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KR101407031B1 - 기판 검사 장치 및 방법 - Google Patents

기판 검사 장치 및 방법 Download PDF

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KR101407031B1
KR101407031B1 KR1020130055996A KR20130055996A KR101407031B1 KR 101407031 B1 KR101407031 B1 KR 101407031B1 KR 1020130055996 A KR1020130055996 A KR 1020130055996A KR 20130055996 A KR20130055996 A KR 20130055996A KR 101407031 B1 KR101407031 B1 KR 101407031B1
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KR
South Korea
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signal
substrate
detection signal
substrate inspection
circuit
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손영락
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삼성전기주식회사
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Abstract

기판 검사 장치 및 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 장치는 기판의 검사 대상 회로에 기판 검사 신호를 인가하는 기판 접속부; 검사 대상 회로에서 불량 탐지 신호를 검출하는 신호 검출부; 불량 탐지 신호에 웨이브렛 변환을 적용한 후 임계 처리를 통한 디노이징 기법으로 신호 처리하는 신호 처리부; 기판 검사 신호의 속도를 설정하여 기판 접속부에 공급하고, 불량 탐지 신호의 신호 처리된 파형에 따라 불량 유형을 판별하는 제어부; 및 신호 처리된 파형의 불량 발생 시점 및 소멸 시점에 기판 검사 신호의 속도를 곱하여 불량 위치를 계산하는 연산부를 포함한다.

Description

기판 검사 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR INSPECTING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 검사 장치 및 방법에 관한 것이다.
인쇄회로기판에 대한 전기 검사는 저항 측정 방식이 일반적으로 사용된다. 저항 측정 방식은 시험하고자 하는 회로로 직류 전압을 인가하여 회로에 흐르는 전압 및 전류를 측정하여 저항값을 분석하고 저항값을 기준으로 회로의 결손 유무를 판단한다.
종래에는 인쇄회로기판에 대한 전기 검사에서 제품의 양불만 판단하는 기본적인 검사만 수행하였다. 그러나 인쇄회로기판의 제조 기술이 발전하면서 회로의 공정 산포가 회로 결손 불량의 저항값 산포보다 많아짐에 따라 저항 측정 방식의 검사를 통해 양불을 판단하는 방법은 많은 시간이 소요되고 정확도가 저하된다.
한국공개특허공보 10-2011-0055988
본 발명은 웨이브렛 변환을 적용한 후 임계 처리를 통한 디노이징 기법으로 신호 처리된 파형에 따라 불량 유형을 판별하는 기판 검사 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은 웨이브렛 변환을 적용한 후 임계 처리를 통한 디노이징 기법으로 신호 처리된 파형에 따라 불량 유형을 판별하는 기판 검사 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판의 검사 대상 회로에 기판 검사 신호를 인가하는 기판 접속부; 검사 대상 회로에서 불량 탐지 신호를 검출하는 신호 검출부; 불량 탐지 신호에 웨이브렛 변환을 적용한 후 임계 처리를 통한 디노이징 기법으로 신호 처리하는 신호 처리부; 기판 검사 신호의 속도를 설정하여 기판 접속부에 공급하고, 불량 탐지 신호의 신호 처리된 파형에 따라 불량 유형을 판별하는 제어부; 및 신호 처리된 파형의 불량 발생 시점 및 소멸 시점에 기판 검사 신호의 속도를 곱하여 불량 위치를 계산하는 연산부를 포함하는 기판 검사 장치가 제공된다.
신호 처리부는 불량 탐지 신호에 웨이브렛 변환을 적용하여 웨이브렛 계수를 구하고, 웨이브렛 계수를 미리 설정된 계수 임계값과 비교하여 계수의 크기를 줄이는 디노이징 기법으로 신호 처리하여 불량 탐지 신호에 포함된 잡음을 제거할 수 있다.
제어부는 웨이브렛 계수를 불량 유형별로 미리 설정된 계수 임계값과 비교하여 검사 대상 회로의 불량 유형을 판별할 수 있다.
신호 검출부는 기판의 검사 대상 회로에서 전류 및 전압의 신호를 측정하여 불량 탐지 신호를 검출할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판의 검사 대상 회로에 기판 검사 신호를 인가하는 단계; 검사 대상 회로에서 불량 탐지 신호를 검출하는 단계; 불량 탐지 신호에 웨이브렛 변환을 적용한 후 임계 처리를 통한 디노이징 기법으로 신호 처리하는 단계; 검사 대상 회로의 구성을 확인하여 불량 탐지 신호의 신호 처리된 파형에 따라 불량 유형을 판별하는 단계; 및 신호 처리된 파형의 불량 발생 시점 및 소멸 시점에 기판 검사 신호의 속도를 곱하여 불량 위치를 계산하는 단계를 포함하는 기판 검사 방법이 제공된다.
불량 탐지 신호를 검출하는 단계에서는 기판의 검사 대상 회로에서 전류 및 전압의 신호를 측정하여 불량 탐지 신호를 검출할 수 있다.
디노이징 기법으로 신호 처리하는 단계는 불량 탐지 신호에 웨이브렛 변환을 적용하여 웨이브렛 계수를 구하는 단계; 및 웨이브렛 계수를 미리 설정된 계수 임계값과 비교하여 계수의 크기를 줄여 불량 탐지 신호에 포함된 잡음을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
불량 유형을 판별하는 단계에서는 웨이브렛 계수를 불량 유형별로 미리 설정된 계수 임계값과 비교하여 검사 대상 회로의 불량 유형을 판별할 수 있다.
기판 검사 신호를 인가하는 단계 이전에, 주파수를 제어하여 기판 검사 신호의 속도를 설정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 웨이브렛 변환을 적용한 후 임계 처리를 통한 디노이징 기법으로 신호 처리된 파형에 따라 불량 유형을 판별하는 기판 검사 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 장치에서 검출된 기판 검사 신호의 일 예시 파형을 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 장치에서 검출된 기판 검사 신호의 다른 예시 파형을 나타낸 도면.
도 4는 도 2에 도시된 검사 신호를 신호 처리한 파형을 나타낸 도면.
도 5는 도 3에 도시된 검사 신호를 신호 처리한 파형을 나타낸 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 장치에 의해 불량 위치가 계산되는 기판을 나타낸 도면.
도 7은 도 6에 도시된 기판으로부터 검출된 기판 검사 신호를 신호 처리한 파형을 나타낸 도면.
도 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 방법을 나타낸 도면.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명에 따른 기판 검사 장치 및 방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 장치의 구성을 나타내는 도면이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 장치에서 검출된 검사 신호의 일 예시 파형을 나타낸 도면이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 장치에서 검출된 검사 신호의 다른 예시 파형을 나타낸 도면이다. 도 4는 도 2에 도시된 기판 검사 신호를 신호 처리한 파형을 나타낸 도면이다. 도 5는 도 3에 도시된 기판 검사 신호를 신호 처리한 파형을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 장치(100)는 기판 접속부(110), 신호 검출부(120), 신호 처리부(130), 제어부(140), 연산부(150) 및 출력부(160)를 포함한다.
기판 접속부(110)는 기판(50)에 전기적으로 연결된다. 기판 접속부(110)는 기판(50)의 검사를 위해 기판 검사 신호를 기판(50)의 검사 대상 회로에 인가할 수 있다. 또한, 기판 접속부(110)는 기판(50)의 검사 대상 회로를 경유한 기판 검사 신호를 수신할 수 있다. 이를 위해, 기판 접속부(110)는 검사 대상 회로의 배선 패턴(도 6의 55)에 전기적으로 연결되는 복수의 프로브(Probe)를 포함할 수 있다.
신호 검출부(120)는 기판 접속부(110)로부터 기판 검사 신호를 제공받아 전류 및 전압을 측정할 수 있다. 또한, 신호 검출부(120)는 측정된 전류 및 전압의 신호를 이용하여 불량 탐지 신호를 검출할 수 있다.
여기서 신호 검출부(120)는 도 2 및 도 3 각각에 도시된 파형의 불량 탐지 신호를 검출할 수 있다. 도 2 및 도 3 각각에 도시된 파형은 기판(50)의 검사 대상 회로로부터 검출한 불량 탐지 신호를 예시적으로 나타낸 것이다. 신호 검출부(120)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 전압과 시간에 대한 정현파의 신호를 검출할 수 있다.
신호 처리부(130)는 불량 탐지 신호에 웨이브렛 변환을 적용하여 임계 처리를 통한 디노이징 기법으로 신호 처리를 수행한다. 이때, 신호 처리부(130)는 불량 탐지 신호에 웨이브렛 변환(wavelet transform)을 적용하여 필터링 신호를 생성하고 웨이브렛 계수를 구할 수 있다. 여기서 필터링 신호는 다해상도 분석을 통해 분해된 근사(approximation) 신호 또는 상세(detail) 신호를 포함할 수 있다. 또한, 신호 처리부(130)는 미리 설정된 계수 임계값을 이용하여 웨이브렛 계수를 임계 처리하는 디노이징 기법으로 웨이브렛 계수의 크기를 줄임으로써 검사 신호에 포함된 잡음을 제거할 수 있다.
예를 들면, 신호 처리부(130)는 매스웍스(mathworks)社의 매트랩(matlab)을 이용하여 불량 탐지 신호에 웨이브렛 변환을 적용할 수 있다. 또한, 신호 처리부(130)는 웨이브렛 변환을 적용하여 도 4 및 도 5 각각에 도시된 파형의 필터링 신호를 제어부(140)에 제공할 수 있다.
여기서 웨이브렛 변환은 해석학의 일부분으로 신호 처리, 영상 처리 등에 관련되어 사용될 수 있다. 웨이브렛 변환은 주파수 영역뿐만 아니라 시간 영역에서도 과도 신호의 분석이 가능하여 고장 지점을 탐지하는데 적합할 수 있다. 웨이브렛 변환은 한 파장의 파형을 기본 파형으로 설정하여 그 크기와 위치를 변화시켜가며 상관 관계를 밝혀낼 수 있다. 또한, 웨이브렛 변환은 한 파장의 파형을 크기와 함께 위치도 변화시키므로 주파수 정보와 함께 시간의 정보도 알 수 있다. 이러한 웨이브렛 변환 및 웨이브렛 계수는 이미 널리 공지된 사항이므로 상세한 설명을 생략한다.
또한, 신호 처리부(130)는 임계 처리한 웨이브렛 계수 및 근사 계수에 대해 웨이브렛 역변환을 수행하여 불량 탐지 신호를 복원함으로써 불량 탐지 신호의 근사 신호를 만들 수 있다. 신호 처리부(130)는 근사 신호를 다시 웨이브렛 변환하여 각 레벨별로 웨이브렛 계수를 구할 수 있다. 이러한 임계 처리를 이용한 잡음 제거 방법은 사용하기가 간편하고 잡음 제거 성능이 향상될 수 있다.
제어부(140)는 기판 검사 신호의 속도를 설정하여 기판 접속부(110)에 공급한다. 또한, 제어부(140)는 신호 처리부(130)에서 신호 처리된 필터링 신호의 웨이브렛 계수를 미리 설정된 계수 임계값과 비교하여 기판(50)의 검사 대상 회로의 불량 유형을 판별한다.
여기서 제어부(140)는 주파수를 제어하여 기판 검사 신호의 속도를 설정할 수 있다. 또한, 제어부(140)는 신호 처리부(130)에서 구해진 웨이브렛 계수를 미리 설정된 계수 임계값과 비교할 수 있다. 이때, 계수 임계값은 기판(50)의 불량 유형별로 미리 설정될 수 있다. 예를 들면, 계수 임계값은 단락 또는 개방 등의 불량 유형을 판별하기 위한 하한 기준값으로 설정될 수 있다.
연산부(150)는 기판 검사 신호의 속도와, 필터링 신호의 불량 발생 시점 및 소멸 시점을 이용하여 도 6에 도시된 기판(50)의 배선 패턴(55)의 고장 지점을 계산한다. 여기서 필터링 신호의 불량 발생 시점 및 소멸 시점 각각은 필터링 신호의 웨이브렛 계수가 계수 임계값을 초과하는 시점일 수 있다.
연산부(150)는 도 7에 도시된 필터링 신호의 불량 발생 시점 및 소멸 시점에 기판 검사 신호의 속도를 곱하여 배선 패턴(55)의 고장 지점을 계산할 수 있다. 예를 들면, 검사 신호의 속도가 100㎛/s, 불량 발생 시점이 8초, 불량 소멸 시점이 10초일 경우, 연산부(150)는 배선 패턴(55)의 불량 지점이 검사 시작점(200)으로부터 약 800㎛ ~ 약 1000㎛의 거리에 위치하는 것을 계산할 수 있다. 또한, 연산부(150)는 계산된 거리를 통해 제1 불량 지점(210) 내지 제2 불량 지점(220)을 확인할 수 있다.
출력부(160)는 검사 대상 회로의 불량 유형 또는 불량 위치를 출력할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 장치는 웨이브렛 변환을 적용한 다해상도 분석을 통해 외란 신호를 근사 신호 및 상세 신호로 분해함으로써 기판 검사 신호로부터 외란 성분을 추출할 수 있고, 개별적으로 분석할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 장치는 불량 유형별로 웨이브렛 변환을 적용한 후 계수값의 크기를 구할 수 있고, 미리 설정된 계수 임계값과 비교하여 불량 유형의 특징을 찾아낼 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 장치는 계수값의 크기 및 발생 유형에 따라 단락 또는 개방 등의 불량 유형을 나눌 수 있으며, 스파크 유형 또한 검출할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 방법을 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 방법은 기판의 검사 대상 회로에 기판 검사 신호를 제공하는 단계(S110), 기판의 검사 대상 회로에서 불량 탐지 신호를 검출하는 단계(S120), 불량 탐지 신호에 웨이브렛 변환을 적용한 후 임계처리를 통한 디노이징 기법으로 신호 처리하는 단계(S130), 검사 대상 회로의 구성을 확인하여 신호 처리된 파형에 따라 불량 유형을 판별하는 단계(S140), 불량의 발생 시점 및 소멸 시점과, 기판 검사 신호의 속도를 곱하여 불량 위치를 계산하는 단계(S150)를 포함한다.
우선, 단계 S110에서는 기판 접속부가 기판에 연결되어 기판의 검사 대상 회로에 기판 검사 신호를 인가할 수 있다. 다만, 단계 S110 이전에 제어부가 기판 검사 신호의 속도를 설정하고 기판 접속부에 기판 검사 신호를 공급하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다음, 단계 S120에서는 신호 검출부가 기판의 검사 대상 회로에서 불량 탐지 신호를 검출할 수 있다. 이때, 기판 접속부는 기판의 검사 대상 회로를 경유한 기판 검사 신호를 수신할 수 있다. 그리고, 신호 검출부는 기판 접속부로부터 기판 검사 신호를 제공받아 전류 및 전압을 측정하고 측정된 전류 및 전압의 신호를 이용하여 불량 탐지 신호를 검출할 수 있다.
다음, 단계 S130에서는 신호 처리부가 불량 탐지 신호에 웨이브렛 변환을 적용하여 임계 처리를 통한 디노이징 기법으로 신호 처리를 수행할 수 있다. 여기서 신호 처리부는 불량 탐지 신호에 웨이브렛 변환을 적용하여 웨이브렛 계수를 구할 수 있다. 또한, 신호 처리부는 웨이브렛 계수를 미리 설정된 계수 임계값과 비교하여 계수의 크기를 줄임으로써 불량 탐지 신호에 포함된 잡음을 제거할 수 있다.
다음, 단계 S140에서는 제어부가 검사 대상 회로의 구성을 확인하여 신호 처리된 필터링 신호의 파형에 따라 불량 유형을 판별한다. 여기서, 제어부는 주파수를 제어하여 기판 검사 신호의 속도를 설정하고 설정된 기판 검사 신호를 기판 접속부(110)에 공급할 수 있다. 또한, 제어부는 신호 처리부에서 구해진 웨이브렛 계수를 불량 유형별로 미리 설정된 계수 임계값과 비교하여 기판의 불량 유형을 판별할 수 있다. 이를 통해, 제어부(140)는 신호 처리가 된 파형을 토대로 전기 검사에 상응하는 불량 검사를 수행할 수 있다.
다음, 단계 S150에서는 연산부가 불량의 발생 시점 및 소멸 시점과, 기판 검사 신호의 속도를 곱하여 불량 위치를 계산한다. 여기서 연산부는 신호 처리된 파형을 통해 불량의 발생 시점 및 소멸 시점의 시간을 확인하고, 확인된 시간에 기판 검사 신호의 속도를 곱하여 불량 위치를 계산할 수 있다. 이를 통해, 연산부는 비파괴 분석을 통해 불량 위치를 검출할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 방법은 웨이브렛 변환을 적용한 다해상도 분석을 통해 외란 신호를 근사 신호 및 상세 신호로 분해함으로써 기판 검사 신호로부터 외란 성분을 추출할 수 있고, 개별적으로 분석할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 방법은 불량 유형별로 웨이브렛 변환을 적용한 후 계수값의 크기를 구할 수 있고, 미리 설정된 계수 임계값과 비교하여 불량 유형의 특징을 찾아낼 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 검사 방법은 계수값의 크기 및 발생 유형에 따라 단락 또는 개방 등의 불량 유형을 나눌 수 있으며, 스파크 유형 또한 검출할 수 있다.
이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
50: 기판
55: 배선 패턴
100: 기판 검사 장치
110: 기판 접속부
120: 신호 검출부
130: 신호 처리부
140: 제어부
150: 연산부
160: 출력부

Claims (9)

  1. 기판의 검사 대상 회로에 기판 검사 신호를 인가하는 기판 접속부;
    상기 검사 대상 회로에서 불량 탐지 신호를 검출하는 신호 검출부;
    상기 불량 탐지 신호에 웨이브렛 변환을 적용한 후 임계 처리를 통한 디노이징 기법으로 신호 처리하는 신호 처리부;
    상기 기판 검사 신호의 속도를 설정하여 상기 기판 접속부에 공급하고, 상기 불량 탐지 신호의 신호 처리된 파형에 따라 불량 유형을 판별하는 제어부; 및
    신호 처리된 파형의 불량 발생 시점 및 소멸 시점에 상기 기판 검사 신호의 속도를 곱하여 불량 위치를 계산하는 연산부;
    를 포함하는 기판 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 신호 처리부는 상기 불량 탐지 신호에 웨이브렛 변환을 적용하여 웨이브렛 계수를 구하고, 상기 웨이브렛 계수를 미리 설정된 계수 임계값과 비교하여 계수의 크기를 줄이는 상기 디노이징 기법으로 신호 처리하여 상기 불량 탐지 신호에 포함된 잡음을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 웨이브렛 계수를 불량 유형별로 미리 설정된 계수 임계값과 비교하여 상기 검사 대상 회로의 불량 유형을 판별하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 신호 검출부는 상기 기판의 검사 대상 회로에서 전류 및 전압의 신호를 측정하여 상기 불량 탐지 신호를 검출하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.
  5. 기판의 검사 대상 회로에 기판 검사 신호를 인가하는 단계;
    상기 검사 대상 회로에서 불량 탐지 신호를 검출하는 단계;
    상기 불량 탐지 신호에 웨이브렛 변환을 적용한 후 임계 처리를 통한 디노이징 기법으로 신호 처리하는 단계;
    상기 검사 대상 회로의 구성을 확인하여 상기 불량 탐지 신호의 신호 처리된 파형에 따라 불량 유형을 판별하는 단계; 및
    신호 처리된 파형의 불량 발생 시점 및 소멸 시점에 상기 기판 검사 신호의 속도를 곱하여 불량 위치를 계산하는 단계;
    를 포함하는 기판 검사 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 불량 탐지 신호를 검출하는 단계에서는
    상기 기판의 검사 대상 회로에서 전류 및 전압의 신호를 측정하여 상기 불량 탐지 신호를 검출하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 디노이징 기법으로 신호 처리하는 단계는
    상기 불량 탐지 신호에 웨이브렛 변환을 적용하여 웨이브렛 계수를 구하는 단계; 및
    상기 웨이브렛 계수를 미리 설정된 계수 임계값과 비교하여 계수의 크기를 줄여 상기 불량 탐지 신호에 포함된 잡음을 제거하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 불량 유형을 판별하는 단계에서는
    상기 웨이브렛 계수를 불량 유형별로 미리 설정된 계수 임계값과 비교하여 상기 검사 대상 회로의 불량 유형을 판별하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 기판 검사 신호를 인가하는 단계 이전에,
    주파수를 제어하여 상기 기판 검사 신호의 속도를 설정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.
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