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KR101623596B1 - Organic light emitting diode display device - Google Patents

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KR101623596B1
KR101623596B1 KR1020090131988A KR20090131988A KR101623596B1 KR 101623596 B1 KR101623596 B1 KR 101623596B1 KR 1020090131988 A KR1020090131988 A KR 1020090131988A KR 20090131988 A KR20090131988 A KR 20090131988A KR 101623596 B1 KR101623596 B1 KR 101623596B1
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Abstract

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로, 유기발광다이오드; 제1 노드와 제2 노드 사이에 형성된 제1 커패시터; 상기 제2 노드와 제3 노드 사이에 형성된 제2 커패시터; 상기 제1 노드에 연결된 게이트전극, 상기 제2 노드에 연결된 소스전극, 및 제4 노드에 연결된 드레인전극을 포함하고 상기 제2 노드를 통해 고전위 구동전압을 공급받는 구동 TFT; 제1 및 제4 기간 동안 상기 제4 노드와 상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극 사이의 전류패스를 형성하는 제1 스위치 TFT; 상기 제1 기간과 제2 기간 동안 상기 제1 노드와 상기 제4 노드를 연결하는 제2 스위치 TFT; 제3 기간 동안 데이터전압을 상기 제1 노드에 공급하는 제3 스위치 TFT; 상기 제1 및 제4 기간 동안 상기 제1 노드와 상기 제3 노드를 연결하는 제4 스위치 TFT; 및 상기 제1 및 제2 기간 동안 상기 제1 노드와 상기 제3 노드를 연결하는 제5 스위치 TFT를 구비한다. The present invention relates to an organic light emitting diode display, and more particularly, A first capacitor formed between the first node and the second node; A second capacitor formed between the second node and the third node; A driving TFT including a gate electrode connected to the first node, a source electrode connected to the second node, and a drain electrode connected to the fourth node, the driving TFT being supplied with a high potential driving voltage through the second node; A first switch TFT for forming a current path between the fourth node and the anode electrode of the organic light emitting diode during the first and fourth periods; A second switch TFT connecting the first node and the fourth node during the first period and the second period; A third switch TFT for supplying a data voltage to the first node during a third period; A fourth switch TFT connecting the first node and the third node during the first and fourth periods; And a fifth switch TFT for connecting the first node and the third node during the first and second periods.

Description

유기발광다이오드 표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device,

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display.

음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)이 개발되고 있다. 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광소자(Electroluminescence Device) 등이 있다. Various flat panel displays (FPDs) have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs). The flat panel display device includes a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), and an electroluminescence device.

전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광소자와 유기발광다이오드소자(Organic Light Emitting Diode, 이하 "OLED"라 함)로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 유기발광다이오드 표시장치는 전압구동, 전압보상, 전류구동, 디지털구동, 외부보상 등의 구동방법으로 구동될 수 있다. An electroluminescent device is a self-luminous device which is divided into an inorganic electroluminescent device and an organic light emitting diode (OLED) according to the material of the light emitting layer and emits self-luminous elements. The electroluminescent device has a high response speed, There is an advantage of a large viewing angle. The organic light emitting diode display device can be driven by driving methods such as voltage driving, voltage compensation, current driving, digital driving, and external compensation.

유기발광다이오드. 형광성 또는 인광성 유기화합물에 전류가 흐르면 빛을 내 는 전계발광 현상을 이용해 스스로 빛을 내는 자체 발광형 유기 발광 소자다. 구동 방식에 따라 PM(수동형)과 AM(능동형)으로 나눠지며 대면적 고해상도를 위해서는 AM이 적합하다. Organic light emitting diode. It is a self-luminous organic light-emitting device that emits light by using an electroluminescence phenomenon that emits light when a fluorescent or phosphorescent organic compound is energized. AM is divided into PM (passive type) and AM (active type) according to the driving method and AM is suitable for a large area high resolution.

도 1 및 도 2는 AM 유기발광 다이오드 표시장치의 전형적인 전압 구동형 픽셀 과 구동 신호 파형을 보여 주는 도면들이다. FIGS. 1 and 2 are diagrams illustrating typical voltage driven pixels and driving signal waveforms of an AM organic light emitting diode display device.

도 1 및 도 2를 참조하면, AM 유기발광다이오드 표시장치의 픽셀들 각각은 데이터라인(DL), 데이터라인(DL)과 교차되는 게이트라인(GL), 스위치 TFT(SW1), 구동 TFT(DR1), 스토리지 커패시터(Cst) 및 OLED를 구비한다. 1 and 2, each pixel of the AM organic light emitting diode display device includes a data line DL, a gate line GL intersecting with the data line DL, a switch TFT SW1, a drive TFT DR1 ), A storage capacitor (Cst), and an OLED.

스위치 TFT(SW1)는 게이트라인(GL)으로부터의 스캔펄스(SCAN)에 따라 턴-온되어 데이터라인(DL)과 제1 노드(N1) 사이의 전류패스를 도통시킨다. 데이터 프로그래밍 기간(T1) 동안, 데이터라인(DL)으로부터의 데이터전압(DATA)은 스위치 TFT(SW1)의 소스전극과 드레인전극, 및 제1 노드(N1)를 경유하여 구동 TFT(DR1)의 게이트단자에 인가된다. 구동 TFT(DR1)는 제1 노드(N1)의 전압에 따라 OLED로 흐르는 전류양을 조절한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)의 전압을 유지한다. The switch TFT SW1 is turned on in accordance with the scan pulse SCAN from the gate line GL to make the current path between the data line DL and the first node N1 conductive. The data voltage DATA from the data line DL is applied to the source electrode and the drain electrode of the switch TFT SW1 and to the gate of the drive TFT DR1 via the first node N1, Terminal. The driving TFT DR1 regulates the amount of current flowing to the OLED according to the voltage of the first node N1. The storage capacitor Cst maintains the voltage of the first node N1.

AM 유기발광 다이오드 표시장치에서 픽셀들 각각에 형성되는 구동 TFT(DR1)의 전기적 특성 편차는 비교적 크고 이로 인하여, 휘도 균일도(Uniformity)가 좋지 않고 화질이 저하될 수 있다. 구동 TFT(DR1)의 전기적 특성 편차가 발생되는 원인은 패널의 백플레인(backplane)에 따라서 다르다. 저온폴리실리콘(Low Temperature Poly Silicon, LTPS) 기반의 백플레인을 사용하는 패널에서는 ELA(Excimer Laser Annealing) 공정 편차에 의해 TFT의 특성 편차가 발생하고, 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si) 기반의 백플레인을 사용하는 패널에서는 공정 편차가 균일하지만 패널을 구동하면서 진행되는 TFT의 열화가 각 픽셀들 마다 다르게 진행되어 결국, TFT의 특성 편차가 발생된다. 이러한 TFT의 특성 편차로 인하여, 구동 TFT(DR1)에서 출력되는 전류가 달라지게 된다. 도 1과 같은 픽셀들을 가지는 AM 유기발광다이오드 표시장치의 경우에 구동 TFT(DR1)의 문턱전압(Vth) 편차가 0~2V라면, 출력 전류는 최대 83.55%까지 에러율이 발생된다.The electric characteristic deviations of the driving TFT DR1 formed in each of the pixels in the AM organic light emitting diode display device are relatively large, so that the luminance uniformity is not good and the picture quality may be deteriorated. The cause of the electric characteristic deviation of the driving TFT DR1 varies depending on the backplane of the panel. In a panel using a low temperature polysilicon (LTPS) -based backplane, TFT drifts due to excimer laser annealing (ELA) process variations, and amorphous silicon (a-Si) The deterioration of the TFT progressing while driving the panel proceeds differently for each pixel, resulting in a characteristic deviation of the TFT. Due to such a characteristic deviation of the TFT, the current outputted from the driving TFT DR1 is changed. In the case of an AM organic light emitting diode display device having pixels as shown in FIG. 1, if the threshold voltage (Vth) deviation of the driving TFT DR1 is 0 to 2 V, an error rate is generated up to 83.55% of the output current.

본 발명은 구동 TFT의 문턱전압 편차에 관계없이 균일한 휘도로 화질을 구현할 수 있는 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다. The present invention provides an organic light emitting diode display device capable of realizing image quality with uniform luminance regardless of a threshold voltage deviation of a driving TFT.

본 발명의 일 양상으로서, 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는 애노드전극과 저전위 구동전압이 공급되는 캐소드전극을 포함하는 유기발광다이오드; 제1 노드와 제2 노드 사이에 형성된 제1 커패시터; 상기 제2 노드와 제3 노드 사이에 형성된 제2 커패시터; 상기 제1 노드에 연결된 게이트전극, 상기 제2 노드에 연결된 소스전극, 및 제4 노드에 연결된 드레인전극을 포함하고 상기 제2 노드를 통해 고전위 구동전압을 공급받는 구동 TFT; 제1 및 제4 기간 동안 발생되는 제n(n은 양의 정수) 발광제어펄스에 따라 턴-온되어 상기 제4 노드와 상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극 사이의 전류패스를 형성하는 제1 스위치 TFT; 상기 제1 기간과 제2 기간 동안 제n-1 스캔펄스에 따라 턴-온되어 상기 제1 노드와 상기 제4 노드를 연결하는 제2 스위치 TFT; 제3 기간 동안 제n 스캔펄스에 따라 턴-온되어 데이터전압을 상기 제1 노드에 공급하는 제3 스위치 TFT; 상기 제1 및 제4 기간 동안 상기 제n 발광제어펄스에 따라 턴-온되어 상기 제1 노드와 상기 제3 노드를 연결하는 제4 스위치 TFT; 및 상기 제1 및 제2 기간 동안 상기 제n-1 스캔펄스에 따라 턴-온되어 상기 제1 노드와 상기 제3 노드를 연결하는 제5 스위치 TFT를 구비한다. According to an aspect of the present invention, an organic light emitting diode display device includes an organic light emitting diode including an anode electrode and a cathode electrode to which a low potential driving voltage is supplied; A first capacitor formed between the first node and the second node; A second capacitor formed between the second node and the third node; A driving TFT including a gate electrode connected to the first node, a source electrode connected to the second node, and a drain electrode connected to the fourth node, the driving TFT being supplied with a high potential driving voltage through the second node; (N is a positive integer) emission control pulse generated during the first and fourth periods to form a current path between the fourth node and the anode electrode of the organic light emitting diode, ; A second switch TFT that is turned on according to an (n-1) th scan pulse during the first period and the second period to connect the first node and the fourth node; A third switch TFT which is turned on according to an n < th > scan pulse during a third period to supply a data voltage to the first node; A fourth switch TFT that is turned on according to the n-th emission control pulse for the first and fourth periods to connect the first node and the third node; And a fifth switch TFT which is turned on according to the (n-1) th scan pulse during the first and second periods to connect the first node and the third node.

본 발명은 상기 픽셀의 회로를 이용하여 구동 TFT의 문턱전압 편차에 관계없이 균일한 휘도로 화질을 구현할 수 있다. 나아가, 본 발명은 구동 TFT의 문턱전압을 저장하기 위한 커패시터를 발광기간에 데이터를 저장하는 스토리지 커패시터로 활용함으로써 발광기간에서의 데이터 전압 유지율(Voltage holding ratio)을 높일 수 있다. The present invention can realize picture quality with uniform luminance regardless of the threshold voltage deviation of the driving TFT by using the circuit of the pixel. Furthermore, the present invention can increase the data voltage holding ratio in the light emitting period by using the capacitor for storing the threshold voltage of the driving TFT as a storage capacitor for storing data in the light emitting period.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대 한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

이하의 설명에서 사용되는 구성요소들의 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것으로, 실제 제품의 명칭과는 상이할 수 있다. The names of components used in the following description are selected in consideration of ease of specification, and may be different from actual product names.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는 M×N(M 및 N 각각은 양의 정수) 개의 픽셀들이 매트릭스 형태로 배치된 표시패널(100), 데이터전압을 데이터라인들(105)에 공급하기 위한 데이터 구동부(102), 데이터라인들(101)과 교차되는 스캔라인들(103)에 스캔펄스(SCAN)와 발광 제어펄스(EM)를 순차적으로 공급하기 위한 스캔 구동부(104), 및 데이터 구동부(102)와 스캔 구동부(104)를 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러(105)를 구비한다. 3 and 4, the organic light emitting diode display of the present invention includes a display panel 100 in which M × N pixels (M and N are positive integers, respectively) are arranged in a matrix form, A scan driver for sequentially supplying a scan pulse SCAN and a light emission control pulse EM to the scan lines 103 intersecting the data lines 101, A data driver 104, and a timing controller 105 for controlling the data driver 102 and the scan driver 104.

데이터 구동부(102)는 타이밍 콘트롤러(105)로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 감마보상전압으로 변환하여 데이터라인들(101)에 공급한다. 스캔 구동부(104)는 도 4 및 도 5에 도시된 스캔펄스(SCAND)와 발광제어펄스(EM)를 스캔라인들(103)에 순차적으로 공급한다. The data driver 102 converts the digital video data RGB input from the timing controller 105 into a gamma compensation voltage and supplies the gamma compensation voltage to the data lines 101. The scan driver 104 sequentially supplies the scan pulses SCAND and the emission control pulses EM shown in FIG. 4 and FIG. 5 to the scan lines 103.

타이밍 콘트롤러(105)는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 데이터 구동부(102)에 공급하고 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블신호(Data Enable, DE), 도트 클럭(CLK) 등을 이용하여 데이터 구동부(102)와 스캔 구동부(104)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들(SDC, GDC)을 발생한다. The timing controller 105 supplies the digital video data RGB to the data driver 102 and outputs a vertical synchronizing signal Vsync, a horizontal synchronizing signal Hsync, a data enable signal DE and a dot clock CLK And generates timing control signals SDC and GDC for controlling the operation timings of the data driver 102 and the scan driver 104. [

표시패널(100)의 픽셀들 각각은 도 4와 같이 OLED, 6 개의 TFT들(T1~T5, DT)와 2 개의 커패시터들(Cst, CVth)를 포함한다. TFT들(T1~T5, DT)은 도 4와 같이 p type MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)로 구현될 수 있다. TFT들(T1~T5, DT)은 p type MOSFET에 한정되는 것이 아니라 n type MOSFET로 구현될 수 있고, CMOS(complementary metal semiconductor) TFT들로 구현될 수 있다. 이하에서, 도 4 및 도 5를 참조하여 TFT들(T1~T5, DT)이 p type MOSFET로 구현된 예를 중심으로 제n(n은 양의 정수) 픽셀의 회로 구조와 그 동작을 설명하기로 한다. Each of the pixels of the display panel 100 includes an OLED, six TFTs (T1 to T5, DT) and two capacitors (Cst, CVth) as shown in FIG. The TFTs T1 to T5 and DT may be implemented as a p-type MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) as shown in FIG. The TFTs T1 to T5 and DT are not limited to p-type MOSFETs but may be implemented as n-type MOSFETs and CMOS (complementary metal semiconductor) TFTs. Hereinafter, with reference to FIG. 4 and FIG. 5, a circuit structure of an n-th (n is a positive integer) pixel and its operation will be described with reference to an example in which the TFTs T1 to T5 and DT are implemented by a p- .

도 4 및 도 5를 참조하면, 제n(n은 양의 정수) 픽셀에는 고전위 구동전압(VDD), 저전위 구동전압(VSS), 제n-1 스캔펄스[SCAN(n-1)], 제n 스캔펄스[SCAN(n)], 및 제n 발광제어펄스[EM(n)]가 공급된다. 4 and 5, a high potential driving voltage VDD, a low potential driving voltage VSS and an n-1th scanning pulse SCAN (n-1) are applied to the nth (n is a positive integer) , The n th scan pulse SCAN (n), and the n th emission control pulse EM (n).

픽셀은 OLED, OLED, 구동 TFT(DT), 제1 내지 제5 스위치 TFT(T1~T5), 제1 커패시터(Cst), 및 제2 커패시터(CVth)를 포함한다. 픽셀의 동작은 도 5와 같이 제1 내지 제4 기간으로 나뉘어질 수 있다. 제1 기간(TA)은 제1 노드(N11)와 커패시터들(Cst, CVth)의 전압을 초기화하는 초기화기간(Initial period)이다. 제2 기간(TB)는 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 감지(sensing)하여 커패시터들(Cst, Cth)에 저장하는 문턱전압 감지 기간(Vth sensing period)이다. 제3 기간(TC)은 데이터전압[DATA(m)]을 제1 노드에 충전하는 데이터 프로그래밍 기간(Data program period)이다. 제4 기간(TD)은 데이터전압[DATA(m)]에 따라 OLED가 발광되는 발광기간(Emission period)이다. The pixel includes an OLED, an OLED, a driving TFT DT, first through fifth switch TFTs T1 through T5, a first capacitor Cst, and a second capacitor CVth. The operation of the pixel may be divided into first to fourth periods as shown in FIG. The first period TA is an initial period for initializing the voltages of the first node N11 and the capacitors Cst and CVth. The second period TB is a threshold voltage sensing period (Vth sensing period) for sensing the threshold voltage Vth of the driving TFT DT and storing it in the capacitors Cst and Cth. The third period TC is a data program period for charging the data voltage [DATA (m)] to the first node. The fourth period TD is an emission period during which the OLED emits light according to the data voltage DATA (m).

OLED의 애노드전극과 캐소드전극 사이에는 다층의 유기 화합물층이 형성된다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함한다. OLED는 구동 TFT(DT)의 제어 하에 공급되는 전류에 따라 제4 기간(TD) 동안 발광한다. OLED의 애노드전극은 제4 노드(N14)에 접속되고 그 캐소드전극은 저전위 전압원(VSS) 또는 기저전압원(GND)에 접속된다. A multilayer organic compound layer is formed between the anode electrode and the cathode electrode of the OLED. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer EIL). The OLED emits light during the fourth period (TD) in accordance with the current supplied under the control of the driving TFT (DT). The anode electrode of the OLED is connected to the fourth node N14 and the cathode electrode thereof is connected to the low potential voltage source VSS or the ground voltage source GND.

구동 TFT(DT)는 고전위 전원전압원(VDD)으로부터의 전류를 제4 노드(N14)를 경유하여 유기발광다이오드소자(OLED)에 공급하고, 그 전류를 게이트-소스간 전압으로 제어한다. 구동 TFT(DT)의 게이트전극은 제1 노드(N11)에 접속되고, 그 드레인전극은 제4 노드(N14)에 접속된다. 고전위 구동전압(VDD)은 제2 노드(N12)를 경유하여 구동 TFT(DT)의 소스전극에 인가된다. The driving TFT DT supplies the current from the high potential power source VDD to the organic light emitting diode OLED via the fourth node N14 and controls the current to the gate-source voltage. The gate electrode of the driving TFT DT is connected to the first node N11, and the drain electrode thereof is connected to the fourth node N14. The high potential driving voltage VDD is applied to the source electrode of the driving TFT DT via the second node N12.

제1 스위치 TFT(T1)는 제4 기간(TD) 동안 제n 발광제어펄스[EM(n)]에 따라 턴-온되어 제4 노드(N14)와 OLED의 애노드전극 사이의 전류패스를 도통시킨다. 제1 스위치 TFT(T1)는 제2 기간(TA)과 제4 기간(TD) 동안 오프 상태를 유지한다. 제1 스위치 TFT(T1)의 소스전극은 제4 노드(N14)에 접속되고, 그 드레인전극은 OLED의 애노드전극에 접속된다. 제1 스위치 TFT(T1)의 게이트전극에는 발광제어펄스[EM(n)]이 공급된다. The first switch TFT T1 is turned on according to the n-th emission control pulse EM (n) during the fourth period TD to turn on the current path between the fourth node N14 and the anode electrode of the OLED . The first switch TFT T1 maintains an off state during the second period TA and the fourth period TD. The source electrode of the first switch TFT (T1) is connected to the fourth node (N14), and the drain electrode thereof is connected to the anode electrode of the OLED. The emission control pulse EM (n) is supplied to the gate electrode of the first switch TFT T1.

제2 스위치 TFT(T2)는 제1 및 제2 기간(TA, TB) 동안 제n-1 스캔펄스[SCAN(n-1)]에 따라 턴-온되어 구동 TFT(DT)의 게이트전극과 드레인전극을 접속시켜 구동 TFT(DT)를 다이오드로 동작시킨다. 제2 스위치 TFT(T2)는 제3 및 제4 기간(TC, TD) 동안 오프 상태를 유지한다. 제2 스위치 TFT(T2)의 소스전극은 제4 노드(N14)를 경유하여 구동 TFT(DT)의 드레인전극에 접속되고, 그 드레인전극은 제1 노드(N11)를 경유하여 구동 TFT(DT)의 게이트전극에 접속된다. 제2 스위치 TFT(T2)의 게이트전극에는 제n-1 스캔펄스[SCAN(n-1)]가 공급된다. The second switch TFT T2 is turned on in accordance with the (n-1) th scan pulse SCAN (n-1) during the first and second periods TA and TB to turn on the gate electrode of the drive TFT DT and the drain Electrodes are connected to operate the driving TFT DT as a diode. The second switch TFT T2 maintains the off state during the third and fourth periods TC and TD. The source electrode of the second switch TFT T2 is connected to the drain electrode of the driver TFT DT via the fourth node N14 and the drain electrode thereof is connected to the driver TFT DT via the first node N11, As shown in FIG. The (n-1) th scan pulse SCAN (n-1) is supplied to the gate electrode of the second switch TFT T2.

제3 스위치 TFT(T3)는 제3 기간(TC) 동안 제n 스캔펄스[SCAN(n)]에 따라 턴-온되어 데이터라인(101)을 제1 노드(N11)에 접속시켜 데이터전압을 제1 노드(N11)에 공급한다. 제3 스위치 TFT(T3)는 제1, 제2 및 제4 기간(TA, TB, TD) 동안 오프 상태를 유지한다. 제3 스위치 TFT(T3)의 소스전극은 제1 노드(N11)에 접속되고, 그 드레인전극은 데이터라인(101)에 접속된다. 제3 스위치 TFT(T3)의 게이트전극에는 제n 스캔펄스[SCAN(n)]가 공급된다.The third switch TFT T3 is turned on according to the n-th scan pulse SCAN (n) during the third period TC to connect the data line 101 to the first node N11, 1 node N11. The third switch TFT T3 maintains the off state during the first, second and fourth periods TA, TB and TD. The source electrode of the third switch TFT (T3) is connected to the first node (N11), and the drain electrode thereof is connected to the data line (101). The n-th scan pulse SCAN (n) is supplied to the gate electrode of the third switch TFT T3.

제4 스위치 TFT(T4)는 제1 및 제4 기간(TA, TD) 동안 제n 발광제어펄스[EM(n)]에 따라 턴-온되어 제2 커패시터(CVth)를 제1 노드(N11)에 접속시킨다. 제4 스위치 TFT(T4)는 제2 및 제3 기간(TB, TC) 동안 오프 상태를 유지한다. 제4 스위치 TFT(T4)의 소스전극은 제3 노드(N13)를 경유하여 제2 커패시터(CVth)에 접속되고, 그 드레인전극은 제1 노드(N11)에 접속된다. 제4 스위치 TFT(T4)의 게이트전극에는 제n 발광제어펄스[EM(n)]가 공급된다. The fourth switch TFT T4 is turned on according to the n-th emission control pulse EM (n) for the first and fourth periods TA and TD to turn on the second capacitor CVth to the first node N11, . The fourth switch TFT T4 is kept off during the second and third periods TB, TC. The source electrode of the fourth switch TFT (T4) is connected to the second capacitor (CVth) via the third node (N13), and the drain electrode thereof is connected to the first node (N11). The n-th emission control pulse EM (n) is supplied to the gate electrode of the fourth switch TFT (T4).

제5 스위치 TFT(T5)는 제1 및 제2 기간(TA, TB) 동안 제n-1 스캔펄스[SCAN(n-1)]에 따라 턴-온되어 제2 커패시터(CVth)를 제1 노드(N11)에 접속시킨다. 제5 스위치 TFT(T5)는 제3 및 제4 기간(TC, TD) 동안 오프 상태를 유지한다. 제5 스위치 TFT(T5)의 소스전극은 제3 노드(N13)를 경유하여 제2 커패시터(CVth)에 접속되고, 그 드레인전극은 제1 노드(N11)에 접속된다. 제5 스위치 TFT(T5)의 게 이트전극에는 제n-1 스캔펄스[SCAN(n-1)]가 공급된다. The fifth switch TFT T5 is turned on according to the (n-1) th scan pulse SCAN (n-1) during the first and second periods TA and TB to turn on the second capacitor CVth to the first node (N11). The fifth switch TFT T5 maintains the off state during the third and fourth periods TC and TD. The source electrode of the fifth switch TFT (T5) is connected to the second capacitor (CVth) via the third node (N13), and the drain electrode thereof is connected to the first node (N11). The (n-1) th scan pulse SCAN (n-1) is supplied to the gate electrode of the fifth switch TFT T5.

제1 커패시터(Cst)는 제1 기간(TA) 동안 제1 노드(N11)의 전압이 방전되면서 초기화되고, 제2 기간(TB) 동안 구동 TFT(DT)의 소스-드레인간 전압을 저장하여 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 샘플링한다. 그리고 제1 커패시터(Cst)는 제4 기간(TD) 동안 제1 노드(N11)의 전압 즉, 구동 TFT(DT)의 게이트전압을 일정하게 유지시킨다. The first capacitor Cst is initialized while the voltage of the first node N11 is discharged during the first period TA and stores the source-drain voltage of the driving TFT DT during the second period TB, The threshold voltage Vth of the TFT DT is sampled. The first capacitor Cst maintains the voltage of the first node N11, that is, the gate voltage of the driving TFT DT, constant during the fourth period TD.

제2 커패시터(CVth)는 제1 기간(TA) 동안 제1 노드(N11)에 접속되어 제1 노드(N11)의 전압이 방전되면서 초기화되고, 제2 기간(TB) 동안 구동 TFT(DT)의 소스-드레인간 전압을 저장하여 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 샘플링한다. 그리고 제2 커패시터(CVth)는 제4 기간(TD) 동안 제1 노드(N11)의 전압을 일정하게 유지시킨다.The second capacitor CVth is connected to the first node N11 during the first period TA and is initialized while the voltage of the first node N11 is discharged. And stores the source-drain voltage to sample the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT). The second capacitor (CVth) maintains the voltage of the first node (N11) constant during the fourth period (TD).

제n 픽셀의 동작을 도 5의 시간축을 따라 단계적으로 설명하면 다음과 같다. The operation of the n-th pixel will be described step by step along the time axis of FIG. 5 as follows.

제1 기간(TA) 동안, 제n 발광제어펄스[EM(n)]과 제n-1 스캔펄스[SCAN(n-1)]은 로우 로직 전압으로 발생된다. 제1, 제2, 제4 및 제5 스위치 TFT들(T1, T2, T4, T5)은 제n 발광제어펄스[EM(n)]과 제n-1 스캔펄스[SCAN(n-1)]에 의해 턴-온된다. 제1 기간(TA) 동안, 제1 노드(N11)의 전압(VN11)은 제2 TFT(T2), 제4 노드(N14), 제1 스위치 TFT(T1), 및 OLED를 경유하여 저전위 구동전압원(VSS)으로 방전된다. 따라서, 제1 노드(N11)의 전압은 제1 기간 동안(TA) 저전위 구동전압(VSS)과 가까운 전압까지 낮아진다. OLED는 제1 기간(TA) 동안, 제1 노드(N11)의 전압이 낮아지기 때문에 발광되지 않는다. 제1 기간 동안(TA), OLED를 통해 흐 르는 전류는 OLED의 오프 상태에서 흐르는 누설 전류이다. 제1 기간 동안(TA), 제1 및 제2 커패시터들(Cst, CVth)의 전압은 방전된 제1 노드(N11)의 전압(VN11)과 고전위 구동전압(VDD)의 차 전압으로 초기화된다. During the first period TA, the n-th emission control pulse EM (n) and the n-1th scan pulse SCAN (n-1) are generated as a low logic voltage. The nth light emission control pulse EM (n) and the (n-1) th scan pulse SCAN (n-1) are applied to the first, second, fourth and fifth switch TFTs T1, T2, T4, On state. During the first period TA, the voltage VN11 of the first node N11 is set to a low-potential driving state (i.e., a low-potential driving state) via the second TFT T2, the fourth node N14, the first switch TFT T1, And is discharged to the voltage source VSS. Therefore, the voltage of the first node N11 is lowered to a voltage close to the low potential driving voltage VSS during the first period TA. During the first period TA, the OLED is not emitted because the voltage of the first node N11 is lowered. During the first period (TA), the current flowing through the OLED is the leakage current flowing in the OFF state of the OLED. During the first period TA, the voltages of the first and second capacitors Cst and CVth are initialized to the difference voltage between the voltage VN11 of the discharged first node N11 and the high potential driving voltage VDD .

제2 기간(TB) 동안, 제n-1 스캔펄스[SCAN(n-1)]는 로우 로직 전압을 유지하는 반면, 제n 발광제어펄스[EM(n)]는 하이 로직 전압으로 반전된다. 제1 및 제4 스위치 TFT들(T1, T4)은 제2 기간(TB) 동안 턴-오프된다. 제2 및 제5 스위치 TFT들(T2, T5)은 온 상태를 유지한다. 제2 기간(TB) 동안, 제1 노드(N11)의 전압은 고전위 구동전압(VDD)이 인가되는 제1 및 제2 커패시터들(Cst, CVth)의 전압으로 상승한다. 제2 기간(TB) 동안, 제1 및 제2 커패시터들(Cst, CVth)은 제1 노드(N11)와 제2 노드(N12) 사이에 병렬 접속되어 구동 TFT(DT)의 게이트-소스간 전압을 저장한다. During the second period TB, the n-th scan pulse SCAN (n-1) maintains the low logic voltage while the nth emission control pulse EM (n) is inverted to the high logic voltage. The first and fourth switch TFTs T1 and T4 are turned off during the second period TB. The second and fifth switch TFTs T2 and T5 maintain the ON state. During the second period TB, the voltage of the first node N11 rises to the voltage of the first and second capacitors Cst and CVth to which the high potential driving voltage VDD is applied. During the second period TB, the first and second capacitors Cst and CVth are connected in parallel between the first node N11 and the second node N12 so that the gate-source voltage .

제3 기간(TC) 동안, 제n-1 스캔펄스[SCAN(n-1)]은 하이 로직 전압으로 반전되는 반면, 제n 스캔펄스[SCAN(n)]는 로우 로직 전압으로 반전된다. 제2 및 제5 스위치 TFT들(T2, T5)은 제3 기간(TC) 동안 턴-오프된다. 제3 스위치 TFT(T3)는 제3 기간(TC) 동안, 제n 스캔펄스[SCAN(n)]에 따라 턴-온된다. 제3 기간(TC) 동안, 제1 노드(N11)에는 데이터전압[DATA(PGM)]이 공급된다. During the third period TC, the nth scan pulse SCAN (n-1) is inverted to a high logic voltage while the nth scan pulse SCAN (n) is inverted to a low logic voltage. The second and fifth switch TFTs T2 and T5 are turned off during the third period TC. The third switch TFT T3 is turned on according to the n-th scan pulse SCAN (n) during the third period TC. During the third period TC, the data voltage DATA ( PGM ) is supplied to the first node N11.

제4 기간(TD) 동안, 제n 스캔펄스[SCAN(n)]는 하이 로직 전압으로 반전되는 반면, 제n 발광제어펄스[EM(n)]는 로우 로직 전압으로 반전된다. 제3 스위치 TFT(T3)는 제4 기간(TD) 동안 턴-오프된다. 제1 및 제4 스위치 TFT들(T1, T4)은 제4 기간(TD) 동안 제n 발광제어펄스[EM(n)]에 따라 턴-온되어 도 7과 같은 회로를 구성한다. 제4 기간(TD) 동안, 구동 TFT(DT)는 자신의 게이트전압 즉, 데이터전압(DATAEM)에 따라 OLED로 흐르는 전류(IOLED)를 조절한다. 따라서, OLED는 제4 기간(TD) 동안 발광될 수 있다. 제4 기간(TD) 동안, 제1 노드(N11) 전압 즉, 데이터전압[DATA(EM)]은 아래의 수학식 1과 같다. During the fourth period TD, the nth scan pulse SCAN (n) is inverted to a high logic voltage, while the nth emission control pulse EM (n) is inverted to a low logic voltage. The third switch TFT (T3) is turned off during the fourth period (TD). The first and fourth switch TFTs T1 and T4 are turned on according to the nth emission control pulse EM (n) during the fourth period TD to constitute a circuit as shown in Fig. During the fourth period TD, the driver TFT DT regulates the current I OLED flowing to the OLED in accordance with its gate voltage, that is, the data voltage DATA EM . Thus, the OLED may emit during the fourth period (TD). During the fourth period TD, the voltage of the first node N11, that is, the data voltage DATA ( EM ), is expressed by the following equation (1).

Figure 112009080813317-pat00001
Figure 112009080813317-pat00001

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the present invention should not be limited to the details described in the detailed description, but should be defined by the claims.

도 1 및 도 2는 AM 유기발광 다이오드 표시장치의 전형적인 전압 구동형 픽셀 과 구동 신호 파형을 보여 주는 도면들이다. FIGS. 1 and 2 are diagrams illustrating typical voltage driven pixels and driving signal waveforms of an AM organic light emitting diode display device.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치를 보여 주는 블록도이다. 3 is a block diagram illustrating an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3에 도시된 표시패널의 픽셀 회로를 보여 주는 회로도이다. 4 is a circuit diagram showing a pixel circuit of the display panel shown in Fig.

도 5는 도 4에 도시된 픽셀의 구동 신호들을 보여 주는 파형도이다. 5 is a waveform diagram showing driving signals of the pixel shown in FIG.

도 6은 문턱전압 감지기간 동안 도 4에 도시된 픽셀 회로의 동작을 보여 주는 회로도이다. 6 is a circuit diagram showing the operation of the pixel circuit shown in FIG. 4 during the threshold voltage sensing period.

도 7은 발광기간 동안 도 5에 도시된 픽셀 회로의 동작을 보여 주는 회로도이다. 7 is a circuit diagram showing the operation of the pixel circuit shown in FIG. 5 during a light emission period.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >Description of the Related Art

100 : 표시패널 102 : 데이터 구동부100: display panel 102: data driver

104 : 스캔 구동부 105 : 타이밍 콘트롤러104: scan driver 105: timing controller

OLED : 유기발광다이오드 Cst, CVth : 커패시터OLED: Organic light emitting diode Cst, CVth: Capacitor

DT : 구동 TFT T1~T5 : 스위치 TFTDT: driving TFTs T1 to T5: switching TFT

Claims (7)

애노드전극과 저전위 구동전압이 공급되는 캐소드전극을 포함하는 유기발광다이오드; An organic light emitting diode including an anode electrode and a cathode electrode to which a low potential driving voltage is supplied; 제1 노드와 제2 노드 사이에 형성된 제1 커패시터; A first capacitor formed between the first node and the second node; 상기 제2 노드와 제3 노드 사이에 형성된 제2 커패시터; A second capacitor formed between the second node and the third node; 상기 제1 노드에 연결된 게이트전극, 상기 제2 노드에 연결된 소스전극, 및 제4 노드에 연결된 드레인전극을 포함하고 상기 제2 노드를 통해 고전위 구동전압을 공급받는 구동 TFT; A driving TFT including a gate electrode connected to the first node, a source electrode connected to the second node, and a drain electrode connected to the fourth node, the driving TFT being supplied with a high potential driving voltage through the second node; 제1 및 제4 기간 동안 발생되는 제n(n은 양의 정수) 발광제어펄스에 따라 턴-온되어 상기 제4 노드와 상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극 사이의 전류패스를 형성하는 제1 스위치 TFT; (N is a positive integer) emission control pulse generated during the first and fourth periods to form a current path between the fourth node and the anode electrode of the organic light emitting diode, ; 상기 제1 기간과 제2 기간 동안 제n-1 스캔펄스에 따라 턴-온되어 상기 제1 노드와 상기 제4 노드를 연결하는 제2 스위치 TFT; A second switch TFT that is turned on according to an (n-1) th scan pulse during the first period and the second period to connect the first node and the fourth node; 제3 기간 동안 제n 스캔펄스에 따라 턴-온되어 데이터전압을 상기 제1 노드에 공급하는 제3 스위치 TFT; A third switch TFT which is turned on according to an n &lt; th &gt; scan pulse during a third period to supply a data voltage to the first node; 상기 제1 및 제4 기간 동안 상기 제n 발광제어펄스에 따라 턴-온되어 상기 제1 노드와 상기 제3 노드를 연결하는 제4 스위치 TFT; 및 A fourth switch TFT that is turned on according to the n-th emission control pulse for the first and fourth periods to connect the first node and the third node; And 상기 제1 및 제2 기간 동안 상기 제n-1 스캔펄스에 따라 턴-온되어 상기 제1 노드와 상기 제3 노드를 연결하는 제5 스위치 TFT를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치. And a fifth switch TFT which is turned on according to the (n-1) th scan pulse during the first and second periods to connect the first node and the third node. 제 1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제4 기간 동안, During the fourth period, 상기 제1 노드에 충전되는 데이터전압 DATAEM은 상기 제1 커패시터의 정전용량을 'Cst', 상기 제2 커패시터의 정전용량을 'CVth', 상기 제3 기간 동안 제1 노드에 충전된 데이터전압을 DATAPGM, 상기 구동 TFT의 문턱전압을 Vth라 할 때 아래와 같은 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치. The data voltage DATA EM to be charged to the first node may be expressed by Equation 1, where Cst is capacitance of the first capacitor, CVth is capacitance of the second capacitor, DATA PGM , and the threshold voltage of the driving TFT is Vth.
Figure 112016024898877-pat00002
Figure 112016024898877-pat00002
제 1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제1 스위치 TFT는, The first switch TFT includes: 상기 제4 노드에 접속된 소스전극, 상기 유기발광다이오드의 애노드전극에 접속된 드레인전극, 및 상기 제n 발광제어펄스가 공급되는 스캔라인에 접속된 게이트전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치. And a gate electrode connected to the scan line to which the n-th emission control pulse is supplied, a source electrode connected to the fourth node, a drain electrode connected to the anode electrode of the organic light emitting diode, Display device. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, 상기 제2 스위치 TFT는 The second switch TFT 상기 제4 노드에 접속된 소스전극, 상기 제1 노드에 접속된 드레인전극, 및 상기 제n-1 스캔펄스가 공급되는 스캔라인에 접속된 게이트전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치. And a gate electrode connected to a source electrode connected to the fourth node, a drain electrode connected to the first node, and a scan line supplied with the (n-1) th scan pulse. . 제 4 항에 있어서, 5. The method of claim 4, 상기 제3 스위치 TFT는 상기 제1 노드에 접속된 소스전극, 상기 데이터전압이 공급되는 데이터라인에 접속된 드레인전극, 및 상기 제n 스캔펄스가 공급되는 스캔라인에 접속된 게이트전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치. The third switch TFT includes a source electrode connected to the first node, a drain electrode connected to the data line to which the data voltage is supplied, and a gate electrode connected to the scan line to which the nth scan pulse is supplied Characterized in that the organic light emitting diode display device. 제 5 항에 있어서, 6. The method of claim 5, 상기 제4 스위치 TFT는 상기 제3 노드에 접속된 소스전극, 상기 제1 노드에 접속된 드레인전극, 및 상기 제n 발광제어펄스가 공급되는 스캔라인에 접속된 게이트전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치. And the fourth switch TFT includes a source electrode connected to the third node, a drain electrode connected to the first node, and a gate electrode connected to the scan line to which the nth emission control pulse is supplied Organic light emitting diode display. 제 6 항에 있어서, The method according to claim 6, 상기 제5 스위치 TFT는 상기 제3 노드에 접속된 소스전극, 상기 제1 노드에 접속된 드레인전극, 및 상기 제n-1 스캔펄스가 공급되는 스캔라인에 접속된 게이트전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치. And the fifth switch TFT includes a source electrode connected to the third node, a drain electrode connected to the first node, and a gate electrode connected to the scan line to which the (n-1) th scan pulse is supplied The organic light emitting diode display device.
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