KR101573724B1

KR101573724B1 - 나노안테나 배열의 제조 방법, 나노안테나 배열 칩 및 리소그래피용 구조물

Info

Publication number: KR101573724B1
Application number: KR1020130143068A
Authority: KR
Inventors: 이경석; 김원목; 이택성; 이욱성; 정두석; 김인호
Original assignee: 한국과학기술연구원
Priority date: 2013-11-22
Filing date: 2013-11-22
Publication date: 2015-12-02
Anticipated expiration: 2033-11-22
Also published as: KR20150059453A; US9726788B2; US20150146180A1

Abstract

나노 안테나 배열 제조 방법은 기판 위에 레지스트층을 형성하는 단계; 상기 레지스트층 위에 유전체 마이크로구조체 배열을 포함하는 포커싱층을 형성하는 단계; 선형 디퓨저를 이용하여 빛을 일 방향으로 산란시키는 단계; 상기 선형 디퓨저에 의해 산란된 빛을 상기 포커싱층 및 상기 레지스트층에 조사시킴으로써 상기 레지스트층에 비등방성의 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판 및 상기 패턴이 형성된 레지스트층에 플라즈모닉 공진 특성을 갖는 물질을 증착하는 단계; 및 상기 레지스트층 및 상기 레지스트층상에 증착된 물질을 제거함으로써 상기 기판상에 나노 안테나 배열을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 선형 디퓨저에 의한 빛의 산란 각도 및 상기 유전체 마이크로구조체의 크기는 형성하고자 하는 패턴의 종횡비에 기초하여 결정된다.

Description

나노안테나 배열의 제조 방법, 나노안테나 배열 칩 및 리소그래피용 구조물 {Method of fabricating nanoantennas array, nanoantennas array chip and a structure for lithography}

실시예들은 나노안테나 배열을 형성하는 공정, 나노안테나 배열 칩 및 나노안테나 배열을 형성하는 공정에 이용되는 리소그래피용 구조물에 관한 것이다.

금속 나노구조체는 자유전자의 유전 구속 효과에 의해 특정 파장 대역에서 국소표면 플라즈몬 공진현상을 나타낸다. 공진파장에서 금속 나노구조체 주변의 국부전기장이 강하게 증폭되며, 그 세기에 비례한 특정 광흡수 혹은 산란 거동을 나타낸다.

이러한 국소표면 플라즈몬 공진 특성은 주변 환경 변화에 민감하게 의존하기 때문에 이를 이용한 센서 응용 연구가 활발하게 진행되고 있다. 예를 들면, 국부전기장 증진효과를 이용하여 금속 나노구조체 주변에 존재하는 분자의 라만신호나 형광신호를 증폭시키는 표면증강 분광학용 플라즈모닉 기판으로 활용하거나, 주변물질의 유효굴절률 변화에 따라 민감하게 변화하는 공진파장의 특성을 이용하여 분석물을 감지하는 국소표면 플라즈몬 공진 센서 방식이 대표적이다.

최근에는 분석하고자 하는 분자의 고유 진동모드와 금속 나노구조체의 플라즈모닉 모드를 매칭시킴으로써 분광학적 분자 흡광신호를 증폭시키거나, 플라즈몬 에너지 전이 현상을 이용하여 분석물을 고감도, 고선택적으로 감지하는 플라즈모닉 적외선 나노안테나 기술이 주목받고 있다. 대부분의 분자들은 적외선 파장대역에서 고유 진동모드를 갖지만, 적외선 파장이 분자 크기에 비해 월등히 크기 때문에 일반적으로 분자들의 적외선 흡광계수는 낮은 값을 갖는다. 그러나, 플라즈모닉 나노안테나를 이용할 경우, 나노구조체 계면에 집중된 국부전기장을 통해 크기 부정합을 극복할 수 있기 때문에 인접한 분자의 적외선 흡광신호를 증폭시킬 수 있다.

이 때, 앞서 기술한 바와 같이, 대부분의 분자들은 적외선 파장 대역, 특히 분자 지문대역이라 불리는 2 μm 내지 20 μm 사이의 중적외선 영역에서 고유 진동모드를 갖기 때문에 분자의 진동 모드와 금속 나노구조체의 플라즈모닉 모드를 매칭시키기 위해서는 나노안테나의 공진파장을 적외선 영역으로 이동시킬 필요가 있다. 나노안테나의 공진파장을 적외선 영역으로 이동시키려면 나노구조체가 비등방성을 가질 필요가 있고, 특히 파장 가변능이 뛰어난 나노막대형 구조체의 경우 단축 대비 장축의 길이 비인 종횡비를 크게 증가시킬 필요가 있다.

현재까지 보고된 대부분의 플라즈모닉 적외선 나노안테나는 이빔(E-beam) 리소공정을 이용하여 제작되고 있다. 이빔 리소공정은 원하는 형상의 나노구조체를 정밀하게 제작할 수 있다는 장점이 있지만, 고가의 공정장비를 필요로 하며 쓰루풋(throughput)이 작아 대면적 배열칩 제작에 적합하지 않다는 단점이 있다. 한편, 나노임프린트법은 스탬퍼를 이용하여 나노패턴을 반복적으로 복제하는 방식으로 기존 이빔 리소공정의 쓰루풋 문제를 보완할 수 있지만, 정해진 패턴외에는 변형이 불가능하고 스탬퍼의 제작이 고가의 이빔 리소공정을 이용해 이루어짐은 물론 임프린트 과정에서 균일한 압력과 온도 유지가 필수적이기 때문에 비용 및 대면적 공정에 한계가 존재한다.

미국 공개특허 제 2013/0148194 호에서는 대안적 방식으로 나노스텐실 공정을 이용한 플라즈모닉 나노안테나 형성 방법이 게시되어 있다. 나노패턴 기공을 갖도록 정밀하게 가공된 프리-스탠딩(free-standing) 스텐실 마스크를 사용하여 종래의 스텐실 인쇄법과 유사하게 원하는 물질을 증착하기만 하면 나노구조체가 기판에 전사되는 방식이다. 나노임프린트법에 비해 공정이 단순하다는 장점이 있지만, 나노스텐실 마스크 제작에 고가의 이빔 리소공정과 MEMS(Micro-electromechanical systems) 공정이 요구되며 정해진 패턴외의 변형된 구조의 제작이 불가능할 뿐만 아니라 나노스텐실 구조상 대면적 공정이 곤란하다는 단점이 있다.

분석 대상체를 이루는 단위 분자들의 고유의 진동모드 파장에 맞도록 나노안테나의 공진파장을 조정하는 것(tailoring)은 나노안테나의 형상제어를 통해 용이하게 달성할 수 있다. 따라서, 필요에 따라 나노안테나의 공진파장을 가변적으로 제어할 수 있는 저가의 대면적 나노안테나 형성공정이 요구된다.

미국 공개특허 제 2012/0258289 호에는 저가의 자기조립방식으로 비등방성 나노구조체 배열을 제작하는 방법이 게시되어 있다. 투명한 유전체마이크로구조체에 빛을 조사시킬 때 회절한계 이하의 반가폭을 갖고 포커싱되는 포토닉 나노젯을 이용하여 유전체 마이크로구조체의 아래에 위치한 포토레지스트를 감광시켜 패터닝하는 종래의 공정을 변형시켜 비등방성 나노구조체 형성이 가능하도록 한 것이다. 구체적으로, 어느 일 방향으로만 빛을 산란시키는 선형 디퓨저를 사용함으로써 포커싱 되는 빛이 포토레지스트층에 이방성 패턴을 형성하고 이를 통해 최종적으로 나노막대형 구조체를 구현하는 것이다. 그러나 나노막대의 종횡비를 높이기 위해 디퓨저의 빛 산란 각도를 조절하는 방안은 게시되어 있지만, 적외선 나노안테나로의 응용을 위해 공진파장이 2 μm 내지 20 μm 대역인 적외선 영역을 커버할 수 있을 정도의 고 종횡비를 달성하기 위한 방안과 나노안테나로서의 기능 향상을 위한 다양한 구조 제어 기술은 게시되어 있지 않다.

미국 공개특허 제 2013/0148194 호 미국 공개특허 제 2012/0258289 호

본 발명의 일 측면에 따르면, 저가의 단순한 공정으로 나노구조체 배열의 형상 제어 자유도를 높이고 적외선 대역에서 플라즈모닉 공진파장을 갖는 나노안테나 배열 제조 방법 및 상기 나노안테나 배열 제조 방법에 의해 제조된 나노안테나 배열 칩을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 나노안테나 배열 제조 공정에 이용되는 리소그래피용 구조물을 제공할 수 있다. 또, 본 발명의 일 측면에 따르면, 단위 면적당 유효 나노안테나 밀도를 높이고, 편광의존성이 없는 플라즈모닉 적외선 나노안테나 배열칩을 제공할 수 있다.

일 실시예에 따른 나노 안테나 배열 제조 방법은 기판 위에 레지스트층을 형성하는 단계; 상기 레지스트층 위에 유전체 마이크로구조체 배열을 포함하는 포커싱층을 형성하는 단계; 선형 디퓨저를 이용하여 빛을 일 방향으로 산란시키는 단계; 상기 선형 디퓨저에 의해 산란된 빛을 상기 포커싱층 및 상기 레지스트층에 조사시킴으로써 상기 레지스트층에 비등방성의 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판 및 상기 패턴이 형성된 레지스트층에 플라즈모닉 공진 특성을 갖는 물질을 증착하는 단계; 및 상기 레지스트층 및 상기 레지스트층상에 증착된 물질을 제거함으로써 상기 기판상에 나노 안테나 배열을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 선형 디퓨저에 의한 빛의 산란 각도 및 상기 유전체 마이크로구조체의 크기는 형성하고자 하는 패턴의 종횡비에 기초하여 결정될 수 있다.

일 실시예에 따른 나노안테나 배열 제조 방법은 상기 빛을 일 방향으로 산란시키는 단계 및 상기 패턴을 형성하는 단계 각각을 복수 회 반복 수행하되, 각 반복 수행 시마다 상기 선형 디퓨저에 의한 빛의 산란 방향을 변화시킬 수 있다.

일 실시예에 따른 나노안테나 배열 칩은 기판 위에 레지스트층을 형성하는 단계; 상기 레지스트층 위에 유전체 마이크로구조체 배열을 포함하는 포커싱층을 형성하는 단계; 선형 디퓨저를 이용하여 빛을 일 방향으로 산란시키는 단계; 상기 선형 디퓨저에 의해 산란된 빛을 상기 포커싱층 및 상기 레지스트층에 조사시킴으로써 상기 레지스트층에 비등방성의 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판 및 상기 패턴이 형성된 레지스트층에 플라즈모닉 공진 특성을 갖는 물질을 증착하는 단계; 및 상기 레지스트층 및 상기 레지스트층상에 증착된 물질을 제거함으로써 상기 기판상에 나노 안테나 배열을 형성하는 단계에 의해 형성되며, 상기 선형 디퓨저에 의한 빛의 산란 각도 및 상기 유전체 나노구체의 크기는 형성하고자 하는 패턴의 종횡비에 기초하여 결정될 수 있다.

일 실시예에 따른 리소그래피용 구조물은 빛을 일 방향으로 산란시키도록 구성된 선형 디퓨저; 유전체 마이크로구조체 배열을 포함하며, 상기 선형 디퓨저에 의해 산란된 빛을 집속시키도록 구성된 포커싱층; 및 상기 포커싱층에 의해 집속된 빛이 조사됨으로써 상기 선형 디퓨저에 의한 빛의 산란 각도 및 상기 유전체 마이크로구조체의 크기에 기초하여 결정되는 종횡비를 갖는 비등방성의 패턴이 형성되도록 배치된 레지스트층을 포함하되, 상기 유전체 마이크로구조체의 직경은 1 μm 이상 10 μm 이하일 수 있다.

본 발명의 일 측면에 따른 나노안테나 배열 제조 방법에 의하면, 대다수 분자들의 고유 진동모드가 존재하는 2 μm - 20 μm 파장 영역의 적외선 대역에서 플라즈모닉 공진특성을 나타내는 적외선 나노안테나 배열을 용이하게 구현할 수 있다. 상기 적외선 나노안테나 배열은 금속의 자유전자 거동이 뚜렷한 적외선 파장대역에서 여기 되는 국소표면 플라즈몬을 이용할 수 있기 때문에 국부전기장 증진효과와 외부 환경변화에 대한 민감도가 향상되는 효과가 있다. 이를 이용하면, 플라즈모닉 나노안테나의 공진파장을 분석하고자 하는 특정 분자의 고유 진동모드에 맞춤으로써 표면증강 적외선 흡광신호를 현저히 증폭시키거나, 플라즈몬-분자간 에너지 전이를 이용한 분자지문 인지형 분광학용 플라즈모닉 기판으로 활용될 수 있다. 또한, 주변물질의 유효 굴절률 변화에 민감하게 변화하는 공진파장의 특성을 이용하여 분석물을 감지하는 국소표면 플라즈몬 공진 센서로도 유효하게 활용될 수 있으며, 표면 플라즈몬의 감쇄거리가 마이크론 수준으로 증가하기 때문에 세포단위의 분석도 가능해진다.

또한, 본 발명의 일 측면에 따른 나노안테나 배열 제조 방법에 의하면, 다중 노광 방식을 적용하여, 단위면적당 유효 나노안테나 밀도를 높일 수 있어 플라즈모닉 적외선 나노안테나 배열칩의 신호감도를 향상시킬 수 있고, 입사광의 편광특성에 영향을 받지 않는 적외선 나노안테나 배열칩 구현이 가능하기 때문에 실제 소자 응용시 고가의 적외선 편광기(polarizer)를 구비하지 않아도 된다는 장점이 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노안테나 배열 제조 방법을 수행하기 위한 예시적 장치의 개략도이다.
도 2는 선형 디퓨저의 빛 산란 각도 및 유전체 마이크로구조체의 직경에 따른 포토닉 나노젯 스팟패턴을 나타내는 이론 전산모사 결과이다.
도 3은 유전체 마이크로구조체의 직경에 따른 포토닉 나노젯 스팟 패턴의 단축방향으로의 전기장 진폭 분포 곡선이다.
도 4는 유전체 마이크로구조체의 직경변화에 따른 포토닉 나노젯 스팟 패턴의 장축방향으로의 전기장 진폭 분포 곡선이다.
도 5는 선형 디퓨저의 빛 산란 각도 및 유전체 마이크로구조체의 직경에 따른 포토닉 나노젯 스팟 패턴의 종횡비 그래프이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따라 직경 1 μm의 유전체 마이크로구조체를 이용하여 제작된 플라즈모닉 Au 나노안테나 배열이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따라 직경 3 μm의 유전체 마이크로구조체를 이용하여 제작된 플라즈모닉 Au 나노안테나 배열이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 사파이어 기판위에 제작된 플라즈모닉 Au 나노안테나 배열의 적외선 광흡수도 곡선이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 Si 기판위에 제작된 플라즈모닉 Au 나노안테나 배열의 적외선 광반사도 곡선이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 Au 나노안테나의 편광에 따른 광흡수도 곡선이다.
도 10a는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노안테나 배열 제조 방법에 의해 제조된 나노안테나 배열의 공간 배향성 분포이다.
도 10b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 나노안테나 배열 제조 방법에 의해 제조된 나노안테나 배열의 공간 배향성 분포이다.
도 11a는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노스타 구조의 나노안테나이다.
도 11b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 나노스타 구조의 나노안테나이다.
도 12는 도 11a의 나노안테나의 구조를 갖는 나노스타형 Au 나노안테나 배열의 SEM 사진이다.
도 13은 도 12의 나노스타형 Au 나노안테나의 편광에 따른 적외선 광흡수도 곡선을 보여준다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노안테나 배열칩을 적용한 표면증강 적외선 흡광학용 플라즈모닉 기판의 광반사도 곡선이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노안테나 배열칩을 적용한 적외선 파장대역에서 동작하는 굴절률 센서의 광흡수도 곡선이다.

이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 상세히 설명한다.

도 1은 일 실시예에 따른 나노안테나 배열 제조 방법을 수행하기 위한 예시적 장치의 개략도이다. 예시적 장치는 일 실시예에 따른 리소그래피용 구조물일 수 있으며, 상기 리소그래피용 구조물은 선형 디퓨저(12), 유전체 마이크로구조체(13)의 배열을 포함하는 포커싱층 및 레지스트층(14)을 포함할 수 있다.

도 1을 참조하여, 일 실시예에 따른 나노안테나 배열 제조 방법을 설명한다. 먼저, 기판(18) 위에 레지스트층(14)을 형성한다. 레지스트층(14)은 후속 리프트오프 공정을 용이하게 하기 위해서 도 1에 나타난 바와 같이 그 하부에 대부분의 현상액에 의해 식각되는 언더컷 형성층(16)을 포함하는 이중층 구조로 구성될 수 있다. 그 후, 레지스트층(14) 위에 유전체 마이크로구조체(13) 배열을 포함하는 포커싱층을 형성한다. 그리고 선형 디퓨저(12)를 이용하여 입사광(10)을 일 방향으로 산란시키고, 선형 디퓨저(12)에 의해 산란된 빛(11)을 유전체 마이크로구조체(13) 및 레지스트층(14)에 조사시킨다.

유전체 마이크로구조체(13) 배열로 구성된 포커싱층은 노광과정에서 조사된 빛(10)을 하부 레지스트층(14)에 회절한계 이하의 반가폭을 갖는 포토닉 나노젯 형태로 포커싱시킨다. 이 때, 반가폭이란 빛이 포커싱된 영역 내에서 빛의 전기장 진폭이 최대 진폭의 절반이 되는 진폭값을 갖는 위치간의 거리를 의미한다. 이에 따라, 빛이 포커싱된 영역과 주변부간의 노광량 차이로 인해 레지스트층(14)의 선택적 감광이 이루어져 레지스트층(14)에 패턴(15)이 형성되며, 감광영역은 포커싱층을 구성하는 유전체 마이크로구조체(13) 배열과 동일한 2차원적 배열을 갖게 된다. 레지스트층(14)에 패턴(15)이 형성되면, 패턴(15)이 형성된 레지스트층(14) 및 레지스트층(14)의 오프닝을 통해 기판(18)에 플라즈모닉 공진 특성을 갖는 물질을 증착하고, 레지스트층(14) 및 레지스트층(14)상에 증착된 물질을 제거함으로써 기판(18)상에 나노안테나 배열을 형성할 수 있다.

포커싱층의 유전체 마이크로구조체(13)는 노광작업에 사용되는 빛의 파장에서 투명하거나 흡수가 적은 물질로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 유전체 마이크로구조체(13)는 구(sphere) 형상을 갖는다. 유전체 마이크로구조체(13)의 배열은 자기조립방식의 공정을 이용하여 규칙적인 육방 조밀(hexagonal close-packed) 구조의 단입자층으로 형성될 수 있다. 경우에 따라서, 반복 재사용을 위해 고굴절률의 유전체 마이크로구조체, 즉 유전체 비드를 상대적으로 저굴절률의 고분자 멤브레인(membrane) 내에 규칙적 배열을 갖도록 분산시킨 형태의 포커싱층도 사용 가능하다.

레지스트층(14)은 빛에 의해 감광되는 포토레지스트 또는 빛의 흡수 과정에서 발생하는 열에 의해 상전이 변화를 일으키는 써멀레지스트(thermal resist) 모두 사용 가능하다.

기판(18)은 적외선 대역에서 동작하는 플라즈모닉 나노안테나 배열칩 응용을 위해 일반적으로 적외선 파장대역에서 투명하거나 광흡수가 적은 물질일 수 있다. 예를 들어, 기판(18)은 사파이어, CaF₂, MgF₂, ZnSe, Si, Si₃N₄, Ge, GaAs, SiO₂, KBr, Diamond 또는 고분자로 이루어질 수 있다.

플라즈모닉 나노안테나를 구성하는 물질은 적외선 파장대역에서 그 광학적 거동이 자유전자 모델로 설명되는 물질일 수 있고, 그 예로, Au, Ag, Cu, Al, Pt, Pd, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Mo, W, V, Ta, Nb, Sn, Pb, Sb, Bi 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 나노안테나는 자유전자 밀도가 10^-20 cm^-3 이상인 반도성 물질일 수 있고, 예를 들어, 투명전도산화물, 질화물 및 축퇴반도체(degenerated semiconductor) 물질로 이루어질 수 있다.

상기의 나노안테나 배열 제조 방법에 있어서, 선형 디퓨저(12)가 특정 일 방향의 산란 각도로 입사광(10)을 분산시키고 이와 수직한 방향으로는 직진성을 유지하도록 구성된 경우, 선형 산란된 빛(11)은 포커싱층 통과시 비등방성의 포커싱 스팟을 형성하고 이를 통해 하단부에 존재하는 레지스트층(14)에도 비등방성의 패턴(15)을 형성하게 된다. 여기서 비등방성 패턴(15)의 종횡비는 선형 디퓨저(12)에 의한 빛의 산란 각도뿐만 아니라 포커싱층을 구성하는 유전체 마이크로구조체(13)의 직경에도 크게 의존하므로, 선형 디퓨저(12)에 의한 빛의 산란 각도 및 유전체 마이크로구조체(13)의 크기는 형성하고자 하는 패턴(15)의 종횡비에 기초하여 결정될 수 있다. 유전체 마이크로구조체(13)의 직경은 1 μm 이상 10 μm 이하일 수 있고, 형성된 패턴(15)의 종횡비에 따라 제작된 나노안테나의 공진파장은 2 μm 이상 20 μm 이하일 수 있다.

도 2 는 선형 디퓨저를 통과한 빛이 유전체 마이크로구조체에 의해 포커싱될 때 유전체 마이크로구조체 하단면에 형성되는 포커싱 스팟패턴이 선형 디퓨저의 빛 산란 각도 및 유전체 마이크로구조체의 직경에 따라 어떻게 변화하는지를 보여주는 이론 전산모사 결과이다. 유전체 마이크로구조체 물질로 폴리스티렌을 선택하였고, 빛의 파장은 405 nm 로 가정하였으며, 계산은 유한차분시간영역법(FDTD)을 이용하여 이루어졌다.

도 2 를 참고하면, 선형 디퓨저의 빛 산란 각도가 0^o 일 때 형성되는 포토닉 나노젯의 스팟 패턴은 원형이며, 폴리스티렌 구형 비드의 직경과 관계없이 일정한 크기를 보여준다. 선형 디퓨저의 빛 산란 각도를 40^o 또는 80^o로 증가시키면, 전체적인 스팟 패턴 역시 이에 비례하여 장축이 선형 디퓨저의 빛 산란 방향인 막대모양의 비등방성 형상을 보인다. 여기서 주목할 점은 선형 디퓨저의 빛 산란 각도가 동일한 경우, 폴리스티렌 비드의 직경이 증가할수록 스팟 패턴의 장축 방향 길이가 더욱 길어지는 반면, 빛 산란 각도에 수직한 방향으로는 별다른 길이 차이가 나타나지 않는다는 사실이다. 실질적으로 비등방성 스팟 패턴의 장축방향 길이가 폴리스티렌 비드의 직경보다 클 수 없다는 점을 감안한다면, 이는 비등방성 스팟 패턴의 종횡비의 최대값이 폴리스티렌 비드의 직경에 의해 결정된다는 것을 의미한다.

보다 정량적인 분석을 위해 상기 도 2의 2차원 등고선 맵에서 빛 산란 각도가 80^o 인 선형 디퓨저를 사용하였을 때 계산된 스팟 패턴의 중심점을 기준으로 한 단축 방향 및 장축 방향으로의 전기장 진폭 분포를 사용된 비드의 직경별로 추출하여 각기 도 3및 도 4에 나타내었다.

도 3은 비등방성 스팟 패턴의 단축방향으로의 전기장 진폭 분포로서 폴리스티렌 비드의 크기가 1 μm (30), 2 μm (32), 3 μm (34)로 증가하는 것과 관계없이 유사한 분포양상을 나타내며 반가폭이 일정하게 유지됨을 알 수 있다.

반면에 도 4에 나타낸 스팟 패턴의 장축방향으로의 전기장 진폭 분포 곡선은 폴리스티렌 비드의 크기가 1 μm (40), 2 μm (42), 3 μm (44)로 증가함에 따라 이에 직접적으로 비례하여 곡선의 반가폭이 증대되는 모습을 보인다.

도 2 에 나타난 아홉가지 경우에 대하여 장축방향 전기장 진폭의 반가폭을 단축방향 전기장 진폭의 반가폭으로 나눈 스팟 패턴의 종횡비를 계산하기 위해 선형 디퓨저의 빛 산란 각도가 0^o, 40^o, 80^o 인 경우 각각에 대하여 스팟패턴의 장축 및 단축방향으로의 전기장 진폭 분포 곡선을 추출하고 그 반가폭을 구하였다. 도 5는 폴리스티렌 비드의 직경에 따른 스팟 패턴의 종횡비를 나타낸다. 폴리스티렌 비드의 직경이 1 μm (50)인 경우에는 선형 디퓨저의 빛 산란 각도가 80^o 일 때 최대 종횡비가 약 3 에 그침을 알 수 있다. 선형 디퓨저의 빛 산란 각도가 커질수록 종횡비가 증가함을 알 수 있으나, 선형 디퓨저의 빛 산란 각도가 80^o 이상인 경우, 산란광이 비드내로 포커싱되지 못하고 이웃 비드와 중첩됨으로써 종횡비 증가에 기여하지 못한다. 따라서, 단축방향 스팟패턴의 반가폭이 250 nm 내지 300 nm 크기로 고정된 상태에서 스팟패턴의 종횡비를 증가시키는 효과적인 방법은 사용하는 비드의 직경을 증가시키는 것이다. 도 5에 나타난 바와 같이 비드 직경이 2 μm (52)와 3 μm (54)로 증가할수록 동일한 선형 디퓨저의 빛 산란 각도에서 달성가능한 스팟패턴의 종횡비도 비례해서 증가하며, 비드의 직경이 3 μm (54)인 경우, 빛 산란 각도가 80^o 인 선형 디퓨저 사용시 최대 7.4 정도의 종횡비를 얻을 수 있음을 알 수 있다.

발명자들은 전산모사 결과로 예측되는 비드 직경 증가에 따른 스팟패턴의 종횡비 증가 효과를 이용하여, 적외선 파장대역에서 플라즈모닉 공진파장을 갖는 고 종횡비의 나노막대형 플라즈모닉 나노안테나 배열을 제작하기 위해 실험을 진행하였다. 도 6a와 도 6b는 각각 직경이 1 μm 와 3 μm 인 폴리스티렌 나노구조체 배열을 포커싱층으로 하고 빛 산란 각도가 80^o 인 선형 디퓨저를 사용하여 제작한 나노막대형 플라즈모닉 Au 나노안테나 배열의 주사 전자 현미경(SEM) 분석사진을 보여준다.

기판 물질로는 실리콘을 사용하였고, 기판 위에 언더컷 형성층(LOL^TM2000)과 포지티브(positive) 포토레지스트층(AZ5214E)을 각각 150 nm 두께로 스핀코팅한 이중층 구조의 레지스트층을 적용하였다. 포커싱층으로 사용되는 폴리스티렌 비드 배열은 대류 자기조립(convective self-assembly)을 이용하여 레지스트층 위에 육방 조밀 구조를 갖는 단입자층으로 형성하였다. 노광 작업은 405 nm 파장의 빛을 이용하였으며 비집속 영역에서의 불필요한 포토레지스트(PR) 감광을 배제하기 위해 출력파워를 1.2 mW/cm²이 되도록 맞춰놓고 노광시간을 조절해가며 실험을 진행하였다. 노광 시간은 비드 직경에 따른 집속광의 세기 차이를 고려하고, 과도한 노출로 패턴의 전체 크기가 과도하게 증가하지 않는 범위에서 설정되었다. 직경 1 μm 의 폴리스티렌 비드를 사용하는 경우(도 5)의 노광시간은 20 초, 직경 3 μm 비드의 경우(도 6)에는 10 초였다. 노광된 시편은 초음파 세척을 통해 폴리스티렌 비드를 제거한 뒤 AZ300MIF 현상액을 이용한 현상작업을 통해 포토닉 나노젯에 의해 감광된 레지스트 영역을 제거하였다.

일 실시예에 따르면, 패턴을 형성하는 단계 이후 및 플라즈모닉 공진 특성을 갖는 물질을 증착하는 단계 전에, 기판 및 패턴이 형성된 레지스트층 위에 접착층을 형성할 수도 있다. 본 실험에서는 이빔(E-beam) 증착법을 이용하여 패터닝된 레지스트층 및 레지스트층의 오프닝을 통해 노출된 기판 위에 접착층으로 Ti 을 5 nm의 두께로 먼저 증착한 후 20 nm 두께의 Au 박막을 증착하였다. 접착층은 Ti 외에도 Cr, TiN, ZnS-SiO₂ 또는 투명 전도 산화물로 이루어질 수 있다. 리프트 오프 공정은 포토레지스트의 제거를 위해 아세톤에 10분, 그리고 언더컷 형성층의 제거를 위해 AZ300MIF 현상액에 하루정도 담금으로서 완료하였다.

도 6a와 도 6b에 나타난 바와 같이 빛 산란 각도 80^o 의 선형 디퓨저를 동일하게 사용하였음에도 불구하고 포커싱층으로 사용되는 폴리스티렌 비드의 직경을 1 μm 에서 3 μm 로 증가시킴에 따라 나노막대형 플라즈모닉 Au 나노안테나의 종횡비가 2.5에서 6 이상으로 크게 증대되었음을 확인할 수 있다.

도 7은 직경이 2 μm (70) 와 3 μm (72) 인 폴리스티렌 비드의 배열을 이용하여 사파이어 기판위에 도 6에서와 같은 공정에 따라 제작한 플라즈모닉 Au 나노안테나 배열의 적외선 흡광곡선을 나타낸다. 적외선 흡광곡선은 투과된 빛의 비율을 나타내는 광투과도(T)를 퓨리에변환 적외선 분광 분석기(FTIR)를 이용하여 측정한 뒤, log(1/T) 으로 표현 가능한 광흡수도(absorbance)를 나타낸 것이다. 공정에 사용한 선형 디퓨저의 빛 산란 각도는 80^o 였고, 입사광의 편광 방향은 KRS-5 적외선 선격자(wire-grid) 편광자를 이용하여 Au 나노안테나의 장축방향과 평행하도록 조정하였다. SEM 분석결과 직경 2 μm (70) 와 3 μm (72) 의 비드로 제작된 Au 나노안테나의 종횡비는 각각 평균 4.3 과 6 이었다. 이와 같이 높은 종횡비로 인하여, 제작된 Au 나노안테나 배열의 국소표면 플라즈몬 공진파장은 2 μm 이상의 중적외선 영역에 위치하고 있으며, 종횡비가 4.3 에서 6 으로 증가함에 따라 광흡수 공진파장도 3.96 μm 에서 5.89 μm 로 크게 적색편이함을 확인할 수 있었다.

도 8은 유전상수값이 큰 실리콘 기판위에 폴리스티렌 비드의 직경을 1 μm (80), 2 μm (82), 3 μm (84)로 각기 다르게 하고 80^o 의 빛 산란 각도를 갖는 선형 디퓨저를 사용하여 제작한 Au 나노안테나 배열들의 플라즈모닉 광반사도 곡선을 나타낸다. 폴리스티렌 비드의 직경이 증가함에 따라 공진파장 역시 이에 비례하여 각각 3.65 μm (80), 7.38 μm (82), 11.25 μm (84) 로 적색편이함을 알 수 있다. 여기서, 광반사도 값은 실리콘 기판의 반사도를 기준으로 한 나노안테나 배열의 상대적인 반사도 값을 나타낸다. 공진파장에서 플라즈모닉 나노안테나는 광흡수는 물론 광산란 특성도 나타내기 때문에 실리콘 기판 대비 높은 광반사도 값이 얻어진다. 도 7과 비교해 보면, 동일한 종횡비의 나노안테나 배열에 대해서 지지기판의 유전상수를 증가시킴으로써 발현되는 플라즈모닉 공진파장을 적외선 영역으로 더 크게 이동시킬 수 있음을 알 수 있다.

나노막대형 플라즈모닉 나노안테나는 전형적으로 편광의존성을 보이므로, 나노안테나의 편광의존성을 확인함으로써 본 발명의 일 측면에 따른 공정을 통해 적외선 영역에서 동작하는 나노막대형 플라즈모닉 나노안테나가 성공적으로 제작되었음을 증명할 수 있다. 도 9는 도 7에 나타낸 바와 같이 사파이어 기판위에 제작된 종횡비가 4.3 인 Au 나노안테나에 대한 플라즈모닉 광흡수곡선의 편광의존성을 분석한 결과를 나타낸다. Au 나노안테나의 장축방향이 편광자의 편광방향과 평행한 경우(90), 종모드 국소표면 플라즈몬 공진에 따른 광흡수도의 피크가 뚜렷하게 관찰된다. 한편, 편광자의 각도가 45도인 경우(92), 종모드 플라즈몬 공진에 따른 광흡수도의 피크값이 크게 감소하며, 편광자의 편광방향이 나노안테나의 장축방향과 수직인 경우(94), 종모드 플라즈몬 공진에 따른 광흡수도의 피크가 사라짐을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 일 측면에 따른 나노안테나 배열 제조 방법으로 제작된 나노안테나 배열이 편광 의존성을 보이므로, 나노막대형 플라즈모닉 나노안테나 배열이 성공적으로 제작되었음을 알 수 있다.

이상으로부터 디퓨즈 포토닉 나노젯 리소공정을 포함하는 본 발명의 일 측면에 따른 나노안테나 배열 제조 방법은 적외선 영역에서 플라즈모닉 공진파장을 갖는 적외선 플라즈모닉 나노안테나 배열 제작에 매우 유용함을 알 수 있다. 또한, 공정에 사용되는 포커싱 비드의 직경을 더욱 증가시키거나, 증착되는 플라즈모닉 금속 박막의 두께를 얇게 하거나, 기판물질의 유전상수를 증가시킴으로써 나노안테나의 플라즈모닉 공진파장을 구현할 수 있는 적외선 파장대역을 더욱 확장시키는 것도 가능하다.

한편, 일 실시예에 따른 나노안테나 배열의 제조 방법을 이용하면, 노광과정에서 선형 디퓨저의 빛 산란 방향을 원하는 방위각으로 회전시키는 단순한 공정에 의해 나노안테나 배열의 공간 배향성을 인위적으로 제어할 수 있다.

도 10a 와 10b 는 선형 디퓨저의 빛 산란 방향만을 다르게 하여 노광하였을 때 제작 가능한 나노안테나 배열의 공간 배향성 분포의 예시를 나타낸다. 자기조립적 방식에 의해 레지스트층 상에 형성되는 유전체 마이크로구조체 배열은 육방 조밀 구조를 갖는다. 도 10a에서와 같이 유전체 마이크로구조체가 최밀충진되는 열방향으로 선형 디퓨저의 빛 산란 방향을 일치시킨 경우, 제작된 나노안테나 배열은 이웃하는 나노안테나의 장축이 모두 같은 직선 상에 있는 구조를 갖게 된다. 이 경우, 나노안테나의 종횡비를 제어함으로써 나노안테나 사이의 간극을 비교적 큰 자유도로 제어하는 것이 가능해진다. 이러한 간극 제어는 적외선 나노안테나간의 쌍극자 커플링을 일으키거나, 나노간극에서의 팁투팁(tip-to-tip) 형태의 강한 국부전기장 증진 효과를 유도하는데 이용될 수 있다.

반면, 도 10b는 선형 디퓨저의 빛 산란 방향이 최밀충진열과 30^o 각도를 이루게 하였을　때 제작 가능한 나노안테나 배열의 배향성을 나타낸다. 도 10a와 달리 인접한 나노안테나들의 장축이 서로 다른 직선상에 있고, 사이사이 간극이 분리된 독립적인 안테나 배열을 얻을 수 있다.

이와 같이 선형 디퓨저의 빛 산란 방향을 조절하여 나노안테나 배열의 배향성을 조절할 수 있다는 점을 이용하여, 일 실시예에 따른 나노안테나 배열 제조 방법은 빛을 일 방향으로 산란시키는 단계 및 패턴을 형성하는 단계를 복수회 반복 수행하되, 각 반복 수행 시마다 선형 디퓨저에 의한 빛의 산란 방향을 변화시킴으로써 복수의 팔(arm)을 갖는 나노스타 구조의 나노안테나 배열을 형성할 수 있다. 도 11a는 1차 노광 공정후 선형 디퓨저의 빛 산란 방향을 90^o 회전시킨 후 2차 노광 공정을 진행했을 때 구현 가능한 나노스타 구조를 나타내고, 도 11b는 연속되는 노광 공정시 선형 디퓨저만 60^o 각도로 회전시키면서 3중 노출 공정을 진행하였을 때 구현 가능한 나노스타 구조의 예를 나타낸다. 나노스타 구조를 이루는 팔들간의 상대적인 각도는 임의로 제어할 수 있다. 이러한 나노스타 구조의 나노안테나 배열은 나노막대형 구조와 달리 편광의존성을 제어할 수 있으며, 단위면적당 나노막대형 플라즈모닉 나노안테나의 유효밀도를 증가시키는 효과도 기대할 수 있다.

도 12는 도 11a에 예시된 것과 같은 이중 노출공정을 적용하여 실제 제작된 나노스타형 Au 나노안테나 배열의 SEM 사진을 나타낸다. 기판 물질로는 사파이어를 사용하였으며, 3 μm 직경의 폴리스티렌 비드의 배열을 포커싱층으로 하고 빛 산란 각도가 80^o 인 선형 디퓨저를 이용하여 공정을 진행하였다. 1차 및 2차 노광 공정 모두 노광시간은 9초로 고정하였고, 1차 노광 공정 후 선형 디퓨저의 빛 산란 방향만 90^o 회전시켜 2차 노광 공정을 진행하였다. 도 12 를 참고하면 90^o 회전대칭을 갖는 4개의 팔을 갖는 나노스타형 Au 안테나가 형성되었음을 확인할 수 있다.

도 13은 도 12에서와 같이 제작된 나노스타형 Au 나노안테나의 편광에 따른 적외선 광흡수 스펙트럼을 나타낸다. 도 9에 나타난 나노막대형 구조의 경우와 달리, 입사광의 편광방향을 나노스타의 어떤 한 팔에 평행한 각도(130)를 중심으로, 입사광의 편광 방향을 45^o (132) 또는 90^o (134) 로 회전시키더라도 국소표면 플라즈몬 공진에 의한 광흡수곡선은 거의 일정한 형태를 유지했다. 이는 도 12 에 나타난 구조를 갖는 나노스타형 Au 나노안테나 자체의 회전대칭성에 기인한 것으로서 제작된 나노스타형 Au 나노안테나는 편광의존성이 없음을 알 수 있다. 이러한 편광 비의존성은 입사광의 편광 방향에 무관하게, 심지어는 무작위 편광 빛에 대하여도 동일한 크기와 형태의 플라즈모닉 공진 광흡수 곡선을 나타내기 때문에, 실제 응용의 관점에서 볼 때 고가의 적외선 선형 편광자를 사용하지 않아도 된다는 점에서 유리한 측면이 있다.

또한, 본 발명의 일 측면에 따른 제조 방법에 의해, 높은 종횡비의 비등방성 포어 구조로 패터닝된 레지스트층 상에 플라즈모닉 공진현상을 나타낼 수 있는 물질을 증착함으로써 적외선 파장대역에서 동작하도록 제작된 플라즈모닉 나노안테나 배열 칩은 각종 생화학 분자의 고민감도, 고선택적 감지를 위한 적외선 분광학용 플라즈모닉 기판 또는 적외선 파장대역에서 동작하는 굴절률 변화 감지 기반 플라즈모닉 센서칩에 사용될 수 있다.

도 14는 일 실시예에 따라 제작된 나노안테나 배열 칩을 이용한 표면증강 적외선 흡광법(surface enhanced infrared absorption, SEIRA)용 플라즈모닉 기판의 광반사도 곡선이다. 이 때, 광반사도는 레퍼런스 미러(reference mirror) 대비 상대적 반사도를 나타낸다. 분자 시스템 모델로는 CH₃(CH₂)₁₇SH의 화학 시성식을 갖는 옥타데카네디올(Octadecanethiol) (ODT) 자기조립 단분자막(SAM)을 선택하였다. 화학 시성식에서 알 수 있듯이 ODT SAM은 17개의 CH₂ 결합과 1개의 CH₃ 결합을 갖는다. CH₂와 CH₃ 결합은 대략 2900 cm^- ¹ 의 주파수 대역, 즉 3.45 μm 의 파장 근처에서 신축 진동(stretching vibration) 모드에 의한 적외선 흡수 현상을 나타내기 때문에, 이러한 파장대역에서 플라즈몬 공진 특성을 갖는 사파이어 기판위에 제작된 종횡비 약 4의 나노막대형 Au 나노안테나 배열칩을 이용하여 실험을 진행하였다. 여기서, 주파수는 파장의 역수(1/λ)로 표현되는 파수(wavenumber)를 의미한다. Au 나노안테나 표면위에 ODT SAM을 형성시키기 위해 나노안테나 배열칩을 에탄올을 용매로 한 1 mM 농도의 옥타데카네디올 (ODT) 용액안에 24시간 동안 담가 놓았다. 이후 세척과 건조작업을 수행한 뒤 FTIR 현미경을 이용하여 광반사도(R) 곡선을 측정하였다.

도 14을 참고하면, Au 나노안테나의 표면 플라즈몬 공진에 의한 광반사도의 피크를 중심으로 고 주파수 대역 부근에 작지만 뚜렷하게 세 개의 딥(dip)이 관찰됨을 알 수 있다. 딥 주파수는 각각 2855 cm^-1 (140), 2924 cm^-1 (142), 2961 cm^-1 (144)로서, 상대적으로 낮은 두 개의 주파수는 CH₂ 결합의 대칭 신축 진동모드와 비대칭 신축 진동모드에 해당하며, 상대적으로 가장 높은 주파수는 CH₃ 결합의 비대칭 신축 진동모드에 기인하여 흡수되는 적외선의 주파수로 판단된다. ODT 단일분자는 치밀하게 자기조립되었을 때 대략 0.2 nm²의 면적을 차지한다고 알려져 있다. 따라서, 본 실험에 사용된 나노안테나의 면적을 고려하면 단일 나노안테나당 약 5.7 아토몰의 분자가 존재한다. 특히 관찰되는 적외선 광흡수 특성은 국부전기장이 집중되는 나노안테나의 양 끝단 영역에 존재하는 ODT 분자에 지배적으로 의존하므로, 대략 1 아토몰의 미량 분자만이 실제 적외선 흡광에 기여한다고 가정할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 측면에 따른 적외선 나노안테나는 높은 종횡비를 갖기 때문에 양 끝단에 인가되는 국부전기장의 세기가 강하여 적외선 광흡수 증폭효과가 매우 우수함을 알 수 있다. 특히, ODT SAM에서 단 1개의 결합만을 갖고 있는 2961 cm^-1 주파수대의 CH₃ 비대칭 신축 진동모드를 검출했다는 것은 본 발명의 일 측면에 따른 나노안테나 배열칩이 미량 분자의 고감도 분석을 위한 적외선 분광학용 플라즈모닉 증폭 기판으로 사용되기에 적합하다는 것을 입증한다.

또 다른 예시로서, 도 15는 일 실시예에 따른 나노안테나 배열 칩을 적외선 파장대역에서 동작하는 굴절률 센서로 응용하였을 때, 상기 굴절률 센서의 광흡수도 곡선을 나타낸다. 도 15는 CaF₂ 기판위에 제작된 종횡비 약 6의 Au 나노막대형 안테나 배열 칩이 공기와 접해 있을 때(150) 및 적외선 파장에서 투명하고 굴절률이 약 1.424 인 클로로포름(CHCl₃) 용액을 흘려줬을 때(152)의 FTIR로 측정된 광흡수도 곡선을 나타낸다. 초기 공기와 접한 상태(150)에 비해 클로로포름 용액이 주변을 둘러쌀 때(152), 약 1.61 μm 정도의 적색편이(154)가 발생함을 알 수 있다. 이를 단위굴절률 변화에 대한 파장의 변화로 표현되는 민감도로 나타내면 3.79 μm/RIU의 값을 나타낸다. 가시광 대역의 나노안테나들의 벌크 민감도가 수백 nm/RIU 정도인 점을 감안하면 적외선 플라즈모닉 나노안테나의 민감도가 현저히 높음을 알 수 있다. 또한, 적외선 대역에서 여기되는 국소표면 플라즈몬의 감쇄거리는 수 μm에 이르기 때문에 세포단위의 측정이 가능해지는 장점이 있다.

이상, 본 발명은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 변경 및 변형이 가능하므로 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것은 아니다.

10 : 입사광 11 : 산란광
12 : 선형 디퓨저 13 : 유전체 마이크로구조체
14 : 레지스트층 15 : 패턴
16 : 언더컷 형성층 18 : 기판

Claims

기판 위에 레지스트층을 형성하는 단계;
상기 레지스트층 위에 유전체 마이크로구조체 배열을 포함하는 포커싱층을 형성하는 단계;
선형 디퓨저를 이용하여 빛을 일 방향으로 산란시키는 단계;
상기 선형 디퓨저에 의해 산란된 빛을 상기 포커싱층 및 상기 레지스트층에 조사시킴으로써 상기 레지스트층에 비등방성의 패턴을 형성하는 단계;
상기 기판 및 상기 패턴이 형성된 레지스트층에 플라즈모닉 공진 특성을 갖는 물질을 증착하는 단계; 및
상기 레지스트층 및 상기 레지스트층상에 증착된 물질을 제거함으로써 상기 기판상에 나노 안테나 배열을 형성하는 단계;
를 포함하되,
상기 선형 디퓨저에 의한 빛의 산란 각도 및 상기 유전체 마이크로구조체의 크기는 형성하고자 하는 패턴의 종횡비에 기초하여 결정되며,
상기 나노 안테나의 공진파장이 2 μm 이상 20 μm 이하인 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 유전체 마이크로구조체의 직경은 1 μm 이상 10 μm 이하인 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법.
삭제
제 1 항에 있어서,
상기 빛을 일 방향으로 산란시키는 단계 및 상기 패턴을 형성하는 단계 각각을 복수 회 반복 수행하되,
각 반복 수행 시마다 상기 선형 디퓨저에 의한 빛의 산란 방향을 변화시키는 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법.
제 4 항에 있어서,
상기 나노 안테나는 복수의 팔(arm)을 갖는 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 나노 안테나 배열은 평면적으로 육방 조밀 구조(hexagonal close-packed)를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 기판은 사파이어, CaF₂, MgF₂, ZnSe, Si, Si₃N₄, Ge, GaAs, SiO₂, KBr, Diamond 또는 고분자로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 나노 안테나는 적외선 파장 대역에서 광학적 거동이 자유 전자 모델로 설명되는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법.
제 8 항에 있어서,
상기 나노 안테나는 Au, Ag, Cu, Al, Pt, Pd, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Mo, W, V, Ta, Nb, Sn, Pb, Sb, Bi 또는 이들의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법.
제 8 항에 있어서,
상기 나노 안테나는 자유 전자 밀도가 10^-20cm^- ³이상인 반도성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 패턴을 형성하는 단계 이후 및 상기 물질을 증착하는 단계 이전에, 상기 기판 및 상기 패턴이 형성된 레지스트층 위에 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법.
제 11 항에 있어서,
상기 접착층은 Ti, Cr, TiN, ZnS-SiO₂ 또는 투명 전도 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 제조 방법.
삭제
삭제
복수의 나노 안테나를 갖는 나노 안테나 배열을 포함하며,
상기 나노 안테나 배열은 평면적으로 육방 조밀 구조(hexagonal close-packed)를 가지며,
상기 나노 안테나의 공진파장이 2 μm 이상 20 μm 이하인 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 칩.
삭제
삭제
제 15 항에 있어서,
상기 나노 안테나는 복수의 팔을 갖는 것을 특징으로 하는 나노 안테나 배열 칩.
삭제