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KR101565931B1 - 광전변환 필름, 이를 구비하는 광전변환 소자 및 이미지 센서 - Google Patents

광전변환 필름, 이를 구비하는 광전변환 소자 및 이미지 센서 Download PDF

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KR101565931B1
KR101565931B1 KR1020080108509A KR20080108509A KR101565931B1 KR 101565931 B1 KR101565931 B1 KR 101565931B1 KR 1020080108509 A KR1020080108509 A KR 1020080108509A KR 20080108509 A KR20080108509 A KR 20080108509A KR 101565931 B1 KR101565931 B1 KR 101565931B1
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KR
South Korea
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photoelectric conversion
type layer
electrode
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김규식
마사히로 히라모토
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삼성전자주식회사
오사카 유니버시티
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Abstract

개시된 청색용 광전변환 필름은, 테트라센(tetracence)이 증착되어 형성된 p-type 층; 테트라센과 나프탈렌 테트라카르복실산 이무수물(NTCDA)이 공증착되어 형성된 p,n-type 층; 및 NTCDA이 증착되어 형성된 n-type 층;을 포함한다.

Description

광전변환 필름, 이를 구비하는 광전변환 소자 및 이미지 센서{Photoelectric conversion film, photoelectric conversion Device and color image sensor hanving the photoelelctric conversion film}
광전변환 필름, 이를 구비하는 광전변환 소자 및 이미지 센서가 제공된다.
수광소자(受光素子)는 디지털 카메라, 방송용 카메라, 감시 카메라, 컴퓨터 화상용 카메라, 캠코더, 자동차용 센서, 가정용 센서, 태양전지 등에 광범위하게 사용되고 있다. 종래의 수광소자는 크게 마이크로렌즈, 컬러 필터, 및 Si-광다이오드로 구성되는데, 이러한 구조는 픽셀 사이즈가 감소하게 되면 광다이오드에 도달하는 광량이 감소하게 되고, 이러한 광량의 감소는 결국 수광소자의 성능을 저하시키는 요인이 된다. 그 결과 종래의 수광소자는 감도 저하, 위색(僞色) 현상, 모아레(moire) 현상, 해상도 저하 등과 같은 많은 문제를 야기시켜 왔다.
이러한 수광소자의 문제점을 해결하기 위하여 적층구조의 유기 광전변환막(organic photoelectric conversion film)에 대한 연구가 시작되었다. 적층구조의 유기 광전변환막은 종래의 수광소자에 비하여 픽셀 수를 증가시킬 수 있고, 이에 따라 고화질을 보증하고 광이용 효율을 크게 할 수 있는 장점을 갖는다.
적어도 하나의 실시예는 광전변환 필름, 이를 구비하는 광전변환 소자 및 이미지 센서를 제공한다.
일 측면에 따르면,
테트라센(tetracence)이 증착되어 형성된 p-type 층(layer);
테트라센과 나프탈렌 테트라카르복실산 이무수물(NTCDA)이 공증착되어 형성된 p,n-type 층; 및
NTCDA이 증착되어 형성된 n-type 층;을 포함하는 청색용 광전변환 필름이 제공된다.
다른 측면에 따르면,
한 쌍의 전극; 및 상기 한 쌍의 전극 사이에 형성되는 상기한 청색용 광전변환 필름;을 포함하고, 상기 한 쌍의 전극은 상기 p-type 층에 인접하는 제1 전극과 상기 n-type 층에 인접하는 제2 전극으로 구성되는 광전변환 소자가 제공된다.
여기서, 상기 제1 전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO, SnO2, ATO(antimony-doped tin oxide), AZO(Al-doped zinc oxide), GZO(gallium-doped zinc oxide), TiO2 및 FTO(fluorine-doped tin oxide)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 투명 전극이 될 수 있고, 상기 제2 전극은 상기 투명 전극 또는 Al, Cu, Ti, Au, Pt, Ag 및 Cr으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 금속전극이 될 수 있다.
상기 제1 전극과 청색용 광전변환 필름 사이 또는 상기 제2 전극과 청색용 광전변환 필름 사이에 버퍼층(buffer layer), 홀이송층(hole transfer layer), 또는 전자 이송층(electron transfer layer)이 더 형성될 수 있다.
다른 측면에 측면에 따르면, 상기한 광전변환 소자를 포함하는 컬러 이미지 센서가 제공된다.
다른 측면에 따르면,
TPD(tetraphenyl diamine)이 증착되어 형성된 p-type 층;
TPD와 C60이 공증착되어 형성된 p,n-type 층; 및
NTCDA이 증착되어 형성된 n-type 층;을 포함하는 청색용 광전변환 필름이 제공된다.
다른 측면에 따르면,
TPD이 증착되어 형성된 p-type 층;
TPD와 Me-PTC이 공증착되어 형성된 p,n-type 층; 및
NTCDA이 증착되어 형성된 n-type 층;을 포함하는 녹색용 광전변환 필름이 개시된다.
적어도 하나의 실시예에 의하면, 청색 또는 녹색 파장의 빛에 대한 선택적인 광전변환이 가능하고, 또한 청색 또는 녹색 파장에서 높은 외부 양자 효율을 갖는 광전변환 필름들을 구현할 수 있다. 또한, 이러한 광전변환 필름들을 적층함으로써 픽셀 수를 증대시킬 수 있고, 고화질을 보증하고 광이용 효율을 향상시킬 수 있는 광전 변환 소자를 구현할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다.
실시예들은 카메라, 이미지 센서, 유기박막 태양전지 등에 사용되는 수광소자(受光素子)에 관한 것으로, 구체적으로 수광소자에서 광전변환부의 역할을 하는 광전변환 필름을 비롯하여 이를 이용한 광전변환 소자 및 컬러 이미지 센서에 관한 것이다.
도 1은 일 실시예에 따른 광전변화 소자의 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 광전 변환 소자는 CMOS 기판(50) 위에 적색용 광전변환 소자(30), 녹색용 광전변환 소자(20), 및 청색용 광전변환 소자(10)가 차례로 적층된 구조를 이룬다. 이와 같은 구조의 광전변화 소자에서는 적층된 상기 광전변환 소자들(10,20,30) 각각에서 그에 대응되는 색상의 빛이 여과되어 전류로 변환된다.
도 2a 내지 도 2c는 일 실시예에 따른 도 1에 도시된 청색용 및 녹색용 광전변환 소자들의 각각을 도시한 단면도들이다.
도 2a는 도 1에 도시된 청색용 광전변환 소자의 일 예을 도시한 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 본 실시예에 따른 청색용 관전변환 소자(100)는 서로 이격되게 마련된 한 쌍의 제1 및 제2 전극(111,112)과, 상기 제1 및 제2 전극(111,112) 사이에 마련되는 청색용 광전변환 필름(120)을 포함한다. 여기서, 상기 청색용 광전변환 필름(120)은 테트라센(tetracence)이 제1 전극(111) 상에 증착되어 형성된 p-type 층(121), 테트라센과 나프탈렌 테트라카르복실산 이무수물(NTCDA)이 상기 p-type 층(121)에 상에 공증착되어 형성된 p,n-type 층(122), 및 NTCDA이 상기 p,n-type 층 상에 증착되어 형성된 n-type 층(123)을 포함한다.
상기 테트라센은 도너(donor)로서 증착에 의하여 p-type 층(121)을 형성하고, 상기 테트라센과 NTCDA은 공증착에 의하여 상기 p-type 상(121)에 p,n-type 층(122)을 형성한다. 그리고, 상기 NTCDA는 억셉터(acceptor)로서 증착에 의하여 상기 p,n-type 층(122) 상에 n-type 층(123)을 형성한다. 여기서, 상기 p,n-type 층(122)을 형성하는 테트라센과 NTCDA는 1:1의 비율로 배합될 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 전극(111)은 상기 p-type 층(121)에 인접하게 형성되며, 상기 제2 전극(112)은 상기 n-type 층(123)에 인접하게 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제1 전극(111)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO, SnO2, ATO(antimony-doped tin oxide), AZO(Al-doped zinc oxide), GZO(gallium-doped zinc oxide), TiO2 및 FTO(fluorine-doped tin oxide)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 투명 전극이 될 수 있다. 그리고, 상기 제2 전 극(112)은 상기한 투명 전극 또는 Al, Cu, Ti, Au, Pt, Ag 및 Cr으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 금속전극이 될 수 있다.
상기한 청색용 광전변환 소자(100)에서, p-type 층(121)은 글라스 기판(미도시) 상에 형성된 제1 전극(예를 들면, ITO 전극,111) 위에 테트라센을 예를 들면, 대략 30 nm 두께로 증착함으로써 형성될 수 있고, 상기 p,n-type 층(122)은 상기 p-type 층(121) 위에 테트라센과 NTCDA을 대략 100 nm 두께로 공증착함으로써 형성될 수 있다. 그리고, 상기 n-type 층(123)은 상기 p,n-type 층(122) 위에 NTCDA을 대략 250 nm 두께로 증착함으로써 형성될 수 있다. 한편, 상기 제2 전극(예를 들면, Ag 전극,112)은 상기 n-type 층(123) 상에 20 nm의 두께로 증착에 의하여 형성될 수 있다. 한편, 이상에서 설명된 각 층의 두께들은 단지 예시적인 것으로, 이외에도 다양한 두께로 형성될 수 있다.
본 실시예에 따른 상기 청색용 광전변환 소자(100)는 청색 파장 범위에서 높은 외부 양자 효율(external quantum efficiency)을 나타낸다. 즉 400∼500 nm의 파장에서 높은 외부 양자 효율을 나타내는데, 500 nm에서 60 % 이상의 효율을 나타내고, 450 nm에서도 45 % 이상의 효율을 나타내는 것으로 확인되었다.
한편, 본 실시예에서, 상기 청색용 광전변환 필름(120)은 p,n-type 층은 생략되고, 테트라센이 증착되어 형성된 p-type 층과, NTCDA이 증착되어 형성된 n-type 층으로 구성되는 것도 가능하다. 그리고, 상기 NTCDA 대신에 BCP(Bathocuproine) 또는 Alq3(8-hydroxy quinoline aluminum complex)가 사용될 수 도 있다. 또한, 소자의 성능 향상을 위하여 제1 전극(111)과 p-type 층(121) 사이에는 버퍼층 또는 홀이송층(hole transfor layer) 등이 더 형성될 수 있으며, 상기 제2 전극(112)과 n-type 층(123) 상이에는 버퍼층 또는 전자 이송층(electron transfer layer) 등이 더 형성될 수 있다. 여기서, 상기 버퍼층, 홀이송층 및 전자 이송층은 무기물 또는 유기물로 이루어질 수 있다.
도 2b는 도 1에 도시된 청색용 광전변환 소자의 다른 예를 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 다른 예에 따른 청색용 관전변환 소자(100')는 서로 이격되게 마련된 한 쌍의 제1 및 제2 전극(111',112')과, 상기 제1 및 제2 전극(111',112') 사이에 마련되는 청색용 광전변환 필름(120')을 포함한다. 여기서, 상기 청색용 광전변환 필름(120')은 TPD(tetraphenyl diamine)가 제1 전극(111') 상에 증착되어 형성된 p-type 층(121'), TPD와 C60이 상기 p-type 층(121')에 상에 공증착되어 형성된 p,n-type 층(122'), 및 NTCDA이 상기 p,n-type 층(122') 상에 증착되어 형성된 n-type 층(123')을 포함한다.
상기 TPD는 도너(donor)로서 증착에 의하여 p-type 층(121')을 형성하고, 상기 TPD와 C60은 공증착에 의하여 상기 p-type 상(121')에 p,n-type 층(122')을 형성한다. 그리고, 상기 NTCDA는 억셉터(acceptor)로서 증착에 의하여 상기 p,n-type 층(122') 상에 n-type 층(123')을 형성한다. 여기서, 상기 p,n-type 층(122')을 형성하는 TPD와 C60은 1:1의 비율로 배합될 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 전극(111')은 상기 p-type 층(121')에 인접하게 형성되며, 상기 제2 전극(112')은 상기 n-type 층(123')에 인접하게 형성될 수 있다. 여기서, 전술한 바와 같이 상기 제1 전극(111')은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO, SnO2, ATO(antimony-doped tin oxide), AZO(Al-doped zinc oxide), GZO(gallium-doped zinc oxide), TiO2 및 FTO(fluorine-doped tin oxide)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 투명 전극이 될 수 있다. 그리고, 상기 제2 전극(112')은 상기한 투명 전극 또는 Al, Cu, Ti, Au, Pt, Ag 및 Cr으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 금속전극이 될 수 있다.
상기와 같은 청색용 광전변환 소자는 청색 파장 범위에서 높은 외부 양자 효율을 나타내지는 않지만, 소자 제작과정에서의 최적화(optimization)를 이룬다면 좋은 효율을 기대할 수 있다. 한편, 본 실시예에서, 상기 청색용 광전변환 필름(120')은 p,n-type 층은 생략되고, TPD가 증착되어 형성된 p-type 층과, C60이 증착되어 형성된 n-type 층으로 구성되는 것도 가능하다.
또한, 소자의 성능 향상을 위하여 제1 전극(111')과 p-type 층(121') 사이에는 버퍼층 또는 홀이송층 등이 더 형성될 수 있으며, 상기 제2 전극(112')과 n-type 층(123') 상이에는 버퍼층 또는 전자 이송층 등이 더 형성될 수 있다.
도 2c는 도 1에 도시된 녹색용 광전변환 소자를 도시한 단면도이다.
본 실시예에 따른 청색용 관전변환 소자(200)는 서로 이격되게 마련된 한 쌍 의 제1 및 제2 전극(211,212)과, 상기 제1 및 제2 전극(211,212) 사이에 마련되는 녹색용 광전변환 필름(220)을 포함한다. 여기서, 상기 청색용 광전변환 필름(220)은 TPD가 제1 전극(211) 상에 증착되어 형성된 p-type 층(221), TPD와 Me-PTC가 상기 p-type 층(221) 상에 공증착되어 형성된 p,n-type 층(222) 및 NTCDA이 상기 p,n-type 층(222) 상에 증착되어 형성된 n-type 층(223)을 포함한다.
상기 TPD는 도너(donor)로서 증착에 의하여 p-type 층(221)을 형성하고, 상기 TPD와 Me-PTC는 공증착에 의하여 상기 p-type 상(221)에 p,n-type 층(222)을 형성한다. 그리고, 상기 NTCDA는 억셉터(acceptor)로서 증착에 의하여 상기 p,n-type 층(222) 상에 n-type 층(223)을 형성한다. 여기서, 상기 p,n-type 층(222)을 형성하는 TPD와 Me-PTC는 1:1의 비율로 배합될 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 전극(211)은 상기 p-type 층(221)에 인접하게 형성되며, 상기 제2 전극(212)은 상기 n-type 층(223)에 인접하게 형성될 수 있다. 여기서, 전술한 바와 같이 상기 제1 전극(211)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO, SnO2, ATO(antimony-doped tin oxide), AZO(Al-doped zinc oxide), GZO(gallium-doped zinc oxide), TiO2 및 FTO(fluorine-doped tin oxide)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 투명 전극이 될 수 있다. 그리고, 상기 제2 전극(212)은 상기한 투명 전극 또는 Al, Cu, Ti, Au, Pt, Ag 및 Cr으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 금속전극이 될 수 있 다.
상기와 같은 녹색용 광전변환 소자(200)는 녹색 파장 범위에서 높은 외부 양자 효율을 나타내지는 않지만, 상기한 청색용 광전변환소자들(100',100')과 함께 사용될 때 녹색 파장 범위에서 사용가능한 효율을 나타낼 수 있다. 따라서, 상기 녹색용 광전변환 소자(200)는 전술한 청색 광전변환소자들(100',100')과 함께 사용될 수 있다. 한편, 본 실시예에서, 상기 녹색용 광전변환 필름(220)은 상기한 p,n-type 층은 생략되고, TPD가 증착되어 형성된 p-type 층과, Me-PTC가 증착되어 형성된 n-type 층으로 구성되는 것도 가능하다. 또한, 소자의 성능 향상을 위하여 제1 전극(211)과 p-type 층(221) 사이에는 버퍼층 또는 홀이송층 등이 더 형성될 수 있으며, 상기 제2 전극(212)과 n-type 층(223) 상이에는 버퍼층 또는 전자 이송층 등이 더 형성될 수 있다.
하기의 실험예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이며 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
<실험예>
실험예 1 : 도 2a에 도시된 청색용 광전변환 소자 제작
ITO 전극(제1 전극)이 형성된 글라스 기판 위에 테트라센을 30 nm 두께로 증착하여 p-type 층을 형성하고, 그 위에 테트라센과 NTCDA을 100 nm 두께로 공증착하여 p,n-type 층을 형성한 다음, 그 위에 NTCDA을 250 nm 두께로 증착하여 n-type 층을 형성하였다. 그리고, Ag 전극(제2 전극)을 n-type층 위에 20 nm 두께로 형성하였다. 여기서, ITO 전극이 형성된 글라스 기판은 물과 초음파를 이용한 세정과 메탄올 및 아세톤을 이용한 세정 후에 O2 플라스마 처리하였다. 그리고, Thermal Evaporator를 이용하여 O2 플라스마 처리된 글라스 기판 상에 형성된 ITO 전극 위에 1×10-5 torr 압력에서 2Å/s의 증착속도로 유기무질을 차례로 증착시켜 청색용 광전변환 필름을 형성하고, 4 Å/s의 증착속도로 Ag 금속 전극을 증착시켰다.
실험예 2 : 도 2b에 도시된 청색용 광전변환 소자 제작
TPD를 증착하여 p-type 층을 형성하고, TPD와 C60을 공증착하여 p,n-type 층을 형성하고, NTCDA을 증착하여 n-type 층을 형성하는 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 청색용 광전변환 소자를 제작하였다.
실험예 3 : 도 2c에 도시된 녹색용 광전변환 소자 제작
TPD를 증착하여 p-type 층을 형성하고, TPD와 Me-PTC을 공증착하여 p,n-type 층을 형성하고, NTCDA을 증착하여 n-type 층을 형성하는 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 녹색용 광전변환 소자를 제작하였다.
<전기적 특성 측정>
실험예 1-3에 의하여 제작된 광전변환 소자에 대하여 Electrometer(Keithleyodel 485)를 이용하여 1×10-5 torr 압력에서 전기적 특성을 측정하고, 그 결과를 도 3a 내지 도 3c에 나타내었다. 모노크롬광으로 제논 램프와 모노크로미터를 사용하고, Function Generator(Hokudo Denko, Ltd., HB-104)를 사용하였다. 도 3a 내지 도 3c는 실험예 1-3에 의해 제작된 광전변환 소자의 외부 양자 수율(External QE)을 보여주는 그래프이다. 구체적으로, 도 3a는 실험예1에 의해 제작된 도 2a에 도시된 청색용 광전변환 소자의 외부 양자 수율을 보여주는 그래프이고, 도 3b는 실험예2에 의해 제작된 도 2b에 도시된 청색용 광전변환 소자의 외부 양자 수율을 보여주는 그래프이다. 그리고, 도 3c는 실험예3에 의해 제작된 도 2b에 도시된 청색용 광전변환 소자의 외부 양자 수율을 보여주는 그래프이다.
도 3a를 참조하면, 실시예 1에 의해 제작된 청색용 광전변환 소자는 500 nm에서 최대 외부양자효율 63%를 나타내고, 460nm 부근에서 약 47%의 효율을 나타냄을 알 수 있다. 장파장에서의 효율이 상당히 낮아지는 것도 크로스토크(crosstalk) 측면에서 특징이라 할 수 있다. 그리고, 도 3b를 참조하면, 실시예 2에 의해 제작된 청색용 광전변환 소자는 청색 파장 범위에서 약 9 %의 외부양자효율로 그 효율이 크게 높지는 않음을 알 수 있다. 하지만, 소자 제작과정에서의 최적화(optimization)를 이룬다면 좋은 효율을 기대할 수 있다. 또한, 도 3c를 참조하면, 실시예 3에 의해 제작된 녹색용 광전변환 소자는 청색 파장 범위에서 약 17%의 외부양자효율을 나타내어 그 효율이 높지는 않지만, 전술한 청색용 광전변환 소자들과 함께 사용될 때 녹색 파장 범위에서 사용가능한 효율을 나타낼 수 있다. 따라서, 상기 녹색용 광전변환 소자는 전술한 청색용 광전변환 소자들과 함께 사용될 수 있다.
이상과 같은 실시예들에 따르면, 청색 또는 녹색 파장에 대한 선택적인 광전변환이 가능하고, 또한 청색 파장 범위에서는 높은 외부 양자 효율을 가질 수 있는 유기 박막 적층구조의 광전변환 소자를 구현할 수 있다. 따라서, 컬러 필터, 광다이오드 등을 사용하지 않고, 고화질의 CCD 또는 CMOS 이미지 센서를 제작할 수 있다. 상기한 광전변환 소자는 디지털 카메라, 방송용 카메라, 감시 카메라, 컴퓨터 화상용 카메라, 캠코더, 자동차용 센서, 가정용 센서, 태양전지 등에 광범위하게 사용될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
도 1은 일 실시예에 따른 광전변환 필름들의 적층구조를 가지는 광전변화 소자의 개략적인 단면도이다.
도 2a는 도 1에 도시된 청색용 광전변환 필름을 도시한 단면도이다.
도 2b는 도 1에 도시된 청색용 광전변환 필름의 다른 예를 도시한 단면도이다.
도 2c는 도 1에 도시된 녹색용 광전변환 필름을 도시한 단면도이다.
도 3a는 도 2a에 도시된 청색용 광전변환 필름의 외부 양자 수율(External QE)을 보여주는 그래프이다.
도 3b는 도 2b에 도시된 청색용 광전변환 필름의 외부 양자 수율을 보여주는 그래프이다.
도 3c는 도 2c에 도시된 녹색용 광전변환 필름의 외부 양자 수율(External QE)을 보여주는 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 청색용 광전변환 필름 20 : 녹색용 광전변환 필름
30 : 적색용 광전변환 필름

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  11. TPD이 증착되어 형성된 p-type 층;
    TPD와 Me-PTC이 공증착되어 형성된 p,n-type 층; 및
    NTCDA이 증착되어 형성된 n-type 층;을 포함하는 녹색용 광전변환 필름.
  12. 한 쌍의 전극; 및 상기 한 쌍의 전극 사이에 형성되는 제11항의 녹색용 광전변환 필름;을 포함하고, 상기 한 쌍의 전극은 상기 p-type 층에 인접하는 제1 전극 과 상기 n-type 층에 인접하는 제2 전극으로 구성되는 광전변환 소자.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO, SnO2, ATO(antimony-doped tin oxide), AZO(Al-doped zinc oxide), GZO(gallium-doped zinc oxide), TiO2 및 FTO(fluorine-doped tin oxide)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 투명 전극이고, 상기 제2 전극은 상기 투명 전극 또는 Al, Cu, Ti, Au, Pt, Ag 및 Cr으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 금속전극인 광전변환소자.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 전극과 녹색용 광전변환 필름 사이 또는 상기 제2 전극과 녹색용 광전변환 필름 사이에 버퍼층(buffer layer), 홀이송층(hole transfer layer) 또는 전자 이송층(electron transfer layer)이 형성되는 광전변환 소자.
  15. 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 광전변환 소자를 포함하는 컬러 이미지 센서.
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