[go: up one dir, main page]

KR101505625B1 - Wafer holding apparatus and plasma treating apparatus using the same - Google Patents

Wafer holding apparatus and plasma treating apparatus using the same Download PDF

Info

Publication number
KR101505625B1
KR101505625B1 KR1020140161580A KR20140161580A KR101505625B1 KR 101505625 B1 KR101505625 B1 KR 101505625B1 KR 1020140161580 A KR1020140161580 A KR 1020140161580A KR 20140161580 A KR20140161580 A KR 20140161580A KR 101505625 B1 KR101505625 B1 KR 101505625B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
clamp
chamber
substrate tray
clamping mechanism
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020140161580A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정상곤
김형원
구황섭
김현제
정희석
Original Assignee
주식회사 기가레인
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 기가레인 filed Critical 주식회사 기가레인
Priority to KR1020140161580A priority Critical patent/KR101505625B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101505625B1 publication Critical patent/KR101505625B1/en
Priority to CN201510675845.5A priority patent/CN105609399B/en
Priority to TW104134187A priority patent/TWI534946B/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715Workpiece holder
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

A wafer fixture and a plasma processing device using the same are provided. The wafer fixture and the plasma processing device using the same includes: a chamber having a space to generate the plasma and a chuck fixated on a bottom end of an upper end wall section; a first clamp device installed in the upper end wall section of the chamber, having a first clamp where a substrate tray is seated and able to vertically slide inside the chamber to enable the substrate tray to come in contact with the chuck to be fixated when the first clamp device rises; and a second clamp device installed in the upper end wall section of the chamber and able to vertically slide inside the chamber covering the first clamp and the substrate tray, and enabling the first clamp and the substrate tray to closely be attached to the chuck together when the second clamp rises.

Description

웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치 {WAFER HOLDING APPARATUS AND PLASMA TREATING APPARATUS USING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a wafer holding apparatus and a plasma processing apparatus using the same,

본 발명은 플라즈마 처리 장치 내부에 기판 트레이를 견고히 고정하기 위한 것으로, 특히 챔버의 하부에서 플라즈마가 형성되는 방식의 플라즈마 처리 장치에 적용되어 기판 트레이를 챔버 내에 고정할 수 있는 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a wafer holding apparatus for firmly fixing a substrate tray inside a plasma processing apparatus, and particularly to a wafer holding apparatus which can be applied to a plasma processing apparatus in which a plasma is formed in a lower portion of a chamber, Processing apparatus.

일반적으로, 반도체에 사용되는 웨이퍼 및 정밀을 요하는 박막 가공공정에 플라즈마를 이용한 식각과 증착법을 사용하여 제품의 정밀도를 향상시키고 있다.Generally, the accuracy of a product is improved by using etching and vapor deposition methods using plasma for a wafer used for a semiconductor and a thin film processing process requiring precision.

이렇게, 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 처리 장치는 외형을 형성하는 챔버와 챔버의 외측에 설치되는 안테나 및 챔버 내부에 웨이퍼를 거치시키는 척으로 구성된다.In this way, the plasma processing apparatus for generating a plasma is constituted by a chamber for forming an outer shape, an antenna provided outside the chamber, and a chuck for mounting the wafer inside the chamber.

이를 통해, 상기의 안테나는 고주파를 공급하고, 고주파수에 의해 챔버 내부에 플라즈마가 형성되어 척에 거치된 웨이퍼를 가공하게 된다.Accordingly, the antenna supplies a high frequency, and a plasma is formed in the chamber by a high frequency to process the wafer mounted on the chuck.

종래의 플라즈마 처리 장치는 챔버 상부에 플라즈마를 형성하고, 하부에 트레이를 고정하여 플라즈마로 트레이에 안착된 웨이퍼(기판)를 에칭하였다. 이는, 챔버 상부에 발생한 공정 부산물이 중력에 의하여 기판에 안착됨에 공정 부산물이 기판의 공정에 영향을 주어 원활한 에칭 작업이 수행되지 않음에 따라 불량이 발생되는 문제가 있다.Conventional plasma processing apparatuses have formed a plasma on an upper part of a chamber, fixed a tray on a lower part thereof, and etched a wafer (substrate) placed on a tray by a plasma. This is because the byproducts generated in the upper portion of the chamber are seated on the substrate due to gravity, and thus the process by-products affects the process of the substrate, thereby failing to perform a smooth etching operation.

이러한 문제를 해결하기 위해, 챔버의 상부에 트레이를 고정하고, 하부에 플라즈마를 형성하는 방안이 제시되고 있다. 이로 인해, 기판에 공정 부산물이 안착됨에 따라 불량이 발생되는 문제를 해소하였지만, 기판이 종래의 상면을 향하는 것에 반해, 하면을 향하고 있어 트레이를 챔버의 상부에 견고히 고정하는데 문제가 발생되었다.
In order to solve such a problem, there has been proposed a method of fixing a tray to an upper portion of a chamber and forming a plasma at a lower portion thereof. This solves the problem that defects occur due to the deposition of the process byproducts on the substrate. However, the substrate faces the lower surface of the substrate while facing the lower surface of the substrate, and the tray is firmly fixed to the upper portion of the chamber.

종래의 일본특허공개공보 2004-285469 A 는 "재치대 처리 장치 및 방법"을 제시한다. 하지만, 이러한 선행문헌에서는 평행 평판식 전극 사이에 고주파 전력을 인가하여 플라즈마를 발생하고, 이 플라즈마에 의해 공정 가스를 활성화시켜 비교적 저온에서 소정의 성막 처리나 에칭 처리하는 점만이 개시되어 있을 뿐, 챔버 내부에서 기판 트레이를 견고히 고정하는 수단에 대해서는 개시되어 있지 않다.
Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-285469 A discloses a "device and method for disposing of wafers." However, in this prior art, only plasma plasma is generated by applying high-frequency electric power between parallel plate type electrodes, and the process gas is activated by the plasma to perform predetermined film formation processing or etching treatment at a relatively low temperature. Means for firmly securing the substrate tray therein is not disclosed.

상기의 배경기술로서 설명된 사항들은 본 발명의 배경에 대한 이해 증진을 위한 것일 뿐, 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 이미 알려진 종래기술에 해당함을 인정하는 것으로 받아들여져서는 안 될 것이다.
It should be understood that the foregoing description of the background art is merely for the purpose of promoting an understanding of the background of the present invention and is not to be construed as an admission that the prior art is known to those skilled in the art.

일본특허공개공보 JP 2004-285469 AJapanese Patent Application Laid-Open No. 2004-285469 A

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 챔버의 하부에서 플라즈마가 형성되는 방식의 플라즈마 처리 장치에 있어서, 챔버 내부에 기판 트레이를 견고히 고정하고, 기판 트레이의 주변 공정환경이 균일하도록 하여 에칭 작업시 오류발생을 최소화하는 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed in order to solve such problems, and it is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus in which a plasma is formed in a lower part of a chamber, a substrate tray is firmly fixed in a chamber, An object of the present invention is to provide a wafer holding apparatus and a plasma processing apparatus using the same.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 플라즈마가 생성되는 공간이 구비되고 상단벽부의 하단에 척이 고정된 챔버; 상기 챔버의 상단벽부에 설치되며, 기판 트레이가 안착되는 제1클램프가 마련되고, 챔버의 내부에서 상하방향으로 승강 가능하게 마련됨으로써 상승 동작시 기판 트레이가 척에 접촉되어 고정되도록 하는 제1클램프 기구; 및 상기 챔버의 상단벽부에 설치되며, 챔버의 내부에서 상하방향으로 승강 가능하도록 마련되고, 상기 제1클램프와 기판 트레이를 감싸도록 형성된 제2클램프의 상승 동작시 제1클램프와 함께 기판 트레이가 척에 밀착되도록 하는 제2클램프 기구;를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus including: a chamber having a space for generating a plasma and having a chuck fixed to a lower end of a top wall; A first clamping unit installed on an upper wall of the chamber and provided with a first clamp on which a substrate tray is seated and a first clamping mechanism provided on the chamber so as to be vertically movable up and down, ; And a second clamp which is provided on the upper wall of the chamber and is vertically movable in the chamber, and which is configured to enclose the first clamp and the substrate tray, And a second clamping mechanism for bringing the second clamping mechanism into close contact with the second clamping mechanism.

상기 챔버는 상단벽부에 척이 고정되고, 하단벽부에서 상방으로 공정가스가 공급되며, 측단벽부의 상측으로 진공펌프가 연결되고 하측으로 안테나가 마련된 것을 특징으로 한다.The chamber is characterized in that the chuck is fixed to the upper wall portion, the process gas is supplied upwardly from the lower wall portion, the vacuum pump is connected to the upper side of the side wall portion, and the antenna is provided to the lower side.

제1클램프 기구는, 상기 챔버의 상단벽부 상단에 고정 설치되며, 상하방향으로 길이가 가변되는 제1길이조절부;와 상기 제1길이조절부의 상측에 위치되며, 제1길이조절부가 연결되어 제1길이조절부에 의해 상하로 이동되는 제1동작부;와 상기 제1동작부에서 하방으로 연장되어 챔버의 상단벽부를 관통하고, 연장된 끝단에는 챔버의 내부에서 기판 트레이가 안착되는 제1클램프가 구비된 제1지지부;로 구성된 것을 특징으로 한다.The first clamp mechanism may include a first length adjuster fixed to the upper end of the upper wall of the chamber and having a length varying in the vertical direction and a second length adjuster located on the upper side of the first length adjuster, A first clamping part extending downward from the first actuating part and passing through the upper wall part of the chamber and having an extended end on which a substrate tray is seated inside the chamber; And a first support portion provided with the first support portion.

상기 제1길이조절부는 챔버 상단벽부에 고정된 실린더와 실린더에서 상하방향으로 승강되도록 마련되며, 제1동작부가 연결되는 피스톤 로드;로 구성된 것을 특징으로 한다.The first length adjuster includes a cylinder fixed to the upper wall of the chamber, and a piston rod connected to the first actuator so as to be vertically moved up and down in the cylinder.

상기 제1동작부는 챔버의 상단벽부와 수평하게 배치되고, 중심에는 상기 제1길이조절부가 연결되며, 중심에서 방사상으로 동일한 길이와 등각을 이루는 적어도 둘 이상의 제1연결암이 연장 형성되어 제1지지부가 연결된 것을 특징으로 한다.At least two first connection arms radially extending from the center and extending at an equal angle and extending from the center of the first and second connection arms, And are connected to each other.

상기 제1동작부의 제1연결암은 탄성적으로 휘어짐이 가능하도록 형성된 것을 특징으로 한다.The first connection arm of the first operation part is formed to be elastically warped.

상기 제1동작부는 중심에서 방사상으로 세 개의 제1연결암이 연장 형성된 것을 특징으로 한다.The first operating portion is characterized in that three first connecting arms extend radially from the center.

상기 제1지지부는 제1동작부의 제1연결암에 일단이 연결되고, 타단이 하방으로 연장되어 그 끝단이 챔버 내부의 척보다 하측에 위치되며, 타단에는 챔버의 중앙을 향해 플랜지 형태로 연장된 제1클램프가 마련된 것을 특징으로 한다.The first support part is connected to the first connection arm of the first operation part and has one end extended downward and an end thereof positioned below the chuck inside the chamber and a flange extending toward the center of the chamber at the other end And a first clamp is provided.

상기 복수의 제1연결암에 연결된 각각의 제1지지부는 링 형태로 형성된 연결고리의 외주 둘레에 연결된 것을 특징으로 한다.And each first support portion connected to the plurality of first connection arms is connected to an outer periphery of a connection ring formed in a ring shape.

상기 연결고리는 제1지지부의 연장된 끝단에서 제1클램프보다 상측에 연결된 것을 특징으로 한다.And the connecting link is connected to the upper end of the first supporting portion above the first clamp.

상기 챔버에는 상단벽부의 상단에 고정 설치되고, 상방으로 연장되어 제1클램프 기구와 제2클램프 기구가 연결됨으로써 제1클램프 기구와 제2클램프 기구가 동일 방향으로 승강되도록 하며, 연장된 끝단에는 고정 판넬이 마련된 가이드지지부가 형성된 것을 특징으로 한다.The chamber is fixed to the upper end of the upper wall portion and extends upward so that the first clamping mechanism and the second clamping mechanism are connected so that the first clamping mechanism and the second clamping mechanism are moved up and down in the same direction, And a guide support portion provided with a panel is formed.

상기 제2클램프기구는, 고정 판넬의 하단에 고정 설치되며, 상하방향으로 길이가 가변되는 제2길이조절부;와 상기 제2길이조절부의 하측에 위치되며, 제2길이조절부가 연결되어 제2길이조절부에 의해 상하로 이동되는 제2동작부;와 상기 제2동작부에서 하방으로 연장되어 챔버의 상단벽부를 관통하고, 연장된 끝단에는 챔버의 내부에서 제1클램프와 함께 기판 트레이를 감싸는 제2클램프가 구비된 제2지지부;로 구성된 것을 특징으로 한다.The second clamp mechanism may include a second length adjuster fixed to a lower end of the fixed panel and having a variable length in a vertical direction, a second length adjuster positioned below the second length adjuster, A second actuating part extending downward from the second actuating part and passing through the upper wall part of the chamber and having an extended end which surrounds the substrate tray with the first clamp inside the chamber, And a second support having a second clamp.

상기 제2길이조절부는 제2동작부에 고정된 실린더와 실린더에서 상하방향으로 승강되도록 마련되며, 고정 판넬에 연결되는 피스톤 로드;로 구성된 것을 특징으로 한다.The second length adjuster includes a cylinder fixed to the second actuating part, and a piston rod connected to the fixed panel, the piston rod being vertically raised and lowered in the cylinder.

상기 제2동작부는 챔버의 상단벽부와 수평하게 배치되고, 중심에는 상기 제2길이조절부가 연결되며, 중심에서 방사상으로 동일한 길이와 등각을 이루는 적어도 둘 이상의 제2연결암이 연장 형성되어 제2지지부가 연결된 것을 특징으로 한다.The second actuating part is disposed horizontally with the upper wall part of the chamber, the second length adjusting part is connected to the center thereof, and at least two second connecting arms radially extending from the center and having the same length and angle are extended, And are connected to each other.

상기 제2동작부의 제2연결암은 탄성적으로 휘어짐이 가능하도록 형성된 것을 특징으로 한다.And the second connection arm of the second operation portion is formed to be elastically warped.

상기 제2지지부는 제2동작부의 제2연결암에 일단이 연결되고, 타단이 하방으로 연장되어 그 끝단이 제1클램프보다 하측에 위치되며, 타단에는 링 형태로 형성되어 제1클램프와 기판 트레이를 감싸는 제2클램프가 마련된 것을 특징으로 한다.The second support part has one end connected to the second connection arm of the second operation part, the other end extending downward, the end of the second support part being positioned lower than the first clamp, and the other end of the second support part being formed in a ring shape, And a second clamp which surrounds the first clamp.

상기 제2클램프는 링 형태로 형성되며, 외주 둘레에는 제1클램프가 수용되는 삽입홈과 기판 트레이가 안착되는 지지홈이 형성된 것을 특징으로 한다.The second clamp is formed in a ring shape, and an insertion groove for receiving the first clamp and a support groove for receiving the substrate tray are formed around the outer periphery.

상기 가이드지지부의 고정 판넬에는 하방으로 연장되어 제1동작부의 상측에 위치되는 멈춤부가 형성됨으로써 제1동작부가 상방으로 과도한 이동시 멈춤부에 접촉되어 이동이 제한되도록 하는 것을 특징으로 한다.And a stopper portion extending downwardly and located on the upper side of the first operation portion is formed on the fixing panel of the guide support portion so that the first operation portion abuts on the stopper portion when the first operation portion is moved excessively upward,

바닥면에서 양측으로 대칭되는 플레이트가 구비되며, 양 플레이트에는 상하방향으로 다단을 이루며 상호 마주보는 방향을 향해 돌출된 지지대;와 상기 지지대에 안착되며, 중앙부에는 기판 트레이의 둘레보다 작은 둘레로 이송홈이 형성되고 전방부가 이송홈과 이어지도록 개방되며, 이송홈의 둘레를 따라 기판 트레이가 안착되는 안착홈이 형성된 거치대;와 상기 거치대에 안착된 기판 트레이를 상기 챔버 내로 이송시켜 제1클램프 기구에 안착시키는 이송기구;를 포함하는 카세트 모듈이 더 마련된 것을 특징으로 한다.A support plate protruding in a direction opposite to each other, and a support plate mounted on the support plate, the support plate being disposed at a central portion of the support plate, the plate being symmetric with respect to the base plate, The substrate tray is placed in the chamber so that the substrate tray is seated in the first clamping mechanism. The substrate tray is seated on the first clamping mechanism, And a cassette module including the cassette module.

상기 카세트 모듈은 지지대에 설치되어 지지대에 안착된 기판 트레이의 유무를 판단하는 센서부가 설치된 것을 특징으로 한다.The cassette module is provided with a sensor unit installed on a support and determining the presence or absence of a substrate tray mounted on a support.

상기 이송기구는 기판 트레이의 하면과 접촉되도록 평면으로 형성되며, 둘레에는 기판 트레이의 미끄러짐을 방지하는 고무패드가 마련되며, 중앙에는 하중을 분산하기 위한 분산홀이 형성된 것을 특징으로 한다.The conveying mechanism is formed in a plane to be in contact with the lower surface of the substrate tray, and a rubber pad for preventing slippage of the substrate tray is provided around the substrate tray, and a dispersion hole for dispersing a load is formed at the center.

한편, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 고정 장치는 기판 트레이가 안착되는 제1클램프가 마련되고, 챔버의 내부에서 상하방향으로 승강 가능하게 마련됨으로써 동작시 기판 트레이가 챔버 내의 척에 접촉되어 고정되도록 하는 제1클램프 기구; 및 상기 제1클램프 기구와 별도로 챔버의 내부에서 상하방향으로 승강 가능하도록 마련되고, 상기 제1클램프와 기판 트레이를 감싸도록 형성된 제2클램프가 구비되며, 동작시 제1클램프와 함께 기판 트레이가 챔버 내의 척에 밀착되도록 하는 제2클램프 기구;를 포함한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a wafer holding apparatus comprising: a first clamp on which a substrate tray is mounted; A first clamping mechanism for contacting and fixing the first clamping mechanism; And a second clamp which is provided so as to be vertically movable up and down inside the chamber separately from the first clamping mechanism and which encloses the first clamp and the substrate tray. In operation, the substrate tray, together with the first clamp, And a second clamping mechanism for bringing the second clamping mechanism into close contact with the chuck.

상술한 바와 같은 구조로 이루어진 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치는 챔버의 하부에서 플라즈마가 형성되는 방식의 플라즈마 처리 장치에 있어서, 챔버 내부에 기판 트레이를 견고히 고정하고, 기판 트레이의 주변 공정환경이 균일하도록 하여 에칭 작업시 오류발생을 최소화한다.A wafer holding apparatus and a plasma processing apparatus using the same have a structure in which a plasma is formed at a lower portion of a chamber. In the plasma processing apparatus, a substrate tray is firmly fixed in a chamber, Thereby minimizing the occurrence of errors in the etching operation.

또한, 챔버 내부로 기판 트레이를 이송하기 위한 수단인 카세트가 제공되며, 카세트의 적재된 기판 트레이를 챔버 내에 이송이 용이하여 작업 효율이 증대되도록 한다.
Further, a cassette is provided as a means for transferring the substrate tray into the chamber, so that the substrate tray on which the cassette is mounted can be easily transferred into the chamber, thereby increasing the working efficiency.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치를 나타낸 도면.
도 2 내지 3은 도 1에 도시된 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치의 동작 상태를 나타낸 도면.
도 4는 도 1에 도시된 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치의 제1클램프 기구를 나타낸 사시도.
도 5는 도 1에 도시된 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치의 제2클램프 기구를 나타낸 사시도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치의 카세트를 나타낸 사시도.
도 7 내지 8은 도 6에 도시된 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치의 카세트를 설명하기 위한 도면.
도 9 내지 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치의 기판 트레이의 이송 및 고정 작업을 설명하기 위한 도면.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view showing a wafer holding apparatus and a plasma processing apparatus using the same according to an embodiment of the present invention. FIG.
2 to 3 are diagrams showing the operation states of the wafer holding apparatus shown in FIG. 1 and the plasma processing apparatus using the same.
4 is a perspective view of the wafer clamping apparatus shown in FIG. 1 and the first clamping mechanism of the plasma processing apparatus using the same.
5 is a perspective view of the wafer clamping apparatus shown in FIG. 1 and the second clamping mechanism of the plasma processing apparatus using the same.
6 is a perspective view illustrating a cassette of a wafer holding apparatus and a plasma processing apparatus using the same according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 7 to 8 are views for explaining the cassette of the wafer holding apparatus shown in FIG. 6 and the plasma processing apparatus using the same.
9 to 14 are diagrams for explaining a wafer fixing apparatus and a transferring and fixing operation of a substrate tray of the plasma processing apparatus using the same according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치에 대하여 살펴본다.
Hereinafter, a wafer holding apparatus and a plasma processing apparatus using the same according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치를 나타낸 도면이고, 도 2 내지 3은 도 1에 도시된 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치의 동작 상태를 나타낸 도면이며, 도 4는 도 1에 도시된 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치의 제1클램프 기구를 나타낸 사시도이고, 도 5는 도 1에 도시된 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치의 제2클램프 기구를 나타낸 사시도이다.FIG. 1 is a view showing a wafer holding apparatus and a plasma processing apparatus using the same according to an embodiment of the present invention. FIGS. 2 to 3 are views showing the operation states of the wafer holding apparatus shown in FIG. 1 and the plasma processing apparatus using the same. FIG. 4 is a perspective view of the wafer clamping apparatus shown in FIG. 1 and the first clamping mechanism of the plasma processing apparatus using the same, FIG. 5 is a cross-sectional view of the wafer clamping apparatus shown in FIG. 1 and the second clamp Fig.

한편, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치의 카세트를 나타낸 사시도이고, 도 7 내지 8은 도 6에 도시된 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치의 카세트를 설명하기 위한 도면이다.6 is a perspective view showing a cassette of a wafer holding apparatus and a plasma processing apparatus using the same according to an embodiment of the present invention. FIGS. 7 to 8 are views showing a wafer holding apparatus and a cassette Fig.

도 9 내지 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치의 기판 트레이의 이송 및 고정 작업을 설명하기 위한 도면이다.
FIGS. 9 to 14 are views for explaining a wafer fixing apparatus and a transferring and fixing operation of a substrate tray of the plasma processing apparatus using the same according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼 고정 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치는 플라즈마가 생성되는 공간(a)이 구비되고 상단벽부(120)의 하단에 척(122)이 고정된 챔버(100); 상기 챔버(100)의 상단벽부(120)에 설치되며, 기판 트레이(W)가 안착되는 제1클램프(262)가 마련되고, 챔버(100)의 내부에서 상하방향으로 승강 가능하게 마련됨으로써 상승 동작시 기판 트레이(W)가 척(122)에 접촉되어 고정되도록 하는 제1클램프 기구(200); 및 상기 챔버(100)의 상단벽부(120)에 설치되며, 상기 제1클램프(262)와 기판 트레이(W)를 감싸도록 형성된 제2클램프(362)가 마련되고, 챔버(100)의 내부에서 상하방향으로 승강 가능하도록 마련됨으로써 상승 동작시 제1클램프(200)와 함께 기판 트레이(W)가 척(122)에 밀착되도록 하는 제2클램프 기구(300);를 포함한다.1, a wafer holding apparatus and a plasma processing apparatus using the same according to the present invention includes a chamber 100 having a space a in which a plasma is generated and a chuck 122 fixed to a lower end of a top wall 120 ); A first clamp 262 is provided on the upper wall 120 of the chamber 100 to receive the substrate tray W and is vertically movable up and down within the chamber 100, A first clamping mechanism (200) for allowing the substrate tray (W) to contact and fix the chuck (122); And a second clamp 362 disposed on the upper wall 120 of the chamber 100 and configured to enclose the first clamp 262 and the substrate tray W. Inside the chamber 100, And a second clamping mechanism 300 that allows the substrate tray W to be brought into close contact with the chuck 122 together with the first clamp 200 during a lifting operation.

본 발명은 상단벽부(120)에 척(122)이 고정설치되어 기판 트레이(W)가 상부에 고정되고, 하단벽부(160)에서 공정가스가 공급되어 챔버(100) 내의 하부에서 플라즈마가 형성되도록 하는 방식이 적용된 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상부에 기판 트레이(W)가 고정되고, 하부에서 플라즈마가 형성됨에 따라 공정 부산물에 의한 영향을 최소화하는 장점을 가져감과 동시에 챔버(100) 내부에 기판 트레이(W)를 견고히 고정하며 기판 트레이(W)의 주변 공정환경이 균일하도록 하여 에칭 과정 중 오류발생이 방지되도록 한다.The chuck 122 is fixed to the upper wall portion 120 to fix the substrate tray W on the upper portion and the process gas is supplied to the lower wall portion 160 so that a plasma is formed in the lower portion of the chamber 100 The substrate tray W is fixed to the upper portion of the plasma processing apparatus and the plasma is formed at the lower portion of the plasma processing apparatus. W are firmly fixed and the peripheral process environment of the substrate tray W is made uniform so as to prevent the occurrence of errors during the etching process.

상기 챔버(100)는 상단벽부(120)에 척(122)이 고정되고, 하단벽부(160)에서 상방으로 공정가스가 공급되며, 측단벽부(140)의 상측으로 진공펌프(미도시)가 연결되고 하측으로 안테나(142)가 마련될 수 있다.A chuck 122 is fixed to the upper wall part 120 of the chamber 100 and a process gas is supplied upward from the lower wall part 160. A vacuum pump (not shown) is connected to the upper side of the side wall part 140 And an antenna 142 may be provided on the lower side.

도 1을 참고하면, 본 발명의 챔버(100)는 상단벽부(120)에 척(122)이 고정되고, 하단벽부(160)에서 상방으로 공정가스가 공급되며, 챔버(100) 내부로 인입된 공정가스는 측단벽부(140)의 하측에 마련된 안테나(142)에서 공급된 고주파에 의해 해리되어 기판 트레이(W)의 에칭이 수행되도록 한다. 특히, 본 발명에서는 챔버(100)의 측단벽부(140)에서 상측에 진공펌프(미도시)가 연결됨으로써 챔버(100)의 하부에 진공펌프(미도시)가 연결될 시 공정가스의 분리된 물질이 챔버(100)의 하부에 위치된 진공펌프(미도시)에 근접하여 형성됨에 따라 기판 트레이(W) 측으로 전달되어야 하는 공정가스의 분리된 물질이 진공펌프(미도시)로 흡입되어 기판 트레이(W) 측으로 전달되는 물질의 양이 적어지는 문제를 방지할 수 있다. 이로 인해, 기판 트레이(W)의 초기 목표로 하는 모양을 충분히 형성할 수 있으며, 오류가 감소되고, 품질이 향상된다.
1, a chamber 100 according to the present invention includes a chuck 122 fixed to a top wall portion 120, a process gas supplied upwardly from a bottom wall portion 160, The process gas is dissociated by the high frequency supplied from the antenna 142 provided on the lower side of the side wall part 140 so that etching of the substrate tray W is performed. Particularly, in the present invention, when a vacuum pump (not shown) is connected to the lower part of the chamber 100 by connecting a vacuum pump (not shown) above the side wall part 140 of the chamber 100, The separated material of the process gas to be transferred to the substrate tray W side is sucked into a vacuum pump (not shown) by being formed close to a vacuum pump (not shown) located in the lower portion of the chamber 100, It is possible to prevent the problem that the amount of the substance transferred to the side of the wafer W is reduced. As a result, the initial target shape of the substrate tray W can be sufficiently formed, errors are reduced, and quality is improved.

한편, 본 발명에서는 챔버(100)의 상단벽부(120)에 상하방향으로 승강 가능한 제1클램프 기구(200)가 설치되고, 제1클램프 기구(200)에는 챔버(100) 내에서 기판 트레이(W)가 안착되는 제1클램프(262)가 마련된다. 이러한 제1클램프 기구(200)는 상승 동작시 제1클램프(262)에 안착된 기판 트레이(W)가 척(122)에 접촉되어 위치가 고정되도록 한다.The first clamping mechanism 200 is provided on the upper wall 120 of the chamber 100 so as to be vertically movable in the vertical direction and the first clamping mechanism 200 is provided with a substrate tray W The first clamp 262 is mounted. This first clamping mechanism 200 causes the substrate tray W, which is seated on the first clamp 262, to come into contact with the chuck 122 to be fixed in position during the lifting operation.

이와 더불어, 챔버(100)의 상단벽부(120)에는 제1클램프 기구(200)와 별도로 상하방향으로 승강 가능한 제2클램프 기구(300)가 설치된다. 이러한 제2클램프 기구(300)에는 챔버(100) 내에서 제1클램프(262)와 함께 기판 트레이(W)를 감싸도록 형성된 제2클램프(362)가 마련되어, 상승 동작시 제1클램프(262)와 함께 기판 트레이(W)가 척(122)에 밀착되도록 한다.In addition, a second clamping mechanism 300 is provided on the upper wall portion 120 of the chamber 100 so as to be vertically movable up and down separately from the first clamping mechanism 200. The second clamping mechanism 300 is provided with a second clamp 362 formed to enclose the substrate tray W together with the first clamp 262 in the chamber 100 so that the first clamp 262, So that the substrate tray W is brought into close contact with the chuck 122.

이렇게, 본 발명은 도 1 내지 3에 순차적으로 도시된 바와 같이, 제1클램프 기구(200)를 통해 기판 트레이(W)가 척(122)에 일차적으로 고정되고, 제2클램프 기구(300)에 의해 이차적으로 가압됨으로써 기판 트레이(W)가 척(122)에서 유동이 발생되지 않도록 완전히 고정할 수 있다.
1 to 3, the substrate tray W is fixed to the chuck 122 through the first clamping mechanism 200, and the substrate tray W is fixed to the second clamping mechanism 300 So that the substrate tray W can be completely fixed so that no flow is generated in the chuck 122. [0051]

상기의 챔버(100) 내에 기판 트레이(W)를 고정하는 본 발명의 클램프 기구에 대해서 구체적으로 설명하면, 제1클램프 기구(200)는 상기 챔버(100)의 상단벽부(120) 상단에 고정 설치되며, 상하방향으로 길이가 가변되는 제1길이조절부(220);와 상기 제1길이조절부(220)의 상측에 위치되며, 제1길이조절부(220)가 연결되어 제1길이조절부(220)에 의해 상하로 이동되는 제1동작부(240);와 상기 제1동작부(240)에서 하방으로 연장되어 챔버(100)의 상단벽부(120)를 관통하고, 연장된 끝단에는 챔버(100)의 내부에서 기판 트레이(W)가 안착되는 제1클램프(262)가 구비된 제1지지부(260);로 구성될 수 있다.The first clamping mechanism 200 is fixed to the upper end of the upper wall 120 of the chamber 100. The first clamping mechanism 200 is fixed to the upper end of the upper wall 120 of the chamber 100, The first length adjusting unit 220 is disposed on the upper side of the first length adjusting unit 220. The first length adjusting unit 220 is connected to the first length adjusting unit 220, A first actuating part 240 which is vertically moved by the first actuating part 220 and a lower actuating part 240 which extends downward from the first actuating part 240 and penetrates the upper wall part 120 of the chamber 100, And a first support part 260 provided with a first clamp 262 on which the substrate tray W is mounted.

즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1클램프 기구(200)는 상하로 길이가 가변되도록 마련된 제1길이조절부(220)에 연결되어 상하로 이동되는 제1동작부(240)가 마련되고, 제1길이조절부(220)의 동작시 제1동작부(240)가 상하로 이동됨에 따라 이에 연결된 제1지지부(260)가 상하로 이동된다. 여기서, 제1지지부(260)에는 챔버(100) 내부에서 기판 트레이(W)가 안착되는 제1클램프(262)가 마련됨으로써 제1지지부(260)가 상승 동작시 제1클램프(262)가 챔버(100) 내의 척(122)을 향해 상방향으로 이동되어 척(122)에 접촉되도록 한다. 이로 인해, 제1클램프(262)에 안착된 기판 트레이(W)는 챔버(100)의 상부에서 척(122)과 제1클램프(262) 사이에서 위치가 고정되는 것이다.
4, the first clamping mechanism 200 is provided with a first operating portion 240 connected to the first length adjusting portion 220, which is vertically variable in length, to be moved up and down The first support portion 260 connected to the first operation portion 240 is moved up and down as the first operation portion 240 is moved up and down during operation of the first length adjuster 220. [ The first support 260 is provided with a first clamp 262 on which the substrate tray W is seated in the chamber 100 so that the first clamp 260 is moved in the upward direction by the first clamp 262, To move upwardly toward the chuck 122 in the chamber 100 to be brought into contact with the chuck 122. The substrate tray W seated in the first clamp 262 is fixed in position between the chuck 122 and the first clamp 262 in the upper portion of the chamber 100. [

상세하게, 상기 제1길이조절부(220)는 챔버(100) 상단벽부(120)에 고정된 실린더(222)와 실린더(222)에서 상하방향으로 승강되도록 마련되며, 제1동작부(240)가 연결되는 피스톤 로드(224)로 구성될 수 있다. 도 1에서 볼 수 있듯이, 제1길이조절부(220)의 실린더(222)는 챔버(100)에 고정 설치되고, 실린더(222)에서 상하방향으로 이동되는 피스톤 로드(224)는 제1동작부(240)에 연결됨으로써 실린더(222)의 피스톤 로드(224)가 상승되면, 이에 연결된 제1동작부(240)가 함께 상승된다. 여기서, 실린더(222)와 피스톤 로드(224)는 압축공기를 이용하여 승강 동작되도록 구성될 수 있으며, 실린더(222)에서 피스톤 로드(224)가 이동되도록 하는 다양한 수단이 적용 가능하다.
The first length adjuster 220 is vertically moved upward and downward in the cylinder 222 and the cylinder 222 fixed to the upper wall 120 of the chamber 100. The first and second actuators 240, And a piston rod 224 to which the piston rod 224 is connected. 1, the cylinder 222 of the first length adjuster 220 is fixed to the chamber 100, and the piston rod 224, which is vertically moved in the cylinder 222, When the piston rod 224 of the cylinder 222 is lifted by being connected to the first operating portion 240, the first operating portion 240 connected thereto is lifted together. Here, the cylinder 222 and the piston rod 224 may be configured to be moved up and down using compressed air, and various means for moving the piston rod 224 in the cylinder 222 may be applicable.

한편, 상기 제1동작부(240)는 챔버(100)의 상단벽부(120)와 수평하게 배치되고, 중심에는 상기 제1길이조절부(220)가 연결되며, 중심에서 방사상으로 동일한 길이와 등각을 이루는 적어도 둘 이상의 제1연결암(242)이 연장 형성되어 제1지지부(260)가 연결될 수 있다.The first actuating part 240 is disposed horizontally with the upper wall part 120 of the chamber 100 and the first length adjusting part 220 is connected to the center thereof. At least two first connection arms 242 extending from the first support portion 260 may be extended to connect the first support portions 260.

물론, 제1동작부(240)는 제1길이조절부(220)에 의해 상하방향으로 이동되는 구조로서, 단순한 원형 형태로 적용이 가능하다. 하지만, 제1동작부(240)는 중심에 제1길이조절부(220)가 연결됨으로써 제1길이조절부(220)가 승강 동작됨에 따라 작용되는 하중이 편측되지 않도록 하며, 중심에서 제1연결암(242)이 방사상으로 등각을 이루어 연장됨으로써 단순히 원형 형태로 형성되는 것에 대비하여 무게를 감소할 수 있다.Of course, the first actuating part 240 is vertically moved by the first length adjusting part 220, and can be applied as a simple circular shape. However, since the first operating portion 240 is connected to the first length adjusting portion 220 at the center thereof, the first operating portion 240 does not unload the load applied when the first length adjusting portion 220 is moved up and down, The weight of the arm 242 can be reduced in comparison with the case where the arm 242 is formed in a circular shape simply by extending in a radially equiangular manner.

아울러, 제1동작부(240)는 중심에서 연장된 제1연결암(242)이 동일한 길이와 동일한 각도로 형성됨으로써 제1동작부(240)의 상하 이동시 각각의 제1연결암(242)으로 동일한 하중이 분배되도록 한다.In addition, the first operating portion 240 has the first connecting arm 242 extending from the center to have the same length and the same angle, so that when the first operating portion 240 moves up and down, the first connecting arm 242 Allow the same load to be distributed.

특히, 상기 제1동작부(240)의 제1연결암(242)은 탄성적으로 휘어짐이 가능하도록 형성함으로써 제1연결암(242)에 하중 작용시 쉽게 파손되지 않도록 한다. 즉, 제1길이조절부(220)가 상승 동작됨에 따라 제1동작부(240)와 이에 연결된 제1지지부(260)가 상승됨으로써 제1클램프(262)에 안착된 기판 트레이(W)가 척(122)에 접촉되는데, 기판 트레이(W)를 척(122)에 견고히 접촉시키기 위해서는 제1길이조절부(220)의 상승력이 강하게 작용된다.Particularly, the first connection arm 242 of the first operation portion 240 is formed to be elastically warpable, so that the first connection arm 242 is not easily broken when the load acts. That is, as the first length adjuster 220 is lifted up, the first operating portion 240 and the first supporting portion 260 connected thereto are lifted up so that the substrate tray W, which is seated on the first clamp 262, The lifting force of the first length adjusting unit 220 is strongly applied in order to firmly contact the substrate tray W with the chuck 122.

이때, 제1동작부(240)는 제1길이조절부(220)가 연결된 중심에 상승력이 작용되고, 제1연결암(242)의 단부는 제1지지부(260)의 제1클램프(262)가 척(122)에 걸림에 따라 제1연결암(242)을 포함한 제1동작부(240)가 탄성적으로 휘어짐으로써 파손이 방지되고, 제1길이조절부(220)의 상승력과 더불어 제1동작부(240)가 탄성적으로 휘어짐으로써 제1클램프(262)에 안착된 기판 트레이(W)가 척(122)에 견고히 고정되도록 할 수 있다.The first actuating part 240 is lifted up to the center of the first length adjusting part 220 and the end of the first connecting arm 242 is moved to the first clamping part 262 of the first supporting part 260, The first operating portion 240 including the first connecting arm 242 is elastically bent as the first connecting arm 242 is caught by the chuck 122 and the breakage is prevented, The operating portion 240 is elastically warped so that the substrate tray W seated on the first clamp 262 can be firmly fixed to the chuck 122. [

상기의 제1동작부(240)는 중심에서 방사상으로 세 개의 제1연결암(242)이 연장 형성될 수 있다. 물론, 제1동작부(240)에서 연장되는 제1연결암(242)의 경우 그 개수를 증가시키면, 제1동작부(240)의 전체적인 강성이 증가되는 장점이 있다. 하지만, 본 발명에서는 제1클램프 기구(200)의 측면으로 기판 트레이(W)가 진입되어 안착되는바, 제1연결암(242)의 개수가 증가되는 만큼 제1연결암(242) 간의 간격이 줄어 기판 트레이(W)가 진입되는 공간의 확보가 어렵다. 따라서, 제1동작부(240)에서 연장되는 제1연결암(242)은 등간격을 이루어 세 개정도로 형성함으로써 기판 트레이(W)가 진입되는 공간을 확보함과 동시에, 제1동작부(240)의 강성을 적정 수준 확보하도록 함이 바람직하다.The first operating portion 240 may be formed by extending three first connecting arms 242 radially from the center. Of course, if the number of the first connection arms 242 extended in the first operation portion 240 is increased, the overall rigidity of the first operation portion 240 is increased. However, in the present invention, since the substrate tray W enters and seats to the side surface of the first clamping mechanism 200, the gap between the first connection arms 242 increases as the number of the first connection arms 242 increases It is difficult to secure a space in which the substrate tray W enters. Therefore, the first connection arm 242 extending from the first operation portion 240 is formed at about three equally spaced apart to secure a space for the substrate tray W to enter, and at the same time, the first operation portion 240 It is preferable to ensure the stiffness of the movable member to an appropriate level.

이러한 제1연결암(242)의 개수는 기판 트레이(W)의 진입 공간 및 전체 강성을 고려하여, 적정 개수로 설정될 수 있다.
The number of the first connection arms 242 may be set to an appropriate number in consideration of the entering space of the substrate tray W and the total rigidity.

한편, 상기 제1지지부(260)는 제1동작부(240)의 제1연결암(242)에 일단이 연결되고, 타단이 하방으로 연장되어 그 끝단이 챔버(100) 내부의 척(122)보다 하측에 위치되며, 타단에는 챔버(100)의 중앙을 향해 플랜지 형태로 연장된 제1클램프(262)가 마련될 수 있다.The first support part 260 is connected to the first connection arm 242 of the first operation part 240 and the other end of the first support part 260 extends downward so that the tip of the first support part 260 is connected to the chuck 122 inside the chamber 100, And a first clamp 262 extending in the form of a flange toward the center of the chamber 100 may be provided at the other end.

이렇게, 제1지지부(260)는 일단이 제1연결암(242)에 연결되어 제1길이조절부(220)의 동작시 제1연결암(242)과 함께 상하 이동되며, 타단이 하방으로 연장되어 챔버(100) 내에 위치된다. 특히, 제1지지부(260)의 타단에는 챔버(100)의 중앙을 향해 플랜지 형태로 연장된 제1클램프(262)가 마련되어 기판 트레이(W)가 챔버(100) 내부에 안착될 수 있다.The first support portion 260 is connected to the first connection arm 242 so that the first support portion 260 is vertically moved together with the first connection arm 242 when the first length adjustment portion 220 is operated and the other end is extended downward And is located in the chamber 100. A first clamp 262 extending in the form of a flange toward the center of the chamber 100 is provided at the other end of the first support portion 260 so that the substrate tray W can be seated inside the chamber 100.

본 발명에서 제1클램프 기구(200)는 기판 트레이(W)를 일차적으로 고정하는 것으로서, 제1지지부(260)에 마련되는 제1클램프(262)는 기판 트레이(W)가 상단에 안착되도록 플랜지 형태로 형성된다. 더 바람직하게, 제1클램프(262)는 플랜지 형태로 연장되되 연장된 부분에 단턱을 형성함으로써 안착된 기판 트레이(W)가 유동되어 이탈되지 않도록 할 수 있다. 이때, 기판 트레이(W)에도 제1클램프(262)의 단턱에 대응되는 단턱이 형성될 수 있다.The first clamping mechanism 200 fixes the substrate tray W in a first manner and the first clamp 262 provided on the first supporting portion 260 is fixed to the flange . More preferably, the first clamp 262 extends in the form of a flange, but by forming a step on the extended portion, the substrate tray W that is seated can be prevented from flowing out. At this time, a step corresponding to the edge of the first clamp 262 may also be formed on the substrate tray W.

또한, 제1클램프(262)의 연장 길이는 기판 트레이(W)의 외주 둘레가 지지되는 정도로 설정될 수 있으며, 상방 이동시 척(122)에 걸림으로써 기판 트레이(W)가 척(122)에 접촉되어 위치가 고정되도록 한다.
The length of the extension of the first clamp 262 can be set to the extent that the outer periphery of the substrate tray W is supported and the substrate tray W is brought into contact with the chuck 122 So that the position is fixed.

한편, 상기 복수의 제1연결암(242)에 연결된 각각의 제1지지부(260)는 링 형태로 형성된 연결고리(264)의 외주 둘레에 연결될 수 있다.Each of the first support portions 260 connected to the plurality of first connection arms 242 may be connected to the outer periphery of the connection ring 264 formed in a ring shape.

도 4에서 볼 수 있듯이, 본 발명에서 제1동작부(240)에는 다수의 제1연결암(242)이 연장되는데, 이러한 다수의 제1연결암(242)에는 각각 제1지지부(260)가 연결된다. 아울러, 제1지지부(260)는 제1연결암(242)에서 하방으로 연장되는바, 제1동작부(240)의 상하 이동시 동작 충격으로 인해, 제각각 흔들림이 발생될 수 있다.4, a plurality of first connection arms 242 extend in the first operation unit 240, and the first support arms 260 are connected to the first connection arms 242, respectively. . In addition, the first support portion 260 extends downward from the first connection arm 242, and the first support portion 260 may be shaken due to an operation shock when the first operation portion 240 moves up and down.

따라서, 제1연결암(242)에서 연장된 각각의 제1지지부(260)는 링 형태로 형성된 연결고리(264)를 통해 모두 연결되도록 함으로써 제1지지부(260)의 흔들림을 감소시켜 제1클램프(262)에 안착된 기판 트레이(W)가 안정적으로 지지되도록 할 수 있다. 또한, 제1지지부(260)는 일단이 제1연결암(242)에 연결되고, 타단이 연결고리(264)를 통해 연결됨으로써 구조적으로도 안정화할 수 있다. 이러한 연결고리(264)는 척(122)의 형태에 따라 원형 링뿐만 아니라, 사각 링 형상으로도 적용될 수 있다.Accordingly, the first support portions 260 extending from the first connection arm 242 are connected to each other through the connection ring 264 formed in a ring shape, thereby reducing the swing of the first support portion 260, So that the substrate tray W seated on the substrate table 262 can be stably supported. Also, the first support portion 260 may be structurally stabilized by connecting one end of the first support portion 260 to the first connection arm 242 and the other end of the first support portion 260 through the connection ring 264. This connection ring 264 can be applied not only to the circular ring according to the shape of the chuck 122, but also to the rectangular ring shape.

여기서, 상기 연결고리(264)는 제1지지부(260)의 연장된 끝단에서 제1클램프(262)보다 상측에 연결됨이 바람직하다. 이렇게, 연결고리(264)를 제1클램프(262)보다 상측에 연결되도록 함으로써 측방으로 진입되는 기판 트레이(W)가 연결고리(264)와 제1클램프(262) 사이의 공간으로 이동되도록 할 수 있다. 이로 인해, 제1지지부(260)의 구조를 안정화하며, 기판 트레이(W)의 진입이 원활하게 수행되도록 할 수 있다.
Here, it is preferable that the connection ring 264 is connected to the upper end of the first supporting part 260 above the first clamp 262. By thus connecting the connection ring 264 to the upper side of the first clamp 262, it is possible to allow the substrate tray W to be sideways to be moved to the space between the connection ring 264 and the first clamp 262 have. Therefore, the structure of the first supporting part 260 can be stabilized, and the entry of the substrate tray W can be performed smoothly.

한편, 상기 챔버(100)에는 상단벽부(120)의 상단에 고정 설치되고, 상방으로 연장되어 제1클램프 기구(200)와 제2클램프 기구(300)가 연결됨으로써 제1클램프 기구(200)와 제2클램프 기구(300)가 동일 방향으로 승강되도록 하며, 연장된 끝단에는 고정 판넬(182)이 마련된 가이드지지부(180)가 형성될 수 있다.The first clamping mechanism 200 and the second clamping mechanism 300 are connected to the chamber 100 so that the first clamping mechanism 200 and the second clamping mechanism 300 are fixed to the upper end of the upper wall 120, The second clamping mechanism 300 may be moved up and down in the same direction and a guide supporting portion 180 having a fixed panel 182 may be formed at an extended end thereof.

이러한 가이드지지부(180)는 챔버(100)의 상단벽부(120)에 고정설치되며, 봉 형태로 상방을 향해 연장된다. 이러한 가이드지지부(180)는 복수개로 형성될 수 있다. 특히, 가이드지지부(180)에는 제1클램프 기구(200)와 제2클램프 기구(300)가 연결되어 제1클램프 기구(200)와 제2클램프 기구(300)가 가이드지지부(180)를 따라 상하방향으로 이동이 가이드됨으로써 제1클램프 기구(200)와 제2클램프 기구(300)가 동일 방향으로 안정적인 승강 동작이 수행되도록 할 수 있다. The guide supporting portion 180 is fixed to the upper wall portion 120 of the chamber 100 and extends upward in the form of a bar. The guide supporting portions 180 may be formed in a plurality. Particularly, the first clamping mechanism 200 and the second clamping mechanism 300 are connected to the guide supporter 180 so that the first clamping mechanism 200 and the second clamping mechanism 300 are connected to the upper and lower The first clamping mechanism 200 and the second clamping mechanism 300 can perform a stable up / down operation in the same direction.

여기서, 상기 제1클램프 기구(200)와 제2클램프 기구(300)는 챔버(100)의 상단벽부(120)에서 상하로 배치되는바, 상기의 가이드지지부(180)에는 제1클램프 기구(200)의 제1동작부(240)가 관통 연결되며, 하기 설명할 제2클램프 기구(300)의 제2동작부(340)가 관통 연결되도록 구성될 수 있다.The first clamping mechanism 200 and the second clamping mechanism 300 are vertically disposed in the upper wall portion 120 of the chamber 100. The first clamping mechanism 200 And the second actuating part 340 of the second clamping mechanism 300, which will be described later, may be connected to the first actuating part 240 through the through-hole.

아울러, 가이드지지부(180)의 연장된 끝단에는 고정 판넬(182)이 연결될 수 있다. 고정 판넬(182)의 경우 하기 설명할 제2클램프 기구(300)가 설치되는 부분으로서, 평면으로 형성될 수 있으며, 가이드지지부(180)가 복수개로 형성시 각 가이드지지부(180)를 연결하여 구조적으로 안정화되도록 한다.
In addition, a fixed panel 182 may be connected to the extended end of the guide support 180. In the case of the fixing panel 182, the second clamping mechanism 300 to be described later may be provided as a flat surface. When the guide supporting portions 180 are formed as a plurality of guide supporting portions 180, .

제2클램프 기구(300)에 대해서 구체적으로 설명하면, 상기 제2클램프 기구(300)는, 고정 판넬(182)의 하단에 고정 설치되며, 상하방향으로 길이가 가변되는 제2길이조절부(320);와 상기 제2길이조절부(320)의 하측에 위치되며, 제2길이조절부(320)가 연결되어 제2길이조절부(320)에 의해 상하로 이동되는 제2동작부(340);와 상기 제2동작부(340)에서 하방으로 연장되어 챔버(100)의 상단벽부(120)를 관통하고, 연장된 끝단에는 챔버(100)의 내부에서 제1클램프(262)와 함께 기판 트레이(W)를 감싸는 제2클램프(362)가 구비된 제2지지부(360);로 구성될 수 있다.The second clamping mechanism 300 includes a second length adjuster 320 fixed to the lower end of the fixed panel 182 and having a variable length in the vertical direction, A second actuating part 340 located below the second length adjuster 320 and connected to the second length adjuster 320 and moved up and down by the second length adjuster 320, And extends downward from the second actuating part 340 and penetrates the upper wall part 120 of the chamber 100. The extended end of the second actuating part 340 and the first clamp 262 together with the first clamp 262, And a second supporting part 360 having a second clamp 362 for enclosing the wafer W.

즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 제2클램프 기구(300)는 상하로 길이가 가변되도록 마련된 제2길이조절부(320)에 연결되어 상하로 이동되는 제2동작부(340)가 마련되고, 제2길이조절부(320)의 동작시 제2동작부(340)가 상하로 이동됨에 따라 이에 연결된 제2지지부(360)가 상하로 이동된다. 여기서, 제2지지부(360)에는 챔버(100) 내부에서 기판 트레이(W)가 안착되는 제2클램프(362)가 구비됨으로써 제2지지부(360)가 상승 동작시 제2클램프(362)가 챔버(100) 내의 척(122)을 향해 상방향으로 이동되어 척(122)에 접촉되도록 한다. 특히, 제2지지부(360)에 구비된 제2클램프(362)의 경우 제1클램프(262)와 함께 기판 트레이(W)를 감싸도록 형성됨으로써 제1클램프(262)와 제1클램프(262)에 안착된 기판 트레이(W)를 챔버(100)의 상부에서 척(122)에 밀착되도록 한다. 이렇게, 제1클램프 기구(200)와 더불어 제2클램프(362) 기구(300)가 함께 기판 트레이(W)가 척(122)에 접촉되어 위치가 고정되도록 함으로써 기판 트레이(W)의 위치를 더욱 견고하고 안전하게 위치되도록 할 수 있다.
5, the second clamping mechanism 300 includes a second operating portion 340 connected to the second length adjusting portion 320, which is vertically variable in length, and is moved up and down The second support portion 360 connected to the second operation portion 340 is moved up and down as the second operation portion 340 is moved up and down. The second support part 360 is provided with a second clamp 362 on which the substrate tray W is seated in the chamber 100 so that the second support part 360 is moved in the upward direction by the second clamp 362, To move upwardly toward the chuck 122 in the chamber 100 to be brought into contact with the chuck 122. The first clamp 262 and the first clamp 262 are formed to enclose the substrate tray W together with the first clamp 262 in the case of the second clamp 362 provided in the second support portion 360, So that the substrate tray W seated on the chuck 122 is brought into close contact with the chuck 122 in the upper portion of the chamber 100. In this way, the position of the substrate tray W is fixed by making the position of the substrate tray W come into contact with the chuck 122 together with the first clamping mechanism 200 and the second clamping mechanism 362 together And can be positioned securely and safely.

상세하게, 상기 제2길이조절부(320)는 제2동작부(340)에 고정된 실린더(322)와 실린더(322)에서 상하방향으로 승강되도록 마련되며, 고정 판넬(182)에 연결되는 피스톤 로드(324)로 구성될 수 있다.The second length adjuster 320 includes a cylinder 322 fixed to the second operating portion 340 and a piston 322 connected to the fixed panel 182 to move up and down in the cylinder 322. [ And a rod 324.

도 1에서 볼 수 있듯이, 제2길이조절부(320)의 실린더(322)는 제2동작부(340)에 고정 설치되고, 실린더(322)에서 상하방향으로 이동되는 피스톤 로드(324)가 고정 판넬(182)에 연결됨으로써 실린더(322)의 피스톤 로드(324)가 하강 동작되면, 실린더(322)가 상승되어 제2동작부(340)가 상승되도록 한다.1, the cylinder 322 of the second length adjuster 320 is fixed to the second operating portion 340, and the piston rod 324, which is vertically moved in the cylinder 322, is fixed When the piston rod 324 of the cylinder 322 is lowered by being connected to the panel 182, the cylinder 322 is raised to raise the second operation portion 340.

상기의 실린더(322)와 피스톤 로드(324)의 연결은 고정 판넬(182) 또는 제2동작부(340)에 서로 바꾸어 설치될 수 있고, 실린더(322)와 피스톤 로드(324)는 압축공기를 이용하여 승강 동작되도록 구성될 수 있으며, 실린더(322)에서 피스톤 로드(324)가 이동되도록 하는 다양한 수단이 적용 가능하다.
The connection between the cylinder 322 and the piston rod 324 may be interchanged with the fixed panel 182 or the second operation portion 340 and the cylinder 322 and the piston rod 324 may be provided with compressed air And various means for moving the piston rod 324 in the cylinder 322 are applicable.

한편, 상기 제2동작부(340)는 챔버(100)의 상단벽부(120)와 수평하게 배치되고, 중심에는 상기 제2길이조절부(320)가 연결되며, 중심에서 방사상으로 동일한 길이와 등각을 이루는 적어도 둘 이상의 제2연결암(342)이 연장 형성되어 제2지지부(360)가 연결될 수 있다.The second actuating part 340 is disposed horizontally with the upper wall part 120 of the chamber 100 and the second length adjusting part 320 is connected to the center of the second actuating part 340. The second actuating part 340 has the same length, At least two second connection arms 342 may be extended to connect the second support portions 360.

도 5에서 볼 수 있듯이, 제2동작부(340)는 중심에 제2길이조절부(320)가 연결되도록 함으로써 제2길이조절부(320)의 승강 동작됨에 따라 작용되는 하중이 편측되지 않도록 하며, 중심에서 제2연결암(342)이 방사상으로 등각을 이루어 연장됨으로써 단순히 원형 형태로 형성되는 것에 대비하여 무게를 감소할 수 있다.5, the second operation portion 340 is connected to the second length adjuster 320 so that the load applied by the second length adjuster 320 is not uneven , The weight can be reduced in comparison with that the second connection arm 342 is formed in a circular shape simply by being extended radially in conformity at the center.

아울러, 제2동작부(340)는 중심에서 연장된 제2연결암(342)이 동일한 길이와 동일한 각도로 형성됨으로써 제2동작부(340)의 상하 이동시 각각의 제2연결암(342)으로 동일한 하중이 분배되도록 한다.In addition, the second actuating part 340 is formed at the same angle as the second connecting arm 342 extending from the center, so that when the second actuating part 340 moves up and down, the second actuating part 342 Allow the same load to be distributed.

여기서, 상기 제2동작부(340)의 제2연결암(342)은 탄성적으로 휘어짐이 가능하도록 형성한다. 즉, 제2동작부(340)의 중심에는 제2길이조절부(320)가 연결됨에 따라 상승력이 작용되고, 제2연결암(342)의 단부는 제2지지부(360)의 제2클램프(362)가 척(122)에 걸림에 따라 제2연결암(342)을 포함한 제2동작부(340)가 탄성적으로 휘어짐으로써 파손이 방지되고, 제2길이조절부(320)의 상승력과 더불어 제2동작부(340)가 탄성적으로 휘어짐으로써 제2클램프(362)에 감싸진 기판 트레이(W)가 척(122)에 견고히 고정되도록 할 수 있다.Here, the second connection arm 342 of the second operation portion 340 is formed to be elastically warped. The second connecting portion 342 is connected to the second supporting portion 360 and the second connecting portion 342 is connected to the second supporting portion 360. That is, a lifting force is applied to the center of the second operating portion 340 as the second length adjusting portion 320 is connected, The second operating portion 340 including the second connecting arm 342 is elastically bent as the first and second connecting portions 341 and 362 are caught by the chuck 122 and is prevented from being broken, The second operation portion 340 is elastically bent so that the substrate tray W wrapped around the second clamp 362 is firmly fixed to the chuck 122. [

상기의 제2동작부(340)는 중심에서 방사상으로 제2연결암(342)이 연장되되 제2연결암(342)의 개수는 후술할 삽입홈(364)의 개수와 동일한 개수로 연장 형성될 수 있다.
The second actuating part 340 is formed such that the second connecting arm 342 is extended radially from the center and the number of the second connecting arms 342 is formed to be the same as the number of insertion grooves 364 to be described later .

한편, 상기 제2지지부(360)는 제2동작부(340)의 제2연결암(342)에 일단이 연결되고, 타단이 하방으로 연장되어 그 끝단이 제1클램프(262)보다 하측에 위치되며, 타단에는 링 형태로 형성되어 제1클램프(262)와 기판 트레이(W)를 감싸는 제2클램프(362)가 마련될 수 있다.One end of the second supporting portion 360 is connected to the second connecting arm 342 of the second operating portion 340 and the other end of the second supporting portion 360 is downwardly extended and the end of the second supporting portion 360 is positioned below the first clamp 262 And a second clamp 362, which is formed in a ring shape at the other end and surrounds the first clamp 262 and the substrate tray W, may be provided.

이렇게, 제2지지부(360)는 일단이 제2연결암(342)에 연결되어 제2길이조절부(320)의 동작시 제2연결암(342)과 함께 상하 이동되며, 타단이 하방으로 연장되어 챔버(100) 내에 위치된다. 특히, 제2지지부(360)의 타단에는 링 형태로 형성되어 제2클램프(362)와 기판 트레이(W)를 감싸는 제2클램프(362)가 마련됨으로써 제1클램프(262)와 기판 트레이(W)가 척(122)에 위치 고정되도록 할 수 있다.The second support portion 360 is connected to the second connection arm 342 so that the second support portion 360 is vertically moved together with the second connection arm 342 when the second length adjuster 320 is operated, And is located in the chamber 100. The second clamp 362 is formed at the other end of the second support part 360 so as to surround the second clamp 362 and the substrate tray W so that the first clamp 262 and the substrate tray W Can be positioned and fixed to the chuck 122.

상기의 제2클램프(362)는 링 형태로 형성되며, 외주 둘레에는 제1클램프(262)가 수용되는 삽입홈(364)과 기판 트레이(W)가 안착되는 지지홈(366)이 형성될 수 있다.The second clamp 362 is formed in a ring shape and an insertion groove 364 in which the first clamp 262 is received and a support groove 366 in which the substrate tray W is seated can be formed around the outer periphery of the second clamp 362 have.

본 발명에서 제2클램프 기구(300)는 제1클램프 기구(200)를 통해 일차적으로 고정된 기판 트레이(W)를 이차적으로 더욱 견고히 고정하는 것으로서, 제2지지부(360)에 마련되는 제2클램프(362)는 기판 트레이(W)를 둘레를 감싸도록 링 형태로 형성될 수 있다. 이러한 제2클램프(362)는 기판 트레이(W)의 형상에 따라 원형 링 형태 또는 사각 링 형태로 형성될 수 있으며, 기판 트레이(W)의 형상에 맞추어 그에 대응되도록 형성될 수 있다.In the present invention, the second clamping mechanism 300 further secures the substrate tray W, which is fixed primarily through the first clamping mechanism 200, to the second clamping mechanism 200, (362) may be formed in a ring shape so as to surround the substrate tray (W). The second clamp 362 may be formed in a circular ring shape or a square ring shape depending on the shape of the substrate tray W and may be formed corresponding to the shape of the substrate tray W. [

또한, 제2클램프(362)에는 제1클램프(262)가 수용되는 삽입홈(364)이 형성되고, 기판 트레이(W)의 둘레 형상으로 지지홈(366)이 형성되어 기판 트레이(W)가 안착되는 지지홈(366)이 형성될 수 있다. 이로 인해, 제2클램프(362)의 상승시 제1클램프(262)가 삽입홈(364)에 삽입되고, 기판 트레이(W)가 지지홈(366)에 삽입되어 안착됨으로써 제1클램프(262)만으로 기판 트레이(W)를 고정시 고정한 부위와 고정하지 않은 부위가 에칭 과정 중 다른 공정환경으로 작용하여 오류가 발생되는 것을 제2클램프(362)로 제1클램프(262)를 감싸 공정환경이 동일하게 작용하도록 하여 에칭 과정 중 오류발생이 방지되도록 한다.An insertion groove 364 in which the first clamp 262 is received is formed in the second clamp 362 and a support groove 366 is formed in a circumferential shape of the substrate tray W so that the substrate tray W A supporting groove 366 to be seated can be formed. The first clamp 262 is inserted into the insertion groove 364 when the second clamp 362 rises and the first clamp 262 is inserted into the support groove 366 by being inserted into the support groove 366, The second clamp 362 covers the first clamp 262 and the second clamp 362 covers the substrate tray W in the same process environment. Thereby preventing an error from occurring during the etching process.

아울러, 제2클램프(362)에는 삽입홈(364)을 통해 제1클램프(262)가 삽입되고, 지지홈(366)을 통해 기판 트레이(W)가 삽입되어 안착됨으로써 기판 트레이(W)의 유동이 방지되며, 기판 트레이(W)가 척(122)에 강건하게 접촉되어 위치가 고정되도록 한다.
The first clamp 262 is inserted into the second clamp 362 through the insertion groove 364 and the substrate tray W is inserted and seated through the support groove 366, And the substrate tray W is firmly brought into contact with the chuck 122 to fix the position.

한편, 상기 가이드지지부(180)의 고정 판넬(182)에는 하방으로 연장되어 제1동작부(240)의 상측에 위치되는 멈춤부(184)가 형성됨으로써 제1동작부(240)가 상방으로 과도한 이동시 멈춤부(184)에 접촉되어 이동이 제한되도록 할 수 있다.The stopper 184 extending downward and located above the first operating portion 240 is formed on the fixing panel 182 of the guide supporting portion 180 so that the first operating portion 240 is excessively moved upward The stopper 184 can be brought into contact with the movement to limit the movement.

이렇게, 고정 판넬(182)에서 연장된 멈춤부(184)를 이용하여 제1길이조절부(220)가 과도하게 동작됨에 따라 제1동작부(240)가 과도하게 이동되는 것을 방지함으로써 제1클램프(262)의 파손을 방지할 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1클램프(262)의 경우 플랜지 형태로 연장되는바, 설정 강도 이상으로 힘이 작용될 경우 쉽게 파손될 수 있다. 따라서, 고정 판넬(182)에는 멈춤부(184)를 하방으로 연장되되 제1동작부(240)의 상측에 위치되도록 함으로써 제1길이조절부(220)에 의해 상승된 제1동작부(240)가 멈춤부(184)에 걸리어 제1클램프(262)가 척(122)에 접촉된 후 과도한 상승에 의해 파손되지 않도록 할 수 있다. 제2클램프(362)의 경우 기판 트레이(W)와 제1클램프(262)를 감싼 후 척(122)에 접촉하여 상승 동작이 제한되는바, 별도의 멈춤 수단이 필요치 않다.
The first operating portion 240 is prevented from being excessively moved as the first length adjusting portion 220 is excessively operated by using the stop portion 184 extended from the fixed panel 182, It is possible to prevent the breakage of the spring 262. As described above, the first clamp 262 extends in the form of a flange, and can easily break when a force is applied at a setting strength or more. The fixed panel 182 has the stopper 184 extending downward and positioned above the first operating portion 240 so that the first operating portion 240 raised by the first length adjusting portion 220 is moved downward, It is possible to prevent the first clamp 262 from being damaged by an excessive rise after the first clamp 262 contacts the chuck 122 by being caught by the stopper 184. [ In the case of the second clamp 362, since the upward movement of the second clamp 362 is restricted by contacting the chuck 122 after the substrate tray W and the first clamp 262 are wrapped, no separate stop means is required.

한편, 도 6 내지 8에 도시된 바와 같이, 바닥면에서 양측으로 대칭되는 플레이트(420)가 구비되며, 양 플레이트(420)에는 상하방향으로 다단을 이루며 상호 마주보는 방향을 향해 돌출된 지지대(422);와 상기 지지대(422)에 안착되며, 중앙부에는 기판 트레이(W)의 둘레보다 작은 둘레로 이송홈(442)이 형성되고 전방부가 이송홈(442)과 이어지도록 개방되며, 이송홈(442)의 둘레를 따라 기판 트레이(W)가 안착되는 안착홈(444)이 형성된 거치대(440);와 상기 거치대(440)에 안착된 기판 트레이(W)를 상기 챔버(100) 내로 이송시켜 제1클램프 기구(200)에 안착시키는 이송기구(460);를 포함하는 카세트 모듈(400)이 더 마련될 수 있다.6 to 8, a plate 420 symmetric to both sides of the bottom surface is provided, and both plates 420 are vertically provided with a multi-stage support plate 422 protruding toward the mutually facing direction And a feed groove 442 is formed at a center of the substrate tray W so as to surround the substrate tray W and a front portion of the feed groove 442 is opened to connect with the feed groove 442, And a substrate tray W mounted on the mounting table 440 are transferred into the chamber 100 to form a first substrate W on which the substrate tray W is mounted, And a feeding mechanism 460 for placing the cassette module 400 on the clamping mechanism 200.

상기의 카세트 모듈(400)은 기판 트레이(W)를 챔버(100) 내에 이송하기 전에 기판 트레이(W)를 수납 및 보관하기 위한 것이다.The cassette module 400 is for receiving and storing the substrate tray W before transferring the substrate tray W into the chamber 100. [

이러한 카세트 모듈(400)은 바닥면에 양측으로 플레이트(420)가 대칭대도록 마련됨으로써 전후방이 개통되며, 양 플레이트(420)에는 지지대(422)가 상하방향으로 다단을 이루도록 형성된다.The cassette module 400 is formed such that the plates 420 are symmetrically disposed on both sides of the bottom surface of the cassette module 400 so that the cassette module 400 is opened in the fore and aft direction and the support plate 422 is formed in a multi-

이러한 지지대(422)에는 기판 트레이(W)가 안착되는 거치대(440)가 마련된다. 거치대(440)에는 상측으로 기판 트레이(W)가 안착되며, 중앙부에 기판 트레이의 둘레보다 작은 둘레로 이송홈(442)이 형성되고 전방부가 이송홈(442)과 이어지도록 개방됨으로써 하기 설명할 이송기구(460)가 거치대(440)에 안착된 기판 트레이(W)을 들어올릴 수 있도록 한다. 아울러, 거치대(440)에 이송홈(442)이 형성됨으로써 기판 트레이(W)의 전극에 거치대(440)가 접촉되어 전극이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 거치대(440)에는 기판 트레이(W)가 안착되는 부분에 단턱을 형성하여 기판 트레이(W)의 유동이 방지되도록 할 수 있다.The support base 422 is provided with a mount 440 on which the substrate tray W is mounted. The substrate tray W is mounted on the table 440 at an upper side and a feed groove 442 is formed around the substrate tray at a circumference smaller than the circumference of the substrate tray and the front portion is opened to be connected to the feed groove 442, So that the mechanism 460 can lift the substrate tray W that is seated in the mount 440. [ In addition, since the feed groove 442 is formed in the holder 440, the holder 440 is brought into contact with the electrode of the substrate tray W to prevent the electrode from being damaged. In addition, the stage 440 may be provided with a step at a position where the substrate tray W is seated to prevent the substrate tray W from flowing.

상기 이송기구(460)는 거치대(440)에 안착된 기판 트레이(W)를 챔버(100) 내로 이송시키기 위한 장치이다. 최근에는 작업 공정이 기계화됨에 따라 로봇에 의해 웨이퍼의 이송이 수행된다. 본 발명에서 이송기구(460)는 기판 트레이(W)를 파지하기 위한 수단으로, 로봇에 장착될 수 있다. 즉, 로봇의 동작에 의해 이송기구(460)가 상기 거치대(440)에 안착된 기판 트레이(W)를 파지하고, 상기 챔버(100) 내로 이송시켜 제1클램프 기구(200)에 안착시킬 수 있다.
The conveying mechanism 460 is a device for conveying the substrate tray W seated in the cradle 440 into the chamber 100. In recent years, as the work process is mechanized, the wafer is transferred by the robot. In the present invention, the feed mechanism 460 can be mounted to the robot as a means for holding the substrate tray W. [ That is, by the operation of the robot, the conveying mechanism 460 can grasp the substrate tray W seated on the cradle 440, transfer it into the chamber 100, and mount it on the first clamping mechanism 200 .

한편, 상기 카세트 모듈(400)은 지지대(422)에 설치되어 지지대(422)에 안착된 기판 트레이(W)의 유무를 판단하는 센서부(480)가 설치될 수 있다.The cassette module 400 may include a sensor unit 480 installed on the support table 422 to determine the presence or absence of the substrate tray W mounted on the support table 422.

챔버(100)로 기판 트레이(W)를 이송시킬 경우, 카세트 모듈(400)에서 거치대(440)는 남기고, 기판 트레이(W)만이 챔버(100)로 이송됨에 따라 카세트 모듈(400)에는 거치대(440)의 존재 유무가 아닌 기판 트레이(W)의 존재 유무를 확인하기 위한 수단이 필요하다. When the substrate tray W is transferred to the chamber 100, the cassette module 400 is left with the cradle 440 and only the substrate tray W is transferred to the chamber 100, 440) is present or not, and means for confirming the presence or absence of the substrate tray W is required.

따라서, 카세트 모듈(400)에는 기판 트레이(W)의 유무를 판단하는 센서부(480)를 설치하여, 로봇의 자동화 작업시 카세트 모듈(400)에 적층된 기판 트레이(W)를 찾아 정확히 이송되도록 할 수 있다.Therefore, the cassette module 400 is provided with a sensor unit 480 for determining the presence or absence of the substrate tray W so as to locate the substrate tray W stacked on the cassette module 400 during the automation of the robot, can do.

상기의 센서부(480)는 일례로, 지지대(422)에 투광센서를 설치하고, 거치대(440)에는 투광센서에 대응되는 위치에 홀을 형성함으로써 거치대(440)에 기판 트레이(W)가 안착됨에 따라 거치대(440)의 홀을 통해 빛이 통과되는지를 판단하여 기판 트레이(W)의 유무를 판단할 수 있다.
For example, the sensor unit 480 may be provided with a light projecting sensor on the support table 422, and a hole may be formed in the table 440 at a position corresponding to the light projecting sensor, so that the substrate tray W is seated on the table 440 The presence or absence of the substrate tray W can be determined by determining whether the light passes through the hole of the mount table 440.

한편, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 이송기구(460)는 기판 트레이(W)의 하면과 접촉되도록 평면으로 형성되며, 둘레에는 기판 트레이(W)의 미끄러짐을 방지하는 고무패드(462)가 마련되며, 중앙에는 하중을 분산하기 위한 분산홀(464)이 형성될 수 있다.8, the conveying mechanism 460 is formed in a plane so as to be in contact with the lower surface of the substrate tray W, and a rubber pad 462 for preventing slipping of the substrate tray W is formed around the conveying mechanism 460 And a dispersion hole 464 for dispersing the load may be formed at the center.

이렇게, 이송기구(460)는 평면으로 형성하여 기판 트레이(W)를 안정적으로 지지할 수 있으며, 기판 트레이(W)와 접촉되는 단면에 고무패드(462)가 형성됨에 따라 이송기구(460)에 안착된 기판 트레이(W)가 미끄러져 떨어지지 않도록 할 수 있다. 또한, 이송기구(460)의 중앙에는 분산홀(464)을 형성함으로써 이송기구(460)가 기판 트레이(W)의 무게를 충분히 지지할 수 있도록 할 수 있다.
Thus, the transfer mechanism 460 can be formed in a planar manner to stably support the substrate tray W, and the transfer mechanism 460 can be stably supported by the transfer mechanism 460 as the rubber pad 462 is formed in the end face contacting with the substrate tray W. It is possible to prevent the mounted substrate tray W from slipping off. In addition, by forming the dispersion hole 464 in the center of the transport mechanism 460, the transport mechanism 460 can sufficiently support the weight of the substrate tray W. [

상술한, 기판 트레이(W)를 고정하는 수단인 웨이퍼 고정 장치는 기판 트레이(W)가 안착되는 제1클램프(262)가 마련되고, 챔버(100)의 내부에서 상하방향으로 승강 가능하게 마련됨으로써 동작시 기판 트레이(W)가 챔버(100) 내의 척(122)에 접촉되어 고정되도록 하는 제1클램프 기구(200); 및 상기 제1클램프 기구(200)와 별도로 챔버(100)의 내부에서 상하방향으로 승강 가능하도록 마련되고, 상기 제1클램프(262)와 기판 트레이(W)를 감싸도록 형성된 제2클램프(362)가 구비되며, 동작시 제1클램프(262)와 함께 기판 트레이(W)가 챔버(100) 내의 척(122)에 밀착되도록 하는 제2클램프 기구(300);를 포함하여 구성됨으로써 챔버(100) 내에 기판 트레이(W)가 견고히 고정되도록 할 수 있다.
The wafer holding apparatus as a means for fixing the substrate tray W described above is provided with a first clamp 262 on which the substrate tray W is placed and is vertically movable up and down inside the chamber 100 A first clamping mechanism (200) which, in operation, causes the substrate tray (W) to contact and fix the chuck (122) in the chamber (100); And a second clamp 362 provided so as to be vertically movable up and down in the chamber 100 apart from the first clamping mechanism 200 and configured to enclose the first clamp 262 and the substrate tray W. [ And a second clamping mechanism 300 for allowing the substrate tray W to be in close contact with the chuck 122 in the chamber 100 together with the first clamp 262 in operation. So that the substrate tray W can be firmly fixed.

하기에는, 본 발명의 동작에 대해서 도면을 참조하여 설명하도록 한다.Hereinafter, the operation of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 9에 도시된 바와 같이, 카세트 모듈(400)의 지지대(422)에는 거치대(440)가 안착되고, 거치대(440)에 기판 트레이(W)가 안착되어, 기판 트레이(W)가 챔버(100)로 이송되기 전으로 대기된다.9, a cradle 440 is seated on a support table 422 of the cassette module 400 and a substrate tray W is seated on a table 440 so that a substrate tray W is placed in the chamber 100 ). ≪ / RTI >

도 10에서 볼 수 있듯이, 해당 기판 트레이(W)를 챔버(100)로 이송시킬 경우, 이송기구(460)가 거치대(440)에 안착된 기판 트레이(W)만을 들어올려 챔버(100)로의 이송이 수행된다.10, when the substrate tray W is transferred to the chamber 100, the transfer mechanism 460 lifts only the substrate tray W that is seated in the holder 440 and transfers the substrate tray W to the chamber 100 Is performed.

이렇게 이송된 기판 트레이(W)는 도 11 내지 12 에 도시된 챔버(100) 내의 웨이퍼 고정장치로 이송되어, 기판 트레이(W)가 제1클램프 기구(200)의 제1클램프(262)에 안착된다.The substrate tray W thus transferred is transferred to the wafer holding apparatus in the chamber 100 shown in Figs. 11 to 12 so that the substrate tray W is seated on the first clamp 262 of the first clamping mechanism 200 do.

제1클램프(262)에 기판 트레이(W)가 안착되면 도 13에 도시된 바와 같이, 제1클램프 기구(200)의 제1길이조절부(220)가 상승 동작됨에 따라 제1동작부(240)가 상승 이동되고 이에 연결된 제1지지부(260)가 상승됨으로써 제1클램프(262)가 상승된다. 이로 인해, 제1클램프(262)에 안착된 기판 트레이(W)는 척(122)을 향해 이동되어 접촉됨으로써 일차적으로 위치가 고정된다.When the substrate tray W is placed on the first clamp 262, as shown in FIG. 13, as the first length adjusting portion 220 of the first clamping mechanism 200 is lifted up, the first operation portion 240 Is raised and the first support portion 260 connected thereto is lifted, so that the first clamp 262 is raised. As a result, the substrate tray W seated on the first clamp 262 is moved and contacted toward the chuck 122, thereby fixing the position of the substrate tray W primarily.

이 상태에서, 도 14에 도시된 바와 같이, 제2클램프 기구(300)의 제2길이조절부(320)가 상승 동작됨에 따라 제2동작부(340)가 상승 이동되고 이에 연결된 제2지지부(360)가 상승됨으로써 제2클램프(362)가 상승된다. 이로 인해, 제2클램프(362)가 제1클램프(262)와 함께 기판 트레이(W)를 상방으로 밀어 가압함으로써 기판 트레이(W)가 척(122)에 이차적으로 강건히 고정되도록 한다.
In this state, as shown in FIG. 14, as the second length adjuster 320 of the second clamping mechanism 300 is lifted up, the second operating portion 340 is moved up and the second supporting portion 360 are raised to raise the second clamp 362. This causes the second clamp 362 to push the substrate tray W upward together with the first clamp 262 so that the substrate tray W is securely fixed to the chuck 122 secondarily.

상술한 바와 같은 구조로 이루어진 플라즈마 처리 장치는 챔버(100)의 하부에서 플라즈마가 형성되는 방식의 플라즈마 처리 장치에 있어서, 챔버(100) 내부에 기판 트레이(W)를 견고히 고정하고, 기판 트레이(W)의 주변 공정환경이 균일하도록 하여 에칭작업시 오류발생을 최소화한다.The plasma processing apparatus having the above-described structure is a plasma processing apparatus in a plasma processing system in which a plasma is formed in a lower portion of a chamber 100. The plasma processing apparatus has a structure in which a substrate tray W is firmly fixed in a chamber 100, ), Thereby minimizing the occurrence of errors in the etching operation.

또한, 챔버(100) 내부로 기판 트레이(W)를 이송하기 위한 수단인 카세트가 제공되며, 카세트의 적재된 기판 트레이(W)를 챔버(100) 내에 이송이 용이하여 작업 효율이 증대되도록 한다.
In addition, a cassette serving as a means for transferring the substrate tray W into the chamber 100 is provided so that the substrate tray W on which the cassette is loaded can be easily transferred into the chamber 100, thereby increasing the working efficiency.

본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 제공되는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 한도 내에서, 본 발명이 다양하게 개량 및 변화될 수 있다는 것은 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to specific embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the following claims It will be apparent to those of ordinary skill in the art.

100:챔버 120:상단벽부
122:척 140:측단벽부
142:안테나 160:하단벽부
180:가이드지지부 182:고정 판넬
184:멈춤부 200:제1클램프 기구
220:제1길이조절부 222:실린더
224:피스톤 로드 240:제1동작부
242:제1연결암 260:제1지지부
262:제1클램프 264:연결고리
300:제2클램프 기구 320:제2길이조절부
322:실린더 324:피스톤 로드
340:제2동작부 342:제2연결암
360:제2지지부 362:제2클램프
364:삽입홈 366:지지홈
400:카세트 모듈 420:플레이트
422:지지대 440:거치대
442:이송홈 460:이송기구
462:고무패드 464:분산홀
W:기판 트레이 a:플라즈마 생성공간
100: chamber 120: upper wall portion
122: chuck 140: side end wall portion
142: antenna 160: bottom wall portion
180: Guide support part 182: Fixing panel
184: stopper 200: first clamping mechanism
220: first length adjuster 222: cylinder
224: piston rod 240: first operating portion
242: first connecting arm 260: first supporting part
262: first clamp 264: connecting ring
300: second clamping mechanism 320: second length adjusting section
322: cylinder 324: piston rod
340: second operating portion 342: second connecting arm
360: second support portion 362: second clamp
364: insertion groove 366: support groove
400: cassette module 420: plate
422: support 440: support
442: Feed groove 460: Feed mechanism
462: rubber pad 464: dispersion hole
W: substrate tray a: plasma generating space

Claims (22)

플라즈마가 생성되는 공간이 구비되고 상단벽부의 하단에 척이 고정된 챔버;
상기 챔버의 상단벽부에 설치되며, 기판 트레이가 안착되는 제1클램프가 마련되고, 챔버의 내부에서 상하방향으로 승강 가능하게 마련됨으로써 상승 동작시 기판 트레이가 척에 접촉되어 고정되도록 하는 제1클램프 기구; 및
상기 챔버의 상단벽부에 설치되며, 챔버의 내부에서 상하방향으로 승강 가능하도록 마련되고, 상기 제1클램프와 기판 트레이를 감싸도록 형성된 제2클램프의 상승 동작시 제1클램프와 함께 기판 트레이가 척에 밀착되도록 하는 제2클램프 기구;를 포함하며,
상기 제1클램프 기구는, 상기 챔버의 상단벽부 상단에 고정 설치되며, 상하방향으로 길이가 가변되는 제1길이조절부;와
상기 제1길이조절부의 상측에 위치되며, 제1길이조절부가 연결되어 제1길이조절부에 의해 상하로 이동되는 제1동작부;와
상기 제1동작부에서 하방으로 연장되어 챔버의 상단벽부를 관통하고, 연장된 끝단에는 챔버의 내부에서 기판 트레이가 안착되는 제1클램프가 구비된 제1지지부;로 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
A chamber having a space for generating a plasma and having a chuck fixed to a lower end of the upper wall;
A first clamping unit installed on an upper wall of the chamber and provided with a first clamp on which a substrate tray is seated and a first clamping mechanism provided on the chamber so as to be vertically movable up and down, ; And
The substrate tray is installed on the upper wall of the chamber and is movable upward and downward in the chamber. The first clamp and the first clamp, which are formed to enclose the first clamp and the substrate tray, And a second clamping mechanism for causing the first clamping mechanism
The first clamp mechanism includes a first length adjuster fixed to the upper end of the upper wall of the chamber and having a variable length in a vertical direction,
A first operation unit positioned above the first length adjuster and connected to the first length adjuster and moved up and down by a first length adjuster;
And a first support portion extending downward from the first operation portion to penetrate through the upper wall portion of the chamber and having a first clamp to which the substrate tray is seated at an extended end thereof. .
청구항 1에 있어서,
상기 챔버는 상단벽부에 척이 고정되고, 하단벽부에서 상방으로 공정가스가 공급되며, 측단벽부의 상측으로 진공펌프가 연결되고 하측으로 안테나가 마련된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the chamber has a chuck fixed to the upper wall, a process gas is supplied upwardly from the lower wall, a vacuum pump is connected to the upper side of the side wall, and an antenna is provided downward.
삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 제1길이조절부는 챔버 상단벽부에 고정된 실린더와 실린더에서 상하방향으로 승강되도록 마련되며, 제1동작부가 연결되는 피스톤 로드;로 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first length adjuster comprises a cylinder fixed to the upper wall of the chamber, and a piston rod connected to the first actuator so as to be vertically moved up and down in the cylinder.
청구항 1에 있어서,
상기 제1동작부는 챔버의 상단벽부와 수평하게 배치되고, 중심에는 상기 제1길이조절부가 연결되며, 중심에서 방사상으로 동일한 길이와 등각을 이루는 적어도 둘 이상의 제1연결암이 연장 형성되어 제1지지부가 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method according to claim 1,
At least two first connection arms radially extending from the center and extending at an equal angle and extending from the center of the first and second connection arms, And the plasma processing unit is connected to the plasma processing apparatus.
청구항 5에 있어서,
상기 제1동작부의 제1연결암은 탄성적으로 휘어짐이 가능하도록 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method of claim 5,
Wherein the first connection arm of the first operation portion is formed to be elastically warped.
청구항 5에 있어서,
상기 제1동작부는 중심에서 방사상으로 세 개의 제1연결암이 연장 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method of claim 5,
Wherein the first actuating part has three first connecting arms extending radially from the center.
청구항 5에 있어서,
상기 제1지지부는 제1동작부의 제1연결암에 일단이 연결되고, 타단이 하방으로 연장되어 그 끝단이 챔버 내부의 척보다 하측에 위치되며, 타단에는 챔버의 중앙을 향해 플랜지 형태로 연장된 제1클램프가 마련된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method of claim 5,
The first support part is connected to the first connection arm of the first operation part and has one end extended downward and an end thereof positioned below the chuck inside the chamber and a flange extending toward the center of the chamber at the other end Wherein a first clamp is provided.
청구항 5에 있어서,
상기 복수의 제1연결암에 연결된 각각의 제1지지부는 링 형태로 형성된 연결고리의 외주 둘레에 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method of claim 5,
Wherein each first support portion connected to the plurality of first connection arms is connected to an outer periphery of a ring-shaped connection ring.
청구항 9에 있어서,
상기 연결고리는 제1지지부의 연장된 끝단에서 제1클램프보다 상측에 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method of claim 9,
Wherein the connection link is connected to the upper end of the first support part above the first clamp.
청구항 1에 있어서,
상기 챔버에는 상단벽부의 상단에 고정 설치되고, 상방으로 연장되어 제1클램프 기구와 제2클램프 기구가 연결됨으로써 제1클램프 기구와 제2클램프 기구가 동일 방향으로 승강되도록 하며, 연장된 끝단에는 고정 판넬이 마련된 가이드지지부가 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method according to claim 1,
The chamber is fixed to the upper end of the upper wall portion and extends upward so that the first clamping mechanism and the second clamping mechanism are connected so that the first clamping mechanism and the second clamping mechanism are moved up and down in the same direction, Wherein a guide supporting portion provided with a panel is formed.
청구항 11에 있어서,
상기 제2클램프기구는,
상기 고정 판넬의 하단에 고정 설치되며, 상하방향으로 길이가 가변되는 제2길이조절부;와
상기 제2길이조절부의 하측에 위치되며, 제2길이조절부가 연결되어 제2길이조절부에 의해 상하로 이동되는 제2동작부;와
상기 제2동작부에서 하방으로 연장되어 챔버의 상단벽부를 관통하고, 연장된 끝단에는 챔버의 내부에서 제1클램프와 함께 기판 트레이를 감싸는 제2클램프가 구비된 제2지지부;로 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method of claim 11,
The second clamping mechanism includes:
A second length adjuster fixed to the lower end of the fixed panel and having a variable length in a vertical direction;
A second operating portion located below the second length adjusting portion and connected to the second length adjusting portion and moved up and down by a second length adjusting portion;
And a second support portion extending downward from the second operation portion to penetrate the upper wall portion of the chamber and having a second clamp that surrounds the substrate tray together with the first clamp in the chamber at the extended end thereof. .
청구항 12에 있어서,
상기 제2길이조절부는 제2동작부에 고정된 실린더와 실린더에서 상하방향으로 승강되도록 마련되며, 고정 판넬에 연결되는 피스톤 로드;로 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method of claim 12,
Wherein the second length adjuster comprises a cylinder fixed to the second actuating part, and a piston rod provided to be vertically moved up and down in the cylinder, the piston rod being connected to the fixed panel.
청구항 12에 있어서,
상기 제2동작부는 챔버의 상단벽부와 수평하게 배치되고, 중심에는 상기 제2길이조절부가 연결되며, 중심에서 방사상으로 동일한 길이와 등각을 이루는 적어도 둘 이상의 제2연결암이 연장 형성되어 제2지지부가 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method of claim 12,
The second actuating part is disposed horizontally with the upper wall part of the chamber, the second length adjusting part is connected to the center thereof, and at least two second connecting arms radially extending from the center and having the same length and angle are extended, And the plasma processing unit is connected to the plasma processing apparatus.
청구항 14에 있어서,
상기 제2동작부의 제2연결암은 탄성적으로 휘어짐이 가능하도록 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
15. The method of claim 14,
And the second connection arm of the second operation portion is formed to be elastically warped.
청구항 14에 있어서,
상기 제2지지부는 제2동작부의 제2연결암에 일단이 연결되고, 타단이 하방으로 연장되어 그 끝단이 제1클램프보다 하측에 위치되며, 타단에는 링 형태로 형성되어 제1클램프와 기판 트레이를 감싸는 제2클램프가 마련된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
15. The method of claim 14,
The second support part has one end connected to the second connection arm of the second operation part, the other end extending downward, the end of the second support part being positioned lower than the first clamp, and the other end of the second support part being formed in a ring shape, And a second clamp that surrounds the first clamp.
청구항 16에 있어서,
상기 제2클램프는 링 형태로 형성되며, 외주 둘레에는 제1클램프가 수용되는 삽입홈과 기판 트레이가 안착되는 지지홈이 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
18. The method of claim 16,
Wherein the second clamp is formed in a ring shape, and an insertion groove in which the first clamp is received and a support groove in which the substrate tray is seated are formed around the outer periphery.
청구항 11에 있어서,
상기 가이드지지부의 고정 판넬에는 하방으로 연장되어 제1동작부의 상측에 위치되는 멈춤부가 형성됨으로써 제1동작부가 상방으로 과도한 이동시 멈춤부에 접촉되어 이동이 제한되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method of claim 11,
Wherein a stop portion extending downwardly from the first operation portion is formed on the fixing panel of the guide support portion so that the first operation portion abuts against the stop portion when the first operation portion moves upward excessively to restrict the movement.
청구항 1에 있어서,
바닥면에서 양측으로 대칭되는 플레이트가 구비되며, 양 플레이트에는 상하방향으로 다단을 이루며 상호 마주보는 방향을 향해 돌출된 지지대;와
상기 지지대에 안착되며, 중앙부에는 기판 트레이의 둘레보다 작은 둘레로 이송홈이 형성되고 전방부가 이송홈과 이어지도록 개방되며, 이송홈의 둘레를 따라 기판 트레이가 안착되는 안착홈이 형성된 거치대;와
상기 거치대에 안착된 기판 트레이를 상기 챔버 내로 이송시켜 제1클램프 기구에 안착시키는 이송기구;를 포함하는 카세트 모듈이 더 마련된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method according to claim 1,
A plate symmetrically disposed on both sides of the bottom surface, and both plates having a multi-stage vertically protruding toward each other in a mutually facing direction;
A receiving groove formed in the center of the substrate tray and having a receiving groove formed circumferentially around a periphery of the substrate tray and having a front portion opened to be connected to the feeding groove and having a seating groove for receiving the substrate tray along the periphery of the feeding groove;
And a conveying mechanism for conveying the substrate tray seated on the cradle to the chamber and placing the substrate tray in the first clamping mechanism.
청구항 19에 있어서,
상기 카세트 모듈은 지지대에 설치되어 지지대에 안착된 기판 트레이의 유무를 판단하는 센서부가 설치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method of claim 19,
Wherein the cassette module is provided with a sensor unit installed on a support and determining the presence or absence of a substrate tray mounted on a support.
청구항 19에 있어서,
상기 이송기구는 기판 트레이의 하면과 접촉되도록 평면으로 형성되며, 둘레에는 기판 트레이의 미끄러짐을 방지하는 고무패드가 마련되며, 중앙에는 하중을 분산하기 위한 분산홀이 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
The method of claim 19,
Wherein the transfer mechanism is formed in a plane so as to be in contact with a lower surface of the substrate tray, and a rubber pad for preventing slippage of the substrate tray is formed around the substrate, and a dispersion hole for dispersing a load is formed at the center.
기판 트레이가 안착되는 제1클램프가 마련되고, 챔버의 내부에서 상하방향으로 승강 가능하게 마련됨으로써 동작시 기판 트레이가 챔버 내의 척에 접촉되어 고정되도록 하는 제1클램프 기구; 및
상기 제1클램프 기구와 별도로 챔버의 내부에서 상하방향으로 승강 가능하도록 마련되고, 상기 제1클램프와 기판 트레이를 감싸도록 형성된 제2클램프가 구비되며, 동작시 제1클램프와 함께 기판 트레이가 챔버 내의 척에 밀착되도록 하는 제2클램프 기구;를 포함하고,
상기 제1클램프 기구는, 상기 챔버의 상단벽부 상단에 고정 설치되며, 상하방향으로 길이가 가변되는 제1길이조절부;와
상기 제1길이조절부의 상측에 위치되며, 제1길이조절부가 연결되어 제1길이조절부에 의해 상하로 이동되는 제1동작부;와
상기 제1동작부에서 하방으로 연장되어 챔버의 상단벽부를 관통하고, 연장된 끝단에는 챔버의 내부에서 기판 트레이가 안착되는 제1클램프가 구비된 제1지지부;로 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
A first clamp mechanism provided with a first clamp on which the substrate tray is seated and capable of being vertically elevated inside the chamber so that the substrate tray is held in contact with the chuck in the chamber during operation; And
A first clamp and a second clamp formed to enclose the first clamp and the substrate tray, wherein the first clamp and the substrate tray together with the first clamp move in a vertical direction in the chamber, And a second clamping mechanism which is brought into close contact with the chuck,
The first clamp mechanism includes a first length adjuster fixed to the upper end of the upper wall of the chamber and having a variable length in a vertical direction,
A first operation unit positioned above the first length adjuster and connected to the first length adjuster and moved up and down by a first length adjuster;
And a first support portion extending downward from the first operation portion to penetrate through the upper wall portion of the chamber and having a first clamp to which the substrate tray is seated at an extended end thereof. .
KR1020140161580A 2014-11-19 2014-11-19 Wafer holding apparatus and plasma treating apparatus using the same Active KR101505625B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140161580A KR101505625B1 (en) 2014-11-19 2014-11-19 Wafer holding apparatus and plasma treating apparatus using the same
CN201510675845.5A CN105609399B (en) 2014-11-19 2015-10-19 plasma treating apparatus
TW104134187A TWI534946B (en) 2014-11-19 2015-10-19 Plasma processing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140161580A KR101505625B1 (en) 2014-11-19 2014-11-19 Wafer holding apparatus and plasma treating apparatus using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101505625B1 true KR101505625B1 (en) 2015-03-26

Family

ID=53028471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140161580A Active KR101505625B1 (en) 2014-11-19 2014-11-19 Wafer holding apparatus and plasma treating apparatus using the same

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101505625B1 (en)
CN (1) CN105609399B (en)
TW (1) TWI534946B (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111370288A (en) * 2020-04-16 2020-07-03 上海稷以科技有限公司 Multilayer lining wall plasma processing device and working method thereof
CN114141597A (en) * 2020-09-04 2022-03-04 友威科技股份有限公司 Carrier for vertical continuous vacuum process equipment
CN115206863A (en) * 2021-04-12 2022-10-18 韩华株式会社 Substrate processing apparatus with lifter section
KR20240098214A (en) 2022-12-20 2024-06-28 주식회사 에이씨에스 Shutter device for controlling deposition area of sputtering equipment for thin film deposition and deposition method using the same
KR20240098213A (en) 2022-12-20 2024-06-28 주식회사 에이씨에스 Wafer holding device of sputtering equipment for thin film deposition

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106494470B (en) * 2016-11-28 2019-01-11 江苏世丰企业管理咨询有限公司 A kind of power distribution cabinet carrier with holding function
KR102826478B1 (en) * 2020-08-25 2025-06-30 주식회사 제우스 Wafer processing apparatus and wafer processing method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09310187A (en) * 1996-05-16 1997-12-02 Hitachi Ltd Sputtering equipment
JP2004176124A (en) * 2002-11-27 2004-06-24 Ulvac Japan Ltd Alignment apparatus, film deposition system, and alignment method
JP2006190754A (en) * 2005-01-05 2006-07-20 Shimadzu Corp Film forming apparatus and composite film forming apparatus
KR20090024523A (en) * 2007-09-04 2009-03-09 주식회사 유진테크 Shower head and substrate processing apparatus comprising the same, Method for supplying plasma using shower head

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4704087B2 (en) * 2005-03-31 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR101174816B1 (en) * 2009-12-30 2012-08-17 주식회사 탑 엔지니어링 Focus Ring of Plasma Processing Apparatus and Plasma Processing Apparatus Having the Same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09310187A (en) * 1996-05-16 1997-12-02 Hitachi Ltd Sputtering equipment
JP2004176124A (en) * 2002-11-27 2004-06-24 Ulvac Japan Ltd Alignment apparatus, film deposition system, and alignment method
JP2006190754A (en) * 2005-01-05 2006-07-20 Shimadzu Corp Film forming apparatus and composite film forming apparatus
KR20090024523A (en) * 2007-09-04 2009-03-09 주식회사 유진테크 Shower head and substrate processing apparatus comprising the same, Method for supplying plasma using shower head

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111370288A (en) * 2020-04-16 2020-07-03 上海稷以科技有限公司 Multilayer lining wall plasma processing device and working method thereof
CN114141597A (en) * 2020-09-04 2022-03-04 友威科技股份有限公司 Carrier for vertical continuous vacuum process equipment
CN115206863A (en) * 2021-04-12 2022-10-18 韩华株式会社 Substrate processing apparatus with lifter section
KR20240098214A (en) 2022-12-20 2024-06-28 주식회사 에이씨에스 Shutter device for controlling deposition area of sputtering equipment for thin film deposition and deposition method using the same
KR20240098213A (en) 2022-12-20 2024-06-28 주식회사 에이씨에스 Wafer holding device of sputtering equipment for thin film deposition

Also Published As

Publication number Publication date
TWI534946B (en) 2016-05-21
CN105609399B (en) 2017-02-22
TW201606927A (en) 2016-02-16
CN105609399A (en) 2016-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101505625B1 (en) Wafer holding apparatus and plasma treating apparatus using the same
US11133210B2 (en) Dual temperature heater
KR102330713B1 (en) Substrate support apparatus having reduced substrate particle generation
KR101174816B1 (en) Focus Ring of Plasma Processing Apparatus and Plasma Processing Apparatus Having the Same
CN109950193A (en) Removable and removable handling accessories
KR101913017B1 (en) Processing chamber
TWI764803B (en) Carrier plate for use in plasma processing systems
KR102404531B1 (en) lift pin holder
JP2019537273A (en) Design of wafer edge lift pins for manufacturing semiconductor devices
US7204888B2 (en) Lift pin assembly for substrate processing
JP2017228696A (en) Substrate placing apparatus and substrate placing method
JP2016500199A (en) Apparatus for orienting a wafer onto a wafer carrier
CN111508805A (en) Wafer lifting structure in semiconductor equipment and semiconductor equipment
KR101977376B1 (en) Deposition apparatus
US11189467B2 (en) Apparatus and method of attaching pad on edge ring
JP2024515287A (en) Device for commonly lifting substrate and shadow ring
KR102240922B1 (en) Apparatus for treating substrate and Method for teaching robot
KR101135355B1 (en) Substrate lifting apparatus
US20130149078A1 (en) Substrate-processing apparatus and substrate-transferring method
CN111370359B (en) Open Wafer Cassette Fixture
KR102399208B1 (en) Processing chamber with features from side wall
KR20090048202A (en) Board Mounting Device and Board Mounting Method
JP2013084772A (en) Substrate placement structure and substrate processing apparatus
US9530675B2 (en) Wafer handling station including cassette members with lateral wafer confining brackets and associated methods
KR20250080838A (en) Substrate handling system and return method

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20141119

PA0201 Request for examination
PA0302 Request for accelerated examination

Patent event date: 20141204

Patent event code: PA03022R01D

Comment text: Request for Accelerated Examination

Patent event date: 20141119

Patent event code: PA03021R01I

Comment text: Patent Application

PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20141224

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20150317

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20150318

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20150319

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171204

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20171204

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181211

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20181211

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191210

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20191210

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20201209

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20211206

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20221207

Start annual number: 9

End annual number: 9