KR101577907B1 - Method For Sensing Threshold Voltage Change Value Of Organic Light Emitting Display - Google Patents
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Abstract
OLED와, 상기 OLED의 발광량을 제어하는 구동 TFT를 각각 갖는 다수의 화소들을 포함한 유기발광 표시장치의 문턱전압 변화값 센싱 방법이 개시된다. 이 문턱전압 변화값 센싱 방법은, 프로그래밍 단계, 이동도 보상 단계, 센싱 단계, 및 샘플링 단계를 포함하여 센싱하는 데 소요되는 시간을 획기적으로 줄인다. 이에 따라, 본 발명은 실시간 구동 중의 수직 블랭크 기간에서의 센싱이 가능하여 보상 성능을 보다 향상시킬 수 있다.A threshold voltage change value sensing method of an organic light emitting display device including a plurality of pixels each having an OLED and a driving TFT controlling the amount of light emission of the OLED is disclosed. This threshold voltage change value sensing method significantly reduces the time required for sensing including the programming step, the mobility compensation step, the sensing step, and the sampling step. Accordingly, the present invention enables sensing in the vertical blank period during real-time driving, thereby further improving the compensation performance.
Description
본 발명은 유기발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 구동 소자의 전기적 특성 편차를 보상하기 위한 유기발광 표시장치의 문턱전압 변화값 센싱 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE
액티브 매트릭스 타입의 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode: 이하, "OLED"라 함)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. The active matrix type organic light emitting display device includes an organic light emitting diode (OLED) which emits light by itself, has a high response speed, and has a high luminous efficiency, luminance, and viewing angle.
자발광 소자인 OLED는 애노드전극 및 캐소드전극과, 이들 사이에 형성된 유기 화합물층(HIL, HTL, EML, ETL, EIL)을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)으로 이루어진다. 애노드전극과 캐소드전극에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다. The organic light emitting diode (OLED) includes an anode electrode, a cathode electrode, and organic compound layers (HIL, HTL, EML, ETL, EIL) formed therebetween. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer EIL). When a driving voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes passing through the HTL and electrons passing through the ETL are transferred to the EML to form excitons, Thereby generating visible light.
유기발광 표시장치는 OLED를 각각 포함한 화소들을 매트릭스 형태로 배열하고 비디오 데이터의 계조에 따라 화소들의 휘도를 조절한다. 화소들 각각은 OLED에 흐르는 구동전류를 제어하기 위해 구동 TFT(Thin Film Transistor)를 포함한다. 문턱 전압, 이동도 등과 같은 구동 TFT의 전기적 특성은 공정 조건, 구동 환경 등에 의해 화소들마다 달라질 수 있다. 이러한 구동 TFT의 전기적 특성 편차는 화소들 간 휘도 편차를 야기한다. 이를 해결하기 위하여, 각 화소로부터 구동 TFT의 특성 파라미터(문턱전압, 이동도)를 센싱하고, 센싱 결과를 기초로 화상 데이터를 보정하는 기술이 알려져 있다.The organic light emitting display device arranges the pixels each including the OLED in a matrix form and adjusts the brightness of the pixels according to the gradation of the video data. Each of the pixels includes a driving TFT (Thin Film Transistor) for controlling a driving current flowing in the OLED. The electrical characteristics of the driving TFT, such as threshold voltage, mobility, etc., may vary from pixel to pixel depending on process conditions, driving environment, and the like. Such an electric characteristic deviation of the driving TFT causes a luminance deviation between the pixels. In order to solve this problem, there has been known a technique of sensing characteristic parameters (threshold voltage, mobility) of driving TFTs from each pixel and correcting the image data based on the sensing result.
이 종래 기술에서는 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth) 변화를 센싱하기 위해, 도 1과 같이 구동 TFT(DT)를 소스 팔로워(Source Follower) 방식으로 동작시킨 후, 구동 TFT(DT)에 흐르는 전류에 의해 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)이 포화상태(saturation state)에 도달되는 시간(ta)에 구동 TFT(DT)의 소스노드 전압(Vs)을 센싱 전압(Vsen)으로 검출한다. 그런데, 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)이 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)에 도달되기까지는 긴 시간이 필요하다. 따라서, 종래 기술에서는 실시간 구동중에 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth) 변화를 센싱하는 것이 불가능하다.
In this prior art, in order to sense a change in the threshold voltage (Vth) of the drive TFT (DT), the drive TFT (DT) is operated in a source follower manner as shown in Fig. 1, The source node voltage Vs of the driving TFT DT is set to the sensing voltage Vsen at the time ta when the gate-source voltage Vgs of the driving TFT DT reaches the saturation state by the current, . It takes a long time until the gate-source voltage Vgs of the driving TFT DT reaches the threshold voltage Vth of the driving TFT DT. Therefore, in the prior art, it is impossible to sense a change in the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT) during real time driving.
따라서, 본 발명의 목적은 구동 TFT의 문턱전압 변화값을 센싱하는 데 소요되는 시간을 줄일 수 있도록 한 유기발광 표시장치의 문턱전압 변화값 센싱 방법을 제공하는 데 있다.
Accordingly, it is an object of the present invention to provide a threshold voltage change value sensing method of an organic light emitting display capable of reducing a time required for sensing a threshold voltage change value of a driving TFT.
상기 목적을 달성하기 위하여, OLED와, 상기 OLED의 발광량을 제어하는 구동 TFT를 각각 갖는 다수의 화소들을 포함한 유기발광 표시장치의 문턱전압 변화값 센싱 방법은, 프로그래밍 단계, 이동도 보상 단계, 센싱 단계, 및 샘플링 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, a threshold voltage change value sensing method of an organic light emitting display including a plurality of pixels each having an OLED and a driving TFT controlling the amount of light emission of the OLED, includes the steps of programming, mobility compensation, , And a sampling step.
프로그래밍 단계는 상기 구동 TFT의 게이트노드에 센싱용 데이터전압을 인가하고 상기 구동 TFT의 소스노드에 기준전압을 인가하여 상기 구동 TFT의 게이트-소스 간 전압(Vgs)을 제1 레벨로 프로그래밍한다. 이동도 보상 단계는 상기 구동 TFT의 게이트노드에 상기 센싱용 데이터전압을 유지시키고 상기 구동 TFT의 소스노드를 플로팅시켜 상기 구동 TFT의 Vgs를 상기 제1 레벨보다 낮은 제2 레벨로 변화시킴으로써 상기 구동 TFT의 이동도 변화를 보상한다. 센싱 단계는 상기 구동 TFT의 게이트노드를 플로팅시킨 상태에서 상기 제2 레벨의 Vgs에 따라 상기 구동 TFT에 화소 전류를 흘리고, 상기 화소전류에 의해 증가하는 상기 구동 TFT의 소스노드 전압을 센싱한다. 샘플링 단계는 상기 구동 TFT의 소스노드 전압을 상기 구동 TFT의 문턱전압 변화값 도출을 위한 센싱 전압으로 샘플링한다.The programming step applies a sensing data voltage to the gate node of the driving TFT and applies a reference voltage to the source node of the driving TFT to program the gate-source voltage (Vgs) of the driving TFT to the first level. The mobility compensating step holds the sensing data voltage at the gate node of the driving TFT and changes the Vgs of the driving TFT to a second level lower than the first level by floating the source node of the driving TFT, To compensate for the change in mobility. In the sensing step, a pixel current is supplied to the drive TFT in accordance with the second level of Vgs while the gate node of the drive TFT is floating, and the source node voltage of the drive TFT increased by the pixel current is sensed. The sampling step samples the source node voltage of the driving TFT to a sensing voltage for deriving a threshold voltage change value of the driving TFT.
유기발광 표시장치의 문턱전압 변화값 센싱 방법은, 상기 구동 TFT의 이동도 변화를 보상하는 단계와 상기 구동 TFT의 소스노드 전압을 센싱하는 단계 사이에, 상기 구동 TFT의 게이트노드를 플로팅시키고 상기 구동 TFT의 소스노드에 상기 기준전압을 재차 인가하여 상기 제2 레벨의 Vgs를 유지시키면서 상기 구동 TFT의 소스노드를 초기화하는 소스노드 초기화 단계를 더 포함한다.A method of sensing a threshold voltage change value of an organic light emitting display device includes the steps of: compensating a mobility change of the drive TFT and sensing a source node voltage of the drive TFT, And a source node initialization step of initializing the source node of the drive TFT while applying the reference voltage again to the source node of the TFT to maintain the Vgs of the second level.
유기발광 표시장치의 문턱전압 변화값 센싱 방법은, 상기 센싱 전압을 미리 설정된 기준 센싱값과 비교하여 상기 센싱 전압의 변화값을 산출하고, 상기 센싱 전압의 변화값을 리드 어드레스로 하여 룩업테이블로부터 상기 구동 TFT의 문턱전압 변화값을 읽어내는 단계를 더 포함한다.A method of sensing a threshold voltage change value of an organic light emitting display device includes calculating a change value of the sensing voltage by comparing the sensing voltage with a preset reference sensing value and using the change value of the sensing voltage as a read address, And reading the threshold voltage change value of the driving TFT.
상기 센싱 단계와 샘플링 단계는, 상기 구동 TFT의 Vgs가 상기 구동 TFT의 문턱전압보다 큰, TFT의 리니어 구간에서 수행된다.The sensing step and the sampling step are performed in a linear section of the TFT in which Vgs of the drive TFT is larger than the threshold voltage of the drive TFT.
상기 프로그래밍 단계, 상기 이동도 보상 단계, 상기 소스노드 초기화 단계, 상기 센싱 단계, 및 상기 샘플링 단계는 수직 블랭크 기간에서 수행되며; 상기 수직 블랭크 기간은 화상 표시를 위한 액티브 구간들 사이에 위치하여 화상 표시용 데이터의 기입이 이뤄지지 않는 기간을 지시한다.
Wherein the programming step, the mobility compensation step, the source node initialization step, the sensing step, and the sampling step are performed in a vertical blanking period; The vertical blanking period indicates a period of time during which the writing of data for image display is not performed between the active periods for image display.
본 발명은 이동도 변화를 내부적으로 선 보상한 후, TFT 리니어 구간의 임의의 시점에서 센싱 및 샘플링을 수행하기 때문에, 구동 TFT의 문턱전압 변화값을 센싱하는 데 소요되는 시간을 획기적으로 줄일 수 있다. Since the present invention performs sensing and sampling at an arbitrary point in time in the TFT linear section after internally compensating the mobility change internally, the time required to sense the threshold voltage change value of the driving TFT can be drastically reduced .
이에 따라, 본 발명은 실시간 구동 중의 수직 블랭크 기간에서의 센싱이 가능하여 보상 성능을 보다 향상시킬 수 있다.
Accordingly, the present invention enables sensing in the vertical blank period during real-time driving, thereby further improving the compensation performance.
도 1은 구동 TFT의 문턱전압 변화값을 소스 팔로워 방식으로 센싱하는 종래 기술을 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 개략적으로 보여주는 도면.
도 3은 화소 어레이와 데이터 드라이버 IC의 구성 예를 보여주는 도면.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 화소와 센싱 유닛의 세부 구성을 보여주는 회로도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 구동 TFT의 문턱전압 변화값 센싱 과정을 순차적으로 설명하기 위한 파형도.
도 6은 구동 TFT의 문턱전압 변화값이 TFT 리니어 구간에서 커브 기울기 차이로 나타나는 것을 보여주는 도면.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 구동 TFT의 문턱전압 변화값 센싱 방법을 보여주는 흐름도.
도 8은 액티브 구간과 수직 블랭크 구간을 보여주는 도면.
도 9는 구동 TFT의 문턱전압 변화값을 센싱하기 위한 본 발명의 센싱 원리를 보여주는 도면.
도 10은 본 발명에 있어 구동 TFT의 문턱전압 변화값을 센싱하는 데 소요되는 시간이 종래 기술 대비 줄어드는 것을 보여주는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a diagram showing a conventional technique for sensing a threshold voltage change value of a driving TFT in a source follower manner. Fig.
BACKGROUND OF THE
3 is a view showing a configuration example of a pixel array and a data driver IC;
4 is a circuit diagram showing a detailed configuration of a pixel and a sensing unit according to an embodiment of the present invention;
5 is a waveform diagram sequentially illustrating a threshold voltage change value sensing process of a driving TFT according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing that a threshold voltage change value of a driving TFT appears as a curve slope difference in a TFT linear section;
7 is a flowchart illustrating a threshold voltage change value sensing method of a driving TFT according to an embodiment of the present invention.
8 is a view showing an active section and a vertical blank section;
9 is a view showing a sensing principle of the present invention for sensing a threshold voltage change value of a driving TFT;
10 is a view showing that the time required to sense the threshold voltage change value of the driving TFT in the present invention is reduced compared with the conventional technology.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 보여준다. 도 3은 화소 어레이와 데이터 드라이버 IC의 구성 예를 보여준다. 2 illustrates an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. 3 shows a configuration example of a pixel array and a data driver IC.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 표시패널(10), 타이밍 콘트롤러(11), 데이터 구동회로(12), 게이트 구동회로(13), 및 메모리(16)를 구비할 수 있다. 2 and 3, an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a
표시패널(10)에는 다수의 데이터라인들 및 센싱라인들(14A,14B)과, 다수의 게이트라인들(15)이 교차되고, 이 교차영역마다 화소들(P)이 매트릭스 형태로 배치된다. 게이트라인들(15)은, 스캔 제어신호(도 4의 SCAN)가 순차적으로 공급되는 다수의 제1 게이트라인들(15A)과, 센싱 제어신호(도 4의 SEN)가 순차적으로 공급되는 다수의 제2 게이트라인들(15B)를 포함한다.A plurality of data lines and
각 화소(P)는 데이터라인들(14A) 중 어느 하나에, 센싱라인들(14B) 중 어느 하나에, 그리고 제1 게이트라인들(15A) 중 어느 하나에, 제2 게이트라인들(15B) 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 각 화소(P)은 제1 게이트라인(15A)을 통해 입력되는 스캔 제어신호(SCAN)에 응답하여 데이터라인(14A)에 연결되고, 제2 게이트라인(15B)을 통해 입력되는 센싱 제어신호(SEN)에 응답하여 센싱라인(14B)에 연결될 수 있다. Each pixel P is connected to any one of the
화소(P) 각각은 도시하지 않은 전원생성부로부터 고전위 구동전압(EVDD)과 저전위 구동전압(EVSS)을 공급받는다. 본 발명의 화소(P)는 OLED와, 이 OLED를 구동하는 구동 TFT를 포함할 수 있다. 구동 TFT는 p 타입으로 구현되거나 또는, n 타입으로 구현될 수 있다. 또한, 구동 TFT의 반도체층은, 아몰포스 실리콘 또는, 폴리 실리콘 또는, 산화물을 포함할 수 있다.Each of the pixels P is supplied with a high potential drive voltage EVDD and a low potential drive voltage EVSS from a power supply not shown. The pixel P of the present invention may include an OLED and a driving TFT for driving the OLED. The driving TFT may be implemented as a p-type or an n-type. Further, the semiconductor layer of the driving TFT may include amorphous silicon, polysilicon, or an oxide.
화소(P) 각각은 표시 화상 구현을 위한 노멀 구동시와, 문턱전압 변화값 센싱하기 위한 센싱 구동시에 서로 다르게 동작할 수 있다. 본 발명의 센싱 구동은 파워 온 과정 중의 소정 시간 동안 수행되거나, 파워 오프 과정 중의 소정 시간 동안 수행될 수 있다. 특히, 본 발명의 센싱 구동은 후술하는 방법에 의해 구동 TFT의 문턱전압 변화값을 센싱하는 데 소요되는 시간을 종래 대비 크게 줄일 수 있으므로, 실시간 구동 중에 즉, 노멀 구동 중의 수직 블랭크 기간들에서 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth) 변화를 센싱하는 것이 가능하다.Each of the pixels P may operate differently at the time of normal driving for the display image implementation and at the sensing operation for sensing the threshold voltage change value. The sensing operation of the present invention may be performed for a predetermined time during the power-on process or for a predetermined time during the power-off process. In particular, the sensing drive of the present invention can reduce the time required for sensing the threshold voltage change value of the driving TFT by a method described later to a great extent as compared with the related art. Therefore, during the real time driving, It is possible to sense the change in the threshold voltage Vth of the transistor DT.
센싱 구동은 타이밍 콘트롤러(11)의 제어하에 데이터 구동회로(12)와 게이트 구동회로(13)의 일 동작으로 이루어질 수 있다. Sensing operation may be performed by one operation of the
데이터 구동회로(12)는 적어도 하나 이상의 데이터 드라이버 IC(Intergrated Circuit)(SDIC)를 포함한다. 이 데이터 드라이버 IC(SDIC)에는 각 데이터라인(14A)에 연결된 다수의 디지털-아날로그 컨버터(이하, DAC)들(121)과, 각 센싱라인(14B)에 연결된 다수의 센싱 유닛들(122), 센싱 유닛들(122)을 선택적으로 아날로그-디지털 컨버터(이하, ADC)에 연결하는 먹스부(123), 선택 제어신호를 생성하여 먹스부(123)의 스위치들(SS1~SSk)을 순차적으로 턴 온 시키는 쉬프트 레지스터(124)가 구비될 수 있다.The
DAC는 센싱 구동시 타이밍 콘트롤러(11)의 제어하에 센싱용 데이터전압을 생성하여 데이터라인들(14A)에 공급한다. 한편, DAC는 노멀 구동시 타이밍 콘트롤러(11)의 제어하에 화상 표시용 데이터전압을 생성하여 데이터라인들(14A)에 공급할 수 있다.The DAC generates a data voltage for sensing under the control of the
각 센싱 유닛(SU#1~#k)은 센싱 라인(14B)에 일대일로 연결될 수 있다. 각 센싱 유닛(SU#1~#k)은 타이밍 콘트롤러(11)의 제어하에 센싱 라인(14B)에 기준전압을 공급하거나, 또는 센싱 라인(14B)에 충전된 센싱 전압을 ADC에 공급할 수 있다.Each of the sensing
ADC는 먹스부(123)를 통해 선택적으로 입력되는 센싱 전압을 디지털 센싱값(SD)으로 변환하여 타이밍 콘트롤러(11)에 전송한다. The ADC converts the sensing voltage selectively input through the
게이트 구동회로(13)는 타이밍 콘트롤러(11)의 제어하에 센싱 구동과 노멀 구동에 맞게 스캔 제어신호를 생성한 후, 행 순차 방식으로 제1 게이트라인들(15A)에 공급할 수 있다. 게이트 구동회로(13)는 타이밍 콘트롤러(11)의 제어하에 센싱 구동과 노멀 구동에 맞게 센싱 제어신호를 생성한 후, 행 순차 방식으로 제2 게이트라인들(15B)에 공급할 수 있다. The
타이밍 콘트롤러(11)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 구동회로(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)와, 게이트 구동회로(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)를 생성한다. 타이밍 콘트롤러(11)는 소정의 참조 신호(구동전원 인에이블신호, 수직 동기신호, 데이터 인에이블 신호등)를 기반으로 노멀 구동과 센싱 구동을 분리하고, 각 구동에 맞게 데이터 제어신호(DDC)와 게이트 제어신호(GDC)를 생성할 수 있다. 아울러, 타이밍 콘트롤러(11)는 노멀 구동과 센싱 구동에 맞게 각 센싱 유닛들(SU#1~#k)의 내부 스위치들을 동작시키기 위해 관련 스위칭 제어신호들(CON, 도 4의 PRE 및 SAM 포함)을 더 생성할 수 있다.The
타이밍 콘트롤러(11)는 센싱 구동시 센싱용 데이터전압에 대응되는 제1 보상 데이터를 데이터 구동회로(12)에 전송할 수 있다. 여기서, 제1 보상 데이터는 직전 센싱 주기에서 센싱된 구동 TFT의 문턱전압 변화를 보상할 수 있는 보상값이 반영되어 있다. 타이밍 콘트롤러(11)는 노멀 구동시 화상 표시용 데이터전압에 대응되는 제2 보상 데이터(RGB)를 데이터 구동회로(12)에 전송할 수 있다. 여기서, 제2 보상 데이터(RGB)에는 직전 센싱 주기에서 센싱된 구동 TFT의 문턱전압 변화를 보상할 수 있는 보상값이 반영되어 있다. The
타이밍 콘트롤러(11)는 센싱 구동시 데이터 구동회로(12)로부터 전송되는 디지털 센싱전압(Vsen)을 기반으로 구동 TFT의 문턱전압 변화값을 도출하고, 메모리(16)에 기 저장되어 있던 보상값을 상기 도출된 문턱전압 변화값을 기초로 하여 적절히 갱신할 수 있다.The
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 화소와 센싱 유닛의 세부 구성을 보여준다. 그리고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 구동 TFT의 문턱전압 변화값 센싱 과정을 순차적으로 설명하기 위한 파형도이다. 도 6은 구동 TFT의 문턱전압 변화값이 TFT 리니어 구간에서 커브 기울기 차이로 나타나는 것을 보여준다.4 shows a detailed configuration of a pixel and a sensing unit according to an embodiment of the present invention. 5 is a waveform diagram sequentially illustrating the threshold voltage change value sensing process of the driving TFT according to the embodiment of the present invention. 6 shows that the threshold voltage change value of the driving TFT appears as a curve slope difference in the TFT linear section.
도 4를 참조하면, 본 발명의 화소(P)는 OLED, 구동 TFT(Thin Film Transistor)(DT), 스토리지 커패시터(Cst), 제1 스위치 TFT(ST1), 및 제2 스위치 TFT(ST2)를 구비할 수 있다. 4, the pixel P of the present invention includes an OLED, a driving TFT (Thin Film Transistor) DT, a storage capacitor Cst, a first switch TFT ST1, and a second switch TFT ST2 .
OLED는 소스노드(Ns)에 접속된 애노드전극과, 저전위 구동전압(EVSS)의 입력단에 접속된 캐소드전극과, 애노드전극과 캐소드전극 사이에 위치하는 유기화합물층을 포함한다. The OLED includes an anode electrode connected to the source node Ns, a cathode electrode connected to the input terminal of the low potential driving voltage EVSS, and an organic compound layer positioned between the anode electrode and the cathode electrode.
구동 TFT(DT)는 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 OLED에 입력되는 전류량을 제어한다. 구동 TFT(DT)는 게이트노드(Ng)에 접속된 게이트전극, 고전위 구동전압(EVDD)의 입력단에 접속된 드레인전극, 및 소스노드(Ns)에 접속된 소스전극을 구비한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 게이트노드(Ng)와 소스노드(Ns) 사이에 접속되어 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)을 유지시킨다. 제1 스위치 TFT(ST1)는 스캔 제어신호(SCAN)에 응답하여 데이터라인(14A) 상의 센싱용 데이터전압(Vdata)을 게이트노드(Ng)에 인가한다. 제1 스위치 TFT(ST1)는 제1 게이트라인(15A)에 접속된 게이트전극, 데이터라인(14A)에 접속된 드레인전극, 및 게이트노드(Ng)에 접속된 소스전극을 구비한다. 제2 스위치 TFT(ST2)는 센싱 제어신호(SEN)에 응답하여 소스노드(Ns)와 센싱 라인(14B) 간의 전기적 접속을 스위칭한다. 제2 스위치 TFT(ST2)는 제2 게이트라인(15B)에 접속된 게이트전극, 센싱 라인(14B)에 접속된 드레인전극, 및 소스노드(Ns)에 접속된 소스전극을 구비한다.The driving TFT DT controls the amount of current input to the OLED according to the gate-source voltage Vgs. The driving TFT DT has a gate electrode connected to the gate node Ng, a drain electrode connected to the input terminal of the high potential driving voltage EVDD, and a source electrode connected to the source node Ns. The storage capacitor Cst is connected between the gate node Ng and the source node Ns to maintain the gate-source voltage Vgs of the driver TFT DT. The first switch TFT (ST1) applies a sensing data voltage (Vdata) on the data line (14A) to the gate node (Ng) in response to the scan control signal (SCAN). The first switch TFT ST1 has a gate electrode connected to the
그리고, 본 발명의 센싱 유닛(SU)은 기준전압 제어 스위치(SW1), 샘플링 스위치(SW2), 및 샘플 앤 홀드부(S/H)를 구비할 수 있다.The sensing unit SU of the present invention may include a reference voltage control switch SW1, a sampling switch SW2, and a sample and hold unit S / H.
기준전압 제어 스위치(SW1)는 기준전압 제어신호(PRE)에 따라 스위칭되어 기준전압(Vref)의 입력단과 센싱 라인(14B)을 접속시킨다. 샘플링 스위치(SW2)는 샘플링 제어신호(SAM)에 따라 스위칭되어 센싱 라인(14B)과 샘플 앤 홀드부(S/H)를 접속시킨다. 샘플 앤 홀드부(S/H)는 샘플링 스위치(SW2)가 턴 온 될 때 센싱 라인(14B)의 라인 커패시터(LCa)에 저장된 구동 TFT(DT)의 소스노드 전압(Vs)을 센싱 전압(Vsen)으로서 샘플링 및 홀딩한 후 ADC에 전달한다. 여기서, 라인 커패시터(LCa)는 센싱 라인(14B)에 존재하는 기생 커패시터로 대체될 수 있다.The reference voltage control switch SW1 is switched according to the reference voltage control signal PRE to connect the input terminal of the reference voltage Vref to the
상술한 유기발광 표시장치의 일 예시 구성에 도 5 및 도 6을 결부하여, 이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 문턱전압 변화값 센싱 과정을 순차적으로 설명한다.5 and 6 together with an exemplary configuration of the organic light emitting diode display, the threshold voltage change value sensing process of the OLED display according to the exemplary embodiment of the present invention will be sequentially described below.
본 발명의 문턱전압 변화값 센싱 과정은 도 5와 같이 프로그래밍 구간(T1), 이동도 보상 구간(T2), 센싱 구간(T4), 및 샘플링 구간(T5)을 포함할 수 있다. 본 발명의 문턱전압 변화값 센싱 과정은 센싱의 정확도를 높이기 위해 소스노드 초기화 구간(T3)을 더 포함할 수 있다. 한편, 도 5에서 "T0"는 프로그래밍 구간(T1)에 앞서 센싱 라인(14B)을 미리 기준전압(Vref)으로 초기화하기 위한 센싱라인 초기화 구간으로서 생략 가능하다.The threshold voltage change value sensing process of the present invention may include a programming period T1, a mobility compensation period T2, a sensing period T4, and a sampling period T5 as shown in FIG. The threshold voltage change value sensing process of the present invention may further include a source node initialization period T3 to increase the accuracy of sensing. 5, "T0" can be omitted as a sensing line initializing period for initializing the
프로그래밍 구간(T1)에서, 스캔 제어신호(SCAN), 센싱 제어신호(SEN) 및 기준전압 제어신호(PRE)는 모두 온 레벨로 입력된다. 프로그래밍 구간(T1)에서, 제1 스위치 TFT(ST1)가 턴 온 되어 구동 TFT(DT)의 게이트노드(Ng)에 센싱용 데이터전압(Vdata)이 인가되고, 제2 스위치 TFT(ST2)와 기준전압 제어 스위치(SW1)가 턴 온 되어 구동 TFT(DT)의 소스노드(Ns)에 기준전압(Vref)이 인가된다. 그 결과, 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)이 제1 레벨(LV1)로 프로그래밍된다.In the programming period T1, both the scan control signal SCAN, the sensing control signal SEN, and the reference voltage control signal PRE are input at the ON level. In the programming period T1, the first switch TFT ST1 is turned on to apply the sensing data voltage Vdata to the gate node Ng of the drive TFT DT, and the second switch TFT ST2 and the reference The voltage control switch SW1 is turned on and the reference voltage Vref is applied to the source node Ns of the driving TFT DT. As a result, the gate-source voltage Vgs of the driving TFT DT is programmed to the first level LV1.
이동도 보상 구간(T2)에서, 스캔 제어신호(SCAN)와 기준전압 제어신호(PRE)는 온 레벨로 유지되는 데 반해, 센싱 제어신호(SEN)는 오프 레벨로 반전된다. 이동도 보상 구간(T2)에서, 제1 스위치 TFT(ST1)가 턴 온 되어 구동 TFT(DT)의 게이트노드(Ng)는 센싱용 데이터전압(Vdata)으로 유지되고, 제2 스위치 TFT(ST2)가 턴 오프 되어 구동 TFT(DT)의 소스노드(Ns)는 플로팅된다. 구동 TFT(DT)에는 프로그래밍된 제1 레벨(LV1)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 의해 화소 전류가 흐르고, 구동 TFT(DT)의 소스노드 전압(Vs)은 이 화소 전류로 인해 상승한다. 그 결과, 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)이 제1 레벨(LV1)보다 낮고 구동 TFT(DT)의 문턱전압보다 높은 제2 레벨(LV2)로 변화되는데, 소스노드 전압(Vs)이 상승된 만큼 게이트-소스 간 전압(Vgs)이 낮아지기 때문에 구동 TFT(DT)의 이동도 변화가 자동으로 보상되는 것이다.In the mobility compensation period T2, the scan control signal SCAN and the reference voltage control signal PRE are maintained at the ON level, while the sensing control signal SEN is inverted to the OFF level. In the mobility compensation period T2, the first switch TFT ST1 is turned on so that the gate node Ng of the drive TFT DT is held at the sensing data voltage Vdata, and the second switch TFT ST2, The source node Ns of the driving TFT DT is floated. The pixel current flows in the drive TFT DT by the gate-source voltage Vgs of the programmed first level LV1 and the source node voltage Vs of the drive TFT DT rises due to the pixel current . As a result, the gate-source voltage Vgs of the driving TFT DT is changed to the second level LV2, which is lower than the first level LV1 and higher than the threshold voltage of the driving TFT DT, The source-to-source voltage Vgs is lowered by the increase of the gate-source voltage Vs, so that the shift of the drive TFT DT is automatically compensated.
소스노드 초기화 구간(T3)에서, 스캔 제어신호(SCAN)는 오프 레벨로 반전되고, 센싱 제어신호(SEN)는 온 레벨로 반전되며, 기준전압 제어신호(PRE)는 온 레벨로 유지된다. 소스노드 초기화 구간(T3)에서, 제1 스위치 TFT(ST1)가 턴 오프 되어 구동 TFT(DT)의 게이트노드(Ng)가 플로팅되고, 제2 스위치 TFT(ST2)와 기준전압 제어 스위치(SW1)가 턴 온 되어 구동 TFT(DT)의 소스노드(Ns)에 기준전압(Vref)이 재차 인가된다. 그 결과, 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)이 상기 제2 레벨(LV2)로 유지되는 상태에서 구동 TFT(DT)의 소스노드(Ns)가 기준전압(Vref)으로 초기화된다. 이렇게 구동 TFT(DT)의 소스노드(Ns)를 기준전압(Vref)으로 초기화하는 이유는 센싱 구간(T4)의 시작점 전압을 동일하게 하여 센싱의 정확도를 높이기 위함이다.In the source node initialization period T3, the scan control signal SCAN is inverted to the off level, the sensing control signal SEN is inverted to the on level, and the reference voltage control signal PRE is maintained at the on level. The first switch TFT ST1 is turned off to float the gate node Ng of the drive TFT DT and the second switch TFT ST2 and the reference voltage control switch SW1 are turned on, The reference voltage Vref is applied again to the source node Ns of the driving TFT DT. As a result, the source node Ns of the driving TFT DT is initialized to the reference voltage Vref in a state in which the gate-source voltage Vgs of the driving TFT DT is maintained at the second level LV2 . The source node Ns of the driving TFT DT is thus initialized to the reference voltage Vref in order to increase the accuracy of sensing by making the starting voltage of the sensing period T4 equal.
센싱 구간(T4)에서, 스캔 제어신호(SCAN)는 오프 레벨로 유지되고, 센싱 제어신호(SEN)는 온 레벨로 유지되며, 기준전압 제어신호(PRE)는 오프 레벨로 반전된다. 센싱 구간(T4)에서, 제1 스위치 TFT(ST1)가 턴 오프 되어 구동 TFT(DT)의 게이트노드(Ng)가 플로팅 상태로 유지되고, 기준전압 제어 스위치(SW1)가 턴 오프 되어 구동 TFT(DT)의 소스노드(Ns)에 인가되던 기준전압(Vref)이 해제된다. 이 상태에서 구동 TFT(DT)에는 상기 변화된 제2 레벨(LV2)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 의해 화소 전류가 흐르고, 구동 TFT(DT)의 소스노드 전압(Vs)은 이 화소 전류로 인해 상승한다. 구동 TFT(DT)의 소스노드 전압(Vs)은 턴 온 된 제2 스위치 TFT(ST2)를 통해 센싱 라인(14B)의 라인 커패시터(LCa)에 저장된다.In the sensing period T4, the scan control signal SCAN is maintained at the OFF level, the sensing control signal SEN is maintained at the ON level, and the reference voltage control signal PRE is inverted to the OFF level. The first switch TFT ST1 is turned off so that the gate node Ng of the drive TFT DT is kept in a floating state and the reference voltage control switch SW1 is turned off to turn on the drive TFT The reference voltage Vref applied to the source node Ns of the transistors DT is released. In this state, the pixel current flows in the drive TFT DT by the gate-source voltage Vgs of the second level LV2, and the source node voltage Vs of the drive TFT DT becomes the pixel current . The source node voltage Vs of the driving TFT DT is stored in the line capacitor LCa of the
샘플링 구간(T5)에서, 센싱 제어신호(SEN)는 오프 레벨로 반전되고 샘플링 제어신호(SAM)는 온 레벨로 입력된다. 샘플링 구간(T5)에서, 제2 스위치 TFT(ST2)가 턴 오프 되어 구동 TFT(DT)의 소스노드(Ns)와 센싱 라인(14B) 간의 전기적 접속이 해제된다. 그리고, 샘플링 제어스위치(SW2)가 턴 온 되어 센싱 라인(14B)과 샘플 앤 홀드부(S/H)가 서로 연결됨으로써, 센싱 라인(14B)에 충전된 구동 TFT(DT)의 소스노드 전압(Vs)이 구동 TFT(DT)의 문턱전압 변화값 도출을 위한 센싱 전압(Vsen)으로 샘플링된다.In the sampling period T5, the sensing control signal SEN is inverted to the off level and the sampling control signal SAM is input to the on level. In the sampling period T5, the second switch TFT ST2 is turned off to release the electrical connection between the source node Ns of the drive TFT DT and the
센싱 전압(Vsen)은 ADC를 거쳐 디지털 값으로 변환된 후 타이밍 콘트롤러(11)에 전송된다. 타이밍 콘트롤러(11)는 센싱 전압(Vsen)을 미리 설정된 기준 센싱값(Vsen[REF])과 비교하여 센싱 전압의 변화값(ㅿVsen)을 산출하고, 센싱 전압의 변화값(ㅿVsen)을 리드 어드레스로 하여 룩업테이블로부터 구동 TFT(DT)의 문턱전압 변화값(ㅿVth)을 읽어낼 수 있다. The sensing voltage Vsen is converted into a digital value via the ADC and then transmitted to the
본 발명은 센싱 및 샘플링 구간(T4,T5)에 앞서 이동도 보상 구간(T2)을 마련하여 센싱 전에 미리 구동 TFT(DT)의 이동도 변화를 내부적으로 자동 보상함으로써, 센싱 전압(Vsen)에는 구동 TFT(DT)의 문턱전압 변화분만이 포함되도록 한다. 본 발명에 의하면, 센싱 전압(Vsen)의 차이가 문턱전압(Vth) 차이로 대변되게 되며, 센싱 전압의 변화값(ㅿVsen)이 클수록 문턱전압 변화값(ㅿVth)이 커지게 된다. 그 이유는, 이동도 특성이 같은 경우라도 문턱전압(Vth) 특성이 서로 다르면, 도 6과 같이 Vgs가 Vth보다 작은 TFT 리니어 구간에서 커브 기울기가 서로 달라지고, 본 발명은 센싱에 소요되는 시간을 줄이기 위해 상기 TFT 리니어 구간의 전압값을 센싱 및 샘플링하기 때문이다. The present invention provides a mobility compensation period T2 before the sensing and sampling periods T4 and T5 to automatically compensate for the mobility change of the driving TFT DT internally before sensing so that the sensing voltage Vsen is driven So that only the change in the threshold voltage of the TFT DT is included. According to the present invention, the difference of the sensing voltage Vsen is represented by the difference of the threshold voltage Vth, and the larger the variation value Vsen of the sensing voltage is, the larger the threshold voltage variation value Vth is. The reason for this is as follows. If the threshold voltage (Vth) characteristics are different even when the mobility characteristics are the same, the curve slopes are different from each other in the TFT linear section in which Vgs is smaller than Vth as shown in FIG. 6, And the voltage value of the TFT linear section is sensed and sampled to reduce the voltage.
본 발명은 이동도 변화를 내부적으로 선 보상하기 때문에 상기 TFT 리니어 구간에서의 고속 센싱이 가능하다. 다만, 이동도 변화를 선 보상함이 없이 상기와 같은 고속 센싱을 하는 경우에는, 센싱 전압(Vsen)에 문턱전압 변화분과 함께 이동도 변화분까지 포함되며, 더욱이 센싱 전압(Vsen)에 이동도 변화 영향이 더 크게 작용하므로, 정확한 문턱전압 변화값을 얻는 것이 불가능하다.Since the present invention internally compensates the mobility change internally, high-speed sensing in the TFT linear section is possible. However, when the high-speed sensing is performed without compensating for the mobility change, the sensing voltage Vsen includes the threshold voltage change as well as the mobility variation, Since the influence is larger, it is impossible to obtain an accurate threshold voltage change value.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 구동 TFT의 문턱전압 변화값 센싱 방법을 보여주는 흐름도이다. 도 8은 액티브 기간과 수직 블랭크 기간을 보여준다.7 is a flowchart illustrating a threshold voltage change value sensing method of a driving TFT according to an embodiment of the present invention. Figure 8 shows the active period and the vertical blanking period.
도 7을 참조하면, 본 발명은 TFT 리니어 구간에서의 고속 센싱을 통해 문턱전압 변화값을 센싱하기 때문에, 문턱전압 변화값 도출을 위한 일련의 과정 즉, 프로그래밍, 이동도 보상, 소스노드 초기화, 센싱 및 샘플링 등을 수직 블랭크 기간에서 수행할 수 있다. 즉, 본 발명은 파워 온 과정 중의 소정 시간 또는 파워 오프 과정 중의 소정 시간을 별도로 추가할 필요없이, 실시간 구동중에 구동 TFT(DT)의 문턱전압 변화를 센싱하는 것이 가능하여, 보상 성능을 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 7, since a threshold voltage change value is sensed through high-speed sensing in a TFT linear section, a series of processes for deriving a threshold voltage change value, that is, programming, mobility compensation, And sampling may be performed in the vertical blanking period. That is, according to the present invention, it is possible to sense the threshold voltage change of the driving TFT DT during real-time driving without additionally adding a predetermined time during the power-on process or a predetermined time during the power-off process, have.
여기서, 수직 블랭크 기간은 도 8에 도시된 바와 같이, 화상 표시를 위한 액티브 구간들 사이에 위치하여 화상 표시용 데이터의 기입이 이뤄지지 않는 기간을 지시한다. 수직 블랭크 기간 동안 데이터 인에이블 신호(DE)는 계속해서 로우 로직 레벨(L)로 유지된다. 이렇게 데이터 인에이블 신호(DE)가 로우 로직 레벨(L)일 때에는 데이터의 기입이 중지된다.Here, as shown in Fig. 8, the vertical blanking period indicates a period of time during which the writing of data for image display is not performed between the active periods for image display. During the vertical blank period, the data enable signal DE continues to be held at the low logic level (L). When the data enable signal DE is at the low logic level (L), the writing of data is stopped.
도 9는 구동 TFT의 문턱전압 변화값을 센싱하기 위한 본 발명의 센싱 원리를 보여준다. 그리고, 도 10은 본 발명에 있어 구동 TFT의 문턱전압 변화값을 센싱하는 데 소요되는 시간이 종래 기술 대비 줄어드는 것을 보여준다.9 shows the sensing principle of the present invention for sensing a threshold voltage change value of a driving TFT. 10 shows that the time required for sensing the threshold voltage change value of the driving TFT in the present invention is reduced compared with the conventional technique.
종래 기술이 구동 TFT의 문턱전압 변화를 소스 팔로워 방식(게이트노드를 고정시키고 소스노드를 플로팅시킨 상태에서 프로그래밍된 화소 전류를 구동 TFT에 흘려 소스노드의 전위를 상승시킴으로써 Vgs를 Vth에 수렴시킴)으로 센싱한 것에 비해, 본 발명은 구동 TFT의 문턱전압 변화를 도 9와 같이 정전류 모드 방식(게이트노드와 소스노드를 모두 플로팅시킨 상태에서 프로그래밍된 화소 전류를 구동 TFT에 흘려 Vgs를 일정하게 유지시키면서 게이트노드 및 소스노드 전위를 동시에 상승시킴)으로 센싱한다. 도 9에서, Δt는 센싱에 소요된 시간, C는 센싱라인의 라인 커패시턴스, I는 프로그래밍된 화소전류, ΔV는 센싱전압 변화값을 각각 나타낸다.The prior art shifts the threshold voltage of the driving TFT to the source follower mode (causing the programmed pixel current to flow to the driving TFT while the gate node is fixed and the source node is floated to converge Vgs to Vth by raising the potential of the source node) 9, the present invention is characterized in that the threshold voltage variation of the driving TFT is changed in the constant current mode method (by flowing the programmed pixel current to the driving TFT in a state in which both the gate node and the source node are floating, Node and source node potential simultaneously). 9,? T represents the time required for sensing, C represents the line capacitance of the sensing line, I represents the programmed pixel current, and? V represents the sensing voltage change value.
종래 기술에서는 구동 TFT(DT)의 소스노드 전압(Vs)을 센싱 전압(Vsen)으로 검출하기 위해 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)이 포화상태(saturation state)에 도달되는 시간(ta)까지 기다려야 했기 때문에 센싱에 긴 시간이 소요되어 수직 블랭크 기간에서 센싱하는 것이 불가능하였다.In the prior art, in order to detect the source node voltage Vs of the driving TFT DT as the sensing voltage Vsen, the time when the gate-source voltage Vgs of the driving TFT DT reaches the saturation state (ta), it took a long time to sense it and it was impossible to sense in the vertical blank period.
하지만, 본 발명의 경우 도 10에 명확히 도시된 바와 같이, Vgs가 Vth보다 큰 리니어 구간의 일정 시점(tb, ta보다 앞섬)에서 센싱할 수 있기 때문에 센싱에 소요되는 시간을 종래에 비해 획기적으로 줄일 수 있으며, 그에 따라 수직 블랭크 기간에서의 센싱이 가능해 진다. However, as clearly shown in FIG. 10, since the Vgs can be sensed at a predetermined time point (ahead of tb, ta) of the linear section larger than Vth, the time required for sensing is drastically reduced So that sensing in the vertical blank period is enabled.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
10 : 표시패널 11 : 타이밍 콘트롤러
12 : 데이터 구동회로 13 : 게이트 구동회로
14A : 데이터라인 14B : 센싱 라인
15 : 게이트라인 10: Display panel 11: Timing controller
12: data driving circuit 13: gate driving circuit
14A:
15: gate line
Claims (6)
상기 구동 TFT의 게이트노드에 센싱용 데이터전압을 인가하고 상기 구동 TFT의 소스노드에 기준전압을 인가하여 상기 구동 TFT의 게이트-소스 간 전압(Vgs)을 제1 레벨로 프로그래밍하는 프로그래밍 단계;
상기 구동 TFT의 게이트노드에 상기 센싱용 데이터전압을 유지시키고 상기 구동 TFT의 소스노드를 플로팅시켜 상기 구동 TFT의 Vgs를 상기 제1 레벨보다 낮고 상기 구동 TFT의 문턱전압보다 높은 제2 레벨로 변화시킴으로써 상기 구동 TFT의 이동도 변화를 보상하는 이동도 보상 단계;
상기 구동 TFT의 게이트노드를 플로팅시킨 상태에서 상기 제2 레벨의 Vgs에 따라 상기 구동 TFT에 화소 전류를 흘리고, 상기 화소전류에 의해 상기 구동 TFT의 Vgs가 문턱전압으로 포화되기 전에 상기 구동 TFT의 소스노드 전압을 센싱하는 센싱 단계; 및
상기 구동 TFT의 소스노드 전압을 상기 구동 TFT의 문턱전압 변화값 도출을 위한 센싱 전압으로 샘플링하는 샘플링 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 문턱전압 변화값 센싱 방법.A threshold voltage change value sensing method of an organic light emitting display including a plurality of pixels each having an OLED and a driving TFT for controlling an amount of light emission of the OLED,
A programming step of applying a sensing data voltage to a gate node of the driving TFT and applying a reference voltage to a source node of the driving TFT to program a gate-source voltage (Vgs) of the driving TFT to a first level;
Holding the sensing data voltage at the gate node of the driving TFT and floating the source node of the driving TFT to change Vgs of the driving TFT to a second level lower than the first level and higher than the threshold voltage of the driving TFT A mobility compensating step of compensating for a change in mobility of the driving TFT;
The method comprising the steps of: flowing a pixel current to the drive TFT in accordance with Vgs of the second level in a floating state of a gate node of the drive TFT; and before the Vgs of the drive TFT is saturated with a threshold voltage, Sensing a node voltage; And
And a sampling step of sampling the source node voltage of the driving TFT with a sensing voltage for deriving a threshold voltage change value of the driving TFT.
상기 구동 TFT의 이동도 변화를 보상하는 단계와 상기 구동 TFT의 소스노드 전압을 센싱하는 단계 사이에,
상기 구동 TFT의 게이트노드를 플로팅시키고 상기 구동 TFT의 소스노드에 상기 기준전압을 재차 인가하여 상기 제2 레벨의 Vgs를 유지시키면서 상기 구동 TFT의 소스노드를 초기화하는 소스노드 초기화 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 문턱전압 변화값 센싱 방법.The method according to claim 1,
Between the step of compensating the mobility variation of the drive TFT and the step of sensing the source node voltage of the drive TFT,
Further comprising a source node initialization step of floating the gate node of the drive TFT and applying the reference voltage again to the source node of the drive TFT to initialize the source node of the drive TFT while maintaining Vgs of the second level Wherein the threshold voltage change value sensing method comprises the steps of:
상기 센싱 전압을 미리 설정된 기준 센싱값과 비교하여 상기 센싱 전압의 변화값을 산출하고, 상기 센싱 전압의 변화값을 리드 어드레스로 하여 룩업테이블로부터 상기 구동 TFT의 문턱전압 변화값을 읽어내는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 문턱전압 변화값 센싱 방법.The method according to claim 1,
Calculating a change value of the sensing voltage by comparing the sensing voltage with a preset reference sensing value and reading the threshold voltage change value of the driving TFT from the lookup table using the change value of the sensing voltage as a lead address, Wherein the threshold voltage change value sensing method comprises the steps of:
상기 센싱 단계와 샘플링 단계는,
상기 구동 TFT의 Vgs가 상기 구동 TFT의 문턱전압보다 큰, TFT의 리니어 구간에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 문턱전압 변화값 센싱 방법.The method according to claim 1,
The sensing step and the sampling step may comprise:
Wherein a Vgs of the driving TFT is larger than a threshold voltage of the driving TFT and is performed in a linear section of the TFT.
상기 화소들 각각이, 스캔 제어신호에 따라 스위칭되어 상기 데이터전압이 인가된 데이터라인과 상기 구동 TFT의 게이트노드 간을 접속시키는 제1 스위치 TFT와, 센싱 제어신호에 따라 스위칭되어 센싱 유닛에 연결된 센싱라인과 상기 구동 TFT의 소스노드 간을 접속시키는 제2 스위치 TFT와, 상기 구동 TFT의 게이트노드와 소스노드 사이에 접속되는 스토리지 커패시터를 더 포함하고,
상기 센싱 유닛이, 기준전압 제어신호에 따라 스위칭되어 상기 기준전압의 입력단과 상기 센싱라인 간을 접속시키는 기준전압 제어 스위치와, 샘플링 제어신호에 따라 스위칭되어 상기 센싱라인과 샘플 앤 홀드부를 접속시키는 샘플링 제어 스위치를 포함할 때,
상기 스캔 제어신호는 상기 프로그래밍 단계가 이뤄지는 프로그래밍 구간 및 상기 이동도 보상 단계가 이뤄지는 이동도 보상 구간에서만 온 레벨로 인가되고,
상기 센싱 제어신호는 상기 프로그래밍 구간, 상기 소스노드 초기화 단계가 이뤄지는 소스노드 초기화 구간, 및 상기 센싱 단계가 이뤄지는 센싱 구간에서만 온 레벨로 인가되고,
상기 기준전압 제어신호는 상기 프로그래밍 구간, 상기 이동도 보상 구간, 및 상기 소스노드 초기화 구간에서만 온 레벨로 인가되고,
상기 샘플링 제어신호는 상기 샘플링 단계가 이뤄지는 샘플링 구간 내에서 온 레벨로 인가되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 문턱전압 변화값 센싱 방법.3. The method of claim 2,
Each of the pixels being switched in accordance with a scan control signal to connect a data line to which the data voltage is applied and a gate node of the drive TFT; and a second switch TFT, which is switched according to a sensing control signal, And a storage capacitor connected between the gate node and the source node of the drive TFT,
The sensing unit may include a reference voltage control switch that is switched according to a reference voltage control signal to connect the input terminal of the reference voltage and the sensing line, a sampling switching unit that switches according to a sampling control signal to connect the sensing line and the sample- When a control switch is included,
Wherein the scan control signal is applied at an ON level only in a programming period in which the programming is performed and in a mobility compensation period in which the mobility compensation is performed,
The sensing control signal is applied at an ON level only in the programming period, the source node initialization period in which the source node initialization step is performed, and the sensing period in which the sensing is performed,
Wherein the reference voltage control signal is applied at an ON level only in the programming period, the mobility compensation period, and the source node initialization period,
Wherein the sampling control signal is applied at an on level within a sampling interval during which the sampling is performed.
상기 프로그래밍 단계, 상기 이동도 보상 단계, 상기 소스노드 초기화 단계, 상기 센싱 단계, 및 상기 샘플링 단계는 수직 블랭크 기간에서 수행되며;
상기 수직 블랭크 기간은 화상 표시를 위한 액티브 구간들 사이에 위치하여 화상 표시용 데이터의 기입이 이뤄지지 않는 기간을 지시하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 문턱전압 변화값 센싱 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the programming step, the mobility compensation step, the source node initialization step, the sensing step, and the sampling step are performed in a vertical blanking period;
Wherein the vertical blanking period indicates a period of time during which no data for image display is written, which is located between active periods for displaying an image.
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