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KR101391100B1 - 유기발광 다이오드 구동 화소회로 - Google Patents

유기발광 다이오드 구동 화소회로 Download PDF

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KR101391100B1
KR101391100B1 KR1020130005917A KR20130005917A KR101391100B1 KR 101391100 B1 KR101391100 B1 KR 101391100B1 KR 1020130005917 A KR1020130005917 A KR 1020130005917A KR 20130005917 A KR20130005917 A KR 20130005917A KR 101391100 B1 KR101391100 B1 KR 101391100B1
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KR
South Korea
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tft
voltage
scan
pixel circuit
oled
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KR1020130005917A
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배병성
이재표
전호식
Original Assignee
호서대학교 산학협력단
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Publication date
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Abstract

유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 화소회로가 개시된다. 본 발명의 일실시예의 화소회로에는, 3개의 스위칭 박막 트랜지스터(TFT)와 하나의 구동 TFT가 사용되고, 2개의 스캔라인과 1개의 데이터 라인으로 구성된다. 본 발명에 의하면 전원전압 라인을 제거해 회로가 단순해지고 발광영역이 증가함에 따라 더 높은 휘도를 구현할 수 있고, 구동 TFT의 문턱전압 변화와 전원라인의 전압강하를 보상하여 OLED의 균일한 휘도를 표현할 수 있다.

Description

유기발광 다이오드 구동 화소회로{PIXEL CIRCUIT FOR DRIVING OLED}
본 발명은 유기발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; OLED) 구동 화소회로에 관한 것이다.
최근 스마트폰을 포함하는 스마트 디바이스의 발전으로 인해, 디스플레이의 경량화, 박형화, 저소비력화, 고속 응답화 등의 요구가 크게 대두하고 있다. 이러한 요구에 부응하는 차세대 디스플레이 소자로서 유기 발광다이오드(Organic Light Emitting Diode; OLED)가 주목을 받고 있다.
OLED는 백라이트(backlight)를 구비하지 않아도 되므로 액정표시장치(Liquid Crystalline Device; LCD)에 비해 박형화 및 경량화가 가능하며, 보다 저렴하고 쉽게 제작할 수 있고 넓은 시야각을 가지는 장점이 있다.
이러한 OLED 디스플레이 분야에서는 박막 트랜지스터(Thin-Film Transistor; TFT) 기술이 널리 사용이 되고 있으며, 능동형 유기 발광다이오드(AMOLED)의 경우에는 저온 공정의 다결정 실리콘 TFT 기술이 주로 사용이 되고 있다. 그 이유는 저온 다결정 실리콘(Low-Temperature Polycrystalline Silicon; LTPS) TFT는 아모포스 실리콘(amorphous silicon: a-Si) TFT보다 이동도가 높아, 더 많은 전류를 공급할 수 있고 장시간 안정성이 뛰어나기 때문이다.
LTPS TFT는 a-Si TFT에 엑시머 레이저를 조사하여 결정화하는 ELA(Excimer Laser Annealing) 기술이 많이 활용되고 있으며, ELA 결정화법에 의해 소자의 채널이 무작위의 다결정 형태를 이루기 때문에 소자마다 각기 다른 전기적 특성이 있다. 즉, 화소회로에서 TFT의 문턱전압(threshold voltage)을 변화시켜 각 화소에 동일한 데이터 전압을 인가하더라도 각기 다른 전류가 흐르게 된다. 그러나, 구동 TFT의 특성이 디스플레이 내에서 인접한 화소간에 차이를 보이게 되면, 위치별로 OLED에 흐르는 전류량이 달라 서로 다른 휘도를 보이게 되는 문제점이 있다.
또한, 화소 내 스캔라인과 데이터 라인은 금속으로 이루어져 있으며, 전류 구동소자인 OLED는 금속라인의 저항 때문에 전압 강하(IR drop)를 피할 수 없다. 도 1은 디스플레이 패널에서 전원전압(VDD) 배선에 전압강하가 발생하는 화소회로의 레이아웃을 설명하기 위한 구조도이다.
전원전압인 VDD 라인에 전압강하가 생기게 되면, 화소가 VDD 입력단자로부터 멀어질수록 구동 TFT의 드레인에 인가되는 전원전압이 감소하여 휘도가 감소하게 된다. 최근 디스플레이의 사이즈가 대면적으로 발전하면서 스캔라인과 데이터 라인의 수가 증가하여, 전압강하에 의한 휘도 저하가 더욱 증가하게 되는 문제점이 있다.
한편, 회로를 좀 더 간단하게 구성하고 개구율을 높이기 위해, 전원전압라인을 제거하는 기술이 등장하고 있다.
도 2a는 종래의 화소회로의 구성도이고, 도 2b는 전원전압라인을 제거한 종래의 화소회로의 구조도이다. 그러나, 도 2b와 같이 전원전압 라인을 제거한 화소회로는, 회로가 간단해지고 개구율이 높아지는 효과는 있으나, 구동 TFT의 문턱전압변화에 의해 OLED의 휘도가 불균일해지는 문제점은 해결할 수 없었다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, AMOLED 화소회로에서 신호 배선의 수를 줄여 발광영역을 증가시고, OLED의 휘도 불균일도에 영향을 미치는 구동 TFT의 문턱전압 변화와 전원라인의 전압강하를 보상하여, OLED의 균일한 휘도를 표현할 수 있는 OLED 구동 화소회로를 제공하는 것이다.
상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 화소회로는, 게이트에 제1스캔라인이 연결되는 제1박막 트랜지스터(TFT); 상기 제1TFT의 드레인에 제2TFT의 소스가 연결되고, 상기 제1TFT의 소스에 상기 제2TFT의 드레인이 연결되며, 게이트에 제2스캔라인이 연결되는 상기 제2TFT; 상기 제2TFT의 게이트에 게이트가 연결되는 제3TFT; 상기 OLED에 제4TFT의 소스가 연결되고, 상기 제3TFT의 소스와 상기 제4TFT의 게이트가 연결되어, 상기 OLED에 전류를 공급하는 상기 제4TFT; 및 상기 제1TFT의 소스와 상기 제4TFT의 게이트 사이에 연결되어, 상기 제4TFT의 게이트에 인가되는 전압을 일정 기간 유지하는 커패시터를 포함하며, 상기 제1TFT의 드레인에 데이터 라인이 연결되고, 상기 제1 및 제2스캔라인과 상기 데이터 라인에 인가되는 제1 및 제2스캔전압과 데이터 전압을 반복하여 구현되는 제1 내지 제3구간에서 제어할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 제1구간에서, 상기 제1스캔라인에 인가되는 제1스캔전압은 HIGH이고, 상기 제2스캔라인에 인가되는 제2스캔전압은 LOW이고, 상기 데이터 라인에 인가되는 데이터 전압이 HIGH일 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 제1스캔전압은 상기 제4TFT를 턴온하고, 상기 제2스캔전압은 상기 제2TFT 및 상기 제3TFT를 턴온할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 제2TFT를 통해 상기 데이터 전압을 상기 제2TFT의 드레인 전압으로 충전할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 제3 및 제4TFT를 통해 상기 제1스캔전압에서 상기 제4TFT의 문턱전압을 차감한 전압이 제4TFT의 게이트 전압으로 충전될 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 제2구간에서, 상기 제1스캔라인에 인가되는 제1스캔전압은 LOW이고, 상기 제2스캔라인에 인가되는 제2스캔전압은 HIGH이고, 상기 데이터 라인에 인가되는 데이터 전압이 LOW일 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 제1스캔전압은 상기 제1TFT를 턴온할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 커패시터는, 상기 제4TFT의 게이트 전압과 상기 제1TFT의 소스전압을 커플링할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 제1TFT를 통해 상기 제1구간에서 충전된 상기 제2TFT의 드레인 전압을 방전할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 제3구간에서, 상기 제1스캔라인에 인가되는 제1스캔전압은 HIGH이고, 상기 제2스캔라인에 인가되는 제2스캔전압은 HIGH이고, 상기 데이터 라인에 인가되는 데이터 전압은 LOW일 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 제1스캔전압은 상기 제4TFT를 턴온할 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 제1스캔전압은 전원전압으로 사용될 수 있다.
본 발명의 일실시예에서, 상기 제1 내지 제3구간에서 상기 제1 내지 제4TFT는 P-타입 TFT일 수 있다.
상기와 같은 본 발명은, 전원전압(VDD) 라인을 제거해 회로가 단순해지고 발광영역이 증가함에 따라 더 높은 휘도를 구현할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 OLED의 휘도 불균일도에 영향을 미치는 구동 TFT의 문턱전압 변화와 전원라인의 전압강하를 보상하여 OLED의 균일한 휘도를 표현하게 하는 효과가 있다.
도 1은 디스플레이 패널에서 전원전압(VDD) 배선에 전압강하가 발생하는 화소회로의 레이아웃을 설명하기 위한 구조도이다.
도 2a는 도 1의 화소회로의 구성도이고, 도 2b는 종래 전원전압라인을 제거한 화소회로의 구조도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 OLED 구동 화소회로를 설명하기 위한 회로도이다.
도 4는 도 3의 화소회로의 동작타이밍도이다.
도 5는 도 4의 각 구간별 동작을 설명하기 위한 일예시도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예의 OLED 구동 화소회로에서 동작구간별 구동 TFT(T4)의 문턱전압 변화에 따른 드레인 전압을 나타낸 일예시도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예의 OLED 구동 화소회로에서 데이터 전압의 변화와 구동 TFT(T4)의 문턱전압 변화에 따른 OLED 전류를 나타낸 일예시도이다.
도 8은 본 발명의 일실시예의 OLED 구동 화소회로에서 전원전압의 전압강하에 따른 OLED 전류의 에러율을 나타내는 일예시도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러가지 실시예를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예를 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 OLED 구동 화소회로를 설명하기 위한 회로도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 화소회로는 유기발광 다이오드(OLED), OLED에 전류를 공급하는 구동 박막트랜지스터(TFT)(T4), 구동 TFT(T4)에 인가되는 데이터 전압 및 스캔전압을 제어하는 스위칭 TFT1, 2, 3(T1, T2, T3) 및 구동 TFT(T4)의 게이트에 인가된 전압을 일정 기간 유지하는 커패시터(C1)를 포함한다. 본 발명의 일실시예에서 복수의 TFT(T1 내지 T4)는 예를 들어 P-타입 TFT일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, N-타입 TFT에 의해서도 회로를 구성할 수 있을 것이다.
본 발명의 일실시예의 화소회로는 데이터 전압을 공급하는 데이터 라인(Data)과 스캔전압을 공급하는 스캔라인1(Scan1) 및 스캔라인2(Scan2)을 포함하며, 전원전압(VDD)은 별도의 외부 전원에 의해 공급되지 않고 스캔라인1을 통해 공급받도록 구성될 수 있다.
구체적으로 설명하면, OLED의 애노드(anode)에 구동 TFT(T4)의 소스가 연결되어 있으며, 구동 TFT(T4)의 드레인에 스캔전압1이 인가되는 스캔라인1에 연결된다. 스위칭 TFT1(T1)의 게이트에는 스캔라인1이 연결된다. 즉, 스위칭 TFT1(T1)의 게이트는 구동 TFT(T4)의 드레인과 연결되어 있다.
스위칭 TFT1(T1)의 드레인과 소스는 스위칭 TFT2(T2)의 소스와 드레인과 각각 연결되고, 스위칭 TFT1(T1)과 스위칭 TFT2(T2)의 드레인과 소스의 연결노드는 데이터 라인과 연결된다. 또한, 스위칭 TFT1(T1)과 스위칭 TFT2(T2)의 소스와 드레인의 연결노드(A 노드)와 구동 TFT(T4)의 게이트와 스위칭 TFT3(T3)의 소스의 연결노드(B 노드) 사이에는 커패시터(C1)가 연결된다.
스위칭 TFT2(T2)의 게이트와 스위칭 TFT3(T3)의 게이트가 연결되고, 스위칭 TFT2(T2)의 게이트와 스위칭 TFT3(T3)의 게이트는 각각 스캔라인2와 연결된다. 또한, 스위칭 TFT3(T3)의 드레인과 OLED의 애노드가 연결되어 있으며, OLED의 캐소드(cathode)는 접지와 연결되어 있다.
도 4는 도 3의 화소회로의 동작타이밍도이고, 도 5는 도 4의 각 구간별 동작을 설명하기 위한 일예시도이다.
P는 데이터 입력(data input) 구간, Q는 보상(compensation) 구간, R은 방출(emission) 구간을 나타낸다. 데이터 입력구간(P), 보상구간(Q) 및 방출구간(R)은 반복하여 진행된다. 또한, VSCAN1은 스캔라인1에 인가되는 스캔전압1이고, VSCAN2은 스캔라인2에 인가되는 스캔전압2이고, VDATA는 데이터 라인에 인가되는 데이터 전압을 나타낸다. 또한, 본 발명의 설명에서 사용하는 '고전압' 및 '저전압'은 도 4와 같이 디지털 입력이 HIGH와 LOW인 경우를 나타낸 것이다. 고전압과 저전압의 구체적인 값은 회로의 성격에 따라 달라지는 것이므로, 본 발명의 설명에서는 고전압 및 저전압이라는 용어를 사용하는 것으로 한다.
또한, 도 5에서, 원의 내부에 표기된 TFT는, 닫혔다는 것을 의미한다. 즉, 도 5의 (a)에서는 스위칭 TFT1(T1)이 닫힌 것을 의미하고, 도 5의 (b)에서는 스위칭 TFT2(T2), 스위칭 TFT3(T3) 및 구동 TFT(T4)가 닫힌 것을 의미한다. 마찬가지로, 도 5의 (c)에서는 스위칭 TFT1 내지 TFT3(T1 내지 T3)가 닫힌 것을 의미한다.
데이터 입력구간(P)의 목적은 화소회로에서 A 노드에 새로운 데이터 전압을 지정하고 B 노드에 구동 TFT(T4)의 문턱전압을 보상하는 전압을 저장하는 것이다.
즉, 도 4 및 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 데이터 입력구간(P)에서, 스캔라인2에는 스위칭 TFT2(T2) 및 스위칭 TFT3(T3)를 턴온하기 위해 저전압이 인가될 수 있다. A 노드의 전압은 스위칭 TFT2(T2)를 통해 커패시터(C1)에 의해 저장된다. 이를 VDATA _H라 하자. VDATA _H는 VDATA의 고전압을 의미하는 것으로 사용되었다.
반면, 스캔라인1에는 구동 TFT(T4)를 턴온하기 위해 고전압이 인가될 수 있다. B 노드의 전압은 구동 TFT(T4)와 스위칭 TFT3(T3)을 통해 구동 TFT(T4)가 턴오프될 때까지 커패시터(C1)에 의해서 VSCAN1-|VTH _ T4|로 저장된다. VTH _ T4는 구동 TFT(T4)의 문턱전압이다.
보상구간(Q)에서는, 도 4 및 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 스캔전압1(VSCAN1)은 스위칭 TFT(T1)를 턴온하기 위해 저전압이 된다. A 노드의 전압은 데이터 전압(VDATA)이 저전압으로 바뀌면서 스위칭 TFT(T1)을 통해서 VDATA _H에서 VDATA _L로 방전된다. VDATA _L는 VDATA의 저전압을 의미하는 것으로 사용되었다. 이때 다른 TFT(T2 내지 T4)는 모두 턴오프되고, B 노드의 전압은 커패시터(C1)의 커플링(coupling)에 의해 VSCAN1-|VTH _ T4|에서 VSCAN1-|VTH _ T4|-VDATA가 된다.
마지막으로 방출구간(R)에서는, 도 4 및 도 5의 (c)에 도시된 바와 같이, VSCAN1과 VSCAN2는 고전압이고, 스위칭 TFT(T1 내지 T3)는 턴오프가 된다. 그러므로, 구동 TFT(T4)의 드레인 전압은 스캔전압1(VSCAN1)이 되고 구동 TFT(T4)의 게이트 전압은 VSCAN1-|VTH_T4|-VDATA이 된다. 따라서, OLED에 인가되는 전류인 구동 TFT(T4)의 포화영역(saturation region)에서의 드레인 전류는 다음 수학식과 같다.
Figure 112013005212648-pat00001
Figure 112013005212648-pat00002
Figure 112013005212648-pat00003
이때 k는
Figure 112013005212648-pat00004
이며, 여기서 μ는 전계이동도, COX는 게이트 절연막의 정전용량, W/L은 TFT의 길이에 대한 너비의 비율을 나타낸다.
수학식 1에서 나타나는 바와 같이, OLED 전류는 구동 TFT(T4)의 문턱전압과 전원전압의 전압강하에 무관하며, 오직 데이터 전압에 의해서만 영향을 받게 됨을 알 수 있다.
위와 같은 본 발명의 화소회로에서, 스캔라인1에 인가되는 스캔전압은, 저전압일 경우 스위칭 TFT1(T1)을 턴온하는데 사용되고, 고전압일 경우 전원전압라인으로 사용되고 있음을 알 수 있다.
도 6은 본 발명의 일실시예의 OLED 구동 화소회로에서 동작구간별 구동 TFT(T4)의 문턱전압 변화에 따른 드레인 전압을 나타낸 일예시도이고, 도 7은 본 발명의 일실시예의 OLED 구동 화소회로에서 데이터 전압의 변화와 구동 TFT(T4)의 문턱전압 변화에 따른 OLED 전류를 나타낸 일예시도로서, 도 6 및 도 7에서 문턱전압의 변화는 (-2.4 ± 0.5 V)를 적용하였고, 데이터 전압의 변화는 (0 ~ 6 V)를 적용하였다. 도 7에서 빈칸이 채워진 부호를 포함하는 선들은 좌측 Y축에 해당하는 OLED 전류를 나타나고, 빈칸이 채워지지 않은 부호를 포함하는 선들은 우측 Y축에 해당하는 에러율을 나타낸다.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 구동 화소회로에 의해, 구동 TFT(T4)의 문턱전압 변화에 따른 휘도변화가 보상됨을 알 수 있다.
도 8은 본 발명의 일실시예의 OLED 구동 화소회로에서 전원전압의 전압강하(1V)에 따른 OLED 전류의 에러율을 나타내는 일예시도로서, 본 발명의 화소회로에서의 에러율, 도 2a의 종래 2T1C 회로에서의 에러율 및 도 2b의 전원전압을 제거한 2T1C 회로에서의 에러율을 도시하였다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 화소회로에 의하면, 전원전압의 전압강하에 따른 OLED 휘도변화(에러율)가 보상됨을 확인할 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 일실시예의 OLED 구동 화소회로는, 문턱전압 변화와 전원전압의 전압강하를 효과적으로 보상하여 균일한 휘도를 구현할 수 있으며, 또한 종래의 전원전압 라인을 제거하고 스캔라인을 전원전압 라인으로 사용하면서 발광영역을 증가시킬 수 있다.
따라서, 본 발명의 일실시예의 구동 화소회로를 OLED를 사용하는 패널, 특히 전원전압강하에 따른 휘도의 차이가 심각한 대면적 패널에 적용하여, 화질의 품위를 향상하고, 제품의 품질 경쟁력을 향상할 수 있다.
이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
OLED: 유기발광 다이오드 T1~T3: 스위칭 TFT
T4: 구동 TFT C1: 커패시터

Claims (13)

  1. 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 화소회로에 있어서,
    게이트에 제1스캔라인이 연결되는 제1박막 트랜지스터(TFT);
    상기 제1TFT의 드레인에 소스가 연결되고, 상기 제1TFT의 소스에 드레인이 연결되며, 게이트에 제2스캔라인이 연결되는 제2TFT;
    게이트에 상기 제2스캔라인이 연결되고, 상기 OLED가 드레인에 연결되는 제3TFT;
    상기 OLED가 소스에 연결되고, 상기 제3TFT의 소스에 게이트가 연결되어 상기 OLED에 전류를 공급하며, 드레인에 제1스캔라인이 연결되는 제4TFT; 및
    상기 제1TFT의 소스와 상기 제4TFT의 게이트 사이에 연결되어, 상기 제4TFT의 게이트에 인가되는 전압을 일정 기간 유지하는 커패시터를 포함하며,
    상기 제1TFT의 드레인에 데이터 라인이 연결되고, 상기 제1 및 제2스캔라인과 상기 데이터 라인에 각각 인가되는 제1 및 제2스캔전압과 데이터 전압을 반복하여 구현되는 제1 내지 제3구간에서 제어하되,
    상기 제1구간에서, 제1스캔전압은 하이(HIGH), 제2스캔전압은 로우(LOW), 데이터전압은 HIGH가 인가되고,
    상기 제2구간에서, 제1스캔전압은 LOW, 제2스캔전압은 HIGH, 데이터 전압은 LOW가 인가되고,
    상기 제3구간에서, 제1스캔전압은 HIGH, 제2스캔전압은 HIGH, 데이터 전압은 LOW가 인가되는 화소회로.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1구간에서, HIGH인 제1스캔전압에 의해 상기 제4TFT가 턴온하고, LOW인 제2스캔전압에 의해 상기 제2TFT 및 상기 제3TFT가 턴온하는 화소회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1구간에서, 상기 제2TFT를 통해 HIGH인 데이터 전압을 상기 제2TFT의 드레인 전압으로 충전하는 화소회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1구간에서, 제1스캔전압에서 상기 제4TFT의 문턱전압을 차감한 전압이 상기 제4TFT의 게이트 전압으로 충전되는 화소회로.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2구간에서, LOW인 제1스캔전압에 의해 상기 제1TFT가 턴온하는 화소회로.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제2구간에서, 상기 커패시터는, 상기 제4TFT의 게이트 전압과 상기 제1TFT의 소스전압을 커플링하는 화소회로.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제2구간에서, 상기 제1TFT를 통해 상기 제1구간에서 충전된 상기 제2TFT의 드레인 전압을 방전하는 화소회로.
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서, 상기 제3구간에서, HIGH인 제1스캔전압에 의해 상기 제4TFT가 턴온하는 화소회로.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제3구간에서, HIGH인 제1스캔전압은 전원전압으로 사용되는 화소회로.
  13. 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제4TFT는 P-타입 TFT인 화소회로.
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