KR101422534B1 - A Etching Mask for Manufacturing Soluble OLED and Etching Method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 가용성 OLED 제작을 위한 식각 마스크 및 그 식각방법에 관한 것으로, 본 발명의 마스크는 유효영역을 제외한 주변영역을 부분적으로 개방하는 마스크패턴이 형성되는 단위 마스크와, 상기 단위 마스크가 서로 이격된 간격을 갖도록 다수개 구비되는 마스크 기판과, 상기 마스크 기판의 일면에 구비되어 마스크와 기판 사이에 간격이 형성되도록 하는 갭 조절수단을 포함하여 구성되며, 이와 같은 본 발명에 의해 포토리소그래피 공정 대신 2분할 마스크패턴이 형성된 마스크를 이용하여 건식 식각을 함으로써, 공정 시간을 크게 단축하고, 진공 내에서 공정이 이루어짐으로써 소자 수명에 미치는 영향을 최소화할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to an etch mask for fabricating a soluble OLED, and a method of etching the same, wherein the mask of the present invention includes a unit mask in which a mask pattern for partially opening a peripheral region except an effective region is formed, And a gap adjusting means provided on one surface of the mask substrate to form a gap between the mask and the substrate. According to the present invention, the photolithography process is divided into two parts By performing dry etching using a mask having a mask pattern formed thereon, the process time is greatly shortened and the process is performed in a vacuum, thereby minimizing the influence on the device lifetime.
Description
본 발명은 가용성 OLED 제작을 위한 식각 마스크 및 그 식각방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포토리소그래피 공정 대신 2분할 마스크패턴이 형성된 마스크를 이용하여 건식 식각을 함으로써, 공정 시간을 크게 단축하고, 진공 내에서 공정이 이루어짐으로써 소자 수명에 미치는 영향을 최소화할 수 있는 가용성 OLED 제작을 위한 식각 마스크 및 그 식각방법에 관한 것이다.The present invention relates to an etching mask and an etching method thereof for manufacturing a soluble OLED, and more particularly, to a dry etching method using a mask having a two-divided mask pattern instead of a photolithography process, The present invention relates to an etching mask and an etching method thereof for manufacturing a soluble OLED capable of minimizing the influence on the lifetime of the device.
OLED(Organic Light Emitting Display)는 형광성 또는 인광성 유기 화합물 박막(이하, 유기막이라 함)에 전류를 흘려주면 전자와 정공이 유기막에서 결합하면서 빛이 발생되는 현상을 이용한 자체 발광형 표시소자이다.OLED (Organic Light Emitting Display) is a self-luminous display device that uses a phenomenon in which light is generated while electrons and holes are combined in an organic film when a current is supplied to a fluorescent or phosphorescent organic compound thin film .
일반적으로 OLED는 기판상에 애노드(anode), 정공 수송층(hole transporting layer), 발광층(light emitting layer), 전자 수송층(electron transporting layer) 및 캐소드(cathode)가 순차적으로 형성되어 있는 구조를 갖는다. 표시소자의 대면적화에 대한 요구가 증가하면서, OLED의 대면적화를 위한 연구도 활발히 진행되어 왔다. OLED의 대면적화를 위해 유기막의 두께 균일성 확보가 매우 중요한데, 종래의 기상 증착(evaporation deposition) 공정으로는 균일한 두께를 갖는 대면적의 유기막을 형성하는데 어려움이 있다. In general, an OLED has a structure in which an anode, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and a cathode are sequentially formed on a substrate. As the demand for large-area display devices has increased, research for large-area OLED has been actively conducted. It is very important to ensure the uniformity of the thickness of the organic layer in order to make the OLED large-sized. In the conventional evaporation deposition process, it is difficult to form a large-sized organic layer having a uniform thickness.
이에 따라, 최근에는 용액 공정(solution process)으로 유기막을 도포하는 방법이 제안되었다. 용액 공정은 용해성(solubility)이 좋은 고분자(polymer) 발광 물질을 용매에 녹여 스핀 코팅이나 잉크젯 프린팅 등으로 도포하는 공정이다.Accordingly, recently, a method of applying an organic film by a solution process has been proposed. The solution process is a process of dissolving a polymer luminescent material having good solubility in a solvent and applying it by spin coating or inkjet printing.
이와 같은 용액 공정을 이용한 OLED의 제조 시 봉지를 위해 포토리소그래피 공정이 필요하다. A photolithography process is required for sealing the OLED using such a solution process.
이와 관련된 종래의 기술로서, 한국공개특허 제2006-0092891호에는 주위 환경으로부터 미소 기전 시스템(Micro Elelcro-Mechanical Systems, MEMS) 기기를 밀봉함에 있어서, 포토리소그래피를 사용하여 미소 기전 시스템 기기의 경계 가까이 기판 상에 금속 밀봉재를 형성하는 방법이 개시되어 있다. As a conventional technique related thereto, Korean Patent Laid-Open No. 2006-0092891 discloses a method of sealing a micro electro mechanical system (MEMS) device from an ambient environment by using photolithography, A method of forming a metal sealing material on a substrate is disclosed.
이와 같이 포토리소그래피를 이용하여 밀봉을 하는 종래의 기술은, 소자 봉지를 위한 실 라인(seal line)을 만들기 위해서 증착된 물질의 제거를 포토리소그래피 공정으로 하였으므로, 공정시간이 많이 소요되는 문제점이 있었다. The conventional technique of sealing using photolithography as described above has been problematic in that it requires a long process time because the photolithography process is performed to remove the deposited material to form a seal line for sealing the device.
또한, 상기 포토리소그래피 공정은 진공에서 이루어지는 공정이 아니기 때문에 소자 수명에 영향을 미치는 문제점도 있는 것이다. In addition, since the photolithography process is not a vacuum process, there is a problem that the lifetime of the device is affected.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 포토리소그래피 공정 대신 마스크를 이용한 건식 식각(dry etching)을 이용하여 봉지를 위한 공정을 함으로써, 공정 시간을 크게 줄일 수 있는 가용성 ＯＬＥＤ 제작을 위한 식각 마스크를 제공하는데 그 목적이 있다. In order to solve the above problems, the present invention provides an etch mask for manufacturing a soluble OLED capable of significantly reducing a process time by performing a process for encapsulation using dry etching using a mask instead of a photolithography process The purpose is to provide.
또한, 진공 내에서 공정이 이루어짐으로써 소자 수명에 미치는 영향을 최소화할 수 있는 가용성 ＯＬＥＤ 제작을 위한 식각 마스크를 제공하는데 그 목적이 있다. Another object of the present invention is to provide an etch mask for manufacturing a soluble OLED capable of minimizing the influence on the device lifetime by performing a process in a vacuum.
또한, 포토리소그래피 공정 대신 마스크를 이용한 건식 식각(dry etching)을 이용함으로써, 공정 시간을 크게 줄이고 진공 내에서 공정이 이루어질 수 있는 가용성 ＯＬＥＤ 제작을 위한 식각방법을 제공하는데 그 목적이 있다. Another object of the present invention is to provide an etching method for manufacturing a soluble OLED capable of significantly reducing the process time and performing the process in a vacuum by using dry etching using a mask instead of a photolithography process.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 유효영역을 제외한 주변영역을 부분적으로 개방하는 마스크패턴이 형성되는 단위 마스크와, 상기 단위 마스크가 서로 이격된 간격을 갖도록 다수개 구비되는 마스크 기판과, 상기 마스크 기판의 일면에 구비되어 마스크와 기판 사이에 간격이 형성되도록 하는 갭 조절수단을 포함하는 가용성 ＯＬＥＤ 제작을 위한 식각 마스크가 제공된다.In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a unit mask having a mask pattern for partially opening a peripheral region excluding an effective region; a mask substrate having a plurality of unit masks spaced apart from each other; And a gap adjusting means provided on one surface of the mask substrate to form a gap between the mask and the substrate.
본 발명에서, 상기 마스크패턴은 상기 주변영역을 2개의 영역으로 분할하는 2분할 마스크패턴으로 될 수 있다. In the present invention, the mask pattern may be a two-divided mask pattern for dividing the peripheral region into two regions.
상기 마스크패턴은 중앙의 유효영역을 남기고 주변영역을 식각하기 위한 '凹'자 형상의 패턴 개구부로 이루어질 수 있다. The mask pattern may be a concave pattern opening for etching the peripheral region leaving a central effective region.
여기서, 상기 패턴 개구부는 그 일단부가 상기 단위 마스크의 중심선을 포함하도록 형성되며, 상기 중심선을 초과하여 형성되는 폭은 1㎛ 내지 500㎛의 범위로 이루어질 수 있다. Here, the pattern opening may have one end formed to include the center line of the unit mask, and the width formed beyond the center line may be in a range of 1 to 500 탆.
또한, 상기 마스크 기판은 상기 마스크패턴이 일 방향으로 배치되도록 다수개의 상기 단위 마스크를 구비할 수 있다. In addition, the mask substrate may include a plurality of the unit masks such that the mask pattern is arranged in one direction.
본 발명에서, 상기 마스크 기판은 부도체 재질로 이루어질 수 있다. In the present invention, the mask substrate may be made of a nonconductive material.
또한, 상기 갭 조절수단은 상기 마스크 기판의 가장자리에 설치될 수 있다. The gap adjusting means may be provided at an edge of the mask substrate.
이를 위해, 상기 마스크 기판의 가장자리에는 일정 깊이의 홈이 형성되고, 상기 갭 조절수단은 상기 홈에 삽입되도록 할 수 있다. To this end, a groove having a predetermined depth may be formed at the edge of the mask substrate, and the gap adjusting means may be inserted into the groove.
본 발명에서, 상기 갭 조절수단은 갭 조절용 시트와, 상기 갭 조절용 시트를 고정하기 위한 시트 고정물과, 상기 갭 조절용 시트와 시트 고정물을 상기 홈에 결합하기 위한 볼트로 이루어질 수 있다. In the present invention, the gap adjusting means may comprise a gap adjusting sheet, a sheet fixing member for fixing the gap adjusting sheet, and a bolt for coupling the gap adjusting sheet and the sheet fixing member to the groove.
상기 갭 조절수단이 상기 마스크 기판의 일면에서 돌출되는 높이는 플라즈마의 발생을 억제하도록 1㎛ 내지 500㎛의 범위로 할 수 있다. The height at which the gap adjusting means protrudes from one surface of the mask substrate may be in the range of 1 to 500 mu m so as to suppress the generation of plasma.
또한, 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 식각방법은, 기판 상에 용액 공정으로 유기막을 도포하는 단계와, 2분할 마스크패턴이 형성되는 마스크 기판을 이용하여 유효영역을 제외한 주변영역의 1/2을 식각하는 1차 식각단계와, 상기 마스크 기판을 반대방향으로 돌려 상기 주변영역의 나머지 1/2을 식각하는 2차 식각단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided an etching method including: applying an organic film on a substrate by a solution process; and forming a mask pattern on the mask substrate, / 2, and a second etching step of etching the remaining half of the peripheral region by turning the mask substrate in the opposite direction.
여기서, 상기 1차 식각단계 및 2차 식각단계는 건식 식각(dry etching)으로 진행할 수 있다. Here, the first etching step and the second etching step may be performed by dry etching.
또한, 상기 2차 식각단계에서 중복되어 식각되는 부분은 1㎛ 내지 1000㎛의 범위가 되도록 상기 2분할 마스크 패턴이 형성될 수 있다.In addition, the two-divided mask pattern may be formed so that a portion overlappingly etched in the secondary etching step is in a range of 1 m to 1000 m.
이상에서 살펴본 본 발명에 의하면, 포토리소그래피 공정 대신 마스크를 이용한 건식 식각(dry etching)을 이용함으로써, 공정 시간을 크게 줄일 수 있는 효과가 있다. According to the present invention, dry etching using a mask is used in place of the photolithography process, thereby significantly reducing the processing time.
또한, 진공 내에서 공정이 이루어짐으로써 소자 수명에 영향을 미치지 않게 되어 종래의 포토리소그래피 공정을 이용하였던 기술에 비해 소자 수명을 연장할 수 있는 효과가 있다.In addition, since the process is performed in a vacuum, the lifetime of the device is not affected, and the device lifetime can be prolonged as compared with the technology using the conventional photolithography process.
도 1은 본 발명에 따른 식각 마스크의 전체 구성을 도시한 저면 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 단위 마스크를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 마스크를 이용한 건식 식각 공정을 나타내는 공정 순서도이다. 1 is a bottom perspective view showing an overall structure of an etching mask according to the present invention.
2 is a plan view for explaining a unit mask according to the present invention.
3 is a process flow chart showing a dry etching process using the mask of the present invention.
이하에서는 상기한 바와 같은 본 발명에 따른 가용성 ＯＬＥＤ 제작을 위한 식각 마스크 및 그 식각방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the etching mask and the etching method for manufacturing the soluble OLED according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 식각 마스크의 전체 구성을 도시한 저면 사시도이다. 1 is a bottom perspective view showing an overall structure of an etching mask according to the present invention.
본 발명의 가용성 OLED 제작을 위한 식각 마스크(100)는 단위 마스크(120)가 서로 이격된 간격을 갖도록 다수개 구비되는 마스크 기판(110)과, 상기 마스크 기판(110)의 일면에 구비되어 마스크(100)와 기판(도시안함) 사이에 간격이 형성되도록 하는 갭(gap) 조절수단을 포함한다.The
상기 각각의 단위 마스크(120)에는 마스크패턴이 형성되는데, 본 발명의 마스크패턴은 소자의 유효영역을 제외한 주변영역을 부분적으로 개방하는 형상을 갖는데, 그 특징이 있다. A mask pattern is formed in each of the
첨부한 도 2는 본 발명에 따른 단위 마스크를 설명하기 위한 평면도로서, 본 발명의 실시예에서의 단위 마스크(120)는 상기 주변영역(220)(도 3의 (a) 참조)을 2개의 영역으로 분할하는 2분할 마스크패턴으로 이루어진다. FIG. 2 is a plan view for explaining a unit mask according to the present invention. The
구체적으로, 상기 마스크패턴은 소자 중앙의 유효영역(210)(도 3의 (a) 참조)을 남기고 주변영역(220)을 식각하기 위해, 소자의 중앙에 유효영역(210)을 가리기 위한 가림부(122)가 구비되며, 상기 주변영역(220)를 2개의 영역으로 분할한 '凹'자 형상의 패턴 개구부(124)로 이루어진다. Specifically, in order to etch the
여기서, 상기 패턴 개구부(124)는 그 일단부가 상기 단위 마스크(120)의 중심선을 포함하도록 형성된다. 도 2를 참조하면, 상기 가림부(122)의 상하에 위치하는 상기 패턴 개구부(124)의 일단부는 상기 단위 마스크(120)의 중심선(도면에서 일점쇄선으로 표시)을 포함하도록 형성되는데, 이는 본 발명의 마스크(100)를 사용한 식각 공정에서 상기 주변영역(220)에 식각이 되지 않는 부분이 발생하지 않도록 하기 위함이다.Here, the
여기서, 상기 패턴 개구부(124)의 일단부가 상기 중심선을 초과하여 형성되는 폭(도 2에서 a)은 1㎛ 내지 500㎛의 범위로 이루어진다. 이와 같은 마스크(100)를 이용하여 식각에 의해 봉지공정을 진행하면, 상기 주변영역(220)을 식각할 때 중복되어 식각되는 부분은 1000㎛ 이내로 될 수 있다. 이 경우, 중복되어 식각되는 부분은 최소화되는 것이 바람직하므로, 가장 바람직하게는 500㎛ 이내로 하는 것이 좋다. Here, a width (a in FIG. 2) in which one end of the
본 발명에서 상기 마스크 기판(100)은 상기 단위 마스크(120)를 다수개 구비하는데, 상기 단위 마스크(120)는 상기 마스크패턴이 일 방향으로 배치되도록 형성된다. 즉, 도 1에서 보는 바와 같이, 상기 패턴 개구부(124)가 일 방향으로 위치하도록 상기 단위 마스크(120)가 배치되는 것이다.In the present invention, the
이와 같은 상기 마스크 기판(120)은 식각 공정을 진행할 수 있도록 부도체 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. The
한편, 식각 시 소자가 훼손되는 것을 방지하기 위해서 마스크(100)와 기판 사이에 간격이 필요하다. 이를 위해 본 발명에서는 상기 갭 조절수단을 구비한다. On the other hand, a space is required between the
상기 갭 조절수단은 상기 마스크 기판(110)의 일면에 구비되며, 상기 마스크 기판(110)의 가장자리에 설치될 수 있다. 본 발명의 실시예에서 상기 마스크 기판(110)은 4각 형상으로 이루어져 있으므로, 상기 갭 조절수단은 상기 마스크 기판(110)의 4개의 변마다 설치되는 것이 바람직하다. The gap adjusting means may be provided on one side of the
상기 갭 조절수단의 설치를 위해, 상기 마스크 기판(110)의 가장자리에는 일정 깊이의 홈(130)이 형성되고, 상기 갭 조절수단은 상기 홈(130)에 삽입된다.In order to install the gap adjusting means, a
본 발명에서, 상기 갭 조절수단은 갭 조절용 시트(140)와, 상기 갭 조절용 시트(140)를 고정하기 위한 시트 고정물(150)과, 상기 갭 조절용 시트(140)와 시트 고정물(150)을 상기 홈(130)에 결합하기 위한 볼트(160)로 이루어진다. The gap adjusting means may include a
상기 볼트(160)의 결합을 위해 상기 홈(130)에는 암나사홈이 형성되고, 상기 갭 조절용 시트(140)와 시트 고정물(150)에는 볼트 고정용 홀이 형성된다. A female screw groove is formed in the
상기 암나사홈과 볼트 고정용 홀은 복수개, 예를 들어 3개가 일정간격으로 형성될 수 있다. A plurality of, for example, three, female thread grooves and bolt fixing holes may be formed at regular intervals.
여기서, 상기 갭 조절용 시트(140)는 복수개를 적층하여 설치할 수 있으며, 이로 인해 마스크(100)와 기판 사이에 적절한 간격이 형성되도록 할 수 있다. Here, a plurality of the gap-adjusting
이와 같은 갭 조절수단이 상기 마스크 기판(110)의 일면에 설치되면, 상기 마스크(100)와 기판 사이에 간격이 형성되는데, 상기 갭 조절수단이 마스크 기판(110)에서 돌출되는 높이는 플라즈마의 발생을 억제하도록 1㎛ 내지 500㎛의 범위로 하는 것이 바람직하다. When the gap adjusting means is provided on one surface of the
즉, 상기 갭 조절수단이 마스크 기판(110)에서 돌출되는 높이가 1㎛ 이하이면 마스크(100)와 기판 간의 간격이 너무 적으므로 소자에 훼손이 발생할 수 있으며, 상기 갭 조절수단이 마스크 기판(110)에서 돌출되는 높이가 500㎛을 초과하면 플라즈마가 발생할 수 있는 가능성이 있으므로 적절히 않다.That is, if the height of the gap adjusting means protruding from the
이와 같은 구성을 갖는 식각 마스크를 이용하여 용액 공정 시 식각하는 방법을 설명하면 다음과 같다. A method of etching in a solution process using an etching mask having such a structure will now be described.
도 3은 본 발명의 마스크를 이용한 건식 식각 공정을 나타내는 공정 순서도로서, 기판 상에 용액 공정으로 유기막을 도포하여 중앙에 유효영역(210)이 형성되고, 상기 유효영역(210)의 주변으로 주변영역(220)이 형성된 소자(200)를 준비한다(도 3의 (a)). FIG. 3 is a flow chart showing a dry etching process using the mask of the present invention. Referring to FIG. 3, an
상술한 본 발명의 단위 마스크(120)를 상기 소자(200) 상에 위치시켜, 상기 패턴 개구부(124)가 상기 주변영역(220)의 일측 위치에 대응되도록 한 뒤, 1차 식각공정을 진행한다. The
여기서, 식각 공정은 건식 식각(dry etching)으로 진행할 수 있다. Here, the etching process can be performed by dry etching.
이와 같이, 1차 식각공정이 진행되면 상기 유효영역(210)을 제외한 주변영역(220)의 1/2 영역(222)이 식각된다(도 3의 (b)). Thus, when the first etching process is performed, the
이후, 상기 마스크 기판(110)을 반대방향으로 돌려 상기 주변영역(220)의 나머지 1/2 영역(224)을 식각하여 2차 식각공정을 진행한다(도 3의 (c)).Thereafter, the
이와 같이, 1차 식각공정 및 2차 식각공정을 통해 상기 주변영역(220)에는 중복되어 식각되는 오버랩 식각부분(b)이 발생되는데, 이는 상술한 바와 같이, 500㎛ 이내의 범위가 되도록 하여 소자에 영향을 최소화하도록 한다.As described above, the overlap etched portion b is etched in the
이와 같은 본 발명은 2분할 마스크패턴이 형성된 마스크(100)를 이용한 건식 식각(dry etching) 방법으로 봉지를 위한 공정을 진행함으로써, 공정 시간을 크게 줄일 수 있으며, 진공 내에서 공정이 이루어질 수 있는 장점이 있다.The present invention can greatly reduce the process time by performing the process for encapsulation by the dry etching method using the
본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된바에 의해 정의되며, 본 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.It is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiment, but is capable of many modifications and variations within the scope of the appended claims. It is self-evident.
100 : 식각 마스크 110 : 마스크 기판
120 : 단위 마스크 122 : 가림부
124 : 패턴 개구부 130 : 홈
140 : 갭 조절용 시트 150 : 시트 고정물
160 : 볼트 200 : 소자
210 : 유효영역 220 : 주변영역100: etching mask 110: mask substrate
120: unit mask 122:
124: pattern opening 130: groove
140: gap adjustment sheet 150: sheet fixture
160: Volt 200: Element
210: valid area 220: peripheral area
Claims (13)
상기 단위 마스크가 서로 이격된 간격을 갖도록 다수개 구비되는 마스크 기판; 및
상기 마스크 기판의 일면에 구비되어 마스크와 기판 사이에 간격이 형성되도록 하는 갭 조절수단;
을 포함하며,
상기 갭 조절수단은 상기 마스크 기판의 가장자리에 형성된 일정 깊이의 홈에 삽입되며,
상기 갭 조절수단은 갭 조절용 시트와,
상기 갭 조절용 시트를 고정하기 위한 시트 고정물과,
상기 갭 조절용 시트와 시트 고정물을 상기 홈에 결합하기 위한 볼트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가용성 ＯＬＥＤ 제작을 위한 식각 마스크.A unit mask in which a mask pattern for partially opening the peripheral region excluding the effective region is formed;
A mask substrate having a plurality of unit masks spaced apart from each other; And
A gap adjusting means provided on one surface of the mask substrate to form a gap between the mask and the substrate;
/ RTI >
Wherein the gap adjusting means is inserted in a groove having a predetermined depth formed at an edge of the mask substrate,
Wherein the gap adjusting means comprises a gap adjusting sheet,
A sheet fixing member for fixing the gap adjusting sheet,
And a bolt for coupling the gap adjustment sheet and the sheet fixture to the groove.
상기 마스크패턴은 상기 주변영역을 2개의 영역으로 분할하는 2분할 마스크패턴인 것을 특징으로 하는 가용성 ＯＬＥＤ 제작을 위한 식각 마스크.The method according to claim 1,
Wherein the mask pattern is a bisection mask pattern that divides the peripheral region into two regions.
상기 마스크패턴은 중앙의 유효영역을 남기고 주변영역을 식각하기 위한 '凹'자 형상의 패턴 개구부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가용성 ＯＬＥＤ 제작을 위한 식각 마스크.The method of claim 2,
Wherein the mask pattern comprises a " concave " shaped pattern opening for etching the peripheral region leaving a central effective region.
상기 패턴 개구부는 그 일단부가 상기 단위 마스크의 중심선을 포함하도록 형성되며,
상기 중심선을 초과하여 형성되는 폭은 1㎛ 내지 500㎛의 범위인 것을 특징으로 하는 가용성 ＯＬＥＤ 제작을 위한 식각 마스크.The method of claim 3,
Wherein one end of the pattern opening is formed to include a center line of the unit mask,
And the width formed beyond the center line is in the range of 1 탆 to 500 탆.
상기 마스크 기판은 상기 마스크패턴이 일 방향으로 배치되도록 다수개의 상기 단위 마스크를 구비하는 것을 특징으로 하는 가용성 ＯＬＥＤ 제작을 위한 식각 마스크.The method according to claim 1,
Wherein the mask substrate has a plurality of the unit masks so that the mask pattern is arranged in one direction.
상기 마스크 기판은 부도체 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가용성 ＯＬＥＤ 제작을 위한 식각 마스크.The method according to claim 1,
Wherein the mask substrate is made of a nonconductive material.
상기 갭 조절수단이 상기 마스크 기판의 일면에서 돌출되는 높이는 플라즈마의 발생을 억제하도록 1㎛ 내지 500㎛의 범위로 하는 것을 특징으로 하는 가용성 ＯＬＥＤ 제작을 위한 식각 마스크.The method according to claim 1,
Wherein a height at which the gap adjusting means protrudes from one surface of the mask substrate is in the range of 1 to 500 mu m so as to suppress the generation of plasma.
2분할 마스크패턴이 형성되는 마스크 기판을 이용하여 유효영역을 제외한 주변영역의 1/2을 식각하는 1차 식각단계; 및
상기 마스크 기판을 반대방향으로 돌려 상기 주변영역의 나머지 1/2을 식각하는 2차 식각단계;
를 포함하는 가용성 ＯＬＥＤ 제작을 위한 식각방법. Applying an organic film on a substrate by a solution process;
A first etching step of etching half of the peripheral region except for the effective region using the mask substrate on which the two-divided mask pattern is formed; And
A second etching step of etching the remaining half of the peripheral region by turning the mask substrate in an opposite direction;
≪ / RTI >
상기 1차 식각단계 및 2차 식각단계는 건식 식각(dry etching)으로 진행하는 것을 특징으로 하는 가용성 ＯＬＥＤ 제작을 위한 식각방법. The method of claim 11,
Wherein the first etching step and the second etching step are performed by dry etching.
상기 2차 식각단계에서 중복되어 식각되는 부분은 1㎛ 내지 1000㎛가 되도록 상기 2분할 마스크 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 가용성 ＯＬＥＤ 제작을 위한 식각방법.
The method of claim 11,
Wherein the two-divided mask pattern is formed so as to have a portion overlappingly etched in the second etching step to have a thickness of 1 to 1000 mu m.
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