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KR101577219B1 - Luminescence dispaly panel - Google Patents

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KR101577219B1
KR101577219B1 KR1020080079218A KR20080079218A KR101577219B1 KR 101577219 B1 KR101577219 B1 KR 101577219B1 KR 1020080079218 A KR1020080079218 A KR 1020080079218A KR 20080079218 A KR20080079218 A KR 20080079218A KR 101577219 B1 KR101577219 B1 KR 101577219B1
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light emitting
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Abstract

본 발명은 제조 공정 중에 유기층 손상 없이 제조할 수 있는 발광 표시 패널을 제공하는 것이다.The present invention provides a light emitting display panel which can be manufactured without damaging the organic layer during the manufacturing process.

본 발명에 따른 발광 표시 패널에서, 하부 기판 상에 위치하는 박막 형태의 제2 전극과 접속되도록 상부 기판 상에 위치하는 보조 전극은 칼라 필터와 중첩되며, 보조 전극은 오버코트층 상에 오버코트층의 표면을 따라 적층된다.In the light emitting display panel according to the present invention, the auxiliary electrode located on the upper substrate to be connected to the second electrode in the form of a thin film located on the lower substrate is overlapped with the color filter, and the auxiliary electrode is formed on the overcoat layer As shown in FIG.

보조 전극, 유기층, 제1 및 제2 전극 An auxiliary electrode, an organic layer, first and second electrodes

Description

발광 표시 패널{LUMINESCENCE DISPALY PANEL}[0001] LUMINESCENCE DISPALY PANEL [0002]

본 발명은 제조 공정 중 유기층 손상없이 제조할 수 있는 발광 표시 패널에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting display panel which can be manufactured without damaging the organic layer during the manufacturing process.

다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기 전계 발광 표시 장치(OLED) 등이 각광 받고 있다. OLED는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자로 종이와 같이 박막화가 가능하다는 장점을 갖고 있다. The image display device that realizes various information on the screen is a core technology of the information communication age and it is becoming thinner, lighter, more portable and higher performance. An organic light emitting display (OLED) for displaying an image by controlling the amount of light emitted from the organic light emitting layer by using a flat panel display capable of reducing weight and volume, which is a disadvantage of a cathode ray tube (CRT) OLED is a self-luminous device using a thin light emitting layer between electrodes and has the advantage of being thin like a paper.

액티브 매트릭스 OLED(AMOLED)는 3색(R, G, B) 서브 화소로 구성된 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하게 된다. 각 서브 화소는 유기 전계 발광(OEL) 셀과, 그 OEL 셀을 독립적으로 구동하는 셀 구동부를 구비한다. 셀 구동부는 스캔 신호를 공급하는 게이트 라인과, 비디오 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인과, 공통 전원 신호를 공급하는 공통 전원 라인 사이에 접속된 적어도 2개의 박막 트랜지스터와 스토리지 캐패시터로 구성되어 OEL 셀의 제1 전극을 구동한다. OEL 셀은 셀 구동부와 접속된 제1 전극과, 제1 전극 위에 유기층과, 유기층 위에 제2 전극으로 구성된다. In the active matrix OLED (AMOLED), pixels composed of three color (R, G, B) sub-pixels are arranged in a matrix form to display an image. Each sub-pixel includes an organic electroluminescent (OEL) cell and a cell driver for independently driving the OEL cell. The cell driver comprises at least two thin film transistors and a storage capacitor connected between a gate line for supplying a scan signal, a data line for supplying a video data signal, and a common power supply line for supplying a common power supply signal, One electrode is driven. The OEL cell includes a first electrode connected to a cell driver, an organic layer on the first electrode, and a second electrode on the organic layer.

이때, 제2 전극은 스퍼터링 방법으로 증착하여 유기층에 손상을 주게 된다. 이에 따라, 제2 전극 증착 공정시 유기층에 손상을 주게됨으로써 발광 효율이 나빠지게 된다. 또한, 제2 전극은 유기층 상에 증착됨으로써 유기층의 손상을 고려하게 되어 고온 공정에서 진행하기 어렵다.At this time, the second electrode is deposited by a sputtering method to damage the organic layer. As a result, the organic layer is damaged in the second electrode deposition process, resulting in poor luminous efficiency. Also, since the second electrode is deposited on the organic layer, damage to the organic layer is considered and it is difficult to proceed in the high temperature process.

상기와 같은 문제점을 위하여, 본 발명은 제조 공정 중에 유기층 손상 없이 제조할 수 있는 발광 표시 패널을 제공하는 것이다.In order to solve the above problems, the present invention provides a light emitting display panel which can be manufactured without damaging the organic layer during the manufacturing process.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 발광 표시 패널에서, 하부 기판 상에 위치하는 박막 형태의 제2 전극과 접속되도록 상부 기판 상에 위치하는 보조 전극은 칼라 필터와 중첩된다.In order to accomplish the above object, in the light emitting display panel according to the present invention, the auxiliary electrode located on the upper substrate is connected to the color filter so as to be connected to the second electrode of the thin film type located on the lower substrate.

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본 발명에 따른 발광 표시 패널은 하부 기판 상에 박막 트랜지스터, 제1 전극, 유기층, 제2 전극을 형성하며, 상부 기판 상에 적색, 녹색, 청색 칼라 필터, 오버코트층, 보조 전극을 형성하여 상/하부 기판을 진공 합착한다. 이때, 보조 전극은 하부 기판의 제2 전극과 접촉된다. A light emitting display panel according to the present invention includes a thin film transistor, a first electrode, an organic layer, and a second electrode formed on a lower substrate, and red, green and blue color filters, an overcoat layer, The lower substrate is vacuum bonded. At this time, the auxiliary electrode is in contact with the second electrode of the lower substrate.

제2 전극은 유기층에 영향주지 않을 정도의 두께를 가지는 박막 형태로 열증착 방법 또는 스퍼터링 방법 또는 열증착 방법 및 스퍼터링 방법의 조합 방법으로 형성함으로써 유기층에 손상을 방지할 수 있다. The second electrode may be formed by a thermal deposition method, a sputtering method, or a combination of a thermal deposition method and a sputtering method in the form of a thin film having a thickness that does not affect the organic layer, thereby preventing damage to the organic layer.

또한, 제2 전극과 접속되는 보조 전극을 상부 기판 상에 형성함으로써 유기층을 고려하지 않고 고온 공정이 가능하며, 고온 공정이 가능함으로써 막 특성을 향상시킬 수 있다. Further, since the auxiliary electrode connected to the second electrode is formed on the upper substrate, the high temperature process can be performed without considering the organic layer, and the film characteristic can be improved by enabling the high temperature process.

그리고, 본 발명에 따른 발광 표시 패널은 백색 광으로 발광하는 유기층을 이용하여 적색, 녹색, 청색를 표시함으로써 색재현율이 향상되며, 전면 발광을 함으로써 개구율을 향상시킬 수 있다. The light-emitting display panel according to the present invention displays red, green, and blue light by using an organic layer that emits white light, thereby improving the color reproduction rate and improving the aperture ratio by performing front emission.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 도 1 내지 도 8를 참조하여 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 8. FIG.

도 1은 본 발명에 따른 발광 표시 패널의 한 화소에 대한 등가 회로도이다. 또한, 도 2는 도 1에 도시된 발광 표시 패널의 한 화소에 대한 수직 단면도이고, 도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 표시 패널의 유기층을 나타낸 단면도이 다.1 is an equivalent circuit diagram of a pixel of a light emitting display panel according to the present invention. FIG. 2 is a vertical cross-sectional view of one pixel of the light emitting display panel shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an organic layer of the light emitting display panel according to the first embodiment of the present invention.

발광 표시 패널의 한 화소는 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 접속된 스위치 박막 트랜지스터(T1)와, 스위치 박막 트랜지스터(T1) 및 전원 라인(PL)과 OEL 셀과 접속된 구동 박막 트랜지스터(T2)와, 전원 라인(PL)과 스위치 박막 트랜지스터(T1)의 드레인 전극 사이에 접속된 스토리지 커패시터(C)와, 구동 박막 트랜지스터(T2)와 접속된 OEL 셀을 포함한다. One pixel of the light emitting display panel includes a switch thin film transistor T1 connected to a gate line GL and a data line DL, a switch thin film transistor T1 and a power supply line PL, A storage capacitor C connected between the power supply line PL and the drain electrode of the switch thin film transistor T1 and an OEL cell connected to the driving thin film transistor T2.

스위치 박막 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 게이트 라인(GL)과 접속되고 소스 전극은 데이터 라인(DL)과 접속되며 드레인 전극은 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극 및 스토리지 캐패시터(C)와 접속된다. 구동 박막 트랜지스터(T2)의 소스 전극은 전원 라인(PL)과 접속되고 드레인 전극은 OEL 셀의 전극 중 어느 하나와 접속된다. 스토리지 캐패시터(C)는 전원 라인(PL)과 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극 사이에 접속된다. The gate electrode of the switch thin film transistor T1 is connected to the gate line GL, the source electrode thereof is connected to the data line DL and the drain electrode thereof is connected to the gate electrode of the driving TFT T2 and the storage capacitor C . The source electrode of the driving thin film transistor T2 is connected to the power supply line PL and the drain electrode is connected to one of the electrodes of the OEL cell. The storage capacitor C is connected between the power supply line PL and the gate electrode of the driving thin film transistor T2.

스위치 박막 트랜지스터(T1)는 게이트 라인(GL)에 스캔 펄스가 공급되면 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급된 데이터 신호를 스토리지 캐패시터(C) 및 구동 박막 트랜지스터(T2)의 게이트 전극으로 공급한다. 구동 박막 트랜지스터(T2)는 게이트 전극으로 공급되는 데이터 신호에 응답하여 전원 라인(PL)으로부터 OEL 셀로 공급되는 전류(I)을 제어함으로써 OEL 셀의 발광량을 조절하게 된다. 그리고, 스위치 박막 트랜지스터(T1)가 턴-오프되더라도 스토리지 캐패시터(C)에 충전된 전압에 의해 구동 박막 트랜지스터(T2)는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 일정한 전류(I)를 공급하여 OEL 셀이 발광을 유지하게 한다. The switch thin film transistor T1 is turned on when a scan pulse is supplied to the gate line GL to supply the data signal supplied to the data line DL to the gate electrode of the storage capacitor C and the drive thin film transistor T2 do. The driving thin film transistor T2 controls the amount of light emitted from the OEL cell by controlling the current I supplied from the power source line PL to the OEL cell in response to the data signal supplied to the gate electrode. Even if the switch thin film transistor T1 is turned off, the driving thin film transistor T2 supplies the constant current I until the data signal of the next frame is supplied by the voltage charged in the storage capacitor C, Allowing the cell to maintain luminescence.

구동 박막 트랜지스터(T2)는 도 2에 도시된 바와 같이 하부 기판(101) 위에 형성된 게이트 전극(102)과, 게이트 전극(102)을 덮는 게이트 절연막(106), 게이트 절연막(106)을 사이에 두고 게이트 전극(102)과 중첩되어 소스 전극(110) 및 드레인 전극(108) 사이에 채널을 형성하는 활성층(116)과, 소스 전극(110) 및 드레인 전극(108)과의 오믹 접촉을 위하여 채널부를 제외한 활성층(116) 위에 형성된 오믹 접촉층(114)으로 구성된다. 또한, 하부 기판(101) 상에 형성된 구동 박막 트랜지스터 상에 무기 절연 물질로 형성된 무기 보호막(104)과, 유기 절연 물질로 형성된 유기 보호막(118)을 형성할 수 있다. The driving thin film transistor T2 includes a gate electrode 102 formed on the lower substrate 101 and a gate insulating film 106 covering the gate electrode 102 and a gate insulating film 106 sandwiched therebetween An active layer 116 which overlaps the gate electrode 102 and forms a channel between the source electrode 110 and the drain electrode 108 and a channel portion for ohmic contact with the source electrode 110 and the drain electrode 108 And an ohmic contact layer 114 formed on the active layer 116. In addition, an inorganic protective film 104 formed of an inorganic insulating material and an organic protective film 118 formed of an organic insulating material may be formed on the driving thin film transistor formed on the lower substrate 101.

OEL 셀은 구동 박막 트랜지스터(T2)를 덮는 무기 보호막(104) 및 유기 보호막(118)이 형성된 하부 기판 상에 제1 전극(122)과, 제1 전극(122)을 노출시키는 유기홀(140)이 형성된 뱅크 절연막(124)과, 유기홀(140)을 통해 노출된 제1 전극(122) 위에 형성된 발광층을 포함하는 유기층(126)과, 유기층(126) 위에 형성된 제2 전극(128)으로 구성된다. 상부 기판(130) 상에는 구동 박막 트랜지스터(T2)의 제2 전극(128)과 접속된 보조 전극(136)과, 상부 기판(130) 상에 형성된 칼라 필터(132)와, 칼라 필터(132)와 보조 전극(136) 사이에 오버코트층(134)이 형성된다. The OEL cell includes a first electrode 122 and an organic hole 140 exposing the first electrode 122 on a lower substrate on which an organic protective film 104 and an organic protective film 118 are formed to cover the driving thin film transistor T2. An organic layer 126 including a light emitting layer formed on the first electrode 122 exposed through the organic hole 140 and a second electrode 128 formed on the organic layer 126 do. An auxiliary electrode 136 connected to the second electrode 128 of the driving thin film transistor T2, a color filter 132 formed on the upper substrate 130, a color filter 132, An overcoat layer 134 is formed between the auxiliary electrodes 136.

제1 전극(122)은 금속 물질과 투명 도전 물질로 형성되며, 예로 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo) 등과 같이 반사율이 높은 금속 물질과, ITO(Indum Tin Oxide; 이하, ITO)와 같은 투명 물질로 형성될 수 있다. The first electrode 122 is formed of a metal material and a transparent conductive material. For example, the first electrode 122 may be formed of a metal material having high reflectance such as aluminum (Al), silver (Ag), molybdenum (Mo) , ITO).

제2 전극(128)은 유기층(126) 상에 박막 형태로 형성되며, TCO(Transparent Conuctive Oxide; 이하, TCO)와 같은 투명 도전 물질로 한층 이상으로 형성하거나 알루미늄(Al)이나 은(Ag) 등의 금속 물질로 한층 이상으로 형성할 수 있다. 또한, 제2 전극(128)은 투명 도전 물질 및 금속 물질의 이중층으로 형성될 수 있다. 제2 전극(128)은 열증착 방법 또는 스퍼터링 방법 또는 열증착 방법 및 스퍼터링 방법의 조합 방법으로 형성된다. 이때, 제2 전극(128)은 유기층(126) 상에 스퍼터링 방법으로 증착하여도 유기층(126) 상에 영향을 주지 않을 정도의 박막 형태로 형성됨으로써 유기층(126)이 손상되지 않는다. 제2 전극(128)은 박막의 형태인 예로 들어 10~500Å 정도의 두께로 형성된다. The second electrode 128 is formed as a thin film on the organic layer 126. The second electrode 128 may be formed of a transparent conductive material such as TCO (Transparent Conductive Oxide or TCO) Of a metal material. In addition, the second electrode 128 may be formed of a double layer of a transparent conductive material and a metallic material. The second electrode 128 is formed by a thermal deposition method, a sputtering method, or a combination method of a thermal deposition method and a sputtering method. At this time, the second electrode 128 is formed on the organic layer 126 by a sputtering method so as not to affect the organic layer 126, so that the organic layer 126 is not damaged. The second electrode 128 is formed in a thickness of about 10-500 Å, for example, in the form of a thin film.

유기층(126)은 제1 전극(122) 상에 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL)(206), 청색 발광층(Blue emittion layer)(210), 전자 수송층(Electron Transport layer;ETL)(202), 전하 생성층(Charge Generation Layer;CGL)(208), 정공 수송층(HTL)(206), 녹색/적색 발광층(Green/Red emittion layer)(204), 전자 수송층(ETL)(202)으로 순차적으로 적층되어 형성된다. The organic layer 126 includes a hole transport layer (HTL) 206, a blue emission layer 210, an electron transport layer (ETL) 202, (CGL) 208, a hole transport layer (HTL) 206, a green / red emission layer 204, and an electron transport layer (ETL) Respectively.

칼라 필터(132)는 색을 구현하기 위해 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 필터를 포함하며, 상부 기판(130) 상에 형성된다. 각 화소 영역 별로 적색(R), 녹색(G), 청색(B)을 발광하도록 형성된다.The color filter 132 includes red (R), green (G), and blue (B) color filters for realizing color, and is formed on the upper substrate 130. (R), green (G), and blue (B) light for each pixel region.

오버코트층(134)은 칼라 필터(136)와 보조 전극(136) 사이에 칼라 필터(132) 표면의 평탄화를 위해 형성된다. The overcoat layer 134 is formed for planarization of the color filter 132 surface between the color filter 136 and the auxiliary electrode 136.

보조 전극(136)은 ITO, IZO(Indum Zinc Oxide; 이하, IZO)과 같은 TCO 투명 도전 물질을 한층 이상으로 형성하며, 금속 물질로 적어도 한층 이상으로 형성한다. 또한, 보조 전극(136)은 투명 도전 물질 및 박막 형태의 금속 물질로 적층된 이중층 구조로 형성될 수 있다. 이와 같이 보조 전극(136)이 적어도 한층 이상으로 형성될 경우에 제2 전극(128)과 접속시 저항을 작게 할 수 있다. 그리고, 상부 기판(130) 상에는 도 3에 도시된 바와 같이 보조 전극(136)과 제2 전극(128) 간의 접촉 저항을 보상하기 위해 컨택 전극(138)이 금속층으로 형성된다. 이때, 컨택 전극(138)은 OEL셀의 제2 전극(128)과 접속되는 영역과 대응되는 위치의 오버코트층(134) 상에 형성된다. The auxiliary electrode 136 is formed of one or more TCO transparent conductive materials such as ITO and IZO (Indium Zinc Oxide; IZO), and is formed of at least one layer of a metal material. In addition, the auxiliary electrode 136 may be formed as a double-layer structure in which a transparent conductive material and a thin metal film are stacked. When the auxiliary electrode 136 is formed in at least one layer as described above, it is possible to reduce the resistance when the auxiliary electrode 136 is connected to the second electrode 128. 3, the contact electrode 138 is formed of a metal layer on the upper substrate 130 to compensate for the contact resistance between the auxiliary electrode 136 and the second electrode 128. As shown in FIG. At this time, the contact electrode 138 is formed on the overcoat layer 134 at a position corresponding to a region connected to the second electrode 128 of the OEL cell.

한편, 유기층(126)은 제1 전극(122)을 통하여 정공과 제2 전극(128)을 통하여 전자가 재결합되어 생성된 바닥상태로 되돌아가면서 백색 광을 상부 기판(130) 방향으로 전면 발광하게 된다. 발광 표시 패널은 유기층(126)으로부터 백색 광이 상부 기판(130) 방향으로 출사되며, OEL셀의 제2 전극(128)과 상부 기판(130)의 보조 전극(136)이 접속되어 백색 광이 각 화소 영역 별로 형성된 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 필터(132)를 통과하면서 각 화소 영역 별로 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 광이 표시된다. On the other hand, the organic layer 126 returns to the bottom state where the electrons are recombined through the holes and the second electrode 128 through the first electrode 122, so that the white light is totally emitted toward the upper substrate 130 . The white light is emitted from the organic layer 126 toward the upper substrate 130 and the second electrode 128 of the OEL cell and the auxiliary electrode 136 of the upper substrate 130 are connected to each other, Red (R), green (G), and blue (B) light are displayed for each pixel region while passing through red (R), green (G), and blue (B) color filters 132 formed for each pixel region.

이와 같이, 백색 광을 이용하여 적색(R), 녹색(G), 청색(B)를 표시함으로써 색재현율이 향상되며, 전면 발광을 함으로써 개구율을 향상시킬 수 있다. As described above, the red color (R), the green color (G), and the blue color (B) are displayed by using white light, and the color reproduction rate is improved.

도 5a 내지 도 5g는 본 발명에 따른 제1 실시 예의 발광 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.5A to 5G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light emitting display panel according to the first embodiment of the present invention.

도 5a를 참조하면, 하부 기판(101) 상에 게이트 전극(102), 게이트 절연막(106), 반도체층(112), 소스 및 드레인 전극(108,110), 화소 홀(120)이 형성된 무기 및 유기 보호막(104,118)을 포함하는 박막 트랜지스터와, 박막 트랜지스터의 드레인 전극(108)과 접속된 제1 전극(122)이 형성된다. Referring to FIG. 5A, an inorganic and organic passivation layer 102 having a gate electrode 102, a gate insulating layer 106, a semiconductor layer 112, source and drain electrodes 108 and 110 and a pixel hole 120 formed on a lower substrate 101 A first electrode 122 connected to the drain electrode 108 of the thin film transistor is formed.

구체적으로, 박막 트랜지스터가 형성된 하부 기판(101) 상에 제1 전극(122)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo) 등과 같이 반사율이 높은 금속 물질과, ITO(Indum Tin Oxide; 이하, ITO)와 같은 투명 물질이 스퍼터링 등과 같은 증착 방법으로 형성된다. 제1 전극(122)은 박막 트랜지스터의 드레인 전극(108)과 화소 홀(120)을 통해 접속된다.Specifically, the first electrode 122 on the lower substrate 101 on which the thin film transistor is formed is formed of a metal material having high reflectance such as aluminum (Al), silver (Ag), molybdenum (Mo) Hereinafter, a transparent material such as ITO) is formed by a deposition method such as sputtering. The first electrode 122 is connected to the drain electrode 108 of the thin film transistor through the pixel hole 120.

도 5b를 참조하면, 박막 트랜지스터의 드레인 전극(108)과 접속된 제1 전극(122)이 형성된 하부 기판(101) 상에 유기홀(140)이 포함된 뱅크 절연막(124)이 형성된다. 5B, a bank insulating layer 124 including an organic hole 140 is formed on a lower substrate 101 on which a first electrode 122 connected to a drain electrode 108 of a thin film transistor is formed.

구체적으로, 제1 전극(122)이 형성된 하부 기판(101) 상에 스핀리스 또는 스핀 코팅 등의 코팅 방법을 통해 감광성 유기 절연 물질이 전면 도포된다. 이러한 유기 절연 물질은 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 제1 전극(122)을 노출시키는 유기홀(140)이 포함된 뱅크 절연막(124)이 형성된다. Specifically, the photosensitive organic insulating material is coated on the lower substrate 101 on which the first electrode 122 is formed through a coating method such as spin-spin coating or spin coating. In the organic insulating material, a bank insulating film 124 including an organic hole 140 for exposing the first electrode 122 is formed by a photolithography process and an etching process using a mask.

도 5c를 참조하면, 유기홀(140)이 포함된 뱅크 절연막(124)이 형성된 하부 기판(101) 상에 유기층(126), 제2 전극(128)이 순차적으로 형성된다. Referring to FIG. 5C, an organic layer 126 and a second electrode 128 are sequentially formed on a lower substrate 101 on which a bank insulating layer 124 including an organic hole 140 is formed.

구체적으로, 유기홀(140) 상에는 정공 수송층(HTL), 청색 발광층(Blue emittion layer), 전자 수송층(ETL), 전하 생성층(CGL), 정공 수송층(HTL), 녹색/적색 발광층(Green/Red emittion layer), 전자 수송층(ETL)이 포함된 유기층(126)이 열증착 방법 또는 스퍼터링 방법 또는 열증착 방법 및 스퍼터링 방법의 조합 방법으로 순차적으로 형성된다. 이후, 유기층(126)이 형성된 하부 기판(101) 상에 제2 전극(128)이 형성된다. 제2 전극(128)은 유기층(126)과 동일한 방법으로 박막 형태로 TCO와 같은 투명 도전 물질이나 Al, Ag등과 같은 금속 물질로 형성된다. 또한, 제2 전극(128)은 투명 도전 물질 및 금속 물질으로 이루어진 이중층으로 형성될 수 있다. 제2 전극(128)의 두께는 증착 공정에 의해 유기층(126)에 영향을 주지 않을 10~500Å 정도의 두께로 형성된다. Specifically, a hole transport layer (HTL), a blue emission layer, an electron transport layer (ETL), a charge generation layer (CGL), a hole transport layer (HTL), a green / red emission layer an emitter layer and an electron transport layer (ETL) are successively formed by a thermal deposition method, a sputtering method, or a combination of a thermal deposition method and a sputtering method. Then, a second electrode 128 is formed on the lower substrate 101 on which the organic layer 126 is formed. The second electrode 128 is formed of a transparent conductive material such as TCO or a metal material such as Al or Ag in the form of a thin film in the same manner as the organic layer 126. In addition, the second electrode 128 may be formed as a double layer made of a transparent conductive material and a metallic material. The thickness of the second electrode 128 is about 10-500 Å which does not affect the organic layer 126 by the deposition process.

도 5d를 참조하면, 상부 기판(130) 상에 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 필터(132)가 형성된다. Referring to FIG. 5D, red (R), green (G), and blue (B) color filters 132 are formed on the upper substrate 130.

구체적으로, 상부 기판(132) 상에 감광성을 가지는 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라층이 각각 도포된 후 사진 공정을 통해 패터닝함으로써 해당 서브 화소 영역에 형성된다. Specifically, a red (R), green (G), and blue (B) color layers having photosensitivity are coated on the upper substrate 132, and then patterned through a photolithography process.

도 5e를 참조하면, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 필터(132)가 형성된 상부 기판(130) 위에 오버코트층(134)이 형성된다. Referring to FIG. 5E, an overcoat layer 134 is formed on an upper substrate 130 having red (R), green (G), and blue (B) color filters 132 formed thereon.

구체적으로, 오버코트층(134)은 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 필터(132)가 형성된 상부 기판(130) 상에 스핀리스 또는 스핀 코팅 등의 코팅 방법으로 유기 절연 물질이 도포된다. Specifically, the overcoat layer 134 is formed on the upper substrate 130 on which the red (R), green (G), and blue (B) color filters 132 are formed by a coating method such as spin- Is applied.

도 5f를 참조하면, 오버코트층(134)이 형성된 상부 기판(130) 상에 보조 전극(136)이 형성된다. Referring to FIG. 5F, an auxiliary electrode 136 is formed on the upper substrate 130 on which the overcoat layer 134 is formed.

구체적으로, 보조 전극(136)은 오버코트층(134)이 형성된 상부 기판(130) 상에 적어도 한 층의 투명 도전 물질이 스퍼터링 등과 같은 방법으로 형성된다. 투명 도전 물질으로는 ITO(Indum Tin Oxide), IZO(Indum Zinc Oxide) 등이 이용된다. 또한, 보조 전극(136)은 상부 기판(130) 상에 투명 도전 물질, 박막 형태의 금속층으로 적층된 이중층 구조로 형성될 수 있다. 그리고, 보조 전극(136)에 플라즈마, UV 등으로 표면 처리하여 보조 전극(132)의 일함수를 증가시켜 전기적 특성이 향상시킬 수 있다. Specifically, at least one layer of the transparent conductive material is formed on the upper substrate 130 on which the overcoat layer 134 is formed by sputtering or the like. As the transparent conductive material, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like is used. In addition, the auxiliary electrode 136 may be formed as a double layer structure in which a transparent conductive material or a thin metal layer is stacked on the upper substrate 130. The auxiliary electrode 136 may be surface-treated with plasma or UV to increase the work function of the auxiliary electrode 132, thereby improving the electrical characteristics.

도 5g에 도시된 바와 같이 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 필터(132), 오버코트층(134), 보조 전극(136)이 형성된 상부 기판(130)과, 박막 트랜지스터, 제1 전극(122), 유기층(126), 제2 전극(128)이 형성된 하부 기판(101)이 진공 합착하여 발광 표시 패널을 형성한다. An upper substrate 130 having red (R), green (G), and blue (B) color filters 132, an overcoat layer 134 and an auxiliary electrode 136 as shown in FIG. 5G, The lower substrate 101 on which the first electrode 122, the organic layer 126, and the second electrode 128 are formed is vacuum bonded to form a light emitting display panel.

이와 같이, 제2 전극(128)을 유기층(126) 상에 형성할 경우에, 유기층(126)이 손상되지 않도록 박막 형태로 증착할 수 있다. 또한, 제2 전극(128)과 접속되는 보조 전극(136)을 상부 기판(130) 상에 형성함으로써 유기층(126)을 고려하지 않고 고온 공정이 가능하며, 고온 공정이 가능함으로써 막 특성을 향상시킬 수 있다.In this way, when the second electrode 128 is formed on the organic layer 126, the organic layer 126 can be deposited in a thin film form so as not to be damaged. In addition, by forming the auxiliary electrode 136 connected to the second electrode 128 on the upper substrate 130, a high-temperature process can be performed without considering the organic layer 126, and a high-temperature process can be performed, .

도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 표시 패널을 간략히 나타낸 단면도이다. 6 is a cross-sectional view schematically illustrating a light emitting display panel according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 표시 패널은 제1 실시 예에 따른 발광 표시 패널의 OEL 셀을 제외하고 동일하므로 그에 따른 설명은 생략하기로 한다. The light emitting display panel according to the second embodiment of the present invention is the same as the light emitting display panel according to the first embodiment except for the OEL cell, and a description thereof will be omitted.

본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 표시 패널의 OEL 셀은 구동 박막 트랜지스터를 덮는 무기 보호막(104) 및 유기 보호막(118)이 형성된 하부 기판 상에 제1 전극(122)과, 제1 전극(122)을 노출시키는 유기홀(140)이 형성된 뱅크 절연막(124) 과, 유기홀(140)을 통해 노출된 제1 전극(122) 위에 형성된 발광층을 포함하는 유기층(126)과, 유기층(126) 위에 형성된 제2 전극(128)으로 구성된다. 상부 기판(130) 상에는 구동 박막 트랜지스터(T2)의 제2 전극(128)과 접속된 보조 전극(136)과, 상부 기판(130) 상에 형성된 칼라 필터(132)와, 칼라 필터(132)와 보조 전극(136) 사이에 오버코트층(134)이 형성된다. The OEL cell of the light emitting display panel according to the second embodiment of the present invention includes a first electrode 122 on a lower substrate on which an inorganic protective film 104 and an organic protective film 118 covering a driving thin film transistor are formed, An organic layer 126 formed on the first electrode 122 exposed through the organic hole 140 and an organic layer 126 including a light emitting layer formed on the organic insulating layer 124, And a second electrode 128 formed on the second electrode 128. An auxiliary electrode 136 connected to the second electrode 128 of the driving thin film transistor T2, a color filter 132 formed on the upper substrate 130, a color filter 132, An overcoat layer 134 is formed between the auxiliary electrodes 136.

제1 전극(122)은 알루미늄(Al) 등과 같은 불투명한 도전 물질로 형성된다. The first electrode 122 is formed of an opaque conductive material such as aluminum (Al) or the like.

제2 전극(128)은 유기층(126) 상에 박막 형태로 형성되며, TCO와 같은 투명 도전 물질로 한층 이상으로 형성하거나 알루미늄(Al)이나 은(Ag) 등의 금속 물질로 한층 이상으로 형성할 수 있다. 또한, 제2 전극(128)은 투명 도전 물질 및 금속 물질의 이중층으로 형성될 수 있다. 제2 전극(128)은 열증착 방법 또는 스퍼터링 방법 또는 열증착 방법 및 스퍼터링 방법의 조합 방법으로 형성된다. 이때, 제2 전극(128)은 유기층(126) 상에 스퍼터링 방법으로 증착하여도 유기층(126) 상에 영향을 주지 않을 정도의 박막 형태로 형성됨으로써 유기층(126)이 손상되지 않는다. 제2 전극(128)은 박막의 형태인 예로 들어 10~500Å 정도의 두께로 형성된다. The second electrode 128 is formed in the form of a thin film on the organic layer 126. The second electrode 128 may be formed of a transparent conductive material such as TCO more than one layer or a metal material such as aluminum (Al) or silver (Ag) . In addition, the second electrode 128 may be formed of a double layer of a transparent conductive material and a metallic material. The second electrode 128 is formed by a thermal deposition method, a sputtering method, or a combination method of a thermal deposition method and a sputtering method. At this time, the second electrode 128 is formed on the organic layer 126 by a sputtering method so as not to affect the organic layer 126, so that the organic layer 126 is not damaged. The second electrode 128 is formed in a thickness of about 10-500 Å, for example, in the form of a thin film.

유기층(126)은 제1 전극(122) 상에 전자 수송층(202), 청색 발광층(210), 정공 수송층(206), 전하 생성층(208), 전자 수송층(202), 녹색/적색 발광층(204), 정공 수송층(206)으로 순차적으로 적층되어 형성된다. The organic layer 126 includes an electron transporting layer 202, a blue light emitting layer 210, a hole transporting layer 206, a charge generating layer 208, an electron transporting layer 202, a green / red light emitting layer 204 ), And a hole transporting layer 206 sequentially.

이와 같이, 유기층(126)은 제1 전극(122)을 통하여 전자와 제2 전극(128)을 통하여 정공이 재결합되어 생성된 바닥상태로 되돌아가면서 백색 광을 상부 기판(130) 방향으로 전면 발광하게 된다. 이에 따라, 발광 표시 패널은 유기층으로 부터 백색 광이 상부 기판(130) 방향으로 출사되며, OEL셀의 제2 전극(128)과 상부 기판(130)의 보조 전극(136)이 접속되어 백색 광이 각 화소 영역 별로 형성된 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 필터(132)를 통과하면서 각 화소 영역 별로 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 광이 표시된다. As described above, the organic layer 126 returns to the bottom state where the holes are recombined with the electrons through the first electrode 122 and the second electrode 128, thereby emitting white light toward the upper substrate 130 do. The white light is emitted from the organic layer toward the upper substrate 130 and the second electrode 128 of the OEL cell and the auxiliary electrode 136 of the upper substrate 130 are connected to each other, Red (R), green (G), and blue (B) light are displayed for each pixel region while passing through red (R), green (G), and blue (B) color filters 132 formed for each pixel region.

도 7은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 표시 패널을 간략히 나타낸 단면도이다. 7 is a cross-sectional view schematically illustrating a light emitting display panel according to a third embodiment of the present invention.

본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 표시 패널은 제1 실시 예에 따른 발광 표시 패널의 OEL 셀을 제외하고 동일하므로 그에 따른 설명은 생략하기로 한다. The light emitting display panel according to the third embodiment of the present invention is the same as the light emitting display panel according to the first embodiment except for the OEL cell, and thus a description thereof will be omitted.

본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 표시 패널의 OEL 셀은 구동 박막 트랜지스터를 덮는 무기 보호막(104) 및 유기 보호막(118)이 형성된 하부 기판 상에 제1 전극(122)과, 제1 전극(122)을 노출시키는 유기홀(140)이 형성된 뱅크 절연막(124)과, 유기홀(140)을 통해 노출된 제1 전극(122) 위에 형성된 발광층을 포함하는 유기층(126)과, 유기층(126) 위에 형성된 제2 전극(128)으로 구성된다. 상부 기판(130) 상에는 구동 박막 트랜지스터(T2)의 제2 전극(128)과 접속된 보조 전극(136)과, 상부 기판(130) 상에 형성된 칼라 필터(132)와, 칼라 필터(132)와 보조 전극(136) 사이에 오버코트층(134)이 형성된다. The OEL cell of the light emitting display panel according to the third embodiment of the present invention includes a first electrode 122 on a lower substrate on which an inorganic protective film 104 and an organic protective film 118 covering a driving thin film transistor are formed, An organic layer 126 formed on the first electrode 122 exposed through the organic hole 140 and an organic layer 126 including a light emitting layer formed on the organic insulating layer 124, And a second electrode 128 formed on the second electrode 128. An auxiliary electrode 136 connected to the second electrode 128 of the driving thin film transistor T2, a color filter 132 formed on the upper substrate 130, a color filter 132, An overcoat layer 134 is formed between the auxiliary electrodes 136.

제1 전극(122)은 불투명한 도전 물질로 형성되며, 예로 들어, 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 은(Ag) 등과 반사율이 높은 불투명한 도전 물질로 형성될 수 있다. The first electrode 122 may be formed of an opaque conductive material, for example, aluminum (Al), molybdenum (Mo), silver (Ag), or the like and an opaque conductive material having high reflectivity.

제2 전극(128)은 유기층(126) 상에 박막 형태로 형성되며, TCO와 같은 투명 도전 물질로 한층 이상으로 형성하거나 알루미늄(Al)이나 은(Ag) 등의 금속 물질로 한층 이상으로 형성할 수 있다. 또한, 제2 전극(128)은 투명 도전 물질 및 금속 물질의 이중층으로 형성될 수 있다. 제2 전극(128)은 열증착 방법 또는 스퍼터링 방법 또는 열증착 방법 및 스퍼터링 방법의 조합 방법으로 형성된다. 이때, 제2 전극(128)은 유기층(126) 상에 스퍼터링 방법으로 증착하여도 유기층(126) 상에 영향을 주지 않을 정도의 박막 형태로 형성됨으로써 유기층(126)이 손상되지 않는다. 제2 전극(128)은 박막의 형태인 예로 들어 10~500Å 정도의 두께로 형성된다. The second electrode 128 is formed in the form of a thin film on the organic layer 126. The second electrode 128 may be formed of a transparent conductive material such as TCO more than one layer or a metal material such as aluminum (Al) or silver (Ag) . In addition, the second electrode 128 may be formed of a double layer of a transparent conductive material and a metallic material. The second electrode 128 is formed by a thermal deposition method, a sputtering method, or a combination method of a thermal deposition method and a sputtering method. At this time, the second electrode 128 is formed on the organic layer 126 by a sputtering method so as not to affect the organic layer 126, so that the organic layer 126 is not damaged. The second electrode 128 is formed in a thickness of about 10-500 Å, for example, in the form of a thin film.

유기층(126)은 제1 전극(122) 상에 전자 주입층(Electron Injection layer;EIL)(216), 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL)(202), 백색 발광층(214), 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL)(204), 정공 주입층(Hole Injection Layer;HIL)(202)으로 순차적으로 적층되어 형성된다. 이러한, 유기층(126)에 포함된 백색 발광층은 제1 전극(122)을 통하여 전자와 제2 전극(128)을 통하여 정공이 재결합되어 생성된 여기자가 바닥상태로 되돌아가면서 백색 광을 상부 기판(130) 방향으로 전면 발광하게 된다. 이에 따라, 발광 표시 패널은 유기층(126)으로부터 백색광이 상부 기판(130) 방향으로 출사되며, OEL셀의 제2 전극(128)과 상부 기판(130)의 보조 전극(136)이 접속되어 백색 광이 각 화소 영역 별로 형성된 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 필터(132)를 통과하면서 각 화소 영역 별로 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 광이 표시된다. The organic layer 126 includes an electron injection layer (EIL) 216, an electron transport layer (ETL) 202, a white light emitting layer 214, a hole transport layer Transport layer (HTL) 204, and a hole injection layer (HIL) 202, which are sequentially stacked. The white light emitting layer included in the organic layer 126 recombines the holes through the first electrode 122 and the second electrode 128 through the first electrode 122. The generated excitons are returned to the bottom state, ) Direction. The white light is emitted from the organic layer 126 toward the upper substrate 130 and the second electrode 128 of the OEL cell and the auxiliary electrode 136 of the upper substrate 130 are connected to each other, (R), green (G), and blue (B) light are displayed for each pixel region through the red (R), green (G), and blue (B) color filters 132 formed for each pixel region .

도 8은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 발광 표시 패널을 간략히 나타낸 단면도이다. 8 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting display panel according to a fourth embodiment of the present invention.

본 발명의 제4 실시 예에 따른 발광 표시 패널은 제1 실시 예에 따른 발광 표시 패널의 OEL 셀을 제외하고 동일하므로 그에 따른 설명은 생략하기로 한다. The light emitting display panel according to the fourth embodiment of the present invention is the same as the light emitting display panel according to the first embodiment except for the OEL cell, and a description thereof will be omitted.

본 발명의 제4 실시 예에 따른 발광 표시 패널의 OEL 셀은 구동 박막 트랜지스터를 덮는 무기 보호막(104) 및 유기 보호막(118)이 형성된 하부 기판 상에 제1 전극(122)과, 제1 전극(122)을 노출시키는 유기홀(140)이 형성된 뱅크 절연막(124)과, 유기홀(140)을 통해 노출된 제1 전극(122) 위에 형성된 발광층을 포함하는 유기층(126)과, 유기층(126) 위에 형성된 제2 전극(128)으로 구성된다. 상부 기판(130) 상에는 구동 박막 트랜지스터(T2)의 제2 전극(128)과 접속된 보조 전극(136)과, 상부 기판(130) 상에 형성된 칼라 필터(132)와, 칼라 필터(132)와 보조 전극(136) 사이에 오버코트층(134)이 형성된다. The OEL cell of the light emitting display panel according to the fourth embodiment of the present invention includes a first electrode 122 on a lower substrate on which an organic protective film 104 and an organic protective film 118 covering a driving thin film transistor are formed, An organic layer 126 formed on the first electrode 122 exposed through the organic hole 140 and an organic layer 126 including a light emitting layer formed on the organic insulating layer 124, And a second electrode 128 formed on the second electrode 128. An auxiliary electrode 136 connected to the second electrode 128 of the driving thin film transistor T2, a color filter 132 formed on the upper substrate 130, a color filter 132, An overcoat layer 134 is formed between the auxiliary electrodes 136.

제1 전극(122)은 금속 물질과 투명 도전 물질로 형성되며, 예로 들어 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo) 등과 같이 반사율이 높은 금속 물질과, ITO와 같은 투명 도전 물질로 형성될 수 있다. The first electrode 122 is formed of a metal material and a transparent conductive material and is formed of a metal material having high reflectance such as aluminum (Al), silver (Ag), molybdenum (Mo) .

제2 전극(128)은 유기층(126) 상에 박막 형태로 형성되며, TCO와 같은 투명 도전 물질로 한층 이상으로 형성하거나 알루미늄(Al)이나 은(Ag) 등의 금속 물질로 한층 이상으로 형성할 수 있다. 또한, 제2 전극(128)은 투명 도전 물질 및 금속 물질의 이중층으로 형성될 수 있다. 제2 전극(128)은 열증착 방법 또는 스퍼터링 방법 또는 열증착 방법 및 스퍼터링 방법의 조합 방법으로 형성된다. 이때, 제2 전극(128)은 유기층(126) 상에 스퍼터링 방법으로 증착하여도 유기층(126) 상에 영향을 주지 않을 정도의 박막 형태로 형성됨으로써 유기층(126)이 손상되지 않는다. 제2 전극(128)은 박막의 형태인 예로 들어 10~500Å 정도의 두께로 형성된다. The second electrode 128 is formed in the form of a thin film on the organic layer 126. The second electrode 128 may be formed of a transparent conductive material such as TCO more than one layer or a metal material such as aluminum (Al) or silver (Ag) . In addition, the second electrode 128 may be formed of a double layer of a transparent conductive material and a metallic material. The second electrode 128 is formed by a thermal deposition method, a sputtering method, or a combination method of a thermal deposition method and a sputtering method. At this time, the second electrode 128 is formed on the organic layer 126 by a sputtering method so as not to affect the organic layer 126, so that the organic layer 126 is not damaged. The second electrode 128 is formed in a thickness of about 10-500 Å, for example, in the form of a thin film.

유기층(126)은 제1 전극(122) 상에 정공 주입층(212), 정공 수송층(206), 백색 발광층(214), 전자 수송층(202), 전자 주입층(216)으로 순차적으로 적층되어 형성된다. 이러한, 유기층(126)에 포함된 백색 발광층은 제1 전극(122)을 통하여 정공과 제2 전극(128)을 통하여 전자가 재결합되어 생성된 여기자가 바닥상태로 되돌아가면서 백색 광을 상부 기판(130) 방향으로 전면 발광하게 된다. 이에 따라, 발광 표시 패널은 유기층(126)으로부터 백색 광이 상부 기판(130) 방향으로 출사되며, OEL셀의 제2 전극(128)과 상부 기판(130)의 보조 전극(136)이 접속되어 백색 광이 각 화소 영역 별로 형성된 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 칼라 필터(132)를 통과하면서 각 화소 영역 별로 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 광이 표시된다. The organic layer 126 is formed by sequentially laminating a first hole injection layer 212, a hole transport layer 206, a white light emitting layer 214, an electron transport layer 202 and an electron injection layer 216 on the first electrode 122 do. In the white light emitting layer included in the organic layer 126, electrons are recombined through holes and the second electrode 128 through the first electrode 122, and the generated excitons are returned to the ground state, ) Direction. The white light is emitted from the organic layer 126 toward the upper substrate 130 and the second electrode 128 of the OEL cell and the auxiliary electrode 136 of the upper substrate 130 are connected to each other, (R), green (G), and blue (B) light are displayed for each pixel region while light passes through the red (R), green (G), and blue do.

한편, 본 발명의 제2 내지 제4 실시 예의 발광 표시 패널의 제조 방법은 위에서 설명한 제1 실시 예에 따른 발광 표시 패널의 제조 방법에서 제1 및 제2 전극의 재질과, 유기층의 재질 및 순서를 제외하고 동일한 방법으로 형성된다. In the method of manufacturing the light emitting display panel according to the second to fourth embodiments of the present invention, the materials of the first and second electrodes and the materials and the order of the organic layers in the method of manufacturing the light emitting display panel according to the first embodiment described above Are formed in the same manner.

이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술 될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음이 자명하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention.

도 1은 본 발명에 따른 발광 표시 패널의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.1 is an equivalent circuit diagram of a pixel of a light emitting display panel according to the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 발광 표시 패널의 한 화소에 대한 수직 단면도이다.2 is a vertical cross-sectional view of one pixel of the light emitting display panel shown in FIG.

도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 표시 패널의 유기층을 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating an organic layer of a light emitting display panel according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 도 2에 도시된 보조 전극에 대한 다른 실시 예를 도시한 단면도이다. 4 is a cross-sectional view showing another embodiment of the auxiliary electrode shown in FIG.

도 5a 내지 도 5g는 본 발명에 따른 제1 실시 예의 발광 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.5A to 5G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light emitting display panel according to the first embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 표시 패널을 간략히 나타낸 단면도이다. 6 is a cross-sectional view schematically illustrating a light emitting display panel according to a second embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 발광 표시 패널을 간략히 나타낸 단면도이다.7 is a cross-sectional view schematically illustrating a light emitting display panel according to a third embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 발광 표시 패널을 간략히 나타낸 단면도이다.8 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting display panel according to a fourth embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art

101 : 하부 기판 102 : 게이트 전극101: lower substrate 102: gate electrode

104 : 무기 보호막 106 : 게이트 절연막104: inorganic protective film 106: gate insulating film

108 : 드레인 전극 110 : 소스 전극108: drain electrode 110: source electrode

112 : 반도체 패턴 118 : 유기 보호막112: Semiconductor pattern 118: Organic protective film

120 : 컨택홀 122 : 제1 전극120: contact hole 122: first electrode

124 : 뱅크 절연막 126 : 유기층124: bank insulating film 126: organic layer

128 : 제2 전극 130 : 상부 기판128: second electrode 130: upper substrate

132 : 칼라 필터 136 : 보조 전극132: color filter 136: auxiliary electrode

Claims (10)

하부 기판 상의 박막 트랜지스터와;A thin film transistor on a lower substrate; 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접속되는 제1 전극과;A first electrode connected to a drain electrode of the thin film transistor; 상기 제1 전극 상에 발광층을 포함하는 유기층과;An organic layer including a light emitting layer on the first electrode; 상기 유기층 상의 박막 형태인 제2 전극과;A second electrode in the form of a thin film on the organic layer; 상부 기판 상에 위치한 적색, 녹색, 청색 칼라 필터와;A red, green, and blue color filter disposed on the upper substrate; 상기 칼라 필터 상에 위치한 오버코트층과;An overcoat layer disposed on the color filter; 상기 상부 기판 전면 상에 위치하고 상기 제2 전극과 접속되며 상기 칼라 필터와 중첩하는 보조 전극을 포함하며, And an auxiliary electrode disposed on the front surface of the upper substrate and connected to the second electrode and overlapping the color filter, 상기 보조 전극은 상기 오버코트층 상에 상기 오버코트층의 표면을 따라 적층되는 발광 표시 패널.Wherein the auxiliary electrode is laminated on the overcoat layer along the surface of the overcoat layer. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제2 전극의 두께는 10~500Å이며, The thickness of the second electrode is 10 to 500 ANGSTROM, 상기 제2 전극은 한 층 이상의 투명 도전 물질로 구성되거나, 한 층 이상의 금속 물질로 구성되거나, 상기 투명 도전 물질 및 상기 금속 물질의 이중층으로 구성되는 발광 표시 패널. Wherein the second electrode is formed of one or more transparent conductive materials, or is formed of one or more metal materials, or is formed of a double layer of the transparent conductive material and the metallic material. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 보조 전극은 한 층 이상의 투명 도전 물질로 구성되거나, 한 층 이상의 금속 물질로 구성되거나, 상기 투명 도전 물질 및 상기 금속 물질의 이중층으로 구성되는 발광 표시 패널.Wherein the auxiliary electrode is formed of one or more transparent conductive materials, or is formed of one or more metal materials, or is formed of a double layer of the transparent conductive material and the metallic material. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 제1 전극은 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo) 중 선택된 물질과, ITO(Indum Tin Oxide), IZO(Indum Zinc Oxide) 중 선택된 물질로 구성되는 발광 표시 패널.Wherein the first electrode is made of a material selected from the group consisting of aluminum (Al), silver (Ag) and molybdenum (Mo) and indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO). 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 제1 전극은 알루미늄(Al)으로 구성되는 발광 표시 패널. Wherein the first electrode is made of aluminum (Al). 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 칼라 필터와 보조 전극 사이에 상기 오버코트층이 위치하며,The overcoat layer is positioned between the color filter and the auxiliary electrode, 상기 오버코트층 상에 컨택 전극이 위치하는 발광 표시 패널.And the contact electrode is positioned on the overcoat layer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050077816A1 (en) * 2003-09-19 2005-04-14 Hirokazu Yamada Organic light emitting device, manufacturing method thereof, and display unit
US20060158095A1 (en) * 2005-01-20 2006-07-20 Seiko Epson Corporation Electrooptic device, method for producing the same, and electronic apparatus
US20070108899A1 (en) * 2005-11-15 2007-05-17 Samsung Electronics Co., Ltd Display device and fabricating method thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050077816A1 (en) * 2003-09-19 2005-04-14 Hirokazu Yamada Organic light emitting device, manufacturing method thereof, and display unit
US20060158095A1 (en) * 2005-01-20 2006-07-20 Seiko Epson Corporation Electrooptic device, method for producing the same, and electronic apparatus
US20070108899A1 (en) * 2005-11-15 2007-05-17 Samsung Electronics Co., Ltd Display device and fabricating method thereof

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