KR101667893B1 - 가변 폭 명령/주소 버스 - Google Patents
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- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 101100498818 Arabidopsis thaliana DDR4 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000009432 framing Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 201000006292 polyarteritis nodosa Diseases 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
- G06F13/16—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
- G06F13/1668—Details of memory controller
-
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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- G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
- G06F13/16—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
- G06F13/1668—Details of memory controller
- G06F13/1678—Details of memory controller using bus width
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1015—Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
- G11C7/1045—Read-write mode select circuits
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/10—Aspects relating to interfaces of memory device to external buses
- G11C2207/105—Aspects related to pads, pins or terminals
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/10—Aspects relating to interfaces of memory device to external buses
- G11C2207/108—Wide data ports
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
Description
도 1은 일 실시예에 따른 가변 폭 명령/주소(CA) 버스를 가진 메모리 서브시스템의 블록도이다.
도 2는 일 실시예에 따른, 메모리 장치가 10 비트 CA 핀 모드에 있을 때의 가변 폭 CA 버스를 가진 메모리 장치에 대한 명령 진리표이다.
도 3은 일 실시예에 따른, 메모리 장치가 8 비트 CA 핀 모드에 있을 때의 가변 폭 CA 버스를 가진 메모리 장치에 대한 명령 진리표이다.
도 4a는 일 실시예에 따른, 가변 폭 CA 버스를 가진 메모리 장치를 포함하는 PoP 구성의 단면도이다.
도 4b는 일 실시예에 따른, 가변 폭 CA 버스를 가진 메모리 장치를 포함하는 PoP 구성의 바닥부의 평면도이다.
도 5a는 일 실시예에 따른, 기변 폭 CA 버스를 가진 메모리 장치를 포함하는 볼 그리드 어레이(BGA) 구성의 단면도이다.
도 5b는 일 실시예에 따른, 가변 폭 CA 버스를 가진 메모리 장치를 포함하는 BGA 구성의 바닥부의 평면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른, 2개의 독립적 가변 폭 CA 버스를 가진 메모리 장치의 블록도이다.
도 7은 일 실시예에 따른, 가변 폭 명령들을 메모리 장치로 보내기 위한 흐름도이다.
도 8은 가변 폭 CA 버스가 구현될 수 있는 컴퓨팅 시스템의 실시예의 블록도이다.
도 9는 가변 폭 CA 버스가 구현될 수 있는 모바일 장치의 실시예의 블록도이다.
도면들의 설명을 포함하는 소정 상세 사항들 및 구현들의 기술이 따라오는데, 이것은 하기 설명된 일부 또는 모든 실시예들을 묘사할 뿐만 아니라, 본 명세서에 제시되는 독창적 개념들의 기타 잠재적 실시예들 또는 구현들을 논의하는 것이다.
Claims (20)
- 메모리 장치로서:
메모리 장치가 제1 모드에 있을 때 제1 수의 클록 에지들에 걸쳐서 제1 폭을 갖는 명령/주소 버스를 이용하여, 그리고 상기 메모리 장치가 제2 모드에 있을 때 제2 수의 클록 에지들에 걸쳐서 제2 폭을 갖는 상기 명령/주소 버스를 이용하여 명령을 수신하기 위한 수단; 및
상기 메모리 장치가 상기 제1 모드 또는 상기 제2 모드에 있는지를 결정하기 위한 수단 - 상기 제1 모드는 제1 패키지 구성 및 상기 제1 폭에 대응하고, 상기 제2 모드는 제2 패키지 구성 및 상기 제2 폭에 대응하고, 상기 제1 패키지 구성은 상기 제2 패키지 구성과는 상이하고, 제1 명령/주소 버스 폭은 제2 명령/주소 버스 폭과는 상이함 -
을 포함하는 메모리 장치. - 제1항에 있어서,
접지 또는 VCC에 결부되는 패드에 기초하여 상기 제1 모드 또는 상기 제2 모드를 인에이블하는 상기 패드
를 더 포함하는 메모리 장치. - 제1항에 있어서, 상기 제1 모드에서의 상기 제1 폭은 상기 제2 모드에서의 상기 제2 폭보다 크고;
상기 제1 모드에서의 상기 제1 수의 클록 에지들은 상기 제2 모드에서의 상기 제2 수의 클록 에지들보다 적은 메모리 장치. - 제3항에 있어서, 상기 제1 패키지 구성은 PoP(package-on-package) 패키지 구성을 포함하는 메모리 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 패키지 구성은 BGA(ball grid array) 패키지 구성 을 포함하는 메모리 장치.
- 제1항에 있어서,
두 개 이상의 채널을 더 포함하고, 상기 두 개 이상의 채널의 각각은 상기 제1 모드에서의 상기 제1 수의 클록 에지들에 걸쳐서 상기 제1 폭을 갖는 독립적 명령/주소 버스들을 이용하여, 그리고 상기 제2 모드에서의 상기 제2 수의 클록 에지들에 걸쳐서 상기 제2 폭을 갖는 상기 독립적 명령/주소 버스들을 이용하여 상기 명령을 수신하는 메모리 장치. - 제1항에 있어서, 상기 명령은 행 선택을 포함하는 메모리 장치.
- 제7항에 있어서,
상기 명령은 상기 제1 모드에서의 2개의 클록 에지, 및 상기 제2 모드에서의 2개보다 많은 클록 에지에 의해 전송될 활성화 명령인 메모리 장치. - 제1항에 있어서, 상기 제1 모드에서의 2개의 클록 에지, 및 상기 제2 모드에서의 2개 보다 많은 클록 에지에 걸쳐서 판독 명령 및 기입 명령이 전송되는 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 제어 레지스터의 값에 기초하여 상기 제1 모드 또는 상기 제2 모드를 인에이블하기 위한 상기 제어 레지스터
를 더 포함하는 메모리 장치. - 메모리 컨트롤러로서:
메모리 장치가 제1 모드 또는 제2 모드에 있는지를 결정하기 위한 수단 - 상기 제1 모드는 제1 패키지 구성 및 제1 명령/주소 버스 폭에 대응하고, 상기 제2 모드는 제2 패키지 구성 및 제2 명령/주소 버스 폭에 대응하고, 상기 제1 패키지 구성은 상기 제2 패키지 구성과는 상이하고, 상기 제1 명령/주소 버스 폭은 상기 제2 명령/주소 버스 폭과는 상이함 -; 및
상기 메모리 장치가 상기 제1 모드에 있을 때 제1 수의 클록 에지들에 걸쳐서 제1 폭을 갖는 명령/주소 버스를 이용하여, 그리고 상기 메모리 장치가 상기 제2 모드에 있을 때 제2 수의 클록 에지들에 걸쳐서 제2 폭을 갖는 상기 명령/주소 버스를 이용하여 명령을 상기 메모리 장치에게 전송하기 위한 수단
을 포함하는 메모리 컨트롤러. - 시스템으로서:
프로세서;
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 메모리 장치;
메모리 컨트롤러; 및
디스플레이
를 포함하고, 상기 메모리 컨트롤러는,
상기 메모리 장치가 제1 모드 또는 제2 모드에 있는지를 결정하기 위한 수단 - 상기 제1 모드는 제1 패키지 구성 및 제1 명령/주소 버스 폭에 대응하고, 상기 제2 모드는 제2 패키지 구성 및 제2 명령/주소 버스 폭에 대응하고, 상기 제1 패키지 구성은 상기 제2 패키지 구성과는 상이하고, 상기 제1 명령/주소 버스 폭은 상기 제2 명령/주소 버스 폭과는 상이함 -, 및
상기 메모리 장치가 상기 제1 모드에 있을 때 제1 수의 클록 에지들에 걸쳐서 상기 제1 폭을 갖는 상기 명령/주소 버스를 이용하여, 그리고 상기 메모리 장치가 상기 제2 모드에 있을 때 제2 수의 클록 에지들에 걸쳐서 상기 제2 폭을 갖는 상기 명령/주소 버스를 이용하여 상기 명령을 상기 메모리 장치에게 전송하기 위한 수단을 포함하는, 시스템. - 삭제
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- 삭제
- 삭제
- 삭제
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Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/722,666 US9009362B2 (en) | 2012-12-20 | 2012-12-20 | Variable-width command/address bus |
US13/722,666 | 2012-12-20 | ||
PCT/US2013/045499 WO2014098970A1 (en) | 2012-12-20 | 2013-06-12 | Variable-width command/address bus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150064132A KR20150064132A (ko) | 2015-06-10 |
KR101667893B1 true KR101667893B1 (ko) | 2016-10-19 |
Family
ID=50976013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157010967A Active KR101667893B1 (ko) | 2012-12-20 | 2013-06-12 | 가변 폭 명령/주소 버스 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9009362B2 (ko) |
EP (1) | EP2936327B1 (ko) |
KR (1) | KR101667893B1 (ko) |
WO (1) | WO2014098970A1 (ko) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9865324B2 (en) * | 2015-10-19 | 2018-01-09 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for decoding commands |
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US10162406B1 (en) | 2017-08-31 | 2018-12-25 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for frequency mode detection and implementation |
US11449249B2 (en) | 2018-11-26 | 2022-09-20 | Micron Technology, Inc. | Configuring command/address channel for memory |
WO2020176291A1 (en) | 2019-02-28 | 2020-09-03 | Rambus Inc. | Quad-channel dram |
CN114121873B (zh) | 2020-08-25 | 2025-05-27 | 美光科技公司 | 具有球栅阵列的设备和系统及相关微电子装置和装置封装 |
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-
2012
- 2012-12-20 US US13/722,666 patent/US9009362B2/en active Active
-
2013
- 2013-06-12 KR KR1020157010967A patent/KR101667893B1/ko active Active
- 2013-06-12 EP EP13866249.9A patent/EP2936327B1/en active Active
- 2013-06-12 WO PCT/US2013/045499 patent/WO2014098970A1/en active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140181333A1 (en) | 2014-06-26 |
KR20150064132A (ko) | 2015-06-10 |
EP2936327A4 (en) | 2016-09-07 |
EP2936327A1 (en) | 2015-10-28 |
EP2936327B1 (en) | 2019-07-24 |
WO2014098970A1 (en) | 2014-06-26 |
US9009362B2 (en) | 2015-04-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0105 | International application |
Patent event date: 20150427 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20150427 Comment text: Request for Examination of Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20160216 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20160805 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20161013 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20161013 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200928 Start annual number: 5 End annual number: 5 |