KR101461437B1

KR101461437B1 - 포토마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토마스크 세정 방법

Info

Publication number: KR101461437B1
Application number: KR1020130059717A
Authority: KR
Inventors: 곽성호; 조민영
Original assignee: 에이피시스템 주식회사
Priority date: 2013-05-27
Filing date: 2013-05-27
Publication date: 2014-11-18
Anticipated expiration: 2033-05-27
Also published as: US20140345646A1; CN104181781A; TWI514069B; CN104181781B; US9400425B2; TW201447477A

Abstract

본 발명은 포토마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토마스크 세정 방법에 관한 것으로서, 포토마스크에 남아있는 접착제 잔류물을 제거하기 위한 장치에 관한 것으로서, 접착제 잔류물이 남아있는 면이 아래를 향하도록 설치된 포토마스크와, 상기 접착제 잔류물에 인접하여 형성된 금속판과, 상기 금속판에 레이저를 조사하여 상기 금속판에서 발생하는 열에 의해 접착제 잔류물을 제거하는 레이저 발생부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토마스크 세정 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은 포토마스크에 레이저를 바로 조사하지 않고, 접착제 잔류물에 인접형성된 금속판에 레이저를 조사함으로써, 접착제 잔류물을 효율적이면서 신속하게 제거할 수 있으며, 포토마스크의 손상없이 접착제 잔류물을 제거할 수 있는 이점이 있다.

Description

포토마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토마스크 세정 방법{cleaning apparatus of photomask and cleaning method thereby}

본 발명은 포토마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토마스크 세정 방법에 관한 것으로서, 금속판을 접착제 잔류물에 인접형성하여, 레이저를 금속판에 조사하여 금속판의 열에 의해서 접착제 잔류물을 효과적으로 제거하기 위한 포토 마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토 마스크 세정 방법에 관한 것이다.

최근의 전기, 전자 소자의 고집적화, 소형화에 따라 엄격한 공정 조건이 요구되고 있으며, 특히, 소자나 공정에 이용되는 장치에 불순물의 주입이나 오염이 발생하지 않도록 하여, 미세 패턴을 가지는 소자가 최적 설계치에 맞게 제조되도록 하는 것이 중요하다.이러한 소자 제조 공정 시 미세 패턴을 제조하기 위해 가장 널리 사용되는 공정 중 하나로, 포토리소그래피 공정에 의해 해당 웨이퍼에 미세 패턴을 형성하는 것이다.

일반적으로 포토리소그래피 공정은 포토레지스트를 웨이퍼 상에 균일하게 도포하고, 포토마스크 상의 패턴을 노광시킨 후, 현상 과정을 거쳐 포토마스크의 미세 패턴을 웨이퍼 상에 형성하는 공정을 말한다.

상기 포토리소그래피 공정 중에 포토마스크에 결함이나 불순물이 부착되어 있는 경우라면, 웨이퍼의 결함으로 이어지게 되며, 이는 곧 전체 반도체 소자의 생산성 저하와 수율을 저하시키는 원인이 되고 있다.

특히, 포토리소그래피 공정에 의한 웨이퍼 상에 최종 패턴을 형성하기 위해서는, 한 번의 노광 공정으로 완성되는게 아니라, 패턴이나 집적도에 따라 다수의 노광 공정에 의해 최종 패턴을 형성하게 되는데, 이러한 포토마스크의 결함은 소자의 집적도가 높아질수록 더욱 중요한 공정 변수가 되게 되는 것이다.

따라서, 포토마스크가 되도록 오염되지 않도록 공정 환경을 개선시킴과 더불어 포토마스크 자체가 오염되지 않도록 포토마스크 일측 표면에 펠리클(pellicle)을 형성하게 된다.

상기 펠리클(pellicle)은 포토마스크의 비패턴 영역 상에 펠리클 프레임을 부착시킨 후, 펠리클 프레임 상단에 부착하여 형성하는 것으로서, 포토마스크에 직접적으로 불순물이 흡착되는 것을 방지하고, 포토마스크의 보관 및 관리를 편리하게 해주는 역할을 하게 된다.

이때 펠리클 프레임은 포토마스크의 석영판에 접착제로 접착고정되게 되는데, 펠리클이 오염되었을 경우 이를 제거하게 되면, 포토마스크의 석영판에 펠리클 프레임의 고정을 위한 접착제가 잔류하게 되어 다시 펠리클을 형성하는 것도 용이하지 않을 뿐만 아니라, 펠리클없이 접착제가 잔류된 상태에서 포토리소그래피 공정을 수행할 시에는 접착제에 의한 화학반응으로 노광량의 저해, 빛의 산란 등의 문제가 발생할 수 있어 접착제를 완전히 제거하는 것이 중요하다.

종래에는 포토마스크에서 이러한 접착제를 제거하기 위해서 황산을 이용한 화학적 습식 제거 공정을 수행하였으나, 접착제 제거 공정 후에도 포토마스크에 습식 용액이나 잔류물이 여전히 남아있게 되고, 황산에 의한 포토마스크 패턴을 손상시키는 문제도 있었다.

이러한 습식 제거 공정에 대한 문제점을 해결하기 위하여, 대한민국특허청 공개특허공보 공개번호 10-2008-0001469호가 있으며, 이는 포토마스크에서 펠리클을 제거한 후, 포토마스크에 열처리 공정을 실시하여 접착제를 녹이고, 포토마스크를 O₃및 암모니아(NH4OH)와 과산화수소(H2O2)의 희석액(SC1)을 이용한 세정 공정을 진행하여 접착제 잔류물을 제거하는 것이다.

그러나 이러한 방식은 포토마스크 자체에 직접 열을 가하게 되므로, 포토마스크가 변형 및 오염에 취약하게 되며, 포토마스크 표면에 상기와 같이 세정액이 잔류하게 되는 문제점이 있다.

이러한 습식 공정에 대한 문제점을 해결하기 위해 최근에는 대한민국특허청 공개특허공보 공개번호 10-2012-0097893호와 같은 건식 공정에 의해 접착제를 제거하고자 하는 연구가 활발한 실정이다.

이는 펠리클 접착제 잔류물에 레이저를 직접 조사하여 펠리클 잔류물을 제거하는 방식이다.

그러나, 이러한 방식은 포토마스크 상에 형성된 크롬(Cr) 위의 접착제 잔류물은 제거가 가능하나, 석영판 위에 존재하는 접착제 유기물의 제거는 제대로 되지 않는 문제점이 있다.

도 1은 종래의 이러한 특허를 이용한 실험데이타를 도시한 것으로서, 도 1(a)는 포토마스크의 크롬 위에 접착제 잔류물이 남아있는 경우를 나타낸 것이며, 도 1(b)는 포토마스크의 석영판 위에 바로 접착제 잔류물이 남아있는 경우를 나타낸 것이다.

도시된 바와 같이, 크롬 위에 접착제 잔류물이 남아있는 경우에는 UV급 레이저를 조사 후에도 크롬의 손상없이 접착제 잔류물이 어느 정도 제거되는 반면, 크롬 없이 석영판 바로 위에 접착제 잔류물이 남아있는 경우에는 UV급 레이저를 조사하여도 접착제 잔류물이 전혀 제거가 되지 않으며, 크롬 위의 접착제 잔류물 제거 실험의 2배의 에너지 밀도에서도 접착제 잔류물이 전혀 변화가 없었다. 그리고, 레이저 조사 회수를 여러 번 하여도 접착제 잔류물에는 전혀 변화가 없었다.

따라서, 직접적으로 레이저를 접착제 잔류물 또는 석영판에 조사하는 방식으로는 석영판 위의 접착제 잔류물이 깨끗하게 제거가 되지 않는 문제점이 있다.

또한, 레이저를 직접 포토마스크 상에 조사하게 되므로, 포토마스크의 손상을 방지하기 위해서 사용할 수 있는 레이저의 파워 범위가 제한적이게 되며, 이에 따라 접착제 유기물의 제거가 제대로 되지 않게 되고, 접착제 유기물을 완전히 제거하기 위해서는 레이저 파워를 올려야 하는데 이 경우엔 포토마스크를 손상시키게 되는 것이다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 포토마스크를 세정하기 위해서 레이저를 이용한 건식 세정 방법을 이용하되, 금속판을 접착제 잔류물에 인접형성하여, 레이저를 금속판에 조사하여 금속판의 열에 의해서 접착제 잔류물을 제거하기 위한 포토 마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토 마스크 세정 방법의 제공을 그 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 포토마스크에 남아있는 접착제 잔류물을 제거하기 위한 장치에 관한 것으로서, 접착제 잔류물이 남아있는 면이 아래를 향하도록 설치된 포토마스크와, 상기 접착제 잔류물에 인접하여 형성된 금속판과, 상기 금속판에 레이저를 조사하여 상기 금속판에서 발생하는 열에 의해 접착제 잔류물을 제거하는 레이저 발생부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토마스크 세정 방법을 기술적 요지로 한다.

또한, 상기 금속판은, 상기 접착제 잔류물로부터 50㎛~100㎛ 간격으로 떨어져 형성되는 것이 바람직하며, 상기 금속판은, SUS로 형성되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 금속판은, 상기 포토마스크와 펠리클 프레임 접착 영역에 대응하여 판상의 사각 프레임 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 레이저 발생부는 포토마스크의 상측에서 석영판을 통과하여 금속판에 조사되도록 하는 것이 바람직하며, 상기 금속판에서 발생하는 열에 의해 접착제 잔류물을 제거할 시 발생하는 기화물을 흡입하기 위한 흡입부가 상기 금속판에 인접하여 더 형성되는 것이 바람직하다.

한편, 상기 레이저는 상기 접착제 잔류물을 따라 스캐닝 방식으로 이동하면서 조사되는 것이 바람직하며, 구체적으로는 스캐닝 방식으로 레이저가 0.02mm/sec~0.07mm/sec의 속도로 이동하면서 동일 위치에서는 약 0.05초~0.5초 정도 머무르는 것이 바람직하다. 또한, 이러한 과정은 포토마스크 및 접착제 잔류물 상태에 따라 2회~10회 반복하여 이루어지는 것이 바람직하다.

본 발명은 포토마스크에 레이저를 바로 조사하지 않고, 접착제 잔류물에 인접형성된 금속판에 레이저를 조사함으로써, 접착제 잔류물을 효율적이면서 신속하게 제거할 수 있으며, 포토마스크의 손상없이 접착제 잔류물을 제거할 수 있는 효과가 있다.

또한, 포토마스크의 석영판이나 크롬 패턴에 상관없이 접착제 잔류물을 깨끗하게 제거할 수 있는 효과가 있다.

도 1 - 종래기술에 의한 레이저를 이용한 포토마스크의 접착제 잔류물 제거 실험데이타를 나타낸 도((a)는 포토마스크의 크롬 위에 접착제 잔류물이 남아있는 경우를 나타낸 것, (b)는 포토마스크의 석영판 위에 바로 접착제 잔류물이 남아있는 경우를 나타낸 것)

본 발명은 포토마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토마스크 세정 방법에 관한 것으로서, 특히, 레이저에 반응하는 금속판을 접착제 잔류물에 인접형성하여, 금속판의 열에 의해서 접착제 잔류물을 효과적으로 제거하고, 포토마스크를 손상시키지 않는 포토마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토마스크 세정 방법에 관한 것이다.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명하고자 한다. 도 2는 본 발명에 따른 포토마스크 세정 장치의 주요부에 대한 모식도이고, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따라 포토마스크 상의 접착제 잔류물 제거 실험데이타를 나타낸 도이다.

먼저, 포토마스크 세정 장치는 도시된 바와 같이 본 발명은 포토마스크(10)에 남아있는 접착제 잔류물을 제거하기 위한 장치에 관한 것으로서, 접착제 잔류물(20)이 남아있는 면이 아래를 향하도록 설치된 포토마스크(10)와, 상기 접착제 잔류물(20)에 인접하여 형성된 금속판(100)과, 상기 금속판(100)에 레이저를 조사하여 상기 금속판(100)에서 발생하는 열에 의해 접착제 잔류물(20)을 제거하는 레이저 발생부(200)로 크게 구성된다.

먼저, 본 발명에 따른 포토마스크(10)는 반도체 소자 공정 시 웨이퍼 상에 미세 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정에 사용되는 것으로, 공정 중 오염된 포토마스크(10)를 세정하고자 하는 것이다.

특히, 포토마스크(10)의 오염을 방지하기 위해 펠리클(pellicle)을 형성하여 공정을 진행한 후, 이를 제거하게 되면 접착제 잔류물(20)이 포토마스크(10) 표면 상에 남아있게 되는데, 이러한 접착제 잔류물(20)이 표면 상에 남아있는 포토마스크(10)를 세정하는 것이 본 발명의 주된 목적이다.

일반적으로 포토마스크(10)는 석영판에 크롬(Cr)을 이용하여 패턴이 형성되어 있으며, 웨이퍼 상에 포토레지스트층을 균일하게 형성한 후, 웨이퍼에 형성하고자 하는 패턴의 크기에 맞춰 초점거리를 조절한 후 노광시키고, 현상하는 공정에 의해 웨이퍼 상에 소정의 패턴이 형성되는 것이다.

여기에서, 포토레지스트층을 이루는 포토레지스트에 포함된 감광성 물질에 따라 빛을 받지 못한 부분의 포토레지스트가 제거되는 네거티브(negative)형 또는 빛을 받은 부분의 포토레지스트가 제거되는 포지티브(positive)형이 있으며, 최종적으로 얻게 되는 웨이퍼 상의 패턴에 따라 적절히 선택하여 사용하게 된다.

이 경우, 포토마스크(10) 상에 형성되는 크롬 패턴은 네거티브형이나 포지티브형이냐에 따라 패턴 영역과 비 패턴영역이 달리 형성되게 되는데, 네거티브형의 경우 일반적으로 중앙에 크롬으로 패턴 영역이 형성되고, 둘레를 따라 크롬으로 비패턴 영역이 형성되는 반면에, 포지티브형의 경우에는 중앙에만 크롬으로 패턴 영역이 형성되고, 둘레는 비패턴 영역이되 크롬없이 석영판만 형성되는 것이 일반적이다.

이때 상술한 바와 같이 포토마스크(10)의 오염을 방지하기 위해서 펠리클을 형성하게 되는데, 네거티브형이나 포지티브형이냐에 따라서 펠리클 제거 후 남아있는 접착제 잔류물(20)이 석영판 바로 위에 형성될 수도 있으며, 아니면 크롬 위에 형성될 수 있다.

본 발명에서의 접착제 잔류물(20)이 남아있는 포토마스크(10)는 이러한 모든 경우를 포함하는 것으로, 종래기술과는 달리 석영판 바로 위에 접착제 잔류물(20)이 남아있거나, 크롬 위에 접착제 잔류물(20)이 남아있는 경우 둘 다 효과적으로 접착제 잔류물(20)을 제거할 수 있는데 장점이 있다.

이러한 접착제 잔류물(20)이 남아있는 면이 아래를 향하도록 포토마스크(10)를 설치한다.

이는 접착제 잔류물(20)의 제거작업을 수행할 경우 제거된 접착제 잔류물(20)이 다시 포토마스크(10) 위로 떨어지지 않도록 접착제 잔류물(20)이 남아있는 면이 아래로 향하도록 포토마스크(10)를 설치하게 되는 것이다.

그리고, 포토마스크(10) 아래 쪽에서 접착제 잔류물(20)에 인접하여 금속판(100)을 설치하고, 상기 금속판(100)에 레이저를 조사하여 상기 금속판(100)에서 발생하는 열에 의해 접착제 잔류물(20)을 제거하는 레이저 발생부(200)를 설치한다.

상기 금속판(100)은 레이저에 반응을 하는 금속으로서, 레이저의 에너지를 흡수하여 표면 온도가 올라가는 금속을 사용하며, 특히 가공성 및 경제성을 고려하여 SUS를 사용한다.

여기에서, 상기 금속판(100)은 접착제 잔류물(20)에 인접하여 형성하되, 접착제 잔류물(20)에는 접하지는 않아야 하며, 접착제 잔류물(20)로부터 50㎛~100㎛ 간격으로 떨어져 형성되는 것이 바람직하다.

이는 금속판(100)과 접착제 잔류물(20)이 접하거나 50㎛ 보다 작은 간격으로 떨어져 형성되어 있으면, 접착제가 기화하는 과정에서 찌꺼기가 금속판(100)에 달라붙을 수 있어 금속판(100) 및 포토마스크(10)의 2차 오염을 유발시키기 된다.

그리고, 100㎛ 보다 큰 간격으로 떨어져 형성되어 있으면, 금속판(100)의 열 전달 효율이 떨어져 전체적으로 접착제 잔류물(20) 제거 효율이 떨어지는 단점이 있다.

따라서, 상기 금속판(100)과 접착제 잔류물(20) 사이의 간격은 50㎛~100㎛가 적당하다.

또한, 상기 금속판(100)은 포토마스크(10)와 펠리클 프레임 접착 영역에 대응하여 판상의 사각 프레임 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.

일반적으로 펠리클 형성시 포토마스크(10) 상측에 펠리클 프레임을 접착제로 접착하게 되는데, 펠리클 제거시 이에 의한 접착제 잔류물(20)이 남아있게 되며, 상기 금속판(100)을 이러한 펠리클 프레임 접착 영역에 대응하여 판상의 사각 프레임 형상으로 형성하여, 금속판(100)에 레이저를 효율적으로 조사할 수 있도록 한 것이다.

즉, 금속판(100)을 펠리클 프레임 접착 영역(접착제 잔류물(20)이 남아있는 영역)에 대응하는 사각 프레임 형상으로 형성함으로써, 금속판(100)의 이동없이 레이저의 스캐닝방식만으로 접착제 잔류물(20) 전체를 제거할 수 있도록 한 것이다.

한편, 상기 레이저 발생부(200)는 포토마스크(10)의 상측에서 석영판을 통과하여 금속판(100)에 조사되도록 하는 것이 바람직하다. 이는 포토마스크(10) 아래 쪽에서 금속판(100)에 바로 조사하는 경우도 가능할 수도 있으나, 이 경우 접착제 잔류물(20) 찌꺼기가 떨어질 수도 있으며, 포토마스크(10) 아래 쪽에서는 레이저 발생부(200)의 설치가 용이하지 않기 때문이다.

또한, 상기 레이저 발생부(200)의 레이저는 금속판(100)에 초점이 조절되어 조사되어 금속판(100)에 대부분의 레이저 에너지가 전달되게 되며, 석영판에는 레이저가 그대로 투과하게 되어 아주 일부의 에너지만 전달되게 되는 것이다. 이 경우 부분적으로 석영판을 데우게 되어 접착제 잔류물(20)이 더욱 빠르고 효율적으로 제거될 수 있게 되는 것이다.

따라서, 상기 레이저 발생부(200)가 포토마스크(10)의 상측에서 석영판을 통과하여 금속판(100)에 조사되도록 하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 금속판(100)에서 발생하는 열에 의해 접착제 잔류물(20)을 제거할 시 발생하는 기화물을 흡입하기 위한 흡입부(300)가 상기 금속판(100)에 인접하여 더 형성된다.

상기 흡입부(300)는 접착제 잔류물(20)을 제거할 때 발생하는 기화물이나 찌꺼기 등을 흡입하기 위한 것으로서, 진공흡입하기 위한 흡입구가 형성되어, 주변기체를 흡입함과 동시에 접착제 잔류물(20) 제거로 인한 기화물, 액화물 또는 찌꺼기 등은 흡입하여, 포토마스크(10)의 재오염 등의 문제가 발생하지 않도록 한다.

이하에서는 본 발명에 따른 포토마스크(10) 세정 방법에 대해서 설명하고자 하며, 상기 포토마스크(10) 세정 장치를 이용하는 것으로서, 중복되는 설명은 생략하여 간단하게 설명하고자 한다.

본 발명에 따른 포토마스크(10) 세정 방법은, 접착제 잔류물(20)이 남아있는 면이 아래를 향하도록 포토마스크(10)를 설치하는 제1단계, 상기 접착제 잔류물(20)에 인접하여 금속판(100)을 위치시키는 제2단계, 상기 금속판(100)에 레이저를 조사하여 상기 금속판(100)에서 발생하는 열에 의해 접착제 잔류물(20)을 제거하는 제3단계로 크게 이루어진다.

여기에서, 상기 제2단계의 금속판(100)과 접착제 잔류물(20) 사이의 간격은 상술한 바와 같이 50㎛~100㎛가 바람직하며, 상기 금속판(100)은 SUS를 사용하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 제3단계의 레이저는 포토마스크(10)의 상측에서 석영판을 통과하여 금속판(100)에 조사되도록 하되, 상기 접착제 잔류물(20)을 따라 스캐닝 방식으로 이동하면서 조사되도록 하여, 연속적으로 접착제 잔류물(20)을 제거할 수 있도록 한다.

상술한 바와 같이 펠리클 프레임 접착 영역 즉, 접착제 잔류물(20)이 있는 영역의 형태에 대응하여 사각 프레임 형태로 형성된 금속판(100)을 따라 레이저가 스캐닝 방식으로 이동하면서 조사되게 된다.

구체적으로는 스캐닝 방식으로 레이저는 대략 0.02㎛~0.06㎛ 정도의 선폭으로 0.2mm/sec~0.7mm/sec의 속도로 이동하면서 동일 위치에서는 약 0.05초~0.5초 정도 머무르면서 금속판(100)에 조사가 이루어지도록 하는 것이다. 이는 금속판(100)이 조사된 레이저의 에너지를 흡수하고 일정 정도 가열되어, 그 열이 접착제 잔류물(20)에 전달되어 접착제 잔류물(20)을 기화시킬 수 있을 정도의 속도 및 시간인 것이다.

또한, 상기 제3단계는 접착제 잔류물(20)의 상태 즉, 접착제 잔류물(20)의 폭이나 높이, 종류 등에 따라 2회~10회 반복하여 수행함으로써, 포토마스크(10) 상에서 접착제 잔류물(20)을 완전히 제거할 수 있도록 한다.

이하에서는 본 발명의 일실시예에 대해 설명하고자 한다.

펠리클을 제거한 후 석영판 위에 바로 접착제 잔류물이 남아있는 포토마스크를 준비하였다. 상기 포토마스크의 접착제 잔류물이 아래쪽으로 향하도록 설치하고, 상기 접착제 잔류물과 금속판 사이의 간격은 85㎛가 되도록 금속판을 설치하였다.

그린 레이저(Greem Laser, 515nm, 10kHz)를 4.3J/cm²로 0.1초 동안 조사하였다. 스캐닝 방식으로 빔(Beam)의 크기는 4mm x 0.04mm로 0.5mm/sec의 속도로 이동하면서 조사하였다. 동일 위치에서는 0.1초 정도 머물렀다. 반복작업은 동일한 조건에서 2회 실시하였다.

도 3은 위와 같은 실시예에서 포토마스크 상에 남아있는 접착제 잔류물을 제거한 실험데이타를 나타낸 것(첫 번째는 레이저 조사 전, 두 번째는 1회 레이저 조사, 세번째는 2회 반복 실시)이다. 도시된 바와 같이 종래(도 1)의 포토마스크 상에서 접착제 잔류물을 제거한 실험데이타에 비해 본 발명에 따라 포토마스크 상에서 접착제 잔류물을 제거한 것이 더욱 효율적이고, 깨끗하게 포토마스크를 세정할 수 있음을 확인할 수 있었다.

10 : 포토마스크 20 : 접착제 잔류물
100 : 금속판 200 : 레이저 발생부
300 : 흡입부

Claims

포토마스크에 남아있는 접착제 잔류물을 제거하기 위한 장치에 관한 것으로서,
접착제 잔류물이 남아있는 면이 아래를 향하도록 설치된 포토마스크;
상기 접착제 잔류물에 인접하여 형성된 금속판;
상기 금속판에 레이저를 조사하여 상기 금속판에서 발생하는 열에 의해 접착제 잔류물을 제거하는 레이저 발생부;를 포함하여 구성되되,
상기 금속판은,
상기 포토마스크와 펠리클 프레임 접착 영역에 대응하여 판상의 사각 프레임 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 세정 장치.
제 1항에 있어서, 상기 금속판은,
상기 접착제 잔류물로부터 50㎛~100㎛ 간격으로 떨어져 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 세정 장치.
제 1항에 있어서, 상기 금속판은,
SUS인 것을 특징으로 하는 포토마스크 세정 장치.
삭제
제 1항에 있어서, 상기 레이저 발생부는 포토마스크의 상측에서 석영판을 통과하여 금속판에 조사되도록 하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 세정 장치.
제 1항에 있어서, 상기 금속판에서 발생하는 열에 의해 접착제 잔류물을 제거할 시 발생하는 기화물을 흡입하기 위한 흡입부가 상기 금속판에 인접하여 더 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 세정 장치.
포토마스크에 남아있는 접착제 잔류물을 제거하기 위한 포토마스크 세정 방법에 있어서,
접착제 잔류물이 남아있는 면이 아래를 향하도록 포토마스크를 설치하는 제1단계;
상기 접착제 잔류물에 인접하여 금속판을 위치시키는 제2단계;
상기 금속판에 레이저를 조사하여 상기 금속판에서 발생하는 열에 의해 접착제 잔류물을 제거하는 제3단계;를 포함하여 구성되되,
상기 레이저는 포토마스크의 상측에서 석영판을 통과하여 금속판에 조사되도록 하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 세정 방법.
제 7항에 있어서, 상기 제2단계의 금속판과 접착제 잔류물 사이의 간격은 50㎛~100㎛인 것을 특징으로 하는 포토마스크 세정 방법.
제 7항에 있어서, 상기 금속판은 SUS인 것을 특징으로 하는 포토마스크 세정 방법.
제 7항에 있어서, 상기 제3단계의 레이저는 상기 접착제 잔류물을 따라 스캐닝 방식으로 이동하면서 조사되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 세정 방법.
제 10항에 있어서, 스캐닝 방식으로 레이저가 0.02mm/sec~0.07mm/sec의 속도로 이동하면서 동일 위치에서는 0.05초~0.5초 정도 머무르는 것을 특징으로 하는 포토마스크 세정 방법.
제 7항에 있어서, 상기 제3단계는,
2회~10회 반복하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크 세정 방법.
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