KR101525543B1

KR101525543B1 - 반도체 및 산업용 웨이퍼 절삭 및 연마에 사용된 폐연마재 재생방법

Info

Publication number: KR101525543B1
Application number: KR1020150052352A
Authority: KR
Inventors: 박기태; 김경직
Original assignee: 박기태
Priority date: 2015-04-14
Filing date: 2015-04-14
Publication date: 2015-06-03
Anticipated expiration: 2035-04-14

Abstract

본 발명은 사파이어웨이퍼 래핑공정 등을 포함하는 반도체 및 산업용 웨이퍼의 절삭 및 연마공정에서 발생되는 폐연마재를 전량 수거하여 재생함에 있어, 연마재성분으로서 고가의 희귀광물류에 속하는 탄화붕소(B₄C)성분이 함유된 폐연마재를 1차 및 2차에 걸친 함수율 조절, 화학반응을 이용한 1차 세정교반, Di온수를 이용한 2차 세정교반, 건조, 파쇄, 선별 과정을 통하여 조분인 탄화붕소(B₄C) 재생연마재를 얻음으로써 폐연마재에 포함되어 있는 희귀광물류인 탄화붕소(B₄C)성분을 순도 높게 재생하고 또 탄화붕소(B₄C)를 조분과 미분으로 구분하여 선별함으로써 고순도의 연마재 및 내화물의 원료로서 각기 재활용할 수 있게 해준다.

Description

반도체 및 산업용 웨이퍼 절삭 및 연마에 사용된 폐연마재 재생방법{METHOD FOR RECYCLING WASTE-ABRASIVE USED IN THE LAPPING AND POLISHING OF SEMICONDUCTOR AND INDUSTRY WAFER}

본 발명은 연마재의 재생에 관한 것으로, 특히 사파이어웨이퍼 래핑공정 등을 포함하는 반도체 및 산업용 웨이퍼의 절삭 및 연마공정에서 발생되는 폐연마재를 재생함으로써 기존 전량 폐기물 처리로 인해 야기된 자원낭비 및 환경오염을 미연에 방지할 수 있는 재생방법의 개량에 관한 것이다.

희귀광물류의 한 종류인 탄화붕소(B₄C, Boron Carbide)는 모스경도가 약 9.5이고 그 강도는 다이아몬드와 탄화규소의 중간 정도로 될 만큼 단단하고 강한 인조광물인 까닭에 연마재로서 래핑이나 폴리싱 등의 가공 주원료로 널리 사용되고 있다.

현재 LED디스플레이 등을 생산하거나 중간가공하는 업체에서는 LED용 사파이어웨이퍼와 같은 반도체 및 산업용 웨이퍼 가공을 위해 습식연마공정인 래핑공정(lapping process)을 필수적으로 수행한다. 이러한 래핑공정에는 평활도 향상과 광택유지 등을 위하여 고가의 희귀광물류인 탄화붕소(B₄C)가 이용된다.

이에 탄화붕소를 연마재로 사용하는 업체에서는 외국에서 거의 전량 수입하여서 산업용 웨이퍼 절삭 및 연마공정에 사용을 하며, 탄화붕소가 포함된 연마재의 연마 및 절삭 효율이 저하되면 사용할 수가 없게 되므로 업체에서는 그 연마재를 일반폐기물로 분류하여서 전량 고비용으로 매립 처리하고 있는 실정이다.

이러한 환경오염과 자원 낭비로 인한 현재의 문제점을 해결하기 위해서 폐연마재를 보다 효율적으로 재생하여서 자원 재활용과 나아가서는 매립 등의 처리방법으로 인한 환경오염을 방지할 수 있다면 연마재 관련된 업체나 해당 소비자로부터 큰 호응을 얻을 수 있을 것이다.

또 하기에 선행기술문헌으로 언급된 종래기술은 본원 발명자가 발명자들중에 포함된 연마재 재생방법으로서 폐연마재를 세척함에 있어 초음파를 이용해 세척을 수행하는데 이러한 세척은 효율이 좋지 않고 세척 한계가 있으며 세척을 위한 설비를 구비하는 비용도 많이 들어간다는 단점이 있다.

등록특허공보 제10-1381728호 "사파이어웨이퍼 래핑공정 연마재의 재생방법"

따라서 본 발명의 목적은 반도체나 산업용 웨이퍼를 생산하는 업체에서 발생하는 폐연마재에 포함된 연마재성분으로서 희귀광물류인 탄화붕소(B₄C) 성분을 순도 높게 재생할 수 있도록 하는 폐연마재 재생방법을 제공함에 있다.

상기한 목적에 따른 본 발명은, 사파이어웨이퍼를 포함하며 반도체나 산업용 웨이퍼를 절삭이나 연마하는 과정에서 발생하는 폐연마재를 재생하는 방법에 있어서, 현탁액 상태의 폐연마재를 건조하여서 폐연마재의 함수율이 30~35중량%가 되게 하는 1차 함수율 조절과정과, 30~35중량%로 1차 함수율 조절된 폐연마재를 재차 건조하여서 15~20중량%의 함수율이 되게 하는 2차 함수율 조절과정과, 15~20중량% 함수율을 갖는 폐연마재와 Di(De-ionized)온수를 1:1~1:2 무게비율로 세정용기에 넣고, 화학반응 침강유도제를 전체 혼합물용량의 0.05~0.5중량%로 첨가한 후의 와류 교반으로 응집상태에 있는 입자들이 화학반응으로 분리되게 하고 비중차를 이용하여 연마재성분인 탄화붕소(B₄C)성분을 침전시키고 미분이 함유된 상등폐액을 분리하고 제거하는 1차 세정교반과정과, 1차 세정교반과정을 통해 얻은 탄화붕소(B₄C) 침천물을 세정용기에서 넣고 Di온수를 이용하여 교반 세정후 침전시키며 잔여 미분 및 유분이 포함된 상등수를 분리하고 제거하되, 수차례 반복하는 2차 세정교반과정과, 2차 세정교반과정에서 얻은 탄화붕소(B₄C)성분의 침전물을 열건조하되 0.3중량%미만의 함수율을 갖도록 건조하여서 탄화붕소(B₄C)성분 세정건조물을 얻는 건조과정과, 건조과정후 탄화붕소(B₄C)성분 세정건조물을 파쇄하는 파쇄과정과, 파쇄후 체분작업이나 기류식 분급작업중의 한가지를 이용하여 조분인 연마재용 탄화붕소(B₄C) 성분과 미분인 연마재용 탄화붕소(B₄C) 성분을 선별하는 선별과정으로 이루어짐을 특징으로 한다.

본 발명의 폐연마재 재생방법에서, 상기 제1,제2 함수율 조절과정 및 건조과정은 기계적 탈수법, 주변환경을 이용한 자연건조법 및 열원을 이용한 강제건조법중 하나 이상을 이용하여서 수행함을 특징으로 한다.

그리고, 상기 1차 세정교반과정에서는 세정용기 내부에 장착한 히터를 이용하여서 30℃~35℃로 가온 중에 교반하되, 사각 세정용기에 설치된 와류형성 유도판을 이용하여 와류에 의한 교반이 이루어질 수 있게 함을 특징으로 한다.

또한 본 발명에서는 상기 1차 세정교반과정에서 세정용기에 있는 연마재성분인 조분과 불순물로서 미분이 함유된 세정폐액의 비중차를 가속화시키기 위해 수평식 디켄터(Decanter)를 병행 사용하여 진행함을 특징으로 한다.

또한 본 발명에서 상기 선별과정의 체분작업에서는 마이크로 체분기(micro sieve)를 이용하여 목적하는 입도에 맞게 1회 내지 수회까지 반복 체분작업하여서 연마재용 및 비연마재용 탄화붕소(B₄C) 성분을 선별하되, 다양한 크기의 눈을 가진 메쉬 스크린(Mesh Screen)을 여러 겹 설치하거나, 동일한 크기의 눈을 가진 메쉬 스크린(Mesh Screen)을 한 겹 또는 여러 겹 설치하여서 체분작업을 수행함을 특징으로 한다.

본 발명은 반도체나 산업용 웨이퍼를 생산하는 업체에서 발생하는 폐연마재를 전량 수거하여 이를 1차 및 2차 함수율 조절, 화학반응을 이용한 1차 세정교반, Di온수를 이용한 2차 세정교반, 건조, 파쇄, 선별 과정을 통하여 폐연마재에 포함되어 있는 희귀광물류인 탄화붕소(B₄C)성분을 순도 높게 재생하고 조분이나 미분으로 구분함으로써 고순도의 연마재 및 내화물의 원료로서 각기 재활용할 수 있는 장점이 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따라 희귀광물류인 탄화붕소(B₄C)를 함유한 폐연마재를 재생하는 공정 흐름도,
도 2a 및 도 2b는 1차 세정교반과정에서의 세정용기의 개략 구성도.

이하 본 발명의 바람직한 실시 예들을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

LED디스플레이 등을 생산시 사파이어웨이퍼 래핑공정 등과 같은 반도체 및 산업용 웨이퍼의 가공 즉, 웨이퍼의 평활도 향상과 광택유지를 위한 반도체 및 산업체용 웨이퍼의 습식 연마가공을 행하는 과정을 수행하면서 연마율을 상실한 폐연마재가 발생된다. 이러한 폐연마재는 현탁액(slurry) 형태이며, 이러한 폐연마재에는 웨이퍼 가공용 연마재에 포함된 고가의 희귀광물류인 탄화붕소(B₄C) 조분성분 뿐만 아니라 알루미나(Al₂O₃)성분, 삼이산화철(Fe₂O₃)이나 철(Fe)과 같은 철성분 및 규소(Si)성분 등의 미분물질과 아울러 수용성 액상분산제나 화학첨가물질 등도 포함되어 있다.

본 발명에서는 연마가공을 행하는 과정에서 발생된 폐연마재로부터 고가의 희귀광물류인 탄화붕소(B₄C)와 같은 유효 물질을 각각 분리하되 90중량% 이상의 고순도로 분리할 수 있게 구현한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따라 희귀광물류인 탄화붕소(B₄C)를 포함한 폐연마재를 재생하는 공정 흐름도로서, 크게 1차 함수율조절과정(S100), 2차 함수율조절과정(S102), 1차 세정교반과정(S104), 2차 세정교반과정(S106), 건조과정(S108), 파쇄과정(S110)과, 및 선별과정(S112)으로 이루어진다.

연마율을 상실한 폐연마재의 현탁액에 응집되어 있는 입자들 중에서 고가의 희귀광물류인 탄화붕소(B₄C) 성분은 연마재의 주 성분으로서 5~100㎛ 입자크기의 조분에 주로 해당되고, 그외 알루미나(Al₂O₃)나 삼이산화철(Fe₂O₃)이나 철(Fe), 규소(Si) 성분들은 5㎛ 미만의 입자크기인 미분에 해당된다.

이러한 폐연마재는 재생을 위해 운송용 기밀용기에 옮겨 담아 본 발명에 따른 폐연마재 재생 설비로 이동시키는 것이 바람직하며, 재생설비에 공급되어서 본 발명의 실시예에 따른 재생절차를 수행하게 된다.

먼저 본 발명에서는 탄화붕소(B₄C) 성분 및 불순물 등이 포함된 폐연마재에 대해서 도 1의 S100과정 및 S102과정에서와 같이 1차 및 2차에 걸친 함수율 조절과정을 차례로 수행한다.

1차 함수율 조절과정(S100)에서는 현탁액 상태의 폐연마재에 대해서 원심분리방식이나 필터프레스 방식과 같은 기계적 탈수방식이나 자연증발과 같은 주변환경을 이용한 자연 건조방식 중에서 선택 실행하여서 폐연마재의 수분함량 즉 함수율이 30~35중량%가 되도록 한다. 바람직하게는 원심분리방식이나 필터프레스와 같은 기계적 탈수방식이 양호하며, 함수율의 측정은 수분측정기로 측정한다.

그후 2차 함수율 조절과정(S102)에서는 30~35중량%로 1차 함수율 조절된 폐연마재를 열원이나 송풍을 이용한 강제건조방식으로 재차 건조하여서 15~20중량%의 함수율이 되게 한다.

1차 및 2차 함수율 조절과정(S100~S102)을 통해서 폐연마재에 함수율이 15~20중량%가 되었을 때에 이후 진행될 1차 세정교반과정(S104)에서의 화학반응 유도시에 분리효율이 극대화됨을 본원 발명자가 확인하였다. 이는 현탁액 중의 액상성분에 내포된 수용성 액상분산제나 화학첨가물질 등이 1차 세정교반과정(S104)에서의 화학반응 유도시에 방해작용을 하므로 함수율 조절을 통해 방해요소를 적절히 제거하는 것이다.

건조처리에 의한 2차 함수율 조절로 폐연마재가 15~20중량% 함수율을 갖도록 한 후 본 발명에서는 1차 세정교반과정(S104)을 수행하는데, 이러한 1차 세정교반과정(S104)에서는 화학반응을 이용한다.

1차 세정교반과정(S104)에서는 15~20중량% 함수율을 갖는 폐연마재와 Di(De-ionized)온수(30~35℃)를 1:1~1:2 무게비율로 도 2와 같은 사각통 세정용기(10)에서 혼합하고, 또 화학반응 침강유도제를 전체 혼합물용량의 0.05~0.5중량%(바람직하게는 0.1중량%)로 첨가한 후 수십분 내지 수시간(일 예로는 2시간 가량) 동안 심부의 교반기(12)로 와류 교반하여서 응집상태에 있는 입자들이 화학반응으로 분리및 침강되게 한다. 상기 화학반응 침강유도제로는 계면활성제가 포함된 폴리머계열의 화학반응 침강유도제를 사용한다.

사각 세정용기(10)는 전용 세정용기로서 용기 내부에 히터를 장착하며, 그 히터를 이용하여서 30℃~35℃로 가온 중에 교반이 진행되게 한다. 또한 본 발명에서는 사각 세정용기(10)의 벽체에 도 2a에 도시된 바와 같이, 교반기(12)의 회전에 의한 유체 흐름에 와류를 형성케 하는 와류형성 유도판(14)을 설치하여서 와류에 의한 교반이 이루어질 수 있게 한다. 즉 교반기(12)의 회전방향으로 90°각도로 직사각형 판재로 된 와류형성 유도판(14)을 용기 벽체에 다수개 장착한 것이다.

교반기(12)에 의한 혼합물 교반시 와류작용은 화학반응 및 조분(희귀광물류인 탄화붕소(B₄C) 성분임)의 신속한 침강을 일으키는데 도움을 준다.

이러한 1차 세정교반과정(S104)에서 혼합물 와류교반하는 세정을 통해 응집상태로 뭉쳐있던 조분 및 미분의 입자들이 분리되며, 교반을 끝낸 후에는 1~3시간동안은 그대로 방치하여서 분리되어진 입자들이 무게 및 비중차에 의해서 침전되도록 유도한다.

이때 본 발명에서는 연마재성분인 조분과 불순물로 취급되는 미분을 함유한 세정폐액의 비중차를 가속화시키기 위해 수평식 디켄터(Decanter)를 사용하는 인위적 조작도 병행하여 진행할 수도 있음을 이해하여야 한다.

도 2b에 도시된 바와 같이, 사각 세정용기(10)의 입자들은 입자크기와 비중차에 의해서 조분인 연마재성분 즉 탄화붕소(B₄C) 성분이 빠르게 침전되어져 세정용기(10)의 바닥에 침전물(16a)을 형성하고, 알루미나(Al₂O₃)나 삼이산화철(Fe₂O₃)이나 철(Fe), 규소(Si) 성분과 같은 5㎛미만의 미분 상당수는 상등폐액(16b)에 함유되어 떠 있게 된다.

작업자는 상등폐액(16b)을 흡입펌프 등으로 빨아들여 제거(재활용 처리도 가능함)를 함으로써 사각 세정용기(10)내에는 조분으로 주로 구성된 희귀광물류인 탄화붕소(B₄C)성분 침천물(16a)이 남게 된다.

도 1에서의 1차 세정교반과정(S104)을 거친 후, 본 발명에서는 Di(De-ionized)온수(30~35℃)를 이용한 2차 세정교반과정(S106)을 수행한다.

2차 세정교반과정(S106)에서는 입자분리가 완료된 침전물(16a)을 Di온수와 1:1 내지 1:2 무게비율로 세정용기에서 혼합하되 교반기로 교반 혼합하고, 그후 40분~100분 동안 조분인 탄화붕소(B₄C)성분의 자연침전이 이루어지게 한다. 이렇게 자연침전이 이루어진 후에는 잔여 미분이나 소량의 유분 등과 같은 이물질이 함유된 상등수를 흡입펌프 등으로 빨아들여서 제거한다.

Di온수로 세정교반하고 연마재성분인 탄화붕소(B₄C) 성분을 침전시키는 단계를 수회(4회 내지 5회) 거쳐서 세정완료시 다음 공정으로 넘어간다.

본 발명에서의 2차 세정교반과정(S106)의 세정완료 시기는 1차 세정교반과정(S104)을 거쳐서 화학반응으로 입자분리가 완료된 침전물(16a)을 초기 투입량 대비하여 최종 회수율이 45~60%가 될 때를 의미한다. 이는 2차 세정교반과정(S106)을 마친 침천물에는 연마재성분인 탄화붕소(B₄C)성분의 함량이 90중량% 이상을 포함하고 있을 때임을 본원 발명자가 수많은 실험을 통해서 확인하였다.

2차 세정교반과정(S106)을 마친후에는 우선적으로 강제 제거방식이나 자연증발방식으로 침전물의 수분함량이 일정량(바람직하게는 30중량%)이 될때까지 수분을 제거하고 수분함량이 목적치까지 도달하면 다음 공정으로 진행된다.

2차 세정교반과정(S106)을 완료한 다음공정으로는 건조과정(S108)이다.

건조과정(S108)에서는 건조기의 온도가 250~300℃일 때 건조기내에 2차 세정교반과정(S106)을 마친 탄화붕소(B₄C) 성분의 침전물을 투입하여 침전물에 남아 있는 습기를 열건조시키되, 함수율이 0.3중량%미만이 될 때까지 건조시켜서 탄화붕소(B₄C)성분 세정건조물을 얻는다.

건조과정(S108)을 완료한 후에는 파쇄과정(S110)을 수행하는데, 이는 선별 과정(S112)에서 수행하는 마이크로 체분기(micro sieve)의 효율을 극대화하기 위한 전처리공정이다.

파쇄과정(S110)에서는 탄화붕소(B₄C)성분 세정건조물을 파쇄기로 파쇄함으로써 탄화붕소(B₄C) 성분중 연마재용으로 사용가능한 조분과 그렇지 못한 탄화붕소(B₄C)성분 미분으로 파쇄되어진다.

파쇄과정(S110)을 거친 탄화붕소(B₄C)성분 세정건조물은 이후에 진행되는 선별과정(S112)을 통해서, 탄화붕소(B₄C) 성분의 함량이 90중량% 이상으로서 5~100㎛이하의 조분으로 된 재생 연마재가 얻어진다.

즉, 선별과정(S112)에서는 상기의 파쇄과정(S110)이 완료된 세정건조물을 마이크로 체분기(micro sieve)를 이용한 체분작업을 수행하되, 목적하는 입도에 맞게 1회 내지 수회까지 반복 체분작업하여서 연마재용 탄화붕소(B₄C) 성분(조분)을 선별한다. 체분작업을 통해서 얻은 미분은 비연마재용 탄화붕소(B₄C)성분으로서 별도 구분하여 재생 내화재로 사용할 수 있다.

마이크로 체분기의 구성은 다양한 크기의 눈을 가진 메쉬 스크린(Mesh Screen)을 여러 겹 설치하거나, 동일한 크기의 눈을 가진 메쉬 스크린(Mesh Screen)을 한 겹 또는 여러 겹 설치하는 것이 바람직하며, 세정 건조물을 1회에서 수회에 걸친 체분작업으로 세정 건조물의 입도가 균일화될 수 있도록 감안한 것이다.

이러한 선별과정(S112)을 통하여 미분을 제거한 탄화붕소(B₄C) 성분(조분) 재생연마재는 신생 연마재와 대등한 품질의 수준이 된다.

본 발명의 선별작업 방식중 마이크로 체분기(micro sieve)를 이용한 체분작업 공정은 목적한 품질수준(신생 연마재에 대등한 품질)까지 도달하기 위해서는 수회 체분공정을 거쳐야 하는 단점이 있는데, 선별작업의 또 다른 방법으로서 기류식 분급장치를 이용한 기류식 분급작업으로 단시간 내에 탄화붕소(B₄C) 미분을 제거한 조분의 탄화붕소(B₄C)성분 재생연마재를 얻을 수 있음도 이해하여야 한다.

상기와 같이 본 발명은 폐연마재에 포함된 있는 희귀광물류인 탄화붕소(B₄C)를 재생하여서 다시 사파이어웨이퍼 등과 같은 연마재로 재활용할 수 있다. 탄화붕소(B₄C) 재생연마재는 액상의 슬러리형태와 건식의 분말형태로 활용할 수 있다. 아울러 재생연마재로서 사용할 수 없는 입도가 작은 미분의 재생 탄화붕소(B₄C)는 내화재료(정형 및 부정형)로도 사용할 수 있다.

상술한 본 발명의 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 여러 가지 변형이 본 발명의 범위에서 벗어나지 않고 실시할 수 있다. 따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위 및 그 특허청구범위와 균등한 것에 의해 정해 져야 한다.

본 발명으로 얻어진 제품은 재생연마재(액상-슬러리형태와 건식-분말형태)분야나 내화재료(정형 및 부정형)로서 이용이 가능하고, 체분과정에서 부수적으로 얻어진 미분성분(Fe, Si)등이 제철산업에 다량으로 소비되는 탈산제 원료로서의 용도로 이용될 수도 있다.

(2)-- 사각 세정용기
(12)-- 교반기
(14)-- 와류형성 유도판

Claims

사파이어웨이퍼를 포함하며 반도체나 산업용 웨이퍼를 절삭이나 연마하는 과정에서 발생하는 폐연마재를 재생하는 방법에 있어서,
현탁액 상태의 폐연마재를 건조하여서 폐연마재의 함수율이 30~35중량%가 되게 하는 1차 함수율 조절과정과,
30~35중량%로 1차 함수율 조절된 폐연마재를 재차 건조하여서 15~20중량%의 함수율이 되게 하는 2차 함수율 조절과정과,
15~20중량% 함수율을 갖는 폐연마재와 Di(De-ionized)온수를 1:1~1:2 무게비율로 세정용기에서 혼합하되, 화학반응 침강유도제를 전체 혼합물용량의 0.05~0.5중량%로 첨가한 후의 와류 교반으로 응집상태에 있는 입자들이 화학반응으로 분리되게 하고 비중차를 이용하여 연마재성분 탄화붕소(B₄C) 조분성분을 침전시키고 미분이 함유된 상등폐액을 분리하고 제거하는 1차 세정교반과정과,
1차 세정교반과정을 통해 얻은 탄화붕소(B₄C) 침천물을 세정용기에서 넣고 Di온수를 이용하여 교반 세정후 침전시키며 잔여 미분 및 유분이 포함된 상등수를 분리하고 제거하되, 교반세정후 침전의 단계를 수차례 반복하는 2차 세정교반과정과,
2차 세정교반과정에서 얻은 탄화붕소(B₄C)성분의 침전물을 열건조하되 0.3중량%미만의 함수율을 갖도록 건조하여서 탄화붕소(B₄C)성분 세정건조물을 얻는 건조과정과,
건조과정후 탄화붕소(B₄C)성분 세정건조물을 파쇄하는 파쇄과정과,
파쇄후 체분작업이나 기류식 분급작업중의 한가지를 이용하여 조분인 연마재용 탄화붕소(B₄C) 성분과 미분인 연마재용 탄화붕소(B₄C) 성분을 선별하는 선별과정으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 및 산업용 웨이퍼 절삭 및 연마에 사용된 폐연마재 재생방법.
제1항에 있어서, 상기 제1,제2 함수율 조절과정 및 건조과정은 기계적 탈수법, 주변환경을 이용한 자연건조법 및 열원을 이용한 강제건조법중 하나 이상을 이용하여서 수행함을 특징으로 하는 반도체 및 산업용 웨이퍼 절삭 및 연마에 사용된 폐연마재 재생방법.
제1항에 있어서, 상기 1차 세정교반과정에서는 세정용기 내부에 장착한 히터를 이용하여서 30℃~35℃로 가온 중에 교반하되, 사각 세정용기에 설치된 와류형성 유도판을 이용하여 와류에 의한 교반이 이루어질 수 있게 함을 특징으로 하는 반도체 및 산업용 웨이퍼 절삭 및 연마에 사용된 폐연마재 재생방법.
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 1차 세정교반과정에서 세정용기에 있는 연마재성분인 조분과 미분을 함유한 세정폐액의 비중차를 가속화시키기 위해 수평식 디켄터(Decanter)를 병행 사용하여 진행함을 특징으로 하는 반도체 및 산업용 웨이퍼 절삭 및 연마에 사용된 폐연마재 재생방법.
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 선별과정의 체분작업에서는 마이크로 체분기(micro sieve)를 이용하여 목적하는 입도에 맞게 1회 내지 수회까지 반복 체분작업하여서 연마재용 및 비연마재용 탄화붕소(B₄C) 성분을 선별하되, 다양한 크기의 눈을 가진 메쉬 스크린(Mesh Screen)을 여러 겹 설치하거나, 동일한 크기의 눈을 가진 메쉬 스크린(Mesh Screen)을 한 겹 또는 여러 겹 설치하여서 체분작업을 수행함을 특징으로 하는 반도체 및 산업용 웨이퍼 절삭 및 연마에 사용된 폐연마재 재생방법.