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KR101446455B1 - 처리 장치 - Google Patents

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KR101446455B1
KR101446455B1 KR1020137028690A KR20137028690A KR101446455B1 KR 101446455 B1 KR101446455 B1 KR 101446455B1 KR 1020137028690 A KR1020137028690 A KR 1020137028690A KR 20137028690 A KR20137028690 A KR 20137028690A KR 101446455 B1 KR101446455 B1 KR 101446455B1
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partitioning
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도모아키 오사다
마사미 하세가와
Original Assignee
캐논 아네르바 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 생산성 향상에 유리한 기술을 제공한다. 처리 장치는, 기판을 처리하는 처리 공간에 있어서 상기 기판을 지지하는 기판 지지부와, 개구부를 갖는 천장부를 포함하고 있어서 상기 처리 공간을 외부 공간으로부터 구획하는 제1 구획 부재와, 상기 개구부를 폐색하여 상기 제1 구획 부재와 함께 상기 처리 공간을 상기 외부 공간으로부터 구획하도록 상기 제1 구획 부재에 설치되는 제2 구획 부재를 구비한다. 상기 제2 구획 부재는, 상기 천장부의 하면이 향하고 있는 공간을 향해서 상기 제2 구획 부재를 이동시킴으로써, 상기 제2 구획 부재를 상기 제1 구획 부재로부터 제거할 수 있도록, 상기 제1 구획 부재에 설치된다.

Description

처리 장치{PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 기판을 처리하는 처리 장치에 관한 것이다.
벨자의 주위에 안테나가 배치된 유도 결합형 플라즈마 처리 장치가 알려져 있다. 특허문헌 1에는, 진공 용기(2)와, 진공 용기(2)의 상부를 폐색하는 벨자(12)에 의해 진공 처리실이 형성된 플라즈마 처리 장치가 개시되어 있다. 여기서, 진공 용기(2)의 플랜지(24) 위에는, O링을 개재하여 가스 링(4)이 배치되고, 가스 링(4) 위에는, O링을 개재하여 벨자(12)가 적재되어 있다. 벨자(12)의 주위에는 안테나(1a, 1b)가 배치되고, 안테나(1a, 1b)에는, 정합기(매칭 박스)(3)를 통해서 고주파 전원(10)이 접속되어 있다.
일본 특허 공개 제2004-235545호 공보
유도 결합형 플라즈마 처리 장치 등의 처리 장치에 있어서 기판을 처리(예를 들어, 퇴적 처리, 에칭 처리)하고 있는 동안, 벨자의 내면에 반응 생성물이 퇴적된다. 벨자의 내면에 퇴적된 반응 생성물은, 거기에서 박리되어 기판이나 기판 지지부에 낙하할 수 있다. 또한, 벨자의 내면에 대한 반응 생성물의 퇴적량이 많아지면, 그에 따라 기판을 처리할 때의 조건이 변화될 수 있다. 그로 인해, 벨자를 처리 장치로부터 제거하고 클리닝해서 상기 처리 장치에 다시 설치하거나, 벨자를 교환하거나 하는 유지 보수 작업이 이루어질 수 있다.
그러나, 특허문헌 1에 기재된 처리 장치와 같이, 벨자가 그 아래의 구조체(진공 용기) 위에 적재된 구조의 처리 장치에서는, 상기 구조체로부터 벨자를 제거하기 위해서는, 그 전에, 벨자의 상측에 배치된 정합기 등을 제거할 필요가 있다. 정합기를 제거해서 벨자의 제거, 클리닝, 설치를 행한 후에 정합기를 처리 장치에 설치한 경우, 플라즈마에의 안테나의 결합 상태가 변화하므로, 퇴적 또는 에칭 등의 처리 조건 제시를 다시 할 필요가 있다. 이 조건 제시에는 장시간을 필요로 하고 생산성을 저하시키므로, 벨자의 클리닝 혹은 교환시마다 정합기를 처리 장치로부터 제거하는 것은 피해야 한다.
본 발명은, 발명자들에 의한 상기 과제 인식을 계기로 해서 이루어진 것이며, 생산성 향상에 유리한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 하나의 측면은, 기판을 처리하는 처리 장치에 관한 것으로, 상기 처리 장치는, 기판을 처리하는 처리 공간에 있어서 상기 기판을 지지하는 기판 지지부와, 개구부를 갖는 천장부를 포함하고 있어서 상기 처리 공간을 외부 공간으로부터 구획하는 제1 구획 부재와, 상기 개구부를 폐색하여 상기 제1 구획 부재와 함께 상기 처리 공간을 상기 외부 공간으로부터 구획하도록 상기 제1 구획 부재에 설치되는 제2 구획 부재를 구비하고, 상기 제2 구획 부재는, 상기 천장부의 하면이 향하고 있는 공간을 향해서 상기 제2 구획 부재를 이동시킴으로써, 상기 제2 구획 부재를 상기 제1 구획 부재로부터 제거할 수 있도록, 상기 제1 구획 부재에 설치된다.
본 발명에 따르면, 생산성 향상에 유리한 기술이 제공된다.
본 발명의 그 밖의 특징 및 이점은, 첨부 도면을 참조로 한 이하의 설명에 의해 밝혀질 것이다. 또한, 첨부 도면에 있어서는, 동일하거나 혹은 마찬가지 구성에는, 동일한 참조 번호를 붙인다.
첨부 도면은 명세서에 포함되어, 그 일부를 구성하고, 본 발명의 실시 형태를 나타내며, 그 기술과 함께 본 발명의 원리를 설명하기 위해서 사용된다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시 형태의 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 처리 장치의 부분적인 확대도이다.
도 3은 도 1에 도시하는 처리 장치의 부분적인 확대도이다.
도 4는 도 1에 도시하는 처리 장치의 부분적인 확대도이다.
도 5는 도 1에 도시하는 처리 장치의 부분적인 확대도이다.
도 6은 도 1에 도시하는 처리 장치의 부분적인 확대도이다.
도 7은 도 1에 도시하는 처리 장치의 부분적인 확대도이다.
도 8은 도 1에 도시하는 처리 장치의 부분적인 확대도이다.
도 9는 본 발명의 하나의 실시 형태의 처리 장치에 있어서의 개방 동작을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 하나의 실시 형태의 처리 장치에 있어서의 개방 동작을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 11은 본 발명의 하나의 실시 형태의 처리 장치에 있어서의 부품의 제거 동작을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시 형태의 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
도 1을 참조하면서 본 발명의 하나의 실시 형태의 처리 장치(1)에 대해서 설명한다. 처리 장치(1)는, 전형적으로는, 유도 결합형 플라즈마 처리 장치로서 구성될 수 있지만, 본 발명은, 예를 들어 ECR플라스마 처리 장치나 마이크로파 플라즈마 처리 장치 등의 다른 처리 장치에도 적용 가능하다. 처리 장치(1)는, 기판(S)을 처리하는 처리 공간(PS)을 외부 공간(예를 들어, 대기 환경)(OS)으로부터 구획하는 부재(인크로저)로서, 제1 구획 부재(챔버)(40)와, 제2 구획 부재(벨자)(30)와, 베이스부(120)를 구비하고 있다.
제1 구획 부재(40)는, 예를 들어 적어도 2개의 서로 분리 가능한 부재로서, 상부 구획 부재(42)와, 하부 구획 부재(44)를 포함할 수 있다. 제1 구획 부재(40) 혹은 상부 구획 부재(42)는, 개구부(46)를 갖는 천장부(42T)를 포함한다. 제2 구획 부재(30)는, 개구부(46)를 폐색하여 제1 구획 부재(40)와 함께 처리 공간(PS)을 외부 공간(OS)으로부터 구획하도록 제1 구획 부재(40)에 설치된다.
제2 구획 부재(30)는, 천장부(42T)의 하면(LS)이 향하고 있는 공간[도 1의 상태에서는, 처리 공간(PS)]을 향해서[즉, 방향(DIR)을 향해] 제2 구획 부재(30)를 이동시킴으로써 제2 구획 부재(30)를 제1 구획 부재(40)로부터 제거할 수 있도록, 제1 구획 부재(40)에 설치된다. 여기서, 방향(DIR)은, 제1 구획 부재(40) 혹은 상부 구획 부재(42)의 천장부(42T)의 하면(LS)이 향하고 있는 방향이므로, 제1 구획 부재(40) 혹은 상부 구획 부재(42)의 자세에 의존하는 방향[즉, 제1 구획 부재(40) 혹은 상부 구획 부재(42)에 대한 상대적인 방향]이며, 수평면 등의 기준면을 기준으로 하는 것 같은 절대적인 방향은 아니다.
베이스부(120)는, 제1 구획 부재(40)의 하부의 개구부를 폐색하도록 배치될 수 있다. 단, 베이스부(120)는, 제1 구획 부재(40)의 일부를 구성하도록 제1 구획 부재(40)와 일체화되어도 좋다.
도 2에 예시되는 바와 같이, 제1 구획 부재(40) 혹은 상부 구획 부재(42)는, 개구부(46)의 주위에 설치면(41)을 가질 수 있다. 제2 구획 부재(30)는, 설치면(41)에 대하여 시일 부재(예를 들어, O링)(32)를 통해서 가압되도록 제1 구획 부재(40) 혹은 상부 구획 부재(42)에 설치될 수 있다. 더욱 구체적으로는, 체결 부재(예를 들어, 볼트)(64)에 의해 압박 링(60)을 상부 구획 부재(42)에 체결함으로써, 제2 구획 부재(30)가 가압 링(60)에 의해 설치면(41)에 대하여 시일 부재(예를 들어, O링)(32)를 통해서 가압된다. 여기서, 압박 링(60)은, 탄성 링(62)을 갖고, 탄성 링(62)을 통해서 제2 구획 부재(30)에 압박력을 가하는 것이 바람직하다. 이것은, 압박에 의한 제2 구획 부재(30)의 파손을 방지하기 위해서 효과적이다. 또한, 탄성 링(62)을 설치하는 것은, 처리 공간(PS)이 진공 상태일 때에, 제2 구획 부재(30)에 대하여 외부 공간(OS)으로부터 겹치는 외압에 의한 제2 구획 부재(30)의 파손을 방지하는 관점에서도 더욱 효과적이다. 탄성 링(62)은, 탄력을 갖는 재질임과 함께, 플라즈마에 대한 내성, 활성 가스에 대한 내성, 열에 대한 내성을 구비하는 재료로 구성되는 것이 바람직하고, 예를 들어 테플론(등록 상표)으로 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 부품 개수 삭감의 관점에서 탄성 링(62)은 1개의 링 형상 부재로 구성되는 것이 바람직하지만, 예를 들어 복수의 링 형상 부재로 구성되어도 좋고, 혹은 일정한 간격으로 원주 상에 설치된 시트 형상 부재이어도 좋다. 또한, 압박 링(60)은 내열성, 강성의 관점에서 금속으로 구성되는 것이 바람직하지만, 탄력을 갖는 부재로 구성되어 있어도 좋고, 그 경우에는 가압 링(60)은 탄성 링(62)을 갖고 있지 않아도 좋다.
하향 설치면(41)에 대하여 시일 부재(예를 들어, O링)(32)를 통해서 제2 구획 부재(30)를 가압하는 구성은, 1개의 시일 부재(32)로 시일이 가능한 점에서 우수하다.
처리 장치(1)는, 가스 공급부(GS)와, 안테나(20)를 구비하고 있다. 안테나(20)는, 제2 구획 부재(30)에 근접해서 외부 공간(OS)에 배치되고, 가스 공급부(GS)에 의해 처리 공간(PS)에 공급된 가스에 전자파를 공급해서 상기 가스를 여기한다. 안테나(20)에는, 정합기(10)를 통해서 고주파 전원(RF 전원)(12)으로부터 고주파 전력이 공급된다. 안테나(20)의 외측에는, 안테나(20)로부터 방사되는 전자파에 의해 제2 구획 부재(30)의 내측 공간에서 발생한 플라즈마를 기판(S)을 향해서 확산시키기 위한 전자석 유닛(22)이 배치될 수 있다. 제2 구획 부재(30)는, 안테나(20)로부터 방사되는 전자파를 제2 구획 부재(30)의 내측의 공간에 도입해서 플라즈마를 발생시키기 위해서, 예를 들어 석영 유리나 질화 알루미늄 등의 절연 재료로 구성된다.
처리 장치(1)는, 처리 공간(PS)에 면하도록 제1 구획 부재(40)[상부 구획 부재(42), 하부 구획 부재(44)]의 내측에 배치되어 제1 구획 부재(40)를 처리 공간(PS)의 플라즈마 환경으로부터 보호하는 실드(50)를 더 구비할 수 있다. 실드(50)는, 예를 들어 상부 구획 부재(42)의 내측에 배치되어 상부 구획 부재(42)를 처리 공간(PS)의 플라즈마 환경으로부터 보호하는 상부 실드(52)와, 하부 구획 부재(44)의 내측에 배치되어 하부 구획 부재(44)를 처리 공간(PS)의 플라즈마 환경으로부터 보호하는 하부 실드(54)를 포함할 수 있다. 상부 실드(52)는, 도시하지 않은 체결 부재에 의해 상부 구획 부재(42)에 체결될 수 있다.
도 3에 예시되는 바와 같이, 가스 공급부(GS)는, 예를 들어 처리 공간(PS)에 가스를 공급하기 위한 환상 가스 유로(90)와, 환상 가스 유로(90)에 가스를 공급하는 가스 공급 링(70)과, 가스 공급 링(70)에 가스를 공급하는 가스 공급 유로(160)를 포함할 수 있다. 환상 가스 유로(90)의 처리 공간(PS)에의 출구(92)는, 환상 슬릿이며, 환상 가스 유로(90)에 대하여 가스 공급 유로(160) 및 가스 공급 링(70)을 거쳐 공급되는 가스는, 환상 가스 유로(90)를 통해서 처리 공간(PS)에 대하여 환상의 가스류로서 공급된다. 환상 가스 유로(90)의 처리 공간(PS)에의 출구(92)를 환상 슬릿으로 함으로써, 방사상으로 배치된 가스 공급 구멍으로부터 직접 처리 공간(PS)에 가스를 공급하는 구성보다도 균일하게 처리 공간(PS)에 가스를 공급할 수 있다. 이것은, 기판(S)을 더욱 균일하게 처리할 수 있는 것, 혹은, 제2 구획 부재(벨자)(30)와 기판(S)의 거리(가스를 확산시켜서 균일화시키기 위해서 요구되는 거리)를 짧게 할 수 있는 것을 의미한다.
환상 가스 유로(90)의 적어도 일부는, 제2 구획 부재(30)와 상부 실드(52)에 의해 규정될 수 있다. 예를 들어, 환상 가스 유로(90)의 처리 공간(PS)에의 출구(환상 슬릿)(92)는, 제2 구획 부재(벨자)(30)의 가장 하측의 외측 측면과 상부 실드(52)의 가장 내측의 측면 간극에 의해 규정될 수 있다. 이것은, 제2 구획 부재(30) 및 상부 실드(52)를 클리닝함으로써 출구(환상 슬릿)(92)가 클리닝된다는 유지 보수상의 우위성을 제공한다. 또한, 가스 공급 구멍(94)이 직접 플라즈마에 노출되지 않기 때문에, 가스 공급 구멍(94)의 오염이나 경년 변화를 저감시키는 것이 가능하다. 한편, 종래의 가스 공급 구멍의 클리닝에 있어서는, 가스 공급 구멍의 내부(즉, 표면에 노출되지 않고 있는 부분)까지 클리닝할 필요가 있고, 이것은 클리닝의 확실성 면이나 클리닝에 필요로 하는 시간 면에서 불리하다.
그 외, 환상 가스 유로(90)의 입구(91)는, 가스 공급 링(70)의 내측 측면과 상부 실드(52)의 유로 규정부(52a)의 외측 측면 간극에 의해 규정되고, 환상 가스 유로(90)의 입구(91)와 출구(92) 사이의 부분의 적어도 일부는, 압박 링(60)의 하면과 상부 실드(52)의 유로 규정부(52a)의 상면 간극에 의해 규정될 수 있다. 상부 실드(52)는, 상부 구획 부재(42)의 천장부(42T)의 하면(LS)에 접하는 천장 실드부(52b)를 포함하고, 상부 실드(52)의 유로 규정부(52a)는, 예를 들어 천장 실드부(52b)로부터 상방으로 돌출된 부분일 수 있다. 이 실시 형태에서는, 환상 가스 유로(90)는, 압박 링(60), 가스 공급 링(70), 제2 구획 부재(30) 및 실드(50)[상부 실드(52)]에 의해 규정되어 있다.
가스 공급 링(70)은, 예를 들어 가스 공급 유로(160)로부터 공급되는 가스를 환상으로 확산시키는 환상 확산 홈(96)과, 환상 확산 홈(96)과 환상 가스 유로(90)의 입구(91)를 접속하는 가스 공급 구멍(94)을 포함할 수 있다. 가스 공급 링(70)은, 체결 부재(예를 들어, 볼트)(72)에 의해 제1 구획 부재(40)의 상부 구획 부재(42)에 체결될 수 있다. 기판 지지부(112)의 기판 적재면(SS)의 법선을 포함하는 평면으로 절단한 단면(도 3은 당해 단면을 도시하는 도면이다)에 있어서, 환상 가스 유로(90)는, 환상 가스 유로(90)의 입구(91)로부터 출구(92)까지의 사이에 적어도 1개의 굴곡부(99)를 포함할 수 있다. 이것은, 환상 가스 유로(90)의 입구(91)로부터 출구(92)에 이르는 경로 길이를 길게 하고, 가스를 균일하게 확산하기 위해서 효과적이다. 이것은, 결과적으로 기판(S)이 균일한 처리에 기여한다. 이때, 가스 공급 구멍(94)을, 가스 공급 링(70)의 원주 상에 등간격으로 배치함으로써, 가스를 더욱 균일하게 처리 공간(PS)에 공급할 수 있다.
가스 공급 링(70)은, 압박 링(60)을 상부 구획 부재(42)에 체결하기 위한 체결 부재(64)가 가스 공급 링(70)에 의해 숨겨지도록 상부 구획 부재(42)에 설치될 수 있다. 환언하면, 압박 링(60)은, 상부 구획 부재(42)와 가스 공급 링(70)에 의해 끼워진다. 환상 확산 홈(96)의 외측 및 내측에는, 시일 부재(예를 들어, O링)(74)가 가스 공급 링(70)과 상부 구획 부재(42) 사이에 배치될 수 있다. 시일 부재(74)에 의해 가스 공급로(160)로부터 공급되는 가스가 가스 공급 링(70)과 상부 구획 부재(42)의 간극에 있어서의 누설을 방지하고, 환상 확산 홈(96)에 있어서의 가스 확산의 향상이 도모된다.
처리 장치(1)는, 처리 공간(PS)에 있어서 기판(S)을 지지하는 기판 지지부(112)를 구비하고 있다. 기판 지지부(112)는, 베이스부(120)에 의해 지지되어 있다. 기판 지지부(112)는, 기판(S)을 둘러싸도록 배치된 주변 링(110) 및 기판 적재면(SS)을 포함할 수 있다. 베이스부(120)에는, 배기구가 설치되어 있고, 상기 배기구를 통해서 배기부(130)에 의해 처리 공간(PS) 내의 가스가 배기된다. 처리 공간(PS)으로부터 배기부(130) 사이에는 배기 배플 등이 사용된다. 기판 지지부(112)는, 기판(S)을 정전 흡착하거나 기판(S)에 바이어스를 인가하거나 하기 위한 전극을 포함하고, 상기 전극은, 정합기(150)를 통해서 고주파 전원(152) 및 직류 전원(154)에 접속되어 있다.
이하, 도 1에 도시하는 처리 장치(1)의 부분적인 확대도인 도 4 내지 도 8을 참조하면서 제2 구획 부재(벨자)(30)의 제거 및 설치에 대해서 설명한다. 도 4는, 제2 구획 부재(30)의 제거를 위한 작업을 행하기 전의 상태를 예시적으로 나타내고 있다. 우선, 도 5에 도시한 바와 같이, 상부 실드(52)를 이동시킴으로써, 상부 구획 부재(42)로부터 상부 실드(52)를 제거한다. 여기서, 상부 실드(52)를 이동시키는 방향은, 천장부(42T)의 하면(LS)이 향하고 있는 공간을 향한 방향(DIR)이다. 또한, 하면(LS)이 향하고 있는 공간을 향한 방향(DIR)은, 도 5에서는 하측 방향이지만, 후술하는 도 11에 도시하는 상태에서는 상향이다.
계속해서, 도 6에 도시한 바와 같이, 체결 부재(72)에 의한 상부 구획 부재(42)에의 가스 공급 링(70)의 체결을 해제하고, 방향(DIR)으로 가스 공급 링(70)을 이동시킴으로써 상부 구획 부재(42)로부터 가스 공급 링(70)을 제거한다. 계속해서, 도 7에 도시한 바와 같이, 체결 부재(64)에 의한 상부 구획 부재(42)에의 가압 링(60)의 체결을 해제하고, 방향(DIR)으로 가압 링(60)을 이동시킴으로써, 상부 구획 부재(42)로부터 가압 링(60)을 제거한다. 이에 의해, 상부 구획 부재(42)로부터 제2 구획 부재(30)를 제거할 수 있는 상태가 된다. 계속해서, 도 8에 도시한 바와 같이, 방향(DIR)으로 제2 구획 부재(30)를 이동시킴으로써 상부 구획 부재(42)로부터 제2 구획 부재(30)를 제거한다.
이상과 같이, 이 실시 형태에 따르면, 제2 구획 부재(벨자)(30)의 상방의 구조물, 전형적으로는, 구조체(ST)의 일부일 수 있는 정합기(10)를 제1 구획 부재(40) 혹은 상부 구획 부재(42)로부터 제거하지 않고, 제2 구획 부재(벨자)(30)를 제1 구획 부재(40) 혹은 상부 구획 부재(42)로부터 제거해서 교환할 수 있다. 따라서, 전술한 종래 기술에서와 같은 작업, 즉 정합기(10)를 제거해서 제2 구획 부재(벨자)(30)의 제거, 클리닝 완료 혹은 다른 청정한 제2 구획 부재(30)의 설치를 행한 후에 정합기(10)를 처리 장치(1)에 설치하는 작업에 비하여 유지 보수가 용이하고, 그 후의 퇴적 또는 에칭 등의 처리 조건 제시가 용이하다.
제2 구획 부재(30)를 제거하고 청정한 제2 구획 부재(30)를 설치하는 작업을 용이하게 하기 위해서, 처리 장치(1)는, 제1 구획 부재(40) 중 적어도 천장부(42T)[이 실시 형태에서는, 천장부(42T)를 포함하는 상부 구획 부재(42)와 제2 구획 부재(30)를 포함하는 구조체(ST)]를 베이스부(120)로부터 이격시켜서 처리 공간(PS)을 외부 공간(OS)으로 개방할 수 있도록 구성될 수 있다.
도 9 내지 도 11에는, 구조체(ST)를 베이스부(120)로부터 이격시키기 위한 기구의 일례로서, 구조체(ST)를 하부 구획 부재(44)로부터 이격시키기 위한 기구가 나타나 있다. 도 9 내지 도 11에 도시하는 예에서는, 구조체(ST)와 하부 구획 부재(44)가 힌지부(170)에 의해 연결되어 있고, 하부 구획 부재(44)에 대하여 구조체(ST)를 회동시킬 수 있다. 도 9 및 도 10에 도시한 바와 같이 해서 구조체(ST)를 180도에 걸쳐 회동시켜, 도 11에 도시한 바와 같이, 상부 실드(52) 및 가스 공급 링(70)을 순서대로 방향(DIR)으로 이동시켜서 제거하고, 그 후, 제2 구획 부재(벨자)(30)를 방향(DIR)으로 이동시켜서 제거할 수 있다. 도 9 내지 도 11에 도시한 바와 같이 구조체(ST)를 180도에 걸쳐 회동시키는 구성은, 제거 시에 있어서의 상부 실드(52), 가스 공급 링(70)이나 제2 구획 부재(벨자)(30)의 낙하를 방지하는 관점에서 바람직하다. 또한, 각도는 180도에 한정되지 않고, 낙하를 방지할 수 있는 각도이면 된다. 도 9 내지 도 11에 도시하는 구성 대신, 예를 들어 구조체(ST)를 상방으로 이동시키는 구성을 채용해도 좋다.
도 12에는, 제1 구획 부재(40) 혹은 상부 구획 부재(42)와 제2 구획 부재(30)의 접속 부분에 있어서의 시일부의 변형예가 나타나고 있다. 도 12에 나타내는 예에서는, 상부 구획 부재(42)[제1 구획 부재(40)]는, 상부 구획 부재(42)의 개구부(46)의 주위에 배치된 설치면(41)과, 설치면(41)의 주위에 배치된 고정면(43)을 갖는다. 처리 장치(1)는, 설치면(41)에 대하여 제2 구획 부재(30)를 가압하기 위한 설치 링(60)을 구비하고 있다. 설치 링(60)은, 상부 구획 부재(42)의 고정면(43)에 고정되고, 설치 링(60)과 제2 구획 부재(30) 사이에 제1 시일 부재(예를 들어 O링)(64)가 배치되며, 설치 링(60)과 상부 구획 부재(42)의 고정면(43) 사이에 제2 시일 부재(예를 들어 O링)(66)가 배치되어 있다. 또한, 설치면(41)과 제2 구획 부재(30) 사이에는, 제2 구획 부재(30)의 파손을 방지하는 관점에서 탄력을 갖는 재료로 이루어진 탄성 링이 배치되어도 좋다.
이하, 상기 처리 장치(1)를 사용해서 반도체 디바이스 등의 디바이스를 제조하는 디바이스 제조 방법을 설명한다. 이 디바이스 제조 방법은, 처리 장치(1)의 처리 공간(PS)에 기판(S)을 로드하고, 기판 지지부(112)에 의해 기판(S)을 지지하는 공정과, 처리 공간(PS)에 가스 공급부(GS)에 의해 가스를 공급함과 함께, 안테나(20)에 의해 가스에 전자파를 공급해서 여기하고, 이에 의해 생성되는 플라즈마에 의해 기판(S)을 처리하는 공정을 포함한다.
본 발명은 상기 실시 형태에 제한되는 것이 아니고, 본 발명의 정신 및 범위로부터 이탈하지 않고, 여러 변형 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위를 분명히 하기 위해서, 이하의 청구항을 첨부한다.
본원은, 2011년 4월 4일에 제출한 일본 특허 출원 제2011-083113호를 기초로 해서 우선권을 주장하는 것이며, 그 기재 내용의 전부를, 여기에 원용한다.

Claims (10)

  1. 기판을 처리하는 처리 장치이며,
    기판을 처리하는 처리 공간에 있어서 상기 기판을 지지하는 기판 지지부와,
    개구부를 갖는 천장부를 포함하고 있어서 상기 처리 공간을 외부 공간으로부터 구획하는 제1 구획 부재와,
    상기 개구부를 폐색하여 상기 제1 구획 부재와 함께 상기 처리 공간을 상기 외부 공간으로부터 구획하도록 상기 제1 구획 부재에 설치되는 제2 구획 부재를 구비하고,
    상기 제2 구획 부재는, 상기 천장부의 하면이 향하고 있는 공간을 향해서 상기 제2 구획 부재를 이동시킴으로써 상기 제2 구획 부재를 상기 제1 구획 부재로부터 제거할 수 있도록, 상기 제1 구획 부재에 설치되는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 구획 부재는, 상기 개구부의 주위에 설치면을 갖고, 상기 제2 구획 부재는, 상기 설치면에 대하여 시일 부재를 통해서 가압되도록 하여 상기 제1 구획 부재에 설치되는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 처리 장치는, 상기 설치면에 대하여 상기 시일 부재를 통하여 상기 제2 구획 부재를 가압하기 위한 설치 링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 설치 링과 상기 제2 구획 부재 사이에 탄성 링이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 구획 부재는, 상기 개구부의 주위에 배치된 설치면과, 상기 설치면의 주위에 배치된 고정면을 갖고,
    상기 처리 장치는, 상기 제2 구획 부재를 가압하기 위한 설치 링을 더 포함하고,
    상기 설치 링은, 상기 고정면에 고정되어, 상기 설치 링과 상기 제2 구획 부재 사이에 제1 시일 부재가 배치되고, 상기 설치 링과 상기 고정면 사이에 제2 시일 부재가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 처리 공간에 가스를 공급하기 위한 환상 가스 유로와,
    상기 처리 공간에 면하도록 상기 제1 구획 부재의 내측에 배치되어, 상기 제1 구획 부재를 보호하는 실드를 더 구비하고,
    상기 환상 가스 유로의 상기 처리 공간에의 출구는 환상 슬릿이고, 상기 환상 가스 유로에 대하여 공급되는 가스가 상기 환상 슬릿을 통하여 상기 처리 공간에 공급되는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 환상 가스 유로의 적어도 일부는 상기 제2 구획 부재 및 상기 실드에 의해 규정되어 있는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 환상 슬릿은 상기 제2 구획 부재 및 상기 실드에 의해 규정되어 있는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 처리 장치는 상기 제1 구획 부재에 체결되어 있어서 상기 환상 가스 유로에 가스를 공급하는 가스 공급 링을 더 구비하고,
    상기 가스 공급 링은, 상기 제1 구획 부재와 상기 가스 공급 링에 의해 상기 설치 링이 끼워지도록 배치되고,
    상기 환상 가스 유로는 상기 설치 링, 상기 가스 공급 링, 상기 제2 구획 부재 및 상기 실드에 의해 규정되어 있는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지부를 지지하는 베이스부를 더 구비하고,
    상기 처리 장치는, 상기 제1 구획 부재 중 적어도 상기 천장부와 상기 제2 구획 부재를 포함하는 구조체를 상기 베이스부로부터 이격시켜서 상기 처리 공간을 상기 외부 공간에 개방할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 처리 장치.
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