[go: up one dir, main page]

KR101477929B1 - 유기발광소자 및 이의 제조방법 - Google Patents

유기발광소자 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101477929B1
KR101477929B1 KR1020130139244A KR20130139244A KR101477929B1 KR 101477929 B1 KR101477929 B1 KR 101477929B1 KR 1020130139244 A KR1020130139244 A KR 1020130139244A KR 20130139244 A KR20130139244 A KR 20130139244A KR 101477929 B1 KR101477929 B1 KR 101477929B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
layer
short
light emitting
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020130139244A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140063473A (ko
Inventor
이연근
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Publication of KR20140063473A publication Critical patent/KR20140063473A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101477929B1 publication Critical patent/KR101477929B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/341—Short-circuit prevention
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1795—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 명세서는 유기발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것을 제공한다.

Description

유기발광소자 및 이의 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 명세서는 유기발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 명세서는 2012년 11월 16일에 한국 특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2012-0130055호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
유기 발광 현상이란 유기물질을 이용하여 전기에너지를 빛 에너지로 전환시켜 주는 현상을 말한다. 즉, 애노드과 캐소드 사이에 적절한 유기물층을 위치시켰을 때, 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 캐소드에서는 전자가 상기 유기물층에 주입되게 된다. 이 주입된 정공과 전자가 만났을 때 여기자(exciton) 가 형성되고, 이 여기자가 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛을 생성하게 된다.
애노드와 캐소드의 간격이 작기 때문에, 유기발광소자는 단락 결함을 갖게 되기 쉽다. 핀홀, 균열, 유기발광소자의 구조에서의 단(step) 및 코팅의 조도(roughness) 등에 의하여 애노드와 캐소드가 직접 접촉할 수 있게 되거나 또는 유기 층 두께가 이들 결함 구역에서 더 얇아지도록 할 수 있다. 이들 결함 구역은 전류가 흐르도록 하는 저-저항 경로를 제공하여, 유기발광소자를 통해 전류가 거의 또는 극단적인 경우에는 전혀 흐르지 않도록 한다. 이에 의해, 유기발광소자의 발광 출력이 감소되거나 없어지게 된다. 다중-화소 디스플레이 장치에서는, 단락 결함이 광을 방출하지 않거나 또는 평균 광 강도 미만의 광을 방출하는 죽은 화소를 생성시켜 디스플레이 품질을 감소시킬 수 있다. 조명 또는 다른 저해상도 용도에서는, 단락 결함으로 인해 해당 구역 중 상당 부분이 작동하지 않을 수 있다. 단락 결함에 대한 우려 때문에, 유기발광소자의 제조는 전형적으로 청정실에서 수행된다. 그러나, 아무리 청정한 환경이라 해도 단락 결함을 없애는데 효과적일 수 없다. 많은 경우에는, 두 전극 사이의 간격을 증가시켜 단락 결함의 수를 감소시키기 위하여, 유기층의 두께를, 장치를 작동시키는데 실제로 필요한 것보다 더 많이 증가시키기도 한다. 이러한 방법은 유기발광소자 제조에 비용을 추가시키게 되고, 심지어 이러한 방법으로는 단락 결함을 완전히 제거할 수 없다.
대한민국 공개특허공보 제10-2006-0130729호 (2006.12.19 공개)
본 발명자들은 단락 결함을 발생시킬 수 있는 요인이 있는 경우, 즉 단락 결함이 발생한 경우에도 정상 범위에서 작동이 가능한 유기발광소자 및 이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 명세서의 일 실시상태는 기판; 상기 기판 상에 구비된 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층; 상기 제1 전극의 보조전극; 및 상기 제1 전극의 적어도 일부에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극과 상기 제1 전극과의 사이에 구비된 단락방지층을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 유기발광소자의 전류가 상기 보조전극, 상기 단락 방지층, 상기 제1 전극, 상기 유기물층, 상기 제2 전극의 방향 또는 그 역방향으로 흐르도록 구비된 것인 유기발광소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 제1 전극은 하나의 셀로 형성되거나, 2 이상의 셀로 형성된 것인 유기발광소자를 제공한다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는 상기 유기발광소자의 제조방법을 제공한다. 구체적으로, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 단락 방지층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극과의 사이에 상기 단락 방지층을 개재하여 구비되도록 보조 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 상기 유기발광소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 상기 유기발광소자를 포함하는 디스플레이장치를 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 상기 유기발광소자를 포함하는 조명장치를 제공한다.
본 명세서의 유기발광소자는 단락 결함을 방지하는 효과를 가지고 있다.
또한, 본 명세서의 유기발광소자는 기판 자체의 결함으로 인한 단락이 발생한 경우라도 유기발광소자의 기능을 정상적으로 실행할 수 있다.
또한, 본 명세서의 유기발광소자는 단락 발생 지점의 면적 크기가 증가하더라도, 누설 전류량이 증가하지 않고 안정적으로 작동이 가능하다.
도 1은 단락 방지층이 없는 유기발광소자에 있어서, 단락이 발생하지 않은 경우의 회로도를 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태의 단락 방지층을 구비한 유기발광소자에 있어서, 단락이 발생하지 않은 경우의 회로도를 도시한 것이다.
도 3은 단락 방지층이 없는 유기발광소자에 있어서, 단락이 발생한 경우의 회로도를 도시한 것이다.
도 4는 본 명세서의 일 실시예의 단락 방지층을 구비한 유기발광소자에 있어서, 단락이 발생한 경우의 회로도를 도시한 것이다.
도 5 및 도 6은 본 명세서의 일 실시상태의 유기발광소자를 도시한 것이다.
도 7은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기발광소자에 있어서, 제1 전극의 패턴을 도시한 것이다.
도 8은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기발광소자에 있어서, 제1 전극 상에 단락 방지층 및 보조 전극층을 형성한 후, 이를 패터닝한 후를 도시한 것이다.
도 9는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기발광소자에 있어서, 절연층을 형성한 후를 도시한 것이다.
도 10은 본 명세서의 실시예 1에 따른 유기발광소자에 있어서, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell - spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값을 나타낸 것이다.
도 11은 본 명세서의 실시예 2에 따른 유기발광소자에 있어서, 1개의 셀에서의 단락 방지층 저항(Rcell - spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값을 나타낸 것이다.
도 12는 본 명세서의 실시예 3에 따른 유기발광소자에 있어서, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell - spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값을 나타낸 것이다.
도 13은 본 명세서의 실시예 4에 따른 유기발광소자에 있어서, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell - spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값을 나타낸 것이다.
도 14는 본 명세서의 실시예 5에 따른 유기발광소자에 있어서, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell - spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값을 나타낸 것이다.
도 15는 본 명세서의 실시예 6에 따른 유기발광소자에 있어서, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell - spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값을 나타낸 것이다.
도 16 및 17은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기발광소자에 있어서, 패터닝된 제1 전극의 하나의 셀에 구비된 단락 방지층 및 보조 전극의 예를 나타낸 것이다.
도 18은 제1 전극 상의 전체 영역에 단락 방지층이 형성된 경우, 단락 결함 면적에 따른 부정적인 영향을 나타낸 것이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태는 기판; 상기 기판 상에 구비된 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층; 상기 제1 전극의 보조전극; 및 상기 제1 전극의 적어도 일부에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극과 상기 제1 전극과의 사이에 구비된 단락방지층을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자의 전류는 상기 보조전극, 상기 단락 방지층, 상기 제1 전극, 상기 유기물층, 상기 제2 전극의 방향으로 흐르도록 구비될 수 있다. 또는, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자의 전류는 상기 제2 전극, 상기 유기물층, 상기 제1 전극, 상기 단락 방지층, 상기 보조전극의 방향으로 흐르도록 구비될 수 있다. 이 경우, 외부전압 인가 단자는 상기 보조전극 및 제2 전극에 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층은 상기 제1 전극의 상면, 하면 및 측면 중 적어도 일 면에 접하여 구비될 수 있다.
상기 단락 방지층은 상기 제1 전극의 상면, 하면 또는 측면의 적어도 일 영역에 접하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 단락 방지층은 상기 제1 전극의 상면의 일부와 측면의 일부에 접하여 형성될 수 있다. 나아가, 상기 단락 방지층은 상기 제1 전극의 하면의 일부와 측면의 일부에 접하여 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층은 상기 제1 전극의 상면, 하면 및 측면 중 적어도 일 면에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극은 상기 단락 방지층의 적어도 일부에 접하여 구비되며, 상기 보조 전극은 상기 제1 전극에 직접 접하지 않을 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층이 상기 제1 전극의 상면 및 측면 중 적어도 일 면에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극이 상기 단락 방지층의 상면에 접하여 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층이 상기 제1 전극의 측면 및 하면 중 적어도 일 면에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극이 상기 단락 방지층의 하면에 접하여 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층이 상기 제1 전극 또는 상기 기판의 상면에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극이 상기 단락 방지층의 상면에 접하여 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 보조 전극이 상기 기판의 상면에 접하여 구비되고, 상기 단락 방지층이 상기 보조 전극과 상기 제1 전극 사이에 구비될 수 있다.
본 명세서에서의 발광 영역은 유기물층의 발광층에서 발광하는 빛이 제1 전극 및/또는 제2 전극을 통하여 방출되는 영역을 의미한다. 예컨대, 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광소자에 있어서, 상기 발광 영역은 기판 상에 제1 전극이 형성된 영역 중 단락 방지층 및/또는 보조 전극이 형성되지 않은 제1 전극의 영역의 적어도 일부에 형성될 수 있다. 또한, 본 명세서에서의 비발광 영역은 상기 발광 영역을 제외한 나머지 영역을 의미할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 셀 중 적어도 하나는 발광 영역과 비발광 영역을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극은 하나의 셀로 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극은 하나의 셀로 형성되고, 발광 영역과 비발광 영역을 포함하며, 상기 발광 영역과 상기 비발광 영역의 두께가 서로 동일하거나 서로 상이할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극이 하나의 셀로 형성되는 경우, 상기 제1 전극은 발광 영역과 비발광 영역의 두께가 서로 동일할 수 있으며, 상기 보조 전극 및/또는 단락 방지층에 대응하는 영역은 비발광 영역이 될 수 있고, 이외의 영역은 발광 영역이 될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극이 하나의 셀로 형성되는 경우, 상기 제1 전극은 발광 영역에서의 두께와 비발광 영역의 두께가 서로 상이할 수 있으며, 상기 발광 영역은 상대적으로 두께가 두꺼운 부분일 수 있으며, 상기 비발광 영역은 상대적으로 두께가 얇은 부분일 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극이 하나의 셀로 형성되고, 발광 영역에서의 두께와 비발광 영역의 두께가 서로 상이한 경우, 상기 발광 영역은 일정한 형태로 형성될 수 있다. 구체적으로, 삼각형, 사각형, 육각형 등의 다각형이 될 수 있으며, 무정형의 형태일 수도 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 제1 전극의 발광 영역을 포함하는 부분의 두께는 발광 영역을 포함하지 않는 부분의 10배 내지 1,000배일 수 있다.
본 명세서에서의 패턴은 해당층이 구비되는 하부층, 예컨대 기판 또는 제1 전극의 전체 면적을 덮는 것이 아니라 최종 용도에 요구되는 형태의 면적만을 덮도록 형성된 것을 의미한다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극은 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극의 패턴은 발광 영역을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극은 2 이상의 셀이고, 각각의 셀이 서로 이격되어 구비된 패턴으로 형성될 수 있다.
본 명세서의 상기 셀은 기판 상에 피복되어 있는 제1 전극의 최소 단위가 될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 전극이 하나의 셀로 형성되는 경우, 상기 셀은 상기 제1 전극이 상기 기판의 동일 평면 상에 이격되지 않게 피복된 것일 수 있다. 또는, 상기 제1 전극이 2 이상의 셀로 형성되는 경우, 상기 셀은 기판 상에 피복되어 있는 제1 전극의 최소 단위가 될 수 있으며, 각각의 상기 셀이 서로 이격되어 구비된 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극의 최소 단위는 물리적으로 연결된 하나의 단위가 될 수 있다. 또한, 상기 셀은 폐쇄도형의 형태를 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 셀은 삼각형, 사각형, 육각형 등의 다각형이 될 수 있으며, 무정형의 형태일 수도 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 각각의 셀은 전술한 제1 전극을 의미할 수 있으며, 전술 또는 후술하는 제1 전극과 단락 방지층, 보조 전극과의 관계가 모두 적용될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 보조전극 및 단락 방지층은 비발광 영역에 패턴을 형성하여 배치될 수 있다. 즉, 발광 영역이 아닌 부분에 패턴을 이루어 발광 영역을 구획할 수 있다. 예컨대, 발광 영역을 구획하도록 메쉬 패턴의 형태로 패턴이 형성될 수 있다. 상기 메쉬 패턴은 삼각형, 사각형, 육각형 등의 다각형이 될 수 있으며, 무정형의 패턴일 수도 있다.
또한, 단락 방지층이 비발광 영역에 패턴을 이루어 형성되는 경우, 단락 방지층의 일부는 기판 상에 위치하고, 나머지 일부는 제1 전극 상에 위치할 수도 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층 및 보조 전극의 개구율은 30 % 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 개구율은 50 % 이상일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 개구율은 70 % 이상일 수 있다.
상기 단락 방지층 및 보조 전극의 개구율은 유기발광소자의 전체 면적에서 단락 방지층 및/또는 보조전극에 의하여 피복되어 있지 않은 비율을 의미할 수 있다. 상기 개구율이 높아질수록 휘도가 높아져서 보다 밝아질 수 있으며, 전력 소모도 줄어들 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극이 서로 이격된 셀을 2이상 포함하는 경우, 상기 단락 방지층은 상기 패턴의 각 셀의 적어도 일부와 접하도록 구비될 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 각 셀의 적어도 일부에 상기 단락 방지층이 접할 수 있다.
각각의 셀의 적어도 일부에 상기 단락 방지층이 접하는 경우, 셀 하나에 단락 결함이 발생하더라도, 단락 방지층에 의하여 모든 작동 전류가 단락 결함 부위로 흐르는 것을 방지할 수 있다. 즉, 단락 결함에 따른 누설 전류의 양이 무한정 증가하지 않도록 제어하는 역할을 한다. 따라서, 단락 결함이 없는 나머지 셀들이 정상적으로 작동할 수 있다.
상기 단락 방지층은 유기발광소자에 단락 결함이 발생하는 경우, 단락 결함에도 불구하고 소자의 작동을 가능하게 하는 역할을 한다. 또한, 상기 단락 방지층은 단락 결함을 방지하는 역할을 할 수도 있다.
단락 결함은 제2 전극이 직접 제1 전극에 접촉하는 경우에 발생할 수 있다. 또는, 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 유기물층의 두께 감소 또는 변성 등에 의하여 유기물층의 기능을 상실하여 제1 전극과 제2 전극이 접촉하는 경우에도 발생할 수 있다. 단락 결함이 발생하는 경우, 유기발광소자 전류에 낮은 경로를 제공하여, 유기발광소자가 정상적으로 작동할 수 없게 할 수 있다. 단락 결함에 의하여 제1 전극에서 제2 전극으로 직접 전류가 흐르게 되는 누설 전류에 의하여 유기발광소자의 전류는 무결함 구역을 피하여 흐를 수 있다. 이는 유기발광소자의 방출 출력을 감소시킬 수 있으며, 상당한 경우에 유기발광소자가 작동하지 않을 수 있다. 또한, 넓은 면적의 유기물에 분산되어 흐르던 전류가 단락 발생지점으로 집중되어 흐르게 되면 국부적으로 높은 열이 발생하게 되어, 소자가 깨지거나 화재가 발생할 위험이 있다.
그러나, 본 명세서의 상기 단락 방지층은 단락 결함이 발생하기 전에는 보조 전극과 제1 전극 사이에 위치하여 전류 이동 통로의 역할을 하며, 상기 단락 방지층으로 인한 소자의 작동 전압의 상승을 최소화 할 수 있다. 그리고, 단락 결함이 발생한 경우에는 단락 발생 지점으로 적은 량의 전류만이 누설되도록 하여, 유기발광소자의 효율 저하를 막고 소자가 정상적으로 작동할 수 있도록 한다.
상기 단락 방지층은 단락 결함 발생시, 적정한 저항을 부가하여 전류가 단락 결함 부위를 통하여 빠져나가는 것을 막는 역할을 한다. 이를 위하여, 상기 단락 방지층은 단락 결함으로 인한 누설 전류 및 그와 관련한 발광 효율 손실을 감소시키기에 적절한 두께 및 저항률을 가질 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층과 상기 보조 전극은 서로 접하여 형성될 수 있다. 즉, 상기 유기발광소자에 전압을 인가하는 경우, 상기 보조 전극과 상기 단락 방지층은 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 보조 전극은 상기 단락 방지층 면적과 동일하거나 그보다 작은 면적으로 단락 방지층 상에 형성될 수도 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 보조 전극을 통하여 상기 제1 전극으로 전류가 주입될 수 있다. 나아가, 상기 제1 전극이 패턴화되어 있는 경우에는 상기 보조 전극을 통하여 각 발광 영역에 전류가 주입된다. 이 경우, 전류는 상기 보조 전극에 주입되어 상기 단락 방지층을 통하여 제1 전극으로 흐를 수 있다.
본 명세서의 유기발광소자는 상기 보조 전극에 전류를 주입하여 상기 단락 방지층을 통하여 제1 전극에 전류를 통하게 함으로써, 단락 발생시 제1 전극과 제2 전극이 접하여 과도한 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상기 단락 방지층의 저항에 의하여 단락 결함에 따른 과도한 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 보조 전극의 면저항은 3 Ω/□이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 보조 전극의 면저항은 1 Ω/□이하일 수 있다.
넓은 면적의 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 하나의 면저항이 필요 수준 이상으로 높을 경우, 전극의 위치별로 전압이 달라지게 될 수 있다. 이로 인하여 유기물층을 사이에 두는 제1 전극과 제2 전극의 전위차이가 위치에 따라 달라지게 되면, 유기발광소자의 휘도 균일성이 떨어질 수 있다. 그러므로, 필요 수준 이상으로 높은 면저항을 갖는 제1 전극 또는 제2 전극의 면저항을 낮추기 위하여, 보조 전극을 사용할 수 있다. 본 명세서의 상기 보조 전극의 면저항은 3 Ω/□이하, 구체적으로는 1 Ω/□이하일 수 있고, 상기의 범위에서 상기 유기발광소자의 휘도 균일성은 높게 유지될 수 있다.
상기 제1 전극을 패턴화하거나, 발광 영역과 비발광 영역의 두께를 상이하게 하는 것에 의하여, 본 명세서의 상기 유기발광소자는 하나의 발광 영역에 주입될 수 있는 최대 전류량을 제어할 수 있다. 하나의 발광 영역에 주입되는 최대 전류량을 제어함에 의하여, 단락 결함 면적이 증가함에 따르는 누설전류의 양을 제한할 수 있는 장점이 있다. 따라서, 단락 결함에 의한 유기발광소자 전체가 작동하지 않는 위험을 줄일 수 있으며, 단락 발생지점의 발광 영역만을 작동하지 않도록 할 수 있다. 나아가, 상기 단락 방지층이 없는 경우에는, 상기 제1 전극이 패턴화되어 있더라도, 상기 보조 전극을 통하여 단락 결함 지점으로 누설 전류가 흐르게 되어 유기발광소자 전체가 작동하지 않을 수 있다. 상기 작동이라 함은 발광을 의미한다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층 및 상기 보조 전극과 상기 유기물층 및/또는 상기 제2 전극 사이에 절연층이 추가로 구비될 수 있다.
상기 절연층은 패턴화된 상기 단락 방지층 및 상기 보조 전극을 감싸는 형태가 될 수 있다. 상기 절연층은 코팅 또는 포토리소그래피 공정을 통하여 형성될 수 있다. 상기 절연층은 상기 단락 방지층이 제1 전극 및 보조 전극 외의 다른 층과 접하지 않도록 하는 역할을 할 수 있다. 나아가, 상기 절연층은 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 보조 전극이나 단락 방지층과 같은 도전체에 의한 소자의 불안정성을 완화하는 역할을 할 수도 있다.즉, 상기 절연층은 상기 보조 전극 및 상기 단락 방지층을 상기 유기물층 및 제2 전극과 전기적으로 절연하는 역할을 할 수 있다.
상기 절연층에 의하여 상기 보조 전극은 절연층 이외의 상기 단락 방지층 또는 기재에만 접하게 될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층은 유기물층에 접하지 않을 수 있다.
상기 단락 방지층은 유기발광소자의 유기물층과 접하지 않고 형성될 수 있으며, 이는 절연층에 의하여 유기물층과 접하지 않을 수도 있다. 상기 단락 방지층이 유기물에 접하지 않으므로, 상기 단락 방지층의 재료는 폭 넓게 선택될 수 있는 장점이 있다. 예를 들어, 단락 방지층 상에 전하 주입층이 위치하는 경우에는 단락 방지층이 양호한 정공 주입기능을 가질 필요가 있으나, 본 명세서에서의 상기 단락 방지층은 유기물층과 접하지 않으므로, 상기와 같은 제한이 필요 없다. 또한, 발광 영역과 대응하지 않는 영역에 구비되므로, 광학적인 투명도에 관계없이 재료를 선택할 수 있다.
단락 방지층이 제1 전극 상의 전체 영역에 형성되는 경우, 단락 방지층의 구성 물질은 투명한 것이어야 하므로, 재료의 제약이 있다. 하지만, 본 명세서의 상기 단락 방지층은 제1 전극 상의 전체 영역에 형성되는 것이 아닌, 비발광 영역에 형성되므로, 단락 방지층의 재료는 투명 재료 및 불투명 재료 모두를 사용할 수 있는 장점이 있다.
그러므로, 상기 단락 방지층은 투명한 재료를 포함할 수도 있고, 불투명한 재료를 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층 및/또는 상기 보조 전극은 유기발광소자의 비발광 영역에 위치할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층은 기판 상부의 전체 면적에 형성되지 않고, 기판 상부의 일부 면적에만 형성될 수 있다. 이와 같은 경우, 기판 자체의 결함에 의한 단락 방지 기능이 상실될 확률이 낮아진다.
기판에 심각한 결함이 있고 상기 결함 부위에 제1 전극과 단락 방지층과 보조 전극이 형성되어 있다면, 기판의 결함으로 인하여 단락 방지층이 기능을 하지 못하고 전류가 보조 전극에서 제1 전극으로 직접 흐르게 될 수 있는 문제가 있다. 구체적으로, 제1 전극 상의 전체 영역에 단락 방지층이 형성되는 경우, 기판 표면의 결함에 따라 단락 방지층이 정상적으로 형성되지 않게 되어 단락 방지 기능을 원활하게 수행할 수 없다. 보다 구체적으로, 유기발광소자가 증착 공정으로 형성되는 경우, 기판 표면 상태의 영향을 많이 받게 된다. 즉, 기판 상의 이물질이 존재하는 상태에서 제1 전극, 단락 방지층, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 증착하게 되면, 이물질에 의하여 제1 전극과 제2 전극이 접하는 영역이 발생하게 되어 단락 방지층이 단락방지의 역할을 할 수 없게 되고, 유기발광소자는 작동을 할 수 없게 되는 경우가 발생한다.
그러므로, 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광소자는 기재 면적 중에서 단락 방지층이 차지하는 면적을 최소화하여 기판의 결함으로 인한 단락 방지층의 기능 상실을 최소화할 수 있다. 나아가, 제1 전극만이 형성되어 있는 지점에 기판의 결함으로 인하여 단락이 발생하더라도, 단락 방지층이 기능을 수행하여 유기발광소자 전체가 발광하지 않는 경우를 방지할 수 있다.
제1 전극 상의 전체 영역에 단락 방지층이 형성되고, 단락방지층 상의 전체 면적에 유기물층이 형성되는 경우, 단락 방지층의 재료가 투명이어야만 하는 단점 이외에도 단락 결함 면적이 커질수록 누설 전류의 크기가 증가하는 문제도 발생한다. 이와 같은 문제점은 도 18의 그래프에 도시하였다. 도 18은 제1 전극의 전체 영역에 단락방지층이 형성되는 경우, 단락 결함 면적에 따른 부정적인 영향을 나타낸 것이다.
구체적으로, 도 18은 유기발광소자의 작동 전압이 6 V이고, 작동 전류 밀도가 2 ㎃/㎠이며, 제1 전극의 크기가 10 × 10 ㎠이고, 단락 방지층의 체적 저항이 300,000 Ω이며, 단락 방지층의 두께가 100 nm 일 때, 단락 결함 영역의 지름이 증가함에 따른 정상 소자의 전류 대비 단락에 의한 누설 전류를 백분율로 나타낸 것이다. 도 18에서 알 수 있듯이, 단락 방지층이 제1 전극 상의 전체 면적에 형성된 경우, 단락 결함 영역의 지름이 커질수록 누설 전류에 따른 부정적인 영향이 급격히 커지는 것을 알 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광소자에 따르면, 상기 제1 전극은 패턴화된 2 이상의 셀로 이루어질 수 있으며, 각 셀은 단락 방지층을 통하여 전기적으로 연결되므로, 단락의 크기와 관계 없이 단락이 발생하는 셀에 접하는 단락 방지층이 누설 전류를 효과적으로 차단하는 장점이 있다.
나아가, 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광소자에 따르면, 상기 제1 전극은 패턴화된 2 이상의 셀로 이루어질 수 있으므로, 기판의 결함에 따른 어느 하나의 셀 영역에서 단락이 발생하여도, 단락이 발생하지 않은 셀은 정상적으로 발광을 할 수 있는 장점이 있다.
구체적으로, 상기 제1 전극이 패턴화된 2 이상의 셀로 이루어진 경우, 각 셀간의 저항은 70 Ω 이상일 수 있으나, 패턴화되지 않은 경우 인접하는 제1 전극의 저항은 10 Ω 이하의 수준에 불과하다. 그러므로, 패턴화되지 않은 제1 전극 상의 일부영역에 단락이 발생한 경우, 누설 전류가 단락 발생 영역으로 흐르게 되어 누설 전류를 제어할 수 없을 수 있다. 즉, 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광소자의 상기 각 셀은 단락 방지층을 통하여 전류를 공급받으므로, 단락 결함이 발생한 경우, 효과적으로 누설 전류를 제어할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 기판; 상기 기판 상에 구비된 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층; 상기 제1 전극의 상면, 하면 및 측면 중 적어도 일 면에 접하여 구비된 단락 방지층; 보조 전극으로서, 상기 보조 전극과 상기 제1 전극과의 사이에는 상기 단락 방지층이 구비된 것인 보조 전극을 포함하고, 상기 유기발광소자의 전류가 상기 보조전극, 상기 단락 방지층, 상기 제1 전극, 상기 유기물층, 상기 제2 전극의 방향 또는 그 역방향으로 흐르도록 구비된 것인 유기발광소자를 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 기판; 상기 기판 상에 서로 이격된 셀을 2이상 포함하는 패턴으로 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층; 상기 제1 전극의 패턴의 각 셀의 적어도 일부와 접하도록 구비된 단락 방지층; 보조 전극으로서, 상기 보조 전극과 상기 제1 전극과의 사이에는 상기 단락 방지층이 구비된 것인 보조 전극을 포함하고, 상기 유기발광소자의 전류가 상기 보조전극, 상기 단락 방지층, 상기 제1 전극, 상기 유기물층, 상기 제2 전극의 방향 또는 그 역방향으로 흐르도록 구비된 것인 유기발광소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층의 두께는 1 ㎚ 이상 10 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 범위 내에서 단락 방지층은 유기발광소자가 단락이 발생하지 않은 경우에 정상적인 작동 전압을 유지할 수 있다. 또한, 단락 방지 기능을 수행할 수 있으며, 단락이 발생한 경우에도 유기발광소자가 정상 범위 내에서 작동할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층의 두께 방향 저항은 70 Ω 이상 300,000 Ω 이하일 수 있다.
상기 저항 범위는 상기 유기발광소자가 서로 이격된 2이상의 셀을 포함하는 경우, 각각의 셀에 위치하는 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위일 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 하나의 셀로부터 다른 하나의 셀까지의 저항은 140 Ω 이상 600,000 Ω 이하일 수 있다.
상기 단락 방치층의 저항은 하기 기술하는 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류 수치(Is/It)의 적정 범위 내에서 구할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층은 탄소 분말; 탄소 피막; 전도성 고분자; 유기 고분자; 금속; 금속 산화물; 무기 산화물; 금속 황화물; 및 절연 물질로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것일 수 있다. 구체적으로, 지르코늄 산화물(ZrO2), 니크롬(nichrome), 인듐 주석 산화물(ITO), 아연 황화물(ZnS), 및 실리콘 이산화물(SiO2)로 이루어진 군에서 선택되는 2 이상의 혼합물을 사용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 평면 형태의 상기 유기발광소자를 수많은 패턴의 셀로 분리하여, 각 셀에 단락 방지층을 통하여 전류가 주입되도록 할 수 있다.
본 명세서에서 A(㎠)는 유기발광소자에서 전체 발광면적을 의미한다. 또한, 본 명세서에서 Vo(V)은 단락 결함이 없는 상태에서 작동 전류밀도가 Io(㎃/㎠)일 때의 단락 방지층을 적용하지 않은 유기발광소자의 작동 전압을 의미한다. 또한, 본 명세서에서 Vt(V)는 단락 결함이 없는 상태에서 작동 전류밀도가 Io(㎃/㎠)일 때의 단락 방지층을 적용한 유기발광소자의 작동 전압을 의미한다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광소자는 전체 발광면적 A(㎠)을 ncell개로 나누어 패턴화된 각각의 셀로 만든 후, 각각의 셀에 단락 방지층을 직렬 연결하고, 이 모든 조합을 각각 전원과 병렬 연결할 수 있다. 이에 대한 회로도는 도 2에 나타내었다.
도 1은 단락 방지층이 없는 유기발광소자에 있어서, 단락이 발생하지 않은 경우의 회로도를 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태의 단락 방지층을 구비한 유기발광소자에 있어서, 단락이 발생하지 않은 경우의 회로도를 도시한 것이다.
본 명세서에서 단락 결함이 없는 상태에서 유기발광소자의 작동 전류(It)(mA)는 하기의 식으로 나타낼 수 있다.
Figure 112013104314483-pat00001
상기 Icell은 유기발광소자가 정상 작동시의 하나의 셀에 작동하는 전류(mA)를 의미한다.
본 명세서에서 패턴화된 셀의 총 수(ncell)는 하기와 같이 나타낼 수 있다.
Figure 112013104314483-pat00002
상기 Acell은 패턴화된 셀의 면적을 의미한다.
본 명세서에서 유기발광소자의 전체 면적에 인가되는 저항(Rorg)(Ω)은 하기와 같이 나타낼 수 있다.
Figure 112013104314483-pat00003
본 명세서에서 Rcell - org(Ω)는 하나의 셀에서의 유기물 저항(Ω)을 의미한다.
패턴화된 각 셀마다 단락 방지층을 추가하게 되면, 유기발광소자를 작동할 때 전압이 상승하게 된다. 그러므로, 단락 방지층을 적용하더라도, 유기발광소자가 단락이 발생하지 않은 경우에 소자의 효율 저하가 크지 않도록 조절할 수 있다. 소자의 정상 작동 상태에서 단락 방지층이 추가함으로 발생하는 유기발광소자의 작동 전압 상승률은 하기의 식 1과 같이 나타낼 수 있다.
[식 1]
Figure 112013104314483-pat00004
상기 식 1에서, 상기 Vt(V)는 단락 방지층이 적용되고 단락 결함이 없는 유기발광소자의 작동 전압이고, 상기 Vo(V)는 단락 방지층이 적용되지 않고 단락 결함이 없는 유기발광소자의 작동 전압이다.
상기 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo)은 하기의 식으로 계산할 수 있다. 여기서, Rcell - spl은 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Ω)을 의미한다. 구체적으로, 1 개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항을 의미할 수 있다.
Figure 112013104314483-pat00005
상기 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo)은 하기의 식을 통하여 유도가 가능하다.
Figure 112013104314483-pat00006
단락 방지층이 없는 유기발광소자의 경우, 단락 발생시의 정상적인 유기물층을 통해 흐르는 전류(mA)를 In이라고 하고, 단락 발생 지점으로 흐르는 전류(mA)를 Is로 하며, 단락 발생한 지점의 유기물의 저항(Ω)을 Rorg -s로 정의하는 경우, In 및 Is는 하기와 같이 나타낼 수 있다. 즉, 단락 방지층이 없는 유기발광소자가 단락이 발생하는 경우, Rorg -s의 값이 0에 가깝게 떨어지면서 설정된 모든 전류가 단락 지점(Is )으로 빠져나가게 된다. 그러므로, 정상적인 유기물층으로 전류가 흐르지 않으므로 소자는 발광하지 않는다. 이에 대하여, 도 3은 단락 방지층이 없는 유기발광소자에 있어서, 단락이 발생한 경우의 회로도를 도시한 것이다.
Figure 112013104314483-pat00007
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 단락 방지층이 각 셀에 구비된 유기발광소자의 경우, In - cell을 단락 발생시 정상적인 발광 영역을 통해 흐르는 전류(㎃)로 정의할 때, 각 병렬 연결된 회로의 전압은 동일하고, 모든 병렬 회로의 전류의 합은 It(소자의 작동 전류)와 같다. 이는 하기의 식으로 확인할 수 있다.
Figure 112014007806303-pat00034
또한, 누설 전류는 하기와 같이 구할 수 있다.
Figure 112014007806303-pat00035
따라서, 본 명세서의 상기 유기발광소자에서, 하나의 발광 영역의 유기물층이 단락(Rcell -s=0)이 되더라도, 상기 식에서 알 수 있듯이 분모의 값이 충분히 커지면 누설 전류의 양을 크게 줄일 수 있다. 이에 대하여, 도 4는 본 명세서의 일 실시예의 단락 방지층을 구비한 유기발광소자에 있어서, 단락이 발생한 경우의 회로도를 도시한 것이다.
나아가, 소자의 작동 전류(It) 대비 누설 전류(Is) 수치는 하기의 식 2와 같이 나타낼 수 있다.
[식 2]
Figure 112013104314483-pat00010
상기 식 2에서, 상기 It(mA)는 단락 방지층이 적용되고 단락 결함이 없는 동일 유기물 구조의 유기발광소자의 작동 전류이고, 상기 Is(mA)는 단락 방지층이 적용되고 단락 결함이 있는 유기발광소자의 결함 영역에서의 누설 전류이다. 또는, 상기 제1 전극이 서로 이격된 셀을 2이상 포함하는 패턴으로 형성되는 경우, 상기 Is(mA)는 단락 방지층이 적용되고 어느 하나의 셀에서 단락 결함이 있는 영역에서의 누설 전류이다.
상기 소자의 작동 전류(It) 대비 누설 전류(Is) 수치는 하기의 식을 통하여 구할 수 있다.
Figure 112014007806303-pat00036
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층은 상기 유기발광소자의 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo; 식 1) 및 작동 전류 대비 누설 전류 수치(Is/It; 식 2)가 동시에 0.03 이하를 만족하는 두께 방향 저항값을 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 단락 방지층은 상기 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류 수치(Is/It) 가 동시에 0.01 이하를 만족하는 두께 방향 저항값을 가질 수 있다.
구체적으로, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 1 ㎃/㎠ 내지 5 ㎃/㎠ 의 어느 한 값의 전류밀도에서, 상기 단락 방지층은 상기 식 1 및 상기 식 2의 수치가 동시에 0.03 이하 또는 0.01 이하를 만족하는 두께 방향 저항값을 가질 수 있다.
모든 조건이 동일한 경우에는 패턴화된 셀의 총 수(ncell)를 증가 시킬수록 위의 두 특성치 (작동 전압 상승율((Vt-Vo)/Vo)과 작동 전류 대비 누설 전류 수치(Is/It)가 낮은 값을 갖게 되어 최고의 효과를 얻을 수 있다. 하지만, 패턴화된 발광 영역의 총 수를 크게 하기 위해서는 공정의 정밀도가 높아져야 하는 어려움이 있기 때문에 현실적으로 적용 가능한 수준에서 패턴화된 발광 영역의 수를 결정할 수 있다.
본 명세서의 일 구현예에 따르면, 상기 단락 방지층의 체적저항률은 0.63 Ω㎝ 이상 8.1 × 1010 Ω㎝ 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층의 체적저항률(ρslp)(Ω㎝)은 하기의 식으로 구할 수 있다.
Figure 112013104314483-pat00012
본 명세서 및 상기 식에서, Aspl(㎠)는 하나의 셀에 형성된 보조전극에서 단락 방지층을 통해 1개 셀의 제1 전극까지 두께 방향으로 전기가 흐를 수 있는 면적을 의미할 수 있다. 즉, 하나의 제1 전극 상에 형성된 단락 방지층의 면적 중에서, 단락 방지층 상부에 형성된 보조 전극의 면적과 겹치는 면적을 의미할 수 있다.
상기 Rcell-spl은 1개의 셀에서의 단락 방지층의 저항(Ω)을 의미한다.
상기 tslp(㎛)는 단락 방지층의 두께를 의미한다.
구체적으로, Aspl(㎠)는 단락 방지층이 제1 전극과 보조 전극 사이에 위치하는 경우, 하부의 제1 전극과 상부의 보조 전극에 동시에 겹쳐지는 단락 방지층의 면적을 의미할 수 있다. 일 예로, 제1 전극 상에 단락 방지층 전체 하부면이 접하여 형성되고, 상기 단락 방지층 상부 전체면에 보조 전극이 접하여 형성된 경우, Aspl(㎠)는 제1 전극과 겹치는 단락 방지층의 면적이 될 수 있다. 또 하나의 일 예로, 제1 전극 상에 단락 방지층 전체 하부면이 접하여 형성되고, 상기 단락 방지층 일부 상부면에 보조 전극이 형성된 경우, Aspl(㎠)는 제1 전극과 보조 전극이 동시에 겹치는 단락 방지층의 면적이 될 수 있다.
본 명세서 및 상기 식에서, tslp(㎛)는 단락 방지층의 두께를 의미한다. 즉, 단락 방지층이 제1 전극 상에 형성되는 경우, 제1 전극 상부면을 기준으로 수직 방향의 두께를 의미할 수 있다.
상기 식에서 알 수 있는 바와 같이, 하나의 셀에 형성된 단락 방지층의 체적 저항률(ρslp)은 하나의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell - spl), 하나의 셀에 형성된 보조전극에서 단락 방지층을 통해 1개 셀의 제1 전극까지 두께 방향으로 전기가 흐를 수 있는 면적(Aspl) 및 단락 방지층의 두께 (tslp)에 의하여 결정될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층의 체적 저항률은 0.63 Ω㎝ 이상 8.1 × 1010 Ω㎝ 이하일 수 있다. 상기 범위 내에서 단락 방지층은 유기발광소자가 단락이 발생하지 않은 경우에 정상적인 작동 전압을 유지할 수 있다. 또한, 단락 방지 기능을 수행할 수 있으며, 단락이 발생한 경우에도 유기발광소자가 정상 범위 내에서 작동할 수 있다. 상기 체적 저항률은 하기와 같이 구할 수 있다. 다만, 본 명세서의 일 실시예에 따른 상기 체적 저항률의 범위는, 단락 방지 기능을 수행하기 위하여 필요로 하는 상기 단락 방지층의 저항이 상기 단락 방지층의 체적저항에 의하여만 결정되는 경우의 범위일 수 있다. 그러므로, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층과 상기 제1 전극, 또는 상기 단락 방지층과 상기 보조 전극간의 접촉 저항이 무시하지 못할 정도로 큰 경우, 상기 체적 저항률의 범위는 상기 수치보다 낮아질 수도 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층의 두께 방향 저항의 범위는 140 Ω 이상 300,000 Ω 이하이고, 상기 단락 방지층의 두께는 1 ㎚ 이상 10 ㎛ 이하이며, 하나의 셀의 면적은 300 × 300 ㎛2 내지 3 × 3 ㎜2인 경우, 상기 하나의 셀에 형성된 보조전극에서 단락 방지층을 통해 1개 셀의 제1 전극까지 두께 방향으로 전기가 흐를 수 있는 면적(Aspl)은 하나의 셀 면적의 1 % 내지 30 % 수준에서 결정될 수 있다. 그러므로, 상기 하나의 셀에 형성된 보조전극에서 단락 방지층을 통해 1개 셀의 제1 전극까지 두께 방향으로 전기가 흐를 수 있는 면적(Aspl)은 9 × 10-6 cm2 (300㎛ × 300㎛ × 0.01) 내지 2.7 × 10-2 cm2 (0.3㎝ × 0.3cm × 0.3)이 될 수 있다. 이 경우, 상기 단락 방지층의 체적 저항률은 하기의 식과 같이 구해질 수 있다.
Figure 112013104314483-pat00013
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 보조 전극은 금속 재질로 이루어질 수 있다. 즉 상기 보조 전극은 금속 보조 전극일 수 있다.
상기 보조 전극은 일반적으로 모든 금속을 사용할 수 있다. 구체적으로 전도도가 좋은 알루미늄, 구리 및/또는 은을 포함할 수 있다. 상기 보조 전극은 투명전극과의 부착력 및 포토공정에서 안정성을 위하여 알루미늄을 사용할 경우, 몰리브데늄/알루미늄/몰리브데늄 층을 사용할 수도 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극은 투명전극일 수 있다.
상기 제1 전극이 투명전극인 경우, 상기 제1 전극은 산화주석인듐(ITO) 또는 산화아연인듐(IZO) 등과 같은 전도성 산화물일 수 있다. 나아가, 상기 제1 전극은 반투명 전극일 수도 있다. 상기 제1 전극이 반투명 전극인 경우, Ag, Au, Mg, Ca 또는 이들의 합금 같은 반투명 금속으로 제조될 수 있다. 반투명 금속이 제1 전극으로 사용되는 경우, 상기 유기발광소자는 미세공동구조를 가질 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기물층은 적어도 1층의 발광층을 포함한다. 또한, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기물층은 적어도 1층 이상의 발광층을 포함하고, 정공 주입층; 정공 수송층; 정공 차단층; 전하 발생층; 전자 차단층; 전자 수송층; 및 전자 주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 전하 발생층(Charge Generating layer)은 전압을 걸면 정공과 전자가 발생하는 층을 말한다.
상기 기판은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 기판을 사용할 수 있다. 구체적으로, 유리 기판, 박막유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 상기 플라스틱 기판은 PET(polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), PEEK(Polyether ether ketone) 및 PI(Polyimide) 등의 필름이 단층 또는 복층의 형태로 포함될 수 있다. 또한, 상기 기판은 기판 자체에 광산란 기능이 포함되어 있는 것일 수 있다. 다만, 상기 기판은 이에 한정되지 않으며, 유기발광소자에 통상적으로 사용되는 기판을 사용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드일 수 있다. 또한, 상기 제1 전극은 캐소드이고, 상기 제2 전극은 애노드일 수 있다.
상기 애노드로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 애노드 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 애노드 재료는 애노드에만 한정되는 것이 아니며, 캐소드의 재료로 사용될 수 있다.
상기 캐소드로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 캐소드 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; 및 LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드의 재료는 캐소드에만 한정되는 것은 아니며, 애노드의 재료로 사용될 수 있다.
본 명세서에 따른 상기 정공 수송층 물질로는 애노드나 정공 주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 따른 상기 발광층 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌; 및 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 따른 상기 전자 수송층 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 및 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자는 봉지층으로 밀폐되어 있을 수 있다.
상기 봉지층은 투명한 수지층으로 형성될 수 있다. 상기 봉지층은 상기 유기발광소자를 산소 및 오염물질로부터 보호하는 역할을 하며, 상기 유기발광소자의 발광을 저해하지 않도록 투명한 재질일 수 있다. 상기 투명은 60 % 이상 빛을 투과하는 것을 의미할 수 있다. 구체적으로, 75 % 이상 빛을 투과하는 것을 의미할 수 있다.
삭제
도 5은 본 명세서의 일 실시예 중 하나인 유기발광소자를 도시한 것이다. 도 5에서 도시된 바와 같이 본 명세서의 유기발광소자는 일반적인 유기발광소자와 같이 제1 전극과 제2 전극 사이에 유기물층이 위치할 수 있다. 또한, 보조 전극 및 단락 방지층은 유기물층과 직접 접하지 않는다.
도 6는 본 명세서의 일 실시예 중 하나인 유기발광소자의 단면도 등을 도시한 것이다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자는 색온도 2,000 K 이상 12,000 K 이하의 백색광을 발광할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자는 광산란층을 포함할 수 있다.
구체적으로, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극의 유기물층이 구비되는 면과 대향하는 면에 구비된 기판과 상기 제1 전극 사이에 광산란층을 더 포함할 수 있다. 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 광산란층은 평탄층을 포함할 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 평탄층은 상기 제1 전극과 상기 광산란층 사이에 구비될 수 있다.
또는, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 기판의 제1 전극이 구비된 면에 대향하는 면에 광산란층을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 광산란층은 광산란을 유도하여, 상기 유기발광소자의 광산란 효율을 향상시킬 수 있는 구조라면 특별히 제한하지 않는다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 광산란층은 바인더 내에 산란입자가 분산된 구조, 요철을 가진 필름, 및/또는 헤이즈(hazeness)를 갖는 필름일 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 광산란층은 기판 위에 스핀 코팅, 바 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법에 의하여 직접 형성되거나, 필름 형태로 제작하여 부착하는 방식에 의하여 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자는 플랙시블(flexible) 유기발광소자일 수 있다. 이 경우, 상기 기판은 플랙시블 재료를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 기판은 휘어질 수 있는 박막 형태의 글래스, 플라스틱 기판 또는 필름 형태의 기판일 수 있다.
상기 플라스틱 기판의 재료는 특별히 한정하지는 않으나, 일반적으로 PET(polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), PEEK(Polyether ether ketone) 및 PI(Polyimide) 등의 필름을 단층 또는 복층의 형태로 포함하는 것일 수 있다.
본 명세서는 상기 유기발광소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 디스플레이 장치에서 상기 유기발광소자는 화소 또는 백라이트 역할을 할 수 있다. 그 외, 디스플레이 장치의 구성은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.
본 명세서는 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다. 상기 조명 장치에서 상기 유기발광소자는 발광부의 역할을 수행한다. 그 외, 조명 장치에 필요한 구성들은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 유기발광소자의 제조방법을 제공한다. 구체적으로, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 단락 방지층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극과의 사이에 상기 단락 방지층을 개재하여 구비되도록 보조 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자의 제조방법은 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 단락 방지층을 형성하는 단계; 상기 단락 방지층 상에 보조 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자의 제조방법은 상기 기판 상에 보조 전극을 형성하는 단계; 상기 보조 전극 상에 단락 방지층을 형성하는 단계; 제1 전극을 상기 단락 방지층의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자의 제조방법은 상기 기판 상에 단락 방지층을 형성하는 단계; 상기 단락 방지층 상에 보조 전극을 형성하는 단계; 제1 전극을 상기 단락 방지층의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층을 형성하는 단계는 상기 단락 방지층이 기판 상에 형성되는 단계일 수 있다. 또는, 상기 단락 방지층이 제1 전극 상에 형성되는 단계일 수 있다. 또는, 상기 단락 방지층의 일부는 상기 기판 상에 형성되고, 나머지 일부는 상기 제1 전극 상에 형성되는 단계일 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층이 상기 기판 상에 형성된 후에 상기 제1 전극이 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극이 상기 기판 상에 형성된 후에 상기 단락 방지층이 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기물층은 상기 기판 상에 형성될 수 있다. 또는, 상기 유기물층은 상기 기판, 상기 제1 전극, 상기 단락 방지층 및 상기 보조 전극이 형성된 후에, 이를 덮는 형태로 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 상기 제1 전극을 형성하는 단계는 제1 전극을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다. 도 7은 상기 패터닝 단계를 거친 후의 제1 전극을 도시한다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 유기발광소자의 제조방법은 상기 단락 방지층을 형성하는 단계 및 상기 보조 전극층을 형성하는 단계는 상기 단락 방지층을 전면층으로 형성하는 단계; 상기 보조 전극층을 전면층으로 형성하는 단계; 및 상기 전면층으로 형성된 단락 방지층 및 상기 보조 전극층을 동시에 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다. 도 8는 제1 전극 상에 단락 방지층 및 금속 전극층을 형성한 후, 이를 패터닝한 후를 도시한 것이다.
본 명세서의 패터닝된 상기 단락 방지층 및 상기 보조 전극은 여러가지 디자인으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 하나의 셀에서 단락 방지층 상에 보조전극이 형성된 패턴이 제1 전극의 1 이상 모서리에 접할 수 있다. 또는, 단락 방지층 상에 보조전극이 형성된 패턴이 하나의 셀을 관통하여 제1 전극에 접할 수도 있다. 이에 대한 구체적인 예시는 도 16에 나타내었다. 나아가, 도 17에서는 기판 상에 구비된 패터닝된 제1 전극의 어느 하나의 셀에 구비된 단락 방지층 및 보조전극의 단면을 예시하였다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 단락 방지층 및 보조 전극 상에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 도 9는 상기 절연층을 형성한 후를 도시한 것이다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 전극을 형성한 후, 봉지하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 유기발광소자의 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위에 대하여 하기의 실시예에서 구체적으로 설명한다. 다만, 하기의 실시예는 본 명세서의 내용을 예시하기 위한 것이며, 본 명세서의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[ 실시예 1] 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위
유기발광소자의 발광 영역(A)을 100 cm2로 하고, 셀의 한 변 길이(Lcell)는 900㎛로 하여, ncell은 약 1.2E+04 개가 되도록 유기발광소자를 제작하였다. 이 때의 소자 작동 전압(Vo)은 6V이고, 소자 작동 전류밀도(Io)는 3mA/cm2였다. 이 경우, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell - spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값은 하기의 표 1과 같다. 또한, 이에 대한 그래프는 도 10에 나타내었다.
본 명세서에서, 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It)를 %로 나타내는 경우, 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It)에 100을 곱한 값을 의미한다.
Rcell - spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
100 16.7% 0.0%
134 13.0% 0.1%
181 10.0% 0.1%
243 7.6% 0.1%
327 5.8% 0.1%
439 4.4% 0.2%
590 3.3% 0.2%
794 2.5% 0.3%
1,067 1.8% 0.4%
1,435 1.4% 0.6%
1,929 1.0% 0.8%
2,593 0.8% 1.1%
3,486 0.6% 1.4%
4,686 0.4% 1.9%
6,300 0.3% 2.6%
8,469 0.2% 3.4%
11,386 0.2% 4.6%
15,307 0.1% 6.2%
20,578 0.1% 8.3%
27,665 0.1% 11.2%
37,192 0.1% 15.1%
50,000 0.0% 20.3%
[ 실시예 2] 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위
유기발광소자의 발광 영역(A)을 900cm2로 하고, 셀의 한 변 길이(Lcell)는 900㎛로 하여, ncell은 약 1.1E+05 개가 되도록 유기발광소자를 제작하였다. 이 때의 소자 작동 전압(Vo)은 6V이고, 소자 작동 전류밀도(Io)는 3mA/cm2였다. 이 경우, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell - spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값은 하기의 표 2와 같다. 또한, 이에 대한 그래프는 도 11에 나타내었다.
Rcell - spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
10 18.2% 0.0%
15 12.9% 0.0%
23 9.0% 0.0%
34 6.2% 0.0%
51 4.2% 0.0%
76 2.8% 0.0%
114 1.9% 0.0%
171 1.3% 0.1%
257 0.9% 0.1%
385 0.6% 0.2%
577 0.4% 0.2%
866 0.3% 0.4%
1,299 0.2% 0.5%
1,949 0.1% 0.8%
2,924 0.1% 1.2%
4,387 0.1% 1.8%
6,581 0.0% 2.7%
9,872 0.0% 4.0%
14,810 0.0% 6.0%
22,217 0.0% 9.0%
33,329 0.0% 13.5%
50,000 0.0% 20.3%
[ 실시예 3] 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위
유기발광소자의 발광 영역(A)을 100cm2로 하고, 셀의 한 변 길이(Lcell)는 900㎛로 하여, ncell은 약 1.2E+04 개가 되도록 유기발광소자를 제작하였다. 이때의 소자 작동 전압(Vo)은 6V이고, 소자 작동 전류밀도(Io)는 6mA/cm2였다. 이 경우, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell - spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값은 하기의 표 3과 같다. 또한, 이에 대한 그래프는 도 12에 나타내었다.
Rcell - spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
50 16.7% 0.0%
67 13.0% 0.1%
90 10.0% 0.1%
121 7.6% 0.1%
163 5.8% 0.1%
220 4.4% 0.2%
295 3.3% 0.2%
397 2.5% 0.3%
534 1.8% 0.4%
717 1.4% 0.6%
964 1.0% 0.8%
1,296 0.8% 1.1%
1,743 0.6% 1.4%
2,343 0.4% 1.9%
3,150 0.3% 2.6%
4,235 0.2% 3.4%
5,693 0.2% 4.6%
7,653 0.1% 6.2%
10,289 0.1% 8.3%
13,832 0.1% 11.2%
18,596 0.1% 15.1%
25,000 0.0% 20.3%
[ 실시예 4] 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위
유기발광소자의 발광 영역(A)을 100cm2로 하고, 셀의 한 변 길이(Lcell)는 450㎛로 하여, ncell은 약 4.9E+04 개가 되도록 유기발광소자를 제작하였다. 이 때의 소자 작동 전압(Vo)은 6V이고, 소자 작동 전류밀도(Io)는 3mA/cm2였다. 이 경우, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell - spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값은 하기의 표 4와 같다. 또한, 이에 대한 그래프는 도 13에 나타내었다.
Rcell - spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
100 16.7% 0.0%
144 12.2% 0.0%
206 8.8% 0.0%
296 6.3% 0.0%
425 4.5% 0.0%
611 3.2% 0.1%
877 2.2% 0.1%
1,260 1.6% 0.1%
1,809 1.1% 0.2%
2,599 0.8% 0.3%
3,732 0.5% 0.4%
5,359 0.4% 0.5%
7,697 0.3% 0.8%
11,053 0.2% 1.1%
15,874 0.1% 1.6%
22,797 0.1% 2.3%
32,739 0.1% 3.3%
47,018 0.0% 4.8%
67,523 0.0% 6.8%
96,972 0.0% 9.8%
139,264 0.0% 14.1%
200,000 0.0% 20.3%
[ 실시예 5] 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위
유기발광소자의 발광 영역(A)을 100cm2로 하고, 셀의 한 변 길이(Lcell)는 900㎛로 하여, ncell은 약 1.2E+04 개가 되도록 유기발광소자를 제작하였다. 이 때의 소자 작동 전압(Vo)은 9V이고, 소자 작동 전류밀도(Io)는 3mA/cm2였다. 이 경우, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell - spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값은 하기의 표 5와 같다. 또한, 이에 대한 그래프는 도 14에 나타내었다.
Rcell - spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
100 23.1% 0.0%
137 17.9% 0.0%
189 13.7% 0.1%
260 10.4% 0.1%
357 7.8% 0.1%
491 5.8% 0.1%
675 4.3% 0.2%
928 3.1% 0.3%
1,276 2.3% 0.3%
1,755 1.7% 0.5%
2,412 1.2% 0.7%
3,316 0.9% 0.9%
4,559 0.7% 1.2%
6,268 0.5% 1.7%
8,618 0.4% 2.3%
11,848 0.3% 3.2%
16,288 0.2% 4.4%
22,393 0.1% 6.0%
30,787 0.1% 8.3%
42,326 0.1% 11.4%
58,190 0.1% 15.7%
80,000 0.0% 21.6%
[ 실시예 6] 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위
유기발광소자의 발광 영역(A)을 900cm2로 하고, 셀의 한 변 길이(Lcell)는 300㎛로 하여, ncell은 약 1.0E+06 개가 되도록 유기발광소자를 제작하였다. 이 때의 소자 작동 전압(Vo)은 9V이고, 소자 작동 전류밀도(Io)는 1mA/cm2였다. 이 경우, 1개의 셀에서의 단락 방지층의 두께 방향 저항(Rcell - spl)에 따른 작동 전압 상승률((Vt-Vo)/Vo) 및 작동 전류 대비 누설 전류의 수치(Is/It) 값은 하기의 표 6과 같다. 또한, 이에 대한 그래프는 도 15에 나타내었다.
Rcell - spl Is/It (Vt-Vo)/Vo
40 20.0% 0.0%
67 13.0% 0.0%
112 8.2% 0.0%
188 5.1% 0.0%
314 3.1% 0.0%
526 1.9% 0.0%
880 1.1% 0.0%
1,474 0.7% 0.0%
2,467 0.4% 0.0%
4,130 0.2% 0.0%
6,913 0.1% 0.1%
11,572 0.1% 0.1%
19,373 0.1% 0.2%
32,430 0.0% 0.3%
54,288 0.0% 0.5%
90,880 0.0% 0.9%
152,134 0.0 1.5%
254,676 0.0% 2.5%
426,333 0.0% 4.3%
713,689 0.0% 7.1%
1,194,729 0.0% 11.9%
2,000,000 0.0% 20.0%
유기발광소자에서 사용될 수준에서 필요로 하는 단락 방지층의 두께 방향 저항 범위는 상기 실시예 1 내지 6 및 이에 의하여 예상되는 바와 같이 70 Ω 이상 300,000 Ω 이하의 수준으로 확인할 수 있다.
1: 기판
2: 제1 전극
3: 단락 방지층
4: 보조 전극
5: 절연층
6: 유기물층
7: 제2 전극
8: 봉지

Claims (39)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 구비된 제1 전극;
    상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층;
    상기 제1 전극의 보조전극; 및
    상기 제1 전극의 적어도 일부에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극과 상기 제1 전극과의 사이에 구비된 단락방지층을 포함하는 유기발광소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기발광소자의 전류는 상기 보조전극으로부터 상기 단락 방지층, 상기 제1 전극, 상기 유기물층 및 상기 제2 전극으로의 방향 또는 그 역방향으로 흐르도록 구비된 것인 유기발광소자.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 단락 방지층은 상기 제1 전극의 상면, 하면 및 측면 중 적어도 일 면에 접하여 구비된 것인 유기발광소자.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 단락 방지층은 상기 제1 전극의 상면, 하면 및 측면 중 적어도 일 면에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극은 상기 단락 방지층의 적어도 일부에 접하여 구비되며, 상기 보조 전극은 상기 제1 전극에 직접 접하지 않는 것인 유기발광소자.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 단락 방지층이 상기 제1 전극의 상면 및 측면 중 적어도 일 면에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극이 상기 단락 방지층의 상면에 접하여 구비되거나; 상기 단락 방지층이 상기 제1 전극의 측면 및 하면 중 적어도 일 면에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극이 상기 단락 방지층의 하면에 접하여 구비된 것인 유기발광소자.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 단락 방지층이 상기 제1 전극 또는 상기 기판의 상면에 접하여 구비되고, 상기 보조 전극이 상기 단락 방지층의 상면에 접하여 구비되거나; 상기 보조 전극이 상기 기판의 상면에 접하여 구비되고, 상기 단락 방지층이 상기 보조 전극과 상기 제1 전극 사이에 구비된 것인 유기발광소자.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 전극은 하나의 셀로 형성되거나, 2 이상의 셀로 형성된 것인 유기발광소자.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 셀 중 적어도 하나는 발광 영역과 비발광 영역을 포함하고, 상기 발광 영역에서의 두께와 상기 비발광 영역의 두께가 서로 동일하거나 서로 상이한 것인 유기발광소자.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 제1 전극은 2 이상의 셀이고, 각각의 상기 셀이 서로 이격되어 구비된 패턴으로 형성된 것인 유기발광소자.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 단락 방지층은 상기 패턴의 각 셀의 적어도 일부와 접하도록 구비된 것인 유기발광소자.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 단락 방지층 및 상기 보조 전극과 상기 유기물층 또는 상기 제2 전극 사이에 절연층이 추가로 구비된 것인 유기발광소자.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 단락 방지층 및 상기 보조 전극은 상기 유기발광소자의 비발광 영역에 위치하는 것인 유기발광소자.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 단락 방지층 및 보조 전극의 개구율은 30 % 이상인 것인 유기발광소자.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 단락 방지층의 두께는 1 ㎚ 이상 10 ㎛ 이하인 것인 유기발광소자.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 단락 방지층의 체적저항률은 0.63 Ω㎝ 이상 8.1 × 1010 Ω㎝ 이하인 것인 유기발광소자.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 단락 방지층은 탄소 분말; 탄소 피막; 전도성 고분자; 유기 고분자; 금속; 금속 산화물; 무기 산화물; 금속 황화물; 및 절연 물질로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것인 유기발광소자.
  17. 청구항 9에 있어서,
    하나의 셀에 형성된 상기 단락 방지층의 두께 방향 저항은 70 Ω 이상 300,000 Ω 이하인 것인 유기발광소자.
  18. 청구항 9에 있어서,
    하나의 셀로부터 다른 하나의 셀까지의 저항은 140 Ω 이상 600,000 Ω 이하인 것인 유기발광소자.
  19. 청구항 1에 있어서,
    상기 보조 전극의 면저항이 3 Ω/□ 이하인 것인 유기발광소자.
  20. 청구항 1에 있어서,
    1 ㎃/㎠ 내지 5 ㎃/㎠ 의 어느 한 값의 전류밀도에서, 상기 단락 방지층은 하기 식 1의 작동 전압 상승률 및 하기 식 2의 작동 전류 대비 누설 전류의 수치가 동시에 0.03 이하를 만족하도록 하는 두께 방향 저항값을 갖는 것인 유기발광소자:
    [식 1]
    Figure 112013104314483-pat00014

    [식 2]
    Figure 112013104314483-pat00015

    (상기 Vt(V)는 단락 방지층이 적용되고 단락 결함이 없는 유기발광소자의 작동 전압이고,
    상기 Vo(V)는 단락 방지층이 적용되지 않고 단락 결함이 없는 유기발광소자의 작동 전압이며,
    상기 It(mA)는 단락 방지층이 적용되고 단락 결함이 없는 동일 유기물 구조의 유기발광소자의 작동 전류이고,
    상기 Is(mA)는 단락 방지층이 적용되고 단락 결함이 있는 유기발광소자의 결함 영역에서의 누설 전류이다.)
  21. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 전극은 투명 전극인 것인 유기발광소자.
  22. 청구항 1에 있어서,
    상기 보조 전극은 금속 보조 전극인 것인 유기발광소자.
  23. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기물층은 적어도 1층 이상의 발광층을 포함하고, 정공 주입층; 정공 수송층; 정공 차단층; 전하 발생층; 전자 차단층; 전자 수송층; 및 전자 주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 더 포함하는 것인 유기발광소자.
  24. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기발광소자는 봉지층으로 밀폐되는 것인 유기발광소자.
  25. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기발광소자는 색온도 2,000 K 이상 12,000 K 이하의 백색광을 발광하는 것인 유기발광소자.
  26. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 구비된 광산란층을 더 포함하는 것인 유기발광소자.
  27. 청구항 26에 있어서,
    상기 광산란층은 평탄층을 포함하는 것인 유기발광소자.
  28. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 제1 전극이 구비되는 면과 대향하는 면에 광산란층을 더 포함하는 것인 유기발광소자.
  29. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기발광소자는 플랙시블(flexible) 유기발광소자인 것인 유기발광소자.
  30. 청구항 1 내지 29 중 어느 한 항에 따른 유기발광소자를 포함하는 디스플레이 장치.
  31. 청구항 1 내지 29 중 어느 한 항에 따른 유기발광소자를 포함하는 조명장치.
  32. 청구항 1 내지 29 중 어느 한 항의 유기발광소자의 제조방법에 있어서,
    기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 단락 방지층을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극과의 사이에 상기 단락 방지층을 개재하여 구비되도록 보조 전극층을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조방법.
  33. 청구항 32에 있어서, 상기 유기발광소자의 제조방법은
    상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 단락 방지층을 형성하는 단계;
    상기 단락 방지층 상에 보조 전극층을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기발광소자의 제조방법.
  34. 청구항 32에 있어서, 상기 유기발광소자의 제조방법은
    상기 기판 상에 보조 전극을 형성하는 단계;
    상기 보조 전극 상에 단락 방지층을 형성하는 단계;
    제1 전극을 상기 단락 방지층의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기발광소자의 제조방법.
  35. 청구항 32에 있어서, 상기 유기발광소자의 제조방법은
    상기 기판 상에 단락 방지층을 형성하는 단계;
    상기 단락 방지층 상에 보조 전극을 형성하는 단계;
    제1 전극을 상기 단락 방지층의 적어도 일부와 접하여 구비되도록 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 1 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기발광소자의 제조방법.
  36. 청구항 32에 있어서,
    상기 제1 전극을 형성하는 단계는 제1 전극을 패터닝하는 단계를 포함하는 것인 유기발광소자의 제조방법.
  37. 청구항 32에 있어서, 상기 단락 방지층을 형성하는 단계 및 상기 보조 전극층을 형성하는 단계는
    상기 단락 방지층을 전면층으로 형성하는 단계;
    상기 보조 전극층을 전면층으로 형성하는 단계; 및
    상기 전면층으로 형성된 단락 방지층 및 상기 보조 전극층을 동시에 패터닝하는 단계를 포함하는 것인 유기발광소자의 제조방법.
  38. 청구항 32에 있어서,
    상기 유기발광소자의 제조방법은 상기 단락 방지층 및 보조 전극 상에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 유기발광소자의 제조방법.
  39. 청구항 32에 있어서, 상기 제2 전극을 형성한 후, 봉지하는 단계를 더 포함하는 것인 유기발광소자의 제조방법.
KR1020130139244A 2012-11-16 2013-11-15 유기발광소자 및 이의 제조방법 Active KR101477929B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120130055 2012-11-16
KR20120130055 2012-11-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140063473A KR20140063473A (ko) 2014-05-27
KR101477929B1 true KR101477929B1 (ko) 2014-12-30

Family

ID=50731465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130139244A Active KR101477929B1 (ko) 2012-11-16 2013-11-15 유기발광소자 및 이의 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9601555B2 (ko)
EP (1) EP2765626B1 (ko)
JP (1) JP6486829B2 (ko)
KR (1) KR101477929B1 (ko)
CN (1) CN104798222B (ko)
TW (1) TWI614925B (ko)
WO (1) WO2014077627A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10756289B2 (en) 2017-07-11 2020-08-25 Lg Display Co., Ltd. Lighting apparatus using organic light emitting diode for suppressing deterioration of lumincance in entire panel caused by short circuit and manufacturing method thereof

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6608354B2 (ja) * 2013-04-01 2019-11-20 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機発光素子およびその製造方法
KR101946905B1 (ko) * 2014-05-13 2019-04-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자
KR101854701B1 (ko) 2016-05-31 2018-05-04 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치 및 그의 제조 방법
KR20180035272A (ko) * 2016-09-28 2018-04-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN106711341B (zh) * 2016-12-05 2019-03-29 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN107275510A (zh) * 2017-04-20 2017-10-20 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光装置及其制备方法
KR20190006835A (ko) 2017-07-11 2019-01-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR102326303B1 (ko) * 2017-07-11 2021-11-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치
KR102321663B1 (ko) 2017-07-11 2021-11-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
CN109427993A (zh) * 2017-08-29 2019-03-05 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN109950273B (zh) * 2017-12-20 2021-06-11 固安翌光科技有限公司 一种发光元件串接的oled照明屏体及制备方法
US10535840B2 (en) 2018-01-26 2020-01-14 Apple Inc. Organic light-emitting diode displays
KR102576752B1 (ko) * 2018-06-29 2023-09-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자를 이용한 조명 장치
KR102761222B1 (ko) * 2018-11-26 2025-02-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111863918B (zh) * 2020-07-29 2023-05-02 京东方科技集团股份有限公司 显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置
US20220271254A1 (en) * 2021-02-25 2022-08-25 Apple Inc. Organic Light-Emitting Diode Display with Single Anti-Node Optical Cavities
TWI777545B (zh) * 2021-05-06 2022-09-11 友達光電股份有限公司 發光裝置
CN113851516A (zh) * 2021-09-26 2021-12-28 京东方科技集团股份有限公司 背板及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001006881A (ja) * 1999-06-23 2001-01-12 Toray Ind Inc 有機電界発光装置
JP2004152699A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置及び照明装置
KR100498087B1 (ko) * 2002-08-13 2005-07-01 대우전자서비스주식회사 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법
JP2012142301A (ja) * 2012-03-21 2012-07-26 Idemitsu Kosan Co Ltd アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05307997A (ja) * 1992-04-30 1993-11-19 Pioneer Electron Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH11339970A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Tdk Corp 有機ｅｌ表示装置
US6713955B1 (en) * 1998-11-20 2004-03-30 Agilent Technologies, Inc. Organic light emitting device having a current self-limiting structure
JP2001196191A (ja) * 2000-01-14 2001-07-19 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光ディスプレイおよびその製造方法
JP2001338770A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Tohoku Pioneer Corp 発光表示装置及びその製造方法
KR100563058B1 (ko) * 2003-11-21 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR100565636B1 (ko) 2003-12-02 2006-03-30 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그의 제조방법
US7183707B2 (en) 2004-04-12 2007-02-27 Eastman Kodak Company OLED device with short reduction
TWI286447B (en) * 2004-09-30 2007-09-01 Ritdisplay Corp Organic electroluminescent device and electrode substrate thereof
JP4561490B2 (ja) * 2004-12-24 2010-10-13 株式会社豊田自動織機 エレクトロルミネッセンス素子
US7602118B2 (en) * 2005-02-24 2009-10-13 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
US7851995B2 (en) * 2006-05-05 2010-12-14 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved light output
DE102008013031B4 (de) * 2008-03-07 2019-07-25 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP5618495B2 (ja) * 2008-05-16 2014-11-05 キヤノン株式会社 有機発光素子
JP2010056075A (ja) * 2008-07-29 2010-03-11 Sony Corp 発光素子及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置
CN102224615B (zh) 2008-11-25 2014-09-24 皇家飞利浦电子股份有限公司 有机发光二极管中的短路防止
TW201031263A (en) * 2008-12-12 2010-08-16 Showa Denko Kk Organic electroluminescent device, display device, and lighting device
JP5707928B2 (ja) * 2010-12-21 2015-04-30 セイコーエプソン株式会社 照明装置、その製造方法、及び電子機器
EP2664002B1 (en) * 2011-01-12 2021-08-04 Universal Display Corporation Oled lighting device with short tolerant structure
JP5546480B2 (ja) * 2011-03-08 2014-07-09 株式会社東芝 有機電界発光素子及びその製造方法
EP2551865A3 (en) * 2011-07-29 2016-05-25 Konica Minolta Business Technologies, Inc. Photoelectric conversion element and solar cell
US9123667B2 (en) * 2011-10-04 2015-09-01 Universal Display Corporation Power-efficient RGBW OLED display

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001006881A (ja) * 1999-06-23 2001-01-12 Toray Ind Inc 有機電界発光装置
KR100498087B1 (ko) * 2002-08-13 2005-07-01 대우전자서비스주식회사 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법
JP2004152699A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置及び照明装置
JP2012142301A (ja) * 2012-03-21 2012-07-26 Idemitsu Kosan Co Ltd アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10756289B2 (en) 2017-07-11 2020-08-25 Lg Display Co., Ltd. Lighting apparatus using organic light emitting diode for suppressing deterioration of lumincance in entire panel caused by short circuit and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
EP2765626B1 (en) 2019-04-03
US9601555B2 (en) 2017-03-21
CN104798222B (zh) 2017-04-05
KR20140063473A (ko) 2014-05-27
US20150255526A1 (en) 2015-09-10
EP2765626A4 (en) 2015-07-29
EP2765626A1 (en) 2014-08-13
WO2014077627A1 (ko) 2014-05-22
US20170149013A1 (en) 2017-05-25
TWI614925B (zh) 2018-02-11
US9954195B2 (en) 2018-04-24
TW201436329A (zh) 2014-09-16
JP6486829B2 (ja) 2019-03-20
CN104798222A (zh) 2015-07-22
JP2015535138A (ja) 2015-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101477929B1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
KR101477955B1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
KR101469413B1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
KR101946999B1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
KR101954821B1 (ko) 유기발광소자
KR101477953B1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
KR101760252B1 (ko) 유기발광소자
US10325975B2 (en) Organic light-emitting device and method for preparing same
KR101946905B1 (ko) 유기발광소자
KR20150123599A (ko) 유기발광소자
KR101938697B1 (ko) 유기발광소자의 수리방법
KR101938695B1 (ko) 유기발광소자의 단락 결함 영역의 검출방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20131115

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20140228

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20131115

Comment text: Patent Application

A302 Request for accelerated examination
PA0302 Request for accelerated examination

Patent event date: 20140526

Patent event code: PA03022R01D

Comment text: Request for Accelerated Examination

Patent event date: 20131115

Patent event code: PA03021R01I

Comment text: Patent Application

PG1501 Laying open of application
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20140826

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20141201

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20141223

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20141223

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171116

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20171116

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181114

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20181114

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20191113

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20201119

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20211116

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20221115

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20241118

Start annual number: 11

End annual number: 11