[go: up one dir, main page]

KR101517151B1 - Oled 소자용 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

Oled 소자용 기판 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101517151B1
KR101517151B1 KR1020140007088A KR20140007088A KR101517151B1 KR 101517151 B1 KR101517151 B1 KR 101517151B1 KR 1020140007088 A KR1020140007088 A KR 1020140007088A KR 20140007088 A KR20140007088 A KR 20140007088A KR 101517151 B1 KR101517151 B1 KR 101517151B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
tio
sio
granules
powder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020140007088A
Other languages
English (en)
Inventor
문병석
김윤지
김세민
Original Assignee
주식회사 지디
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 지디 filed Critical 주식회사 지디
Priority to KR1020140007088A priority Critical patent/KR101517151B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101517151B1 publication Critical patent/KR101517151B1/ko
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

OLED 소자용 기판 및 그 제조 방법이 개시된다. OLED 소자용 기판은 TiO2 분말(powder)로부터 TiO2 과립(granule)을 생성하는 단계; 기판의 상면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 TiO2 과립을 기판에 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 TiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형의 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 하는 단계; 상기 기판상에 형성된 상기 TiO2 층 표면을 연마(polishing)하는 단계에 의해 제조되도록 구성된다. 상기와 같은 OLED 소자용 기판 및 그 제조 방법에 의하면, 상온 과립 분사 공정에 의해 기판 상면의 TiO2 층과 기판 간의 계면 또는 기판 하면의 SiO2 층과 기판 간의 계면을 비정형의 나노 리플링(Rippling) 계면 구조로 형성함으로써, OLED 소자의 유기발광층에서 형성된 빛이 기판에서 전반사되는 웨이브가이드(waveguide) 현상을 방지하여 광 손실을 억제하는 효과가 있다. 이와 동시에, 기판과 공기 사이의 전반사 효과에 의한 광 손실까지도 줄일 수 있는 효과가 있다. 이와 동시에, 기판과 공기 사이의 전반사 효과에 의한 광 손실까지도 줄일 수 있는 효과가 있다.

Description

OLED 소자용 기판 및 그 제조 방법{SUBSTRATE FOR ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 OLED 기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 좀 더 구체적으로는 OLED 소자의 내부 및 외부 광추출 효율을 향상시키기 위한 기판 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
OLED 소자는 투명 유리 기판 또는 유연 폴리머 기판상에 투명 전극(Transparent anode) 층 및 금속 전극(Metal Cathode)층을 차례로 적층하고 상기 두 전극사이에는 다층 구조의 유기 반도체층을 적층하여 애노드로 부터 홀, 캐소드로 부터 전자를 주입시키면 상기 유기 반도체 층의 발광층에서 엑시톤(Exiton)의 형성 및 재결합을 통해 빛을 발생시키는 광소자이다.
OLED 소자는 스마트폰 및 테블릿등 휴대용 전자 정보 기기의 디스플레이 장치로 사용되고 있으며 최근 평판 TV용 디스플레이장치로 시장을 확대하고 있다.
또한 OLED 소자는 다양한 색온도의 백생광 발현이 가능하고 점광원인 LED와는 달리 면광원의 장점 때문에 LED와 더불어 차대세 조명용 광원으로 관심을 받고 있다.
그러나, OLED 소자는 발광층에서 발생된 빛의 80%는 기판을 포함한 소자내부 굴절률이 다른 각층에서 전반사 의해 트랩(trap) 되거나 흡수(absorption)되어 소자의 효율을 저하시키는 원인이 된다. 이에 내부 전반사를 억제하여 발광효율을 높이기위한 다양한 연구들이 지속적으로 이루어지고 있다.
대표적인 예는 기판 표면상에 요철을 형성한 후 고굴절 고분자 평탄층을 습식 코팅하는 방식과 기판과 투명전극 사이에 고굴절의 고분자 산란층 및 고분자 평탄층을 연속하여 습식 코팅하는 방법이 현재 가장 많이 사용되는 방법이다. 하지만 상기 기판상에 요철을 형성하는 방법으로는 샌딩(Sanding)에 의한 표면 요철 구조를 형성하는데 이는 유리 기판상에 마이크로 크랙(Micro Crack)을 발생시켜 기판의 내구성에 영향을 미치며 이러한 단점을 보완하기 위해 반도체/디스플레이 공정에서 사용되는 드라이 에칭(Dry Etching) 방식을 적용한 방법들이 고안되었지만 복잡한 공정과 고비용의 단점을 가지고 있다. 이에 등록특허공보 10-1262673은 샌딩 또는 드라이 에칭에 대한 문제점을 보완하기 위해 세라믹 분말을 이용한 상온 분말 분사 공정을 통해 기판상에 세라믹 박막을 증착시킨 후 습식식각 공정을 통해 상기 세라믹 박막을 제거하면 샌딩에 의한 마이크로 크랙 결함을 제거하는 동시에 습식 식각 공정을 통해 공정 단순화 및 저비용 공정의 실현이 가능하였다.
또한 상기 고분자 산란층 및 평탄층의 습식 코팅 공정은 열처리에 의해 수분 및 용매가 완전히 제거되지 않기 때문에 OLED 소자 제작 후 상기 고분자 화합물로부터 아웃 개싱(outgassing)에 의한 소자의 열화 현상이 발생되는 단점을 가지고 있다.
이에, 기존에는 유리 기판에 작은 크기의 요철 구조를 형성하여 굴절율에 변화를 일으킴으로써, 빛의 투과율을 높이는 방법이 이용되고 있다. 도 1a 및 도 1b를 통해 이를 도식적으로 설명한다.
도 1a는 종래의 낮은 광 추출 효율을 갖는 OLED 소자의 구성도이고, 도 1b는 요철 구조에 의한 높은 광 추출 효율을 갖는 OLED 소자의 구성도이다.
도 1a에서는 유리 기판에 요철 구조가 없으므로, 빛이 그대로 전반사되어 갇혀버리게 됨을 알 수 있다. 그러나, 도 1b에서는 유리 기판에 형성된 요철 구조가 전반사되는 빛의 굴절율을 변경시켜 대부분의 전반사되던 빛이 기판밖으로 추출되고 있음을 알 수 있다.
이에, 등록특허공보 10-1262673은 OLED 소자 기판의 제조 방법에 세라믹(ceramic) 분말을 기판 상에 증착한 후 불산(HF) 용액에서 식각하여 요철 구조가 형성된 유리 기판을 제조하는 것으로 기재되어 있다.
등록특허공보 10-1262673에서는 스퍼터링, 직분사, PVD 등의 방식을 이용하지 않기 때문에, 기판에 손상을 가하지 않고 공정이 간단하다는 장점이 있지만, 불산 식각 공정에 의해 공정 비용이 증가한다는 단점이 있다.
무엇보다도, 기존의 등록특허공보 10-1262673의 기술은 기판과 OLED(organic light emitting diode) 소자 간에 발생하는 웨이브가이드(waveguide) 현상에 의한 내부 전반사 손실을 줄이는 특징이 있지만, 기판과 공기 사이의 전반사에 의한 손실을 줄이는 데에는 한계가 있다는 문제점이 있다.
대한민국특허청 등록특허공보 10-1262673
본 발명의 목적은 OLED 소자용 기판을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 OLED 소자용 기판의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상술한 본 발명의 목적에 따른 OLED 소자용 기판은, TiO2 분말(powder)로부터 TiO2 과립(granule)을 생성하는 단계; 기판의 상면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 TiO2 과립을 기판에 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 TiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형의 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 하는 단계; 상기 기판상에 형성된 상기 TiO2 층 표면을 연마(polishing)하는 단계에 의해 제조된다.
여기에서, 상기 TiO2 과립은, TiO2 원료 분말을 밀링(milling)하여 D50(누적분포에서 최고 큰 값에 대하여 50%에 해당하는 크기 값)이 1.0㎛ 내지 2.0㎛ 인 TiO2 분말을 형성하는 단계; 1:1 비율의 상기 TiO2 분말 및 물과, PVA 0.08%의 바인더(binder), 0% 초과 0.03% 이하의 분산제, 0% 초과 0.03% 이하의 가소제를 혼합하여 혼합 액체를 생성하는 단계; 상기 생성된 혼합 액체를 교반하여 슬러리(slurry)를 생성하는 단계; 상기 생성된 슬러리를 분무 건조하여 50㎛내지 200㎛ 크기의 TiO2 과립을 생성하는 단계; 상기 바인더를 제거하고 상기 TiO2 과립의 표면을 경화하기 위하여 상기 TiO2를 400℃ 내지 800℃에서 열처리하는 단계에 의해 제조되도록 구성될 수 있다.
상술한 본 발명의 목적에 따른 OLED 소자용 기판은, SiO2 분말로부터 SiO2 과립을 생성하는 단계; 기판의 하면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 SiO2 과립을 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 SiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 하는 단계에 의해 제조된다.
여기에서, 상기 SiO2 과립은, SiO2 원료 분말을 밀링(milling)하여 D50(누적분포에서 최고 큰 값에 대하여 50%에 해당하는 크기 값)이 1.0㎛ 내지 2.0㎛인 SiO2 분말을 형성하는 단계; 1:1 비율의 상기 SiO2 분말 및 물과, PVA 0.08%의 바인더(binder), 0% 초과 0.03% 이하의 분산제, 0% 초과 0.03% 이하의 가소제를 혼합하여 혼합 액체를 생성하는 단계; 상기 생성된 혼합 액체를 교반하여 슬러리(slurry)를 생성하는 단계; 상기 생성된 슬러리를 분무 건조하여 50㎛ 내지 200㎛ 크기의 TiO2 과립을 생성하는 단계; 상기 바인더를 제거하고 상기 SiO2 과립의 표면을 경화하기 위하여 상기 SiO2를 400℃ 내지 800℃에서 열처리하는 단계에 의해 제조될 수 있다.
상술한 본 발명의 목적에 따른 OLED 소자용 기판은, TiO2 분말(powder)로부터 TiO2 과립(granule)을 생성하고, SiO2 분말로부터 SiO2 과립을 생성하는 단계; 기판의 상면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 TiO2 과립을 기판에 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 TiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되고 기판의 하면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 SiO2 과립을 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 SiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 하는 단계; 상기 기판의 상면에 형성된 TiO2 층 표면을 연마(polishing)하는 단계에 의해 제조된다.
여기에서, 상기 TiO2 과립은, TiO2 원료 분말을 밀링(milling)하여 D50(누적분포에서 최고 큰 값에 대하여 50%에 해당하는 크기 값)이 1.0㎛ 내지 2.0㎛ 인 TiO2 분말을 형성하는 단계; 1:1 비율의 상기 TiO2 분말 및 물과, PVA 0.08%의 바인더(binder), 0% 초과 0.03% 이하의 분산제, 0% 초과 0.03% 이하의 가소제를 혼합하여 혼합 액체를 생성하는 단계; 상기 생성된 혼합 액체를 교반하여 슬러리(slurry)를 생성하는 단계; 상기 생성된 슬러리를 분무 건조하여 50㎛ 내지 200㎛ 크기의 TiO2 과립을 생성하는 단계; 상기 바인더를 제거하고 상기 TiO2 과립의 표면을 경화하기 위하여 상기 TiO2를 400℃ 내지 800℃에서 열처리하는 단계에 의해 제조되도록 구성될 수 있다.
마찬가지로 상기 SiO2 과립은, SiO2 원료 분말을 밀링(milling)하여 D50(누적분포에서 최고 큰 값에 대하여 50%에 해당하는 크기 값)이 1.0㎛ 내지 2.0㎛인 SiO2 분말을 형성하는 단계; 1:1 비율의 상기 SiO2 분말 및 물과, PVA 0.08%의 바인더(binder), 0% 초과 0.03% 이하의 분산제, 0% 초과 0.03% 이하의 가소제를 혼합하여 혼합 액체를 생성하는 단계; 상기 생성된 혼합 액체를 교반하여 슬러리(slurry)를 생성하는 단계; 상기 생성된 슬러리를 분무 건조하여 50㎛ 내지 200㎛ 크기의 TiO2 과립을 생성하는 단계; 상기 바인더를 제거하고 상기 SiO2 과립의 표면을 경화하기 위하여 상기 SiO2를 400℃ 내지 800℃에서 열처리하는 단계에 의해 제조되도록 구성될 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적에 따른 OLED 소자용 기판의 제조 방법은, TiO2 분말(powder)로부터 TiO2 과립(granule)을 생성하는 단계; 기판의 상면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 TiO2 과립을 기판에 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 TiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형의 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 하는 단계; 상기 기판상에 형성된 상기 TiO2 층 표면을 연마(polishing)하는 단계를 포함하도록 구성될 수 있다.
이때, 상기 TiO2 분말(powder)로부터 TiO2 과립(granule)을 생성하는 단계는, TiO2 원료 분말을 밀링(milling)하여 D50(누적분포에서 최고 큰 값에 대하여 50%에 해당하는 크기 값)이 1.0㎛ 내지 2.0㎛인 TiO2 분말을 형성하는 단계; 1:1 비율의 상기 TiO2 분말 및 물과, PVA 0.08%의 바인더(binder), 0% 초과 0.03% 이하의 분산제, 0% 초과 0.03% 이하의 가소제를 혼합하여 혼합 액체를 생성하는 단계; 상기 생성된 혼합 액체를 교반하여 슬러리(slurry)를 생성하는 단계; 상기 생성된 슬러리를 분무 건조하여 50㎛ 내지 200㎛ 크기의 TiO2 과립을 생성하는 단계; 상기 바인더를 제거하고 상기 TiO2 과립의 표면을 경화하기 위하여 상기 TiO2를 400℃ 내지 800℃에서 열처리하는 단계를 포함하도록 구성될 수 있다.
그리고 상기 기판의 상면에 상온 분말 분사 공정을 이용하여 상기 TiO2 과립을 기판에 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 TiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형의 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 하는 단계는, 상기 기판이 위치한 증착실(120)에 TiO2 과립이 캐리어 가스 내에 부유한 상태로 노즐을 통해 가속 및 분사되어 상기 기판에 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 TiO2 박막을 증착하도록 구성될 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적에 따른 OLED 소자용 기판의 제조 방법은, SiO2 분말로부터 SiO2 과립을 생성하는 단계; 기판의 하면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 SiO2 과립을 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 SiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 하는 단계를 포함하도록 구성될 수 있다.
이때, 상기 SiO2 분말로부터 SiO2 과립을 생성하는 단계는, SiO2 원료 분말을 밀링(milling)하여 D50(누적분포에서 최고 큰 값에 대하여 50%에 해당하는 크기 값)이 1.0㎛ 내지 2.0㎛인 SiO2 분말을 형성하는 단계; 1:1 비율의 상기 SiO2 분말 및 물과, PVA 0.08%의 바인더(binder), 0% 초과 0.03% 이하의 분산제, 0% 초과 0.03% 이하의 가소제를 혼합하여 혼합 액체를 생성하는 단계; 상기 생성된 혼합 액체를 교반하여 슬러리(slurry)를 생성하는 단계; 상기 생성된 슬러리를 분무 건조하여 50㎛ 내지 200㎛ 크기의 TiO2 과립을 생성하는 단계; 상기 바인더를 제거하고 상기 SiO2 과립의 표면을 경화하기 위하여 상기 SiO2를 400℃ 내지 800℃에서 열처리하는 단계를 포함하도록 구성될 수 있다.
그리고 상기 기판의 하면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 SiO2 과립을 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 SiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 하는 단계는, 상기 기판이 위치한 증착실(120)에 SiO2과립이 캐리어 가스 내에 부유한 상태로 노즐을 통해 가속 및 분사되어 상기 기판에 100㎚ 내지 1.50㎛의 두께로 SiO2 박막을 증착하도록 구성될 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적에 따른 OLED 소자용 기판의 제조 방법은, TiO2 분말(powder)로부터 TiO2 과립(granule)을 생성하고, SiO2 분말로부터 SiO2 과립을 생성하는 단계; 기판의 상면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 TiO2 과립을 기판에 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 TiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되고 기판의 하면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 SiO2 과립을 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 SiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 하는 단계; 상기 기판의 상면에 형성된 TiO2 층 표면을 연마(polishing)하는 단계를 포함하도록 구성될 수 있다.
이때, 상기 TiO2 분말(powder)로부터 TiO2 과립(granule)을 생성하고, SiO2 분말로부터 SiO2 과립을 생성하는 단계는, 상기 TiO2 과립을 생성하기 위하여, TiO2 원료 분말을 밀링(milling)하여 D50(누적분포에서 최고 큰 값에 대하여 50%에 해당하는 크기 값)이 1.0㎛ 내지 2.0㎛인 TiO2 분말을 형성하는 단계; 1:1 비율의 상기 TiO2 분말 및 물과, PVA 0.08%의 바인더(binder), 0% 초과 0.03% 이하의 분산제, 0% 초과 0.03% 이하의 가소제를 혼합하여 혼합 액체를 생성하는 단계; 상기 생성된 혼합 액체를 교반하여 슬러리(slurry)를 생성하는 단계; 상기 생성된 슬러리를 분무 건조하여 50㎛ 내지 200㎛ 크기의 TiO2 과립을 생성하는 단계; 상기 바인더를 제거하고 상기 TiO2 과립의 표면을 경화하기 위하여 상기 TiO2를 400℃ 내지 800℃에서 열처리하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
그리고 상기 TiO2 분말(powder)로부터 TiO2 과립(granule)을 생성하고, SiO2 분말로부터 SiO2 과립을 생성하는 단계는, 상기 SiO2 과립을 생성하기 위하여, SiO2 원료 분말을 밀링(milling)하여 D50(누적분포에서 최고 큰 값에 대하여 50%에 해당하는 크기 값)이 1.0㎛ 내지 2.0㎛인 SiO2 분말을 형성하는 단계; 1:1 비율의 상기 SiO2 분말 및 물과, PVA 0.08%의 바인더(binder), 0% 초과 0.03% 이하의 분산제, 0% 초과 0.03% 이하의 가소제를 혼합하여 혼합 액체를 생성하는 단계; 상기 생성된 혼합 액체를 교반하여 슬러리(slurry)를 생성하는 단계; 상기 생성된 슬러리를 분무 건조하여 50㎛ 내지 200㎛ 크기의 TiO2 과립을 생성하는 단계; 상기 바인더를 제거하고 상기 SiO2 과립의 표면을 경화하기 위하여 상기 SiO2를 400℃ 내지 800℃에서 열처리하는 단계를 포함하도록 구성되는 것이 바람직하다.
그리고 상기 기판의 상면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 TiO2 과립을 기판에 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 TiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되고 기판의 하면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 SiO2 과립을 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 SiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 하는 단계는, 상기 기판이 위치한 증착실(120)에 TiO2 과립 또는 SiO2 과립이 캐리어 가스 내에 부유한 상태로 노즐을 통해 가속 및 분사되어 상기 기판에 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 TiO2 박막 또는 SiO2 박막을 증착하도록 구성될 수 있다.
상기와 같은 OLED 소자용 기판 및 그 제조 방법에 의하면, 상온 과립 분사 공정에 의해 기판 상면의 TiO2 층과 기판 간의 계면 또는 기판 하면의 SiO2 층과 기판 간의 계면을 비정형의 나노 리플링(Rippling) 계면 구조로 형성함으로써, OLED 소자의 유기발광층에서 형성된 빛이 기판에서 전반사되는 웨이브가이드(waveguide) 현상을 방지하여 광 손실을 제어하는 효과가 있다. 이와 동시에, 기판과 공기 사이의 전반사 효과에 의한 광 손실까지도 줄일 수 있는 효과가 있다.
한편, OLED 소자용 기판은 스퍼터링(sputtering)이나 CVD(chemical vapor deposition)을 사용하지 않아 기판의 손상이 억제됨은 물론, 상온 과립 분사 공정 방식을 이용하여 비정형의 나노 리플링 계면 구조의 박막을 형성하되 세라믹 과립(ceramic granule)에 의한 증착을 통해 불산 식각 공정이 불필요하게 됨으로써, 공정 비용이 줄어들고 공정 단계가 줄어들어 간소화되는 효과가 있다.
특히, 상온에서도 기공과 균열이 없는 코팅층의 형성이 가능하고, 다양한 세라믹 코팅이 가능하다는 장점이 있다.
도 1a는 종래의 낮은 광 추출 효율을 갖는 OLED 소자의 구성도이고, 도 1b는 요철 구조에 의한 높은 광 추출 효율을 갖는 OLED 소자의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 소자용 기판의 제조 공정도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예인 상온 분말 분사 공정 장비의 간략 구성도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 상온 분말 분사 공정의 모식도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 OLED 소자용 기판의 측면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 소자용 기판을 이용한 OLED 소자의 구성도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에 상세하게 설명하고자 한다.
그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
제1, 제2, A, B 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.
일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 소자용 기판의 제조 공정도이다.
도 2를 참조하면, 먼저 도 2의 (a)에서 TiO2 분말(powder) 및 SiO2 분말 각각으로부터 TiO2 과립(granule) 및 SiO2 과립을 생성한다.
먼저 도 2의 (a)를 참조하면, TiO2 분말(powder)로부터 TiO2 과립(granule)을 생성하고, SiO2 분말로부터 SiO2 과립을 생성하여 준비한다.
여기에서, TiO2 과립은 다음의 과정에 의해 생성될 수 있다.
먼저 TiO2 원료 분말을 밀링(milling)하여 D50(누적분포에서 최고 큰 값에 대하여 50%에 해당하는 크기 값)이 1.0㎛ 내지 2.0㎛ 인 TiO2 분말을 형성한다. 여기에서, D는 직경(diameter)이다.
그리고 1:1 비율의 TiO2 분말 및 물과, PVA 0.08%의 바인더(binder), 0% 초과 0.03% 이하의 분산제, 0% 초과 0.03% 이하의 가소제를 혼합하여 혼합 액체를 생성한다.
그리고 앞서 생성된 혼합 액체를 교반하여 슬러리(slurry)를 생성한다.
그리고 나서, 생성된 슬러리를 분무 건조하여 50㎛ 내지 200㎛ 크기의 TiO2 과립을 생성한다.
그리고 바인더를 제거하고 TiO2 과립의 표면을 경화하기 위하여 TiO2를 400℃ 내지 800℃에서 열처리한다.
마찬가지로 SiO2 과립 역시 이와 동일한 과정에 의해 다음과 같이 생성된다.
먼저 SiO2 원료 분말을 밀링(milling)하여 D50(누적분포에서 최고 큰 값에 대하여 50%에 해당하는 크기 값)이 1.0㎛ 내지 2.0㎛ 인 SiO2 분말을 형성한다. 여기에서, D는 직경(diameter)이다.
그리고 1:1 비율의 SiO2 분말 및 물과 PVA 0.08%의 바인더(binder), 0% 초과 0.03% 이하의 분산제, 0% 초과 0.03% 이하의 가소제를 혼합하여 혼합 액체를 생성한다.
그리고 앞서 생성된 혼합 액체를 교반하여 슬러리(slurry)를 생성한다.
그리고 나서, 슬러리를 분무 건조하여 50㎛ 내지 200㎛ 크기의 TiO2 과립을 생성한다.
그리고 바인더를 제거하고 SiO2 과립의 표면을 경화하기 위하여 SiO2를 400℃ 내지 800℃에서 열처리한다.
이러한 과정에 의해 생성된 TiO2 과립 및 SiO2 과립은 상온 과립 분사 공정 장비를 통하여 기판에 박막을 형성하는 데 이용된다.
도 2의 (b)는 유리 기판에 세라믹 과립이 증착되는 것을 모식적으로 나타낸다.
좀 더 구체적으로는, 기판의 상면에 상온 과립 분사 공정 방식에 따라 15℃ 내지 25℃의 상온에서 TiO2 과립을 충돌시켜 기판 상면의 TiO2 층과 기판 간의 계면에 비정형의 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 구성된다.
또한, 기판의 하면에 상온 과립 분사 공정 방식에 따라 15℃ 내지 25℃의 상온에서 SiO2 과립을 충돌시켜 기판 하면의 SiO2 층과 기판 간의 계면에 비정형의 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 구성된다.
여기에서, 다른 실시예로서 기판에 상면의 TiO2 박막 또는 하면의 SiO2 박막 중 어느 하나의 박막만 증착되도록 구성될 수도 있다.
즉, 기판의 상면에 상온 과립 분사 공정 방식에 따라 15℃ 내지 25℃의 온도에서 TiO2 과립을 충돌시켜 비정형의 나노 리플링(Rippling) 계면 구조의 TiO2 박막을 증착하거나 또는 기판의 하면에 상온 과립 분사 공정 방식에 따라 15℃ 내지 25℃의 온도에서 과립을 충돌시켜 비정형의 나노 리플링(Rippling) 계면 구조의 SiO2 박막을 증착하도록 구성될 수 있다.
세라믹 과립들이 기판의 양면에 각각 증착되어 나노 리플링(Rippling) 계면 구조의 박막이 형성된다.
여기에서,TiO2 박막과 SiO2 박막이 모두 증착되는 경우, TiO2의 증착과 SiO2 증착의 순서는 선후가 서로 바뀔 수 있다.
그리고 OLED 소자를 제작하기 위한 기판은 대략 두께 0.4 mm 내지 1.8 mm 정도가 적합하다. OLED 조명용인 경우에는 기판의 두께가 얇을수록 적합하다.
다음으로, 도 2의 (c)를 참조하면, 기판의 상면에 증착된 비정형의 나노 리플링(Rippling) 계면 구조의 TiO2 박막의 상면을 폴리싱(polishing)한다.
그리고 나서, 도 2의 (d)에서 보듯이 기판 상면의 폴리싱된 TiO2 박막 및 기판 하면에 증착된 SiO2 박막을 클리닝(cleaning)한다.
이렇게 제조된 OLED 소자용 기판은 이후의 OLED 소자 제조 공정에 이용되어 OLED 소자의 일부를 구성하게 된다.
도 2에서 보듯이 상온 과립 분사 공정 방식에 의해 기판의 상면과 하면에 각각 나노 리플링(Rippling) 계면 구조의 세라믹의 박막을 형성하여 OLED 소자 내부의 전반사는 물론 기판과 공기 간에 생기는 전반사도 제어할 수 있다.
그리고 기판 상면 및 하면의 세라믹 박막은 세라믹 과립에 의해 증착함으로써, 보다 용이하게 수십nm에서 수백nm의 사이즈를 갖는 나노 리플링(Rippling) 계면 구조를 형성하게 된다.
도 3은 상온 과립 분사 공정 장비의 간략 구성도이다.
도 3을 참조하면, TiO2 및 SiO2의 박막의 증착을 위한 상온 과립 분사 공정 장비의 구성이 나타나 있다. 상온 과립 분사 공정 장비는 캐리어 가스(carrier gas) 용기(100), 세라믹 분말 입자 공급 장치(feeder)(110), 증착실(deposition chamber)(120)로 구성된다. 그리고 증착실(120)은 진공 펌프(vacuum pump)(121), 노즐(nozzle)(122), 마스크(mask)(123), 기판 이송 장치(124)로 구성된다.
먼저 캐리어 가스 용기(100)에서는 캐리어 가스를 세라믹 분말 입자 공급 장치(feeder)(110)로 주입한다. 이때, 세라믹 분말 입자 공급 장치(feeder)(110)는 TiO2 박막만 증착되는 경우에는 TiO2 과립만이 부유하여 존재하게 되고 SiO2 박막만 증착되는 경우에는 SiO2 과립만 부유하여 존재하게 된다.
캐리어 가스는 이러한 부유 상태의 세라믹 과립을 진공 상태의 증착실(120)로 이동시킨다. 증착실(120)은 진공 펌프(121)에 의해 이미 진공 상태로 존재하도록 구성되어 캐리어 가스가 이동하게 된다. 이러한 캐리어 가스는 수 ㎝ 길이의 노즐(122)을 통해 증착실(120)로 유도되는 것이 바람직하다. 이는 실험적으로 캐리어 가스에 의해 실려가는 세라믹 과립의 이송 속도와 증착실(120)내 진공도 등과 관련이 깊다.
또한, 노즐(122)은 기판 이송 장치(124)에 구비된 기판에 수백 ㎚ 내지 수십 ㎛의 두께로 세라믹 박막을 증착한다.
바람직하게는, 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착할 수 있다.
앞서 설명한 등록 특허 10-1262673의 OLED 소자 기판의 제조 방법보다 박막 형성 과정이 보다 용이하고 비용이 절감되며, 상온에서도 가능하다는 장점이 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 상온 과립 분사 공정의 모식도이다.
도 4를 참조하면, 도 4의 (a)에서는 TiO2 과립이 노즐(122)로부터 분사되어 유리 기판(glass)에 충돌하는 것을 나타낸다.
다음으로, 도 4의 (b)에서는 TiO2 과립이 분쇄되면서 일부 입자들이 유리 기판에 박히거나 서로 강력한 결합을 하고 다음 과립이 충돌하여 분쇄되면서 다시 결합하는 과정을 나타낸다.
다음으로, 도 4의 (c)에서는 유리 기판에 박힌 입자들이 나노 리플링(rippling) 계면 구조를 형성하는 것을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 OLED 소자용 기판의 측면도이다.
도 5를 참조하면, 도 4의 방식으로 기판의 상면과 하면에 각각 증착되어 TiO2와 SiO2로 구성된 나노 리플링(rippling) 계면 구조를 형성하여 빛의 굴절이 발생하고, OLED 소자 내부의 광 손실과 OLED 소자 외부의 광 손실을 제어할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 소자용 기판을 이용한 OLED 소자의 구성도이다.
도 6에 따르면, 본 발명에 따른 기판을 이용하여 최종적으로 제조된 OLED 소자를 나타낸다. 기존과 달리 OLED 소자의 기판 하면에 외부 광 추출을 위한 나노 리플링(rippling) 계면 구조가 형성되어 있음을 알 수 있다.
이는 OLED 소자가 디스플레이 또는 조명용 등에 이용될 때, 보다 밝고 효율이 높은 소자로 이용될 수 있음을 의미하며, 궁극적으로는 에너지 절감 및 비용 절감을 가져올 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 캐리어 가스 용기 110: 세라믹 분말 입자 공급 장치
120: 증착실 121: 진공 펌프
122: 노즐 123: 마스크
124: 기판 이송 장치

Claims (15)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. TiO2 분말(powder)로부터 TiO2 과립(granule)을 생성하는 단계;
    기판의 상면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 TiO2 과립을 기판에 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 TiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형의 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 하는 단계;
    상기 기판상에 형성된 상기 TiO2 층 표면을 연마(polishing)하는 단계에 의해 제조되는 OLED 소자용 기판 제조 방법.
  7. SiO2 분말로부터 SiO2 과립을 생성하는 단계;
    기판의 하면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 SiO2 과립을 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 SiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 하는 단계에 의해 제조되는 OLED 소자용 기판 제조 방법.
  8. TiO2 분말(powder)로부터 TiO2 과립(granule)을 생성하고, SiO2 분말로부터 SiO2 과립을 생성하는 단계;
    기판의 상면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 TiO2 과립을 기판에 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 TiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되고 기판의 하면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 SiO2 과립을 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 SiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 하는 단계;
    상기 기판의 상면에 형성된 TiO2 층 표면을 연마(polishing)하는 단계에 의해 제조되는 OLED 소자용 기판 제조 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 TiO2 분말(powder)로부터 TiO2 과립(granule)을 생성하는 단계는,
    TiO2 원료 분말을 밀링(milling)하여 D50(누적분포에서 최고 큰 값에 대하여 50%에 해당하는 크기 값)이 1.0㎛ 내지 2.0㎛인 TiO2 분말을 형성하는 단계;
    1:1 비율의 상기 TiO2 분말 및 물과, PVA 0.08%의 바인더(binder), 0% 초과 0.03% 이하의 분산제, 0% 초과 0.03% 이하의 가소제를 혼합하여 혼합 액체를 생성하는 단계;
    상기 생성된 혼합 액체를 교반하여 슬러리(slurry)를 생성하는 단계;
    상기 생성된 슬러리를 분무 건조하여 50㎛ 내지 200㎛ 크기의 TiO2 과립을 생성하는 단계;
    상기 바인더를 제거하고 상기 TiO2 과립의 표면을 경화하기 위하여 상기 TiO2를 400℃ 내지 800℃에서 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 OLED 소자용 기판 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 SiO2 분말로부터 SiO2 과립을 생성하는 단계는,
    SiO2 원료 분말을 밀링(milling)하여 D50(누적분포에서 최고 큰 값에 대하여 50%에 해당하는 크기 값)이 1.0㎛ 내지 2.0㎛인 SiO2 분말을 형성하는 단계;
    1:1 비율의 상기 SiO2 분말 및 물과, PVA 0.08%의 바인더(binder), 0% 초과 0.03% 이하의 분산제, 0% 초과 0.03% 이하의 가소제를 혼합하여 혼합 액체를 생성하는 단계;
    상기 생성된 혼합 액체를 교반하여 슬러리(slurry)를 생성하는 단계;
    상기 생성된 슬러리를 분무 건조하여 50㎛ 내지 200㎛ 크기의 TiO2 과립을 생성하는 단계;
    상기 바인더를 제거하고 상기 SiO2 과립의 표면을 경화하기 위하여 상기 SiO2를 400℃ 내지 800℃에서 열처리하는 단계를 포함하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 OLED 소자용 기판 제조 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 TiO2 분말(powder)로부터 TiO2 과립(granule)을 생성하고, SiO2 분말로부터 SiO2 과립을 생성하는 단계는,
    상기 TiO2 과립을 생성하기 위하여,
    TiO2 원료 분말을 밀링(milling)하여 D50(누적분포에서 최고 큰 값에 대하여 50%에 해당하는 크기 값)이 1.0㎛ 내지 2.0㎛인 TiO2 분말을 형성하는 단계;
    1:1 비율의 상기 TiO2 분말 및 물과, PVA 0.08%의 바인더(binder), 0% 초과 0.03% 이하의 분산제, 0% 초과 0.03% 이하의 가소제를 혼합하여 혼합 액체를 생성하는 단계;
    상기 생성된 혼합 액체를 교반하여 슬러리(slurry)를 생성하는 단계;
    상기 생성된 슬러리를 분무 건조하여 50㎛ 내지 200㎛ 크기의 TiO2 과립을 생성하는 단계;
    상기 바인더를 제거하고 상기 TiO2 과립의 표면을 경화하기 위하여 상기 TiO2를 400℃ 내지 800℃에서 열처리하는 단계를 포함하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 OLED 소자용 기판 제조 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 TiO2 분말(powder)로부터 TiO2 과립(granule)을 생성하고, SiO2 분말로부터 SiO2 과립을 생성하는 단계는,
    상기 SiO2 과립을 생성하기 위하여,
    SiO2 원료 분말을 밀링(milling)하여 D50(누적분포에서 최고 큰 값에 대하여 50%에 해당하는 크기 값)이 1.0㎛ 내지 2.0㎛인 SiO2 분말을 형성하는 단계;
    1:1 비율의 상기 SiO2 분말 및 물과, PVA 0.08%의 바인더(binder), 0% 초과 0.03% 이하의 분산제, 0% 초과 0.03% 이하의 가소제를 혼합하여 혼합 액체를 생성하는 단계;
    상기 생성된 혼합 액체를 교반하여 슬러리(slurry)를 생성하는 단계;
    상기 생성된 슬러리를 분무 건조하여 50㎛ 내지 200㎛ 크기의 TiO2 과립을 생성하는 단계;
    상기 바인더를 제거하고 상기 SiO2 과립의 표면을 경화하기 위하여 상기 SiO2를 400℃ 내지 800℃에서 열처리하는 단계를 포함하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 OLED 소자용 기판 제조 방법.
  13. 제6항에 있어서, 상기 기판의 상면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 TiO2 과립을 기판에 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 TiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형의 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 하는 단계는,
    상기 기판이 위치한 증착실(120)에 TiO2 과립이 캐리어 가스 내에 부유한 상태로 노즐을 통해 가속 및 분사되어 상기 기판에 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 TiO2 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 OLED 소자용 기판 제조 방법.
  14. 제7항에 있어서, 상기 기판의 하면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 SiO2 과립을 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 SiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 하는 단계는,
    상기 기판이 위치한 증착실(120)에 SiO2 과립이 캐리어 가스 내에 부유한 상태로 노즐을 통해 가속 및 분사되어 상기 기판에 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 SiO2 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 OLED 소자용 기판 제조 방법.
  15. 제8항에 있어서, 상기 기판의 상면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 TiO2 과립을 기판에 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 TiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되고 기판의 하면에 상온 과립 분사 공정을 이용하여 상기 SiO2 과립을 충돌시켜 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 증착하여 상기 증착된 SiO2 층과 상기 기판이 만나는 계면은 비정형 나노 리플링(Rippling) 계면 구조가 형성되도록 하는 단계는,
    상기 기판이 위치한 증착실(120)에 TiO2 과립 또는 SiO2 과립이 캐리어 가스 내에 부유한 상태로 노즐을 통해 가속 및 분사되어 상기 기판에 100㎚ 내지 1.5㎛의 두께로 TiO2 박막 또는 SiO2 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 OLED 소자용 기판 제조 방법.

KR1020140007088A 2014-01-21 2014-01-21 Oled 소자용 기판 및 그 제조 방법 Expired - Fee Related KR101517151B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140007088A KR101517151B1 (ko) 2014-01-21 2014-01-21 Oled 소자용 기판 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140007088A KR101517151B1 (ko) 2014-01-21 2014-01-21 Oled 소자용 기판 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101517151B1 true KR101517151B1 (ko) 2015-05-04

Family

ID=53393725

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140007088A Expired - Fee Related KR101517151B1 (ko) 2014-01-21 2014-01-21 Oled 소자용 기판 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101517151B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100106413A (ko) * 2007-11-22 2010-10-01 쌩-고벵 글래스 프랑스 전극을 갖는 기재, 상기 기재를 포함하는 유기 전기발광 장치, 및 그의 제조 방법
KR20100138939A (ko) * 2008-03-18 2010-12-31 아사히 가라스 가부시키가이샤 전자 디바이스용 기판, 유기 ｌｅｄ 소자용 적층체 및 그의 제조 방법, 유기 ｌｅｄ 소자 및 그의 제조 방법
KR20120085377A (ko) * 2011-01-24 2012-08-01 노바테크인더스트리 주식회사 고효율 광 추출이 가능한 유리기판의 제조방법 및 제조시스템
KR101262673B1 (ko) * 2012-12-27 2013-05-15 주식회사 지디 Ｏｌｅｄ 조명용 고효율 광 추출 유리 기판의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100106413A (ko) * 2007-11-22 2010-10-01 쌩-고벵 글래스 프랑스 전극을 갖는 기재, 상기 기재를 포함하는 유기 전기발광 장치, 및 그의 제조 방법
KR20100138939A (ko) * 2008-03-18 2010-12-31 아사히 가라스 가부시키가이샤 전자 디바이스용 기판, 유기 ｌｅｄ 소자용 적층체 및 그의 제조 방법, 유기 ｌｅｄ 소자 및 그의 제조 방법
KR20120085377A (ko) * 2011-01-24 2012-08-01 노바테크인더스트리 주식회사 고효율 광 추출이 가능한 유리기판의 제조방법 및 제조시스템
KR101262673B1 (ko) * 2012-12-27 2013-05-15 주식회사 지디 Ｏｌｅｄ 조명용 고효율 광 추출 유리 기판의 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6342895B2 (ja) 凹凸構造を有する基板の製造方法
JP6438678B2 (ja) 凹凸構造を有するフィルム部材
TW201622205A (zh) 具有凹凸圖案之構件的製造方法
KR20140024326A (ko) 유기 el 소자용의 광 취출 투명 기판 및 그것을 사용한 유기 el 소자
CN105350077B (zh) 一种利用聚合物模板制备光子晶体闪烁体的方法
CN103466958A (zh) 一种光学玻璃湿法防眩方法
KR20170132257A (ko) 광 산란 표면을 포함하는 도파관 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP6612130B2 (ja) 発光素子
WO2017080107A1 (zh) 一种有序的图案化远程荧光晶体材料及其制备方法和用途
CN103730577A (zh) 制造图案化基板的方法
CN107637167A (zh) 发光元件
KR101517151B1 (ko) Oled 소자용 기판 및 그 제조 방법
KR101427684B1 (ko) 내구성이 향상된 발수성 표면의 제조방법 및 발수성 표면이 형성된 기판
CN105518896A (zh) 用于制造超薄有机发光装置的方法
KR101262673B1 (ko) Ｏｌｅｄ 조명용 고효율 광 추출 유리 기판의 제조 방법
KR101695525B1 (ko) 금속산화물 나노입자가 분산된 광추출층 제조방법과 이의 방법으로 이루어진 광추출층을 포함하는 유기발광다이오드 소자
JP2011181497A (ja) 有機照明装置の製造方法
CN104934545A (zh) 有机发光二极管器件及其制备方法
CN202817032U (zh) 一种提高底发射有机电致发光器件出光率的结构
TWI652844B (zh) 發光元件
KR101638099B1 (ko) Oled 기판 제조 방법, 이에 의해 제조된 oled 기판
Ma et al. Optically functional surface structures for GaN-based light-emitting diodes
CN108389980B (zh) 含中空气泡的光提取膜、有机发光二极管及加工方法
KR101667105B1 (ko) 무기바인더를 이용한 평탄층의 제조방법 및 그에 따른 광 추출 기판
KR101621522B1 (ko) Oled 기판의 제조방법, 및 이에 의해 제조된 oled 기판

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20140121

PA0201 Request for examination
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20150126

Patent event code: PE09021S01D

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20150413

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20150427

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20150427

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20150427

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180514

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180514

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190425

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190425

Start annual number: 5

End annual number: 5

PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20210208