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KR101648946B1 - Improved Stripping Apparatus and Method of Photoresist - Google Patents

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KR101648946B1
KR101648946B1 KR1020140133572A KR20140133572A KR101648946B1 KR 101648946 B1 KR101648946 B1 KR 101648946B1 KR 1020140133572 A KR1020140133572 A KR 1020140133572A KR 20140133572 A KR20140133572 A KR 20140133572A KR 101648946 B1 KR101648946 B1 KR 101648946B1
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photoresist
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ozonated water
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신군수
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주식회사 케이엠디피
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Abstract

본 발명은 개선된 포토레지스트 박리 장치 및 방법을 개시한다.
본 발명에 따른 포토레지스트 박리 장치는 반도체 기판이 장착되는 스테이지; 상기 스테이지 상에서 승강 가능하게 제공되며, 상기 반도체 기판에 자외선을 조사하기 위한 자외선 램프; 상기 반도체 기판 상에 오존수를 공급하기 위한 오존수 공급 장치; 및 상기 오존수 공급 장치로부터 공급되는 상기 오존수를 상기 반도체 기판 상에 분사하는 분사 장치를 포함하는 것을 특징으로 한다. The present invention discloses an improved photoresist stripping apparatus and method.
A photoresist stripping apparatus according to the present invention includes a stage on which a semiconductor substrate is mounted; An ultraviolet lamp provided so as to be able to move up and down on the stage, for irradiating ultraviolet rays to the semiconductor substrate; An ozonated water supply device for supplying ozonated water onto the semiconductor substrate; And an injector for injecting the ozonated water supplied from the ozonated water supply device onto the semiconductor substrate.

Description

개선된 포토레지스트 박리 장치 및 방법{Improved Stripping Apparatus and Method of Photoresist}Improved Stripping Apparatus and Method of Photoresist < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 개선된 포토레지스트 박리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an improved photoresist stripping apparatus and method.

좀 더 구체적으로, 본 발명은 웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 도포된 포토레지스트 상에 자외선 조사 및 고농도의 오존수 분사를 동시에 제공하거나 또는 순차적으로 제공함으로써, 포토레지스트의 박리 속도가 현저하게 증가하고, 박리 후 포토레지스트 잔류물이 발생하지 않아 최종 제품의 불량 발생 가능성이 현저하게 감소되며, 특히 종래 기술에서 사용되는 황산과 과산화수소 혼합액(SPM)의 사용이 불필요하고, 그에 따라 작업 환경이 현저하게 개선되고, 환경 오염 발생 가능성이 제거되면서 반도체 기판의 세정까지 완료될 수 있는 개선된 포토레지스트 박리 장치 및 방법에 관한 것이다.More specifically, the present invention provides simultaneously or sequentially providing ultraviolet light irradiation and high concentration ozone water injection onto a photoresist coated on a semiconductor substrate such as a wafer, thereby remarkably increasing the peeling speed of the photoresist, The possibility of occurrence of defects in the final product is remarkably reduced since no photoresist residue is generated. In particular, the use of the sulfuric acid and the hydrogen peroxide mixture (SPM) used in the prior art is unnecessary, the working environment is remarkably improved, The present invention relates to an improved photoresist stripping apparatus and method which can be completed up to cleaning of a semiconductor substrate while eliminating the possibility of environmental contamination.

일반적으로, 포지티브 포토레지스트는 반도체 칩상의 마스크오프 영역에 통상 사용된다. 포토레지스트를 위한 통상 사용은 도핑 단계 동안 코팅층을 보호하기 위한 것이다. 다른 사용은 에칭으로부터 코팅층을 보호하는 것이다. 포토레지스트의 두가지 타입(포지티브 및 네거티브)은 웨이퍼에 패턴을 형성하는 공정에서 사용된다.In general, positive photoresists are commonly used in mask off regions on semiconductor chips. Typical use for photoresists is to protect the coating layer during the doping step. Another use is to protect the coating from etching. Two types of photoresist (positive and negative) are used in the process of forming a pattern on a wafer.

포토레지스트는 반도체 기판 상에 증착되며 상기 웨이퍼는 포토레지스트를 가지고 웨이퍼에 균일하게 코팅하기위해 회전된다. 포토레지스트는 유동성을 유지하는 용제를 포함하며 회전되는 웨이퍼 상에 포토레지스트가 균일하게 코팅되는 것을 허용한다. 그 후, 포토레지스트가 패터닝되고, 노출된 포토레지스트가 제거되어 패턴이 형성된다.A photoresist is deposited on the semiconductor substrate and the wafer is rotated to uniformly coat the wafer with the photoresist. The photoresist comprises a solvent that maintains fluidity and allows the photoresist to be uniformly coated on the wafer being rotated. Thereafter, the photoresist is patterned, and the exposed photoresist is removed to form a pattern.

그 후, 상기 반도체 기판은 에칭과 같은 공정이 진행된 후, 포지티브 포토레지스트가 제거된다. 이 경우, 포지티브 포토레지스트의 제거는 단순한 문제가 아니다. 포지티브 포토레지스트를 완전히 제거하기 위해 몇몇 단계가 요구될 수도 있다. 예를 들어, 애싱(ashing)을 이용하여 대부분의 포지티브 포토레지스트를 제거한 후 남는 잔류물(남겨진 포지티브 포토레지스트)은 후속 웨이퍼 공정 단계 전에 황산 용액 및 오존 또는 SPM 내로 반도체 기판을 위치시켜 제거된다. 포토레지스트 잔류물의 제거를 보장하기 위해 둘 이상의 세척 단계가 사용될 수 있다.Thereafter, the semiconductor substrate is subjected to a process such as etching, and then the positive photoresist is removed. In this case, removal of the positive photoresist is not a simple problem. Several steps may be required to completely remove the positive photoresist. For example, residue remaining after removing most of the positive photoresist using ashing (the remaining positive photoresist) is removed by placing the semiconductor substrate into the sulfuric acid solution and ozone or SPM prior to the subsequent wafer processing step. Two or more washing steps may be used to ensure removal of the photoresist residue.

상술한 바와 같은 SPM은 전세계의 모든 반도체 제조업체에서 아직까지는 광범위하게 사용되고 있는 포토레지스트 박리에 사용되는 용액이다. 이러한 SPM은 황산(H2SO4)을 주성분으로 하며, 황산은 인간의 건강 손상에 매우 위험한 용액이다. 포토레지스트의 제거 속도를 증가시키기 위해 과산화수소 또는 오존과 같은 산화물이 황산에 첨가된다. 혼합은 중합된 포토레지스트를 가지고 반응을 더욱 가속시키기 위해 통상 섭씨 90 내지 140도 온도 범위 내에서 가열된다. 황산은 중합된 포토레지스트를 가수분해하며, 이에 의해 과산화수소 또는 오존으로 용이하게 반응하여 중합된 포토레지스트의 긴 분자 연쇄(long chain molecules)를 파괴한다.The above-mentioned SPM is a solution used in photoresist stripping, which has been widely used by all semiconductor manufacturers all over the world. These SPMs are mainly composed of sulfuric acid (H 2 SO 4 ), and sulfuric acid is a very dangerous solution to human health damage. Oxides such as hydrogen peroxide or ozone are added to the sulfuric acid to increase the removal rate of the photoresist. The mixture is heated within the temperature range of usually 90 to 140 degrees Celsius to further accelerate the reaction with the polymerized photoresist. Sulfuric acid hydrolyzes the polymerized photoresist, thereby readily reacting with hydrogen peroxide or ozone to destroy long chain molecules of the polymerized photoresist.

상술한 SPM은 시간 주기가 연장되지 않고, 희석하여 사용하면 포토레지스트를 제거 능력이 감소된다는 점이다. 포토레지스트를 제거하기 위해 요구되는 시간 주기가 용액이 희석된 것과 같이 증가하는 것에 의해 제조 사이클 시간이 증가한다. 또한 제조 사이클 시간이 증가하여 발생되므로 혼합은 지속적으로 대체된다. 또한, 제거 및 교환되는 산의 혼합은 위험한 화학물질을 인간을 노출시킬 뿐만 아니라, 환경오염을 유발시키는 심각한 문제를 갖는다.The SPM described above does not prolong the time period, and when diluted, the ability to remove the photoresist is reduced. The time period required to remove the photoresist increases as the solution is diluted, thereby increasing the manufacturing cycle time. Also, as the production cycle time is increased, the mixing is continuously replaced. In addition, the mixing of acids removed and exchanged not only exposes humans to dangerous chemicals, but also has serious problems causing environmental pollution.

또한, 상술한 SPM은 과산화수소 및 황산 간의 발열성 반응을 위해 통상 매우 높은 온도로 가열되어야 한다. 이 경우, 황산 내로 과산화수소를 부어넣어 혼합하는 공정은 극히 위험하다.In addition, the SPM described above must normally be heated to very high temperatures for pyrogenic reactions between hydrogen peroxide and sulfuric acid. In this case, the process of pouring hydrogen peroxide into sulfuric acid and mixing is extremely dangerous.

또한, SPM 내에서 기포 발생되는 오존의 사용은 황산 및 과산화수소를 함유하는 SPM보다 교체가 보다 오래 지속되는 장점을 가지지만, 그 효과가 입증되지 않았고, 특히 포토레지스트의 균일한 박리를 제공하지 않는다는 문제가 있었다.The use of ozone bubbled in the SPM also has the advantage that the replacement lasts longer than the SPM containing sulfuric acid and hydrogen peroxide, but its effect has not been proven and in particular does not provide uniform removal of the photoresist .

또한, 황산 내로 확산되는 오존의 비율은 SPM의 온도의 증가에 따라 감소되므로, 오존의 확산의 양 및 SPM의 온도 간의 균형(trade-off)이 필요하다는 문제가 있었다.In addition, since the proportion of ozone diffused into sulfuric acid decreases with increasing temperature of SPM, there is a problem that a trade-off is required between the amount of diffusion of ozone and the temperature of SPM.

상술한 오존 사용의 문제점을 해결하기 위한 방안의 하나로 황산 내에 오존의 분자상 농도를 증가시키기 위한 장치가 제안되어 사용되고 있다.As a method for solving the above-mentioned problem of using ozone, a device for increasing the molecular concentration of ozone in sulfuric acid has been proposed and used.

좀 더 구체적으로, 도 1a는 제 1 종래 기술에 따른 반도체 상의 포토레지스트를 제거하기 위한 장치를 도시한 도면이다. 이러한 제 1 종래 기술에 따른 반도체 상의 포토레지스트를 제거하기 위한 장치는 예를 들어, 1998년 8월 21일자로 "반도체 기판 상의 포토레지스트 제거를 위한 방법 및 장치"라는 발명의 명칭으로 대한민국 특허출원 제10-1998-033919호 출원되어, 1999년 3월 25일자로 공개된 대한민국 공개특허 제10-1999-023759호에 상세히 기술되어 있다.More specifically, FIG. 1A is a diagram showing an apparatus for removing photoresist on a semiconductor according to the first prior art. An apparatus for removing photoresist on a semiconductor according to the first prior art is disclosed in, for example, Korean Patent Application No. 10 10-1998-033919, filed on March 25, 1999, which is hereby incorporated by reference in its entirety.

도 1a를 참조하면, 제 1 종래 기술에 따른 반도체 상의 포토레지스트를 제거하기 위한 장치는 제 1 포트와 제 2 포트를 갖는 포토레지스트 박리 욕조(21); 상기 포토레지스트 박리 욕조(21)의 상기 제 1 포트에 연결되는 유체 입력부 및 유체 출력부를 갖는 펌프(23); 및 상기 펌프(23)의 상기 유체 출력부에 결합된 유체 입력부(35), 상기 포토레지스트 박리 욕조(21)의 상기 제 2 포트에 결합된 유체 출력부(36), 및 오존 가스를 수용하기 위한 가스 입구(37)와 가스 출구(38)를 가지는 삼투압막 가스화기기(28)를 구비한다.Referring to FIG. 1A, an apparatus for removing photoresist on a semiconductor according to the first prior art includes a photoresist peeling bath 21 having a first port and a second port; A pump (23) having a fluid input and a fluid output connected to said first port of said photoresist stripping bath (21); A fluid input portion coupled to the fluid output of the pump and a fluid output portion coupled to the second port of the photoresist stripping bath, And an osmotic membrane gasifier (28) having a gas inlet (37) and a gas outlet (38).

상술한 제 1 종래 기술에 따른 반도체 상의 포토레지스트를 제거하기 위한 장치에서는, 삼투압막 가스화기기(28)를 통해 오존을 황산 내부로 확산시키는 단계; 및 포토레지스트의 산화 및 가수분해 하기 위해 반도체 기판을 상기 오존처리된 황산으로 침적시키는 단계를 통해 반도체 기판 상의 포토레지스트가 제거된다.In the apparatus for removing photoresist on a semiconductor according to the first prior art described above, diffusion of ozone into sulfuric acid through the osmotic membrane gasifier 28; And the step of depositing the semiconductor substrate with the ozone-treated sulfuric acid to oxidize and hydrolyze the photoresist is removed from the photoresist on the semiconductor substrate.

상술한 제 1 종래 기술에 따른 반도체 상의 포토레지스트를 제거하기 위한 장치를 사용하면, 산 용액의 수명을 연장으로 황산의 양이 감소되고, 산에 관련된 사고를 최소화되어 산 욕조(21) 충만 횟수가 감소되며, 포토레지스트 제거 공정에서 웨이퍼 재료 처리량이 증가되고, 사이클 시간이 감소되어 황산 내에 용해된 분자상 오존의 높은 농도에 의해 포토레지스트의 제거가 신속해지는 등의 장점이 달성된다.Using the apparatus for removing the photoresist on the semiconductor according to the first conventional technique described above, the lifetime of the acid solution is prolonged, the amount of sulfuric acid is reduced, the accident related to the acid is minimized and the number of times the acid bath 21 is filled An advantage is obtained such that the throughput of the wafer material in the photoresist removal step is increased and the cycle time is reduced so that the removal of the photoresist is accelerated by the high concentration of the molecular ozone dissolved in the sulfuric acid.

그러나, 상기 제 1 종래 기술에 따른 반도체 상의 포토레지스트를 제거하기 위한 장치는 황산을 함유한 SPM을 사용한다는 점에서 SPM의 사용에 따른 상술한 문제점들을 여전히 갖는다.However, the apparatus for removing the photoresist on the semiconductor according to the first prior art still has the above-mentioned problems according to the use of the SPM in that it uses the SPM containing sulfuric acid.

한편, 또 다른 종래 기술인 제 2 종래 기술에서는 포토레지스트 제거 장치에서, 고농도 또는 고온의 오존 용해수를 사용하여 포토레지스트를 제거하는 방안이 제시되어 사용되고 있다.On the other hand, in the second conventional art, a method for removing photoresist by using high-concentration or high-temperature ozone-dissolving water has been proposed and used in the photoresist removing apparatus.

좀 더 구체적으로, 도 1b는 제 2 종래 기술에 따른 반도체 상의 포토레지스트를 제거하기 위한 장치를 도시한 도면이다. 이러한 제 2 종래 기술에 따른 반도체 상의 포토레지스트를 제거하기 위한 장치는 예를 들어, 2000년 6월 2일자로 "반도체 기판 상의 포토레지스트 제거 방법 및 장치"라는 발명의 명칭으로 대한민국 특허출원 제10-2000-0030377호 출원되어, 2001년 1월 26일자로 공개된 대한민국 공개특허 제10-2001-0007205호에 상세히 기술되어 있다.More specifically, FIG. 1B shows an apparatus for removing photoresist on a semiconductor according to a second prior art. An apparatus for removing a photoresist on a semiconductor according to the second prior art is disclosed in Korean Patent Application No. 10-7, for example, entitled " Method and Apparatus for Removing Photoresist on Semiconductor Substrate " 2000-0030377, filed on January 26,2001, Korean Patent Publication No. 10-2001-0007205.

도 1b를 참조하면, 제 2 종래 기술에 따른 포토레지스트 제거 장치는 반도체 기판(11)을 싣는 스테이지(12), 오존 용해수를 제조하는 오존 용해수 제조장치(14), 오존 용해수 제조장치(14)로부터 공급된 오존 용해수를 반도체 기판(11) 상에 분출하는 분출노즐(13), 스테이지(12) 및 분출노즐(13)을 내부에 수용하는 챔버(15), 챔버(15)의 내부에서 스테이지(12)의 위쪽에 설치되어, 반도체 기판(11)에 적외선을 조사하는 것에 의해 반도체 기판(11)를 가열시키는 반도체 기판 가열기로서의 적외선 램프(16), 및 스테이지(12)의 내부에 조립해 넣어져, 반도체 기판(11)의 온도를 검출하는 웨이퍼 온도 검출센서(17), 웨이퍼 온도 검출센서(17)가 검출한 반도체 기판(11)의 온도에 응답하여 적외선 램프(16)의 적외선 조사량을 제어하는 제어장치(32)를 구비한다.Referring to FIG. 1B, the photoresist removing apparatus according to the second conventional technique includes a stage 12 for loading a semiconductor substrate 11, an ozone dissolution water producing apparatus 14 for producing ozone dissolution water, an ozone dissolution water producing apparatus A chamber 15 for internally accommodating the stage 12 and the spray nozzle 13, a spray nozzle 13 for spraying ozone-dissolved water supplied from the inside of the chamber 15 An infrared lamp 16 provided above the stage 12 and serving as a semiconductor substrate heater for heating the semiconductor substrate 11 by irradiating the semiconductor substrate 11 with infrared light and an infrared lamp 16 mounted inside the stage 12 The wafer temperature detection sensor 17 for detecting the temperature of the semiconductor substrate 11 and the infrared radiation amount 16 of the infrared lamp 16 in response to the temperature of the semiconductor substrate 11 detected by the wafer temperature detection sensor 17 And a control unit 32 for controlling the control unit 32.

또한, 스테이지(12)는 그 중심축 주위로 회전 가능하도록 구성되어 있다. 챔버(15)에는 폐액을 배출하기 위한 배출구(15a)가 설치되어 있다. 오존 용해수 제조장치(14)에는 순수(DIW, 19)가 공급되고, 오존 용해수 제조장치(14)는 DIW(19)에 오존을 용해시켜 오존 용해수를 제조한다. 이러한 오존 용해수 제조장치(14)에서는 약 100ppm의 오존농도를 갖는 오존 용해수가 제조된다.Further, the stage 12 is configured to be rotatable about its central axis. The chamber 15 is provided with a discharge port 15a for discharging the waste liquid. Pure water DIW 19 is supplied to the ozone dissolved water producing apparatus 14 and the ozone dissolved water producing apparatus 14 dissolves ozone in the DIW 19 to produce ozone dissolved water. In this ozone-dissolved water producing apparatus 14, ozone-dissolved water having an ozone concentration of about 100 ppm is produced.

또한, 분출노즐(13)에도 DlW(19)가 공급되며, 분출노즐(13)은 오존 용해수 제조장치(14)로부터 절환밸브(20)를 개재하여 공급되는 오존 용해수 또는 DlW(19) 중의 어느 하나를 선택적으로 분출할 수 있다.The jet nozzle 13 is also supplied with the jet nozzle 13 and the ozone-dissolving water supplied from the ozone-dissolved water producing device 14 via the switching valve 20 or the ozone- Any one of them can be selectively ejected.

또한, 적외선 램프(16)는 반도체 기판(11)를 섭씨 100도 이상의 온도로 온도를 올리는 것이 가능하다.Further, the infrared lamp 16 can raise the temperature of the semiconductor substrate 11 to a temperature of 100 degrees Celsius or more.

상술한 제 2 종래 기술에 따른 포토레지스트 제거 장치에서는 포토레지스트의 막이 형성된 반도체 기판(11)가 챔버(15) 내의 스테이지(12) 상에 탑재된다. 스테이지(12)는 반도체 기판(11)를 진공 흡착하여 고정시킨다. 제어장치(32)는 적외선 램프(16)를 점등시켜, 적외선 조사에 의해 반도체 기판(11)의 온도가 섭씨 100도에 도달 및 유지되도록 반도체 기판(11)를 가열한다. 이 경우, 적외선 램프(16) 대신 스테이지(12)에 내장되어 있는 가열 히터(미도시)가 사용될 수도 있다. 그 후, 오존 용해수 제조장치(14)에 의해 생성된 오존 용해수가 분출노즐(13)로부터 반도체 기판(11) 상에 분출된다. 오존 용해수 중의 오존농도는 100ppm으로 설정되어 있으며, 이 경우 포토레지스트의 식각속도는 약 6000Å/분이기 때문에, 막두께가 1㎛인 포토레지스트를 반도체 기판 상에 형성한 경우, 과도식각(over etching) 시간을 고려하여, 오존 용해수의 분출시간은 2분 30초로 설정된다.The semiconductor substrate 11 on which the film of the photoresist is formed is mounted on the stage 12 in the chamber 15. In this case, The stage 12 vacuum-adsorbs and fixes the semiconductor substrate 11. The control device 32 heats the infrared lamp 16 and heats the semiconductor substrate 11 so that the temperature of the semiconductor substrate 11 reaches and maintains 100 degrees centigrade by infrared irradiation. In this case, a heating heater (not shown) built in the stage 12 may be used instead of the infrared lamp 16. Thereafter, the ozone-dissolved water generated by the ozone-dissolved water producing apparatus 14 is sprayed onto the semiconductor substrate 11 from the spray nozzle 13. [ The ozone concentration in the ozone-dissolved water is set at 100 ppm. In this case, since the etch rate of the photoresist is about 6000 Å / min, when the photoresist having a thickness of 1 μm is formed on the semiconductor substrate, ), The jetting time of ozone-dissolved water is set to 2 minutes and 30 seconds.

상술한 바와 같은 제 2 종래 기술에 따른 포토레지스트 제거 장치를 사용하면, SPM을 사용하지 않으므로 SPM의 사용에 따른 제 1 종래 기술의 문제점을 해결할 수 있다는 장점이 달성되지만, 여전히 다음과 같은 문제가 발생한다.The use of the photoresist removing device according to the second conventional technique as described above does not use the SPM, so that it is possible to solve the problem of the first prior art using the SPM. However, the following problems still occur do.

1. 막두께가 1㎛인 포토레지스트를 박리 또는 제거하기 위한 오존 용해수의 분출시간은 2분 30초로 포토레지스트의 박리 및 세정 속도(0.4㎛/min)가 상당히 느리다. 이러한 상당히 느린 박리 및 세정 속도로 인하여, 오존 용해수 만을 이용한 포토레지스트 박리 또는 제거 장치가 실용화 수준에까지는 이르지 못하고 있으며, 특히, 대량 생산을 위한 반도체 제조 장치 및 공정 라인에는 현재까지 사용되지 못하고 있다.1. The ejection time of the ozone-dissolved water for peeling or removing the photoresist having a film thickness of 1 占 퐉 is 2 minutes 30 seconds, and the photoresist peeling and cleaning rate (0.4 占 퐉 / min) is considerably slow. Due to such a relatively slow peeling and cleaning speed, a photoresist peeling or removing apparatus using only ozone dissolving water has not reached the practical use level, and in particular, it has not been used in semiconductor manufacturing apparatuses and process lines for mass production until now.

2. 오존 농도를 높이기 위해 저온의 오존 용해수를 공급하면서도 포토레지스트 간의 반응 속도를 높이기 위해, 반도체 기판(11)를 일정 온도(섭씨 100도)로 유지하기 위한 적외선 램프(16) 또는 스테이지(12)에 내장되어 있는 가열 히터(미도시)와 웨이퍼 온도 검출센서(17)와 같은 별도의 장비가 필수적으로 사용되어야 한다.2. An infrared lamp 16 or stage 12 for maintaining the semiconductor substrate 11 at a predetermined temperature (100 DEG C) in order to increase the reaction rate between the photoresist while supplying low-temperature ozone-dissolved water to raise the ozone concentration. (Not shown) and a wafer temperature detection sensor 17, which are built in the apparatus (not shown), must be used.

3. 또한, 오존 용해수 만을 사용하여 포토레지스트를 박리 또는 제거하는 경우, 포토레지스트의 표면이 균일하게 제거되지 않아 일부 포토레지스트의 잔류물이 남는 문제가 발생한다. 이러한 포토레지스트 잔류물은 최종 제품의 불량 발생의 원인이 될 수 있다는 문제점을 갖는다.3. Also, when the photoresist is peeled or removed using only ozone dissolution water, the surface of the photoresist is not uniformly removed, leaving a problem of residual residues of some photoresist. Such a photoresist residue has a problem that it may cause defects in the final product.

따라서, 상술한 문제점을 해결하기 위한 새로운 방안이 요구된다.Therefore, a new method for solving the above-mentioned problems is required.

1. 대한민국 공개특허 제10-1999-023759호1. Korean Patent Publication No. 10-1999-023759 2. 대한민국 공개특허 제10-2001-0007205호2. Korean Patent Publication No. 10-2001-0007205

본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 도포된 포토레지스트 상에 자외선 조사 및 고농도의 오존수 분사를 동시에 제공하거나 또는 순차적으로 제공함으로써, 포토레지스트의 박리 속도가 현저하게 증가하고, 박리 후 포토레지스트 잔류물이 발생하지 않아 최종 제품의 불량 발생 가능성이 현저하게 감소되며, 특히 종래 기술에서 사용되는 황산과 과산화수소 혼합액(SPM)의 사용이 불필요하고, 그에 따라 작업 환경이 현저하게 개선되고, 환경 오염 발생 가능성이 제거되면서 반도체 기판의 세정까지 완료될 수 있는 개선된 포토레지스트 박리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] The present invention has been made to solve the problems of the prior art described above, and it is an object of the present invention to provide a photoresist which is coated on a semiconductor substrate such as a wafer by simultaneously irradiating ultraviolet light and high- (SPM) used in the prior art is not required. In particular, the use of the sulfuric acid and the hydrogen peroxide mixture (SPM) used in the prior art is unnecessary, The present invention is to provide an improved photoresist stripping apparatus and method which can be completed up to cleaning of a semiconductor substrate while remarkably improving the environment and eliminating the possibility of environmental pollution.

본 발명의 제 1 특징에 따른 포토레지스트 박리 장치는 반도체 기판이 장착되는 스테이지; 상기 스테이지 상에서 승강 가능하게 제공되며, 상기 반도체 기판에 자외선을 조사하기 위한 자외선 램프; 상기 반도체 기판 상에 오존수를 공급하기 위한 오존수 공급 장치; 및 상기 오존수 공급 장치로부터 공급되는 상기 오존수를 상기 반도체 기판 상에 분사하는 분사 장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.A photoresist stripper according to a first aspect of the present invention includes: a stage on which a semiconductor substrate is mounted; An ultraviolet lamp provided so as to be able to move up and down on the stage, for irradiating ultraviolet rays to the semiconductor substrate; An ozonated water supply device for supplying ozonated water onto the semiconductor substrate; And an injector for injecting the ozonated water supplied from the ozonated water supply device onto the semiconductor substrate.

본 발명의 제 2 특징에 따른 포토레지스트 박리 장치는 제 1 및 제 2 반도체 기판이 순차적으로 장착되는 제 1 및 제 2 스테이지; 상기 제 1 및 제 2 스테이지 상에서 각각 승강 가능하게 제공되며, 상기 제 1 및 제 2 반도체 기판에 각각 자외선을 조사하기 위한 제 1 및 제 2 자외선 램프; 상기 제 1 및 제 2 반도체 기판 상에 각각 제 1 및 제 2 오존수를 공급하기 위한 제 1 및 제 2 오존수 공급 장치; 및 상기 제 1 및 제 2 오존수 공급 장치로부터 각각 공급되는 상기 제 1 및 제 2 오존수를 상기 제 1 및 제 2 반도체 기판 상에 각각 분사하는 제 1 및 제 2 분사 장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to a second aspect of the present invention, there is provided a photoresist stripping apparatus comprising: first and second stages in which first and second semiconductor substrates are sequentially mounted; First and second ultraviolet lamps provided on the first and second stages, respectively, for raising and lowering the first and second semiconductor substrates, respectively; First and second ozonated water supply devices for supplying first and second ozonated water on the first and second semiconductor substrates, respectively; And first and second injectors for respectively injecting the first and second ozonated water supplied from the first and second ozonated water supply devices onto the first and second semiconductor substrates, respectively.

본 발명의 제 3 특징에 따른 포토레지스트 박리 방법은 a) 이송 장치의 이송 부재에 의해 반도체 기판을 스테이지 상으로 이송하여 장착하는 단계; b) 지지 부재에 의해 지지되는 자외선 램프를 상기 반도체 기판 상으로 하강시킨 후, 상기 반도체 기판을 회전시키면서 상기 자외선 램프로부터 자외선을 상기 반도체 기판 상으로 조사하는 단계; c) 상기 반도체 기판의 회전 상태를 유지하면서, 상기 자외선 램프를 상기 반도체 기판 상에서 원래 위치로 상승시키는 단계; 및 d) 분사 장치를 상기 반도체 기판 상으로 이동시킨 후, 오존수 공급 장치로부터 오존수를 상기 분사 장치로 공급하여 상기 반도체 기판 상으로 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to a third aspect of the present invention, there is provided a photoresist stripping method comprising the steps of: a) transferring and mounting a semiconductor substrate onto a stage by a transferring member of a transferring apparatus; b) lowering the ultraviolet lamp supported by the supporting member onto the semiconductor substrate, and irradiating ultraviolet rays onto the semiconductor substrate from the ultraviolet lamp while rotating the semiconductor substrate; c) raising the ultraviolet lamp to an original position on the semiconductor substrate while maintaining the rotational state of the semiconductor substrate; And d) transferring the ozonated water from the ozonated water supply device to the injection device and injecting the injection device onto the semiconductor substrate after moving the injection device onto the semiconductor substrate.

본 발명의 제 4 특징에 따른 포토레지스트 박리 방법은 a) 이송 장치의 이송 부재에 의해 제 1 반도체 기판을 제 1 스테이지 상으로 이송하여 장착하는 단계; b) 제 1 지지 부재에 의해 지지되는 제 1 자외선 램프를 상기 제 1 반도체 기판 상으로 하강시킨 후, 상기 제 1 반도체 기판을 회전시키면서 상기 제 1 자외선 램프로부터 제 1 자외선을 상기 제 1 반도체 기판 상으로 조사하는 단계; c) 상기 제 1 반도체 기판의 회전 상태를 유지하면서, 상기 제 1 자외선 램프를 상기 제 1 반도체 기판 상에서 원래 위치로 상승시키는 단계; d) 제 1 분사 장치를 상기 제 1 반도체 기판 상으로 이동시킨 후, 제 1 오존수 공급 장치로부타 제 1 오존수를 상기 제 1 분사 장치로 공급하여 상기 제 1 반도체 기판 상으로 분사하는 단계; e) 상기 b) 단계가 진행되는 도중에 상기 이송 부재에 의해 제 2 반도체 기판을 제 2 스테이지 상으로 이송하여 장착하는 단계; f) 제 2 지지 부재에 의해 지지되는 제 2 자외선 램프를 상기 제 2 반도체 기판 상으로 하강시킨 후, 상기 제 2 반도체 기판을 회전시키면서 상기 제 2 자외선 램프로부터 제 2 자외선을 상기 제 2 반도체 기판 상으로 조사하는 단계; g) 상기 제 2 반도체 기판의 회전 상태를 유지하면서, 상기 제 2 자외선 램프를 상기 제 2 반도체 기판 상에서 원래 위치로 상승시키는 단계; 및 h) 제 2 분사 장치를 상기 제 2 반도체 기판 상으로 이동시킨 후, 제 2 오존수 공급 장치로부터 제 2 오존수를 상기 제 2 분사 장치로 공급하여 상기 제 2 반도체 기판 상으로 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A photoresist stripping method according to a fourth aspect of the present invention comprises the steps of: a) transferring and mounting a first semiconductor substrate onto a first stage by a transferring member of the transferring apparatus; b) lowering the first ultraviolet lamp supported by the first support member onto the first semiconductor substrate, rotating the first semiconductor substrate, and moving the first ultraviolet ray from the first ultraviolet lamp onto the first semiconductor substrate ; c) raising the first ultraviolet lamp to an original position on the first semiconductor substrate while maintaining the rotational state of the first semiconductor substrate; d) transferring the first ozonated water from the first ozonated water supply device to the first injecting device and injecting the first ozonated water onto the first semiconductor substrate after moving the first injecting device onto the first semiconductor substrate; e) transferring and mounting the second semiconductor substrate onto the second stage by the transferring member during the step b); f) lowering the second ultraviolet lamp supported by the second support member onto the second semiconductor substrate, rotating the second semiconductor substrate while moving the second ultraviolet ray from the second ultraviolet lamp onto the second semiconductor substrate ; g) raising the second ultraviolet lamp to an original position on the second semiconductor substrate while maintaining the rotational state of the second semiconductor substrate; And h) injecting a second ozone water from the second ozonated water supply device onto the second semiconductor substrate after the second injection device is moved onto the second semiconductor substrate, and injecting the second ozonated water onto the second semiconductor substrate .

본 발명에 따른 개선된 포토레지스트 박리 장치 및 방법을 사용하면 다음과 같은 장점이 달성된다.Using the improved photoresist stripping apparatus and method according to the present invention, the following advantages are achieved.

1. 자외선 램프를 사용함으로써 두께가 1㎛인 포토레지스트의 박리 및 세정 속도가 0.85㎛/min으로 종래 기술(0.40㎛/min)에 비해 2배 이상으로 현저하게 증가한다.1. By using an ultraviolet lamp, the peeling and cleaning speed of the photoresist having a thickness of 1 占 퐉 is 0.85 占 퐉 / min and remarkably increases to twice or more as compared with the conventional technique (0.40 占 퐉 / min).

2. 자외선 램프에 의해 포토레지스트는 그 표면이 미리 표면 개질되고 유기물이 분해된 상태에서 오존수에 의해 박리되므로, 포토레지스트가 균일하게 제거되어 박리 후 포토레지스트 잔류물이 발생하지 않아 최종 제품의 불량 발생 가능성이 현저하게 감소된다.2. Since the photoresist is peeled off by the ozonated water in the state that the surface of the photoresist is modified in advance and the organic material is decomposed by the ultraviolet lamp, the photoresist is uniformly removed and the photoresist residue is not generated after peeling, The possibility is significantly reduced.

3, 포토레지스트 박리 장치의 실용화가 가능하며, 특히 대량 생산을 위한 반도체 제조 장치 및 공정 라인에도 적용이 가능하다.3, Photoresist stripping apparatus can be put to practical use, and it is applicable to semiconductor manufacturing apparatus and process line for mass production.

4. 종래 기술과는 달리 반도체 기판을 지속적으로 일정 온도로 가열 및 유지할 필요가 없으며, 그에 따른 적외선 램프/가열히터와 웨이퍼 온도 검출센서 같은 별도의 장비의 사용이 불필요하다.4. Unlike the prior art, there is no need to continuously heat and maintain the semiconductor substrate at a constant temperature, and the use of separate equipment such as an infrared lamp / heating heater and a wafer temperature detection sensor is not required.

5. 특히 종래 기술에서 사용되는 SPM의 사용이 불필요하고, 그에 따라 작업 환경이 현저하게 개선되고, 환경 오염 발생 가능성이 제거되면서 반도체 기판의 세정까지 완료될 수 있다.5. Particularly, the use of the SPM used in the prior art is unnecessary, the working environment is remarkably improved, and the possibility of environmental pollution is eliminated, and the cleaning of the semiconductor substrate can be completed.

본 발명의 추가적인 장점은 동일 또는 유사한 참조번호가 동일한 구성요소를 표시하는 첨부 도면을 참조하여 이하의 설명으로부터 명백히 이해될 수 있다.Further advantages of the present invention can be clearly understood from the following description with reference to the accompanying drawings, in which like or similar reference numerals denote like elements.

도 1a는 제 1 종래 기술에 따른 반도체 상의 포토레지스트를 제거하기 위한 장치를 도시한 도면이다.
도 1b는 도 1b는 제 2 종래 기술에 따른 반도체 상의 포토레지스트를 제거하기 위한 장치를 도시한 도면이다.
도 2a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치의 사시도를 도시한 도면이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치의 챔버 내부 상부도를 도시한 도면이다.
도 2c 내지 도 2e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치를 사용하여 포토레지스트를 박리하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 2f는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치의 챔버 내부 상부도를 도시한 도면이다.
도 3a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 방법의 플로우차트를 도시한 도면이다.
도 3b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 박리 방법의 플로우차트를 도시한 도면이다.1A is a diagram showing an apparatus for removing photoresist on a semiconductor according to the first prior art.
1B is a view showing an apparatus for removing photoresist on a semiconductor according to a second prior art.
2A is a perspective view of a photoresist stripping apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2B is a top view of the inside of the chamber of the photoresist stripping apparatus according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 2A.
2C to 2E are views for explaining a step of peeling the photoresist using the photoresist stripping apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 2F is a top view of the inside of the chamber of the photoresist stripping apparatus according to the second embodiment of the present invention.
3A is a diagram showing a flowchart of a photoresist stripping method according to the first embodiment of the present invention.
3B is a flowchart showing a photoresist stripping method according to a second embodiment of the present invention.

이하에서 본 발명의 실시예 및 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments and drawings of the present invention.

도 2a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치의 사시도를 도시한 도면이고, 도 2b는 도 2a에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치의 챔버 내부 상부도를 도시한 도면이다.FIG. 2A is a perspective view of the photoresist stripping apparatus according to the first embodiment of the present invention, FIG. 2B is a top view of the chamber interior of the photoresist stripping apparatus according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. Fig.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치(200)는 반도체 기판(211)이 장착되는 스테이지(212); 상기 스테이지(212) 상에서 승강 가능하게 제공되며, 상기 반도체 기판(211)에 자외선을 조사하기 위한 자외선 램프(220); 상기 반도체 기판(211) 상에 오존수를 공급하기 위한 오존수 공급 장치(214); 및 상기 오존수 공급 장치(214)로부터 공급되는 상기 오존수를 상기 반도체 기판(211) 상에 분사하는 분사 장치(213)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 스테이지(212)는 그 중심축 주위로 회전 가능하도록 구성되어 있다.Referring to FIGS. 2A and 2B, the photoresist stripping apparatus 200 according to the first embodiment of the present invention includes a stage 212 on which a semiconductor substrate 211 is mounted; An ultraviolet lamp 220 which is provided on the stage 212 so as to be able to move up and down and irradiates the semiconductor substrate 211 with ultraviolet rays; An ozonated water supply device 214 for supplying ozonated water onto the semiconductor substrate 211; And an injector (213) for injecting the ozone water supplied from the ozonated water supply device (214) onto the semiconductor substrate (211). The stage 212 is configured to be rotatable about its central axis.

여기서, 자외선 램프(220)는 엑시머 램프로 구현될 수 있으며, 이 경우 엑시머 램프의 조도값은 50mW/cm2이며, 조사되는 자외선의 파장은 바람직하게는 172nm이다. 또한, 자외선 램프(220)로 사용되는 엑시머 램프는 예를 들어 서울특별시 영등포구 63로 32(여의도동, 라이프콤비빌딩 421호)에 소재한 본 출원인 회사가 제조 및 생산하는 엑시머 장비(모델명: MEUTH-1-165-S)에 의해 제공될 수 있다. 이러한 액시머 장비에 사용되는 엑시머 램프의 수명은 대략 1,500 내지 2,000 시간으로 양산을 위한 포토레지스트 박리 장치(200)에 사용하기에 충분한 수명을 갖는다.Here, the ultraviolet lamp 220 may be embodied as an excimer lamp. In this case, the illumination value of the excimer lamp is 50 mW / cm 2 , and the wavelength of ultraviolet light to be irradiated is preferably 172 nm. The excimer lamp used as the ultraviolet lamp 220 may be an excimer lamp manufactured by the applicant company (Model: MEUTH-1-) manufactured and manufactured by the applicant company located in 63 RO 32 (Yeouido-dong, Life Combi Building, 165-S). ≪ / RTI > The lifetime of the excimer lamp used in such an absorber equipment is about 1,500 to 2,000 hours, which is sufficient for use in the photoresist stripping apparatus 200 for mass production.

또한, 자외선 램프(220)는 스테이지(212) 상에서 승강 가능하게 지지하는 지지 부재(222)에 의해 지지되어 사용된다.Further, the ultraviolet lamp 220 is supported by a support member 222 which is supported on the stage 212 so as to be able to move up and down.

또한, 오존수 공급 장치(214)는 공급관(219)을 통해 분사 장치(213)와 연결되어 있다. 이러한 분사 장치(213)는 예를 들어 분사 노즐로 구현될 수 있다.The ozonated water supply device 214 is connected to the injection device 213 through a supply pipe 219. Such an injection device 213 may be embodied as an injection nozzle, for example.

이하에서는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치(200)의 구체적인 구성 및 동작을 상세히 기술한다.Hereinafter, the detailed configuration and operation of the photoresist stripping apparatus 200 according to the first embodiment of the present invention will be described in detail.

다시 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치(200)는 반도체 기판(211)이 장착되는 스테이지(212)를 구비한다. 이러한 반도체 기판(211)을 스테이지(212) 상으로 장착하기 위해, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치(200)는 반도체 기판(211)을 스테이지(212) 상으로 이송하는 이송 장치(201)를 추가로 구비한다. 이러한 포토레지스트 박리 장치(200)와 이송 장치(201)는 챔버(215) 내에 제공된다. 또한, 챔버(215)에는 포토레지스트 박리 장치(200)에 의해 반도체 기판(211) 상의 포토레지스트가 박리된 후의 폐액이 배출될 수 있는 배출구(미도시)가 제공되어 있다.Referring again to FIGS. 2A and 2B, the photoresist stripping apparatus 200 according to the first embodiment of the present invention includes a stage 212 on which a semiconductor substrate 211 is mounted. The photoresist stripping apparatus 200 according to the first embodiment of the present invention is provided with a transfer device 210 for transferring a semiconductor substrate 211 onto a stage 212 to mount the semiconductor substrate 211 on a stage 212, (201). The photoresist stripping apparatus 200 and the transferring apparatus 201 are provided in the chamber 215. The chamber 215 is provided with a discharge port (not shown) through which the waste solution after the photoresist on the semiconductor substrate 211 is peeled off by the photoresist stripping apparatus 200 can be discharged.

좀 더 구체적으로, 이송 장치(201)는 반도체 기판(211)이 로딩되는 로딩 부재(202); 상기 반도체 기판(211)을 센터링하기 위한 센터링 부재(206); 및 상기 로딩 부재(202) 상에 로딩된 상기 반도체 기판(211)을 상기 센터링 부재(206) 상으로 이송하고, 상기 센터링 부재(206) 상에서 센터링이 완료된 상기 반도체 기판(211)을 상기 스테이지(212) 상으로 이송하는 이송 부재(204)로 구성된다.More specifically, the transfer device 201 includes a loading member 202 to which the semiconductor substrate 211 is loaded; A centering member 206 for centering the semiconductor substrate 211; And the semiconductor substrate 211 loaded on the loading member 202 is transferred onto the centering member 206 and the semiconductor substrate 211 on which the centering is completed on the centering member 206 is transferred to the stage 212 (Not shown).

도 2b에는 로딩 부재(202)가 2개인 것으로 예시적으로 도시되어 있지만, 당업자라면 1개 또는 3개 이상의 로딩 부재(202)가 사용될 수 있다는 것을 충분히 이해할 수 있을 것이다. 또한, 이송 부재(204)는 예를 들어 로봇암(robot arm)으로 구현될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니라는 점에 유의하여야 한다.Although FIG. 2B is illustratively illustrated as having two loading members 202, one skilled in the art will appreciate that one or more loading members 202 can be used. It should be noted that the transfer member 204 may be embodied as, for example, a robot arm, but is not limited thereto.

상술한 이송 장치(201)에서는, 반도체 기판(211)이 로딩 부재(202)로 로딩된 후 이송 부재(204)에 의해 센터링 부재(206)로 이송되어 센터링된 후, 다시 이송 부재(204)에 의해 스테이지(212) 상으로 이송되어 장착된다.In the above-described transfer device 201, after the semiconductor substrate 211 is loaded on the loading member 202 and then transferred to the centering member 206 by the transfer member 204 to be centered, And is mounted on the stage 212.

한편, 스테이지(212) 상에 장착된 반도체 기판(211)은 자외선 램프(220)에 의해 자외선이 조사된다. 자외선은 반도체 기판(211) 상의 포토레지스트의 표면을 개질(reforming)시켜 유기물을 분해한다. 그 후, 오존수 공급 장치(214)로부터 공급관(219)을 통해 공급되는 오존수가 분사 장치(213)에 의해 포토레지스트 상에 분사되어, 종래 기술과 마찬가지로 포토레지스트를 식각한다. 이 경우, 포토레지스트는 이미 자외선에 의해 표면이 개질되고 유기물이 분해된 상태이므로, 오존수에 의한 포토레지스트를 식각 속도는 현저하게 빠르게 진행될 수 있다.On the other hand, the semiconductor substrate 211 mounted on the stage 212 is irradiated with ultraviolet rays by the ultraviolet lamp 220. Ultraviolet rays decompose the organic material by reforming the surface of the photoresist on the semiconductor substrate 211. Thereafter, the ozone water supplied from the ozone water supply device 214 through the supply pipe 219 is sprayed onto the photoresist by the spraying device 213, and the photoresist is etched as in the conventional technique. In this case, since the surface of the photoresist is already modified by ultraviolet rays and the organic matter is decomposed, the etching rate of the photoresist by the ozone water can proceed remarkably rapidly.

도 2c 내지 도 2e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치를 사용하여 포토레지스트를 박리하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.2C to 2E are views for explaining a step of peeling the photoresist using the photoresist stripping apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 2c 내지 도 2e를 도 2a 및 도 2b와 함께 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치(200)에서는, 먼저 이송 장치(201)의 이송 부재(204)에 의해 반도체 기판(211)이 스테이지(221) 상으로 이송되어 장착된다(도 2c 좌측 도면 참조). 그 후, 지지 부재(222)에 의해 지지되는 자외선 램프(220)를 반도체 기판(211) 상으로 하강시킨다(도 2c 우측 도면 참조). 이 경우, 자외선 램프(220)와 반도체 기판(211) 간의 거리는 짧을수록 좋으며, 대략 2mm로 유지하는 것이 바람직하다. 그 후, 스테이지(221)에 의해 반도체 기판(211)을 회전시키면서 자외선 램프(220)로부터 자외선을 반도체 기판(211) 상으로 조사하여 포토레지스트의 표면을 개질시키고 또한 유기물 분해시킨다(도 2c 참조).Referring to FIGS. 2C to 2E, with reference to FIGS. 2A and 2B, in the photoresist stripping apparatus 200 according to the first embodiment of the present invention, the transferring member 204 of the transferring apparatus 201, (211) is transferred onto the stage 221 and mounted thereon (see the left drawing of Fig. 2C). Thereafter, the ultraviolet lamp 220 supported by the support member 222 is lowered onto the semiconductor substrate 211 (see the right drawing of Fig. 2C). In this case, the shorter the distance between the ultraviolet lamp 220 and the semiconductor substrate 211 is, the better, and preferably about 2 mm. Thereafter, ultraviolet rays are irradiated from the ultraviolet lamp 220 onto the semiconductor substrate 211 while the semiconductor substrate 211 is being rotated by the stage 221 to modify the surface of the photoresist and decompose the organic material (see FIG. 2C) .

그 후, 반도체 기판(211)의 회전 상태를 유지하면서, 자외선 램프(220)를 반도체 기판(211) 상에서 원래 위치로 상승시킨다(도 2d 좌측 도면 참조). 그 후, 분사 장치(213)는 자외선 램프(220)와는 기구적인 간섭이 없이 반도체 기판(211) 상으로 이동한다. 이 경우, 분사 장치(213)는 반도체 기판(211) 상으로 회전 이동 또는 선형 이동될 수 있다. 그 후, 오존수 공급 장치(214)로부터 공급관(219)을 통해 오존수가 분사 장치(213)로 공급되어 반도체 기판(211) 상으로 분사된다(도 2e의 좌측 도면). 그 결과, 오존수가 표면이 개질되고 유기물이 분해된 포토레지스트 상에 분사되어, 포토레지스트를 빠른 속도로 식각한다. 이 경우, 포토레지스트는 이미 자외선에 의해 표면이 개질되고 유기물이 분해된 상태이므로, 오존수에 의한 포토레지스트의 식각이 현저하게 빠르게 진행될 수 있다. 그 후, 포토레지스트의 박리 및 세정이 완료된 반도체 기판(211)이 언로딩된다(도 2e의 우측 도면). 여기서, 언로딩 공정은 이송 부재(204)와는 별개의 이송 부재(미도시)에 의해 이루어진다.Thereafter, the ultraviolet lamp 220 is lifted to the original position on the semiconductor substrate 211 while maintaining the rotational state of the semiconductor substrate 211 (see the left drawing of Fig. 2D). Thereafter, the injector 213 moves onto the semiconductor substrate 211 without mechanical interference with the ultraviolet lamp 220. [ In this case, the injection device 213 can be rotated or linearly moved onto the semiconductor substrate 211. [ Thereafter, the ozonated water is supplied from the ozonated water supply device 214 through the supply pipe 219 to the injection device 213 and is sprayed onto the semiconductor substrate 211 (the left side view of Fig. 2E). As a result, the ozone water is sprayed onto the photoresist whose surface has been modified and the organic matter decomposed, and the photoresist is etched at a high rate. In this case, since the surface of the photoresist is already modified by ultraviolet rays and the organic matter is decomposed, the etching of the photoresist by the ozonated water can proceed remarkably rapidly. Thereafter, the semiconductor substrate 211 on which the photoresist has been stripped and cleaned is unloaded (the right drawing of FIG. 2E). Here, the unloading process is performed by a transfer member (not shown) separate from the transfer member 204.

상술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치(200)의 사용 조건은 다음과 같다.The use conditions of the photoresist stripping apparatus 200 according to the first embodiment of the present invention are as follows.

자외선 램프(220)의 조도값: 50mW/cm2 The illuminance value of the ultraviolet lamp 220: 50 mW / cm 2

자외선 파장: 172nmUV wavelength: 172 nm

자외선 램프(220)의 조사 시간: 45초Irradiation time of ultraviolet lamp 220: 45 seconds

오존수 온도: 45℃Ozone water temperature: 45 ° C

오존수 농도: 공급 농도 -> 120ppm / 분사 농도 -> 80ppmOzone water concentration: Feed concentration -> 120 ppm / Injection concentration -> 80 ppm

오존수 공급 시간: 15초Ozone water supply time: 15 seconds

상술한 사용 조건은 예시적인 것으로, 예를 들어, 자외선 램프(220)의 조도값, 자외선 램프(220)의 조사 시간, 및 오존수 공급 시간은 필요에 따라 가변적일 수 있다는 점에 유의하여야 한다.It should be noted that the above-described conditions of use are illustrative, and for example, the illuminance value of the ultraviolet lamp 220, the irradiation time of the ultraviolet lamp 220, and the ozonated water supply time may be variable as needed.

상기 조건 하에서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치(200)를 사용하여 60초(1분)의 시간에 0.84㎛ 두께의 포토레지스트가 완전히 박리 및 세정되었다.Under the above conditions, using the photoresist stripping apparatus 200 according to the first embodiment of the present invention, 0.84 탆 thick photoresist was completely stripped and cleaned at a time of 60 seconds (1 minute).

따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치(200)를 사용하면, 1) 종래 기술의 오존 농도(100ppm)에 비해 20% 더 낮은 오존 농도(80ppm의 분사 농도)를 사용하고, 또한 2) 종래 기술의 적외선 램프(16) 또는 가열 히터를 별도로 사용하지 않고도, 포토레지스트의 박리 및 세정 속도(0.84㎛/min)가 종래 기술의 박리 및 세정 속도(0.40㎛/min)에 비해 2배 이상으로 현저하게 증가된다는 것을 알 수 있다. 이러한 결과는, 상술한 바와 같이 자외선 램프(220)에 의해 조사된 자외선에 의해 미리 반도체 기판(211)의 포토레지스트 표면이 개질되고 또한 유기물이 분해된 것에 기인하는 것으로 보인다.Therefore, using the photoresist stripping apparatus 200 according to the first embodiment of the present invention, 1) an ozone concentration (spraying concentration of 80 ppm) which is 20% lower than the conventional ozone concentration (100 ppm) (2) The photoresist peeling and cleaning speed (0.84 占 퐉 / min) can be reduced to 2 占 퐉 compared to the conventional peeling and cleaning speed (0.40 占 퐉 / min) without using the infrared lamp Times more than that of the conventional method. This result appears to be due to the fact that the surface of the photoresist of the semiconductor substrate 211 is modified in advance by the ultraviolet light irradiated by the ultraviolet lamp 220 and the organic matter is decomposed as described above.

한편, 상술한 본 발명의 제 1 실시예에서는 자외선 램프(220)를 반도체 기판(211) 상에서 원래 위치로 상승시킨 후, 분사 장치(213)에 의한 오존수 분사 공정이 순차적으로 행해지는 것으로 예시적으로 기술하고 있지만, 대안적으로 자외선 램프(220)가 반도체 기판(211) 상에서 하강 상태를 유지하면서, 분사 장치(213)에 의한 오존수 분사 공정이 동시에 행해질 수도 있다는 점에 유의하여야 한다.Meanwhile, in the first embodiment of the present invention, the ultraviolet lamp 220 is raised to the original position on the semiconductor substrate 211, and then the ozonated water injection process by the injector 213 is sequentially performed. It should be noted that the ozone water injection process by the injector 213 may be performed at the same time while the ultraviolet lamp 220 is kept on the semiconductor substrate 211 in a descending state.

도 2f는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치의 챔버 내부 상부도를 도시한 도면이다.FIG. 2F is a top view of the inside of the chamber of the photoresist stripping apparatus according to the second embodiment of the present invention.

도 2f를 도 2a 내지 도 2e와 함께 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치(200)는 제 1 및 제 2 반도체 기판(211a,211b)이 순차적으로 장착되는 제 1 및 제 2 스테이지(212a,212b); 상기 제 1 및 제 2 스테이지(212a,212b) 상에서 각각 승강 가능하게 제공되며, 상기 제 1 및 제 2 반도체 기판(211a,211b)에 각각 자외선을 조사하기 위한 제 1 및 제 2 자외선 램프(220a,220b); 상기 제 1 및 제 2 반도체 기판(211a,211b) 상에 각각 제 1 및 제 2 오존수를 공급하기 위한 제 1 및 제 2 오존수 공급 장치(214a,214b); 및 상기 제 1 및 제 2 오존수 공급 장치(214a,214b)로부터 각각 공급되는 상기 제 1 및 제 2 오존수를 상기 제 1 및 제 2 반도체 기판(211a,211b) 상에 각각 분사하는 제 1 및 제 2 분사 장치(213a,213b)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 제 1 및 제 2 스테이지(212a,212b)는 각각 그 중심축 주위로 회전 가능하도록 구성되어 있다.Referring to FIG. 2F, a photoresist stripping apparatus 200 according to a second exemplary embodiment of the present invention includes first and second semiconductor substrates 211a and 211b sequentially mounted thereon, A second stage (212a, 212b); The first and second ultraviolet lamps 220a and 220b are provided on the first and second stages 212a and 212b so as to be capable of raising and lowering the ultraviolet rays to the first and second semiconductor substrates 211a and 211b, 220b); First and second ozonated water supply devices 214a and 214b for supplying first and second ozonated water on the first and second semiconductor substrates 211a and 211b, respectively; And first and second ozone water supplied from the first and second ozonized water supply devices (214a, 214b), respectively, onto the first and second semiconductor substrates (211a, 211b) And injection devices 213a and 213b. The first and second stages 212a and 212b are configured to be rotatable about their central axes, respectively.

상술한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치(200)에 사용되는 제 1 및 제 2 자외선 램프(220a,220b)는 각각 제 1 및 제 2 스테이지(212a,212b) 상에서 각각 승강 가능하게 지지하는 제 1 및 제 2 지지 부재(222a,222b)에 의해 지지되어 사용된다.The first and second ultraviolet lamps 220a and 220b used in the photoresist stripping apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention can be lifted and lowered on the first and second stages 212a and 212b, And supported by first and second support members 222a and 222b.

또한, 제 1 및 제 2 오존수 공급 장치(214a,214b)는 각각 제 1 및 제 2 공급관(219a,219b)을 통해 제 1 및 제 2 분사 장치(213a,213b)와 연결되어 있다. 이러한 제 1 및 제 2 분사 장치(213a,213b)는 각각 예를 들어 분사 노즐로 구현될 수 있다.The first and second ozonated water supply devices 214a and 214b are connected to the first and second injection devices 213a and 213b through first and second supply pipes 219a and 219b, respectively. Each of the first and second injectors 213a and 213b may be implemented as an injection nozzle, for example.

상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치(200)는 제 1 및 제 2 스테이지(212a,212b), 제 1 및 제 2 자외선 램프(220a,220b), 제 1 및 제 2 오존수 공급 장치(214a,214b), 및 제 1 및 제 2 분사 장치(213a,213b)가 각각 한 쌍으로 제공되는 제 1 및 제 2 포토레지스트 박리 장치(200a,200b)로 구성되고, 제 1 및 제 2 포토레지스트 박리 장치(200a,200b)는 각각 도 2a 및 도 2b에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치(200)와 실질적으로 일하며, 제 1 및 제 2 포토레지스트 박리 장치(200a,200b) 사이에 하나의 이송 장치(201)가 사용된다는 점을 제외하고는 도 2a 내지 도 2e를 참조하여 기술한 본 발명의 제 1 실시예와 실질적으로 동일하다. 따라서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치(200)의 구체적인 구성에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The photoresist stripping apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention includes a first and second stages 212a and 212b, first and second ultraviolet lamps 220a and 220b, first and second ozonated water supply The first and second photoresist stripping apparatuses 200a and 200b are provided with pairs of the apparatuses 214a and 214b and the first and second injectors 213a and 213b, The photoresist stripping apparatuses 200a and 200b substantially correspond to the photoresist stripping apparatus 200 according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS. 2A and 2B, respectively, and the first and second photoresist stripping apparatuses 2A to 2E, except that one transfer device 201 is used between the first transfer device 200a and the second transfer device 200a. Therefore, detailed description of the specific configuration of the photoresist stripping apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention will be omitted.

이하에서는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치를 사용하여 포토레지스트를 박리하는 공정을 기술한다.Hereinafter, a step of peeling the photoresist using the photoresist stripping apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described.

도 2f를 도 2a 내지 도 2e와 함께 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치(200)에서는, 먼저 이송 장치(201)의 이송 부재(204)에 의해 제 1 반도체 기판(211a)이 제 1 스테이지(221a) 상으로 이송되어 장착된다. 그 후, 제 1 지지 부재(222a)에 의해 지지되는 제 1 자외선 램프(220a)를 제 1 반도체 기판(211a) 상으로 하강시킨다. 그 후, 제 1 스테이지(221a)에 의해 제 1 반도체 기판(211a)을 회전시키면서 제 1 자외선 램프(220a)로부터 제 1 자외선을 제 1 반도체 기판(211a) 상으로 조사하여 제 1 반도체 기판(211a) 상의 제 1 포토레지스트의 표면을 개질시키고 또한 유기물 분해시킨다.Referring to FIG. 2F, the photoresist stripping apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention firstly transfers the first semiconductor substrate (the first semiconductor substrate) 211a are transferred and mounted on the first stage 221a. Thereafter, the first ultraviolet lamp 220a supported by the first support member 222a is lowered onto the first semiconductor substrate 211a. Thereafter, while the first semiconductor substrate 211a is rotated by the first stage 221a, the first ultraviolet ray is irradiated from the first ultraviolet lamp 220a onto the first semiconductor substrate 211a to form the first semiconductor substrate 211a ) On the surface of the first photoresist and further decomposes the organic material.

그 후, 제 1 반도체 기판(211a)의 회전 상태를 유지하면서, 제 1 자외선 램프(220a)를 제 1 반도체 기판(211a) 상에서 원래 위치로 상승시킨다. 그 후, 제 1 분사 장치(213a)는 제 1 자외선 램프(220a)와는 기구적인 간섭이 없이 제 1 반도체 기판(211a) 상으로 이동한다. 그 후, 제 1 오존수 공급 장치(214a)로부터 제 1 공급관(219a)을 통해 제 1 오존수가 제 1 분사 장치(213a)로 공급되어 제 1 반도체 기판(211a) 상으로 분사된다. 그 결과, 제 1 오존수가 표면이 개질되고 유기물이 분해된 제 1 포토레지스트 상에 분사되어, 제 1 포토레지스트를 빠른 속도로 식각한다. 이 경우, 제 1 포토레지스트는 이미 자외선에 의해 표면이 개질되고 유기물이 분해된 상태이므로, 제 1 오존수에 의한 제 1 포토레지스트의 식각이 현저하게 빠르게 진행될 수 있다. 그 후, 제 1 포토레지스트의 박리 및 세정이 완료된 제 1 반도체 기판(211a)이 언로딩된다.Thereafter, the first ultraviolet lamp 220a is raised to the original position on the first semiconductor substrate 211a while maintaining the rotation state of the first semiconductor substrate 211a. Thereafter, the first injector 213a moves onto the first semiconductor substrate 211a without mechanical interference with the first ultraviolet lamp 220a. Thereafter, the first ozone water is supplied from the first ozone water supply device 214a through the first supply pipe 219a to the first injector 213a, and is injected onto the first semiconductor substrate 211a. As a result, the first ozone water is sprayed onto the first photoresist whose surface has been modified and the organic matter has been decomposed, so that the first photoresist is etched at a high rate. In this case, since the surface of the first photoresist is already modified by ultraviolet rays and the organic matter is decomposed, the etching of the first photoresist by the first ozonated water can proceed remarkably rapidly. Thereafter, the first semiconductor substrate 211a on which the peeling and cleaning of the first photoresist has been completed is unloaded.

한편, 이송 장치(201)의 이송 부재(204)에 의해 제 1 반도체 기판(211a)이 제 1 스테이지(221a) 상으로 이송되어 장착된 후, 제 1 포토레지스트 박리 장치(200a) 내에서 제 1 반도체 기판(211a) 상의 제 1 포토레지스트의 박리 공정이 진행되는 동안, 이송 장치(201)의 이송 부재(204)에 의해 제 2 반도체 기판(211b)이 제 2 스테이지(221b) 상으로 이송 및 장착된 후, 제 2 포토레지스트 박리 장치(200b) 내에서 제 2 반도체 기판(211b) 상의 제 2 포토레지스트의 박리 공정이 진행된다.On the other hand, after the first semiconductor substrate 211a is transferred and mounted on the first stage 221a by the transfer member 204 of the transfer device 201, the first semiconductor substrate 211a is transferred to the first stage 221a in the first photoresist stripping apparatus 200a, The second semiconductor substrate 211b is transferred and mounted onto the second stage 221b by the transfer member 204 of the transfer device 201 while the peeling process of the first photoresist on the semiconductor substrate 211a is proceeding, The second photoresist on the second semiconductor substrate 211b is removed in the second photoresist stripping apparatus 200b.

좀 더 구체적으로, 이송 장치(201)의 이송 부재(204)에 의해 제 1 반도체 기판(211a)이 제 1 스테이지(221a) 상으로 이송되어 장착된 후, 이송 장치(201)의 이송 부재(204)에 의해 제 2 반도체 기판(211b)이 제 2 스테이지(221b) 상으로 이송되어 장착된다. 그 후, 제 2 지지 부재(222b)에 의해 지지되는 제 2 자외선 램프(220b)를 제 2 반도체 기판(211b) 상으로 하강시킨다. 그 후, 제 2 스테이지(221b)에 의해 제 2 반도체 기판(211b)을 회전시키면서 제 2 자외선 램프(220b)로부터 제 2 자외선을 제 2 반도체 기판(211b) 상으로 조사하여 제 2 반도체 기판(211b) 상의 제 2 포토레지스트의 표면을 개질시키고 또한 유기물을 분해시킨다.More specifically, after the first semiconductor substrate 211a is transferred and mounted on the first stage 221a by the transfer member 204 of the transfer device 201, the transfer member 201 of the transfer device 201 The second semiconductor substrate 211b is transferred and mounted onto the second stage 221b. Thereafter, the second ultraviolet lamp 220b supported by the second support member 222b is lowered onto the second semiconductor substrate 211b. Thereafter, while the second semiconductor substrate 211b is rotated by the second stage 221b, the second ultraviolet ray is irradiated from the second ultraviolet lamp 220b onto the second semiconductor substrate 211b to form the second semiconductor substrate 211b ) On the surface of the second photoresist and decomposes the organic material.

그 후, 제 2 반도체 기판(211b)의 회전 상태를 유지하면서, 제 2 자외선 램프(220b)를 제 2 반도체 기판(211b) 상에서 원래 위치로 상승시킨다. 그 후, 제 2 분사 장치(213b)는 제 2 자외선 램프(220b)와는 기구적인 간섭이 없이 제 2 반도체 기판(211b) 상으로 이동한다. 그 후, 제 2 오존수 공급 장치(214b)로부터 제 2 공급관(219b)을 통해 제 2 오존수가 제 2 분사 장치(213b)로 공급되어 제 2 반도체 기판(211b) 상으로 분사된다. 그 결과, 제 2 오존수가 표면이 개질되고 유기물이 분해된 제 2 포토레지스트 상에 분사되어, 제 2 포토레지스트를 빠른 속도로 식각한다. 이 경우, 제 2 포토레지스트는 이미 자외선에 의해 표면이 개질되고 유기물이 분해된 상태이므로, 제 2 오존수에 의한 제 2 포토레지스트의 식각이 현저하게 빠르게 진행될 수 있다. 그 후, 제 2 포토레지스트의 박리 및 세정이 완료된 제 2 반도체 기판(211b)이 언로딩된다.Thereafter, the second ultraviolet lamp 220b is raised to the original position on the second semiconductor substrate 211b while maintaining the rotation state of the second semiconductor substrate 211b. Thereafter, the second injection device 213b moves onto the second semiconductor substrate 211b without mechanical interference with the second ultraviolet lamp 220b. Thereafter, the second ozone water is supplied from the second ozonized water supply device 214b through the second supply pipe 219b to the second injection device 213b, and is injected onto the second semiconductor substrate 211b. As a result, the second ozone water is sprayed onto the second photoresist whose surface has been modified and the organic matter has been decomposed, so that the second photoresist is etched at a high rate. In this case, since the surface of the second photoresist is already modified by ultraviolet rays and the organic matter is decomposed, the etching of the second photoresist by the second ozonated water can proceed remarkably rapidly. Thereafter, the second semiconductor substrate 211b on which the peeling and cleaning of the second photoresist has been completed is unloaded.

상술한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치(200)에서는, 제 1 및 제 2 반도체 기판(211a,211b)에 대한 박리 공정이 일정한 시차를 두고 동시에 반복적으로 진행되므로, 하나의 반도체 기판(211)에 대한 박리 공정이 종료된 후 후속 반도체 기판(211)에 대한 박리 공정이 진행되는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치(200)의 경우에 비해 박리 공정 시간을 추가적으로 절약할 수 있다.As described above, in the photoresist stripping apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention, the stripping process for the first and second semiconductor substrates 211a and 211b is repeated at the same time with a predetermined time lag, The photoresist stripping apparatus 200 according to the first embodiment of the present invention in which the stripping process for the subsequent semiconductor substrate 211 proceeds after the stripping process for one semiconductor substrate 211 is completed, Additional time savings.

또한, 상술한 본 발명의 2 실시예에 따른 포토레지스트 박리 장치(200)의 경우에도 제 1 실시예와 마찬가지로 제 1 포토레지스트에 제 1 자외선을 조사하는 공정과 제 1 오존수를 분사하는 공정, 및 제 2 포토레지스트에 제 2 자외선을 조사하는 공정과 제 2 오존수를 분사하는 공정이 각각 동시에 진행될 수 있다는 것은 당업자에게 자명하다.Also in the case of the photoresist stripping apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention described above, the first photoresist is irradiated with the first ultraviolet ray, the first ozonated water is sprayed, It will be apparent to those skilled in the art that the step of irradiating the second ultraviolet ray to the second photoresist and the step of spraying the second ozonated water may proceed simultaneously.

도 3a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 방법의 플로우차트를 도시한 도면이다.3A is a diagram showing a flowchart of a photoresist stripping method according to the first embodiment of the present invention.

도 3a를 도 3a 내지 도 3e와 함께 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 방법(300)은 a) 이송 장치(201)의 이송 부재(204)에 의해 반도체 기판(211)을 스테이지(221) 상으로 이송하여 장착하는 단계(310); b) 지지 부재(222)에 의해 지지되는 자외선 램프(220)를 상기 반도체 기판(211) 상으로 하강시킨 후, 상기 반도체 기판(211)을 회전시키면서 상기 자외선 램프(220)로부터 자외선을 상기 반도체 기판(211) 상으로 조사하는 단계(320); c) 상기 반도체 기판(211)의 회전 상태를 유지하면서, 상기 자외선 램프(220)를 상기 반도체 기판(211) 상에서 원래 위치로 상승시키는 단계(330); 및 d) 분사 장치(213)를 상기 반도체 기판(211) 상으로 이동시킨 후, 오존수 공급 장치(214)로부터 오존수를 상기 분사 장치(213)로 공급하여 상기 반도체 기판(211) 상으로 분사하는 단계(340)를 포함한다.3A to 3E, the photoresist stripping method 300 according to the first embodiment of the present invention includes the steps of: a) transferring a semiconductor substrate 211 by a transfer member 204 of a transfer device 201, (310) on the stage (221); b) irradiating ultraviolet rays from the ultraviolet lamp 220 while rotating the semiconductor substrate 211 after the ultraviolet lamp 220 supported by the supporting member 222 is lowered onto the semiconductor substrate 211, (320) onto the substrate (211); c) raising (330) the ultraviolet lamp (220) to the original position on the semiconductor substrate (211) while maintaining the rotational state of the semiconductor substrate (211); D) injecting the ozonated water from the ozonated water supply device 214 to the injector 213 and injecting it onto the semiconductor substrate 211 after moving the injector 213 onto the semiconductor substrate 211, (340).

상술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 방법(300)은 e) 상기 반도체 기판(211)을 언로딩하고, 후속적으로 제공되는 반도체 기판에 대해 상기 a) 단계 내지 상기 d) 단계를 반복하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.The photoresist stripping method 300 according to the first embodiment of the present invention as described above may further include the steps of: e) unloading the semiconductor substrate 211, and performing the steps a) through d) And repeating steps < RTI ID = 0.0 >

또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 방법(300)의 상기 c) 단계에서, 상기 자외선 램프(220)는 상기 반도체 기판(211) 상에서 하강 상태를 유지할 수 있다.Also, in the step c) of the photoresist stripping method 300 according to the first embodiment of the present invention, the ultraviolet lamp 220 may maintain a falling state on the semiconductor substrate 211.

또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 포토레지스트 박리 방법(300)의 상기 c) 단계에서 상기 자외선에 의해 상기 포토레지스트의 표면이 개질되고 유기물이 분해될 수 있다.Further, in the step c) of the photoresist stripping method 300 according to the first embodiment of the present invention, the surface of the photoresist may be modified by the ultraviolet rays, and organic matter may be decomposed.

도 3b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 박리 방법의 플로우차트를 도시한 도면이다.3B is a flowchart showing a photoresist stripping method according to a second embodiment of the present invention.

도 3b를 도 3a 내지 도 3f와 함께 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 박리 방법(300)은 a) 이송 장치(201)의 이송 부재(204)에 의해 제 1 반도체 기판(211a)을 제 1 스테이지(221a) 상으로 이송하여 장착하는 단계(310); b) 제 1 지지 부재(222a)에 의해 지지되는 제 1 자외선 램프(220a)를 상기 제 1 반도체 기판(211a) 상으로 하강시킨 후, 상기 제 1 반도체 기판(211a)을 회전시키면서 상기 제 1 자외선 램프(220a)로부터 제 1 자외선을 상기 제 1 반도체 기판(211a) 상으로 조사하는 단계(320); c) 상기 제 1 반도체 기판(211a)의 회전 상태를 유지하면서, 상기 제 1 자외선 램프(220a)를 상기 제 1 반도체 기판(211a) 상에서 원래 위치로 상승시키는 단계(330); d) 제 1 분사 장치(213a)를 상기 제 1 반도체 기판(211a) 상으로 이동시킨 후, 제 1 오존수 공급 장치(214a)로부터 제 1 오존수를 상기 제 1 분사 장치(213a)로 공급하여 상기 제 1 반도체 기판(211a) 상으로 분사하는 단계(340); e) 상기 b) 단계가 진행되는 도중에 상기 이송 부재(204)에 의해 제 2 반도체 기판(211b)을 제 2 스테이지(221b) 상으로 이송하여 장착하는 단계(350); f) 제 2 지지 부재(222b)에 의해 지지되는 제 2 자외선 램프(220b)를 상기 제 2 반도체 기판(211b) 상으로 하강시킨 후, 상기 제 2 반도체 기판(211b)을 회전시키면서 상기 제 2 자외선 램프(220b)로부터 제 2 자외선을 상기 제 2 반도체 기판(211b) 상으로 조사하는 단계(360); g) 상기 제 2 반도체 기판(211b)의 회전 상태를 유지하면서, 상기 제 2 자외선 램프(220b)를 상기 제 2 반도체 기판(211b) 상에서 원래 위치로 상승시키는 단계(370); 및 h) 제 2 분사 장치(213b)를 상기 제 2 반도체 기판(211b) 상으로 이동시킨 후, 제 2 오존수 공급 장치(214b)로부터 제 2 오존수를 상기 제 2 분사 장치(213b)로 공급하여 상기 제 2 반도체 기판(211b) 상으로 분사하는 단계(380)를 포함한다.3A to 3F, a photoresist stripping method 300 according to a second embodiment of the present invention includes the steps of: a) forming a first semiconductor substrate (not shown) by a transfer member 204 of a transfer device 201, 211a) onto the first stage (221a) (310); b) lowering the first ultraviolet lamp 220a supported by the first supporting member 222a onto the first semiconductor substrate 211a and then rotating the first semiconductor substrate 211a while rotating the first ultraviolet lamp 220a, (320) irradiating a first ultraviolet ray from the lamp (220a) onto the first semiconductor substrate (211a); c) raising (330) the first ultraviolet lamp (220a) to the original position on the first semiconductor substrate (211a) while maintaining the first semiconductor substrate (211a) in a rotated state; d) After moving the first injector 213a onto the first semiconductor substrate 211a, the first ozonated water is supplied from the first ozonated water supply device 214a to the first injector 213a, 1) spraying 340 onto the semiconductor substrate 211a; e) transferring (350) the second semiconductor substrate (211b) onto the second stage (221b) by the transfer member (204) during the step b); f) a second ultraviolet lamp 220b supported by the second support member 222b is lowered onto the second semiconductor substrate 211b and then the second semiconductor substrate 211b is rotated while the second ultraviolet lamp 220b is rotated, (360) irradiating a second ultraviolet ray from the lamp 220b onto the second semiconductor substrate 211b; g) raising (370) the second ultraviolet lamp (220b) to its original position on the second semiconductor substrate (211b) while maintaining the rotational state of the second semiconductor substrate (211b); And h) the second injection device 213b is moved onto the second semiconductor substrate 211b and then the second ozone water is supplied from the second ozonated water supply device 214b to the second injection device 213b, (Step 380) onto the second semiconductor substrate 211b.

상술한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 박리 방법(300)은 상기 d) 단계 이후에 d1) 상기 제 1 반도체 기판(211a)을 언로딩하고, 후속적으로 제공되는 제 1 반도체 기판에 대해 상기 a) 단계 내지 상기 d) 단계를 반복하는 단계; 및 상기 h) 단계 이후에 h1) 상기 제 2 반도체 기판(211b)을 언로딩하고, 후속적으로 제공되는 제 2 반도체 기판에 대해 상기 e) 단계 내지 상기 h) 단계를 반복하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.The photoresist stripping method 300 according to the second embodiment of the present invention may further include the steps of d1) unloading the first semiconductor substrate 211a and removing the first semiconductor substrate 211a from the first semiconductor substrate Repeating the steps a) to d); And h1) unloading the second semiconductor substrate (211b) after the step h), and repeating steps (e) to (h) for a second semiconductor substrate to be subsequently provided can do.

또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 박리 방법(300)은 상기 c) 단계에서 상기 제 1 자외선 램프(220a)는 상기 제 1 반도체 기판(211a) 상에서 하강 상태를 유지하고, 상기 g) 단계에서 상기 제 2 자외선 램프(220b)는 상기 제 2 반도체 기판(211b) 상에서 하강 상태를 유지할 수 있다.In the photoresist stripping method 300 according to the second embodiment of the present invention, in the step c), the first ultraviolet lamp 220a maintains a falling state on the first semiconductor substrate 211a, and the g The second ultraviolet lamp 220b may be kept in a lowered state on the second semiconductor substrate 211b.

또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 포토레지스트 박리 방법(300)의 상기 c) 단계 및 상기 g) 단계에서 각각 상기 제 1 및 제 2 자외선에 의해 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트의 표면이 개질되고 유기물이 분해될 수 있다.In addition, the surface of the first and second photoresists may be removed by the first and second ultraviolet rays, respectively, in steps c) and g) of the photoresist stripping method 300 according to the second embodiment of the present invention. And the organic matter can be decomposed.

다양한 변형예가 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 본 명세서에 기술되고 예시된 구성 및 방법으로 만들어질 수 있으므로, 상기 상세한 설명에 포함되거나 첨부 도면에 도시된 모든 사항은 예시적인 것으로 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 따라서, 본 발명의 범위는 상술한 예시적인 실시예에 의해 제한되지 않으며, 이하의 청구범위 및 그 균등물에 따라서만 정해져야 한다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to be illustrative, of illustration, and not limitative of the invention, as various changes may be made therein without departing from the scope of the invention. It is not. Accordingly, the scope of the present invention should not be limited by the above-described exemplary embodiments, but should be determined only in accordance with the following claims and their equivalents.

11,211: 반도체 기판 12,212: 스테이지 13: 분출노즐
14: 오존 용해수 제조장치 15,215: 챔버 16: 적외선 램프
17: 검출센서 15a: 배출구 19: 순수 20: 절환밸브
21: 포토레지스트 박리 욕조 23: 펌프 32: 제어장치
28: 삼투압막 가스화기기 35: 유체 입력부 36: 유체 출력부
37: 가스 입구 38: 가스 출구
200,200a,200b: 포토레지스트 박리 장치 201: 이송 장치
202: 로딩 부재 204: 이송 부재 206: 센터링 부재
214,214a,214b: 오존수 공급 장치 213,213a,213b: 분사 장치
219,219a,219b: 공급관 220,200a,200b: 자외선 램프
222,222a,222b: 지지 부재11,211 semiconductor substrate 12,212 stage 13 ejection nozzle
14: Ozone dissolving water producing apparatus 15,215: Chamber 16: Infrared lamp
17: detection sensor 15a: outlet 19: pure water 20: switching valve
21: photoresist peeling bath 23: pump 32: control device
28: osmotic pressure membrane gasification device 35: fluid input part 36: fluid output part
37: gas inlet 38: gas outlet
200, 200a, 200b: photoresist stripping device 201:
202: loading member 204: conveying member 206: centering member
214, 214a, 214b: ozonated water supply devices 213, 213a, 213b:
219, 219a, 219b: supply pipe 220, 200a, 200b: ultraviolet lamp
222, 222a, 222b:

Claims (14)

포토레지스트 박리 장치에 있어서,
반도체 기판이 장착되는 스테이지;
상기 스테이지 상에서 승강 가능하게 제공되며, 상기 반도체 기판에 자외선을 조사하기 위한 자외선 램프;
상기 반도체 기판 상에 오존수를 공급하기 위한 오존수 공급 장치; 및
상기 오존수 공급 장치로부터 공급되는 상기 오존수를 상기 반도체 기판 상에 분사하는 분사 장치
를 포함하고,
상기 분사 장치는 상기 자외선 램프와 기구적인 간섭이 없이 상기 반도체 기판 상으로 이동이 가능하며,
상기 반도체 기판에 조사된 상기 자외선은 상기 반도체 기판 상의 포토레지스트의 표면을 개질하여 상기 포토레지스트의 유기물을 분해하고, 상기 분사된 오존수는 상기 포토레지스트를 식각하는
포토레지스트 박리 장치.In the photoresist stripping apparatus,
A stage on which a semiconductor substrate is mounted;
An ultraviolet lamp provided so as to be able to move up and down on the stage, for irradiating ultraviolet rays to the semiconductor substrate;
An ozonated water supply device for supplying ozonated water onto the semiconductor substrate; And
An injection device for injecting the ozone water supplied from the ozonated water supply device onto the semiconductor substrate
Lt; / RTI >
Wherein the injector is movable on the semiconductor substrate without mechanical interference with the ultraviolet lamp,
The ultraviolet light irradiating the semiconductor substrate decomposes the organic material of the photoresist by modifying the surface of the photoresist on the semiconductor substrate, and the injected ozone water is used to etch the photoresist
Photoresist stripping apparatus. 제 1항에 있어서,
상기 포토레지스트 박리 장치는 이송 장치를 추가로 포함하고,
상기 이송 장치는
상기 반도체 기판이 로딩되는 로딩 부재;
상기 반도체 기판을 센터링하기 위한 센터링 부재; 및
상기 로딩 부재 상에 로딩된 상기 반도체 기판을 상기 센터링 부재 상으로 이송하고, 상기 센터링 부재 상에서 센터링이 완료된 상기 반도체 기판을 상기 스테이지 상으로 이송하는 이송 부재
로 구성되는 포토레지스트 박리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the photoresist stripping apparatus further comprises a transfer device,
The transfer device
A loading member on which the semiconductor substrate is loaded;
A centering member for centering the semiconductor substrate; And
A transfer member for transferring the semiconductor substrate loaded on the loading member onto the centering member and transferring the semiconductor substrate completed on the centering member onto the stage,
The photoresist stripping apparatus comprising: 삭제delete 포토레지스트 박리 장치에 있어서,
제 1 및 제 2 반도체 기판이 순차적으로 장착되는 제 1 및 제 2 스테이지;
상기 제 1 및 제 2 스테이지 상에서 각각 승강 가능하게 제공되며, 상기 제 1 및 제 2 반도체 기판에 각각 자외선을 조사하기 위한 제 1 및 제 2 자외선 램프;
상기 제 1 및 제 2 반도체 기판 상에 각각 제 1 및 제 2 오존수를 공급하기 위한 제 1 및 제 2 오존수 공급 장치; 및
상기 제 1 및 제 2 오존수 공급 장치로부터 각각 공급되는 상기 제 1 및 제 2 오존수를 상기 제 1 및 제 2 반도체 기판 상에 각각 분사하는 제 1 및 제 2 분사 장치
를 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 분사 장치는 각각 상기 제 1 및 제 2 자외선 램프와 기구적인 간섭이 없이 상기 제 1 및 제 2 반도체 기판 상으로 이동이 가능하며,
상기 제 1 및 제 2 반도체 기판에 조사된 상기 자외선은 상기 제 1 및 제 2 반도체 기판 상의 포토레지스트의 표면을 개질하여 상기 포토레지스트의 유기물을 분해하고, 상기 분사된 상기 제 1 및 제 2 오존수는 상기 포토레지스트를 식각하는
포토레지스트 박리 장치.In the photoresist stripping apparatus,
First and second stages in which the first and second semiconductor substrates are sequentially mounted;
First and second ultraviolet lamps provided on the first and second stages, respectively, for raising and lowering the first and second semiconductor substrates, respectively;
First and second ozonated water supply devices for supplying first and second ozonated water on the first and second semiconductor substrates, respectively; And
Wherein the first and second ozonated water are supplied from the first and second ozonated water supply devices to the first and second semiconductor substrates, respectively,
Lt; / RTI >
Wherein the first and second injectors are each capable of moving onto the first and second semiconductor substrates without mechanical interference with the first and second ultraviolet lamps,
Wherein the ultraviolet light irradiated to the first and second semiconductor substrates decomposes the surface of the photoresist on the first and second semiconductor substrates to decompose the organic matter of the photoresist and the injected first and second ozonated water The photoresist is etched
Photoresist stripping apparatus. 제 4항에 있어서,
상기 포토레지스트 박리 장치는 이송 장치를 추가로 포함하고,
상기 이송 장치는
상기 제 1 및 제 2 반도체 기판이 각각 로딩되는 로딩 부재;
상기 제 1 및 제 2 반도체 기판을 각각 센터링하기 위한 센터링 부재; 및
상기 로딩 부재 상에 로딩된 상기 제 1 및 제 2 반도체 기판을 각각 상기 센터링 부재 상으로 이송하고, 상기 센터링 부재 상에서 센터링이 완료된 상기 제 1 및 제 2 반도체 기판을 상기 제 1 및 제 2 스테이지 상으로 이송하는 이송 부재
로 구성되는 포토레지스트 박리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the photoresist stripping apparatus further comprises a transfer device,
The transfer device
A loading member on which the first and second semiconductor substrates are loaded, respectively;
A centering member for centering the first and second semiconductor substrates, respectively; And
The first and second semiconductor substrates loaded on the loading member are each transferred onto the centering member and the first and second semiconductor substrates on which the centering is completed on the centering member are mounted on the first and second stages The conveying member
The photoresist stripping apparatus comprising: 삭제delete 포토레지스트 박리 방법에 있어서,
a) 이송 장치의 이송 부재에 의해 반도체 기판을 스테이지 상으로 이송하여 장착하는 단계;
b) 지지 부재에 의해 지지되는 자외선 램프를 상기 반도체 기판 상으로 하강시킨 후, 상기 반도체 기판을 회전시키면서 상기 자외선 램프로부터 자외선을 상기 반도체 기판 상으로 조사하는 단계;
c) 상기 반도체 기판의 회전 상태를 유지하면서, 상기 자외선 램프를 상기 반도체 기판 상에서 원래 위치로 상승시키는 단계; 및
d) 분사 장치를 상기 반도체 기판 상으로 이동시킨 후, 오존수 공급 장치로부터 오존수를 상기 분사 장치로 공급하여 상기 반도체 기판 상으로 분사하는 단계
를 포함하고,
상기 분사 장치는 상기 자외선 램프와 기구적인 간섭이 없이 상기 반도체 기판 상으로 이동이 가능하며,
상기 반도체 기판에 조사된 상기 자외선은 상기 반도체 기판 상의 포토레지스트의 표면을 개질하여 상기 포토레지스트의 유기물을 분해하고, 상기 분사된 오존수는 상기 포토레지스트를 식각하는
포토레지스트 박리 방법.In the photoresist stripping method,
a) transferring and mounting a semiconductor substrate on a stage by a transfer member of the transfer device;
b) lowering the ultraviolet lamp supported by the supporting member onto the semiconductor substrate, and irradiating ultraviolet rays onto the semiconductor substrate from the ultraviolet lamp while rotating the semiconductor substrate;
c) raising the ultraviolet lamp to an original position on the semiconductor substrate while maintaining the rotational state of the semiconductor substrate; And
d) injecting the ozonated water from the ozonated water supply device to the injection device and injecting it onto the semiconductor substrate after moving the injection device onto the semiconductor substrate
Lt; / RTI >
Wherein the injector is movable on the semiconductor substrate without mechanical interference with the ultraviolet lamp,
The ultraviolet light irradiating the semiconductor substrate decomposes the organic material of the photoresist by modifying the surface of the photoresist on the semiconductor substrate, and the injected ozone water is used to etch the photoresist
Photoresist stripping method. 제 7항에 있어서,
상기 포토레지스트 박리 방법은 e) 상기 반도체 기판을 언로딩하고, 후속적으로 제공되는 반도체 기판에 대해 상기 a) 단계 내지 상기 d) 단계를 반복하는 단계를 추가로 포함하는 포토레지스트 박리 방법.8. The method of claim 7,
The photoresist stripping method further comprises e) unloading the semiconductor substrate and repeating steps a) through d) for the subsequently provided semiconductor substrate. 제 7항에 있어서,
상기 c) 단계에서, 상기 자외선 램프는 상기 반도체 기판 상에서 하강 상태를 유지하는 포토레지스트 박리 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the ultraviolet lamp maintains a falling state on the semiconductor substrate in the step c). 삭제delete 포토레지스트 박리 방법에 있어서,
a) 이송 장치의 이송 부재에 의해 제 1 반도체 기판을 제 1 스테이지 상으로 이송하여 장착하는 단계;
b) 제 1 지지 부재에 의해 지지되는 제 1 자외선 램프를 상기 제 1 반도체 기판 상으로 하강시킨 후, 상기 제 1 반도체 기판을 회전시키면서 상기 제 1 자외선 램프로부터 제 1 자외선을 상기 제 1 반도체 기판 상으로 조사하는 단계;
c) 상기 제 1 반도체 기판의 회전 상태를 유지하면서, 상기 제 1 자외선 램프를 상기 제 1 반도체 기판 상에서 원래 위치로 상승시키는 단계;
d) 제 1 분사 장치를 상기 제 1 반도체 기판 상으로 이동시킨 후, 제 1 오존수 공급 장치로부타 제 1 오존수를 상기 제 1 분사 장치로 공급하여 상기 제 1 반도체 기판 상으로 분사하는 단계;
e) 상기 b) 단계가 진행되는 도중에 상기 이송 부재에 의해 제 2 반도체 기판을 제 2 스테이지 상으로 이송하여 장착하는 단계;
f) 제 2 지지 부재에 의해 지지되는 제 2 자외선 램프를 상기 제 2 반도체 기판 상으로 하강시킨 후, 상기 제 2 반도체 기판을 회전시키면서 상기 제 2 자외선 램프로부터 제 2 자외선을 상기 제 2 반도체 기판 상으로 조사하는 단계;
g) 상기 제 2 반도체 기판의 회전 상태를 유지하면서, 상기 제 2 자외선 램프를 상기 제 2 반도체 기판 상에서 원래 위치로 상승시키는 단계; 및
h) 제 2 분사 장치를 상기 제 2 반도체 기판 상으로 이동시킨 후, 제 2 오존수 공급 장치로부터 제 2 오존수를 상기 제 2 분사 장치로 공급하여 상기 제 2 반도체 기판 상으로 분사하는 단계
를 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 분사 장치는 각각 상기 제 1 및 제 2 자외선 램프와 기구적인 간섭이 없이 상기 제 1 및 제 2 반도체 기판 상으로 이동이 가능하며,
상기 제 1 및 제 2 반도체 기판에 조사된 상기 제 1 및 제 2 자외선은 상기 제 1 및 제 2 반도체 기판 상의 포토레지스트의 표면을 개질하여 상기 포토레지스트의 유기물을 분해하고, 상기 분사된 상기 제 1 및 제 2 오존수는 상기 포토레지스트를 식각하는
포토레지스트 박리 방법.In the photoresist stripping method,
a) transferring and mounting the first semiconductor substrate onto the first stage by the transferring member of the transferring device;
b) lowering the first ultraviolet lamp supported by the first support member onto the first semiconductor substrate, rotating the first semiconductor substrate, and moving the first ultraviolet ray from the first ultraviolet lamp onto the first semiconductor substrate ;
c) raising the first ultraviolet lamp to an original position on the first semiconductor substrate while maintaining the rotational state of the first semiconductor substrate;
d) transferring the first ozonated water from the first ozonated water supply device to the first injecting device and injecting the first ozonated water onto the first semiconductor substrate after moving the first injecting device onto the first semiconductor substrate;
e) transferring and mounting the second semiconductor substrate onto the second stage by the transferring member during the step b);
f) lowering the second ultraviolet lamp supported by the second support member onto the second semiconductor substrate, rotating the second semiconductor substrate while moving the second ultraviolet ray from the second ultraviolet lamp onto the second semiconductor substrate ;
g) raising the second ultraviolet lamp to an original position on the second semiconductor substrate while maintaining the rotational state of the second semiconductor substrate; And
h) injecting a second ozone water from the second ozonated water supply device onto the second semiconductor substrate after transferring the second injection device onto the second semiconductor substrate,
Lt; / RTI >
Wherein the first and second injectors are each capable of moving onto the first and second semiconductor substrates without mechanical interference with the first and second ultraviolet lamps,
The first and second ultraviolet rays irradiated on the first and second semiconductor substrates decompose the organic material of the photoresist by modifying the surface of the photoresist on the first and second semiconductor substrates, And the second ozonated water is used to etch the photoresist
Photoresist stripping method. 제 11항에 있어서,
상기 포토레지스트 박리 방법은
상기 d) 단계 이후에 d1) 상기 제 1 반도체 기판을 언로딩하고, 후속적으로 제공되는 제 1 반도체 기판에 대해 상기 a) 단계 내지 상기 d) 단계를 반복하는 단계; 및
상기 h) 단계 이후에 h1) 상기 제 2 반도체 기판을 언로딩하고, 후속적으로 제공되는 제 2 반도체 기판에 대해 상기 e) 단계 내지 상기 h) 단계를 반복하는 단계
를 추가로 포함하는 포토레지스트 박리 방법.12. The method of claim 11,
The photoresist stripping method
D1) d1) unloading the first semiconductor substrate and repeating the steps a) to d) with respect to the first semiconductor substrate to be subsequently provided; And
H1) unloading said second semiconductor substrate and repeating said steps e) to h) with respect to a subsequently provided second semiconductor substrate,
Further comprising a photoresist stripping method. 제 11항에 있어서,
상기 c) 단계에서 상기 제 1 자외선 램프는 상기 제 1 반도체 기판 상에서 하강 상태를 유지하고,
상기 g) 단계에서 상기 제 2 자외선 램프는 상기 제 2 반도체 기판 상에서 하강 상태를 유지하는
포토레지스트 박리 방법.12. The method of claim 11,
In the step c), the first ultraviolet lamp maintains a falling state on the first semiconductor substrate,
In the step g), the second ultraviolet lamp maintains a falling state on the second semiconductor substrate
Photoresist stripping method. 삭제delete
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