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KR101404632B1 - 임플란트의 표면처리방법 - Google Patents

임플란트의 표면처리방법 Download PDF

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KR101404632B1
KR101404632B1 KR20130049617A KR20130049617A KR101404632B1 KR 101404632 B1 KR101404632 B1 KR 101404632B1 KR 20130049617 A KR20130049617 A KR 20130049617A KR 20130049617 A KR20130049617 A KR 20130049617A KR 101404632 B1 KR101404632 B1 KR 101404632B1
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KR
South Korea
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acid
implant
group
surface treatment
factor
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KR20130049617A
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English (en)
Inventor
하경원
최규옥
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오스템임플란트 주식회사
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Abstract

임플란트의 표면처리방법이 개시된다. 개시된 임플란트의 표면처리방법은 친수성기를 포함하는 유기화합물을 포함하는 표면처리용 조성물을 임플란트의 표면에 도포하는 단계(도포단계), 및 상기 도포된 표면처리용 조성물을 건조하는 단계(건조단계)를 포함한다.

Description

임플란트의 표면처리방법{Method for treating surface of implant}
임플란트의 표면처리방법이 개시된다. 보다 상세하게는, 친수성기를 포함하는 유기화합물을 포함하는 표면처리용 조성물을 임플란트의 표면에 도포하는 단계를 포함하는 임플란트의 표면처리방법이 개시된다.
생체에 적용하는 치과용 임플란트 시술의 실패율을 낮추고 뼈와의 고정력을 높이기 위한 많은 방법들이 있다.
임플란트를 나선형으로 디자인함으로써 상기 임플란트를 뼈에 기계적으로 강하게 고정시키는 방법이 일반적으로 사용되고 있다.
또한, 임플란트와 뼈의 강한 고정력을 위해서 임플란트의 표면에 샌드블라스팅과 산의 식각 방법을 통하여 임플란트의 표면에 거칠기(roughness)를 부여하여 임플란트의 표면적을 넓히는 방법도 많은 임플란트 제조 회사에서 공통적으로 적용하는 표면 처리방법 중의 하나이다.
이와 같이 임플란트 표면을 기계적이고 물리적으로 뼈와 강하게 고정시키는 방법들 외에도 임플란트 표면에 인체 뼈와 유사한 무기물 성분인 인산칼슘을 코팅하여 뼈가 임플란트에 더 잘 붙어 있게 하는 다양한 방법들도 사용되고 있다.
임플란트로 사용되는 티타늄 또는 티타늄 합금은 상기와 같이 다양하게 표면처리되더라도 공기에 노출됨과 동시에 오염되어 표면의 활성을 잃어버리게 된다. 티타늄 또는 티타늄 합금의 표면은 공기나 물에 노출되면 주변의 산소와 반응하여 지속적으로 산화된다 (H.P. Boehm, Acidic and Basic Properties of hydroxylated Metal Oxide Surfaces, Discussions Faraday Society, vol. 52, 1971, pp. 264-275).
임플란트 시술의 실패율을 줄이고, 임플란트와 뼈의 안정적이고 강한 고정력을 얻기 위한 방법들 중 화학적 방법으로는, 임플란트 표면의 오염을 방지하거나 표면처리 직후에 임플란트 표면이 지니는 친수성 특성(이하, 「표면처리 직후의 친수성 특성」이라고 함)을 유지시키는 방법들이 있다. 일반적으로, 표면처리 직후의 친수성 특성은, 임플란트 표면이 공기에 노출되어 오염되고 지속적인 산화반응을 거치면서 점차 감소하여, 결국 상기 표면은 소수성 특성을 지니게 된다. 표면처리 직후의 친수성 특성을 유지하고 표면의 오염을 방지하기 위한 방법으로서, US 6,702,855 B1은 임플란트의 표면 처리단계에서부터 이식단계 직전까지의 모든 과정을 비활성 기체의 분위기하에 수행하며, 포장 또한 물이나 이온용액을 이용함으로써 공기와 임플란트의 접촉을 차단하는 방법을 사용하고 있다. 상기 방법과 같이 불활성 기체의 분위기에서 생리 용액이 담기 팩에 임플란트를 침지하여 밀봉시키는 방법은 상기 임플란트가 공기 중에 노출되어 오염되는 것은 방지할 수 있지만, 임플란트 표면이 생리 용액내의 물과 반응하여 지속적으로 산화됨으로써 임플란트 표면에 엠보싱 형태의 새로운 산화층이 형성되고, 이 때문에 제조 직후의 임플란트 표면의 초기 품질과 유통과정에서의 품질이 표면의 구조와 화학적 특성 측면에서 변화하는 문제가 있다 (European Cells and Materials Vol. 23. Suppl. 1, 2012, page 25). 또한, 밀폐 포장을 요구하므로 공정이 복잡하고 처리비용이 높으며 취급이 불편할 수 있다.
국내특허출원 제2009-7019196호는 임플란트 표면의 친수성을 장기간 유지하는 방법으로서, 염-함유 수용액을 이용하고 기체-밀봉 또는 액체-밀봉 포장을 적용하여 임플란트를 저장하는 방법을 개시하고 있다. 특히, 상기 방법은 임플란트 표면의 친수성을 유지시키기 위해, 0.5M 이상의 고농도 무기염 수용액을 권장하고 있다. 그러나, 체내의 무기이온 중 가장 많은 존재하는 염화나트륨(NaCl)의 경우, 그 농도가 0.9 중량%이며 몰농도로 환산하면 약 0.15M에 불과하다. 따라서, 0.5M 이상의 고농도 무기염 수용액이 적용된 임플란트는 체내에서 무기이온의 불균형을 초래해서 독성을 발현시킬 가능성이 있다는 것은 관련 업계 종사자라면 누구나 예측할 수 있다. 따라서, 친수성 유지를 위해 0.5M 이상의 고농도 무기염 수용액을 사용하는 것은 바람직하지 않다.
본 발명의 일 구현예는 친수성기를 포함하는 유기화합물을 포함하는 표면처리용 조성물을 임플란트의 표면에 도포하는 단계를 포함하는 임플란트의 표면처리방법을 제공한다.
본 발명의 다른 구현예는 친수성기를 포함하는 유기화합물 및 무기염을 포함하는 표면처리용 조성물을 임플란트의 표면에 도포하는 단계를 포함하는 임플란트의 표면처리방법을 제공한다.
본 발명의 일 측면은,
친수성기를 포함하는 유기화합물을 포함하는 표면처리용 조성물을 임플란트의 표면에 도포하는 단계(도포단계); 및
상기 도포된 표면처리용 조성물을 건조하는 단계(건조단계)를 포함하는 임플란트의 표면처리방법을 제공한다.
상기 도포단계 전에 상기 임플란트의 표면을 전처리하는 단계(전처리 단계)를 더 포함할 수 있다.
상기 전처리 단계는 샌드 블라스팅, 인산칼슘 코팅, UV 처리, 플라즈마 처리, 산처리 및 염기처리 중 적어도 하나의 조작에 의해 수행될 수 있다.
상기 친수성기는 히드록실기(OH), 카르복실기(COOH), 아미노기(NH2) 및 술폰산기(-SO3H)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 유기화합물은 당류(saccharides), 단백질류(proteins), 산류(acids) 및 Good's buffers로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 당류는 포도당, 셀룰로오스, 알킬 셀룰로오스, 알킬히드록시알킬 셀룰로오스, 히드록시알킬 셀룰로오스, 셀룰로오스 설페이트, 카르복시메틸 셀룰로오스의 염, 카르복시메틸 셀룰로오스, 카르복시에틸 셀룰로오스, 키틴, 카르복시메틸 키틴, 히알루론산, 히알루론산의 염, 알기네이트, 알긴산, 프로필렌글리콜 알기네이트, 글리코겐, 덱스트란, 덱스트란 설페이트, 커들란(curdlan), 펙틴, 풀루란, 잔탄, 콘드로이틴(chondroitin), 콘드로이틴 설페이트류, 카르복시메틸 덱스트란, 카르복시메틸 키토산, 키토산, 헤파린, 헤파린 설페이트, 헤파란(heparan), 헤파란 설페이트, 데르마탄 설페이트, 케라탄 설페이트, 카라기난, 키토산, 전분, 아밀로오스, 아밀로펙틴, 폴리-N-글루코사민, 폴리만뉴로닉산(polymannuronic acid), 폴리글루쿠론산(polyglucuronic acid), 폴리굴루론산(polyguluronic acid) 및 상기 당류의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 단백질은 젤라틴, 프로트롬빈, 트롬빈, 피브리노겐, 피브린, 피브로넥틴, 헤파리나제, X 인자, Xa 인자, VII 인자, VIIa 인자, IX 인자, IXa 인자, XI 인자, XIa 인자, XII 인자, XIIa 인자, 조직 인자, 배트록소빈(batroxobin), 안크로드(ancrod), 에카린(ecarin), 폰빌레브란트 인자(von Willebrand Factor), 콜라겐, 엘라스틴, 알부민, 혈소판 표면 당단백질(platelet surface glycoproteins), 바소프레신(vasopressin), 바소프레신 아날로그(vasopressin analogs), 에피네프린(epinephrine), 셀렉틴(selectin), 응혈독(procoagulant venom), 플라스미노겐 활성화인자 억제제(plasminogen activator inhibitor), 혈소판 활성화 인자(platelet activating factor) 및 펩티드로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 산류는 피루브산(pyruvic acid), 젖산(lactic acid), 시스테인(cysteine), 글루타민(glutamine), 티로신(tyrosine), 류신(leucine), 라이신(lycine), 발린(valine), 이소류신(isoleucine), 트레오닌(threonine), 페닐알라닌(phenilalanine), 트립토판(tryptophan), 히스티딘(hystidine), 아르기닌(arginine), 글리신(글리신), 세린(serine), 프롤린(proline), 글루탐산(glutamic acid), 아스파르트산(aspartic acid), 알라닌(alanine), 메디오닌(methionine) 및 아스파라긴(asparagine)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 Good's buffers는 MES(2-(N-모폴리노)에탄술폰산), ADA(N-(카바모일메틸)이미노디아세트산), PIPES(1,4-피페라진디에탄술폰산), ACES(2-(카바모일메틸아미노)에탄술폰산), MOPSO(3-모폴리노-2-히드록시프로판술폰산), 콜아민 클로라이드(cholamine chloride), MOPS(3-모폴리노프로판-1-술폰산), BES(N,N-비스(2-히드록시에틸)-2-아미노에탄술폰산), TES(2-[[1,3-디히드록시-2-(히드록시메틸)프로판-2-일]아미노]에탄술폰산), HEPES(2-[4-(2-히드록시에틸)피페라진-1-일]에탄술폰산), DIPSO(3-(N,N-비스[2-히드록시에틸]아미노)-2-히드록시프로판술폰산), 아세트아미도 글리신(acetamido glycine), TAPSO(3-[[1,3-디히드록시-2-(히드록시메틸)프로판-2-일]아미노]-2-히드록시프로판-1-술폰산), HEPPSO(N-(2-히드록시에틸)피페라진-N'-(2-히드록시프로판술폰산), HEPPS(4-(2-히드록시에틸)-피페라진-1-프로판술폰산), Tricine(N-(2-히드록시-1,1-비스(히드록시메틸)에틸)글리신), 글리신아미드(glycinamide), Bicine(2-비스(2-히드록시에틸)아미노)아세트산) 및 TAPS(3-[[1,3-디히드록시-2-(히드록시메틸)프로판-2-일]아미노]프로판-1-술폰산)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 표면처리용 조성물 중 상기 유기화합물의 농도는 2,000mM 이하일 수 있다.
상기 표면처리용 조성물은 무기염을 더 포함할 수 있다.
상기 무기염은 금속 염화물, 금속 인산염, 금속 황산염, 금속 탄산염 및 금속 질산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 무기염 중의 금속은 나트륨, 칼슘, 칼륨, 스트론튬, 망간 및 마그네슘으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 표면처리용 조성물 중 상기 무기염의 농도는 200 mM 이하일 수 있다.
상기 표면처리용 조성물은 수용액 형태일 수 있다.
상기 임플란트는 티타늄 또는 티타늄 합금을 포함할 수 있다.
상기 건조단계는 200℃ 이하의 온도에서 수행될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 임플란트의 표면처리방법은 공정이 간단하고, 처리비용이 낮으며 취급이 용이할 뿐만 아니라, 일반 포장에 의한 임플란트의 포장에서도 친수성 특성 유지를 가능하게 한다.
본 발명의 다른 구현예에 따른 임플란트의 표면처리방법은 임플란트의 표면에 친수성을 유지하는 방법으로서, 종래의 밀봉 방법과는 달리 밀봉포장을 하지 않아도 임플란트 표면의 친수성을 보존할 수 있는 방법이다.
도 1은 전처리 및 후처리를 모두 거친 임플란트(실시예 1~3)와 전처리만 거친 임플란트(비교예 1)의 색상 차이를 보여주는 사진이다.
도 2는 전처리 및 후처리를 모두 거친 임플란트(실시예 1~3)와 전처리만 거친 임플란트(비교예 1)의 혈액 친화도를 보여주는 사진이다.
도 3은 임플란트의 표면처리용 조성물 중 생리 식염수 포함 여부 및 포도당 농도에 따른 임플란트의 표면 상태를 보여주는 사진이다.
도 4는 임플란트의 표면처리용 조성물 중 HEPES 및/또는 생리 식염수 포함 여부에 따른 임플란트의 표면 상태를 보여주는 사진이다.
이하, 본 발명의 일 구현예에 따른 임플란트의 표면처리방법을 상세히 설명한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 임플란트의 표면처리방법은 친수성기를 포함하는 유기화합물을 포함하는 표면처리용 조성물을 임플란트의 표면에 도포하는 단계(도포단계)(S10), 및 상기 도포된 표면처리용 조성물을 건조하는 단계(건조단계)(S20)를 포함한다.
상기 도포단계(S10)에 의해 상기 임플란트의 표면이 친수성을 갖게 되고 이 친수성이 장시간 유지되거나, 및/또는 상기 임플란트의 표면에 후술하는 전처리 단계(S1)에 의해 미리 부여된 친수성이 장시간 유지될 수 있다.
상기 친수성기를 포함하는 유기화합물(이하, 간단히 「유기화합물」이라고 함)은 상기 표면처리 후 상기 임플란트의 표면에 잔류하여 치조골 등에 식립된 후까지 상기 임플란트의 표면이 친수성을 유지하도록 하는 역할을 수행한다. 상기 임플란트의 표면이 친수성을 유지하게 되면, 상기 표면은 혈액과의 친화성이 높아져서 그 표면 전체가 혈액에 충분히 젖어 상기 표면 위에 신생 조직이 빠르게 형성됨으로써 상기 임플란트가 주변조직과 단단히 결합하게 된다.
상기 친수성기는 히드록실기(OH), 카르복실기(COOH), 아미노기(NH2) 및 술폰산기(-SO3H)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 유기화합물은 혈액주사 또는 세포배양에 사용되는 유기화합물일 수 있다.
상기 유기화합물은 당류(saccharides), 단백질류(proteins), 산류(acids) 및 Good's buffers로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 당류는 포도당, 셀룰로오스, 알킬 셀룰로오스, 알킬히드록시알킬 셀룰로오스, 히드록시알킬 셀룰로오스, 셀룰로오스 설페이트, 카르복시메틸 셀룰로오스의 염, 카르복시메틸 셀룰로오스, 카르복시에틸 셀룰로오스, 키틴, 카르복시메틸 키틴, 히알루론산, 히알루론산의 염, 알기네이트, 알긴산, 프로필렌글리콜 알기네이트, 글리코겐, 덱스트란, 덱스트란 설페이트, 커들란(curdlan), 펙틴, 풀루란, 잔탄, 콘드로이틴(chondroitin), 콘드로이틴 설페이트류, 카르복시메틸 덱스트란, 카르복시메틸 키토산, 키토산, 헤파린, 헤파린 설페이트, 헤파란(heparan), 헤파란 설페이트, 데르마탄 설페이트, 케라탄 설페이트, 카라기난, 키토산, 전분, 아밀로오스, 아밀로펙틴, 폴리-N-글루코사민, 폴리만뉴로닉산(polymannuronic acid), 폴리글루쿠론산(polyglucuronic acid), 폴리굴루론산(polyguluronic acid) 및 상기 당류의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 단백질은 젤라틴, 프로트롬빈, 트롬빈, 피브리노겐, 피브린, 피브로넥틴, 헤파리나제, X 인자, Xa 인자, VII 인자, VIIa 인자, IX 인자, IXa 인자, XI 인자, XIa 인자, XII 인자, XIIa 인자, 조직 인자, 배트록소빈(batroxobin), 안크로드(ancrod), 에카린(ecarin), 폰빌레브란트 인자(von Willebrand Factor), 콜라겐, 엘라스틴, 알부민, 혈소판 표면 당단백질(platelet surface glycoproteins), 바소프레신(vasopressin), 바소프레신 아날로그(vasopressin analogs), 에피네프린(epinephrine), 셀렉틴(selectin), 응혈독(procoagulant venom), 플라스미노겐 활성화인자 억제제(plasminogen activator inhibitor), 혈소판 활성화 인자(platelet activating factor) 및 펩티드로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 산류는 피루브산(pyruvic acid), 젖산(lactic acid), 시스테인(cysteine), 글루타민(glutamine), 티로신(tyrosine), 류신(leucine), 라이신(lycine), 발린(valine), 이소류신(isoleucine), 트레오닌(threonine), 페닐알라닌(phenilalanine), 트립토판(tryptophan), 히스티딘(hystidine), 아르기닌(arginine), 글리신(글리신), 세린(serine), 프롤린(proline), 글루탐산(glutamic acid), 아스파르트산(aspartic acid), 알라닌(alanine), 메디오닌(methionine) 및 아스파라긴(asparagine)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 Good's buffers는 MES(2-(N-모폴리노)에탄술폰산), ADA(N-(카바모일메틸)이미노디아세트산), PIPES(1,4-피페라진디에탄술폰산), ACES(2-(카바모일메틸아미노)에탄술폰산), MOPSO(3-모폴리노-2-히드록시프로판술폰산), 콜아민 클로라이드(cholamine chloride), MOPS(3-모폴리노프로판-1-술폰산), BES(N,N-비스(2-히드록시에틸)-2-아미노에탄술폰산), TES(2-[[1,3-디히드록시-2-(히드록시메틸)프로판-2-일]아미노]에탄술폰산), HEPES(2-[4-(2-히드록시에틸)피페라진-1-일]에탄술폰산), DIPSO(3-(N,N-비스[2-히드록시에틸]아미노)-2-히드록시프로판술폰산), 아세트아미도 글리신(acetamido glycine), TAPSO(3-[[1,3-디히드록시-2-(히드록시메틸)프로판-2-일]아미노]-2-히드록시프로판-1-술폰산), HEPPSO(N-(2-히드록시에틸)피페라진-N'-(2-히드록시프로판술폰산), HEPPS(4-(2-히드록시에틸)-피페라진-1-프로판술폰산), Tricine(N-(2-히드록시-1,1-비스(히드록시메틸)에틸)글리신), 글리신아미드(glycinamide), Bicine(2-비스(2-히드록시에틸)아미노)아세트산) 및 TAPS(3-[[1,3-디히드록시-2-(히드록시메틸)프로판-2-일]아미노]프로판-1-술폰산) 으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 표면처리용 조성물 중 상기 유기화합물의 농도는 2,000mM 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 표면처리용 조성물 중 상기 유기화합물의 농도는 0mM 초과 내지 2,000mM 이하일 수 있다. 상기 표면처리용 조성물 중 상기 유기화합물의 농도가 2,000mM 이하이면, 상기 표면처리용 조성물이 임플란트의 표면에 도포된 후 잘 건조될 수 있다.
상기 표면처리용 조성물은 무기염을 더 포함할 수 있다.
상기 무기염은 상기 건조단계(20)에서 상기 표면처리용 조성물의 건조를 촉진하고, 상기 표면처리용 조성물로 도포된 상기 임플란트의 표면 전체가 균일한 속도로 건조되도록 하여 상기 건조단계(20) 후 상기 임플란트의 표면에 얼룩이 생기는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
상기 무기염은 생리 용액을 구성하는 무기염일 수 있다.
상기 무기염은 금속 염화물, 금속 인산염, 금속 황산염, 금속 탄산염 및 금속 질산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 무기염 중의 금속은 나트륨, 칼슘, 칼륨, 스트론튬, 망간 및 마그네슘으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 무기염은 염화나트륨, 염화칼슘, 염화칼륨, 염화스트론튬, 염화망간, 염화마그네슘, 인산나트륨, 인산칼슘, 인산칼륨, 인산스트론튬, 인산망간, 인산마그네슘, 질산나트륨, 질산칼슘, 질산칼륨, 질산스트론튬, 질산망간, 질산마그네슘, 탄산나트륨, 탄산칼슘, 탄산칼륨, 탄산스트론튬, 탄산망간, 탄산마그네슘, 황산나트륨, 황산칼슘, 황산칼륨, 황산스트론튬, 황산망간 및 황산마그네슘으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 표면처리용 조성물 중 상기 무기염의 농도는 200 mM 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 표면처리용 조성물 중 상기 무기염의 농도는 0mM 초과 내지 200 mM 이하일 수 있다. 상기 표면처리용 조성물 중 상기 무기염의 농도가 200mM 이하이면, 상기 표면처리용 조성물이 임플란트의 표면에 도포된 후에도 세포독성(cytotoxicity)을 발현시키지 않을 수 있다.
상기 표면처리용 조성물은 수용액 형태일 수 있다. 본 명세서에서, 「수용액 형태」란 상기 표면처리용 조성물의 구성성분들 중 적어도 유기화합물 및/또는 무기염이 물에 용해된 상태로 존재하는 것을 의미한다.
일례로서, 상기 표면처리용 조성물은 10~200mM의 농도를 갖는 포도당 수용액일 수 있다.
다른 예로서, 상기 표면처리용 조성물은 5~150mM의 농도를 갖는 HEPES 수용액일 수 있다.
상기 임플란트는 티타늄 또는 티타늄 합금을 포함할 수 있다.
상기 건조단계(S20)에 의해 상기 임플란트의 표면에 도포된 상기 표면처리용 조성물 중의 용매(예를 들어, 물)가 제거되고, 상기 임플란트의 표면에 고형물질(즉, 유기화합물 및/또는 무기염)이 석출되어 잔류하게 된다. 결과로서, 친수성의 건조된 표면을 갖는 임플란트를 얻을 수 있다.
상기 건조단계(S20)는 200℃ 이하의 온도에서 수행될 수 있다. 구체적으로, 상기 건조단계(S20)는 -50℃ 내지 200℃ 이하의 온도에서 수행될 수 있다. 상기 건조단계(S20)의 온도가 200℃ 이하의 온도에서 수행되면, 상기 표면처리용 조성물이 유기화합물을 포함할 경우 상기 유기화합물의 산화가 일어나지 않을 수 있다. 상기 건조단계(S20)가 영하의 온도에서 동결건조(-20℃)에 의해 수행되면, 임플란트 표면의 친수성 특성을 유지할 수 있다
예를 들어, 상기 건조단계(S20)는 15~70℃의 온도에서 20분~4시간 동안 수행될 수 있다.
상기 임플란트의 표면처리방법은 상기 도포단계(S10) 전에 상기 임플란트의 표면을 전처리하는 단계(전처리 단계)(S1)를 더 포함할 수 있다.
상기 전처리 단계(S1)에 의해 상기 임플란트의 표면이 친수성을 갖게 된다.
상기 전처리 단계(S1)는 샌드 블라스팅, 인산칼슘 코팅, UV 처리, 플라즈마 처리, 산처리 및 염기처리 중 적어도 하나의 조작에 의해 수행될 수 있다.
상기 표면처리방법에 의해 표면처리된 임플란트는, 밀폐 포장이 아닌 일반 포장에 의해서도, 상기 표면처리 이후부터 임플란트 시술 후까지 친수성 표면을 유지할 수 있다.
이하, 실시예들을 들어 본 발명에 대하여 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명이 이러한 실시예들에 한정되는 것은 아니다.
실시예
실시예 1~3: 임플란트의 표면 전처리 및 후처리
먼저, UV 장치(아텍, AH-1700)를 이용하여 티타늄 임플란트(자체 제작)의 표면에 UV를 1시간 동안 조사하였다(이를 「전처리」라고 함). 이후, 하기 표 1의 표면처리용 조성물 10㎕를 상기 전처리된 임플란트의 표면에 도포한 후, 상기 표면처리용 조성물로 도포된 임플란트를 25℃에서 20분 및 이후 60℃에서 2시간 동안 건조하였다(이를 「후처리」라고 함).
실시예 1 실시예 2 실시예 3
표면처리용
조성물
포도당 분말을 증류수에 용해시켜 제조한 200mM 포도당 수용액 포도당 분말을 0.9wt% 생리 식염수에 용해시켜 제조한 150mM 포도당 수용액 HEPES 분말을 0.9wt% 생리 식염수에 용해시켜 제조한 100mM HEPES 수용액
비교예 1: 임플란트의 표면 전처리
UV 장치(아텍, AH-1700)를 이용하여 티타늄 임플란트(자체 제작)의 표면에 UV를 1시간 동안 조사하여 상기 임플란트의 표면을 전처리하였다. 그러나, 상기 전처리된 임플란트의 표면에 표면처리용 조성물을 도포 및 건조하는 단계(즉, 후처리단계)는 생략하였다.
평가예
평가예 1: 임플란트 표면의 색상 평가
상기 비교예 1에서 전처리만 거친 임플란트의 표면 사진과 상기 실시예 1~3에서 전처리와 후처리를 모두 거친 임플란트의 표면 사진을 촬영하여, 그 결과를 도 1에 나타내었다.
도 1을 참조하면, 실시예 1~3에서 전처리와 후처리를 모두 거친 임플란트의 표면은 비교예 1~3에서 전처리만 거친 임플란트의 표면과 다른 색상으로 변화되었음을 확인할 수 있다. 이러한 결과로부터, 실시예 1~3에서 전처리와 후처리를 모두 거친 임플란트의 표면에는 고형물질(즉, 친수성을 갖는 포도당 및/또는 생리 식염수에서 유래된 염화나트륨)이 잔류한다는 사실을 확인할 수 있다.
평가예 2: 임플란트 표면의 혈액 친화도 평가
상기 비교예 1에서 전처리만 거친 임플란트와 상기 실시예 1~3에서 전처리와 후처리를 모두 거친 임플란트를 인체 혈액에 담갔다가 꺼낸 후, 상기 각 임플란트의 사진을 촬영하여, 그 결과를 도 2에 나타내었다.
도 2를 참조하면, 실시예 1~3에서 전처리와 후처리를 모두 거친 임플란트의 표면은 비교예 1~3에서 전처리만 거친 임플란트의 표면 보다 더 넓은 부위가 혈액으로 젖어 있어 혈액과의 친화성이 우수하다는 사실을 확인할 수 있다.
평가예 3: 표면처리용 조성물의 얼룩 특성 평가
임플란트의 표면처리용 조성물 중 생리 식염수 포함 여부 및 포도당 농도에 따른 임플란트의 표면 상태를 보여주는 사진을 촬영하여, 그 결과를 도 3에 나타내었다. 여기서, 생리 식염수가 포함되지 않은 표면처리용 조성물의 제조 및 임플란트의 표면처리는 실시예 1과 동일한 방법(단, 포도당의 농도는 변화됨)으로 실시하였으며, 생리 식염수가 포함된 표면처리용 조성물의 제조 및 임플란트의 표면처리는 실시예 2와 동일한 방법(단, 포도당의 농도는 변화됨)으로 실시하였다.
도 3을 참조하면, 생리 식염수가 포함되지 않은 표면처리용 조성물을 사용한 경우, 포도당의 농도가 낮으면(25~100mM) 임플란트의 상부 표면과 하부 표면은 어두운 색상을 갖지만 중간 부분은 밝은 색상을 갖는, 띠 형상의 얼룩이 형성되었으며, 포도당의 농도가 높으면(200~400mM) 얼룩이 없이 임플란트 전체 표면이 어두운 색상을 갖는 것으로 나타났다.
또한 도 3을 참조하면, 생리 식염수가 포함된 표면처리용 조성물을 사용한 경우, 포도당의 농도가 낮은 경우와 높은 경우 모두(25~400mM) 얼룩이 없이 임플란트 전체 표면이 어두운 색상을 갖는 것으로 나타났다.
상기 결과로부터, 생리 식염수(즉, 염화나트륨)가 후처리단계후 임플란트의 표면에 얼룩이 형성되는 것을 방지해 준다는 사실을 확인할 수 있다.
평가예 3: 표면처리용 조성물의 건조 특성 평가
임플란트의 표면처리용 조성물 중 HEPES 및/또는 생리 식염수 포함 여부에 따른 임플란트의 표면 상태를 보여주는 사진을 촬영하여, 그 결과를 도 4에 나타내었다. 도 4의 각 경우에 하기 표면처리용 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1~3과 동일한 방법으로 각각의 티타늄 임플란트를 전처리 및 후처리하였다.
도 4에서, 「생리 식염수만 포함」이란 표면처리용 조성물로서 0.9wt% 생리 식염수를 사용한 것을 의미하고, 「HEPES만 포함」이란 표면처리용 조성물로서 HEPES 분말을 증류수에 용해시켜 제조한 100mM의 농도를 갖는 HEPES 수용액을 사용한 것을 의미하고, 「생리 식염수와 HEPES 포함」이란 표면처리용 조성물로서 실시예 3에서 제조된 표면처리용 조성물을 사용한 것을 의미한다.
도 4를 참조하면, 표면처리용 조성물로서 「생리 식염수」만 사용한 경우에는 임플란트의 표면에 얼룩이 형성된 것으로 나타났으며, 표면처리용 조성물로서 「HEPES」만 사용한 경우에는 임플란트의 표면에 미건조(未乾燥) 잔류물이 존재하는 것으로 나타났으며, 표면처리용 조성물로서 「생리 식염수와 HEPES」를 사용한 경우에는 임플란트의 표면에 얼룩도 형성되지 않았고 미건조 잔류물도 존재하지 않은 것으로 나타났다.
상기 결과로부터, 생리 식염수(즉, 염화나트륨)가 임플란트의 표면에 도포된 표면처리용 조성물의 건조를 촉진시켜 준다는 사실을 확인할 수 있다.
본 발명은 도면 및 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (17)

  1. 친수성기를 포함하는 유기 화합물 및 무기염을 포함하는 표면처리용 조성물을 임플란트의 표면에 도포하는 단계(도포단계); 및
    상기 도포된 표면처리용 조성물을 건조하는 단계(건조단계)를 포함하고,
    상기 친수성기는 히드록실기(OH), 카르복실기(COOH), 아미노기(NH2) 및 술폰산기(-SO3H)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하며,
    상기 유기 화합물은 당류(saccharides), 단백질류(proteins), 산류(acids) 및 Good's buffers로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하고,
    상기 무기염은 상기 건조단계에서 상기 표면처리용 조성물의 건조를 촉진하고, 상기 표면처리용 조성물로 도포된 상기 임플란트의 표면 전체가 균일한 속도로 건조되도록 하며,
    상기 표면처리용 조성물은 수용액 형태이고, 상기 유기화합물 및 상기 무기염은 수용성이며,
    상기 건조단계에 의해 상기 임플란트의 표면에 상기 유기화합물 및 상기 무기염으로부터 유래된 고형물질이 잔류하는 임플란트의 표면처리방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도포단계 전에 상기 임플란트의 표면을 전처리하는 단계(전처리 단계)를 더 포함하는 임플란트의 표면처리방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 전처리 단계는 샌드 블라스팅, 인산칼슘 코팅, UV 처리, 플라즈마 처리, 산처리 및 염기처리 중 적어도 하나의 조작에 의해 수행되는 임플란트의 표면처리방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 당류는 포도당, 셀룰로오스, 알킬 셀룰로오스, 알킬히드록시알킬 셀룰로오스, 히드록시알킬 셀룰로오스, 셀룰로오스 설페이트, 카르복시메틸 셀룰로오스의 염, 카르복시메틸 셀룰로오스, 카르복시에틸 셀룰로오스, 키틴, 카르복시메틸 키틴, 히알루론산, 히알루론산의 염, 알기네이트, 알긴산, 프로필렌글리콜 알기네이트, 글리코겐, 덱스트란, 덱스트란 설페이트, 커들란(curdlan), 펙틴, 풀루란, 잔탄, 콘드로이틴(chondroitin), 콘드로이틴 설페이트류, 카르복시메틸 덱스트란, 카르복시메틸 키토산, 키토산, 헤파린, 헤파린 설페이트, 헤파란(heparan), 헤파란 설페이트, 데르마탄 설페이트, 케라탄 설페이트, 카라기난, 키토산, 전분, 아밀로오스, 아밀로펙틴, 폴리-N-글루코사민, 폴리만뉴로닉산(polymannuronic acid), 폴리글루쿠론산(polyglucuronic acid), 폴리굴루론산(polyguluronic acid) 및 상기 당류의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 임플란트의 표면처리방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 단백질은 젤라틴, 프로트롬빈, 트롬빈, 피브리노겐, 피브린, 피브로넥틴, 헤파리나제, X 인자, Xa 인자, VII 인자, VIIa 인자, IX 인자, IXa 인자, XI 인자, XIa 인자, XII 인자, XIIa 인자, 조직 인자, 배트록소빈(batroxobin), 안크로드(ancrod), 에카린(ecarin), 폰빌레브란트 인자(von Willebrand Factor), 콜라겐, 엘라스틴, 알부민, 혈소판 표면 당단백질(platelet surface glycoproteins), 바소프레신(vasopressin), 바소프레신 아날로그(vasopressin analogs), 에피네프린(epinephrine), 셀렉틴(selectin), 응혈독(procoagulant venom), 플라스미노겐 활성화인자 억제제(plasminogen activator inhibitor), 혈소판 활성화 인자(platelet activating factor) 및 펩티드로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 임플란트의 표면처리방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 산류는 피루브산(pyruvic acid), 젖산(lactic acid), 시스테인(cysteine), 글루타민(glutamine), 티로신(tyrosine), 류신(leucine), 라이신(lycine), 발린(valine), 이소류신(isoleucine), 트레오닌(threonine), 페닐알라닌(phenilalanine), 트립토판(tryptophan), 히스티딘(hystidine), 아르기닌(arginine), 글리신(글리신), 세린(serine), 프롤린(proline), 글루탐산(glutamic acid), 아스파르트산(aspartic acid), 알라닌(alanine), 메디오닌(methionine) 및 아스파라긴(asparagine)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 임플란트의 표면처리방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 Good's buffers는 MES(2-(N-모폴리노)에탄술폰산), ADA(N-(카바모일메틸)이미노디아세트산), PIPES(1,4-피페라진디에탄술폰산), ACES(2-(카바모일메틸아미노)에탄술폰산), MOPSO(3-모폴리노-2-히드록시프로판술폰산), 콜아민 클로라이드(cholamine chloride), MOPS(3-모폴리노프로판-1-술폰산), BES(N,N-비스(2-히드록시에틸)-2-아미노에탄술폰산), TES(2-[[1,3-디히드록시-2-(히드록시메틸)프로판-2-일]아미노]에탄술폰산), HEPES(2-[4-(2-히드록시에틸)피페라진-1-일]에탄술폰산), DIPSO(3-(N,N-비스[2-히드록시에틸]아미노)-2-히드록시프로판술폰산), 아세트아미도 글리신(acetamido glycine), TAPSO(3-[[1,3-디히드록시-2-(히드록시메틸)프로판-2-일]아미노]-2-히드록시프로판-1-술폰산), HEPPSO(N-(2-히드록시에틸)피페라진-N'-(2-히드록시프로판술폰산), HEPPS(4-(2-히드록시에틸)-피페라진-1-프로판술폰산), Tricine(N-(2-히드록시-1,1-비스(히드록시메틸)에틸)글리신), 글리신아미드(glycinamide), Bicine(2-비스(2-히드록시에틸)아미노)아세트산) 및 TAPS(3-[[1,3-디히드록시-2-(히드록시메틸)프로판-2-일]아미노]프로판-1-술폰산) 으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 임플란트의 표면처리방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 표면처리용 조성물 중 상기 유기화합물의 농도는 2,000mM 이하인 임플란트의 표면처리방법.
  11. 삭제
  12. 제1항에 있어서,
    상기 무기염은 금속 염화물, 금속 인산염, 금속 황산염, 금속 탄산염 및 금속 질산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 임플란트의 표면처리방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 무기염 중의 금속은 나트륨, 칼슘, 칼륨, 스트론튬, 망간 및 마그네슘으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 임플란트의 표면처리방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 표면처리용 조성물 중 상기 무기염의 농도는 200 mM 이하인 임플란트의 표면처리방법.
  15. 삭제
  16. 제1항에 있어서,
    상기 임플란트는 티타늄 또는 티타늄 합금을 포함하는 임플란트의 표면처리방법.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 건조단계는 200℃ 이하의 온도에서 수행되는 임플란트의 표면처리방법.
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