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KR101582175B1 - Manufacturing device and method of shadow mask using Laser patterning - Google Patents

Manufacturing device and method of shadow mask using Laser patterning Download PDF

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KR101582175B1
KR101582175B1 KR1020150036810A KR20150036810A KR101582175B1 KR 101582175 B1 KR101582175 B1 KR 101582175B1 KR 1020150036810 A KR1020150036810 A KR 1020150036810A KR 20150036810 A KR20150036810 A KR 20150036810A KR 101582175 B1 KR101582175 B1 KR 101582175B1
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KR
South Korea
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laser beam
masking
pattern
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mask
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KR1020150036810A
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Korean (ko)
Inventor
박종갑
김도훈
김범상
Original Assignee
에이피시스템 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명에 따른 섀도우 마스크의 제조 장치 및 방법은 베이스 상측에 제조하고자 하는 마스크 패턴과 대응하는 마스킹 패턴이 마련된 마스킹부를 위치시키는 과정 및 마스킹부 상측에서 레이저빔을 조사하여, 상기 마스킹부를 통과한 레이저빔으로 상기 베이스를 가공함으로써, 상기 베이스에 상기 마스킹 패턴과 대응하는 마스크 패턴을 마련하는 과정을 포함하고, 마스킹 패턴은 서로 다른 폭을 가지도록 복수개로 마련되며, 상기 베이스가 위치한 방향으로 갈수록 폭이 좁은 마스킹 패턴이 위치하도록 마련되어, 상기 마스킹부 상측에서 조사된 레이저빔이 상기 복수의 마스킹 패턴을 단계적으로 거치도록 하여 상기 베이스 상에 조사한다. 또한 위상 쉬프터 마스크와 슬릿 마스크를 이용하여 패턴 주변의 강도를 점진적으로 조절, 증착 마스크에서 요구하는 테이퍼 형태의 가공이 가능하게 할 수 있다.
본 발명의 실시 형태들에 의하면, 레이저빔을 마스크 패터닝 방법으로 조사하여 베이스 상에 패턴을 직접 가공하는 방법으로 섀도우 마스크를 제조함에 따라, 포토리소그라피 공정을 통해 제조하는 종래의 방법에 비해, 미세 패턴의 가공으로 고해상도 디스플레이 제작이 가능하고 또 그 제조 절차를 단순화할 수 있어 섀도우 마스크 제조 시간을 단축할 수 있으며, 레이저와 갈바노 스캐너를 이용하는 방법에 비해서는 좁은 영역에서의 많은 레이저 조사에 따른 열 누적 효과, 스캐너의 스캔 영역 내에서 발생하는 패턴의 위치 에러와 온도 민감성에 따른 패턴 위치의 부정확성 현상 등을 방지할 수 있다.An apparatus and method for fabricating a shadow mask according to the present invention includes the steps of positioning a masking unit provided with a masking pattern corresponding to a mask pattern to be manufactured on a base and irradiating a laser beam at an upper side of the masking unit, And providing a mask pattern corresponding to the masking pattern on the base by machining the base, wherein the masking patterns are provided in a plurality of different widths, and the width of the masking pattern And a laser beam irradiated from above the masking portion is irradiated onto the base so that the plurality of masking patterns pass step by step. The phase shifter mask and the slit mask can be used to gradually adjust the intensity around the pattern to enable the tapered shape required in the deposition mask.
According to the embodiments of the present invention, the shadow mask is manufactured by directly irradiating the laser beam onto the base by irradiating the laser beam with the mask patterning method. Therefore, compared with the conventional method of manufacturing through the photolithography process, It is possible to manufacture a high-resolution display and to simplify the manufacturing process, thereby shortening the time required for manufacturing a shadow mask. In comparison with the method using a laser and a galvanometer scanner, the thermal accumulation The position error of the pattern occurring in the scan area of the scanner and the inaccurate phenomenon of the pattern position due to the temperature sensitivity can be prevented.

Description

레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치 및 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 방법{Manufacturing device and method of shadow mask using Laser patterning}[0001] The present invention relates to an apparatus for manufacturing a shadow mask using laser patterning and a method for manufacturing a shadow mask using laser patterning,

본 발명은 섀도우 마스크의 제조 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 미세 패턴의 형성이 용이하고, 제조 공정이 단순한 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치 및 레이저 패터닝을 이용한 FMM 마스크 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for manufacturing a shadow mask, and more particularly, to an apparatus and method for manufacturing a shadow mask using laser patterning, in which fine patterns can be easily formed and a manufacturing process is simple, and an FMM mask manufacturing method using laser patterning .

액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display), 유기발광전계표시장치(OLED; Organic Light Emitting Device)와 같은 평판표시장치의 고해상도의 품질이 요구됨에 따라, 상기 평판표시장치의 제조에 필요한 패턴이 미세화되고 있다.A high resolution quality of a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting display (OLED) is required, so that a pattern necessary for manufacturing the flat panel display is miniaturized have.

예컨대, 유기발광전계표시장치(OLED)를 제조하기 위해서는 R(Red), G(Green), B(blue) 각각의 유기 발광층의 패턴을 형성해야 하며, 패턴 형성을 위해서는 상기 R, G, B 패턴과 대응하는 사각, 마름모 등의 미세 패턴을 가지는 섀도우 마스크를 이용하여 증착함으로써 형성한다. 즉, 증착용 섀도우 마스크의 패턴을 통해 R, G, B 각각의 유기 발광 재료를 통과시키면, 상기 패턴과 대응하는 형태로 증착되어 R, G, B 각각의 발광 물질이 형성된다.For example, in order to manufacture the organic light emitting display device OLED, it is necessary to form a pattern of the organic light emitting layer of each of R (Red), G (Green) and B (blue) By using a shadow mask having a fine pattern such as a square or a rhombus corresponding to the mask pattern. That is, when each of the R, G, and B organic emission materials is passed through the pattern of the deposition-wearing shadow mask, the R, G, and B light-emitting materials are deposited in a form corresponding to the pattern.

이러한 증착용 섀도우 마스크는 일반적으로 인바(invar)나 스테인레스 스틸과 같은 금속 재질의 마스크(FMM; Fine Metal Mask)가 주로 이용된다.Such shadow mask is typically made of a metal mask (FMM) such as invar or stainless steel.

한편, 이러한 섀도우 마스크를 제조하는 방법은 포토리소그라피 공정을 통해 제조한다. 즉, 먼저 금속 재질로 이루어진 베이스 기재 상면에 포토레지스트(PR)를 코팅하는 과정, 포토레지스트(PR)를 가열하는 과정(Pre-bake), 증착용 섀도우 마스크에 형성하고자 하는 패턴과 대응하는 패턴을 가지는 포토 마스크를 포토레지스트(PR)가 도포된 베이스 기재 상에 위치시킨 후, 노광시키는 과정, 노광 후에 현상(Develop) 및 가열(Post-bake)하는 과정, 습식 에칭(wet-etching) 과정, 잔류하는 포토레지스트를 제거하는 스트립(PR strip) 과정을 거친다.On the other hand, a method of manufacturing such a shadow mask is manufactured through a photolithography process. That is, a process of coating a photoresist (PR) on the top surface of a base material made of a metal material, a process of pre-bake the photoresist (PR), a process of forming a pattern corresponding to a pattern to be formed on the deposition mask A photomask having a photoresist PR is placed on a base substrate coated with a photoresist PR and then exposed and developed, developed and post-baked, wet-etched, A photoresist stripping process (PR strip process) is performed.

그런데, 전술한 바와 같이, UHD와 같은 고해상도 모바일의 유기발광전계표시장치(OLED)를 제조하기 위해서는 미세 패턴을 형성해야 하는데, 이를 위해서는 증착용 마스크의 패턴 또한 미세화되어야 하며, 가공된 패턴에 이상적으로 45도의 테이퍼 형태를 통해 방사형으로 증착되는 유기 물질이 패턴되어야 할 위치에 도달하기 전에 가파른 가공 구조로 인해 균일하게 도포가 되지 않는 이른바 섀도우 효과를 방지해야 한다.However, as described above, in order to manufacture a high-resolution mobile organic light emitting display device (OLED) such as a UHD, a fine pattern must be formed. For this purpose, the pattern of the evaporation mask must be miniaturized, The 45 degree tapered shape should prevent the so-called shadow effect, which is not uniformly applied due to the steep machining structure, before the radially deposited organic material reaches the position to be patterned.

예컨대 500 ppi의 고해상도 이상의 표시장치의 제조를 위해서는 30㎛ 이하의 미세 패턴을 형성해야 하며, 이에 따라 30㎛ 이하 미세 패턴을 가지는 증착용 FMM 섀도우 마스크를 제조해야 한다. 하지만, 상술한 과정을 거치는 포토리소그라피 방법은 등방성 에칭 진행이라는 습식 에칭의 근본적인 문제로 인해, 선형의 테이퍼 형태를 가진 30㎛ 이하 미세 패턴을 가공하기 어려운 문제가 있고, 이를 해결하기 위해 필름의 두께를 얇게 하고 패턴 형성 시에 전면과 후면에서 위에 기술한 습식 에칭을 반복 해야하는 단점이 있다.For example, in order to manufacture a display device having a high resolution of 500 ppi or higher, a fine pattern of 30 탆 or less must be formed, and thus an evaporation FMM shadow mask having a fine pattern of 30 탆 or less must be manufactured. However, in the photolithography method through the above-described process, there is a problem that it is difficult to process a fine pattern of 30 μm or less having a linear taper shape due to the fundamental problem of wet etching, ie, isotropic etching progress. To solve this problem, There is a disadvantage that the wet etching described above must be repeated on the front surface and the rear surface at the time of pattern formation.

현재 두께가 약 20㎛인 금속 필름을 베이스 기재로 사용하는데 얇은 섀도우 마스크의 두께로 인하여 컨트롤 또는 핸들링이 어려운 문제가 있고, 대면적 공정 시에는 마스크가 쳐지는 문제가 발생된다.A metal film having a thickness of about 20 mu m is used as a base substrate. However, since the thickness of the thin shadow mask is difficult to control or handle, there is a problem that the mask is stuck in a large-area process.

한국공개특허 2013-0037482Korean Patent Publication No. 2013-0037482

본 발명은 레이저를 이용하여 여러 공정을 거치지 않고 베이스 상에 미세(fine) 패턴을 직접 가공하는 장치에 관한 것으로서, 요구되는 패턴의 크기와 간격에 따라 적절히 설계된 광학계와 마스크 프로젝션을 이용하여 섀도우 마스크의 제작이 가능한 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치의 제공을 그 목적으로 한다.The present invention relates to a device for directly processing a fine pattern on a base without using a laser, and it is an object of the present invention to provide an apparatus and a method for directly processing a fine pattern on a base by using an optical system and a mask projection suitably designed according to a required pattern size and spacing, And an object thereof is to provide an apparatus for manufacturing a shadow mask using laser patterning capable of being manufactured.

또한, 본 발명은 유기물 증착 등에 사용되는 섀도우 마스크에 필수 요소인 선형적 테이퍼를 포함하고, 습식 에칭법에서 구현하기 어려운 20㎛ 이하 미세 패턴의 형성이 용이하며, 제조 공정을 단순화시킨 레이저 패터닝 방법을 이용하는 섀도우 마스크의 제조 방법을 제공하여 10㎛ 급의 패턴이 필요한 모바일용 UHD 고해상도 AMOLED 등의 제작을 가능하게 한다.The present invention also provides a laser patterning method which includes a linear taper, which is essential for a shadow mask used for organic material deposition, and which is easy to form a fine pattern of 20 μm or less, which is difficult to realize in the wet etching method, It is possible to manufacture UHD high resolution AMOLED for mobile and the like requiring a pattern of 10 mu m class.

또한, 본 발명은 미세 패턴을 가지면서 실제 공정 적용 시에 작업 또는 컨트롤이 용이하고, 대면적 적용 시에 섀도우 마스크의 쳐짐 등을 보완하여 공정 안정성을 확보할 수 있게 하여, 보다 두꺼운 섀도우 마스크 필름의 사용이 가능하게 할 수 있는 섀도우 마스크의 제조 방법을 제공한다.In addition, the present invention enables easy operation or control when applying an actual process while having a fine pattern, and secures process stability by complementing the shadows of the shadow mask when a large area is applied. Thus, a thicker shadow mask film The present invention also provides a method of manufacturing a shadow mask that can be used.

상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은, 레이저 패터닝을 이용한 미세 마스크 패턴이 형성된 섀도우 마스크의 제조 장치에 있어서, 레이저빔을 공급하는 빔공급부와, 상기 빔공급부로부터 공급된 레이저빔의 위치와 크기를 조절하는 빔조절부와, 상기 레이저빔을 균일한 강도 분포를 가지는 복수의 레이저빔으로 분기하는 회절광학부와, 상기 분기된 레이저빔 각각이 1:1 대응되어 통과하도록 상기 마스크 패턴에 대응하는 마스킹 패턴이 형성되어 각 분기된 레이저빔의 가장자리를 섀도우하는 마스킹부와, 상기 마스킹부를 통과한 레이저빔들 간의 간격 및 패턴을 조절하는 줌렌즈부 및 상기 줌렌즈부를 통과한 레이저빔을 일정한 축소율을 가지도록 베이스 상에 전달하는 프로젝션부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치를 기술적 요지로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus for manufacturing a shadow mask having a fine mask pattern formed by laser patterning, the apparatus comprising: a beam supplier for supplying a laser beam; and a controller for controlling the position and size of the laser beam supplied from the beam supplier. A diffraction optical part for splitting the laser beam into a plurality of laser beams having a uniform intensity distribution; and a masking pattern corresponding to the mask pattern so that the divided laser beams pass one by one, A masking part for forming an edge of each branched laser beam, a zooming part for adjusting an interval and a pattern between the laser beams which have passed through the masking part, and a control part for controlling the laser beam passing through the zooming part, And a projection part for transferring the laser beam An apparatus for manufacturing a shadow mask is provided.

또한, 상기 빔공급부에서 공급되는 레이저빔은, 금속 가공을 위한 수십 펨토 초에서 수백 나노초 사이의 펄스 폭을 갖는 펄스 레이저빔인 것이 바람직하다.It is preferable that the laser beam supplied from the beam supplier is a pulse laser beam having a pulse width of several tens of femtoseconds to several hundreds of nanoseconds for metal processing.

또한, 상기 빔공급부는, 레이저와, 상기 레이저 출력단에 위치되며 레이저빔을 상기 빔조절부로 전달하는 복수개의 미러(mirror)로 이루어진 것이 바람직하다.The beam supply unit may include a laser and a plurality of mirrors disposed at the laser output end and transmitting the laser beam to the beam adjuster.

또한, 상기 빔조절부는, 레이저빔의 위치를 자동으로 보상하는 빔안정화모듈과, 레이저빔의 크기를 조절하는 빔익스팬더로 이루어진 것이 바람직하며, 상기 빔안정화모듈은, 레이저빔의 위치를 감지하는 센서와, 모터에 장착된 복수개의 미러로 구성되어, 레이저빔의 위치를 자동으로 보상하는 것이 바람직하다.Preferably, the beam adjusting unit comprises a beam stabilization module for automatically compensating the position of the laser beam, and a beam expander for adjusting the size of the laser beam. The beam stabilization module includes a sensor for detecting the position of the laser beam, And a plurality of mirrors mounted on the motor, so as to automatically compensate the position of the laser beam.

또한, 상기 회절광학부는, 빔조형기 및 빔스플릿터로 이루어진 회절광학소자(DOE)와, 분기된 레이저빔을 초점면인 상기 마스킹부에 전달하는 초점렌즈부로 이루어진 것이 바람직하며, 상기 회절광학소자(DOE)의 빔스플릿터에 의해 1~500개의 레이저빔으로 분기되며, 분기된 레이저빔 사이의 간격은 상기 회절광학소자로 만들어지는 패턴 크기의 0.1~50배인 것이 바람직하다.It is preferable that the diffractive optical unit comprises a diffractive optical element (DOE) composed of a beam projector and a beam splitter, and a focus lens unit for transmitting the branched laser beam to the masking unit as a focal plane, DOE) beam splitter, and the interval between the split laser beams is preferably 0.1 to 50 times the pattern size formed by the diffractive optical element.

여기에서, 상기 회절광학소자로 만들어지는 패턴의 크기는 베이스 상에서 만들어지는 마스크 패턴의 크기에 따라 상기 프로젝션부에 의한 1~50배의 광학축소비율로 결정되는 것이 바람직하다.Here, the size of the pattern made of the diffractive optical element is preferably determined by the optical reduction ratio of 1 to 50 times by the projection unit according to the size of the mask pattern formed on the base.

한편, 상기 줌렌즈부는, 줌 레인지(zoom range)는 +/- 70%인 것이 바람직하다.Meanwhile, it is preferable that the zoom range of the zoom lens unit is +/- 70%.

또한, 본 발명은 베이스 상측에 제조하고자 하는 마스크 패턴에 대응하는 마스킹 패턴이 마련된 마스킹부를 위치시키는 과정 및 상기 마스킹부 상측에서 레이저빔을 조사하여, 상기 마스킹부를 통과한 레이저빔으로 상기 베이스를 가공함으로써, 상기 베이스에 상기 마스킹 패턴과 대응하는 형태의 패턴을 구성하는 과정을 포함하고, 상기 마스킹 패턴은 서로 다른 폭을 가지도록 복수 개로 마련되며, 상기 베이스가 위치한 방향으로 갈수록 폭이 좁은 마스킹 패턴이 위치하도록 마련되어, 상기 마스킹부 상측에서 조사된 레이저빔이 상기 복수의 마스킹 패턴을 단계적으로 거치도록 하여 상기 베이스 상에 조사하는 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크의 제조 방법을 기술적 요지로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: positioning a masking portion having a masking pattern corresponding to a mask pattern to be fabricated on a base; irradiating a laser beam on the masking portion; processing the base with a laser beam passed through the masking portion And forming a pattern corresponding to the masking pattern on the base, wherein the masking patterns are provided in a plurality of different widths, and a masking pattern having a narrower width in a direction in which the base is located is positioned And irradiating the base with a laser beam irradiated from above the masking unit so that the plurality of masking patterns pass through the masking step in a stepwise manner.

여기에서, 상기 복수의 마스킹 패턴은 동심축을 가지도록 마련된 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the plurality of masking patterns are provided so as to have a concentric axis.

또한, 상기 마스킹부는 복수 개로 마련되며, 각 마스킹부에는 마스킹 패턴이 마련되고, 상기 마스킹 패턴은 상기 마스킹부의 일부 영역을 상하 방향으로 관통하도록 마련된 개구 형태이며, 상기 각 마스킹부에 마련된 상기 개구의 폭이 상이하고, 상기 마스킹부 상측에서 레이저빔을 조사하는 과정에 있어서, 상기 복수의 마스킹부 각각을 이용하여 상기 레이저빔을 조사하는 복수 번의 레이저빔 조사 과정을 포함하는 것이 바람직하다.The masking pattern is provided in each of the masking portions, and the masking pattern is an opening shape penetrating a partial region of the masking portion in a vertical direction. The width of the opening provided in each of the masking portions, And irradiating the laser beam using the plurality of masking portions in a process of irradiating the laser beam on the upper side of the masking portion.

여기에서, 상기 복수의 마스킹부 각각을 이용하여 상기 레이저빔을 조사하는 과정에 있어서, 상기 복수 번의 레이저빔 조사 단계 중, 마지막 레이저빔 조사 단계로 갈 수록, 폭이 좁은 개구 형태의 마스킹 패턴을 가지는 마스킹부를 이용하여 레이저빔을 조사하는 것이 바람직하다.Here, in the step of irradiating the laser beam using each of the plurality of masking portions, it is preferable that, in the plurality of laser beam irradiating steps, as the laser beam is irradiated to the last laser beam irradiation step, It is preferable to irradiate the laser beam with a masking portion.

또한, 상기 마스킹부는 서로 다른 폭을 가지며, 상기 레이저빔을 서로 다른 각도로 위상 쉬프트시킬 수 있는 복수의 마스킹 패턴을 가지는 위상 쉬프터 마스크(PSM)이며, 상기 마스킹부 상측에서 레이저빔을 조사하는 과정에 있어서, 상기 위상 쉬프트 마스크(PSM) 형태인 상기 마스킹부 상측에서 레이저빔을 조사하여, 상기 레이저빔을 각각에서 위상 쉬프트가 가능한 상기 각 마스킹 패턴을 거치도록 상기 베이스 상에 조사하는 것이 바람직하다.The masking unit may be a phase shifter mask (PSM) having a plurality of masking patterns having different widths and capable of phase-shifting the laser beam at different angles. In the process of irradiating the laser beam at the upper side of the masking unit It is preferable to irradiate a laser beam on the masking portion in the form of the phase shift mask (PSM), and irradiate the laser beam onto the base so as to pass the respective masking patterns capable of performing phase shift in each of the laser beams.

또한, 상기 마스킹부는 레이저빔이 투과 가능한 바디와, 각각이 상기 바디 상에서 폭 방향으로 이격되도록 형성된 복수의 차광막과, 복수의 차광막 사이의 이격 공간이면서 레이저빔이 투과가 가능한 복수의 투과 영역을 포함하는 슬릿(Slit) 마스크이며, 외각 방향에서 바디의 중심 방향으로 갈수록 차광막의 폭이 얇아지도록 형성되고, 외각 방향에서 바디의 중심 방향으로 갈수록 투과 영역의 폭이 넓어지도록 형성되며, 상기 마스킹부 상측에서 레이저빔을 조사하는 과정에 있어서, 상기 슬릿(Slit) 마스크 형태인 상기 마스킹부 상측에서 레이저빔을 조사하여, 상대적으로 폭이 넓은 투과 영역의 하측에 대응하는 베이스 영역에 조사된 레이저빔의 강도가, 상대적으로 폭이 좁은 투과 영역의 하측에 대응하는 베이스 영역에 조사된 레이저빔의 강도에 비해 세도록 조사하는 것이 바람직하다.The masking portion may include a body capable of transmitting a laser beam, a plurality of light shielding films formed so as to be spaced apart from each other in the width direction on the body, and a plurality of transmissive regions through which the laser beam can pass, A slit mask is formed such that the width of the light shielding film is reduced from the outer edge toward the center of the body and is made wider from the outer edge toward the center of the body so that the width of the transmissive area becomes wider. The intensity of the laser beam irradiated on the base region corresponding to the lower side of the relatively wide transmission region is lower than the intensity of the laser beam irradiated on the upper side of the masking region, The intensity of the laser beam irradiated on the base region corresponding to the lower side of the relatively narrow transmission region It is desirable to investigate it to three.

한편, 상기 마스킹부를 이용한 레이저빔의 조사 과정에 의해 상기 베이스 상에 하측으로 갈수록 내경이 좁아지는 마스크 패턴이 마련되는 것이 바람직하다.It is preferable that a mask pattern having an inner diameter narrower downward on the base is provided by irradiation of the laser beam using the masking unit.

또한, 상기 베이스를 수평 이동시켜 상기 베이스 전면에 상호 이격된 복수의 마스크 패턴을 형성하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to horizontally move the base to form a plurality of mask patterns spaced apart from each other on the entire surface of the base.

또한, 상기 베이스는 금속을 포함하는 것이 바람직하다.Further, it is preferable that the base includes a metal.

본 발명은 레이저를 이용하여 여러 공정을 거치지 않고 베이스 상에 미세(fine) 패턴을 직접 가공하는 장치에 관한 것으로서, 요구되는 패턴의 크기와 간격에 따라 적절히 설계된 광학계와 마스크 프로젝션을 이용하여 미세 패턴이 형성된 섀도우 마스크의 제작이 가능하도록 한 것이다.The present invention relates to an apparatus for directly processing a fine pattern on a base without using a laser, and it is an object of the present invention to provide an apparatus for directly processing a fine pattern on a base by using an optical system and a mask projection, So that the formed shadow mask can be manufactured.

또한, 명확한 이미지 패터닝을 하기 위해 마스킹부를 통해 엣지 샤프닝(edge sharpening)이 구현되도록 하고, 마스킹 패턴을 1:1로 통과한 레이저빔은 베이스 상에 각 패턴에 정해진 축소 비율로 대응되어 조사되도록 하여, 미세 패터닝이 가능하도록 한 것이다.In order to achieve clear image patterning, edge sharpening is implemented through a masking portion, and a laser beam having passed through a masking pattern at a ratio of 1: 1 is irradiated onto the base in correspondence with each pattern at a predetermined reduction ratio, So that fine patterning can be performed.

또한, 본 발명의 실시예들에 따른 섀도우 마스크의 제조 방법에 의하면, 레이저빔을 조사하여 베이스 상에 패턴을 가공하는 방법으로 섀도우 마스크를 제조함에 따라, 포토리소그라피 공정을 통해 제조하는 종래의 방법에 비해, 그 제조 절차를 단순화할 수 있다. 이에, 종래의 섀도우 마스크의 제조 방법에 비해 마스크 제조를 위한 시간을 절약할 수 있다.Further, according to the method of manufacturing a shadow mask according to the embodiments of the present invention, a shadow mask is manufactured by a method of processing a pattern on a base by irradiating a laser beam, so that a conventional method of manufacturing through a photolithography process The manufacturing procedure can be simplified. Thus, the time required for manufacturing the mask can be reduced as compared with the conventional shadow mask manufacturing method.

그리고 종래의 포토리소그라피 공정을 이용한 섀도우 마스크 제조시에는 포토레지스트를 도포하는 코팅기, 가열하는 히터, 노광기, 현상(develop)할 수 있는 수단, 에칭 수단, 스트립 수단 등 다양한 수단 및 장비들이 필요하다. 반면, 본 발명에 따른 섀도우 마스크의 제조 방법의 경우, 레이저빔을 조사할 수 있는 레이저 및 광학계와 마스크 프로젝션을 이용하여 섀도우 마스크를 제조할 수 있어, 종래에 비해 섀도우 마스크 제조를 위한 설비보다 간단해지며, 이에 따라 유지 보수를 위한 비용도 절약될 수 있는 효과가 있다.In manufacturing a shadow mask using a conventional photolithography process, various means and equipments such as a coater for applying a photoresist, a heater for heating, an exposure device, a means for developing, an etching means, and a strip means are required. On the other hand, in the case of the method of manufacturing a shadow mask according to the present invention, a shadow mask can be manufactured using a laser and an optical system capable of irradiating a laser beam and a mask projection, and is simpler than an apparatus for manufacturing a shadow mask Therefore, the maintenance cost can be saved.

또한, 환경적인 측면에서, 포토리소그라피 공정에서 불가피한 독성의 화학 물질의 사용, 폐기, 공기 및 수질 오염, 현장 작업자의 잠재적인 인체에의 영향 등을, 본 발명에서와 같이 레이저 직접 가공을 통해 전면적으로 배제할 수 있는 효과가 있다.In addition, from the environmental point of view, the use of toxic chemicals which are unavoidable in the photolithographic process, the disposal, the air and the water pollution, the potential human impact of the field worker, etc., There is an effect that can be excluded.

또한, 종래에는 선형 테이퍼 형성이 불가능한 등방 에칭성이라는 한계를 가진 포토리소그라피 공정을 통해 테이퍼 형태를 가진 미세 패턴을 가공해야 했기 때문에, 베이스의 두께를 20㎛ 정도로 얇게 할 수밖에 없었고, 이렇게 얇은 섀도우 마스크를 컨트롤 또는 핸들링 하기에는 매우 어려운 문제가 있었다. 하지만 본 발명에서는 포토리소그라피 공정이 아닌 레이저빔을 이용하여 베이스를 가공하여 패턴을 가공하므로, 섀도우 마스크의 두께를 종래에 비해 두껍게 할 수 있으며, 이에 따라 기판 상에 박막 패턴을 형성할 때, 섀도우 마스크의 컨트롤 또는 핸들링이 용이해지는 장점이 있고, 대면적에 적용할 경우 섀도우 마스크가 처지는 것을 최소화 또는 방지할 수 있다.In addition, conventionally, since a fine pattern having a tapered shape has to be processed through a photolithography process having a limit of isotropic etching which is impossible to form a linear taper, the thickness of the base has to be made as thin as about 20 탆 and the thinner shadow mask There was a very difficult problem to control or handle. However, in the present invention, since the pattern is processed by processing the base by using the laser beam instead of the photolithography process, the thickness of the shadow mask can be made thicker than the conventional one, and accordingly, when the thin film pattern is formed on the substrate, And it is possible to minimize or prevent sagging of the shadow mask when applied to a large area.

그리고, 마스킹부 없이 레이저만을 이용하여 베이스를 가공하여 섀도우 마스크를 제조하는 방법에 비해, 테이퍼 형상의 패턴을 간단한 방법으로 가공할 수 있고 갈바노 스캐너의 사용에 의한 위치 정확도 문제를 해결할 수 있다. 또한, 레이저빔을 조사하여 베이스와 반응 시 열을 최소화할 수 있는 나노초 또는 펨토초의 레이저를 사용할 수 있어, 열에 의한 섀도우 마스크의 불량 발생을 방지할 수 있다. 그리고, 회절 광학계를 포함하는 광 조사 장치를 이용함으로써, 베이스 상에 복수의 패턴을 동시에 형성할 수 있어, 제조 생산율을 향상시킬 수 있다.The tapered pattern can be processed by a simple method and the positional accuracy problem due to the use of the galvanometer scanner can be solved as compared with a method of manufacturing a shadow mask by processing a base using only a laser without a masking portion. In addition, a nanosecond or femtosecond laser capable of minimizing heat when irradiated with a laser beam can be used by irradiating the laser beam, thereby preventing defects in the shadow mask caused by heat. By using a light irradiation apparatus including a diffraction optical system, it is possible to form a plurality of patterns on a base at the same time, and the production rate can be improved.

도 1 - 본 발명의 실시예들에 따른 방법으로 제조되는 섀도우 마스크를 상측에서 바라면 평면도.
도 2 - 도 1에 대한 단면도.
도 3 - 본 발명에 따른 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치에 대한 모식도.
도 4 - 본 발명에 따른 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치에 있어서, 레이저빔의 형태를 나타낸 모식도.
도 5 - 본 발명의 제 1 실시예에 따른 방법으로 섀도우 마스크를 제조하는 방법을 순서적으로 나타낸 도.
도 6 - 본 발명의 제 1 실시예에 따른 방법에 의해 섀도우 마스크를 제조하기 위해 마련된 복수의 마스킹부를 설명하기 위한 도.
도 7 - 본 발명의 제 2 실시예에 따른 방법으로 섀도우 마스크를 제조하는 방법을 순서적으로 나타낸 도.
도 8 - 본 발명의 제 2 실시예에 따른 방법에 의해 섀도우 마스크를 제조하기 위해 마련된 마스킹부를 설명하기 위한 도.
도 9 - 본 발명의 제 3 실시예에 따른 방법으로 섀도우 마스크를 제조하는 방법을 순서적으로 나타낸 도.
도 10 - 본 발명의 제 3 실시예에 따른 방법에 의해 섀도우 마스크를 제조하기 위해 마련된 마스킹부를 설명하기 위한 도.FIG. 1 is a plan view of a shadow mask manufactured by a method according to embodiments of the present invention, when viewed from above. FIG.
2 is a cross-sectional view of Fig. 1; Fig.
FIG. 3 is a schematic view of an apparatus for manufacturing a shadow mask using laser patterning according to the present invention. FIG.
4 is a schematic view showing the shape of a laser beam in an apparatus for manufacturing a shadow mask using laser patterning according to the present invention.
Figure 5 is a sequence diagram illustrating a method of manufacturing a shadow mask according to a method according to a first embodiment of the present invention;
6 is a view for explaining a plurality of masking portions provided for manufacturing a shadow mask by the method according to the first embodiment of the present invention;
Fig. 7 is a sequence diagram illustrating a method of manufacturing a shadow mask according to a second embodiment of the present invention; Fig.
8 is a view for explaining a masking portion provided for manufacturing a shadow mask by the method according to the second embodiment of the present invention;
FIG. 9 is a sequence diagram illustrating a method of manufacturing a shadow mask according to a method according to a third embodiment of the present invention; FIG.
10 is a view for explaining a masking portion provided for manufacturing a shadow mask by the method according to the third embodiment of the present invention;

본 발명은 레이저를 이용하여 여러 공정을 거치지 않고 베이스 상에 픽셀 형태의 패턴을 직접 가공하는 장치에 관한 것으로서, 요구되는 패턴의 크기와 간격에 따라 적절히 설계된 광학계와 마스크 프로젝션을 이용하여 섀도우 마스크의 제작이 가능한 레이저 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for directly processing a pixel-shaped pattern on a base without using a laser, and more particularly, to an apparatus and method for manufacturing a shadow mask using an optical system and a mask projection suitably designed according to a required pattern size and spacing. And more particularly to a laser device capable of achieving this.

또한, 본 발명은 레이저를 이용하여 베이스 상에 미세 마스크 패턴을 가공하여 섀도우 마스크를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 포토리소그라피 공정을 통해 제조하는 종래의 방법에 비해, 그 제조 절차를 단순화할 수 있다. 이에, 종래의 마스크의 제조 방법에 비해 섀도우 마스크 제조를 위한 시간을 절약할 수 있다.
In addition, the present invention relates to a method of manufacturing a shadow mask by processing a fine mask pattern on a base using a laser, which can simplify the manufacturing procedure compared with the conventional method of manufacturing through a photolithography process. Thus, the time for manufacturing the shadow mask can be saved as compared with the conventional mask manufacturing method.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명하고자 한다. 도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 방법으로 제조되는 섀도우 마스크를 상측에서 바라면 평면도이고, 도 2는 도 1에 대한 단면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치에 대한 모식도이며, 도 4는 본 발명에 따른 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치에 있어서, 레이저빔의 형태를 나타낸 모식도이다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view of a shadow mask manufactured by a method according to an embodiment of the present invention as viewed from above, FIG. 2 is a sectional view of FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional view of a shadow mask using laser patterning according to the present invention FIG. 4 is a schematic view showing the shape of a laser beam in an apparatus for manufacturing a shadow mask using laser patterning according to the present invention. FIG.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 섀도우 마스크(100)는 증착 대상물(이하, 기판(S)) 상에 증착하고자 하는 원료가 통과 가능한 복수 개의 마스크 패턴(120)이 상호 이격 형성된 구조이다. 즉, 섀도우 마스크(100)는 베이스(110)와, 각각이 베이스(110)를 상하로 관통하도록 마련된 복수의 마스크 패턴(120)을 포함한다.1 and 2, a shadow mask 100 according to the present invention includes a plurality of mask patterns 120 through which a material to be deposited can pass, on an object to be deposited (hereinafter referred to as a substrate S) Lt; / RTI > That is, the shadow mask 100 includes a base 110 and a plurality of mask patterns 120, each of which is provided to penetrate the base 110 vertically.

여기서, 복수의 마스크 패턴(120) 각각의 형상과, 복수의 마스크 패턴(120)이 배치된 형상 또는 배치 구조(즉, 마스크의 패턴)는 증착 피처리물인 기판(S) 상에 증착하고자 하는 박막(10) 패턴과 대응하는 형상이다. 여기서 복수의 마스크 패턴(120) 각각은 상술한 바와 같이 증착 원료가 통과하는 영역이고, 상기 베이스(110)의 영역 중, 복수의 마스크 패턴(120)이 형성된 영역을 제외한 영역은 증착 원료가 통과하지 않는 차단 영역이다.Here, the shape of each of the plurality of mask patterns 120 and the shape or arrangement structure (that is, the pattern of the mask) in which the plurality of mask patterns 120 are arranged are formed on the substrate S, (10) pattern. Here, each of the plurality of mask patterns 120 is a region through which the deposition material passes, and a region of the base 110 except for the region where the plurality of mask patterns 120 are formed does not pass through the deposition material It is a blocking area.

즉, 상기 섀도우 마스크(100)는 원료가 통과하지 못하도록 차단하는 영역인 차단 영역과, 차단 영역 상에서 상호 이격 형성되며, 원료가 통과 가능한 복수의 마스크 패턴(120)로 이루어지며, 상술한 바와 같이, 복수의 마스크 패턴(120)이 배치된 형상 또는 배치 구조가 마스크의 패턴이다.
That is, the shadow mask 100 is formed of a plurality of mask patterns 120 spaced apart from each other on a blocking region, which is a region blocking the raw material from passing therethrough, and through which the raw material can pass, and as described above, The shape or arrangement structure in which the plurality of mask patterns 120 are arranged is the pattern of the mask.

이러한 마스크 패턴을 갖는 섀도우 마스크를 제조하기 위한 본 발명에 따른 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치는, 도 3에 도시된 바와 같이, 레이저 패터닝을 이용한 미세 마스크 패턴이 형성된 섀도우 마스크의 제조 장치에 있어서, 레이저빔을 공급하는 빔공급부(200)와, 상기 빔공급부(200)로부터 공급된 레이저빔의 위치와 크기를 조절하는 빔조절부(210)와, 상기 레이저빔을 균일한 강도 분포를 가지면서 복수의 레이저빔으로 분기하는 회절광학부(220)와, 상기 분기된 레이저빔 각각이 1:1 대응되어 통과하도록 상기 마스크 패턴에 대응하는 마스킹 패턴이 형성되어 각 분기된 레이저빔의 가장자리를 섀도우하는 마스킹부(230, 240, 250)와, 상기 마스킹부(230, 240, 250)를 통과한 레이저빔들 간의 간격 및 패턴을 조절하는 줌렌즈부(260) 및 상기 줌렌즈부(260)를 통과한 레이저빔을 일정한 축소율을 가지도록 베이스(110) 상에 전달하는 프로젝션부(270)로 크게 이루어진다.
The apparatus for manufacturing a shadow mask using laser patterning according to the present invention for manufacturing a shadow mask having such a mask pattern is characterized in that in the apparatus for producing a shadow mask in which a fine mask pattern using laser patterning is formed, A beam supplier 200 for supplying a laser beam, a beam controller 210 for adjusting the position and size of the laser beam supplied from the beam supplier 200, A masking pattern corresponding to the mask pattern is formed so that each of the branched laser beams passes in a one-to-one correspondence with each other, and the edge of each branched laser beam is shadowed A zoom lens unit 260 for adjusting an interval and a pattern between the laser beams having passed through the masking units 230, 240 and 250, And a projection unit 270 for transmitting the laser beam passed through the zoom lens unit 260 onto the base 110 so as to have a constant reduction ratio.

본 발명에 따른 빔공급부(200)는 레이저빔, 바람직하게는 금속으로 이루어진 베이스의 가공에 적합한 수십 펨토 초에서 수백 피코 초 사이의 펄스(초단파 펄스, ultrashort pulse) 폭을 갖는 펄스 레이저 빔을 공급하도록 하는 것이다.The beam supplier 200 according to the present invention is adapted to supply a pulsed laser beam having a pulse width of several tens of femtoseconds to several hundreds of picoseconds (ultrashort pulse) suitable for processing a laser beam, preferably a metal base .

또한, 상기 빔공급부(200)는 상기 펄스 폭의 레이저빔을 출력하는 레이저(201)와, 상기 레이저(201) 출력단에 위치되며 레이저빔을 빔조절부(210)로 전달하는 복수개의 미러(mirror)(202)로 구성된다.The beam supplier 200 includes a laser 201 for outputting a laser beam having the pulse width and a plurality of mirrors positioned at an output end of the laser 201 for transmitting the laser beam to the beam adjuster 210 ) ≪ / RTI >

예컨대, 상기 레이저(201)는 XeF, KrF, ArF, XeCl 등의 나노초 영역의 엑시머 레이저, 나노초를 가지는 고체 레이저, 피코초(picosecond) 수준의 펄스폭(pulse width)을 가지는 피코초 레이저 또는 펨토초(femtosecond) 수준의 펄스 폭을 가지는 펨토초 레이저를 사용할 수 있다. 또한 레이저의 파장은 레이저의 종류를 막론하고 적외선 영역에서 가시 광선 및 자외선 영역까지 모두 사용할 수 있다. 물론 레이저의 종류는 상술한 종류에 한정되지 않고, 제조하고자 하는 섀도우 마스크의 기본 재료가 되는 베이스에 패턴이 마련되도록 가공할 수 있는 다양한 종류의 레이저의 적용이 가능하다.
For example, the laser 201 may be an excimer laser of a nanosecond region such as XeF, KrF, ArF, or XeCl, a solid laser having a nanosecond, a picosecond laser having a pulse width of a picosecond level, a femtosecond laser having a femtosecond level pulse width can be used. The wavelength of the laser can be used from the infrared region to the visible region and the ultraviolet region regardless of the type of the laser. Of course, the types of lasers are not limited to the above-described types, and various types of lasers that can be processed so that patterns are formed on the base as a base material of a shadow mask to be manufactured can be applied.

그리고, 상기 빔조절부(210)는 상기 빔공급부(200)로부터 공급된 레이저빔의 위치와 크기를 조절하는 것이다. 즉, 레이저로부터 전달받은 레이저빔의 컨디셔닝, 예컨대 위치 보정과 광학계에 적합한 레이저빔의 크기로 조절하기 위한 것이다.The beam adjuster 210 adjusts the position and size of the laser beam supplied from the beam supplier 200. That is, it is intended to control the conditioning of the laser beam transmitted from the laser, for example, the position correction and the size of the laser beam suitable for the optical system.

구체적으로, 상기 빔조절부(210)는 레이저빔의 위치를 자동으로 보상하는 빔안정화모듈(beam stabilization module)(211)과, 레이저빔의 크기를 조절하는 빔익스팬더(beam expander)(212)로 이루어진다.Specifically, the beam controller 210 includes a beam stabilization module 211 for automatically compensating the position of the laser beam, and a beam expander 212 for adjusting the size of the laser beam .

상기 빔안정화모듈(211)은 레이저빔의 위치를 자동으로 보상해주는 기능을 하는 것으로서, 레이저빔의 위치 변화로 인해 성능에 크게 영향을 받는 후술할 회절광학부(220)의 회절광학소자(DOE)의 성능을 보완하기 위한 것이다.The beam stabilization module 211 functions to automatically compensate the position of the laser beam. The beam stabilization module 211 adjusts the position of the diffractive optical element (DOE) of the diffractive optical unit 220, which will be described later, In order to compensate for the performance of the system.

구체적으로는 상기 빔안정화모듈(211)은 레이저빔의 위치를 감지하는 센서와, 모터에 장착된 복수 개의 미러로 구성되어, 레이저빔의 위치를 자동으로 보상하게 된다. 즉, 레이저빔의 기준(reference) 위치에서 어긋날 경우 상기 미러의 자동 동작으로 레이저빔을 기준 위치로 이동시켜, 회절광학소자의 성능을 보완하도록 한다.Specifically, the beam stabilization module 211 comprises a sensor for detecting the position of the laser beam and a plurality of mirrors mounted on the motor, so that the position of the laser beam is automatically compensated. That is, when the reference position of the laser beam deviates, the laser beam is moved to the reference position by the automatic operation of the mirror to compensate the performance of the diffractive optical element.

그리고, 상기 빔익스팬더(212)는 레이저빔의 크기를 조절하는 것으로서, 구체적으로는 Galilean beam expander를 사용하여 레이저빔을 포커싱(focusing)시키지 않는 방식으로 레이저빔의 크기를 조절하게 되며, 두 개 이상의 렌즈를 이용하여 후술할 회절광학부(220)에 적합한 레이저빔의 크기로 조절하고자 하는 것이다. 또한, 상기 빔익스팬더(212)는 초단파 펄스 레이저에서 발생할 수 있는 포커싱 영역에서의 air break down을 방지하는 역할을 하게 된다.
The beam expander 212 adjusts the size of the laser beam. Specifically, the beam expander 212 adjusts the size of the laser beam in a manner that does not focus the laser beam using a Galilean beam expander. The size of the laser beam suitable for the diffractive optical unit 220 to be described later is adjusted by using a lens. In addition, the beam expander 212 serves to prevent air breakdown in the focusing area, which may occur in the microwave pulsed laser.

그리고, 상기 회절광학부(220)는 상술한 바와 같이 광학계에 맞추어 컨디셔닝된 가우시안 강도 형태의 레이저빔을 균일한 강도 분포를 가지는 복수의 레이저빔으로 분기하는 것으로서, 구체적으로는 빔조형기(beam shaper)(221) 및 빔스플릿터(beam splitter)(222)로 이루어진 회절광학소자(DOE)와, 분기된 레이저빔을 초점면인 상기 마스킹부(230, 240, 250)에 전달하는 초점렌즈부로 이루어진다.The diffraction optical unit 220 divides the laser beam of the Gaussian intensity type conditioned according to the optical system into a plurality of laser beams having a uniform intensity distribution, specifically, a beam shaper, A diffraction optical element DOE including a beam splitter 221 and a beam splitter 222 and a focus lens unit for transmitting the branched laser beam to the masking units 230,

상기 회절광학소자(DOE)는 빔조형(beam shaping)과 분기(splitting)의 두 기능이 동시에 구현되도록 하는 것으로서, 빔조형기(221)와 빔스플릿터(222)로 구성된다. 상기 빔조형기(221)는 통상 flat-top 형태의 균일한 빔 분포를 형성하도록 하며, 상기 빔스플릿터(222)에 의해 1~500개의 레이저빔으로 분기되고, 분기된 레이저빔 사이의 간격은 상기 회절광학소자로 만들어지는 패턴 크기의 0.1~50배가 바람직하다.The diffractive optical element DOE is configured to simultaneously implement two functions of beam shaping and splitting, and is composed of a beam former 221 and a beam splitter 222. The beam forming machine 221 forms a uniform beam distribution in a flat-top shape. The beam splitter 222 divides the laser beam into 1 to 500 laser beams, It is preferable that the size of the pattern made of the diffractive optical element is 0.1 to 50 times.

여기에서, 상기 회절광학소자로 만들어지는 패턴의 크기는 베이스(110) 상에서 만들어지는 마스크 패턴의 크기에 따라 상기 프로젝션부(270)에 의한 1~50배의 광학축소비율로 결정되게 된다. 예를 들어 베이스에서 20㎛의 마스크 패턴의 크기가 5배의 광학축소비율로 프로젝션부(270)가 구현된다면, 마스킹부(230, 240, 250)에서의 패턴의 크기는 100㎛가 되도록 회절광학소자를 구성한다.Here, the size of the pattern made of the diffractive optical element is determined by the optical reduction ratio of 1 to 50 times by the projection unit 270 according to the size of the mask pattern formed on the base 110. For example, if the projection portion 270 is implemented with an optical reduction ratio of 5 times the size of the mask pattern of 20 μm at the base, the size of the pattern at the masking portions 230, 240, Thereby constituting a device.

이러한 빔조형기(shaper)(221) 및 스플릿터(splitter)(228)에 의해, 조사되는 레이저빔이 복수개가 되므로, 동시에 복수의 패턴을 형성할 수 있어, 섀도우 마스크 제조 생산율이 향상되는 효과가 있다.Since a plurality of laser beams are irradiated by the beam shaper 221 and the splitter 228, a plurality of patterns can be formed at the same time, thereby improving the production rate of the shadow mask .

또한, 공정 시 고속 모션에, 온도에 민감하고, 스캔 필드의 왜곡, 대면적 공정에서 필드 이동 시에 필드 간의 스팃치(stitch) 에러를 발생할 수 있는 갈바노 스캐너의 사용을 배제하여 기판상에 패턴의 정확한 포지셔닝(positioning)이 가능한 장점이 있다.It is also possible to eliminate the use of a galvanometer scanner which is susceptible to high-speed motion in the process, temperature sensitive, distortion of the scan field, and stitching errors between the fields when moving the field in a large area process, It is possible to precisely position the light emitting diode.

그리고, 상기 회절광학소자에서 나오는 분기된 레이저빔은 상기 초점렌즈부를 통과하여 초점면인 상기 마스킹부(230, 240, 250)에 전달되어, 균일한 강도 분포의 레이저빔을 형성시키는 역할을 하는 것이다.
The branched laser beam emitted from the diffractive optical element passes through the focus lens unit and is transmitted to the masking units 230, 240 and 250 as focal surfaces to form a laser beam having a uniform intensity distribution .

그리고, 상기 마스킹부(230, 240, 250)는, 상기 회절광학소자에서 분기된 레이저빔 각각이 1:1 대응되어 통과하도록 상기 마스크 패턴에 대응하는 마스킹 패턴이 형성되어 각 분기된 레이저빔의 가장자리를 마스킹하여, 레이저빔의 엣지부가 명확한 이미지를 형성하도록 하는 것이다. 즉, 명확한 이미지로의 패터닝을 하기 위해 마스킹부(230, 240, 250)를 통해 엣지 샤프닝(edge sharpening)이 구현되어, 마스킹 패턴을 1:1로 통과한 레이저빔은 베이스 상에 각 패턴에 정해진 축소 비율로 대응되어 조사되도록 하여, 미세 패터닝이 가능하도록 한 것이다.A masking pattern corresponding to the mask pattern is formed in the masking portions 230, 240, and 250 so that the laser beams branched from the diffractive optical element 1 correspond to each other, So that the edge portion of the laser beam forms a clear image. That is, edge sharpening is implemented through the masking portions 230, 240 and 250 in order to perform patterning with a clear image, and a laser beam having passed through the masking pattern at a ratio of 1: So that the fine patterning can be performed.

이러한 마스킹부(230, 240, 250)는 레이저빔의 에너지에 따라 유리 또는 quartz 상에 크롬 코팅된 재질이나 메탈 마스크 또는 유전체 마스크 등을 사용할 수 있으며, 일반적으로 라인빔 등을 구성해 일정한 간격이 있는 마스킹 패턴으로 스크린 할 경우 패턴이 없는 부분에서의 손실을 피할 수 없는데 이 방법에 비해 패턴의 위치에만 빔을 보냄으로서 레이저 광효율성을 증대시킬 수 있다.The masking portions 230, 240, and 250 may be made of chrome-coated material, such as glass or quartz, or a metal mask or a dielectric mask, depending on the energy of the laser beam. Generally, In case of screening with a masking pattern, the loss in the non-patterned portion can not be avoided. In comparison with this method, the efficiency of the laser light can be increased by sending the beam only to the position of the pattern.

또한, 상기 마스킹부(230, 240, 250)는 마스킹 패턴이 서로 다른 폭을 가지도록 복수 개로 마련되며, 상기 베이스(110)가 위치한 방향으로 갈수록 폭이 좁은 마스킹 패턴이 위치하도록 마련되어, 레이저빔이 상기 복수의 마스킹 패턴을 단계적으로 거치도록 하며, 이에 대한 상세한 설명은 후술하도록 한다.
The masking portions 230, 240, and 250 may be formed in a plurality of masking patterns so that the masking patterns have different widths. A masking pattern having a narrower width may be positioned in the direction in which the base 110 is located. The plurality of masking patterns are stepped, and a detailed description thereof will be described later.

그리고, 상기 줌렌즈부(260)는 상기 마스킹부(230, 240, 250)를 통과한 레이저빔들 간의 간격 및 패턴을 조절하는 것으로서, 일반적으로 레이저빔의 패턴의 크기 조절을 위해서는 회절광학소자(DOE)와 마스킹부(230, 240, 250)의 크기를 바꾸어야 하나, 상기 줌렌즈부(260)에 의해 렌즈 사이의 간격을 조절하여 패턴의 형태와 그 간격을 조절할 수 있도록 한 것이다.The zoom lens unit 260 adjusts an interval and a pattern of the laser beams passing through the masking units 230, 240 and 250. Generally, in order to adjust the size of the pattern of the laser beam, And the size of the masking portions 230, 240 and 250 may be changed. However, the shape of the pattern and the interval between the lenses can be adjusted by adjusting the distance between the lenses by the zoom lens portion 260.

이러한 줌렌즈부(260)는 줌 레인지(range)가 +/-70% 정도가 되도록 하여, 레이저빔의 패턴의 크기를 마스크 패턴에 따라 조절할 수 있도록 한다.
The zoom lens unit 260 allows the zoom range to be about +/- 70% so that the size of the laser beam pattern can be adjusted according to the mask pattern.

그리고, 상기 프로젝션부(270)는 상기 줌렌즈부(260)를 통과한 레이저빔을 일정한 축소율을 가지도록 베이스(110) 상에 전달하는 하는 것으로서, 마스킹부(230, 240, 250)를 통과한 레이저빔의 이미지를 일정한 축소율을 가지고 기판의 이미지 면에 전달하는 역할을 하며, 이에 의해 형성된 패턴의 크기는 100nm에서 1000㎛ 정도가 된다.
The projection unit 270 transmits the laser beam having passed through the zoom lens unit 260 onto the base 110 so as to have a predetermined reduction ratio. The laser beam passing through the masking units 230, 240, And transmits the image of the beam to the image plane of the substrate with a constant reduction rate. The size of the pattern formed thereby is about 100 nm to 1000 μm.

이러한 본 발명에 따른 섀도우 마스크의 제조 장치에 의해 섀도우 마스크(100)를 제조하면, 도 2에 도시된 바와 같이, 섀도우 마스크(100)의 마스크 패턴(120)의 형상은 증착 대상물인 기판(S)이 위치한 방향으로 그 직경 또는 내경이 좁아지는 형상, 다시 말하면 마스크 패턴(120)의 횡단면의 형상이 예컨대, 사다리꼴의 형상이다. 다른 말로 설명하면, 마스크 패턴(120)을 둘러싸는 베이스(110)의 내벽면(111)은 소정의 경사(taper)를 가지며, 이때 내벽면(111)의 경사가 기판(S)이 위치한 방향으로 갈수록 내벽면(111) 사이의 이격 거리가 가까워지도록 또는 모아지도록 경사진 형상이다.As shown in FIG. 2, the shape of the mask pattern 120 of the shadow mask 100 is formed on the substrate S, which is an object to be deposited, when the shadow mask 100 is manufactured by the apparatus for manufacturing a shadow mask according to the present invention. The shape of the cross section of the mask pattern 120 is, for example, a trapezoidal shape. In other words, the inner wall surface 111 of the base 110 surrounding the mask pattern 120 has a predetermined taper. At this time, the inclination of the inner wall surface 111 is perpendicular to the direction in which the substrate S is located And is inclined so that the distance between the inner wall surfaces 111 becomes closer or closer to each other.

이렇게 섀도우 마스크(100)의 마스크 패턴(120)이 경사를 가지도록 하는 것은, 기판(S) 상에 박막(10)을 증착할 때, 박막(10)의 폭 방향으로 균일한 두께로 증착되도록 하기 위함이다. 예컨대, 섀도우 마스크(100)의 마스크 패턴(120)이 경사지지 않고, 기판(S) 상부면에 대해 수직인 형상인 경우, 상기 마스크 패턴(120)의 가장자리 영역에 대응하는 기판(S) 상부면의 영역에 증착된 박막의 두께가 다른 영역에 비해 얇은 현상인, 쉐도우(shadow) 현상이 발생된다. 다시 말하면, 박막 폭 방향에 있어서, 가장자리의 영역의 두께가 중앙 영역에 비해 얇아, 두께가 불균일한 쉐도우(shadow) 현상이 발생된다.The reason why the mask pattern 120 of the shadow mask 100 is inclined is that when the thin film 10 is deposited on the substrate S, the thin film 10 is deposited in a uniform thickness in the width direction of the thin film 10 It is for this reason. For example, when the mask pattern 120 of the shadow mask 100 is not inclined but perpendicular to the upper surface of the substrate S, the upper surface of the substrate S corresponding to the edge region of the mask pattern 120 A shadow phenomenon occurs in which the thickness of the thin film deposited in the region of the thin film is thin compared to other regions. In other words, in the thin film width direction, the thickness of the edge region is thinner than that of the central region, resulting in a shadow phenomenon in which the thickness is uneven.

따라서, 쉐도우(shadow) 현상 발생을 방지하여, 균일한 두께의 박막(10) 패턴을 형성하기 위해서는 증착 원료가 통과하는 마스크 패턴(120)이 경사를 가지는 형상으로 제조되어야 한다.Accordingly, in order to prevent the shadow phenomenon from occurring and to form the thin film 10 having a uniform thickness, the mask pattern 120 through which the deposition material passes should be formed in a shape having an inclination.

본 발명에서는 경사진 형상의 복수의 마스크 패턴을 가지는 섀도우 마스크를 제조하는데 있어서, 본 발명의 실시예에 따른 방법으로 도 2와 같이, 경사를 가지는 마스크 패턴(120)이 복수 개 마련된 패턴을 가지는 섀도우 마스크(100)를 제조하는 것이다.
In the present invention, in the production of a shadow mask having a plurality of mask patterns having an inclined shape, in the method according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2, a shadow having a pattern having a plurality of mask patterns 120 having inclination Thereby manufacturing the mask 100.

상기와 같은 본 발명에 따른 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치를 통과한 레이저빔의 형태를 도 4에 도시하였으며, 이는 도 3의 각 번호에 해당하는 부분에 대한 레이저빔의 형태를 정면에서 바라본 것이다.The shape of the laser beam passing through the apparatus for manufacturing a shadow mask using the laser patterning according to the present invention is shown in FIG. 4. The shape of the laser beam corresponding to each number in FIG. will be.

번호 ①은 빔공급부(200)의 레이저로부터 공급된 레이저빔이 빔조절부(210)의 빔익스패더를 통과한 경우의 레이저빔의 형태를 나타낸 것이고, 번호 ②는 회절광학부(220), 번호 ③은 상기 회절광학부(220)를 통과하여 분기된 레이저빔의 형태를 나타낸 것이고, 번호 ④는 마스킹부(230, 240, 250), 번호 ⑤는 마스킹부(230, 240, 250)를 통과한 레이저빔의 형태, 번호 ⑥은 줌렌즈부(260)를 통과한 레이저빔의 형태, 번호 ⑦은 프로젝션부(270)를 통과한 최종 레이저빔의 형태로 베이스 상에 조사되는 레이저빔의 형태에 해당된다.Numeral 1 denotes the shape of the laser beam when the laser beam supplied from the laser of the beam supplier 200 passes through the beam expander of the beam adjuster 210, 3 shows the shape of the laser beam that has passed through the diffraction optical part 220 and the number 4 is the masking parts 230, 240 and 250 and the number 5 is the laser beam passing through the masking parts 230, The shape of the laser beam, the number ⑥ corresponds to the shape of the laser beam passed through the zoom lens unit 260, and the number ⑦ corresponds to the shape of the laser beam irradiated on the base in the form of the final laser beam passing through the projection unit 270 .

여기에서, 번호 ② 회절광학부(220)를 통과하여 레이저빔이 분기되었으며, 분기된 레이저빔은 각각 1:1 대응되어 마스킹부(230, 240, 250)의 마스킹 패턴을 통과하고, 번호 ④의 마스킹부(230, 240, 250)를 통과한 번호 ⑤의 레이저빔의 형태는 상기 마스킹부(230, 240, 250)를 통과하면서 엣지 샤프닝(edge sharpening)이 구현되어, 미세 레이저 패터닝이 가능하도록 한 것이다. 또한, 번호 ⑥은 줌렌즈부(260)를 통과한 레이저빔의 형태에 해당되며, 줌렌즈부(260)에서는 렌즈 사이의 거리를 조절하여, 레이저빔 패턴의 크기나 간격을 조절할 수 있도록 한다.
Here, the laser beam passes through the No. 2 diffraction optical part 220 and the laser beam is split one by one to pass through the masking pattern of the masking parts 230, 240 and 250, The shape of the laser beam having the number 5 passed through the masking portions 230, 240 and 250 is passed through the masking portions 230, 240 and 250 to achieve edge sharpening so that fine laser patterning can be performed. will be. The number 6 corresponds to the shape of the laser beam passing through the zoom lens unit 260 and the zoom lens unit 260 adjusts the distance between the lenses to adjust the size and the interval of the laser beam pattern.

이하에서는 본 발명에 따른 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 방법에 대해 설명하고자 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a shadow mask using laser patterning according to the present invention will be described.

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 방법으로 섀도우 마스크를 제조하는 방법을 순서적으로 나타낸 도면으로, 편의상 줌렌즈부(260) 및 프로젝션부(270)는 생략하여 도시하였다. 도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 방법에 의해 섀도우 마스크를 제조하기 위해 마련된 복수의 마스킹부(230, 240, 250)를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a shadow mask according to an exemplary embodiment of the present invention. For the sake of convenience, the zoom lens unit 260 and the projection unit 270 are omitted. FIG. 6 is a view for explaining a plurality of masking portions 230, 240, and 250 provided for manufacturing a shadow mask by the method according to the first embodiment of the present invention.

제 1 실시예에 따른 섀도우 마스크의 제조 방법을 위한 섀도우 마스크의 마스킹 패턴은 마스킹부(230, 240, 250)를 상하 방향으로 관통하는 개구(231a, 231b, 231c) 형태이다. 즉, 제 1 실시예에서는 각각에 레이저빔(L)이 통과하는 개구(231a, 231b, 231c)를 가지고, 개구(231a, 213b, 231c)의 크기가 서로 상이한 복수의 마스킹부(230a, 230b, 230c)를 이용하여 레이저빔(L)을 투과시켜 베이스(110)를 가공함으로써, 경사를 가지는 마스크 패턴(120)이 마련된 섀도우 마스크(100)를 제조한다.The masking pattern of the shadow mask for the method of manufacturing the shadow mask according to the first embodiment is in the form of openings 231a, 231b, 231c penetrating the masking portions 230, 240, 250 in the vertical direction. That is, in the first embodiment, a plurality of masking portions 230a, 230b, and 231c having openings 231a, 231b, and 231c through which the laser beam L passes, 230c are used to transmit the laser beam L to fabricate the base 110 to manufacture the shadow mask 100 provided with the mask pattern 120 having the inclination.

먼저, 도 6을 참조하여, 복수의 마스킹부(230a, 230b, 230c)에 대해 설명한다. 마스킹부(230a, 230b, 230c)는 예컨대, 3개로 마련되며, 이하에서는 제 1 마스킹부(230a), 제 2 마스킹부(230b) 및 제 3 마스킹부(230c)로 설명한다.First, referring to FIG. 6, a plurality of masking portions 230a, 230b, and 230c will be described. The masking portions 230a, 230b and 230c are provided in three, for example, the first masking portion 230a, the second masking portion 230b and the third masking portion 230c.

여기서 제 1 마스킹부(230a)는 가장 먼저 레이저빔(L) 조사를 위해 사용되는 것으로, 3개의 마스킹부 중 개구(이하 제 1 개구(231a))의 면적이 가장 크다. 제 2 마스킹부(230b)는 제 1 마스킹부(230a) 다음으로 사용되는 것으로, 제 1 마스킹부(230a)의 제 1 개구(231a)에 비해 작은 면적의 개구(이하, 제 2 개구)를 가진다.Here, the first masking portion 230a is first used for irradiating the laser beam L, and the area of the opening (hereinafter referred to as the first opening 231a) of the three masking portions is largest. The second masking portion 230b is used next to the first masking portion 230a and has an opening with a smaller area than the first opening 231a of the first masking portion 230a .

또한, 제 3 마스킹부(230c)는 마지막으로 사용되는 것으로, 제 2 마스킹부(230b)의 제 2 개구(231b)에 비해 작은 면적의 개구(이하, 제 3 개구(231c))를 가진다. 그리고 제 1 내지 제 3 마스킹부(230a, 230b, 230c) 각각에 마련된 제 1 내지 제 3 개구(231a, 231b, 231c)는 동심축을 가지도록 마련된다.The third masking portion 230c is finally used and has an opening with a smaller area than the second opening 231b of the second masking portion 230b (hereinafter referred to as a third opening 231c). The first through third openings 231a, 231b, and 231c provided in the first through third masking portions 230a through 230c are provided to have a concentric axis.

또한, 제 1 내지 제 3 개구(231a, 231b, 231c)의 면적은 회절광학부(220)를 통과하는 레이저빔(L)의 면적에 비해 작다. 이때 레이저빔(L)은 항상 동일한 면적으로 조사될 수 있는데, 그 면적이 제 1 개구(231a)에 비해 크다.The areas of the first to third openings 231a, 231b, and 231c are smaller than the area of the laser beam L passing through the diffractive optical unit 220. [ At this time, the laser beam L can always be irradiated with the same area, and its area is larger than that of the first opening 231a.

이에, 상기 회절광학부(220)를 통과한 레이저빔(L)의 면적은 제 1 내지 제 3 개구(231a, 231b, 231c)의 면적에 비해 크다. 따라서, 회절광학부(220)로부터 조사되는 레이저빔(L) 중, 제 1 내지 제 3 개구(231a, 231b, 231c)를 통과하는 레이저빔(L)은 줌렌즈부(260) 및 프로젝션부(270)를 통과하여 베이스(110) 상에 조사되고, 상기 제 1 내지 제 3 개구(231a, 231b, 231c) 외측 영역을 향하는 레이저빔(L)은 그 이동이 차폐 또는 차광되어 베이스(110)로 조사되지 못한다. 여기에서 필요에 의해 섀도우 마스크 상에 형성되는 마스크 패턴의 크기에 따라 상기 줌렌즈부(260)를 이루는 렌즈들 사이의 간격을 조절하여 레이저빔 간의 간격 및 패턴을 조절하여 베이스(110)에 조사할 수 있다.Thus, the area of the laser beam L that has passed through the diffraction optical part 220 is larger than the area of the first to third openings 231a, 231b, and 231c. The laser beam L passing through the first through third openings 231a, 231b and 231c out of the laser beam L irradiated from the diffraction optical section 220 passes through the zoom lens section 260 and the projection section 270 And the laser beam L directed toward the outer regions of the first through third openings 231a, 231b and 231c is shielded or shielded from movement and irradiated onto the base 110 It does not. Herein, the distance between the lenses constituting the zoom lens unit 260 may be adjusted according to the size of the mask pattern formed on the shadow mask, if necessary, to adjust the interval and the pattern of the laser beams to irradiate the base 110 have.

상기에서는 3개의 마스킹부(230a, 230b, 230c)를 사용하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 2개 또는 4개 이상의 마스킹부를 사용할 수도 있다.Although three masking portions 230a, 230b, and 230c are used in the above description, the present invention is not limited thereto, and two or four or more masking portions may be used.

또한, 제 1 내지 제 3 마스킹부(230a, 230b, 230c)는 크롬(Cr) 계 물질로 이루어지나, 이에 한정되지 않고, 레이저빔(L)의 차폐 또는 차광이 가능한 다양한 재료의 적용이 가능하다.
The first to third masking parts 230a, 230b, and 230c are made of a chromium (Cr) -based material, but are not limited thereto. Various materials capable of shielding or shielding the laser beam L can be applied .

이하, 도 1 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 섀도우 마스크의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a shadow mask according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6. FIG.

먼저, 베이스(110)를 마련하여 스테이지(130) 상에 안착시킨다. 여기서 실시예에 따른 베이스(110)는 금속 예컨대 인바(invar) 합금으로 이루어진 플레이트 형상이다.First, a base 110 is provided and placed on the stage 130. Here, the base 110 according to the embodiment is in the form of a plate made of a metal such as an invar alloy.

그리고, 회절광학부(220)를 통과한 레이저빔이 마스킹부를 통과한 후 줌렌즈부(260) 및 프로젝션부(270)를 통과하여 베이스(110) 상측에 도달하도록 한다. 여기에서, 마스크 패턴의 크기 및 형태에 따라 상기 줌렌즈부(260)를 이루는 렌즈들의 간격을 조절하여 맞춘다. 이어서, 상기 빔공급부(200)를 동작시켜 레이저빔(L)을 출력하면, 상기 레이저빔(L)이 제 1 마스킹부(230a)의 제 1 개구(231a)를 통과하여 줌렌즈부(260) 및 프로젝션부(270)를 통과하여 베이스(110) 상에 조사된다.The laser beam passing through the diffractive optical unit 220 passes through the masking unit and then passes through the zoom lens unit 260 and the projection unit 270 to reach the upper side of the base 110. Here, the distance between the lenses constituting the zoom lens unit 260 is adjusted according to the size and shape of the mask pattern. When the laser beam L is output by operating the beam supplier 200, the laser beam L passes through the first opening 231a of the first masking portion 230a and is incident on the zoom lens 260 and / Passes through the projection part 270, and is irradiated onto the base 110.

이때, 회절광학부(220)로부터 제 1 마스킹부(230a)로 조사되는 레이저빔(L)의 면적은 제 1 개구(231a)의 면적에 비해 넓게 형성되어, 상기 마스킹부를 통과하게 되면 엣지 샤프닝(edge sharpening)이 구현되어, 미세 레이저 패터닝이 가능하도록 한 것이다. 이에, 회절광학부(220)로부터 제 1 마스킹부(230a)를 향해 조사되는 레이저빔(L) 중, 제 1 개구(231a)를 통과하는 레이저빔(L) 만이 베이스(110) 상에 조사되고, 상기 제 1 개구(231a) 이외의 영역의 위치로 조사되는 레이저빔(L)은 차폐된다.At this time, the area of the laser beam L irradiated from the diffraction optical unit 220 to the first masking unit 230a is wider than the area of the first aperture 231a. When the laser beam L passes through the masking unit, edge sharpening edge sharpening is implemented to enable fine laser patterning. Only the laser beam L passing through the first opening 231a out of the laser beam L irradiated from the diffraction optical section 220 toward the first masking section 230a is irradiated onto the base 110 , The laser beam L irradiated to the position of the region other than the first opening 231a is shielded.

다른 말로 하면, 회절광학부(220)로부터 조사된 레이저빔(L)의 면적은 제 1 마스킹부(230a)의 제 1 개구(231a)에 비해 넓으나, 제 1 마스킹부(230a)에 의해 제 1 개구(231a)와 대응하는 면적으로 조절된 레이저빔(L)이 베이스(110) 상에 조사된다(도 5a 참조). 레이저빔(L)이 제 1 개구(231a)와 대응하는 면적으로 베이스(110) 상에 소정 시간 동안 조사되면, 레이저빔(L)의 조사된 베이스(110) 영역에서 결합 구조가 끊어지는 등의 반응 현상에 의해, 상기 레이저빔(L)이 조사된 베이스(110) 영역이 소정 깊이로 제거된다.In other words, the area of the laser beam L irradiated from the diffraction optical section 220 is larger than that of the first opening 231a of the first masking section 230a, and the area of the laser beam L irradiated by the first masking section 230a A laser beam L adjusted to an area corresponding to the one opening 231a is irradiated onto the base 110 (see Fig. 5A). When the laser beam L is irradiated on the base 110 for a predetermined time with an area corresponding to the first opening 231a, the coupling structure is broken in the irradiated base 110 region of the laser beam L By the reaction phenomenon, the region of the base 110 irradiated with the laser beam L is removed to a predetermined depth.

따라서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 소정 깊이를 가지는 홈(이하, 제 1 홈(121))이 발생된다.Therefore, as shown in FIG. 5B, a groove having a predetermined depth (hereinafter referred to as a first groove 121) is generated.

제 1 마스킹부(230a)에 의해 베이스(110)에 제 1 홈(121)이 마련되면, 제 1 마스킹부(230a)는 베이스(110)의 외측으로 이동시키고, 상기 베이스(110)의 상측에 제 2 마스킹부(230b)를 배치시킨다.The first masking part 230a is moved to the outside of the base 110 and the second masking part 230b is formed on the upper side of the base 110 by the first masking part 230a, The second masking portion 230b is disposed.

이때, 베이스(110)에 마련된 제 1 홈(121)의 중심과 제 2 마스킹부(230b)의 제 2 개구(231b)의 중심이 동심축이 되도록 상기 제 2 마스킹부(230b)의 위치를 조절한다.At this time, the position of the second masking portion 230b is adjusted so that the center of the first groove 121 provided in the base 110 and the center of the second opening 231b of the second masking portion 230b are concentric with each other do.

이후, 레이저빔(L)을 출력하면, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 레이저빔(L)이 제 2 마스킹부(230b)의 제 2 개구(231b)를 통과하여 베이스(110) 상에 조사된다. 이때, 회절광학부(220)로부터 제 2 마스킹부(230b)로 조사되는 레이저빔(L)의 면적은 제 2 개구(231b)의 면적에 비해 넓다.5B, when the laser beam L passes through the second opening 231b of the second masking portion 230b and irradiates the base 110 with the laser beam L, do. At this time, the area of the laser beam L irradiated from the diffraction optical part 220 to the second masking part 230b is larger than the area of the second opening 231b.

이에, 회절광학부(220)를 통과하여 제 2 마스킹부(230b)를 향해 조사되는 레이저빔(L) 중, 제 2 개구(231b)를 통과하는 레이저빔(L) 만이 베이스(110) 상에 조사되고, 상기 제 2 개구(231b) 이외에의 영역의 위치로 조사되는 레이저빔(L)은 차폐된다.Only the laser beam L passing through the second opening 231b out of the laser beam L passing through the diffraction optical section 220 and irradiated toward the second masking section 230b is irradiated onto the base 110 And the laser beam L irradiated to the position of the area other than the second opening 231b is shielded.

즉, 레이저빔(L)은 제 2 마스킹부(230b)에 의해 제 2 개구(231b)와 대응하는 면적으로 조절되어 조사된다(도 5b 참조). 그리고 제 2 개구(231b)를 통과하여 조사되는 레이저빔(L)은 제 1 홈(121)을 향해 조사되며, 그 면적이 제 1 홈(121)의 바닥면에 비해 작다.That is, the laser beam L is irradiated while being adjusted by the second masking portion 230b to an area corresponding to the second opening 231b (see FIG. 5B). The laser beam L irradiated through the second opening 231b is irradiated toward the first groove 121 and has an area smaller than that of the bottom surface of the first groove 121. [

이러한 레이저빔(L)이 제 1 홈(121)의 바닥면을 향해 소정 시간 동안 조사되면, 레이저빔(L)의 조사된 베이스 영역에서 결합 구조가 끊어지는 등의 반응 현상에 의해 소정 깊이로 제거됨에 따라 도 5c와 같이 제 1 홈(121) 하측에 제 2 홈(122)이 발생된다.
When the laser beam L is irradiated to the bottom surface of the first groove 121 for a predetermined time, the laser beam L is removed to a predetermined depth by a reaction phenomenon such as breakage of the coupling structure in the irradiated base region of the laser beam L The second groove 122 is formed under the first groove 121 as shown in FIG.

그리고, 제 2 마스킹부(230b)에 의해 베이스(110)에 제 2 홈(122)이 마련되면, 제 2 마스킹부(230b)는 외측으로 이동시키고, 회절광학부(220)와 줌렌즈부(260) 사이에 제 3 마스킹부(230c)를 배치시킨다.When the second groove 122 is formed in the base 110 by the second masking portion 230b, the second masking portion 230b is moved outward and the diffraction optical portion 220 and the zoom lens portion 260 The third masking portion 230c is disposed between the first masking portion 230c and the second masking portion 230c.

이때, 베이스(110)에 마련된 제 2 홈(122)의 중심과 제 3 마스킹부(230c)의 제 3 개구(231c)의 중심이 동심축이 되도록 상기 제 3 마스킹부(230c)의 위치를 조절하거나, 줌렌즈부(260) 및 프로젝션부(270)를 이용하여 레이저빔의 위치를 조절한다. 이후, 빔공급부(200)를 동작시켜 레이저빔(L)을 출력하면, 도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 레이저빔(L)이 제 3 마스킹부(230c)의 제 3 개구(231c)를 통과하여 줌렌즈부(260) 및 프로젝션부(270)를 통과하여 베이스(110) 상에 조사된다.At this time, the position of the third masking portion 230c is adjusted so that the center of the second groove 122 provided in the base 110 and the center of the third opening 231c of the third masking portion 230c are concentric with each other Or adjusts the position of the laser beam using the zoom lens unit 260 and the projection unit 270. 5C, when the laser beam L passes through the third opening 231c of the third masking portion 230c, the laser beam L passes through the third opening 231c of the third masking portion 230c, Passes through the zoom lens unit 260 and the projection unit 270, and is irradiated onto the base 110.

이때, 제 3 마스킹부(230c)로 조사되는 레이저빔(L)의 면적은 제 3 개구(231c)의 면적에 비해 넓다. 이에, 제 3 마스킹부(230c)를 향해 조사되는 레이저빔(L) 중, 제 3 개구(231c)를 통과하는 레이저빔(L) 만이 베이스(110) 상에 조사되고, 상기 제 3 개구(231c) 이외의 영역의 위치로 조사되는 레이저빔(L)은 차폐된다.At this time, the area of the laser beam L irradiated to the third masking portion 230c is larger than the area of the third opening 231c. Only the laser beam L passing through the third opening 231c of the laser beam L irradiated toward the third masking portion 230c is irradiated onto the base 110 and the third opening 231c The laser beam L irradiated to the position of the region other than the laser beam L is shielded.

즉, 레이저빔(L)은 제 3 마스킹부(230c)에 의해 제 3 개구(231c)와 대응하는 면적으로 조절되어 조사된다(도 5c 참조). 그리고 제 3 개구(231c)를 통과하여 조사되는 레이저빔(L)은 제 2 홈(122)을 향해 조사되며, 그 면적이 제 2 홈(122)의 바닥면에 비해 작다.That is, the laser beam L is irradiated while being adjusted by the third masking portion 230c to an area corresponding to the third opening 231c (see FIG. 5C). The laser beam L irradiated through the third opening 231c is irradiated toward the second groove 122 and has an area smaller than that of the bottom surface of the second groove 122.

이러한 레이저빔(L)이 제 2 홈(122)의 바닥면을 향해 소정 시간 동안 조사되면, 레이저빔(L)의 조사된 베이스(110) 영역에서 결합 구조가 끊어지는 등의 반응 현상에 의해 소정 깊이로 제거됨에 따라 도 5d와 같이 제 2 홈(122) 하측에 제 3 홈(123)을 형성하는데, 이때 베이스(110)의 하부까지 개방되도록 한다.When the laser beam L is irradiated toward the bottom surface of the second groove 122 for a predetermined time, the laser beam L is irradiated with the laser beam L by a reaction phenomenon The third grooves 123 are formed below the second grooves 122 as shown in FIG. 5D. At this time, the third grooves 123 are opened to the lower portion of the base 110.

따라서, 제 3 마스킹부(230c)를 이용한 레이저 가공 공정에 의해 제 2 홈(122) 하측에 제 3 홈(123)이 마련되어, 최종적으로 도 5d에 도시된 바와 같이, 베이스(110)를 상하 방향으로 관통하는 마스크 패턴(120)이 마련되며, 그 마스크 패턴(120)은 하측으로 갈수록 직경 또는 내경이 점차 좁아지는 형상으로 제조된다.Therefore, the third groove 123 is provided under the second groove 122 by the laser machining process using the third masking portion 230c. Finally, as shown in FIG. 5D, the base 110 is moved up and down And the mask pattern 120 is formed in such a shape that the diameter or the inner diameter gradually becomes smaller toward the lower side.

그리고 제 1 내지 제 3 마스킹부(230a, 230b, 230c) 각각에는 복수의 개구가 마련되어 있으며, 회절광학부(220)를 통과하여 분기된 레이저빔이 1:1 대응되어 마스킹부의 마스킹 패턴을 통과하게 되므로, 분기된 레이저빔이 베이스(110)에 동시에 도달하게 하여 복수의 마스크 패턴(120)이 마련되도록 한다. 또한, 베이스(110)의 면적이 큰 경우, 스테이지(130)를 이용하여 베이스(110)를 이동시키면서, 베이스(110) 전체에 대해 복수의 마스크 패턴(120)을 형성하여 섀도우 마스크를 제조할 수도 있다.
Each of the first to third masking portions 230a, 230b and 230c is provided with a plurality of openings. A laser beam that has passed through the diffraction optical portion 220 and branched is passed through the masking pattern of the masking portion in a one-to- So that a plurality of mask patterns 120 are provided by causing the branched laser beam to reach the base 110 at the same time. When the area of the base 110 is large, a plurality of mask patterns 120 may be formed on the entire base 110 while moving the base 110 using the stage 130 to manufacture a shadow mask have.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 방법으로 섀도우 마스크를 제조하는 방법을 순서적으로 나타낸 도면이다. 도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 방법에 의해 섀도우 마스크를 제조하기 위해 마련된 마스킹부를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating a method of manufacturing a shadow mask in a method according to a second embodiment of the present invention. 8 is a view for explaining a masking portion provided for manufacturing a shadow mask by the method according to the second embodiment of the present invention.

제 2 실시예에 따른 섀도우 마스크의 제조 방법은 위상 쉬프트 마스크(Phase Shift Mask) 기술을 이용한 형성 방법으로서, 마스킹부(240)로서 위상 쉬프트 마스크를 이용하여 제조한다. 위상 쉬프트 마스크를 이용한 패터닝 방법은 투과하는 광에 위상차를 줌으로써 투과광 상호간의 간섭을 이용하는 공지된 방법이다.The shadow mask manufacturing method according to the second embodiment is a forming method using a phase shift mask technique, and is manufactured using a phase shift mask as the masking portion 240. The patterning method using a phase shift mask is a known method of using interference between transmitted light by giving a phase difference to the transmitted light.

제 2 실시예에 따른 섀도우 마스크의 제조 방법을 위한 섀도우 마스크의 마스킹 패턴은 복수의 위상 쉬프터(241, 242, 243)를 가지는 마스킹부를 이용하는 방법이다. 즉, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 마스킹부(240)는 하나의 마스킹부(240)에 계단 형태로 배열된 복수의 위상 쉬프터(241, 242, 243)를 가진다.The masking pattern of the shadow mask for the method of manufacturing a shadow mask according to the second embodiment is a method using a masking portion having a plurality of phase shifters 241, 242 and 243. That is, the masking unit 240 according to the second embodiment of the present invention has a plurality of phase shifters 241, 242, and 243 arranged in a stepped shape in one masking unit 240.

위상 쉬프터 마스크(PSM)는 해당 기술 분야에서 공지된 기술이며, 공지된 다양한 위상 쉬프터 마스크(PSM)의 종류 중 어느 하나를 사용한다.The phase shifter mask (PSM) is a technique known in the art, and uses any one of various known types of phase shifter masks (PSM).

예컨대, 본 발명에서 마스킹부(240)로 사용하는 위상 쉬프터 마스크는 도 7에 도시된 바와 같이, 소정 면적을 가지는 바디 상에, 레이저빔(L)이 투과하는 위상 쉬프터(241, 242, 243)와, 위상 쉬프터(241, 242, 243)의 외측에 위치하며 레이저빔(L)이 투과하지 못하는 차광부(244)가 마련된 구성이다.7, the phase shifter mask used as the masking part 240 in the present invention may include phase shifters 241, 242, and 243 through which a laser beam L passes, on a body having a predetermined area, And a light shielding portion 244 located outside the phase shifters 241, 242 and 243 and unable to transmit the laser beam L are provided.

즉, 마스킹부(240)의 바디의 일부 영역은 위상 쉬프터(241, 242, 243)가 마련된 영역이고, 상기 위상 쉬프터(241, 242, 243) 주위의 영역은 레이저빔(L)이 차광되는 차광 영역이다.That is, a part of the body of the masking part 240 is a region provided with the phase shifters 241, 242 and 243, and the area around the phase shifters 241, 242 and 243 is a light shielding part where the laser beam L is shielded Area.

이때, 위상 쉬프터(241, 242, 243)는 복수개로 마련되고, 복수의 위상 쉬프터(241, 242, 243)는 서로 다른 면적을 가지면서, 바디의 높이 방향으로 순차적으로 나열 배치되어, 계단 형상을 이룬다. 본 발명의 제 2 실시예에서는 복수의 위상 쉬프터(241, 242, 243)는 바디를 가공하여 형성한 홈 형상이다.At this time, a plurality of phase shifters 241, 242, and 243 are provided, and the plurality of phase shifters 241, 242, and 243 are sequentially arranged in the height direction of the body with different areas, It accomplishes. In the second embodiment of the present invention, the plurality of phase shifters 241, 242, and 243 have a groove shape formed by processing a body.

즉, 제 2 실시예에 따른 마스킹부(240)는 바디의 상부면으로부터 제 1 깊이(A1)로 형성되며, 제 1 면적을 가지는 홈 형상의 제 1 위상 쉬프터(241), 바디의 상부면으로부터 제 1 깊이(A1)에 비해 깊은 제 2 깊이(A2)로 형성되며, 제 1 위상 쉬프터(241)의 면적(제 1 면적(A1))에 비해 작은 제 2 면적을 가지는 홈 형상의 제 2 위상 쉬프터(242), 바디의 상부면으로부터 제 2 깊이에 비해 깊은 제 3 깊이(A3)로 형성되며, 제 2 위상 쉬프터(242)의 면적(제 2 면적)에 비해 작은 면적을 가지는 홈 형상의 제 3 위상 쉬프터(243)를 포함하고, 바디의 좌우 방향의 영역 중, 제 1 위상 쉬프터(241)의 외측 영역에 차광부(244)가 마련된다.That is, the masking part 240 according to the second embodiment includes a groove-shaped first phase shifter 241 formed at a first depth A1 from the upper surface of the body and having a first area, Shaped second phase having a second depth A2 which is deeper than the first depth A1 and has a second area smaller than the area of the first phase shifter 241 (first area A1) Shaped shifter 242 which is formed at a third depth A3 that is deeper than the second depth from the upper surface of the body and has a smaller area than the area of the second phase shifter 242 A light shielding portion 244 is provided in a region outside the first phase shifter 241 in a region in the left and right direction of the body including the three-phase shifter 243.

이렇게 마련된 제 1 위상 쉬프터(241), 제 2 위상 쉬프터(242), 제 3 위상 쉬프터(243)는 예컨대, 60°, 120°, 180° 반전된다. 따라서, 마스킹부의 상측으로부터 조사되는 레이저빔(L)이 제 1 내지 제 3 위상 쉬프터(241, 242, 243)를 통과하면서 점차적으로 위상이 쉬프트 또는 반전된다.The first phase shifter 241, the second phase shifter 242 and the third phase shifter 243 thus prepared are inverted by 60 °, 120 ° and 180 °, for example. Therefore, the phase of the laser beam L irradiated from the upper side of the masking portion is gradually shifted or inverted while passing through the first to third phase shifters 241, 242 and 243.

즉, 제 1 위상 쉬프터(241)와 제 2 위상 쉬프터(242)의 경계, 제 2 위상 쉬프터(242)와 제 3 위상 쉬프터(243) 사이에서 레이저빔(L)의 위상이 연속적으로 변하게 된다.That is, the phase of the laser beam L between the first phase shifter 241 and the second phase shifter 242 and between the second phase shifter 242 and the third phase shifter 243 are continuously changed.

이때, 제 1 위상 쉬프터(241), 제 2 위상 쉬프터(242), 제 3 위상 쉬프터(243) 간의 위상차(예컨대, 60°, 120°, 180°)에 의해 레이저빔의 강도 변화 및 쉬프트되는데, 이론적으로는 도 7b에 도시된 바와 같은 계단식의 분포 또는 형상으로 레이저빔이 조사되지만, 실제적으로는 해상도의 한계로 인해 레이저빔이 계단식으로 조사되지 않고, 도 7c에 도시된 바와 같이 경사를 가지도록 조사된다. At this time, the intensity of the laser beam changes and shifts due to the phase difference (e.g., 60, 120, 180) between the first phase shifter 241, the second phase shifter 242, and the third phase shifter 243, Theoretically, the laser beam is irradiated in a stepwise distribution or shape as shown in FIG. 7B, but the laser beam is not irradiated stepwise due to the limit of the resolution, and the laser beam is inclined as shown in FIG. 7C .

상술한 바와 같은 제 1 내지 제 3 위상 쉬프터(241, 242, 243)를 가지는 마스킹부(240)는 바디를 식각하는 방법으로 마련할 수 있다.The masking part 240 having the first to third phase shifters 241, 242 and 243 may be formed by etching the body.

그리고, 바디는 레이저빔(L)의 투과가 가능한 쿼츠(Quartz)로 마련될 수 있으며, 쿼츠로 이루어진 바디에 제 1 내지 제 3 위상 쉬프터(241, 242, 243)가 마련되고, 바디 내부에 레이저빔(L)을 차단하는 필름, 박막 또는 블록 형태의 차광부(244)가 마련될 수 있다. 물론, 바디 내부에 차광부(244)가 마련되지 않고, 바디의 상부면에서 제 1 위상 쉬프터(241)의 외측 영역에 위치되도록 마련될 수 있다.The body may be a quartz capable of transmitting the laser beam L. The quartz body may be provided with first to third phase shifters 241, 242 and 243, A light shielding portion 244 in the form of a film, a thin film or a block for blocking the beam L may be provided. Of course, the light shielding portion 244 may not be provided in the inside of the body, but may be provided on the outer surface of the first phase shifter 241 on the upper surface of the body.

상기에서는 제 2 실시예에 따른 마스킹부(240)가 바디 자체를 가공하여 홈 형상의 제 1 내지 제 3 위상 쉬프터(241, 242, 243)를 마련하는 것을 예를 들어 설명하였다. 하지만 이에 한정되지 않고, 바디의 상부면에 레이저빔(L)의 위상 변화가 가능한 박막이 형성된 구조일 수 있다. 이때, 바디의 상부면에 형성된 박막 형태의 위상 쉬프터는 높이 방향으로 단차가 있는 계단 형상이 되도록 형성된다.
In the above description, the masking part 240 according to the second embodiment processes the body itself to provide the groove-shaped first to third phase shifters 241, 242 and 243. However, the present invention is not limited thereto, and it may be a structure in which a thin film capable of changing the phase of the laser beam L is formed on the upper surface of the body. At this time, the thin film phase shifter formed on the upper surface of the body is formed to have a stepped shape with a step in the height direction.

이하, 도 1 내지 도 3 및 도 7을 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 섀도우 마스크의 제조 방법을 설명한다. 도 7은 편의상 줌렌즈부(260) 및 프로젝션부(270)를 생략하여 도시한 것이다.Hereinafter, a method of manufacturing a shadow mask according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3 and 7. FIG. 7 shows the zoom lens unit 260 and the projection unit 270 omitted for convenience.

먼저, 베이스(110)를 마련하여 스테이지(130) 상에 안착시키고, 제 2 실시예에 따른 마스킹부(240)를 회절광학부(220)와 줌렌즈부(260) 사이에 배치시킨다. 이어서, 빔공급부(200)를 동작시켜 레이저빔(L)을 출력하면, 상기 레이저빔(L)이 마스킹부(240)를 향해 조사된다.First, the base 110 is provided on the stage 130, and the masking part 240 according to the second embodiment is disposed between the diffractive optical part 220 and the zoom lens part 260. Then, when the laser beam L is outputted by operating the beam supplying unit 200, the laser beam L is irradiated toward the masking unit 240.

이때, 조사된 레이저빔(L) 중, 제 1 내지 제 3 위상 쉬프터(241, 242, 243)를 향하는 레이저빔(L)은 줌렌즈부(260) 및 프로젝션부(270)를 통과하여 베이스(110)에 조사되고, 마스킹부의 차광부(244)를 향해 조사된 레이저빔(L)은 베이스(110)로 조사되지 않고, 그 이동이 차단된다. 그리고 레이저빔(L)이 마스킹부(240)의 상측으로부터 조사되는 레이저빔이 제 1 내지 제 3 위상 쉬프터(241, 242, 243)를 통과하면서 점차적, 연속적으로 위상이 쉬프트 됨에 따라, 도 7b에 도시된 바와 같이, 베이스(110)에 하측으로 갈수록 그 내경 또는 폭이 좁아지는 마스크 패턴이 마련된다.
The laser beam L directed to the first through third phase shifters 241, 242 and 243 out of the irradiated laser beams L passes through the zoom lens unit 260 and the projection unit 270, And the laser beam L irradiated toward the light shielding portion 244 of the masking portion is not irradiated to the base 110 and its movement is blocked. As the laser beam irradiated from the upper side of the masking portion 240 is gradually and continuously shifted in phase while passing through the first to third phase shifters 241, 242 and 243, As shown in the figure, the base 110 has a mask pattern with its inner diameter or width becoming narrower toward the lower side.

도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 방법으로 섀도우 마스크를 제조하는 방법을 순서적으로 나타낸 도면이다. 도 10은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 방법에 의해 섀도우 마스크를 제조하기 위해 마련된 마스킹부를 설명하기 위한 도면이다. 도 9는 편의상 줌렌즈부(260) 및 프로젝션부(270)를 생략하여 도시한 것이다.FIG. 9 is a diagram illustrating a method of manufacturing a shadow mask in a method according to a third embodiment of the present invention. 10 is a view for explaining a masking portion provided for manufacturing a shadow mask by the method according to the third embodiment of the present invention. 9 shows the zoom lens unit 260 and the projection unit 270 omitted for the sake of convenience.

도시된 바와 같이, 제 3 실시예에 따른 섀도우 마스크의 제조 방법에서는 슬릿(Slit) 마스킹부로서, 슬릿(slit) 마스크를 이용하여 섀도우 마스크를 제조하는 방법이다. 슬릿 마스크는 도 10a 및 도 10b에 도시된 바와 같이, 레이저빔(L)의 투과가 가능한 바디(251) 상부 또는 내부에 레이저빔(L)의 투과를 차단하는 복수의 차광막(252a, 252b, 252c)이 형성되는데, 복수의 차광막(252a, 252b, 252c의 폭이 다르도록 함으로써, 베이스(110)로 조사되는 레이저빔(L)의 강도를 다르게 조절하는 것이다.As shown in the figure, in the method of manufacturing a shadow mask according to the third embodiment, a slit mask is used to manufacture a shadow mask using a slit mask. 10A and 10B, the slit mask includes a plurality of light shielding films 252a, 252b, and 252c for blocking transmission of the laser beam L onto or inside the body 251 through which the laser beam L can pass, The width of the plurality of light shielding films 252a, 252b, and 252c is different from each other so that the intensity of the laser beam L irradiated to the base 110 is adjusted differently.

본 발명의 실시예에서와 같이 하측으로 갈수록 내경이 좁은 사다리꼴 또는 사각뿔 형상의 패턴을 가지는 섀도우 마스크를 제조하기 위해, 제 3 실시예에 따른 마스킹부(250)는 바디(251)의 상부에 복수의 차광막(252a, 252b, 252c) 패턴이 상호 이격되도록 형성되며, 이격된 공간이 레이저빔(L)이 투과하는 투과 영역이다. 바디(251) 상에 복수의 차광막(252a, 252b, 252c)이 형성되는데 있어서, 도 10a 및 도 10b에 가장자리로부터 중심 방향으로 갈수록 그 차광막(252a, 252b, 252c)의 폭이 좁도록 한다.In order to manufacture a shadow mask having a trapezoidal or quadrangular-pyramidal pattern whose inner diameter is narrower toward the lower side as in the embodiment of the present invention, the masking part 250 according to the third embodiment has a plurality of The light shielding films 252a, 252b and 252c are formed so that the patterns are spaced apart from each other, and the spaced apart spaces are the transmitting regions through which the laser beam L passes. A plurality of light shielding films 252a, 252b and 252c are formed on the body 251 so that the width of the light shielding films 252a, 252b and 252c becomes narrower from the edge toward the center in FIGS. 10A and 10B.

다른 말로 하면, 가장자리로부터 중심 방향으로 갈수록 차광막(252a, 252b, 252c 중 어느 하나)과 차광막(252a, 252b, 252c 중 어느 하나) 사이의 투과 영역의 폭이 넓도록 마스킹부(250)를 마련한다.In other words, the masking portion 250 is provided so that the width of the transmission region between the light-shielding films 252a, 252b, 252c and the light-shielding films 252a, 252b, 252c becomes wider from the edge toward the center thereof .

이러한 마스킹부(250)의 상측에서 레이저빔(L)을 조사할 경우, 넓은 투과 영역의 하측에 위치하는 베이스(110)의 영역에 조사되는 레이저빔의 강도가, 상대적으로 좁은 투과 영역의 하측에 위치하는 베이스(110)의 영역에 조사되는 레이저빔(L)의 강도에 비해 크다. 제 3 실시예의 경우, 가장자리로부터 중심 방향으로 갈수록 투과 영역의 폭이 넓으므로, 레이저빔(L)이 베이스(110)로 조사되는데 있어서, 가장자리로부터 중심 방향으로 갈수록 조사되는 레이저빔(L)의 강도가 세다.
When the laser beam L is irradiated from above the masking portion 250, the intensity of the laser beam irradiated to the region of the base 110 positioned below the wide transmitting region is lower than the relatively narrow transmitting region Is larger than the intensity of the laser beam L irradiated to the region of the base 110 in which the laser beam L is located. The intensity of the laser beam L irradiated from the edge toward the center increases as the laser beam L is irradiated to the base 110 because the width of the transmission region is wider from the edge toward the center in the third embodiment, Is high.

이하, 도 1 내지 도 3, 도 9를 참조하여, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 섀도우 마스크의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a shadow mask according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3 and 9. FIG.

먼저, 베이스(110)를 마련하여 스테이지(130) 상에 안착시키고, 회절광학부(220) 및 줌렌즈부(260) 사이에 제 3 실시예에 따른 마스킹부(250)를 배치시킨다. 이어서, 빔공급부(200)를 동작시켜 레이저빔(L)을 출력하면, 상기 레이저빔(L)이 마스킹부(250)를 향해 조사된다.First, the base 110 is provided on the stage 130, and the masking unit 250 according to the third embodiment is disposed between the diffractive optical unit 220 and the zoom lens unit 260. Then, when the laser beam L is outputted by operating the beam supplier 200, the laser beam L is irradiated toward the masking part 250.

이때, 조사된 레이저빔(L) 중, 마스킹부(250)의 제 1 내지 제 3 투과 영역(253a, 253b, 253c)을 향하는 레이저빔(L)은 줌렌즈부(260) 및 프로젝션부(270)를 통과하여 베이스(110)에 조사되고, 마스킹부(250)의 차광막(252a)을 향해 조사된 레이저빔(L)은 베이스(110)로 조사되지 않고, 그 이동이 차단된다.The laser beam L directed to the first to third transmissive areas 253a, 253b and 253c of the masking part 250 among the irradiated laser beams L passes through the zoom lens part 260 and the projection part 270, And the laser beam L irradiated toward the light shielding film 252a of the masking portion 250 is not irradiated to the base 110 and its movement is blocked.

이때, 가장자리에 위치한 제 1 투과 영역(253a)을 통과하여 베이스(110) 상에 조사된 레이저빔(L)의 강도에 비해, 제 1 투과 영역(253a)에 비해 바디(251)의 내측에 위치한 제 2 투과 영역(253b)을 통과하여 베이스(110) 상에 조사된 레이저빔(L)의 강도가 크고, 제 2 투과 영역(253b)에 비해 바디(251)의 내측에 위치한 제 3 투과 영역(253c)을 통과하여 베이스(110) 상에 조사된 레이저빔(L)의 강도가 크다.The intensity of the laser beam L irradiated onto the base 110 passes through the first transmissive region 253a located at the edge and is located inside the body 251 relative to the first transmissive region 253a The intensity of the laser beam L irradiated onto the base 110 through the second transmissive region 253b is greater and the intensity of the laser beam L irradiated onto the third transmissive region 252b located inside the body 251 And the intensity of the laser beam L irradiated on the base 110 is large.

이러한 영역 별 레이저빔(L)의 강도 변화에 의해, 도 9b에 도시된 바와 같이, 베이스(110)에 하측으로 갈수록 그 내경 또는 폭이 좁아지는 마스크 패턴이 마련된다.
As shown in FIG. 9B, by the change in the intensity of the laser beam L for each region, a mask pattern is formed so that the inner diameter or width becomes narrower toward the lower side of the base 110.

이와 같이 본 발명의 제 1 내지 제 3 실시예에 따른 섀도우 마스크의 제조 방법은 레이저빔을 조사하여 베이스 상에 마스크 패턴을 가공하는 방법으로 섀도우 마스크를 제조함에 따라, 포토리소그라피 공정을 통해 제조하는 종래의 방법에 비해, 그 제조 절차를 단순화할 수 있다. 이에, 종래의 섀도우 마스크의 제조 방법에 비해 섀도우 마스크 제조를 위한 시간을 절약할 수 있다.As described above, in the shadow mask manufacturing method according to the first to third embodiments of the present invention, a shadow mask is manufactured by a method of processing a mask pattern on a base by irradiating a laser beam, It is possible to simplify the manufacturing procedure. Thus, the time required for manufacturing the shadow mask can be saved as compared with the conventional method of manufacturing a shadow mask.

그리고 종래의 포토리소그라피 공정을 이용한 섀도우 마스크 제조시에는 포토레지스트를 도포하는 코팅기, 가열하는 히터, 노광기, 현상(develop)할 수 있는 수단, 에칭 수단, 스트립 수단 등 다양한 수단 및 장비들이 필요하다. 반면, 본 발명에 른 섀도우 마스크의 제조 방법의 경우, 레이저빔을 조사할 수 있는 광학계와 마스킹부를 이용하여 섀도우 마스크를 제조할 수 있어, 종래에 비해 섀도우 마스크 제조를 위한 설비가 간단해지며, 이에 따라 유지 보수를 위한 비용도 절약될 수 있는 효과가 있다.In manufacturing a shadow mask using a conventional photolithography process, various means and equipments such as a coater for applying a photoresist, a heater for heating, an exposure device, a means for developing, an etching means, and a strip means are required. On the other hand, in the case of the shadow mask manufacturing method according to the present invention, a shadow mask can be manufactured using an optical system capable of irradiating a laser beam and a masking portion, and the equipment for manufacturing a shadow mask is simplified compared to the conventional art. Therefore, the maintenance cost can be saved.

또한, 종래에는 포토리소그라피 공정을 통해 미세 패턴을 가공해야 했기 때문에, 베이스의 두께를 20㎛로 얇게 할 수밖에 없었고, 이렇게 얇은 섀도우 마스크를 핸들링 하기에는 매우 어려운 문제가 있었다.Further, conventionally, since a fine pattern has to be processed through a photolithography process, the thickness of the base has to be made as thin as 20 占 퐉, and it has been very difficult to handle such a thin shadow mask.

하지만 본 발명에서는 포토리소그라피 공정이 아닌 레이저와 마스크 패터닝을 이용하여 베이스를 가공하여 패턴을 가공하므로, (종래에 비해 두꺼운 베이스를 사용할 수 있어), 섀도우 마스크의 두께를 종래에 비해 두껍게 할 수 있으며, 이에 따라 기판 상에 박막 패턴을 형성할 때, 섀도우 마스크의 핸들링이 용이해지는 장점이 있고, 두께가 종래에 비해 두꺼워 섀도우 마스크가 처지는 것을 최소화 또는 방지할 수 있다.However, in the present invention, since the pattern is processed by processing the base using laser and mask patterning instead of the photolithography process, a thickness of the shadow mask can be made thicker than the conventional one (thicker base can be used compared with the conventional one) Accordingly, when a thin film pattern is formed on a substrate, handling of the shadow mask is facilitated, and thickness of the shadow mask can be minimized or prevented because the thickness is thicker than the conventional one.

그리고, 마스킹부없이 레이저만을 이용하여 베이스를 가공하여 섀도우 마스크를 제조하는 방법에 비해, 테이퍼 형상의 패턴을 간단한 방법으로 가공할 수 있다. 또한, 레이저빔을 조사하여 베이스 가공시에, 베이스와 반응시 열을 최소화할 수 있는 나노초 또는 펨토초의 레이저를 사용할 수 있어, 열에 의한 패턴 불량 발생을 방지할 수 있다. 그리고, 회절 광학계를 포함하는 광 조사 장치를 이용함으로써, 베이스 상에 복수의 마스크 패턴을 동시에 형성할 수 있어, 제조 생산율을 향상시킬 수 있다.The tapered pattern can be processed by a simple method as compared with a method of manufacturing a shadow mask by processing a base using only a laser without a masking portion. Furthermore, it is possible to use nanoseconds or femtoseconds of laser which can minimize heat when reacting with the base at the time of base processing by irradiating the laser beam, and it is possible to prevent a pattern defect caused by heat. By using a light irradiation apparatus including a diffraction optical system, a plurality of mask patterns can be formed on the base at the same time, and the production yield can be improved.

100 : 섀도우 마스크 110 : 베이스
120 : 마스크 패턴 200 : 빔공급부
201 : 레이저 202 :미러
210 : 빔조절부 211 : 빔안정화모듈
212 : 빔익스팬더 220 : 회절광학부
221 : 빔조형기 222 : 빔스플릿터
230, 240, 250 : 마스킹부 231a, 231b, 231c : 개구
241, 242, 243 : 위상 쉬프터 253a, 253b, 253c : 투과 영역
260 : 줌렌즈부 270 : 프로젝션부100: Shadow mask 110: Base
120: mask pattern 200:
201: laser 202: mirror
210: beam regulator 211: beam stabilization module
212: beam expander 220: diffraction optical part
221: Beam molding machine 222: Beam splitter
230, 240, 250: masking portions 231a, 231b, 231c: openings
241, 242, 243: phase shifters 253a, 253b, 253c:
260: zoom lens part 270: projection part

Claims (24)

레이저 패터닝을 이용한 미세 마스크 패턴이 형성된 섀도우 마스크의 제조 장치에 있어서,
레이저빔을 공급하는 빔공급부;
상기 빔공급부로부터 공급된 레이저빔의 위치와 크기를 조절하는 빔조절부;
상기 레이저빔을 균일한 강도 분포를 가지는 복수의 레이저빔으로 분기하는 회절광학부;
상기 분기된 레이저빔 각각이 1:1 대응되어 통과하도록 상기 마스크 패턴에 대응하는 마스킹 패턴이 형성되어 각 분기된 레이저빔의 가장자리를 섀도우하는 마스킹부;
상기 마스킹부를 통과한 레이저빔들 간의 간격 및 패턴을 조절하는 줌렌즈부; 및
상기 줌렌즈부를 통과한 레이저빔을 일정한 축소율을 가지도록 베이스 상에 전달하는 프로젝션부;를 포함하여 이루어지되,
상기 회절광학부는,
빔조형과 빔분기가 동시에 구현되어 균일한 강도 분포를 가지는 복수의 레이저빔으로 분기하는 빔조형기 및 빔스플릿터로 이루어진 회절광학소자(DOE)와, 분기된 레이저빔을 초점면인 상기 마스킹부의 마스킹 패턴에 1:1로 전달하는 초점렌즈부로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치.An apparatus for manufacturing a shadow mask having a fine mask pattern formed by laser patterning,
A beam supplier for supplying a laser beam;
A beam controller for controlling the position and size of the laser beam supplied from the beam supplier;
A diffraction optical unit for splitting the laser beam into a plurality of laser beams having a uniform intensity distribution;
A masking portion formed with a masking pattern corresponding to the mask pattern so that each of the branched laser beams passes through the masking pattern in a one-to-one correspondence manner, thereby shadowing edges of the branched laser beams;
A zoom lens unit for adjusting an interval and a pattern of laser beams passing through the masking unit; And
And a projection unit for transmitting the laser beam having passed through the zoom lens unit on the base so as to have a constant reduction ratio,
The diffractive optical unit may include:
A diffractive optical element (DOE) composed of a beam projector and a beam splitter for splitting a plurality of laser beams having a uniform intensity distribution and simultaneously embodying a beam shaping and a beam splitting, a masking part And a focus lens unit for transmitting the patterned laser beam to the pattern at a ratio of 1: 1. 제 1항에 있어서, 상기 빔공급부에서 공급되는 레이저빔은,
금속 가공을 위한 수십 펨토 초에서 수백 나노초 사이의 펄스 폭을 갖는 펄스 레이저빔인 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치.The laser beam supply system according to claim 1,
Wherein the laser beam is a pulse laser beam having a pulse width of several tens of femtoseconds to several hundreds of nanoseconds for metal fabrication. 제 1항에 있어서, 상기 빔공급부는,
레이저와, 상기 레이저 출력단에 위치되며 레이저빔을 상기 빔조절부로 전달하는 복수개의 미러(mirror)로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치.The apparatus according to claim 1,
And a plurality of mirrors that are located at the laser output end and transmit the laser beam to the beam adjusting unit. 제 1항에 있어서, 상기 빔조절부는,
레이저빔의 위치를 자동으로 보상하는 빔안정화모듈과, 레이저빔의 크기를 조절하는 빔익스팬더로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치.The apparatus of claim 1,
A beam stabilization module for automatically compensating the position of the laser beam, and a beam expander for adjusting the size of the laser beam. 제 4항에 있어서, 상기 빔안정화모듈은,
레이저빔의 위치를 감지하는 센서와, 모터에 장착된 복수개의 미러로 구성되어, 레이저빔의 위치를 자동으로 보상하는 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치.5. The apparatus of claim 4, wherein the beam stabilization module comprises:
A sensor for detecting the position of the laser beam, and a plurality of mirrors mounted on the motor, wherein the position of the laser beam is automatically compensated. 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 회절광학소자(DOE)의 빔스플릿터에 의해 1~500개의 레이저빔으로 분기되며, 분기된 레이저빔 사이의 간격은 상기 회절광학소자로 만들어지는 패턴 크기의 0.1~50배인 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치.2. The diffractive optical element according to claim 1, wherein the beam splitter of the diffractive optical element (DOE) divides the laser beam into 1 to 500 laser beams, and the interval between the split laser beams is 0.1 to 50 Wherein the laser beam is irradiated by a laser beam. 제 7항에 있어서, 상기 회절광학소자로 만들어지는 패턴의 크기는 베이스 상에서 만들어지는 마스크 패턴의 크기에 따라 상기 프로젝션부에 의한 1~50배의 광학축소비율로 결정되는 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치.9. The laser patterning method according to claim 7, wherein the size of the pattern made of the diffractive optical element is determined by an optical reduction ratio of 1 to 50 times by the projection part according to a size of a mask pattern formed on the base. Wherein the shadow masks are used for forming the shadow mask. 제 1항에 있어서, 상기 마스킹부는,
마스킹 패턴이 서로 다른 폭을 가지도록 복수 개로 마련되며, 상기 베이스가 위치한 방향으로 갈수록 폭이 좁은 마스킹 패턴이 위치하도록 마련되어, 레이저빔이 상기 복수의 마스킹 패턴을 단계적으로 거치도록 하는 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치.The image forming apparatus according to claim 1,
Wherein a plurality of masking patterns are provided so as to have different widths and a masking pattern having a narrower width is arranged to be positioned in a direction in which the base is located so that the laser beam straddles the plurality of masking patterns in a stepwise manner. An apparatus for manufacturing a shadow mask using patterning. 제 9항에 있어서, 상기 복수의 마스킹 패턴은 동심축을 가지도록 마련된 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치.The apparatus of claim 9, wherein the plurality of masking patterns are provided so as to have concentric axes. 제 9항에 있어서,
상기 마스킹부는 복수 개로 마련되며, 각 마스킹부에는 마스킹 패턴이 마련되고,
상기 마스킹 패턴은 상기 마스킹부의 일부 영역을 상하 방향으로 관통하도록 마련된 개구 형태이며, 상기 각 마스킹부에 마련된 상기 개구의 폭이 상이하도록 형성되어, 상기 복수의 마스킹부 각각을 이용하여 복수 번의 레이저빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치.10. The method of claim 9,
A plurality of masking portions are provided, and a masking pattern is provided on each of the masking portions,
Wherein the masking pattern is formed in an opening shape so as to penetrate a part of the masking portion in the up and down direction and is formed so that the width of the opening provided in each masking portion is different from each other so that a plurality of laser beams are irradiated using each of the plurality of masking portions And irradiating the laser beam onto the shadow mask. 제 1항에 있어서,
상기 마스킹부는 서로 다른 폭을 가지며, 상기 레이저빔을 서로 다른 각도로 위상 쉬프트시킬 수 있는 복수의 마스킹 패턴을 가지는 위상 쉬프터 마스크(PSM)로 형성되어, 레이저빔을 각각에서 위상 쉬프트가 가능한 상기 각 마스킹 패턴을 거치도록 상기 베이스 상에 조사하는 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치.The method according to claim 1,
Wherein the masking portion is formed of a phase shifter mask (PSM) having a plurality of masking patterns that have different widths and are capable of phase-shifting the laser beam at different angles, And irradiating the pattern onto the base so as to pass through the pattern. 제 1항에 있어서,
상기 마스킹부는 레이저빔이 투과 가능한 바디와, 각각이 상기 바디 상에서 폭 방향으로 이격되도록 형성된 복수의 차광막과, 복수의 차광막 사이의 이격 공간이면서 레이저빔이 투과가 가능한 복수의 투과 영역을 포함하는 슬릿(Slit) 마스크이며,
외각 방향에서 바디의 중심 방향으로 갈수록 차광막의 폭이 얇아지도록 형성되고,
외각 방향에서 바디의 중심 방향으로 갈수록 투과 영역의 폭이 넓어지도록 형성되어,
상기 슬릿(Slit) 마스크 형태인 상기 마스킹부 상측에서 레이저빔을 조사하여, 상대적으로 폭이 넓은 투과 영역의 하측에 대응하는 베이스 영역에 조사된 레이저빔의 강도가, 상대적으로 폭이 좁은 투과 영역의 하측에 대응하는 베이스 영역에 조사된 레이저빔의 강도에 비해 세도록 조사하는 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치.The method according to claim 1,
Wherein the masking portion comprises a body capable of transmitting a laser beam, a plurality of light shielding films formed on the body so as to be spaced apart from each other in the width direction, and a plurality of slit regions including a plurality of light transmitting regions capable of transmitting laser beams, Slit mask,
The width of the light shielding film is made to become thinner from the outer direction toward the center of the body,
The width of the transmission region is widened from the outer direction toward the center of the body,
The intensity of the laser beam irradiated on the base region corresponding to the lower side of the relatively wide transmitting region is set to be higher than that of the transmitting region having the relatively narrower width by irradiating the laser beam on the upper side of the masking portion in the form of a slit mask So that the intensity of the laser beam irradiated to the base region corresponding to the lower side becomes larger than the intensity of the laser beam irradiated to the base region corresponding to the lower side. 제 1항 내지 제 5항, 제 7항 내지 제 13항 중의 어느 하나의 항에 있어서,
상기 베이스 상에 하측으로 갈수록 내경이 좁아지는 마스크 패턴이 마련되는 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치.The method according to any one of claims 1 to 5 and 7 to 13,
And a mask pattern having an inner diameter narrower toward the lower side is provided on the base. 제 1항에 있어서, 상기 줌렌즈부는,
줌 레인지(zoom range)는 +/- 70%인 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 장치.The zoom lens according to claim 1,
Wherein the zoom range is +/- 70%. ≪ Desc / Clms Page number 24 > 베이스 상측에 제조하고자 하는 마스크 패턴에 대응하는 마스킹 패턴이 마련된 마스킹부를 위치시키는 과정; 및
상기 마스킹부 상측에서 레이저빔을 조사하여, 상기 마스킹부를 통과한 레이저빔으로 상기 베이스를 가공함으로써, 상기 베이스에 상기 마스킹 패턴과 대응하는 형태의 패턴을 구성하는 과정을 포함하고,
상기 마스킹 패턴은 서로 다른 폭을 가지도록 복수 개로 마련되며, 상기 베이스가 위치한 방향으로 갈수록 폭이 좁은 마스킹 패턴이 위치하도록 마련되어, 상기 마스킹부 상측에서 조사된 레이저빔이 상기 복수의 마스킹 패턴을 단계적으로 거치도록 하여 상기 베이스 상에 조사하는 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 방법.Positioning a masking portion having a masking pattern corresponding to a masking pattern to be manufactured on the upper side of the base; And
And forming a pattern corresponding to the masking pattern on the base by irradiating a laser beam on the masking portion and processing the base with a laser beam passed through the masking portion,
Wherein the masking patterns are provided in a plurality of different widths so that a masking pattern having a narrower width is located in a direction in which the base is located, and the laser beam irradiated from above the masking unit forms the plurality of masking patterns in a stepwise manner And irradiating the laser beam onto the base to irradiate the laser beam onto the base. 제 16항에 있어서, 상기 복수의 마스킹 패턴은 동심축을 가지도록 마련된 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 방법.The method of manufacturing a shadow mask according to claim 16, wherein the plurality of masking patterns are provided so as to have concentric axes. 제 17항에 있어서,
상기 마스킹부는 복수 개로 마련되며, 각 마스킹부에는 마스킹 패턴이 마련되고,
상기 마스킹 패턴은 상기 마스킹부의 일부 영역을 상하 방향으로 관통하도록 마련된 개구 형태이며, 상기 각 마스킹부에 마련된 상기 개구의 폭이 상이하고,
상기 마스킹부 상측에서 레이저빔을 조사하는 과정에 있어서,
상기 복수의 마스킹부 각각을 이용하여 상기 레이저빔을 조사하는 복수 번의 레이저빔 조사 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 방법.18. The method of claim 17,
A plurality of masking portions are provided, and a masking pattern is provided on each of the masking portions,
Wherein the masking pattern is in the form of an opening provided so as to penetrate a part of the masking portion in a vertical direction, the width of the opening provided in each of the masking portions is different,
In the process of irradiating the laser beam on the masking portion,
And irradiating the laser beam using each of the plurality of masking portions. The method of manufacturing a shadow mask using laser patterning according to claim 1, 제 18항에 있어서,
상기 복수의 마스킹부 각각을 이용하여 상기 레이저빔을 조사하는 과정에 있어서,
상기 복수 번의 레이저빔 조사 단계 중, 마지막 레이저빔 조사 단계로 갈 수록, 폭이 좁은 개구 형태의 마스킹 패턴을 가지는 마스킹부를 이용하여 레이저빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 방법.19. The method of claim 18,
In the step of irradiating the laser beam using each of the plurality of masking portions,
Wherein a laser beam is irradiated by using a masking portion having a masking pattern of a narrow opening shape as the laser beam is irradiated at the last laser beam irradiation step of the plurality of laser beam irradiation steps . 제 17항에 있어서,
상기 마스킹부는 서로 다른 폭을 가지며, 상기 레이저빔을 서로 다른 각도로 위상 쉬프트시킬 수 있는 복수의 마스킹 패턴을 가지는 위상 쉬프터 마스크(PSM)이며,
상기 마스킹부 상측에서 레이저빔을 조사하는 과정에 있어서,
상기 위상 쉬프트 마스크(PSM) 형태인 상기 마스킹부 상측에서 레이저빔을 조사하여, 상기 레이저빔을 각각에서 위상 쉬프트가 가능한 상기 각 마스킹 패턴을 거치도록 상기 베이스 상에 조사하는 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 방법.18. The method of claim 17,
Wherein the masking portions are PSMs having different widths and having a plurality of masking patterns capable of phase-shifting the laser beam at different angles,
In the process of irradiating the laser beam on the masking portion,
Irradiating a laser beam onto the base in the form of a phase shift mask (PSM) on the mask so that the laser beam passes through each of the masking patterns capable of performing phase shift in each of the laser beams, A method of manufacturing a shadow mask using the same. 제 18항에 있어서,
상기 마스킹부는 레이저빔이 투과 가능한 바디와, 각각이 상기 바디 상에서 폭 방향으로 이격되도록 형성된 복수의 차광막과, 복수의 차광막 사이의 이격 공간이면서 레이저빔이 투과가 가능한 복수의 투과 영역을 포함하는 슬릿(Slit) 마스크이며,
외각 방향에서 바디의 중심 방향으로 갈수록 차광막의 폭이 얇아지도록 형성되고,
외각 방향에서 바디의 중심 방향으로 갈수록 투과 영역의 폭이 넓어지도록 형성되며,
상기 마스킹부 상측에서 레이저빔을 조사하는 과정에 있어서,
상기 슬릿(Slit) 마스크 형태인 상기 마스킹부 상측에서 레이저빔을 조사하여, 상대적으로 폭이 넓은 투과 영역의 하측에 대응하는 베이스 영역에 조사된 레이저빔의 강도가, 상대적으로 폭이 좁은 투과 영역의 하측에 대응하는 베이스 영역에 조사된 레이저빔의 강도에 비해 세도록 조사하는 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 방법.19. The method of claim 18,
Wherein the masking portion comprises a body capable of transmitting a laser beam, a plurality of light shielding films formed on the body so as to be spaced apart from each other in the width direction, and a plurality of slit regions including a plurality of light transmitting regions capable of transmitting laser beams, Slit mask,
The width of the light shielding film is made to become thinner from the outer direction toward the center of the body,
The width of the transmission region is widened from the outer direction toward the center of the body,
In the process of irradiating the laser beam on the masking portion,
The intensity of the laser beam irradiated on the base region corresponding to the lower side of the relatively wide transmitting region is set to be higher than that of the transmitting region having the relatively narrower width by irradiating the laser beam on the upper side of the masking portion in the form of a slit mask And irradiating the base region corresponding to the lower side with the laser beam so that the intensity is higher than the intensity of the laser beam irradiated to the base region corresponding to the lower side. 제 16항 내지 제 21항 중의 어느 하나의 항에 있어서,
상기 마스킹부를 이용한 레이저빔의 조사 과정에 의해 상기 베이스 상에 하측으로 갈수록 내경이 좁아지는 마스크 패턴이 마련되는 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크의 제조 방법.22. The method according to any one of claims 16 to 21,
Wherein a mask pattern is formed on the base to narrow the inner diameter toward the lower side by the irradiation process of the laser beam using the masking portion. 제 16항 내지 제 21항 중의 어느 하나의 항에 있어서,
상기 베이스를 수평 이동시켜 상기 베이스 전면에 상호 이격된 복수의 마스크 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 방법.22. The method according to any one of claims 16 to 21,
And moving the base horizontally to form a plurality of mask patterns spaced apart from each other on the front surface of the base. 제 16항 내지 제 21항 중의 어느 하나의 항에 있어서,
상기 베이스는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 패터닝을 이용한 섀도우 마스크의 제조 방법.22. The method according to any one of claims 16 to 21,
Wherein the base comprises a metal. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
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