[go: up one dir, main page]

KR101534351B1 - Ｍｅｍｓ 장치 및 방법 - Google Patents

Ｍｅｍｓ 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101534351B1
KR101534351B1 KR1020097007914A KR20097007914A KR101534351B1 KR 101534351 B1 KR101534351 B1 KR 101534351B1 KR 1020097007914 A KR1020097007914 A KR 1020097007914A KR 20097007914 A KR20097007914 A KR 20097007914A KR 101534351 B1 KR101534351 B1 KR 101534351B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cantilever mems
cantilever
mems resonator
arm
mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020097007914A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090074204A (ko
Inventor
샤흐야안 데사이
어닐 엔. 네트라발리
마이클 오. 톰슨
Original Assignee
코넬 리서치 파운데이션 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코넬 리서치 파운데이션 인코포레이티드 filed Critical 코넬 리서치 파운데이션 인코포레이티드
Publication of KR20090074204A publication Critical patent/KR20090074204A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101534351B1 publication Critical patent/KR101534351B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
    • H02N1/002—Electrostatic motors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/097—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by vibratory elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
    • H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
    • H03H9/2447—Beam resonators
    • H03H9/2457—Clamped-free beam resonators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

MEMS(microelectromechanical structure) 장치는 기판에 변위 가능하게 연결된 제2 MEMS 소자를 포함한다. 제1 MEMS 소자는 제2 MEMS 소자에 변위 가능하게 연결되고, 제2 MEMS 소자와 실질적으로 동일한 공진 진동수를 갖고, 제2 MEMS 소자보다 훨씬 큰 변위를 갖는다.
Figure R1020097007914
MEMS 장치, 공진 진동수, 변위, 캔틸레버 공진기, MEMS 공진기

Description

ＭＥＭＳ 장치 및 방법{COUPLED MEMS STRUCTURE FOR MOTION AMPLIFICATION}
<관련 출원에 대한 상호 참조>
본 출원은 2006년 9월 22일에 출원된 미국 가출원 No. 60/846,531의 이익을 주장한다. 앞서 언급된 출원의 내용은 본원에서 전체적으로 참조로 포함된다.
MEMS(Microelectromechanical structures)는 대개 반도체 처리 공정을 사용하여 형성되는 매우 작은 기계 구조이다. 이러한 구조는 공진기로서 형성될 수 있고, 센서로서 사용될 수 있으며, 센싱된 파라미터 또는 작용력(applied force)에 응답하여 진동할 수 있다. MEMS 구조 자체가 일반적으로 매우 작기 때문에, 이러한 진동의 변위는 일반적으로 마이크로미터 내지 나노미터 범위 내로 매우 작다. 작은 힘에 응답하여 좀더 큰 변위를 제공하는 MEMS 구조가 필요하다.
현재, 미세 전기 기계 기술(micro-electromechanical technology)에서는 낮은 구동 전압에서 큰 움직임(motion)을 가능하게 하는 공진기가 필요하다. 콤 드라이브 액츄에이션(comb drive actuation)을 사용하여 크고 선형인 변위가 획득되긴 하지만, 콤 드라이브의 힘은 작고, 높은 구동 전압과 다수의 콤 티쓰(comb teeth)가 필요하다. 평행판 드라이브 액츄에이션은 유사한 영역에 걸쳐 보다 큰 힘을 발생시키긴 하지만, 그 힘이 비선형이기 때문에 변위가 제한된다. 자기 액츄에이션은 큰 힘을 생성하지만, 낮은 진동수로 제한되고, 전기 도금된 무거운 강자 성체 재료(heavy electroplated ferromagnetic materials)를 필요로 한다. 로렌츠 코일 액츄에이션도 마찬가지로 인덕턴스 한계에 직면하여, 상당한 전류, 따라서 높은 전력 수준을 필요로 한다.
도 1은 예시적인 실시예에 따른 흡수체 스프링-질량 시스템(absorber spring-mass system)을 도시하는 블록도.
도 2는 예시적인 실시예에 따른 듀얼 변위 MEMS 소자의 단면을 도시하는 블록도.
이하의 실시예에서는, 실시될 수 있는 구체적인 실시예의 부분을 형성하면서 그 예를 통해 도시되어 있는 첨부 도면을 참조한다. 본 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분히 상세하게 기재되어 있으며, 본 발명의 범주를 벗어나지 않고도, 다른 실시예가 사용될 수 있고, 구조적, 논리적 및 전기적 변화를 행할 수 있음이 이해될 것이다. 따라서, 예시적인 실시예에 대한 이하의 설명은 한정된 의미로 받아들여지는 것이 아니며, 본 발명의 범위는 첨부되는 청구범위에 의해 규정된다.
도 1에서 참조 부호 100으로 나타나 있는 듀얼-매스(dual-mass) 오실레이터 시스템은 질량이 더 큰 제2 소자(120)(또는 질량)에 연결된 제1 소자(110)(질량)를 포함한다. 이 소자들은 동일한 공진 진동수로 오실레이트(oscillate)하도록 설계되거나 구성되어, 작용력이 작아도 큰 변위를 제공한다.
듀얼-매스 오실레이터 시스템(100)은 흡수체 스프링-질량 시스템으로서 구성되는데, 이 시스템에서, 작은 질량의 제1 MEMS 소자(110)는 원하는 진동수에서의 진동이 강제되는 질량이 더 큰 제2 구조(액츄에이터)(120)에 부착되어 있다. 일 실시예에서, 제1 질량(110)의 공진 진동수는 제2 질량(120)이 진동하는 진동수로 튜닝된다(tuned). 이러한 튜닝은 질량이 더 큰 제2 구조(120)의 진동을 그치게 하고, 제1 질량(110)이 모든 진동 에너지를 흡수하도록, 즉 튜닝된 진동 흡수체처럼 동작하게 한다. 결과적으로, 시스템(100)은, 제1 질량(또는 MEMS 소자)의 공진 진동수가 그에 연결되는 질량이 더 큰 제2 MEMS 구조의 공진 진동수와 일치하게 튜닝되고, 또한 제2 MEMS 구조가 두 구조 모두에 의해 공유되는 공진 진동수로 진동하는 것이 강제되면, 질량이 더 작은 제1 MEMS 구조로부터도 매우 낮은 전력에서 매우 큰 변위가 제공될 수 있도록 설계된다. 질량이 더 큰 제2 MEMS 소자는 MEMS 분야에서 현재 알려지고 사용되는 방법들 중의 임의의 방법뿐만 아니라 장래에 개발될 방법을 사용하여 액츄에이트될 수 있다. 통상적인 액츄에이션 방법은, 압전(piezoelectric), 정전기, 전자기, 열 및 기타 수단을 포함한다.
도 2에 도시된 일 실시예에서는, 실질적으로 동일한 공진 진동수를 갖는 2개의 MEMS 구조가 힘에 응답하여 증가된 변위를 제공하도록 서로 연결되어 있다. 일례는 제1 MEMS 소자(215)에 연결되는 제2 MEMS 소자(210)를 포함한다. 일 실시예에서, 소자들은 캔틸레버(cantilever)일 수 있다. 제2 소자(210)는, 소자의 형태(shape), 질량 및 스프링 강도(stiffness)를 제어함으로써 제1 소자(215)의 진동수와 실질적으로 동일한 고유 진동수를 갖도록 설계된다. 정전기, 전자기, 압전력 또는 기타 방법을 사용하여 제2 소자(210)가 강제로 작은 변위로 진동하게 함으로써, 중간 내지 낮은 전력에서 제1 MEMS 소자(215)에 훨씬 큰 변위가 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 제2 소자(210)는 제2 캔틸레버 아암(225)에 의해 기판(220)에 연결된다. 아암(225)은 K의 스프링 상수를 가지며, 제2 MEMS 소자를 기판(220)에 연결하는 부착을 제공한다. 제2 소자(210)는 M의 질량을 갖는다. 제1 캔틸레버 아암(230)은 제2 소자(210)에 제1 소자(215)를 연결하는 기계적 부착을 제공한다. 제1 소자(215)는 m의 질량을 갖고, 제1 아암(230)은 k의 스프링 상수를 갖는다. 두 구조의 공진 진동수를 실질적으로 일치시키도록, k/m의 비는 K/M과 동일하다. 일 실시예에서, 기판은 실리콘 또는 실리콘 카바이드(silicon carbide)와 같은 반도체 재료이고, 구조들은 동일한 재료로 형성될 수 있다. 기판은 반드시 반도체 재료일 필요는 없지만, 구조들을 견고하게 지지하기에 충분한 질량을 제공하여야 한다.
소자 및 아암은 마스킹 및 에칭 기술과 같은 공통적인 반도체 처리 공정을 사용하여 형성될 수 있으며, 원하는 수명, 공진 진동수 및 변위를 갖는 공진기를 제공하기에 바람직한 특성들을 갖는 여러 상이한 재료들로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 소자의 질량 m은 제2 소자의 질량 M보다 훨씬 작다. 또한, 아암(230)의 길이는 아암(225)보다 더 길다. 다른 실시예에서, 상이한 특성들을 제공하길 원하면, 이들 관계는 현저하게 변경될 수 있고, 심지어는 역으로 될 수도 있다.
MEMS 소자가 캔틸레버의 단부에서의 질량으로서 기술되었지만, MEMS 소자는 형태 및 크기가 현저하게 가변될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 소자(215) 및 아암(230)은 상이한 유형의 제2 소자(210), 또는 제1 소자에 힘을 제공하도록 동작하는 돔 공진기(dome resonator)와 같은 공진기에 연결될 수 있다. 소자(210)는 블록 형태로 되어 있으며, 이와 같은 다른 유형의 소자를 대표하고 있다. 캔틸레버는 돔 공진기에 연결될 수 있다. 또 다른 실시예에서는, 제1 MEMS 소자의 변위의 증가를 제공하도록 훨씬 많은 수의 변위 구조가 연결될 수 있다.
MEMS 장치는 크기가 크게 가변될 수 있으며, 일반적으로는 밀리미터 범위 피처 크기 내지 나노미터 범위 피처 크기만큼의 크기를 갖는다.
일 실시예에서는, 비틀림 스프링(torsion spring)(225)에 의해 지지되는 수직 콤 드라이브 액츄에이터(210)가 제2 MEMS 소자를 형성한다. 큰 변위를 원하는 제1 MEMS 소자를 형성하는 작은 질량의 캔틸레버된 MEMS 미러(215)가, MEMS 제조 시에 잘 구축된 공정을 사용하여 이 구조에 본딩되거나 부착된다. 콤 드라이브 액츄에이터의 공진 진동수는 캔틸레버된 MEMS 미러의 것과 일치하도록 설계된다. 고정된 콤과 이동하는 콤 사이에 인가되는 사인파 전압은 그들 사이에 인력을 발생시키고, 비틀림 스프링 주위로 액츄에이터 질량을 비틀어 이를 회전시킨다(torque). 만약 액츄에이터 및 MEMS 미러 둘다의 공진 진동수를 일치시키는 진동수에서 전압 신호가 인가되면, 액츄에이터 내의 작은 편향(deflection)은 캔틸레버된 미러에서 매우 큰 변위로 될 것이다.
다른 실시예에서, 캔틸레버 MEMS 액츄에이터는 그 위에 전류 루프(current loop)가 만들어지고 자계에 배치된 실리콘/SiO2 또는 폴리머, 또는 전류 운반(carrying) 코일/와이어 사이에 배치된 강자성 재료로 이루어진 캔틸레버, 압전/강유전체/자기변형(magnetostrictive) 재료로 이루어지거나 코팅된 캔틸레버로 이루어질 수 있다. 이러한 액츄에이터에, 다른 MEMS 캔틸레버, 또는 MEMS 가속도계 또는 자이로스코프의 소자와 같은 현수형(suspended) 질량 구조가 부착된다. 액츄에이터 및 부착된 MEMS 소자는 모두 동일한 공진 진동수를 공유하도록 설계된다. 인가된 전압/전류 신호를 통해 액츄에이터에 의해 이 진동수에서 발생된 진동은 액츄에이터의 작은 변위에 대해서도 MEMS에서 매우 큰 변위로 될 것이다.
MEMS 구조에서 원치않는 공진 모드에 의해 야기되는 변위를 제거/감소시키기 위한 수단으로서, 하나 이상의 진동 흡수용 제2 구조가 부착되어, 원치않는 공진 모드의 진동수로 튜닝될 수 있다.
본원의 요약서는 독자로 하여금 기술 명세서의 속성 및 요지를 빠르게 확인할 수 있게 하기 위하여 37 C.F.R. §1.72(b)에 따라 제공된다. 본 요약서는 청구범위의 범주 또는 의미를 해석하거나 제한하는 데 사용되지 않음을 이해하면서 제출된다.

Claims (20)

  1. MEMS(microelectromechanical structure) 장치로서,
    기판에 변위 가능하게(displaceably) 연결된 제2 캔틸레버(cantilever) MEMS 소자; 및
    상기 제2 캔틸레버 MEMS 소자에 변위 가능하게 연결되고, 상기 제2 캔틸레버 MEMS 소자의 공진 진동수와 동일한 공진 진동수를 갖고, 상기 제2 캔틸레버 MEMS 소자보다 큰 변위를 갖는 제1 캔틸레버 MEMS 소자
    를 포함하는, MEMS 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 캔틸레버 MEMS 소자는, 상기 제2 캔틸레버 MEMS 소자에 연결된 스프링 상수 k를 갖는 제1 아암(arm)에 의해 지지되는 질량 m의 제1 소자를 포함하는, MEMS 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 캔틸레버 MEMS 소자는, 상기 기판에 연결된 스프링 상수 K를 갖는 제2 아암에 의해 지지되는 질량 M의 제2 소자를 포함하는, MEMS 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 아암은 상기 제2 아암보다 긴, MEMS 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 아암은 상기 제2 소자에 연결되는, MEMS 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    k/m은 K/M과 동일한, MEMS 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    m은 M보다 작은, MEMS 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 캔틸레버 MEMS 소자 및 상기 제2 캔틸레버 MEMS 소자 모두는 캔틸레버 공진기(cantilever resonator)인, MEMS 장치.
  9. MEMS 장치로서,
    기판에 연결된 제2 캔틸레버 MEMS 공진기; 및
    상기 제2 캔틸레버 MEMS 공진기에 연결되고, 상기 제2 캔틸레버 MEMS 공진기의 공진 진동수와 동일한 공진 진동수를 갖는 제1 캔틸레버 MEMS 공진기
    를 포함하며,
    상기 제1 캔틸레버 MEMS 공진기는 상기 제2 캔틸레버 MEMS 공진기보다 큰 변위를 제공하기 위하여 상기 제2 캔틸레버 MEMS 공진기에 연결되는, MEMS 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 캔틸레버 MEMS 공진기는 상기 제2 캔틸레버 MEMS 공진기에 연결된 스프링 상수 k를 갖는 제1 아암에 의해 지지되는 질량 m의 제1 소자를 포함하고,
    상기 제2 캔틸레버 MEMS 공진기는 상기 기판에 연결된 스프링 상수 K를 갖는 제2 아암에 의해 지지되는 질량 M의 제2 소자를 포함하는, MEMS 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 아암은 상기 제2 아암보다 길고,
    상기 제1 아암은 상기 제2 소자에 연결되는, MEMS 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    k/m은 K/M과 동일하고,
    m은 M보다 작은, MEMS 장치.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 기판에 연결되는 제2 캔틸레버 MEMS 공진기를 공진 진동수로 진동하게 하기 위하여 에너지원에 종속시키는(subjecting) 단계; 및
    상기 제2 캔틸레버 MEMS 공진기에 연결된 제1 캔틸레버 MEMS 공진기로 하여금 상기 공진 진동수로 진동하게 하는 단계
    를 포함하며,
    상기 제1 캔틸레버 MEMS 공진기 및 상기 제2 캔틸레버 MEMS 공진기는 동일한 공진 진동수를 갖는, 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 에너지원에 응답하여, 상기 제2 캔틸레버 MEMS 공진기가 진동을 중단하면서, 그 진동 에너지의 대부분이 상기 제1 캔틸레버 MEMS 공진기에 인가되어, 상기 제1 캔틸레버 MEMS 공진기의 진동 변위를 증가시키는, 방법.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 제1 캔틸레버 MEMS 공진기는 상기 제2 캔틸레버 MEMS 공진기의 질량보다 작은 질량을 갖는, 방법.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 에너지원은 압전, 정전기, 전자기 및 열 액츄에이션 중 적어도 하나에 의해 상기 제2 캔틸레버 MEMS 공진기에 인가되는, 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 에너지원은 상기 캔틸레버 MEMS 공진기들의 상기 공진 진동수의 진동수를 갖는, 방법.
KR1020097007914A 2006-09-22 2007-09-21 Ｍｅｍｓ 장치 및 방법 Active KR101534351B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US84653106P 2006-09-22 2006-09-22
US60/846,531 2006-09-22
PCT/US2007/020501 WO2008039378A2 (en) 2006-09-22 2007-09-21 Coupled mems structure for motion amplification

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090074204A KR20090074204A (ko) 2009-07-06
KR101534351B1 true KR101534351B1 (ko) 2015-07-06

Family

ID=39230767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097007914A Active KR101534351B1 (ko) 2006-09-22 2007-09-21 Ｍｅｍｓ 장치 및 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8633787B2 (ko)
EP (1) EP2074397A4 (ko)
KR (1) KR101534351B1 (ko)
WO (1) WO2008039378A2 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008039378A2 (en) 2006-09-22 2008-04-03 Cornell Research Foundation, Inc. Coupled mems structure for motion amplification
US8416482B2 (en) * 2008-03-19 2013-04-09 Mezmeriz, Inc. Micro electro-mechanical system (MEMS) based high definition micro-projectors
EP2534093B1 (en) * 2010-02-11 2018-10-17 Mezmeriz, Inc. Microelectromechanical system with reduced speckle contrast
WO2011112975A2 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Mezmeriz, Inc. Laser illumination module with integrated intensity modulator
WO2011133815A2 (en) 2010-04-21 2011-10-27 Mezmeriz, Inc. Composite scanning mirror systems
DE102012219591B4 (de) 2012-10-25 2024-07-11 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauteil, Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil und Verfahren zum Betreiben eines mikromechanischen Bauteils
EP3029469A1 (en) * 2014-12-04 2016-06-08 ETH Zurich Mechanical transducer for the detection of acoustic and/or seismic signals
US20180231090A1 (en) * 2016-05-26 2018-08-16 Honeywell International Inc. Systems and methods for a tuned mass damper in mems resonators
DE102017000002A1 (de) * 2017-01-02 2018-07-05 Blickfeld GmbH Faser-Scanner

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6293148B1 (en) * 1999-04-30 2001-09-25 Institute Of Microelectronics Structural design for improving the sensitivity of a surface-micromachined vibratory gyroscope
WO2005006538A1 (de) * 2003-07-09 2005-01-20 Braun Gmbh Elektrisches kleingerät mit einem elektromotor zur erzeugung einer oszillierenden bewegung
US6928874B2 (en) * 2002-11-15 2005-08-16 The Regents Of The University Of California Dynamically amplified micromachined vibratory angle measuring gyroscopes, micromachined inertial sensors and method of operation for the same
JP2007175491A (ja) * 2005-12-19 2007-07-12 Braun Gmbh 振動する毛剃りヘッドを備える電気剃刀装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL80550A0 (en) * 1986-11-07 1987-02-27 Israel Aircraft Ind Ltd Resonant element force transducer for acceleration sensing
JP2505140B2 (ja) * 1991-12-05 1996-06-05 村田機械株式会社 紡糸巻取機
US5481142A (en) * 1994-07-01 1996-01-02 Xerox Corporation Tuned vibration absorbers for AC motors
US5862003A (en) * 1995-06-23 1999-01-19 Saif; Muhammad T. A. Micromotion amplifier
US6290037B1 (en) * 1999-04-21 2001-09-18 Purdue Research Foundation Vibration absorber using shape memory material
US6175170B1 (en) * 1999-09-10 2001-01-16 Sridhar Kota Compliant displacement-multiplying apparatus for microelectromechanical systems
US6393913B1 (en) * 2000-02-08 2002-05-28 Sandia Corporation Microelectromechanical dual-mass resonator structure
US6845669B2 (en) * 2001-05-02 2005-01-25 The Regents Of The University Of California Non-resonant four degrees-of-freedom micromachined gyroscope
AU2002316102A1 (en) * 2001-05-14 2002-11-25 The Regents Of The University Of Michigan High-performance fully-compliant micro-mechanisms for force/displacement amplification
JP4654668B2 (ja) * 2004-03-12 2011-03-23 パナソニック電工株式会社 ジャイロセンサおよびそれを用いたセンサ装置
JP4556454B2 (ja) * 2004-03-15 2010-10-06 パナソニック電工株式会社 半導体装置の製造方法
EP1771763A1 (en) * 2004-06-24 2007-04-11 Cornell Research Foundation, Inc. Fibrous-composite-material-based mems optical scanner
WO2008039378A2 (en) 2006-09-22 2008-04-03 Cornell Research Foundation, Inc. Coupled mems structure for motion amplification

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6293148B1 (en) * 1999-04-30 2001-09-25 Institute Of Microelectronics Structural design for improving the sensitivity of a surface-micromachined vibratory gyroscope
US6928874B2 (en) * 2002-11-15 2005-08-16 The Regents Of The University Of California Dynamically amplified micromachined vibratory angle measuring gyroscopes, micromachined inertial sensors and method of operation for the same
WO2005006538A1 (de) * 2003-07-09 2005-01-20 Braun Gmbh Elektrisches kleingerät mit einem elektromotor zur erzeugung einer oszillierenden bewegung
JP2007175491A (ja) * 2005-12-19 2007-07-12 Braun Gmbh 振動する毛剃りヘッドを備える電気剃刀装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008039378A2 (en) 2008-04-03
EP2074397A2 (en) 2009-07-01
US8633787B2 (en) 2014-01-21
EP2074397A4 (en) 2015-07-22
KR20090074204A (ko) 2009-07-06
WO2008039378A3 (en) 2008-06-12
US20100295414A1 (en) 2010-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101534351B1 (ko) Ｍｅｍｓ 장치 및 방법
DeMartini et al. Linear and nonlinear tuning of parametrically excited MEMS oscillators
JP4011617B2 (ja) キャパシタンスに基づくチューニング可能な超小型機械共振器
US20110074247A1 (en) Systems and Methods for Resonance Frequency Tuning of Micromachined Structures
JP5208201B2 (ja) 原子間力顕微鏡法のためのプローブ
WO2010011288A1 (en) Switching devices and related methods
US20080239431A1 (en) Micromechanical device of increased rigidity
JP6881532B2 (ja) Ｍｅｍｓ周波数チューニングばね
JP2014123123A (ja) マイクロメカニカル共振装置
US20040195935A1 (en) Near-resonance wide-range operating electromechanical motor
JP4977431B2 (ja) マイクロメカニカル共振器
US9509278B2 (en) Rotational MEMS resonator for oscillator applications
Asadi et al. Mechanism of geometric nonlinearity in a nonprismatic and heterogeneous microbeam resonator
WO2016034940A1 (en) Multi-frequency excitation
CN102762954B (zh) 改进的微机械共振器
Yasuda et al. Microrobot locomotion in a mechanical vibration field
JP4965962B2 (ja) マイクロメカニカル共振器
Sharma et al. Dimensional optimization and modelling of a novel double-ended-tuning-fork micro-resonator for high frequency applications
JP5064155B2 (ja) 発振器
JP2010540266A (ja) 向上した検出レベルを有するナノスケールまたはマイクロスケールの振動電気機械部材
Corigliano et al. Mechanics of microsystems: A recent journey in a fascinating branch of mechanics
Su et al. A versatile mems electrostatic transducer structure to achieve near-zero stiffness for low-frequency energy harvesting
JP5081586B2 (ja) マイクロメカニカル共振器
Younis Sensing and Actuation in MEMS
Sathiya et al. Higher resonant mode effect on the performance of piezo actuated 2-DOF rectangular cantilever shaped resonators (2-DOF RCR) for liquid viscosity and density sensing

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20090417

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
AMND Amendment
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20120921

Comment text: Request for Examination of Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20140224

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20141028

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20140224

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

PJ0201 Trial against decision of rejection

Patent event date: 20150128

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event code: PJ02012R01D

Patent event date: 20141028

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PJ02011S01I

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Decision date: 20150401

Appeal identifier: 2015101000449

Request date: 20150128

AMND Amendment
PB0901 Examination by re-examination before a trial

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20150227

Patent event code: PB09011R02I

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event date: 20150128

Patent event code: PB09011R01I

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20140624

Patent event code: PB09011R02I

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20120921

Patent event code: PB09011R02I

B701 Decision to grant
PB0701 Decision of registration after re-examination before a trial

Patent event date: 20150401

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event code: PB07012S01D

Patent event date: 20150306

Comment text: Transfer of Trial File for Re-examination before a Trial

Patent event code: PB07011S01I

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20150630

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20150630

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180615

Start annual number: 4

End annual number: 4