KR101366851B1 - Liquid crystal display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정표시장치의 액정패널에 게이트신호를 공급하는 게이트 구동부를 구현함에 있어서, 프레임 주기로 교번되게 구동되는 한 쌍의 게이트 구동부를 구비하여 구성요소인 트랜지스터의 누적 스트레스 전압을 낮추어 열화를 방지할 수 있도록 한 기술에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 게이트 구동부 및 데이터 구동부의 구동을 제어하기 위해 게이트 제어신호 및 데이터 제어신호를 출력함과 아울러, 디지털 비디오 데이터를 출력하는 타이밍 콘트롤러와; 상기 게이트 제어신호에 응답하여 액정 패널의 각 게이트라인에 게이트신호를 공급함에 있어서, 프레임 주기로 교번되게 구동되어 게이트신호를 공급하는 한 쌍의 게이트 구동부와; 상기 데이터 제어신호에 응답하여 상기 액정 패널의 각 데이터라인에 화소신호를 공급하는 데이터 구동부에 의하여 달성된다. According to an embodiment of the present invention, a gate driver for supplying a gate signal to a liquid crystal panel of a liquid crystal display includes a pair of gate drivers that are alternately driven at a frame period, thereby reducing the cumulative stress voltage of a transistor as a component to prevent degradation. It's about making technology one. The present invention includes a timing controller that outputs a gate control signal and a data control signal and outputs digital video data to control driving of the gate driver and the data driver; A pair of gate drivers for supplying gate signals to the gate lines of the liquid crystal panel in response to the gate control signals, the gate signals being alternately driven at a frame period; And a data driver for supplying a pixel signal to each data line of the liquid crystal panel in response to the data control signal.
게이트 구동부, 스트레스 전압 Gate driver, stress voltage
Description
본 발명은 액정표시장치의 액정패널을 구동하는 기술에 관한 것으로, 특히 게이트 구동부의 구성요소인 각 게이트 구동기를 구성하는 트랜지스터의 누적 스트레스 전압을 낮추어 열화를 방지할 수 있도록 한 액정표시장치의 구동회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
최근, 정보기술(IT)의 발달에 따라 평판표시 장치는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 한층 강조되고 있으며, 향후 보다 향상된 경쟁력을 확보하기 위해 저소비전력화, 박형화, 경량화, 고화질화 등이 요구되고 있다. 평판표시장치의 대표적인 표시장치인 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display)는 액정의 광학적 이방성을 이용하여 화상을 표시하는 장치로서, 박형, 소형, 저소비전력 및 고화질 등의 장점이 있어 티브이 수신기와 각종 휴대단말의 표시장치에 널리 적용되고 있다. 2. Description of the Related Art In recent years, as information technology (IT) has advanced, flat panel displays have become more important as visual information delivery media. In order to secure more competitive power in the future, low power consumption, thinness, lightness and high image quality are required. 2. Description of the Related Art A liquid crystal display (LCD), which is a typical display device of a flat panel display, is an apparatus for displaying an image using the optical anisotropy of a liquid crystal and has advantages such as thinness, small size, low power consumption and high image quality. And is widely applied to a display device of a portable terminal.
이와 같은 액정 표시장치는 매트릭스(matrix) 형태로 배열된 액정화소들에 화상정보를 개별적으로 공급하여, 그 액정화소들의 광투과율을 조절함으로써, 원하는 화상을 표시할 수 있도록 한 표시장치이다. 따라서, 액정 표시장치는 화상을 구현하는 최소 단위인 액정화소들이 액티브 매트릭스 형태로 배열되는 액정 패널과, 상 기 액정 패널을 구동하기 위한 구동부를 구비한다. 그리고, 상기 액정표시장치는 스스로 발광하지 못하기 때문에 액정표시장치에 광을 공급하는 백라이트 유닛이 구비된다. 상기 구동부는 타이밍 콘트롤러를 비롯하여 데이터 구동부와 게이트 구동부를 구비한다. Such a liquid crystal display device is a display device capable of displaying a desired image by separately supplying image information to liquid crystal pixels arranged in a matrix form and adjusting the light transmittance of the liquid crystal pixels. Therefore, the liquid crystal display device has a liquid crystal panel in which liquid crystal pixels, which is the minimum unit for realizing an image, are arranged in an active matrix form, and a driving unit for driving the liquid crystal panel. Since the LCD does not emit light by itself, a backlight unit is provided to supply light to the LCD. The driver includes a timing controller and a data driver and a gate driver.
도 1은 종래 기술에 의한 액정표시장치의 구동 블록도로서 이에 도시한 바와 같이, 게이트 구동부(12) 및 데이터 구동부(13)의 구동을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC) 및 데이터 제어신호(DDC)를 출력함과 아울러, 디지털 비디오 데이터(RGB)를 샘플링한 후에 재정렬하여 출력하는 타이밍 콘트롤러(11)와; 상기 게이트 제어신호(GDC)에 응답하여 액정 패널(14)의 각 게이트라인(GL0∼GLn)에 게이트신호를 공급하는 게이트 구동부(12)와; 상기 데이터 제어신호(DDC)에 응답하여 상기 액정 패널(14)의 각 데이터라인(DL1∼DLm)에 화소신호를 공급하는 데이터 구동부(13)와; 상기 게이트신호와 화소신호에 의해 구동되는 액정셀들을 매트릭스 형태로 구비하여 화상을 표시하는 액정패널(14)로 구성된 것으로, 이의 작용을 첨부한 도 2 내지 도 8을 참조하여 설명하면 다음과 같다.FIG. 1 is a driving block diagram of a conventional liquid crystal display apparatus. As shown in FIG. 1, a gate control signal GDC and a data control signal DDC for controlling the driving of the
타이밍 콘트롤러(11)는 시스템으로부터 공급되는 수직/수평 동기신호(Hsync/ Vsync)와 클럭신호(CLK)를 이용하여 게이트 구동부(12)를 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(13)를 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)를 출력한다. 이와 함께, 상기 타이밍 콘트롤러(11)는 상기 시스템으로부터 입력되는 디지털의 화소 데이터(RGB)를 샘플링한 후에 이를 재정렬하여 상기 데이터 구동부(13)에 공급한다.The
상기 게이트 제어신호(GDC)로서 게이트 스타트 펄스(GSP), 게이트 시프트 클럭신호(GSC), 게이트 아웃 인에이블신호(GOE) 등이 있고, 데이터 제어신호(DDC)로서 소스 스타트 펄스(SSP), 소스 시프트 클럭신호(SSC), 소스 아웃 인에이블신호(SOE), 극성신호(POL) 등이 있다. The gate control signal GDC includes a gate start pulse GSP, a gate shift clock signal GSC and a gate-out enable signal GOE. The data control signal DDC includes a source start pulse SSP, A shift clock signal SSC, a source-out enable signal SOE, a polarity signal POL, and the like.
게이트 구동부(12)는 상기 타이밍 콘트롤러(11)로부터 입력되는 게이트 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트신호를 게이트라인(GL1∼GLn)에 순차적으로 공급하고, 이에 의해 수평라인 상의 해당 박막트랜지스터(TFT)들이 턴온된다. 이에 따라, 데이터라인(DL1∼DLm)을 통해 공급되는 화소신호들이 상기 박막트랜지스터(TFT)들을 통해 각각의 스토리지 캐패시터(CST)에 저장된다.The
이에 대해 좀 더 상세히 설명하면, 상기 게이트 구동부(12)는 상기 게이트 스타트 펄스(GSP)를 게이트 시프트 클럭(GSC)에 따라 시프트시켜 시프트 펄스를 발생한다. 그리고, 게이트 구동부(12)는 상기 시프트 클럭에 응답하여 수평기간마다 해당 게이트라인(GL)에 게이트 온,오프구간(신호)으로 이루어진 게이트신호를 공급하게 된다. 이 경우 상기 게이트 구동부(12)는 상기 게이트 아웃 인에이블신호(GOE)에 응답하여 인에이블 기간에서만 게이트 온 신호를 공급하고, 그 외의 기간에서는 게이트 오프 신호(게이트 로우 신호)를 공급하게 된다.To be more specific, the
데이터 구동부(13)는 상기 타이밍 콘트롤러(11)로부터 입력되는 데이터 제어신호(DDC)에 응답하여 상기 화소 데이터(RGB)를 계조값에 대응하는 아날로그의 화소신호(데이터신호 또는 데이터전압)로 변환하고, 이렇게 변환된 화소신호를 액정패 널(14)상의 데이터라인(DL1∼DLm)에 공급한다. The
액정패널(14)은 매트릭스 형태로 배열된 다수의 액정셀(CLC)들과, 데이터라인(DL1∼DLm)과 게이트라인(GL1∼GLn)의 교차부마다 형성되어 상기 각 액정셀(CLC)들 각각에 접속된 박막 트랜지스터(TFT)를 구비한다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트라인(GL)으로부터 게이트신호가 공급되는 경우 턴온되어 상기 데이터라인(DL)을 통해 공급되는 화소신호를 액정셀(CLC)에 공급한다. 그리고, 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 게이트라인(GL)을 통해 게이트 오프 신호가 공급될 때 턴오프되어 액정셀(CLC)에 충전된 화소 신호가 유지되게 한다.The
상기 액정셀(CLC)은 액정을 사이에 두고 공통전극과 박막 트랜지스터(TFT)에 접속된 화소전극을 포함한다. 그리고, 상기 액정셀(CLC)은 충전된 화소 신호가 다음 화소 신호가 충전될 때까지 안정적으로 유지되게 하기 위하여 스토리지 캐패시터(CST)를 더 구비한다. 상기 스토리지 캐패시터(CST)는 화소 전극과 이전단 게이트라인의 사이에 형성된다. 이러한 액정셀(CLC)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 통해 충전되는 화소 신호에 따라 유전 이방성을 가지는 액정의 배열 상태가 가변되고, 이에 따라 광투과율이 조절되어 계조가 구현된다.The liquid crystal cell C LC includes a pixel electrode connected to a common electrode and a thin film transistor TFT with a liquid crystal interposed therebetween. The liquid crystal cell C LC further includes a storage capacitor C ST so that the charged pixel signal is stably maintained until the next pixel signal is charged. The storage capacitor C ST is formed between the pixel electrode and the previous gate line. In the liquid crystal cell C LC , an arrangement state of liquid crystals having dielectric anisotropy varies according to pixel signals charged through the thin film transistor TFT, and light transmittance is adjusted accordingly to implement gradation.
상기 게이트 구동부(12)는 도 2에서와 같이 시프트레지스터 방식으로 동작하는 일련의 게이트 구동기(GD1∼GDn)를 구비하고, 상기 타이밍 콘트롤러(11)로부터 공급되는 클럭신호(CLK),시작신호(VST) 및 리세트신호(RST)에 의해 도 3과 같은 타이 밍으로 게이트신호(VGOUT[1]∼VGOUT[N])를 출력한다. 즉, 상기 게이트 구동기(GD1∼GDn)는 시작신호(VST)가 입력된 후 해당 클럭신호(CLK[1]∼CLK[N])에 동기하여 상기 게이트신호(VGOUT[1]∼VGOUT[N])를 순차적으로 출력한다. 이렇게 출력되는 상기 게이트신호(VGOUT[1]∼VGOUT[N])에 의하여 상기 액정패널(14)상의 게이트라인(GL1∼GLn)이 구동된다. 이와 같은 게이트신호(VGOUT[1]∼VGOUT[N]) 발생 동작은 프레임 단위로 반복된다. As shown in FIG. 2, the
도 4는 상기 게이트 구동기(GD1∼GDn)의 제1실시를 나타낸 상세 회로도이다. 제1앤드게이트(AD11)는 상기 타이밍 콘트롤러(11)로부터 공급되는 제어신호(CTL)를 앤드조합하여 RS 플립플롭(FF11)의 세트신호(S)를 공급하고, 제2앤드게이트(AD12)는 그 제어신호(CTL)를 앤드조합하여 RS 플립플롭(FF11)의 리세트신호(R)를 공급한다. 상기 RS 플립플롭(FF11)은 상기와 같이 공급되는 세트신호(S)와 리세트신호(R)에 의해 동작되어 그의 출력단자(Q),(QB)에 도 5에서와 같이 상반된 로직의 신호를 출력한다.4 is a detailed circuit diagram showing a first embodiment of the gate drivers GD1 to GDn. The first and gate AD11 supplies the set signal S of the RS flip-flop FF11 by AND combining the control signal CTL supplied from the
다시 말해서, 상기 RS 플립플롭(FF11)의 출력단자(Q)에 게이트하이전압(VGH)이 출력될 때 이에 의해 큰 사이즈의 충전용 트랜지스터(TU)가 턴온 상태로 되고, 이때 상기 RS 플립플롭(FF11)의 반전출력단자(QB)에서 출력되는 게이트로우전압(VGL)에 의해 작은 사이즈의 방전용 트랜지스터(TD)가 턴오프된다. 이와 같은 상태에서 클럭신호(CLK)가 공급되면 이에 의해 상기 충전용 트랜지스터(TU)에서 해당 게이트라 인(GL)에 게이트하이전압(VGH)이 공급된다. In other words, when the gate high voltage V GH is output to the output terminal Q of the RS flip-flop FF11, the large sized charging transistor T U is turned on, whereby the RS flip-flop is turned on. The small size discharge transistor T D is turned off by the gate low voltage V GL output from the inverting output terminal QB of the flop FF11. In this state, when the clock signal CLK is supplied, the gate high voltage VGH is supplied from the charging transistor T U to the corresponding gate line GL.
이후, 방전모드에서는 상기 RS 플립플롭(FF11)의 반전출력단자(QB)에서 출력되는 게이트하이전압(VGH)에 의해 상기 방전용 트랜지스터(TD)가 턴온된다. 이에 따라, 상기 게이트라인(GL)의 충전전압인 게이트하이전압(VGH)이 상기 방전용 트랜지스터(TD)를 통해 방전되어 게이트로우전압(VGL)으로 유지된다.Thereafter, in the discharge mode, the discharge transistor T D is turned on by the gate high voltage V GH output from the inverted output terminal QB of the RS flip-flop FF11. Accordingly, the gate high voltage VGH, which is the charging voltage of the gate line GL, is discharged through the discharge transistor T D to be maintained at the gate low voltage V GL .
상기 충전용 트랜지스터(TU) 및 방전용 트랜지스터(TD)는 a-Si:H TFT로 구현되는데, 이와 같은 트랜지스터는 소스와 게이트 간에 정극성의 직류전압을 공급하면 문턱전압이 증가되고, 이에 의해 특성이 열화되어 출력전류가 감소되는 특성이 있다. The charging transistor T U and the discharging transistor T D are implemented with a-Si: H TFT, and when such a transistor supplies a positive DC voltage between a source and a gate, a threshold voltage is increased. There is a characteristic that the output current is reduced by deteriorating characteristics.
그런데, 상기 도 5에서와 같이 상기 RS 플립플롭(FF11)의 출력단자(Q)로부터 상기 충전용 트랜지스터(TU)의 게이트에 상기 게이트라인의 충전시간에 해당하는 짧은 시간동안 하이 전압이 출력되는 것을 알 수 있다. 따라서, 상기 충전용 트랜지스터(TU)는 상기 짧은 시간동안 스트레스전압을 인가받게 된다.However, as shown in FIG. 5, a high voltage is output from the output terminal Q of the RS flip-flop FF11 to the gate of the charging transistor T U for a short time corresponding to the charging time of the gate line. It can be seen that. Therefore, the charging transistor T U receives a stress voltage for the short time.
이에 비하여, 상기 RS 플립플롭(FF11)의 출력단자(QB)로부터 상기 방전용 트랜지스터(TD)의 게이트에 상기 게이트라인의 충전시간을 제외한 긴 시간동안 하이 전압이 출력되는 것을 알 수 있다. 이로 인하여, 상기 방전용 트랜지스터(TD)가 상기 충전용 트랜지스터(TU)에 비하여 상대적으로 훨씬 긴 시간동안 스트레스전압을 인가받게 된다. On the other hand, it can be seen that a high voltage is output from the output terminal QB of the RS flip-flop FF11 to the gate of the discharge transistor T D for a long time except for the charging time of the gate line. As a result, the discharge transistor T D is subjected to a stress voltage for a much longer time than the charging transistor T U.
이와 같이, 종래의 액정표시장치에서는 게이트 구동부에서 액정패널의 각 게이 트라인에 게이트신호를 출력할 때, 충전용 트랜지스터에 짧은 시간동안 높은 레벨의 게이트전압이 공급되어 특성 열화가 비교적 느리게 진행된다. 그리고, 각 게이트 구동부에서의 방전용 트랜지스터는 충전용 트랜지스터에 비하여 긴 시간동안 높은 레벨의 게이트전압을 인가받게 되어 그만큼 특성 열화가 빠르게 진행된다. 이에 따라, 방전용 트랜지스터는 오프 상태를 유지해야 하는 구간에서도 제대로 오프되지 않아 비정상적으로 전압을 출력하게 되는 문제점이 있었다. As described above, in the conventional liquid crystal display device, when the gate driver outputs the gate signal to each gate line of the liquid crystal panel, a high level gate voltage is supplied to the charging transistor for a short time, so that deterioration of characteristics is relatively slow. The discharge transistors in each gate driver receive a high level of gate voltage for a long time as compared with the charging transistors, and thus deteriorate characteristics. Accordingly, there is a problem in that the discharging transistor does not turn off properly even in a section in which the discharging transistor should be kept off, thereby abnormally outputting a voltage.
이와 같은 문제점을 해결하기 위해 제안된 종래의 기술을 도 6에 나타내었다. 상기 도 6의 종래 기술을 상기 도 5의 종래 기술과 비교해 볼 때 두 개의 방전용 트랜지스터(TD1),(TD2)를 채용하고, RS 플립플롭(FF11)에 두 개의 반전출력단자(QB1),(QB2)를 구비하여 도 7에서와 같이 프레임 주기로 교번되게 게이트하이전압(VGH)을 출력하여 그 방전용 트랜지스터(TD1),(TD2)가 프레임 주기로 교번되게 구동되도록 한 것이 다른 점이다. The conventional technique proposed to solve this problem is shown in FIG. 6. When comparing the prior art of FIG. 6 with the conventional art of FIG. 5, two discharging transistors T D1 and T D2 are employed, and two inverting output terminals QB1 are provided on the RS flip-flop FF11. The difference is that the gate high voltage VGH is outputted alternately in a frame period as shown in FIG. 7 so that the discharge transistors T D1 and T D2 are alternately driven in a frame period. .
이와 같이 두 개의 방전용 트랜지스터를 사용하는 경우, 방전용 트랜지스터의 열화 정도를 상당히 줄일 수 있지만 이와 같은 경우에도 충전용 트랜지스터의 열화는 여전히 해결되지 않는 문제점이 있었다.In the case of using two discharge transistors as described above, the degree of deterioration of the discharging transistor can be significantly reduced, but in this case, the deterioration of the charging transistor still has not been solved.
도 8은 상기 도 4의 종래기술(Type1)과 도 6의 종래 기술(Type2)에서 충전용 트랜지스터(TU) 및 방전용 트랜지스터(TD),(TD1,TD2)에 가해지는 누적 스트레스 전압을 나타낸 것이다. 도 4에서의 방전용 트랜지스터(TD)의 경우 매 프레임마다 충전동작 구간을 제외하고 계속적으로 높은 게이트전압이 공급되므로 누적 스트레스전압 이 계속 상승되는 것을 알 수 있다. 이에 비하여, 도 6에서의 방전용 트랜지스터(TD1,TD2)의 경우 프레임 단위로 교번되게 동작하므로 누적 스트레스전압이 증가되지 않고 다음 프레임에서 해소되는 것을 알 수 있다. 하지만, 도 4 및 도 6에서 충전용 트랜지스터(TU)의 경우 상기 방전용 트랜지스터(TD),(TD1,TD2)의 누적 스트레스전압에 비하여 훨씬 낮기는 하지만 점진적으로 증가되고 있는 것을 알 수 있다.8 is a cumulative stress applied to the charging transistor T U and the discharge transistors T D and T D1 and T D2 in the prior art Type1 of FIG. 4 and the prior art Type2 of FIG. 6. The voltage is shown. In the discharge transistor T D of FIG. 4, the cumulative stress voltage is continuously increased because a high gate voltage is continuously supplied except for a charging operation section every frame. On the other hand, the discharge transistors T D1 and T D2 in FIG. 6 alternately operate in units of frames, and thus the cumulative stress voltage is not increased and is solved in the next frame. However, in FIGS. 4 and 6, the charging transistor T U is gradually increased, although much lower than the cumulative stress voltages of the discharge transistors T D and T D1 and T D2 . Can be.
결국, 종래의 액정표시장치에 있어서 게이트 구동부의 구성요소인 다수의 게이트 구동기에서 하나의 방전용 트랜지스터를 사용하는 경우 매 프레임마다 충전동작 구간을 제외하고 계속적으로 높은 게이트전압이 공급되어 누적 스트레스전압이 계속 상승되고, 이로 인하여 오프 상태를 유지해야 하는 구간에서도 제대로 오프되지 않아 비정상적으로 전압을 출력하게 되는 문제점이 있었다. 이를 감안하여 두 개의 방전용 트랜지스터를 사용하는 경우, 방전용 트랜지스터의 열화 정도를 상당히 줄일 수 있지만 충전용 트랜지스터의 열화는 여전히 해결되지 않는 문제점이 있었다.As a result, when one discharge transistor is used in a plurality of gate drivers that are components of a gate driver in a conventional liquid crystal display device, a high gate voltage is continuously supplied every frame except for a charging operation period, thereby accumulating a cumulative stress voltage. There is a problem in that it continues to rise, due to the abnormal output of the voltage is not properly turned off even in the section that needs to maintain the off state. In view of this, when two discharge transistors are used, the degree of deterioration of the discharge transistor can be considerably reduced, but the deterioration of the charging transistor still has a problem that is not solved.
따라서, 본 발명의 목적은 하나의 액정패널에 대하여 한 쌍의 게이트 구동부를 구비하고 이들을 프레임 주기로 교번되게 구동하여 게이트 구동부를 구성하는 각 게이트 구동기의 방전용 트랜지스터는 물론 충전용 트랜지스터에 누적 스트레스전압이 지속적으로 공급되는 것을 차단하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a pair of gate drivers for one liquid crystal panel and drive them alternately in a frame period to accumulate stress voltages in the charging transistors as well as the discharge transistors of the respective gate drivers constituting the gate driver. It is to block the continuous supply.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 게이트 제어신호 및 데이터 제어신호를 출력하고, 디지털 비디오 데이터를 샘플링 및 재정렬하여 출력하는 타이밍 콘트롤러와; 상기 게이트 제어신호에 응답하여 액정 패널의 각 게이트라인에 게이트신호를 공급함에 있어서, 프레임 주기로 교번되게 구동하면서 게이트신호를 공급하는 한 쌍의 게이트 구동부를 포함하여 구성함을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a timing controller for outputting a gate control signal and a data control signal, and sampling and rearranging the digital video data; The gate signal is supplied to each gate line of the liquid crystal panel in response to the gate control signal, and includes a pair of gate drivers configured to supply gate signals while driving alternately at frame periods.
본 발명은 하나의 액정패널에 대하여 한 쌍의 게이트 구동부를 구비하고, 이들을 프레임 주기로 교번되게 구동하여 구동시킴으로써 게이트 구동부를 구성하는 각 게이트 구동기의 방전용 트랜지스터는 물론 충전용 트랜지스터에 누적 스트레스전압이 지속적으로 공급되는 것을 차단할 수 있게 된다.The present invention includes a pair of gate drivers for one liquid crystal panel, and drives them alternately at frame periods, thereby driving a cumulative stress voltage at the charging transistors as well as the discharging transistors of the gate drivers constituting the gate drivers. It can be blocked from being supplied to.
이에 따라, 방전용 트랜지스터 및 충전용 트랜지스터의 열화가 방지되어 회로의 수명이 연장되고, 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.As a result, the deterioration of the discharge transistor and the charge transistor is prevented, thereby extending the life of the circuit and improving the reliability.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 9는 본 발명에 의한 액정표시장치의 구동 블록도로서 이에 도시한 바와 같이, 게이트 구동부(92) 및 데이터 구동부(93)의 구동을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC) 및 데이터 제어신호(DDC)를 출력함과 아울러, 디지털 비디오 데이터(RGB)를 샘플링한 후에 재정렬하여 출력하는 타이밍 콘트롤러(91)와; 상기 게이 트 제어신호(GDC)에 응답하여 액정 패널(94)의 각 게이트라인(GL0∼GLn)에 프레임 주기로 교번되게 게이트신호를 공급하는 한 쌍의 게이트 구동부(91),(92)와; 상기 데이터 제어신호(DDC)에 응답하여 상기 액정 패널(94)의 각 데이터라인(DL1∼DLm)에 화소신호를 공급하는 데이터 구동부(93)와; 상기 게이트신호와 화소신호에 의해 구동되는 액정셀들을 매트릭스 형태로 구비하여 화상을 표시하는 액정패널(94)로 구성한다.FIG. 9 is a driving block diagram of a liquid crystal display according to the present invention. As shown in FIG. A
도 10은 상기 게이트 구동부(91),(92)의 상세 블록도로서 이에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 구동부(91),(92)가 시프트 레지스터 방식으로 구동하는 일련의 게이트 구동기(GD11∼GD1n),(GD21∼GD2n)를 각기 구비하여, 상기 타이밍 콘트롤러(91)로부터 공급되는 인에이블신호(ENA)에 의해 프레임 주기로 교번되게 선택구동되어 게이트신호(VGOUT[1]∼VGOUT[N])를 출력하도록 구성한다.FIG. 10 is a detailed block diagram of the
도 11은 상기 도 10에서 게이트 구동기(GD11∼GD1n),(GD21∼GD2n)의 상세 회로도로서 이에 도시한 바와 같이, 세트신호와 리세트신호에 따라 두 출력단자(Q),(QB)에 상반된 로직의 신호를 출력하는 RS 플립플롭(FF21)과; 상기 RS 플립플롭(FF21)의 반전출력단자(QB)에서 출력되는 신호를 기수 또는 우수 프레임 주기로 유효화시키기 위해 인에이블신호(ENA)와 앤드조합하는 앤드게이트(AD21)와; 클럭신호(CLK)의 단자와 접지단자 사이에 직렬로 접속되고 게이트가 상기 RS 플립플롭(FF21)의 출력단자(Q), 반전출력단자(QB)에 각기 접속되어 드레인, 소스 공통접속점에서 게이트신호(G[N])를 발생하는 충전용 트랜지스터(TU) 및 방전용 트랜지스 터(TD)로 구성한다.FIG. 11 is a detailed circuit diagram of the gate drivers GD11 to GD1n and GD21 to GD2n in FIG. 10, and as shown in FIG. 10, is opposite to the two output terminals Q and QB according to the set signal and the reset signal. An RS flip-flop FF21 for outputting a logic signal; An AND gate AD21 for and combining the enable signal ENA to validate the signal output from the inverted output terminal QB of the RS flip-flop FF21 in odd or even frame periods; It is connected in series between the terminal of the clock signal CLK and the ground terminal, and the gate is connected to the output terminal Q and the inverted output terminal QB of the RS flip-flop FF21, respectively. It consists of a charging transistor (T U ) and a discharge transistor (T D ) which generate (G [N]).
이와 같이 구성한 본 발명의 작용을 첨부한 도 12 내지 도 16을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.When described in detail with reference to Figures 12 to 16 attached to the operation of the present invention configured as described above.
도 9에서, 게이트 구동부(92A),(92B)가 프레임 주기로 교번되게 구동하면서 액정패널(94)의 각 게이트라인(GL1-GLn)에 게이트신호를 출력하는 동작을 제외하고 나머지 부분들의 동작은 통상의 액정표시 장치에서와 동일하게 동작된다.In FIG. 9, except for an operation of outputting a gate signal to each gate line GL1 -GLn of the
즉, 타이밍 콘트롤러(91)는 시스템으로부터 공급되는 수직/수평 동기신호(Hsync/Vsync)와 클럭신호(CLK)를 이용하여 게이트 구동부(92A),(92B)를 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(93)를 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)를 출력한다. 이와 함께, 상기 타이밍 콘트롤러(91)는 상기 시스템으로부터 입력되는 디지털의 화소 데이터(RGB)를 샘플링한 후에 이를 재정렬하여 상기 데이터 구동부(93)에 공급한다.That is, the
상기 게이트 제어신호(GDC)로서 게이트 스타트 펄스(GSP), 게이트 시프트 클럭신호(GSC), 게이트 아웃 인에이블신호(GOE) 등이 있고, 데이터 제어신호(DDC)로서 소스 스타트 펄스(SSP), 소스 시프트 클럭신호(SSC), 소스 아웃 인에이블신호(SOE), 극성신호(POL) 등이 있다. The gate control signal GDC includes a gate start pulse GSP, a gate shift clock signal GSC and a gate-out enable signal GOE. The data control signal DDC includes a source start pulse SSP, A shift clock signal SSC, a source-out enable signal SOE, a polarity signal POL, and the like.
게이트 구동부(92)는 상기 타이밍 콘트롤러(91)로부터 입력되는 게이트 제어신호(GDC)에 응답하여 프레임 주기로 교번되게 구동되면서 그때마다 액정패널(94)의 게이트라인(GL1∼GLn)에 게이트신호를 공급한다. 이에 의해 수평라인 상의 해당 박 막트랜지스터(TFT)들이 턴온된다. 이에 따라, 데이터라인(DL1∼DLm)을 통해 공급되는 화소신호들이 상기 박막트랜지스터(TFT)들을 통해 각각의 스토리지 캐패시터(CST)에 저장된다.The gate driver 92 is alternately driven in a frame period in response to the gate control signal GDC input from the
데이터 구동부(93)는 상기 타이밍 콘트롤러(91)로부터 입력되는 데이터 제어신호(DDC)에 응답하여 상기 화소 데이터(RGB)를 계조값에 대응하는 아날로그의 화소신호(데이터신호 또는 데이터전압)로 변환하고, 이렇게 변환된 화소신호를 액정패널(94)상의 데이터라인(DL1∼DLm)에 공급한다. The
액정패널(94)은 매트릭스 형태로 배열된 다수의 액정셀(CLC)들과, 데이터라인(DL1∼DLm)과 게이트라인(GL1∼GLn)의 교차부마다 형성되어 상기 각 액정셀(CLC)들 각각에 접속된 박막 트랜지스터(TFT)를 구비한다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트라인(GL)으로부터 게이트신호가 공급되는 경우 턴온되어 상기 데이터라인(DL)을 통해 공급되는 화소신호를 액정셀(CLC)에 공급한다. 그리고, 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 게이트라인(GL)을 통해 게이트 오프 신호가 공급될 때 턴오프되어 액정셀(CLC)에 충전된 화소 신호가 유지되게 한다. 상기 액정셀(CLC)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 통해 충전되는 화소 신호에 따라 유전 이방성을 가지는 액정의 배열 상태가 가변되고, 이에 따라 광투과율이 조절되어 계조가 구현된다. The
한편, 본 발명에서는 상기 설명에서와 같이 한 쌍의 게이트 구동부(92A),(92B)를 구비하고, 이들을 프레임 주기로 교번되게 구동시켜 그때마다 상기 액정패 널(94)의 게이트라인(GL1∼GLn)에 게이트신호가 공급되도록 하였다. 본 설명에서는 상기 게이트 구동부(92A)는 기수 프레임에서 동작하고, 게이트 구동부(92B)는 우수 프레임에서 동작하는 것을 예로 하여 설명한다.On the other hand, in the present invention, a pair of
상기 한 쌍의 게이트 구동부(92A),(92B)는 도 10에서와 같이 시프트레지스터 방식으로 동작하는 일련의 게이트 구동기(GD11∼GD1n),(GD21∼GD2n)를 각기 구비하고, 상기 타이밍 콘트롤러(91)로부터 공급되는 인에이블신호(ENA)에 의해 선택적으로 구동되고, 이때 클럭신호(CLK),시작신호(VST) 및 리세트신호(RST)에 의해 상기 액정패널(94)의 각 게이트라인(GL1∼GLn)에 게이트신호(VGOUT[1]∼VGOUT[N])를 출력한다.The pair of
이를 위해 상기 게이트 구동기(GD11∼GD1n),(GD21∼GD2n)를 도 11에서와 같이 구현한 것으로, 이의 작용을 도 12의 타이밍도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.To this end, the gate drivers GD11 to GD1n and GD21 to GD2n are implemented as shown in FIG. 11, and the operation thereof will be described with reference to the timing diagram of FIG. 12.
도 11의 게이트 구동기 회로는 기수 프레임 또는 우수 프레임 주기로 교번되게 동작하는데, 그 동작 프레임 모드에서 인에이블신호(ENA)는 상기 타이밍 콘트롤러(91)로부터 도 12에서와 같이 '하이'로 공급된다.The gate driver circuit of FIG. 11 operates alternately in odd frame or even frame period. In the operating frame mode, the enable signal ENA is supplied from the
충전모드의 t1 구간에서 RS 플립플롭(FF21)의 세트단자(S)에 게이트신호(G[N-1])가 '하이'로 입력되어 이의 출력단자(Q)에 중간 레벨의 전압(VM)이 출력되고, 이에 의해 큰 사이즈의 충전용 트랜지스터(TU)가 턴온 상태로 된다. 상기 중간 레벨의 전압(VM)은 공급전압에서 입력단 트랜지스터의 문턱전압을 감산한 전압(VDD-VTH)이다.The gate signal G [N-1] is input 'high' to the set terminal S of the RS flip-flop FF21 in the t1 section of the charging mode, and the voltage VM of the intermediate level is applied to the output terminal Q thereof. Is output, whereby the large-sized charging transistor T U is turned on. The intermediate level voltage VM is a voltage (V DD -V TH ) obtained by subtracting the threshold voltage of the input terminal transistor from the supply voltage.
이때, 상기 RS 플립플롭(FF21)의 리세트단자(R)에 리세트신호(RESET)가 '로우'로 입력되어 이의 반전출력단자(QB)에 '로우' 신호가 출력되고, 이에 의해 앤드게이트(AD21)의 출력단자(Gd)에 '로우' 신호가 출력되므로 작은 사이즈의 방전용 트랜지스터(TD)가 턴오프 상태로 된다. At this time, the reset signal RESET is inputted to the reset terminal R of the RS flip-flop FF21 as 'low', and a 'low' signal is outputted to the inverted output terminal QB thereof. Since the low signal is output to the output terminal Gd of the AD21, the small size discharge transistor T D is turned off.
이후, 충전모드의 t2 구간에서 클럭신호(CLK=CLK[1])가 '하이'로 입력된다. 이에 따라, 상기 충전용 트랜지스터(TU)의 게이트와 드레인 사이의 기생캐패시턴스(Cgd)의 커플링 현상으로 인하여 출력단자(Q)의 전압이 상기 중간 레벨의 전압(VM)과 클럭신호(CLK)의 전압(VGH)이 더해진 보다 높은 레벨의 전압(VH)으로 부트스트래핑(bootstrapping)된다. 따라서, 상기 t2 구간에서 해당 게이트 구동기로부터 게이트신호(G[N])가 상기 클럭신호(CLK)의 전압 레벨(VGH)로 출력된다. Thereafter, the clock signal CLK = CLK [1] is input as 'high' in the t2 section of the charging mode. Accordingly, due to the coupling phenomenon of the parasitic capacitance C gd between the gate and the drain of the charging transistor T U , the voltage of the output terminal Q is changed to the intermediate level voltage VM and the clock signal CLK. ) Is bootstrapping to a higher level voltage (VH) plus a voltage (VGH). Therefore, the gate signal G [N] is output from the gate driver at the voltage level VGH of the clock signal CLK during the t2 period.
상기 해당 게이트 구동기로부터 출력되는 게이트신호(G[N])는 상기 액정패널(94)의 해당 게이트라인과, 다음 단 게이트 구동기의 RS 플립플롭(FF21)의 세트단자(S)에 공통으로 공급된다.The gate signal G [N] output from the corresponding gate driver is commonly supplied to the corresponding gate line of the
이후, 방전모드의 t3 구간에서 상기 클럭신호(CLK=CLK[1])가 '로우' 레벨의 전압(VGL)으로 하강되고, 다음 단의 게이트 구동기에 공급되는 클럭신호(CLK=CLK[2])가 '하이' 레벨의 전압으로 상승된다. 이때, 상기 RS 플립플롭(FF21)의 세트단자(S)에 게이트신호(G[N-1])가 '로우'로 입력된다. 따라서, 상기 충전용 트랜지스터(TU)가 턴오프된다. Thereafter, the clock signal CLK = CLK [1] is lowered to the 'low' level voltage VGL in the period t3 of the discharge mode, and the clock signal CLK = CLK [2] supplied to the next gate driver. ) Rises to the voltage of the 'high' level. In this case, the gate signal G [N-1] is input as 'low' to the set terminal S of the RS flip-flop FF21. Thus, the charging transistor T U is turned off.
이때, 상기 RS 플립플롭(FF21)의 리세트단자(R)에 리세트신호(RESET)가 '하이' 로 입력되어 이의 반전출력단자(QB)에 '하이' 신호가 출력되고, 이에 의해 앤드게이트(AD21)의 출력단자(Gd)에 '하이'신호가 출력되므로 상기 방전용 트랜지스터(TD)가 턴온 상태로 된다. 이에 따라, 상기 방전용 트랜지스터(TD)를 통해 상기 게이트신호(G[N])의 방전동작이 이루어져 해당 게이트라인의 전위가 '로우' 레벨로 천이된다. At this time, the reset signal RESET is inputted to the reset terminal R of the RS flip-flop FF21 as 'high', and a 'high' signal is outputted to the inverted output terminal QB thereof. Since the 'high' signal is output to the output terminal Gd of the AD21, the discharge transistor T D is turned on. Accordingly, the discharge operation of the gate signal G [N] is performed through the discharge transistor T D so that the potential of the corresponding gate line transitions to a 'low' level.
이후, 상기 인에이블신호(ENA)가 '로우'로 천이되면 상기 게이트신호(G[N])의 단자가 플로팅 상태 즉, 하이 임피던스 상태(Hi-Z)로 된다.Thereafter, when the enable signal ENA transitions to 'low', the terminal of the gate signal G [N] is in a floating state, that is, a high impedance state Hi-Z.
도 13은 상기 도 11에서와 같이 동작하는 게이트 구동기의 동작 타이밍도를 기수 프레임(Odd Frame)과 우수 프레임(Even Frame)으로 구분하여 나타낸 것이다. FIG. 13 illustrates an operation timing diagram of a gate driver operating as shown in FIG. 11 by dividing an odd frame and an even frame.
즉, 기수 프레임에서 임의의 게이트 구동부 예를 들어, 게이트 구동부(92A)의 게이트 구동기(GD11∼GD1n)에 인에이블신호(ENAO)가 '하이'로 공급되고, 이 게이트 구동기(GD11∼GD1n)가 클럭신호(CLKO)에 동기하여 게이트신호(G0[1]∼GO[N])를 순차적으로 발생한다. 이때, 게이트 구동부(92B)의 게이트 구동기(GD21∼GDn)의 출력단자들은 플로팅 상태(Hi-Z)로 있게 된다.That is, in the odd frame, the enable signal ENAO is supplied to the gate drivers GD11 to GD1n of any gate driver, for example, the
우수 프레임에서는 상기와 반대로 게이트 구동부(92B)의 게이트 구동기(GD21∼GD2n)에 인에이블신호(ENAO)가 '하이'로 공급되고, 이 게이트 구동기(GD21∼GD2n)가 클럭신호(CLKE)에 동기하여 상기 게이트신호(G0[1]∼GO[N])를 순차적으로 발생한다. 이때, 상기 게이트 구동부(92A)의 게이트 구동기(GD11∼GD1n)의 출력단자들은 플로팅 상태(Hi-Z)로 있게 된다.In the even frame, the enable signal ENAO is supplied 'high' to the gate drivers GD21 to GD2n of the
도 14는 상기 도 11에 도시한 게이트 구동기의 구현예를 나타낸 상세 회로도로서 이의 작용을 상기 도 12를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 여기서, 트랜지스터(T1-T5)는 도 11에서 RS 플립플롭(FF21)의 구성요소이고, 트랜지스터(T6,T7)는 앤드게이트(AD21)의 구성요소이며, 충전용 트랜지스터(TU) 및 방전용 트랜지스터(TD)는 게이트신호 출력부(111)의 구성요소이다.FIG. 14 is a detailed circuit diagram illustrating an exemplary embodiment of the gate driver illustrated in FIG. 11 and the operation thereof will be described with reference to FIG. 12. Here, the transistors T1-T5 are the components of the RS flip-flop FF21 in FIG. 11, and the transistors T6 and T7 are the components of the AND gate AD21, and the charging transistor T U and the discharge capacitor are shown in FIG. 11. The transistor T D is a component of the gate
게이트신호(G[N-1])가 '하이'로 입력될 때 다이오드형 트랜지스터(T1)가 턴온되어 이를 통해 출력단자(Q)에 중간 레벨의 전압(VM)이 출력된다. 상기 게이트신호(G[N-1])는 세트단자(S)로 입력되는 신호이다.When the gate signal G [N-1] is input as 'high', the diode-type transistor T1 is turned on to output an intermediate level voltage VM to the output terminal Q. The gate signal G [N-1] is a signal input to the set terminal S.
이때, 리세트신호(RESET)가 '로우'로 입력되어 트랜지스터(T3)가 오프 상태로 유지된다. 이와 같은 상태에서, 상기 트랜지스터(T1)를 통해 출력되는 '하이'신호에 의해 트랜지스터(T5)가 턴온되어 반전출력단자(QB)의 전위가 '로우'로 유지되고, 이에 의해 트랜지스터(T6)가 턴오프되므로 인에이블신호(ENA)가 상기 트랜지스터(T6)를 통해 출력단자(Gd)로 전달되지 못한다. 또한, 이때 상기 '하이'의 게이트신호(G[N-1])에 의해 트랜지스터(T7)가 턴온된 상태이므로 앤드게이트(AD21)의 출력단자(Gd)의 전위가 '로우'로 유지된다. 따라서, 게이트신호 출력부(111)의 충전용 트랜지스터(TU)가 턴온 상태로 되는 반면, 방전용 트랜지스터(TD)는 턴오프 상태로 된다.At this time, the reset signal RESET is input to 'low' so that the transistor T3 is maintained in the off state. In this state, the transistor T5 is turned on by the 'high' signal output through the transistor T1, so that the potential of the inversion output terminal QB is maintained at 'low', whereby the transistor T6 is turned on. Since it is turned off, the enable signal ENA is not transmitted to the output terminal Gd through the transistor T6. In this case, since the transistor T7 is turned on by the gate signal G [N-1] of the 'high', the potential of the output terminal Gd of the AND gate AD21 is maintained at 'low'. Therefore, while the charging transistor T U of the gate
이후, 상기 게이트신호(G[N-1])가 '로우'로 천이되고, 이어서 클럭신호(CLK=CLK[1])가 '하이'로 입력될 때 상기 충전용 트랜지스터(TU)의 게이트와 드레 인 사이의 기생캐패시턴스(Cgd)의 커플링 현상으로 인하여 상기 RS 플립플롭(FF21)의 출력단자(Q)의 전압이 상기 중간 레벨의 전압(VM)과 클럭신호(CLK)의 전압(VGH)이 더해져 보다 높은 레벨의 전압(VH)으로 부트스트래핑(bootstrapping)된다. 따라서, 상기 게이트신호 출력부(111)에서 게이트신호(G[N])가 상기 클럭신호(CLK)의 전압 레벨(VGH)로 출력된다. Thereafter, when the gate signal G [N-1] transitions to 'low' and then the gate of the charging transistor T U is input when the clock signal CLK = CLK [1] is input to 'high'. Due to the coupling phenomenon of the parasitic capacitance C gd between the drain and the drain, the voltage of the output terminal Q of the RS flip-flop FF21 is set to the voltage VM and the voltage of the clock signal CLK. VGH) is added to bootstrapping to a higher level of voltage VH. Accordingly, the gate signal G [N] is output from the gate
이후, 상기 클럭신호(CLK)가 '로우'로 천이되고 상기 리세트신호(RESET)가 '하이'로 입력된다. 이에 따라, 상기 트랜지스터(T3)가 턴온되어 상기 출력단자(Q)의 전압이 그 트랜지스터(T3)를 통해 접지단자(VSS)로 뮤팅되므로, 이 출력단자(Q)의 전압이 '로우'로 천이된다. 이에 의해 상기 충전용 트랜지스터(TU)가 턴오프된다.Thereafter, the clock signal CLK transitions to 'low' and the reset signal RESET is input to 'high'. Accordingly, since the transistor T3 is turned on and the voltage of the output terminal Q is muted to the ground terminal V SS through the transistor T3, the voltage of the output terminal Q is set to 'low'. Transition. As a result, the charging transistor T U is turned off.
상기에서와 같이 게이트신호(G[N-1])가 '로우'로 천이될 때 상기 다이오드형 트랜지스터(T1)가 턴오프된다. 이에 따라, 상기 트랜지스터(T5)가 턴오프되고, 이로 인하여 다이오드형 트랜지스터(T4)를 통해 반전출력단자(QB)에 '하이'신호가 출력된다. As described above, when the gate signal G [N-1] transitions to 'low', the diode-type transistor T1 is turned off. Accordingly, the transistor T5 is turned off, and a 'high' signal is output to the inverting output terminal QB through the diode transistor T4.
이에 의해, 상기 트랜지스터(T6)가 턴온되고, 상기 게이트신호(G[N-1])가 '로우'로 천이된 이후 상기 트랜지스터(T7)가 턴오프 상태로 유지되고 있다. 이에 따라, 상기 앤드게이트(AD21)의 출력단자(Gd)에 '하이' 신호가 출력되고, 이에 의해 상기 방전용 트랜지스터(TD)가 턴온된다. 이에 따라, 상기 방전용 트랜지스터(TD)를 통해 상기 게이트신호(G[N])의 방전동작이 이루어진다.As a result, the transistor T6 is turned on and the transistor T7 is kept turned off after the gate signal G [N-1] transitions to 'low'. As a result, a 'high' signal is output to the output terminal Gd of the AND gate AD21, whereby the discharge transistor T D is turned on. Accordingly, the discharge operation of the gate signal G [N] is performed through the discharge transistor T D.
도 15는 본 발명에 의한 상기 게이트 구동부(92A),(92B)의 동작 시뮬레이션 결 과를 나타낸 파형도이다. 즉, 상기 RS 플립플롭(FF21)의 출력노드(Q node) 및 반전출력노드(QB node), 상기 앤드게이트(AD21)의 출력노드(Gd node)의 전위가 상기 설명에서와 같이 정상적으로 발생되고, 인에이블신호(ENA)가 '로우'로 천이되면 상기 앤드게이트(AD21)의 출력노드(Gd node)가 '로우' 상태로 되어 상기 게이트신호(G[N])의 단자가 하이 임피던스 상태(Hi-Z)로 되는 것을 알 수 있다.FIG. 15 is a waveform diagram showing an operation simulation result of the
도 16은 본 발명에 의한 상기 게이트 구동부(92A),(92B)의 구성요소인 게이트 구동기(GD11∼GD1n),(GD21∼GD2n)에서 게이트신호 출력부(111)의 충전용 트랜지스터(TU) 및 방전용 트랜지스터(TD)의 누적 스트레스 전압을 나타낸 것이다. 이에 도시한 바와 같이 상기 충전용 트랜지스터(TU)의 누적 스트레스 전압은 최초의 낮은 값에서 거의 증가하지 않는 형태이다. 그리고, 방전용 트랜지스터(TD)의 누적 스트레스 전압은 약간 증가되었다가 다음 프레임에서 완전히 해소되는 형태인 것을 알 수 있다.FIG. 16 shows the charging transistor T U of the gate
도 1은 종래 기술에 의한 액정표시장치의 구동 블록도.1 is a driving block diagram of a conventional liquid crystal display device.
도 2는 도 1에서 게이트 구동부의 상세 블록도.FIG. 2 is a detailed block diagram of the gate driver of FIG. 1. FIG.
도 3은 도 2에서 각부의 파형도.3 is a waveform diagram of each part in Fig.
도 4는 도 2에서 게이트 구동기의 회로도.4 is a circuit diagram of the gate driver in Fig.
도 5는 도 4에서 RS 플립플롭의 출력신호 타이밍도.5 is an output signal timing diagram of an RS flip-flop in FIG. 4;
도 6은 도 2에서 게이트 구동기의 다른 회로도.6 is another circuit diagram of the gate driver in FIG.
도 7은 도 6에서 RS 플립플롭의 출력신호 타이밍도.7 is an output signal timing diagram of an RS flip-flop in FIG.
도 8은 종래 기술에 의한 게이트 구동기의 트랜지스터의 누적 스트레스 전압을 나타낸 파형도.8 is a waveform diagram showing a cumulative stress voltage of a transistor of a gate driver according to the prior art.
도 9는 본 발명에 의한 액정표시장치의 구동회로의 블록도.9 is a block diagram of a driving circuit of a liquid crystal display device according to the present invention;
도 10은 도 9에서 게이트 구동부의 상세 블록도.FIG. 10 is a detailed block diagram of the gate driver of FIG. 9; FIG.
도 11은 도 10에서 게이트 구동기의 회로도.FIG. 11 is a circuit diagram of a gate driver in FIG. 10.
도 12는 도 11에서 각부의 파형도.12 is a waveform diagram of each part in FIG. 11;
도 13은 도 10에서 두 게이트 구동부의 프레임별 타이밍도.FIG. 13 is a frame timing diagram of two gate drivers of FIG. 10; FIG.
도 14는 도 11의 게이트 구동기의 구현예를 보인 상세 회로도.14 is a detailed circuit diagram illustrating an implementation of the gate driver of FIG. 11.
도 15의 (a)-(c)는 본 발명에 의한 게이트 구동부의 시뮬레이션 결과를 나타낸 파형도.15A to 15C are waveform diagrams showing simulation results of a gate driver according to the present invention.
도 16은 본 발명에 의한 게이트 구동기의 트랜지스터의 누적 스트레스 전압을 나타낸 파형도.Figure 16 is a waveform diagram showing the cumulative stress voltage of the transistor of the gate driver according to the present invention.
***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*** DESCRIPTION OF THE REFERENCE SYMBOLS
91 : 타이밍 콘트롤러 92A,92B : 게이트 구동부91:
93 : 데이터 구동부 94 : 액정패널93: data driver 94: liquid crystal panel
SR11-SR1n,SR21-SR2n: 게이트 구동기 FF21 : RS 플립플롭SR11-SR1n, SR21-SR2n: Gate Driver FF21: RS Flip-Flop
AD21 : 앤드게이트 TU : 충전용 트랜지스터AD21: AND gate T U : charging transistor
TD : 방전용 트랜지스터T D : Discharge Transistor
Claims (8)
Priority Applications (4)
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