an organic group. Specific examples of the organic group include an alkyl group and an aryl group. It is preferable that R 9 to R 22 are hydrogen atoms in order to give good adhesion.
상기 일반식(2) 중의 n은, 1~1,000의 정수인 것이 바람직하고, 3~500의 정수인 것이 보다 바람직하고, 50~500의 정수인 것이 더 바람직하고, 100~500의 정수인 것이 특히 바람직하다.N in the general formula (2) is preferably an integer of 1 to 1,000, more preferably an integer of 3 to 500, still more preferably an integer of 50 to 500, and particularly preferably an integer of 100 to 500.
상기 폴리이미드 수지(i-2)로서는, 그 분자말단의 구조가 아미노기인 것이 바람직하다.As the polyimide resin (i-2), it is preferable that the molecular terminal structure is an amino group.
상기 폴리이미드 수지(i-2)는, 예를 들면, 4,4'-옥시디아닐린 등을 함유하는 폴리아민과, 비페닐3,4,3',4'-테트라카르복시산이수화물을 함유하는 테트라카르복시산이수화물을 반응시킴에 의해 폴리아믹산을 제조하고, 이어서 필요에 따라 촉매 등과 혼합하고, 가열 등 함에 의해 제조할 수 있다.The polyimide resin (i-2) can be produced, for example, by reacting a polyamine containing 4,4'-oxydianiline or the like with a tetra (meth) acrylate containing biphenyl 3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic acid dihydrate By reacting a carboxylic acid dihydrate to prepare a polyamic acid, and then, if necessary, mixing with a catalyst or the like, followed by heating or the like.
상기 폴리아민과 상기 테트라카르복시산이수화물과의 반응은, 종래 알려진 방법에 의해 행할 수 있다.The reaction of the polyamine and the tetracarboxylic acid dihydrate can be carried out by a conventionally known method.
상기 폴리이미드 수지(i-2)를 제조할 때에는, 4,4'-옥시디아닐린 이외의 폴리아민이나, 비페닐3,4,3',4'-테트라카르복시산이수화물 이외의 테트라카르복시산이수화물을 병용해도 되지만, 상기 폴리이미드 수지(i-2)의 제조에 사용하는 원료의 전량에 대해, 4,4'-옥시디아닐린 및 비페닐3,4,3',4'-테트라카르복시산이수화물을 합계 95질량%~100질량%의 범위에서 사용하는 것이 바람직하다.In the production of the polyimide resin (i-2), a polyamine other than 4,4'-oxydianiline or a tetracarboxylic acid dihydrate other than biphenyl 3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic acid dihydrate However, it is preferable to use 4,4'-oxydianiline and biphenyl 3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic acid dihydrate as the starting materials for the polyimide resin (i-2) It is preferably used in a total amount of 95 mass% to 100 mass%.
또한, 상기에서 얻은 폴리아믹산을 사용하여 폴리이미드 수지(i-2)를 제조하는 방법으로서는, 가열하는 방법을 들 수 있다.As a method for producing the polyimide resin (i-2) using the polyamic acid thus obtained, a method of heating may be mentioned.
상기 가열은, 바람직하게는 150℃ 이상, 보다 바람직하게는 200℃~300℃에서 행할 수 있다.The heating can be performed preferably at 150 ° C or higher, more preferably 200 ° C to 300 ° C.
상기 폴리이미드 수지(i-2)를 제조하는 방법으로서는, 구체적으로는 JOURNAL OF POLYMER SCIENCE : PART A-2 VOL.6, 953-960(1968)에 기재된 방법을 들 수 있다.Specific examples of the method for producing the polyimide resin (i-2) include the methods described in JOURNAL OF POLYMER SCIENCE: PART A-2 VOL.6, 953-960 (1968).
상기 층(I)을 구성하는 상기 지지체(I1)로서는, 상기 폴리이미드 수지(i-1)와 상기 폴리이미드 수지(i-2)를 [상기 폴리이미드 수지(i-1)/상기 폴리이미드 수지(i-2)]=5~95의 비율로 함유하는 것을 사용하는 것이 바람직하다.As the support (I1) constituting the layer (I), the polyimide resin (i-1) and the polyimide resin (i-2) (i-2)] = 5 to 95, is preferably used.
또한, 본 발명의 적층체의 층(I)을 구성하는 지지체(I2)로서는, 하기 일반식(1)으로 표시되는 구조 및 하기 일반식(2)으로 표시되는 구조를 조합하여 갖는 폴리이미드 수지(i-3)를 함유하는 지지체를 사용할 수 있다.The support (I2) constituting the layer (I) of the layered product of the present invention may be a polyimide resin having a combination of a structure represented by the following formula (1) and a structure represented by the following formula (2) i-3) may be used.
상기 폴리이미드 수지(i-3)로서는, 상기 폴리이미드 수지(i-1)나 상기 폴리이미드 수지(i-2)의 제조에 사용 가능한 것으로서 예시한, 4,4'-옥시디아닐린 등을 함유하는 폴리아민과, 무수피로멜리트산이나 비페닐3,4,3',4'-테트라카르복시산이수화물을 함유하는 테트라카르복시산이수화물을 반응시킴에 의해 폴리아믹산을 제조하고, 이어서, 필요에 따라 촉매 등과 혼합하고, 가열 등 함에 의해 제조할 수 있다.Examples of the polyimide resin (i-3) include 4,4'-oxydianiline and the like, which are exemplified as usable for the production of the polyimide resin (i-1) and the polyimide resin (i-2) And a tetracarboxylic acid dihydrate containing anhydride pyromellitic acid or biphenyl 3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic acid dihydrate is reacted with a polyamic acid to prepare a polyamic acid, Mixing, heating, and the like.
상기 폴리아민과 상기 테트라카르복시산이수화물과의 반응은, 종래 알려진 방법에 의해 행할 수 있다.The reaction of the polyamine and the tetracarboxylic acid dihydrate can be carried out by a conventionally known method.
상기 폴리이미드 수지(i-3)를 제조할 때에는, 4,4'-옥시디아닐린 이외의 폴리아민이나, 무수피로멜리트산 및 비페닐3,4,3',4'-테트라카르복시산이수화물 이외의 테트라카르복시산이수화물을 병용해도 되지만, 상기 폴리이미드 수지(i-3)의 제조에 사용하는 원료의 전량에 대해, 무수피로멜리트산 및 비페닐3,4,3',4'-테트라카르복시산이수화물을 합계 95질량%~100질량%의 범위에서 사용하는 것이 바람직하다.In the production of the polyimide resin (i-3), polyamines other than 4,4'-oxydianiline, pyromellitic anhydride and biphenyl 3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic acid dihydrate Tetracarboxylic acid dihydrate may be used in combination. However, it is preferable to use tetracarboxylic dihydrate and biphenyl 3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic acid dihydrate (i-3) relative to the total amount of raw materials used for the production of the polyimide resin In a total amount of 95 mass% to 100 mass%.
또한, 상기에서 얻은 폴리아믹산을 사용하여 폴리이미드 수지(i-3)를 제조하는 방법으로서는, 가열하는 방법을 들 수 있다.As a method for producing the polyimide resin (i-3) using the polyamic acid obtained above, a method of heating may be mentioned.
상기 가열은, 바람직하게는 150℃ 이상, 보다 바람직하게는 200℃~300℃에서 행할 수 있다.The heating can be performed preferably at 150 ° C or higher, more preferably 200 ° C to 300 ° C.
상기 지지체(I1) 및 상기 지지체(I2)로서는, 상기 폴리이미드 수지(i-1)나 상기 폴리이미드 수지(i-2)나 상기 폴리이미드 수지(i-2) 외에, 필요에 따라 각종 첨가제를 함유하는 것을 사용할 수 있다.As the support (I1) and the support (I2), various additives may be added as necessary in addition to the polyimide resin (i-1), the polyimide resin (i-2) and the polyimide resin (i- May be used.
상기 첨가제로서는, 예를 들면, 실리카나 인산칼슘 등의 무기충전제를 사용하는 것이, 폴리이미드 필름으로 이루어지는 상기 지지체(I1)나 상기 지지체(I2)의 반송의 용이성을 향상하고, 상기 지지체(I1)나 상기 지지체(I2)의 블로킹을 방지하는 데에 바람직하다.The use of an inorganic filler such as silica or calcium phosphate improves the ease of conveyance of the support I1 made of a polyimide film and the support I2, Or to prevent blocking of the support (I2).
상기 무기충전제로서는, 상기 지지체의 표면의 평활성을 높이는 데다, 상기 지지체(I1) 또는 상기 지지체(I2)의 질량에 대해 0.5질량%~30질량%의 범위에서 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 무기충전제의 평균 입자경은, 0.01㎛~5㎛가 바람직하고, 또한 0.01㎛~0.5㎛가 보다 바람직하다. 또, 상기 평균 입자경은, 레이저 회절산란식 입도분포계 장치로 측정한 값을 가리킨다.The inorganic filler is preferably used in a range of 0.5% by mass to 30% by mass with respect to the mass of the support (I1) or the support (I2) in order to enhance the smoothness of the surface of the support. The average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.01 탆 to 5 탆, more preferably 0.01 탆 to 0.5 탆. The average particle diameter refers to a value measured by a laser diffraction scattering type particle size distribution meter.
상기 지지체(I1)을 제조하는 방법으로서는, 예를 들면, 상기 폴리이미드 수지(i-1)의 전구체인 폴리아믹산과, 상기 폴리이미드 수지(i-2)의 전구체인 폴리아믹산과, 필요에 따라 용매를 혼합하여 얻은 용액, 및, 필요에 따라 상기 무기충전제 등의 첨가제를 혼합하여 얻은 혼합물을, 필요에 따라 여과나 탈포한 후, 필름 또는 시트상으로 성형하고, 가열하는 방법을 들 수 있다.Examples of the method for producing the support (I1) include a method in which a polyamic acid which is a precursor of the polyimide resin (i-1), a polyamic acid which is a precursor of the polyimide resin (i-2) A method in which a mixture obtained by mixing a solution obtained by mixing a solvent and an additive such as an inorganic filler as necessary is filtered or defoamed if necessary and then molded into a film or a sheet and heated.
상기 지지체(I2)를 제조하는 방법으로서는, 상기 폴리이미드 수지(i-3)의 전구체인 폴리아믹산과, 필요에 따라 용매를 혼합하여 얻은 용액, 및, 필요에 따라 상기 무기충전제 등의 첨가제를 혼합하여 얻은 혼합물을, 필요에 따라 여과나 탈포한 후, 필름 또는 시트상으로 성형하고, 가열하는 방법을 들 수 있다.As a method for producing the support (I2), a solution obtained by mixing a polyamic acid which is a precursor of the polyimide resin (i-3) and a solvent if necessary, and, if necessary, additives such as the inorganic filler And then, if necessary, filtering or degassing the mixture, forming the mixture into a film or sheet, and heating the mixture.
상기 성형방법으로서는, 예를 들면, 상기 혼합물을 T 다이 등을 사용하여 드럼상으로 압출하여, 유연시키는 방법을 들 수 있다.Examples of the molding method include a method of extruding the mixture into a drum shape using a T-die or the like to make it flexible.
상기 유연 후, 예를 들면, 80℃~150℃의 온도에서 30초~90초 정도 가열함에 의해 상기 용매를 제거함에 의해, 상기 필름 또는 시트상의 성형품을 얻을 수 있다.After the above-mentioned softening, the film or sheet-like molded article can be obtained by removing the solvent by heating at a temperature of, for example, 80 to 150 DEG C for 30 seconds to 90 seconds.
상기 성형품을, 예를 들면, 200℃~450℃의 온도에서 30초~200초 정도 가열함에 의해, 폴리이미드 수지를 함유하는 지지체를 제조할 수 있다.By heating the molded article at a temperature of, for example, 200 DEG C to 450 DEG C for 30 seconds to 200 seconds, a support containing a polyimide resin can be produced.
상기 방법에서 얻어진 지지체(I1) 또는 지지체(I2)로 이루어지는 층(I)은, 1㎛~5,000㎛ 정도의 두께의 것임이 바람직하고, 1㎛~300㎛ 정도의 두께인 것이 보다 바람직하다. 상기 적층체로서 비교적 유연한 것이 요구되는 경우에는, 1㎛~200㎛ 정도의 두께의 것을 사용하는 것이 바람직하다.The layer (I) comprising the support (I1) or the support (I2) obtained by the above method preferably has a thickness of about 1 탆 to 5,000 탆 and more preferably about 1 탆 to 300 탆. When a relatively flexible laminate is required, it is preferable to use a laminate having a thickness of about 1 mu m to 200 mu m.
다음으로, 본 발명의 적층체를 구성하는 수지층(Ⅱ)에 대해 설명한다.Next, the resin layer (II) constituting the laminate of the present invention will be described.
상기 수지층(Ⅱ)은, 후술하는 도전층(Ⅲ)을 형성하는 도전성 물질(x)을 함유하는 유동체를 수용 가능한 층이다. 상기 수지층(Ⅱ)은, 상기 유동체가 접촉했을 때에, 상기 유동체에 함유되는 용매를 신속하게 흡수하고, 또한 상기 도전성 물질(x)을 수지층(Ⅱ)의 표면에 담지(擔持)한다. 이에 의해, 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)로 이루어지는 층(I)과 수지층(Ⅱ)과, 도전성 물질(x)로 구성되는 도전층(Ⅲ)과의 밀착성이나 내열성을 현격하게 향상할 수 있다.The resin layer (II) is a layer which can accommodate a fluid containing a conductive substance (x) forming a conductive layer (III) described below. The resin layer (II) quickly absorbs the solvent contained in the fluid when the fluid contacts, and also carries the conductive substance (x) on the surface of the resin layer (II). This makes it possible to remarkably improve the adhesion and heat resistance between the layer (I) comprising the support (I1) or the support (I2) and the resin layer (II) and the conductive layer (III) composed of the conductive material .
상기 수지층(Ⅱ)은, 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)로 이루어지는 층(I)의 표면의 일부 또는 전부에 마련해도 되고, 그 편면 또는 양면에 마련해도 된다. 예를 들면, 상기 적층체로서는, 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)로 이루어지는 층(I)의 표면의 전면에 수지층(Ⅱ)을 갖고, 그 수지층(Ⅱ) 중 필요한 부분에만, 상기 도전층(Ⅲ)을 갖는 것을 사용할 수 있다. 또한, 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)로 이루어지는 층(I)의 표면 중, 상기 도전층(Ⅲ)이 마련되는 부분에만, 상기 수지층(Ⅱ)이 마련된 적층체도 사용할 수 있다.The resin layer (II) may be provided on a part or all of the surface of the layer (I) comprising the support (I1) or the support (I2), or may be provided on one side or both sides thereof. For example, as the laminate, it is preferable that the resin layer (II) is provided on the entire surface of the layer (I) comprising the support (I1) or the support (I2) And a conductive layer (III) can be used. A laminate in which the resin layer (II) is provided only on the surface of the layer (I) comprising the support (I1) or the support (I2) where the conductive layer (III) is provided can also be used.
상기 수지층(Ⅱ)은, 본 발명의 적층체의 사용하는 용도 등에 따라 다르지만, 통상은 10nm~1000㎛의 범위의 두께로 하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)로 이루어지는 층(I)과 상기 도전층(Ⅲ)과의 밀착성을 한층더 향상할 수 있으므로, 상기 수지층(Ⅱ)의 두께는, 10nm~300nm의 범위가 보다 바람직하고, 10nm~100nm의 범위가 더 바람직하다.The resin layer (II) differs depending on the intended use of the laminate of the present invention, but is usually preferably in the range of 10 nm to 1000 μm. The adhesion between the layer (I) composed of the support (I1) or the support (I2) and the conductive layer (III) can be further improved and the thickness of the resin layer (II) is preferably 10 nm to 300 nm More preferably in the range of 10 nm to 100 nm.
상기 수지층(Ⅱ)로서는, 우레탄 수지 및 아크릴 수지에 의해 구성되는 복합 수지(Ⅱ-1), 멜라민 수지(Ⅱ-2), 우레탄 수지, 비닐 수지, 에폭시 수지, 이미드 수지, 아미드 수지, 페놀 수지, 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈 등을 사용하여 형성된 수지층을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 우레탄 수지 및 아크릴 수지에 의해 구성되는 복합 수지(Ⅱ-1), 또는, 멜라민 수지(Ⅱ-2)를 사용하여 형성된 층인 것이, 밀착성 및 내열성이 우수한 적층체를 제조하는 데에 바람직하다.Examples of the resin layer (II) include a composite resin (II-1), a melamine resin (II-2), a urethane resin, a vinyl resin, an epoxy resin, an imide resin, an amide resin, A resin layer formed by using a resin, polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone or the like can be used. Among them, a layer formed using a composite resin (II-1) or a melamine resin (II-2) composed of a urethane resin and an acrylic resin is preferable for producing a laminate having excellent adhesion and heat resistance .
다음으로, 본 발명의 적층체를 구성하는 도전층(Ⅲ)에 대해 설명한다.Next, the conductive layer (III) constituting the laminate of the present invention will be described.
상기 도전층(Ⅲ)은, 도전성 잉크나 도금핵제 등의 유동체에 함유되는 도전성 물질(x)에 의해 구성되는 층이다. 상기 도전층(Ⅲ)은, 예를 들면, 상기 유동체로서 은을 함유하는 도금핵제를 사용한 경우이면, 상기 도금핵제 중에 함유되는 상기 은에 의해 구성되는 층에 상당하며, 상기 은에 의해 구성되는 인쇄상이나 패턴에 상당하는 것이다.The conductive layer (III) is a layer composed of a conductive material (x) contained in a fluid such as a conductive ink or a plating nucleating agent. The conductive layer (III), for example, corresponds to a layer constituted of the silver contained in the plating nucleating agent when a plating nucleating agent containing silver is used as the fluid, and the printing It is equivalent to pattern or pattern.
상기 도전층(Ⅲ)은, 상기 도전성 물질(x)에 의해 구성되는 것이 바람직하고, 구체적으로는 은에 의해 구성되는 것이 바람직하다. 상기 도전층(Ⅲ)은, 상기와 같이 주로 상기 도전성 물질에 의해 구성되지만, 상기 유동체 중에 함유되는 용매나 첨가제 등이, 상기 도전층(Ⅲ) 중에 잔존하여 있어도 된다.The conductive layer (III) is preferably composed of the conductive material (x), and it is preferable that the conductive layer (III) is made of silver. The conductive layer (III) is mainly composed of the conductive material as described above, but a solvent or an additive contained in the fluid may remain in the conductive layer (III).
또한, 상기 도전층(Ⅲ)은, 상기 수지층(Ⅱ)의 표면의 일부 또는 전부에 마련되어도 된다. 예를 들면, 상기 적층체로서는, 상기 수지층(Ⅱ)의 표면 중, 필요한 부분에만, 상기 도전층(Ⅲ)이 마련되어 있어도 된다. 구체적으로는, 상기 수지층(Ⅱ)의 표면의 중 필요한 부분에만 마련된 도전층(Ⅲ)로서는, 선상으로 획선함에 의해 형성된 선상의 층을 들 수 있다. 상기 도전층(Ⅲ)으로서 선상의 층을 갖는 적층체는, 도전성 패턴이나 전기회로 등을 제조할 때에 호적하다.The conductive layer (III) may be provided on part or all of the surface of the resin layer (II). For example, as the above-mentioned laminate, the conductive layer (III) may be provided only on a necessary portion of the surface of the resin layer (II). Specifically, as the conductive layer (III) provided only in a necessary portion of the surface of the resin layer (II), a linear layer formed by line drawing is exemplified. The layered product having a linear layer as the conductive layer (III) is favorable when a conductive pattern, an electric circuit or the like is produced.
상기 선상의 층의 폭(선폭)은, 0.01㎛~200㎛ 정도, 바람직하게는 0.01㎛~150㎛ 정도인 것이, 도전성 패턴의 고밀도화 등을 도모하는 데에 바람직하다.It is preferable that the width (line width) of the above-mentioned line-like layer is about 0.01 mu m to 200 mu m, preferably about 0.01 mu m to 150 mu m, in order to achieve high density of the conductive pattern.
본 발명의 적층체를 구성하는 도전층(Ⅲ)은, 10nm~10㎛의 범위의 두께의 것을 사용할 수 있다. 상기 도전층(Ⅲ)의 두께는, 상기 도전층(Ⅲ)의 형성에 사용 가능한, 도전성 물질(x)을 함유하는 유동체의 도포량 등을 제어함에 의해 조정할 수 있다. 상기 도전층(Ⅲ)이 세선상(細線狀)의 것인 경우, 그 두께(높이)는 10nm~1㎛의 범위인 것이 바람직하다.As the conductive layer (III) constituting the laminate of the present invention, those having a thickness in the range of 10 nm to 10 μm can be used. The thickness of the conductive layer (III) can be adjusted by controlling the application amount of a fluid containing the conductive substance (x) and the like usable for forming the conductive layer (III). When the conductive layer (III) is of fine wire shape, its thickness (height) is preferably in the range of 10 nm to 1 탆.
또한, 상기 도전층(Ⅲ)의 표면은, 필요에 따라 마련할 수 있는 도금층(Ⅳ)과의 밀착성을 향상하는 데에, 상기 도전층(Ⅲ)의 표면의 일부 또는 전부가, 산화되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the surface of the conductive layer (III) is formed so that part or all of the surface of the conductive layer (III) is oxidized to improve the adhesion with the plating layer (IV) desirable.
여기에서, 상기 산화는, 상기 도전층(Ⅲ)에 함유되는 도전성 물질(x)이 산소와 결합하여 산화물을 형성하는 것을 가리킴과 함께, 상기 도전성 물질(x)의 가수가 증가하는 경우를 함유한다.Here, the oxidation refers to the fact that the conductive substance (x) contained in the conductive layer (III) forms an oxide by binding with oxygen, and includes the case where the valence of the conductive substance (x) increases .
따라서, 상기 도전층(Ⅲ)의 산화된 표면으로서는, 예를 들면, 상기 도전층(Ⅲ)에 함유되는 도전성 물질(x)로서 은을 사용한 경우이면, 산화은을 함유하는 표면이나, 상기 은이 수산기 등과 결합하여, 그 가수가 0에서 +1로 증가한 물질로 이루어지는 표면인 것을 사용할 수 있다.Therefore, as the oxidized surface of the conductive layer (III), for example, when silver is used as the conductive substance (x) contained in the conductive layer (III), the surface containing silver oxide, And the surface is made of a material whose valence increases from 0 to +1.
상기 도전층(Ⅲ)은, 상기 도금층(Ⅳ)과 접하는 표면이 산화되어 있으면 되지만, 상기 표면과 함께, 상기 도전층(Ⅲ)에 함유되는 도전성 물질의 전부가 산화한 것이어도 된다.The surface of the conductive layer (III) that is in contact with the plating layer (IV) may be oxidized, but the conductive material contained in the conductive layer (III) may be entirely oxidized together with the surface.
상기 도전층(Ⅲ)의 산화된 표면은, 그 저항값이 0.1Ω/□~50Ω/□의 범위인 것이 바람직하고, 0.2Ω/□~30Ω/□의 범위인 것이, 상기 도금층(Ⅳ)과의 우수한 밀착성을 부여하는 데에 바람직하다.The oxidized surface of the conductive layer (III) preferably has a resistance value in the range of 0.1 Ω / □ to 50 Ω / □ and is in the range of 0.2 Ω / □ to 30 Ω / □. And the like.
또한, 본 발명의 적층체는, 상기 층(I)과 상기 수지층(Ⅱ)과 상기 도전층(Ⅲ) 외에, 필요에 따라 도금층(Ⅳ)을 갖고 있어도 된다.The laminate of the present invention may have a plating layer (IV), if necessary, in addition to the layer (I), the resin layer (II) and the conductive layer (III).
상기 도금층(Ⅳ)은, 예를 들면, 상기 적층체를 도전성 패턴 등에 사용하는 경우에, 장기간에 걸쳐 단선 등을 일으키지 않고, 양호한 통전성을 유지 가능한 신뢰성이 높은 배선 패턴을 형성하는 것을 목적으로 하여 마련되는 층이다.The plating layer (IV) is provided for the purpose of forming a highly reliable wiring pattern capable of maintaining good conductivity without causing disconnection or the like for a long period of time, for example, when the laminate is used for a conductive pattern or the like Lt; / RTI >
상기 도금층(Ⅳ)은, 예를 들면, 구리, 니켈, 크롬, 코발트, 주석 등의 금속로 이루어지는 층인 것이 바람직하고, 구리로 이루어지는 도금층인 것이 보다 바람직하다.The plating layer (IV) is preferably a layer made of a metal such as copper, nickel, chromium, cobalt or tin, and more preferably a plated layer made of copper.
상기 도금층(Ⅳ)은, 1㎛~50㎛의 범위의 두께의 것을 사용할 수 있다. 상기 도금층(Ⅳ)의 두께는, 상기 도금층(Ⅳ)의 형성할 때의 도금처리 공정에 있어서의 처리시간이나 전류밀도, 도금용 첨가제의 사용량 등을 제어함에 의해 조정할 수 있다.The plating layer (IV) may have a thickness in the range of 1 탆 to 50 탆. The thickness of the plating layer (IV) can be adjusted by controlling the processing time, the current density, the amount of the plating additive used, and the like in the plating process at the time of forming the plating layer (IV).
다음으로, 본 발명의 적층체의 제조방법에 대해 설명한다.Next, a method of manufacturing the laminate of the present invention will be described.
본 발명의 적층체는, 예를 들면, 상기 층(I)을 구성하는 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)의 표면의 일부 또는 전부에, 수지 조성물(R)을 도포, 건조함에 의해 상기 수지층(Ⅱ)을 형성하고, 이어서, 상기 수지층(Ⅱ)의 표면의 일부 또는 전부에, 도전성 물질(x)을 함유하는 유동체를 도포, 소성하고 상기 도전층(Ⅲ)을 형성함에 의해 제조할 수 있다. 상기 도금층(Ⅳ)을 마련하는 경우에는, 상기 도전층(Ⅲ)의 표면의 일부 또는 전부를 도금처리함에 의해, 추가로 도금층(Ⅳ)을 구비한 적층체를 제조할 수 있다.The laminate of the present invention can be obtained by, for example, applying and drying a resin composition (R) to a part or all of the surface of the support (I1) or the support (I2) constituting the layer (I) (II), and then applying and firing a fluid containing a conductive material (x) on a part or the whole of the surface of the resin layer (II) to form the conductive layer (III) . In the case of providing the plating layer (IV), a laminate including the plating layer (IV) can be produced by plating a part or all of the surface of the conductive layer (III).
상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)의 표면의 일부 또는 전부에 상기 수지층(Ⅱ)을 형성하는 방법으로서는, 상기 수지 조성물(R)을, 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)의 표면의 일부 또는 전부에 도포하고, 상기 수지 조성물(R) 중에 함유되는 수성매체나 유기용제 등의 용매를 제거함에 의해 형성할 수 있다.As a method for forming the resin layer (II) on a part or the whole of the surface of the support (I1) or the support (I2), the resin composition (R) is preferably applied to the surface of the support (I1) Or the like, and removing the solvent such as an aqueous medium or an organic solvent contained in the resin composition (R).
상기 수지 조성물(R)을 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)의 표면에 도포하는 방법으로서는, 예를 들면, 그라비아 방식, 코팅 방식, 스크린 방식, 롤러 방식, 로터리 방식, 스프레이 방식 등의 방법을 들 수 있다.Examples of the method of applying the resin composition (R) to the surface of the support (I1) or the support (I2) include a gravure coating method, a coating method, a screen method, a roller method, a rotary method, .
상기 수지 조성물(R)을 도포하는 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)의 표면은, 필요에 따라 코로나 방전 처리법 등의 플라스마 방전 처리법이나, 자외선처리법 등의 건식처리법, 물이나 산성 또는 알칼리성 약액, 유기용제 등을 사용한 습식처리법에 의해, 표면처리되어 있어도 된다.The surface of the support (I1) or the support (I2) to which the resin composition (R) is applied may be subjected to a surface treatment such as a plasma treatment method such as a corona discharge treatment method or a dry treatment method such as an ultraviolet ray treatment method, Or may be surface-treated by a wet treatment method using an organic solvent or the like.
상기 수지 조성물(R)을 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)의 표면에 도포한 후, 그 도포층에 함유되는 용매를 제거하는 방법으로서는, 예를 들면, 건조기를 사용하여 건조시키고, 상기 용매를 휘발시키는 방법이 일반적이다. 건조온도로서는, 상기 용매를 휘발시키는 것이 가능하고, 또한 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)에 악영향을 주지 않는 범위의 온도로 설정하면 된다.As a method for applying the resin composition (R) to the surface of the support (I1) or the support (I2) and then removing the solvent contained in the coating layer, it is dried using, for example, a drier, Is generally volatilized. The drying temperature may be set to a temperature which can volatilize the solvent and does not adversely affect the support (I1) or the support (I2).
상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)상에의 상기 수지 조성물(R)의 도포량은, 우수한 밀착성과 도전성을 부여하는 관점에서, 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)의 면적에 대해 0.01g/㎡~60g/㎡의 범위인 것이 바람직하고, 상기 유동체 중에 함유되는 용매의 흡수성과 제조비용을 감안하면 0.1g/㎡~10g/㎡가 특히 바람직하다.The amount of the resin composition (R) applied on the support (I1) or the support (I2) is preferably 0.01 g / m < 2 > to the area of the support (I1) or the support (I2) M < 2 > to 60 g / m < 2 >, and from 0.1 g / m < 2 > to 10 g / m < 2 >
상기 수지층(Ⅱ)의 제조에 사용 가능한 수지 조성물(R)로서는, 각종 수지와 용매를 함유하는 것을 사용할 수 있다.As the resin composition (R) usable in the production of the resin layer (II), a resin containing various resins and a solvent may be used.
상기 수지로서는, 예를 들면, 우레탄 수지 및 아크릴 수지에 의해 구성되는 복합 수지(Ⅱ-1), 멜라민 수지(Ⅱ-2), 우레탄 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 이미드 수지, 아미드 수지, 페놀 수지, 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈 등을 사용할 수 있다.Examples of the resin include a composite resin (II-1) composed of a urethane resin and an acrylic resin, a melamine resin (II-2), a urethane resin, an acrylic resin, an epoxy resin, an imide resin, Resin, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, and the like can be used.
상기 수지로서는, 그 중에서도 우레탄 수지 및 아크릴 수지에 의해 구성되는 복합 수지(Ⅱ-1), 또는, 멜라민 수지(Ⅱ-2)를 사용하는 것이, 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)로 이루어지는 층(I)과 상기 도전층(Ⅲ)과의 밀착성을 한층더 향상하는 데에 바람직하다.As the resin, it is preferable to use a composite resin (II-1) or a melamine resin (II-2) composed of a urethane resin and an acrylic resin, (I) and the conductive layer (III).
상기 수지 조성물(R)로서는, 상기 수지 조성물(R) 전체에 대해 상기 수지를 10질량%~70질량% 함유하는 것을 사용하는 것이, 도포의 용이성 등을 유지하는 데에 바람직하고, 10질량%~50질량% 함유하는 것을 사용하는 것이 보다 바람직하다.As the resin composition (R), it is preferable to use the resin composition (R) containing 10% by mass to 70% by mass of the resin for the entire resin composition (R) More preferably 50 mass% or less.
또한, 상기 수지 조성물(R)에 사용 가능한 용매로서는, 각종 유기용제나 수성매체를 사용할 수 있다.As the solvent usable in the resin composition (R), various organic solvents and aqueous media can be used.
상기 유기용제로서는, 예를 들면, 톨루엔이나 아세트산에틸, 메틸에틸케톤 등을 사용할 수 있다. 또한, 상기 수성매체로서는, 물, 물과 혼화하는 유기용제, 및, 이것들의 혼합물을 들 수 있다.As the organic solvent, for example, toluene, ethyl acetate, methyl ethyl ketone and the like can be used. Examples of the aqueous medium include water, organic solvents that are miscible with water, and mixtures thereof.
물과 혼화하는 유기용제로서는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, n- 및 이소프로판올, 에틸카르비톨, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브 등의 알코올류; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤류; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 폴리알킬렌글리콜류; 폴리알킬렌글리콜의 알킬에테르류; N-메틸-2-피롤리돈 등의 락탐류 등을 들 수 있다.Examples of the organic solvent to be mixed with water include alcohols such as methanol, ethanol, n- and isopropanol, ethyl carbitol, ethyl cellosolve and butyl cellosolve; Ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; Polyalkylene glycols such as ethylene glycol, diethylene glycol and propylene glycol; Alkyl ethers of polyalkylene glycols; N-methyl-2-pyrrolidone and the like.
또한, 상기 수지 조성물(R)에 사용하는 수지로서는, 각종 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)에의 밀착성을 한층더 향상하는 관점에서, 친수성기를 갖는 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 친수성기로서는, 예를 들면, 일부 또는 전부가 염기성 화합물 등에 의해 중화되어 형성한 카복실레이트기나 설포네이트기 등의 음이온성기이나, 양이온성기, 비이온성기를 들 수 있고, 음이온성기인 것이 바람직하다.As the resin used for the resin composition (R), it is preferable to use a resin having a hydrophilic group from the viewpoint of further improving the adhesion to the various supports (I1) or (I2). Examples of the hydrophilic group include anionic groups such as carboxylate groups and sulfonate groups formed by neutralization with a basic compound or the like in part or whole, cationic groups and nonionic groups, and preferably anionic groups.
또한, 상기 수지는, 필요에 따라 알콕시실릴기나 실라놀기, 수산기, 아미노기, 메틸올기, 메틸올아미드기, 알콕시메틸아미드기, 메틸올아미노기 등의 가교성 관능기를 갖고 있어도 된다. 따라서, 상기 수지층(Ⅱ)은, 상기 유동체가 도포되기 전에, 이미 가교구조를 형성하고 있어도 되고, 또한, 상기 유동체가 도포된 후, 예를 들면, 소성 공정 등에 있어서의 가열에 의해 가교구조를 형성해도 된다.The resin may have a crosslinkable functional group such as an alkoxysilyl group, a silanol group, a hydroxyl group, an amino group, a methylol group, a methylol amide group, an alkoxymethyl amide group and a methylol amino group, if necessary. Therefore, the resin layer (II) may have already formed a crosslinked structure before the fluid is applied, or after the fluid has been applied, for example, by heating in a firing step or the like, .
상기 수지 조성물(R)에 사용 가능한 복합 수지(Ⅱ-1)로서는, 우레탄 수지 및 아크릴 수지가 복합 수지 입자를 형성하며 수성매체 중에 분산 등 할 수 있는 것을 들 수 있다.Examples of the composite resin (II-1) usable in the resin composition (R) include those in which the urethane resin and the acrylic resin form composite resin particles and can be dispersed in an aqueous medium.
상기 복합 수지 입자는, 구체적으로는, 상기 우레탄 수지가 형성하는 수지 입자 내에 상기 아크릴 수지의 일부 또는 전부가 내재한 것을 들 수 있다. 그 때, 상기 아크릴 수지는, 상기 우레탄 수지 입자 중에 복수의 입자상으로 분산하고 있어도 되고, 또한, 코어층으로서의 상기 아크릴 수지와, 쉘층으로서의 상기 친수성기를 갖는 우레탄 수지로 구성되는 코어-쉘형의 복합 수지 입자를 형성하는 것이 바람직하다. 특히 도전성 패턴을 형성할 때에 있어서는, 상기 특성을 저하시킬 수 있는 계면활성제 등을 사용할 필요가 없는 상기 코어-쉘형의 복합 수지 입자를 사용하는 것이 바람직하다. 또, 상기 복합 수지 입자로서는, 상기 아크릴 수지가 상기 우레탄 수지에 의해 거의 완전하게 덮여 있는 것이 바람직하지만, 필수는 아니고, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 상기 아크릴 수지의 일부가 상기 복합 수지 입자의 최외부에 존재해도 된다. 상기 우레탄 수지와 상기 아크릴 수지와는, 공유결합을 형성하고 있어도 되지만, 결합을 형성하고 있지 않는 것이 바람직하다.Specifically, the composite resin particle may be one in which a part or all of the acrylic resin is contained in the resin particle formed by the urethane resin. At this time, the acrylic resin may be dispersed in a plurality of particles in the urethane resin particle, and the core-shell type composite resin particle composed of the acrylic resin as the core layer and the urethane resin having the hydrophilic group as the shell layer . Particularly, when forming the conductive pattern, it is preferable to use the above-mentioned core-shell type composite resin particles in which it is not necessary to use a surfactant capable of lowering the above characteristics. As the composite resin particle, it is preferable that the acrylic resin is almost completely covered with the urethane resin. However, it is not essential, and a part of the acrylic resin is contained in the composite resin Or may be present at the outermost part of the particle. The urethane resin and the acrylic resin may form a covalent bond, but preferably do not form a bond.
또한, 상기 복합 수지 입자는, 양호한 수분산 안정성을 유지하는 관점에서, 5nm~100nm의 범위의 평균 입자경인 것이 바람직하다. 여기에서 말하는 평균 입자경이란, 후술하는 실시예에서도 서술하지만, 동적 광산란법에 의해 측정한 체적기준에서의 평균 입자경을 가리킨다.The composite resin particle is preferably an average particle diameter in the range of 5 nm to 100 nm from the viewpoint of maintaining good water dispersion stability. The average particle diameter referred to herein refers to an average particle diameter on a volume basis measured by a dynamic light scattering method, which is also described in the following Examples.
상기 복합 수지(Ⅱ-1)로서는, 상기 우레탄 수지와 상기 아크릴 수지를, [우레탄 수지/아크릴 수지]=90/10~10/90의 범위에서 함유하는 것이 바람직하고, 70/30~10/90의 범위에서 함유하는 것이 보다 바람직하다.As the composite resin (II-1), it is preferable that the urethane resin and the acrylic resin contain [urethane resin / acrylic resin] in the range of 90/10 to 10/90, preferably 70/30 to 10/90 More preferably in the range
상기 복합 수지(Ⅱ-1)의 제조에 사용 가능한 우레탄 수지로서는, 각종 폴리올과 폴리이소시아네이트와, 필요에 따라 쇄신장제 등을 반응함에 의해 얻어지는 것을 사용할 수 있다.As the urethane resin usable in the production of the composite resin (II-1), there can be used those obtained by reacting various polyols and polyisocyanates and, if necessary, chain extenders and the like.
상기 폴리올로서는, 예를 들면, 폴리에테르폴리올, 폴리에스테르폴리올, 폴리에스테르에테르폴리올, 폴리카보네이트폴리올 등을 사용할 수 있다.As the polyol, for example, a polyether polyol, a polyester polyol, a polyester ether polyol, a polycarbonate polyol and the like can be used.
상기 폴리에스테르폴리올로서는, 예를 들면, 저분자량의 폴리올과 폴리카르복시산을 에스테르화 반응하여 얻어지는 지방족 폴리에스테르폴리올이나 방향족 폴리에스테르폴리올, ε-카프로락톤 등의 환상 에스테르 화합물을 개환중합 반응하여 얻어지는 폴리에스테르나, 이것들의 공중합 폴리에스테르 등을 사용할 수 있다.Examples of the polyester polyols include aliphatic polyester polyols obtained by esterifying a low molecular weight polyol and polycarboxylic acid, aromatic polyester polyols, polyester obtained by ring-opening polymerization reaction of cyclic ester compounds such as? -Caprolactone , And copolyesters of these may be used.
상기 저분자량의 폴리올로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,6-헥산디올, 네오펜틸글리콜 등을 사용할 수 있다.As the low molecular weight polyol, for example, ethylene glycol, propylene glycol, 1,6-hexanediol, neopentyl glycol and the like can be used.
또한, 상기 폴리카르복시산으로서는, 예를 들면, 숙신산, 아디프산, 세바스산, 도데칸디카르복시산 등의 지방족 폴리카르복시산이나, 테레프탈산, 이소프탈산, 프탈산 등의 방향족 폴리카르복시산, 및 이것들의 무수물 또는 에스테르 형성성 유도체 등을 사용할 수 있다.Examples of the polycarboxylic acid include aliphatic polycarboxylic acids such as succinic acid, adipic acid, sebacic acid and dodecanedicarboxylic acid; aromatic polycarboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid and phthalic acid; and anhydrides or ester- Derivatives and the like can be used.
또한, 상기 폴리에테르폴리올로서는, 예를 들면, 활성수소 원자를 2개 이상 갖는 화합물의 1종 또는 2종 이상을 개시제로서, 알킬렌옥사이드를 부가중합시킨 것을 사용할 수 있다.As the polyether polyol, for example, one obtained by subjecting one or more compounds having two or more active hydrogen atoms as an initiator to addition polymerization of an alkylene oxide may be used.
상기 개시제로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 트리메틸렌글리콜, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,6-헥산디올, 네오펜틸글리콜, 글리세린, 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판 등이나, 비스페놀A, 비스페놀F, 비스페놀B, 비스페놀AD 등을 사용할 수 있다.Examples of the initiator include ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, propylene glycol, trimethylene glycol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 1,6-hexanediol, neopentyl glycol, glycerin , Trimethylolethane, trimethylolpropane, etc., and bisphenol A, bisphenol F, bisphenol B, and bisphenol AD.
또한, 상기 알킬렌옥사이드로서는, 예를 들면, 에틸렌옥사이드, 프로필렌옥사이드, 부틸렌옥사이드, 스티렌옥사이드, 에피클로로히드린, 테트라히드로퓨란 등을 사용할 수 있다.As the alkylene oxide, for example, ethylene oxide, propylene oxide, butylene oxide, styrene oxide, epichlorohydrin, tetrahydrofuran and the like can be used.
또한, 상기 폴리에스테르에테르폴리올로서는, 예를 들면, 상기 개시제로 상기 알킬렌옥사이드가 부가한 폴리에테르폴리올과, 폴리카르복시산이 반응한 것을 사용할 수 있다. 상기 개시제나 상기 알킬렌옥사이드로서는, 상기 폴리에테르폴리올을 제조할 때에 사용 가능한 것으로서 예시한 것과 같은 것을 사용할 수 있다. 또한, 상기 폴리카르복시산으로서는, 상기 폴리에스테르폴리올을 제조할 때에 사용 가능한 것으로서 예시한 것과 같은 것을 사용할 수 있다.As the polyester ether polyol, there can be used, for example, a polyether polyol to which the alkylene oxide is added as the initiator and a polycarboxylic acid reacted with the polyether polyol. As the initiator and the alkylene oxide, those exemplified as those which can be used in the production of the polyether polyol may be used. As the polycarboxylic acid, the same ones as those which can be used in the production of the polyester polyol can be used.
또한, 상기 폴리카보네이트폴리올로서는, 예를 들면, 탄산에스테르와 폴리올을 반응시켜 얻어지는 것이나, 포스겐과 비스페놀A 등을 반응시켜 얻어지는 것을 사용할 수 있다.As the polycarbonate polyol, for example, those obtained by reacting a carbonic ester with a polyol, or those obtained by reacting phosgene with bisphenol A or the like can be used.
상기 탄산에스테르로서는, 메틸카보네이트이나, 디메틸카보네이트, 에틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 시클로카보네이트, 디페닐카보네이트 등을 사용할 수 있다.As the carbonic ester, methyl carbonate, dimethyl carbonate, ethyl carbonate, diethyl carbonate, cyclocarbonate, diphenyl carbonate and the like can be used.
상기 탄산에스테르와 반응할 수 있는 폴리올로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 1,4-부탄디올, 1,3-부탄디올, 1,2-부탄디올, 2,3-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,5-헥산디올, 2,5-헥산디올, 1,6-헥산디올, 1,7-헵탄디올, 1,8-옥탄디올, 1,9-노난디올, 1,10-데칸디올, 1,11-운데칸디올, 1,12-도데칸디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 2-에틸-1,3-헥산디올, 2-메틸-1,3-프로판디올, 2-메틸-1,8-옥탄디올, 2-부틸-2-에틸프로판디올, 2-메틸-1,8-옥탄디올, 네오펜틸글리콜, 1,4-시클로헥산디올, 1,4-시클로헥산디메탄올, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀-A, 비스페놀-F, 4,4'-비페놀 등의 비교적 저분자량의 디히드록시 화합물이나, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리테트라메틸렌글리콜 등의 폴리에테르폴리올이나, 폴리헥사메틸렌아디페이트, 폴리헥사메틸렌숙시네이트, 폴리카프로락톤 등의 폴리에스테르폴리올 등을 사용할 수 있다.Examples of the polyol which can be reacted with the carbonic ester include ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-propylene glycol, dipropylene glycol, Butanediol, 1,5-pentanediol, 1,5-hexanediol, 2,5-hexanediol, 1,6-hexanediol, 1,7- Heptanediol, 1,8-octanediol, 1,9-nonanediol, 1,10-decanediol, 1,11-undecanediol, 1,12-dodecanediol, Ethyl-1,3-hexanediol, 2-methyl-1,3-propanediol, 2-methyl-1,8-octanediol, Cyclohexanediol, 1,4-cyclohexanedimethanol, hydroquinone, resorcin, bisphenol-A, bisphenol-F, and 4,4'-biphenol A low molecular weight dihydroxy compound, a polyol such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, and polytetramethylene glycol Thermal or polyol, polyhexamethylene adipate can be used sulfates, polyhexamethylene succinate, polyester polyol such as polycaprolactone and the like.
또한, 상기 폴리올로서는, 우레탄 수지에 친수성기를 도입하는 관점에서, 예를 들면, 2,2'-디메틸올프로피온산, 2,2'-디메틸올부탄산, 2,2'-디메틸올부티르산, 5-설포이소프탈산, 설포테레프탈산, 4-설포프탈산, 5[4-설포페녹시]이소프탈산 등을 사용할 수 있다.As the polyol, from the viewpoint of introducing a hydrophilic group into the urethane resin, there may be mentioned, for example, 2,2'-dimethylolpropionic acid, 2,2'-dimethylolbutanoic acid, 2,2'- Sulfoisophthalic acid, phosiphthalic acid, sulfoterephthalic acid, 4-sulfophthalic acid, and 5 [4-sulfophenoxy] isophthalic acid.
상기 폴리이소시아네이트로서는, 예를 들면, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 2,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 구조 함유 폴리이소시아네이트이나, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 시클로헥산디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 테트라메틸자일릴렌디이소시아네이트 등의 지방족 폴리이소시아네이트나 지방족 환식 구조 함유 폴리이소시아네이트를 사용할 수 있다. 그 중에서도, 지방족 환식 구조 함유 폴리이소시아네이트를 사용하는 것이 바람직하다.Examples of the polyisocyanate include aromatic polyisocyanates such as 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, 2,4'-diphenylmethane diisocyanate and tolylene diisocyanate, and aromatic polyisocyanates such as hexamethylene diisocyanate, cyclohexane diisocyanate, Aliphatic polyisocyanates such as diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane diisocyanate, xylylene diisocyanate and tetramethyl xylylene diisocyanate, and polyisocyanates containing aliphatic cyclic structure can be used. Among them, it is preferable to use a polyisocyanate containing an aliphatic cyclic structure.
또한, 상기 쇄신장제로서는, 예를 들면, 에틸렌디아민, 피페라진, 이소포론디아민 등의 종래 알려진 것을 사용할 수 있다.As the above-described make-up agent, for example, ethylenediamine, piperazine, isophoronediamine and the like known in the art can be used.
또한, 상기 복합 수지(Ⅱ-1)의 제조에 사용 가능한 아크릴 수지로서는, (메타)아크릴산메틸을 비롯한 각종(메타)아크릴 단량체를 중합하여 얻어지는 것을 사용할 수 있다.As the acrylic resin usable for the production of the composite resin (II-1), those obtained by polymerizing various (meth) acrylic monomers including methyl (meth) acrylate can be used.
상기 (메타)아크릴 단량체로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산메틸이나, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산i-부틸, (메타)아크릴산t-부틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산시클로헥실 등의 (메타)아크릴산알킬에스테르를 사용할 수 있다.Examples of the (meth) acrylic monomers include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, i-butyl (meth) acrylate, (Meth) acrylic acid alkyl esters such as 2-ethylhexyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate and cyclohexyl (meth) acrylate.
상기한 것 중에서도, 메타크릴산메틸은, 전자회로 등의 도전성 패턴을 형성할 때에 요구되는, 0.01㎛~200㎛ 정도, 바람직하게는 0.01㎛~150㎛ 정도의 폭으로 이루어지는 세선을, 번짐을 일으키지 않고 인쇄하는 것(세선성(細線性)의 향상)을 가능하게 하는 데에, 사용하는 것이 바람직하다.Among the above-mentioned, methyl methacrylate has a tendency to cause a thin line composed of a width of about 0.01 to 200 mu m, preferably about 0.01 to 150 mu m, which is required when forming a conductive pattern such as an electronic circuit, It is preferable to use it in order to enable printing (improvement in thin line) without printing.
또한, 상기 메타크릴산메틸과 함께, 탄소 원자수 2개~12개의 알킬기를 갖는 (메타)아크릴산알킬에스테르를 사용하는 것이 바람직하고, 탄소 원자수 3개~8개의 알킬기를 갖는 아크릴산알킬에스테르를 사용하는 것이 보다 바람직하고, 아크릴산n-부틸을 사용하는 것이, 인쇄성이 우수한 인쇄물을 얻는 데에 바람직하다. 또한, 도전성 잉크를 사용한 경우에서도, 번짐 등이 없고 세선성이 우수한 도전성 패턴을 형성하는 데에, 특히 바람직하다.In addition, it is preferable to use (meth) acrylic acid alkyl ester having an alkyl group of 2 to 12 carbon atoms together with the methyl methacrylate, and to use an alkyl acrylate having an alkyl group of 3 to 8 carbon atoms , And it is more preferable to use n-butyl acrylate in order to obtain a printed matter having excellent printability. In addition, even when a conductive ink is used, it is particularly preferable to form a conductive pattern having no smearing and excellent in thinning property.
또한, 상기 (메타)아크릴 단량체로서는, 상기 아크릴 수지에 메틸올아미드기 및 알콕시메틸아미드기로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 아미드기 등의 상기 가교성 관능기를 도입하여, 한층더 밀착성 등의 향상을 도모하는 데에, 가교성 관능기 함유 (메타)아크릴 단량체를 사용할 수 있다.As the (meth) acrylic monomer, it is preferable to introduce the crosslinkable functional group such as one or more amide groups selected from the group consisting of a methylol amide group and an alkoxymethyl amide group into the acrylic resin to further improve adhesion and the like (Meth) acrylic monomer containing a crosslinkable functional group can be used for the purpose of the present invention.
가교성 관능기 함유 (메타)아크릴 단량체로서는, N-n-부톡시메틸(메타)아크릴아미드, N-이소부톡시메틸(메타)아크릴아미드를 사용하는 것이, 세선성이나 밀착성이 우수한 도전성 패턴 등의 적층체를 얻는 데에 바람직하다.As the (meth) acrylic monomer having a crosslinkable functional group, it is preferable to use Nn-butoxymethyl (meth) acrylamide or N-isobutoxymethyl (meth) acrylamide as a layered product such as a conductive pattern excellent in thin- .
상기 복합 수지(Ⅱ-1)은, 예를 들면, 상기한 폴리올과 폴리이소시아네이트와 필요에 따라 쇄신장제를 반응시켜, 수분산화함에 의해 우레탄 수지의 수분산체를 제조하는 공정, 및, 상기 수분산체 중에서 상기 (메타)아크릴 단량체를 중합하여 아크릴 수지를 제조하는 공정에 의해 제조할 수 있다.The composite resin (II-1) can be obtained by, for example, a step of reacting the above-mentioned polyol and polyisocyanate and, optionally, a chain extender to cause water oxidation to produce an urethane resin aqueous dispersion, And then polymerizing the (meth) acrylic monomer to prepare an acrylic resin.
구체적으로는, 무용제 하 또는 유기용제 하 또는 (메타)아크릴 단량체 등의 반응성 희석제의 존재 하에서, 상기 폴리이소시아네이트와 폴리올을 반응시킴에 의해 우레탄 수지를 얻고, 이어서, 상기 우레탄 수지가 갖는 친수성기의 일부 또는 전부를, 필요에 따라 염기성 화합물 등을 사용하여 중화하고, 필요에 따라, 추가로 쇄신장제와 반응시켜, 그것을 수성매체 중에 분산시킴에 의해, 우레탄 수지의 수분산체를 제조한다.Specifically, a urethane resin is obtained by reacting the polyisocyanate with a polyol under a solventless or organic solvent or in the presence of a reactive diluent such as a (meth) acrylic monomer, and then a part of the hydrophilic group of the urethane resin or The whole is neutralized with a basic compound or the like as occasion demands, and if necessary, is further reacted with a chain extender and dispersed in an aqueous medium to prepare an urethane resin aqueous dispersion.
이어서, 상기에서 얻은 우레탄 수지의 수분산체 중에, 상기 (메타)아크릴 단량체를 공급하고, 상기 우레탄 수지 입자 내에서 상기 (메타)아크릴 단량체를 라디칼 중합시켜 아크릴 수지를 제조한다. 또한, 상기 우레탄 수지의 제조를 (메타)아크릴 단량체의 존재 하에서 행한 경우에는, 상기 우레탄 수지의 제조 후, 중합개시제 등을 공급함에 의해, 상기 (메타)아크릴 단량체를 라디칼 중합시켜 아크릴 수지를 제조한다.Next, the (meth) acrylic monomer is supplied into the urethane resin aqueous dispersion obtained as described above, and the (meth) acrylic monomer is subjected to radical polymerization in the urethane resin particle to prepare an acrylic resin. When the urethane resin is produced in the presence of a (meth) acrylic monomer, an acrylic resin is prepared by radical polymerization of the (meth) acrylic monomer by supplying a polymerization initiator or the like after the production of the urethane resin .
이에 의해, 상기 우레탄 수지 입자 중에 상기 아크릴 수지의 일부 또는 전부가 내재한 복합 수지 입자가, 수성매체에 분산한 수지 조성물(R)을 제조할 수 있다.Thereby, the resin composition (R) in which the composite resin particles in which a part or the whole of the acrylic resin is contained in the urethane resin particles is dispersed in an aqueous medium can be produced.
또한, 상기 수지 조성물(R)로서는, 우레탄 수지를 함유하는 것을 사용할 수 있다.As the resin composition (R), those containing a urethane resin can be used.
상기 우레탄 수지로서는, 예를 들면, 폴리에테르 구조를 갖는 우레탄 수지나 폴리카보네이트 구조를 갖는 우레탄 수지나 폴리에스테르 구조를 갖는 우레탄 수지 등을 사용할 수 있다.As the urethane resin, for example, a urethane resin having a polyether structure or a urethane resin having a polycarbonate structure or a urethane resin having a polyester structure can be used.
이들 우레탄 수지는, 상기 복합 수지(Ⅱ-1)의 설명에서 기재한 것과 같은 폴리올이나 종래 알려진 폴리카보네이트폴리올 등의 폴리올과, 상기와 같은 폴리이소시아네이트나 쇄신장제 등을 사용하여 반응시킴에 의해 얻어지는 우레탄 수지를 사용할 수 있다. 그 때, 상기 폴리올로서 상기 폴리에테르폴리올이나, 종래 알려진 폴리카보네이트폴리올이나 지방족 폴리에스테르폴리올 등을 적의(適宜) 선택함에 의해, 상기 소망의 구조를 구비한 우레탄 수지를 제조할 수 있다.These urethane resins can be produced by reacting a polyol such as the one described in the description of the composite resin (II-1) or a conventionally known polycarbonate polyol with a polyisocyanate or a chain extender, Resin can be used. At this time, a urethane resin having the desired structure can be prepared by appropriately selecting the polyether polyol, the conventionally known polycarbonate polyol, aliphatic polyester polyol, or the like as the polyol.
또한, 상기 수지 조성물(R)에 사용 가능한 비닐 수지로서는, 상기 복합 수지(Ⅱ-1)의 설명에서 기재한 (메타)아크릴 단량체이나, 스티렌 등을 포함하는 비닐 단량체를, 라디칼 중합하여 얻어지는 비닐 수지를 사용할 수 있다.Examples of the vinyl resin which can be used for the resin composition (R) include a vinyl resin obtained by radical polymerization of a (meth) acrylic monomer described in the description of the composite resin (II-1) or a vinyl monomer containing styrene or the like Can be used.
또한, 상기 수지층(Ⅱ)의 형성에 사용 가능한 수지 조성물(R)로서는, 멜라민 수지(Ⅱ-2)를 함유하는 것을 사용하는 것이, 우수한 밀착성이나 내열성을 구비한 적층체를 제조하는 데에 바람직하다.As the resin composition (R) usable for the formation of the resin layer (II), it is preferable to use a composition containing a melamine resin (II-2) in order to produce a laminate having excellent adhesion and heat resistance Do.
상기 멜라민 수지(Ⅱ-2)로서는, 예를 들면, 멜라민이나 벤조구아나민 등의 트리아진환을 갖는 아미노 화합물과 포름알데히드를 반응시킴에 의해 얻어지는 메틸올화물이나, 알콕시화물을 사용할 수 있다.As the melamine resin (II-2), for example, a methylol compound or an alkoxide compound obtained by reacting an amino compound having a triazine ring such as melamine or benzoguanamine with formaldehyde can be used.
상기 메틸올화물로서는, 예를 들면, 메톡시메틸올화멜라민 수지, 부틸화메틸올화멜라민 수지 등을 사용할 수 있다.As the methylolide, for example, methoxymethylolmelamine resin, butylated methylolmelamine resin and the like can be used.
상기 알콕시화물로서는, 상기 메틸올화물이 갖는 메틸올기의 일부 또는 전부가 모노알코올 등에 의해 봉지(封止)된 것을 들 수 있고, 예를 들면, 메톡시메틸올화멜라민 수지 등의 알콕시화멜라민 수지를 들 수 있다.Examples of the alkoxides include those in which a part or all of the methylol group in the methylolide is encapsulated with a monoalcohol or the like. For example, an alkoxylated melamine resin such as methoxymethylol melamine resin, .
상기 알콕시화멜라민 수지는, 멜라민이나 벤조구아나민 등의 상기 트리아진환을 갖는 아미노 화합물과, 상기 포름알데히드와, 상기 모노알코올을 일괄적으로 투입하여 반응시켜도 되고, 미리 상기 트리아진환을 갖는 아미노 화합물과, 상기 포름알데히드를 반응시켜 메틸올화멜라민 화합물을 얻고, 이어서 상기 모노알코올을 반응시켜 얻어지는 것을 사용해도 된다.The alkoxylated melamine resin may be reacted by charging the amino compound having the triazine ring, such as melamine or benzoguanamine, with the formaldehyde and the monoalcohol in a lump, and reacting the amino compound having the triazine ring in advance , The formaldehyde may be reacted to obtain a methylolated melamine compound, and then the monohydric alcohol may be reacted.
상기 알콕시화멜라민 수지로서는, 구체적으로 DIC가부시키가이샤제의 벳카민M-3을 사용할 수 있다.As the alkoxylated melamine resin, betamycin M-3 manufactured by DIC Corporation may be used.
상기 멜라민 수지(Ⅱ-2)의 수평균 분자량으로서는, 100~10,000의 것을 사용하는 것이 바람직하고, 300~2,000의 것을 사용하는 것이 보다 바람직하다.The number average molecular weight of the melamine resin (II-2) is preferably 100 to 10,000, more preferably 300 to 2,000.
상기 수지 조성물(R)은, 필요에 따라, 가교제를 비롯하여, pH조정제, 피막형성 조제, 레벨링제, 증점제, 발수제, 소포제 등의 공지의 첨가제를 적의, 함유하고 있어도 된다.The resin composition (R) may contain, if necessary, a known additive such as a pH adjuster, a film forming aid, a leveling agent, a thickener, a water repellent agent, and a defoaming agent as well as a crosslinking agent.
상기 가교제는, 상기 유동체가 도포되기 전에, 이미 가교구조를 형성하고 있던 수지층(Ⅱ)이나, 상기 유동체가 도포된 후, 예를 들면, 소성 공정 등에 있어서의 가열에 의해 가교구조를 형성할 수 있는 수지층(Ⅱ)을 형성할 수 있다.The cross-linking agent may be a resin layer (II) which has already formed a cross-linking structure before the fluid is applied, or a cross-linking structure after heating, for example, in a firing step after the fluid has been applied (II) can be formed.
상기 가교제로서는, 예를 들면, 금속킬레이트 화합물, 폴리아민 화합물, 아지리딘 화합물, 금속염 화합물, 이소시아네이트 화합물 등의, 25℃~100℃ 미만의 비교적 저온에서 반응하여 가교구조를 형성할 수 있는 열가교제나, 멜라민계 화합물, 에폭시계 화합물, 옥사졸린 화합물, 카르보디이미드 화합물, 및, 블록이소시아네이트 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상 등의 100℃ 이상의 비교적 고온에서 반응하여 가교구조를 형성할 수 있는 열가교제나, 각종 광가교제를 사용할 수 있다.Examples of the crosslinking agent include a heat crosslinking agent capable of forming a crosslinking structure at a relatively low temperature of less than 25 ° C to 100 ° C such as a metal chelate compound, a polyamine compound, an aziridine compound, a metal salt compound, an isocyanate compound, At least one kind selected from the group consisting of a melamine compound, an epoxy compound, an oxazoline compound, a carbodiimide compound, and a block isocyanate compound and the like, which can form a crosslinked structure at a relatively high temperature of 100 DEG C or higher Various photo-crosslinking agents can be used.
상기 가교제는, 종류 등에 따라 다르지만, 통상, 상기 프라이머에 함유되는 수지의 합계질량 100질량부에 대해 0.01질량%~60질량%의 범위에서 사용하는 것이 바람직하고, 0.1질량%~10질량%의 범위에서 사용하는 것이 보다 바람직하고, 0.1질량%~5질량%의 범위에서 사용하는 것이, 밀착성이나 도전성이 우수하고, 또한, 상기 내구성이 우수한 도전성 패턴을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.The crosslinking agent varies depending on the type and the like, but is preferably used in a range of 0.01% by mass to 60% by mass relative to 100% by mass of the total mass of the resin contained in the primer, more preferably in a range of 0.1% by mass to 10% , And more preferably 0.1% by mass to 5% by mass, because it is possible to form a conductive pattern having excellent adhesion and conductivity and excellent durability.
이상과 같이, 상기 수지 조성물(R)을, 상기한 방법에 의해 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)의 표면의 일부 또는 전부에 도포 등 함에 의해, 상기 층(I)에 상기 수지층(Ⅱ)이 적층한 것을 얻을 수 있다.As described above, by applying the resin composition (R) to part or all of the surface of the support (I1) or the support (I2) by the above-mentioned method, the resin layer (II) ) Can be obtained.
다음으로, 상기 수지층(Ⅱ)의 표면의 일부 또는 전부에, 도전성 물질(x)을 함유하는 유동체를 도포, 소성함에 의해, 도전층(Ⅲ)을 형성하는 방법에 대해 설명한다.Next, a method of forming the conductive layer (III) by applying and firing a fluid containing a conductive material (x) on a part or the whole of the surface of the resin layer (II) will be described.
상기 수지층(Ⅱ)의 표면에 상기 유동체를 도포하는 방법으로서는, 예를 들면, 잉크젯 인쇄법, 반전 인쇄법, 스크린 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법, 바 코팅법, 다이 코팅법, 슬릿 코팅법, 롤 코팅법, 딥 코팅법 등을 들 수 있다.Examples of the method of applying the fluid on the surface of the resin layer (II) include inkjet printing, reversal printing, screen printing, offset printing, spin coating, spray coating, A coating method, a slit coating method, a roll coating method, and a dip coating method.
그 중에서도, 상기 유동체를 사용하여, 전자회로 등의 고밀도화를 실현할 때에 요구되는 0.01㎛~100㎛ 정도의 세선상의, 상기 도전층(Ⅲ)을 형성하는 경우에는, 잉크젯 인쇄법이나, 반전 인쇄법에 의해 상기 유동체를 도포하는 것이 바람직하다.Among them, in the case of forming the conductive layer (III) in fine lines of about 0.01 탆 to about 100 탆 required for realizing high density of an electronic circuit or the like by using the above-mentioned fluid, inkjet printing, It is preferable to apply the above-mentioned fluid.
상기 잉크젯 인쇄법으로서는, 일반적으로 잉크젯 프린터라고 하는 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 코니카미놀타EB100, XY100(코니카미놀타IJ가부시키가이샤제)나, 다이마틱스 머터리얼 프린터DMP-3000, 다이마틱스 머터리얼 프린터DMP-2831(후지필름가부시키가이샤제) 등을 들 수 있다.As the inkjet printing method, an inkjet printer can be generally used. Concretely, there are listed Konica Minolta EB100, XY100 (manufactured by Konica Minolta IJ Kogyo Co., Ltd.), Dymatic Material Printer DMP-3000, Dymatic Material Printer DMP-2831 (manufactured by Fuji Film Co., Ltd.) .
또한, 반전 인쇄법으로서는, 볼록판 반전 인쇄법이나 오목판 반전 인쇄법 등이 알려져 있고, 예를 들면, 각종 블랭킷의 표면에 상기 유동체를 도포하고, 비획선부가 돌출한 판과 접촉시키고, 상기 비획선부에 대응하는 유동체를 상기 판의 표면에 선택적으로 전사시킴에 의해, 상기 블랭킷 등의 표면에 상기 패턴을 형성하고, 이어서, 상기 패턴을, 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)로 이루어지는 층(I)의 표면 또는 상기 수지층(Ⅱ)의 표면에 전사시키는 방법을 들 수 있다.As the reversal printing method, there are known known methods such as a convex plate reverse printing method and a concave plate reversal printing method. For example, the liquid is applied to the surface of various blanket, the plate is brought into contact with the plate projecting from the non- The pattern is formed on the surface of the blanket or the like by selectively transferring the corresponding fluid to the surface of the plate, and then the pattern is transferred to the layer (I) comprising the support (I1) or the support (I2) To the surface of the resin layer (II) or the surface of the resin layer (II).
상기 유동체를 상기 방법으로 도포한 후에 행하는 소성은, 상기 유동체 중에 함유되는 금속 등의 도전성 물질(x)간을 밀착하여 접합함으로써 도전성층(Ⅱ)을 형성하는 것을 목적으로 하여 행한다. 상기 소성은, 80℃~300℃의 범위에서, 2분~200분 정도 행하는 것이 바람직하다. 상기 소성은 대기 중에서 행해도 되지만, 상기 금속의 산화를 방지하는 관점에서, 소성 공정의 일부 또는 전부를 환원 분위기 하에서 행해도 된다.The firing performed after the fluid is applied by the above method is carried out for the purpose of forming the conductive layer (II) by adhering and bonding conductive substances (x) such as metals contained in the fluid. The firing is preferably performed at a temperature in the range of 80 ° C to 300 ° C for about 2 minutes to 200 minutes. The firing may be performed in the atmosphere, but a part or all of the firing step may be performed in a reducing atmosphere from the viewpoint of preventing oxidation of the metal.
또한, 상기 소성 공정은, 예를 들면, 오븐, 열풍식 건조로, 적외선 건조로, 레이저 조사, 포토신터링(광소성), 광펄스 조사, 마이크로웨이브 등을 사용하여 행할 수 있다.The firing step may be carried out using, for example, an oven, a hot air drying furnace, an infrared drying furnace, laser irradiation, photo sintering (photopolymerization), optical pulse irradiation, microwave or the like.
상기 도전층(Ⅲ)의 형성에 사용하는 유동체로서는, 상기 도전성 물질(x)과, 필요에 따라 용매나 첨가제를 함유하는 것으로서, 일반적으로 도전성 잉크나 도금핵제에 사용할 수 있는 것을 들 수 있다.As the fluid used for forming the conductive layer (III), those containing the conductive material (x) and, if necessary, a solvent or an additive, can be used generally as conductive inks or plating nucleating agents.
상기 도전성 물질(x)로서는, 천이금속이나 그 화합물을 사용할 수 있다. 그 중에서도 이온성의 천이금속을 사용하는 것이 바람직하고, 예를 들면, 구리, 은, 금, 니켈, 팔라듐, 백금, 코발트 등의 천이금속을 사용하는 것이 바람직하고, 구리, 은, 금 등을 사용하는 것이, 전기저항이 낮고, 부식에 강한 도전성 패턴을 형성할 수 있으므로 보다 바람직하고, 은을 사용하는 것이 더 바람직하다.As the conductive material (x), a transition metal or a compound thereof may be used. Among them, it is preferable to use an ionic transition metal. For example, a transition metal such as copper, silver, gold, nickel, palladium, platinum or cobalt is preferably used. Is more preferable because it can form a conductive pattern which is low in electric resistance and resistant to corrosion, and it is more preferable to use silver.
또한, 상기 유동체를 도금핵제에 사용하는 경우, 상기 도전성 물질(x)로서 상기한 바와 같은 천이금속으로 이루어지는 금속 입자를 비롯하여, 상기 천이금속의 산화물이나, 유기물에 의해 표면 피복된 것 등을 1종류 이상 사용할 수 있다.When the above-mentioned fluid is used for the plating nucleating agent, the above-mentioned conductive material (x) may be one kind of metal particles composed of the transition metal as described above, those coated with an oxide of the transition metal or an organic substance, Or more.
상기 천이금속의 산화물은, 통상, 불활성(절연)한 상태이지만, 예를 들면, 디메틸아미노보란 등의 환원제를 사용하여 처리함에 의해 금속을 노출시켜, 활성(도전성)을 부여하는 것이 가능하게 된다.The oxide of the transition metal is usually in an inert (insulated) state. However, by treating the oxide with a reducing agent such as dimethylaminoborane, the metal can be exposed to impart activity (conductivity).
또한, 상기 유기물에 의해 표면 피복된 금속으로서는, 유화중합법 등에 의해 형성한 수지 입자(유기물) 중에 금속을 내재시킨 것을 들 수 있다. 이것들은, 통상, 불활성(절연)한 상태이지만, 예를 들면, 레이저 등을 사용하여 상기 유기물을 제거함에 의해, 금속을 노출시켜, 활성(도전성)을 부여하는 것이 가능하게 된다.Examples of the metal surface-coated with the organic material include metal particles embedded in resin particles (organic material) formed by the emulsion polymerization method or the like. These are normally in an inert (insulated) state. However, by removing the organic substances by using a laser or the like, for example, it becomes possible to expose the metal to impart the activity (conductivity).
상기 도전성 물질(x)로서는, 1nm~100nm 정도의 평균 입자경을 갖는 입자상의 것을 사용하는 것이 바람직하고, 1nm~50nm의 평균 입자경을 갖는 것을 사용하는 것이, 마이크로미터 오더의 평균 입자경을 갖는 도전성 물질(x)을 사용하는 경우와 비교하여, 미세한 도전성 패턴을 형성할 수 있고, 소성 후의 저항값을 보다 저감할 수 있으므로 보다 바람직하다. 또, 상기 「평균 입자경」은, 상기 도전성 물질(x)을 분산 양용매(良溶媒)로 희석하고, 동적 광산란법에 의해 측정한 체적 평균값이다. 이 측정에는 마이크로트랙사제 나노트랙UPA-150을 사용할 수 있다.As the conductive material (x), it is preferable to use a particulate material having an average particle size of about 1 nm to 100 nm, and it is preferable that the material having an average particle size of 1 nm to 50 nm is a conductive material having an average particle size of micrometer order x is used, a fine conductive pattern can be formed, and the resistance value after firing can be further reduced, which is more preferable. The " average particle size " is a volume average value measured by dynamic light scattering method in which the conductive substance (x) is diluted with a positive dispersion solvent (good solvent). For this measurement, a nano-track UPA-150 manufactured by Microtrac Inc. can be used.
상기 도전성 물질(x)은, 본 발명에서 사용하는 유동체의 전량에 대해, 5질량%~90질량%의 범위에서 함유하는 것을 사용하는 것이 바람직하고, 10질량%~60질량%의 범위에서 사용하는 것이 보다 바람직하다.The conductive material (x) is preferably used in an amount of 5% by mass to 90% by mass, more preferably 10% by mass to 60% by mass, based on the total amount of the fluid used in the present invention Is more preferable.
또한, 상기 유동체는, 도포의 용이성 등을 향상하는 관점에서 용매를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 용매로서는, 유기용제나 수성매체를 사용할 수 있다.Further, it is preferable that the above-mentioned fluid contains a solvent from the viewpoint of improving easiness of application and the like. As the solvent, an organic solvent or an aqueous medium can be used.
상기 용매로서는, 예를 들면, 증류수나 이온교환수, 순수, 초순수 등의 수성매체를 비롯하여, 알코올, 에테르, 에스테르 및 케톤 등의 유기용제를 사용할 수 있다.As the solvent, for example, an organic solvent such as alcohol, ether, ester and ketone, as well as an aqueous medium such as distilled water, ion-exchanged water, pure water and ultrapure water can be used.
상기 알코올로서는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로필알코올, n-부탄올, 이소부틸알코올, sec-부탄올, tert-부탄올, 헵탄올, 헥산올, 옥탄올, 노난올, 데칸올, 운데칸올, 도데칸올, 트리데칸올, 테트라데칸올, 펜타데칸올, 스테아릴알코올, 알릴알코올, 시클로헥산올, 테르피네올, 테르피네올, 디히드로테르피네올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노부틸에테르 등을 사용할 수 있다.Examples of the alcohol include alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropyl alcohol, n-butanol, isobutyl alcohol, sec-butanol, tert-butanol, heptanol, hexanol, , Stearyl alcohol, allyl alcohol, cyclohexanol, terpineol, terpineol, dihydroterpineol, ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, Ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, tetraethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol mono Methyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, propylene glycol mo N-butyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, and tripropylene glycol monobutyl ether.
또한, 상기 유동체에는, 상기 도전성 물질(x)이나 용매 등과 함께, 예를 들면, 에틸렌글리콜이나 디에틸렌글리콜, 1,3-부탄디올, 이소프렌글리콜 등을 사용할 수 있다.The fluid may be, for example, ethylene glycol, diethylene glycol, 1,3-butanediol, isoprene glycol or the like together with the conductive material (x) or solvent.
상기 유동체로서는, 25℃에 있어서의 B형 점도계로 측정한 점도가 0.1mPa·s~500,000mPa·s, 바람직하게는 0.5mPa·s~10,000mPa·s인 액상 또는 점조액상의 것을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 유동체를, 상기 잉크젯 인쇄법이나 볼록판 반전인쇄 등의 방법에 의해 도포(인쇄)하는 경우에는, 그 점도가 5mPa·s~20mPa·s의 범위의 것을 사용하는 것이 바람직하다.As the fluid, it is preferable to use a liquid or viscous liquid having a viscosity measured at 25 캜 by a B-type viscometer of 0.1 mPa s to 500,000 mPa,, preferably 0.5 mPa s to 10,000 mPa 것을 Do. When the fluid is applied (printed) by the ink jet printing method or the convex inverted printing method, it is preferable that the viscosity is in the range of 5 mPa · s to 20 mPa · s.
상기 유동체를 도포하고 소성함에 의해 형성된 도전층(Ⅲ)의 표면의 일부 또는 전부는, 산화처리가 실시되어 있어도 된다. 구체적으로는, 상기 도전층(Ⅲ)의 표면을 코로나 처리 등의 플라스마 방전 처리가 실시되어 있어도 된다.Some or all of the surface of the conductive layer (III) formed by applying and firing the fluid may be subjected to oxidation treatment. Specifically, the surface of the conductive layer (III) may be subjected to plasma discharge treatment such as corona treatment.
상기 플라스마 방전 처리는, 특히 한정되는 것이 아니고, 예를 들면, 코로나 방전 처리법 등의 상압 플라스마 방전 처리법이나, 진공 또는 감압 하에서 행하는 글로우 방전 처리법 및 아크 방전 처리법 등의 진공플라스마 방전 처리법에 의해 이루어지는 처리이다.The plasma discharge treatment is not particularly limited and is a treatment which is carried out by, for example, an atmospheric plasma discharge treatment method such as a corona discharge treatment method or a vacuum plasma discharge treatment method such as a glow discharge treatment method and an arc discharge treatment method performed under vacuum or reduced pressure .
상기 상압 플라스마 방전 처리법으로서는, 산소 농도가 0.1질량%~25질량% 정도의 분위기 하에서 플라스마 방전 처리하는 방법이다. 본 발명에서는, 특히 상기 플라스마 방전 처리를 바람직하게는 10질량%~22질량%의 범위, 보다 바람직하게는 공기 중(산소 농도가 약 21질량%)에서 행하는 코로나 방전 처리법을 채용하는 것이, 우수한 밀착성을 부여하는 데에 바람직하다.The atmospheric plasma discharge treatment is a plasma discharge treatment in an atmosphere having an oxygen concentration of about 0.1% by mass to 25% by mass. In the present invention, it is particularly preferable to employ a corona discharge treatment method in which the plasma discharge treatment is preferably performed in a range of 10 mass% to 22 mass%, more preferably in the air (oxygen concentration is about 21 mass%), Is preferable.
또한, 상기 상압 플라스마 방전 처리법은, 상기 산소와 함께 불활성 가스를 함유하는 환경 하에서 행하는 것이, 상기 도전층(Ⅲ)의 표면에 과잉의 요철을 부여하지 않고, 한층더 우수한 밀착성을 부여할 수 있기 때문에 바람직하다. 상기 불활성 가스로서는, 아르곤이나 질소 등을 사용할 수 있다.Further, the atmospheric-pressure plasma discharge treatment method is carried out under an environment containing an inert gas together with the above-mentioned oxygen, so that the surface of the conductive layer (III) is not provided with excessive irregularities, desirable. As the inert gas, argon or nitrogen may be used.
상기 상압 플라스마 방전 처리법에 의해 처리할 때에는, 예를 들면, 세키스이가가쿠고교가부시키가이샤제의 상압 플라스마 처리장치(AP-T01) 등을 사용할 수 있다.For example, an atmospheric pressure plasma treatment apparatus (AP-T01) manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd. can be used for the treatment by the above-mentioned atmospheric plasma discharge treatment method.
상기 상압 플라스마 방전 처리법에 의해 처리할 때에는, 공기 등의 가스의 유량으로서, 5리터/분~50리터/분의 범위에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 출력으로서는, 50W~500W의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 플라스마에 의해 처리하는 시간은, 1초~500초의 범위인 것이 바람직하다.It is preferable that the treatment is carried out in the range of 5 liters / minute to 50 liters / minute as the flow rate of gas such as air when the treatment is carried out by the above-mentioned atmospheric plasma discharge treatment method. The output is preferably in the range of 50W to 500W. In addition, it is preferable that the time to be treated by the plasma is in the range of 1 second to 500 seconds.
상기 상압 플라스마 방전 처리법으로서는, 구체적으로는, 상기 코로나 방전 처리법을 채용하는 것이 바람직하다. 상기 코로나 방전 처리법을 채용하는 경우에는, 예를 들면, 가스가덴키가부시키가이샤제의 코로나 표면개질 평가장치(TEC-4AX) 등을 사용할 수 있다.Specifically, as the atmospheric pressure plasma discharge treatment method, it is preferable to adopt the corona discharge treatment method. When the corona discharge treatment method is employed, for example, a corona surface modification evaluation apparatus (TEC-4AX) manufactured by Kasuga Chemical Co., Ltd. can be used.
상기 코로나 방전 처리법에 의해 처리할 때에는, 출력으로서, 5W~300W의 범위에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 코로나 방전 처리하는 시간은, 0.5초~600초의 범위인 것이 바람직하다.When the treatment is carried out by the corona discharge treatment method, it is preferable to perform the discharge in the range of 5W to 300W. The time for corona discharge treatment is preferably in the range of 0.5 seconds to 600 seconds.
상기 코로나 방전 처리 등의 플라스마 방전 처리는, 이러한 처리에 의해 상기 층(Ⅱ)의 표면에 요철이 형성되지 않을 정도의 조건에서 행하는 것이 바람직하다.It is preferable that the plasma discharge treatment such as the corona discharge treatment is performed under such a condition that the surface of the layer (II) is not formed with unevenness by such treatment.
상기 방법에 의해 형성된 도전층(Ⅲ)의 표면에는, 도금처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 상기 도금처리는, 도전층(Ⅲ)의 산화된 표면에 대하여 행해도 되고, 또한, 산화되어 있는 않는 도전층(Ⅲ)의 표면에 대하여 행해도 된다.The surface of the conductive layer (III) formed by the above method is preferably plated. The plating treatment may be performed on the oxidized surface of the conductive layer (III) or on the surface of the conductive layer (III) which is not oxidized.
상기 도금처리법으로서는, 예를 들면, 스퍼터링법이나 진공증착법 등의 건식 도금법이나, 무전해 도금법, 전기 도금법 등의 습식 도금법, 또는, 이들 도금법을 2개 이상 조합하는 방법을 들 수 있다.Examples of the plating treatment method include a dry plating method such as a sputtering method and a vacuum deposition method, a wet plating method such as an electroless plating method and an electroplating method, or a combination of two or more of these plating methods.
상기 도전층(Ⅲ)의 표면에 대하여, 상기 도금처리법으로 형성된 도금층(Ⅳ)은, 우수한 밀착성을 갖는다. 그 중에서도, 상기 도전층(Ⅲ)의 표면에 대하여, 전기 도금법에 의해 형성된 도금층(Ⅳ)은, 특이 우수한 밀착성을 발현할 수 있다.The plating layer (IV) formed by the plating treatment method on the surface of the conductive layer (III) has excellent adhesion. Among them, the plating layer (IV) formed by the electroplating method on the surface of the conductive layer (III) can exert excellent excellent adhesion.
상기 건식 도금처리 공정으로서는, 스퍼터링법이나 진공증착법 등을 사용할 수 있다. 상기 스퍼터링법은, 진공 중에서 불활성 가스(주로 아르곤)을 도입하여, 도금층(Ⅳ) 형성재료에 대해 (-)이온을 인가하여 글로우 방전을 발생시키고, 이어서, 상기 불활성 가스 원자를 이온화하여, 고속으로 상기 도금층(Ⅳ) 형성재료의 표면에 가스이온을 격렬하게 때려, 도금층(Ⅳ) 형성재료를 구성하는 원자나 분자를 튀겨내어 세차게 상기 도전층(Ⅲ)의 표면에 부착시킴에 의해 도금층(Ⅲ)을 형성하는 방법이다.As the dry plating treatment process, a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like can be used. In the sputtering method, an inert gas (principally argon) is introduced in vacuum to generate glow discharge by applying (-) ions to the material for forming the plating layer (IV), and subsequently ionizing the inert gas atoms, The gas ions are intensely struck on the surface of the plating layer (IV) forming material and the atoms or molecules constituting the plating layer (IV) forming material are splashed and adhered to the surface of the conductive layer (III) .
상기 도금층(Ⅳ) 형성재료로서는, 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 은(Ag), 백금(Pt), 금(Au), 니켈-크롬(Ni-Cr), SUS, 구리-아연(Cu-Zn), ITO, SiO2, TiO2, Nb2O5, ZnO 등을 사용할 수 있다.As the material for forming the plating layer (IV), a metal such as Cr, Cu, Ti, Ag, Pt, Au, Ni-Cr, SUS, copper-zinc can be used (Cu-Zn), ITO, SiO 2, TiO 2, Nb 2 O 5, ZnO and the like.
상기 스퍼터링법에 의해 도금처리할 때에는, 예를 들면, 마그네트론 스퍼터 장치 등을 사용할 수 있다.When performing the plating treatment by the above-described sputtering method, for example, a magnetron sputtering apparatus or the like can be used.
또한, 상기 진공증착법은, 진공 중에서, 도금층(Ⅳ) 형성재료인 각종 금속이나 금속산화물을 가열하고, 그것들을 용융, 증발, 승화시키고, 상기 도전층(Ⅳ)의 표면에 상기 금속 원자나 분자를 부착시킴에 의해 도금층(Ⅳ)을 형성하는 방법이다.The vacuum deposition method is a method in which various metals or metal oxides as a material for forming a plating layer (IV) are heated in a vacuum, and they are melted, evaporated and sublimated, and the metal atoms or molecules To form a plating layer (IV).
상기 진공증착법으로 사용 가능한 도금층(Ⅳ)의 형성재료로서는, 예를 들면, 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 구리(Cu), 크롬(Cr), 주석(Sn), 인듐(In), SiO2, ZrO2, Al2O3, TiO2 등을 사용할 수 있다.Examples of the material for forming the plating layer (IV) usable in the vacuum deposition method include aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni) (Cr), tin can be used (Sn), indium (In), SiO 2, ZrO 2, Al 2 O 3, TiO 2 or the like.
또한, 상기 도금처리법으로서 사용 가능한 무전해 도금처리법은, 예를 들면, 상기 도전층(Ⅲ)을 구성하는 팔라듐이나 은 등의 도전성 물질에, 무전해 도금액을 접촉시킴으로써, 상기 무전해 도금액 중에 함유되는 구리 등의 금속을 석출시켜 금속피막으로 이루어지는 무전해 도금층(피막)을 형성하는 방법이다.The electroless plating process that can be used as the plating process can be performed by, for example, bringing an electroless plating solution into contact with a conductive material such as palladium or silver constituting the conductive layer (III) And depositing a metal such as copper to form an electroless plating layer (coating film) composed of a metal coating.
상기 무전해 도금액으로서는, 예를 들면, 구리, 니켈, 크롬, 코발트, 주석 등의 금속으로 이루어지는 도전성 물질과, 환원제와, 수성매체나 유기용제 등의 용매를 함유하는 것을 사용할 수 있다.As the electroless plating solution, for example, a conductive material comprising a metal such as copper, nickel, chromium, cobalt, and tin, a reducing agent, and a solvent such as an aqueous medium or an organic solvent may be used.
상기 환원제로서는, 예를 들면, 디메틸아미노보란, 차아인산, 차아인산나트륨, 디메틸아민보란, 히드라진, 포름알데히드, 수소화붕소나트륨, 페놀류 등을 사용할 수 있다.As the reducing agent, for example, dimethylaminoborane, hypophosphorous acid, sodium hypophosphite, dimethylamine borane, hydrazine, formaldehyde, sodium borohydride, phenols and the like can be used.
또한, 상기 무전해 도금액으로서는, 필요에 따라, 아세트산, 포름산 등의 모노카르복시산; 말론산, 숙신산, 아디프산, 말레산, 푸마르산 등의 디카르복시산; 말산, 젖산, 글리콜산, 글루콘산, 시트르산 등의 히드록시카르복시산; 글리신, 알라닌, 이미노디아세트산, 아르기닌, 아스파라긴산, 글루탐산 등의 아미노산; 이미노디아세트산, 니트릴로트리아세트산, 에틸렌디아민디아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 디에틸렌트리아민펜타아세트산 등의 아미노폴리카르복시산 등의 유기산류, 이것들의 유기산류의 가용성염(나트륨염, 칼륨염, 암모늄염 등), 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민 등의 아민류 등의 착화제를 함유하는 것이어도 된다.Examples of the electroless plating solution include monocarboxylic acids such as acetic acid and formic acid; Dicarboxylic acids such as malonic acid, succinic acid, adipic acid, maleic acid, and fumaric acid; Hydroxycarboxylic acids such as malic acid, lactic acid, glycolic acid, gluconic acid and citric acid; Amino acids such as glycine, alanine, iminodiacetic acid, arginine, aspartic acid, and glutamic acid; Aminopolycarboxylic acids such as iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid, ethylenediaminetriacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid and diethylenetriaminepentaacetic acid, and soluble salts (sodium salt, potassium salt, ammonium salt, etc.) of these organic acids ), And complexing agents such as amines such as ethylenediamine, diethylenetriamine, and triethylenetetramine.
상기 무전해 도금액을 사용할 때의 상기 무전해 도금액의 온도는, 20℃~98℃의 범위인 것이 바람직하다.When the electroless plating solution is used, the temperature of the electroless plating solution is preferably in the range of 20 占 폚 to 98 占 폚.
또한, 상기 도금처리법으로서 사용 가능한 상기 도금처리법은, 예를 들면, 상기 도전층(Ⅲ)을 구성하는 도전성 물질, 또는, 상기 무전해 처리에 의해 형성된 무전해 도금층(피막)의 표면에, 상기 도금액을 접촉한 상태에서 통전함에 의해, 상기 전기 도금액 중에 함유되는 구리 등의 금속을, 음극에 설치한 상기 도전층(Ⅲ)을 구성하는 도전성 물질 또는 상기 무전해 처리에 의해 형성된 무전해 도금층(피막)의 표면에 석출시켜, 전기도금 피막(금속피막)을 형성하는 방법이다.The above-mentioned plating treatment method that can be used as the plating treatment method is a method in which the surface of an electrically conductive material constituting the conductive layer (III) or an electroless plating layer (coating film) formed by the electroless plating treatment, A metal such as copper contained in the electroplating solution is allowed to react with a conductive material constituting the conductive layer (III) provided on the negative electrode or an electroless plating layer (coating film) formed by the electroless treatment, To form an electroplated film (metal film).
상기 전기 도금액으로서는, 구리, 니켈, 크롬, 코발트, 주석 등의 금속이나, 그것들의 황화물 등과, 황산 등과, 수성매체를 함유하는 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 황산구리와 황산과 수성매체를 함유하는 것 등을 사용할 수 있다.As the electroplating solution, those containing a metal such as copper, nickel, chromium, cobalt, and tin, a sulfide thereof, sulfuric acid, etc., and an aqueous medium may be used. Concretely, it is possible to use those containing copper sulfate, sulfuric acid and an aqueous medium.
상기 전기 도금액을 사용할 때의 상기 전기 도금액의 온도는, 20℃~98℃의 범위인 것이 바람직하다.When the electroplating solution is used, the temperature of the electroplating solution preferably ranges from 20 캜 to 98 캜.
상기 전기 도금처리법으로는, 독성이 높은 물질을 사용하지 않고, 작업성이 좋기 때문에, 전기 도금법에 의해 구리로 이루어지는 층을 형성하는 것이 바람직하다.As the electroplating treatment method, it is preferable to form a layer made of copper by an electroplating method because a high toxicity material is not used and workability is good.
상기 방법에서 얻어진 적층체는, 도전성 패턴으로서 사용하는 것이 가능하다. 구체적으로는, 은 잉크 등을 사용한 전자회로의 형성, 유기 태양전지나 전자 서적단말, 유기 EL, 유기 트랜지스터, 플렉서블 프린트기판, RFID 등을 구성하는 각층이나 주변 배선의 형성, 플라스마 디스플레이의 전자파 쉴드의 배선 등을 제조할 때의 도전성 패턴, 보다 구체적으로는 회로기판의 형성에 호적하게 사용하는 것이 가능하다.The laminate obtained by the above method can be used as a conductive pattern. Specifically, the formation of electronic circuits using silver ink or the like, the formation of layers or peripheral wirings constituting an organic solar battery, an electronic book terminal, an organic EL, an organic transistor, a flexible printed board, an RFID or the like, And the like, more specifically, it can be used suitably for forming a circuit board.
상기 적층체를 도전성 패턴에 사용하는 경우, 형성하고자 하는 소망의 패턴형상에 대응한 위치에, 상기 도전층(Ⅲ)을 형성할 수 있는 유동체를 도포하고 소성 등 함에 의해, 소망의 패턴을 구비한 도전성 패턴을 제조할 수 있다.When the laminate is used for a conductive pattern, a fluid capable of forming the conductive layer (III) is applied and fired at a position corresponding to a desired pattern shape to be formed, A conductive pattern can be produced.
또한, 상기 도전성 패턴은, 예를 들면, 서브트랙티브법, 세미애디티브법, 풀애디티브법 등의 포토리소에칭법에 의해 제조할 수 있다.The conductive pattern can be produced by a photolithography method such as a subtractive method, a semi-additive method or a pull additive method.
상기 서브트랙티브법은, 미리 제조한 본 발명의 적층체를 구성하는 도금층(Ⅳ)상에, 소망의 패턴형상에 대응한 형상의 에칭 레지스트층을 형성하고, 그 후의 현상처리에 의해 상기 레지스트가 제거된 부분의 도금층(Ⅳ) 및 도전층(Ⅲ)을 약액으로 용해하여 제거함에 의해, 소망의 패턴을 형성하는 방법이다. 상기 약액으로서는, 염화구리나 염화철 등을 함유하는 약액을 사용할 수 있다.In the subtractive method, an etching resist layer having a shape corresponding to a desired pattern shape is formed on the plating layer (IV) constituting the laminate of the present invention manufactured in advance, and the resist And the plating layer (IV) and the conductive layer (III) in the removed portion are dissolved and removed with a chemical solution to form a desired pattern. As the chemical liquid, a chemical liquid containing copper chloride, iron chloride, or the like can be used.
상기 세미애디티브법은, 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)로 이루어지는 층(I)과 상기 수지층(Ⅱ)과 상기 도전층(Ⅲ)을 구비한 적층체를 제조하고, 이어서, 필요에 따라 그 표면을 플라스마 방전 처리함으로써 도전층(Ⅲ)의 표면을 산화한 후, 그 산화된 표면에, 필요에 따라 소망의 패턴에 대응한 형상의 도금 레지스트층을 형성하고, 이어서, 전기 도금법이나 무전해 도금법에 의해 도금층(Ⅳ)을 형성한 후, 상기 도금 레지스트층과 그것에 접촉한 상기 도전층(Ⅲ)을 약액 등에 용해하여 제거함에 의해, 소망의 패턴을 형성하는 방법이다.The semi-additive method is a method of producing a laminate comprising the layer (I) comprising the support (I1) or the support (I2), the resin layer (II) and the conductive layer (III) The surface of the conductive layer (III) is oxidized by plasma discharge to form a plating resist layer having a shape corresponding to a desired pattern on the oxidized surface, and then a plating resist layer After the plating layer IV is formed by a solution plating method, the plating resist layer and the conductive layer (III) in contact with the plating resist layer are dissolved in a chemical solution or the like and removed to form a desired pattern.
또한, 상기 풀애디티브법은, 상기 지지체(I1) 또는 지지체(I2)로 이루어지는 층(I)에, 수지층(Ⅱ)을 마련하고, 잉크젯법이나 반전 인쇄법으로 상기 도전층(Ⅲ)의 패턴을 인쇄한 후, 필요에 따라 상기 도전층(Ⅲ)의 표면을 플라스마 방전 처리함으로써 패턴을 형성하고, 이어서, 상기 도전층(Ⅲ)의 산화된 표면에 전기 도금법이나 무전해 도금법에 의해 도금층(Ⅳ)을 형성함에 의해, 소망의 패턴을 형성하는 방법이다.The pull-add method is a method in which a resin layer (II) is provided on a layer (I) comprising the support (I1) or the support (I2) A pattern is formed on the oxidized surface of the conductive layer III by electroplating or electroless plating to form a pattern on the surface of the conductive layer III, IV) to form a desired pattern.
상기 방법에서 얻어진 도전성 패턴은, 각층간의 박리 등을 일으키지 않고, 양호한 통전성을 유지 가능한 레벨의, 현격하게 우수한 내구성을 부여할 수 있으므로, 은 잉크 등을 사용한 전자회로나 집적회로 등에 사용되는 회로형성용 기판의 형성, 유기 태양전지나 전자 서적단말, 유기 EL, 유기 트랜지스터, 플렉서블 프린트기판, RFID 등을 구성하는 각층이나 주변 배선의 형성, 플라스마 디스플레이의 전자파 쉴드의 배선 등 중, 특히 내구성의 요구되는 용도에 호적하게 사용할 수 있다. 특히, 상기 도금처리가 실시된 도전성 패턴은, 장기간에 걸쳐 단선 등을 일으키지 않고, 양호한 통전성을 유지 가능한 신뢰성이 높은 배선 패턴을 형성할 수 있으므로, 예를 들면, 일반적으로 구리장 적층판(CCL : Copper Clad Laminate)이라 하며, 플렉서블 프린트기판(FPC), 테이프 자동 본딩(TAB), 칩온 필름(COF), 및 프린트 배선판(PWB) 등의 용도에 사용하는 것이 가능하다.The conductive pattern obtained by the above method can be provided with remarkably excellent durability at a level at which good conductivity can be maintained without causing peeling or the like between the respective layers, The formation of a substrate, the formation of layers or peripheral wirings constituting an organic solar battery, an electronic book terminal, an organic EL, an organic transistor, a flexible printed board, an RFID, etc., wiring of electromagnetic shields of a plasma display, It can be used for personal use. In particular, the conductive pattern subjected to the plating treatment can form a highly reliable wiring pattern capable of maintaining good conductivity without causing disconnection over a long period of time. Therefore, for example, a copper-clad laminate (CCL) Clad Laminate), and can be used for applications such as flexible printed circuit boards (FPC), tape automatic bonding (TAB), chip-on-film (COF), and printed wiring board (PWB).
[실시예][Example]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples.
[지지체(F-1)의 조제][Preparation of Support (F-1)] [
무수피로멜리트산과 4,4'-옥시디아닐린을 몰비로 50/50의 비율로 준비하고, 그것들을 N,N''-디메틸아세트아미드 중에서 중합함에 의해, 불휘발분 20질량%의 폴리아믹산 용액(A-1)을 얻었다.Anhydrous pyromellitic acid and 4,4'-oxydianiline were prepared at a molar ratio of 50/50 and polymerized in N, N "-dimethylacetamide to obtain a polyamic acid solution with a nonvolatile content of 20 mass% (A-1).
또한, 비페닐3,4,3',4'-테트라카르복시산이수화물과 4,4'-옥시디아닐린을 몰비로 50/50의 비율로 준비하고, 그것들을 N,N'-디메틸아세트아미드로 중합함에 의해, 불휘발분 20질량%의 폴리아믹산 용액(A-2)을 얻었다.Further, biphenyl 3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic acid dihydrate and 4,4'-oxydianiline were prepared in a molar ratio of 50/50, and they were dissolved in N, N'-dimethylacetamide By polymerization, a polyamic acid solution (A-2) having a nonvolatile content of 20 mass% was obtained.
다음으로, 상기 폴리아믹산 용액(A-1)과 상기 폴리아믹산 용액(A-2)을, 〔상기 폴리아믹산 용액(A-1) 중에 함유되는 폴리아믹산의 질량〕/〔상기 폴리아믹산 용액(A-2)에 함유되는 폴리아믹산의 질량〕=35/65가 되도록 혼합하여, 평균 입자경이 0.3㎛의 실리카 입자를 0.2질량% 혼합함에 의해 혼합물을 얻었다.Next, the polyamic acid solution (A-1) and the polyamic acid solution (A-2) were mixed so that the mass of the polyamic acid contained in the polyamic acid solution (A- -2)) = 35/65, and 0.2 mass% of silica particles having an average particle diameter of 0.3 占 퐉 was mixed to obtain a mixture.
그 후, 상기 혼합물을 여과, 탈포처리하고, 그것을 T 다이로부터 압출하여 드럼상으로 유연했다.Thereafter, the mixture was subjected to filtration and defoaming, and the mixture was extruded from a T-die to be poured into a drum shape.
상기 유연한 것을 100℃에서 60초간 건조함에 의해, 상기 폴리아믹산과 상기 실리카를 함유하는 필름을 제작했다.The flexible one was dried at 100 DEG C for 60 seconds to produce a film containing the polyamic acid and the silica.
상기 필름을 드럼으로부터 박리한 후, 250℃에서 60초간 건조하고, 이어서 300℃에서 60초 건조하고, 그 후 400℃에서 75초간 건조함에 의해, 폴리이미드 필름으로 이루어지는 지지체(F-1)을 얻었다. 상기 지지체의 막두께는 40㎛이었다.The film was peeled off from the drum, dried at 250 캜 for 60 seconds, then dried at 300 캜 for 60 seconds, and then dried at 400 캜 for 75 seconds to obtain a support (F-1) composed of a polyimide film . The thickness of the support was 40 탆.
[지지체(F-2)의 조제][Preparation of support (F-2)] [
무수피로멜리트산과 4,4'-옥시디아닐린과 비페닐3,4,3',4'-테트라카르복시산이수화물과 4,4'-옥시디아닐린을, 몰비로 50/50/100의 비율로 준비하고, 그것들을 N,N'-디메틸아세트아미드 중에서 중합함에 의해, 불휘발분 20질량%의 폴리아믹산 용액을 얻었다. 추가로, 평균 입자경이 0.3㎛의 실리카 입자를 0.2중량% 혼합함에 의해 혼합물을 얻었다.Oxydianiline, biphenyl 3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic acid dihydrate and 4,4'-oxydianiline in a molar ratio of 50/50/100 , And these were polymerized in N, N'-dimethylacetamide to obtain a polyamic acid solution having a nonvolatile content of 20 mass%. Further, a mixture was obtained by mixing 0.2 wt% of silica particles having an average particle diameter of 0.3 mu m.
그 후, 상기 혼합물을 여과, 탈포처리하고, 그것을 T 다이로부터 압출하여 드럼상으로 유연했다.Thereafter, the mixture was subjected to filtration and defoaming, and the mixture was extruded from a T-die to be poured into a drum shape.
상기 유연한 것을 100℃에서 60초간 건조함에 의해, 상기 폴리아믹산과 상기 실리카를 함유하는 필름을 제작했다.The flexible one was dried at 100 DEG C for 60 seconds to produce a film containing the polyamic acid and the silica.
상기 필름을 드럼으로부터 박리한 후, 250℃에서 60초간 건조하고, 이어서 300℃에서 60초 건조하고, 그 후 400℃에서 75초간 건조함에 의해, 폴리이미드 필름으로 이루어지는 지지체(F-2)을 얻었다. 상기 지지체의 막두께는 39㎛이었다.The film was peeled off from the drum, then dried at 250 캜 for 60 seconds, then dried at 300 캜 for 60 seconds, and then dried at 400 캜 for 75 seconds to obtain a support (F-2) composed of a polyimide film . The film thickness of the support was 39 탆.
[지지체(F-3)의 조제][Preparation of Support (F-3)] [
상기 폴리아믹산 용액(A-1) 및 상기 폴리아믹산(A-2) 대신에, 비페닐3,4,3',4'-테트라카르복시산이수화물과 1,4-디아미노벤젠을 몰비로 50/50의 비율로 준비한 것을 중합하여 얻어진 폴리아믹산을 사용한 이외는, 상기 지지체(F-1)의 제작방법과 같은 방법으로 폴리이미드 필름으로 이루어지는 지지체(F-3)을 제작했다. 상기 지지체의 막두께는 49㎛이었다.Except that the biphenyl 3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic acid dihydrate and 1,4-diaminobenzene were used in a molar ratio of 50/1, instead of the polyamic acid solution (A-1) and the polyamic acid (A- (F-3) made of a polyimide film was produced in the same manner as in the production of the above support (F-1), except that the polyamic acid obtained by polymerizing the polyamic acid prepared in the ratio of 50% The film thickness of the support was 49 탆.
[지지체(F-4)의 조제][Preparation of Support (F-4)] [
상기 폴리아믹산 용액(A-1) 및 상기 폴리아믹산(A-2) 대신에, 무수피로인산과 4,4'-옥시디아닐린을 몰비로 50/50의 비율로 준비한 것을 중합하여 얻어진 폴리아믹산을 사용하고, 또한, 상기 평균 입자경이 0.2㎛ 실리카 대신에 평균 입자경이 1㎛의 인산칼슘을 0.05질량% 사용하는 것 이외는, 상기 지지체(F-1)의 제작방법과 같은 방법으로 폴리이미드 필름으로 이루어지는 지지체(F-4)을 제작했다. 상기 지지체의 막두께는 50㎛이었다.A polyamic acid obtained by polymerizing an anhydrous pyrophosphoric acid and 4,4'-oxydianiline in a ratio of 50/50 by mole in place of the polyamic acid solution (A-1) and the polyamic acid (A-2) (F-1) was prepared in the same manner as in the production of the above-mentioned support (F-1), except that 0.05 mass% of calcium phosphate having an average particle diameter of 1 탆 was used instead of the above- To prepare a support (F-4). The thickness of the support was 50 탆.
[수지 조성물(R-1)의 조제][Preparation of Resin Composition (R-1)] [
온도계, 질소 가스 도입관, 교반기를 구비한 질소치환된 용기 중에서, 폴리에스테르폴리올(1,4-시클로헥산디메탄올과 네오펜틸글리콜과 아디프산을 반응시켜 얻어진 폴리에스테르폴리올)을 100질량부, 2,2-디메틸올프로피온산 17.6질량부, 1,4-시클로헥산디메탄올 21.7질량부, 디시클로헥실메탄디이소시아네이트 106.2질량부를, 메틸에틸케톤 178질량부의 혼합용제 중에서 반응시킴에 의해, 분자말단에 이소시아네이트기를 갖는 우레탄 프리폴리머의 유기용제 용액을 얻었다.100 parts by mass of a polyester polyol (a polyester polyol obtained by reacting 1,4-cyclohexanedimethanol with neopentyl glycol and adipic acid) in a nitrogen-purged container equipped with a thermometer, a nitrogen gas introducing tube and a stirrer, 17.6 parts by mass of 2,2-dimethylolpropionic acid, 21.7 parts by mass of 1,4-cyclohexanedimethanol and 106.2 parts by mass of dicyclohexylmethane diisocyanate were reacted in a mixed solvent of methyl ethyl ketone and 178 parts by mass, An organic solvent solution of a urethane prepolymer having an isocyanate group was obtained.
이어서, 상기 우레탄 수지의 유기용제 용액에 트리에틸아민을 13.3질량부 첨가함으로써, 상기 우레탄 수지가 갖는 카르복시기의 일부 또는 전부를 중화하고, 추가로 물 380질량부를 첨가하고 충분하게 교반함에 의해, 우레탄 수지의 수성 분산액을 얻었다.Then, 13.3 parts by mass of triethylamine was added to the organic solvent solution of the urethane resin to neutralize part or all of the carboxyl groups contained in the urethane resin, add 380 parts by mass of water, and sufficiently stir to obtain urethane resin Of an aqueous dispersion.
이어서, 상기 수성 분산액에, 25질량%의 에틸렌디아민 수용액을 8.8질량부 첨가하고, 교반함에 의해, 입자상의 폴리우레탄 수지를 쇄신장시키고, 이어서 에이징·탈용제함에 의해, 고형분 농도 30질량%의 우레탄 수지(r-1)의 수성 분산액을 얻었다. 상기 우레탄 수지(r-1)의 중량평균 분자량은 53,000이었다.Subsequently, 8.8 parts by mass of an aqueous solution of 25% by mass of ethylenediamine was added to the aqueous dispersion, and the mixture was agitated to make the particulate polyurethane resin to be brightened. Subsequently, the polyurethane resin was aged and degreased, To obtain an aqueous dispersion of Resin (r-1). The weight average molecular weight of the urethane resin (r-1) was 53,000.
다음으로, 교반기, 환류냉각관, 질소 도입관, 온도계, 단량체 혼합물 적하용 적하 깔때기, 중합촉매 적하용 적하 깔때기를 구비한 반응용기에 탈이온수 140질량부, 상기에서 얻은 우레탄 수지(r-1)의 수분산체 100질량부를 넣고, 질소를 불어넣으면서 80℃까지 승온했다.Next, 140 parts by mass of deionized water was added to a reaction vessel equipped with a stirrer, a reflux condenser, a nitrogen inlet tube, a thermometer, a dropping funnel for dropping a monomer mixture, and a dropping funnel for dropping polymerization catalyst, Of 100 parts by mass of water dispersed therein, and the temperature was raised to 80 DEG C while blowing nitrogen therein.
80℃까지 승온한 반응용기 내에, 교반 하, 메타크릴산메틸 60질량부, 아크릴산n-부틸 30질량부, N-n-부톡시메틸아크릴아미드 10질량부로 이루어지는 단량체 혼합물과, 과황산암모늄 수용액(농도 : 0.5질량%) 20질량부를 각각의 적하 깔때기로부터, 반응용기 내 온도를 80±2℃로 유지하면서 120분간에 걸쳐 적하하여 중합했다.A monomer mixture consisting of 60 parts by mass of methyl methacrylate, 30 parts by mass of n-butyl acrylate, and 10 parts by mass of Nn-butoxymethylacrylamide was mixed with an aqueous ammonium persulfate solution (concentration: 0.5 mass%) was added dropwise from each dropping funnel over 120 minutes while maintaining the temperature in the reaction vessel at 80 占 占 폚.
적하 종료 후, 동온도에서 60분간 교반함에 의해, 상기 우레탄 수지(r-1)의 쉘층과, 비닐 중합체의 코어층에 의해 구성되는 수분산체를 얻었다.After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at the same temperature for 60 minutes to obtain an aqueous dispersion composed of the shell layer of the urethane resin (r-1) and the core layer of the vinyl polymer.
상기 반응용기 내의 온도를 40℃로 냉각하고, 이어서, 불휘발분이 20.0질량%가 되도록 탈이온수을 사용한 후, 200메쉬 여과포로 여과함에 의해, 수지 조성물(R-1)을 얻었다.The temperature in the reaction vessel was cooled to 40 캜, and then deionized water was used so that the nonvolatile content became 20.0% by mass, followed by filtration with a 200-mesh filter cloth to obtain a resin composition (R-1).
[수지 조성물(R-2)의 조제][Preparation of Resin Composition (R-2)] [
환류냉각기, 온도계, 교반기를 구비한 반응 플라스크에, 37질량%의 포름알데히드와 7질량%의 메탄올을 함유하는 포르말린 600질량부(포름알데히드 함량 : 222질량부(7.4mol), 메탄올 함량 : 42질량부(1.31mol))에 물 200질량부 및 메탄올 350질량부(10.92mol)를 첨가했다. 이 수용액에 25질량% 수산화나트륨 수용액을 첨가하고, pH10으로 조정한 후, 멜라민 310질량부(2.46mol)를 첨가하고, 액온을 85℃까지 올려, 메틸올화(일차반응)시켰다(반응시간 : 1시간).(Formaldehyde content: 222 parts by mass (7.4 mol), methanol content: 42 parts by mass) containing 37% by mass of formaldehyde and 7% by mass of methanol was added to a reaction flask equipped with a reflux condenser, a thermometer and a stirrer (1.31 mol)), 200 parts by mass of water and 350 parts by mass (10.92 mol) of methanol were added. To this aqueous solution, a 25 mass% sodium hydroxide aqueous solution was added and the pH was adjusted to 10. Thereafter, 310 parts by mass (2.46 mol) of melamine was added and the temperature was elevated to 85 캜 to perform methylolization (primary reaction) time).
그 후, 포름산을 첨가하여 pH7로 조정한 후, 60℃까지 냉각하여, 에테르화 반응(이차반응)시켰다. 백탁온도 40℃에서 25질량% 수산화나트륨 수용액을 첨가하여 pH9로 조정하여, 에테르화 반응을 멈췄다(반응시간 : 1시간). 온도 50℃의 감압 하에서 잔존하는 메탄올을 제거(탈메탄올 시간 : 4시간)하여, 불휘발분 80질량%의 멜라민 수지를 함유하는 수지 조성물(R-2)을 얻었다.Thereafter, formic acid was added to adjust the pH to 7, and then the mixture was cooled to 60 占 폚 and subjected to an etherification reaction (secondary reaction). At a clouding temperature of 40 캜, an aqueous solution of 25 mass% sodium hydroxide was added to adjust the pH to 9, and the etherification reaction was stopped (reaction time: 1 hour). The remaining methanol was removed under reduced pressure at a temperature of 50 占 폚 (demethanol time: 4 hours) to obtain a resin composition (R-2) containing a melamine resin having a nonvolatile content of 80% by mass.
또, 상기 백탁온도의 측정방법을 이하에 설명한다. 수지를 1g 채취하고, 이 수지를 지정의 온도로 조정한 100ml의 탕수(湯水)와 혼합했다. 그 때, 수지가 탕수에 녹지 않고 백탁할 때의 가장 높은 온도를 백탁온도로 했다.The method of measuring the cloudiness temperature will be described below. 1 g of the resin was sampled, and this resin was mixed with 100 ml of hot water adjusted to a specified temperature. At that time, the highest temperature at which the resin did not dissolve in the hot water but became opaque was the opacity temperature.
[도전성 잉크의 조제][Preparation of conductive ink]
에틸렌글리콜 45질량부와 이온교환수 55질량부와의 혼합용매에, 평균 입경 30nm의 은 입자를 분산시킴에 의해 도전성 잉크1을 조제했다.Conductive ink 1 was prepared by dispersing silver particles having an average particle diameter of 30 nm in a mixed solvent of 45 parts by mass of ethylene glycol and 55 parts by mass of ion-exchanged water.
[실시예1][Example 1]
상기 지지체(F-1)의 표면을, TEC-4AX(가스가덴키가부시키가이샤제의 코로나 표면개질 평가장치, 가스; 공기(산소 농도 약 21질량%), 갭; 1.5mm, 출력; 100W, 처리시간; 2초)을 사용하여 코로나 방전 처리했다.The surface of the support (F-1) was measured with a TEC-4AX (Corona Surface Modification Evaluation Apparatus, Gas: air (oxygen concentration: about 21 mass%), gap: 1.5 mm, output: 100 W , Processing time: 2 seconds) was used for corona discharge treatment.
그 후, 상기 지지체의 표면에, 상기 수지 조성물(R-1)을, 스핀 코터를 사용하여, 그 건조 막두께가 0.1㎛가 되도록 도포하고, 이어서, 열풍 건조기를 사용하여 80℃의 조건에서 5분간 건조함에 의해, 상기 지지체로 이루어지는 층(I)의 표면에 수지층(Ⅱ)이 적층한 적층체를 얻었다.Thereafter, the resin composition (R-1) was applied on the surface of the support so as to have a dry film thickness of 0.1 mu m using a spin coater. Subsequently, using a hot air drier, 5 Minute drying to obtain a layered product in which the resin layer (II) was laminated on the surface of the layer (I) comprising the support.
이어서, 상기 수지층(Ⅱ)의 표면에, 상기 도전성 잉크를 스핀 코팅법에 의해 도포하고, 이어서, 250℃에서 3분간 소성함에 의해, 상기 은에 의해 형성된 도전층(Ⅲ)(두께 0.1㎛)을 제작했다. 상기 도전층(Ⅲ)의 표면저항을, 후술하는 방법에 의해 측정했더니 2Ω/□이었다.Subsequently, the conductive ink (III) (thickness: 0.1 mu m) formed by the silver was applied to the surface of the resin layer (II) by applying the conductive ink by spin coating method and then firing at 250 DEG C for 3 minutes. . When the surface resistance of the conductive layer (III) was measured by a method described later, it was 2? / ?.
이어서, 상기 도전층(Ⅲ)의 표면을, TEC-4AX(가스가덴키가부시키가이샤제의 코로나 표면개질 평가장치, 가스; 공기(산소 농도 약 21질량%), 갭; 1.5mm, 출력; 100W, 처리시간; 2초)을 사용하여 코로나 방전 처리했다. 코로나 방전 처리전의 상기 도전층(Ⅲ)의 표면저항은 2Ω/□이었지만, 코로나 방전 처리한 도전층(Ⅲ)의 표면저항은 5Ω/□가 되어 증가했다. 또한, 상기와 같은 X선 광전자 분석장치를 사용하여 그 표면을 분석했더니 , 상기 도전층(Ⅲ)을 형성하는 은이 산화되어 있는 것을 나타내는 피크를 확인할 수 있었다.Subsequently, the surface of the conductive layer (III) was treated with TEC-4AX (corona surface modification evaluation device, gas: oxygen (concentration of about 21 mass%), gap: 1.5 mm, output; 100 W, treatment time: 2 seconds) was used for corona discharge treatment. The surface resistance of the conductive layer (III) before the corona discharge treatment was 2? / ?, but the surface resistance of the conductive layer (III) subjected to the corona discharge treatment increased to 5? / ?. Further, when the surface of the conductive layer (III) was analyzed using the X-ray photoelectron spectroscopic analyzer as described above, a peak indicating that silver forming the conductive layer (III) was oxidized was confirmed.
이어서, 상기 도전층(Ⅲ)의 산화된 표면을 음극으로 설정하고, 함인(含燐) 구리를 양극으로 설정하고, 황산구리를 함유하는 전기 도금액을 사용하여 전류밀도 2A/dm2로 15분간 전기도금을 행함에 의해, 상기 도전층(Ⅲ)의 표면에, 두께 8㎛의 구리도금층을 적층했다. 상기 전기 도금액으로서는, 황산구리 70g/리터, 황산 200g/리터, 염소 이온 50mg/리터, 톳푸루치나SF(오쿠노세이야쿠고교가부시키가이샤제의 광택제) 5g/리터를 사용했다.Subsequently, the oxidized surface of the conductive layer (III) was set as a cathode, phosphorus-containing copper was set as an anode, and electroplating was carried out for 15 minutes at a current density of 2 A / dm 2 using an electroplating solution containing copper sulfate A copper plating layer having a thickness of 8 占 퐉 was laminated on the surface of the conductive layer (III). As the electroplating solution, 70 g / liter of copper sulfate, 200 g / liter of sulfuric acid, 50 mg / liter of chlorine ion, and 5 g / liter of Toppuruni SF (a polisher of Okuno Seiyaku Kogyo K.K.) were used.
이상의 방법에 의해, 상기 지지체로 이루어지는 층(I)과 수지층(Ⅱ)과 상기 도전층(Ⅲ)과 상기 도금층(Ⅳ)이 적층한 적층체(L-1)을 얻었다.By the above method, a laminate (L-1) in which the layer (I) comprising the support, the resin layer (II), the conductive layer (III) and the plating layer (IV) were laminated was obtained.
[실시예2][Example 2]
상기 수지 조성물(R-1) 대신에 수지 조성물(R-2)을 사용하는 것 이외는, 실시예1과 같은 방법에 의해, 상기 지지체로 이루어지는 층(I)과 수지층(Ⅱ)과 상기 도전층(Ⅲ)과 상기 도금층(Ⅳ)이 적층한 적층체(L-2)를 얻었다.(I) composed of the support, the resin layer (II), and the conductive layer (II) were obtained in the same manner as in Example 1 except that the resin composition (R-2) was used in place of the resin composition To obtain a layered product (L-2) in which the layer (III) and the plated layer (IV) were laminated.
[실시예3][Example 3]
상기 지지체(F-1) 대신에 지지체(F-2)를 사용하고, 또한, 상기 수지 조성물(R-1) 대신에, 수지 조성물(R-1)과 수지 조성물(R-2)을 50/50(고형분)의 비율로 함유하는 혼합물을 사용하는 것 이외는, 실시예1과 같은 방법에 의해, 상기 지지체로 이루어지는 층(I)과 수지층(Ⅱ)과 상기 도전층(Ⅲ)과 상기 도금층(Ⅳ)이 적층한 적층체(L-3)을 얻었다.The resin composition (R-1) and the resin composition (R-2) were mixed in a ratio of 50/1, instead of the above-mentioned support (F- (II) composed of the support, the resin layer (II), the conductive layer (III), and the plating layer (II) were formed in the same manner as in Example 1, (L-3) laminated with the layer (IV).
[비교예1][Comparative Example 1]
상기 지지체(F-1) 대신에 지지체(F-3)를 사용하는 것 이외는, 실시예1과 같은 방법에 의해, 상기 지지체로 이루어지는 층(I)과 수지층(Ⅱ)과 상기 도전층(Ⅲ)과 상기 도금층(Ⅳ)이 적층한 적층체(L'-1)를 얻었다.(I), the resin layer (II), and the conductive layer (II) were formed in the same manner as in Example 1, except that the support (F-3) was used in place of the support III) and the plated layer (IV) were laminated to obtain a laminate (L'-1).
[비교예2][Comparative Example 2]
상기 지지체(F-1) 대신에 지지체(F-4)를 사용하는 것 이외는, 실시예1과 같은 방법에 의해, 상기 지지체로 이루어지는 층(I)과 수지층(Ⅱ)과 상기 도전층(Ⅲ)과 상기 도금층(Ⅳ)이 적층한 적층체(L'-2)를 얻었다.(I) composed of the support, the resin layer (II), and the conductive layer (II) were formed in the same manner as in Example 1 except that the support (F-4) was used in place of the support III) and the plated layer (IV) were laminated.
<밀착성; 필링 시험에 의한 평가>≪ Adhesion property; Evaluation by peeling test>
상기에서 얻은 적층체의 필링 강도 측정은, IPC-TM-650, NUMBER2.4.9에 준거한 방법에 의해 행했다. 측정에 사용하는 리드 폭은 1mm, 그 필링의 각도는 90°로 했다. 또, 필링 강도는, 상기 도금층의 두께가 두꺼워질수록 높은 값을 나타내는 경향이 있지만, 본 발명에서의 필링 강도의 측정은, 현재 범용되고 있는 도금층 8㎛에 있어서의 측정값을 기준으로 실시했다.The peeling strength of the laminate thus obtained was measured by the method according to IPC-TM-650, NUMBER 2.4.9. The lead width used for the measurement was 1 mm, and the angle of the filling was 90 °. The peeling strength tends to show a higher value as the thickness of the plating layer becomes thicker. The peeling strength in the present invention was measured based on the measurement value at 8 mu m of the plating layer which is currently in general use.
<내열성; 내열 시험 후의 필링 시험에 의한 평가(온도 150℃)><Heat resistance; Evaluation by peeling test after heat resistance test (temperature: 150 캜)>
상기에서 얻은 적층체를 150℃로 설정한 건조기를 사용하여 168시간 건조했다. 상기 건조 후의 적층체를 사용하는 것 이외는, 상기 <필링 시험에 의한 평가>에 기재한 방법과 같은 방법으로 필링 강도를 측정했다.The thus obtained laminate was dried for 168 hours using a dryer set at 150 캜. The peeling strength was measured in the same manner as described in < Evaluation by Peeling Test > except that the above-mentioned dried layered product was used.
<내습열성; 내습열 시험 후의 필링 시험에 의한 평가(온도 135℃ 및 습도 85%)><Humidity Resistance; Evaluation by peeling test after anti-wet heat test (at a temperature of 135 ° C and a humidity of 85%)>
상기에서 얻은 적층체를 온도 135℃ 및 습도 85%로 설정한 HAST 시험기 내에 168시간 넣었다. 상기 내습열 시험 후의 적층체를 사용하는 것 이외는, 상기 <필링 시험에 의한 평가>에 기재한 방법과 같은 방법으로 필링 강도를 측정했다.The laminate thus obtained was placed in a HAST tester set at a temperature of 135 ° C and a humidity of 85% for 168 hours. The peeling strength was measured in the same manner as described in < Evaluation by Peeling Test > except that the laminate after the above-mentioned moisture resistance heat test was used.
[표1][Table 1]
Claims (8)
〔일반식(1) 중의 R1~R8은, 각각 독립하여 수소 원자, 수산기, 할로겐 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. n은 1~1,000의 정수를 나타낸다〕
〔일반식(2) 중의 R9~R22는, 각각 독립하여 수소 원자, 수산기, 할로겐 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. m은 1~1,000의 정수를 나타낸다〕(I1) containing a polyimide resin (i-1) having a structure represented by the following general formula (1) and a polyimide resin (i-2) having a structure represented by the following general formula (2) , A layer (I) comprising a support (I2) containing a polyimide resin (i-3) having a structure represented by the following general formula (1) and a structure represented by the following general formula (2) x), and a conductive layer (III) formed of the conductive material (x). The laminate according to claim 1, wherein the resin layer (II)
[R 1 to R 8 in the general formula (1) each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a halogen atom, an alkyl group or an aryl group. and n represents an integer of 1 to 1,000.
[R 9 to R 22 in the general formula (2) each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a halogen atom, an alkyl group or an aryl group. and m represents an integer of 1 to 1,000.
상기 지지체로 이루어지는 층(I)이, 추가로 평균 입자경 0.01㎛~1㎛의 실리카 미립자를 함유하는 것인 적층체.The method according to claim 1,
Wherein the layer (I) comprising the support further contains silica fine particles having an average particle diameter of 0.01 to 1 占 퐉.
상기 수지층(Ⅱ)이, 코어층으로서 아크릴 수지와, 쉘층으로서 친수성기를 갖는 우레탄 수지로 구성되는 코어-쉘형의 복합 수지 입자로 이루어지는 복합 수지(Ⅱ-1), 또는, 멜라민 수지(Ⅱ-2)인 적층체.The method according to claim 1,
(II-1) comprising a core-shell type composite resin particle composed of an acrylic resin as a core layer and a urethane resin having a hydrophilic group as a shell layer, or a melamine resin (II-2) ).
상기 도전층(Ⅲ)의 표면의 일부 또는 전부에 도금층(Ⅳ)을 갖는 적층체.The method according to claim 1,
And a plating layer (IV) on a part or the whole of the surface of the conductive layer (III).
상기 도전층(Ⅲ)의 일부 또는 전부가, 산화된 은에 의해 구성된 것인 적층체.5. The method of claim 4,
And a part or the whole of the conductive layer (III) is constituted by oxidized silver.
상기 도금층(Ⅳ)이, 전해구리 도금법에 의해 형성된 것인 적층체.5. The method of claim 4,
Wherein the plating layer (IV) is formed by an electrolytic copper plating method.
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