KR101718798B1 - A Stabilized Chemical Mechanical Polishing Composition and Method of Polishing A Substrate - Google Patents
A Stabilized Chemical Mechanical Polishing Composition and Method of Polishing A Substrate Download PDFInfo
- Publication number
- KR101718798B1 KR101718798B1 KR1020110057354A KR20110057354A KR101718798B1 KR 101718798 B1 KR101718798 B1 KR 101718798B1 KR 1020110057354 A KR1020110057354 A KR 1020110057354A KR 20110057354 A KR20110057354 A KR 20110057354A KR 101718798 B1 KR101718798 B1 KR 101718798B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chemical mechanical
- mechanical polishing
- formula
- anion
- polishing composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 161
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 138
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 28
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 19
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 claims abstract description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 92
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 58
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 36
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 32
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 29
- -1 hydroxide anions Chemical class 0.000 claims description 29
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 23
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 11
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 5
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 abstract description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 20
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 18
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 18
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 125000006732 (C1-C15) alkyl group Chemical group 0.000 description 15
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 14
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 10
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 10
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 9
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- HBCNJOTXLRLIAB-UHFFFAOYSA-M tetracyclohexylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C1CCCCC1[N+](C1CCCCC1)(C1CCCCC1)C1CCCCC1 HBCNJOTXLRLIAB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M Nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 4
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- CPOUUWYFNYIYLQ-UHFFFAOYSA-M tetra(propan-2-yl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC(C)[N+](C(C)C)(C(C)C)C(C)C CPOUUWYFNYIYLQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- DOYCTBKOGNQSAL-UHFFFAOYSA-M tetracyclopropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C1CC1[N+](C1CC1)(C1CC1)C1CC1 DOYCTBKOGNQSAL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- RROIKUJKYDVRRG-UHFFFAOYSA-M tetrakis(2-methylpropyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC(C)C[N+](CC(C)C)(CC(C)C)CC(C)C RROIKUJKYDVRRG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 3
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- JVOPCCBEQRRLOJ-UHFFFAOYSA-M tetrapentylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCC[N+](CCCCC)(CCCCC)CCCCC JVOPCCBEQRRLOJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- OQZAQBGJENJMHT-UHFFFAOYSA-N 1,3-dibromo-5-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC(Br)=CC(Br)=C1 OQZAQBGJENJMHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNUJKXOGRSTACR-UHFFFAOYSA-M 1-adamantyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C1C(C2)CC3CC2CC1([N+](C)(C)C)C3 GNUJKXOGRSTACR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001853 inorganic hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JNXJYDMXAJDPRV-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-1-yl)butanedioic acid Chemical compound C1=CC=C2N(C(C(O)=O)CC(=O)O)N=NC2=C1 JNXJYDMXAJDPRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKZLYSXRFUGBPI-UHFFFAOYSA-N 2-[benzotriazol-1-ylmethyl(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound C1=CC=C2N(CN(CCO)CCO)N=NC2=C1 WKZLYSXRFUGBPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVPKIPGHRNIOPT-UHFFFAOYSA-N 5,6-dimethyl-2h-benzotriazole Chemical compound C1=C(C)C(C)=CC2=NNN=C21 MVPKIPGHRNIOPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQABSXJCETZGRK-UHFFFAOYSA-N 6-azaniumylhexylazanium;dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[NH3+]CCCCCC[NH3+] GQABSXJCETZGRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000408939 Atalopedes campestris Species 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 102000003992 Peroxidases Human genes 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 description 1
- VEMCSMJGEJHRMV-UHFFFAOYSA-N [Al+3].[Al+3].[O-]B[O-].[O-]B[O-].[O-]B[O-] Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]B[O-].[O-]B[O-].[O-]B[O-] VEMCSMJGEJHRMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXJIHEXYGRXHGP-UHFFFAOYSA-N benzotriazol-1-ylmethanol Chemical compound C1=CC=C2N(CO)N=NC2=C1 MXJIHEXYGRXHGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- RHYGWXLEGSAHFY-UHFFFAOYSA-N cyclopentanamine hydrate Chemical compound [OH-].C1(CCCC1)[NH3+] RHYGWXLEGSAHFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- JROGBPMEKVAPEH-GXGBFOEMSA-N emetine dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.N1CCC2=CC(OC)=C(OC)C=C2[C@H]1C[C@H]1C[C@H]2C3=CC(OC)=C(OC)C=C3CCN2C[C@@H]1CC JROGBPMEKVAPEH-GXGBFOEMSA-N 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N mono-hydroxyphenyl-ethylene Natural products OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 108040007629 peroxidase activity proteins Proteins 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003442 weekly effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/04—Aqueous dispersions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
초기 성분으로서, 물; 평균 입자 크기 5 내지 150 nm인 연마제 0.1 내지 40 wt%; 화학식 (II)의 아다만틸 물질 0.001 내지 1 wt%; 화학식 (I)의 디-사급(diquaternary) 물질 0 내지 1 wt%; 및 사급(quaternary) 암모늄 화합물 0 내지 1 wt%를 포함하는 화학 기계적 연마 조성물이 제공된다. 상기 화학 기계적 연마 조성물을 사용한 화학 기계적 연마 방법이 또한 제공된다.As initial components, water; 0.1 to 40 wt% of an abrasive having an average particle size of 5 to 150 nm; 0.001 to 1 wt% of adamantyl material of formula (II); From 0 to 1 wt% of a diquaternary material of formula (I); And 0 to 1 wt% of a quaternary ammonium compound are provided. A chemical mechanical polishing method using the chemical mechanical polishing composition is also provided.
Description
본 발명은 일반적으로 화학 기계적 연마 분야에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 안정화된 화학 기계적 연마 조성물 및 반도체 재료의 화학 기계적 연마 방법, 더욱 특히, 예를 들면 층간 유전체(ILD) 및 쉘로우 트렌치 분리(shallow trench isolation; STI) 공정중에 반도체 구조로부터 유전층을 화학 기계적으로 연마하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates generally to the field of chemical mechanical polishing. More particularly, the present invention relates to chemical mechanical polishing methods for stabilized chemical mechanical polishing compositions and semiconductor materials, and more particularly to chemical mechanical polishing methods for chemically and mechanically polishing chemical compositions of semiconductor materials, To a method of mechanically polishing.
최근 집적회로는 반도체 장비로 구성된 전자 회로를 소형 반도체 구조상에 집적 형성하는 정교한 방법으로 제조된다. 반도체 구조상에 형성되는 통상적인 반도체 장비는 캐패시터, 레지스터, 트랜지스터, 컨덕터, 다이오드 등을 포함한다. 고도의 집적회로 제조공정에서는, 아주 많은 양의 이들 반도체 장비가 단일 반도체 구조상에 형성된다.Background of the Invention [0002] Recently, integrated circuits are manufactured by a sophisticated method of integrating electronic circuits composed of semiconductor equipment on a small semiconductor structure. Typical semiconductor devices formed on a semiconductor structure include capacitors, resistors, transistors, conductors, diodes, and the like. In a highly integrated circuit manufacturing process, a significant amount of these semiconductor devices are formed on a single semiconductor structure.
또한, 집적회로는 반도체 구조의 일반적인 실리콘 기판상에 인접 다이로 배열될 수 있다. 전형적으로, 표면 수준의 스크라이브(scribe) 영역이 다이 사이에 위치하며, 여기서 다이는 절단되어 불연속 집적회로를 형성할 것이다. 다이내에서, 반도체 구조의 표면은 반도체 장비의 형성으로 야기되는 융기 영역을 특징으로 한다. 이들 융기 영역은 어레이를 형성하며, 반도체 구조의 실리콘 기판상에 낮은 높이의 하부 영역으로 분리된다.Further, the integrated circuit may be arranged in an adjacent die on a general silicon substrate of a semiconductor structure. Typically, a surface level scribe region is located between the die, where the die will be cut to form a discontinuous integrated circuit. Within the die, the surface of the semiconductor structure is characterized by a raised area caused by the formation of semiconductor equipment. These raised regions form an array and are separated into lower regions of lower height on the silicon substrate of the semiconductor structure.
능동 장치는 누화(cross-talk) 및 이들간 신호 간섭 방지를 위해 유전체로 분리될 필요가 있다. 통상, 여기에는 두가지 주 분리 기술이 있다. 그중 하나는 층간 유전체(ILD)이고, 다른 하나는 쉘로우 트렌치 분리(STI)로 불리는 것이다.Active devices need to be separated into dielectrics to prevent cross-talk and signal interference between them. Normally, there are two main separation techniques. One of them is interlayer dielectric (ILD) and the other is called shallow trench isolation (STI).
ILD 구조는 주로 집적회로내 금속 와이어나 플러그를 분리할 목적으로 이용된다. 유전체 절연재(예를 들면, 실리카 및 실리콘 니트라이드)는 전형적으로 갭 사이나, 금속 라인 또는 플러그 상부에 침착되거나, 성장하여 어레이위 상방으로 더 높이 뻗은 수직 융기 돌출 모양 및 낮은 높이의 개방 함몰부를 특징으로 하는 비평탄 표면을 형성하게 된다. 이어, 수직으로 돌출한 피처의 높이를 전형적으로 어레이의 상단 수준위 예정 거리의 표적 높이로 감소시키기 위해 CMP 공정이 이용되며, 여기에서 이상적으로는 평탄화 표면이 형성될 것이다.The ILD structure is mainly used to isolate metal wires or plugs in integrated circuits. The dielectric insulating material (e.g., silica and silicon nitride) is typically deposited on top of a gap yarn, metal line, or plug, or grown and characterized by a vertical raised protrusion shape that extends higher over the array, To form a non-planar surface. A CMP process is then used to reduce the height of the vertically protruding features to a target height typically above the upper level of the array, where a planarizing surface will ideally be formed.
STI는 집적회로에 형성된 다양한 활성 성분들을 전기적으로 분리하기 위한 분리 구조를 형성하기 위해 널리 이용되고 있는 반도체 제작 방법이다. STI 기술에 있어서, 제 1 단계는 보통 이방성 에칭으로 기판의 예정 영역에 다수의 트렌치를 형성하는 것이다. 이어, 실리카를 이들 각 트렌치에 침착시킨다. 그후, CMP에 의해서 실리카를 실리콘 니트라이드(중단층)에 이르기까지 연마하여 STI 구조를 형성한다. 효율적인 연마를 이루기 위해, 연마 슬러리는 전형적으로 실리콘 니트라이드에 대한 실리카의 제거 속도("선택성")와 관련하여 고선택성을 제공한다.STI is a widely used semiconductor fabrication method for forming a separation structure for electrically separating various active components formed in an integrated circuit. In STI technology, the first step is to form a plurality of trenches in a predetermined region of the substrate, usually with an anisotropic etch. The silica is then deposited in each of these trenches. The silica is then polished by CMP to silicon nitride (interstice layer) to form the STI structure. In order to achieve efficient polishing, the polishing slurry typically provides high selectivity with respect to the removal rate of silica ("selectivity") to silicon nitride.
ILD 및 STI 공정에 통상적인 CMP 슬러리는 효율성 향상을 위해 고 농도의 연마제를 포함한다. 불행히도, 연마제는 값이 비싸고, 연마제의 사용 증가는 엄청나게 비싼 비용을 초래한다.Conventional CMP slurries for ILD and STI processes include high concentrations of abrasives for improved efficiency. Unfortunately, abrasives are costly, and increasing use of abrasives results in incredibly expensive costs.
실리콘 옥사이드 제거를 위해 연마제 함량을 감소시킨 연마 조성물이 루이(Liu) 등에 의한 미국 특허 제7,018,560호에 개시되었다. 루이 등은 상호접속 금속의 제거를 제한하기 위한 부식 억제제; 산성 pH; 연마제 입자; 및 실리콘 다이옥사이드 제거를 촉진하고 SiC, SiCN, Si3N4 및 SiCO로 구성된 그룹중에서 선택되는 적어도 하나의 코팅 제거를 감소시키는 농도의 하기 식으로 형성된 유기 함유 암모늄염을 포함하며, 적어도 하나의 연마압이 21.7 kPa 미만인 수성 연마 조성물을 기재하였다:A polishing composition having reduced abrasive content for silicon oxide removal is disclosed in U. S. Patent No. 7,018,560 to Liu et al. Rui et al. Include corrosion inhibitors to limit the removal of interconnect metal; Acidic pH; Abrasive particles; And promote the removal of silicon dioxide and SiC, SiCN, Si 3 N 4, and SiCO, and has at least one polishing pressure of less than 21.7 kPa. ≪ RTI ID = 0.0 >
상기 식에서,In this formula,
R1, R2, R3 및 R4는 래디칼이고,R 1 , R 2 , R 3 and R < 4 > is a radical,
R1은 2 내지 15개의 탄소원자로 구성된 탄소쇄 길이를 가지는 비치환된 아릴, 알킬, 아르알킬 또는 알크아릴 그룹이다.R 1 is an unsubstituted aryl, alkyl, aralkyl or alkaryl group having a carbon chain length comprised of 2 to 15 carbon atoms.
그럼에도 불구하고, 감소된 연마제 농도로 제거 속도를 향상시킨 화학 기계적 연마 조성물 및 유전층의 화학 기계적 연마방법이 여전히 요구되고 있다. 특히, ILD 및 STI 공정에서 감소된 연마제 농도로 제거 속도를 향상시키면서도 저장 안정성이 개선된, 유전층을 연마하기 위한 조성물 및 방법이 필요하다.Nevertheless, there remains a need for a chemical mechanical polishing composition which improves the removal rate with reduced abrasive concentration and a chemical mechanical polishing method of the dielectric layer. In particular, there is a need for compositions and methods for polishing dielectric layers that have improved storage stability while improving removal rates with reduced abrasive concentrations in ILD and STI processes.
본 발명은 초기 성분으로서, 물; 평균 입자 크기 5 내지 150 nm인 연마제 0.1 내지 40 wt%; 하기 화학식 (II)의 아다만틸 물질 0.001 내지 1 wt%; 하기 화학식 (I)의 디-사급(diquaternary) 물질 0 내지 1 wt%; 및 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라프로필 암모늄 하이드록사이드, 테트라이소프로필 암모늄 하이드록사이드, 테트라사이클로프로필 암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라이소부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라 t-부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라 sec-부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라사이클로부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라펜틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라사이클로펜틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라헥실 암모늄 하이드록사이드, 테트라사이클로헥실 암모늄 하이드록사이드, 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 사급(quaternary) 암모늄 화합물 0 내지 1 wt%를 포함하는 화학 기계적 연마 조성물을 제공한다:As an initial component, the present invention comprises water; 0.1 to 40 wt% of an abrasive having an average particle size of 5 to 150 nm; 0.001 to 1 wt% of an adamantyl material of the formula (II); 0-1 wt% di-tertiary material of formula (I); And tetraethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetracyclopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetraisobutylammonium hydroxide But are not limited to, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, hydroxides, hydroxides, , Tetracyclohexylammonium hydroxide, and mixtures thereof. The present invention also provides a chemical mechanical polishing composition comprising: 0 to 1 wt% of a quaternary ammonium compound selected from the group consisting of tetracyclohexylammonium hydroxide, tetracyclohexylammonium hydroxide,
상기 식에서,In this formula,
A는 N 및 P로부터 선택되고;A is selected from N and P;
각 R8은 독립적으로 수소, 포화 또는 불포화 C1-15 알킬 그룹, C6-15 아릴 그룹, C6-15 아르알킬 그룹 및 C6-15 알크아릴 그룹으로부터 선택되며;Each R 8 is independently selected from hydrogen, a saturated or unsaturated C 1-15 alkyl group, a C 6-15 aryl group, a C 6-15 aralkyl group, and a C 6-15 alkaryl group;
화학식 (II)에서 음이온은 화학식 (II)에서 양이온상의 + 전하와 균형을 이루는 임의의 음이온일 수 있고;The anion in formula (II) may be any anion which is in balance with the + charge on the cation in formula (II);
각 X는 독립적으로 N 및 P로부터 선택되며;Each X is independently selected from N and P;
R1은 포화 또는 불포화 C1-C15 알킬 그룹, C6-C15 아릴 그룹 및 C6-C15 아르알킬 그룹이고;R 1 is a saturated or unsaturated C 1 -C 15 alkyl group, a C 6 -C 15 aryl group and a C 6 -C 15 aralkyl group;
R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소, 포화 또는 불포화 C1-C15 알킬 그룹, C6-C15 아릴 그룹, C6-C15 아르알킬 그룹 및 C6-C15 알크아릴 그룹으로부터 선택되며;R2, R3, R4, R5, R6And R7Are each independently hydrogen, a saturated or unsaturated COne-C15 Alkyl group, C6-C15 Aryl group, C6-C15 Aralkyl groups and C6-C15 Alkaryl group;
화학식 (I)에서 음이온은 화학식 (I)에서 양이온상의 2+ 전하와 균형을 이루는 임의의 음이온 또는 음이온들의 조합일 수 있다.The anion in formula (I) may be any combination of anions or anions that balance the 2+ charge on the cation in formula (I).
본 발명은 초기 성분으로서, 물; 평균 입자 크기 5 내지 150 nm인 연마제 0.1 내지 40 wt%; 화학식 (II)의 아다만틸 물질 0.001 내지 1 wt%; 및 (a) 화학식 (I)의 디-사급 물질 0.001 내지 1 wt% 및 (b) 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라프로필 암모늄 하이드록사이드, 테트라이소프로필 암모늄 하이드록사이드, 테트라사이클로프로필 암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라이소부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라 t-부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라 sec-부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라사이클로부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라펜틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라사이클로펜틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라헥실 암모늄 하이드록사이드, 테트라사이클로헥실 암모늄 하이드록사이드, 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 사급 암모늄 화합물 0.005 내지 1 wt%중 적어도 하나를 포함하는 화학 기계적 연마 조성물을 제공한다:As an initial component, the present invention comprises water; 0.1 to 40 wt% of an abrasive having an average particle size of 5 to 150 nm; 0.001 to 1 wt% of adamantyl material of formula (II); And (a) 0.001 to 1 wt% of a di-sub ingredient of formula (I) and (b) at least one compound selected from the group consisting of tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide , Tetracyclopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetraisobutylammonium hydroxide, tetra-t-butylammonium hydroxide, tetra-sec-butylammonium hydroxide, tetracyclobutylammonium hydroxide, From 0.005 to 1 wt% of a quaternary ammonium compound selected from tetrapentyl ammonium hydroxide, tetra-pentyl ammonium hydroxide, tetracyclopentyl ammonium hydroxide, tetrahexyl ammonium hydroxide, tetracyclohexyl ammonium hydroxide, and mixtures thereof A chemical mechanical polishing composition The ball:
상기 식에서,In this formula,
A는 N 및 P로부터 선택되고;A is selected from N and P;
각 R8은 독립적으로 수소, 포화 또는 불포화 C1-15 알킬 그룹, C6-15 아릴 그룹, C6-15 아르알킬 그룹 및 C6-15 알크아릴 그룹으로부터 선택되며;Each R 8 is independently selected from hydrogen, a saturated or unsaturated C 1-15 alkyl group, a C 6-15 aryl group, a C 6-15 aralkyl group, and a C 6-15 alkaryl group;
화학식 (II)에서 음이온은 화학식 (II)에서 양이온상의 + 전하와 균형을 이루는 임의의 음이온일 수 있고;The anion in formula (II) may be any anion which is in balance with the + charge on the cation in formula (II);
각 X는 독립적으로 N 및 P로부터 선택되며;Each X is independently selected from N and P;
R1은 포화 또는 불포화 C1-C15 알킬 그룹, C6-C15 아릴 그룹 및 C6-C15 아르알킬 그룹이고;R 1 is a saturated or unsaturated C 1 -C 15 alkyl group, a C 6 -C 15 aryl group and a C 6 -C 15 aralkyl group;
R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소, 포화 또는 불포화 C1-C15 알킬 그룹, C6-C15 아릴 그룹, C6-C15 아르알킬 그룹 및 C6-C15 알크아릴 그룹으로부터 선택되며;R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 and R 7 is independently selected from hydrogen, a saturated or unsaturated C 1 -C 15 alkyl group, a C 6 -C 15 aryl group, a C 6 -C 15 aralkyl group and a C 6 -C 15 alkaryl group;
화학식 (I)에서 음이온은 화학식 (I)에서 양이온상의 2+ 전하와 균형을 이루는 임의의 음이온 또는 음이온들의 조합일 수 있다.The anion in formula (I) may be any combination of anions or anions that balance the 2+ charge on the cation in formula (I).
본 발명은 초기 성분으로서, 물; 평균 입자 크기 5 내지 150 nm인 연마제 0.1 내지 40 wt%; 화학식 (I)의 디-사급 물질 0.001 내지 1 wt%; 및 화학식 (II)의 아다만틸 물질 0.001 내지 1 wt%를 포함하는 화학 기계적 연마 조성물을 제공한다:As an initial component, the present invention comprises water; 0.1 to 40 wt% of an abrasive having an average particle size of 5 to 150 nm; 0.001 to 1 wt% of a di-sub ingredient of formula (I); And 0.001 to 1 wt% of an adamantyl material of formula (II): < EMI ID =
상기 식에서,In this formula,
각 X는 독립적으로 N 및 P로부터 선택되고;Each X is independently selected from N and P;
R1은 포화 또는 불포화 C1-C15 알킬 그룹, C6-C15 아릴 그룹 및 C6-C15 아르알킬 그룹이며;R 1 is a saturated or unsaturated C 1 -C 15 alkyl group, a C 6 -C 15 aryl group and a C 6 -C 15 aralkyl group;
R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소, 포화 또는 불포화 C1-C15 알킬 그룹, C6-C15 아릴 그룹, C6-C15 아르알킬 그룹 및 C6-C15 알크아릴 그룹으로부터 선택되고;R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 and R 7 is independently selected from hydrogen, a saturated or unsaturated C 1 -C 15 alkyl group, a C 6 -C 15 aryl group, a C 6 -C 15 aralkyl group and a C 6 -C 15 alkaryl group;
화학식 (I)에서 음이온은 화학식 (I)에서 양이온상의 2+ 전하와 균형을 이루는 임의의 음이온 또는 음이온들의 조합일 수 있으며;The anion in formula (I) may be any combination of anions or anions which balance with the 2+ charge on the cation in formula (I);
A는 N 및 P로부터 선택되고;A is selected from N and P;
각 R8은 독립적으로 수소, 포화 또는 불포화 C1-15 알킬 그룹, C6-15 아릴 그룹, C6-15 아르알킬 그룹 및 C6-15 알크아릴 그룹으로부터 선택되며;Each R 8 is independently selected from hydrogen, a saturated or unsaturated C 1-15 alkyl group, a C 6-15 aryl group, a C 6-15 aralkyl group, and a C 6-15 alkaryl group;
화학식 (II)에서 음이온은 화학식 (II)에서 양이온상의 + 전하와 균형을 이루는 임의의 음이온일 수 있다.The anion in formula (II) may be any anion that is in balance with the + charge on the cation in formula (II).
본 발명은 초기 성분으로서, 물; 평균 입자 크기 5 내지 150 nm인 연마제 0.1 내지 40 wt%; 화학식 (II)의 아다만틸 물질 0.001 내지 1 wt%; 및 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라프로필 암모늄 하이드록사이드, 테트라이소프로필 암모늄 하이드록사이드, 테트라사이클로프로필 암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라이소부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라 t-부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라 sec-부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라사이클로부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라펜틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라사이클로펜틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라헥실 암모늄 하이드록사이드, 테트라사이클로헥실 암모늄 하이드록사이드, 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 사급 암모늄 화합물 0.005 내지 1 wt%를 포함하는 화학 기계적 연마 조성물을 제공한다:As an initial component, the present invention comprises water; 0.1 to 40 wt% of an abrasive having an average particle size of 5 to 150 nm; 0.001 to 1 wt% of adamantyl material of formula (II); And tetraethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetracyclopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetraisobutylammonium hydroxide But are not limited to, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, hydroxides, hydroxides, 0.005 to 1 wt% of a quaternary ammonium compound selected from the group consisting of tetracyclohexylammonium hydroxide, tetracyclohexylammonium hydroxide, and mixtures thereof.
상기 식에서,In this formula,
A는 N 및 P로부터 선택되고;A is selected from N and P;
각 R8은 독립적으로 수소, 포화 또는 불포화 C1-15 알킬 그룹, C6-15 아릴 그룹, C6-15 아르알킬 그룹 및 C6-15 알크아릴 그룹으로부터 선택되며;Each R 8 is independently selected from hydrogen, a saturated or unsaturated C 1-15 alkyl group, a C 6-15 aryl group, a C 6-15 aralkyl group, and a C 6-15 alkaryl group;
화학식 (II)에서 음이온은 화학식 (II)에서 양이온상의 + 전하와 균형을 이루는 임의의 음이온일 수 있다.The anion in formula (II) may be any anion that is in balance with the + charge on the cation in formula (II).
본 발명은 실리콘 다이옥사이드를 포함하는 기판을 제공하는 단계; 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 0.69 내지 34.5 kPa의 다운 포스(down force)로 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스에 동적 접촉을 발생시키는 단계; 및 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스 또는 그 부근의 화학 기계적 연마 패드상에 화학 기계적 연마 조성물을 분배하는 단계를 포함하며; 여기에서 화학 기계적 연마 조성물의 pH는 2 내지 6인, 기판의 화학 기계적 연마 방법을 제공한다.The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device comprising: providing a substrate comprising silicon dioxide; Providing a chemical mechanical polishing composition of the present invention; Providing a chemical mechanical polishing pad; Generating a dynamic contact at an interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate with a down force of 0.69 to 34.5 kPa; And dispensing the chemical mechanical polishing composition onto a chemical mechanical polishing pad at or near the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate; Wherein the chemical mechanical polishing composition has a pH of 2 to 6, wherein the pH of the chemical mechanical polishing composition is from 2 to 6.
본 발명은 실리콘 다이옥사이드를 포함하는 기판을 제공하는 단계; 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 0.69 내지 34.5 kPa의 다운 포스로 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스에 동적 접촉을 발생시키는 단계; 및 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스 또는 그 부근의 화학 기계적 연마 패드상에 화학 기계적 연마 조성물을 분배하는 단계를 포함하며; 여기에서 화학 기계적 연마 조성물의 pH는 2 내지 6이고 화학 기계적 연마 조성물의 실리콘 다이옥사이드 제거 속도가 적어도 1,500 Å/분인, 기판의 화학 기계적 연마 방법을 제공한다.The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device comprising: providing a substrate comprising silicon dioxide; Providing a chemical mechanical polishing composition of the present invention; Providing a chemical mechanical polishing pad; Generating dynamic contact at the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate with a down force of 0.69 to 34.5 kPa; And dispensing the chemical mechanical polishing composition onto a chemical mechanical polishing pad at or near the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate; Wherein the pH of the chemical mechanical polishing composition is from 2 to 6 and the chemical silicon polishing rate of the chemical mechanical polishing composition is at least 1,500 A / min.
본 발명에 의해 안정화된 화학 기계적 연마 조성물이 제공된다.A chemical mechanical polishing composition stabilized by the present invention is provided.
상세한 설명details
상세한 설명 및 청구범위에 사용된 용어 "최소 효과"는 화학 기계적 연마 조성물에 화학식 (II)의 아다만틸 물질을 첨가함으로써 나타나게 되는 실리콘 옥사이드의 제거 속도(Å/분으로 측정된 제거 속도로) 변화가 10% 이하로 변화됨을 가리킨다. 즉, 화학 기계적 연마 조성물에 화학식 (II)의 아다만틸 물질의 첨가가 실리콘 옥사이드의 제거 속도에 최소 효과를 가지는 경우, 하기 표현이 만족될 것이다:As used in the description and claims, the term " minimal effect "refers to the rate of removal of silicon oxide (as measured by the removal rate in Å / min) as indicated by the addition of the adamantyl material of formula (II) to the chemical mechanical polishing composition To 10% or less. That is, when the addition of the adamantyl material of formula (II) to the chemical mechanical polishing composition has a minimal effect on the removal rate of the silicon oxide, the following expression will be satisfied:
((A0-A)의 절대값/A0)*100 ≤ 10(Absolute value of (A 0 -A) / A 0 ) * 100? 10
상기 식에서,In this formula,
A는 실시예에 기재된 연마 조건하에서 측정시, 화학식 (II)의 아다만틸 물질을 초기 성분으로 포함하는 본 발명에 따른 화학 기계적 연마 조성물에 대한 실리콘 옥사이드 제거 속도(Å/분)이고; A0은 화학 기계적 연마 조성물에 화학식 (II)의 아다만틸 물질이 존재하지 않는 것을 제외하고는 동일한 조건하에서 얻어진 실리콘 옥사이드의 제거 속도(Å/분)이다.A is the silicon oxide removal rate (Å / min) for a chemical mechanical polishing composition according to the present invention comprising an adamantyl material of formula (II) as an initial component, as measured under the polishing conditions described in the examples; A 0 is the removal rate (Å / min) of silicon oxide obtained under the same conditions except that the adamantyl material of formula (II) is not present in the chemical mechanical polishing composition.
본 발명의 화학 기계적 연마 방법에 사용되는 화학 기계적 연마 조성물의 특정 제제를 선택하는 것은 목표로 하는 실리콘 다이옥사이드 제거 속도를 제공하는데 결정적이다.The choice of a particular formulation of the chemical mechanical polishing composition used in the chemical mechanical polishing method of the present invention is crucial to provide the desired silicon dioxide removal rate.
화학 기계적 연마를 위해 본 발명의 화학 기계적 연마 방법에 사용하기에 적합한 기판은 실리콘 다이옥사이드가 위에 침착된 반도체 기판을 포함한다. 임의로, 기판은 적어도 하나의 SiC, SiCN, Si3N4, SiCO 및 폴리실리콘(가장 바람직하게는 Si3N4)이 침착된 실리콘 다이옥사이드를 가진다.A substrate suitable for use in the chemical mechanical polishing method of the present invention for chemical mechanical polishing comprises a semiconductor substrate on which silicon dioxide is deposited. Optionally, the substrate has at least one of SiC, SiCN, Si 3 N 4, and polysilicon a SiCO (most preferably Si 3 N 4) is deposited silicon dioxide.
본 발명의 화학 기계적 연마 조성물에 사용하기에 적합한 연마제로는, 예를 들어, 무기 산화물, 무기 수산화물, 무기 수산화 산화물, 금속 붕소화물, 금속 탄화물, 금속 질화물, 폴리머 입자 및 이들 적어도 하나를 포함하는 혼합물을 들 수 있다. 적합한 무기 산화물에는, 예를 들어, 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 산화세륨(CeO2), 산화망간(MnO2), 산화티탄(TiO2) 또는 이들 산화물의 적어도 하나를 포함하는 혼합물이 포함된다. 이들 무기 산화물의 개질 형태, 예컨대 유기 폴리머-코팅된 무기 산화물 입자 및 무기 코팅 입자가 또한 필요에 따라 이용될 수 있다. 적합한 금속 탄화물, 붕소화물 및 질화물에는, 예를 들어, 탄화규소, 질화규소, 실리콘 탄소질화물(SiCN), 탄화붕소, 탄화텅스텐, 탄화지르콘, 붕소화알루미늄, 탄화탄탈룸, 탄화티탄 또는 적어도 하나의 상기 금속 탄화물, 붕소화물 및 질화물을 포함하는 조합물이 포함된다. 바람직하게, 연마제는 콜로이드성 실리카 연마제이다.Examples of the abrasive suitable for use in the chemical mechanical polishing composition of the present invention include inorganic oxides, inorganic hydroxides, inorganic hydroxides, metal borides, metal carbides, metal nitrides, polymer particles, and mixtures containing at least one of these . Suitable inorganic oxide, e.g., silica (SiO 2), alumina (Al 2 O 3), zirconia (ZrO 2), cerium (CeO 2), manganese oxide (MnO 2), titanium oxide (TiO 2), or And mixtures comprising at least one of these oxides. Modified forms of these inorganic oxides, such as organic polymer-coated inorganic oxide particles and inorganic coated particles, may also be used as needed. Suitable metal carbides, borides and nitrides include, for example, silicon carbide, silicon nitride, silicon carbon nitride (SiCN), boron carbide, tungsten carbide, zirconium carbide, aluminum boronate, titanium carbide, titanium carbide, Carbides, borides, and nitrides. Preferably, the abrasive is a colloidal silica abrasive.
본 발명의 화학 기계적 연마 조성물중에 연마제는 바람직하게는 평균 입자 크기가 5 내지 150 nm; 더욱 바람직하게는 20 내지 100 nm; 더욱 더 바람직하게는 20 내지 60 nm; 가장 바람직하게는 20 내지 50 nm이다. The abrasive in the chemical mechanical polishing composition of the present invention preferably has an average particle size of 5 to 150 nm; More preferably 20 to 100 nm; Even more preferably from 20 to 60 nm; Most preferably 20 to 50 nm.
본 발명의 화학 기계적 연마 조성물중에 연마제는 바람직하게는 연마제를 0.1 내지 40 wt%, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 20 wt %, 더욱 더 바람직하게는 1 내지 20 wt%, 가장 바람직하게는 1 내지 10 wt%로 함유한다.The abrasive in the chemical mechanical polishing composition of the present invention preferably contains the abrasive in an amount of 0.1 to 40 wt%, more preferably 0.1 to 20 wt%, even more preferably 1 to 20 wt%, and most preferably 1 to 10 wt %.
바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 평균 입자 크기가 20 내지 60 nm인 콜로이드성 실리카 연마제를 포함한다. 더욱 더 바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 평균 입자 크기가 20 내지 60 nm인 콜로이드성 실리카 연마제를 1 내지 10 wt% 포함한다. 가장 바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 평균 입자 크기가 20 내지 50 nm인 콜로이드성 실리카 연마제를 1 내지 10 wt% 포함한다.Preferably, the chemical mechanical polishing composition of the present invention comprises a colloidal silica abrasive having an average particle size of 20 to 60 nm. Even more preferably, the chemical mechanical polishing composition of the present invention comprises 1 to 10 wt% of a colloidal silica abrasive having an average particle size of 20 to 60 nm. Most preferably, the chemical mechanical polishing composition of the present invention comprises 1 to 10 wt% of a colloidal silica abrasive having an average particle size of 20 to 50 nm.
바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 하기 화학식 (II)의 아다만틸 물질을 0.001 내지 1 wt%, 더욱 바람직하게는 0.01 내지 0.1 wt%, 가장 바람직하게는 0.01 내지 0.05 wt%로 포함한다:Preferably, the chemical mechanical polishing composition of the present invention comprises 0.001 to 1 wt%, more preferably 0.01 to 0.1 wt%, and most preferably 0.01 to 0.05 wt% of an adamantyl material of the formula (II) :
상기 식에서,In this formula,
A는 N 및 P(바람직하게는 N)로부터 선택되고;A is selected from N and P (preferably N);
각 R8은 독립적으로 수소, 포화 또는 불포화 C1-C15 알킬 그룹, C6-C15 아릴 그룹, C6-15 아르알킬 그룹 및 C6-C15 알크아릴 그룹(바람직하게는 수소 및 C1-C4 알킬 그룹; 더욱 바람직하게는 수소 및 메틸 그룹; 가장 바람직하게는 메틸 그룹)로부터 선택되며;Each R 8 is independently selected from the group consisting of hydrogen, a saturated or unsaturated C 1 -C 15 alkyl group, a C 6 -C 15 aryl group, a C 6-15 aralkyl group, and a C 6 -C 15 alkaryl group, C 1 -C 4 alkyl group, more preferably hydrogen and methyl group, most preferably methyl group);
화학식 (II)에서 음이온은 화학식 (II)에서 양이온상의 + 전하와 균형을 이루는 임의의 음이온일 수 있다(바람직하게, 화학식 (II)에서 음이온은 할로겐 음이온, 하이드록사이드 음이온, 및 니트라이트 음이온; 더욱 바람직하게는 할로겐 음이온 및 하이드록사이드 음이온; 가장 바람직하게는 하이드록사이드 음이온으로부터 선택됨).In formula (II), the anion may be any anion which is in balance with the + charge on the cation in formula (II) (preferably the anion in formula (II) is a halogen anion, a hydroxide anion, and a nitrite anion; More preferably a halogen anion and a hydroxide anion, most preferably a hydroxide anion).
더욱 바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 A가 N이고; 각 R8은 독립적으로 수소, 포화 또는 불포화 C1-C15 알킬 그룹, C6-C15 아릴 그룹, C6-15 아르알킬 그룹 및 C6-C15 알크아릴 그룹(바람직하게는 수소 및 C1-C4 알킬 그룹; 더욱 바람직하게는 수소 및 메틸 그룹; 가장 바람직하게는 메틸 그룹)으로부터 선택되며; 화학식 (II)에서 음이온은 화학식 (II)에서 양이온상의 + 전하와 균형을 이루는 임의의 음이온(화학식 (II)에서 음이온은 할로겐 음이온, 하이드록사이드 음이온, 및 니트라이트 음이온; 더욱 바람직하게는 할로겐 음이온 및 하이드록사이드 음이온; 가장 바람직하게는 하이드록사이드 음이온으로부터 선택됨)일 수 있는 화학식 (II)의 아다만틸암모늄 물질인 아다만틸 물질을 0.001 내지 1 wt%, 더욱 바람직하게는 0.01 내지 0.1 wt%, 가장 바람직하게는 0.01 내지 0.05 wt%로 포함한다. 가장 바람직하게는 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 하기 화학식의 아다만틸암모늄 물질을 0.01 내지 0.05 wt% 포함한다:More preferably, the chemical mechanical polishing composition of the present invention has A = N; Each R 8 is independently selected from the group consisting of hydrogen, a saturated or unsaturated C 1 -C 15 alkyl group, a C 6 -C 15 aryl group, a C 6-15 aralkyl group, and a C 6 -C 15 alkaryl group, C 1 -C 4 alkyl group, more preferably hydrogen and methyl group, most preferably methyl group); In the formula (II), the anion may be any anion which is in balance with the positive charge on the cation in the formula (II) (the anion in the formula (II) is a halogen anion, a hydroxide anion, and a nitrite anion, more preferably a halogen anion And more preferably 0.01 to 0.1 wt%, of an adamantyl material, which is an adamantylammonium material of formula (II), which may be a hydroxystyrene anion and a hydroxide anion, most preferably a hydroxide anion. %, And most preferably 0.01 to 0.05 wt%. Most preferably, the chemical mechanical polishing composition of the present invention comprises 0.01 to 0.05 wt% of an adamantylammonium material of the formula:
화학식 (II)의 아다만틸 물질을 포함하게 되면 실리콘 옥사이드 제거 속도에 최소 효과를 주면서 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물의 안정성이 향상되게 된다. 바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물에 의해 나타나게 되는 실리콘 옥사이드 제거 속도, (A), (Å/분)는 실시예에 기재된 연마 조건하에서 측정시, 화학 기계적 연마 조성물에 화학식 (II)의 아다만틸 물질이 존재하지 않는 것을 제외하고는 동일한 조건하에서 얻어진 실리콘 옥사이드의 제거 속도(A0)의 ≥ 95% (더욱 바람직하게는 ≥ 98%; 가장 바람직하게는 ≥ 99%)이다.The inclusion of the adamantyl material of formula (II) improves the stability of the chemical mechanical polishing composition of the present invention while minimizing the silicon oxide removal rate. Preferably, the silicon oxide removal rate, (A), (A / min), as exhibited by the chemical mechanical polishing composition of the present invention, Is 95% (more preferably? 98%; most preferably? 99%) of the removal rate (A 0 ) of the silicon oxide obtained under the same conditions, except that the til material is not present.
본 발명의 화학 기계적 연마 조성물에 함유된 물은 바람직하게는 우발적인 불순물을 제한하기 위한 적어도 하나의 탈이온수 및 증류수이다.The water contained in the chemical mechanical polishing composition of the present invention is preferably at least one deionized water and distilled water to limit accidental impurities.
임의로, 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 초기 성분으로서, 하기 화학식 (I)의 디-사급 물질을 포함한다:Optionally, the chemical mechanical polishing composition of the present invention comprises, as an initial component, a di-sub ingredient of the formula (I)
상기 식에서,In this formula,
각 X는 독립적으로 N 및 P로부터 선택되고, 바람직하게 각 X는 N이며;Each X is independently selected from N and P, preferably each X is N;
R1은 포화 또는 불포화 C1-C15 알킬 그룹, C6-C15 아릴 그룹 및 C6-C15 아르알킬 그룹(바람직하게는 C4-C10 알킬 그룹; 더욱 바람직하게는 C2-C6 알킬 그룹; 가장 바람직하게는 -(CH2)6- 그룹)이며;R 1 is a saturated or unsaturated C 1 -C 15 alkyl group, a C 6 -C 15 aryl group and a C 6 -C 15 aralkyl group (preferably a C 4 -C 10 alkyl group; more preferably a C 2 -C 6 alkyl group, most preferably a - (CH 2 ) 6 - group;
R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소, 포화 또는 불포화 C1-C15 알킬 그룹, C6-C15 아릴 그룹, C6-C15 아르알킬 그룹 및 C6-C15 알크아릴 그룹(바람직하게는 수소 및 C1-C4 알킬 그룹; 더욱 바람직하게는 수소 및 메틸 그룹; 가장 바람직하게는 메틸 그룹)로부터 선택되고;R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 and R 7 is each independently selected from the group consisting of hydrogen, a saturated or unsaturated C 1 -C 15 alkyl group, a C 6 -C 15 aryl group, a C 6 -C 15 aralkyl group and a C 6 -C 15 alkaryl group And C 1 -C 4 alkyl groups, more preferably hydrogen and methyl groups, most preferably methyl groups);
화학식 (I)에서 음이온은 화학식 (I)에서 양이온상의 2+ 전하와 균형을 이루는 임의의 음이온 또는 음이온들의 조합일 수 있다(바람직하게, 화학식 (I)에서 음이온(들)은 할로겐 음이온, 하이드록사이드 음이온, 니트레이트 음이온, 설페이트 음이온 및 포스페이트 음이온; 더욱 바람직하게는 할로겐 음이온 및 하이드록사이드 음이온; 가장 바람직하게는 하이드록사이드 음이온으로부터 선택된다). 바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은, 초기 성분으로서, 0.001 내지 1 wt% (더욱 바람직하게는 0.01 내지 0.1 wt%, 가장 바람직하게는 0.01 내지 0.05 wt%)의 화학식 (I)의 디-사급 물질을 포함한다. 가장 바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 0.01 내지 0.05 wt%의 화학식 (I)의 디-사급 물질을 포함하며, 여기에서 각 X는 N이고; R1은 -(CH2)6- 그룹이며; R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 각각 -(CH2)3CH3 그룹이다. 화학식 (I)의 디-사급 물질을 포함함으로써 실리콘 다이옥사이드의 제거 속도가 촉진된다. The anion in formula (I) may be any anion or combination of anions that balance the 2+ charge on the cation in formula (I) (preferably, the anion (s) in formula (I) is a halogen anion, A side anion, a nitrate anion, a sulfate anion and a phosphate anion, more preferably a halogen anion and a hydroxide anion, and most preferably a hydroxide anion). Preferably, the chemical mechanical polishing composition of the present invention comprises 0.001 to 1 wt% (more preferably 0.01 to 0.1 wt%, most preferably 0.01 to 0.05 wt%) of the di- Contains subcritical substances. Most preferably, the chemical mechanical polishing composition of the present invention comprises from 0.01 to 0.05 wt% of a sub-material of formula (I) wherein each X is N; R 1 is a - (CH 2 ) 6 - group; R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 and R 7 is each - (CH 2 ) 3 CH 3 group. By including the di-sub ingredient of formula (I), the removal rate of silicon dioxide is promoted.
임의로, 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 초기 성분으로서, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라프로필 암모늄 하이드록사이드, 테트라이소프로필 암모늄 하이드록사이드, 테트라사이클로프로필 암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라이소부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라 t-부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라 sec-부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라사이클로부틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라펜틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라사이클로펜틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라헥실 암모늄 하이드록사이드, 테트라사이클로헥실 암모늄 하이드록사이드, 및 이들의 혼합물 (가장 바람직하게는, 테트라에틸 암모늄 하이드록사이드 (TEAH), 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 (TMAH) 및 테트라부틸암모늄 하이드록사이드 (TBAH))로부터 선택되는 사급 암모늄 화합물을 0 내지 1 wt%(바람직하게는 0.005 내지 1 wt%, 더욱 바람직하게는 0.005 내지 0.75 wt%; 가장 바람직하게는 0.005 내지 0.05 wt%)로 포함한다.Optionally, the chemical mechanical polishing composition of the present invention comprises, as initial components, at least one of tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetracyclopropylammonium hydroxide , Tetrabutylammonium hydroxide, tetraisobutylammonium hydroxide, tetra-t-butylammonium hydroxide, tetra-sec-butylammonium hydroxide, tetracyclobutylammonium hydroxide, tetrapentylammonium hydroxide, tetra Tetrabutylammonium hydroxide, cyclopentylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetracyclohexylammonium hydroxide, and mixtures thereof (most preferably, tetraethylammonium hydroxide (TEAH), tetramethylammonium hydroxide (Preferably from 0.005 to 1 wt%, more preferably from 0.005 to 0.75 wt%, most preferably from 0.005 to 1 wt%) of a quaternary ammonium compound selected from the group consisting of tetrabutylammonium hydroxide (TMAH) and tetrabutylammonium hydroxide (TBAH) 0.005 to 0.05 wt%).
본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 임의로 분산제, 계면활성제, 완충제 및 살생물제중에서 선택되는 추가의 첨가제를 더 포함한다.The chemical mechanical polishing composition of the present invention optionally further comprises further additives selected from dispersants, surfactants, buffers and biocides.
본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 임의로 부식 억제제가 없다. 상세한 설명 및 청구범위에 사용된 용어 "부식 억제제가 없다"는 것은 화학 기계적 연마 조성물이 벤조트리아졸; 1,2,3-벤조트리아졸; 5,6-디메틸-1,2,3-벤조트리아졸; 1-(1,2-디카복시에틸)벤조트리아졸; 1-[N,N-비스(하이드록실에틸)아미노메틸]벤조트리아졸; 또는 1-(하이드록실메틸)벤조트리아졸을 함유하지 않음을 의미한다.The chemical mechanical polishing composition of the present invention is optionally free of corrosion inhibitors. As used in the specification and claims, the term "no corrosion inhibitor" means that the chemical mechanical polishing composition comprises benzotriazole; 1,2,3-benzotriazole; 5,6-dimethyl-1,2,3-benzotriazole; 1- (1,2-dicarboxyethyl) benzotriazole; 1- [N, N-bis (hydroxylethyl) aminomethyl] benzotriazole; Or 1- (hydroxymethyl) benzotriazole.
본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 산화제가 없다. 상세한 설명 및 청구범위에 사용된 용어 "산화제가 없다"는 것은 화학 기계적 연마 조성물이 과산화수소, 과황산염(예를 들면, 암모늄 모노퍼설페이트, 및 포타슘 디퍼설페이트) 및 과요오드산염(예를 들면, 포타슘 퍼요오데이트)과 같은 산화제를 함유하지 않음을 의미한다.The chemical mechanical polishing composition of the present invention has no oxidizing agent. As used in the specification and claims, the term "oxidizing agent free" means that the chemical mechanical polishing composition is selected from the group consisting of hydrogen peroxide, persulfates (e.g., ammonium monopersulfate, and potassium diperphosphate) and periodate Peroxodisulfate) peroxidase.
본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 pH 2 내지 6에서 효과가 있다. 바람직하게, 사용된 화학 기계적 연마 조성물은 2 내지 5의 pH에서 효과가 있다. 가장 바람직하게, 사용된 화학 기계적 연마 조성물은 2 내지 4의 pH에서 효과가 있다. 화학 기계적 연마 조성물의 pH 조정을 위해 사용하기에 적합한 산으로는 예를 들어, 인산, 질산, 황산 및 염산이 포함된다. 화학 기계적 연마 조성물의 pH 조정을 위해 사용하기에 적합한 염기로는 예를 들어, 수산화암모늄 및 수산화칼륨이 포함된다.The chemical mechanical polishing composition of the present invention is effective at pH 2 to 6. Preferably, the chemical mechanical polishing composition used is effective at a pH of 2 to 5. Most preferably, the chemical mechanical polishing composition used is effective at a pH of from 2 to 4. Acids suitable for use in the pH adjustment of the chemical mechanical polishing composition include, for example, phosphoric acid, nitric acid, sulfuric acid and hydrochloric acid. Suitable bases for use in adjusting the pH of the chemical mechanical polishing composition include, for example, ammonium hydroxide and potassium hydroxide.
바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 실리콘 다이옥사이드의 제거 속도가 ≥ 1,500 Å/분; 더욱 바람직하게는 ≥ 1,800 Å/분; 가장 바람직하게는 ≥ 2,000 Å/분이다.Preferably, the chemical mechanical polishing composition of the present invention has a silicon dioxide removal rate of > 1,500 A / min; More preferably ≥ 1,800 Å / min; Most preferably > = 2,000 A / min.
바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 초기 성분으로서, 물; 평균 입자 크기 5 내지 150 nm(바람직하게는 20 내지 100 nm, 더욱 바람직하게는 20 내지 60 nm, 가장 바람직하게는 20 내지 50 nm)인 연마제 0.1 내지 40 wt%(바람직하게는 0.1 내지 20 wt %, 더욱 더 바람직하게는 1 내지 20 wt%, 가장 바람직하게는 1 내지 10 wt%); 하기 화학식 (I)의 디-사급 물질 0.001 내지 1 wt%(바람직하게는 0.01 내지 0.1 wt%, 더욱 바람직하게는 0.02 내지 0.06 wt%); 하기 화학식 (II)의 아다만틸 물질 0.001 내지 1 wt%(바람직하게는 0.01 내지 0.1 wt%; 가장 바람직하게는 0.01 내지 0.05 wt%); 및 사급 알킬암모늄 화합물 0 내지 1 wt%(바람직하게는 0.005 내지 1 wt%; 더욱 바람직하게는 0.005 내지 0.075 wt%, 가장 바람직하게는 0.005 내지 0.05 wt%)를 포함하며, 실리콘 다이옥사이드 제거 속도가 ≥ 1,500 Å/분; 바람직하게는 1,800 Å/분; 더욱 바람직하게는 ≥ 2,000 Å/분이다:Preferably, the chemical mechanical polishing composition of the present invention comprises, as an initial component, water; 0.1 to 40 wt% (preferably 0.1 to 20 wt%) of an abrasive having an average particle size of 5 to 150 nm (preferably 20 to 100 nm, more preferably 20 to 60 nm, most preferably 20 to 50 nm) , Even more preferably from 1 to 20 wt%, most preferably from 1 to 10 wt%); 0.001 to 1 wt% (preferably 0.01 to 0.1 wt%, more preferably 0.02 to 0.06 wt%) of a di-sub ingredient of the following formula (I); 0.001 to 1 wt% (preferably 0.01 to 0.1 wt%; most preferably 0.01 to 0.05 wt%) of an adamantyl material of the formula (II) below; 0 to 1 wt% (preferably 0.005 to 1 wt%; more preferably 0.005 to 0.075 wt%, and most preferably 0.005 to 0.05 wt%) of a quaternary alkylammonium compound, and the silicon dioxide removal rate is ≥ 1,500 A / min; Preferably 1,800 A / min; More preferably ≥ 2,000 Å / min:
상기 식에서,In this formula,
각 X는 독립적으로 N 및 P로부터 선택되고, 바람직하게는 각 X는 N이며;Each X is independently selected from N and P, preferably each X is N;
R1은 포화 또는 불포화 C1-C15 알킬 그룹, C6-C15 아릴 그룹 및 C6-C15 아르알킬 그룹(바람직하게는 C4-C10 알킬 그룹; 더욱 바람직하게는 C2-C6 알킬 그룹; 가장 바람직하게는 -(CH2)6- 그룹)이고;R 1 is a saturated or unsaturated C 1 -C 15 alkyl group, a C 6 -C 15 aryl group and a C 6 -C 15 aralkyl group (preferably a C 4 -C 10 alkyl group; more preferably a C 2 -C 6 alkyl group, most preferably a - (CH 2 ) 6 - group;
R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소, 포화 또는 불포화 C1-C15 알킬 그룹, C6-C15 아릴 그룹, C6-C15 아르알킬 그룹 및 C6-C15 알크아릴 그룹(바람직하게는 수소 및 C1-C4 알킬 그룹; 더욱 바람직하게는 수소 및 메틸 그룹; 가장 바람직하게는 메틸 그룹)로부터 선택되며;R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 and R 7 is each independently selected from the group consisting of hydrogen, a saturated or unsaturated C 1 -C 15 alkyl group, a C 6 -C 15 aryl group, a C 6 -C 15 aralkyl group and a C 6 -C 15 alkaryl group And C 1 -C 4 alkyl groups, more preferably hydrogen and methyl groups, most preferably methyl groups);
화학식 (I)에서 음이온은 화학식 (I)에서 양이온상의 2+ 전하와 균형을 이루는 임의의 음이온 또는 음이온들의 조합일 수 있고(바람직하게, 화학식 (I)에서 음이온은 할로겐 음이온, 하이드록사이드 음이온, 니트레이트 음이온, 설페이트 음이온 및 포스페이트 음이온; 더욱 바람직하게는 할로겐 음이온 및 하이드록사이드 음이온; 가장 바람직하게는 하이드록사이드 음이온으로부터 선택됨);The anion in formula (I) may be any combination of anions or anions which balance with the 2+ charge on the cation in formula (I) (preferably the anion in formula (I) is a halogen anion, a hydroxide anion, A nitrate anion, a sulfate anion and a phosphate anion, more preferably a halogen anion and a hydroxide anion, most preferably a hydroxide anion);
A는 N 및 P(바람직하게는 N)로부터 선택되며;A is selected from N and P (preferably N);
각 R8은 독립적으로 수소, 포화 또는 불포화 C1-C15 알킬 그룹, C6-C15 아릴 그룹, C6-15 아르알킬 그룹 및 C6-C15 알크아릴 그룹(바람직하게는 수소 및 C1-C4 알킬 그룹; 더욱 바람직하게는 수소 및 메틸 그룹; 가장 바람직하게는 메틸 그룹)로부터 선택되고;Each R 8 is independently selected from the group consisting of hydrogen, a saturated or unsaturated C 1 -C 15 alkyl group, a C 6 -C 15 aryl group, a C 6-15 aralkyl group, and a C 6 -C 15 alkaryl group, C 1 -C 4 alkyl group, more preferably hydrogen and methyl group, most preferably methyl group);
화학식 (II)에서 음이온은 화학식 (II)에서 양이온상의 + 전하와 균형을 이루는 임의의 음이온일 수 있다(바람직하게, 화학식 (II)에서 음이온은 할로겐 음이온, 하이드록사이드 음이온, 및 니트라이트 음이온; 더욱 바람직하게는 할로겐 음이온 및 하이드록사이드 음이온; 가장 바람직하게는 하이드록사이드 음이온으로부터 선택된다).In formula (II), the anion may be any anion which is in balance with the + charge on the cation in formula (II) (preferably the anion in formula (II) is a halogen anion, a hydroxide anion, and a nitrite anion; More preferably a halogen anion and a hydroxide anion, most preferably a hydroxide anion).
본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 바람직하게는 저장 안정성이 있다. 상세한 설명 및 청구범위에 사용된 용어 "저장 안정성"은 100 rpm으로 설정된 Brookfield #S00 스핀들을 이용하여 20 ℃에서 Brookfield DV-I+ 점도계로 측정시, 대상 화학 기계적 연마 조성물의 점도가 55 ℃에서 1 주 저장후 5% 미만으로 증가함을 의미한다. 더욱 바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물은 장기 저장 안정성을 나타낸다. 상세한 설명 및 청구범위에 사용된 용어 "장기 저장 안정성"은 100 rpm으로 설정된 Brookfield #S00 스핀들을 이용하여 20 ℃에서 Brookfield DV-I+ 점도계로 측정시, 대상 화학 기계적 연마 조성물의 점도가 55 ℃에서 4 주 저장후 15% 미만으로 증가함을 의미한다.The chemical mechanical polishing composition of the present invention is preferably storage stable. As used in the description and claims, the term "storage stability" refers to the viscosity of the subject chemical mechanical polishing composition when measured with a Brookfield DV-I + viscometer at 20 ° C using a Brookfield # S00 spindle set at 100 rpm at 55 ° C for one week It means that it increases to less than 5% after storage. More preferably, the chemical mechanical polishing composition of the present invention exhibits long-term storage stability. The term " long term storage stability "as used in the specification and claims means that when measured with a Brookfield DV-I + viscometer at 20 ° C using a Brookfield # S00 spindle set at 100 rpm, the viscosity of the subject chemical mechanical polishing composition is 4 It means that it increases to less than 15% after the main storage.
본 발명의 화학 기계적 연마 방법은 실리콘 다이옥사이드(임의로 실리콘 다이옥사이드 및 적어도 하나의 SiC, SiCN, Si3N4, SiCO 및 폴리실리콘; 바람직하게는 실리콘 니트라이드상에 침착된 실리콘 다이옥사이드)를 포함하는 기판을 제공하는 단계; 초기 성분으로서, 물, 평균 입자 크기 5 내지 150 nm(바람직하게는 20 내지 60 nm, 가장 바람직하게는 20 내지 50 nm)인 연마제 0.1 내지 40 wt%(바람직하게는 0.1 내지 20 wt %, 가장 바람직하게는 1 내지 10 wt%); 하기 화학식 (I)의 디-사급 물질 0 내지 1 wt%(바람직하게는 0.01 내지 1wt%; 더욱 바람직하게는 0.01 내지 0.1 wt%, 가장 바람직하게는 0.01 내지 0.05 wt%); 하기 화학식 (II)의 아다만틸 물질 0.001 내지 1 wt%(바람직하게는 0.01 내지 0.1 wt%; 가장 바람직하게는 0.01 내지 0.05 wt%); 및 사급 알킬암모늄 화합물 0 내지 1 wt%(바람직하게는 0.005 내지 1 wt%; 더욱 바람직하게는 0.005 내지 0.075 wt%, 가장 바람직하게는 0.005 내지 0.05 wt%)를 포함하는 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 0.69 내지 34.5 kPa (0.1 내지 5 psi), 바람직하게는 0.69 내지 20.7 kPa (0.1 내지 3 psi)의 다운 포스로 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스에 동적 접촉을 발생시키는 단계; 및 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스 또는 그 부근의 화학 기계적 연마 패드상에 화학 기계적 연마 조성물을 분배하는 단계를 포함하며; 여기에서 화학 기계적 연마 조성물의 pH는 2 내지 6, 바람직하게는 2 내지 5, 가장 바람직하게는 2 내지 4이고, 실리콘 다이옥사이드 및 실리콘 니트라이드는 화학 기계적 연마 조성물에 노출되며; 화학 기계적 연마 조성물의 실리콘 다이옥사이드 제거 속도가 ≥ 1,500 Å/분, 바람직하게는 1,800 Å/분, 더욱 바람직하게는 ≥ 2,000 Å/분이다:A chemical mechanical polishing method of the present invention is silicon dioxide; a substrate comprising the (optionally silicon dioxide and at least one of SiC, SiCN, Si 3 N 4 , SiCO and polysilicon preferably silicon dioxide deposited on silicon nitride) ; (Preferably 0.1 to 20 wt%, most preferably 0.1 to 20 wt%) of an abrasive having an average particle size of 5 to 150 nm (preferably 20 to 60 nm, most preferably 20 to 50 nm) 1 to 10 wt%); 0 to 1 wt% (preferably 0.01 to 1 wt%; more preferably 0.01 to 0.1 wt%, most preferably 0.01 to 0.05 wt%) of a di-sub ingredient of the following formula (I); 0.001 to 1 wt% (preferably 0.01 to 0.1 wt%; most preferably 0.01 to 0.05 wt%) of an adamantyl material of the formula (II) below; And a chemical mechanical polishing composition of the present invention comprising 0 to 1 wt% (preferably 0.005 to 1 wt%; more preferably 0.005 to 0.075 wt%, and most preferably 0.005 to 0.05 wt%) of a quaternary alkylammonium compound ; Providing a chemical mechanical polishing pad; Generating dynamic contact at the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate with a down force of from 0.69 to 34.5 kPa (0.1 to 5 psi), preferably from 0.69 to 20.7 kPa (0.1 to 3 psi); And dispensing the chemical mechanical polishing composition onto a chemical mechanical polishing pad at or near the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate; Wherein the pH of the chemical mechanical polishing composition is 2 to 6, preferably 2 to 5, most preferably 2 to 4, the silicon dioxide and silicon nitride being exposed to the chemical mechanical polishing composition; The removal rate of silicon dioxide in the chemical mechanical polishing composition is ≥ 1,500 Å / min, preferably 1,800 Å / min, more preferably ≥ 2,000 Å / min:
상기 식에서,In this formula,
각 X는 독립적으로 N 및 P로부터 선택되고, 바람직하게 각 X는 N이며;Each X is independently selected from N and P, preferably each X is N;
R1은 포화 또는 불포화 C1-C15 알킬 그룹, C6-C15 아릴 그룹 및 C6-C15 아르알킬 그룹(바람직하게는 C4-C10 알킬 그룹; 더욱 바람직하게는 C2-C6 알킬 그룹; 가장 바람직하게는 -(CH2)6- 그룹)이고;R 1 is a saturated or unsaturated C 1 -C 15 alkyl group, a C 6 -C 15 aryl group and a C 6 -C 15 aralkyl group (preferably a C 4 -C 10 alkyl group; more preferably a C 2 -C 6 alkyl group, most preferably a - (CH 2 ) 6 - group;
R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소, 포화 또는 불포화 C1-C15 알킬 그룹, C6-C15 아릴 그룹, C6-C15 아르알킬 그룹 및 C6-C15 알크아릴 그룹(바람직하게는 수소 및 C1-C4 알킬 그룹; 더욱 바람직하게는 수소 및 메틸 그룹; 가장 바람직하게는 메틸 그룹)로부터 선택되며;R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 and R 7 is each independently selected from the group consisting of hydrogen, a saturated or unsaturated C 1 -C 15 alkyl group, a C 6 -C 15 aryl group, a C 6 -C 15 aralkyl group and a C 6 -C 15 alkaryl group And C 1 -C 4 alkyl groups, more preferably hydrogen and methyl groups, most preferably methyl groups);
화학식 (I)에서 음이온은 화학식 (I)에서 양이온상의 2+ 전하와 균형을 이루는 임의의 음이온 또는 음이온들의 조합일 수 있고(바람직하게, 화학식 (I)에서 음이온은 할로겐 음이온, 하이드록사이드 음이온, 니트레이트 음이온, 설페이트 음이온 및 포스페이트 음이온; 더욱 바람직하게는 할로겐 음이온 및 하이드록사이드 음이온; 가장 바람직하게는 하이드록사이드 음이온으로부터 선택된다); The anion in formula (I) may be any combination of anions or anions which balance with the 2+ charge on the cation in formula (I) (preferably the anion in formula (I) is a halogen anion, a hydroxide anion, A nitrate anion, a sulfate anion and a phosphate anion, more preferably a halogen anion and a hydroxide anion, and most preferably a hydroxide anion);
A는 N 및 P(바람직하게는 N)로부터 선택되며;A is selected from N and P (preferably N);
각 R8은 독립적으로 수소, 포화 또는 불포화 C1-C15 알킬 그룹, C6-C15 아릴 그룹, C6-15 아르알킬 그룹 및 C6-C15 알크아릴 그룹(바람직하게는 수소 및 C1-C4 알킬 그룹; 더욱 바람직하게는 수소 및 메틸 그룹; 가장 바람직하게는 메틸 그룹)으로부터 선택되고;Each R 8 is independently selected from the group consisting of hydrogen, a saturated or unsaturated C 1 -C 15 alkyl group, a C 6 -C 15 aryl group, a C 6-15 aralkyl group, and a C 6 -C 15 alkaryl group, C 1 -C 4 alkyl group, more preferably hydrogen and methyl group, most preferably methyl group);
화학식 (II)에서 음이온은 화학식 (II)에서 양이온상의 + 전하와 균형을 이루는 임의의 음이온일 수 있다(바람직하게, 화학식 (II)에서 음이온은 할로겐 음이온, 하이드록사이드 음이온, 및 니트라이트 음이온; 더욱 바람직하게는 할로겐 음이온 및 하이드록사이드 음이온; 가장 바람직하게는 하이드록사이드 음이온으로부터 선택된다).In formula (II), the anion may be any anion which is in balance with the + charge on the cation in formula (II) (preferably the anion in formula (II) is a halogen anion, a hydroxide anion, and a nitrite anion; More preferably a halogen anion and a hydroxide anion, most preferably a hydroxide anion).
바람직하게, 사용된 화학 기계적 연마 조성물은 실리콘 다이옥사이드 대 실리콘 니트라이드 선택성이 ≥ 5:1, 더욱 바람직하게는 ≥ 6:1이다. 바람직하게, 화학 기계적 연마 조성물에 사용된 연마제는 콜로이드성 실리카이며, 사용된 화학 기계적 연마 조성물은 실리콘 다이옥사이드의 제거 속도가 93 rpm(분당 회전)의 플래튼 속도, 87 rpm의 캐리어 속도, 200 ml/분의 화학 기계적 연마 조성물 유속, 및 200 mm 연마 기계(예: Applied Materials Mirra® 연마기) 상에 20.7 kPa (3 psi)의 공칭 다운포스(nominal down force)에서 적어도 1,500 Å/분, 더욱 바람직하게는 적어도 1,800 Å/분, 가장 바람직하게는 적어도 2,000 Å/분이고, 상기 화학 기계적 연마 패드는 중합 중공 코어 마이크로입자를 함유한 폴리우레탄 연마층 및 폴리우레탄 함침 부직 서브패드(non-woven subpad)를 포함한다(예: 롬앤드하스 일렉트로닉 머티리얼 씨엠피사(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.)로부터 입수가능한 IC1010 연마 패드).Preferably, the chemical mechanical polishing composition used has a silicon dioxide to silicon nitride selectivity of ≥ 5: 1, more preferably ≥ 6: 1. Preferably, the abrasive used in the chemical mechanical polishing composition is colloidal silica, and the chemical mechanical polishing composition used is such that the removal rate of silicon dioxide is a platen speed of 93 rpm, a carrier speed of 87 rpm, Min at a nominal down force of 3 psi (20.7 kPa) on a 200 mm abrasive machine (e.g. Applied Materials Mirra ® polisher), more preferably at least 1, 000 angstroms per minute At least 1,800 A / min, and most preferably at least 2,000 A / min, wherein the chemical mechanical polishing pad comprises a polyurethane polishing layer containing polymerized hollow core microparticles and a polyurethane-impregnated non-woven subpad (E.g., IC1010 polishing pad available from Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.).
바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 방법은 실리콘 다이옥사이드 및 실리콘 니트라이드, 바람직하게는 실리콘 니트라이드상에 침착된 실리콘 다이옥사이드를 포함하는 기판을 제공하는 단계; 초기 성분으로서, 물; 평균 입자 크기가 20 내지 60 nm인 콜로이드성 실리카 연마제 1 내지 10 wt%; 하기 화학식 (I)의 디-사급 물질 0.01 내지 0.05 wt%; 하기 화학식 (II)의 아다만틸 물질 0.01 내지 0.05 wt%; 및 사급 알킬암모늄 화합물 0 내지 1 wt%(바람직하게는 0.005 내지 1 wt%; 더욱 바람직하게는 0.005 내지 0.075 wt%, 가장 바람직하게는 0.005 내지 0.05 wt%)를 포함하는 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 0.69 내지 34.5 kPa (0.1 내지 5 psi), 바람직하게는 0.69 내지 20.7 kPa (0.1 내지 3 psi)의 다운 포스로 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스에 동적 접촉을 발생시키는 단계; 및 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스 또는 그 부근의 화학 기계적 연마 패드상에 화학 기계적 연마 조성물을 분배하는 단계를 포함하며; 여기에서 화학 기계적 연마 조성물의 pH는 2 내지 6, 바람직하게는 2 내지 5, 가장 바람직하게는 2 내지 4이고, 실리콘 다이옥사이드 및 실리콘 니트라이드는 화학 기계적 연마 조성물에 노출되며; 화학 기계적 연마 조성물은 저장 안정성(바람직하게는 장기 저장 안정성)을 나타낸다:Preferably, the chemical mechanical polishing method of the present invention comprises the steps of: providing a substrate comprising silicon dioxide and silicon dioxide deposited on silicon nitride, preferably silicon nitride; As initial components, water; 1 to 10 wt% of a colloidal silica abrasive having an average particle size of 20 to 60 nm; 0.01 to 0.05 wt% of a di-sub ingredient of the formula (I) 0.01 to 0.05 wt% of an adamantyl material of the formula (II); And a chemical mechanical polishing composition of the present invention comprising 0 to 1 wt% (preferably 0.005 to 1 wt%; more preferably 0.005 to 0.075 wt%, and most preferably 0.005 to 0.05 wt%) of a quaternary alkylammonium compound ; Providing a chemical mechanical polishing pad; Generating dynamic contact at the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate with a down force of from 0.69 to 34.5 kPa (0.1 to 5 psi), preferably from 0.69 to 20.7 kPa (0.1 to 3 psi); And dispensing the chemical mechanical polishing composition onto a chemical mechanical polishing pad at or near the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate; Wherein the pH of the chemical mechanical polishing composition is 2 to 6, preferably 2 to 5, most preferably 2 to 4, the silicon dioxide and silicon nitride being exposed to the chemical mechanical polishing composition; The chemical mechanical polishing composition exhibits storage stability (preferably long term storage stability)
상기 식에서,In this formula,
각 X는 N이고;Each X is N;
R1은 C4-C10 알킬 그룹으로부터 선택되며;R 1 is selected from C 4 -C 10 alkyl groups;
R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 개별적으로 C2-C6 알킬 그룹으로부터 선택되고;R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 and R 7 is independently selected from C 2 -C 6 alkyl groups;
화학식 (I)에서 음이온은 화학식 (I)에서 양이온상의 2+ 전하와 균형을 이루는 임의의 음이온 또는 음이온들의 조합일 수 있으며(바람직하게, 화학식 (I)에서 음이온은 할로겐 음이온, 하이드록사이드 음이온, 니트레이트 음이온, 설페이트 음이온 및 포스페이트 음이온; 더욱 바람직하게는 할로겐 음이온 및 하이드록사이드 음이온; 가장 바람직하게는 하이드록사이드 음이온으로부터 선택된다); The anion in formula (I) may be any anion or a combination of anions that balance with the 2+ charge on the cation in formula (I) (preferably the anion in formula (I) is a halogen anion, a hydroxide anion, A nitrate anion, a sulfate anion and a phosphate anion, more preferably a halogen anion and a hydroxide anion, and most preferably a hydroxide anion);
A는 N이고;A is N;
각 R8은 독립적으로 수소 및 C1-C4 알킬 그룹으로부터 선택되며;Each R 8 is independently is selected from hydrogen and C 1 -C 4 alkyl group;
화학식 (II)에서 음이온은 화학식 (II)에서 양이온상의 + 전하와 균형을 이루는 임의의 음이온일 수 있다(바람직하게, 화학식 (II)에서 음이온은 할로겐 음이온, 하이드록사이드 음이온, 및 니트라이트 음이온; 더욱 바람직하게는 할로겐 음이온 및 하이드록사이드 음이온; 가장 바람직하게는 하이드록사이드 음이온으로부터 선택된다).In formula (II), the anion may be any anion which is in balance with the + charge on the cation in formula (II) (preferably the anion in formula (II) is a halogen anion, a hydroxide anion, and a nitrite anion; More preferably a halogen anion and a hydroxide anion, most preferably a hydroxide anion).
바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 방법에 사용된 화학 기계적 연마 조성물중의 연마제로는 콜로이드성 실리카가 사용되며, 사용된 화학 기계적 연마 조성물은 실리콘 다이옥사이드의 제거 속도가 93 rpm의 플래튼 속도, 87 rpm의 캐리어 속도, 200 ml/분의 화학 기계적 연마 조성물 유속, 및 200 mm 연마 기계(예: Applied Materials Mirra®연마기) 상에 20.7 kPa (3 psi)의 공칭 다운포스에서 적어도 1,500 Å/분, 더욱 바람직하게는 적어도 1,800 Å/분, 가장 바람직하게는 2,000 Å/분이며, 상기 화학 기계적 연마 패드는 중합 중공 코어 마이크로입자를 함유한 폴리우레탄 연마층 및 폴리우레탄 함침 부직 서브패드를 포함한다(예: 롬앤드하스 일렉트로닉 머티리얼 씨엠피사(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.)로부터 입수가능한 IC1010 연마 패드).Preferably, colloidal silica is used as the abrasive in the chemical mechanical polishing composition used in the chemical mechanical polishing method of the present invention, and the chemical mechanical polishing composition used is such that the removal rate of silicon dioxide is a platen speed of 93 rpm, Min at a nominal down force of 20.7 kPa (3 psi) on a 200 mm polishing machine (e.g. Applied Materials Mirra ® polisher) at a carrier velocity of 87 rpm, a chemical mechanical polishing composition flow rate of 200 ml / min, More preferably at least 1,800 A / min, and most preferably 2,000 A / min, wherein the chemical mechanical polishing pad comprises a polyurethane polishing layer containing polymerized hollow core microparticles and a polyurethane-impregnated nonwoven subpad : IC1010 polishing pad available from Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.).
바람직하게, 본 발명의 화학 기계적 연마 방법은 실리콘 다이옥사이드 및 실리콘 니트라이드, 바람직하게는 실리콘 니트라이드상에 침착된 실리콘 다이옥사이드를 포함하는 기판을 제공하는 단계; 초기 성분으로서, 물; 평균 입자 크기가 20 내지 60 nm인 콜로이드성 실리카 연마제 1 내지 10 wt%; 하기 화학식 (I)의 디-사급 물질 0.01 내지 0.05 wt%; N,N,N-트리메틸-1-아다만틸암모늄 하이드록사이드인 화학식 (II)의 아다만틸 물질 0.01 내지 0.05 wt%; 및 테트라에틸 암모늄 하이드록사이드 및 테트라부틸 암모늄 하이드록사이드로부터 선택되는 사급 알킬암모늄 화합물 0 내지 0.05 wt%를 포함하는 본 발명의 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 0.69 내지 20.7 kPa (0.1 내지 3 psi)의 다운 포스로 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스에 동적 접촉을 발생시키는 단계; 및 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스 또는 그 부근의 화학 기계적 연마 패드상에 화학 기계적 연마 조성물을 분배하는 단계를 포함하며; 여기에서 화학 기계적 연마 조성물의 pH는 2 내지 4이고, 실리콘 다이옥사이드 및 실리콘 니트라이드는 화학 기계적 연마 조성물에 노출되며; 화학 기계적 연마 조성물은 저장 안정성(바람직하게는 장기 저장 안정성)을 나타낸다:Preferably, the chemical mechanical polishing method of the present invention comprises the steps of: providing a substrate comprising silicon dioxide and silicon dioxide deposited on silicon nitride, preferably silicon nitride; As initial components, water; 1 to 10 wt% of a colloidal silica abrasive having an average particle size of 20 to 60 nm; 0.01 to 0.05 wt% of a di-sub ingredient of the formula (I) 0.01 to 0.05 wt% of adamantyl material of formula (II) which is N, N, N-trimethyl-1-adamantylammonium hydroxide; And from 0 to 0.05 wt% of a quaternary alkylammonium compound selected from tetraethylammonium hydroxide and tetrabutylammonium hydroxide, to provide a chemical mechanical polishing composition of the present invention; Providing a chemical mechanical polishing pad; Generating dynamic contact at an interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate with a down force of from 0.1 to 3 psi (0.69 to 20.7 kPa); And dispensing the chemical mechanical polishing composition onto a chemical mechanical polishing pad at or near the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate; Wherein the pH of the chemical mechanical polishing composition is between 2 and 4, the silicon dioxide and silicon nitride being exposed to the chemical mechanical polishing composition; The chemical mechanical polishing composition exhibits storage stability (preferably long term storage stability)
상기 식에서,In this formula,
각 X는 N이고;Each X is N;
R1은 -(CH2)6- 그룹이며;R 1 is a - (CH 2 ) 6 - group;
R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 각각 -(CH2)3CH3 그룹이고;R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 and R 7 is each - (CH 2 ) 3 CH 3 group;
화학식 (I)에서 음이온(들)은 두 하이드록사이드 음이온이다.The anion (s) in formula (I) are two hydroxide anions.
바람직하게는, 본 발명의 화학 기계적 연마 방법에 사용된 화학 기계적 연마 조성물중의 연마제로는 콜로이드성 실리카가 사용되며, 사용된 화학 기계적 연마 조성물은 실리콘 다이옥사이드의 제거 속도가 93 rpm의 플래튼 속도, 87 rpm의 캐리어 속도, 200 ml/분의 화학 기계적 연마 조성물 유속, 및 200 mm 연마 기계(예: Applied Materials Mirra®연마기) 상에 20.7 kPa (3 psi)의 공칭 다운포스에서 적어도 1,500 Å/분, 더욱 바람직하게는 적어도 1,800 Å/분, 가장 바람직하게는 2,000 Å/분이며, 상기 화학 기계적 연마 패드는 중합 중공 코어 마이크로입자를 함유한 폴리우레탄 연마층 및 폴리우레탄 함침 부직 서브패드를 포함한다(예: 롬앤드하스 일렉트로닉 머티리얼 씨엠피사(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.)로부터 입수가능한 IC1010 연마 패드).Preferably, colloidal silica is used as the abrasive in the chemical mechanical polishing composition used in the chemical mechanical polishing method of the present invention, and the chemical mechanical polishing composition used is such that the removal rate of silicon dioxide is a platen speed of 93 rpm, Min at a nominal down force of 20.7 kPa (3 psi) on a 200 mm polishing machine (e.g. Applied Materials Mirra ® polisher) at a carrier velocity of 87 rpm, a chemical mechanical polishing composition flow rate of 200 ml / min, More preferably at least 1,800 A / min, and most preferably 2,000 A / min, wherein the chemical mechanical polishing pad comprises a polyurethane polishing layer containing polymerized hollow core microparticles and a polyurethane-impregnated nonwoven subpad : IC1010 polishing pad available from Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.).
이하, 다음의 실시예에서 본 발명의 일부 구체예들이 상세히 설명될 것이다.
Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail in the following examples.
비교 실시예 C1 및 실시예 A1-A2Comparative Example C1 and Example A1-A2
화학 기계적 연마 조성물의 제조Preparation of chemical mechanical polishing composition
표 1에 기술된 양으로 성분들을 배합하고, 인산 또는 질산을 사용하여 조성물의 pH를 표 1에 제시된 최종 pH로 조절하여 비교 연마 실시예 PC1 및 연마 실시예 PA1-PA2에 사용된 화학 기계적 연마 조성물(즉, 각각 화학 기계적 연마 조성물 C1 및 A1-A2)을 제조하였다.The components were combined in the amounts described in Table 1 and the pH of the composition was adjusted to the final pH shown in Table 1 using phosphoric acid or nitric acid to obtain the chemical mechanical polishing composition used in Comparative Polishing Example PC1 and Polishing Example PA1- (I.e., chemical mechanical polishing compositions C1 and A1-A2, respectively).
(wt%) Abrasive I *
(wt%)
(wt%) II £ abrasives
(wt%)
(wt%) HBHMAH €
(wt%)
(wt%) TMAA ħ
(wt%)
* AZ 일렉트로닉 머티리얼사(AZ Electronic Materials)에서 제조하고 다우 케미칼사(The Dow Chemical Company)에 의해 시판되는 연마제 I--KlebosolTM 30H50i 슬러리. * Abrasive I-Klebosol TM 30H50i slurry, manufactured by AZ Electronic Materials, and marketed by The Dow Chemical Company.
￡ AZ 일렉트로닉 머티리얼사(AZ Electronic Materials)에서 제조하고 다우 케미칼사(The Dow Chemical Company)에 의해 시판되는 연마제 II--KlebosolTM PL1598-B25 슬러리. £ AZ Electronic Materials Co., Ltd. in (AZ Electronic Materials) and abrasive sold by Dow Chemical Co. (The Dow Chemical Company) II - Klebosol TM PL1598-B25 slurry.
€ HBHMAH: 시그마 알드리히사( Sigma-Aldrich Co.) 제품인 헥사부틸헥사메틸렌디암모늄 디하이드록사이드(푸럼(Purum) 등급): € HBHMAH: Sigma Aldrich ( Hexamethylenediammonium dihydroxide (Purum grade) manufactured by Sigma-Aldrich Co.:
ħ TMAA: 사켐사(Sachem, Inc.) 제품인 표준 시약 등급의 N,N,N-트리메틸-1-아다만틸 암모늄 하이드록사이드 ħ TMAA: N, N, N-trimethyl-1-adamantylammonium hydroxide of standard reagent grade, manufactured by Sachem, Inc.
￥ pH는 필요에 따라 HNO3 또는 KOH를 사용하여 언급한 값으로 조정하였다.
¥ The pH is adjusted to pH < RTI ID =3or KOH. ≪ / RTI >
비교 실시예 PC1 및 실시예 PA1-PA2Comparative Example PC1 and Example PA1-PA2
화학 기계적 연마 실험Chemical mechanical polishing experiment
비교 실시예 C1 및 실시예 A1-A2에 따라 제조된 화학 기계적 연마 조성물을 사용하여 실리콘 다이옥사이드 제거 속도 연마 시험을 수행하였다. 구체적으로, 각 화학 기계적 연마 조성물 C1 및 A1-A2에 대한 실리콘 다이옥사이드 제거 속도가 표 1에 예시되었다. 이들 실리콘 다이옥사이드 제거 속도 실험은 Applied Materials Mirra® 연마기 및 IC1010TM 폴리우레탄 연마 패드(롬앤드하스 일렉트로닉 머티리얼 씨엠피사로부터 입수가능)를 20.7 kPa(3 psi)의 다운 포스, 200 ml/분의 화학 기계적 연마 조성물 유속, 93 rpm의 테이블 회전 속도 및 87 rpm의 캐리어 회전 속도로 사용하여 실리콘 기판상에 실리콘 다이옥사이드 필름이 있는 8 인치 블랭킷 웨이퍼상에서 실시되었다. 실리콘 다이옥사이드의 제거 속도는 연마 전 후에 필름 두께를 KLA-Tencor FX200 계량 기구로 측정하여 결정하였다. 실리콘 다이옥사이드의 제거 속도 실험 결과를 하기 표 2에 나타내었다.A silicon dioxide removal rate polishing test was conducted using the chemical mechanical polishing composition prepared according to Comparative Example C1 and Example A1-A2. Specifically, the removal rates of silicon dioxide for each of the chemical mechanical polishing compositions C1 and A1-A2 are shown in Table 1. These silicon dioxide removal rate experiments were performed using an Applied Materials Mirra ® polisher and an IC1010 ™ polyurethane polishing pad (available from Rohm and Haas Electronic Material, Cempire) with 3 psi downforce, 200 ml / min of chemical mechanical polishing Inch blanket wafer with a silicon dioxide film on a silicon substrate using a composition flow rate, a table rotation speed of 93 rpm and a carrier rotation speed of 87 rpm. The removal rate of silicon dioxide was determined by measuring the film thickness before and after polishing with a KLA-Tencor FX200 metering device. The results of the removal rate of silicon dioxide are shown in Table 2 below.
실시예 # grinding
Example #
조성물 grinding
Composition
제거 속도
(Å/분) SiO 2
Removal rate
(Å / min)
안정성 촉진 시험Stability promotion test
비교 실시예 C1 및 실시예 A1-A2에 따라 제조된 연마 조성물을 노화 가속 실험에 적용하여 이들 조성물의 안정성을 판단하였다. 구체적으로, 연마 조성물을 오븐 셋에 55 ℃로 사(4) 주 두었다. 각 연마 조성물의 점도를 100 rpm으로 설정된 Brookfield #S00 스핀들을 이용하여 Brookfield DV-I+ 점도계로 20 ℃에서 주 마다 측정하였다. 결과를 하기 표 3에 나타내었다. 데이터로부터 본 발명의 연마 조성물이 상당히 우수한 안정성을 나타내는 것을 알 수 있다.The polishing compositions prepared according to Comparative Example C1 and Example A1-A2 were applied to accelerated aging experiments to determine the stability of these compositions. Specifically, the polishing composition was placed in an oven set at 55 DEG C (4). The viscosity of each polishing composition was measured weekly at 20 占 폚 with a Brookfield DV-I + viscometer using a Brookfield # S00 spindle set at 100 rpm. The results are shown in Table 3 below. From the data it can be seen that the polishing composition of the present invention exhibits fairly excellent stability.
Abrasive composition
Þ 침전 형성
Þ Precipitation Formation
Claims (10)
물;
평균 입자 크기 5 내지 150 nm인 연마제 0.1 내지 40 wt%;
하기 화학식 (II)의 아다만틸 물질 0.01 내지 0.1 wt%; 및
하기 화학식 (I)의 디-사급(diquaternary) 물질 0.02 내지 0.06 wt%;
를 포함하는 화학 기계적 연마 조성물:
상기 식에서,
A는 N이고;
각 R8은 독립적으로 수소 및 C1-4 알킬 그룹으로부터 선택되며;
화학식 (II)에서 음이온은 화학식 (II)에서 양이온상의 + 전하와 균형을 이루는 음이온일 수 있고;
각 X는 N이며;
R1은 -(CH2)6- 그룹이고;
R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 각각 -(CH2)3CH3 그룹이며;
화학식 (I)에서 음이온은 화학식 (I)에서 양이온상의 2+ 전하와 균형을 이루는 음이온 또는 음이온들의 조합일 수 있다.As an initial component,
water;
0.1 to 40 wt% of an abrasive having an average particle size of 5 to 150 nm;
0.01 to 0.1 wt% of an adamantyl material of the formula (II); And
0.02 to 0.06 wt% di-tertiary material of formula (I);
A chemical mechanical polishing composition comprising:
In this formula,
A is N;
Each R 8 is independently selected from hydrogen and C 1-4 alkyl groups;
An anion in formula (II) may be an anion that balances + charge on the cation in formula (II);
Each X is N;
R 1 is a - (CH 2 ) 6 - group;
R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 and R 7 is each - (CH 2 ) 3 CH 3 group;
The anion in formula (I) may be an anion or a combination of anions that balance the 2+ charge on the cation in formula (I).
제1항에 따른 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계;
화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계;
0.69 내지 34.5 kPa의 다운 포스(down force)로 화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스에 동적 접촉을 발생시키는 단계; 및
화학 기계적 연마 패드와 기판 사이의 인터페이스 또는 그 부근의 화학 기계적 연마 패드상에 화학 기계적 연마 조성물을 분배하는 단계를 포함하며;
여기에서 화학 기계적 연마 조성물의 pH는 2 내지 6인,
기판의 화학 기계적 연마 방법.Providing a substrate comprising silicon dioxide;
Providing a chemical mechanical polishing composition according to claim 1;
Providing a chemical mechanical polishing pad;
Generating a dynamic contact at an interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate with a down force of 0.69 to 34.5 kPa; And
Dispensing the chemical mechanical polishing composition onto a chemical mechanical polishing pad at or near the interface between the chemical mechanical polishing pad and the substrate;
Wherein the pH of the chemical mechanical polishing composition is from 2 to 6,
A method of chemical mechanical polishing of a substrate.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/815,564 | 2010-06-15 | ||
| US12/815,564 US8232208B2 (en) | 2010-06-15 | 2010-06-15 | Stabilized chemical mechanical polishing composition and method of polishing a substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110136742A KR20110136742A (en) | 2011-12-21 |
| KR101718798B1 true KR101718798B1 (en) | 2017-03-22 |
Family
ID=45047467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110057354A Expired - Fee Related KR101718798B1 (en) | 2010-06-15 | 2011-06-14 | A Stabilized Chemical Mechanical Polishing Composition and Method of Polishing A Substrate |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8232208B2 (en) |
| JP (1) | JP5843093B2 (en) |
| KR (1) | KR101718798B1 (en) |
| CN (1) | CN102363713B (en) |
| DE (1) | DE102011104161B4 (en) |
| FR (1) | FR2961214B1 (en) |
| TW (1) | TWI480368B (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8232208B2 (en) * | 2010-06-15 | 2012-07-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Stabilized chemical mechanical polishing composition and method of polishing a substrate |
| US8865013B2 (en) * | 2011-08-15 | 2014-10-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for chemical mechanical polishing tungsten |
| US9293339B1 (en) * | 2015-09-24 | 2016-03-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of polishing semiconductor substrate |
| US9803108B1 (en) | 2016-10-19 | 2017-10-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Aqueous compositions of stabilized aminosilane group containing silica particles |
| CN111318956A (en) * | 2018-12-13 | 2020-06-23 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | Polyurethane polishing pad, method for producing same, and chemical mechanical polishing apparatus |
| JP7681402B2 (en) * | 2021-01-14 | 2025-05-22 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | Polishing composition, method for producing polishing composition, polishing method, and method for producing substrate |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100827591B1 (en) | 2006-11-27 | 2008-05-07 | 제일모직주식회사 | Slurry composition for chemical mechanical polishing and precursor composition thereof |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6533832B2 (en) * | 1998-06-26 | 2003-03-18 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry and method for using same |
| KR100378180B1 (en) | 2000-05-22 | 2003-03-29 | 삼성전자주식회사 | Slurry for chemical mechanical polishing process and method of manufacturing semiconductor device using the same |
| JP3440419B2 (en) * | 2001-02-02 | 2003-08-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | Polishing composition and polishing method using the same |
| US7316603B2 (en) * | 2002-01-22 | 2008-01-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for tantalum CMP |
| US7005382B2 (en) * | 2002-10-31 | 2006-02-28 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing process, production process of semiconductor device and material for preparing an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
| US7018560B2 (en) * | 2003-08-05 | 2006-03-28 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Composition for polishing semiconductor layers |
| CN1893911B (en) * | 2003-11-17 | 2010-12-29 | 赛德玛公司 | Formula including tetrapeptide and tripeptide mixture |
| US20050108947A1 (en) * | 2003-11-26 | 2005-05-26 | Mueller Brian L. | Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride |
| KR100611064B1 (en) * | 2004-07-15 | 2006-08-10 | 삼성전자주식회사 | A slurry composition for a chemical mechanical polishing process, a chemical mechanical polishing method using the slurry composition, and a method of forming a gate pattern using the method |
| JP4814502B2 (en) * | 2004-09-09 | 2011-11-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | Polishing composition and polishing method using the same |
| US20060205219A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Baker Arthur R Iii | Compositions and methods for chemical mechanical polishing interlevel dielectric layers |
| EP1930938A4 (en) * | 2005-09-09 | 2010-03-24 | Asahi Glass Co Ltd | POLISHING AGENT, SURFACE POLISHING METHOD FOR POLISHING, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE |
| US20070077865A1 (en) | 2005-10-04 | 2007-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for controlling polysilicon removal |
| US7842192B2 (en) | 2006-02-08 | 2010-11-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Multi-component barrier polishing solution |
| US20080220610A1 (en) | 2006-06-29 | 2008-09-11 | Cabot Microelectronics Corporation | Silicon oxide polishing method utilizing colloidal silica |
| CN101168647A (en) * | 2006-10-27 | 2008-04-30 | 安集微电子（上海）有限公司 | Chemical mechanical polishing fluid for polishing polycrystalline silicon |
| JP5322455B2 (en) * | 2007-02-26 | 2013-10-23 | 富士フイルム株式会社 | Polishing liquid and polishing method |
| US20080314872A1 (en) * | 2007-06-19 | 2008-12-25 | Ferro Corporation | Chemical-Mechanical Polishing Compositions Containing Aspartame And Methods Of Making And Using The Same |
| CN101451049A (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-10 | 安集微电子（上海）有限公司 | Chemico-mechanical polishing liquid |
| JP5403922B2 (en) * | 2008-02-26 | 2014-01-29 | 富士フイルム株式会社 | Polishing liquid and polishing method |
| JP2009278061A (en) * | 2008-04-16 | 2009-11-26 | Hitachi Chem Co Ltd | Polishing solution for cmp and polishing method |
| CN101665662A (en) * | 2008-09-05 | 2010-03-10 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | Chemical mechanical polishing solution |
| US8735293B2 (en) * | 2008-11-05 | 2014-05-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and methods relating thereto |
| US8119529B2 (en) | 2009-04-29 | 2012-02-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for chemical mechanical polishing a substrate |
| US8232208B2 (en) * | 2010-06-15 | 2012-07-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Stabilized chemical mechanical polishing composition and method of polishing a substrate |
| US8568610B2 (en) | 2010-09-20 | 2013-10-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Stabilized, concentratable chemical mechanical polishing composition and method of polishing a substrate |
| US8513126B2 (en) | 2010-09-22 | 2013-08-20 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Slurry composition having tunable dielectric polishing selectivity and method of polishing a substrate |
-
2010
- 2010-06-15 US US12/815,564 patent/US8232208B2/en active Active
-
2011
- 2011-06-14 DE DE102011104161.7A patent/DE102011104161B4/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-14 CN CN201110227873.2A patent/CN102363713B/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-14 TW TW100120653A patent/TWI480368B/en not_active IP Right Cessation
- 2011-06-14 KR KR1020110057354A patent/KR101718798B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-15 JP JP2011133174A patent/JP5843093B2/en active Active
- 2011-06-15 FR FR1155238A patent/FR2961214B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-06-12 US US13/494,412 patent/US8444728B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100827591B1 (en) | 2006-11-27 | 2008-05-07 | 제일모직주식회사 | Slurry composition for chemical mechanical polishing and precursor composition thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110306211A1 (en) | 2011-12-15 |
| CN102363713A (en) | 2012-02-29 |
| FR2961214B1 (en) | 2015-02-27 |
| US8232208B2 (en) | 2012-07-31 |
| KR20110136742A (en) | 2011-12-21 |
| DE102011104161A1 (en) | 2012-01-26 |
| TWI480368B (en) | 2015-04-11 |
| US20120258598A1 (en) | 2012-10-11 |
| US8444728B2 (en) | 2013-05-21 |
| FR2961214A1 (en) | 2011-12-16 |
| JP5843093B2 (en) | 2016-01-13 |
| TW201204816A (en) | 2012-02-01 |
| CN102363713B (en) | 2014-12-10 |
| JP2012039087A (en) | 2012-02-23 |
| DE102011104161B4 (en) | 2022-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101718813B1 (en) | A Stabilized, Concentratable Chemical Mechanical Polishing Composition and Method of Polishing A Substrate | |
| KR101698008B1 (en) | A method for chemical mechanical polishing a substrate | |
| KR101060441B1 (en) | Chemical / Mechanical Polishing Method for STI | |
| KR101718788B1 (en) | Chemical Mechanical Polishing Composition and Methods Relating Thereto | |
| KR100880107B1 (en) | CPM slurry and polishing method of semiconductor wafer using same | |
| EP1962334A1 (en) | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing method, and kit for preparing aqueous dispersion for chemical mechanical polishing | |
| KR101075491B1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| KR101672811B1 (en) | Method of polishing a substrate comprising polysilicon, silicon oxide and silicon nitride | |
| KR101718798B1 (en) | A Stabilized Chemical Mechanical Polishing Composition and Method of Polishing A Substrate | |
| KR101718814B1 (en) | A Slurry Composition Having Tunable Dielectric Polishing Selectivity and Method of Polishing a Substrate | |
| JPWO2011081109A1 (en) | Polishing liquid for CMP and polishing method using the same | |
| TWI629324B (en) | Method of grinding a substrate | |
| KR100674927B1 (en) | Slurry composition for CPM and its manufacturing method and substrate polishing method using the same | |
| EP1535979A2 (en) | Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride | |
| JP2009518851A (en) | Polishing selectivity adjusting auxiliary agent and CMP slurry containing the same | |
| KR100498814B1 (en) | Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition Having Improved Polishing Speed on Tungsten Layer and Dispersion Stability | |
| KR100725550B1 (en) | Slurry composition for copper wiring polishing and metal wiring polishing method using the same | |
| KR100466422B1 (en) | Composition for chemical mechanical polishing | |
| KR20170072532A (en) | Chemical mechanical polishing slurry and polishing method using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20110614 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20160224 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20110614 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20160912 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20170222 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20170316 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20170316 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200218 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200218 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210218 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220216 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20241227 |