KR101366980B1

KR101366980B1 - 유기전계발광소자

Info

Publication number: KR101366980B1
Application number: KR1020070053726A
Authority: KR
Inventors: 박홍기; 최홍석; 김우찬
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2007-06-01
Filing date: 2007-06-01
Publication date: 2014-02-24
Anticipated expiration: 2027-06-01
Also published as: KR20080105741A; TWI379615B; US20080297450A1; CN101315944A; TW200901819A; DE102008025471B4; DE102008025471A1; US8749745B2; CN101315944B

Abstract

본 발명은, 기판; 기판 상에 위치하는 다수의 서브 픽셀을 포함하는 표시부; 표시부 외곽에 위치하며 밀봉부재가 형성되도록 정의된 실링영역; 및 표시부에 연결되며 표시부 외측에 배치된 다수의 배선들을 포함하되, 다수의 배선들 중 일부는 1개의 배선이 실링영역에서 2개 이상으로 분할된 유기전계발광소자를 제공한다.

유기전계발광소자, 전원배선, 분할

Description

유기전계발광소자{Organic Light Emitting Diode}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 평면도.

도 2는 도 1의 서브 픽셀의 회로 구성 예시도.

도 3은 도 1의 "Z"영역의 확대도.

도 4는 도 3의 "Z"영역의 다른 실시 예시도.

도 5는 도 3의 "Z"영역의 또 다른 실시 예시도.

도 6은 제2전원배선과 연결배선 간의 연결관계 예시도.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>

110: 기판 120: 서브 픽셀

130: 표시부 140: 다수의 배선들

160: 구동부 170: 패드부

180: 밀봉부재 S: 실링영역

본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것이다.

유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 기판 상에 위치하는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자였다.

또한, 유기전계발광소자는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식과 배면발광(Bottom-Emission) 방식 등이 있고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어져 있다.

이러한 유기전계발광소자는 수분이나 산소 등에 취약하여 소자를 보호하기 위해 봉지 기판을 구비하고 실란트 등과 같은 밀봉부재를 이용하여 기판과 봉지 기판을 봉지 하는 봉지 공정을 하였다. 봉지 공정 시, 실란트는 통상 조사된 UV(Ultra Violet)에 의해 경화됨으로써 기판과 봉지 기판을 기밀하게 된다.

한편, 실란트가 위치함은 물론 UV가 조사되는 실링영역에는 기판 상에 형성된 다수의 배선들이 배선되어 있는데, 이러한 배선들 중 일부는 실란트가 기판 상에 균일하게 도포되는 것을 방해하거나, UV가 실란트에 효과적으로 조사되는 것을 방해하기도 하여 소자 제조시 악영향을 초래하기도 한다.

또한, 이러한 배선들은 다른 배선들보다 다소 두껍게 형성된 전원배선으로서 이들은 배선 구조에 따라 배선 저항 문제를 일으키거나 배선에 흐르는 로드(load)를 편중시키는 문제를 야기하기도 하였으므로 기판 상에 전원배선을 형성할 때 주의가 필요하다.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 유기전계발광소자의 배선 구조를 달리하여 소자를 더욱 기밀하게 밀봉함은 물론 표시품질을 향상시키는 것이다.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 기판; 기판 상에 위치하는 다수의 서브 픽셀을 포함하는 표시부; 표시부 외곽에 위치하며 밀봉부재가 형성되도록 정의된 실링영역; 및 표시부에 연결되며 표시부 외측에 배치된 다수의 배선들을 포함하되, 다수의 배선들 중 일부는 1개의 배선이 실링영역에서 2개 이상으로 분할된 유기전계발광소자를 제공한다.

다수의 배선들 중 일부는 전원배선일 수 있다.

전원배선 중 일부 또는 전부는 다른 방향으로 꺾일 때, 2개 이상으로 재차 분할될 수 있다.

전원배선 중 일부 또는 전부는 분할된 배선들을 연결하는 연결배선이 위치할 수 있다.

전원배선 중 일부 또는 전부는 90˚ 각도로 배선될 때, 모서리 영역이 두 번에 걸쳐 꺾이는 형태로 배선될 수 있다.

다수의 배선들 중 실링영역 내에서 꺾이도록 배선되는 배선의 각도는 90˚이상 140˚이하일 수 있다.

다수의 배선들 중 실링영역 내에 위치하는 배선의 폭은 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 일 수 있다.

전원배선은, 분할된 배선인 분할배선과 이를 연결하는 연결배선을 포함하되, 분할배선(또는 연결배선)은 a1(또는 b1) - a3(또는 b3) ≤ a2(또는 b2) ≥ a1(또는 b1) - a3(또는 b3)의 배선 범위를 갖고 이의 체적은 상기 분할배선 × 상기 연결배선이며, a1(또는 b1)은 분할배선(또는 연결배선) 간의 거리이고, a2(또는 b2)는 a1(또는 b1)에서 a3(또는 b3)를 뺀 거리이고, a3(또는 b3)는 배선 간의 폭을 갖되, a1(또는 b1)은 100 ㎛ 내지 500㎛ 범위를 갖고, a3(또는 b3)는 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 범위를 가질 수 있다.

서브 픽셀은 하나 이상의 커패시터 및 트랜지스터를 포함할 수 있다.

<일 실시예>

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 평면도이다.

도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자는 기판(110) 상에 다수의 서브 픽셀(120)을 포함하는 표시부(130)가 위치한다.

표시부(130)에 포함된 서브 픽셀(120)은 기판(110) 상에 위치하는 트랜지스터 어레이에 포함된 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인에 연결된 애노드 또는 캐소드 사이에 유기 발광층이 위치하게 된다. 참고로, 앞서 설명한 트랜지스터 어레이에는 서브 픽셀(120)과 대응하는 영역에서 하나 이상의 트랜지스터 및 커패시터를 포함한다.

표시부(130)에 포함된 서브 픽셀(120)은 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀들(120R,120G,120B)과 같이 서브 픽셀로 정의되는데, 이와 같은 서브 픽셀들은 하 나의 단위 픽셀로도 정의될 수 있다.

도시된 도면에는 하나의 서브 픽셀(120)이 적색, 녹색 및 청색만 포함하는 것으로 표기되어 있으나 이는 실시예의 일환일 뿐 서브 픽셀(120)은 백색과 같은 발광 색을 더 포함하여 4개 이상으로도 형성할 수 있으며, 이 밖에 다른 색(예를 들면, 주황색, 노랑색 등)을 발광할 수도 있다.

참고로, 서브 픽셀(120)은 적어도 유기 발광층을 포함하며, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 또는 전자 주입층 중 하나 이상을 더 포함할 수 있고, 이 밖에 버퍼층, 블록킹층 등이 더 포함되어 애노드와 캐소드 간의 정공 또는 전자의 흐름을 조절할 수도 있음은 물론이다.

표시부(130) 외곽 기판(110)에는 소자를 외부로부터 보호하기 위해 봉지공정을 할 수 있도록 밀봉부재(180)를 형성하는 실링라인(S)이 위치한다. 여기서, 실링라인(S)은 밀봉부재(180)를 형성할 수 있도록 정의된 가상의 공간이나, 이는 도시된 바와 같이 실제 밀봉부재(180)가 형성되는 위치이기도 하다.

한편, 표시부(130) 외측 기판(110)에는 서브 픽셀(120)에 연결되는 다수의 배선들(140)이 배선된다. 특히, 배치된 다수의 배선들(140) 중 일부는 1개의 배선이 실링영역(S)에서 2개 이상으로 분할되도록 배선된다.

여기서, 다수의 배선들(140)이라 함은 서브 픽셀(120)에 양의 전원을 공급하는 제1전원 배선(예:VDD)(146)과 양의 전원 이하의 낮은 전원을 공급하는 제2전원 배선(예:GND)(144), 그리고 이 밖에 서브 픽셀(120)에 데이터 신호를 공급하는 데이터 배선(142)과 스캔 신호를 공급하는 스캔 배선(미도시) 등을 포함한다.

한편, 표시부(130)의 외측 기판(110) 상에는 구동부(160)가 위치하고, 구동부(160)와 인접된 영역의 기판(110) 외곽에는 패드부(170)가 위치한다.

여기서, 패드부(170)는 외부장치와의 연결을 목적으로 하며, 구동부(160)는 패드부(170)로부터 공급된 신호를 드라이빙 하여 표시부(130) 내에 위치하는 서브 픽셀(120)에 공급하는 역할을 한다.

앞서 설명한 다수의 배선들(140) 중 스캔 배선(미도시) 및 데이터 배선(142)은 구동부(160)에 연결되어 외부장치로부터 공급된 신호를 표시부(130)에 전달하게 된다.

참고로, 구동부(160)는 표시부(130)에 포함된 각각의 서브 픽셀들(120R,120G,120B)에 스캔신호를 공급하는 스캔 구동부와 스캔된 서브 픽셀들(120R,120G,120B)에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부로 구분될 수 있다.

또한, 스캔 구동부 및 데이터 구동부에 대한 위치는 자세하게 도시되어 있진 않지만, 스캔 구동부의 경우 표시부(130)의 외 측면 좌측 또는 우측에 위치할 수 있고, 데이터 구동부의 경우 표시부(130)의 외 측면 상측 또는 하측에 위치할 수도 있다.

앞서 설명한 바와 같이 다수의 배선들(140) 중 일부가 분할 배선되는 것은 이후 더욱 자세한 설명을 하되, 도시된 다수의 배선들(140)은 실시예의 설명을 위해 임의로 배선된 것일 뿐 이에 한정되지 않음을 참조한다. 덧붙여, 다수의 배선들(140) 중 일부가 분할된 배선은 실링라인(S) 이후 패드부(170)로 연결될 때, 계속 분할되도록 배선되지 않고 다시 원래의 배선 폭으로 배선되어 패드부(170)에 연 결될 수도 있음을 참조한다. 따라서, 다수의 배선들(140) 중 분할된 배선은 실링라인(S) 내에서만 분할되도록 하거나 그 이후 특정 영역에서 다시 원래의 배선 폭으로 배선될 수 있음은 물론이다.

한편, 다수의 배선들(140) 중 실링라인(S) 내에 위치하는 배선의 폭은 분할되기 전의 굵기의 5% 내지 50%를 유지하는 것이 유리하다. 따라서, 실랑라인(S) 내에 위치하는 배선의 폭은 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 로 형성될 수 있다.

여기서, 배선의 폭을 5 ㎛ 내지 50 ㎛보다 더 얇게 형성할 경우, 배선 저항이 상승 하게 되어 소비전력이 상승할 뿐만 아니라 신호의 외곡 현상에 의해 휘도가 감소하는 영향을 초래하게 된다. 또한, 되고, 배선의 폭을 5 ㎛ 내지 50 ㎛보다 더 두껍게 형성할 경우, 실링라인(S)에 형성되는 밀봉부재(180)가 경화되지 않을 수 있으므로 이를 고려한 것이다.

이하, 도 2를 참조하여, 도 1의 표시부(130)에 포함된 서브 픽셀(120)의 회로 구성의 일례를 설명하되, 이에 한정되지 않음을 참조한다.

도 2는 도 1의 서브 픽셀의 회로 구성 예시도 이다.

도 2를 참조하면, 서브 픽셀의 회로 구성은 스캔 배선(SCAN)에 게이트가 연결되고 데이터 배선(DATA)에 제1전극이 공통으로 연결된 스위칭 트랜지스터(TFT1)를 포함한다. 또한, 스위칭 트랜지스터(TFT1)의 제2전극에 게이트가 연결되고 제1전원 배선(VDD)에 제1전극이 연결된 구동 트랜지스터(TFT2)를 포함한다. 또한, 구동 트랜지스터(TFT2)의 게이트와 제1전원 배선(VDD) 사이에 연결된 커패시터(C)를 포함한다. 또한, 구동 트랜지스터(TFT2)의 제2전극과 제2전원 배선(GND) 사이에 연결된 유기발광다이오드(D)를 포함한다.

이와 같은 회로 구성을 갖는 하나의 서브 픽셀은 앞서, 도 1을 참조하여 설명한 것과 같이 패드부(170)를 통해 구동부(160)에 들어온 신호가 도 2의 스캔 배선(SCAN)과 데이터 배선(DATA)으로 공급되고, 선택된 트랜지스터들(TFT1,TFT2)이 구동하게 됨에 따라 유기발광다이오드(D)가 발광을 하게 된다. 여기서, 제1전원 배선(VDD)과 제2전원 배선(GND)은 앞서, 도 1에 도시된 제1전원 배선(146)과 제2전원 배선(144)과 대응된다.

한편, 서브 픽셀에 포함된 트랜지스터들(TFT1,TFT2)은 구동부로부터 공급된 신호에 의해 선형(Linear)영역 또는 포화(Saturation)영역에서 구동할 수 있으나, 본 발명에 따른 유기전계발광소자는 서브 픽셀에 포함된 트랜지스터들(TFT1,TFT2)을 선형영역에서 구동하는 디지털 구동방식을 채택하는 것이 유리하다. 여기서, 디지털 구동방식이란, 트랜지스터를 단순히 턴온 또는 턴오프하여 유기발광다이오드(D)를 구동하는 방식을 말한다.

이하, 도 3 및 도 4를 참조하여 다수의 배선들 중 일부인 제1 및 제2전원배선들(144,146) 중 가장 두꺼운 배선 폭을 갖는 제2전원배선(144)을 일례로 선택하고 제2전원배선(144)의 구조를 더욱 자세히 설명한다.

도 3은 도 1의 "Z"영역의 확대도 이다. "130"은 표시부임.

도 3을 참조하면, 밀봉부재(180)가 위치하는 실링영역(S) 내에 위치하는 제2 전원배선(144)이 가로방향에서는 1개로 배선되다가 세로방향에서는 2개 이상으로 분할되어 배선됨을 알 수 있다.

통상 다수의 배선들 중 일부인 제2전원배선(144)은 제1전원배선(146)이나 기타 신호배선(스캔 배선, 데이터 배선)보다 더 두껍게 배선된다. 이에 따라, 종래 실링영역(S) 내에 위치하는 제2전원배선(144)은 넓은 영역을 차지하게 되어 밀봉부재(180)를 균일하게 도포하는데 어려움을 주었다.

그러나 실링영역(S) 내에서 넓은 영역을 차지하던 제2전원배선(144)을 2개 이상으로 분할 배선하게 되면, 실링영역(S) 내에 밀봉부재(180)를 더욱 균일하게 도포할 수 있게 된다.

만약, 밀봉부재(180)가 실란트와 같이 UV를 조사하여 경화시켜야하는 재료일 경우, 이와 같은 배선구조의 효과는 더욱 향상되어 소자 밀봉시 기밀성을 더욱 증가시킬 수 있을 것이다.

또한, 도 3의 "P1"영역을 참조하면, 분할된 제2전원배선(144) 중 일부 또는 전부는 분할된 제2전원배선(144a) 상호 간을 연결하는 연결배선(144b)이 위치함을 알 수 있다.

제2전원배선(144)의 경우, 배선 구조에 따라 배선 저항 또는 간섭을 일으키는 경우가 있으나 이와 같이 분할된 제2전원배선(144a) 상호 간을 연결하도록 연결배선(144b)을 두게 되면 저항 문제 또는 배선에 흐르는 로드(load) 편중 문제를 해결할 수 있게 된다.

한편, 제2전원배선(144) 중 일부 또는 전부는 90˚ 각도로 배선될 때, 모서 리 영역이 두 번에 걸쳐 꺾이는 형태로 배선될 수 있다.

도 3의 "P2"영역을 참조하면, 제2전원배선(144) 중 실링영역(S) 내에서 꺾이도록 배선되는 배선의 모서리 영역의 각도는 90˚이상 180˚ 이하의 배선 각을 갖는 것이 유리하다. 이는 비단 실링영역(S) 내뿐만 아니라 다른 영역에서도 이와 같은 배선 각을 갖는 것이 유리하다.

설명을 덧붙이면, 제2전원배선(144)의 경우, 기판(110) 상에 배선을 할 때, 배선을 꺾는 각도가 직각 즉, 90˚에 가까울수록 로드 영향을 많이 받게 되므로 이를 피하기 위해 배선을 한번에 꺾이지 않고 2번 이상 꺾이는 형태로 배선한다. 그러나 180˚이상으로 배선을 할 경우, 배선이 라우팅되는 거리가 넓어지므로 이를 유의하며 배선한다.

이와 같이 제2전원배선(144)을 꺾어 배선할 때는, 배선의 꺾이는 각도를 90˚이상 140˚이하로 하는 것이 한정된 기판(110) 상에서 최대의 라우팅 효율을 줄 것이다.

덧붙여, 제2전원배선(144)을 이와 같이 양쪽 2번 이상 꺾이는 형태로 배선을 하게 되면, 실링영역(S) 내에서 밀봉부재(180) 경화를 위해 조사되는 UV 또는 레이저 등에 의한 영향을 최소화할 수 있게 됨은 물론이다.

도 4는 도 3의 "Z"영역의 다른 실시 예시도 이다. "130"은 표시부임.

도 4의 "P4"영역을 참조하면, 밀봉부재(180)가 위치하는 실링영역(S) 내에 위치하는 제2전원배선(144)이 가로방향에서 분할되고, 세로방향에서도 분할되어 배 선됨을 알 수 있다. "P3"영역은 앞서 설명한 도 3의 "P1"영역과 동일하다.

이와 같은 구조는 특히, 제2전원배선(144)이 분할된 이후에도 실링영역(S) 내에 위치하고 있는 경우, 분할된 다수의 배선들의 일부 또는 전부가 다른 방향으로 재차 분할되도록 배선된 것이다. 한편, 제2전원배선(144) 중 일부 또는 전부는 도 3과 마찬가지 형태로, 90˚ 각도로 배선될 때, 모서리 영역이 두 번에 걸쳐 꺾이는 형태로 배선될 수 있다.

앞서, 도 3을 참조하여 설명한 것과 유사하지만, 변형된 실시예는 실링영역(S) 내에서 2개 이상으로 분할된 제2전원배선(144)이 다른 방향으로 꺾일 경우 2개 이상으로 재차 분할되는 구조를 취한다. 이와 같은 배선구조는, 이 밖에 실링영역(S)이 아니더라도 제2전원배선(144)이 다른 방향으로 꺾일 때에도 이와 같은 구조로 배선할 수 있음은 물론이다.

한편, 제2전원배선(144) 중 일부 또는 전부는 배선이 꺾이는 양쪽 모서리 영역이 둔각 또는 예각의 배선 각을 가질 수 있다. 그러나 예각의 배선 각은 특정 영역 즉, 한정된 공간에서 배선되는 경우에만 이와 같이 배선되고 그렇지 않은 영역에서는 둔각의 배선 각을 갖도록 배선하는 것이 로드 영향을 줄이는데 유리하다.

도 5는 도 3의 "Z"영역의 또 다른 실시 예시도 이다. "130"은 표시부임.

도 5의 "P5"영역을 참조하면, 밀봉부재(180)가 위치하는 실링영역(S) 내에 위치하는 제2전원배선(144)이 분할될 때, 세로방향으로 분할된 제2전원배선(144a)과 일정 구간을 분할될 제2전원배선(144a) 간을 연결하는 연결배선(144b)가 위치함 을 알 수 있다. "P6"영역은 앞서 설명한 도 3의 "P2"영역과 동일한 형태이나 이는 도 4의 "P4"영역과 같은 형태로도 형성가능함은 물론이다.

이와 같은 구조는 특히, 실링영역(S) 내에 위치하는 분할된 제2전원배선(144a)의 신호 간섭 또는 저항 문제를 해결하기 위한 것이다. 이에 따라, 분할된 제2전원배선(144a)과 연결배선(144b)는 일정 구간을 두고 상호 위치하도록 하는 것이 신호 전송시 문제되는 간섭 또는 저항차를 줄여줄 것이다.

한편, 이와 같이 분할된 제2전원배선(144a)과 연결배선(144b)은 앞서 설명한 것들 중 신호 전송시 문제되는 간섭 또는 저항 차를 줄일 수 있도록 하기 위함과 밀봉부재의 경화 효율을 높일 수 있도록 다음과 같은 형태로 형성될 수 있다.

도 6은 제2전원배선과 연결배선 간의 연결관계 예시도 이다.

도 6을 참조하면, 앞서 설명한 바와 같이 제2전원배선(144a)과 연결배선(144b)의 배선 폭(a3,b3)은 다수의 배선들(140) 중 실링라인(S) 내에 위치하는 배선의 굵기는 분할되기 전의 굵기의 5% 내지 50%를 유지하는 것이 유리하므로, 실링라인(S) 내에 위치하는 배선의 폭은 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 로 형성될 수 있다.

그리고 세로방향으로 분할되어 상호 인접한 제2전원배선(144a)과 가로방향으로 제2전원배선(144a)를 상호 연결하는 연결배선(144b)이 이루는 공간(a2,b2)은 두 개의 배선이 상호 교차함으로써 형성되는 공간이다.

이와 같이 제2전원배선(144a)과 연결배선(144b)의 교차에 의해 형성되는 공간(a2,b2) 내에는 밀봉부재가 더욱 균일하게 도포될 수 있도록 가이드를 할 수 있게 되어 밀봉부재의 경화 효율을 더욱 향상시킬 수 있게 된다.

한편, 본 발명에서는 "a1" 및 "b1"의 거리가 100 ㎛ 내지 500 ㎛의 범위를 갖도록 배선한다. 이는 배선 구조에 따른 문제와 밀봉부재의 경화 문제라는 두 가지 숙제를 고려한 것이다. 여기서, "a1" 및 "b1"의 거리가 100 ㎛ 이하의 범위를 갖고 위치한다면, 배선 저항을 낮출 수 있고 신호 전달시 발생 되는 문제 등에는 효과적이나 밀봉부재 경화 측면에서는 비효과적이게 된다. 반대로, "a1" 및 "b1"의 거리가 500 ㎛ 이상의 범위를 갖고 위치한다면, 밀봉부재 경화 측면에서는 효과적이나 배선 저항이나 신호 전달시 발생 되는 문제 등에는 비효과적이게 된다.

이렇듯 "a1" 및 "b1"의 거리는 두 가지의 양면성을 지니고 있으므로 이를 고려하여 설계하는 유리하다.

따라서, 제2전원배선 계시에는, 분할배선(144a)과 연결배선(144b)을 도시된 바와 같이, a1(또는 b1) - a3(또는 b3) ≤ a2(또는 b2) ≥ a1(또는 b1) - a3(또는 b3)의 배선 범위를 갖도록 설계한다.

여기서, a1(또는 b1)은 분할배선(또는 연결배선) 간의 거리이고, a2(또는 b2)는 a1(또는 b1)에서 a3(또는 b3)를 뺀 거리이고, a3(또는 b3)는 배선 간의 폭을 갖되, 앞서 설명한 바와 같이 a1(또는 b1)은 100 ㎛ 내지 500㎛ 범위를 갖고, a3(또는 b3)는 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 범위를 가질 수 있다.

이와 같은 수치범위에 따르면, 분할배선(114a)과 연결배선(144b)이 상호 교차하는 구간에 형성된 공간의 체적을 분할배선 × 연결배선으로 구할 수 있게 되는데, 체적을 구할 때는 봉지재료의 특성을 고려하는 것이 유리할 것이다.

이상, 본 발명은 유기전계발광소자의 배선 구조를 달리하여 소자를 더욱 기밀하게 밀봉함은 물론 전원배선에 편중되는 로드를 해결하여 표시품질을 향상시킬 수 있게 된다.

한편, 본 발명의 일 실시예에서는 전원배선의 구조를 달리하는 것으로 설명하였으나 실링영역에 위치하는 밀봉부재를 경화할 때, 영향을 미칠 수 있을 만큼의 배선 폭을 갖는 배선이라면 무엇이라도 적용 가능함은 물론이다. 그리고 동일한 전원 또는 신호를 전달하는 배선에 편중되는 로드를 해결하기 위해 본 발명과 같이 연결배선 구조를 취하는 것은 전원배선에만 한정되지 않음은 물론이다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

상술한 바와 같이 본 발명은, 유기전계발광소자의 배선구조를 달리하여 소자를 더욱 기밀하게 밀봉함은 물론 표시품질을 향상시키는 효과가 있다.

Claims

기판;

상기 기판 상에 위치하는 다수의 서브 픽셀을 포함하는 표시부;

상기 표시부 외곽에 위치하며 밀봉부재가 형성되도록 정의된 실링영역; 및

상기 표시부에 연결되며 상기 표시부 외측에 배치된 다수의 배선들을 포함하되,

상기 다수의 배선들 중 전원배선은 상기 실링영역에서 1개의 배선이 2개 이상으로 분할되고,

상기 전원배선 중 일부 또는 전부는 상기 실링영역에서 다른 방향으로 꺾일 때, 2개 이상으로 재차 분할되고,

상기 전원배선 중 일부 또는 전부는 분할된 배선들을 연결하는 연결배선이 위치하는 유기전계발광소자.
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제1항에 있어서,

상기 전원배선 중 일부 또는 전부는 90˚ 각도로 배선될 때, 모서리 영역이 두 번에 걸쳐 꺾이는 형태로 배선되는 유기전계발광소자.
제1항에 있어서,

상기 다수의 배선들 중 상기 실링영역 내에서 꺾이도록 배선되는 배선의 각도는 90˚이상 140˚이하인 유기전계발광소자.
제1항에 있어서,

상기 다수의 배선들 중 상기 실링영역 내에 위치하는 배선의 폭은 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 인 유기전계발광소자.
제1항에 있어서,

상기 전원배선은,

상기 분할된 배선인 분할배선과 이를 연결하는 상기 연결배선을 포함하되,

상기 분할배선(또는 상기 연결배선)은 a1(또는 b1) - a3(또는 b3) ≤ a2(또는 b2) ≥ a1(또는 b1) - a3(또는 b3)의 배선 범위를 갖고 이의 체적은 상기 분할배선 × 상기 연결배선이며,

상기 a1(또는 b1)은 분할배선(또는 연결배선) 간의 거리이고, 상기 a2(또는 b2)는 상기 a1(또는 b1)에서 a3(또는 b3)를 뺀 거리이고, 상기 a3(또는 b3)는 배선 간의 폭을 갖되,

상기 a1(또는 b1)은 100 ㎛ 내지 500㎛ 범위를 갖고, 상기 a3(또는 b3)는 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 범위를 갖는 유기전계발광소자.
제1항에 있어서,

상기 서브 픽셀은 하나 이상의 커패시터 및 트랜지스터를 포함하는 유기전계발광소자.