[go: up one dir, main page]

KR101564065B1 - 나노 와이어 어레이를 포함하는 터치센서 및 이의 제조방법 - Google Patents

나노 와이어 어레이를 포함하는 터치센서 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101564065B1
KR101564065B1 KR1020140008285A KR20140008285A KR101564065B1 KR 101564065 B1 KR101564065 B1 KR 101564065B1 KR 1020140008285 A KR1020140008285 A KR 1020140008285A KR 20140008285 A KR20140008285 A KR 20140008285A KR 101564065 B1 KR101564065 B1 KR 101564065B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polymer
electrode
insulator
pvdf
nanowires
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020140008285A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150088002A (ko
Inventor
윤명한
이재혁
Original Assignee
광주과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 광주과학기술원 filed Critical 광주과학기술원
Priority to KR1020140008285A priority Critical patent/KR101564065B1/ko
Priority to US14/575,263 priority patent/US9740323B2/en
Publication of KR20150088002A publication Critical patent/KR20150088002A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101564065B1 publication Critical patent/KR101564065B1/ko
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0414—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using force sensing means to determine a position
    • G06F3/04144—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using force sensing means to determine a position using an array of force sensing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/762—Nanowire or quantum wire, i.e. axially elongated structure having two dimensions of 100 nm or less
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/936—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application in a transistor or 3-terminal device
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/952—Display
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/953—Detector using nanostructure
    • Y10S977/956—Of mechanical property

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

터치센서 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 터치센서는 절연체부가 고분자를 함유하고, 수직 나노 와이어 어레이 구조를 가짐에 따라, 두께변화가 쉽게 일어날 수 있어 정전용량 값의 변화가 더 쉽게 일어날 수 있으므로 감도가 증가한다. 또한, 본 발명은 기존의 복잡했던 터치센서의 제조공정을 단순화할 수 있는 효과가 있다.

Description

나노 와이어 어레이를 포함하는 터치센서 및 이의 제조방법{Touch sensor including nanowire array in vertical direction and method thereof}
본 발명은 터치센서용 박막트랜지스터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전극과 수직으로 정렬된 나노 와이어 어레이를 포함하는 터치센서에 관한 것이다.
터치센서는 외부에서 가해진 힘을 감지하는 센서로, 구현원리와 동작방법에 따라 감압방식, 정전용량 방식, 적외선 방식, 초음파 방식으로 크게 구분할 수 있다.
최근 들어 박막트랜지스터(Thin film transistor, TFT)를 터치센서로 사용하는 기술에 대한 연구가 이루어지고 있다.
특히, TFT의 절연체 층을 수직형 구조로 형성하여 터치센서에 적용하는 기술이 발달하고 있다. 이러한 터치센서는 외부 힘에 의해 압력을 받아 상기 절연체 층의 높낮이가 부분적으로 달라진다. 이에 따라, 정전용량 값이 달라져 터치센서가 구동되는 것이다.
하지만, 종래기술들의 경우 TFT의 절연체 층을 수직형 구조로 형성하나, 아직까지 수 마이크로 단위 또는 그 이하의 크기의 세포와 같은 미세물질을 감지하기에는 제한적이고, 제조공정이 복잡한 단점이 있다.
또한, 힘을 가하면 물질이 압축되어 전기가 생성되는 압전효과(piezoelectric effect)를 가진 물질을 이용한 터치센서가 개발되어 키보드와 같은 전자제품에 사용되고 있다. 압전효과를 가진 물질을 사용하여 터치센서를 제조할 경우, 기존의 터치센서를 제조할 때와 비교하여 공정측면에서 더 간단하고 쉽게 제조가 가능하다. 하지만 필름형태로 터치센서를 제조할 경우, 미세한 물질을 감지하기에 여전히 제한적인 단점이 있다.
이에, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 착안된 것으로서, 미세한 물질에 대한 감지력을 향상시키기 위하여 수직 정렬 나노 와이어 어레이를 포함하는 터치센서를 제공하는 데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 기존의 복잡했던 터치센서용 트랜지스터 제조공정을 단순화하기 위하여 수직 정렬 나노 와이어 어레이를 포함하는 터치센서의 제조방법을 제공하는 데 다른 목적이 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 터치센서를 제공한다.
상기 터치센서는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하며, 상기 제1 전극과 수직으로 정렬된 복수개의 고분자 나노 와이어로 이루어진 어레이를 포함하는 절연체부, 및 상기 절연체부 상에 위치하는 제2 전극을 포함한다.
이 때, 상기 터치센서는 금속-절연체-금속 캐퍼시터 구조를 가질 수 있고, 상기 고분자 나노 와이어는 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리메타아크릴레이트(PMMA), 에폭시, 폴리이미드(polyimide), 폴리우레탄, 폴리아미드(polyamide), 폴리에스테르(polyester), poly(vinyl acetate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 고분자 나노 와이어는 압전성 고분자를 포함할 수 있고, 상기 압전성 고분자는 PVDF, PVDF-TrFE 및 PVDF-TeFE로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 절연체부는 절연체층 및 상기 절연체층의 상부 또는 하부에 위치하는 복수개의 나노 와이어들로 이루어진 어레이를 포함할 수 있으며, 상기 제2 전극은 상기 나노 와이어만을 둘러싸고 배치되거나, 상기 절연체부 의 상부를 감싸고 배치되거나, 또는, 상기 나노 와이어 상부에 층 형태로 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극은 플렉서블 전극일 수 있고, 상기 나노 와이어는 10nm 내지 100nm의 직경을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 측면의 터치센서를 제공한다.
상기 터치센서는, 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 위치하며, 상기 게이트 전극과 수직으로 정렬된 복수개의 고분자 나노 와이어로 이루어진 어레이를 포함하는 절연체부, 상기 절연체부 상에 위치하는 반도체층, 및 상기 반도체층과 전기적으로 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
상기 고분자 나노 와이어는 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리메타아크릴레이트(PMMA), 에폭시, 폴리이미드(polyimide), 폴리우레탄, 폴리아미드(polyamide), 폴리에스테르(polyester), poly(vinyl acetate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 고분자 나노 와이어는 압전성 고분자를 포함할 수 있다. 상기 압전성 고분자는 PVDF, PVDF-TrFE 및 PVDF-TeFE로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 절연체부는 절연체층 및 상기 절연체층 상에 위치하는 복수개의 나노 와이어들로 이루어진 어레이를 포함할 수 있고, 상기 고분자 나노 와이어는 10nm 내지 100nm의 직경을 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면의 터치센서를 제공한다.
상기 터치센서는 기판, 기판 상에 위치하는 게이트 전극, 상기 기판 및 게이트 전극 사이에 위치하는, 상기 게이트 전극과 수직으로 정렬된 복수개의 고분자 나노 와이어로 이루어진 어레이를 포함하는 절연체부, 상기 절연체부 및 상기 기판 사이에 또는 상기 절연체부 및 상기 게이트 전극 사이에 위치하는 반도체층, 및 상기 반도체층과 전기적으로 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
상기 게이트 전극은 플렉서블 기판일 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면은 터치센서의 제조방법을 제공한다.
상기 제조방법은 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 상기 제1 전극과 수직으로 정렬된 복수개의 고분자 나노 와이어로 이루어진 어레이를 포함하는 절연체부를 형성하는 단계, 및 상기 절연체부 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
이 때, 상기 절연체부를 형성하는 단계는, 상부가 수직 정렬된 나노 와이어 어레이 형상인 실리콘 마스터에 PDMS를 함유하는 혼합용액을 주입한 후 경화처리 하여 PDMS 몰드를 형성하는 단계, 및 상기 PDMS 몰드에 상기 고분자를 함유하는 혼합용액을 주입한 후 경화처리 하여, 상기 고분자를 함유하는 수직 정렬된 나노 와이어 어레이를 형성하는 단계를 포함할 수 있고, 상기 고분자 나노 와이어는 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리메타아크릴레이트(PMMA), 에폭시, 폴리이미드(polyimide), 폴리우레탄, 폴리아미드(polyamide), 폴리에스테르(polyester), poly(vinyl acetate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있고, 상기 고분자는 압전성 고분자를 포함할 수 있고, 상기 압전성 고분자는 PVDF, PVDF-TrFE 및 PVDF-TeFE로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명을 따르면, 수직 정렬 나노 와이어 어레이를 포함하는 터치센서는 미세한 물질에 대한 감지력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 기존의 복잡했던 터치센서 제조공정을 단순화할 수 있는 효과가 있다.
도 1 내지 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치센서용 박막트랜지스터의 단면도들이다.
도 4 내지 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치센서용 박막트랜지스터의 단면도들이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 고분자를 함유하는 나노 수직 와이어 어레이의 형성방법을 나타낸 공정 흐름도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 본 명세서에서 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나, 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 또한, 본 명세서에서 위쪽, 상(부), 상면 등의 방향적인 표현은 그 기준에 따라 아래쪽, 하(부), 하면 등의 의미로 이해될 수 있다. 즉, 공간적인 방향의 표현은 상대적인 방향으로 이해되어야 하며 절대적인 방향을 의미하는 것으로 한정 해석되어서는 안된다. 또한, "제1", "제2", 또는 "제3" 등의 용어는 구성 요소들에 어떠한 한정을 가하려는 것이 아니라, 구성요소들을 구별하기 위해 사용되는 것으로 이해되어야 할 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장 또는 축소된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성 요소들을 나타낸다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
도 1 내지 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치센서용 박막트랜지스터의 단면도들이다.
도 1 내지 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치센서용 박막트랜지스터는 제1 전극(100), 제1 전극 상에 위치하며, 상기 제1 전극과 수직으로 정렬된 복수개의 고분자 나노 와이어로 이루어진 어레이를 포함하는 절연체부(200), 및 제2 전극(400)을 포함한다.
먼저, 제1 전극(100)이 배치된다. 제1 전극(100)은 예를들면, 금, 백금, 은, 니켈, 구리, 알루미늄, 타이타늄, 코발트, 철, 텅스텐, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 몰리브덴, 카드뮴, 바나듐, 크롬, 아연, 인듐, 이트륨, 리튬, 주석, 납 또는 이들의 합금, p-도핑 된 또는 n-도핑된 실리콘, 산화 아연, 산화 인듐, 인듐 주석 산화물(ITO) 및 인듐 아연 산화물(IZO)을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 전도성 물질을 포함될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 상기 제1 전극(100)은 기판의 역할도 수행할 수 있다.
상기 제1 전극(100) 상에 위치하는 절연체부(200)를 포함한다. 절연체부(200)는 절연체층(201) 상에 고분자를 함유하고, 상기 제1 전극(100)과 수직으로 복수개의 절연체 나노 와이어(202)들로 이루어진 어레이가 배치된 형태를 가질 수 있다.
절연체부(200)는 절연체 고분자 나노 와이어(202)를 포함함에 따라, 외부 힘에 의하여 더 쉽게 모양이 변형될 수 있다. 때문에, 두께변화가 쉽게 일어날 수 있어 정전용량 값의 변화가 더 쉽게 일어날 수 있으므로 감도가 증가한다. 이에, 세포와 같은 미세조직도 감지할 수 있는 효과가 있다.
이 때, 고분자 나노 와이어는 10nm 내지 100nm의 직경을 갖는 것이 바람직하다. 나노와이어의 직경이 10nm 미만일 경우 고분자 나노 와이어 어레이의 상부에 배치될 수 있는 제1 전극, 제2 전극 또는 반도체층을 지탱하기 어려워 트랜지스터 구조를 유지하기 어려워진다.
또한, 고분자 나노 와이어 직경이 100nm를 상회할 경우 감도가 낮아지기 때문에, 세포와 같은 미세조직에 반응하기 어려운 단점이 있다.
상기 고분자 나노 와이어는 절연성을 가진 고분자 물질이라면 사용이 가능할 수 있고, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리메타아크릴레이트(PMMA), 에폭시, 폴리이미드(polyimide), 폴리우레탄, 폴리아미드(polyamide), 폴리에스테르(polyester), poly(vinyl acetate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 절연체부(200)는 압전성 고분자를 함유할 수 있다. 상기 압전성 고분자는 압전 효과(piezoelectric effect)를 가짐에 따라 힘을 가하면 물질이 압축되고, 그 결과 전기가 생성된다. 또한, 압전성 고분자는 압전특성을 나타낼 뿐만 아니라 가볍고 유연성이 뛰어나다. 그리고, 인체와 같은 매질에 적용할 때 압전체와 매질 사이의 정합 효과가 뛰어나다. 때문에, 터치센서의 재료로 적용했을 시 감도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
상기 압전성 고분자는 폴리비닐리딘 플루오라이드(polyvinylidene fluoride, PVDF), 폴리비닐리딘 플루오라이드 트리플루오로에틸렌(polyvinylidene fluoride Trifluoroethylene, PVDF-TrFE) 및 폴리비닐리딘 플루오라이드 테트라플루오로에틸렌(polyvinylidene fluoride tetrafluoroethylene, PVDF-TeFE)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
따라서, 전술된 절연체부(200)는 압전성 고분자를 함유함과 동시에 제1 전극(100)과 수직으로 정렬된 고분자 나노 와이어 어레이 구조를 가짐에 따라, 압전효과로 인하여 생성되는 전기량이 커지게 된다. 이에, 전술된 절연체부(200)을 포함하는 터치센서는 세포와 같은 미세 구조도 감지할 정도의 높은 감도를 갖는다.
전술된 절연체부(200)상에 제2 전극(400)이 위치한다.
제2 전극은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 상기 도전성 물질은 저저항을 가지는 금속일 수 있다. 일 예로, 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt) 및 탄탈륨(Ta) 중에서 선택될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상세하게는, 제2 전극(400)은 플렉서블 전극인 것이 바람직하다. 플렉서블 전극이 제2 전극으로 형성될 경우, 플렉서블 전극에 압력이 가해짐에 따라, 절연체부(200)의 나노 와이어(202)와 함께 휘어지면서 정전용량 변화가 발생한다. 플렉서블 전극은 전도성 금속 산화물 또는 금속 박막을 포함할 수 있다.
상기 전도성 금속 산화물은 ITO-PET(Indium Tin Oxide-Polyethylene Terephthalate), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 IGZO(In-Ga-Zn-O)를 포함할 수 있다.
상기 금속 박막은 Au, Ag 또는 Ni을 포함할 수 있다. 또한, 플렉서블 게이트 전극은 소정의 광투과도, 전도성 및 플렉시빌리티(flexibility)를 가져야 하기 때문에 상기 금속박막의 두께는 1nm 내지 20nm가 바람직하다.
이렇게 형성된 터치센서는 상기 터치센서는 금속-절연체-금속 캐퍼시터 구조를 가질 수 있다.
도 1을 참조하면, 도 1의 경우 금속-절연체-금속(Metal-Insulator-Metal) 캐퍼시터 구조를 갖는 터치센서로, 이 때, 상기 제1 전극(100) 및 제2 전극(400)은 Ta, Ti, W, 및 Mo로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제2 전극(400)은 절연체부(200)의 상부에 층 형태로 형성될 수 있다. 이 때, 상기 제2 전극(400)은 압력에 의해 휘어지고, 이에 따라 하부에 위치한 전술된 나노 와이어(202)가 휘어지며 정압효과를 나타낸다. 때문에 이 때, 전술된 제2 전극(400)은 플렉서블한 것이 바람직하다.
도 2 또는 도 3을 참조하면, 상기 제2 전극(400)은 상기 나노 와이어(202)만을 둘러싸고 배치되거나(도 2 참조), 상기 절연체부(200)의 상부를 감싸고 배치될 수 있다(도 3 참조). 때문에, 도 2 또는 도 3과 같은 터치센서의 경우, 상기 고분자 물질로 압전성 고분자를 사용하는 것이 가장 바람직하다. 이에 인체와 같은 매질에 적용할 때 압전체와 매질 사이의 정합 효과를 향상시킨다. 때문에, 감도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
도 4 내지 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치센서의 단면도들이다.
전술된 터치센서는 게이트 전극(101), 상기 게이트 전극 상에 위치하는, 상기 게이트 전극과 수직으로 정렬된 복수개의 고분자 나노 와이어로 이루어진 어레이를 포함하는 절연체부(200), 상기 절연체부(200) 상에 위치하는 반도체층(500), 및 상기 반도체층과 전기적으로 접속하는 소스 전극(401) 및 드레인 전극(402)을 포함하는 바텀 게이트 구조를 갖는다.
먼저, 게이트 전극(101)이 배치된다. 게이트 전극(101)은 예를들면, 금, 백금, 은, 니켈, 구리, 알루미늄, 타이타늄, 코발트, 철, 텅스텐, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 몰리브덴, 카드뮴, 바나듐, 크롬, 아연, 인듐, 이트륨, 리튬, 주석, 납 또는 이들의 합금, p-도핑 된 또는 n-도핑된 실리콘, 산화 아연, 산화 인듐, 인듐 주석 산화물(ITO) 및 인듐 아연 산화물(IZO)을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 전도성 물질을 포함될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 게이트 전극(101)은 기판의 역할도 수행할 수 있다.
게이트전극(101)을 바텀구조로 형성할 경우, 따로 기판을 사용하지 않아 전체 소자의 부피를 줄일 수 있어, 고집적화가 가능하다.
게이트 전극(101) 상에 절연체부(200)가 위치한다.
절연체부(200)는 절연체층(201) 상에 상기 게이트 전극(101)과 수직으로 복수개의 절연체 고분자 나노 와이어(202)들로 이루어진 어레이가 배치된 형태를 가질 수 있다.
절연체부(200)는 절연체 나노 와이어(202)를 포함함에 따라, 외부 힘에 의하여 더 쉽게 모양이 변형될 수 있다. 때문에, 두께변화가 쉽게 일어날 수 있어 정전용량 값의 변화가 더 쉽게 일어날 수 있으므로 감도가 증가한다. 이에, 세포와 같은 미세조직도 감지할 수 있는 효과가 있다.
이 때, 고분자 나노 와이어(202)는 10nm 내지 100nm의 직경을 갖는 것이 바람직하다. 고분자 나노 와이어의 직경이 10nm 미만일 경우 나노 수직 와이어 어레이의 상부에 배치될 수 있는 제1 전극, 제2 전극 또는 반도체층을 지탱하기 어려워 트랜지스터 구조를 유지하기 어려워진다.
또한, 고분자 나노 와이어의 직경이 100nm를 상회할 경우 감도가 낮아지기 때문에, 세포와 같은 미세조직에 반응하기 어려운 단점이 있다.
상기 고분자 나노 와이어는 절연성을 가진 고분자 물질이라면 사용이 가능할 수 있고, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리메타아크릴레이트(PMMA), 에폭시, 폴리이미드(polyimide), 폴리우레탄, 폴리아미드(polyamide), 폴리에스테르(polyester), poly(vinyl acetate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 절연체부(200)는 압전성 고분자를 함유한다. 상기 압전성 고분자는 압전 효과(piezoelectric effect)를 가짐에 따라 힘을 가하면 물질이 압축되고, 그 결과 전기가 생성된다. 또한, 압전성 고분자는 압전특성을 나타낼 뿐만 아니라 가볍고 유연성이 뛰어나다. 그리고, 인체와 같은 매질에 적용할 때 압전체와 매질 사이의 정합 효과가 뛰어나다. 때문에, 터치센서의 재료로 적용했을 시 감도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
상기 압전성 고분자는 PVDF, PVDF-TrFE 및 PVDF-TeFE로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
따라서, 전술된 절연체부(200)가 압전성 고분자를 함유할 경우, 제1 전극(100)과 수직으로 정렬된 고분자 나노 와이어 어레이 구조를 가짐에 따라, 압전효과로 인하여 생성되는 전기량이 커지게 된다. 이에, 전술된 절연체부(200)을 포함하는 터치센서는 세포와 같은 미세 구조도 감지할 정도의 높은 감도를 갖는다.
다만, 전술된 나노 와이어(202)는 게이트 전극(101)에 대하여 상부를 향하도록 배치될 수 있고(도 4 또는 도 6 참조), 게이트 전극(101)을 향하도록 배치될 수 있다(도 5 또는 도 7 참조).
상기 절연체부(200) 상에 위치하는 반도체층(500) 및 상기 반도체층(500)과 전기적으로 접속하는 소스 전극(401) 및 드레인(402)을 포함한다.
반도체층(500)은 유기 반도체 물질 또는 무기 반도체 물질을 포함할 수 있다.
상기 유기 반도체 물질은 p형 또는 n형 유기 반도체 물질을 포함할 수 있다. p형 유기 반도체 물질로는 LCPBC(Liquid Crystal Polyfluorene Block Copolymer), 폴리티오펜(Polythiophene), 펜타센(Pentacene), 폴리-3-헥실티오펜(Poly-3-hexylthiophene, P3HT), 플로렌-비티오펜(Fluoren-bithiophene), F8T2(poly(9,9'-dioctylfluorene-co-bithiophene)), 또는 PQT-12(poly(3,3'-didodecylquaterthiophene)) 등이 사용될 수 있다. 또한, n형 유기 반도체 물질로는 루테튬 비스프탈로시아닌(Lutetium bisphthalocyanine), 툴륨 비스프탈로시아닌(thulium bisphthalocyanine), 테트라시아노퀴노디메탄(Tetracyanoquinodimethane, TCNQ), C60 또는 C70 등이 포함될 수 있다.
또한, 상기 무기 반도체 물질은 n형 또는 p형 모두 가능하고, ZnO, InO, GaO, SnO 또는 IGZO(In-Ga-Zn-O)를 포함할 수 있다.
반도체층(500)은 투명성을 확보하기 위하여 사용되는 반도체 물질에 따른 두께에 제한이 있다. 예를 들어, 펜타센 반도체층일 경우 투명성을 확보하기 위하여 20nm 내지 50nm의 두께가 바람직하다. 다른 예로, P3HT를 이용할 경우 10nm 내지 50nm의 두께가 바람직하다.
소스 전극(401) 및 드레인 전극(402)은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 상기 도전성 물질은 저저항을 가지는 금속일 수 있다. 일 예로, 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt) 및 탄탈륨(Ta) 중에서 선택될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다.
반도체층(500)은 소스 전극(401) 및 드레인 전극(402)을 덮고 소스 전극(401) 및 드레인 전극(402) 사이를 매립하여 배치되며, 바텀 컨택트(bottom contact)구조를 가질 수 있다(도 4 또는 도 5 참조). 또한, 전술된 소스 전극(401) 및 드레인 전극(402)은 탑 컨택트(top contact)구조를 가질 수도 있다(도 6 또는 도 7 참조).
상기 탑 컨택트 구조의 경우, 반도체층을 기준으로 볼 때, 반도체 층이 소스/드레인 전극보다 하부에 위치할 경우를 지칭한다.
반대로 반도체층이 소스/드레인 층을 덮고 있는 구조는 바텀 컨택트 구조로 지칭한다.
이 때, 절연체부(200)는 복수개의 나노 와이어(202)들이 이격되어 어레이를 형성함에 따라, 나노 와이어 사이에 에어갭(300)이 형성된다.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 터치센서를 나타낸 단면도들이다.
도 8 내지 도 11을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 터치센서는 기판(10), 기판(10) 상에 위치하는 게이트 전극(101), 상기 기판 및 게이트 전극 사이에 위치하는, 상기 게이트 전극(101)과 수직으로 정렬된 복수개의 고분자 나노 와이어로 이루어진 어레이를 포함하는 절연체부(200), 상기 절연체부(200) 상 또는 상기 기판(10) 상에 위치하며, 양 측에 각각 위치하는 소스 전극(401) 및 드레인 전극(402), 및 상기 소스 전극(401) 및 드레인 전극(402)과 전기적으로 접속하는 반도체층(500)을 포함하는 탑 게이트(top gate)구조를 갖는다.
먼저, 기판(10)이 형성된다. 기판(10)은 투명성을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 전술된 기판(10)은 유리, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)를 포함할 수 있다. 또한, 기판(10)은 경우에 따라 생략이 가능하다.
기판(10) 상에 게이트 전극(101)이 위치한다. 게이트 전극(101)의 상세한 설명은 전술된 내용을 참조하기로 한다.
다만, 탑 게이트 구조의 경우, 게이트 전극(101)은 플렉서블 전극인 것이 바람직하다. 플렉서블 전극의 상세한 설명은 전술된 내용을 참조하기로 한다.
기판(10) 및 게이트 전극(101) 사이에 절연체부(200)가 위치한다. 절연체부(200)에 관한 상세한 설명은 전술된 내용을 참조하기로 한다.
이 때, 전술된 나노 와이어(202)가 전술된 기판(10)에 대하여 상부를 향하도록 배치될 수 있고(도 8 또는 도 10 참조), 기판(10)을 향하는 방향으로 배치될 수 있다(도 9 또는 도 11 참조).
상기 절연체부(200) 상 또는 상기 기판(10) 상에 위치하며, 양 측에 각각 위치하는 소스 전극(401) 및 드레인 전극(402), 및 상기 소스 전극(401) 및 드레인 전극(402)과 전기적으로 접속하는 반도체층(500)을 포함한다.
이 때, 반도체층(500)은 소스 전극(401) 및 드레인 전극(402)을 덮고 소스 전극(401) 및 드레인 전극(402) 사이를 매립하여 배치되며, 바텀 컨택트(bottom contact)구조를 가질 수 있다(도 8 또는 도 9 참조). 또한, 전술된 소스 전극(401) 및 드레인 전극(402)은 탑 컨택트(top contact)구조를 가질 수도 있다(도 10 또는 도 11 참조).
본 발명의 일 실시예에 따른 터치센서용 박막트랜지스터의 제조방법을 설명한다.
제조방법은 먼저, 제1 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
제1 전극은 전술된 제1 전극 물질을 사용하여 형성할 수 있고, 메탈 증착, 스퍼터링 또는 졸겔(sol-gel) 등 통상의 증착방법이나 용액법 기반의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
이 후, 상기 제1 전극 상에 상기 제1 전극과 수직으로 정렬된 복수개의 고분자 나노 와이어로 이루어진 어레이를 포함하는 절연체부를 형성하는 단계를 포함한다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 고분자 나노 와이어로 이루어진 어레이의 형성방법을 나타낸 공정도이다.
도 12를 참조하면, 상기 절연체부를 형성하는 단계는 먼저, 상부가 수직 정렬된 나노 와이어 어레이 형상인 실리콘 마스터에 PDMS를 함유하는 혼합용액을 주입한 후 경화처리 하여 PDMS 몰드를 형성한다.
이 때, 실리콘 마스터는 타원형 또는 직사각형과 같이 가로 및 세로의 길이가 서로 다른 것을 특징으로 하고, 양각의 패턴을 가지도록 설계하는 것이 바람직하다. 이렇게 설계된 실리콘 마스터의 패턴이 원형패턴일 경우, 최종적으로 얻어지는 미세패턴의 크기를 조절하는 것이 가능하다. 또한, 실리콘 마스터의 패턴이 가로 및 세로 길이가 다른 경우는 고분자 박막의 두께와 반응성 이온 식각 공정시간에 따라 패턴의 크기 및 모양을 다양하게 조절할 수 있다.
실리콘 마스터의 패턴에 주형으로서 PDMS 몰드를 만들기 위해 PDMS를 함유하는 혼합용액을 주입한다. 이 때, PDMS 몰드란, 실리콘 마스터에 PDMS를 함유하는 혼합용액을 스핀코팅 및 경화처리하여 실리콘 마스터의 패턴을 그대로 본뜬 마스터를 의미한다. PDMS 몰드는 경도가 높아 안정적으로 마스터 역할을 수행할 수 있다.
이 후, 상기 PDMS 몰드에 상기 고분자를 함유하는 혼합용액을 주입한 후 경화처리 하여 전술된 나노 와이어로 이루어진 어레이를 형성한다.
이 때, 고분자 혼합용액은 압전성 고분자 파우더를 예컨대 THF(C4H5O), MEK(C4H8O), 아세톤(C3H6O), DMF(C3H7NO), 또는 DMSO(C2H6OS) 등의 용매에 혼합하여 제조한 용액일 수 있다.
상기 고분자 나노 와이어는 절연성을 가진 고분자 물질이라면 사용이 가능할 수 있고, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리메타아크릴레이트(PMMA), 에폭시, 폴리이미드(polyimide), 폴리우레탄, 폴리아미드(polyamide), 폴리에스테르(polyester), poly(vinyl acetate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 고분자는 압전성 고분자일 수 있으며, 상기 압전성 고분자는 PVDF, PVDF-TrFE 및 PVDF-TeFE로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
혼합용액을 상기 PDMS 몰드에 주입 후, 상온에서 경화시키는 것이 바람직하나 이에 한정되지 않는다.
PDMS 몰드를 제조하여 나노 와이어로 이루어진 어레이 제조함에 따라, 단순한 공정을 통해 나노미터 수준의 어레이 제조가 가능하다. 또한 공정이 단순해짐에 따라 공정비용을 절감할 수 있어 경제적인 장점이 있다.
마지막으로 터치센서용 박막트랜지스터의 제조방법은 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 제2 전극은 전술된 제2 전극 물질을 사용하여 형성할 수 있고, 메탈 증착, 스퍼터링 또는 졸겔(sol-gel) 등 통상의 증착방법이나 용액법 기반의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치센서용 박막트랜지스터의 제조방법은 상기 제1 전극과 수직으로 정렬된 복수개의 고분자 나노 와이어로 이루어진 어레이를 포함하는 절연체부를 형성함에 따라 터치센서용 박막트랜지스의 감도를 향상시킬 수 있다.
정리하면, 본 발명의 실시예에 따른 터치센서용 박막트랜지스터는 절연체부가 고분자를 함유하고, 수직 나노 와이어 어레이 구조를 가짐에 따라, 가볍고 유연성이 뛰어나다.
그리고, 상기 고분자가 압전성 고분자일 경우, 인체와 같은 매질에 적용할 때 압전체와 매질 사이의 정합 효과가 뛰어나다. 또한, 외부 힘에 의하여 더 쉽게 모양이 변형될 수 있다. 때문에, 두께변화가 쉽게 일어날 수 있어 정전용량 값의 변화가 더 쉽게 일어날 수 있으므로 감도가 증가한다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 터치센서용 박막트랜지스터의 제조방법은 PDMS 몰드를 제조하여 나노 수직 와이어 어레이 제조함에 따라, 단순한 공정을 통해 나노미터 수준의 어레이 제조가 가능하다. 또한 공정이 단순해짐에 따라 공정비용을 절감할 수 있어 경제적인 장점이 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예 및 제조예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예 및 제조예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형 및 변경이 가능하다.
10 : 기판 100 : 제1 전극
101 : 게이트 전극 200 : 절연체부
300 : 에어 갭 400 : 제2 전극
401 : 소스 전극 402 : 드레인 전극
500 : 반도체층

Claims (22)

  1. 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 위치하는 절연체부; 및
    상기 절연체부 상에 위치하는 제2전극을 포함하고,
    상기 절연체부는 절연체층 및 상기 절연체층의 상부 또는 하부에 위치하는 복수개의 고분자 나노와이어들로 이루어진 어레이를 포함하고,
    상기 복수개의 고분자 나노와이어들은 상기 제1전극과 수직으로 정렬되고,
    상기 제2전극은 상기 고분자 나노와이어만을 둘러싸고 배치되거나, 상기 절연체부의 상부를 감싸고 배치되거나, 또는 상기 고분자 나노 와이어 상부에 층 형태로 배치된 것을 특징으로 하는 터치센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 터치센서는 금속-절연체-금속 캐퍼시터 구조를 갖는 터치센서.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 나노 와이어는 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리메타아크릴레이트(PMMA), 에폭시, 폴리이미드(polyimide), 폴리우레탄, 폴리아미드(polyamide), 폴리에스테르(polyester), poly(vinyl acetate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 터치센서.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 나노 와이어는 압전성 고분자를 포함하는 터치센서.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 압전성 고분자는 PVDF, PVDF-TrFE 및 PVDF-TeFE로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 터치센서.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극은 플렉서블 전극인 것을 특징으로 하는 터치센서.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 나노 와이어는 10nm 내지 100nm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 터치센서.
  10. 게이트 전극;
    상기 게이트 전극 상에 위치하는 절연체부;
    상기 절연체부 상에 위치하는 반도체층; 및
    상기 반도체층과 전기적으로 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,
    상기 절연체부는 절연체층 및 상기 절연체층 상에 위치하는 복수개의 고분자 나노와이어들로 이루어진 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하고,
    상기 복수개의 고분자 나노와이어들은 상기 게이트 전극과 수직으로 정렬되는 것을 특징으로 하는 터치센서.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 고분자 나노 와이어는 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리메타아크릴레이트(PMMA), 에폭시, 폴리이미드(polyimide), 폴리우레탄, 폴리아미드(polyamide), 폴리에스테르(polyester), poly(vinyl acetate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 터치센서.로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 터치센서.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 고분자 나노 와이어는 압전성 고분자를 포함하는 터치센서.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 압전성 고분자는 PVDF, PVDF-TrFE 및 PVDF-TeFE로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 터치센서.
  14. 삭제
  15. 제10항에 있어서,
    상기 고분자 나노 와이어는 10nm 내지 100nm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 터치센서.
  16. 기판;
    상기 기판 상에 위치하는 게이트 전극;
    상기 기판 및 게이트 전극 사이에 위치하는 절연체부;
    상기 절연체부 및 상기 기판 사이에 또는 상기 절연체부 및 상기 게이트 전극 사이에 위치하는 반도체층; 및
    상기 반도체층과 전기적으로 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,
    상기 절연체부는 절연체층 및 상기 절연체층 상에 위치하는 복수개의 고분자 나노와이어들로 이루어진 어레이를 포함하고,
    상기 복수개의 고분자 나노와이어들은 상기 게이트 전극과 수직으로 정렬되는 것을 특징으로 하는는 것을 특징으로 하는 터치센서.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 게이트 전극은 플렉서블 기판인 것을 특징으로 하는 터치센서.
  18. 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 절연체층 및 상기 절연체층 상부 또는 하부에 복수개의 고분자 나노와이어로 이루어진 어레이를 포함하는 절연체부를 형성하는 단계 및
    상기 절연체부 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 복수개의 고분자 나노와이어는 상기 제1 전극과 수직으로 정렬되는 것을 특징으로 하는 터치센서의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 복수개의 고분자 나노 와이어로 이루어진 어레이는,
    상부가 수직으로 정렬된 복수개의 고분자 나노 와이어 형상인 실리콘 마스터에 PDMS를 함유하는 혼합용액을 주입한 후 경화처리 하여 PDMS 몰드를 형성하는 단계; 및
    상기 PDMS 몰드에 상기 고분자를 함유하는 혼합용액을 주입한 후 경화처리 하는 단계를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 터치센서의 제조방법.
  20. 제18항 또는 제19항에 있어서,
    상기 고분자는 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리메타아크릴레이트(PMMA), 에폭시, 폴리이미드(polyimide), 폴리우레탄, 폴리아미드(polyamide), 폴리에스테르(polyester), poly(vinyl acetate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 터치센서의 제조방법.
  21. 제18항 또는 제19항에 있어서,
    상기 고분자는 압전성 고분자를 포함하는 터치센서의 제조방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 압전성 고분자는 PVDF, PVDF-TrFE 및 PVDF-TeFE로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 터치센서의 제조방법.
KR1020140008285A 2014-01-23 2014-01-23 나노 와이어 어레이를 포함하는 터치센서 및 이의 제조방법 Expired - Fee Related KR101564065B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140008285A KR101564065B1 (ko) 2014-01-23 2014-01-23 나노 와이어 어레이를 포함하는 터치센서 및 이의 제조방법
US14/575,263 US9740323B2 (en) 2014-01-23 2014-12-18 Touch sensor including nanowire array and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140008285A KR101564065B1 (ko) 2014-01-23 2014-01-23 나노 와이어 어레이를 포함하는 터치센서 및 이의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150088002A KR20150088002A (ko) 2015-07-31
KR101564065B1 true KR101564065B1 (ko) 2015-10-29

Family

ID=53544776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140008285A Expired - Fee Related KR101564065B1 (ko) 2014-01-23 2014-01-23 나노 와이어 어레이를 포함하는 터치센서 및 이의 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9740323B2 (ko)
KR (1) KR101564065B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170040400A (ko) * 2015-10-02 2017-04-13 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널, 이의 제조 방법 및 터치 스크린 패널을 포함하는 터치 표시 장치
KR102685979B1 (ko) * 2016-12-26 2024-07-19 삼성디스플레이 주식회사 압력 센서 및 이를 구비하는 표시 장치
CN109361373A (zh) * 2018-11-16 2019-02-19 电子科技大学中山学院 一种柔性薄膜体声波谐振器及其制备方法
KR102562663B1 (ko) * 2022-05-09 2023-08-01 충남대학교산학협력단 카이로옵티컬 기판 및 이의 제조방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1769530A2 (en) * 2004-07-07 2007-04-04 Nanosys, Inc. Systems and methods for harvesting and integrating nanowires
US7202173B2 (en) * 2004-12-20 2007-04-10 Palo Alto Research Corporation Incorporated Systems and methods for electrical contacts to arrays of vertically aligned nanorods
KR101562060B1 (ko) * 2009-04-06 2015-10-21 삼성전자주식회사 전기 에너지 발생 장치 및 그 제조 방법
US8519449B2 (en) * 2009-08-25 2013-08-27 Honeywell International Inc. Thin-film transistor based piezoelectric strain sensor and method
US8344597B2 (en) * 2009-10-22 2013-01-01 Lawrence Livermore National Security, Llc Matrix-assisted energy conversion in nanostructured piezoelectric arrays
KR101652406B1 (ko) * 2010-02-19 2016-08-30 삼성전자주식회사 전기 에너지 발생 장치
US10152116B2 (en) * 2011-04-26 2018-12-11 The Regents Of The University Of California Systems and devices for recording and reproducing senses
US9178446B2 (en) * 2011-08-30 2015-11-03 Georgia Tech Research Corporation Triboelectric generator

Also Published As

Publication number Publication date
US9740323B2 (en) 2017-08-22
US20150205423A1 (en) 2015-07-23
KR20150088002A (ko) 2015-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wang et al. Tactile sensors for advanced intelligent systems
Wu et al. Piezotronic nanowire-based resistive switches as programmable electromechanical memories
Yi et al. Artificial synaptic emulators based on MoS2 flash memory devices with double floating gates
Ma et al. Fabrication of novel transparent touch sensing device via drop-on-demand inkjet printing technique
Park et al. Nonvolatile and neuromorphic memory devices using interfacial traps in two-dimensional WSe2/MoTe2 stack channel
Wang et al. Recent progress in electronic skin
Das et al. FETRAM. An organic ferroelectric material based novel random access memory cell
Kim et al. Performance and stability of aerosol-jet-printed electrolyte-gated transistors based on poly (3-hexylthiophene)
US10126191B2 (en) Capacitive pressure sensing using ionic film sensors
Yu et al. Vertical organic field-effect transistors for integrated optoelectronic applications
Liao et al. Ferroelectric transistors with nanowire channel: toward nonvolatile memory applications
Gao et al. Ultrathin multifunctional graphene-PVDF layers for multidimensional touch interactivity for flexible displays
JP6268189B2 (ja) トランジスタアレイ及びその製造方法
Puneetha et al. Strain-controlled flexible graphene/GaN/PDMS sensors based on the piezotronic effect
US9653674B2 (en) Contact electrification effect-based back gate field-effect transistor
KR101894029B1 (ko) 지문 압력 듀얼 센서 및 그 제조 방법
KR101564065B1 (ko) 나노 와이어 어레이를 포함하는 터치센서 및 이의 제조방법
US11112318B2 (en) Pressure sensor, and pressure sensor matrix array including same and manufacturing method therefor
Meng et al. Nature-inspired capillary-driven welding process for boosting metal-oxide nanofiber electronics
CN105841850B (zh) 一种压电传感器及其制作方法
Xu et al. In2O3 nanowire field-effect transistors with Sub-60 mV/dec subthreshold swing stemming from negative capacitance and their logic applications
Xu et al. Flexible and highly photosensitive electrolyte-gated organic transistors with ionogel/silver nanowire membranes
Sun et al. Trap-assisted charge storage in titania nanocrystals toward optoelectronic nonvolatile memory
Bian et al. Aligning one-dimensional nanomaterials by solution processes
Jang et al. Impact of polyimide film thickness for improving the mechanical robustness of stretchable InGaZnO thin-film transistors prepared on wavy-dimensional elastomer substrates

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20140123

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20150407

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20151021

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20151022

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20151022

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181004

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20181004

Start annual number: 4

End annual number: 4

PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20200802