[go: up one dir, main page]

KR101717232B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101717232B1
KR101717232B1 KR1020100080397A KR20100080397A KR101717232B1 KR 101717232 B1 KR101717232 B1 KR 101717232B1 KR 1020100080397 A KR1020100080397 A KR 1020100080397A KR 20100080397 A KR20100080397 A KR 20100080397A KR 101717232 B1 KR101717232 B1 KR 101717232B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
active layer
light emitting
thin film
organic light
film transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020100080397A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120017661A (ko
Inventor
고병식
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020100080397A priority Critical patent/KR101717232B1/ko
Priority to US13/067,087 priority patent/US8531099B2/en
Priority to CN201110145146.1A priority patent/CN102376741B/zh
Publication of KR20120017661A publication Critical patent/KR20120017661A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101717232B1 publication Critical patent/KR101717232B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/13—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising photosensors that control luminance
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
    • G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
    • G09G2360/144—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light being ambient light

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 상에 위치하는 제1 전극, 유기 발광층 및 제2 전극을 포함하는 유기 발광 소자, 제1 전극으로 공급되는 제1 전원을 온 및 오프하며, 징크 산화물(ZnO)을 가지는 제1 액티브층을 포함하는 구동 박막 트랜지스터, 기판과 유기 발광층 사이에 위치하며, 유기 발광층으로부터 발광된 빛을 센싱하는 제2 액티브층을 포함하는 포토 센서 및 포토 센서가 센싱한 빛의 세기에 따라 제1 전원 및 제2 전극으로 공급되는 제2 전원 중 하나 이상을 조절하는 제어부를 포함한다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포토 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 이미지를 표시하는 장치로서, 최근 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)가 주목 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 자체 발광 효율을 가지며, 액정 표시 장치(liquid crystal display device)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타낸다.
종래의 유기 발광 표시 장치는 기판 및 기판 상에 형성된 제1 전극, 제1 전극 상에 위치하는 유기 발광층 및 유기 발광층 상에 위치하는 제2 전극을 가지는 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자로 공급되는 전원을 온 및 오프하는 하나 이상의 박막 트랜지스터를 포함하였다.
그런데, 박막 트랜지스터에 포함된 액티브층은 장시간 사용 시 열화되어 구동 효율이 불안정해지는 문제점이 있었으며, 또한 유기 발광 소자의 유기 발광층도 장시간 사용 시 열화되어 발광 효율이 불안정해지는 문제점이 있었다.
본 발명의 일 실시예는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 유기 발광 소자의 발광 효율 및 박막 트랜지스터의 구동 효율을 향상시켜 표시 품질이 향상될 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면은 기판, 기판 상에 위치하는 제1 전극, 유기 발광층 및 제2 전극을 포함하는 유기 발광 소자, 제1 전극으로 공급되는 제1 전원을 온 및 오프하며, 징크 산화물(ZnO)을 가지는 제1 액티브층을 포함하는 구동 박막 트랜지스터, 기판과 유기 발광층 사이에 위치하며, 유기 발광층으로부터 발광된 빛을 센싱하는 제2 액티브층을 포함하는 포토 센서 및 포토 센서가 센싱한 빛의 세기에 따라 제1 전원 및 제2 전극으로 공급되는 제2 전원 중 하나 이상을 조절하는 제어부를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
제2 액티브층은 비정질 실리콘을 포함할 수 있다.
구동 박막 트랜지스터를 제어하는 제3 전원을 온 및 오프하며, 제3 액티브층을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
제3 액티브층은 제1 액티브층과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
제3 액티브층은 제2 액티브층과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
포토 센서는 제2 액티브층의 양단 각각에 접촉되어 있는 센서 입력단 및 센서 출력단을 더 포함하며, 센서 입력단과 연결되어 있는 센싱 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
제2 액티브층과 기판 사이에 위치하는 광 차단층을 더 포함할 수 있다.
광 차단층은 제2 액티브층과 접할 수 있다.
광 차단층은 티타늄 질화물(TiNx) 및 알루미늄 질화물(AlNx) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상술한 본 발명의 과제 해결 수단의 일부 실시예 중 하나에 의하면, 광을 센싱하는 포토 센서의 센싱 특성 및 박막 트랜지스터의 구동 효율이 향상됨으로써, 유기 발광 소자의 발광 효율 및 박막 트랜지스터의 구동 효율이 향상되어 표시 품질이 향상된 유기 발광 표시 장치가 제공된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 회로도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1 실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "~상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1000)를 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 회로도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1000)는 복수의 신호선(211, 251, 611, 651, 661) 및 이 신호선에 의해 형성될 수 있는 하나 이상의 화소를 포함한다. 여기서, 화소란 이미지를 표시하는 최소 단위를 말한다.
신호선은 주사 신호를 전달하는 게이트선(211), 네가티브 전압을 인가하는 네가티브 전극선(251), 후술할 제3 전원인 데이터 전원을 전달하는 데이터선(611), 구동 전원인 제1 전원(Vdd)을 전달하는 구동 전원선(651) 및 포토 센서(LS)에 연결되어 있는 센서선(661)을 포함한다.
화소는 유기발광소자(LD), 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw), 구동 박막 트랜지스터(Tdr), 센싱 박막 트랜지스터(Tss), 포토 센서(LS) 및 축전기(C1, C2)를 포함한다.
구동 박막 트랜지스터(Tdr)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력단자를 가지는데, 제어단자는 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전원선(651)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기발광소자(LD)에 연결되어 있다. 구동 박막 트랜지스터(Tdr)는 제1 액티브층을 포함하며, 이 제1 액티브층에 대해서는 후술한다.
유기발광소자(LD)는 구동트랜지스터(Tdr)의 출력 단자에 연결되어 제1 전원(Vdd)이 공급되는 애노드(anode)일 수 있는 제1 전극, 제2 전원(Vcom)이 공급되는 캐소드(cathode)일 수 있는 제2 전극 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함한다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 박막 트랜지스터(Tdr)가 온 및 오프하는 제1 전원(Vdd) 및 제2 전극으로 공급되는 제2 전원(Vcom) 중 하나 이상의 전류량에 따라 유기 발광층이 발광하는 광의 세기가 조절되어 발광하며, 유기 발광 소자(LD)의 발광에 의해 유기 발광 표시 장치(1000)가 이미지를 표시한다.
스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)는 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(211)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(611)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 제어 단자에 연결되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)는 게이트선(211)에 인가되는 주사 신호에 따라 데이터선(611)에 인가되는 데이터 전원을 구동 박막 트랜지스터(Tdr)에 전달한다. 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)는 제3 액티브층을 포함하며, 이 제3 액티브층에 대해서는 후술한다.
축전기(C1)는 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 제어 단자와 입력단자 사이에 연결되어 있다. 축전기(C1)는 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 제어 단자에 입력되는 데이터 전원을 충전하고 유지한다.
이상의 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)와 구동 박막 트랜지스터(Tdr)는 구동되면서 점점 열화되어 성능이 저하된다. 센싱 박막 트랜지스터(Tsw), 포토 센서(LS), 축전기(C2) 그리고 네가티브 전극선(251)은 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)와 구동 트랜지스터(Tdr)의 열화를 보상하는 역할을 한다
센싱 박막 트랜지스터(Tsw)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(211)에 연결되어 있고, 입력 단자는 센서선(661)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 포토 센서(LS) 및 축전기(C2)에 연결되어 있다. 센싱 박막 트랜지스터(Tss)는 제4 액티브층을 포함하며, 이 제4 액티브층에 대해서는 후술한다.
축전기(C2)는 센싱 박막 트랜지스터(Tsw)의 출력 단자와 네가티브 전극선(251) 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(C2)는 센싱 박막 트랜지스터(Tsw)의 입력 단자에 입력되는 전압을 충전하고 유지한다.
포토 센서(LS)는 유기 발광 소자(LD)의 유기 발광층으로부터 발광된 빛을 센싱하는 제2 액티브층, 제2 액티브층의 일단에 연결되어 있으며 센싱 박막 트랜지스터(Tsw)의 출력단자에 연결되어 있는 센서 입력단, 제2 액티브층의 타단에 연결되어 있으며 후단 게이트선(211)에 연결되어 있는 센서 출력단을 가진다.
포토 센서(LS)의 제2 액티브층은 유기발광소자(LD)로부터 빛을 받으면 저항이 작아져 전류가 흐르는 특성을 가진다. 이에 따라 제2 액티브층에 빛이 입사되면 센서 입력단으로부터 센서 출력단으로 전류가 흐르게 되고 축전기(C2)의 충전 용량이 감소한다. 제2 액티브층으로 입사되는 빛의 강도가 클수록 센서 입력단으로부터 센서 출력단으로 흐르는 전류는 증가하여 축전기(C2)의 용량 감소가 커지며 센서선(661)을 통해 더 많은 전류가 공급된다. 즉, 동일한 데이터 전원이 인가되어도, 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)와 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 열화 정도에 따라 제2 액티브층에 입사되는 빛의 세기가 감소 또는 증가한다.
이상과 같이, 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)와 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 열화, 유기발광소자(LD)로부터 제2 액티브층에 입사되는 빛의 강도, 포토 센서(LS)의 출력단에 흐르는 전류의 크기, 축전기(C2)의 용량 감소 및 이를 보상하기 위한 센서선(661)의 전류 공급량이 상호 연관되어 있는 것을 알 수 있다.
또한, 제어부(101)는 센서선(661)을 통해 공급된 전류량을 기초로 하여 데이터선(611)에 공급되는 데이터 전원을 조절한다. 이에 의해 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)와 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 열화가 보상된다. 제어부(101)와 연결되어 있는 메모리(102)에는 데이터 전원의 크기에 따른 센서선(661)을 통한 공급 전류값 테이블이 저장되어 있으며, 제어부(101)는 메모리(102)를 이용하여 다양한 데이터 전원에 대하여 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)와 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 열화를 보상한다.
이하에서는 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치에서 화소의 구조를 중심으로 도 2를 참조하여 상세하게 설명한다. 도 2에서는 설명의 편의를 위해 복수의 신호선(211, 251, 611, 651, 661), 축전기(C1, C2), 제어부(101) 및 메모리(102)에 대해서는 도시하지 않았다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 글라스(glass), 수지(resin) 및 금속 등 중 하나 이상을 포함하는 기판(110) 상에 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw), 구동 박막 트랜지스터(Tdr), 유기 발광 소자(LD), 포토 센서(LS), 광 차단층(311) 및 센싱 박막 트랜지스터(Tss)가 위치하고 있다.
스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)는 제어 단자로서의 제3 액티브층(151) 및 스위칭 게이트 전극(261), 제3 액티브층(151)의 양단 각각에 접촉되어 있는 입력 단자로서의 스위칭 소스 전극(671) 및 출력 단자로서의 스위칭 드레인 전극(672)을 포함한다.
제3 액티브층(151)은 후술할 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 제1 액티브층(152)과 동일한 물질로 형성되며, 징크 산화물(ZnO)을 포함하는 반도체층이다. 일반적으로 징크 산화물을 포함하는 반도체층은 비정질 실리콘으로 형성된 반도체층에 비해 반도체 특성이 더 높으며, 제3 액티브층(151)이 징크 산화물을 포함함으로써, 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)의 구동 효율이 향상된다. 제3 액티브층(151)은 징크 산화물을 주성분으로 하는 반도체층으로 형성되나, 다른 실시예에 따른 제3 액티브층(151)은 징크 산화물에 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 스태늄(Sn) 등의 이온이 도핑된 반도체층으로 형성될 수 있다. 즉, 제3 액티브층(151)이 징크 산화물을 주성분으로 하는 산화물 반도체층으로 형성됨으로써, 종래의 비정질 실리콘을 주성분으로 하는 반도체층을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터보다 이동도, 균일성 및 신뢰성이 향상된 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)가 제공되어 유기 발광 표시 장치(1000)의 발광 효율이 향상된다. 또한, 제3 액티브층(151)이 징크 산화물을 포함하는 산화물 반도체층으로 형성되면, 기존의 저온 폴리 실리콘(LTPS) 공정 장비를 통해 제3 액티브층(151)을 형성할 수 있으며, 이로 인해, 300℃ 이하의 저온에서 제3 액티브층(151)을 형성할 수 있기 때문에, 유기 발광 표시 장치(1000)의 제조 비용이 절감된다.
스위칭 게이트 전극(261)은 게이트선(211)과 연결되어 있고, 스위칭 소스 전극(671)은 데이터선(611)과 연결되어 있으며, 스위칭 드레인 전극(672)은 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 구동 게이트 전극(262)과 연결되어 있다. 즉, 데이터선(611)을 통해 공급된 신호로서 데이터 전원인 제3 전원은 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)에 의해 온 및 오프되어 구동 박막 트랜지스터(Tdr)를 제어한다.
구동 박막 트랜지스터(Tdr)는 제어 단자로서의 제1 액티브층(152) 및 구동 게이트 전극(262), 제1 액티브층(152)의 양단 각각에 접촉되어 있는 입력 단자로서의 구동 소스 전극(673) 및 출력 단자로서의 구동 드레인 전극(674)을 포함한다.
제1 액티브층(152)은 스위칭 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 제3 액티브층(151)과 동일하게 징크 산화물(ZnO)을 포함하는 반도체층이다. 즉, 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 제1 액티브층(152)은 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)의 제3 액티브층(151)이 형성될 때, 동시에 형성될 수 있다. 이와 같이, 제1 액티브층(152)이 징크 산화물을 포함함으로써, 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 구동 효율이 향상된다. 제1 액티브층(152)은 징크 산화물을 주성분으로 하는 반도체층으로 형성되나, 다른 실시예에 따른 제1 액티브층(152)은 징크 산화물에 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 스태늄(Sn) 등의 이온이 도핑된 반도체층으로 형성될 수 있다. 즉, 제1 액티브층(152)이 징크 산화물을 주성분으로 하는 산화물 반도체층으로 형성됨으로써, 종래의 비정질 실리콘을 주성분으로 하는 반도체층을 포함하는 구동 박막 트랜지스터보다 이동도, 균일성 및 신뢰성이 향상된 구동 박막 트랜지스터(Tdr)가 제공되어 유기 발광 표시 장치(1000)의 발광 효율이 향상된다. 또한, 제1 액티브층(152)이 징크 산화물을 포함하는 산화물 반도체층으로 형성되면, 기존의 저온 폴리 실리콘(LTPS) 공정 장비를 통해 제1 액티브층(152)을 형성할 수 있으며, 이로 인해, 300℃ 이하의 저온에서 제1 액티브층(152)을 형성할 수 있기 때문에, 유기 발광 표시 장치(1000)의 제조 비용이 절감된다.
구동 게이트 전극(262)은 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)의 스위칭 드레인 전극(672)과 연결되어 있고, 구동 소스 전극(673)은 구동 전원선(651) 연결되어 있으며, 구동 드레인 전극(674)은 유기 발광 소자(LD)의 제1 전극(710)과 연결되어 있다. 즉, 구동 전원선(651)을 통해 공급된 신호로서 구동 전원인 제1 전원은 구동 박막 트랜지스터(Tdr)에 의해 온 및 오프되어 유기 발광 소자(LD)의 제1 전극(710)으로 공급된다.
유기 발광 소자(LD)는 제1 전극(710), 제1 전극(710) 상에 위치하는 유기 발광층(720), 유기 발광층(720) 상에 위치하는 제2 전극(730)을 포함한다.
제1 전극(710)은 정공 주입 전극인 애노드 전극이며, 제2 전극(730)은 전자 주입 전극인 캐소드 전극이다. 그러나 본 발명의 제1 실시예가 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 표시 장치(1000)의 구동 방법에 따라 제1 전극(710)이 캐소드 전극이 되고, 제2 전극(730)이 애노드 전극이 될 수 있으며, 이 경우 구동 전원은 캐소드 전극에 공급되고 공통 전원은 애노드 전극에 공급될 수 있다. 제1 전극(710)으로 제1 전원(Vdd)이 공급되고 제2 전극(730)으로 제2 전원(Vcom)이 공급되면, 제1 전극(710) 및 제2 전극(730) 각각으로부터 정공과 전자가 유기 발광층(720) 내부로 주입되며, 유기 발광층(720) 내부로 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 유기 발광층(720)의 발광이 이루어진다.
제2 전극(730)은 화소 전체에 걸쳐서 하나의 막으로 형성된다.
또한, 제1 전극(710) 및 제2 전극(730)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 은(Ag), 인듐틴옥사이드(indium tin oxide, ITO) 및 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide, IZO) 등 중 하나 이상을 포함하는 단층 또는 복층의 광 반사성 도전 물질 또는 광 투과성 도전 물질을 포함할 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1000)에서 유기 발광 소자(70)는 제1 전극(710) 및 제2 전극(730) 중 하나 이상이 광 투과성 도전 물질을 포함할 수 있으며, 광투과성 도전 물질을 포함하는 제1 전극(710) 및 제2 전극(730) 중 어느 하나 이상의 방향으로 유기 발광층(720)에서 발광하는 빛이 외부로 시인되어 전면 발광형, 배면 발광형 또는 양면 발광형의 유기 발광 표시 장치(1000)를 구현할 수 있다. 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1000)는 기판(110) 방향으로 빛이 발광하는 배면 발광형으로 구현된다.
포토 센서(LS)는 기판(110)과 유기 발광 소자(LD)이 유기 발광층(720) 사이에 위치하며, 유기 발광층(720)으로부터 발광된 빛을 센싱한다. 포토 센서(LS)는 센싱 및 제어 단자로서의 제2 액티브층(321), 제2 액티브층(321)의 양단 각각에 접촉되어 있는 입력 단자로서의 센서 입력단(675) 및 출력 단자로서의 센서 출력단(676)을 포함한다.
제2 액티브층(321)은 제1 액티브층(152) 및 제3 액티브층(151)과는 다르게 비정질 실리콘을 포함하는 반도체층이다. 일반적으로 비정질 실리콘을 포함하는 반도체층은 징크 산화물로 형성된 반도체층에 비해 광 센싱능이 더 높으며, 제2 액티브층(321)이 비정질 실리콘을 포함함으로써, 포토 센서(LS)의 광 센싱 능력이 향상된다. 즉, 제2 액티브층(321)이 비정질 실리콘을 주성분으로 하는 반도체층으로 형성됨으로써, 포토 센서(LS)는 징크 산화물을 주성분으로 하는 반도체층을 포함하는 포토 센서보다 유기 발광층(720)으로부터 수광되는 빛의 강도에 따른 제2 액티브층(321)의 저항 변화가 민감하게 변화된다. 이와 같이, 포토 센서(LS)가 유기 발광 소자(LD)의 유기 발광층(720)으로부터 발광되는 빛을 보다 민감하게 센싱하여 포토 센서(LS)의 출력단에 흐르는 전류의 크기, 축전기(C2)의 용량 감소 및 이를 보상하기 위한 센서선(661)의 전류 공급량이 보다 민감하게 제어되어 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)와 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 열화가 최소화된다.
센서 입력단(675)은 센싱 박막 트랜지스터(Tss)의 센싱 드레인 전극(678)에 연결되어 있고, 센서 출력단(676)은 후단 게이트선(211)과 연결되어 있다. 즉, 유기 발광 소자(LD)로부터 발광되는 빛에 의해 제2 액티브층(321)이 활성화되면 센서선(661)으로부터 센싱 박막 트랜지스터(Tss)를 통해 센서 입력단(675)으로 공급된 전류는 제2 액티브층(321)을 통해 센서 출력단(676)으로 전달된다. 센서 출력단(676)으로 전달되는 전류의 세기는 유기 발광 소자(LD)로부터 발광되는 빛의 강도에 따라 달라진다.
광 차단층(311)은 제2 액티브층(321)과 기판(110) 사이에 위치하며, 외부로부터의 빛이 포토 센서(LS)의 제2 액티브층(321)으로 입사되는 것을 방지한다. 특히, 광 차단층(311)은 제2 액티브층(321)과 접하고 있으며, 티타늄 질화물(TiNx) 및 알루미늄 질화물(AlNx) 중 하나 이상을 포함한다. 일례로서, 실리콘 질화물(SiNx)로 형성된 절연층 상에 티타늄 전구체(precursor)인 TiCl4 또는 알루미늄 전구체인 AlCl3를 소스 가스(일례로서, SiH4+N2+NH3)에 혼합(mixing)하여 증착하게 되면, 불투명한 티타늄 질화물(TiNx) 또는 알루미늄 질화물(AlNx)을 포함하는 광 차단층(311)이 형성되어, 포토 센서(LS)에는 유기 발광 소자(LD)로부터의 빛만이 조사된다.
센싱 박막 트랜지스터(Tss)는 제어 단자로서의 제4 액티브층(322) 및 센싱 게이트 전극(263), 제4 액티브층(322)의 양단 각각에 접촉되어 있는 입력 단자로서의 센싱 소스 전극(677) 및 출력 단자로서의 센싱 드레인 전극(678)을 포함한다.
제4 액티브층(322)은 포토 센서(LS)의 제2 액티브층(321)과 동일하게 비정질 실리콘을 포함하는 반도체층이다. 즉, 센싱 박막 트랜지스터(Tss)를 구성하는 제4 액티브층(322)은 제2 액티브층(321)이 형성될 때 동시에 형성될 수 있다. 제4 액티브층(322)과 기판(110) 사이에는 광 차단층(311)과 동일한 물질을 포함하는 제1 더미층(312)이 위치한다.
센싱 게이트 전극(263)은 게이트선(211)과 연결되어 있고, 센싱 소스 전극(677)은 센서선(661) 연결되어 있으며, 센싱 드레인 전극(678)은 포토 센서(LS)의 센서 입력단(675)과 연결되어 있다.
이하, 포토 센서(LS)의 작용을 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다.
우선, 게이트선(211)을 통해 게이트 온 전압이 인가되면 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)와 센싱 박막 트랜지스터(Tss)가 온 된다. 센싱 박막 트랜지스터(Tss)가 온 된 상태에서 축전기(C2)의 충전이 이루어진다. 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)가 온 된 상태에서 데이터선(611)을 통해 인가된 데이터 전원인 제3 전원이 스위칭 드레인 전극(672)에 전달된다. 이 제3 전원은 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 구동 게이트 전극(262)에 인가되어 구동 박막 트랜지스터(Tdr)가 온 된다. 온 상태의 구동 박막 트랜지스터(Tdr)를 통해 구동 전원인 제1 전원이 구동 드레인 전극(674)로 인가되는데, 제1 전원의 크기는 데이터 전원인 제3 전원에 의해 결정된다. 구동 드레인 전극(674)에 인가된 구동 전원은 제1 전극(710)에 인가되고 이에 의해 유기 발광층(720)이 발광하게 된다. 이 유기 발광층(720)으로부터 발광된 빛은 포토 센서(LS)의 제2 액티브층(321)을 활성시켜 센서 입력단(675)으로부터 센서 출력단(676)으로 전류가 흐르게 되며, 이로 인해 축전기(C2)의 용량이 감소하게 된다. 이 때, 제어부(101)는 축전기(C2)를 다시 충전하기 위해 데이터 전원인 제3 전원을 조절하게 되며, 이로 인해, 구동 박막 트랜지스터(Tdr) 및 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)의 구동 효율이 향상됨으로써, 유기 발광 소자(LD)의 발광 효율이 향상된다. 즉, 유기 발광 표시 장치(1000)의 표시 품질이 향상된다.
또한, 구동 박막 트랜지스터(Tdr) 및 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)의 구동 효율이 향상되어 유기 발광 소자(LD)의 발광 효율이 향상되기 때문에, 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw), 구동 박막 트랜지스터(Tdr) 및 유기 발광 소자(LD)의 열화가 억제되어 유기 발광 표시 장치(1000)의 수명이 향상된다.
이상과 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1000)는 반도체 특성이 중요한 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw) 및 구동 박막 트랜지스터(Tdr) 각각의 제3 액티브층(151) 및 제1 액티브층(152)이 반도체 특성이 좋은 징크 산화물을 포함하는 반도체층으로 형성되고, 광 센싱 특성이 중요한 포토 센서(LS)의 제2 액티브층(321)이 광 센싱 특성이 좋은 비정질 실리콘을 포함하는 반도체층으로 형성됨으로써, 구동 박막 트랜지스터(Tdr) 및 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)의 구동 효율이 향상되는 동시에 유기 발광 소자(LD)의 발광 효율이 향상되어 전체적인 유기 발광 표시 장치(1000)의 표시 품질이 향상된다.
이하, 도 3을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1002)를 설명한다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1002)의 스위칭 박막 트랜지스터(Tsw)의 제3 액티브층(323)은 포토 센서(LS)의 제2 액티브층(321) 및 센싱 박막 트랜지스터(Tss)의 제4 액티브층(322)과 동일할 물질로 형성되며, 비정질 실리콘을 포함하는 반도체층이다. 제3 액티브층(323)과 기판(110) 사이에는 광 차단층(311)과 동일한 물질을 포함하는 제2 더미층(313)이 위치한다.
이상과 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1002)는 반도체 특성이 중요한 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 제1 액티브층(152)이 반도체 특성이 좋은 징크 산화물을 포함하는 반도체층으로 형성되고, 광 센싱 특성이 중요한 포토 센서(LS)의 제2 액티브층(321)이 광 센싱 특성이 좋은 비정질 실리콘을 포함하는 반도체층으로 형성됨으로써, 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 구동 효율이 향상되는 동시에 유기 발광 소자(LD)의 발광 효율이 향상되어 전체적인 유기 발광 표시 장치(1002)의 표시 품질이 향상된다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
유기 발광 소자(LD), 구동 박막 트랜지스터(Tdr), 포토 센서(LS), 제어부(101)

Claims (9)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하는 제1 전극, 유기 발광층 및 제2 전극을 포함하는 유기 발광 소자;
    상기 제1 전극으로 공급되는 제1 전원을 온 및 오프하며, 징크 산화물(ZnO)을 가지는 제1 액티브층을 포함하는 구동 박막 트랜지스터;
    상기 기판과 상기 유기 발광층 사이에 위치하며, 상기 유기 발광층으로부터 발광된 빛을 센싱하는 제2 액티브층을 포함하는 포토 센서; 및
    상기 포토 센서가 센싱한 상기 빛의 세기에 따라 상기 제1 전원 및 상기 제2 전극으로 공급되는 제2 전원 중 하나 이상을 조절하는 제어부를 포함하며,
    상기 포토 센서는,
    상기 제2 액티브층의 양단 각각에 접촉되어 있는 센서 입력단 및 센서 출력단; 및
    상기 센서 입력단과 연결되어 있는 센싱 박막 트랜지스터를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제2 액티브층은 비정질 실리콘을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 구동 박막 트랜지스터를 제어하는 제3 전원을 온 및 오프하며, 제3 액티브층을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 제3 액티브층은 상기 제1 액티브층과 동일한 물질로 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제3항에서,
    상기 제3 액티브층은 상기 제2 액티브층과 동일한 물질로 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  6. 삭제
  7. 제1항에서,
    상기 제2 액티브층과 상기 기판 사이에 위치하는 광 차단층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 광 차단층은 상기 제2 액티브층과 접하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제7항에서,
    상기 광 차단층은 티타늄 질화물(TiNx) 및 알루미늄 질화물(AlNx) 중 하나 이상을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
KR1020100080397A 2010-08-19 2010-08-19 유기 발광 표시 장치 Active KR101717232B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100080397A KR101717232B1 (ko) 2010-08-19 2010-08-19 유기 발광 표시 장치
US13/067,087 US8531099B2 (en) 2010-08-19 2011-05-06 Organic light emitting diode display
CN201110145146.1A CN102376741B (zh) 2010-08-19 2011-05-24 有机发光二极管显示器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100080397A KR101717232B1 (ko) 2010-08-19 2010-08-19 유기 발광 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120017661A KR20120017661A (ko) 2012-02-29
KR101717232B1 true KR101717232B1 (ko) 2017-03-17

Family

ID=45593521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100080397A Active KR101717232B1 (ko) 2010-08-19 2010-08-19 유기 발광 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8531099B2 (ko)
KR (1) KR101717232B1 (ko)
CN (1) CN102376741B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10706776B2 (en) 2017-11-14 2020-07-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
US10957749B2 (en) 2017-08-04 2021-03-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device including photo pixel with improved sensing sensitivity

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012220053A1 (de) * 2012-11-02 2014-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum betrieb eines organischen optoelektronischen bauelements
KR101967600B1 (ko) * 2012-11-09 2019-04-10 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법
CN103855182A (zh) * 2012-11-28 2014-06-11 瀚宇彩晶股份有限公司 有机发光二极管触控显示面板及其电磁式触控显示装置
US9310843B2 (en) 2013-01-02 2016-04-12 Apple Inc. Electronic devices with light sensors and displays
CN104282678A (zh) * 2013-07-09 2015-01-14 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 具有光感测功能的发光显示器
KR102130331B1 (ko) * 2013-09-24 2020-07-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102160417B1 (ko) 2014-02-28 2020-10-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6468686B2 (ja) * 2014-04-25 2019-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
KR101658716B1 (ko) * 2014-12-31 2016-09-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
US10644077B1 (en) 2015-10-28 2020-05-05 Apple Inc. Display with array of light-transmitting windows
CN106711168A (zh) * 2015-11-13 2017-05-24 小米科技有限责任公司 Oled面板、终端
US10157590B1 (en) 2015-12-15 2018-12-18 Apple Inc. Display with localized brightness adjustment capabilities
KR102568632B1 (ko) 2016-04-07 2023-08-21 삼성디스플레이 주식회사 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
US10163984B1 (en) 2016-09-12 2018-12-25 Apple Inc. Display with embedded components and subpixel windows
KR102508792B1 (ko) * 2018-08-07 2023-03-13 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102813716B1 (ko) * 2019-07-17 2025-05-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070236428A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Toppoly Optoelectronics Corp. Organic electroluminescent device and fabrication methods thereof

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060082476A (ko) 2005-01-12 2006-07-18 삼성전자주식회사 유기 전계발광 표시 장치
KR100732849B1 (ko) * 2005-12-21 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치
US7397065B2 (en) 2006-05-02 2008-07-08 Tpo Displays Corp. Organic electroluminescent device and fabrication methods thereof
KR101315375B1 (ko) 2006-11-08 2013-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101257851B1 (ko) * 2007-03-13 2013-04-24 삼성전자주식회사 디스플레용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR100931491B1 (ko) 2008-04-07 2009-12-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20100055324A (ko) * 2008-11-17 2010-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자 및 발광장치
KR101097337B1 (ko) * 2010-03-05 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070236428A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Toppoly Optoelectronics Corp. Organic electroluminescent device and fabrication methods thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10957749B2 (en) 2017-08-04 2021-03-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device including photo pixel with improved sensing sensitivity
US10706776B2 (en) 2017-11-14 2020-07-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120017661A (ko) 2012-02-29
US20120043894A1 (en) 2012-02-23
US8531099B2 (en) 2013-09-10
CN102376741A (zh) 2012-03-14
CN102376741B (zh) 2016-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101717232B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN109964316B (zh) 阵列基板、其制备方法及显示装置
CN1700830B (zh) 有机电致发光显示装置
US8421090B2 (en) Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
US11075221B2 (en) Thin-film transistor substrate having overlapping thin-film transistor
US8809838B2 (en) Organic light emitting diode display
CN103456763B (zh) 有机发光二极管显示器
KR101368006B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 이의 구동방법
KR100453635B1 (ko) 능동행렬 유기전기발광소자
EP2889913B1 (en) Organic light emitting display device
KR102268493B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조방법
KR102062841B1 (ko) 캐패시터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
CN109637455B (zh) 一种阵列基板、其驱动方法、显示面板及显示装置
KR102335112B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN102013433B (zh) 有机发光二极管显示器
CN118613105A (zh) 显示装置
KR101383456B1 (ko) 유기전계발광표시장치
JP4823651B2 (ja) 発光装置及びその作製方法
KR20240040176A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
CN116634813A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
KR20150037150A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20070102063A (ko) 유기 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법
KR20080038819A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20070044871A (ko) 전계발광 표시패널

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20100819

PG1501 Laying open of application
N231 Notification of change of applicant
PN2301 Change of applicant

Patent event date: 20120726

Comment text: Notification of Change of Applicant

Patent event code: PN23011R01D

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20150812

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20100819

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20160526

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20161214

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20170310

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20170310

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200227

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200227

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210302

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220302

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20250224

Start annual number: 9

End annual number: 9