[go: up one dir, main page]

KR101429725B1 - 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101429725B1
KR101429725B1 KR1020120121726A KR20120121726A KR101429725B1 KR 101429725 B1 KR101429725 B1 KR 101429725B1 KR 1020120121726 A KR1020120121726 A KR 1020120121726A KR 20120121726 A KR20120121726 A KR 20120121726A KR 101429725 B1 KR101429725 B1 KR 101429725B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
electrode
hole transport
transport layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020120121726A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140055229A (ko
Inventor
김미나
김광현
박진호
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120121726A priority Critical patent/KR101429725B1/ko
Priority to EP12008085.8A priority patent/EP2728638B1/en
Priority to US13/720,669 priority patent/US9065052B2/en
Priority to CN201210596629.8A priority patent/CN103794622B/zh
Publication of KR20140055229A publication Critical patent/KR20140055229A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101429725B1 publication Critical patent/KR101429725B1/ko
Priority to US14/728,360 priority patent/US9786720B2/en
Priority to US14/728,221 priority patent/US9640591B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는, 적색, 녹색 및 청색 화소 영역이 정의된 기판, 상기 기판 상에 형성된 제 1 전극 및 제 1 정공 수송층, 상기 제 1 정공 수송층 상에 상기 각 화소 영역마다 형성된 제 1 발광공통층, 제 2 발광공통층 및 제 3 발광공통층과, 상기 제 3 발광공통층 상에 형성된 전자 수송층 및 제 2 전극을 포함한다. 이에 따라, 각 화소 영역에 별도의 발광층을 형성시킬 필요가 없으므로 파인 메탈 마스크(FMM) 없이 발광층을 형성할 수 있어 혼색 방지 및 마스크 불량에 따른 문제점을 개선할 수 있으며, 공정 단순화 및 제조비용 절감이 가능하다.

Description

유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법{Organic Light Emitting Display Device and fabricating method of the same}
본 발명은 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
새로운 평판표시장치 중 하나인 유기전계발광표시장치는 자체발광형으로서, 액정표시장치(LCD)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비전력 측면에서도 유리하다. 또한, 직류저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점이 있다.
유기전계발광표시장치는 전자주입 전극(cathode)과 정공주입 전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광한다. 이때, 유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 상부발광(Top Emission), 하부발광(Bottom Emission) 및 양면발광(Dual Emission) 방식 등이 있으며, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 구분할 수 있다.
구체적으로, 유기전계발광표시장치는 적색, 녹색 및 청색 화소 영역 각각에 형성되는 제 1 전극(anode)과, 정공 수송층(hole transporting layer)과, 적색 유기발광패턴, 녹색 유기발광패턴 및 청색 유기발광패턴을 포함하는 발광층(emitting material layer)과, 전자 수송층(electron transporting layer) 및 제 2 전극(cathode)을 포함하여 구성된다.
이러한 구성의 유기전계발광표시장치는 제 1 전극과 제 2 전극에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 상기 발광층으로 이동되며, 상기 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.
한편, 유기전계발광표시장치는 기판 상에 위치하는 두개의 전극 사이에 발광층(EML)을 패터닝 하기 위하여 파인 메탈 마스크(FMM) 방법을 이용한다.
그러나, 파인메탈 마스크(FMM) 방법은 마스크 제작 기술의 한계로 인해 대형화 및 고해상도 적용이 어렵다. 즉, 대면적에 적용하게 되면 마스크 무게에 의한 마스크 처짐 등의 문제가 발생되어 원하는 패턴을 형성하는데 어려움이 있으며, 마스크와 증착 부위까지의 이격거리로 인해 유기물질의 퍼짐 현상이 가중되어 고해상도 구현에 어려움이 있었다.
이에 따라, 고해상도의 유기전계발광표시장치를 제조할 수 있는 다양한 방안이 요구되고 있는 실정이다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 광 출력 효율이 우수하고, 색 특성을 유지할 수 있으면서 공정 단순화 및 제조비용 절감이 가능한 고해상도의 유기전계발광표시장치를 제공하는 것을 그 기술적 과제로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 유기전계발광표시장치는, 적색, 녹색 및 청색 화소 영역이 정의된 기판, 상기 기판 상에 형성된 제 1 전극 및 제 1 정공 수송층, 상기 제 1 정공 수송층 상에 상기 각 화소 영역마다 형성된 제 1 발광공통층, 제 2 발광공통층 및 제 3 발광공통층과, 상기 제 3 발광공통층 상에 형성된 전자 수송층 및 제 2 전극을 포함한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법은 적색, 녹색 및 청색 화소 영역이 정의된 기판의 전면에 제 1 전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 전극 상에 제 1 정공 수송층을 형성하는 단계, 상기 적색 화소 영역에 대응되는 위치의 상기 제 1 정공 수송층 상에 제 2 정공 수송층을 형성하는 단계, 상기 제 2 정공 수송층 및 상기 녹색 및 청색 화소 영역에 대응되는 위치의 상기 제 1 정공 수송층 상에 제 1 발광공통층을 형성하는 단계, 상기 녹색 화소 영역에 대응되는 위치의 상기 제 1 발광공통층 상에 제 3 정공 수송층을 형성하는 단계, 상기 제 3 정공 수송층 및 상기 적색 및 청색 화소 영역에 대응되는 위치의 상기 제 1 발광공통층 상에 제 2 발광공통층을 형성하는 단계, 상기 청색 화소 영역에 대응되는 위치의 상기 제 2 발광공통층 상에 제 4 정공 수송층을 형성하는 단계, 상기 제 4 정공 수송층 및 상기 적색 및 녹색 화소 영역에 대응되는 위치의 상기 제 2 발광공통층 상에 제 3 발광공통층을 형성하는 단계, 상기 제 3 발광공통층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계 및 상기 전자 수송층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 적색, 녹색, 및 청색 화소 영역 모두에 적색, 녹색, 및 청색 발광층을 공통층으로 형성하여도 광 출력 효율이 우수하고, 색 특성을 유지할 수 있다. 또한, 각 화소 영역에 별도의 발광층을 형성시킬 필요가 없으므로 파인 메탈 마스크(FMM) 없이 발광층을 형성할 수 있어 혼색 방지 및 마스크 불량에 따른 문제점을 개선할 수 있으며, 공정 단순화 및 제조비용 절감이 가능하다.
이에 따라, 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는 고해상도를 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도;
도 2는 비교예 및 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 발광스펙트럼을 비교한 도면; 및
도 3 내지 도 5는 비교예 및 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 휘도(cd/m2)에 따른 효율특성(cd/A)을 비교한 도면.
하기 첨부되는 도면들을 참고하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하고자 한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지된 내용 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 유기전계발광표시장치는 적색, 녹색 및 청색 화소 영역(Rp, Gp, Bp)가 정의되어 있는 기판(미도시) 상에 적층되는 제 1 전극(110, anode)와, 정공 주입층(120, Hole Injection Layer), 제 1 정공 수송층(130, Hole Transporting Layer), 제 2 정공 수송층(132), 제 3 정공 수송층(134), 제 4 정공 수송층(136), 제 1 발광공통층(142), 제 2 발광공통층(144), 제 3 발광공통층(146)으로 이루어진 발광층(140), 전자 수송층(150, Electron Transporting Layer), 제 2 전극(160, Cathode), 및 캡핑층(170, Capping)을 포함하여 구성된다.
도면에 도시하지 않았으나, 유기전계발광표시장치는 기판(미도시) 상에는 서로 교차함으로써 각 화소 영역(Rp, Gp, Bp)을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선, 이들 중 어느 하나와 평행하게 연장되는 전원배선이 위치하며, 각 화소 영역(Rp, Gp, Bp)마다 게이트 배선 및 데이터 배선에 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터에 연결된 구동 박막트랜지스터가 위치한다. 여기서, 상기 구동 박막트랜지스터는 제 1 전극(110)과 연결된다.
일 실시예에 있어서, 유기전계발광표시장치는 제 1 전극(110)과, 이와 마주하는 제 2 전극(160) 사이에 유기층을 포함하고, 유기층은 정공 주입층(120), 제 1 정공 수송층(130), 제 2 정공 수송층(132), 제 3 정공 수송층(134), 제 4 정공 수송층(136), 제 1 발광공통층(142), 제 2 발광공통층(144), 제 3 발광공통층(146)으로 이루어진 발광층(140), 전자 수송층(150)을 포함한다. 여기서 제 1 발광공통층(142)는 적색 유기물질, 제 2 발광공통층(144)는 녹색 유기물질, 제 3 발광공통층(146)은 청색 유기물질로 형성될 수 있다.
우선, 제 1 전극(110)은 기판(미도시) 상에서 상기 적색, 녹색 및 청색 화소 영역(Rp, Gp, Bp)에 하나의 판 형상으로 형성된다. 상기 제 1 전극(110)은 반사전극이며, 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO)와 같이 일함수가 높은 투명 도전성 물질층과 은(Ag) 또는 은 합금(Ag alloy)과 같은 반사물질층을 포함하는 다중층 구조일 수 있다.
정공 주입층(120) 및 제 1 정공 수송층(130)은 상기 적색, 녹색 및 청색 화소 영역(Rp, Gp, Bp) 모두에 대응되는 위치의 상기 제 1 전극(110) 상에 형성된다. 상기 제 1 정공 수송층(130)은 공통층이라 할 수 있으며, 상기 정공 주입층(120)은 생략 가능하다. 상기 정공 주입층(120)과 상기 제 1 정공 수송층(130)의 두께는 약 100 ~ 600 Å일 수 있으나, 정공주입 특성과 정공 수송 특성을 고려하여 조절될 수 있다.
제 2 정공 수송층(132)는 상기 적색 화소 영역(Rp)에 대응되는 위치의 상기 제 1 정공 수송층(130) 상에 형성된다. 즉, 상기 제 2 정공 수송층(132)는 상기 제 1 정공 수송층(130)과 상기 제 1 발광공통층(142) 사이에 형성된다. 상기 제 2 정공 수송층(132)의 두께는 약 100 ~ 1100 Å일 수 있으나, 정공 수송 특성을 고려하여 조절될 수 있으며, 생략 또한 가능하다.
제 3 정공 수송층(134)는 상기 녹색 화소 영역(Bp)에 대응되는 위치의 상기 제 1 발광공통층(142) 상에 형성된다. 즉, 상기 제 3 정공 수송층(134)은 상기 제 1 발광공통층(142)과 상기 제 2 발광공통층(144) 사이에 형성된다. 상기 제 3 정공 수송층(134)의 두께는 약 100 ~ 750 Å일 수 있으나, 정공 수송 특성을 고려하여 조절될 수 있으며, 생략 또한 가능하다.
제 4 정공 수송층(136)은 상기 청색 화소 영역(Gp)에 대응되는 위치의 상기 제 2 발광공통층(144) 상에 형성된다. 즉, 상기 제 4 정공 수송층(136)는 상기 제 2 발광공통층(144)과 상기 제 3 발광공통층(146) 사이에 형성된다. 상기 제 4 정공 수송층(136)의 두께는 약 100 ~ 400 Å일 수 있으나, 정공 수송 특성을 고려하여 조절될 수 있으며, 생략 또한 가능하다.
일 실시예에 있어서, 제 3 정공 수송층(134)의 두께는, 상기 제 2 정공 수송층(132)의 두께보다 작고, 상기 제 4 정공 수송층(136)의 두께보다 클 수 있으나, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니한다.
발광층(140)은 상기 적색, 녹색 및 청색 화소 영역(Rp, Gp, Bp) 모두에 대응되는 위치에 형성된다. 즉, 각 화소 영역 모두에 발광층을 공통층으로 형성함으로써 파인 메탈 마스크(FMM) 없이도 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제 1 발광공통층(142)은 상기 제 2 정공 수송층(132)과, 상기 녹색 및 청색 화소 영역(Gp, Bp)에 대응되는 위치의 상기 제 1 정공 수송층(130) 상에 형성된다. 제 2 발광공통층(144)은 상기 제 3 정공 수송층(134) 및 상기 적색 및 청색 화소 영역(Rp, Bp)에 대응되는 위치의 상기 제 1 발광공통층(142) 상에 형성된다. 제 3 발광공통층(146)은 상기 제 4 정공 수송층(136) 및 상기 적색 및 녹색 화소 영역(Rp, Gp)에 대응되는 위치의 상기 제 2 발광공통층(144) 상에 형성될 수 있다.
상기 제 1 발광공통층(142), 제 2 발광공통층(144), 및 제 3 발광공통층(146)은 동일 두께로 형성될 수 있는데, 두께가 약 100 ~ 400 Å일 수 있으나, 발광 특성을 고려하여 조절될 수 있다.
전자 수송층(150)은 상기 적색, 녹색 및 청색 화소 영역(Rp, Gp, Bp) 모두에 대응되는 위치의 상기 제 3 발광공통층(146) 상에 형성되므로, 공통층이라 할 수 있다. 상기 전자 수송층(150)의 두께는 약 250 ~ 350 Å일 수 있으나, 전자 수송 특성을 고려하여 조절될 수 있다. 상기 전자 수송층(150)이 전자 수송 및 주입층의 역할을 할 수 있으나, 전자 주입층이 별도로도 상기 전자 수송층(150) 상에 형성될 수도 있다.
제 2 전극(160)은 상기 전자 수송층(150) 상에 형성된다. 예를 들면, 상기 제 2 전극(160)은 마그네슘과 은의 합금(Mg : Ag)으로 이루어져 반투과의 특성을 가지게 된다. 즉, 발광층으로부터 방출된 빛은 상기 제 2 전극(160)을 통해 외부로 표시되는 데, 상기 제 2 전극(160)은 반투과 특성을 가지므로, 일부의 빛은 다시 제 1 전극(110)을 향하게 된다.
이에 따라, 반사전극으로 작용하는 제 1 전극(110)과, 상기 제 2 전극(160) 사이에는 반복적인 반사가 일어나게 되며, 이를 마이크로캐비티(Microcavity) 효과라고 한다. 즉, 제 1 전극인 양극과, 제 2 전극인 음극 사이의 캐비티 내에서 빛이 반복적으로 반사되어 광 효율이 증가하게 된다.
이때, 상기 제 1 발광공통층(142), 제 2 발광공통층(144), 및 제 3 발광공통층(146)으로부터 방출되는 빛의 파장이 다르기 때문에, 상기 제 1 전극(110)과 상기 제 2 전극(160) 사이의 거리로 정의되는 캐비티의 두께(d)를 달리하게 된다. 즉, 녹색 화소 영역(Gp)은 파장이 가장 긴 적색의 빛을 방출하는 적색 화소 영역(Rp)보다 두께(d)가 작고, 파장이 가장 짧은 청색의 빛을 방출하는 청색 화소 영역(Bp)보다 두께(d)가 크게 구성된다.
따라서, 본 발명에서는 제 2 정공 수송층(132), 제 3 정공 수송층(134), 및 제 4 정공 수송층(136)의 두께를 조절함으로써 제 1 전극(110)과 상기 제 2 전극(160) 사이의 거리를 다르게 형성한다. 즉, 제 3 정공 수송층(134)의 두께를 상기 제 2 정공 수송층(132)의 두께보다 작고, 상기 제 4 정공 수송층(136)의 두께보다 크게 형성한다.
캡핑층(170)은 광 추출 효과를 증가시키기 위한 역할을 하며, 상기 캡핑층(170)은 상기 제 1 내지 제 4 정공 수송층(130, 132, 134, 136)을 이루는 물질, 상기 전자 수송층(150)을 이루는 물질, 상기 적색, 녹색 및 청색 발광층(142, 144, 146)의 호스트 물질 중 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 상기 캡핑층(170)은 생략 가능하다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 광 출력 효율 및 색 특성을 유지하면서 고 품질의 영상을 구현할 수 있다.
한편, 각 화소 영역(Rp, Gp, Bp)에 물질 패턴을 형성하기 위해서는 각 화소 영역에 대응하여 개구를 갖는 파인메탈 마스크(FMM)를 이용하게 되는데, 두께를 달리하는 제 2 정공 수송층(132), 제 3 정공 수송층(133), 및 제 4 정공 수송층(134) 형성을 위해 별도의 챔버에서 파인메탈 마스크를 이용한 공정이 필요하다.
우선, 제 1 전극(110)을 형성한 후, 제 1 챔버 내에서 파인메탈 마스크(FMM) 없이 정공 주입층(120)과 제 1 정공 수송층(130)을 형성한다. 상기 정공 주입층(120)은 상기 제 1 정공 수송층(130) 물질에 P-타입 도펀트, 예를 들면 붕소가 도핑될 수 있다.
다음으로, 제 2 챔버에서 제 1 파인메탈 마스크(FMM)를 이용해 상기 적색화소 영역(Rp)에 상기 제 2 정공 수송층(132)을 형성한다. 상기 제 2 정공 수송층(132)은 상기 제 1 정공 수송층(130) 물질에 P-타입 도펀트, 예를 들면 붕소가 도핑될 수 있다.
이어서, 제 3 챔버에서 파인메탈 마스크(FMM) 없이 적색 유기물질로 제 1 발광공통층을 형성한다.
다음으로, 제 4 챔버에서 제 2 파인메탈 마스크(FMM)을 이용해 상기 녹색화소 영역(Gp)에 상기 제 3 정공 수송층(134)을 형성한다. 상기 제 3 정공 수송층(134)은 상기 제 1 정공 수송층(130) 물질에 P-타입 도펀트, 예를 들면 붕소가 도핑될 수 있다.
이어서, 제 5 챔버에서 파인메탈 마스크(FMM) 없이 녹색 유기물질로 제 2 발광공통층을 형성한다.
다음으로, 제 6 챔버에서 제 3 파인메탈 마스크(FMM)을 이용해 상기 청색 화소 영역(Bp)에 상기 제 4 정공 수송층(136)을 형성한다. 상기 제 4 정공 수송층(136)은 상기 제 1 정공 수송층(130) 물질에 P-타입 도펀트, 예를 들면 붕소가 도핑될 수 있다.
이어서, 제 7 챔버에서 파인메탈 마스크(FMM) 없이 청색 유기물질로 제 3 발광공통층을 형성한다.
마지막으로, 제 8 내지 제 10 챔버에서 파인메탈 마스크(FMM) 없이상기 전자 수송층(150), 제 2 전극(160), 및 캡핑층(170)을 순차적으로 형성한다.
즉, 마이크로캐비티(Microcavity) 구조를 구현하기 위하여, 총 10개의 챔버 내에 단 3개의 파인메탈 마스크만을 이용하여 공정을 진행할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 마스크 불량에 따른 문제점을 개선할 수 있으며, 공정 단순화 및 제조비용 절감이 가능하다.
도 2 및 표 1은 비교예 및 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 발광스펙트럼을 비교한 도면이다.
구분 결과
세기 CIE_x CIE_y
적색(R) 비교예 1 0.658 0.340
실시예 0.98 0.659 0.339
녹색(G) 비교예 1 0.257 0.710
실시예 1.02 0.259 0.709
청색(B) 비교예 1 0.138 0.056
실시예 0.99 0.139 0.056
도 2 및 표 1에 도시한 바와 같이, 각 화소 영역(Rp, Gp, Bp)에서의 발광스펙트럼은 비교예와 실시예의 색 특성 차가 거의 없음을 확인할 수 있다.
여기서, 비교예(점선 표시)는 각 화소 영역에 적색 발광층, 녹색 발광층, 청색 발광층이 단일층으로 적층된 경우이며, 실시예(실선 표시)는 본 발명의 일 실시예에 따른 구조이다. 즉, 각 화소 영역 모두에 적색, 녹색 및 청색 발광층이 모두 포함된 구조로서, 적색 화소 영역(Rp)에 적색, 녹색 및 청색 발광층이 3중으로 순차적층된 경우이고, 녹색 화소 영역(Gp)에 녹색 및 청색 발광층이 이중으로 순차적층된 경우이며, 청색 화소 영역(Bp)에 적색 및 녹색 발광층이 이중으로 순차적층된 경우이다.
이때, 녹색 발광층의 에너지 밴드 갭은 적색 발광층의 에너지 밴드 갭보다 크고, 청색 발광층의 에너지 밴드 갭보다 작다. 즉, 넓은 에너지 밴드 갭을 갖는 층에서 먼저 전자와 정공이 만나 발광을 한 후 이보다 좁은 에너지 밴드 갭을 갖는 층에서 다시 전자와 정공이 만난다면 발광이 가능하나, 좁은 에너지 밴드 갭을 갖는 층에서 먼저 전자와 정공이 만나 발광한 후에는 이보다 넓은 에너지 밴드 갭을 갖는 층에서는 발광이 일어나지 않는다.
이에 따라, 도 1의 적색 화소 영역(Rp)에서와 같이, 상기 제 1 전극(110)과 상기 제 2 전극(160) 사이에 적색, 녹색 및 청색 발광층이 순차 적층된 구조에서는 적색 발광층에서 전자와 정공이 만나 발광한 후 녹색 및 청색 발광층에서는 발광이 일어나지 않는다.
또한, 도 1의 녹색 화소 영역(Gp)에서와 같이, 상기 제 1 전극(110)과 상기 제 2 전극(160) 사이에 녹색 및 청색 발광층이 순차 적층된 구조에서는 녹색 발광층에서 전자와 정공이 만나 발광한 후 에너지 밴드 갭이 큰 청색 발광층에서는 발광이 일어나지 않는다.
한편, 도 3 내지 도 5는 비교예 및 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 휘도(cd/m2)에 따른 효율특성(cd/A)을 비교한 도면이다. 여기서, 도 3은 적색, 도 4는 녹색, 도 5는 청색 화소 영역에서의 휘도(cd/m2)에 따른 효율특성(cd/A)을 비교한 것이다.
도 3 내지 도 5에 도시한 바와 같이, 각 화소 영역(Rp, Gp, Bp)에서의 비교예와 실시예의 효율 특성차가 거의 없음을 확인할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 발광층을 적색, 녹색 또는 청색의 발광공통층 형태로 적층하여도 그 색 특성을 유지할 수 있으며, 고 품질의 영상을 구현할 수 있다.
한편, 본 명세서에서는 상부발광방식(top emission)의 유기전계발광표시장치(OLED)를 예시하고 있으나, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니하며, 하부발광(Bottom-Emission), 양면발광(Dual-Emission), 탠덤형(Tandem) 등 다양한 방식의 유기전계발광표시장치에 적용가능하다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110: 제 1 전극 120: 정공 주입층
130: 제 1 정공 수송층 132: 제 2 정공 수송층
134: 제 3 정공 수송층 136: 제 4 정공 수송층
140: 발광층 142: 제 1 발광공통층
144: 제 2 발광공통층 146: 제 3 발광공통층
150: 전자 수송층 160: 제 2 전극
170: 캡핑층(CPL)

Claims (13)

  1. 적색, 녹색 및 청색 화소 영역이 정의된 기판;
    상기 기판 상에 형성된 제 1 전극 및 제 1 정공 수송층;
    상기 제 1 정공 수송층 상에 상기 각 화소 영역마다 형성된 제 1 발광공통층, 제 2 발광공통층, 및 제 3 발광공통층;
    상기 적색 화소 영역의 상기 제 1 정공 수송층과 상기 제 1 발광공통층 사이에 형성된 제 2 정공 수송층;
    상기 녹색 화소 영역의 상기 제 1 발광공통층과 상기 제 2 발광공통층 사이에 형성된 제 3 정공 수송층;
    상기 청색 화소 영역의 상기 제 2 발광공통층과 상기 제 3 발광공통층 사이에 형성된 제 4 정공 수송층; 및
    상기 제 3 발광공통층 상에 형성된 전자 수송층 및 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극과 상기 제 1 정공 수송층 사이에 형성된 정공 주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 정공 수송층의 두께는,
    상기 제 2 정공 수송층의 두께보다 작고,
    상기 제 4 정공 수송층의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치.
  5. 제 1 항, 제 3 항, 및 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 정공 수송층, 상기 제 3 정공 수송층, 및 제 4 정공 수송층은,
    상기 제 1 정공 수송층을 이루는 물질에 P-타입 도펀트가 도핑되어 형성되는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치.
  6. 제 1 항, 제 3 항, 및 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은,
    은 합금(Ag alloy)을 포함하는 반사 전극인 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치.
  7. 제 1 항, 제 3 항, 및 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 반사전극이고,
    상기 제 2 전극은 반투과 특성을 가지는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치.
  8. 적색, 녹색 및 청색 화소 영역이 정의된 기판의 전면에 제 1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 전극 상에 제 1 정공 수송층을 형성하는 단계;
    상기 적색 화소 영역에 대응되는 위치의 상기 제 1 정공 수송층 상에 제 2 정공 수송층을 형성하는 단계;
    상기 제 2 정공 수송층 및 상기 녹색 및 청색 화소 영역에 대응되는 위치의 상기 제 1 정공 수송층 상에 제 1 발광공통층을 형성하는 단계;
    상기 녹색 화소 영역에 대응되는 위치의 상기 제 1 발광공통층 상에 제 3 정공 수송층을 형성하는 단계;
    상기 제 3 정공 수송층 및 상기 적색 및 청색 화소 영역에 대응되는 위치의 상기 제 1 발광공통층 상에 제 2 발광공통층을 형성하는 단계;
    상기 청색 화소 영역에 대응되는 위치의 상기 제 2 발광공통층 상에 제 4 정공 수송층을 형성하는 단계;
    상기 제 4 정공 수송층 및 상기 적색 및 녹색 화소 영역에 대응되는 위치의 상기 제 2 발광공통층 상에 제 3 발광공통층을 형성하는 단계;
    상기 제 3 발광공통층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 및
    상기 전자 수송층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  9. 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 정공 수송층을 형성하는 단계 이전에,
    상기 제 1 전극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  10. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 8 항에 있어서,
    상기 제 3 정공 수송층의 두께는,
    상기 제 2 정공 수송층의 두께보다 작고,
    상기 제 4 정공 수송층의 두께보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  11. 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은,
    은 합금(Ag alloy)을 포함하는 반사 전극으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  12. 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 정공 수송층, 상기 제 3 정공 수송층, 및 제 4 정공 수송층은,
    상기 제 1 정공 수송층을 이루는 물질에 P-타입 도펀트가 도핑되어 형성되는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  13. 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 반사전극이고,
    상기 제 2 전극은 반투과 특성을 가지는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치의 제조방법.
KR1020120121726A 2012-10-31 2012-10-31 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법 Active KR101429725B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120121726A KR101429725B1 (ko) 2012-10-31 2012-10-31 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
EP12008085.8A EP2728638B1 (en) 2012-10-31 2012-12-03 Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US13/720,669 US9065052B2 (en) 2012-10-31 2012-12-19 Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
CN201210596629.8A CN103794622B (zh) 2012-10-31 2012-12-26 有机发光显示装置及其制造方法
US14/728,360 US9786720B2 (en) 2012-10-31 2015-06-02 Organic light emitting display device
US14/728,221 US9640591B2 (en) 2012-10-31 2015-06-02 Method of manufacturing organic light emitting display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120121726A KR101429725B1 (ko) 2012-10-31 2012-10-31 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140055229A KR20140055229A (ko) 2014-05-09
KR101429725B1 true KR101429725B1 (ko) 2014-08-12

Family

ID=47357848

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120121726A Active KR101429725B1 (ko) 2012-10-31 2012-10-31 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (3) US9065052B2 (ko)
EP (1) EP2728638B1 (ko)
KR (1) KR101429725B1 (ko)
CN (1) CN103794622B (ko)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101950836B1 (ko) * 2012-05-22 2019-02-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR102085153B1 (ko) * 2013-11-29 2020-03-05 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
KR102098139B1 (ko) * 2013-12-31 2020-04-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
CN104091895B (zh) * 2014-06-30 2016-10-05 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管基板及其制作方法、显示装置
KR102299838B1 (ko) * 2014-10-31 2021-09-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR102268135B1 (ko) * 2014-11-07 2021-06-23 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20160069044A (ko) * 2014-12-05 2016-06-16 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자
CN104600199B (zh) * 2014-12-30 2017-08-04 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
KR102411542B1 (ko) * 2015-05-19 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 픽셀 패터닝 및 픽셀 위치 검사 방법과 그 패터닝에 사용되는 마스크
KR102320156B1 (ko) * 2015-07-30 2021-10-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102334750B1 (ko) * 2015-08-10 2021-12-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102492730B1 (ko) * 2015-10-02 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102520026B1 (ko) * 2015-12-30 2023-04-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP6311732B2 (ja) * 2016-02-10 2018-04-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
CN106129265B (zh) * 2016-09-09 2018-04-17 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件
WO2018063546A1 (en) 2016-09-27 2018-04-05 Intuive Surgical Operations, Inc. Micro-optic assemblies and optical interrogation systems
CN106653803B (zh) * 2016-11-21 2019-06-14 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置
CN107132653B (zh) 2017-07-12 2019-08-30 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、显示基板和显示面板
KR102597673B1 (ko) * 2018-05-16 2023-11-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108682681B (zh) * 2018-05-25 2021-03-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法以及显示器件
CN109742252B (zh) * 2019-01-08 2020-12-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
JP6721083B2 (ja) * 2019-05-08 2020-07-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US11980046B2 (en) * 2020-05-27 2024-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device
CN115117268A (zh) * 2021-03-19 2022-09-27 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制造方法、显示面板和显示装置
CN112928151B (zh) * 2021-04-19 2025-01-14 安徽熙泰智能科技有限公司 一种硅基真实rgb显示器件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070058765A (ko) * 2005-12-05 2007-06-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 전계 발광소자
KR20110028716A (ko) * 2009-09-14 2011-03-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20110087829A (ko) * 2010-01-27 2011-08-03 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR20110132980A (ko) * 2010-06-03 2011-12-09 캐논 가부시끼가이샤 표시장치

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10117663B4 (de) * 2001-04-09 2004-09-02 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien
KR100635056B1 (ko) * 2004-02-19 2006-10-16 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치의 제조방법
KR100611756B1 (ko) * 2004-06-18 2006-08-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
JP4939809B2 (ja) * 2005-01-21 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI283549B (en) * 2005-09-30 2007-07-01 Univision Technology Inc Organic electroluminescent display device with improved color saturation and method of fabricating the same
US8945722B2 (en) * 2006-10-27 2015-02-03 The University Of Southern California Materials and architectures for efficient harvesting of singlet and triplet excitons for white light emitting OLEDs
US8053770B2 (en) * 2008-10-14 2011-11-08 Universal Display Corporation Emissive layer patterning for OLED
US8569744B2 (en) * 2009-03-30 2013-10-29 Universal Display Corporation OLED display architecture
KR101058109B1 (ko) * 2009-09-15 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
US8466455B2 (en) * 2009-09-17 2013-06-18 Universal Display Corporation Device structure
JP5676949B2 (ja) * 2010-07-21 2015-02-25 キヤノン株式会社 有機ｅｌ表示装置
KR101983229B1 (ko) * 2010-07-23 2019-05-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP5766422B2 (ja) * 2010-10-05 2015-08-19 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
WO2012070085A1 (ja) * 2010-11-24 2012-05-31 パナソニック株式会社 有機ｅｌパネル、それを用いた表示装置および有機ｅｌパネルの製造方法
KR101229022B1 (ko) * 2010-12-27 2013-02-01 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자의 제조 방법
JP5703080B2 (ja) * 2011-03-23 2015-04-15 株式会社東芝 有機電界発光素子、表示装置および照明装置
KR101799077B1 (ko) * 2011-06-30 2017-11-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
TW201324758A (zh) * 2011-12-05 2013-06-16 Au Optronics Corp 電激發光顯示面板之畫素結構
KR101464270B1 (ko) * 2012-08-24 2014-11-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 그 제조 방법
KR101965910B1 (ko) * 2012-10-30 2019-04-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR102016068B1 (ko) * 2012-11-30 2019-08-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070058765A (ko) * 2005-12-05 2007-06-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 전계 발광소자
KR20110028716A (ko) * 2009-09-14 2011-03-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20110087829A (ko) * 2010-01-27 2011-08-03 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR20110132980A (ko) * 2010-06-03 2011-12-09 캐논 가부시끼가이샤 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
US9786720B2 (en) 2017-10-10
US20140117315A1 (en) 2014-05-01
EP2728638A1 (en) 2014-05-07
US20150263304A1 (en) 2015-09-17
KR20140055229A (ko) 2014-05-09
CN103794622B (zh) 2016-08-10
CN103794622A (zh) 2014-05-14
US20150263075A1 (en) 2015-09-17
EP2728638B1 (en) 2018-05-02
US9065052B2 (en) 2015-06-23
US9640591B2 (en) 2017-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101429725B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
KR101464270B1 (ko) 유기발광다이오드 및 그 제조 방법
US9570517B2 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
WO2020233284A1 (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
KR101116825B1 (ko) 유기전계발광표시장치
US9949336B2 (en) Organic light emitting diode device having electrode with Ag—Mg alloy
CN112635524B (zh) 自发光型显示面板
CN104637981B (zh) 有机电致发光显示面板
CN113314682B (zh) 一种显示面板及其制备方法、电子设备
KR20150057485A (ko) 유기발광 디스플레이 장치
KR101622913B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
KR102029960B1 (ko) 유기전계발광표시장치
CN103779387A (zh) Oled显示面板及显示装置
KR102283853B1 (ko) 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR101801291B1 (ko) 유기전계발광다이오드
KR20070058765A (ko) 전계 발광소자
KR102113609B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20150001485A (ko) 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
KR20130037444A (ko) 유기전계 발광소자
KR20100025257A (ko) 유기발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20121031

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20131209

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20140516

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20140806

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20140806

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170713

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170713

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200720

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210802

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230801

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240715

Start annual number: 11

End annual number: 11