KR101483695B1 - 실리콘의 정련 장치 - Google Patents
실리콘의 정련 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101483695B1 KR101483695B1 KR20130029663A KR20130029663A KR101483695B1 KR 101483695 B1 KR101483695 B1 KR 101483695B1 KR 20130029663 A KR20130029663 A KR 20130029663A KR 20130029663 A KR20130029663 A KR 20130029663A KR 101483695 B1 KR101483695 B1 KR 101483695B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silicon
- flow path
- silicon melt
- melt
- partition wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
- C30B15/16—Heating of the melt or the crystallised materials by irradiation or electric discharge
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘의 정련 장치는 실리콘 용탕이 저장되며, 상부가 개방된 실리콘 용융부 및 상기 실리콘 용융부 내측에서 연장되어 내부에 유로를 형성하는 하나 이상의 격벽을 포함한다.
Description
도 2는 도 1에서 실리콘 용탕의 이동경로를 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1의 실리콘 용융부를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 3의 외측을 나타내는 도면이다.
도 5는 도 3의 A-A선을 따라 절취한 절단면을 나타내는 도면이다.
도 6은 도 1의 격벽의 내부를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 용융부에 유체공급부가 배치된 모습을 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7을 위에서 본 모습과 외측에서 본 모습을 나타내는 도면이다.
도 9는 각각 다른 형상을 가지는 2종류의 연결탕로부를 나타내는 도면이다.
도 10은 도 9에 나타나는 2종류의 연결탕로부에 유지되는 실리콘 용탕의 두께를 측면에서 본 단면도이다.
도 11은 도 9에서 나타나는 2종류의 연결탕로부에 유지되는 실리콘 용탕의 두께를 정성적으로 나타내는 실험결과표이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 연결탕로부를 나타내는 도면이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 연결탕로부를 나타내는 도면이다.
200: 전자총
390: 실리콘 용융부
395: 격벽
400; 일방향 응고부
500: 연결탕로부
Claims (11)
- 실리콘 용탕이 저장되며, 상부가 개방된 실리콘 용융부; 및
상기 실리콘 용융부 내측에서 연장되어 내부에 유로를 형성하는 복수 개의 격벽;
을 포함하고,
상기 복수 개의 격벽 중 어느 하나는 원료가 투입되는 투입구과 인접한 실리콘 용융부 내측에서 연장되고,
상기 복수 개의 격벽 중 어느 하나는 용융된 실리콘이 배출되는 연결탕로부에 인접한 실리콘 용융부 내측에서 연장되는 실리콘의 정련 장치. - 제 1항에 있어서,
상기 격벽은 복수 개로 이루어지고,
상기 복수 개의 격벽은 서로 평행한 방향을 향하는 것을 특징으로 하는 실리콘의 정련 장치. - 진공 분위기를 유지하는 진공 챔버;
상기 진공 챔버에 구비되며, 전자빔을 조사하는 적어도 하나 이상의 전자총(Electron-gun);
상기 진공 챔버 내에 구비되며, 실리콘 원료물질을 공급하는 원료 공급부;
상기 전자빔에 의해 상기 실리콘 원료물질이 용융되어 실리콘 용탕이 형성되는 실리콘 용융부;
상기 실리콘 용융부로부터 공급되는 실리콘 용탕을 응고시키는 일방향 응고부;
상기 실리콘 용융부의 제 1 채널부와 상기 일방향 응고부의 제 2 채널부가 서로 접하여 이루어진 연결탕로부; 및
상기 실리콘 용융부 내에서 상기 실리콘 용탕의 이동경로를 변경시키는 하나 이상의 격벽을 포함하는 실리콘의 정련 장치. - 제 3항에 있어서,
상기 연결탕로부는 하면부와 상기 하면부의 양 끝 단에서 수직방향으로 연장된 한쌍의 측면부를 포함하고, 상기 실리콘 용탕이 이송되는 방향에 따라 상기 하면부의 단면적이 작아지는 것을 특징으로 하는 실리콘의 정련 장치. - 제 3항에 있어서,
상기 연결탕로부의 하면부는 상기 실리콘 용탕이 상기 일방향 응고부로 공급되는 동안 상기 실리콘 용탕으로 덮어져 유지되는 것을 특징으로 하는 실리콘의 정련 장치. - 제 3항에 있어서,
상기 실리콘 용융부, 상기 일방향 응고부 또는 격벽부는 구리 재질을 가지는 것을 특징으로 하는 실리콘의 정련 장치. - 제 3항에 있어서,
상기 격벽의 재질은 세라믹스인 것을 특징으로 하는 실리콘의 정련 장치. - 제 3항에 있어서,
상기 실리콘 용융부는 외측에 배치되며, 유체가 흐르는 유로부를 포함하고,
상기 유로부는 복수 개의 슬릿에 의해 형성된 복수의 유로를 포함하는 제 1 유로부와
상기 제 1 유로부에 연장되고, 상기 복수의 유로가 서로 연결되어 하나의 유로를 형성하는 제 2 유로부를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘의 정련 장치. - 제 3항에 있어서,
상기 실리콘 용융부는 각 외측에 배치된 각각의 유로부를 포함하고,
상기 인접한 외측에 배치된 유로부들은 상기 실리콘 용융부의 내부를 관통하여 서로 공간적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 실리콘의 정련장치. - 제 3항에 있어서,
상기 실리콘 용융부는 외측에 배치된 복수의 유로부를 갖고,
상기 복수의 유로부 중 적어도 어느 하나의 유로부의 유로 폭은 나머지 유로부의 유로 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 실리콘의 정련 장치. - 제 10항에 있어서,
상기 유로부는 상기 격벽 내부와 공간적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 실리콘의 정련 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20130029663A KR101483695B1 (ko) | 2013-03-20 | 2013-03-20 | 실리콘의 정련 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20130029663A KR101483695B1 (ko) | 2013-03-20 | 2013-03-20 | 실리콘의 정련 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140115065A KR20140115065A (ko) | 2014-09-30 |
KR101483695B1 true KR101483695B1 (ko) | 2015-01-16 |
Family
ID=51758499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20130029663A Active KR101483695B1 (ko) | 2013-03-20 | 2013-03-20 | 실리콘의 정련 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101483695B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104445903B (zh) * | 2014-11-25 | 2017-04-12 | 大连理工大学 | 一种电子束熔炼多晶硅粉体与定向凝固结合的装置及方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63210226A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-08-31 | Nippon Steel Corp | 溶銑予備処理設備 |
JPH0783575A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-28 | Mitsubishi Materials Corp | 溶湯抜出用樋 |
JPH0938753A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-10 | Nippon Steel Corp | 連続鋳造用タンディッシュ |
JP2009078948A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Ulvac Japan Ltd | 材料の精製方法 |
-
2013
- 2013-03-20 KR KR20130029663A patent/KR101483695B1/ko active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63210226A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-08-31 | Nippon Steel Corp | 溶銑予備処理設備 |
JPH0783575A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-28 | Mitsubishi Materials Corp | 溶湯抜出用樋 |
JPH0938753A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-10 | Nippon Steel Corp | 連続鋳造用タンディッシュ |
JP2009078948A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Ulvac Japan Ltd | 材料の精製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140115065A (ko) | 2014-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7981214B2 (en) | Device and process for the crystallizing of non-ferrous metals | |
KR101182907B1 (ko) | 성막 방법 및 성막 장치 | |
KR101275768B1 (ko) | 스팀 플라즈마 토치를 이용한 umg 실리콘의 정련 장치 | |
CN103590103B (zh) | 一种多晶硅铸锭炉氩气导流系统及其导流方法 | |
JP5918572B2 (ja) | チタン鋳塊およびチタン合金鋳塊の連続鋳造装置および連続鋳造方法 | |
RU2489506C2 (ru) | Способ и устройство электронно-лучевой или плазменной плавки металла из кристаллизатора в кристаллизатор | |
US8926751B2 (en) | Gas flow guiding device for use in crystal-growing furnace | |
US8794035B2 (en) | Apparatus for manufacturing high purity polysilicon using electron-beam melting and method of manufacturing high purity polysilicon using the same | |
KR101483695B1 (ko) | 실리콘의 정련 장치 | |
KR101441856B1 (ko) | 실리콘의 정련 장치 | |
KR101397979B1 (ko) | 실리콘의 정련 장치 | |
KR101394161B1 (ko) | 실리콘의 정련 장치 | |
KR101401347B1 (ko) | 실리콘의 정련 장치 | |
KR101475755B1 (ko) | 실리콘의 정련 장치 | |
CN109850905B (zh) | 一种电子束熔炼过程中提高挥发性杂质除杂量的方法及装置 | |
CN203754434U (zh) | 一种去除多晶硅中磷杂质的设备 | |
CN103420375A (zh) | 基于电子束熔炼利用引锭杆制造多晶硅的装置及方法 | |
CN104245581A (zh) | 硅提纯装置和硅提纯方法 | |
US9156081B2 (en) | Mold for continuous casting of titanium or titanium alloy ingot, and continuous casting device provided with same | |
KR101483697B1 (ko) | 실리콘 잉곳 제조 장치 | |
JP2010254534A (ja) | 坩堝、該坩堝を用いた精製装置および精製方法 | |
JP2005343779A (ja) | 電子ビームを用いたスクラップシリコンの精錬装置 | |
KR20120058330A (ko) | 더미 바를 이용한 전자빔 용융 기반의 폴리실리콘 제조 장치 및 방법 | |
KR101616897B1 (ko) | 마그네슘 합금 주조장치 | |
CN103833037B (zh) | 一种多晶硅除磷装置及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20130320 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20140428 Patent event code: PE09021S01D |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20141119 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20150112 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20150113 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180105 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20180105 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181211 Year of fee payment: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20181211 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191210 Year of fee payment: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20191210 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20201209 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20231206 Start annual number: 10 End annual number: 10 |