KR101670807B1 - 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치 - Google Patents
고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101670807B1 KR101670807B1 KR1020140194635A KR20140194635A KR101670807B1 KR 101670807 B1 KR101670807 B1 KR 101670807B1 KR 1020140194635 A KR1020140194635 A KR 1020140194635A KR 20140194635 A KR20140194635 A KR 20140194635A KR 101670807 B1 KR101670807 B1 KR 101670807B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- susceptor
- local heating
- susceptor body
- sectional area
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
본 발명에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터는 열원에 장착되어, 상기 열원으로부터의 열을 전달받아 피가열체를 국부 가열하기 위한 고온 국부가열 방식의 서셉터로서, 제1 단면적을 갖는 서셉터 몸체; 및 상기 서셉터 몸체로부터 돌출되어, 상기 제1 단면적보다 작은 제2 단면적을 갖는 돌출부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터의 적용예를 설명하기 위한 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예의 변형예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 사시도.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예의 변형예들에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 각각의 단면도.
도 7은 본 발명의 일 실시예의 다른 변형예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 사시도.
도 8은 본 발명의 일 실시예의 다른 변형예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 사시도.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 사시도.
도 10은 본 발명의 다른 실시예의 변형예에 따른 고온 국부가열 방식의 서셉터를 나타낸 사시도.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 고온 국부가열 방식의 히팅 장치를 나타낸 단면도.
도 12는 도 11의 A 부분을 나타낸 확대 단면도.
140 : 돌출부 d : 돌출부의 길이
200 : 서셉터 220 : 서셉터 몸체
240 : 서셉터 연장부 260 : 국부 가열수단
H : 삽입 홀 T : 중공
300 : 히팅 장치 310 : 반사 거울
320 : 몰딩체 330 : 적외선 램프
340 : 냉각 라인 350 : 서셉터
360 : 쿼츠 봉 400 : 지지 유닛
500 : 성형 유닛 H1, H2 : 상부 및 하부 홀
S : 피가열체
Claims (16)
- 열원에 장착되어, 상기 열원으로부터의 열을 전달받아 피가열체를 국부 가열하기 위한 고온 국부가열 방식의 서셉터로서,
제1 단면적을 가지며, 중앙을 관통하는 삽입 홀을 구비하는 서셉터 몸체;
상기 서셉터 몸체로부터 연장되며, 상기 서셉터 몸체를 감싸는 환형 구조로 형성되어, 내부에 중공을 구비하는 서셉터 연장부; 및
상기 서셉터 몸체의 삽입 홀 내에 체결되어, 상기 서셉터 몸체로부터 돌출되며, 상기 제1 단면적보다 작은 제2 단면적을 갖는 국부 가열수단;을 포함하며,
상기 국부가열 수단은 상기 서셉터 몸체의 중앙 부분에 배치된 것을 특징으로 하는 고온 국부가열 방식의 서셉터.
- 제1항에 있어서,
상기 서셉터 몸체 및 서셉터 연장부는 각각
실리콘 카바이드(SiC)로 형성되거나, 또는 실리콘 카바이드(SiC)에 그라파이트, 카본(C) 및 니켈(Ni) 중 1종 이상이 코팅된 것을 특징으로 하는 고온 국부가열 방식의 서셉터.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 국부 가열수단은
상기 서셉터 몸체의 삽입 홀 내에 슬라이딩 방식으로 체결되어, 상기 서셉터 몸체에 결합되는 일단에 반대되는 타단이 상기 피가열체와 접촉되도록 설치되는 것을 특징으로 하는 고온 국부가열 방식의 서셉터.
- 제1항에 있어서,
상기 서셉터 연장부는
상기 서셉터 몸체에 일체로 결합된 것을 특징으로 하는 고온 국부가열 방식의 서셉터.
- 제1항에 있어서,
상기 국부 가열수단은
봉 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 고온 국부가열 방식의 서셉터.
- 반사 거울;
상기 반사 거울을 밀봉하는 몰딩체;
상기 반사 거울의 상단에 결합되어, 적외선을 조사하는 적외선 램프;
상기 몰딩체에 장착되어 온도를 제어하기 위한 냉각 라인; 및
상기 반사 거울의 하단에 결합되며, 상기 적외선 램프로부터 출사되어 반사 거울에 반사되어 굴절된 적외선을 집광시켜 피가열체를 국부 가열하기 위한 서셉터;를 포함하며,
상기 서셉터는 제1 단면적을 가지며, 중앙을 관통하는 삽입 홀을 구비하는 서셉터 몸체와, 상기 서셉터 몸체로부터 연장되며, 상기 서셉터 몸체를 감싸는 환형 구조로 형성되어, 내부에 중공을 구비하는 서셉터 연장부와, 상기 서셉터 몸체의 삽입 홀 내에 체결되어, 상기 서셉터 몸체로부터 돌출되며, 상기 제1 단면적보다 작은 제2 단면적을 갖는 국부 가열수단을 포함하며, 상기 국부가열 수단은 상기 서셉터 몸체의 중앙 부분에 배치된 것을 특징으로 하는 고온 국부가열 방식의 히팅 장치.
- 제14항에 있어서,
상기 히팅 장치는
상기 반사 거울과 서셉터 사이에 장착되어, 상기 적외선 램프로부터의 열을 상기 서셉터로 전달하기 위한 쿼츠 봉을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 국부가열 방식의 히팅 장치.
- 제14항에 있어서,
상기 반사 거울은
상단 및 하단을 각각 노출시키는 상부 홀 및 하부 홀을 구비하며, 타원 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 고온 국부가열 방식의 히팅 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140194635A KR101670807B1 (ko) | 2014-12-31 | 2014-12-31 | 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140194635A KR101670807B1 (ko) | 2014-12-31 | 2014-12-31 | 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160082134A KR20160082134A (ko) | 2016-07-08 |
KR101670807B1 true KR101670807B1 (ko) | 2016-11-01 |
Family
ID=56504140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140194635A Active KR101670807B1 (ko) | 2014-12-31 | 2014-12-31 | 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101670807B1 (ko) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2517218B2 (ja) * | 1985-03-15 | 1996-07-24 | 株式会社サーモ理工 | 輻射加熱装置 |
JP2006252784A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Thermo Riko:Kk | 赤外線均熱加熱装置 |
KR101002748B1 (ko) * | 2009-11-17 | 2010-12-21 | (주)앤피에스 | 서셉터 유닛 및 이를 구비하는 기판 열처리 장치 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3931578B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-06-20 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置 |
-
2014
- 2014-12-31 KR KR1020140194635A patent/KR101670807B1/ko active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2517218B2 (ja) * | 1985-03-15 | 1996-07-24 | 株式会社サーモ理工 | 輻射加熱装置 |
JP2006252784A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Thermo Riko:Kk | 赤外線均熱加熱装置 |
KR101002748B1 (ko) * | 2009-11-17 | 2010-12-21 | (주)앤피에스 | 서셉터 유닛 및 이를 구비하는 기판 열처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160082134A (ko) | 2016-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101804692B (zh) | 用于加热塑料预制件的设备 | |
CN101890806B (zh) | 用于在成型预制体以形成容器之前加热预制体的方法和预热装置 | |
JP4988202B2 (ja) | 工作物の支持及び熱処理の方法とシステム | |
KR102167554B1 (ko) | 개선된 에지 링 립 | |
KR101677819B1 (ko) | 집광경 가열로 | |
KR101670807B1 (ko) | 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치 | |
JP4321213B2 (ja) | 加熱ユニット | |
KR102636172B1 (ko) | 반사 내부 링 | |
JP2017533438A (ja) | 材料試験機用加熱装置 | |
CN102317872B (zh) | 用于将记录材料定影在介质上的方法和装置 | |
KR100944614B1 (ko) | 정착용 가열장치 | |
JP5370355B2 (ja) | 型アセンブリと成形方法 | |
JP2005504315A5 (ko) | ||
CN105383046A (zh) | 用于加热塑料型坯的设备和加热装置 | |
US8936746B2 (en) | Bracket for a quartz lamp of a blow molding machine | |
KR101441974B1 (ko) | 열처리 장치 | |
JP5757193B2 (ja) | 加熱炉 | |
JP2009283247A (ja) | 発熱体ユニット及び加熱装置 | |
JP5955575B2 (ja) | 単結晶育成装置 | |
JP2005231959A (ja) | 加工装置 | |
JP2012510151A5 (ko) | ||
KR101516801B1 (ko) | 일정면적에 대한 급속 및 균일한 가열과 온도 제어가 가능한 블로잉 성형용 히팅 유닛 및 이를 갖는 블로잉 성형 장치 | |
JP6926437B2 (ja) | 加熱装置 | |
KR101473741B1 (ko) | 발열 램프 고정클립 | |
KR101709956B1 (ko) | 나선 코일 지지체와 코일 튜브의 열배출 구조를 구비한 히터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20141231 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20150916 Patent event code: PE09021S01D |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20160425 Patent event code: PE09021S01D |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20161020 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20161025 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20161025 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210908 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220906 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20230906 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240911 Start annual number: 9 End annual number: 9 |