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KR101373500B1 - Liquid crystal panel with a preventing function of static electricity - Google Patents

Liquid crystal panel with a preventing function of static electricity Download PDF

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KR101373500B1
KR101373500B1 KR1020070073314A KR20070073314A KR101373500B1 KR 101373500 B1 KR101373500 B1 KR 101373500B1 KR 1020070073314 A KR1020070073314 A KR 1020070073314A KR 20070073314 A KR20070073314 A KR 20070073314A KR 101373500 B1 KR101373500 B1 KR 101373500B1
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Abstract

따라서, 본 발명의 목적은 정전기를 효율적으로 제거하기에 적합한 정전기 방지 기능의 액정 패널을 제공함에 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a liquid crystal panel having an antistatic function suitable for efficiently removing static electricity.

정전기 방지 기능의 액정 패널은: 박막 트랜지스터, 화소 전극 및 공통 전극이 화소 별로 형성된 화소 어레이를 가지는 하부 기판; 상기 하부 기판상에 형성된 적어도 하나의 접지 패드; 상기 화소 어레이와 대응되는 매트릭스부와 이 매트릭스부의 주위의 확장부를 가지는 도전성 블랙 매트릭스가 형성된 상부 기판; 상기 매트릭스부와 상기 화소 어레이 사이에 충진된 액정 물질; 및 상기 적어도 하나의 접지 패드와 상기 블랙 매트릭스의 확장부를 전기적으로 연결시키는 도전성 접촉부을 구비한다.An antistatic liquid crystal panel includes: a lower substrate having a pixel array in which a thin film transistor, a pixel electrode, and a common electrode are formed for each pixel; At least one ground pad formed on the lower substrate; An upper substrate having a conductive black matrix having a matrix portion corresponding to the pixel array and an extension portion around the matrix portion; A liquid crystal material filled between the matrix portion and the pixel array; And a conductive contact electrically connecting the at least one ground pad and the extension of the black matrix.

정전기, 접지 배선, 도트 접점, 기판, 수율, 화질, 액정, 횡전계. Static electricity, ground wiring, dot contact, board, yield, image quality, liquid crystal, transverse electric field.

Description

정전기 방지 기능의 액정 패널{Liquid crystal panel with a preventing function of static electricity}Liquid crystal panel with a preventing function of static electricity}

본 발명은 화상 표시용 스크린으로 사용되는 액정 패널에 관한 것으로, 특히 정전기 방지 기능을 가지는 액정 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal panel used as an image display screen, and more particularly to a liquid crystal panel having an antistatic function.

통상의 액정 패널(Liquid Crystal Panel)은 전계(즉, 화소 구동 신호의 전압)에 따라 액정의 광 투과율을 조절하여 비디오 정보에 해당하는 화상을 표시한다. 액정 패널은 얇은 두께와 가벼운 무게를 가지면서도 화면의 크기를 한계 이상으로 크게 할 수 있다. 이러한 관점에서, 액정 패널은 음극선관(Cathode Ray Tube)을 대신하여 컴퓨터의 표시 장치, 텔레비전 수신기의 표시 장치 및 휴대 단말기의 표시 장치 등으로 사용되고 있다.A typical liquid crystal panel (LCD) displays an image corresponding to video information by adjusting the light transmittance of the liquid crystal according to an electric field (that is, the voltage of the pixel driving signal). The liquid crystal panel has a thin thickness and light weight, but can enlarge the screen size beyond the limit. In view of this, the liquid crystal panel is used as a display device of a computer, a display device of a television receiver, a display device of a portable terminal, etc. in place of a cathode ray tube.

이러한 액정 패널은 액정에 전계를 인가하는 방식에 따라 종전계 방식 및 횡전계 방식으로 구별된다. 종전계 방식의 액정 패널로는 수직 전계 모드(Vertical Alignment Mode) 및 트위스티드 모드(Twisted Mode) 등의 액정 패널들이 있다. 반면, 횡전계 방식은 인-플레인 스위치 모드(In-plane Switch Mode)의 액정 패널을 포함한다.Such liquid crystal panels are classified into a longitudinal electric field system and a transverse electric field system according to a method of applying an electric field to the liquid crystal. Conventional liquid crystal panels include liquid crystal panels such as a vertical field alignment mode and a twisted mode. On the other hand, the transverse electric field method includes a liquid crystal panel in an in-plane switch mode.

인-플레인 스위치 모드의 액정 패널은, 도 1에서와 같이, 하부 기판(10) 및 상부 기판(20) 사이에 주입된 액정 물질 층(30)을 구비한다. 액정 물질 층(30)은 하부 및 상부 기판(10,20) 사이에 형성되는 밀봉재(Sealent)(32)에 의하여 밀봉된다. 이 밀봉재(32)의 내부에 해당하는 하부 기판(10) 표면 및 상부 기판(20)의 하면의 중앙부들은 표시 영역으로 사용되는 반면, 밀봉재(32)의 외측에 해당하는 하부 기판(10) 및 상부 기판(20)의 가장자리부들은 비표시 영역으로 사용된다. The liquid crystal panel of the in-plane switch mode has a liquid crystal material layer 30 injected between the lower substrate 10 and the upper substrate 20, as in FIG. 1. The liquid crystal material layer 30 is sealed by a sealant 32 formed between the lower and upper substrates 10 and 20. The lower substrate 10 surface corresponding to the inside of the sealant 32 and the central portions of the lower surface of the upper substrate 20 are used as display areas, while the lower substrate 10 and upper portion corresponding to the outer side of the sealant 32 are used. Edges of the substrate 20 are used as non-display areas.

하부 기판(10)의 표시 영역은 도시되지 않은 게이트 라인들 및 데이터 라인들에 의하여 화소 영역들로 구분된다. 하부 기판(10)의 화소 영역들 각각에는, 대응하는 데이터 라인으로부터의 화소 구동 신호를 스위칭하기 위한 박막 트랜지스터(12); 및 박막 트랜지스터(12)로부터의 화소 구동 신호의 전압을 액정 물질 층(30)에 인가하기 위한 화소 전극(14) 및 공통 전극(16)이 형성된다. 하부 기판(10)의 비표시 영역에는 정전기 방지를 위한 정전기 뮤트 셀(18)이 형성된다. 이 정전기 뮤트 셀(18)은 전자기 영향을 받아 하부 기판(10) 표면에 입력될 수 있는 정전하들을 바이패스시킨다. 이를 위하여, 정전기 뮤트 셀(18)은 데이터 라인 또는 게이트 라인과 및 접지 라인 사이에 접속된다.The display area of the lower substrate 10 is divided into pixel areas by gate lines and data lines (not shown). Each of the pixel regions of the lower substrate 10 includes a thin film transistor 12 for switching a pixel driving signal from a corresponding data line; And a pixel electrode 14 and a common electrode 16 for applying the voltage of the pixel driving signal from the thin film transistor 12 to the liquid crystal material layer 30. Electrostatic mute cells 18 are formed in the non-display area of the lower substrate 10 to prevent static electricity. The electrostatic mute cell 18 bypasses electrostatic charges that can be input to the surface of the lower substrate 10 under electromagnetic influence. For this purpose, the electrostatic mute cell 18 is connected between a data line or a gate line and a ground line.

상부 기판(20)은 하면의 표시 영역을 매트릭스 형태의 화소 영역들로 구분하는 블랙 매트릭스(22)를 구비한다. 블랙 매트릭스(22)에 의하여 구분된 화소 영역들 각각에는 적색, 녹색 및 청색의 필터들 중 어느 하나를 포함하는 칼라 필터층(24)이 형성될 수 있다. 이에 더하여, 블랙 매트릭스(22) 및 칼라 필터 층(24)의 표면에는 오버 코트 층(26)이 형성될 수도 있다.The upper substrate 20 includes a black matrix 22 that divides the display area of the lower surface into pixel areas in a matrix form. In each of the pixel areas divided by the black matrix 22, a color filter layer 24 including any one of red, green, and blue filters may be formed. In addition, an overcoat layer 26 may be formed on the surfaces of the black matrix 22 and the color filter layer 24.

이와 같이, 하부 기판(10) 및 상부 기판(20) 사이에 존재하는 정전하들을 제거하기 위하여, 횡전계 방식의 액정 패널은 하부 기판(10)상의 정전기 뮤트 셀(18)을 이용한다. 하부 기판(10) 상의 정전기 뮤트 셀(18)은, 하부 기판(10)의 표면에 대전된 정전기들을 효과적으로 제거할 수 있으나, 상부 기판(20)의 표면에 대전된 정전기들은 제거할 수 없었다. 상부 기판(20)의 표면과 대전된 정전기들은 액정 물질 층(30)에 잡음 전계로 작용하여 화소 구동 신호의 전압에 해당하는 양보다 많거나 적은 량의 광이 투과되게 한다. 이로 인하여, 횡전계 방식의 액정 패널에 표시되는 화상의 질이 떨어질 수밖에 없었다. 또한, 상부 기판(20)의 표면과 대전된 정전기들은 하부 기판(10) 상의 박막 트랜지스터(12)들의 일부를 손상시켜 액정 패널의 불량을 야기할 수 있다. 이러한 액정 패널의 불량은 액정 패널의 수율을 떨어뜨리는 요인으로 작용한다.As such, in order to remove the static charges existing between the lower substrate 10 and the upper substrate 20, the transverse electric field type liquid crystal panel uses the electrostatic mute cell 18 on the lower substrate 10. The electrostatic mute cell 18 on the lower substrate 10 may effectively remove static electricity charged on the surface of the lower substrate 10, but may not remove static electricity charged on the surface of the upper substrate 20. Static electricity charged on the surface of the upper substrate 20 acts as a noise electric field on the liquid crystal material layer 30 to allow a greater or lesser amount of light to be transmitted than an amount corresponding to the voltage of the pixel driving signal. For this reason, the quality of the image displayed on the transverse electric field liquid crystal panel was inevitably deteriorated. In addition, the static electricity charged on the surface of the upper substrate 20 may damage a portion of the thin film transistors 12 on the lower substrate 10 and may cause a failure of the liquid crystal panel. The defect of the liquid crystal panel acts as a factor of lowering the yield of the liquid crystal panel.

따라서, 본 발명의 목적은 정전기를 효율적으로 제거하기에 적합한 정전기 방지 기능의 액정 패널을 제공함에 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a liquid crystal panel having an antistatic function suitable for efficiently removing static electricity.

본 발명의 다른 목적은 양질의 화상을 표시하기에 적합한 정전기 방지 기능의 액정 패널을 제공함에 있다.It is another object of the present invention to provide a liquid crystal panel having an antistatic function suitable for displaying a good quality image.

본 발명의 또 다른 목적은 제조 수율을 향상시키기에 적합한 정전기 방지 기능의 액정 패널을 제공함에 있다.It is another object of the present invention to provide a liquid crystal panel having an antistatic function suitable for improving production yield.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면의 실시 예에 따른 정전기 방지 기능의 액정 패널은: 박막 트랜지스터, 화소 전극 및 공통 전극이 화소 별로 형성된 화소 어레이를 가지는 하부 기판; 상기 하부 기판상에 형성된 적어도 하나의 접지 패드; 상기 화소 어레이와 대응되는 매트릭스부와 이 매트릭스부의 주위의 확장부를 가지는 도전성 블랙 매트릭스가 형성된 상부 기판; 상기 매트릭스부와 상기 화소 어레이 사이에 충진된 액정 물질; 및 상기 적어도 하나의 접지 패드와 상기 블랙 매트릭스의 확장부를 전기적으로 연결시키는 도전성 접촉부을 구비한다.According to an aspect of an exemplary embodiment, there is provided a liquid crystal panel having an antistatic function, including: a lower substrate having a thin film transistor, a pixel electrode, and a pixel array in which a common electrode is formed for each pixel; At least one ground pad formed on the lower substrate; An upper substrate having a conductive black matrix having a matrix portion corresponding to the pixel array and an extension portion around the matrix portion; A liquid crystal material filled between the matrix portion and the pixel array; And a conductive contact electrically connecting the at least one ground pad and the extension of the black matrix.

상기 도전성 접촉부가 적어도 하나의 은(Ag) 도트 접점을 구비하는 것이 바람직하다.Preferably, the conductive contact portion has at least one silver (Ag) dot contact.

상기 도전성 접촉부가 상기 화소 어레이의 주위를 감싸게끔 상기 하부 기판에 테 형태로 형성될 수도 있다.The conductive contact portion may be formed in a frame shape on the lower substrate to surround the pixel array.

상기 정전기 방지 기능의 액정 패널은, 상기 화소 어레이 주위를 감쌈과 아울러 상기 접지 패드와 전기적으로 연결되게끔 상기 하부 기판상에 형성된 접지 배선; 및 상기 화소 어레이로부터 연장된 다수의 게이트 라인 및 다수의 데이터 라인 각각에 전기적으로 접속됨과 아울러 상기 접지 배선에 공통적으로 접속된 정전기 뮤트 셀들을 추가로 구비할 것이다.The antistatic liquid crystal panel includes: a ground wiring formed on the lower substrate to wrap around the pixel array and to be electrically connected to the ground pad; And electrostatic mute cells electrically connected to each of the plurality of gate lines and the plurality of data lines extending from the pixel array and commonly connected to the ground line.

상술한 바와 구성에 의하여, 본 발명에 따른 정전기 방지 기능의 액정 패널은 하부 기판의 표면에 대전되는 정전기들뿐만 아니라 상부 기판의 표면에 대전된 정전기들까지도 효과적으로 방전시킬 수 있다. 이에 따라, 합착 공정은 물론 그 이후의 제조 공정에서 정전기에 의한 액정 패널의 손상이 방지되고, 나아가 액정 패널의 수율이 높아지게 된다. 아울러, 정전기에 의한 화소 구동 신호의 왜곡이 제거되어 액정 패널에 표시되는 화상의 질이 향상될 수 있다.By the above-described configuration, the antistatic function liquid crystal panel according to the present invention can effectively discharge not only static electricity charged on the surface of the lower substrate but also static electricity charged on the surface of the upper substrate. Accordingly, damage to the liquid crystal panel due to static electricity is prevented in the bonding process as well as in the subsequent manufacturing process, and the yield of the liquid crystal panel is increased. In addition, the distortion of the pixel driving signal due to static electricity may be removed to improve the quality of the image displayed on the liquid crystal panel.

상기한 바와 같은 본 발명의 목적 외에, 본 발명의 다른 목적들, 다른 이점들 및 다른 특징들은 첨부한 도면을 참조한 바람직한 실시 예의 상세한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.In addition to the object of the present invention as described above, other objects, other advantages and other features of the present invention will become apparent from the detailed description of the preferred embodiment with reference to the accompanying drawings.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들이 첨부한 도면과 결부되어 상세하게 설명될 것이다. 첨부된 도면들에 있어서, 동일한 동작 및 기능을 가지는 구성 요소들은 다른 도면에서도 동일한 명칭 및 동일한 인용 부호로 참조 될 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the accompanying drawings, components having the same operation and function will be referred to by the same name and the same reference numerals in other drawings.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 액정 패널의 단면을 설명하는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 액정 패널은 하부 기판(100) 및 상부 기판(200)의 사이에 충진된 액정 물질 층(300)을 구비한다. 액정 물질 층(300)은 하부 기판(100) 및 상부 기판(200) 사이의 어레이 영역(AR)을 감싸는 밀봉 물질(Seal Material)(310)에 의하여 밀봉된다. 밀봉 물질(310)의 외측부(즉, 주변 회로 영역)에는, 상부 기판(200) 및 하부 기판을 전기적으로 연결시키는 적어도 하나의 도트 접점(130)이 배치된다. 적어도 하나의 도트 접점(130)은 상부 기판(200) 및 하부 기판(100) 간의 도전 특성을 높이기 위하여 저항률이 낮은 도전 금속 물질로 형성된다. 바람직하게는, 도트 접점(130)은 은(Ag)으로 형성되는 것이 좋다.2 is a cross-sectional view illustrating a cross section of a liquid crystal panel according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the liquid crystal panel includes a liquid crystal material layer 300 filled between the lower substrate 100 and the upper substrate 200. The liquid crystal material layer 300 is sealed by a sealing material 310 surrounding the array area AR between the lower substrate 100 and the upper substrate 200. At an outer portion (ie, a peripheral circuit region) of the sealing material 310, at least one dot contact 130 that electrically connects the upper substrate 200 and the lower substrate is disposed. The at least one dot contact 130 is formed of a conductive metal material having a low resistivity in order to increase conductive properties between the upper substrate 200 and the lower substrate 100. Preferably, the dot contact 130 is formed of silver (Ag).

하부 기판(100)의 어레이 영역(AR)은 게이트 라인(도시하지 않음) 및 데이터 라인(도시하지 않음)에 의해 화소 영역들로 구분된다. 이들 화소 영역들 각각에는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)(110), 화소 전극(112) 및 공통 전극(114)이 형성된다. 박막 트랜지스터(110)는 게이트 라인으로부터 돌출된 게이트 전극, 게이트 라인 및 게이트 전극을 포함한 하부 기판(100)의 전면에 형성된 게이트 절연막을 구비한다. 또한, 박막 트랜지스터(110)는 게이트 전극 상측의 게이트 절연막 상에 형성된 액티브 층, 데이터 라인으로부터 도출되어 액티브 층의 일부와 중첩되는 소스 전극, 및 이 소스 전극과 이격되게 액티브 층의 다른 일부분과 중첩되는 드레인 전극을 구비한다. 나아가, 박막 트랜지스터(110)는 액티브 층, 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성되는 오믹 콘택 층을 추가로 구비할 수 있다. 화소 전극(112)은 박막 트랜지스터(110)의 드레인 전극과 전기적으로 접촉되게끔 보호층 상에 형성된다. 공통 전극(114)은 인접한 화소 영역 상의 공통 전극들과 전기적으 로 연결되게끔 보호층 상에 형성된다. 이들 화소 전극(112) 및 공통 전극(114)은 인듐-틴-옥사이드(Indium-Tin-Oxide; 이하 "ITO"라 함)와 같이 모두 빛의 투과율이 뛰어난 투명한 도전 금속로 형성될 것이다. 화소 전극(112) 및 공통 전극(114)은 서로 교번하게끔 보호층 상에 배열된다. 공통 전극(114)은, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 라인과 동일한 층에(즉, 게이트 절연막 상에) 형성되거나, 또는 게이트 라인 및 게이트 전극과 동일한 층(즉, 게이트 절연막의 하부)에 형성될 수도 있다. 데이터 라인 또는 게이트 라인과 동일층에 형성되는 경우, 공통 전극(114)은 데이터 라인 또는 게이트 라인과 동일한 도전 물질로 형성된다.The array area AR of the lower substrate 100 is divided into pixel areas by a gate line (not shown) and a data line (not shown). Each of these pixel regions includes a thin film transistor 110, a pixel electrode 112, and a common electrode 114. The thin film transistor 110 includes a gate insulating layer formed on an entire surface of the lower substrate 100 including a gate electrode, a gate line, and a gate electrode protruding from the gate line. In addition, the thin film transistor 110 may include an active layer formed on the gate insulating layer above the gate electrode, a source electrode derived from the data line and overlapping with a portion of the active layer, and overlapping with another portion of the active layer spaced apart from the source electrode. A drain electrode is provided. In addition, the thin film transistor 110 may further include an ohmic contact layer formed between the active layer, the source electrode, and the drain electrode. The pixel electrode 112 is formed on the passivation layer to be in electrical contact with the drain electrode of the thin film transistor 110. The common electrode 114 is formed on the passivation layer to be electrically connected to the common electrodes on the adjacent pixel region. The pixel electrode 112 and the common electrode 114 may be formed of a transparent conductive metal having excellent light transmittance, such as indium-tin-oxide (hereinafter, referred to as "ITO"). The pixel electrode 112 and the common electrode 114 are arranged on the protective layer alternately with each other. The common electrode 114 may be formed on the same layer as the source electrode, the drain electrode, and the data line (ie, on the gate insulating layer) or on the same layer as the gate line and the gate electrode (ie, below the gate insulating layer). It may be. When formed on the same layer as the data line or the gate line, the common electrode 114 is formed of the same conductive material as the data line or the gate line.

하부 기판(100)은 주변 회로 영역(PCR)에 형성된 접지 배선(CML) 및 정전기 뮤트 셀(120)을 구비한다. 정전기 뮤트 셀(120)은 어레이 영역(AR)으로부터 신장된 게이트 라인 또는 데이터 라인과 접지 배선(CML)과 전기적으로 연결되어 게이트 라인 또는 데이터 라인 상의 정전기를 접지 배선(CML) 쪽으로 방전시킨다. 접지 배선(CML)은 하부 기판(100)의 패드 영역(PDR) 상의 접지 패드(PDM)와도 전기적으로 연결되게 형성되어 정전기 뮤트 셀(120)로부터의 정전기가 외부의 접지 소스(도시하지 않음) 쪽으로 방전될 수 있게 한다. 접지 배선(CML)D은 어레이 영역(AR)을 감싸게끔 폐루우프(Closed Loop)의 형태로 형성된다. 이 접지 배선(CML)의 일부는 게이트 라인 및 게이트 전극과 동시에 형성되고, 접지 배선(CML)의 나머지는 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극과 동시에 형성된다. 정전기 뮤트 셀(120)은 박막 트랜지스터와 동시에 형성된다.The lower substrate 100 includes a ground line CML and an electrostatic mute cell 120 formed in the peripheral circuit region PCR. The electrostatic mute cell 120 is electrically connected to the gate line or data line and the ground line CML extending from the array area AR to discharge static electricity on the gate line or the data line toward the ground line CML. The ground line CML is also formed to be electrically connected to the ground pad PDM on the pad area PDR of the lower substrate 100 so that the static electricity from the electrostatic mute cell 120 is directed toward an external ground source (not shown). To be discharged. The ground line CML D is formed in the form of a closed loop to surround the array area AR. A part of the ground line CML is formed simultaneously with the gate line and the gate electrode, and the rest of the ground line CML is formed simultaneously with the data line and the source and drain electrodes. The electrostatic mute cell 120 is formed simultaneously with the thin film transistor.

하부 기판(100)의 패드 영역(PDR) 상의 패드들도, 게이트 라인 및 게이트 전 극과 동시에 형성되는 일부 패드들 그리고 데이터 라인, 소스 및 드레인 전극과 동시에 형성되는 나머지 패드들을 포함한다. 일부 패드들에는 접지 패드 및 게이트 패드 등이 포함되고, 나머지 패드들에는 접지 패드 및 데이터 패드 등이 포함된다.The pads on the pad region PDR of the lower substrate 100 may also include some pads formed simultaneously with the gate line and the gate electrode and remaining pads formed simultaneously with the data line, source, and drain electrodes. Some pads include ground pads and gate pads, and others include ground pads and data pads.

하부 기판(100)에는, 접지 배선(CML)의 적어도 하나의 모서리와 전기적으로 접촉하게 적어도 하나의 도전성 도트 접점(130)이 형성된다. 적어도 하나의 도트 접점(130)은 접지 배선(CML)을 경유하여 접지 패드(PDM)와 전기적으로 연결된다. 이러한 적어도 하나의 도전성 도트 접점(130) 대신에 접지 배선(CML)을 따라 테의 형상을 가지는 도전성 접촉부가 하부 기판(100) 상에 형성될 수도 있다. 이 도전성 접촉부도 접지 배선(CML)을 경유하여 접지 패드들(PDM1~PDM4)과 전기적으로 연결된다.At least one conductive dot contact 130 is formed in the lower substrate 100 to be in electrical contact with at least one edge of the ground line CML. The at least one dot contact 130 is electrically connected to the ground pad PDM via the ground line CML. Instead of the at least one conductive dot contact 130, a conductive contact having a frame shape along the ground line CML may be formed on the lower substrate 100. The conductive contact is also electrically connected to the ground pads PDM1 to PDM4 via the ground wiring CML.

상부 기판(200)은 어레이 영역(AR) 및 주변 회로 영역(PCR)을 포함한 모든 영역에 형성된 블랙 매트릭스를 구비한다. 블랙 매트릭스는 어레이 영역(AR) 상에 위치하는 매트릭스부(210A)과 주변 회로 영역(PCR)에 위치한 확장부(210B)를 구비한다. 매트릭스부(210A)는 상부 기판(200)의 어레이 영역(AR)을 단위 영역(즉, 화소 영역)들로 구분한다. 확장부(210B)는 상부 기판(200) 및 하부 기판(100)의 사이에 위치하는 적어도 하나의 도트 접점(130)을 통해 하부 기판(100)의 주변 회로 영역(PCR) 상의 접지 배선(CML)과 전기적으로 연결된다. 이러한 블랙 매트릭스는 상부 기판(200)과 액정 물질 층(300) 사이에 발생 될 수 있는 정전기가 자신을 비롯하여 접촉 접점(130), 하부 기판(100) 상의 접지 배선(CML) 및 접지 패드(PDM)를 통하여 외부의 접지 소스 쪽으로 방전되게 한다. 이를 위하여, 블랙 매트릭 스(210)는 크롬(Cr)과 같은 금속 물질로 형성된다.The upper substrate 200 has a black matrix formed in all regions including the array region AR and the peripheral circuit region PCR. The black matrix has a matrix portion 210A positioned on the array region AR and an extension portion 210B positioned in the peripheral circuit region PCR. The matrix unit 210A divides the array region AR of the upper substrate 200 into unit regions (ie, pixel regions). The expansion unit 210B may include a ground line CML on the peripheral circuit region PCR of the lower substrate 100 through at least one dot contact 130 positioned between the upper substrate 200 and the lower substrate 100. Is electrically connected to the The black matrix is a static electricity that can be generated between the upper substrate 200 and the liquid crystal material layer 300, including the contact contact 130, the ground wiring (CML) and the ground pad (PDM) on the lower substrate 100 Discharge through to the external ground source. To this end, the black matrix 210 is formed of a metal material such as chromium (Cr).

또한, 하부 기판(200)은 블랙 매트릭스(210)의 매트릭스부(210A)에 의하여 구분된 단위 영역들(화소 영역들)에 대응하게 형성된 칼라 필터(220)를 추가로 구비할 수 있다. 이러한 칼라 필터는 고유 색의 광만이 투과되게 한다. 이러한 본연의 기능 외에도, 칼라 필터(220)는 상부 기판(200)과 액정 물질 층(300) 사이에서 발생 될 수 있는 정전기가 자신 및 블랙 매트릭스(210), 도트 접점(130), 및 하부 기판(100) 상의 접지 배선(CML) 및 접지 패드(PDM)를 경유하여 외부의 접지 소스 쪽으로 효율적으로 방전되게 할 수도 있다. 이를 위하여, 칼라 필터(220)는 광 투과가 가능한 도전 물질로 형성될 것이다. 이에 더하여, 상부 기판(200)은 블랙 매트릭스(210)의 매트릭스부(210A) 및 칼라 필터(220)의 상부에 형성되는 오버 코트 층(230)을 추가로 구비할 수 있다. 이 오버 코트 층(230)은 블랙 매트릭스(210)의 매트릭스부(210A)과 칼라 필터(220) 간의 단차를 제거하여 상부 기판(200)이 평탄한 표면을 가지게 한다. 오버 코트 층(230)은 상부 기판(200)과 액정 물질 층(300) 사이에서 발생 될 수 있는 정전기가 자신 및 블랙 매트릭스(210), 도트 접점(130), 및 하부 기판(100) 상의 접지 배선(CML) 및 접지 패드(PDM)를 경유하여 외부의 접지 소스 쪽으로 효율적으로 방전되게 할 수도 있다. 이를 위하여, 오버 코트 층(230)은 광 투과가 가능한 도전 물질로 형성될 수 있다.In addition, the lower substrate 200 may further include a color filter 220 corresponding to unit regions (pixel regions) separated by the matrix portion 210A of the black matrix 210. This color filter allows only light of a unique color to be transmitted. In addition to this inherent function, the color filter 220 may have static electricity generated between the upper substrate 200 and the liquid crystal material layer 300 by itself and the black matrix 210, the dot contact 130, and the lower substrate ( It may be efficiently discharged toward the external ground source via the ground wiring (CML) and the ground pad (PDM) on the 100. To this end, the color filter 220 will be formed of a conductive material capable of transmitting light. In addition, the upper substrate 200 may further include an overcoat layer 230 formed on the matrix portion 210A of the black matrix 210 and the color filter 220. The overcoat layer 230 removes a step between the matrix portion 210A of the black matrix 210 and the color filter 220 so that the upper substrate 200 has a flat surface. The overcoat layer 230 is a ground wire on the self and the black matrix 210, the dot contact 130, and the lower substrate 100, which may be generated between the upper substrate 200 and the liquid crystal material layer 300. It can also be efficiently discharged to an external ground source via the CML and ground pad (PDM). To this end, the overcoat layer 230 may be formed of a conductive material capable of transmitting light.

밀봉 물질(310)은 어레이 영역(AR)과 주변 회로 영역(PCR)의 경계부를 따라 테 형태로 가지게끔 상부 기판(200) 또는 하부 기판(100) 상에 형성된다. 다시 말하여, 테 형태의 밀봉 물질(310)은 적어도 하나의 도트 접점(130) 보다 안쪽에 위 치한다. 상기한 하부 기판(100) 및 상부 기판(200)이 합착된 후 밀물 물질(310)의 내부 공간에 액정 물질(300)이 주입되게 된다. The sealing material 310 is formed on the upper substrate 200 or the lower substrate 100 to have a rim shape along the boundary between the array region AR and the peripheral circuit region PCR. In other words, the sealing material 310 in the form of a frame is positioned inward of the at least one dot contact 130. After the lower substrate 100 and the upper substrate 200 are bonded together, the liquid crystal material 300 is injected into the inner space of the high water material 310.

도 3은 도 2의 액정 패널의 레이-아웃을 상세하게 설명하는 평면도이고, 도 4는 도 2의 액정 패널의 상부 기판(200)의 레이-아웃을 상세하게 설명하는 평면도이다. 도 3 및 4를 참조하면, 정전기 방지 기능의 액정 패널은 서로 대면된 하부 기판(100) 및 상부 기판(200)을 구비한다. 하부 기판(100) 및 상부 기판(200)의 중앙부는 영상의 표시에 이용되는 어레이 영역(AR)으로 할당되고, 어레이 영역(AR)의 주변부(즉, 상부 기판(200)의 가장자리)는 주변 회로 영역(PCR)으로 할당된다. 이에 더하여, 하부 기판(100)은 상부 기판(200)의 위쪽 및 좌측 바깥쪽으로 신장된 패드 영역(PDR)을 구비한다.3 is a plan view illustrating the layout of the liquid crystal panel of FIG. 2 in detail, and FIG. 4 is a plan view illustrating the layout of the upper substrate 200 of the liquid crystal panel of FIG. 2 in detail. 3 and 4, the antistatic liquid crystal panel includes a lower substrate 100 and an upper substrate 200 facing each other. The central portions of the lower substrate 100 and the upper substrate 200 are allocated to the array region AR used for displaying an image, and the periphery of the array region AR (that is, the edge of the upper substrate 200) is a peripheral circuit. It is assigned to the area PCR. In addition, the lower substrate 100 has a pad region PDR extending outward and to the left of the upper substrate 200.

하부 기판(100) 상의 어레이 영역(AR)은 다수의 게이트 라인(GL1~GLn) 및 다수의 데이터 라인(DL1~DLm)에 의하여 다수의 화소 영역들로 구분된다. 하부 기판(100)의 화소 영역들 각각에는 박막 트랜지스터(110), 화소 전극들(1112) 및 공통 전극들(114)이 형성된다. 화소 전극들(112)은 모두 박막 트랜지스터(110)의 드레인 전극에 전기적으로 연결된다. 박막 트랜지스터(110)의 소스 전극은 대응하는 데이터 라인(DL)에 그리고 박막 트랜지스터(110)의 게이트 전극은 대응하는 게이트 라인(GL)에 접속된다.The array area AR on the lower substrate 100 is divided into a plurality of pixel areas by a plurality of gate lines GL1 to GLn and a plurality of data lines DL1 to DLm. The thin film transistor 110, the pixel electrodes 1112, and the common electrodes 114 are formed in each pixel area of the lower substrate 100. The pixel electrodes 112 are all electrically connected to the drain electrode of the thin film transistor 110. The source electrode of the thin film transistor 110 is connected to the corresponding data line DL and the gate electrode of the thin film transistor 110 is connected to the corresponding gate line GL.

하부 기판(100)의 주변 회로 영역(PCR)에는 접지 배선(CML) 및 정전기 뮤트 셀들(120)이 형성된다. 정전기 뮤트 셀들(120) 중, 대응하는 게이트 라인(GL)과 접지 배선(CML) 사이에 접속된 일부의 정전기 뮤트 셀들(120)은 대응하는 게이트 라인(GL1~GLn) 상의 정전기를 접지 배선(CML) 쪽으로 방전시키고, 대응하는 데이터 라인(DL) 및 접지 배선(CML) 사이에 접속된 나머지 정전기 뮤트 셀들(120)은 대응하는 데이터 라인(DL) 상의 정전기를 접지 배선(CML) 쪽으로 방전시킨다. 이를 위하여, 정전기 뮤트 셀들(120)의 일측 단자들은 게이트 라인들(GL1~GLn) 각각의 양단 및 데이터 라인들(DL1~DLm) 각각의 양단 중 어느 하나에 접속되고, 정전기 뮤트 셀들(120)의 타측 단자들은 모두가 접지 배선(CML)에 공통적으로 접속된다. 접지 배선(CML)은 하부 기판(100)의 어레이 영역(AR)을 감싸는 폐루우프의 형태로 형성된다. 접지 배선(CML) 중 일부(데이터 라인과 교차하는 접지 배선 부분)은 게이트 배선(GL)과 동일한 물질로 형성되고, 접지 배선(CML)의 나머지 부분(게이트 라인들과 교차하는 접지 배선 부분)은 데이터 라인(DL)과 동일한 물질로 형성된다. 이에 따라, 게이트 라인들(GL)과 교차하는 접지 배선(CML)의 일부분은 데이터 라인들(DL)과 동시에 형성되는 반면에 데이터 라인들(DL)과 교차하는 접지 배선(CML)의 나머지 부분은 게이트 라인들(GL)과 동시에 형성된다. 또한, 하부 기판(100)의 주변 회로 영역(PCR) 상의 접지 배선은 인접한 패드 영역(PAR) 상의 적어도 2 이상의 접지 패드(PDM1~PDM4)와 전기적으로 연결된다. 나아가, 하부 기판(100)의 주변 회로 영역(PCR) 상의 접지 배선(CML)은 도트 접점(130)을 통하여 상부 기판(200) 상의 블랙 매트릭스(210), 상세하게는 블랙 매트릭스(210)의 확장부(210A)와도 전기적으로 연결된다.The ground line CML and the electrostatic mute cells 120 are formed in the peripheral circuit region PCR of the lower substrate 100. Among the static mute cells 120, some of the static mute cells 120 connected between the corresponding gate line GL and the ground line CML are connected to the ground lines CML on the corresponding gate lines GL1 to GLn. ) And the remaining electrostatic mute cells 120 connected between the corresponding data line DL and the ground line CML discharge the static electricity on the corresponding data line DL toward the ground line CML. To this end, one terminal of the electrostatic mute cells 120 is connected to either one of both ends of each of the gate lines GL1 to GLn and both ends of each of the data lines DL1 to DLm, and the electrostatic mute cells 120 The other terminals are all commonly connected to the ground wiring CML. The ground line CML is formed in the form of a closed loop surrounding the array area AR of the lower substrate 100. Some of the ground wiring CML (a ground wiring portion crossing the data line) is formed of the same material as the gate wiring GL, and the remaining portion of the ground wiring CML (the ground wiring portion crossing the gate lines) is formed. It is formed of the same material as the data line DL. Accordingly, a portion of the ground line CML crossing the gate lines GL is formed at the same time as the data lines DL, while the remaining portion of the ground line CML crossing the data lines DL is formed. It is formed simultaneously with the gate lines GL. In addition, the ground line on the peripheral circuit region PCR of the lower substrate 100 is electrically connected to at least two ground pads PDM1 to PDM4 on the adjacent pad region PAR. Further, the ground wiring CML on the peripheral circuit region PCR of the lower substrate 100 may extend through the dot contact 130 to the black matrix 210 on the upper substrate 200, in particular, the black matrix 210. It is also electrically connected to the part 210A.

하부 기판(100)의 패드 영역(PDR)에는, 게이트 패드들(PDG1~PDGn), 데이터 패드들(PDD1~PDDm) 및 적어도 1 이상의 접지 패드들(PDM1~PDM4)이 배열된다. 게이 트 패드들(PDG1~PDGn)은 어레이 영역(AR) 상의 게이트 라인들(GL1~GLn)과 대응되게 전기적으로 연결되고, 데이터 패드들(PDD1~PDDm)도 어레이 영역(AR) 상의 데이터 라인들(DL1~DLm)과 대응되게 전기적으로 연결된다. 적어도 1 이상의 접지 패드(PDM1~PDM4)는 주변 회로 영역(PCR) 상의 접지 배선(CML)에 전기적으로 공통-접속된다. 게이트 패드들(PDG1~PDGn), 데이터 패드들(PDD1~PDDm) 및 적어도 1 이상의 접지 패드(PDM1~PDM4) 외에도 하부 기판(100)의 패드 영역(PDR) 상에는 공급 전압, 기준 전압 및 타이밍 신호의 전달을 위한 패드들(도시하지 않음)이 마련된다. 적어도 1 이상의 접지 패드(PDM1~PDM4)는 액정 패널의 외부에 설치되는 접지 전압 소스에 연결되어 주변 회로 영역(PCR) 상의 접지 배선(CML)으로부터 외부의 접지 전압 소스에 이르는 정전기의 방전 통로를 형성시킨다.Gate pads PDG1 to PDGn, data pads PDD1 to PDDm, and at least one ground pads PDM1 to PDM4 are arranged in the pad region PDR of the lower substrate 100. The gate pads PDG1 to PDGn are electrically connected to the gate lines GL1 to GLn on the array region AR, and the data pads PDD1 to PDDm are also data lines on the array region AR. It is electrically connected corresponding to (DL1 ~ DLm). At least one ground pad PDM1-PDM4 is electrically common-connected to the ground wiring CML on the peripheral circuit region PCR. In addition to the gate pads PDG1 to PDGn, the data pads PDD1 to PDDm, and at least one or more ground pads PDM1 to PDM4, the pad region PDR of the lower substrate 100 may be provided with a supply voltage, a reference voltage, and a timing signal. Pads (not shown) for delivery are provided. At least one ground pad PDM1 to PDM4 is connected to a ground voltage source installed outside of the liquid crystal panel to form a discharge path of static electricity from the ground wiring CML on the peripheral circuit region PCR to an external ground voltage source. Let's do it.

상부 기판(200)에는 블랙 매트릭스(210)가 형성된다. 블랙 매트릭스(210)는 어레이 영역(AR) 상에 위치하는 매트릭스부(210A) 및 주변 회로 영역(PCR) 상에 형성된 확장부(210B)를 구비한다. 블랙 매트릭스(210)의 매트릭스부(210A)는 상부 기판(200)의 어레이 영역(AR)을 화소 영역들로 구분한다. 블랙 매트릭스(210)의 확장부(210B)는 주변 회로 영역(PCR)의 전면에 형성된다. 이러한 블랙 매트릭스(210)는 화소들 사이의 광 간섭을 방지한다. 이 외에도, 블랙 매트릭스(210)는 상부 기판(200) 및 액정 물질 층(300)과 사이에 발생 될 수 있는 정전기를 방전시키는 기능을 가진다. 이를 위하여, 매트릭스부(210A) 및 확장부(210B)를 포함하는 블랙 매트릭스(210)는 크롬(Cr)과 같은 도전성 물질로 형성됨과 아울러 적어도 1 이상의 도트 접점(130)에 의하여 하부 기판(100)의 주변 회로 영역(PCR) 상의 접지 배선(CML)과도 전기적으로 연결된다. 적어도 1 이상의 도트 접점(130)은 블랙 매트릭스(210)의 확장부(210A)가 하부 기판(100)의 주변 회로 영역(PCR) 상의 접지 배선(CML)과 전기적으로 연결되게 한다.The black matrix 210 is formed on the upper substrate 200. The black matrix 210 includes a matrix portion 210A positioned on the array region AR and an extension portion 210B formed on the peripheral circuit region PCR. The matrix portion 210A of the black matrix 210 divides the array region AR of the upper substrate 200 into pixel regions. The extension 210B of the black matrix 210 is formed on the front surface of the peripheral circuit region PCR. This black matrix 210 prevents optical interference between the pixels. In addition, the black matrix 210 has a function of discharging static electricity that may be generated between the upper substrate 200 and the liquid crystal material layer 300. To this end, the black matrix 210 including the matrix portion 210A and the extension portion 210B is formed of a conductive material such as chromium (Cr) and at least one dot contact 130 to form the lower substrate 100. It is also electrically connected to the ground wiring CML on the peripheral circuit region PCR of the. The at least one dot contact 130 allows the extension 210A of the black matrix 210 to be electrically connected to the ground line CML on the peripheral circuit region PCR of the lower substrate 100.

적어도 하나의 도트 접점(130)은 접지 배선(CML)의 적어도 하나의 모서리와 일측(즉, 하단)이 전기적으로 접촉하게 형성된다. 적어도 하나의 도트 접점(130)의 타측(상단)은 하부 기판(100)과 상부 기판(200)의 합착 시에 블랙 매트릭스(210)의 확장부(210B)의 적어도 하나의 모서리와 전기적으로 접촉한다. 다시 말하여, 적어도 하나의 도트 접점(130)은 블랙 매트릭스(210)의 확장부(210B)를 접지 패드(PDM)에 전기적으로 연결시킨다. 이 적어도 하나의 도트 접점(130)에 의하여, 상부 기판(200)의 표면에 대전된 정전기들이 블랙 매트릭스(210)의 매트릭스부(210A) 및 확장부(210B), 도트 접점(130), 접지 배선(CML) 및 접지 패드(PDM1~PDM4)를 경유하여 접지 소스 쪽으로 방전되게 된다. 다시 말하여, 정전기 방지 기능의 액정 패널은 하부 기판(100)의 표면에 대전되는 정전기들뿐만 아니라 상부 기판(200)의 표면에 대전된 정전기들까지도 방전시킬 수 있다. 이에 따라, 합착 공정은 물론 그 이후의 제조 공정에서 정전기에 의한 액정 패널의 손상이 방지되고, 나아가 액정 패널의 수율이 높아지게 된다. 아울러, 정전기에 의한 화소 구동 신호의 왜곡이 제거되어 액정 패널에 표시되는 화상의 질이 향상될 수 있다.The at least one dot contact 130 is formed such that at least one edge of the ground line CML and one side (that is, the bottom) are in electrical contact with each other. The other side (top) of the at least one dot contact 130 is in electrical contact with at least one edge of the extension 210B of the black matrix 210 when the lower substrate 100 and the upper substrate 200 are bonded together. . In other words, the at least one dot contact 130 electrically connects the extension 210B of the black matrix 210 to the ground pad PDM. By the at least one dot contact 130, the static electricity charged on the surface of the upper substrate 200 is transferred to the matrix portion 210A and the extension portion 210B of the black matrix 210, the dot contact 130, and the ground wiring. It is discharged to the ground source via the CML and the ground pads PDM1 to PDM4. In other words, the liquid crystal panel having the antistatic function may discharge static electricity charged on the surface of the lower substrate 100 as well as static electricity charged on the surface of the upper substrate 200. Accordingly, damage to the liquid crystal panel due to static electricity is prevented in the bonding process as well as in the subsequent manufacturing process, and the yield of the liquid crystal panel is increased. In addition, the distortion of the pixel driving signal due to static electricity may be removed to improve the quality of the image displayed on the liquid crystal panel.

도 5는 본 발명의 다른 실시 예의 정전기 방지 기능의 액정 패널의 레이-아웃을 설명하는 평면도이다. 도 5의 액정 패널은, 적어도 하나의 도트 접점(130)이 도전성 접촉부(130A)로 대치된 것을 제외하고는, 도 3의 액정 패널과 동일한 구성 을 가진다. 도 3에 도시된 것들과 동일한 기능, 동작 및 명칭을 가지는 도 5의 구성 요소들은 도 3에서와 동일한 부호로 인용될 것이다. 또한, 도 3의 것들과 동일한 도 5의 구성요소들에 대한 상세한 설명은, 이미 도 3을 통하여 명백하게 드러나 있기 때문에, 생략될 것이다.5 is a plan view illustrating a layout of a liquid crystal panel having an antistatic function according to another exemplary embodiment of the present invention. The liquid crystal panel of FIG. 5 has the same configuration as the liquid crystal panel of FIG. 3 except that at least one dot contact 130 is replaced by the conductive contact portion 130A. Components of FIG. 5 having the same functions, operations, and names as those shown in FIG. 3 will be referred to by the same reference numerals as in FIG. 3. Also, the detailed description of the components of FIG. 5 that are identical to those of FIG. 3 will be omitted, as is already apparent from FIG. 3.

도전성 접촉부(130A)는 접지 배선(CML)을 따라 테의 형태를 가지게끔 하부 기판(100) 상에 형성된다. 이러한 테의 형상의 도전성 접촉부(130A)는 접지 배선(CML)과 직접 접촉하여 접지 배선(CML)을 경유하여 적어도 하나의 접지 패드(PDM1~PDM4)와 전기적으로 연결된다. 또한, 하부 기판(100)과 상부 기판(200)과의 합착 시, 도전성 접촉부(130A)는 상부 기판(200) 상의 블랙 매트릭스(210)의 확장부(210A)와 직접 접촉하여 블랙 매트릭스(210)를 접지 패드(PDM)에 전기적으로 연결시킨다. 이러한 도전성 접촉부(130A)에 의하여, 상부 기판(200)의 표면에 대전된 정전기들이 블랙 매트릭스(210)의 매트릭스부(210A) 및 확장부(210B), 도전성 접촉부(130A), 접지 배선(CML) 및 접지 패드(PDM1~PDM4)를 경유하여 접지 소스 쪽으로 방전되게 된다. 다시 말하여, 정전기 방지 기능의 액정 패널은 하부 기판(100)의 표면에 대전되는 정전기들뿐만 아니라 상부 기판(200)의 표면에 대전된 정전기들까지도 방전시킬 수 있다. 이에 따라, 합착 공정은 물론 그 이후의 제조 공정에서 정전기에 의한 액정 패널의 손상이 방지되고, 나아가 액정 패널의 수율이 높아지게 된다. 아울러, 정전기에 의한 화소 구동 신호의 왜곡이 제거되어 액정 패널에 표시되는 화상의 질이 향상될 수 있다.The conductive contact portion 130A is formed on the lower substrate 100 to have the shape of a frame along the ground line CML. The conductive contact portion 130A having such a frame shape is directly contacted with the ground wire CML to be electrically connected to the at least one ground pad PDM1 to PDM4 via the ground wire CML. In addition, when the lower substrate 100 and the upper substrate 200 are bonded to each other, the conductive contact portion 130A may be in direct contact with the extension 210A of the black matrix 210 on the upper substrate 200 so as to contact the black matrix 210. Is electrically connected to a ground pad (PDM). By the conductive contact 130A, the static electricity charged on the surface of the upper substrate 200 is transferred to the matrix portion 210A and the extension portion 210B of the black matrix 210, the conductive contact portion 130A, and the ground wiring (CML). And discharge to the ground source via the ground pads PDM1 to PDM4. In other words, the liquid crystal panel having the antistatic function may discharge static electricity charged on the surface of the lower substrate 100 as well as static electricity charged on the surface of the upper substrate 200. Accordingly, damage to the liquid crystal panel due to static electricity is prevented in the bonding process as well as in the subsequent manufacturing process, and the yield of the liquid crystal panel is increased. In addition, the distortion of the pixel driving signal due to static electricity may be removed to improve the quality of the image displayed on the liquid crystal panel.

이상과 같이, 본 발명이 첨부된 도면들에 도시된 실시 예들로 국한되게 설명 되었으나, 이는 예시적인 것들에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서도 다양한 변형, 변경 및 균등한 타 실시 예들이 가능하다는 것을 명백하게 알 수 있을 것이다.As described above, the present invention has been limited to the embodiments shown in the accompanying drawings, but these are merely exemplary, and those skilled in the art to which the present invention pertains may have the technical idea and It will be apparent that various modifications, changes and equivalent other embodiments are possible without departing from the scope.

예를 들면, 도 3 및 도 5의 액정 패널이, 게이트 라인(GL) 또는 데이터 라인(DL)과 접지 배선(CML) 사이에 접속된 정전기 뮤트 셀(120) 외에도, 공통 전극(114)에 공통 전압(Vcom)을 공급하기 위하여 어레이 영역(AR)으로부터 신장되는 공통 전압 배선과 접지 배선(CML) 사이에 접속되는 적어도 하나의 정전기 방지 셀을 추가로 구비할 수 있다. 공통 전압 배선에 접속된 정전기 뮤트 셀은 공통 전압 배선 상에 대전되는 정전기를 접지 배선(CML) 및 접지 패드(PDM)을 경유하여 외부의 접지 소스로 방전시킨다.For example, the liquid crystal panel of FIGS. 3 and 5 is common to the common electrode 114 in addition to the electrostatic mute cell 120 connected between the gate line GL or the data line DL and the ground wiring CML. At least one antistatic cell connected between the common voltage line extending from the array region AR and the ground line CML may be further provided to supply a voltage Vcom. The electrostatic mute cell connected to the common voltage line discharges the static electricity charged on the common voltage line to an external ground source via the ground line CML and the ground pad PDM.

이에 더하여, 도 3 및 도 5의 액정 패널은 화소 전극(112)과 함께 박막 트랜지스터(110)에 접속된 일측 단자를 가지는 스토리지 캐패시터(도시하지 않음)를 구비할 수 있다. 이 경우, 도 3 및 도 5의 액정 패널은, 스토리지 캐패시터의 타측 단자를 일정한 전위의 전원에 연결하기 위하여 어레이 영역(AR)으로부터 신장되어진 스토리지 배선(도시하지 않음)과 접지 배선(CML) 사이에 접속되는 적어도 하나의 정전기 뮤트 셀도 구비할 것이다. 적어도 하나의 정전기 뮤트 셀은 스토리지 배선 상에 대전되는 정전기를 접지 배선(CML) 및 접지 패드(PDM)를 경유하여 외부의 접지 소스로 방전시킬 수 있다.In addition, the liquid crystal panel of FIGS. 3 and 5 may include a storage capacitor (not shown) having one terminal connected to the thin film transistor 110 together with the pixel electrode 112. In this case, the liquid crystal panel of FIGS. 3 and 5 is disposed between the storage wiring (not shown) and the ground wiring CML extending from the array region AR in order to connect the other terminal of the storage capacitor to a power source having a constant potential. It will also have at least one electrostatic mute cell connected. The at least one electrostatic mute cell may discharge static electricity charged on the storage wiring to an external ground source via the ground wiring CML and the ground pad PDM.

따라서, 보호되어야 할 본 발명의 기술적 사상 및 범위는 첨부된 특허청구의 범위에 의하여 정해져야만 할 것이다.Therefore, the spirit and scope of the present invention to be protected will be defined by the appended claims.

본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면에 대한 보다 충분한 이해를 돕기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS For a better understanding of the drawings used in the detailed description of the present invention, a brief description of each drawing is provided.

도 1 은 통상의 황전계 방식 액정 패널의 구조를 설명하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating the structure of a conventional sulfur field type liquid crystal panel.

도 2 는 본 발명의 실시 예에 따른 정전기 방지 기능의 액정 패널의 구조를 설명하는 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a structure of a liquid crystal panel having an antistatic function according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3 은 도 2에 도시된 액정 패널의 레이-아웃을 설명하는 평면도이다.3 is a plan view illustrating a layout of the liquid crystal panel illustrated in FIG. 2.

도 4 는 도 3의 액정 패널의 상부 기판의 레이-아웃을 설명하는 평면도이다.4 is a plan view illustrating a layout of an upper substrate of the liquid crystal panel of FIG. 3.

도 5 는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 정전기 방지 기능의 액정 패널의 레이-아웃을 설명하는 평면도이다.5 is a plan view illustrating a layout of a liquid crystal panel having an antistatic function according to another exemplary embodiment of the present invention.

《도면의 주요부분에 대한 부호의 설명》DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS to the main parts of the drawings "

10,100 : 하부 기판 12,110 : 박막 트랜지스터10,100: lower substrate 12,110: thin film transistor

14,112 : 화소 전극 16,114 : 공통 전극14,112: pixel electrode 16,114: common electrode

18,120 : 정전기 뮤트 셀 20,200 : 상부 기판18,120: electrostatic mute cell 20,200: upper substrate

22,210 : 블랙 매트릭스 24,220 : 칼라 필터22,210: Black Matrix 24,220: Color Filter

26,240 : 오버 코트 층 30,300 : 액정 물질 층26,240: overcoat layer 30,300: liquid crystal material layer

32,310 : 밀봉 물질 130 : 도트 접점32,310: sealing material 130: dot contact

130A : 도전성 접촉부 210A : 매트릭스부130A: conductive contact portion 210A: matrix portion

210B : 확장부210B: Extension

Claims (9)

박막 트랜지스터, 화소 전극 및 공통 전극이 화소 별로 형성된 화소 어레이를 가지는 하부 기판;A lower substrate having a pixel array in which a thin film transistor, a pixel electrode, and a common electrode are formed for each pixel; 상기 하부 기판상에 형성된 적어도 하나의 접지 패드;At least one ground pad formed on the lower substrate; 상기 화소 어레이와 대응되는 매트릭스부와 이 매트릭스부의 주위의 확장부를 가지는 도전성 블랙 매트릭스가 형성된 상부 기판;An upper substrate having a conductive black matrix having a matrix portion corresponding to the pixel array and an extension portion around the matrix portion; 상기 매트릭스부와 상기 화소 어레이 사이에 충진된 액정 물질;A liquid crystal material filled between the matrix portion and the pixel array; 상기 적어도 하나의 접지 패드와 상기 블랙 매트릭스의 확장부를 전기적으로 연결시키는 도전성 접촉부;A conductive contact electrically connecting the at least one ground pad to an extension of the black matrix; 상기 화소 어레이 주위를 감쌈과 아울러 상기 접지 패드와 전기적으로 연결되게끔 상기 하부 기판상에 형성된 접지 배선; 및A ground line formed on the lower substrate to wrap around the pixel array and to be electrically connected to the ground pad; And 상기 화소 어레이로부터 연장된 다수의 게이트 라인 및 다수의 데이터 라인 각각에 전기적으로 접속됨과 아울러 상기 접지 배선에 공통적으로 접속된 적어도 하나의 제1 정전기 뮤트 셀들을 구비하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지 기능의 액정 패널.And at least one first electrostatic mute cell electrically connected to each of the plurality of gate lines and the plurality of data lines extending from the pixel array and commonly connected to the ground line. panel. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도전성 접촉부가 적어도 하나의 은(Ag) 도트 접점을 구비하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지 기능의 액정 패널.And the conductive contact portion comprises at least one silver dot contact. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도전성 접촉부가 상기 화소 어레이의 주위를 감싸게끔 상기 하부 기판에 테 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 정전기 방지 기능의 액정 패널.And an electroconductive contact portion formed in a rim on the lower substrate to surround the pixel array. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 블랙 매트릭스의 상기 매트릭스부에 의하여 구분된 영역들 각각에 형성된 칼라 필터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지 기능의 액정 패널.And a color filter formed in each of the regions separated by the matrix portion of the black matrix. 제 5 항에 있어서,6. The method of claim 5, 상기 칼라 필터가 도전 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 정전기 방지 기능의 액정 패널.And the color filter is formed of a conductive material. 제 5 항에 있어서,6. The method of claim 5, 상기 칼라 필터들 및 상기 매트릭스부 상에 덮도록 형성된 오버 코트 층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지 기능의 액정 패널.And an overcoat layer formed to cover the color filters and the matrix portion. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 오버 코트 층이 광의 투과가 가능한 도전 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 정전기 방지 기능의 액정 패널.And the overcoat layer is formed of a conductive material capable of transmitting light. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 화소 어레이는 다수의 공통 전압 배선 및 스토리지 배선들을 더 포함하고,The pixel array further includes a plurality of common voltage wirings and storage wirings, 상기 화소 어레이로부터 연장된 상기 공통 전압 배선 및 스토리지 배선 중 적어도 하나와 접속됨과 아울러 상기 접지 배선에 접속된 적어도 하나의 제 2 정전기 뮤트 셀들을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 정전기 방지 기능의 액정 패널.And at least one second electrostatic mute cell connected to at least one of the common voltage line and the storage line extending from the pixel array and connected to the ground line.
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