KR101582956B1 - 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법 - Google Patents
반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101582956B1 KR101582956B1 KR1020130166579A KR20130166579A KR101582956B1 KR 101582956 B1 KR101582956 B1 KR 101582956B1 KR 1020130166579 A KR1020130166579 A KR 1020130166579A KR 20130166579 A KR20130166579 A KR 20130166579A KR 101582956 B1 KR101582956 B1 KR 101582956B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive
- conductive pattern
- insulating
- insulating sheet
- side surfaces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 80
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 63
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 40
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 14
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓의 사시도이고,
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선에 따른 단면도이고,
도 4는 및 도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓의 제조 과정을 설명하기 위한 도면이고,
도 9 내지 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 소켓을 설명하기 위한 도면이다.
120 : 절연성 시트 130,130a : 상부 도전 패턴
140,140a : 하부 도전 패턴 131,141 : 베이스 도전층
132,142 : 니켈 도금층 133,143 : 금 도금층
134,164 : 상부 요철부 144,174 : 하부 요철부
150 : 도전 와이어 160 : 상부 도전핀
170 : 하부 도전핀
Claims (16)
- 탄성을 갖는 절연성 본체와;
상기 절연성 본체의 내부에 가로 방향으로 상호 대향하게 이격되어 배열되는 복수의 절연성 시트와;
각각의 상기 절연성 시트의 상부 가장자리에 깊이 방향을 따라 상호 이격되어 형성되되, 상부 표면이 상기 절연성 본체의 상부 표면의 외부로 노출되는 복수의 상부 도전 패턴과;
각각의 상기 절연성 시트의 하부 가장자리 영역에 깊이 방향을 따라 상호 이격되어 형성되되, 하부 표면이 상기 절연성 본체의 하부 표면의 외부로 노출되는 복수의 하부 도전 패턴과;
상호 대응하는 위치의 상기 상부 도전 패턴과 상기 하부 도전 패턴이 전기적으로 연결되도록 일측이 상기 상부 도전 패턴에 연결되고 타측이 상기 하부 도전 패턴에 연결되는 도전 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
- 탄성을 갖는 절연성 본체와;
상기 절연성 본체의 내부에 가로 방향으로 상호 대향하게 이격되어 배열되는 복수의 절연성 시트와;
각각의 상기 절연성 시트의 상부 가장자리 영역에 깊이 방향을 따라 상호 이격되어 형성되는 복수의 상부 도전 패턴과;
각각의 상기 절연성 시트의 하부 가장자리 영역에 깊이 방향을 따라 상호 이격되어 형성되는 복수의 하부 도전 패턴과;
하부 영역이 상기 상부 도전 패턴의 가로 방향으로의 일측 표면에 전기적으로 접촉되고, 상부 영역이 상기 절연성 본체의 상부 표면의 상부로 노출되는 상부 도전핀과;
상부 영역이 상기 하부 도전 패턴의 가로 방향으로의 일측 표면에 전기적으로 접촉되고, 하부 영역이 상기 절연성 본체의 하부 표면의 하부로 노출되는 하부 도전핀과;
상호 대응하는 위치의 상기 상부 도전 패턴과 상기 하부 도전 패턴이 전기적으로 연결되도록 일측이 상기 상부 도전 패턴에 연결되고 타측이 상기 하부 도전 패턴에 연결되는 도전 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
- 제2항에 있어서,
상기 상부 도전핀의 상부 표면에는 상부 요철부가 형성되고;
상기 하부 도전핀의 하부 표면에는 하부 요철부가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 절연성 시트는 PI 필름 형태로 마련되고;
상기 복수의 상부 도전 패턴과 상기 복수의 하부 도전 패턴은 상기 PI 필름의 양측 표면에 형성된 도전층이 형성된 인쇄회로기판의 상기 도전층의 패터닝을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
- 제4항에 있어서,
상기 복수의 상부 도전 패턴과 상기 복수의 하부 도전 패턴은
상기 도전층의 패터닝을 통해 형성되는 베이스 도전층과,
상기 도전층에 순차적으로 도금된 니켈 도금층 및 금 도금층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
- 제5항에 있어서,
상기 절연성 시트는 PI 필름 형태로 마련되고;
상기 복수의 상부 도전 패턴과 상기 복수의 하부 도전 패턴은 상기 PI 필름의 양측 표면에 도전층이 형성된 인쇄회로기판의 도전층의 패터닝을 통해 형성되고;
각각의 상기 상부 도전 패턴의 상부 표면에는 표면이 거친 상부 요철부가 형성되고;
각각의 상기 하부 도전 패턴의 하부 표면에는 표면이 거친 하부 요철부가 형성되며;
상기 상부 요철부 및 상기 하부 요철부의 형상은 상기 니켈 도금층의 에칭을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 도전 와이어는 상기 절연성 본체의 내부에서 휘어진 형상을 갖도록 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
각각의 상기 절연성 시트는
상기 상부 도전 패턴과 상기 하부 도전 패턴 사이가 상기 깊이 방향으로 절취된 종방향 절취부가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 절연성 시트의 상부의 상기 복수의 상부 도전 패턴 사이에는 상기 절연성 시트의 상부 단부로부터 하부로 절취된 상부 절취부가 형성되고;
상기 절연성 시트의 하부의 상기 복수의 상기 하부 도전 패턴 사이에는 상기 절연성 시트의 하부 단부로부터 상부로 절취된 하부 절취부가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 절연성 시트의 판면에는 상기 가로 방향으로 타공된 복수의 타공부가 형성되며;
상기 복수의 타공부를 통해 상기 절연성 시트의 상기 가로 방향 양측의 상기 절연성 본체가 상호 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓.
- 반도체 테스트 소켓의 제조 방법에 있어서,
(a) 복수의 절연성 시트를 마련하는 단계;
(b) 각각의 상기 절연성 시트의 상부 양측 표면에 각각 깊이 방향을 따라 상호 이격된 복수의 상부 도전 패턴을, 하부 양측 표면에 각각 상기 깊이 방향을 따라 상호 이격된 복수의 하부 도전 패턴을 형성하는 단계와 - 상기 절연성 시트의 양측 표면에 형성된 상호 대응하는 위치의 한 쌍의 상기 상부 도전 패턴은 전기적으로 연결되고, 상기 절연성 시트의 양측 표면에 형성된 상호 대응하는 위치의 한 쌍의 상기 하부 도전 패턴은 전기적으로 연결됨;
(c) 상호 대응하는 위치의 상기 상부 도전 패턴과 상기 하부 도전 패턴이 전기적으로 연결되도록 도전 와이어의 일측을 상기 상부 도전 패턴에 연결하고, 상기 도전 와이어의 타측을 상기 하부 도전 패턴에 연결하는 단계와;
(d) 하나의 상기 절연성 시트의 가로 방향으로의 양측에 절연 재질을 부착하여 단위 본체를 형성하되, 상기 상부 도전 패턴의 상부 표면이 상기 단위 본체의 상부 표면의 상부로 노출되고, 상기 하부 도전 패턴의 하부 표면이 상기 단위 본체의 하부 표면의 하부로 노출되도록 형성하는 단계와;
(e) 복수의 상기 단위 본체를 상기 가로 방향으로 순차적으로 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조 방법.
- 제11항에 있어서,
상기 절연성 시트는 양측 표면에 도전층이 형성된 PI 필름 형태로 마련되며;
상기 (b) 단계는
(b1) 상기 PI 필름의 양측 표면에 도전층이 형성된 인쇄회로기판의 상기 도전층을 패터닝 처리하여, 상기 상부 도전 패턴 및 상기 하부 도전 패턴에 대응하는 베이스 도전층을 형성하는 단계와,
(b2) 상기 베이스 도전층에 니켈 도금하여 니켈 도금층을 형성하는 단계와,
(b3) 상기 니켈 도금층에 금 도금하여 금 도금층을 형성하여, 상기 상부 도전 패턴 및 상기 하부 도전 패턴을 형성하는 단계를 포함하며;
상기 절연성 시트의 양측 표면에 형성된 상호 대응하는 위치의 한 쌍의 상기 상부 도전 패턴은 상기 니켈 도금층 및 상기 금 도금층에 의해 상호 전기적으로 연결되고,
상기 절연성 시트의 양측 표면에 형성된 상호 대응하는 위치의 한 쌍의 상기 하부 도전 패턴은 상기 니켈 도금층 및 상기 금 도금층에 의해 상호 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.
- 제12항에 있어서,
상기 (b2) 단계와 상기 (b3) 단계 사이에서 상기 상부 도전 패턴의 니켈 도금층의 상부 표면과, 상기 하부 도전 패턴의 상기 니켈 도금층의 하부 표면을 에칭 처리하여 거친 표면을 형성하는 단계를 더 포함하며;
상기 거친 표면에 상기 금 도금층이 형성되어 상기 상부 도전 패턴의 상부 표면과 상기 하부 도전 패턴의 하부 표면에는 표면이 거친 요철부가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.
- 반도체 테스트 소켓의 제조 방법에 있어서,
(a) 복수의 절연성 시트를 마련하는 단계;
(b) 각각의 상기 절연성 시트의 상부 양측 표면에 각각 깊이 방향을 따라 상호 이격된 복수의 상부 도전 패턴을, 하부 양측 표면에 각각 상기 깊이 방향을 따라 상호 이격된 복수의 하부 도전 패턴을 형성하는 단계와 - 상기 절연성 시트의 양측 표면에 형성된 상호 대응하는 위치의 한 쌍의 상기 상부 도전 패턴은 전기적으로 연결되고, 상기 절연성 시트의 양측 표면에 형성된 상호 대응하는 위치의 한 쌍의 상기 하부 도전 패턴은 전기적으로 연결됨;
(c) 상호 대응하는 위치의 상기 상부 도전 패턴과 상기 하부 도전 패턴이 전기적으로 연결되도록 도전 와이어의 일측을 상기 상부 도전 패턴에 연결하고, 상기 도전 와이어의 타측을 상기 하부 도전 패턴에 연결하는 단계와;
(d) 각각의 상기 상부 도전 패턴의 가로 방향으로의 일측 표면에 상부 도전핀을 부착하는 단계와;
(e) 각각의 상기 하부 도전 패턴의 가로 방향으로의 일측 표면에 하부 도전핀을 부착하는 단계와;
(f) 하나의 상기 절연성 시트의 상기 가로 방향으로의 양측에 절연 재질을 부착하여 단위 본체를 형성하되, 상기 상부 도전핀의 상부 표면이 상기 단위 본체의 상부 표면의 상부로 노출되고, 상기 하부 도전핀의 하부 표면이 상기 단위 본체의 하부 표면의 하부로 노출되도록 형성하는 단계와;
(g) 복수의 상기 단위 본체를 상기 가로 방향으로 순차적으로 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조 방법.
- 제14항에 있어서,
상기 절연성 시트는 양측 표면에 도전층이 형성된 PI 필름 형태로 마련되며;
상기 (b) 단계는
(b1) 상기 PI 필름의 양측 표면의 도전층이 형성된 인쇄회로기판의 상기 도전층을 패터닝 처리하여, 상기 상부 도전 패턴 및 상기 하부 도전 패턴에 대응하는 베이스 도전층을 형성하는 단계와,
(b2) 상기 베이스 도전층에 니켈 도금하여 니켈 도금층을 형성하는 단계와,
(b3) 상기 니켈 도금층에 금 도금하여 금 도금층을 형성하여, 상기 상부 도전 패턴 및 상기 하부 도전 패턴을 형성하는 단계를 포함하며;
상기 절연성 시트의 양측 표면에 형성된 상호 대응하는 위치의 한 쌍의 상기 상부 도전 패턴은 상기 니켈 도금층 및 상기 금 도금층에 의해 상호 전기적으로 연결되고,
상기 절연성 시트의 양측 표면에 형성된 상호 대응하는 위치의 한 쌍의 상기 하부 도전 패턴은 상기 니켈 도금층 및 상기 금 도금층에 의해 상호 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.
- 제14항에 있어서,
상기 (b) 단계와 상기 (f) 단계 사이에서 각각의 상기 절연성 시트의 상기 상부 도전 패턴과 상기 하부 도전 패턴 사이를 상기 깊이 방향으로 절취하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 소켓의 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130166579A KR101582956B1 (ko) | 2013-12-30 | 2013-12-30 | 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130166579A KR101582956B1 (ko) | 2013-12-30 | 2013-12-30 | 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150077762A KR20150077762A (ko) | 2015-07-08 |
KR101582956B1 true KR101582956B1 (ko) | 2016-01-06 |
Family
ID=53790449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130166579A Active KR101582956B1 (ko) | 2013-12-30 | 2013-12-30 | 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101582956B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017126782A1 (ko) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 주식회사 이노글로벌 | 초정밀 가공 기술을 이용한 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓, 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈의 제조 방법 |
WO2018079982A1 (ko) * | 2016-10-28 | 2018-05-03 | 주식회사 이노글로벌 | 초정밀 가공 기술을 이용한 양방향 도전성 모듈의 제조방법 및 이를 이용한 양방향 도전성 테스트 모듈의 제조방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101721945B1 (ko) * | 2015-09-22 | 2017-04-04 | 주식회사 이노글로벌 | 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법 |
KR101728399B1 (ko) * | 2015-10-08 | 2017-04-20 | 주식회사 이노글로벌 | 켈빈 테스트용 프로브, 켈빈 테스트용 프로브 모듈 및 그 제조방법 |
WO2018147511A1 (ko) * | 2017-02-09 | 2018-08-16 | 주식회사 이노글로벌 | 양방향 도전성 핀 및 양방향 도전성 패턴 모듈, 그리고 이를 이용한 양방향 도전성 소켓 |
KR101970695B1 (ko) * | 2017-03-10 | 2019-04-22 | 주식회사 이노글로벌 | 탄소 섬유를 이용한 양방향 도전성 핀 및 양방향 도전성 패턴 모듈 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006507512A (ja) | 2002-11-22 | 2006-03-02 | フィコム コーポレイション | 平板表示素子検査用プローブおよびその製造方法 |
KR100578695B1 (ko) | 2003-12-29 | 2006-05-12 | 주식회사 파이컴 | 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법 |
KR101162175B1 (ko) | 2011-05-06 | 2012-07-04 | 에이케이이노텍주식회사 | 반도체 테스트 소켓 |
KR101190174B1 (ko) | 2011-10-06 | 2012-10-12 | 에이케이이노텍주식회사 | 반도체 테스트 소켓 |
-
2013
- 2013-12-30 KR KR1020130166579A patent/KR101582956B1/ko active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006507512A (ja) | 2002-11-22 | 2006-03-02 | フィコム コーポレイション | 平板表示素子検査用プローブおよびその製造方法 |
KR100578695B1 (ko) | 2003-12-29 | 2006-05-12 | 주식회사 파이컴 | 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법 |
KR101162175B1 (ko) | 2011-05-06 | 2012-07-04 | 에이케이이노텍주식회사 | 반도체 테스트 소켓 |
KR101190174B1 (ko) | 2011-10-06 | 2012-10-12 | 에이케이이노텍주식회사 | 반도체 테스트 소켓 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017126782A1 (ko) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 주식회사 이노글로벌 | 초정밀 가공 기술을 이용한 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓, 반도체 테스트용 양방향 도전성 패턴 모듈의 제조 방법 |
WO2018079982A1 (ko) * | 2016-10-28 | 2018-05-03 | 주식회사 이노글로벌 | 초정밀 가공 기술을 이용한 양방향 도전성 모듈의 제조방법 및 이를 이용한 양방향 도전성 테스트 모듈의 제조방법 |
KR20180046932A (ko) * | 2016-10-28 | 2018-05-10 | 주식회사 이노글로벌 | 초정밀 가공 기술을 이용한 양방향 도전성 모듈의 제조방법 및 이를 이용한 양방향 도전성 테스트 모듈의 제조방법 |
KR101884745B1 (ko) * | 2016-10-28 | 2018-08-03 | 주식회사 이노글로벌 | 초정밀 가공 기술을 이용한 양방향 도전성 모듈의 제조방법 및 이를 이용한 양방향 도전성 테스트 모듈의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150077762A (ko) | 2015-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101489186B1 (ko) | 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법 | |
KR101582956B1 (ko) | 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법 | |
KR101517409B1 (ko) | 반도체 테스트 소켓 및 그 제조 방법 | |
KR101566173B1 (ko) | 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법 | |
KR101826663B1 (ko) | 반도체 디바이스 테스트용 양방향 도전성 소켓, 반도체 디바이스 테스트용 양방향 도전성 모듈 및 이의 제조방법 | |
KR101919881B1 (ko) | 양방향 도전성 패턴 모듈 | |
KR101462968B1 (ko) | 반도체 테스트 소켓 | |
KR101162175B1 (ko) | 반도체 테스트 소켓 | |
KR101556216B1 (ko) | 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법 | |
KR101694768B1 (ko) | 반도체 테스트 소켓 및 그 제조 방법 | |
KR101745884B1 (ko) | 초정밀 레이저를 활용한 소켓 및 그 제조방법 | |
KR101339124B1 (ko) | 반도체 테스트 소켓 및 그 제조 방법 | |
KR101311752B1 (ko) | 반도체 테스트용 콘텍터 및 그 제조방법 | |
EP3364194B1 (en) | Kelvin test probe, kelvin test probe module, and manufacturing method therefor | |
KR101190174B1 (ko) | 반도체 테스트 소켓 | |
KR101391799B1 (ko) | 반도체 테스트용 도전성 콘택터 | |
KR101726399B1 (ko) | 바텀 메탈 플레이트 범프를 포함하는 테스트 소켓 및 그 제조 방법 | |
KR101747652B1 (ko) | 양방향 도전성 시트 및 이를 이용한 반도체 테스트 소켓, 양방향 도전성 시트의 제조방법 | |
KR101846303B1 (ko) | 양방향 도전성 모듈, 반도체 테스트 소켓, 그리고 그 제조방법 | |
KR20160124347A (ko) | 고주파 디바이스 테스트용 양방향 도전성 소켓, 고주파 디바이스 테스트용 양방향 도전성 모듈 및 이의 제조방법 | |
JP2001332321A (ja) | 電気コネクタ及びその製造方法 | |
KR101721945B1 (ko) | 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법 | |
KR101729538B1 (ko) | 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법 | |
KR102773953B1 (ko) | 전자 디바이스 테스트용 소켓 | |
US20090040704A1 (en) | Printed circuit board, method of fabricating the same, and electronic apparatus employing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20131230 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 20141114 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20141229 Patent event code: PE09021S01D |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Final Notice of Reason for Refusal Patent event date: 20150717 Patent event code: PE09021S02D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20150930 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20151230 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20151230 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20201210 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20211230 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20221025 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240927 Start annual number: 10 End annual number: 10 |