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KR101375106B1 - 실리콘 수지 조성물 - Google Patents

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KR101375106B1
KR101375106B1 KR1020120059959A KR20120059959A KR101375106B1 KR 101375106 B1 KR101375106 B1 KR 101375106B1 KR 1020120059959 A KR1020120059959 A KR 1020120059959A KR 20120059959 A KR20120059959 A KR 20120059959A KR 101375106 B1 KR101375106 B1 KR 101375106B1
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Abstract

본 발명은 실리콘 수지 조성물 및 이를 포함하는 전자소재용 봉지재에 관한 것이다. 본 발명의 실리콘 수지 조성물은 종래의 실리콘 수지 조성물에 비해 높은 투과율을 유지하면서, 보다 우수한 내열성, 경도 및 내크랙성을 가지는 효과가 있다.

Description

실리콘 수지 조성물{Silicone Resin Composition}
본 발명은 실리콘 수지 조성물 및 이를 포함하는 전자소재용 봉지재에 관한 것이다.
LED는 기존의 광원과 비교하여 사용 수명이 길며, 사용 전압이 낮고, 발광조절이 용이하며, 스위칭 응답이 빠르고, 크기가 작다는 특징 등을 가지고 있어 LCD TV, 휴대폰 등의 디스플레이 장치의 백라이트로 널리 사용되며, 일반 조명용으로도 사용이 점차 확대되고 있다.
LED는 반도체 칩이 투명한 수지로 보호 캡슐화 되어 있는데, 종래에는 상기 투명한 수지의 소재로서 에폭시 소재가 주로 사용되어 왔다. 그러나 에폭시 수지는 탄성율이 높아서 온도 변화 시에 와이어, 칩, 에폭시 수지 사이에 균열이 발생하고 와이어가 끊어지는 문제가 발생하는 경우가 있다. 또한, 내열성이 낮아서 장시간 사용 시 수지가 황색으로 변하여 LED의 광학특성을 저하시키는 점이 문제되어 왔다.
이에 에폭시 수지보다 투명성이 우수하며, 내열성이 뛰어난 실리콘 수지가 최근 청색, 백색 LED를 중심으로 사용되는 예가 늘어나고 있다. 그러나, 실리콘 수지는 굴곡강도 등의 기계적 특성이 열악하기 때문에 균열이 발생하기 쉽다는 문제가 남아 있다.
이에, 대한민국 특허 제 10-2005-0011195호에서는 실록산/다환식 탄화수소계를 이용한 경도와 강도가 높고 광투과성이 우수한 광학 디바이스 또는 광학 부품용 재료에 적용되는 경화성 실리콘 조성물에 대한 연구가 진행되었다. 그러나, 실리콘과 다환식 탄화수소계의 복합소재로 구성된 물질은 순수 실리콘 재료와 비교 시 내열성이 떨어지며, 황변과 크랙이 발생할 가능성이 높은 단점을 가지고 있다.
또한, 대한민국 특허 제 10-2010-0040615호에서는 플루오레닐 알킬기를 포함하는 실리콘 수지를 포함하는 황변과 크랙이 없는 발광 다이오드 소자 봉지재에 대한 연구가 진행되었다. 그러나 상기 플루오레닐 알킬기는 첨가하는 양에 따라 급격한 점도 증가를 유도하기 때문에 액상의 고굴절율 소재를 얻기 어려운 단점이 있다.
또한, 대한민국 특허 제 10-2009-0134327호에서는 금속화합물을 포함하는 실리콘 화합물을 공중합하여 얻어지는 폴리메탈로실록산(polymetallosiloxane)을 포함하는 봉지재용 투광성 수지 조성물에 대한 연구가 진행되었다. 상기 폴리메탈로실록산의 제조 시에 사용된 게르마늄계 화합물은 희토류 금속으로 합성물 제조 시 원가상승의 문제가 발생할 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위해 도출된 것으로, 본 발명은 높은 투과율을 가지면서도, 동시에 내열성, 경도 및 내크랙성이 우수한 실리콘 수지 조성물을 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 수지를 적어도 1종 이상 포함하는 실리콘 수지 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]
(R1SiO3 /2)a(R2R3SiO2 /2)b(R4R5R6SiO1 /2)c(SiO4 /2)d(BO(3-h)/2)e(R7BO(2-g)/2)f
상기 화학식 1에서, R1 내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고, 0<a<1, 0≤b<1, 0≤c<1, 0≤d<1, 0≤e<1, 0≤f<1, 0≤h<1, 0≤g<1이며, a+b+c+d+e+f=1이다.
본 발명에서 상기 화학식 1의 보론 단위 구조는 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나이다.
화학식 2
Figure 112013115012457-pat00001
화학식 3
Figure 112013115012457-pat00002
화학식 4
Figure 112013115012457-pat00003

본 발명에서 상기 실리콘 수지는 분자량이 특별히 제한적인 것은 아니나, 100 내지 10,000 g/mol인 것이 바람직할 수 있다. 본 발명에서, 특별히 규정하지 않는 한, 용어 「분자량」은 중량평균분자량(Weight Average Molecular Weight)을 의미한다.
본 발명에서 상기 실리콘 수지의 점도는 특별히 정해진 것은 아니나, 바람직하게는 25℃에서 500 내지 100,000 cps(centipoise) 일 수 있다.
본 발명에 따른 실리콘 수지 조성물은 상기 실리콘 수지에 수소규소화촉매, 접착향상제, 경화지연제 등을 추가로 포함할 수 있다.
상기 수소규소화촉매는 주기율표 제8족의 금속이나, 이들 금속을 알루미나 또는 실리카의 담체에 담지 시킨 촉매 또는 이들 금속의 염이나 착제일 수 있으며, 상기 수소규소화촉매의 함량은 수지 조성물 총 중량 대비 0.1 내지 100 ppm(parts per million)인 것이 바람직할 수 있다.
상기 접착향상제는 특별히 한정적인 것은 아니나, 알콕시기를 포함하는 실란 화합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태는 상기 실리콘 수지 조성물을 포함하는 전자소재용 봉지재에 관한 것이다.
본 발명에 따른 실리콘 수지 조성물은 종래의 실리콘 수지 조성물에 비해 높은 투과율을 유지하면서, 보다 우수한 내열성, 경도 및 내크랙성을 가지는 효과가 있다.
이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한, 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 상용된 것은 아니다.
한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히, 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 수지를 적어도 1종 이상 포함하는 실리콘 수지 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]
(R1SiO3 /2)a(R2R3SiO2 /2)b(R4R5R6SiO1 /2)c(SiO4 /2)d(BO(3-h)/2)e(R7BO(2-g)/2)f
상기 화학식 1에서, R1 내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고, 0<a<1, 0≤b<1, 0≤c<1, 0≤d<1, 0≤e<1, 0≤f<1, 0≤h<1, 0≤g<1이며, a+b+c+d+e+f=1이다.
본 발명에서 상기 화학식 1의 보론 단위 구조는 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나일 수 있다.
화학식 2
Figure 112013115012457-pat00004
화학식 3
Figure 112013115012457-pat00005
화학식 4
Figure 112013115012457-pat00006
상기 화학식 2는 상기 화학식 1의 보론 단위 구조 중 (BO(3-h)/2)의 h가 0일 때 표현될 수 있다.
상기 화학식 3은 상기 화학식 1의 보론 단위 구조 중 (R7BO(2-g)/2)의 g가 0일 때 표현될 수 있다.
상기 화학식 4는 상기 화학식 1의 보론 단위 구조 중 (R7BO(2-g)/2)의 g가 1일 때 표현될 수 있다.
본 발명에 따른 실리콘 수지는 분자량이 특별히 제한되는 것은 아니나, 바람직하게는 분자량이 100 내지 10,000 g/mol일 수 있다. 실리콘 수지의 분자량을 상기와 같이 조절하여, 봉지재가 우수한 경도를 가지고, 공정성도 우수하게 유지될 수 있다.
또한, 본 발명의 실리콘 수지는 25℃에서 액상 또는 고상일 수 있다. 특히, 전자소재용 봉지재로 사용되기 위해서는 실리콘 수지의 점도가 지나치게 높지 않는 것이 바람직하며, 예를 들면 25℃에서 500 내지 100,000 cps(centipoise), 보다 바람직하게는 1,000 내지 50,000 cps일 수 있다. 이러한 범위에서 본 발명의 실리콘 수지는 가공성 및 경도 특성 등을 우수하게 유지할 수 있다.
본 발명의 실리콘 수지 조성물은 상기 실리콘 수지에 수소규소화촉매, 접착향상제 및 경화지연제로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에서, 상기 수소규소화촉매는 수소규소화반응을 통해 실리콘 수지를 경화하는데 있어 촉매로 작용하는 것으로, 예들 들면 주기율표 제8족의 금속이나, 상기 금속을 알루미나, 실리카 등의 담체에 담지시킨 촉매 또는 상기 금속의 염이나 착제 등일 수 있다. 상기 주기율표 제8족의 금속으로는 백금, 로듐 또는 루테늄 등을 사용할 수 있고, 바람직하게는 백금을 사용할 수 있다.
상기 수소규소화촉매는 그 함량이 특별히 제한적인 것은 아니나, 바람직하게는 수지 조성물 총 중량 대비 0.1 내지 100 ppm(parts per million)일 수 있다. 이는 수소규소화촉매를 수지 조성물 총 중량 대비 0.1 ppm 미만 첨가할 경우에는 촉매의 양이 지나치게 적어 수소규소화반응이 잘 진행되지 않으며, 100 ppm을 초과할 경우에는 촉매의 양이 지나치게 많아 경화속도 조절이 어려우며, 경화시 황변(yellowing)이 발생할 가능성이 높기 때문이다.
본 발명에서, 상기 접착향상제는 그 종류가 특별히 제한되는 것은 아니나, 알콕시기를 포함하는 실란 화합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있으며, 예를 들면 비닐트리에톡시실란(vinyltriethoxysilane), γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane), γ-글리시드옥시프로필트리메톡시실란(γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane) 등이 사용될 수 있다.
본 발명은 상기 실리콘 수지 조성물을 포함하는 전자소재용 봉지재에 관한 것이다.
본 발명의 실리콘 수지 조성물을 포함하는 봉지재에 의해 봉지될 수 있는 전자소재의 종류로는, 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터, 일체식 IC 및 혼성 IC에 사용된 반도체 소자 등이 예시될 수 있다.
이하, 실시예를 통해 본 발명을 상세히 설명하도록 한다. 하지만, 하기 제시된 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 일 예에 지나지 않으며, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
하기 실시예에서, 특별한 정의가 없는 한, Vi는 비닐기(vinyl)를 나타내고, Ph는 페닐기(phenyl)를 나타내며, Me는 메틸기(methyl)를 나타낸다.
<실시예>
실시예 1
3구 플라스크에 물 100g과 붕산(boric acid) 1.5g을 혼합하여 용해시킨 후, 상기 플라스크에 톨루엔 100g을 투입한 다음 10℃로 유지하면서 페닐트리클로로실란(phenyltrichlorosilane) 65g, 디페닐디클로로실란 (diphenyldichlorosilane) 5g, 트리메틸클로로실란(trimethylchlorosilane) 5g, 비닐디메틸클로로실란 (vinyldimethylchlorosilane) 10g을 혼합한 혼합물을 1시간에 걸쳐 적하하였다. 적하가 완료된 후 80℃로 4시간 가열 환류하면서 반응을 진행하였다. 반응이 완료된 후 물 층을 제거하여 톨루엔에 용해된 고분자 용액을 제조하였다. 얻어진 고분자 용액을 물로 3회 세척하여 반응 부산물인 염산을 제거하였다. 이어서 중성인 고분자 용액을 감압 증류하여 톨루엔을 제거하여 본 발명에 따른 실리콘 수지(화학식 5)를 얻었다. 상기 얻어진 실리콘 수지(화학식 5)를 겔 투과 크로마토그래피(gel permeation chromatography)를 사용하여 분자량을 측정한 결과 폴리스티렌 환산 분자량이 2,700g/mol 이었고, 점도는 브룩필드 점도계(Brookfield Viscometer)로 측정한 결과 37,000cps로 측정되었다.
[화학식 5]
(PhSiO3 /2)0.64(Ph2SiO2 /2)0.04(Me3SiO1 /2)0.1(ViMe2SiO1 /2)0.17(BO3 /2)0.05
실시예 2
붕산(boric acid)의 투입량을 0.6g으로 하는 것을 제외하고는 상기 실시 예 1과 동일한 방법으로 실시하여, 하기 화학식 6과 같은 실리콘 수지를 얻었다. 상기 얻어진 실리콘 수지(화학식 6)의 분자량은 2,500g/mol 이었고, 점도는 25,000cps로 측정되었다.
[화학식 6]
(PhSiO3 /2)0.66(Ph2SiO2 /2)0.04(Me3SiO1 /2)0.1(ViMe2SiO1 /2)0.18(BO3 /2)0.02
실시예 3
붕산(boric acid)의 투입량을 0.3g으로 하는 것을 제외하고는 상기 실시 예 1과 동일한 방법으로 실시하여, 하기 화학식 7과 같은 실리콘 수지를 얻었다. 상기 얻어진 실리콘 수지(화학식 7)의 분자량은 2,400g/mol 이었고, 점도는 18,000cps로 측정되었다.
[화학식 7]
(PhSiO3 /2)0.67(Ph2SiO2 /2)0.04(Me3SiO1 /2)0.1(ViMe2SiO1 /2)0.18(BO3 /2)0.01
실시예 4
3구 플라스크에 물 100g과 붕산(boric acid) 0.35g을 혼합하여 용해시킨 후, 상기 플라스크에 톨루엔 100g을 투입한 다음 10℃로 유지하면서 페닐트리클로로실란(phenyltrichlorosilane) 65g, 디페닐디클로로실란(diphenyldichlorosilane) 5g, 트리메틸클로로실란(trimethylchlorosilane) 2g, 테트라메틸디실록산(tetramethyldisiloxane) 14g을 혼합한 혼합물을 1시간에 걸쳐 적하하였다. 적하가 완료된 후 80℃로 4시간 가열 환류하면서 반응을 진행하였다. 반응이 완료된 후 물 층을 제거하여 톨루엔에 용해된 고분자 용액을 제조하였다. 얻어진 고분자 용액을 물로 3회 세척하여 반응 부산물인 염산을 제거하였다. 이어서 중성인 고분자 용액을 감압 증류하여 톨루엔을 제거하여 하기 화학식 8과 같은 실리콘 수지를 얻었다. 상기 얻어진 실리콘 수지(화학식 8)의 분자량은 1,800g/mol 이었고, 점도는 2,500cps로 측정되었다.
[화학식 8]
(PhSiO3 /2)0.68(Ph2SiO2 /2)0.04(Me3SiO1 /2)0.04(HMe2SiO1 /2)0.23(BO3 /2)0.01
비교예 1 : 페닐비닐실리콘 수지
3구 플라스크에 물 100g과 톨루엔 100g을 플라스크에 투입한 후 10℃로 유지하면서 페닐트리클로로실란(phenyltrichlorosilane) 65g, 디페닐디클로로실란(diphenyldichlorosilane) 5g, 트리메틸클로로실란(trimethylchlorosilane) 5g, 비닐디메틸클로로실란(vinyldimethylchlorosilane) 10g을 혼합한 혼합물을 1시간에 걸쳐 적하하였다. 적하가 완료된 후 80℃로 4시간 가열 환류하면서 반응을 진행하였다. 반응이 완료된 후 물 층을 제거하여 톨루엔에 용해된 고분자 용액을 제조하였다. 얻어진 고분자 용액을 물로 3회 세척하여 반응 부산물인 염산과 초산을 제거하였다. 이어서 중성인 고분자 용액을 감압 증류하여 톨루엔을 제거하여 하기 화학식 9와 같은 페닐비닐실리콘 수지를 얻었다. 상기 얻어진 페닐비닐실리콘 수지(화학식 9)의 분자량은 2,300g/mol 이었고, 점도는 15,000cps로 측정되었다.
[화학식 9]
(PhSiO3 /2)0.68(Ph2SiO2 /2)0.04(Me3SiO1 /2)0.1(ViMe2SiO1 /2)0.18
비교예 2 : 페닐하이드로겐실리콘 수지
3구 플라스크에 물 100g과 톨루엔 100g을 플라스크에 투입한 후 10℃로 유지하면서 페닐트리클로로실란(phenyltrichlorosilane) 65g, 디페닐디클로로실란(diphenyldichlorosilane) 5g, 테트라메틸디실록산(tetramethyldisiloxane) 14g을 혼합한 혼합물을 1시간에 걸쳐 적하하였다. 적하가 완료된 후 80℃로 4시간 가열 환류하면서 반응을 진행하였다. 반응이 완료된 후 물 층을 제거하여 톨루엔에 용해된 고분자 용액을 제조하였다. 얻어진 고분자 용액을 물로 3회 세척하여 반응 부산물인 염산을 제거하였다. 이어서 중성인 고분자 용액을 감압 증류하여 톨루엔을 제거하여 하기 화학식 10과 같은 페닐하이드겐실리콘 수지를 얻었다. 상기 얻어진 페닐하이드로겐실리콘 수지(화학식 10)의 분자량은 1,800g/mol 이었고, 점도는 2,500cps로 측정되었다.
[화학식 10]
(PhSiO3 /2)0.68(Ph2SiO2 /2)0.04(HMe2SiO1 /2)0.24
물성평가 실험
상기의 실시예 1 내지 4 의 본 발명에 따른 실리콘 수지 중 실시예 1과 실시예 4의 실리콘 수지를 조성물 전체 중량 대비 각각 66.99 중량%, 43 중량% 혼합하고, 백금촉매(알드리치社)를 0.01 중량% 첨가하여 조성물 1을 제조하였고, 실시예 2와 실시예 4의 실리콘 수지를 조성물 전체 중량 대비 각각 66.99 중량%, 43 중량% 혼합하고, 백금촉매(알드리치社)를 0.01 중량% 첨가하여 조성물 2를 제조하였으며, 실시예 3과 실시예 4의 실리콘 수지를 조성물 전체 중량 대비 각각 66.99 중량%, 43 중량% 혼합하고, 백금촉매(알드리치社)를 0.01 중량% 첨가하여 조성물 3을 제조하였다.
또한, 상기 비교예 1과 비교예 2의 본 발명에 따르지 않은 실리콘 수지를 조성물 전체 중량 대비 각각 66.99 중량%, 43 중량% 혼합하고, 백금촉매(알드리치社)를 0.01 중량% 첨가하여 비교조성물 1을 제조하였다.
상기 조성물 1 내지 3 및 비교조성물 1에 대해 굴절율, 투과도, 내열성, 경도 및 내크랙성을 측정하여 비교하였으며, 그 결과는 하기 [표 1]에 나타난 바와 같다.
상기 굴절율 측정은 아베굴절계(Abbe refractometer)를 사용하여 589nm에서 측정하였고, 상기 투과도 측정은 150℃에서 2시간 동안 가열 경화한 시편을 시마즈사의 UV-spectrometer 를 사용하여 600nm 파장에서 측정하였다. 또한, 상기 내열성 측정은 경화된 시편들을 150℃ 오븐에서 1000시간 동안 체류시킨 후 투과도를 측정하였으며, 상기 내크랙성 측정은 시편을 1m 높이에서 떨어뜨린 후, 크랙이 발생한 시료의 비율을 측정하였다.
하기 [표 1]에서 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 실리콘 수지를 포함하는 조성물 1, 2 및 3은 내열성, 경도, 내크랙성에서 비교조성물 1에 비해 우수한 특성이 나타남을 확인할 수 있다. 특히, 비교조성물 1의 경우 150℃ 오븐에서 1000시간동안 체류 후 황변(yellowing) 현상이 나타나 내열 투과도가 크게 낮아졌으며, 내크랙성도 떨어지는 것으로 나타났다.
구분 조성물 1 조성물 2 조성물 3 비교조성물 1
실시예 1의 실리콘 수지 (중량%) 66.99
실시예 2의 실리콘 수지 (중량%) 66.99
실시예 3의 실리콘 수지 (중량%) 66.99
실시예 4의 실리콘 수지 (중량%) 43 43 43
비교예 1의 실리콘 수지 (중량%) 66.99
비교예 2의 실리콘 수지 (중량%) 43
백금촉매 (중량%) 0.01 0.01 0.01 0.01
굴절율 1.528 1.529 1.532 1.528
투과도(%) 98 99 99 97
내열성 92 89 90 85
경도(shore D) 65 60 55 45
크랙(%) 0 0 0 40
이상에 설명한 바와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 본 발명의 범위는 상기의 상세한 설명보다는 후술할 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (11)

  1. 하기 화학식 1-1로 표시되는 실리콘 수지 및 하기 화학식 1-2로 표시되는 실리콘 수지를 포함하는 전자소자 봉지용 실리콘 수지 조성물:
    [화학식 1-1]
    (R1SiO3/2)a(R2R3SiO2/2)b(R4R5R6SiO1/2)c(SiO4/2)d(BO(3-h)/2)e(R7BO(2-g)/2)f
    (상기 화학식 1-1에서, R1 내지 R7은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고, 0<a<1, 0≤b<1, 0≤c<1, 0≤d<1, 0≤e<1, 0≤f<1, 0≤h<1, 0≤g<1이며, a+b+c+d+e+f=1이다.)
    [화학식 1-2]
    (R1SiO3/2)a(R2R3SiO2/2)b(R4R5R6SiO1/2)c(SiO4/2)d(BO(3-h)/2)e(R7BO(2-g)/2)f
    (상기 화학식 1-2에서, R1 내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고, 상기 R4 내지 R6중 적어도 하나는 수소이고, 0<a<1, 0≤b<1, 0≤c<1, 0≤d<1, 0≤e<1, 0≤f<1, 0≤h<1, 0≤g<1이며, a+b+c+d+e+f=1이다.)
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1-1 및 상기 화학식 1-2의 보론 단위 구조는 하기 화학식 2 내지 화학식 4로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 실리콘 수지 조성물:
    화학식 2
    Figure 112013115012457-pat00007

    화학식 3
    Figure 112013115012457-pat00008

    화학식 4
    Figure 112013115012457-pat00009

  3. 제 1항에 있어서,
    상기 실리콘 수지는 분자량이 100 내지 10,000 g/mol인 실리콘 수지 조성물.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 실리콘 수지의 점도는 25℃에서 500 내지 100,000 cps 인 실리콘 수지 조성물.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 실리콘 수지에 수소규소화촉매, 접착향상제 및 경화지연제로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 추가로 포함하는 실리콘 수지 조성물.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 수소규소화촉매는 주기율표 제8족의 금속이나, 이들 금속을 알루미나, 실리카의 담체에 담지 시킨 촉매 또는 이들 금속의 염이나 착제인 실리콘 수지 조성물.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 주기율표 제8족의 금속은 백금인 실리콘 수지 조성물.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 수소규소화촉매는 수지 조성물 총 중량 대비 0.1 내지 100 ppm인 실리콘 수지 조성물.
  9. 제 5항에 있어서,
    상기 접착향상제는 알콕시기를 포함하는 실란 화합물인 실리콘 수지 조성물.
  10. 제 5항에 있어서,
    상기 접착향상제는 비닐트리에톡시실란(vinyltriethoxysilane), γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane), 및 γ-글리시드옥시프로필트리메톡시실란(γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane) 중 적어도 어느 하나인 실리콘 수지 조성물.
  11. 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항의 실리콘 수지 조성물을 포함하는 전자소재용 봉지재.
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