KR101716988B1 - Surface-treated copper foil and laminated board using same - Google Patents
Surface-treated copper foil and laminated board using same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101716988B1 KR101716988B1 KR1020157001484A KR20157001484A KR101716988B1 KR 101716988 B1 KR101716988 B1 KR 101716988B1 KR 1020157001484 A KR1020157001484 A KR 1020157001484A KR 20157001484 A KR20157001484 A KR 20157001484A KR 101716988 B1 KR101716988 B1 KR 101716988B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- copper foil
- printed wiring
- wiring board
- mark
- treated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 392
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims abstract description 333
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 107
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 107
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 59
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 59
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 63
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 103
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 97
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 31
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 25
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 22
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 19
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 13
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 9
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 7
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 6
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 6
- 239000010731 rolling oil Substances 0.000 description 6
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co][Ni][Co] NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VDGMIGHRDCJLMN-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Co].[Ni] Chemical compound [Cu].[Co].[Ni] VDGMIGHRDCJLMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 4
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 amine compound Chemical class 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 3
- QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N nickel zinc Chemical compound [Ni].[Zn] QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- PJLJHXZTANASPP-UHFFFAOYSA-N O.OO.OS(O)(=O)=O Chemical compound O.OO.OS(O)(=O)=O PJLJHXZTANASPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- JUWOETZNAMLKMG-UHFFFAOYSA-N [P].[Ni].[Cu] Chemical compound [P].[Ni].[Cu] JUWOETZNAMLKMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- MKTJTLRLXTUJCM-UHFFFAOYSA-N azanium;hydrogen peroxide;hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-].OO MKTJTLRLXTUJCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000309464 bull Species 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 210000004185 liver Anatomy 0.000 description 2
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMPMFQXUJXPWSL-UHFFFAOYSA-N 3-(3-sulfopropyldisulfanyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CCCSSCCCS(O)(=O)=O LMPMFQXUJXPWSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDZYGYFHTPFREM-UHFFFAOYSA-N 3-[3-aminopropyl(dimethoxy)silyl]oxypropan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](OC)(OC)OCCCN ZDZYGYFHTPFREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZULUZJGEPGYRCN-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Mo].[P].[Ni] Chemical compound [Cu].[Mo].[P].[Ni] ZULUZJGEPGYRCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLLZCROFSGMWOC-UHFFFAOYSA-N [W].[Co].[Ni].[Cu] Chemical compound [W].[Co].[Ni].[Cu] BLLZCROFSGMWOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical group [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 230000010411 postconditioning Effects 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/16—Polishing
- C25F3/22—Polishing of heavy metals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21B—ROLLING OF METAL
- B21B1/00—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations
- B21B1/40—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations for rolling foils which present special problems, e.g. because of thinness
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21B—ROLLING OF METAL
- B21B3/00—Rolling materials of special alloys so far as the composition of the alloy requires or permits special rolling methods or sequences ; Rolling of aluminium, copper, zinc or other non-ferrous metals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
- B32B27/281—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyimides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/04—Wires; Strips; Foils
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/06—Wires; Strips; Foils
- C25D7/0614—Strips or foils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21B—ROLLING OF METAL
- B21B3/00—Rolling materials of special alloys so far as the composition of the alloy requires or permits special rolling methods or sequences ; Rolling of aluminium, copper, zinc or other non-ferrous metals
- B21B2003/005—Copper or its alloys
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
- B32B2307/412—Transparent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/08—PCBs, i.e. printed circuit boards
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/562—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of iron or nickel or cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/58—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of copper
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
동박을 에칭으로 제거한 후의 수지의 투명성이 우수한 표면 처리 동박 및 그것을 사용한 적층판을 제공한다. 표면 처리 동박은, 표면 처리가 실시되어 있는 표면측으로부터 폴리이미드 수지 기판의 양면에 첩합한 후, 에칭으로 양면의 동박을 제거하고, 라인상의 마크를 인쇄한 인쇄물을 촬영했을 때, 얻어진 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 마크의 단부로부터 마크가 그려져 있지 않은 부분에 걸쳐 생기는 명도 곡선의 탑 평균치 Bt 와 보텀 평균치 Bb 의 차를 ΔB (ΔB = Bt - Bb) 로 하고, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 명도 곡선과 Bt 의 교점 중, 상기 라인상의 마크에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t1 로 하고, 명도 곡선과 Bt 의 교점으로부터 Bt 를 기준으로 0.1ΔB 까지의 깊이 범위에 있어서, 명도 곡선과 0.1ΔB 의 교점 중, 상기 라인상의 마크에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t2 로 했을 때에, 하기 (1) 식으로 정의되는 Sv 가 3.5 이상이 되는 표면 처리 동박.
Sv = (ΔB × 0.1)/(t1 - t2) (1)A surface treated copper foil excellent in transparency of a resin after removal of the copper foil by etching and a laminated board using the same. The surface-treated copper foil is applied to both surfaces of the polyimide resin substrate from the surface side on which the surface treatment is performed, then the copper foil on both sides is removed by etching, and when the printed matter on which the mark on the line is printed is taken, In the brightness graph, the difference between the top average value Bt and the bottom average value Bb of the brightness curve that occurs from the end of the mark to the portion where the mark is not drawn is defined as? B (? B = Bt-Bb) A value indicating the position of the intersection point closest to the mark on the line is defined as t1 and a value of 0.1 at the intersection of the luminosity curve and Bt from the intersection of the luminosity curve and Bt And a value indicating a position of an intersection nearest to the mark on the line is t2, the Sv defined by the following formula (1) is 3.5 or more Surface treated copper foil.
Sv = (DELTA Bx0.1) / (t1 - t2) (1)
Description
본 발명은, 표면 처리 동박 및 그것을 사용한 적층판에 관한 것이며, 특히, 동박을 에칭한 후의 잔부의 수지의 투명성이 요구되는 분야에 바람직한 표면 처리 동박 및 그것을 사용한 적층판에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a surface-treated copper foil and a laminated board using the same, and more particularly to a surface-treated copper foil and a laminated board using the surface-treated copper foil, which are desirable for applications requiring transparency of the resin after the copper foil is etched.
스마트폰이나 태블릿 PC 와 같은 소형 전자 기기에는, 배선의 용이성이나 경량성에서 플렉시블 프린트 배선판 (이하, FPC) 이 채용되고 있다. 최근, 이들 전자 기기의 고기능화에 의해 신호 전송 속도의 고속화가 진행되어, FPC 에 있어서도 임피던스 정합이 중요한 요소가 되고 있다. 신호 용량의 증가에 대한 임피던스 정합의 방책으로서, FPC 의 베이스가 되는 수지 절연층 (예를 들어, 폴리이미드) 의 후층화(厚層化)가 진행되고 있다. 또 배선의 고밀도화 요구에 의해 FPC 의 다층화가 보다 한층 진행되고 있다. 한편, FPC 는 액정 기재에 대한 접합이나 IC 칩의 탑재 등의 가공이 실시되지만, 이 때의 위치 맞춤은 동박과 수지 절연층의 적층판에 있어서의 동박을 에칭한 후에 남는 수지 절연층을 투과하여 시인(視認)되는 위치 결정 패턴을 통하여 실시되기 때문에, 수지 절연층의 시인성이 중요해진다.Flexible printed wiring boards (hereinafter referred to as FPCs) are employed in small electronic devices such as smart phones and tablet PCs in terms of ease of wiring and light weight. In recent years, the speeding up of the signal transmission speed has been progressed by increasing the functionality of these electronic devices, and impedance matching has become an important factor in FPC. As a measure for impedance matching with an increase in the signal capacity, a post-layering (thickening) of a resin insulating layer (for example, polyimide) as a base of the FPC is progressing. Further, due to the demand for increasing the density of the wiring, the FPC has been further layered. On the other hand, the FPC is subjected to processing such as bonding to a liquid crystal substrate or mounting of an IC chip. In this case, alignment is performed by passing the resin insulating layer remaining after etching the copper foil on the laminate of the copper foil and the resin insulating layer, The visibility of the resin insulating layer becomes important.
또, 동박과 수지 절연층의 적층판인 구리 피복 적층판은, 표면에 조화(粗化) 도금이 실시된 압연 동박을 사용해도 제조할 수 있다. 이 압연 동박은, 통상적으로 터프 피치동 (산소 함유량 100 ∼ 500 중량 ppm) 또는 무산소동 (산소 함유량 10 중량 ppm 이하) 을 소재로서 사용하고, 이들의 잉곳을 열간 압연한 후, 소정의 두께까지 냉간 압연과 소둔을 반복하여 제조된다.The copper clad laminate which is a laminate of a copper foil and a resin insulating layer can also be produced by using a rolled copper foil whose surface is roughened. The rolled copper foil is usually produced by using tough pitch copper (oxygen content of 100 to 500 ppm by weight) or oxygen free copper (oxygen content of 10 ppm by weight or less) as a raw material, hot rolling the ingots thereof, Rolled and annealed.
이와 같은 기술로서, 예를 들어, 특허문헌 1 에는, 폴리이미드 필름과 저조도 동박이 적층되어 이루어지고, 동박 에칭 후의 필름의 파장 600 nm 에서의 광 투과율이 40 ％ 이상, 담가 (HAZE) 가 30 ％ 이하이고, 접착 강도가 500 N/m 이상인 구리 피복 적층판에 관련된 발명이 개시되어 있다.As such a technique, for example, Patent Document 1 discloses a technique in which a polyimide film and a low-illuminance copper foil are laminated, a light transmittance at a wavelength of 600 nm of a film after copper foil etching is 40% or more, a haze (HAZE) Or less, and an adhesive strength of 500 N / m or more.
또, 특허문헌 2 에는, 전해 동박에 의한 도체층이 적층된 절연층을 가지며, 당해 도체층을 에칭하여 회로 형성했을 때의 에칭 영역에 있어서의 절연층의 광 투과성이 50 ％ 이상인 칩온플렉스 (COF) 용 플렉시블 프린트 배선판에 있어서, 상기 전해 동박은, 절연층에 접착되는 접착면에 니켈-아연 합금에 의한 방청 처리층을 구비하고, 그 접착면의 표면 조도 (Rz) 는 0.05 ∼ 1.5 ㎛ 임과 함께 입사각 60 °에 있어서의 경면 광택도가 250 이상인 것을 특징으로 하는 COF 용 플렉시블 프린트 배선판에 관련된 발명이 개시되어 있다.Patent Document 2 discloses a chip on flex (COF) substrate having an insulating layer in which conductor layers are laminated by an electrolytic copper foil and has a light transmittance of 50% or more in an insulating region in an etching region when a circuit is formed by etching the conductor layer. Wherein the electrolytic copper foil is provided with a rust-preventive treatment layer of a nickel-zinc alloy on a bonding surface to be bonded to an insulating layer, the surface roughness Rz of the bonding surface is 0.05 to 1.5 탆, And a mirror polished degree at an incident angle of 60 DEG of not less than 250. The present invention relates to a flexible printed wiring board for COF.
또, 특허문헌 3 에는, 인쇄 회로용 동박의 처리 방법에 있어서, 동박의 표면에 구리-코발트-니켈 합금 도금에 의한 조화 처리 후, 코발트-니켈 합금 도금층을 형성하고, 또한 아연-니켈 합금 도금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 인쇄 회로용 동박의 처리 방법에 관련된 발명이 개시되어 있다.Patent Document 3 discloses a method of treating a copper foil for a printed circuit in which a cobalt-nickel alloy plating layer is formed on the surface of a copper foil after a roughening treatment by copper-cobalt-nickel alloy plating and a zinc- A copper foil for a printed circuit board, and a method for processing a copper foil for a printed circuit.
특허문헌 1 에 있어서, 흑화 처리 또는 도금 처리 후의 유기 처리제에 의해 접착성이 개량 처리되어 얻어지는 저조도 동박은, 구리 피복 적층판에 굴곡성이 요구되는 용도에서는, 피로에 의해 단선되는 경우가 있고, 수지 투시성이 열등한 경우가 있다.In the case of Patent Document 1, the low-illuminance copper foil obtained by improving the adhesiveness by an organic treating agent after the blackening treatment or the plating treatment is sometimes broken by fatigue in applications where flexibility is required of the copper clad laminate, There are cases of inferiority.
또, 특허문헌 2 에서는, 조화 처리가 이루어지지 않아, COF 용 플렉시블 프린트 배선판 이외의 용도에 있어서는 동박과 수지의 밀착 강도가 낮아 불충분하다.Also, in Patent Document 2, the roughening treatment is not performed and the adhesion strength between the copper foil and the resin is low in applications other than the COF flexible printed wiring board, which is insufficient.
또한, 특허문헌 3 에 기재된 처리 방법에서는, 동박에 대한 Cu-Co-Ni 에 의한 미세 처리는 가능했지만, 당해 동박을 수지와 접착시켜 에칭으로 제거한 후의 수지에 대해, 우수한 투명성이 실현되지 않았다.Further, in the treatment method described in Patent Document 3, although fine processing with Cu-Co-Ni for the copper foil was possible, excellent transparency was not realized with respect to the resin after the copper foil was adhered to the resin and removed by etching.
본 발명은, 동박을 에칭으로 제거한 후의 수지의 투명성이 우수한 표면 처리 동박 및 그것을 사용한 적층판을 제공한다.The present invention provides a surface-treated copper foil excellent in transparency of a resin after the copper foil is removed by etching, and a laminated board using the same.
본 발명자들은 예의 연구를 거듭한 결과, 소정의 표면 처리가 이루어진 표면 처리 동박에 대해, 당해 처리면측으로부터 첩합(貼合)하여 제거한 폴리이미드 기판에 대해, 마크를 부여한 인쇄물을 아래에 두고, 당해 인쇄물을 폴리이미드 기판 너머로 CCD 카메라로 촬영한 당해 마크 부분의 화상으로부터 얻어지는 관찰 지점-명도 그래프에 있어서 그려지는 마크 단부 부근의 명도 곡선의 기울기에 착안하여, 당해 명도 곡선의 기울기를 제어하는 것이, 기판 수지 필름의 종류나 기판 수지 필름의 두께의 영향을 받지 않고, 동박을 에칭 제거한 후의 수지 투명성에 영향을 미치는 것을 알아냈다.As a result of intensive studies, the inventors of the present invention have found that a polyimide substrate to which a surface-treated copper foil subjected to a predetermined surface treatment has been bonded (bonded) Of the lightness curve near the end of the mark drawn in the observation point-lightness graph obtained from the image of the mark portion photographed with the CCD camera over the polyimide substrate to control the slope of the lightness curve, It was found that the resin transparency after the removal of the copper foil was affected by the kind of the film and the thickness of the substrate resin film.
이상의 지견을 기초로서 완성된 본 발명은 1 측면에 있어서, 적어도 일방의 표면에 표면 처리가 실시된 표면 처리 동박으로서, 상기 동박을 표면 처리가 실시되어 있는 표면측으로부터 폴리이미드 수지 기판의 양면에 첩합한 후, 에칭으로 상기 양면의 동박을 제거하고, 라인상의 마크를 인쇄한 인쇄물을, 노출한 상기 폴리이미드 기판 아래에 깔고, 상기 인쇄물을 상기 폴리이미드 기판 너머로 CCD 카메라로 촬영했을 때, 상기 촬영에 의해 얻어진 화상에 대해, 관찰된 상기 라인상의 마크가 뻗는 방향과 수직인 방향을 따라 관찰 지점마다의 명도를 측정하여 제작한, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 상기 마크의 단부로부터 상기 마크가 그려져 있지 않은 부분에 걸쳐 생기는 명도 곡선의 탑 평균치 Bt 와 보텀 평균치 Bb 의 차를 ΔB (ΔB = Bt - Bb) 로 하고, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 명도 곡선과 Bt 의 교점 중, 상기 라인상의 마크에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t1 로 하고, 명도 곡선과 Bt 의 교점으로부터 Bt 를 기준으로 0.1ΔB 까지의 깊이 범위에 있어서, 명도 곡선과 0.1ΔB 의 교점 중, 상기 라인상의 마크에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t2 로 했을 때에, 하기 (1) 식으로 정의되는 Sv 가 3.5 이상이 된다.The present invention, which is completed on the basis of the above findings, is a surface treated copper foil having a surface treated on at least one surface thereof, wherein the copper foil is applied to both surfaces of a polyimide resin substrate The printed matter on which the mark on the line is printed is laid under the exposed polyimide substrate and when the printed matter is photographed by the CCD camera over the polyimide substrate, In the observation point-lightness graph prepared by measuring the brightness of each observation point along the direction perpendicular to the direction in which the mark on the line is observed, the mark is drawn from the end of the mark (B = Bt - Bb) between the top average value Bt and the bottom average value Bb of the brightness curve that occurs over a portion In a point-brightness graph, a value indicating the position of an intersection closest to the mark on the line among the intersections of the brightness curve and Bt is t1, and a depth range from the intersection of the brightness curve and Bt to 0.1? , Sv defined by the following formula (1) is 3.5 or more, where t2 is a value indicating the position of an intersection nearest to the mark on the line among the intersections of the brightness curve and 0.1? B.
Sv = (ΔB × 0.1)/(t1 - t2) (1)Sv = (DELTA Bx0.1) / (t1 - t2) (1)
본 발명의 표면 처리 동박은 일 실시형태에 있어서, 상기 마크의 단부로부터 상기 마크가 없는 부분에 걸쳐 생기는 명도 곡선의 탑 평균치 Bt 와 보텀 평균치 Bb 의 차 ΔB (ΔB = Bt - Bb) 가 40 이상이다.In the surface-treated copper foil of the present invention, the difference? B (? B = Bt - Bb) between the top average value Bt and the bottom average value Bb of the lightness curve generated from the end portion of the mark to the portion having no mark is 40 or more .
본 발명의 표면 처리 동박은 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 촬영에 의해 얻어진 화상으로부터 제작한 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, ΔB 가 50 이상이 된다.In another embodiment of the surface-treated copper foil of the present invention,? B is 50 or more in the observation point-brightness graph produced from the image obtained by the photographing.
본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 명도 곡선에 있어서의 (1) 식으로 정의되는 Sv 가 3.9 이상이 된다.In one embodiment of the surface-treated copper foil of the present invention, the Sv defined by the formula (1) in the lightness curve is 3.9 or more.
본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 명도 곡선에 있어서의 (1) 식으로 정의되는 Sv 가 5.0 이상이 된다.In another embodiment of the surface-treated copper foil of the present invention, the Sv defined by the formula (1) in the lightness curve is 5.0 or more.
본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 표면 처리가 조화 처리이며, 상기 조화 처리 표면의 TD 의 평균 조도 Rz 가 0.30 ∼ 0.80 ㎛ 이며, 조화 처리 표면의 MD 의 60 도 광택도가 80 ∼ 350 ％ 이며, In the surface-treated copper foil of the present invention, it is preferable that the surface treatment is a roughening treatment, the average roughness Rz of TD of the roughened surface is 0.30 to 0.80 mu m, Is 80 to 350%
상기 조화 처리 표면의 레이저 현미경에 의한 삼차원 표면적 A 와, 상기 조화 처리 표면의 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 B 의 비 A/B 가 1.90 ∼ 2.40 이다.The ratio A / B of the three-dimensional surface area A by the laser microscope and the two-dimensional surface area B by the laser microscope of the harmonized surface is 1.90 to 2.40.
본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 MD 의 60 도 광택도가 90 ∼ 250 ％ 이다.In another embodiment of the surface-treated copper foil of the present invention, the 60 degree glossiness of the MD is 90 to 250%.
본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 TD 의 평균 조도 Rz 가 0.35 ∼ 0.60 ㎛ 이다.In another embodiment of the surface-treated copper foil of the present invention, the average roughness Rz of the TD is 0.35 to 0.60 mu m.
본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 A/B 가 2.00 ∼ 2.20 이다.In another embodiment of the surface-treated copper foil of the present invention, the A / B ratio is 2.00 to 2.20.
본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 조화 처리 표면의 MD 의 60 도 광택도와 TD 의 60 도 광택도의 비 F (F = (MD 의 60 도 광택도)/(TD 의 60 도 광택도)) 가 0.80 ∼ 1.40 이다.In the surface-treated copper foil of the present invention, the ratio F of the 60 degree glossiness of the MD and the 60 degree glossiness of the TD of the roughened surface is F (F = (60 degree gloss of MD) / Degree of gloss)) is from 0.80 to 1.40.
본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 조화 처리 표면의 MD 의 60 도 광택도와 TD 의 60 도 광택도의 비 F (F = (MD 의 60 도 광택도)/(TD 의 60 도 광택도)) 가 0.90 ∼ 1.35 이다.In the surface-treated copper foil of the present invention, the ratio F of the 60 degree glossiness of the MD and the 60 degree glossiness of the TD of the roughened surface is F (F = (60 degree gloss of MD) / Degree of gloss)) is 0.90 to 1.35.
본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 표면 처리가 실시되어 있는 면의 표면의 2 승 평균 평방근 높이 Rq 가 0.14 ∼ 0.63 ㎛ 이다.In another embodiment of the surface-treated copper foil of the present invention, the root mean square height Rq of the surface of the surface subjected to the surface treatment is 0.14 to 0.63 탆.
본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 표면 처리 동박의 상기 표면의 2 승 평균 평방근 높이 Rq 가 0.25 ∼ 0.60 ㎛ 이다.In another embodiment of the surface-treated copper foil of the present invention, the root mean square height Rq of the surface of the surface-treated copper foil is 0.25 to 0.60 mu m.
본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 표면 처리가 실시되어 있는 면의 표면의 JIS B0601-2001 에 기초하는 스큐니스 Rsk 가 -0.35 ∼ 0.53 이다.The surface-treated copper foil of the present invention is a surface-treated copper foil having a skewness Rsk of -0.35 to 0.53 based on JIS B0601-2001 on the surface of the surface subjected to the surface treatment in another embodiment.
본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 표면의 스큐니스 Rsk 가 -0.30 ∼ 0.39 이다.In still another embodiment of the surface-treated copper foil of the present invention, the surface has a skewness Rsk of -0.30 to 0.39.
본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 표면 처리가 실시되어 있는 표면의 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 C 와, 상기 표면 처리가 실시되어 있는 표면의 볼록부 체적 E 의 비 E/C 가 2.11 ∼ 23.91 이다.In the surface-treated copper foil of the present invention, the ratio of the two-dimensional surface area C of the surface of the surface treated with the laser microscope to the surface area of the surface subjected to the surface treatment, E / C is 2.11 to 23.91.
본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 비 E/C 가 2.95 ∼ 21.42 이다.In another embodiment of the surface-treated copper foil of the present invention, the ratio E / C is 2.95 to 21.42.
본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 표면의 TD 의 10 점 평균 조도 Rz 가 0.20 ∼ 0.64 ㎛ 이다.In another embodiment of the surface-treated copper foil of the present invention, the ten-point average roughness Rz of the TD on the surface is 0.20 to 0.64 mu m.
본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 표면의 TD 의 10 점 평균 조도 Rz 가 0.40 ∼ 0.62 ㎛ 이다.In another embodiment of the surface-treated copper foil of the present invention, the ten-point average roughness Rz of TD on the surface is 0.40 to 0.62 mu m.
본 발명의 표면 처리 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 표면의 레이저 현미경에 의한 삼차원 표면적 D 와 상기 표면의 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 C 의 비 D/C 가 1.0 ∼ 1.7 이다.In another embodiment of the surface-treated copper foil of the present invention, the ratio D / C of the three-dimensional surface area D by the laser microscope to the two-dimensional surface area C by the laser microscope of the surface is 1.0 to 1.7.
본 발명은 또 다른 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박과 수지 기판을 적층하여 구성한 적층판이다.The present invention is, in another aspect, a laminated board comprising a surface-treated copper foil of the present invention and a resin substrate laminated.
본 발명은 또 다른 측면에 있어서, 본 발명의 표면 처리 동박을 사용한 프린트 배선판이다.In another aspect, the present invention is a printed wiring board using the surface-treated copper foil of the present invention.
본 발명은 또 다른 측면에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판을 사용한 전자 기기이다.According to another aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus using the printed wiring board of the present invention.
본 발명은 또 다른 측면에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판을 2 개 이상 접속하여, 프린트 배선판이 2 개 이상 접속된 프린트 배선판을 제조하는 방법이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a printed wiring board in which two or more printed wiring boards are connected by connecting two or more printed wiring boards of the present invention.
본 발명은 또 다른 측면에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판을 적어도 1 개와, 또 하나의 본 발명의 프린트 배선판 또는 본 발명의 프린트 배선판에 해당하지 않는 프린트 배선판을 접속하는 공정을 포함하는, 프린트 배선판이 2 개 이상 접속된 프린트 배선판을 제조하는 방법이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a printed wiring board comprising at least one printed wiring board of the present invention, and a step of connecting a printed wiring board other than the one of the present invention or the printed wiring board of the present invention Thereby manufacturing two or more connected printed wiring boards.
본 발명은 또 다른 측면에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판이 적어도 1 개 접속된 프린트 배선판을 1 개 이상 사용한 전자 기기이다.According to another aspect of the present invention, there is provided an electronic device using at least one printed wiring board to which at least one printed wiring board of the present invention is connected.
본 발명은 또 다른 측면에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판과, 부품을 접속하는 공정을 적어도 포함하는, 프린트 배선판을 제조하는 방법이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a printed wiring board including at least a step of connecting a component with a printed wiring board of the present invention.
본 발명은 또 다른 측면에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판을 적어도 1 개와, 또 하나의 본 발명의 프린트 배선판 또는 본 발명의 프린트 배선판에 해당하지 않는 프린트 배선판을 접속하는 공정, 및, 본 발명의 프린트 배선판 또는 본 발명의 프린트 배선판이 2 개 이상 접속된 프린트 배선판과, 부품을 접속하는 공정을 적어도 포함하는, 프린트 배선판이 2 개 이상 접속된 프린트 배선판을 제조하는 방법이다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a printed wiring board comprising the steps of connecting at least one printed wiring board of the present invention to a printed wiring board of the present invention or a printed wiring board not corresponding to the printed wiring board of the present invention, A printed wiring board to which at least two printed wiring boards are connected, and at least a step of connecting the components, in which at least two printed wiring boards are connected.
본 발명은 또 다른 측면에 있어서, 절연 수지 기판과, 상기 절연 기판 상에 형성된 구리 회로를 갖는 프린트 배선판으로서, 상기 구리 회로를, 상기 절연 수지 기판 너머로 CCD 카메라로 촬영했을 때, 상기 촬영에 의해 얻어진 화상에 대해, 관찰된 상기 구리 회로가 뻗는 방향과 수직인 방향을 따라 관찰 지점마다의 명도를 측정하여 제작한, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 상기 구리 회로의 단부로부터 상기 구리 회로가 없는 부분에 걸쳐 생기는 명도 곡선의 탑 평균치를 Bt, 보텀 평균치를 Bb 로 하고, 또한, 탑 평균치 Bt 와 보텀 평균치 Bb 의 차 ΔB (ΔB = Bt-Bb) 로서, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 명도 곡선과 Bt 의 교점 중, 상기 구리 회로에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t1 로 하고, 명도 곡선과 Bt 의 교점으로부터 Bt 를 기준으로 0.1ΔB 까지의 깊이 범위에 있어서, 명도 곡선과 0.1ΔB 의 교점 중, 상기 구리 회로에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t2 로 했을 때에, 하기 (1) 식으로 정의되는 Sv 가 3.5 이상이 되는 프린트 배선판이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a printed wiring board having an insulating resin substrate and a copper circuit formed on the insulating substrate, wherein when the copper circuit is photographed with a CCD camera over the insulating resin substrate, In the observation point-lightness graph obtained by measuring brightness for each observation point along the direction perpendicular to the direction in which the observed copper circuit extends, (B = Bt-Bb) between the top average value Bt and the bottom average value Bb, and the brightness curve and Bt , A value indicating the position of an intersection closest to the copper circuit is defined as t1, and from the intersection of the brightness curve and Bt, 0.1 [Delta] B Wherein a value indicating a position of an intersection closest to the copper circuit among the intersections of the brightness curve and the 0.1 DEG B is t2 and the Sv defined by the following formula (1) is 3.5 or more in the depth range of the lightness curve .
Sv = (ΔB × 0.1)/(t1 - t2) (1)Sv = (DELTA Bx0.1) / (t1 - t2) (1)
본 발명은 또 다른 측면에 있어서, 절연 수지 기판과, 상기 절연 기판 상에 형성된 동박을 갖는 구리 피복 적층판으로서, 상기 구리 피복 적층판의 상기 동박을, 에칭에 의해 라인상의 동박으로 한 후에, 상기 절연 수지 기판 너머로 CCD 카메라로 촬영했을 때, 상기 촬영에 의해 얻어진 화상에 대해, 관찰된 상기 라인상의 동박이 뻗는 방향과 수직인 방향을 따라 관찰 지점마다의 명도를 측정하여 제작한, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 상기 라인상의 동박의 단부로부터 상기 라인상의 동박이 없는 부분에 걸쳐 생기는 명도 곡선의 탑 평균치를 Bt, 보텀 평균치를 Bb 로 하고, 또한, 탑 평균치 Bt 와 보텀 평균치 Bb 의 차 ΔB (ΔB = Bt - Bb) 로 하고, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 명도 곡선과 Bt 의 교점 중, 상기 라인상의 표면 처리 동박에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t1 로 하고, 명도 곡선과 Bt 의 교점으로부터 Bt 를 기준으로 0.1ΔB 까지의 깊이 범위에 있어서, 명도 곡선과 0.1ΔB 의 교점 중, 상기 라인상의 표면 처리 동박에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t2 로 했을 때에, 하기 (1) 식으로 정의되는 Sv 가 3.5 이상이 되는 구리 피복 적층판이다.According to a still further aspect of the present invention, there is provided a copper clad laminate having an insulating resin substrate and a copper foil formed on the insulating substrate, wherein the copper foil of the copper clad laminate is etched to form a line- The observation point-brightness graph obtained by measuring the brightness of each observation point along the direction perpendicular to the direction in which the copper foil on the line was observed with respect to the image obtained by the photographing, Bt is the top average value of the lightness curve generated from the end of the copper foil on the line on the line, and Bb is the bottom average value and Bb is the difference between the top average value Bt and the bottom average value Bb - Bb), and in the observation point-brightness graph, of the intersections of the brightness curve and Bt, the intersection point closest to the surface-treated copper foil on the line And the position of the intersection point closest to the surface-treated copper foil on the line is set to t1, and the depth of the intersection of the lightness curve and Bt from the intersection of the brightness curve and 0.1 [ Is a copper-clad laminate having an Sv of 3.5 or more, defined by the following formula (1)
Sv = (ΔB × 0.1)/(t1 - t2) (1)Sv = (DELTA Bx0.1) / (t1 - t2) (1)
본 발명에 의하면, 동박을 에칭으로 제거한 후의 수지의 투명성이 우수한 표면 처리 동박 및 그것을 사용한 적층판을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a surface-treated copper foil excellent in transparency of a resin after removing the copper foil by etching, and a laminated board using the same.
도 1 은, Bt 및 Bb 를 정의하는 모식도이다.
도 2 는, t1 및 t2 및 Sv 를 정의하는 모식도이다.
도 3 은, 명도 곡선의 기울기 평가시의, 촬영 장치의 구성 및 명도 곡선의 기울기의 측정 방법을 나타내는 모식도이다.
도 4a 는, Rz 평가시의, 실험예 B3-1 의 동박 표면의 SEM 관찰 사진이다.
도 4b 는, Rz 평가시의, 실험예 A3-1 의 동박 표면의 SEM 관찰 사진이다.
도 4c 는, Rz 평가시의, 실험예 A3-2 의 동박 표면의 SEM 관찰 사진이다.
도 4d 는, Rz 평가시의, 실험예 A3-3 의 동박 표면의 SEM 관찰 사진이다.
도 4e 는, Rz 평가시의, 실험예 A3-4 의 동박 표면의 SEM 관찰 사진이다.
도 4f 는, Rz 평가시의, 실험예 A3-5 의 동박 표면의 SEM 관찰 사진이다.
도 4g 는, Rz 평가시의, 실험예 A3-6 의 동박 표면의 SEM 관찰 사진이다.
도 4h 는, Rz 평가시의, 실험예 A3-7 의 동박 표면의 SEM 관찰 사진이다.
도 4i 는, Rz 평가시의, 실험예 A3-8 의 동박 표면의 SEM 관찰 사진이다.
도 4j 는, Rz 평가시의, 실험예 A3-9 의 동박 표면의 SEM 관찰 사진이다.
도 4k 는, Rz 평가시의, 실험예 B4-2 의 동박 표면의 SEM 관찰 사진이다.
도 4l 은, Rz 평가시의, 실험예 B4-3 의 동박 표면의 SEM 관찰 사진이다.
도 5 는, 동박 표면의 스큐니스 Rsk 가 정부의 각 경우에 있어서의 동박 에칭 후의 폴리이미드 (PI) 의 표면 형태를 나타내는 모식도이다.1 is a schematic diagram for defining Bt and Bb.
Fig. 2 is a schematic diagram defining t1 and t2 and Sv.
3 is a schematic view showing a method of measuring the composition of the image pickup apparatus and the slope of the lightness curve at the time of evaluating the slope of the lightness curve.
4A is an SEM photograph of the surface of the copper foil of Experimental Example B3-1 at the time of Rz evaluation.
4B is a SEM observation photograph of the surface of the copper foil of Experimental Example A3-1 at the time of Rz evaluation.
4C is a SEM photograph of the surface of the copper foil of Experimental Example A3-2 at the time of Rz evaluation.
4D is an SEM observation image of the surface of the copper foil of Experimental Example A3-3 at the time of Rz evaluation.
4E is an SEM observation image of the surface of the copper foil of Experimental Example A3-4 at the time of Rz evaluation.
4F is a SEM photograph of the surface of the copper foil of Experimental Example A3-5 at the time of Rz evaluation.
4G is an SEM observation image of the surface of the copper foil of Experimental Example A3-6 at the time of Rz evaluation.
4H is an SEM photograph of the copper foil surface of Experimental Example A3-7 at the time of Rz evaluation.
Fig. 4I is a SEM photograph of the surface of the copper foil of Experimental Example A3-8 at Rz evaluation. Fig.
4J is a SEM photograph of the surface of the copper foil of Experimental Example A3-9 at the time of Rz evaluation.
4K is a SEM observation image of the surface of the copper foil of Experimental Example B4-2 at the time of Rz evaluation.
Fig. 41 is a SEM photograph of the surface of the copper foil of Experimental Example B4-3 at the time of Rz evaluation. Fig.
5 is a schematic view showing the surface morphology of the polyimide (PI) after the copper foil etching in each case of the skewness Rsk of the copper foil surface.
〔표면 처리 동박의 형태 및 제조 방법〕[Shape and production method of surface-treated copper foil]
본 발명에 있어서 사용하는 동박은, 수지 기판과 접착시켜 적층체를 제작하고, 에칭에 의해 제거함으로써 사용되는 동박에 유용하다.The copper foil used in the present invention is useful for a copper foil to be used by bonding a resin substrate to produce a laminate and removing the copper foil by etching.
본 발명에 있어서 사용하는 동박은, 전해 동박 혹은 압연 동박 어느 것이나 된다. 통상적으로, 동박의, 수지 기판과 접착하는 면, 즉 표면 처리측의 표면에는 적층 후의 동박의 잡아떼기 강도를 향상시키는 것을 목적으로 하여, 탈지 후의 동박의 표면에 매듭 형상의 전착을 실시하는 조화 처리가 실시되어도 된다. 전해 동박은 제조 시점에서 요철을 가지고 있지만, 조화 처리에 의해 전해 동박의 볼록부를 증강하여 요철을 한층 크게 할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 이 조화 처리는 구리-코발트-니켈 합금 도금이나 구리-니켈-인 합금 도금, 니켈-아연 합금 도금 등의 합금 도금에 의해 실시한다. 또, 바람직하게는 구리 합금 도금에 의해 실시할 수 있다. 구리 합금 도금욕으로서는 예를 들어 구리와 구리 이외의 원소를 1 종 이상 포함하는 도금욕, 보다 바람직하게는 구리와 코발트, 니켈, 비소, 텅스텐, 크롬, 아연, 인, 망간 및 몰리브덴으로 이루어지는 군에서 선택된 어느 1 종 이상을 포함하는 도금욕을 사용하는 것이 바람직하다. 그리고, 본 발명에 있어서는, 당해 조화 처리를 종래의 조화 처리보다 전류 밀도를 높게 하여, 조화 처리 시간을 단축한다. 조화 전의 전처리로서 통상적인 구리 도금 등이 실시되는 경우가 있고, 조화 후의 마무리 처리로서 전착물의 탈락을 방지하기 위해서 통상적인 구리 도금 등이 실시되는 경우도 있다. 압연 동박과 전해 동박에서는 처리의 내용을 어느 정도 다르게 하는 경우도 있다.The copper foil used in the present invention may be either an electrolytic copper foil or a rolled copper foil. Conventionally, for the purpose of improving the peel strength of the copper foil after lamination, the surface of the copper foil to be bonded to the resin substrate, that is, the surface of the surface treatment side, is subjected to a roughening treatment . The electrolytic copper foil has irregularities at the time of manufacture, but the convex portions of the electrolytic copper foil can be reinforced by the roughening treatment to further increase the irregularities. In the present invention, this roughening treatment is performed by plating an alloy such as a copper-cobalt-nickel alloy plating, a copper-nickel-phosphorus alloy plating, or a nickel-zinc alloy plating. It is also preferable to conduct the plating by copper alloy plating. As the copper alloy plating bath, for example, a plating bath containing at least one element other than copper and copper, more preferably a group consisting of copper and cobalt, nickel, arsenic, tungsten, chromium, zinc, phosphorus, manganese and molybdenum It is preferable to use a plating bath containing any one or more selected. In the present invention, the harmonic treatment is performed at a higher current density than the conventional harmonic treatment, thereby shortening the harmonic treatment time. Conventional copper plating or the like may be applied as a pretreatment before conditioning, and copper plating or the like may be performed in order to prevent electrodeposition from coming off as a post-conditioning finishing treatment. Rolled copper foil and electrolytic copper foil may have different treatment contents.
또한, 본원 발명에 관련된 압연 동박에는 Ag, Sn, In, Ti, Zn, Zr, Fe, P, Ni, Si, Te, Cr, Nb, V 등의 원소를 1 종 이상 포함하는 구리 합금박도 포함된다. 상기 원소의 농도가 높아지면 (예를 들어 합계로 10 질량％ 이상), 도전율이 저하되는 경우가 있다. 압연 동박의 도전율은, 바람직하게는 50 ％ IACS 이상, 보다 바람직하게는 60 ％ IACS 이상, 더욱 바람직하게는 80 ％ IACS 이상이다. 상기 구리 합금박은 구리 이외의 원소를 합계로 0 mass％ 이상 50 mass％ 이하 포함해도 되고, 0.0001 mass％ 이상 40 mass％ 이하 포함해도 되고, 0.0005 mass％ 이상 30 mass％ 이하 포함해도 되고, 0.001 mass％ 이상 20 mass％ 이하 포함해도 된다.The rolled copper foil according to the present invention also includes a copper alloy foil containing at least one element such as Ag, Sn, In, Ti, Zn, Zr, Fe, P, Ni, Si, Te, Cr, Nb and V . When the concentration of the element is high (for example, 10 mass% or more in total), the conductivity may be lowered. The electrical conductivity of the rolled copper foil is preferably 50% IACS or more, more preferably 60% IACS or more, and still more preferably 80% IACS or more. The copper alloy foil may contain not less than 0.0001 mass% and not more than 40 mass%, more preferably not less than 0.0005 mass% and not more than 30 mass%, more preferably not more than 0.001 mass% Or more and 20 mass% or less.
본 발명에 있어서 사용하는 동박은, 조화 처리를 실시한 후, 또는, 조화 처리를 생략하고, 내열 도금층 (내열층) 이나 방청 도금층 (방청층) 이나 내후성층이 표면에 실시되어 있어도 된다. 조화 처리를 생략하고, 내열 도금층이나 방청 도금층을 표면에 실시하는 처리로서, 하기 조건의 Ni 도금욕 (1) 또는 Ni-Zn 도금욕 (2) 에 의한 도금 처리를 사용할 수 있다.The copper foil to be used in the present invention may be subjected to surface roughening treatment or may be subjected to a heat-resistant plating layer (heat-resistant layer), a rust-preventive plated layer (rust-preventive layer) A plating treatment with a Ni plating bath (1) or a Ni-Zn plating bath (2) under the following conditions can be used as a treatment for applying a heat resistant plating layer or a rustproof plating layer to the surface by omitting the roughening treatment.
(Ni 도금욕 (1))(Ni plating bath 1)
·액 조성 ： Ni 20 ∼ 30 g/ℓ· Liquid composition:
·pH ： 2 ∼ 3PH: 2 to 3
·전류 밀도 ： 6 ∼ 7 A/d㎡Current density: 6 to 7 A / dm 2
·욕온 ： 35 ∼ 45 ℃· Bath temperature: 35 ~ 45 ℃
·쿨롬량 ： 1.2 ∼ 8.4 As/d㎡Culm volume: 1.2 to 8.4 As / dm < 2 >
·도금 시간 ： 0.2 ∼ 1.2 초· Plating time: 0.2 to 1.2 seconds
(Ni-Zn 도금욕 (2)) (Ni-Zn plating bath 2)
·액 조성 ： 니켈 20 ∼ 30 g/ℓ, 아연 0.5 ∼ 2.5 g/ℓLiquid composition: 20 to 30 g / l of nickel, 0.5 to 2.5 g / l of zinc
·pH ： 2 ∼ 3PH: 2 to 3
·전류 밀도 ： 6 ∼ 7 A/d㎡Current density: 6 to 7 A / dm 2
·욕온 ： 35 ∼ 45 ℃· Bath temperature: 35 ~ 45 ℃
·쿨롬량 ： 1.2 ∼ 8.4 As/d㎡Culm volume: 1.2 to 8.4 As / dm < 2 >
·도금 시간 ： 0.2 ∼ 1.2 초 · Plating time: 0.2 to 1.2 seconds
또한, 조화 처리를 생략하고, 도금 (정상 도금, 조화 도금이 아닌 도금) 에 의해 내열층 또는 방청층을 동박에 형성하는 경우에는 종래보다 당해 도금의 전류 밀도를 높게 하여, 도금 시간을 짧게 할 필요가 있다.When the heat resistance layer or the anticorrosive layer is formed on the copper foil by plating (normal plating or plating other than plating) by omitting the roughening treatment, it is necessary to increase the current density of the plating and to shorten the plating time .
또한, 본 발명에 있어서 사용하는 동박의 두께는 특별히 한정할 필요는 없지만, 예를 들어 1 ㎛ 이상, 2 ㎛ 이상, 3 ㎛ 이상, 5 ㎛ 이상이며, 예를 들어 3000 ㎛ 이하, 1500 ㎛ 이하, 800 ㎛ 이하, 300 ㎛ 이하, 150 ㎛ 이하, 100 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이하, 50 ㎛ 이하, 40 ㎛ 이하이다.The thickness of the copper foil used in the present invention is not particularly limited. For example, the thickness of the copper foil is not less than 1 占 퐉, not less than 2 占 퐉, not less than 3 占 퐉, not less than 5 占 퐉, for example, not more than 3000 占 퐉, Not more than 800 mu m, not more than 300 mu m, not more than 150 mu m, not more than 100 mu m, not more than 70 mu m, not more than 50 mu m, not more than 40 mu m.
또, 본원 발명에 사용하는 전해 동박의 제조 조건을 이하에 나타낸다.The production conditions of the electrolytic copper foil to be used in the present invention are shown below.
＜전해액 조성＞<Electrolyte Composition>
구리 ： 90 ∼ 110 g/ℓ Copper: 90 ~ 110 g / ℓ
황산 ： 90 ∼ 110 g/ℓ Sulfuric acid: 90 to 110 g / l
염소 ： 50 ∼ 100 ppmChlorine: 50 to 100 ppm
레벨링제 1 (비스(3술포프로필)디술피드) ： 10 ∼ 30 ppmLeveling first (bis (3-sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm
레벨링제 2 (아민 화합물) ： 10 ∼ 30 ppm Leveling second (amine compound): 10 to 30 ppm
상기의 아민 화합물에는 이하의 화학식의 아민 화합물을 사용할 수 있다.The amine compound may be an amine compound of the following formula.
[화학식 1][Chemical Formula 1]
(상기 화학식 중, R1 및 R2 는 하이드록시알킬기, 에테르기, 아릴기, 방향족 치환 알킬기, 불포화 탄화수소기, 알킬기로 이루어지는 1 군에서 선택되는 것이다.)Wherein R 1 and R 2 are selected from the group consisting of a hydroxyalkyl group, an ether group, an aryl group, an aromatic substituted alkyl group, an unsaturated hydrocarbon group and an alkyl group.
＜제조 조건＞<Manufacturing Conditions>
전류 밀도 ： 70 ∼ 100 A/d㎡ Current density: 70 to 100 A / dm 2
전해액 온도 ： 50 ∼ 60 ℃ Electrolyte temperature: 50 to 60 ° C
전해액 선속 ： 3 ∼ 5 m/sec Electrolyte flux: 3 ~ 5 m / sec
전해 시간 ： 0.5 ∼ 10 분간Electrolysis time: 0.5 to 10 minutes
조화 처리로서의 구리-코발트-니켈 합금 도금은, 전해 도금에 의해, 부착량이 15 ∼ 40 mg/d㎡ 의 구리-100 ∼ 3000 ㎍/d㎡ 의 코발트-50 ∼ 1500 ㎍/d㎡ 의 니켈인 3 원계 합금층을 형성하도록 실시할 수 있고, 부착량이 15 ∼ 40 mg/d㎡ 의 구리-100 ∼ 3000 ㎍/d㎡ 의 코발트-100 ∼ 1500 ㎍/d㎡ 의 니켈인 3 원계 합금층을 형성하도록 실시하는 것이 바람직하다. Co 부착량이 100 ㎍/d㎡ 미만에서는, 내열성이 악화되어, 에칭성이 나빠지는 경우가 있다. Co 부착량이 3000 ㎍/d㎡ 를 초과하면, 자성의 영향을 고려하지 않으면 안 되는 경우에는 바람직하지 않고, 에칭 얼룩이 생기고, 또, 내산성 및 내약품성의 악화가 되는 경우가 있다. Ni 부착량이 50 ㎍/d㎡ 미만이면, 내열성이 나빠지는 경우가 있다. 한편, Ni 부착량이 1500 ㎍/d㎡ 를 초과하면, 에칭 잔사가 많아지는 경우가 있다. 바람직한 Co 부착량은 1000 ∼ 2500 ㎍/d㎡ 이며, 바람직한 니켈 부착량은 500 ∼ 1200 ㎍/d㎡ 이다. 여기서, 에칭 얼룩이란, 염화구리로 에칭한 경우, Co 가 용해되지 않고 남게 되는 것을 의미하고 그리고 에칭 잔사란 염화암모늄으로 알칼리 에칭한 경우, Ni 가 용해되지 않고 남게 되는 것을 의미하는 것이다.The copper-cobalt-nickel alloy plating as the roughening treatment is a nickel-copper alloy having an adhesion amount of 15 to 40 mg / dm 2 of copper-100 to 3000 μg / dm 2 of cobalt-50 to 1500 μg / To form a ternary alloy layer of nickel-100 to 1500 占 퐂 / dm 2 of cobalt having an adhesion amount of 15 to 40 mg / dm 2 and copper of -100 to 3,000 占 퐂 / dm 2 . When the Co deposition amount is less than 100 占 퐂 / dm2, the heat resistance is deteriorated and the etching property is sometimes deteriorated. When the Co deposition amount exceeds 3000 占 퐂 / dm2, it is not preferable when the influence of the magnetic property must be considered, resulting in etching unevenness and deterioration of acid resistance and chemical resistance. If the Ni adhesion amount is less than 50 占 퐂 / dm2, the heat resistance may be deteriorated. On the other hand, if the amount of Ni adhered exceeds 1500 占 퐂 / dm2, etching residues may increase. The preferred Co deposition amount is 1000 to 2500 占 퐂 / dm2, and the preferable nickel deposition amount is 500 to 1200 占 퐂 / dm2. Here, the term "etching unevenness" means that Co remains unmelted when etching with copper chloride, and that the etching residue means that Ni remains unmelted when subjected to alkali etching with ammonium chloride.
이와 같은 3 원계 구리-코발트-니켈 합금 도금을 형성하기 위한 도금욕 및 도금 조건은 다음과 같다 ： The plating bath and plating conditions for forming such a ternary copper-cobalt-nickel alloy plating are as follows:
도금욕 조성 ： Cu 10 ∼ 20 g/ℓ, Co 1 ∼ 10 g/ℓ, Ni 1 ∼ 10 g/ℓPlating bath composition: 10 to 20 g / l of Cu, 1 to 10 g / l of Co, 1 to 10 g / l of Ni
pH ： 1 ∼ 4 pH: 1-4
온도 ： 30 ∼ 50 ℃ Temperature: 30 ~ 50 ℃
전류 밀도 Dk ： 25 ∼ 50 A/d㎡ Current density D k : 25 to 50 A / dm 2
도금 시간 ： 0.2 ∼ 3 초 Plating time: 0.2 to 3 seconds
또한, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 표면 처리 동박은, 종래보다 도금 시간을 짧게 하고, 전류 밀도를 높게 한 조건하에서 조화 처리가 실시된다. 종래보다 도금 시간을 짧게 하고, 전류 밀도를 높게 한 조건하에서 조화 처리가 실시됨으로써, 종래보다 미세한 조화 입자가 동박 표면에 형성된다. 또한, 도금의 전류 밀도를 상기 서술한 범위의 조금 높게 설정한 경우에는, 도금 시간을 상기 서술한 범위의 조금 낮게 설정할 필요가 있다.In addition, the surface-treated copper foil according to the embodiment of the present invention is subjected to the roughening treatment under the condition that the plating time is shortened and the current density is made higher than the conventional one. The coarsening treatment is carried out under the condition that the plating time is shortened and the current density is made higher than in the prior art, so that fine coarsened particles are formed on the surface of the copper foil. When the current density of the plating is set to be slightly higher than the above-mentioned range, it is necessary to set the plating time slightly lower than the above-mentioned range.
또, 본 발명의 조화 처리로서의 구리-니켈-인 합금 도금 조건을 이하에 나타낸다.The plating conditions of the copper-nickel-phosphorus alloy as the roughening treatment of the present invention are shown below.
도금욕 조성 ： Cu 10 ∼ 50 g/ℓ, Ni 3 ∼ 20 g/ℓ, P 1 ∼ 10 g/ℓPlating bath composition: 10 to 50 g / l of Cu, 3 to 20 g / l of Ni, 1 to 10 g / l of P
pH ： 1 ∼ 4 pH: 1-4
온도 ： 30 ∼ 40 ℃ Temperature: 30 ~ 40 ℃
전류 밀도 Dk ： 30 ∼ 50 A/d㎡ Current density D k : 30 to 50 A / dm 2
도금 시간 ： 0.2 ∼ 3 초 Plating time: 0.2 to 3 seconds
또한, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 표면 처리 동박은, 종래보다 도금 시간을 짧게 하고, 전류 밀도를 높게 한 조건하에서 조화 처리가 실시된다. 종래보다 도금 시간을 짧게 하고, 전류 밀도를 높게 한 조건하에서 조화 처리가 실시됨으로써, 종래보다 미세한 조화 입자가 동박 표면에 형성된다. 또한, 도금의 전류 밀도를 상기 서술한 범위의 조금 높게 설정한 경우에는, 도금 시간을 상기 서술한 범위의 조금 낮게 설정할 필요가 있다.In addition, the surface-treated copper foil according to the embodiment of the present invention is subjected to the roughening treatment under the condition that the plating time is shortened and the current density is made higher than the conventional one. The coarsening treatment is carried out under the condition that the plating time is shortened and the current density is made higher than in the prior art, so that fine coarsened particles are formed on the surface of the copper foil. When the current density of the plating is set to be slightly higher than the above-mentioned range, it is necessary to set the plating time slightly lower than the above-mentioned range.
또, 본 발명의 조화 처리로서의 구리-니켈-코발트-텅스텐 합금 도금 조건을 이하에 나타낸다.The copper-nickel-cobalt-tungsten alloy plating conditions as the roughening treatment of the present invention are shown below.
도금욕 조성 ： Cu 5 ∼ 20 g/ℓ, Ni 5 ∼ 20 g/ℓ, Co 5 ∼ 20 g/ℓ, W 1 ∼ 10 g/ℓPlating bath composition: 5 to 20 g / l of Cu, 5 to 20 g / l of Ni, 5 to 20 g / l of Co, 1 to 10 g / l of W
pH ： 1 ∼ 5 pH: 1-5
온도 ： 30 ∼ 50 ℃ Temperature: 30 ~ 50 ℃
전류 밀도 Dk ： 30 ∼ 50 A/d㎡ Current density D k : 30 to 50 A / dm 2
도금 시간 ： 0.2 ∼ 3 초 Plating time: 0.2 to 3 seconds
또한, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 표면 처리 동박은, 종래보다 도금 시간을 짧게 하고, 전류 밀도를 높게 한 조건하에서 조화 처리가 실시된다. 종래보다 도금 시간을 짧게 하고, 전류 밀도를 높게 한 조건하에서 조화 처리가 실시됨으로써, 종래보다 미세한 조화 입자가 동박 표면에 형성된다. 또한, 도금의 전류 밀도를 상기 서술한 범위의 조금 높게 설정한 경우에는, 도금 시간을 상기 서술한 범위의 조금 낮게 설정할 필요가 있다.In addition, the surface-treated copper foil according to the embodiment of the present invention is subjected to the roughening treatment under the condition that the plating time is shortened and the current density is made higher than the conventional one. The coarsening treatment is carried out under the condition that the plating time is shortened and the current density is made higher than in the prior art, so that fine coarsened particles are formed on the surface of the copper foil. When the current density of the plating is set to be slightly higher than the above-mentioned range, it is necessary to set the plating time slightly lower than the above-mentioned range.
또, 본 발명의 조화 처리로서의 구리-니켈-몰리브덴-인 합금 도금 조건을 이하에 나타낸다.The plating conditions of the copper-nickel-molybdenum-phosphorus alloy as the roughening treatment of the present invention are shown below.
도금욕 조성 ： Cu 5 ∼ 20 g/ℓ, Ni 5 ∼ 20 g/ℓ, Mo 1 ∼ 10 g/ℓ, P 1 ∼ 10 g/ℓPlating bath composition: 5 to 20 g / l of Cu, 5 to 20 g / l of Ni, 1 to 10 g / l of Mo, 1 to 10 g /
pH ： 1 ∼ 5 pH: 1-5
온도 ： 30 ∼ 50 ℃ Temperature: 30 ~ 50 ℃
전류 밀도 Dk ： 30 ∼ 50 A/d㎡ Current density D k : 30 to 50 A / dm 2
도금 시간 ： 0.2 ∼ 3 초 Plating time: 0.2 to 3 seconds
또한, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 표면 처리 동박은, 종래보다 도금 시간을 짧게 하고, 전류 밀도를 높게 한 조건하에서 조화 처리가 실시된다. 종래보다 도금 시간을 짧게 하고, 전류 밀도를 높게 한 조건하에서 조화 처리가 실시됨으로써, 종래보다 미세한 조화 입자가 동박 표면에 형성된다. 또한, 도금의 전류 밀도를 상기 서술한 범위의 조금 높게 설정한 경우에는, 도금 시간을 상기 서술한 범위의 조금 낮게 설정할 필요가 있다.In addition, the surface-treated copper foil according to the embodiment of the present invention is subjected to the roughening treatment under the condition that the plating time is shortened and the current density is made higher than the conventional one. The coarsening treatment is carried out under the condition that the plating time is shortened and the current density is made higher than in the prior art, so that fine coarsened particles are formed on the surface of the copper foil. When the current density of the plating is set to be slightly higher than the above-mentioned range, it is necessary to set the plating time slightly lower than the above-mentioned range.
조화 처리 후, 조화면 상에 부착량이 200 ∼ 3000 ㎍/d㎡ 의 코발트-100 ∼ 700 ㎍/d㎡ 의 니켈의 코발트-니켈 합금 도금층을 형성할 수 있다. 이 처리는 넓은 의미에서 일종의 방청 처리라고 볼 수 있다. 이 코발트-니켈 합금 도금층은, 동박과 기판의 접착 강도를 실질적으로 저하시키지 않을 정도로 실시할 필요가 있다. 코발트 부착량이 200 ㎍/d㎡ 미만에서는, 내열 박리 강도가 저하되고, 내산화성 및 내약품성이 악화되는 경우가 있다. 또, 또 하나의 이유로서, 코발트량이 적으면 처리 표면이 불그스름하게 되므로 바람직하지 않다. 코발트 부착량이 3000 ㎍/d㎡ 를 초과하면, 자성의 영향을 고려하지 않으면 안 되는 경우에는 바람직하지 않고, 에칭 얼룩이 생기는 경우가 있고, 또, 내산성 및 내약품성이 악화되는 경우가 있다. 바람직한 코발트 부착량은 500 ∼ 2500 ㎍/d㎡ 이다. 한편, 니켈 부착량이 100 ㎍/d㎡ 미만에서는 내열 박리 강도가 저하되고 내산화성 및 내약품성이 악화되는 경우가 있다. 니켈이 1300 ㎍/d㎡ 를 초과하면, 알칼리 에칭성이 나빠진다. 바람직한 니켈 부착량은 200 ∼ 1200 ㎍/d㎡ 이다.After the roughening treatment, a cobalt-nickel alloy plating layer of nickel having an adhesion amount of 200 to 3000 占 퐂 / dm2 of cobalt-100 to 700 占 퐂 / dm2 can be formed on the roughened surface. This treatment can be regarded as a kind of rust treatment in a broad sense. This cobalt-nickel alloy plating layer needs to be carried out to such an extent that the bonding strength between the copper foil and the substrate is not substantially lowered. When the cobalt adherence amount is less than 200 占 퐂 / dm2, the heat-resisting peel strength may be lowered and the oxidation resistance and chemical resistance may be deteriorated. In addition, as another reason, if the amount of cobalt is small, the treated surface becomes reddish, which is not preferable. If the amount of cobalt adhered exceeds 3000 占 퐂 / dm2, it is not preferable when the effect of magnetism must be taken into consideration. In some cases, etching unevenness may occur, and acid resistance and chemical resistance may be deteriorated. The preferable cobalt deposition amount is 500 to 2500 占 퐂 / dm2. On the other hand, when the nickel adhesion amount is less than 100 占 퐂 / dm2, the heat peel strength may be lowered and the oxidation resistance and the chemical resistance may be deteriorated. If the nickel exceeds 1300 占 퐂 / dm2, the alkali etching property is deteriorated. The preferred amount of nickel adhered is 200 to 1200 占 퐂 / dm2.
또, 코발트-니켈 합금 도금의 조건은 다음과 같다 ： The conditions of the cobalt-nickel alloy plating are as follows:
도금욕 조성 ： Co 1 ∼ 20 g/ℓ, Ni 1 ∼ 20 g/ℓPlating bath composition: Co 1 to 20 g / l, Ni 1 to 20 g / l
pH ： 1.5 ∼ 3.5 pH: 1.5 to 3.5
온도 ： 30 ∼ 80 ℃Temperature: 30 ~ 80 ℃
본 발명에 따르면, 코발트-니켈 합금 도금 위에 추가로 부착량의 30 ∼ 250 ㎍/d㎡ 의 아연 도금층이 형성된다. 아연 부착량이 30 ㎍/d㎡ 미만에서는 내열 열화율 개선 효과가 없어지는 경우가 있다. 한편, 아연 부착량이 250 ㎍/d㎡ 를 초과하면 내염산 열화율이 극단적으로 나빠지는 경우가 있다. 바람직하게는, 아연 부착량은 30 ∼ 240 ㎍/d㎡ 이며, 보다 바람직하게는 80 ∼ 220 ㎍/d㎡ 이다.According to the present invention, a zinc plating layer of 30 to 250 占 퐂 / dm2 is further formed on the cobalt-nickel alloy plating. When the zinc adhesion amount is less than 30 占 퐂 / dm2, the effect of improving the heat deterioration rate may be lost. On the other hand, if the zinc adhesion amount exceeds 250 占 퐂 / dm2, the hydrochloric acid deterioration rate may be extremely deteriorated. Preferably, the zinc adhesion amount is 30 to 240 占 퐂 / dm2, more preferably 80 to 220 占 퐂 / dm2.
상기 아연 도금의 조건은 다음과 같다 ： The conditions of the zinc plating are as follows:
도금욕 조성 ： Zn 100 ∼ 300 g/ℓPlating bath composition:
pH ： 3 ∼ 4 pH: 3-4
온도 ： 50 ∼ 60 ℃Temperature: 50 ~ 60 ℃
또한, 아연 도금층 대신에 아연-니켈 합금 도금 등의 아연 합금 도금층을 형성해도 되고, 또한 가장 표면에는 크로메이트 처리나 실란 커플링제의 도포 등에 의해 방청층을 형성해도 된다.A zinc alloy plating layer such as a zinc-nickel alloy plating layer may be formed instead of the zinc plating layer, or a rust-preventive layer may be formed on the outermost surface by chromate treatment, application of a silane coupling agent, or the like.
본 발명의 표면 처리 동박은, 표면 처리가 조화 처리이며, 조화 처리 표면의 TD 의 평균 조도 Rz 가 0.30 ∼ 0.80 ㎛ 이며, 조화 처리 표면의 MD 의 60 도 광택도가 80 ∼ 350 ％ 이며, 조화 처리 표면의 레이저 현미경에 의한 삼차원 표면적 A 와, 조화 처리 표면의 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 B 의 비 A/B 가 1.90 ∼ 2.40 인 구성으로 해도 된다. 이와 같은 구성의 동박에 있어서의, 상기 표면 조도 Rz (1), 광택도 (2), 입자의 표면적비 (3) 에 대해 이하에 설명한다.The surface-treated copper foil of the present invention is characterized in that the surface treatment is a roughening treatment, the average roughness Rz of TD on the roughened surface is 0.30 to 0.80 mu m, the 60 degree glossiness of MD on the roughened surface is 80 to 350% The ratio A / B of the three-dimensional surface area A by the laser microscope on the surface and the two-dimensional surface area B by the laser microscope on the harmonized surface is 1.90 to 2.40. The surface roughness Rz (1), the glossiness (2), and the surface area ratio (3) of the particles in the copper foil thus constructed will be described below.
(1) 표면 조도 Rz(1) Surface roughness Rz
상기 구성에 있어서의 표면 처리 동박은, 동박 표면에 조화 처리에 의해 조화 입자가 형성되고, 또한, 조화 처리 표면의 TD 의 평균 조도 Rz 가 0.20 ∼ 0.80 ㎛ 인 것이 바람직하다. 이와 같은 구성에 의해, 필 강도가 높아져 수지와 양호하게 접착하고, 또한, 동박을 에칭으로 제거한 후의 수지의 투명성이 높아진다. 이 결과, 당해 수지를 투과하여 시인되는 위치 결정 패턴을 통하여 실시하는 IC 칩 탑재시의 위치 맞춤 등이 보다 용이해진다. TD 의 평균 조도 Rz 가 0.20 ㎛ 미만이면, 초평활 표면을 제작하기 위한 제조 비용의 우려를 발생한다. 한편, TD 의 평균 조도 Rz 가 0.80 ㎛ 초과이면, 동박을 에칭으로 제거한 후의 수지 표면의 요철이 커질 우려가 있고, 그 결과 수지의 투명성이 불량이 되는 문제가 생길 우려가 있다. 조화 처리 표면의 TD 의 평균 조도 Rz 는, 0.30 ∼ 0.70 ㎛ 가 보다 바람직하고, 0.35 ∼ 0.60 ㎛ 가 보다 더 바람직하고, 0.35 ∼ 0.55 ㎛ 가 보다 더 바람직하고, 0.35 ∼ 0.50 ㎛ 가 보다 더 바람직하다. 또한, Rz 를 작게 하는 것이 필요한 용도로 본 발명의 표면 처리 동박이 사용되는 경우에는, 본 발명의 표면 처리 동박의 조화 처리 표면의 TD 의 평균 조도 Rz 는, 0.20 ∼ 0.70 ㎛ 가 바람직하고, 0.25 ∼ 0.60 ㎛ 가 보다 바람직하고, 0.30 ∼ 0.60 ㎛ 가 보다 더 바람직하고, 0.30 ∼ 0.55 ㎛ 가 보다 더 바람직하고, 0.30 ∼ 0.50 ㎛ 가 보다 더 바람직하다.It is preferable that the surface-treated copper foil in the above configuration has roughened particles formed by roughening treatment on the surface of the copper foil and the average roughness Rz of the roughed surface is 0.20 to 0.80 탆. With such a constitution, the peel strength becomes high and the resin adheres well to the resin, and the transparency of the resin after removing the copper foil by etching is improved. As a result, it becomes easier to position the IC chip when mounting the IC chip through a positioning pattern that is visible through the resin. If the average roughness Rz of TD is less than 0.20 占 퐉, there is a fear of manufacturing cost for manufacturing a super smooth surface. On the other hand, if the average roughness Rz of TD is more than 0.80 mu m, the unevenness of the surface of the resin after removal of the copper foil by etching may increase, resulting in a problem that the transparency of the resin becomes poor. The average roughness Rz of the TD of the roughened surface is more preferably 0.30 to 0.70 mu m, still more preferably 0.35 to 0.60 mu m, even more preferably 0.35 to 0.55 mu m, and still more preferably 0.35 to 0.50 mu m. When the surface-treated copper foil of the present invention is used for the purpose of reducing Rz, the average roughness Rz of TD on the roughened surface of the surface-treated copper foils of the present invention is preferably 0.20 to 0.70 mu m, More preferably 0.30 to 0.60 mu m, even more preferably 0.30 to 0.60 mu m, still more preferably 0.30 to 0.55 mu m, even more preferably 0.30 to 0.50 mu m.
또한 본 발명의 표면 처리 동박에 있어서 「조화 처리 표면」 이란, 조화 처리 후, 내열층, 방청층, 내후성층 등을 형성하기 위한 표면 처리를 실시한 경우에는, 당해 표면 처리를 실시한 후의 표면 처리 동박의 표면을 말한다.In the surface-treated copper foil of the present invention, the term "roughened surface" refers to a surface roughness of the surface-treated copper foil subjected to the surface treatment after the roughening treatment to form a heat-resistant layer, rust- Surface.
(2) 광택도(2) Glossiness
표면 처리 동박의 표면 처리된 측의 표면 (예를 들어 조화면) 의 압연 방향 (MD) 의 입사각 60 도에서의 광택도는, 상기 서술한 수지의 투명성에 크게 영향을 미친다. 즉, 표면 처리된 측의 표면 (예를 들어 조화면) 의 광택도가 큰 동박일수록, 상기 서술한 수지의 투명성이 양호해진다. 이 때문에, 상기 구성에 있어서의 표면 처리 동박은, 표면 처리된 측의 표면의 광택도가 76 ∼ 350 ％ 인 것이 바람직하고, 80 ∼ 350 ％ 인 것이 바람직하고, 90 ∼ 300 ％ 인 것이 보다 바람직하고, 90 ∼ 250 ％ 인 것이 보다 더 바람직하고, 100 ∼ 250 ％ 인 것이 보다 더 바람직하다.The glossiness at an incident angle of 60 degrees in the rolling direction (MD) of the surface-treated side (for example, roughened surface) of the surface-treated copper foil greatly affects the transparency of the above-mentioned resin. That is, as the copper foil having a high degree of gloss of the surface (for example, roughened surface) subjected to the surface treatment is processed, the transparency of the above-mentioned resin becomes better. Therefore, the surface-treated copper foil in the above-described configuration preferably has a surface gloss of 76 to 350%, preferably 80 to 350%, more preferably 90 to 300% , Still more preferably 90 to 250%, still more preferably 100 to 250%.
또한, 표면 처리 전의 동박의 MD 의 광택도와 TD 의 표면 조도 Rz 를 제어함으로써 본 발명에 관련된 Sv, ΔB 를 제어할 수 있다. 또, 표면 처리 전의 동박의 TD 의 광택도와 TD 의 표면 조도 Rz 를 제어함으로써, 본 발명에 관련된 Sv, Rsk, Rq 및 비 E/C 를 각각 제어할 수 있다.Also, by controlling the luster of the MD and the surface roughness Rz of the TD of the copper foil before the surface treatment, it is possible to control the Sv,? B related to the present invention. Further, Sv, Rsk, Rq, and ratio E / C related to the present invention can be controlled by controlling the luster of TD and the surface roughness Rz of TD of the copper foil before the surface treatment.
구체적으로는, 표면 처리 전의 동박의 TD 의 표면 조도 (Rz) 가 0.30 ∼ 0.80 ㎛, 바람직하게는 0.30 ∼ 0.50 ㎛ 이며, 압연 방향 (MD) 의 입사각 60 도에서의 광택도가 350 ∼ 800 ％, 바람직하게는 500 ∼ 800 ％ 이고, 또한 종래의 조화 처리보다 전류 밀도를 높게 하고, 조화 처리 시간을 단축하면, 표면 처리를 실시한 후의, 표면 처리 동박의 압연 방향 (MD) 의 입사각 60 도에서의 광택도가 90 ∼ 350 ％ 가 된다. 또, Sv 와 ΔB 를 소정의 값으로 제어할 수 있다. 이와 같은 동박으로서는, 압연유의 유막 당량을 조정하여 압연을 실시하거나 (고광택 압연), 혹은, 케미컬 에칭과 같은 화학 연마나 인산 용액 중의 전해 연마에 의해 제작할 수 있다. 이와 같이, 처리 전의 동박의 TD 의 표면 조도 (Rz) 와 MD 의 광택도를 상기 범위로 함으로써, 처리 후의 동박의 표면 조도 (Rz) 및 표면적, Sv, ΔB 를 제어하기 쉽게 할 수 있다. 또한, 표면 처리 후의 동박의 표면 조도 (Rz) 를 보다 작게 (예를 들어 Rz = 0.20 ㎛) 하고자 하는 경우에는, 표면 처리 전의 동박의 처리측 표면의 TD 의 조도 (Rz) 를 0.18 ∼ 0.80 ㎛, 바람직하게는 0.25 ∼ 0.50 ㎛ 로 하고, 압연 방향 (MD) 의 입사각 60 도에서의 광택도가 350 ∼ 800 ％, 바람직하게는 500 ∼ 800 ％ 이고, 또한 종래의 조화 처리보다 전류 밀도를 높게 하고, 조화 처리 시간을 단축한다.Specifically, the surface roughness Rz of the TD of the copper foil before the surface treatment is 0.30 to 0.80 mu m, preferably 0.30 to 0.50 mu m, the glossiness at the incidence angle of 60 degrees in the rolling direction (MD) is 350 to 800% Preferably 500 to 800%, and the current density is higher than that of the conventional roughening treatment and the roughening treatment time is shortened, the surface roughened surface of the surface-treated copper foil in the rolling direction (MD) The degree is 90 to 350%. It is also possible to control Sv and? B to a predetermined value. Such a copper foil can be produced by rolling (high gloss rolling) by adjusting the oil film equivalent of the rolling oil, or by chemical polishing such as chemical etching or electrolytic polishing in a phosphoric acid solution. By thus setting the surface roughness Rz of the TD and the glossiness of the MD of the copper foil before the treatment to the above range, the surface roughness Rz and the surface area Sv, B of the treated copper foil can be controlled easily. When the surface roughness (Rz) of the copper foil after the surface treatment is desired to be smaller (for example, Rz = 0.20 mu m), the roughness Rz of the TD on the processing side surface of the copper foil before the surface treatment is set to 0.18 to 0.80 mu m, Preferably 0.25 to 0.50 占 퐉, the glossiness at an incidence angle of 60 占 퐉 in the rolling direction (MD) is 350 to 800%, preferably 500 to 800%, and the current density is higher than that of the conventional coarsening treatment, Thereby shortening the harmonization processing time.
또, 조화 처리 전의 동박은, MD 의 60 도 광택도가 500 ∼ 800 ％ 인 것이 바람직하고, 501 ∼ 800 ％ 인 것이 보다 바람직하고, 510 ∼ 750 ％ 인 것이 보다 더 바람직하다. 조화 처리 전의 동박의 MD 의 60 도 광택도가 500 ％ 미만이면 500 ％ 이상의 경우보다 상기 서술한 수지의 투명성이 불량이 될 우려가 있고, 800 ％ 를 초과하면, 제조하는 것이 어려워진다는 문제가 생길 우려가 있다.The copper foil before the roughening treatment is preferably 500 to 800%, more preferably 501 to 800%, and even more preferably 510 to 750% in 60 degree glossiness of the MD. If the degree of 60 degree gloss of the MD of the copper foil before the roughening treatment is less than 500%, the transparency of the above-mentioned resin may be worse than the case of 500% or more, and if it exceeds 800% .
또한, 고광택 압연은 이하의 식으로 규정되는 유막 당량을 13000 ∼ 24000 이하로 함으로써 실시할 수 있다. 또한, 표면 처리 후의 동박의 표면 조도 (Rz) 를 보다 작게 (예를 들어 Rz = 0.20 ㎛) 하고자 하는 경우에는, 고광택 압연을 이하의 식으로 규정되는 유막 당량을 12000 이상 24000 이하로 함으로써 실시한다.The high gloss rolling can be carried out by setting the oil film equivalent defined by the following formula to 13000 to 24000 or less. When the surface roughness (Rz) of the copper foil after the surface treatment is desired to be smaller (for example, Rz = 0.20 mu m), high gloss rolling is performed by setting the oil film equivalent as defined by the following formula to 12000 to 24000.
유막 당량 =｛(압연유 점도 [cSt]) × (통판 속도 [mpm] ＋ 롤 주속도 [mpm])｝/｛(롤의 접촉각 [rad]) × (재료의 항복 응력 [kg/㎟])｝(The contact angle of the roll [rad]) (yield stress of the material [kg / mm < 2 >])} / {(rolling viscosity [cSt]) x
압연유 점도 [cSt] 는 40 ℃ 에서의 동점도이다.The viscosity of the rolling oil [cSt] is the kinematic viscosity at 40 ° C.
유막 당량을 13000 ∼ 24000 으로 하기 위해서는, 저점도의 압연유를 사용하거나, 통판 속도를 느리게 하거나 하는 등, 공지된 방법을 이용하면 된다.In order to make the oil film equivalent to 13000 to 24000, it is possible to use a known method such as using low-viscosity rolling oil or slowing the passing speed.
화학 연마는 황산-과산화수소-수계 또는 암모니아-과산화수소-수계 등의 에칭액으로, 통상보다 농도를 낮게 하여, 장시간 걸쳐 실시한다.The chemical polishing is carried out over a long period of time by lowering the concentration by an etching solution such as a sulfuric acid-hydrogen peroxide-water system or an ammonia-hydrogen peroxide-water system.
또한, 상기 제어 방법은, 조화 처리를 생략하고, 도금 (정상 도금, 조화 도금이 아닌 도금) 에 의해 내열층 또는 방청층을 동박에 형성하는 경우라도 동일하다.The control method is also applicable to the case where the heat-resistant layer or rust-preventive layer is formed on the copper foil by plating (normal plating, plating other than plating), but the roughening treatment is omitted.
처리 표면, 예를 들어 조화 처리 표면의 MD 의 60 도 광택도와 TD 의 60 도 광택도의 비 F (F = (MD 의 60 도 광택도)/(TD 의 60 도 광택도)) 가 0.80 ∼ 1.40 인 것이 바람직하다. 조화 처리 표면의 MD 의 60 도 광택도와 TD 의 60 도 광택도의 비 F 가 0.80 미만이면, 0.80 이상인 경우보다 수지의 투명성이 저하될 우려가 있다. 또, 당해 비 F 가 1.40 초과이면, 1.40 이하인 경우보다 수지의 투명성이 저하될 우려가 있다. 당해 비 F 는, 0.90 ∼ 1.35 인 것이 보다 바람직하고, 1.00 ∼ 1.30 인 것이 보다 더 바람직하다.(F = (60 degree gloss of MD) / (60 degree glossiness of TD)) of the 60 degree gloss of the MD on the treated surface, for example, the roughened surface, and the 60 degree glossiness of TD is 0.80 to 1.40 . When the ratio F of 60 degree gloss of MD and 60 degree gloss of TD on the roughened surface is less than 0.80, the transparency of the resin may be lower than that of 0.80 or more. If the ratio F is more than 1.40, the transparency of the resin may be lowered as compared with the case where the ratio is 1.40 or less. The ratio F is more preferably 0.90 to 1.35, and even more preferably 1.00 to 1.30.
(3) 입자의 표면적비(3) Surface area ratio of particles
조화 처리 표면의 레이저 현미경에 의한 삼차원 표면적 A 와, 조화 처리 표면의 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 B 의 비 A/B 는, 상기 서술한 수지의 투명성에 크게 영향을 미친다. 즉, 표면 조도 Rz 가 동일하면, 비 A/B 가 작은 동박일수록, 상기 서술한 수지의 투명성이 양호해진다. 이 때문에, 상기 구성에 있어서의 표면 처리 동박은, 당해 비 A/B 가 1.90 ∼ 2.40 인 것이 바람직하고, 2.00 ∼ 2.20 인 것이 보다 바람직하다.The ratio A / B of the three-dimensional surface area A by the laser microscope of the roughened surface to the two-dimensional surface area B by the laser microscope of the roughened surface greatly influences the transparency of the above-mentioned resin. That is, when the surface roughness Rz is the same, the copper as the copper having a small ratio A / B becomes better in transparency of the above-mentioned resin. Therefore, the surface treated copper foil in the above configuration preferably has a ratio A / B of 1.90 to 2.40, more preferably 2.00 to 2.20.
입자 형성시의 전류 밀도와 도금 시간을 제어함으로써, 입자의 형태나 형성 밀도가 정해지고, 상기 표면 조도 Rz, 광택도 및 입자의 면적비 A/B 를 제어할 수 있다.By controlling the current density and the plating time at the time of forming the particles, the shape and the density of the particles are determined, and the surface roughness Rz, the gloss and the area ratio A / B of the particles can be controlled.
상기 서술한 바와 같이, 조화 처리 표면의 레이저 현미경에 의한 삼차원 표면적 A 와, 조화 처리 표면의 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 B 의 비 A/B 를 1.90 ∼ 2.40 으로 제어하여 표면의 요철을 크게 하고, 조화 처리 표면의 TD 의 평균 조도 Rz 를 0.30 ∼ 0.80 ㎛ 로 제어하여 표면에 극단적으로 거친 부분을 없애고, 그 한편, 조화 처리 표면의 광택도를 80 ∼ 350 ％ 로 높게 할 수 있다. 이와 같은 제어를 실시함으로써, 본 발명의 표면 처리 동박에 있어서, 조화 처리 표면에 있어서의 조화 입자의 입경을 작게 할 수 있다. 이 조화 입자의 입경은, 동박을 에칭 제거한 후의 수지 투명성에 영향을 미치지만, 이와 같은 제어하는 것은, 조화 입자의 입경을 적절한 범위로 작게 하는 것을 의미하고 있고, 이 때문에 동박을 에칭 제거한 후의 수지 투명성이 보다 양호해짐과 함께, 필 강도도 보다 양호해진다.As described above, by controlling the ratio A / B of the three-dimensional surface area A by the laser microscope to the two-dimensional surface area B by the laser microscope of the roughened surface to 1.90 to 2.40 on the roughened surface by increasing the unevenness of the surface, It is possible to control the average roughness Rz of the TD of the treated surface to 0.30 to 0.80 mu m to eliminate extreme roughness on the surface and to increase the gloss of the roughened surface to 80 to 350%. By performing such control, it is possible to reduce the grain size of the roughened particles on the roughened surface of the surface-treated copper foil of the present invention. The particle diameter of the coarse particles influences the resin transparency after etching away the copper foil. Such control means that the particle diameter of the coarse particles is reduced to an appropriate range. Therefore, the resin transparency after etching removal of the copper foil And the peel strength is also improved.
상기 서술한 바와 같이, 조화 처리 표면의 레이저 현미경에 의한 삼차원 표면적 A 와, 조화 처리 표면의 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 B 의 비 A/B 를 1.90 ∼ 2.40 으로 제어하여 표면의 요철을 크게 하고, 조화 처리 표면의 TD 의 평균 조도 Rz 를 0.30 ∼ 0.80 ㎛ 로 제어하여 표면에 극단적으로 거친 부분을 없애고, 그 한편, 조화 처리 표면의 광택도를 80 ∼ 350 ％ 로 높게 할 수 있다. 이와 같은 제어를 실시함으로써, 본 발명의 표면 처리 동박에 있어서, 조화 처리 표면에 있어서의 조화 입자의 입경을 작게 할 수 있다. 이 조화 입자의 입경은, 동박을 에칭 제거한 후의 수지 투명성에 영향을 미치지만, 이와 같은 제어하는 것은, 조화 입자의 입경을 적절한 범위로 작게 하는 것을 의미하고 있고, 이 때문에 동박을 에칭 제거한 후의 수지 투명성이 보다 양호해짐과 함께, 필 강도도 보다 양호해진다.As described above, by controlling the ratio A / B of the three-dimensional surface area A by the laser microscope to the two-dimensional surface area B by the laser microscope of the roughened surface to 1.90 to 2.40 on the roughened surface by increasing the unevenness of the surface, It is possible to control the average roughness Rz of the TD of the treated surface to 0.30 to 0.80 mu m to eliminate extreme roughness on the surface and to increase the gloss of the roughened surface to 80 to 350%. By performing such control, it is possible to reduce the grain size of the roughened particles on the roughened surface of the surface-treated copper foil of the present invention. The particle diameter of the coarse particles influences the resin transparency after etching away the copper foil. Such control means that the particle diameter of the coarse particles is reduced to an appropriate range. Therefore, the resin transparency after etching removal of the copper foil And the peel strength is also improved.
〔동박 표면의 2 승 평균 평방근 높이 Rq〕[The root mean square height Rq of the copper foil surface]
본 발명의 표면 처리 동박은, 적어도 일방의 표면의 2 승 평균 평방근 높이 Rq 가 0.14 ∼ 0.63 ㎛ 로 제어되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성에 의해, 필 강도가 높아져 수지와 양호하게 접착하고, 또한, 동박을 에칭으로 제거한 후의 수지의 투명성이 높아진다. 이 결과, 당해 수지를 투과하여 시인되는 위치 결정 패턴을 통하여 실시하는 IC 칩 탑재시의 위치 맞춤 등이 용이해진다. 2 승 평균 평방근 높이 Rq 가 0.14 ㎛ 미만이면, 동박 표면의 조화 처리가 불충분해져, 수지와 충분히 접착할 수 없다는 문제가 생긴다. 한편, 2 승 평균 평방근 높이 Rq 가 0.63 ㎛ 초과이면, 동박을 에칭으로 제거한 후의 수지 표면의 요철이 커지고, 그 결과 수지의 투명성이 불량이 되는 문제가 생긴다. 조화 처리 표면의 2 승 평균 평방근 높이 Rq 는, 0.25 ∼ 0.60 ㎛ 가 보다 바람직하고, 0.32 ∼ 0.56 ㎛ 가 보다 더 바람직하다.In the surface-treated copper foil of the present invention, it is preferable that the root mean square height Rq of at least one surface is controlled to be 0.14 to 0.63 mu m. With such a constitution, the peel strength becomes high and the resin adheres well to the resin, and the transparency of the resin after removing the copper foil by etching is improved. As a result, it is easy to position the IC chip when mounting the IC chip through a positioning pattern which is visible through the resin. If the square root mean square height Rq is less than 0.14 탆, the roughening treatment of the surface of the copper foil becomes insufficient and there arises a problem that it can not be sufficiently bonded to the resin. On the other hand, if the root mean square height Rq is more than 0.63 mu m, the unevenness of the resin surface after the removal of the copper foil by etching becomes large, resulting in a problem of poor transparency of the resin. The root mean square height Rq of the roughened surface is preferably 0.25 to 0.60 mu m, and more preferably 0.32 to 0.56 mu m.
여기서, 표면의 2 승 평균 평방근 높이 Rq 는, JIS B 0601 (2001) 에 준거한 비접촉식 조도계에 의한 표면 조도 측정에 있어서의, 요철의 정도를 나타내는 지표이며, 하기 식으로 나타내고, 표면 조도의 Z 축 방향의 요철 (산의) 높이로서, 기준 길이 lr 에 있어서의 산의 높이 Z(x) 의 2 승 평균 평방근이다.Here, the square root mean square height Rq of the surface is an index indicating the degree of irregularity in the surface roughness measurement by the non-contact type roughness meter according to JIS B 0601 (2001), expressed by the following equation, (Mountain), and is the root-mean-square root of the height Z (x) of the mountain at the reference length lr.
기준 길이 lr 에 있어서의 산의 높이의 2 승 평균 평방근 높이 Rq ： Root mean square height Rq of the height of the mountain at the reference length lr:
√｛(1/lr) × ∫Z2(x)dx (단 인테그랄은 0 부터 lr 까지의 적산치)｝√ {(1 / lr) × ∫Z 2 (x) dx (Integral integral value from 0 to 1r)}
또한, 표면 처리가 조화 없음인 경우는, 상기와 같이 도금 피막에 요철이 생기지 않도록 저전류 밀도로 처리를 실시함으로써, 또, 조화 처리를 실시하는 경우에는, 고전류 밀도로 함으로써 조화 입자를 소형화하고, 단시간으로 도금함으로써, 조도가 작은 표면 처리를 가능하게 하고, 이로써 표면의 2 승 평균 평방근 높이 Rq 가 제어된다.When the surface treatment is not harmonized, the coarsened particles are reduced in size by setting the plating film at a low current density so as not to cause irregularities in the plating film as described above, By plating in a short time, a surface treatment with a low roughness is made possible, whereby the root mean square height Rq of the surface is controlled.
〔동박 표면의 스큐니스 Rsk〕[Skewness Rsk of the copper foil surface]
스큐니스 Rsk 는, 2 승 평균 평방근 높이 Rq 의 3 승에 의해 무차원화한 기준 길이에 있어서의 Z(x) 3 승 평균을 나타낸 것이다.The skewness Rsk represents the Z (x) th power average of the reference length obtained by dimensionless by the third power of the root mean square height Rq.
2 승 평균 평방근 높이 Rq 는, JIS B 0601 (2001) 에 준거한 비접촉식 조도계에 의한 표면 조도 측정에 있어서의, 요철의 정도를 나타내는 지표이며, 하기 (A) 식으로 나타내고, 표면 조도의 Z 축방향의 요철 (산의) 높이로서, 기준 길이 lr 에 있어서의 산의 높이 Z(x) 의 2 승 평균 평방근이다.The square root mean square height Rq is an index indicating the degree of irregularity in the surface roughness measurement by the non-contact type roughness meter according to JIS B 0601 (2001), and is represented by the following formula (A) (The height of the mountain) of the reference height lr and is the root mean square of the height Z (x) of the mountain at the reference length lr.
기준 길이 lr 에 있어서의 산의 높이의 2 승 평균 평방근 높이 Rq ： Root mean square height Rq of the height of the mountain at the reference length lr:
스큐니스 Rsk 는, 2 승 평균 평방근 높이 Rq 를 사용하여, 이하의 (B) 식으로 나타낸다.The skewness Rsk is expressed by the following equation (B) using the square root mean square height Rq.
동박 표면의 스큐니스 Rsk 는, 동박 표면의 요철면의 평균면을 중심으로 했을 때의, 동박 표면의 요철의 대상성을 나타내는 지표이다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, Rsk ＜ 0 이면 높이 분포가 평균면에 대해 상측으로 치우쳐 있고, Rsk ＞ 0 이면 높이 분포가 평균면에 대해 하측으로 치우쳐 있다고 할 수 있다. 상측으로의 편향이 클 때, 동박을 폴리이미드 (PI) 에 첩부한 후에 에칭 제거한 경우, PI 표면이 오목 형태로 되어 있고, 광원으로부터 광을 조사하면 PI 내부에서의 난반사가 커진다. 하측으로의 편향이 클 때, 동박을 폴리이미드 (PI) 에 첩부한 후에 에칭 제거한 경우, PI 표면이 볼록 형태로 되어 있고, 광원으로부터 광을 조사하면 PI 표면에서의 난반사가 커진다.The skewness Rsk of the surface of the copper foil is an index indicating the objectivity of the surface irregularities of the surface of the copper foil with respect to the average surface of the irregular surface of the surface of the copper foil. As shown in FIG. 5, if Rsk < 0, the height distribution is shifted upward with respect to the average surface, and if Rsk > 0, the height distribution is shifted downward with respect to the average surface. When the upward bias is large, when the copper foil is attached to the polyimide (PI) and then removed by etching, the PI surface is concave, and the diffuse reflection inside the PI becomes large when the light is irradiated from the light source. When the downward deflection is large, when the copper foil is attached to the polyimide (PI) and then removed by etching, the PI surface is convex, and when the light is irradiated from the light source, the diffuse reflection on the PI surface becomes large.
본 발명의 표면 처리 동박은, 적어도 일방의 표면의 스큐니스 Rsk 가 -0.35 ∼ 0.53 으로 제어되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성에 의해, 필 강도가 높아져 수지와 양호하게 접착하고, 또한, 동박을 에칭으로 제거한 후의 수지의 투명성이 높아진다. 이 결과, 당해 수지를 투과하여 시인되는 위치 결정 패턴을 통하여 실시하는 IC 칩 탑재시의 위치 맞춤 등이 용이해진다. 스큐니스 Rsk 가 -0.35 미만이면, 동박 표면의 조화 처리 등의 표면 처리가 불충분해져, 수지와 충분히 접착할 수 없다는 문제가 생긴다. 한편, 스큐니스 Rsk 가 0.53 초과이면, 동박을 에칭으로 제거한 후의 수지 표면의 요철이 커지고, 그 결과 수지의 투명성이 불량이 되는 문제가 생긴다. 표면 처리가 된 동박 표면의 스큐니스 Rsk 는, -0.30 이상이 바람직하고, -0.20 이상이 바람직하고, -0.10 이하가 바람직하다. 또, 표면 처리가 된 동박 표면의 스큐니스 Rsk 는, 0.15 이상이 바람직하고, 0.20 이상이 바람직하고, 0.50 이하가 바람직하고, 0.45 이하가 바람직하고, 0.40 이하가 바람직하고, 0.39 이하가 보다 더 바람직하다. 또, 표면 처리가 된 동박 표면의 스큐니스 Rsk 는, -0.30 이상이 바람직하고, 0.50 이하가 바람직하고, 0.39 이하가 보다 바람직하다.In the surface-treated copper foil of the present invention, it is preferable that the skewness Rsk of at least one surface is controlled to be -0.35 to 0.53. With such a constitution, the peel strength becomes high and the resin adheres well to the resin, and the transparency of the resin after removing the copper foil by etching is improved. As a result, it is easy to position the IC chip when mounting the IC chip through a positioning pattern which is visible through the resin. When the skewness Rsk is less than -0.35, surface treatment such as roughening treatment of the surface of the copper foil becomes insufficient and there arises a problem that the resin can not be sufficiently bonded to the resin. On the other hand, if the skewness Rsk is more than 0.53, the unevenness of the surface of the resin after the removal of the copper foil by etching becomes large, resulting in a problem that the transparency of the resin becomes poor. The skewness Rsk of the surface of the surface-treated copper foil is preferably -0.30 or more, preferably -0.20 or more, and more preferably -0.10 or less. The surface roughness Rsk of the surface of the copper foil subjected to the surface treatment is preferably 0.15 or more, more preferably 0.20 or more, preferably 0.50 or less, more preferably 0.45 or less, more preferably 0.40 or less, still more preferably 0.39 or less Do. The surface roughness Rsk of the surface of the surface-treated copper foil is preferably -0.30 or more, more preferably 0.50 or less, and most preferably 0.39 or less.
또한, 표면 처리가 조화 없음인 경우는, 상기 서술한 바와 같이 도금 피막에 요철을 할 수 없도록 저전류 밀도로 처리를 실시함으로써, 또, 조화 처리를 실시하는 경우에는, 고전류 밀도로 함으로써 조화 입자를 소형화하고, 단시간으로 도금함으로써, 조도가 작은 표면 처리를 가능하게 하고, 이로써 표면의 스큐니스 Rsk 가 제어된다.When the surface treatment is not coordinated, as described above, the plating film is treated at a low current density so that it can not be roughened. When the roughening treatment is performed, the roughening treatment is performed at a high current density, By miniaturization and plating in a short time, surface treatment with a small degree of roughness is made possible, whereby the skewness Rsk of the surface is controlled.
〔동박 표면의 이차원 표면적 C 와 볼록부 체적 E 의 비 E/C〕[The ratio of the two-dimensional surface area C of the copper foil surface to the convex volume E / E]
본 발명의 표면 처리 동박은, 적어도 일방의 표면에 있어서, 상기 표면의 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 C 와, 상기 표면의 볼록부 체적 E 의 비 E/C 가 2.11 ∼ 23.91 로 제어되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성에 의해, 필 강도가 높아져 수지와 양호하게 접착하고, 또한, 동박을 에칭으로 제거한 후의 수지의 투명성이 높아진다. 이 결과, 당해 수지를 투과하여 시인되는 위치 결정 패턴을 통하여 실시하는 IC 칩 탑재시의 위치 맞춤 등이 용이해진다. 비 E/C 가 2.11 ㎛ 미만이면, 동박 표면의 조화 처리가 불충분해져, 수지와 충분히 접착할 수 없다는 문제가 생긴다. 한편, 비 E/C 가 23.91 ㎛ 초과이면, 동박을 에칭으로 제거한 후의 수지 표면의 요철이 커지고, 그 결과 수지의 투명성이 불량이 되는 문제가 생긴다. 비 E/C 는, 2.95 ∼ 21.42 ㎛ 가 보다 바람직하고, 10.54 ∼ 13.30 ㎛ 가 보다 더 바람직하다.In the surface-treated copper foil of the present invention, it is preferable that the ratio E / C of the two-dimensional surface area C by the laser microscope on the surface and the convex portion volume E of the surface is controlled to be 2.11 to 23.91 on at least one surface . With such a constitution, the peel strength becomes high and the resin adheres well to the resin, and the transparency of the resin after removing the copper foil by etching is improved. As a result, it is easy to position the IC chip when mounting the IC chip through a positioning pattern which is visible through the resin. If the ratio E / C is less than 2.11 占 퐉, the roughening treatment of the surface of the copper foil becomes insufficient and there arises a problem that the resin can not be sufficiently bonded to the resin. On the other hand, if the ratio E / C is more than 23.91 탆, the unevenness of the resin surface after the removal of the copper foil by etching becomes large, resulting in a problem of poor transparency of the resin. The ratio E / C is more preferably 2.95 to 21.42 占 퐉, and even more preferably 10.54 to 13.30 占 퐉.
여기서, 「레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 C」 란, 어느 높이 (임계값) 를 기준으로 산이 되는 부분, 또는 골짜기가 되는 부분의 표면적의 합계이다.Here, the " two-dimensional surface area C by laser microscope " is the sum of the surface area of a portion that becomes a mountain or a portion of a valley based on a certain height (threshold value).
또, 「표면의 볼록부 체적 E」 란, 어느 높이 (임계값) 를 기준으로 산이 되는 부분, 또는 골짜기가 되는 부분의 체적의 합계이다.The " convex portion volume E of the surface " is the sum of the volume of a portion that becomes a mountain or the volume of a valley based on a certain height (threshold value).
또한, 표면의 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 C 와 볼록부 체적 E 의 비 E/C 의 제어는, 상기 서술한 바와 같이 조화 입자의 전류 밀도와 도금 시간을 조정함으로써 실시된다. 고전류 밀도로 도금 처리를 실시하면 작은 조화 입자가 얻어지고, 저전류 밀도로 도금 처리를 실시하면 큰 조화 입자가 얻어진다. 이들의 조건으로 형성하는 입자의 개수는 도금 처리 시간에 따라 정해지기 때문에, 볼록부 체적 E 는 전류 밀도와 도금 시간의 조합으로 결정한다.The control of the ratio E / C of the two-dimensional surface area C and the convex volume E by the laser microscope of the surface is carried out by adjusting the current density and the plating time of the coarsened particles as described above. When the plating treatment is performed at a high current density, small roughening particles are obtained, and when subjected to a plating treatment at a low current density, large roughening particles can be obtained. Since the number of particles formed under these conditions is determined by the plating treatment time, the convex volume E is determined by a combination of the current density and the plating time.
〔동박 표면의 평균 조도 Rz〕[Average roughness Rz of the copper foil surface]
본 발명의 표면 처리 동박은, 무조화 처리 동박이거나, 조화 입자가 형성된 조화 처리 동박이어도 되고, 조화 처리 표면의 TD 의 평균 조도 Rz 가 0.20 ∼ 0.64 ㎛ 인 것이 바람직하다. 이와 같은 구성에 의해, 보다 필 강도가 높아져 수지와 양호하게 접착하고, 또한, 동박을 에칭으로 제거한 후의 수지의 투명성이 보다 높아진다. 이 결과, 당해 수지를 투과하여 시인되는 위치 결정 패턴을 통하여 실시하는 IC 칩 탑재시의 위치 맞춤 등이 보다 용이해진다. TD 의 평균 조도 Rz 가 0.20 ㎛ 미만이면, 동박 표면의 조화 처리가 불충분한 우려가 있어, 수지와 충분히 접착할 수 없다는 문제가 생길 우려가 있다. 한편, TD 의 평균 조도 Rz 가 0.64 ㎛ 초과이면, 동박을 에칭으로 제거한 후의 수지 표면의 요철이 커질 우려가 있고, 그 결과 수지의 투명성이 불량이 되는 문제가 생길 우려가 있다. 처리 표면의 TD 의 평균 조도 Rz 는, 0.40 ∼ 0.62 ㎛ 가 보다 바람직하고, 0.46 ∼ 0.55 ㎛ 가 보다 더 바람직하다.The surface-treated copper foil of the present invention may be a roughened copper foil or roughened copper foil having roughened particles formed thereon, and preferably has an average roughness Rz of 0.20 to 0.64 mu m at the roughened surface. With such a constitution, the fill strength becomes higher and the resin adheres well to the resin, and the transparency of the resin after removing the copper foil by etching is further enhanced. As a result, it becomes easier to position the IC chip when mounting the IC chip through a positioning pattern that is visible through the resin. If the average roughness Rz of TD is less than 0.20 占 퐉, there is a concern that the roughening treatment of the surface of the copper foil is insufficient and there is a possibility that the resin can not be sufficiently bonded to the resin. On the other hand, if the average roughness Rz of TD is more than 0.64 占 퐉, the unevenness of the resin surface after the removal of the copper foil by etching may become large, which may result in a problem of poor transparency of the resin. The average roughness Rz of TD of the treated surface is more preferably 0.40 to 0.62 mu m, and still more preferably 0.46 to 0.55 mu m.
본 발명의 시인성의 효과를 한층 더 향상시키기 위해서, 표면 처리 전의 동박의 처리측의 표면의 TD 의 조도 (Rz) 및 광택도를 제어한다. 구체적으로는, 표면 처리 전의 동박의 TD (압연 방향으로 수직 방향 (동박의 폭방향), 전해 동박에 있어서는 전해 동박 제조 장치에 있어서의 동박의 통박(通箔) 방향으로 수직 방향) 의 표면 조도 (Rz) 가 0.20 ∼ 0.55 ㎛, 바람직하게는 0.20 ∼ 0.42 ㎛ 이다. 이와 같은 동박으로서는, 압연유의 유막 당량을 조정하여 압연을 실시하거나 (고광택 압연) 또는 압연 롤의 표면 조도를 조정하여 압연을 실시하거나, 혹은, 케미컬 에칭과 같은 화학 연마나 인산 용액 중의 전해 연마에 의해 제작한다. 이와 같이, 처리 전의 동박의 TD 의 표면 조도 (Rz) 를 상기 범위로 하고, 처리 전의 동박의 TD 의 광택도를 하기 범위로 함으로써, 처리 후의 동박의 표면 조도 (Rz), 표면적, Sv, Rq, Rsk, 동박 표면의 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 C 와 볼록부 체적 E 의 비 E/C 를 제어할 수 있다.In order to further improve the visibility effect of the present invention, the roughness (Rz) and gloss of the TD of the surface of the treated side of the copper foil before the surface treatment are controlled. Specifically, the surface roughness of the copper foil before surface treatment (the direction perpendicular to the rolling direction (the direction of the width of the copper foil) in the electrolytic copper foil, the direction perpendicular to the direction of the foil of the copper foil in the electrolytic copper foil production apparatus Rz) of 0.20 to 0.55 mu m, preferably 0.20 to 0.42 mu m. As such a copper foil, rolling may be carried out by adjusting the equivalent film amount of the rolling oil to perform rolling (high gloss rolling) or rolling by adjusting the surface roughness of the rolling roll, or by chemical polishing such as chemical etching or electrolytic polishing in a phosphoric acid solution And make them. The surface roughness (Rz), surface area, Sv, Rq, and surface roughness (Rz) of the treated copper foil after the treatment can be obtained by setting the TD surface roughness Rz of the copper foil before the treatment to the above- The ratio E / C of the two-dimensional surface area C and the convex portion volume E by the laser microscope of the surface of the copper foil Rsk can be controlled.
또, 표면 처리 전의 동박은, TD 의 60 도 광택도가 400 ∼ 710 ％ 이며, 500 ∼ 710 ％ 인 것이 바람직하다. 표면 처리 전의 동박의 MD 의 60 도 광택도가 400 ％ 미만이면 400 ％ 이상의 경우보다 상기 서술한 수지의 투명성이 불량이 될 우려가 있고, 710 ％ 를 초과하면, 제조하는 것이 어려워진다는 문제가 생길 우려가 있다.The copper foil before surface treatment is preferably in the range of 400 to 710%, and preferably in the range of 500 to 710%. If the degree of 60 degree gloss of the MD of the copper foil before the surface treatment is less than 400%, the transparency of the above-mentioned resin may be worse than that of 400% or more, and if it exceeds 710% .
또한, 고광택 압연은 이하의 식에서 규정되는 유막 당량을 13000 ∼ 24000 이하로 함으로써 실시할 수 있다.The high-gloss rolling can be carried out by setting the oil film equivalent as defined by the following formula to 13000 to 24000 or less.
유막 당량 =｛(압연유 점도 [cSt]) × (통판 속도 [mpm] ＋ 롤 주속도 [mpm])｝/｛(롤의 접촉각 [rad]) × (재료의 항복 응력 [kg/㎟])｝(The contact angle of the roll [rad]) (yield stress of the material [kg / mm < 2 >])} / {(the rolling contact viscosity [cSt]) x
압연유 점도 [cSt] 는 40 ℃ 에서의 동점도이다.The viscosity of the rolling oil [cSt] is the kinematic viscosity at 40 ° C.
유막 당량을 13000 ∼ 24000 으로 하기 위해서는, 저점도의 압연유를 사용하거나, 통판 속도를 느리게 하거나 하는 등, 공지된 방법을 이용하면 된다.In order to make the oil film equivalent to 13000 to 24000, it is possible to use a known method such as using low-viscosity rolling oil or slowing the passing speed.
압연 롤의 표면 조도는 예를 들어, 산술 평균 조도 Ra (JIS B0601) 로 0.01 ∼ 0.25 ㎛ 로 할 수 있다. 압연 롤의 산술 평균 조도 Ra 의 값이 큰 경우, 표면 처리 전의 동박의 표면의 TD 의 조도 (Rz) 가 커지고, 표면 처리 전의 동박의 표면의 TD 의 60 도 광택도가 낮아지는 경향이 있다. 또, 압연 롤의 산술 평균 조도 Ra 의 값이 작은 경우, 표면 처리 전의 동박의 표면의 TD 의 조도 (Rz) 가 작아지고, 표면 처리 전의 동박의 표면의 TD 의 60 도 광택도가 높아지는 경향이 있다.The surface roughness of the rolled roll can be, for example, 0.01 to 0.25 mu m in terms of arithmetic average roughness Ra (JIS B0601). When the value of the arithmetic average roughness Ra of the rolling roll is large, the roughness Rz of the TD of the surface of the copper foil before the surface treatment becomes large and the 60 degree glossiness of the TD of the surface of the copper foil before the surface treatment tends to be low. When the value of the arithmetic mean roughness Ra of the rolled roll is small, the roughness Rz of the TD on the surface of the copper foil before the surface treatment tends to be small, and the 60 degree glossiness of the TD on the surface of the copper foil before the surface treatment tends to be high .
화학 연마는 황산-과산화수소-수계 또는 암모니아-과산화수소-수계 등의 에칭액으로, 통상보다 농도를 낮게 하여, 장시간 걸쳐 실시한다.The chemical polishing is carried out over a long period of time by lowering the concentration by an etching solution such as a sulfuric acid-hydrogen peroxide-water system or an ammonia-hydrogen peroxide-water system.
〔명도 곡선의 기울기〕[Slope of brightness curve]
본 발명의 표면 처리 동박은, 폴리이미드 기재 수지의 양면에 첩합한 후, 에칭으로 양면의 동박을 제거하고, 라인상의 마크를 인쇄한 인쇄물을, 노출한 상기 폴리이미드 기판 아래에 깔고, 인쇄물을 상기 폴리이미드 기판 너머로 CCD 카메라로 촬영했을 때, 촬영에 의해 얻어진 화상에 대해, 관찰된 라인상의 마크가 뻗는 방향과 수직인 방향을 따라 관찰 지점마다의 명도를 측정하여 제작한, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 마크의 단부로부터 마크가 그려져 있지 않은 부분에 걸쳐 생기는 명도 곡선의 탑 평균치 Bt 와 보텀 평균치 Bb 의 차를 ΔB (ΔB = Bt - Bb) 로 하고, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 명도 곡선과 Bt 의 교점 중, 상기 라인상 마크에 가장 가까운 교점을 t1 로 하고, 명도 곡선과 Bt 의 교점으로부터 Bt 를 기준으로 0.1ΔB 까지의 깊이 범위에 있어서, 명도 곡선과 0.1ΔB 의 교점 중, 상기 라인상 마크에 가장 가까운 교점을 t2 로 했을 때에, (1) 식으로 정의되는 Sv 가 3.5 이상이 된다.The surface-treated copper foil of the present invention is a surface-treated copper foil which is obtained by bonding a printed material on both sides of a polyimide base resin and then removing the copper foil on both sides by etching and printing a printed material on a line under the exposed polyimide substrate, The observation point-brightness graph obtained by measuring the brightness of each observation point along the direction perpendicular to the direction in which the mark on the observed line extends, with respect to the image obtained by photographing, when the image was photographed with a CCD camera over a polyimide substrate (B = Bt - Bb) between the top average value Bt and the bottom average value Bb of the lightness curve that occurs from the end of the mark to the portion on which the mark is not drawn, and the lightness curve In the intersection point of Bt, the intersection closest to the above-mentioned line mark is defined as t1, and the intersection of the brightness curve and Bt is in the depth range of 0.1? B with respect to Bt Up, when the closest intersection to the intersection point of t2 of the brightness curve and 0.1ΔB, the in-line mark, Sv is defined by equation (1) it is at least 3.5.
Sv = (ΔB × 0.1)/(t1 - t2) (1) Sv = (DELTA Bx0.1) / (t1 - t2) (1)
또한, 상기 관찰 위치-명도 그래프에 있어서, 가로축은 위치 정보 (픽셀 × 0.1), 세로축은 명도 (계조) 의 값을 나타낸다.In the observation position-brightness graph, the horizontal axis represents positional information (pixel x 0.1) and the vertical axis represents the value of brightness (grayscale).
여기서, 「명도 곡선의 탑 평균치 Bt」, 「명도 곡선의 보텀 평균치 Bb」, 및, 후술하는 「t1」, 「t2」, 「Sv」 에 대해, 도면을 사용하여 설명한다.Here, the top average value Bt of the brightness curve, the bottom average value Bb of the brightness curve, and t1, t2, and Sv described later will be described with reference to the drawings.
도 1(a) 및 도 1(b) 에, 마크의 폭을 약 0.3 mm 로 한 경우의 Bt 및 Bb 를 정의하는 모식도를 나타낸다. 마크의 폭을 약 0.3 mm 로 한 경우, 도 1(a) 에 나타내는 바와 같이 V 형의 명도 곡선이 되는 경우와, 도 1(b) 에 나타내는 바와 같이 저부를 갖는 명도 곡선이 되는 경우가 있다. 어느 경우도 「명도 곡선의 탑 평균치 Bt」 는, 마크의 양측의 단부 위치로부터 50 ㎛ 떨어진 위치로부터 30 ㎛ 간격으로 5 지점 (양측에서 합계 10 지점) 측정했을 때의 명도의 평균치를 나타낸다. 한편, 「명도 곡선의 보텀 평균치 Bb」 는, 명도 곡선이 도 1(a) 에 나타내는 바와 같이 V 형이 되는 경우에는, 이 V 자의 골짜기의 선단부에 있어서의 명도의 최저치를 나타내고, 도 1(b) 의 저부를 갖는 경우에는, 약 0.3 mm 의 중심부의 값을 나타낸다.Fig. 1 (a) and Fig. 1 (b) are schematic views for defining Bt and Bb when the width of the mark is about 0.3 mm. When the width of the mark is about 0.3 mm, there may be a case where the lightness curve is a V-type lightness curve as shown in Fig. 1 (a) and a lightness curve having a bottom as shown in Fig. 1 (b). In any case, the " top average value Bt of brightness curve " indicates an average value of brightness measured at five points (10 points on both sides in total) at intervals of 30 占 퐉 from positions 50 占 from the end positions on both sides of the mark. On the other hand, the "bottom average value Bb of brightness curve" indicates the minimum brightness value at the tip of the V-shaped valley when the brightness curve becomes V-shape as shown in Fig. 1 (a) ), A value of the central portion of about 0.3 mm is shown.
도 2 에, t1 및 t2 및 Sv 를 정의하는 모식도를 나타낸다. 「t1 (픽셀 × 0.1)」 은, 명도 곡선과 Bt 의 교점 중, 상기 라인상 마크에 가장 가까운 교점 그리고 그 교점의 위치를 나타내는 값 (상기 관찰 지점-명도 그래프의 가로축의 값) 을 나타낸다. 「t2 (픽셀 × 0.1)」 은, 명도 곡선과 Bt 의 교점으로부터 Bt 를 기준으로 0.1ΔB 까지의 깊이 범위에 있어서, 명도 곡선과 0.1ΔB 의 교점 중, 상기 라인상 마크에 가장 가까운 교점 그리고 그 교점의 위치를 나타내는 값 (상기 관찰 지점-명도 그래프의 가로축의 값) 을 나타낸다. 이 때, t1 및 t2 를 연결하는 선으로 나타내는 명도 곡선의 기울기에 대해서는, y 축 방향으로 0.1ΔB, x 축 방향으로 (t1 - t2) 로 계산되는 Sv (계조/픽셀 × 0.1) 로 정의된다. 또한, 가로축의 1 픽셀은 10 ㎛ 길이에 상당한다. 또, Sv 는, 마크의 양측을 측정하여, 작은 값을 채용한다. 또한, 명도 곡선의 형상이 불안정하고 상기 「명도 곡선과 Bt 의 교점」 이 복수 존재하는 경우에는, 가장 마크에 가까운 교점을 채용한다.Fig. 2 shows a schematic diagram defining t1 and t2 and Sv. "T1 (pixel x 0.1)" represents a value (the value of the horizontal axis of the observation point-brightness graph) indicating the intersection closest to the mark on the line and the position of the intersection of the intersections of the brightness curve and Bt. "T2 (pixel x 0.1)" is the intersection point closest to the line-shaped mark and the intersection point of the intersection point of the brightness curve and 0.1ΔB in the depth range from the intersection of the brightness curve and Bt to 0.1 ΔB with respect to Bt (The value of the horizontal axis of the observation point-brightness graph). At this time, the slope of the brightness curve represented by the line connecting t1 and t2 is defined as Sv (grayscale / pixel x 0.1) calculated as 0.1 DELTA B in the y axis direction and (t1 - t2) in the x axis direction. Further, one pixel on the horizontal axis corresponds to a length of 10 mu m. Sv measures both sides of the mark and employs a small value. Further, when the shape of the brightness curve is unstable and there are a plurality of "intersection points of brightness curve and Bt", an intersection nearest to the mark is adopted.
CCD 카메라로 촬영한 상기 화상에 있어서, 마크가 부여되어 있지 않은 부분에서는 높은 명도가 되지만, 마크 단부에 도달하자마자 명도가 저하된다. 폴리이미드 기판의 시인성이 양호하면, 이와 같은 명도의 저하 상태가 명확하게 관찰된다. 한편, 폴리이미드 기판의 시인성이 불량하면, 명도가 마크 단부 부근에서 단번에 「고」 에서 「저」 로 급히 내려가는 것이 아니라, 저하의 상태가 완만하게 되어, 명도의 저하 상태가 불명확하게 되어 버린다.In the image photographed by the CCD camera, a high brightness is obtained at a portion to which no mark is given, but brightness declines as soon as the end of the mark is reached. When the visibility of the polyimide substrate is good, such a state of decrease in brightness is clearly observed. On the other hand, when the visibility of the polyimide substrate is poor, the brightness does not rapidly drop from "high" to "low" at once in the vicinity of the mark end, but the state of degradation becomes gentle and the state of decrease in brightness becomes unclear.
본 발명은 이와 같은 지견에 기초하여, 본 발명의 표면 처리 동박을 첩합하여 제거한 폴리이미드 기판에 대해, 마크를 부여한 인쇄물을 아래에 두고, 폴리이미드 기판 너머로 CCD 카메라로 촬영한 상기 마크 부분의 화상으로부터 얻어지는 관찰 지점-명도 그래프에 있어서 그려지는 마크 단부 부근의 명도 곡선의 기울기를 제어하고 있다. 보다 상세하게는, 명도 곡선의 탑 평균치 Bt 와 보텀 평균치 Bb 의 차를 ΔB (ΔB = Bt - Bb) 로 하고, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 명도 곡선과 Bt 의 교점 중, 상기 라인상 마크에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값 (상기 관찰 지점-명도 그래프의 가로축의 값) 을 t1 로 하고, 명도 곡선과 Bt 의 교점으로부터 Bt 를 기준으로 0.1ΔB 까지의 깊이 범위에 있어서, 명도 곡선과 0.1ΔB 의 교점 중, 상기 라인상 마크에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값 (상기 관찰 지점-명도 그래프의 가로축의 값) 을 t2 로 했을 때에, 상기 (1) 식으로 정의되는 Sv 가 3.5 이상이 된다. 이와 같은 구성에 의하면, 기판 수지의 종류나 두께의 영향을 받지 않고, CCD 카메라에 의한 폴리이미드 너머의 마크의 식별력이 향상된다. 이 때문에, 시인성이 우수한 폴리이미드 기판을 제작할 수 있고, 전자 기판 제조 공정 등에서 폴리이미드 기판에 소정의 처리를 실시하는 경우의 마킹에 의한 위치 결정 정밀도가 향상되고, 이로써 수율이 향상되는 등의 효과가 얻어진다. Sv 는 바람직하게는 3.9 이상, 보다 바람직하게는 4.5 이상, 보다 더 바람직하게는 5.0 이상, 보다 더 바람직하게는 5.5 이상이다. Sv 의 상한은 특별히 한정할 필요는 없지만, 예를 들어 70 이하, 30 이하, 15 이하, 10 이하이다. 이와 같은 구성에 의하면, 마크와 마크에서 없는 부분과의 경계가 보다 명확하게 되어, 위치 결정 정밀도가 향상되고, 마크 화상 인식에 의한 오차가 적어져, 보다 정확하게 위치 맞춤을 할 수 있게 된다.On the basis of this finding, the present invention is based on the above finding, with respect to a polyimide substrate on which a surface-treated copper foil of the present invention has been removed by coalescence, a printed material to which a mark has been applied is placed below the polyimide substrate, The inclination of the brightness curve near the end of the mark drawn in the observation point-brightness graph to be obtained is controlled. More specifically, assuming that the difference between the top average value Bt of the brightness curve and the bottom average value Bb is DELTA B (DELTA B = Bt - Bb), in the observation point-brightness graph, of the intersection of the brightness curve and Bt, (The value of the horizontal axis of the observation point-brightness graph) indicating the position of the closest intersection point is t1, and in the depth range from the intersection of the brightness curve and Bt to 0.1? B with respect to Bt, , Sv defined by the above expression (1) is 3.5 or more, where t2 is a value (the value of the horizontal axis of the observation point-brightness graph) indicating the position of an intersection closest to the mark on the line. According to this structure, the discrimination power of the mark beyond the polyimide by the CCD camera can be improved without being influenced by the type and thickness of the substrate resin. Therefore, it is possible to manufacture a polyimide substrate having excellent visibility, and it is possible to improve positioning accuracy by marking when a predetermined process is performed on a polyimide substrate in an electronic substrate manufacturing process or the like, thereby improving the yield and the like . Sv is preferably at least 3.9, more preferably at least 4.5, even more preferably at least 5.0, even more preferably at least 5.5. The upper limit of Sv is not particularly limited, but is, for example, 70 or less, 30 or less, 15 or less, 10 or less. According to such a configuration, the boundary between the mark and the portion not present in the mark becomes clearer, the positioning accuracy is improved, the error caused by the mark image recognition is reduced, and the alignment can be performed more accurately.
〔동박 표면의 면적비〕[Area ratio of copper foil surface]
동박의 표면 처리측의 표면의 레이저 현미경에 의한 삼차원 표면적 D 와 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 C 의 비 D/C 는, 상기 서술한 수지의 투명성에 크게 영향을 미친다. 즉, 표면 조도 Rz 가 동일하면, 비 D/C 가 작은 동박일수록, 상기 서술한 수지의 투명성이 양호해진다. 이 때문에, 본 발명의 표면 처리 동박은, 당해 비 D/C 가 1.0 ∼ 1.7 인 것이 바람직하고, 1.0 ∼ 1.6 인 것이 보다 바람직하다. 여기서, 표면 처리측의 표면의 삼차원 표면적 D 와 이차원 표면적 C 의 비 D/C 는, 예를 들어 당해 표면이 조화 처리되어 있는 경우, 조화 입자의 표면적 D 와, 동박을 동박 표면측에서 평면에서 보았을 때에 얻어지는 표면적 C 의 비 D/C 라고도 할 수 있다.The ratio D / C of the three-dimensional surface area D by the laser microscope to the two-dimensional surface area C by the laser microscope on the surface of the copper foil on the surface-treated side greatly affects the transparency of the above-mentioned resin. That is, when the surface roughness Rz is the same, the copper resin having a small D / C ratio has better transparency of the above-mentioned resin. Therefore, the surface-treated copper foil of the present invention preferably has a specific D / C of 1.0 to 1.7, more preferably 1.0 to 1.6. Here, the ratio D / C of the three-dimensional surface area D and the two-dimensional surface area C of the surface of the surface-treated side can be determined by, for example, the surface area D of the coarsened particles and the copper foil C ratio of the surface area C obtained when
조화 입자 형성시 등의 표면 처리시에 표면 처리의 전류 밀도와 도금 시간을 제어함으로써, 표면 처리 후의 동박의 표면 상태나 조화 입자의 형태나 형성 밀도가 정해지고, 상기 표면 조도 Rz, 광택도 및 동박 표면의 면적비 D/C, Sv, ΔB, Rq, Rsk, 동박 표면의 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 C 와 볼록부 체적 E 의 비 E/C 를 제어할 수 있다.The surface state of the copper foil after the surface treatment, the shape and the formation density of the coarse particles are determined by controlling the current density of the surface treatment and the plating time at the time of surface treatment such as the formation of coarse particles and the surface roughness Rz, It is possible to control the area ratio D / C, Sv,? B, Rq, Rsk of the surface, the ratio E / C of the two-dimensional surface area C and the convex volume E by the laser microscope on the surface of the copper foil.
〔에칭 팩터〕[Etching factor]
동박을 사용하여 회로를 형성할 때의 에칭 팩터의 값이 큰 경우, 에칭시에 생기는 회로의 보텀부의 스커트부가 작아지기 때문에, 회로간의 스페이스를 좁게 할 수 있다. 그 때문에, 에칭 팩터의 값은 큰 것이, 파인 패턴에 의한 회로 형성에 적합하기 때문에 바람직하다. 본 발명의 표면 처리 동박은, 예를 들어, 에칭 팩터의 값은 1.8 이상인 것이 바람직하고, 2.0 이상인 것이 바람직하고, 2.2 이상인 것이 바람직하고, 2.3 이상인 것이 바람직하고, 2.4 이상인 것이 보다 바람직하다.When the value of the etching factor at the time of forming the circuit using the copper foil is large, the skirt portion of the bottom portion of the circuit formed at the time of etching becomes small, so that the space between the circuits can be narrowed. Therefore, it is preferable that the value of the etching factor is large because it is suitable for circuit formation by the fine pattern. In the surface-treated copper foil of the present invention, for example, the value of the etching factor is preferably 1.8 or more, more preferably 2.0 or more, and is preferably 2.2 or more, more preferably 2.3 or more, and more preferably 2.4 or more.
또한, 프린트 배선판 또는 구리 피복 적층판에 있어서는, 수지를 녹여 제거함으로써, 구리 회로 또는 동박 표면에 대해, 전술한 입자의 면적비 (A/B), 광택도, 표면 조도 Rz, Sv, ΔB, Rq, Rsk, 동박 표면의 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 C 와 볼록부 체적 E 의 비 E/C 를 측정할 수 있다.(A / B), gloss, surface roughness Rz, Sv,? B, Rq, and Rsk of the copper circuit or copper foil surface by dissolving and removing the resin in the printed wiring board or the copper clad laminate. , The ratio E / C of the two-dimensional surface area C and the convex portion volume E by the laser microscope on the surface of the copper foil can be measured.
〔전송 손실〕[Transmission Loss]
전송 손실이 작은 경우, 고주파로 신호 전송을 실시할 때의, 신호의 감쇠가 억제되기 때문에, 고주파로 신호의 전송을 실시하는 회로에 있어서, 안정적인 신호의 전송을 실시할 수 있다. 그 때문에, 전송 손실의 값이 작은 것이, 고주파로 신호의 전송을 실시하는 회로 용도로 사용하는 것에 적합하기 때문에 바람직하다. 표면 처리 동박을, 시판되는 액정 폴리머 수지 ((주) 쿠라레 제조 Vecstar CTZ-50 ㎛) 와 첩합한 후, 에칭으로 특성 임피던스가 50 Ω 가 되도록 마이크로 스트립 선로를 형성하고, HP 사 제조의 네트워크 애널라이저 HP8720C 를 사용하여 투과 계수를 측정하고, 주파수 20 GHz 에서의 전송 손실을 구한 경우에, 주파수 20 GHz 에 있어서의 전송 손실이, 5.0 dB/10 cm 미만이 바람직하고, 4.1 dB/10 cm 미만이 보다 바람직하고, 3.7 dB/10 cm 미만이 보다 더 바람직하다.When the transmission loss is small, attenuation of the signal at the time of performing signal transmission at a high frequency is suppressed, so that it is possible to perform stable signal transmission in a circuit for transmitting a signal at a high frequency. Therefore, it is preferable that the value of the transmission loss is small because it is suitable for use in a circuit application for transmitting a high-frequency signal. The surface-treated copper foil was laminated with commercially available liquid crystal polymer resin (Vecstar CTZ-50 mu m, manufactured by Kuraray Co., Ltd.), and microstrip lines were formed so as to have a characteristic impedance of 50 OMEGA by etching. When the transmission coefficient is measured using the HP8720C and the transmission loss at a frequency of 20 GHz is determined, the transmission loss at a frequency of 20 GHz is preferably less than 5.0 dB / 10 cm and less than 4.1 dB / 10 cm More preferably less than 3.7 dB / 10 cm.
본 발명의 표면 처리 동박을, 표면 처리면측으로부터 수지 기판에 첩합하여 적층체를 제조할 수 있다. 수지 기판은 프린트 배선판 등에 적용 가능한 특성을 갖는 것이면 특별히 제한을 받지 않지만, 예를 들어, 리지드 PWB 용으로 종이 기재 페놀 수지, 종이 기재 에폭시 수지, 합성 섬유 천 기재 에폭시 수지, 유리 천·종이 복합 기재 에폭시 수지, 유리 천·유리 부직포 복합 기재 에폭시 수지 및 유리 천 기재 에폭시 수지 등을 사용하고, FPC 용으로 폴리에스테르 필름이나 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 (LCP) 필름, 테플론 (등록상표) 필름 등을 사용할 수 있다.The surface treated copper foil of the present invention can be laminated on the resin substrate from the surface treatment side to produce a laminate. The resin substrate is not particularly limited as long as it has properties applicable to a printed wiring board and the like. For example, a paper base phenol resin, a paper base epoxy resin, a synthetic fiber base epoxy resin, a glass cloth, A polyester film, a polyimide film, a liquid crystal polymer (LCP) film, a Teflon (registered trademark) film, or the like can be used for an FPC by using an epoxy resin, a glass cloth- have.
첩합 방법은, 리지드 PWB 용의 경우, 유리 천 등의 기재에 수지를 함침시켜, 수지를 반경화 상태까지 경화시킨 프리프레그를 준비한다. 동박을 피복층의 반대측의 면으로부터 프리프레그에 겹쳐서 가열 가압시킴으로써 실시할 수 있다. FPC 의 경우, 폴리이미드 필름 등의 기재에 접착제를 개재하거나, 또는, 접착제를 사용하지 않고 고온 고압하에서 동박에 적층 접착하거나, 또는, 폴리이미드 전구체를 도포·건조·경화 등을 실시함으로써 적층판을 제조할 수 있다.In the case of the rigid PWB, the prepreg is prepared by impregnating a base material such as glass cloth with resin and hardening the resin to a semi-hardened state. The copper foil is superimposed on the prepreg from the opposite surface side of the coating layer and is heated and pressed. In the case of an FPC, a laminate is produced by applying an adhesive to a substrate such as a polyimide film, or by laminating the laminate to a copper foil under high temperature and high pressure without using an adhesive, or by applying a polyimide precursor, can do.
폴리이미드 기재 수지의 두께는 특별히 제한을 받는 것은 아니지만, 일반적으로 25 ㎛ 나 50 ㎛ 를 들 수 있다.The thickness of the polyimide base resin is not particularly limited, but it is generally 25 占 퐉 or 50 占 퐉.
본 발명의 적층체는 각종 프린트 배선판 (PWB) 에 사용 가능하고, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어, 도체 패턴의 층수의 관점에서는 편면 PWB, 양면 PWB, 다층 PWB (3 층 이상) 에 적용 가능하고, 절연 기판 재료의 종류의 관점에서는 리지드 PWB, 플렉시블 PWB (FPC), 리지드·플렉스 PWB 에 적용 가능하다.The laminate of the present invention can be applied to various printed wiring boards (PWB) and is not particularly limited. For example, it can be applied to single-sided PWB, double-sided PWB, multilayer PWB (three or more layers) And is applicable to rigid PWB, flexible PWB (FPC), and rigid flex PWB from the viewpoint of kinds of insulating substrate materials.
(적층판 및 그것을 사용한 프린트 배선판의 위치 결정 방법)(Method of positioning a laminated board and a printed wiring board using the same)
본 발명의 표면 처리 동박과 수지 기판의 적층판의 위치 결정을 하는 방법에 대해 설명한다. 먼저, 표면 처리 동박과 수지 기판의 적층판을 준비한다. 본 발명의 표면 처리 동박과 수지 기판의 적층판의 구체예로서는, 본체 기판과 부속의 회로 기판과, 그것들을 전기적으로 접속하기 위해서 사용되는, 폴리이미드 등의 수지 기판의 적어도 일방의 표면에 구리 배선이 형성된 플렉시블 프린트 기판으로 구성되는 전자 기기에 있어서, 플렉시블 프린트 기판을 정확하게 위치 결정하여 당해 본체 기판 및 부속의 회로 기판의 배선 단부에 압착시켜 제작되는 적층판을 들 수 있다. 즉, 이 경우이면, 적층판은, 플렉시블 프린트 기판 및 본체 기판의 배선 단부가 압착에 의해 첩합된 적층체, 혹은, 플렉시블 프린트 기판 및 회로 기판의 배선 단부가 압착에 의해 첩합된 적층판이 된다. 적층판은, 당해 구리 배선의 일부나 별도 재료로 형성한 마크를 가지고 있다. 마크의 위치에 대해서는, 당해 적층판을 구성하는 수지 너머로 CCD 카메라 등의 촬영 수단으로 촬영 가능한 위치이면 특별히 한정되지 않는다.A method of positioning the laminated board of the surface-treated copper foil and the resin substrate of the present invention will be described. First, a laminated board of a surface-treated copper foil and a resin substrate is prepared. As specific examples of the laminate of the surface-treated copper foil and the resin substrate of the present invention, copper wiring is formed on at least one surface of a resin substrate such as polyimide used for electrically connecting a main substrate and an attached circuit substrate to each other In an electronic apparatus constituted by a flexible printed circuit board, a flexible printed circuit board is precisely positioned and pressed onto a wiring board of a main circuit board and an attached circuit board. That is, in this case, the laminated board is a laminate obtained by bonding the wiring end portions of the flexible printed circuit board and the main substrate by compression bonding, or a laminated board in which the wiring end portions of the flexible printed circuit board and the circuit board are bonded by compression bonding. The laminated board has a mark formed of a part of the copper wiring or a separate material. The position of the mark is not particularly limited as long as it can be photographed by a photographing means such as a CCD camera over the resin constituting the laminated plate.
이와 같이 준비된 적층판에 있어서, 상기 서술한 마크를 수지 너머로 촬영 수단으로 촬영하면, 상기 마크의 위치를 양호하게 검출할 수 있다. 그리고, 이와 같이 하여 상기 마크의 위치를 검출하고, 상기 검출된 마크의 위치에 기초하여 표면 처리 동박과 수지 기판의 적층판의 위치 결정을 양호하게 실시할 수 있다. 또, 적층판으로서 프린트 배선판을 사용한 경우도 마찬가지로, 이와 같은 위치 결정 방법에 의해 촬영 수단이 마크의 위치를 양호하게 검출하여, 프린트 배선판의 위치 결정을 보다 정확하게 실시할 수 있다.In the thus prepared laminated plate, when the above-described mark is photographed by the photographing means over resin, the position of the mark can be detected satisfactorily. Then, the position of the mark is detected in this manner, and the positioning of the laminate of the surface-treated copper foil and the resin substrate can be favorably performed based on the detected position of the mark. Also in the case where a printed wiring board is used as the laminated board, the position of the mark is well detected by the photographing means by such a positioning method, and positioning of the printed wiring board can be performed more accurately.
그 때문에, 하나의 프린트 배선판과 또 하나의 프린트 배선판을 접속할 때에, 접속 불량이 저감되어, 수율이 향상된다고 생각된다. 또한, 하나의 프린트 배선판과 또 하나의 프린트 배선판을 접속하는 방법으로서는 납땜이나 이방성 도전 필름 (Anisotropic Conductive Film, ACF) 을 개재한 접속, 이방성 도전 페이스트 (Anisotropic Conductive Paste, ACP) 를 개재한 접속 또는 도전성을 갖는 접착제를 개재한 접속 등 공지된 접속 방법을 사용할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 「프린트 배선판」 에는 부품이 장착된 프린트 배선판 및 프린트 회로판 및 프린트 기판도 포함되는 것으로 한다. 또, 본 발명의 프린트 배선판을 2 개 이상 접속하여, 프린트 배선판이 2 개 이상 접속된 프린트 배선판을 제조할 수 있고, 또, 본 발명의 프린트 배선판을 적어도 1 개와, 또 하나의 본 발명의 프린트 배선판 또는 본 발명의 프린트 배선판에 해당하지 않는 프린트 배선판을 접속할 수 있고, 이와 같은 프린트 배선판을 사용하여 전자 기기를 제조할 수도 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 「구리 회로」 에는 구리 배선도 포함되는 것으로 한다. 또한, 본 발명의 프린트 배선판을, 부품과 접속하여 프린트 배선판을 제조해도 된다. 또, 본 발명의 프린트 배선판을 적어도 1 개와, 또 하나의 본 발명의 프린트 배선판 또는 본 발명의 프린트 배선판에 해당하지 않는 프린트 배선판을 접속하고, 또한, 본 발명의 프린트 배선판이 2 개 이상 접속된 프린트 배선판과, 부품을 접속함으로써, 프린트 배선판이 2 개 이상 접속된 프린트 배선판을 제조해도 된다. 여기서, 「부품」 으로서는, 커넥터나 LCD (Liquid Cristal Display), LCD 에 사용되는 유리 기판 등의 전자 부품, IC (Integrated Circuit), LSI (Large scale integrated circuit), VLSI (Very Large scale integrated circuit), ULSI (Ultra-Large Scale Integrated circuit) 등의 반도체 집적 회로를 포함하는 전자 부품 (예를 들어 IC 칩, LSI 칩, VLSI 칩, ULSI 칩), 전자 회로를 실드하기 위한 부품 및 프린트 배선판에 커버 등을 고정시키기 위해 필요한 부품 등을 들 수 있다.Therefore, when one printed wiring board is connected to another printed wiring board, it is considered that the defective connection is reduced and the yield is improved. As a method for connecting one printed wiring board to another printed wiring board, a connection via anisotropic conductive film (ACF), a connection via anisotropic conductive paste (ACP), or a connection using an anisotropic conductive film A known interconnection method such as interconnection using an adhesive having an adhesive layer. In the present invention, the " printed wiring board " includes a printed wiring board on which components are mounted, a printed circuit board, and a printed board. It is also possible to manufacture a printed wiring board to which two or more printed wiring boards are connected by connecting two or more printed wiring boards according to the present invention. Further, at least one printed wiring board of the present invention, Alternatively, a printed wiring board not corresponding to the printed wiring board of the present invention can be connected, and an electronic apparatus can be manufactured using such a printed wiring board. In the present invention, the "copper circuit" is also assumed to include a copper wiring. Further, the printed wiring board of the present invention may be connected to parts to produce a printed wiring board. It is also possible to connect at least one printed wiring board of the present invention to another printed wiring board of the present invention or a printed wiring board not corresponding to the printed wiring board of the present invention, By connecting the wiring board and the components, a printed wiring board in which two or more printed wiring boards are connected may be manufactured. Examples of the " parts " include electronic parts such as a connector, a liquid crystal display (LCD), and a glass substrate used for an LCD, an integrated circuit (IC), a large scale integrated circuit (LSI), a very large scale integrated circuit (For example, an IC chip, an LSI chip, a VLSI chip, and an ULSI chip) including a semiconductor integrated circuit such as an Ultra-Large Scale Integrated Circuit (ULSI), a component for shielding an electronic circuit, And the parts necessary for fixation.
또한, 본 발명의 실시형태에 관련된 위치 결정 방법은 적층판 (동박과 수지 기판의 적층판이나 프린트 배선판을 포함한다) 을 이동시키는 공정을 포함하고 있어도 된다. 이동 공정에 있어서는 예를 들어 벨트 컨베이어나 체인 컨베이어 등의 컨베이어에 의해 이동시켜도 되고, 아암 기구를 구비한 이동 장치에 의해 이동시켜도 되고, 기체를 사용하여 적층판을 부유(浮遊)시킴으로써 이동시키는 이동 장치나 이동 수단에 의해 이동시켜도 되고, 대략 원통형 등의 물건을 회전시켜 적층판을 이동시키는 이동 장치나 이동 수단 (굴림대나 베어링 등을 포함한다), 유압을 동력원으로 한 이동 장치나 이동 수단, 공기압을 동력원으로 한 이동 장치나 이동 수단, 모터를 동력원으로 한 이동 장치나 이동 수단, 간트리 이동형 리니어 가이드 스테이지, 간트리 이동형 에어 가이드 스테이지, 스택형 리니어 가이드 스테이지, 리니어 모터 구동 스테이지 등의 스테이지를 갖는 이동 장치나 이동 수단 등에 의해 이동시켜도 된다. 또, 공지된 이동 수단에 의한 이동 공정을 실시해도 된다.Further, the positioning method according to the embodiment of the present invention may include a step of moving the laminate (including a laminate of a copper foil and a resin substrate or a printed wiring board). In the moving process, for example, it may be moved by a conveyor such as a belt conveyor or a chain conveyor, by a moving device including an arm mechanism, or by a moving device for moving the laminated plate by floating by using a base A moving device or a moving device (including a rolling table or a bearing) for moving a laminated plate by rotating an article such as a substantially cylindrical or the like, a moving device or a moving device using a hydraulic pressure as a power source, A moving device having a stage such as a moving device or a moving device, a moving device using a motor as a power source, a moving device, a liver moving type linear guide stage, a liver moving type air guide stage, a stacked linear guide stage, or a linear motor driving stage It may be moved by a moving means or the like. Also, a moving process by a known moving means may be carried out.
또한, 본 발명의 실시형태에 관련된 위치 결정 방법은 표면 실장기나 칩마운터에 사용해도 된다.The positioning method according to the embodiment of the present invention may be used in a surface mount machine or a chip mounter.
또, 본 발명에 있어서 위치 결정되는 표면 처리 동박과 수지 기판의 적층판이, 수지판 및 상기 수지판 위에 형성된 회로를 갖는 프린트 배선판이어도 된다. 또, 그 경우, 상기 마크가 상기 회로여도 된다.The laminated board of the surface-treated copper foil and the resin substrate positioned in the present invention may be a resin board and a printed wiring board having a circuit formed on the resin board. In this case, the mark may be the circuit.
본 발명에 있어서 「위치 결정」 이란 「마크나 물건의 위치를 검출하는 것」 을 포함한다. 또, 본 발명에 있어서, 「위치 맞춤」 이란, 「마크나 물건의 위치를 검출한 후에, 상기 검출한 위치에 기초하여, 당해 마크나 물건을 소정의 위치로 이동하는 것」 을 포함한다.In the present invention, " positioning " includes " detecting the position of a mark or an object ". In the present invention, " alignment " includes " moving a mark or an object to a predetermined position based on the detected position after detecting the position of the mark or object ".
또한, 프린트 배선판에 있어서는, 인쇄물의 마크 대신에 프린트 배선판 상의 회로를 마크로 하여, 수지 너머로 당해 회로를 CCD 카메라로 촬영하여 Sv 의 값을 측정할 수 있다. 또, 구리 피복 적층판에 대해서는, 구리를 에칭에 의해 라인상으로 한 후에, 인쇄물의 마크 대신에 당해 라인상으로 한 구리를 마크로 하여, 수지 너머로 당해 라인상으로 한 구리를 CCD 카메라로 촬영하여 Sv 의 값을 측정할 수 있다.Further, in the printed wiring board, the circuit on the printed wiring board may be used as a mark instead of the mark of the printed material, and the circuit may be photographed with a CCD camera to measure the value of Sv. Copper clad laminate was made into a line by etching, then copper instead of the mark of the printed material was used as a mark on the line, and the copper in the line over the resin was photographed with a CCD camera to obtain Sv The value can be measured.
또, 본 발명의 구리 피복 적층판은, 일 실시형태에 있어서, 절연 수지 기판과, 동박을 갖는 구리 피복 적층판으로서, 상기 구리 피복 적층판의 상기 동박을, 에칭에 의해 라인상의 동박으로 한 후에, 상기 절연 수지 기판 너머로 CCD 카메라로 촬영했을 때, 상기 촬영에 의해 얻어진 화상에 대해, 관찰된 상기 라인상의 동박이 뻗는 방향과 수직인 방향을 따라 관찰 지점마다의 명도를 측정하여 제작한, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 상기 라인상의 동박의 단부로부터 상기 라인상의 동박이 없는 부분에 걸쳐 생기는 명도 곡선의 탑 평균치를 Bt, 보텀 평균치를 Bb 로 하고, 또한, 탑 평균치 Bt 와 보텀 평균치 Bb 의 차 ΔB (ΔB = Bt - Bb) 로 하고, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 명도 곡선과 Bt 의 교점 중, 상기 라인상의 표면 처리 동박에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t1 로 하고, 명도 곡선과 Bt 의 교점으로부터 Bt 를 기준으로 0.1ΔB 까지의 깊이 범위에 있어서, 명도 곡선과 0.1ΔB 의 교점 중, 상기 라인상의 표면 처리 동박에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t2 로 했을 때에, (1) 식으로 정의되는 Sv 가 3.5 이상이 된다.The copper clad laminate according to one embodiment of the present invention is a copper clad laminate having an insulating resin substrate and a copper foil, wherein the copper foil of the copper clad laminate is etched to form a line-shaped copper foil, The observation point-brightness graph prepared by measuring the brightness of each observation point along the direction perpendicular to the direction in which the copper foil on the line was observed with respect to the image obtained by the photographing, , The difference between the top average value Bt and the bottom average value Bb (? B =? B) is defined as Bt, the bottom average value is Bb and the top average value and the bottom average value of the lightness curve that occur from the end of the copper- Bt - Bb), and in the observation point - brightness graph, of the intersections of the brightness curve and Bt, the upper side of the intersection closest to the surface treated copper foil on the line And the position of the intersection closest to the surface-treated copper foil on the line is set to be t1 in the depth range from the intersection of the lightness curve and Bt to 0.1 ?? B with respect to Bt , The value Sv defined by the expression (1) becomes 3.5 or more.
또한, 본 발명의 구리 피복 적층판은, 일 실시형태에 있어서, 절연 수지 기판과, 표면 처리가 실시되어 있는 표면측으로부터 상기 절연 기판에 적층된 표면 처리 동박으로 구성된 구리 피복 적층판으로서, 상기 구리 피복 적층판의 상기 표면 처리 동박을, 에칭에 의해 라인상의 표면 처리 동박으로 한 후에, 표면 처리가 실시되어 있는 표면측으로부터 적층시킨 상기 절연 수지 기판 너머로 CCD 카메라로 촬영했을 때, 상기 촬영에 의해 얻어진 화상에 대해, 관찰된 상기 라인상의 표면 처리 동박이 뻗는 방향과 수직인 방향을 따라 관찰 지점마다의 명도를 측정하여 제작한, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 상기 라인상의 표면 처리 동박의 단부로부터 상기 라인상의 표면 처리 동박이 없는 부분에 걸쳐 생기는 명도 곡선의 탑 평균치를 Bt, 보텀 평균치를 Bb 로 하고, 또한, 탑 평균치 Bt 와 보텀 평균치 Bb 의 차ΔB (ΔB = Bt - Bb) 로 하고, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 명도 곡선과 Bt 의 교점 중, 상기 라인상의 표면 처리 동박에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t1 로 하고, 명도 곡선과 Bt 의 교점으로부터 Bt 를 기준으로 0.1ΔB 까지의 깊이 범위에 있어서, 명도 곡선과 0.1ΔB 의 교점 중, 상기 라인상의 표면 처리 동박에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t2 로 했을 때에, (1) 식으로 정의되는 Sv 가 3.5 이상이 된다.The copper clad laminate according to one embodiment of the present invention is a copper clad laminate composed of an insulating resin substrate and a surface treated copper foil laminated on the insulating substrate from the surface side on which the surface treatment is performed, Treating the surface-treated copper foil of the surface-treated copper foil of the surface-treated copper foil with a CCD camera over the insulating resin substrate laminated from the surface side on which the surface treatment is performed, Treated copper foil on the line, and measuring the brightness of each observation point along a direction perpendicular to the direction in which the surface-treated copper foil on the line is observed. In the observation point-brightness graph, The top average value of the brightness curve occurring over the portion where no treated copper foil is present is Bt, the bottom average value is Bb (B = Bt - Bb) between the top average value Bt and the bottom average value Bb and the closest point to the surface treated copper foil on the line among the intersections of the brightness curve and Bt in the observation point- The value indicating the position of the intersection point is t1 and the intersection point of the lightness curve and 0.1? B in the depth range from the intersection of the lightness curve and Bt to the Bt is 0.1? B, The value of Sv defined by the formula (1) becomes 3.5 or more.
이와 같은 구리 피복 적층판을 사용하여 프린트 배선판을 제조하면, 프린트 배선판의 위치 결정을 보다 정확하게 실시할 수 있다. 그 때문에, 하나의 프린트 배선판과 또 하나의 프린트 배선판을 접속할 때에, 접속 불량이 저감되어, 수율이 향상된다고 생각된다.When a printed wiring board is manufactured using such a copper clad laminate, positioning of the printed wiring board can be performed more accurately. Therefore, when one printed wiring board is connected to another printed wiring board, it is considered that the defective connection is reduced and the yield is improved.
실시예Example
＜실험예 A1-1 ∼ A1-30, 실험예 B1-1 ∼ B1-14 에 대해＞<Experimental Examples A1-1 to A1-30 and Experimental Examples B1-1 to B1-14>
실험예 A1-1 ∼ A1-30 및 실험예 B1-1 ∼ B1-14 로서, 표 2 및 표 3 에 기재된 각종 동박을 준비하고, 일방의 표면에, 조화 처리로서 표 1 에 기재된 조건으로 도금 처리를 실시했다.Various copper foils shown in Tables 2 and 3 were prepared as Experimental Examples A1-1 to A1-30 and Experimental Examples B1-1 to B1-14 and subjected to plating treatment under the conditions shown in Table 1 as a roughening treatment on one surface thereof .
상기 서술한 조화 도금 처리를 실시한 후, 실험예 A1-1 ∼ A1-10, A1-12 ∼ A1-27, 실험예 B1-3, B1-4, B1-6, B1-9 ∼ B1-14 에 대해 다음의 내열층 및 방청층 형성을 위한 도금 처리를 실시했다. 내열층 1 의 형성 조건을 이하에 나타낸다.After performing the above-described coarse plating treatment, the test pieces were tested in Experimental Examples A1-1 to A1-10, A1-12 to A1-27, Experimental Examples B1-3, B1-4, B1-6, B1-9 to B1-14 A plating treatment for forming the following heat resistant layer and rust prevention layer was performed. The formation conditions of the heat resistant layer 1 are shown below.
액 조성 ： 니켈 5 ∼ 20 g/ℓ, 코발트 1 ∼ 8 g/ℓLiquid composition: nickel 5 to 20 g / l, cobalt 1 to 8 g / l
pH ： 2 ∼ 3pH: 2-3
액 온도 ： 40 ∼ 60 ℃ Liquid temperature: 40 ~ 60 ℃
전류 밀도 ： 5 ∼ 20 A/d㎡ Current density: 5 to 20 A / dm 2
쿨롬량 ： 10 ∼ 20 As/d㎡ Culm volume: 10 ~ 20 As / d㎡
또한, 도금 시간은 0.5 ∼ 2.0 초로 했다.The plating time was 0.5 to 2.0 seconds.
상기 내열층 1 을 실시한 동박 상에, 내열층 2 를 형성했다. 내열층 2 의 형성 조건을 이하에 나타낸다.On the copper foil subjected to the heat resistant layer 1, the heat resistant layer 2 was formed. The formation conditions of the heat resistant layer 2 are shown below.
액 조성 ： 니켈 2 ∼ 30 g/ℓ, 아연 2 ∼ 30 g/ℓLiquid composition: 2 to 30 g / l of nickel, 2 to 30 g / l of zinc
pH ： 3 ∼ 4pH: 3-4
액 온도 ： 30 ∼ 50 ℃ Liquid temperature: 30 ~ 50 ℃
전류 밀도 ： 1 ∼ 2 A/d㎡ Current density: 1 to 2 A / dm 2
쿨롬량 ： 1 ∼ 2 As/d㎡ Culm volume: 1 ~ 2 As / d㎡
또한, 실험예 B1-5, B1-7, B1-8 에 대해서는, 조화 도금 처리는 실시하지 않고, 준비한 동박에, 내열층 3 을 직접 형성했다. 내열층 3 의 형성 조건을 이하에 나타낸다.For Experimental Examples B1-5, B1-7, and B1-8, the heat resistance layer 3 was directly formed on the prepared copper foil without performing the roughening treatment. The formation conditions of the heat resistant layer 3 are shown below.
액 조성 ： 니켈 25 g/ℓ, 아연 2 g/ℓSolution composition: nickel 25 g / l, zinc 2 g / l
pH ： 2.5pH: 2.5
액 온도 ： 40 ℃ Liquid temperature: 40 ℃
전류 밀도 ： 6 A/d㎡ Current density: 6 A / dm 2
쿨롬량 ： 4.8 As/d㎡ Culm volume: 4.8 As / d㎡
도금 시간 ： 0.8 초 Plating time: 0.8 seconds
또, 실험예 B1-15 에 대해서는, 조화 도금 처리는 실시하지 않고, 준비한 동박에, 내열층 4 를 직접 형성했다. 내열층 4 의 형성 조건을 이하에 나타낸다.For Experimental Example B1-15, the heat resistant layer 4 was directly formed on the prepared copper foil without performing the roughening treatment. The formation conditions of the heat resistant layer 4 are shown below.
액 조성 ： 니켈 0.3 g/ℓ, 아연 2.5 g/ℓ, 피롤린산욕 Liquid composition: 0.3 g / l of nickel, 2.5 g / l of zinc,
액 온도 ： 40 ℃Liquid temperature: 40 ℃
전류 밀도 ： 5 A/d㎡ Current density: 5 A / dm 2
쿨롬량 ： 22.5 As/d㎡ Culm volume: 22.5 As / d㎡
도금 시간 ： 4.5 초 Plating time: 4.5 seconds
상기 내열층 1 및 2 또는 내열층 3 또는 내열층 4 를 실시한 동박 상에, 추가로 방청층을 형성했다. 방청층의 형성 조건을 이하에 나타낸다.A rust preventive layer was further formed on the copper foil on which the heat resistant layers 1 and 2 or the heat resistant layer 3 or the heat resistant layer 4 were formed. The formation conditions of the anticorrosive layer are shown below.
액 조성 ： 중크롬산칼륨 1 ∼ 10 g/ℓ, 아연 0 ∼ 5 g/ℓLiquid composition: Potassium dichromate 1 to 10 g / l,
pH ： 3 ∼ 4pH: 3-4
액 온도 ： 50 ∼ 60 ℃ Liquid temperature: 50 ~ 60 ℃
전류 밀도 ： 0 ∼ 2 A/d㎡ (침지 크로메이트 처리를 위해) Current density: 0 to 2 A / dm 2 (for immersion chromate treatment)
쿨롬량 ： 0 ∼ 2 As/d㎡ (침지 크로메이트 처리를 위해) Culm amount: 0 to 2 As / dm 2 (for immersion chromate treatment)
상기 내열층 1, 2 및 방청층을 실시한 동박 상에, 추가로 내후성층을 형성했다. 형성 조건을 이하에 나타낸다.On the copper foil subjected to the heat resistant layers 1 and 2 and the anticorrosive layer, a weather resistant layer was further formed. The formation conditions are shown below.
아미노기를 갖는 실란 커플링제로서, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란 (실험예 A1-17, A1-24 ∼ A1-27), N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란 (실험예 A1-1 ∼ A1-16), N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란 (실험예 A1-18, A1-28, A1-29, A1-30), 3-아미노프로필트리메톡시실란 (실험예 A1-19), 3-아미노프로필트리에톡시실란 (실험예 A1-20, A1-21), 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민 (실험예 22), N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란 (실험예 A1-23) 으로, 도포·건조를 실시하여, 내후성층을 형성했다. 이들의 실란 커플링제를 2 종 이상의 조합으로 사용할 수도 있다. 마찬가지로 실험예 B1-1 ∼ B1-14 에 있어서는, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란으로 도포·건조를 실시하여, 내후성층을 형성했다.(Aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane (Experimental Examples A1-17, A1-24 to A1-27), N-2- (aminoethyl) Aminopropyltriethoxysilane (Experimental Examples A1-1 to A1-16), N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane (Experimental Examples A1-18, A1-28, A1- Aminopropyltrimethoxysilane (Experimental Examples A1-19), 3-aminopropyltriethoxysilane (Experimental Examples A1-20, A1-21), 3-triethoxysilyl- (Experimental Example 22) and N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (Experimental Example A1-23), coating and drying were carried out to find that the weather resistance Layer. These silane coupling agents may be used in combination of two or more. Similarly, in Experimental Examples B1-1 to B1-14, coating and drying were carried out with N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane to form a weather resistant layer.
또한, 압연 동박은 이하와 같이 제조했다. 표 2 및 표 3 에 나타내는 조성의 구리 잉곳을 제조하고, 열간 압연을 실시한 후, 300 ∼ 800 ℃ 의 연속 소둔 라인의 소둔과 냉간 압연을 반복하여 1 ∼ 2 mm 두께의 압연판을 얻었다. 이 압연판을 300 ∼ 800 ℃ 의 연속 소둔 라인으로 소둔하여 재결정시키고, 표 2 의 두께까지 최종 냉간 압연하여, 동박을 얻었다. 표 2 및 표 3 의 「종류」 의 난의 「터프 피치동」 은 JIS H3100 C1100 으로 규격되어 있는 터프 피치동을, 「무산소동」 은 JIS H3100 C1020 으로 규격되어 있는 무산소동을 나타낸다. 또, 「터프 피치동 ＋ Ag ： 100 ppm」 은 터프 피치동에 Ag 를 100 질량 ppm 첨가한 것을 의미한다.The rolled copper foil was produced as follows. Copper ingots having the compositions shown in Tables 2 and 3 were prepared and subjected to hot rolling. Annealing and cold rolling of the continuous annealing line at 300 to 800 占 폚 were repeated to obtain a rolled plate having a thickness of 1 to 2 mm. This rolled plate was annealed in a continuous annealing line at 300 to 800 캜 to be recrystallized and finally cold rolled to the thickness shown in Table 2 to obtain a copper foil. The "tough pitch dynamics" of the column of "type" in Tables 2 and 3 show the tough pitch dynamics standardized in JIS H3100 C1100 and the "oxygen-free dynamics" indicates the anaerobic dynamics standardized in JIS H3100 C1020. "Tough pitch copper + Ag: 100 ppm" means that Ag is added to tough pitch copper at 100 mass ppm.
전해 동박은 JX 닛코우 닛세키 금속사 제조 전해 동박 HLP 박을 사용했다. 전해 연마 또는 화학 연마를 실시한 경우에는, 전해 연마 또는 화학 연마 후의 판두께를 기재했다.The electrolytic copper foil was made of electrolytic copper foil HLP foil manufactured by JX Nikko Unsekki Metal Co., Ltd. When electrolytic polishing or chemical polishing is carried out, the plate thickness after electrolytic polishing or chemical polishing is described.
또한, 표 2 및 표 3 에 표면 처리 전의 동박 제작 공정의 포인트를 기재했다. 「고광택 압연」 은, 최종의 냉간 압연 (최종의 재결정 소둔 후의 냉간 압연) 을 기재한 유막 당량의 값으로 실시한 것을 의미한다. 「통상 압연」 은, 최종의 냉간 압연 (최종의 재결정 소둔 후의 냉간 압연) 을 기재한 유막 당량의 값으로 실시한 것을 의미한다. 「화학 연마」, 「전해 연마」 는, 이하의 조건으로 실시한 것을 의미한다.The points of the copper foil manufacturing process before surface treatment are shown in Tables 2 and 3. &Quot; High gloss rolling " means that the final cold rolling (cold rolling after final recrystallization annealing) is carried out at the value of the oil film equivalent described above. &Quot; Normal rolling " means that the final cold rolling (cold rolling after final recrystallization annealing) is carried out at an oil film equivalent value stated. &Quot; chemical polishing " and " electrolytic polishing " mean that they are carried out under the following conditions.
「화학 연마」 는 H2SO4 가 1 ∼ 3 질량％, H2O2 가 0.05 ∼ 0.15 질량％, 잔부수의 에칭액을 사용하여, 연마 시간을 1 시간으로 했다.The "chemical polishing" uses 1 to 3 mass% of H 2 SO 4 , 0.05 to 0.15 mass% of H 2 O 2 , and the remaining etching solution was used, and the polishing time was 1 hour.
「전해 연마」 는 인산 67 ％ ＋ 황산 10 ％ ＋ 물 23 ％ 의 조건으로, 전압 10 V/c㎡, 표 2 에 기재된 시간 (10 초간의 전해 연마를 실시하면, 연마량은 1 ∼ 2 ㎛ 가 된다.) 으로 실시했다.Electrolytic polishing was performed under the conditions of 67% phosphoric acid + 10% sulfuric acid + 23% water at a voltage of 10 V / cm 2 and the time shown in Table 2 (10 seconds of electrolytic polishing, ).
＜실험예 A2-1 ∼ A2-7, B2-1 ∼ B2-2, A3-1 ∼ A3-9, B3-1 ∼ B3-5, A4-1 ∼ A4-8, B4-1 ∼ B4-5 에 대해＞Experimental Examples A2-1 to A2-7, B2-1 to B2-2, A3-1 to A3-9, B3-1 to B3-5, A4-1 to A4-8, B4-1 to B4-5 About>
실험예로서, 표 6, 8, 10 에 기재된 각 동박을 준비하고, 일방의 표면에, 표면 처리로서 표 7, 9, 11 에 기재된 조건으로 도금 처리를 실시했다. 또, 조화 처리를 실시하지 않는 것도 준비했다. 표의 「표면 처리」 의 「조화 처리」 란의 「무」 는, 표면 처리가 조화 처리가 아닌 것을 나타내고, 「유」 는, 표면 처리가 조화 처리인 것을 나타낸다.As experimental examples, the respective copper foils listed in Tables 6, 8, and 10 were prepared, and plating treatment was performed on one surface of the substrate under the conditions described in Tables 7, 9, and 11 as surface treatment. In addition, it was also prepared that the harmony treatment was not performed. "No" in the "Harmonizing treatment" column of the "Surface treatment" in the table indicates that the surface treatment is not a harmony treatment, and "Yu" indicates that the surface treatment is harmony treatment.
또한, 압연 동박 (표의 「종류」 란의 「터프 피치동」 은 압연 동박인 것을 나타낸다.) 은 이하와 같이 제조했다. 소정의 구리 잉곳을 제조하여, 열간 압연을 실시한 후, 300 ∼ 800 ℃ 의 연속 소둔 라인의 소둔과 냉간 압연을 반복하여 1 ∼ 2 mm 두께의 압연판을 얻었다. 이 압연판을 300 ∼ 800 ℃ 의 연속 소둔 라인으로 소둔하여 재결정시키고, 표 1 의 두께까지 최종 냉간 압연하여, 동박을 얻었다. 표의 「터프 피치동」 은 JIS H3100 C1100 으로 규격되어 있는 터프 피치동을 나타낸다.The rolled copper foil ("tough pitch copper" in the "type" in the table indicates rolled copper foil) was produced as follows. A predetermined copper ingot was produced and subjected to hot rolling. Annealing and cold rolling of the continuous annealing line at 300 to 800 占 폚 were repeated to obtain a rolled plate having a thickness of 1 to 2 mm. The rolled sheet was annealed in a continuous annealing line at 300 to 800 캜 to perform recrystallization and final cold rolling to the thickness shown in Table 1 to obtain a copper foil. The "tough pitch copper" in the table indicates tough pitch copper specified in JIS H3100 C1100.
또한, 표에 표면 처리 전의 동박 제작 공정의 포인트를 기재했다. 「고광택 압연」 은, 최종의 냉간 압연 (최종의 재결정 소둔 후의 냉간 압연) 을 기재한 유막 당량의 값으로 실시한 것을 의미한다. 또한, 실험예 A3-1, A3-2, A4-1, A4-2 에 대해서는 동박의 두께가 6 ㎛, 12 ㎛, 35 ㎛ 인 동박도 제조하여, 평가했다. 그 결과, 동박의 두께가 18 ㎛ 의 경우와 동일한 결과가 되었다.The points of the copper foil manufacturing process before the surface treatment are shown in the table. &Quot; High gloss rolling " means that the final cold rolling (cold rolling after final recrystallization annealing) is carried out at the value of the oil film equivalent described above. For Examples A3-1, A3-2, A4-1 and A4-2, copper foils having thicknesses of 6 mu m, 12 mu m, and 35 mu m were also prepared and evaluated. As a result, the same result as that in the case where the thickness of the copper foil was 18 탆 was obtained.
상기 서술한 바와 같이 하여 제작한 실시예 및 비교예의 각 샘플에 대해, 각종 평가를 하기와 같이 실시했다.Various evaluations were carried out for each of the samples prepared as described above and the comparative example as follows.
·표면 조도 (Rz) 의 측정 ； Measurement of surface roughness (Rz);
각 실시예, 비교예의 표면 처리 후의 동박에 대해, 주식회사 코사카 연구소 제조 접촉 조도계 Surfcorder SE-3C 를 사용하여 JIS B0601-1994 에 준거하여 10 점 평균 조도를 표면 처리한 면에 대해 측정했다. 측정 기준 길이 0.8 mm, 평가 길이 4 mm, 컷오프치 0.25 mm, 이송 속도 0.1 mm/초의 조건으로 압연 방향 또는 전해 동박의 제조 장치에 있어서의 전해 동박의 진행 방향과 수직인 방향 (TD) 으로 측정 위치를 변경하여 10 회 실시하고, 10 회의 측정에서의 값을 구했다.The surface-treated copper foil of each of the examples and comparative examples was measured with a contact roughness tester Surfcorder SE-3C manufactured by Kosaka Laboratory Co., Ltd., with respect to the surface treated with 10-point average roughness according to JIS B0601-1994. (TD) in the rolling direction or in the direction perpendicular to the traveling direction of the electrolytic copper foil in the electrolytic copper foil manufacturing apparatus under the condition of the measurement standard length of 0.8 mm, the evaluation length of 4 mm, the cutoff value of 0.25 mm, and the feed rate of 0.1 mm / And 10 times, and the values at ten measurements were obtained.
또한, 표면 처리 전의 동박에 대해서도, 동일하게 하여 표면 조도 (Rz) 를 구해 두었다.The surface roughness (Rz) of the copper foil before the surface treatment was also determined in the same manner.
또한, 동박 표면에 조화 처리를 한 후에, 또는 조화 처리를 하지 않고 내열층, 방청층, 내후성층 등을 형성하기 위해 표면 처리를 실시한 경우에는, 당해 내열층, 방청층, 내후성층 등의 표면 처리를 한 후의 표면 처리 동박의 표면에 대해 상기의 측정을 실시했다. 표면 처리 동박이 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층인 경우에는, 극박 동층의 조화 처리 표면에 대해 상기의 측정을 실시했다.When the surface treatment is carried out after the roughening treatment on the surface of the copper foil or after the roughening treatment to form the heat resistance layer, the rust prevention layer, the weather resistance layer and the like, the surface treatment of the heat resistance layer, the rust prevention layer, The above-mentioned measurement was carried out on the surface of the surface-treated copper foil. In the case where the surface-treated copper foil is an ultra-thin copper foil with a carrier-adhered copper foil, the above-mentioned measurement was carried out on the rough copper foil surface.
·표면의 2 승 평균 평방근 높이 Rq 의 측정 ； Measuring the root mean square height Rq of the surface;
각 실시예, 비교예의 표면 처리 후의 동박의 표면 처리면에 대해, 올림푸스사 제조 레이저 현미경 OLS4000 으로, 동박 표면의 2 승 평균 평방근 높이 Rq 를 측정했다. 동박 표면의 배율 1000 배 관찰에 있어서 평가 길이 647 ㎛, 컷오프치 제로의 조건에서, 압연 동박에 대해서는 압연 방향과 수직인 방향 (TD) 의 측정으로, 또는, 전해 동박에 대해서는 전해 동박의 제조 장치에 있어서의 전해 동박의 진행 방향과 수직인 방향 (TD) 의 측정으로, 각각 값을 구했다. 또한, 레이저 현미경에 의한 표면의 2 승 평균 평방근 높이 Rq 의 측정 환경 온도는 23 ∼ 25 ℃ 로 했다.The square root mean square height Rq of the surface of the copper foil was measured with a laser microscope OLS4000 manufactured by Olympus, Inc., on the surface-treated surface of the copper foil after surface treatment in each of the examples and comparative examples. The evaluation length 647 占 퐉 in the observation of the copper foil surface at a magnification of 1000 times and the measurement of the direction (TD) perpendicular to the rolling direction for the rolled copper foil under the condition of the cut-off value zero or for the electrolytic copper foil, And the direction (TD) perpendicular to the traveling direction of the electrolytic copper foil in the vicinity of the surface of the copper foil. The measurement environment temperature of the root mean square height Rq of the surface of the surface by the laser microscope was 23 to 25 占 폚.
·표면의 스큐니스 Rsk 의 측정 ； The measurement of the skewness Rsk of the surface;
각 실시예, 비교예의 표면 처리 후의 동박의 표면 처리면에 대해, 올림푸스사 제조 레이저 현미경 OLS4000 으로, 동박의 표면 처리면의 스큐니스 Rsk 를 측정했다. 동박 표면의 배율 1000 배 관찰에 있어서 평가 길이 647 ㎛, 컷오프치 제로의 조건에서, 압연 동박에 대해서는 압연 방향과 수직인 방향 (TD) 의 측정으로, 또는, 전해 동박에 대해서는 전해 동박의 제조 장치에 있어서의 전해 동박의 진행 방향과 수직인 방향 (TD) 의 측정으로, 각각 값을 구했다. 또한, 레이저 현미경에 의한 표면의 스큐니스 Rsk 의 측정 환경 온도는 23 ∼ 25 ℃ 로 했다.The surface roughness Rsk of the surface-treated surface of the copper foil was measured with a laser microscope OLS4000 manufactured by Olympus, Inc., on the surface-treated surface of the copper foil after surface treatment in each of the examples and comparative examples. The evaluation length 647 占 퐉 in the observation of the copper foil surface at a magnification of 1000 times and the measurement of the direction (TD) perpendicular to the rolling direction for the rolled copper foil under the condition of the cut-off value zero or for the electrolytic copper foil, And the direction (TD) perpendicular to the traveling direction of the electrolytic copper foil in the vicinity of the surface of the copper foil. Also, the measurement environmental temperature of the surface roughness Rsk by the laser microscope was 23 to 25 캜.
·동박 표면의 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 C 와 볼록부 체적 E 의 비 E/C 의 측정 ； Measurement of the ratio E / C of the two-dimensional surface area C to the convex volume E by a laser microscope on the surface of the copper foil;
각 실시예, 비교예의 표면 처리 후의 동박의 표면 처리면에 대해, 올림푸스사 제조 레이저 현미경 OLS4000 으로, 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 C 와 볼록부 체적 E 를 측정하여, 비 E/C 를 산출했다. 평가 면적 647 ㎛ × 646 ㎛, 컷오프치 제로의 조건에서 값을 구했다. 또한, 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 C 와 볼록부 체적 E 의 측정 환경 온도는 23 ∼ 25 ℃ 로 했다.The surface treated surface of the copper foil of each of the examples and the comparative examples was measured with a laser microscope using a laser microscope OLS4000 manufactured by Olympus Corporation to measure the two-dimensional surface area C and the convex portion volume E, and the ratio E / C was calculated. The evaluation area was 647 占 퐉 占 646 占 퐉, and the value was obtained under the condition of a cut-off value of zero. The measurement environmental temperature of the two-dimensional surface area C and the convex portion volume E by a laser microscope was 23 to 25 占 폚.
·면적비 (D/C) ； Area ratio (D / C);
각 실시예, 비교예의 표면 처리 후의 동박의 표면 처리면에 대해, 동박 표면의 표면적은 레이저 현미경에 의한 측정법을 사용했다. 각 실시예, 비교예의 표면 처리 후의 동박에 대해, 올림푸스사 제조 레이저 현미경 OLS4000 을 사용하여 처리 표면의 배율 20 배에 있어서의 647 ㎛ × 646 ㎛ 상당 면적 (평면에서 보았을 때에 얻어지는 표면적) C (실데이터에서는 417,953 μ㎡) 에 있어서의 삼차원 표면적 D 를 측정하여, 삼차원 표면적 D ÷ 이차원 표면적 C = 면적비 (D/C) 로 하는 수법에 의해 산출을 실시했다. 또한, 레이저 현미경에 의한 삼차원 표면적 D 의 측정 환경 온도는 23 ∼ 25 ℃ 로 했다.With respect to the surface treated surface of the copper foil after the surface treatment in each of the examples and comparative examples, the surface area of the copper foil surface was measured by a laser microscope. The copper foil after the surface treatment of each of the examples and comparative examples was evaluated by using a laser microscope OLS4000 manufactured by Olympus Co., Ltd. to measure an area (surface area obtained when viewed in a plane) of 647 占 퐉 占 646 占 퐉 , The three-dimensional surface area D was measured to calculate the three-dimensional surface area D / the two-dimensional surface area C = the area ratio (D / C). The measurement environmental temperature of the three-dimensional surface area D by the laser microscope was set at 23 to 25 占 폚.
·입자의 면적비 (A/B) ； The area ratio of particles (A / B);
조화 입자의 표면적은 레이저 현미경에 의한 측정법을 사용했다. 주식회사 키엔스 제조 레이저 마이크로 스코프 VK8500 을 사용하여 조화 처리면의 배율 2000 배에 있어서의 100 × 100 ㎛ 상당 면적 B (실데이터에서는 9982.52 μ㎡) 에 있어서의 삼차원 표면적 A 를 측정하여, 삼차원 표면적 A ÷ 이차원 표면적 B = 면적비 (A/B) 로 하는 수법에 의해 설정을 실시했다. 또한, 조화 처리가 되어 있지 않은 동박 표면에 대해서도, 당해 측정에 의해 삼차원 표면적 A ÷ 이차원 표면적 B = 면적비 (A/B) 는 산출되었다.The surface area of the harmonic particles was measured by a laser microscope. Dimensional surface area A in an area B equivalent to 100 x 100 mu m (9982.52 mu m in real data) at a magnification of 2,000 times of the roughened surface by using a laser microscope VK8500 manufactured by KYENCE CO., LTD. And surface area B = area ratio (A / B). Also, for the surface of the copper foil not subjected to the roughening treatment, the three-dimensional surface area A / the two-dimensional surface area B = the area ratio (A / B) was calculated by the measurement.
또, 동박 표면에 조화 처리를 한 후에, 또는 조화 처리를 하지 않고 내열층, 방청층, 내후성층 등을 형성하기 위해 표면 처리를 실시한 경우에는, 당해 내열층, 방청층, 내후성층 등의 표면 처리를 한 후의 표면 처리 동박의 표면에 대해 상기의 측정을 실시했다.When the surface treatment is carried out after the roughening treatment on the surface of the copper foil or after the roughening treatment to form the heat resistance layer, the rust prevention layer, the weather resistance layer and the like, the surface treatment of the heat resistance layer, rust prevention layer, The above-mentioned measurement was carried out on the surface of the surface-treated copper foil.
·광택도 ； Glossiness;
JIS Z8741 에 준거한 닛폰 덴쇼쿠 공업 주식회사 제조 광택도계 핸디글로스 미터 PG-1 을 사용하고, 압연 방향 (MD, 전해 동박의 경우에는 통박 방향) 및 압연 방향에 직각인 방향 (TD, 전해 동박의 경우에는 통박 방향에 직각인 방향) 의 각각의 입사각 60 도로 표면 처리면 (표면 처리가 조화 처리인 경우에는 조화면) 에 대해 측정했다. 또한, 동박 표면에 조화 처리를 한 후에, 또는 조화 처리를 하지 않고 내열층, 방청층, 내후성층 등을 형성하기 위해 표면 처리를 실시한 경우에는, 당해 내열층, 방청층, 내후성층 등의 표면 처리를 한 후의 표면 처리 동박의 표면에 대해 상기의 측정을 실시했다. 또한, 표면 처리 전의 동박에 대해서도, 동일하게 하여 광택도를 구해 두었다.(MD, in the case of an electrolytic copper foil, in the case of an electrolytic copper foil) and in a direction perpendicular to the rolling direction (TD, in the case of an electrolytic copper foil) using a gloss gauge Handy Gloss meter PG-1 manufactured by Nippon Denshoku Kogyo Co., (A direction perpendicular to the direction of the full-length direction) at an incident angle of 60 degrees (surface roughness when the surface treatment is a harmonic treatment). When the surface treatment is carried out after the roughening treatment on the surface of the copper foil or after the roughening treatment to form the heat resistance layer, the rust prevention layer, the weather resistance layer and the like, the surface treatment of the heat resistance layer, the rust prevention layer, The above-mentioned measurement was carried out on the surface of the surface-treated copper foil. The gloss of the copper foil before the surface treatment was also determined in the same manner.
·명도 곡선의 기울기· Slope of brightness curve
표면 처리 동박을 당해 표면 처리 동박의 조화 처리 표면측으로부터 폴리이미드 필름 (실험예 A1-1 ∼ A1-30, 실험예 B1-1 ∼ B1-14 에 대해서는 가네카 제조 두께 25 ㎛ 또는 50 ㎛ 또는 토레 듀퐁 제조 두께 50 ㎛ 중 어느 것의 폴리이미드 필름을 사용하고, 실험예 A2-1 ∼ A2-7, B2-1 ∼ B2-2, A3-1 ∼ A3-9, B3-1 ∼ B3-5, A4-1 ∼ A4-8, B4-1 ∼ B4-5 에 대해서는 가네카 제조 두께 50 ㎛, 2 층 구리 피복 적층판용 픽시오 (PIXEO) 의 폴리이미드 필름을 사용했다.) 의 양면에 첩합하고, 동박을 에칭 (염화 제 2 철 수용액) 으로 제거하여 샘플 필름을 제작했다. 또한, 동박 표면에 조화 처리를 한 후에, 또는 조화 처리를 하지 않고 내열층, 방청층, 내후성층 등을 형성하기 위해 표면 처리를 실시한 경우에는, 당해 내열층, 방청층, 내후성층 등의 표면 처리를 한 후의 표면 처리 동박을, 당해 표면 처리를 한 면측으로부터, 폴리이미드 필름의 양면에 첩합하고, 표면 처리 동박을 에칭 (염화 제 2 철 수용액) 으로 제거하여 샘플 필름을 제작했다. 계속해서, 라인상의 흑색 마크를 인쇄한 인쇄물을, 샘플 필름의 아래에 깔고, 인쇄물을 샘플 필름 너머로 CCD 카메라로 촬영하고, 촬영에 의해 얻어진 화상에 대해, 관찰된 라인상의 마크가 뻗는 방향과 수직인 방향을 따라 관찰 지점마다의 명도를 측정하여 제작한, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 마크의 단부로부터 마크가 그려져 있지 않은 부분에 걸쳐 생기는 명도 곡선의 기울기 (각도) 를 측정했다. 이 때 사용한 촬영 장치의 구성 및 명도 곡선의 기울기의 측정 방법을 나타내는 모식도를 도 3 에 나타낸다.The surface-treated copper foil was laminated on the polyimide film (Experimental Examples A1-1 to A1-30 and Experimental Examples B1-1 to B1-14 from the roughened surface side of the surface-treated copper foil to a thickness of 25 占 퐉 or 50 占 퐉 produced by Ganeca, Manufactured by DuPont and having a thickness of 50 占 퐉, and the test pieces A2-1 to A2-7, B2-1 to B2-2, A3-1 to A3-9, B3-1 to B3-5, A4 -1 to A4-8 and B4-1 to B4-5, a thickness of 50 mu m manufactured by Kaneka, and a polyimide film of PIXEO for a two-layer copper clad laminate were used) Was removed with an etching (ferric chloride aqueous solution) to prepare a sample film. When the surface treatment is carried out after the roughening treatment on the surface of the copper foil or after the roughening treatment to form the heat resistance layer, the rust prevention layer, the weather resistance layer and the like, the surface treatment of the heat resistance layer, the rust prevention layer, Treated copper foil was applied to both surfaces of the polyimide film from the surface side subjected to the surface treatment and the surface-treated copper foil was removed by etching (ferric chloride aqueous solution) to prepare a sample film. Subsequently, a printed matter on which black mark on the line was printed was laid under the sample film, the printed matter was photographed with a CCD camera over the sample film, and the image obtained by photographing was taken (Inclination) of the lightness curve that occurs from the end of the mark to the portion where the mark is not drawn was measured in the observation point-lightness graph prepared by measuring the lightness of each observation point along the direction. Fig. 3 is a schematic diagram showing a configuration of the photographing apparatus used at this time and a method of measuring the slope of the lightness curve.
또, ΔB 및 t1, t2, Sv 는, 도 2 에서 나타내는 바와 같이 하기 촬영 장치로 측정했다. 또한, 가로축의 1 픽셀은 10 ㎛ 길이에 상당한다.In addition,? B and t1, t2, and Sv were measured by the following photographing apparatus as shown in Fig. Further, one pixel on the horizontal axis corresponds to a length of 10 mu m.
촬영 장치는, CCD 카메라, 마크를 부여한 종이를 아래에 놓은 폴리이미드 기판을 두는 스테이지 (백색), 폴리이미드 기판의 촬영부에 광을 조사하는 조명용 전원, 촬영 대상의 마크가 부여된 종이를 아래에 놓은 평가용 폴리이미드 기판을 스테이지 상에 반송하는 반송기 (도시 생략) 를 구비하고 있다. 당해 촬영 장치의 주된 사양을 이하에 나타낸다 ： The photographing apparatus includes a CCD camera, a stage (white) for placing a polyimide substrate underneath the paper to which the mark is attached, a power source for illuminating the photographing section of the polyimide substrate, And a conveyor (not shown) for conveying the placed evaluation polyimide substrate onto the stage. The main specifications of the photographing apparatus are as follows:
·촬영 장치 ： 주식회사 니레코 제조 시트 검사 장치 Mujiken· Photographing device: Nireco Co., Ltd. Sheet inspection device Mujiken
·CCD 카메라 ： 8192 화소 (160 MHz), 1024 계조 디지털 (10 비트)CCD camera: 8192 pixels (160 MHz), 1024 gradation digital (10 bits)
·조명용 전원 ： 고주파 점등 전원 (전원 유닛 × 2)· Lighting power supply: High frequency lighting power supply (power supply unit × 2)
·조명 ： 형광등 (30 W) · Lighting: Fluorescent (30 W)
또한, 도 3 에 나타낸 명도에 대해, 0 은 「흑」 을 의미하고, 명도 255 는 「백」 을 의미하고, 「흑」 으로부터 「백」까지의 회색의 정도 (흑백의 농담, 그레이 스케일) 를 256 계조로 분할하여 표시하고 있다.In addition, with respect to the lightness shown in Fig. 3, 0 means "black",
·시인성 (수지 투명성) ； · Visibility (resin transparency);
표면 처리 동박의 표면 처리된 측의 표면을 폴리이미드 필름 (실험예 A1-1 ∼ A1-30, 실험예 B1-1 ∼ B1-14 에 대해서는 가네카 제조 두께 25 ㎛ 또는 50 ㎛ 또는 토레 듀퐁 제조 두께 50 ㎛ 중 어느 것의 폴리이미드 필름을 사용하고, 실험예 A2-1 ∼ A2-7, B2-1 ∼ B2-2, A3-1 ∼ A3-9, B3-1 ∼ B3-5, A4-1 ∼ A4-8, B4-1 ∼ B4-5 에 대해서는 가네카 제조 두께 50 ㎛, 2 층 구리 피복 적층판용 픽시오 (PIXEO) 의 폴리이미드 필름을 사용했다.) 의 양면에 첩합하고, 동박을 에칭 (염화 제 2 철 수용액) 으로 제거하여 샘플 필름을 제조했다. 또한, 동박 표면에 조화 처리를 한 후에, 또는 조화 처리를 하지 않고 내열층, 방청층, 내후성층 등을 형성하기 위해 표면 처리를 실시한 경우에는, 당해 내열층, 방청층, 내후성층 등의 표면 처리를 한 후의 표면 처리 동박을, 당해 표면 처리를 한 면측으로부터, 폴리이미드 필름의 양면에 첩합하고, 표면 처리 동박을 에칭 (염화 제 2 철 수용액) 으로 제거하여 샘플 필름을 제조했다. 얻어진 수지층의 일면에 인쇄물 (직경 6 cm 의 흑색의 원) 을 첩부하고, 반대면으로부터 수지층 너머로 인쇄물의 시인성을 판정했다. 인쇄물의 흑색의 원의 윤곽이 원주의 90 ％ 이상의 길이에 있어서 또렷한 것을 「◎」, 흑색의 원의 윤곽이 원주의 80 ％ 이상 90 ％ 미만의 길이에 있어서 또렷한 것을 「○」 (이상 합격), 흑색의 원의 윤곽이 원주의 0 ∼ 80 ％ 미만의 길이에 있어서 또렷한 것 및 윤곽이 무너진 것을 「×」 (불합격) 으로 평가했다.The surface of the surface-treated copper foil was treated with a polyimide film (Experimental Examples A1-1 to A1-30, Experimental Examples B1-1 to B1-14 were subjected to a thickness of 25 占 퐉 or 50 占 퐉 produced by Kaneka, And the thickness of the polyimide film used in Experimental Examples A2-1 to A2-7, B2-1 to B2-2, A3-1 to A3-9, B3-1 to B3-5, A4-8 and B4-1 to B4-5, a thickness of 50 mu m manufactured by Kaneka Corporation, and a polyimide film of PIXEO for a two-layer copper clad laminate was used), and the copper foil was etched Aqueous ferric chloride solution) to prepare a sample film. When the surface treatment is carried out after the roughening treatment on the surface of the copper foil or after the roughening treatment to form the heat resistance layer, the rust prevention layer, the weather resistance layer and the like, the surface treatment of the heat resistance layer, the rust prevention layer, Treated copper foil was applied to both surfaces of the polyimide film from the surface side subjected to the surface treatment and the surface-treated copper foil was removed by etching (ferric chloride aqueous solution) to prepare a sample film. A printed matter (a black circle having a diameter of 6 cm) was pasted on one side of the obtained resin layer, and the visibility of the printed matter was judged from the opposite side over the resin layer. The outline of the black circle of the printed matter is at least 90% of the circumference, and the outline of the circle is "⊚". The outline of the circle of black is 80% or more and less than 90% The sharpness of the outline of the black circle was less than 0 to 80% of the circumference, and the broken outline was evaluated as " x " (rejection).
·필 강도 (접착 강도) ； Peel strength (adhesion strength);
IPC-TM-650 에 준거하여, 인장 시험기 오토 그래프 100 으로 상태 필 강도를 측정하고, 상기 상태 필 강도가 0.7 N/mm 이상을 적층 기판 용도로 사용할 수 있는 것으로 했다. 또한, 본 필 강도의 측정에는 실험예 A1-1 ∼ A1-30, 실험예 B1-1 ∼ B1-14 에 대해서는 가네카 제조 두께 25 ㎛ 또는 50 ㎛ 또는 토레 듀퐁 제조 두께 50 ㎛ 중 어느 것의 폴리이미드 필름을 사용하고, 실험예 A2-1 ∼ A2-7, B2-1 ∼ B2-2, A3-1 ∼ A3-9, B3-1 ∼ B3-5, A4-1 ∼ A4-8, B4-1 ∼ B4-5 에 대해서는 가네카 제조 두께 50 ㎛, 2 층 구리 피복 적층판용 픽시오 (PIXEO) 의 폴리이미드 필름을 사용하고, 당해 폴리이미드 필름과 본 발명의 실시예 및 비교예에 관련된 표면 처리 동박의 표면 처리면을 접착한 샘플을 사용했다. 또, 측정시에, 폴리이미드 필름을 경질 기재 (스테인리스의 판 또는 합성 수지의 판 (필 강도 측정 중에 변형되지 않으면 된다)) 에 양면 테이프로 첩부함으로써, 혹은 순간 접착제로 첩부함으로써 고정했다. 또, 표 중의 필 강도의 값의 단위는 N/mm 이다.According to IPC-TM-650, the state peel strength was measured with a
·땜납 내열 평가 ； · Solder heat resistance evaluation;
표면 처리 동박의 표면 처리된 측의 표면을 폴리이미드 필름 (실험예 A1-1 ∼ A1-30, 실험예 B1-1 ∼ B1-14 에 대해서는 가네카 제조 두께 25 ㎛ 또는 50 ㎛ 또는 토레 듀퐁 제조 두께 50 ㎛ 중 어느 것의 폴리이미드 필름을 사용하고, 실험예 A2-1 ∼ A2-7, B2-1 ∼ B2-2, A3-1 ∼ A3-9, B3-1 ∼ B3-5, A4-1 ∼ A4-8, B4-1 ∼ B4-5 에 대해서는 가네카 제조 두께 50 ㎛, 2 층 구리 피복 적층판용 픽시오 (PIXEO) 의 폴리이미드 필름을 사용했다.) 의 양면에 첩합했다. 얻어진 양면 적층판에 대해, JIS C6471 에 준거한 테스트 쿠폰을 작성했다. 작성한 테스트 쿠폰을 85 ℃, 85 ％ RH 의 고온 고습하에서 48 시간 노출한 후에, 300 ℃ 의 땜납조에 띄우고, 땜납 내열 특성을 평가했다. 땜납 내열 시험 후에, 동박 조화 처리면과 폴리이미드 수지 접착면의 계면에 있어서, 테스트 쿠폰 중의 동박 면적의 5 ％ 이상의 면적에 있어서, 팽창에 의해 계면이 변색한 것을 × (불합격), 면적이 5 ％ 미만의 팽창 변색의 경우를 ○, 전혀 팽창 변색이 발생하지 않은 것을 ◎ 로서 평가했다. 또한, 동박 표면에 조화 처리를 한 후에, 또는 조화 처리를 하지 않고 내열층, 방청층, 내후성층 등을 형성하기 위해 표면 처리를 실시한 경우에는, 당해 내열층, 방청층, 내후성층 등의 표면 처리를 한 후의 표면 처리 동박의 표면에 대해 상기의 측정을 실시했다.The surface of the surface-treated copper foil was treated with a polyimide film (Experimental Examples A1-1 to A1-30, Experimental Examples B1-1 to B1-14 were subjected to a thickness of 25 占 퐉 or 50 占 퐉 produced by Kaneka, And the thickness of the polyimide film used in Experimental Examples A2-1 to A2-7, B2-1 to B2-2, A3-1 to A3-9, B3-1 to B3-5, A4-8, and B4-1 to B4-5, a thickness of 50 mu m manufactured by Kaneka Corporation, and a polyimide film of PIXEO for a two-layer copper clad laminate was used). Test coupons conforming to JIS C6471 were prepared for the obtained double-side laminates. The prepared test coupon was exposed for 48 hours under high temperature and high humidity of 85 캜 and 85% RH, and then exposed in a solder bath at 300 캜 to evaluate solder heat resistance characteristics. After the soldering heat resistance test, it was found that in the area between the copper foil roughening treatment surface and the polyimide resin adhesion surface, the area of 5% or more of the area of the copper foil in the test coupon was discolored by expansion, Was evaluated as & cir & &bull; &bull; When the surface treatment is carried out after the roughening treatment on the surface of the copper foil or after the roughening treatment to form the heat resistance layer, the rust prevention layer, the weather resistance layer and the like, the surface treatment of the heat resistance layer, the rust prevention layer, The above-mentioned measurement was carried out on the surface of the surface-treated copper foil.
·수율·yield
표면 처리 동박의 표면 처리된 측의 표면을 폴리이미드 필름 (실험예 A1-1 ∼ A1-30, 실험예 B1-1 ∼ B1-14 에 대해서는 가네카 제조 두께 25 ㎛ 또는 50 ㎛ 또는 토레 듀퐁 제조 두께 50 ㎛ 중 어느 것의 폴리이미드 필름을 사용하고, 실험예 A2-1 ∼ A2-7, B2-1 ∼ B2-2, A3-1 ∼ A3-9, B3-1 ∼ B3-5, A4-1 ∼ A4-8, B4-1 ∼ B4-5 에 대해서는 가네카 제조 두께 50 ㎛, 2 층 구리 피복 적층판용 픽시오 (PIXEO) 의 폴리이미드 필름을 사용했다.) 의 양면에 첩합하고, 동박을 에칭 (염화 제 2 철 수용액) 하여, L/S 가 30 ㎛/30 ㎛ 의 회로폭의 FPC 를 제조했다. 그 후, 가로 세로 20 ㎛ × 20 ㎛ 의 마크를 폴리이미드 너머로 CCD 카메라로 검출하는 것을 시도했다. 10 회 중 9 회 이상 검출된 경우에는 「◎」, 7 ∼ 8 회 검출된 경우에는 「○」, 6 회 검출된 경우에는 「△」, 5 회 이하 검출된 경우에는 「×」 로 했다. 또한, 동박 표면에 조화 처리를 한 후에, 또는 조화 처리를 하지 않고 내열층, 방청층, 내후성층 등을 형성하기 위해 표면 처리를 실시한 경우에는, 당해 내열층, 방청층, 내후성층 등의 표면 처리를 한 후의 표면 처리 동박의 표면에 대해 상기의 측정을 실시했다.The surface of the surface-treated copper foil was treated with a polyimide film (Experimental Examples A1-1 to A1-30, Experimental Examples B1-1 to B1-14 were subjected to a thickness of 25 占 퐉 or 50 占 퐉 produced by Kaneka, And the thickness of the polyimide film used in Experimental Examples A2-1 to A2-7, B2-1 to B2-2, A3-1 to A3-9, B3-1 to B3-5, A4-8 and B4-1 to B4-5, a thickness of 50 mu m manufactured by Kaneka Corporation, and a polyimide film of PIXEO for a two-layer copper clad laminate was used), and the copper foil was etched Aqueous solution of ferric chloride) to prepare an FPC having a circuit width of L / S of 30 占 퐉 / 30 占 퐉. Thereafter, an attempt was made to detect a mark of 20
·에칭에 의한 회로 형상 (파인 패턴 특성)Circuit shape by etching (fine pattern characteristics)
동박을 라미네이트용 열경화성 접착제가 부착된 폴리이미드 필름 (두께 50 ㎛, 우베 흥산 제조 유피렉스) 의 양면에 첩합했다. 파인 패턴 회로 형성성을 평가하기 위해서 동박 두께를 동일하게 할 필요가 있고, 여기서는 12 ㎛ 동박 두께를 기준으로 했다. 즉, 12 ㎛ 보다 두께가 두꺼운 경우에는, 전해 연마에 의해 12 ㎛ 두께까지 감소시켰다. 한편 12 ㎛ 보다 두께가 얇은 경우에는, 구리 도금 처리에 의해 12 ㎛ 두께까지 증가시켰다. 얻어진 양면 적층판의 편면측에 대해, 적층판의 동박 광택면측에 감광성 레지스트 도포 및 노광 공정에 의해, 파인 패턴 회로를 인쇄하고, 동박의 불요 부분을 하기 조건으로 에칭 처리를 실시하여, L/S = 20/20 ㎛ 가 되는 파인 패턴 회로를 형성했다. 여기서 회로폭은 회로 단면의 보텀폭이 20 ㎛ 가 되도록 했다.The copper foil was bonded to both sides of a polyimide film (thickness: 50 mu m, Uffeyrex manufactured by Ube Industries, Ltd.) with a thermosetting adhesive for lamination. In order to evaluate the fine pattern circuit formability, it is necessary to make the thickness of the copper foil the same. Here, the thickness of the copper foil of 12 탆 is used as a reference. That is, when the thickness is thicker than 12 占 퐉, it is reduced to 12 占 퐉 thickness by electrolytic polishing. On the other hand, when the thickness is thinner than 12 탆, the thickness is increased to 12 탆 by copper plating treatment. A fine pattern circuit was printed on the one side of the obtained double-sided laminate by applying a photosensitive resist and an exposure process to the copper foil glossy side of the laminate, and the unnecessary portions of the copper foil were etched under the following conditions to obtain L / S = 20 / 20 [micro] m. Here, the circuit width was such that the bottom width of the circuit section was 20 μm.
(에칭 조건) (Etching condition)
장치 ： 스프레이식 소형 에칭 장치 Apparatus: Spray type small etching equipment
스프레이압 ： 0.2 MPa Spray pressure: 0.2 MPa
에칭액 ： 염화 제 2 철 수용액 (비중 40 보메) Etching solution: Ferric chloride aqueous solution (specific gravity 40 bar)
액 온도 ： 50 ℃ Liquid temperature: 50 ℃
파인 패턴 회로 형성 후에, 45 ℃ 의 NaOH 수용액에 1 분간 침지시켜 감광성 레지스트막을 박리했다.After forming the fine patterned circuit, the photosensitive resist film was peeled by immersing in an aqueous NaOH solution at 45 캜 for one minute.
·에칭 팩터 (Ef) 의 산출· Calculation of etch factor (Ef)
상기에서 얻어진 파인 패턴 회로 샘플을, 히타치 하이테크놀로지즈사 제조 주사형 전자 현미경 사진 S4700 을 사용하여, 2000 배의 배율로 회로 상부로부터 관찰을 실시하고, 회로 상부의 탑폭 (Wa) 과 회로 저부의 보텀폭 (Wb) 을 측정했다. 동박 두께 (T) 는 12 ㎛ 로 했다. 에칭 팩터 (Ef) 는, 하기 식에 의해 산출했다.The fine pattern circuit sample obtained above was observed from the top of the circuit at a magnification of 2000 times using a scanning electron microscope photograph S4700 manufactured by Hitachi High Technologies Inc. and the top width Wa of the upper part of the circuit and the bottom width (Wb) was measured. The copper foil thickness (T) was set at 12 탆. The etching factor Ef was calculated by the following equation.
에칭 팩터 (Ef) = (2 × T)/(Wb - Wa)Etching factor Ef = (2 x T) / (Wb - Wa)
또한, 동박 표면에 조화 처리를 한 후에, 또는 조화 처리를 하지 않고 내열층, 방청층, 내후성층 등을 형성하기 위해 표면 처리를 실시한 경우에는, 당해 내열층, 방청층, 내후성층 등의 표면 처리를 한 후의 표면 처리 동박의 표면에 대해 상기의 측정을 실시했다.When the surface treatment is carried out after the roughening treatment on the surface of the copper foil or after the roughening treatment to form the heat resistance layer, the rust prevention layer, the weather resistance layer and the like, the surface treatment of the heat resistance layer, the rust prevention layer, The above-mentioned measurement was carried out on the surface of the surface-treated copper foil.
·전송 손실의 측정· Measurement of transmission loss
각 샘플에 대해, 표면 처리 동박의 표면 처리된 측의 면을, 시판되는 액정 폴리머 수지 ((주) 쿠라레 제조 Vecstar CTZ-50 ㎛) 와 첩합한 후, 에칭으로 특성 임피던스가 50 Ω 가 되도록 마이크로 스트립 선로를 형성하고, HP 사 제조의 네트워크 애널라이저 HP8720C 를 사용하여 투과 계수를 측정하여, 주파수 20 GHz 및 주파수 40 GHz 에서의 전송 손실을 구했다. 또한, 평가 조건을 가능한 한 일치시키기 위해, 표면 처리 동박과 액정 폴리머 수지를 첩합한 후에, 동박 두께를 18 ㎛ 로 했다. 즉, 18 ㎛ 보다 동박의 두께가 두꺼운 경우에는, 전해 연마에 의해 18 ㎛ 두께까지 감소시켰다. 한편 18 ㎛ 보다 두께가 얇은 경우에는, 구리 도금 처리에 의해 18 ㎛ 두께까지 증가시켰다. 주파수 20 GHz 에 있어서의 전송 손실의 평가로서 3.7 dB/10 cm 미만을 ◎, 3.7 dB/10 cm 이상 또한 4.1 dB/10 cm 미만을 ○, 4.1 dB/10 cm 이상 또한 5.0 dB/10 cm 미만을 △, 5.0 dB/10 cm 이상을 × 로 했다.For each sample, the surface-treated side of the surface-treated copper foil was laminated with commercially available liquid crystal polymer resin (Vecstar CTZ-50 mu m, manufactured by Kuraray Co., Ltd.), and then subjected to etching so as to have a characteristic impedance of 50 ohms. A strip line was formed and the transmission coefficient was measured using a network analyzer HP8720C manufactured by HP to determine a transmission loss at a frequency of 20 GHz and a frequency of 40 GHz. In order to match the evaluation conditions as much as possible, after the surface-treated copper foil and the liquid crystal polymer resin were bonded together, the thickness of the copper foil was set to 18 탆. That is, when the thickness of the copper foil is thicker than 18 탆, it is reduced to 18 탆 thickness by electrolytic polishing. On the other hand, when the thickness is thinner than 18 탆, the thickness is increased to 18 탆 by copper plating treatment. The evaluation of the transmission loss at 20 GHz was rated ◎ less than 3.7 dB / 10 cm, less than 3.7 dB / 10 cm and less than 4.1 dB / 10 cm, less than 4.1 dB / 10 cm and less than 5.0 dB / 10 cm , And 5.0 dB / 10 cm or more was rated as x.
또한, 프린트 배선판 또는 구리 피복 적층판에 있어서는, 수지를 녹여 제거함으로써, 구리 회로 또는 동박 표면에 대해, 전술한 각 측정을 할 수 있다.Further, in the case of a printed wiring board or a copper clad laminate, it is possible to perform the above-described measurements on the surface of a copper circuit or a copper foil by melting and removing the resin.
또, 동박 표면에 조화 처리를 한 후에, 또는 조화 처리를 하지 않고 내열층, 방청층, 내후성층 등을 형성하기 위해 표면 처리를 실시한 경우에는, 당해 내열층, 방청층, 내후성층 등의 표면 처리를 한 후의 표면 처리 동박의 표면에 대해 상기의 측정을 실시했다.When the surface treatment is carried out after the roughening treatment on the surface of the copper foil or after the roughening treatment to form the heat resistance layer, the rust prevention layer, the weather resistance layer and the like, the surface treatment of the heat resistance layer, rust prevention layer, The above-mentioned measurement was carried out on the surface of the surface-treated copper foil.
상기 각 시험의 조건 및 평가를 표 1 ∼ 11 에 나타낸다.The conditions and evaluation of each of the above tests are shown in Tables 1 to 11.
Sv 가 본원 발명의 범위를 만족시키는 실험예는 시인성이 양호해지고, 수율 도 양호했다.Experimental examples in which Sv satisfies the range of the present invention have improved visibility and yield.
도 4 에, 상기 Rz 평가시의, (a) 실험예 B3-1, (b) 실험예 A3-1, (c) 실험예 A3-2, (d) 실험예 A3-3, (e) 실험예 A3-4, (f) 실험예 A3-5, (g) 실험예 A3-6, (h) 실험예 A3-7, (i) 실험예 A3-8, (j) 실험예 A3-9, (k) 실험예 B3-2, (l) 실험예 B3-3 의 동박 표면의 SEM 관찰 사진을 각각 나타낸다.4, (b), (c), (A), (A) and (D) Example A3-4, (f) Experimental Example A3-5, (g) Experimental Example A3-6, (h) Experimental Example A3-7, (i) Experimental Example A3-8, (j) Experimental Example A3-9, (k) Experimental Example B3-2, and (l) Experimental Example B3-3, respectively.
Claims (31)
상기 동박을 상기 동박의 표면처리된 면과 폴리이미드 수지 기판을 첩합함으로써 폴리이미드 수지 기판의 양면에 첩합한 후, 에칭으로 상기 양면의 동박을 제거하고,
라인상의 마크를 인쇄한 인쇄물을, 노출한 상기 폴리이미드 기판 아래에 깔고, 상기 인쇄물을 상기 폴리이미드 기판 너머로 CCD 카메라로 촬영했을 때,
상기 촬영에 의해 얻어진 화상에 대해, 관찰된 상기 라인상의 마크가 뻗는 방향과 수직인 방향을 따라 관찰 지점마다의 명도를 측정하여 제작한, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서,
상기 마크의 단부로부터 상기 마크가 그려져 있지 않은 부분에 걸쳐 생기는 명도 곡선의 탑 평균치 Bt 와 보텀 평균치 Bb 의 차를 ΔB (ΔB = Bt - Bb) 로 하고, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 명도 곡선과 Bt 의 교점 중, 상기 라인상의 마크에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t1 로 하고, 명도 곡선과 Bt 의 교점으로부터 Bt 를 기준으로 0.1ΔB 까지의 깊이 범위에 있어서, 명도 곡선과 0.1ΔB 의 교점 중, 상기 라인상의 마크에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t2 로 했을 때에, 하기 (1) 식
Sv = (ΔB × 0.1)/(t1 - t2) (1)
으로 정의되는 Sv 가 3.5 이상이 되는 표면 처리 동박.A surface treated copper foil having a surface treated on at least one surface thereof,
The copper foil is applied to both surfaces of the polyimide resin substrate by bonding the surface-treated surface of the copper foil and the polyimide resin substrate, and then the copper foils on both sides are removed by etching,
When a printed matter on which a mark on a line is printed is laid under the exposed polyimide substrate and the printed matter is photographed with a CCD camera over the polyimide substrate,
In the observation point-lightness graph prepared by measuring the brightness of each observation point along a direction perpendicular to the direction in which the mark on the line is observed with respect to the image obtained by the photographing,
(? B = Bt - Bb) between the top average value Bt of the brightness curve and the bottom average value Bb occurring from the end of the mark to the portion where the mark is not drawn, A value indicating the position of the intersection point closest to the mark on the line Bt is t1 and the intersection of the brightness curve and the intersection point of Bt with the brightness curve is 0.1? And a value indicating a position of an intersection nearest to the mark on the line is t2,
Sv = (DELTA Bx0.1) / (t1 - t2) (1)
Wherein the Sv is 3.5 or more.
상기 마크의 단부로부터 상기 마크가 없는 부분에 걸쳐 생기는 명도 곡선의 탑 평균치 Bt 와 보텀 평균치 Bb 의 차 ΔB (ΔB = Bt - Bb) 가 40 이상인 표면 처리 동박.The method according to claim 1,
Wherein the difference? B (? B = Bt - Bb) between the top average value Bt and the bottom average value Bb of the brightness curve occurring from the end portion of the mark to the portion having no mark is 40 or more.
상기 촬영에 의해 얻어진 화상으로부터 제작한 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, ΔB 가 50 이상이 되는 표면 처리 동박.3. The method of claim 2,
Wherein? B is 50 or more in an observation point-brightness graph produced from the image obtained by the photographing.
상기 명도 곡선에 있어서의 (1) 식으로 정의되는 Sv 가 3.9 이상이 되는 표면 처리 동박.The method according to claim 1,
Wherein the Sv defined by the expression (1) in the lightness curve is 3.9 or more.
상기 명도 곡선에 있어서의 (1) 식으로 정의되는 Sv 가 5.0 이상이 되는 표면 처리 동박.5. The method of claim 4,
Wherein the Sv defined by the expression (1) in the lightness curve is 5.0 or more.
상기 표면 처리가 조화 처리이며, 조화 처리 표면의 MD 의 60 도 광택도가 76 ∼ 350 ％ 이며,
상기 조화 처리 표면의 레이저 현미경에 의한 삼차원 표면적 A 와, 상기 조화 처리 표면의 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 B 의 비 A/B 가 1.90 ∼ 2.40 인 표면 처리 동박.The method according to claim 1,
Wherein the surface treatment is a roughening treatment, the 60 degree glossiness of MD of the roughened surface is 76 to 350%
Wherein the ratio A / B of the three-dimensional surface area A by the laser microscope of the surface of the roughened surface to the two-dimensional surface area B by the laser microscope of the roughened surface is 1.90 to 2.40.
상기 MD 의 60 도 광택도가 90 ∼ 250 ％ 인 표면 처리 동박.The method according to claim 6,
Wherein the MD has a 60 degree gloss of 90 to 250%.
상기 A/B 가 2.00 ∼ 2.20 인 표면 처리 동박.The method according to claim 6,
Wherein said A / B is from 2.00 to 2.20.
조화 처리 표면의 MD 의 60 도 광택도와 TD 의 60 도 광택도의 비 F (F = (MD 의 60 도 광택도)/(TD 의 60 도 광택도)) 가 0.80 ∼ 1.40 인 표면 처리 동박.The method according to claim 6,
(F = (60 degree gloss of MD) / (60 degree glossiness of TD)) of 60 degree gloss of MD and 60 degree gloss of TD on the roughened surface is 0.80 to 1.40.
조화 처리 표면의 MD 의 60 도 광택도와 TD 의 60 도 광택도의 비 F (F = (MD 의 60 도 광택도)/(TD 의 60 도 광택도)) 가 0.90 ∼ 1.35 인 표면 처리 동박.10. The method of claim 9,
(F = (60 degree gloss of MD) / (60 degree gloss of TD)) of 60 degree gloss of MD and 60 degree gloss of TD on the roughened surface is 0.90 to 1.35.
상기 표면 처리가 실시되어 있는 면의 표면의 2 승 평균 평방근 높이 Rq 가 0.14 ∼ 0.63 ㎛ 인 표면 처리 동박.The method according to claim 1,
Wherein the root mean square height Rq of the surface of the surface subjected to the surface treatment is 0.14 to 0.63 탆.
상기 표면 처리 동박의 상기 표면의 2 승 평균 평방근 높이 Rq 가 0.25 ∼ 0.60 ㎛ 인 표면 처리 동박.12. The method of claim 11,
And a root mean square height Rq of the surface of the surface-treated copper foil is 0.25 to 0.60 mu m.
상기 표면 처리가 실시되어 있는 면의 표면의 JIS B0601-2001 에 기초하는 스큐니스 Rsk 가 -0.35 ∼ 0.53 인 표면 처리 동박.12. The method of claim 11,
A surface-treated copper foil having a skewness Rsk of -0.35 to 0.53 based on JIS B0601-2001 on the surface of the surface subjected to the surface treatment.
상기 표면의 스큐니스 Rsk 가 -0.30 ∼ 0.39 인 표면 처리 동박.14. The method of claim 13,
Wherein the surface has a skewness Rsk of -0.30 to 0.39.
상기 표면 처리가 실시되어 있는 표면의 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 C 와, 상기 표면 처리가 실시되어 있는 표면의 볼록부 체적 E 의 비 E/C 가 2.11 ∼ 23.91 인 표면 처리 동박.The method according to claim 1,
A surface-treated copper foil having a ratio of a two-dimensional surface area C by a laser microscope to a surface on which the surface treatment is carried out and a convex portion volume E of the surface subjected to the surface treatment is from 2.11 to 23.91.
상기 비 E/C 가 2.95 ∼ 21.42 인 표면 처리 동박.16. The method of claim 15,
Wherein the ratio E / C is 2.95 to 21.42.
상기 표면의 레이저 현미경에 의한 삼차원 표면적 D 와 상기 표면의 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 C 의 면적비 D/C 가 1.0 ∼ 1.7 인 표면 처리 동박.The method according to claim 1,
Wherein the surface ratio D / C of the two-dimensional surface area C of the surface to the three-dimensional surface area D by the laser microscope of the surface is 1.0 to 1.7.
상기 D/C 가 1.0 ∼ 1.6 인 표면 처리 동박.18. The method of claim 17,
Wherein the D / C is 1.0 to 1.6.
제 20 항에 기재된 프린트 배선판 또는 제 20 항에 기재된 프린트 배선판을 적어도 1 개와, 또 하나의 제 20 항에 기재된 프린트 배선판 또는 제 20 항에 기재된 프린트 배선판에 해당하지 않는 프린트 배선판을 접속하는 공정을 적어도 포함하는, 프린트 배선판이 2 개 이상 접속된 프린트 배선판을 제조하는 방법에 따라 제조된 프린트 배선판이 2 개 이상 접속된 프린트 배선판과, 부품을 접속하는 공정을 적어도 포함하는, 프린트 배선판이 2 개 이상 접속된 프린트 배선판을 제조하는 방법.A step of connecting at least one printed wiring board according to claim 20 to the printed wiring board according to claim 20 or a printed wiring board not corresponding to the printed wiring board according to claim 20,
At least one of the printed wiring board according to claim 20 or a printed wiring board according to claim 20 and a printed wiring board according to another twentieth aspect or a printed wiring board not corresponding to the printed wiring board according to claim 20 A printed wiring board having at least two printed wiring boards connected in accordance with a method of manufacturing a printed wiring board to which at least two printed wiring boards are connected, and a step of connecting the components, wherein at least two printed wiring boards By weight based on the total weight of the printed wiring board.
상기 표면 처리가 실시되어 있는 면의 표면의 2 승 평균 평방근 높이 Rq 가 0.14 ∼ 0.63 ㎛ 인 표면 처리 동박.11. The method according to any one of claims 2 to 10,
Wherein the root mean square height Rq of the surface of the surface subjected to the surface treatment is 0.14 to 0.63 탆.
상기 표면 처리가 실시되어 있는 표면의 레이저 현미경에 의한 이차원 표면적 C 와, 상기 표면 처리가 실시되어 있는 표면의 볼록부 체적 E 의 비 E/C 가 2.11 ∼ 23.91 인 표면 처리 동박.15. The method according to any one of claims 2 to 14,
A surface-treated copper foil having a ratio of a two-dimensional surface area C by a laser microscope to a surface on which the surface treatment is carried out and a convex portion volume E of the surface subjected to the surface treatment is from 2.11 to 23.91.
상기 구리 회로를, 상기 절연 수지 기판 너머로 CCD 카메라로 촬영했을 때,
상기 촬영에 의해 얻어진 화상에 대해, 관찰된 상기 구리 회로가 뻗는 방향과 수직인 방향을 따라 관찰 지점마다의 명도를 측정하여 제작한, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서,
상기 구리 회로의 단부로부터 상기 구리 회로가 없는 부분에 걸쳐 생기는 명도 곡선의 탑 평균치를 Bt, 보텀 평균치를 Bb 로 하고, 또한, 탑 평균치 Bt 와 보텀 평균치 Bb 의 차 ΔB (ΔB = Bt-Bb) 로서, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 명도 곡선과 Bt 의 교점 중, 상기 구리 회로에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t1 로 하고, 명도 곡선과 Bt 의 교점으로부터 Bt 를 기준으로 0.1ΔB 까지의 깊이 범위에 있어서, 명도 곡선과 0.1ΔB 의 교점 중, 상기 구리 회로에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t2 로 했을 때에, 하기 (1) 식
Sv = (ΔB × 0.1)/(t1 - t2) (1)
으로 정의되는 Sv 가 3.5 이상이 되는 프린트 배선판.A printed wiring board having an insulating resin substrate and a copper circuit formed on the insulating substrate,
When the copper circuit is photographed with a CCD camera over the insulating resin substrate,
In an observation point-brightness graph produced by measuring the brightness of each observation point along a direction perpendicular to the direction in which the observed copper circuit extends, with respect to the image obtained by the photographing,
The difference between the top average value Bt and the bottom average value Bb is? B (? B = Bt-Bb), where Bt is the top average value of the brightness curve generated from the end of the copper circuit, , A value indicating the position of the intersection point closest to the copper circuit among the intersections of the brightness curve and Bt in the observation point-brightness graph is t1 and the depth from the intersection of the brightness curve and Bt to 0.1 B And a value representing a position of an intersection point closest to the copper circuit among the intersections of the brightness curve and the 0.1 DEG B is t2,
Sv = (DELTA Bx0.1) / (t1 - t2) (1)
Wherein the Sv is 3.5 or more.
상기 구리 피복 적층판의 상기 동박을, 에칭에 의해 라인상의 동박으로 한 후에, 상기 절연 수지 기판 너머로 CCD 카메라로 촬영했을 때,
상기 촬영에 의해 얻어진 화상에 대해, 관찰된 상기 라인상의 동박이 뻗는 방향과 수직인 방향을 따라 관찰 지점마다의 명도를 측정하여 제작한, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서,
상기 라인상의 동박의 단부로부터 상기 라인상의 동박이 없는 부분에 걸쳐 생기는 명도 곡선의 탑 평균치를 Bt, 보텀 평균치를 Bb 로 하고, 또한, 탑 평균치 Bt 와 보텀 평균치 Bb 의 차 ΔB (ΔB = Bt - Bb) 로 하고, 관찰 지점-명도 그래프에 있어서, 명도 곡선과 Bt 의 교점 중, 상기 라인상의 표면 처리 동박에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t1 로 하고, 명도 곡선과 Bt 의 교점으로부터 Bt 를 기준으로 0.1ΔB 까지의 깊이 범위에 있어서, 명도 곡선과 0.1ΔB 의 교점 중, 상기 라인상의 표면 처리 동박에 가장 가까운 교점의 위치를 나타내는 값을 t2 로 했을 때에, 하기 (1) 식
Sv = (ΔB × 0.1)/(t1 - t2) (1)
으로 정의되는 Sv 가 3.5 이상이 되는 구리 피복 적층판.A copper clad laminate having an insulating resin substrate and a copper foil formed on the insulating substrate,
When the copper foil of the copper clad laminate is taken as a line-shaped copper foil by etching and then photographed with a CCD camera over the insulating resin substrate,
In the observation point-lightness graph prepared by measuring the lightness of each observation point along the direction perpendicular to the direction in which the copper foil on the line is observed with respect to the image obtained by the photographing,
The difference between the top average value Bt and the bottom average value Bb (? B = Bt - Bb (Bb)) is calculated by taking Bt as the top average value and Bb as the bottom average value of the lightness curve that occurs from the end of the copper foil on the line ), And a value indicating the position of an intersection point closest to the surface-treated copper foil on the line among the intersections of the brightness curve and Bt in the observation point-brightness graph is t1 and Bt is calculated from the intersection of the brightness curve and Bt Treated copper foil on the line is t2, a value indicating a position of an intersection point closest to the surface-treated copper foil on the line among the intersections of the lightness curve and 0.1? B in the depth range up to 0.1?
Sv = (DELTA Bx0.1) / (t1 - t2) (1)
Lt; RTI ID = 0.0 > Sv < / RTI >
Applications Claiming Priority (23)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2012-198852 | 2012-09-10 | ||
| JP2012198852 | 2012-09-10 | ||
| JP2012227378 | 2012-10-12 | ||
| JP2012227381 | 2012-10-12 | ||
| JPJP-P-2012-227378 | 2012-10-12 | ||
| JPJP-P-2012-227381 | 2012-10-12 | ||
| JPJP-P-2012-247923 | 2012-11-09 | ||
| JP2012247923 | 2012-11-09 | ||
| JPJP-P-2012-247887 | 2012-11-09 | ||
| JP2012247887 | 2012-11-09 | ||
| JPJP-P-2012-270786 | 2012-12-11 | ||
| JP2012270786A JP5362899B1 (en) | 2012-09-10 | 2012-12-11 | Surface-treated copper foil and laminate using the same |
| JP2012288813 | 2012-12-28 | ||
| JPJP-P-2012-288835 | 2012-12-28 | ||
| JPJP-P-2012-288813 | 2012-12-28 | ||
| JP2012288835 | 2012-12-28 | ||
| JP2013000676A JP5362921B1 (en) | 2012-11-09 | 2013-01-07 | Surface-treated copper foil and laminate using the same |
| JPJP-P-2013-000676 | 2013-01-07 | ||
| JP2013013702A JP5362923B1 (en) | 2012-10-12 | 2013-01-28 | Surface-treated copper foil and laminate using the same |
| JPJP-P-2013-013702 | 2013-01-28 | ||
| JPJP-P-2013-013698 | 2013-01-28 | ||
| JP2013013698A JP5362922B1 (en) | 2012-10-12 | 2013-01-28 | Surface-treated copper foil and laminate using the same |
| PCT/JP2013/074438 WO2014038716A1 (en) | 2012-09-10 | 2013-09-10 | Surface-treated copper foil and laminated board using same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150034185A KR20150034185A (en) | 2015-04-02 |
| KR101716988B1 true KR101716988B1 (en) | 2017-03-15 |
Family
ID=50237319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020157001484A Active KR101716988B1 (en) | 2012-09-10 | 2013-09-10 | Surface-treated copper foil and laminated board using same |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101716988B1 (en) |
| CN (1) | CN104603333B (en) |
| TW (1) | TWI482882B (en) |
| WO (1) | WO2014038716A1 (en) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6297011B2 (en) * | 2014-08-28 | 2018-03-20 | 株式会社有沢製作所 | Three-layer flexible metal-clad laminate and double-sided three-layer flexible metal-clad laminate |
| EP3340755B1 (en) * | 2015-08-21 | 2024-02-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Printed-wiring board substrate, printed-wiring board, and method for producing printed-wiring board substrate |
| JP6328679B2 (en) * | 2016-03-28 | 2018-05-23 | Ｊｘ金属株式会社 | Copper foil for flexible printed circuit board, copper-clad laminate using the same, flexible printed circuit board, and electronic device |
| KR102302184B1 (en) * | 2018-02-01 | 2021-09-13 | 에스케이넥실리스 주식회사 | Copper Film With Dimensional Stability And Texture Stability At High Temperature, And Manufacturing Methods Thereof |
| CN112969824B (en) * | 2018-11-19 | 2024-10-18 | 三井金属矿业株式会社 | Surface treated copper foil, copper foil with carrier, copper clad laminate and printed circuit board |
| US10581081B1 (en) | 2019-02-01 | 2020-03-03 | Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. | Copper foil for negative electrode current collector of lithium ion secondary battery |
| CN116005157B (en) * | 2022-12-13 | 2023-12-19 | 苏州圆格电子有限公司 | Neodymium iron boron surface pretreatment method and system |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004082495A (en) | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Heat-resistant flexible copper-clad laminate with high visibility |
| JP2006179666A (en) | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Nippon Steel Chem Co Ltd | Laminated body, COF film carrier tape formed using this laminated body, and COF chip mounting method using this COF film carrier tape |
| JP2007165674A (en) | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | Copper foil for flexible printed wiring board for cof |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2849059B2 (en) * | 1995-09-28 | 1999-01-20 | 日鉱グールド・フォイル株式会社 | Processing method of copper foil for printed circuit |
| KR100632861B1 (en) | 2002-05-13 | 2006-10-13 | 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 | Flexible printed wiring board for chip-on film |
| JP2004098659A (en) | 2002-07-19 | 2004-04-02 | Ube Ind Ltd | Copper-clad laminate and its manufacturing process |
| JP2005344174A (en) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Surface-treated copper foil, flexible copper-clad laminate manufactured using the same, and film carrier tape |
| CN101426959B (en) * | 2006-04-28 | 2010-11-17 | 三井金属矿业株式会社 | Electrolytic copper foil, surface-treated copper foil using the electrolytic copper foil, copper-clad laminate using the surface-treated copper foil, and method for producing the electrolytic copper foil |
| KR20080102545A (en) * | 2007-05-21 | 2008-11-26 | 주식회사 엘지화학 | 2-layer copper foil laminated board for COF mounting, and its manufacturing method |
| CN103266335B (en) * | 2007-09-28 | 2016-08-10 | Jx日矿日石金属株式会社 | Copper foil for printed circuit and copper-clad laminate |
| US8524378B2 (en) * | 2008-11-25 | 2013-09-03 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil for printed circuit |
| JP5467930B2 (en) * | 2010-05-19 | 2014-04-09 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Copper clad laminate |
| JP5074611B2 (en) * | 2011-03-30 | 2012-11-14 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Electrolytic copper foil for secondary battery negative electrode current collector and method for producing the same |
| JP5148726B2 (en) * | 2011-03-30 | 2013-02-20 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | Electrolytic copper foil and method for producing electrolytic copper foil |
-
2013
- 2013-09-10 KR KR1020157001484A patent/KR101716988B1/en active Active
- 2013-09-10 TW TW102132730A patent/TWI482882B/en active
- 2013-09-10 CN CN201380046511.0A patent/CN104603333B/en active Active
- 2013-09-10 WO PCT/JP2013/074438 patent/WO2014038716A1/en active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004082495A (en) | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Heat-resistant flexible copper-clad laminate with high visibility |
| JP2006179666A (en) | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Nippon Steel Chem Co Ltd | Laminated body, COF film carrier tape formed using this laminated body, and COF chip mounting method using this COF film carrier tape |
| JP2007165674A (en) | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | Copper foil for flexible printed wiring board for cof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150034185A (en) | 2015-04-02 |
| WO2014038716A1 (en) | 2014-03-13 |
| TWI482882B (en) | 2015-05-01 |
| CN104603333B (en) | 2017-11-10 |
| CN104603333A (en) | 2015-05-06 |
| TW201425650A (en) | 2014-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101887791B1 (en) | Treated surface copper foil, copper-clad laminate, printed wiring board, electronic device, and printed wiring board manufacturing method | |
| KR101822325B1 (en) | Surface-treated copper foil and laminate using same, copper foil, printed wiring board, electronic device, and process for producing printed wiring board | |
| KR101716988B1 (en) | Surface-treated copper foil and laminated board using same | |
| KR101456419B1 (en) | Surface-treated copper foil and laminate using the same | |
| KR101751622B1 (en) | Surface-treated copper foil and laminated sheet, printed wiring board, and electronic device using same, as well as method for producing printed wiring board | |
| KR101498436B1 (en) | Surface-treated copper foil and laminate using the same | |
| KR20160129916A (en) | Surface-treated copper foil and laminate using same, copper foil, printed wiring board, electronic device, and process for producing printed wiring board | |
| KR20150103306A (en) | Laminate and copper-clad laminate using same | |
| JP5362923B1 (en) | Surface-treated copper foil and laminate using the same | |
| JP5362922B1 (en) | Surface-treated copper foil and laminate using the same | |
| TWI503062B (en) | Surface treatment of copper foil and the use of its laminated board, printed wiring board, electronic equipment and manufacturing | |
| JP5432357B1 (en) | Surface-treated copper foil and laminated board, copper-clad laminated board, printed wiring board and electronic device using the same | |
| KR101631423B1 (en) | Surface-treated copper foil and laminate using same | |
| JP2014065974A (en) | Surface-treated copper foil, and laminate, copper-clad laminate, printed-wiring board, and electronic apparatus using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0105 | International application |
Patent event date: 20150120 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20150120 Comment text: Request for Examination of Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20160318 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20161229 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20170309 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20170309 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200218 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200218 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210218 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220216 Start annual number: 6 End annual number: 6 |