KR101397582B1 - 전기도금용 불용성 양극의 제조장치 및 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전기도금용 불용성 양극의 제조장치에 관한 것으로서, 전기도금용 양극의 표면을 연마하는 샌드블라스팅부와, 연마된 양극의 표면에 발생된 오염물을 산세처리하는 에칭부와, 산세처리된 양극의 표면조도를 조절하는 방전가공부와, 표면조도가 조절된 양극의 표면에 스프레이에 의해 이리듐 코팅층을 형성하는 코팅부와, 표면에 이리듐 코팅층이 형성된 양극을 열경화처리하는 열처리부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 전기도금용 양극의 표면을 에칭과 방전가공에 의해 전처리하여 이리듐 코팅층을 형성함으로써, 전기도금용 불용성 양극의 제조공정의 제조시간을 단축하는 동시에 생산성을 향상시키고 제조비용을 절감할 수 있는 효과를 제공한다.
Description
본 발명은 전기도금용 불용성 양극의 제조장치 및 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전기도금용 양극의 표면에 이리듐 코팅층을 형성하는 전기도금용 불용성 양극의 제조장치 및 제조방법에 관한 것이다.
전기도금공정은 양극에서 인가된 전류가 전해질의 도금용액을 통하여 음극으로 흘러가는 과정에서 급속 양이온이 전류의 영향으로 음극에 부착되는 것을 이용하는 방식이다. 이러한 전기도금공정의 전기화학 프로세스(process)는 양극이 용해되고 음극에 금속이온이 부착된다.
이러한 상황에서 지속적으로 전기도금을 유지시키기 위해서는 양극의 용해가 억제되어야 하는데 이러한 양극의 소모, 즉 용해를 억제하는 방법으로는 일반적으로 사용되는 것이 귀금속계 양극을 사용하는 방법이다.
이러한 귀금속계 양극은 주로 백금족 금속으로서 백금(Pt), 이리듐(Ir), 탄탈륨(Ta) 등을 주로 사용하게 되는데, 백금족원소들은 희원소로서 그 가격이 매우 높아 양극 전체를 구성하는 소재물질로 사용하기에는 문제가 있다.
일반적으로 이러한 백금족원소의 특성을 지니는 양극을 구성하기 위하여 사용되는 방법은, 양극을 구성하는 타이타늄(Ti) 판재 위에 결합을 위한 중간층으로 탄탈륨(Ta)을 코팅한 후 표면에 이산화 이리듐(IrO2) 코팅층을 형성하여 사용한다.
이러한 표면 코팅층을 지니는 불용성양극은 제조 방법상 타이타늄 판재의 표면을 샌딩(sanding)공정을 이용하여 표면 조도를 지니는 층을 구성한 후 탄탈륨(Ta)을 코팅하고 이산화 이리듐(IrO2) 용액을 붓이나 브러시(brush)를 이용하여 바른 후 열경화 시키는 과정을 약 40회 반복하여 10㎛ 정도의 이산화 이리듐(IrO2) 층을 구성하게 된다. 이러한 기존의 과정의 큰 문제점은 2가지로 나타난다.
먼저 타이타늄 판재의 표면에 조도를 형성하기 위한 샌딩(sanding)공정을 실시한 후 타이타늄의 표면이 드러나면, 그 즉시 공기중의 산소와 결합하여 산화되며 이러한 산화는 타이타늄 산화층(TiO2)을 형성하게 되는 데 이러한 타이타늄 산화층(TiO2)은 절연특성을 지니므로 양극의 형성과정의 저항을 증가시키는 문제가 있다.
두번째 문제점은 이러한 타이타늄 판재의 표면에 이산화 이리듐(IrO2) 용액을 코팅하는 과정이 수작업을 통하여 이루어지는 공정으로 40회 반복의 브러시(brush) 공정 및 열경화 공정을 거쳐야 하므로 매우 장시간의 공정시간 및 다수의 인력이 소요되는 문제가 있다.
상기한 문제점으로 인하여 불용성 양극의 제조과정이 복잡하고 제조비용이 증가 하게 되며, 특히 타이타늄의 표면에 산화층의 형성으로 전기적 특성이 변화하는 문제도 발생시키게 된다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출한 것으로서, 전기도금용 불용성 양극의 제조공정의 제조시간을 단축하는 동시에 생산성을 향상시키고 제조비용을 절감할 수 있고, 양극과 공기와의 접촉에 의한 양극의 표면산화를 방지할 수 있고, 이리듐 코팅층의 코팅효율을 향상시키며, 양극의 표면에 도포되는 용액의 반발력이 감소되어 소망량의 용액을 정확하게 도포할 수 있는 전기도금용 불용성 양극의 제조장치 및 제조방법를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 전기도금용 양극의 표면을 연마하는 샌드블라스팅부; 상기 샌드블라스팅부에 의해 연마된 양극의 표면에 발생된 오염물을 산세처리하는 에칭부; 상기 에칭부에 의해 산세처리된 양극의 표면조도를 조절하는 방전가공부; 상기 방전가공부에 의해 표면조도가 조절된 양극의 표면에 스프레이에 의해 이리듐 코팅층을 형성하는 코팅부; 및 상기 코팅부에 의해 표면에 이리듐 코팅층이 형성된 양극을 열경화처리하는 열처리부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 샌드블라스팅부, 상기 에칭부, 상기 방전가공부, 상기 코팅부 및 상기 열처리부 중 적어도 어느 하나는, 상기 양극의 표면산화를 방지하도록 불활성 가스의 분위기에서 이루어진다.
본 발명의 상기 방전가공부는, 상기 양극의 표면조도를 7㎛이하로 조절한다. 본 발명의 상기 코팅부는, 토출압력이 0.1∼1.0㎏f/㎠인 저압 스프레이를 사용한다.
또한, 본 발명은 전기도금용 양극의 표면을 연마하는 샌드블라스팅 단계;
상기 샌드블라스팅 단계에서 연마된 양극의 표면에 발생된 오염물을 산세처리하는 에칭단계;
상기 에칭단계에서 산세처리된 양극의 표면조도를 조절하는 방전가공단계;
상기 방전가공단계에서 표면조도가 조절된 양극의 표면에 저압 스프레이에 의해 이리듐 코팅층을 형성하는 코팅단계; 및
상기 코팅단계에서 표면에 이리듐 코팅층이 형성된 양극을 열경화처리하는 열처리단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 전기도금용 양극의 표면을 에칭과 방전가공에 의해 전처리하여 이리듐 코팅층을 형성함으로써, 전기도금용 불용성 양극의 제조공정의 제조시간을 단축하는 동시에 생산성을 향상시키고 제조비용을 절감할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 샌드블라스팅부, 에칭부, 방전가공부, 코팅부 및 열처리부는 불활성 가스 분위기에서 처리가 이루어짐으로써, 양극과 공기와의 접촉에 의한 양극의 표면산화를 방지할 수 있게 된다.
또한, 양극의 표면을 방전가공하여 표면조도를 균일화함으로써, 이리듐 코팅층의 코팅효율을 향상시키게 된다.
또한, 양극의 표면에 이리듐 코팅층의 형성시 저압 스프레이를 사용함으로써, 양극의 표면에 도포되는 용액의 반발력이 감소되어 소망량의 용액을 정확하게 도포할 수 있는 효과를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 전기도금용 불용성 양극의 제조장치를 나타내는 구성도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 전기도금용 불용성 양극의 제조방법을 나타내는 흐름도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 전기도금용 불용성 양극의 제조방법을 나타내는 흐름도.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 더욱 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 전기도금용 불용성 양극의 제조장치를 나타내는 구성도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 전기도금용 불용성 양극의 제조방법을 나타내는 흐름도이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 의한 전기도금용 불용성 양극의 제조장치는 샌드블라스팅부(10), 에칭부(20), 방전가공부(30), 코팅부(40) 및 열처리부(50)를 포함하여 이루어져 있다.
샌드블라스팅부(10)는, 전기도금용 양극의 표면을 샌드블라스터에 의해 연마하는 연마수단으로서, 전기도금용 불용성 양극의 원소재인 타이타늄(titanium) 판재의 표면을 샌드블라스팅부(10)에 의해 연마하게 된다.
이때, 양극의 표면은 대략 7㎛ 내외의 표면조도를 가지게 되며, 이러한 양극의 표면조도는, 이후 처리공정에서 이리듐(Iridium) 코팅층, 즉 이산화 이리듐(IrO2)의 부착력을 향상시키는 주요한 역할을 하게 된다.
에칭부(20)는, 샌드블라스팅부(10)의 하류에 설치되어 연마된 양극의 표면에 발생된 오염물을 산세처리하는 산세수단으로서, 일정한 조도가 얻어진 타이타늄 판재의 표면에 발생한 각종 오염물 및 타이타늄 산화층(TiO2)을 제거하기 위하여 에칭부(20)에 의해 산세처리하게 된다.
이러한 에칭부(20)의 산세처리시에는 양극 표면에 발생된 산화층이 제거하게 되며, 이후로부터 양극과 공기중의 산소가 결합하게 되면 즉시 타이타늄 산화층이 발생하게 되므로 철저히 공기와의 접촉을 차단하기 위해 불활성 가스 분위기로 유지하여 추가적인 타이타늄 산화층의 형성을 억제하는 것이 바람직하다.
방전가공부(30)는, 에칭부(20)의 하류에 설치되어 산세처리된 양극의 표면조도를 조절하는 표면처리수단으로서, 샌드블라스팅부(10)에 의한 양극 표면의 조도형성과정에서 과다하게 발생한 조도부분, 즉 높은 산으로 형성되어 7㎛의 조도를 초과하는 부분을 제거하도록 방전가공부(30)에 의해 처리하게 된다.
방전가공부(30)는 고압의 전기에너지에 의한 아크방전을 양극인 타이타늄 판재의 표면에 형성시켜 불활성 가스 분위기에서 양극의 표면에 대한 방전가공을 통해 표면조도의 불균일층을 제거하게 된다. 따라서 이러한 방전가공부(30)는, 코팅부(40)에서 코팅효율을 향상시키기 위해 양극의 표면조도를 7㎛이하로 조절하는 것이 바람직하다.
코팅부(40)는, 방전가공부(30)의 하류에 설치되어 방전가공부(30)에 의해 표면조도가 조절된 양극의 표면에 스프레이에 의해 이리듐 코팅층을 형성하는 코팅수단이다.
이러한 코팅부(40)는, 토출압력이 0.1∼1.0㎏f/㎠인 저압 스프레이를 사용하는 것이 바람직하다. 따라서 코팅부(40)에서 일반적인 토출압력이 1.0 ㎏f/㎠ 초과인 고압의 스프레이와 달리 토출압력이 0.1∼1.0㎏f/㎠인 저압의 스프레이를 사용하므로, 양극의 표면에 도포되는 용액의 반발력이 감소되어 소망량의 용액을 정확하게 도포할 수 있게 된다.
이러한 저압 스프레이에 의한 코팅부(40)는 작업자의 수작업으로 이루어지는 붓질과정을 대체하게 되며, 보다 효과적으로 이리듐 코팅층의 형성이 가능할 뿐만 아니라 5회 미만의 반복적인 저압 스프레이의 분사에 의해 소망 두께의 이리듐 코팅층의 형성이 가능하게 된다.
열처리부(50)는, 코팅부(40)의 하류에 설치되어 표면에 이리듐 코팅층이 형성된 양극을 열경화처리하는 열처리수단으로서, 코팅부(40)의 저압 스프레이에 의해 양극의 표면에 액체상태로 도포된 이리듐 코팅층을 가열에 의해 경화시켜 최종적으로 전기도금용 불용성 양극을 형성하게 된다.
이러한 열처리부(50)는, 표면에 이리듐 코팅층이 형성된 양극을 1차적으로 가열하는 전처리 히팅구간(51)과, 1차적으로 가열된 양극을 2차적으로 가열하여 건조시키는 히팅건조구간(52)과, 2차적으로 가열건조된 양극을 냉각시키는 냉각구간(53)으로 이루어져 있다.
또한, 샌드블라스팅부(10), 에칭부(20), 방전가공부(30), 코팅부(40) 및 열처리부(50)가 연속적으로 설치되어 양극이 컨베이어나 벨트 등과 같은 이송수단(70)에 의해 연속적으로 이동되면서 전기도금용 불용성 양극의 제조공정이 연속적으로 이루어져, 양극의 표면과 코팅층 사이의 경계층으로 사용되는 탄탈륨(Ta)의 사용이 불필요하게 됨으로써, 전기도금용 불용성 양극의 제조공정의 경제성이 향상되고, 자동화된 고품질의 전기도금용 불용성 양극을 제조할 수 있게 된다.
이러한 이송수단(70)은, 양극을 외부로부터 샌드블라스팅부(10)을 통과해서 에칭부(20)로 이송시키는 제1 이송부(71)와, 양극을 에칭부(20)로부터 방전가공부(30)를 통과해서 코팅부(40)로 이송시키는 제2 이송부(72)와, 코팅부(40)로부터 열처리부(50)로 이송시키는 제3 이송부(73)와, 열처리부(50)로부터 외부로 이송시키는 제4 이송부(74)로 이루어져 있다.
샌드블라스팅부(10), 에칭부(20), 방전가공부(30), 코팅부(40) 및 열처리부(50)에는, 양극과 공기와의 접촉에 의한 양극의 표면산화를 방지하도록 불활성 가스의 분위기가 이루어지도록 외부에서 불활성 가스가 공급되는 공급배관(60)이 설치되어 있는 것이 바람직하다.
이러한 공급배관(60)은, 외부에서 불활성 가스가 공급되는 메인배관(61)과, 메인배관(61)에서 샌드블라스팅부(10)로 분기된 제1 분기관(62)과, 메인배관(61)에서 에칭부(20)로 분기된 제2 분기관(63)과, 메인배관(61)에서 방전가공부(30)로 분기된 제3 분기관(64)과, 메인배관(61)에서 코팅부(40)로 분기된 제4 분기관(65)과, 메인배관(61)에서 열처리부(50)로 분기된 제5 분기관(66)으로 이루어져 있다.
또한, 도면을 참조해서 본 실시예에 의한 전기도금용 불용성 양극의 제조방법을 구체적으로 설명한다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 의한 전기도금용 불용성 양극의 제조방법은 샌드블라스팅 단계(S10), 에칭단계(S20), 방전가공단계(S30), 코팅단계(S40) 및 열처리단계(S50)를 포함하여 이루어진다.
샌드블라스팅 단계(S10)는, 전기도금용 양극의 표면을 샌드블라스터에 의해 연마하는 연마단계로서, 전기도금용 불용성 양극의 원소재인 타이타늄(titanium) 판재의 표면을 샌드블라스팅부(10)에 의해 연마하게 된다.
에칭단계(S20)는, 샌드블라스팅 단계(S10)에서 연마된 양극의 표면에 발생된 오염물을 산세처리하는 산세단계로서, 일정한 조도가 얻어진 타이타늄 판재의 표면에 발생한 각종 오염물 및 타이타늄 산화층(TiO2)을 제거하기 위하여 에칭부(20)에 의해 산세처리하게 된다.
방전가공단계(S30)는, 에칭단계(S20)에서 산세처리된 양극의 표면조도를 조절하는 표면처리단계로서, 샌드블라스팅부(10)에 의한 양극 표면의 조도형성과정에서 과다하게 발생한 조도부분, 즉 높은 산으로 형성되어 7㎛의 조도를 초과하는 부분을 제거하도록 방전가공부(30)에 의해 처리하게 된다.
코팅단계(S40)는, 방전가공단계(S30)에서 표면조도가 조절된 양극의 표면에 스프레이에 의해 이리듐 코팅층을 형성하는 코팅단계로서, 양극의 표면에 토출압력이 0.1∼1.0㎏f/㎠인 저압 스프레이를 사용하여 이리듐 코팅층을 형성하게 된다.
열처리단계(S50)는, 코팅단계(S40)에서 표면에 이리듐 코팅층이 형성된 양극을 열경화처리하는 열처리단계로서, 코팅부(40)의 저압 스프레이에 의해 양극의 표면에 액체상태로 도포된 이리듐 코팅층을 가열에 의해 경화시켜 최종적으로 전기도금용 불용성 양극을 형성하게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 전기도금용 양극의 표면을 에칭과 방전가공에 의해 전처리하여 이리듐 코팅층을 형성함으로써, 전기도금용 불용성 양극의 제조공정의 제조시간을 단축하는 동시에 생산성을 향상시키고 제조비용을 절감할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 샌드블라스팅부, 에칭부, 방전가공부, 코팅부 및 열처리부는 불활성 가스 분위기에서 처리가 이루어짐으로써, 양극과 공기와의 접촉에 의한 양극의 표면산화를 방지할 수 있고, 양극의 표면을 방전가공하여 표면조도를 균일화함으로써, 이리듐 코팅층의 코팅효율을 향상시키게 된다.
또한, 양극의 표면에 이리듐 코팅층의 형성시 저압 스프레이를 사용함으로써, 양극의 표면에 도포되는 용액의 반발력이 감소되어 소망량의 용액을 정확하게 도포할 수 있는 효과를 제공한다.
이상 설명한 본 발명은 그 기술적 사상 또는 주요한 특징으로부터 벗어남이 없이 다른 여러 가지 형태로 실시될 수 있다. 따라서 상기 실시예는 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며 한정적으로 해석되어서는 안 된다.
10: 샌드블라스팅부 20: 에칭부
30: 방전가공부 40: 코팅부
50: 열처리부
30: 방전가공부 40: 코팅부
50: 열처리부
Claims (5)
- 전기도금용 양극의 표면을 연마하는 샌드블라스팅부;
상기 샌드블라스팅부에 의해 연마된 양극의 표면에 발생된 오염물을 산세처리하는 에칭부;
상기 에칭부에 의해 산세처리된 양극의 표면조도를 조절하는 방전가공부;
상기 방전가공부에 의해 표면조도가 조절된 양극의 표면에 스프레이에 의해 이리듐 코팅층을 형성하는 코팅부; 및
상기 코팅부에 의해 표면에 이리듐 코팅층이 형성된 양극을 열경화처리하는 열처리부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기도금용 불용성 양극의 제조장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 샌드블라스팅부, 상기 에칭부, 상기 방전가공부, 상기 코팅부 및 상기 열처리부 중 적어도 어느 하나는, 상기 양극의 표면산화를 방지하도록 불활성 가스의 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기도금용 불용성 양극의 제조장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 방전가공부는, 상기 양극의 표면조도를 7㎛이하로 조절하는 것을 특징으로 하는 전기도금용 불용성 양극의 제조장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 코팅부는, 토출압력이 0.1∼1.0㎏f/㎠인 저압 스프레이를 사용하는 것을 특징으로 하는 전기도금용 불용성 양극의 제조장치. - 전기도금용 양극의 표면을 연마하는 샌드블라스팅 단계;
상기 샌드블라스팅 단계에서 연마된 양극의 표면에 발생된 오염물을 산세처리하는 에칭단계;
상기 에칭단계에서 산세처리된 양극의 표면조도를 조절하는 방전가공단계;
상기 방전가공단계에서 표면조도가 조절된 양극의 표면에 토출압력이 0.1∼1.0㎏f/㎠인 저압 스프레이에 의해 이리듐 코팅층을 형성하는 코팅단계; 및
상기 코팅단계에서 표면에 이리듐 코팅층이 형성된 양극을 열경화처리하는 열처리단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기도금용 불용성 양극의 제조방법.
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPH06101083A (ja) * | 1992-06-25 | 1994-04-12 | Eltech Syst Corp | 耐用寿命が改善された電極 |
| JPH08109490A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-04-30 | Daiso Co Ltd | 酸素発生用陽極の製法 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06101083A (ja) * | 1992-06-25 | 1994-04-12 | Eltech Syst Corp | 耐用寿命が改善された電極 |
| JPH08109490A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-04-30 | Daiso Co Ltd | 酸素発生用陽極の製法 |
| KR100809855B1 (ko) | 2000-06-09 | 2008-03-04 | 데 노라 엘레트로디 에스.피.에이. | 고도의 고착성 표면 촉매층을 포함하는 전극 |
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