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KR101356791B1 - 박막형 수퍼커패시터 및 그의 제조 방법 - Google Patents

박막형 수퍼커패시터 및 그의 제조 방법 Download PDF

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KR101356791B1
KR101356791B1 KR1020120006869A KR20120006869A KR101356791B1 KR 101356791 B1 KR101356791 B1 KR 101356791B1 KR 1020120006869 A KR1020120006869 A KR 1020120006869A KR 20120006869 A KR20120006869 A KR 20120006869A KR 101356791 B1 KR101356791 B1 KR 101356791B1
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Abstract

본 발명은 박막형 수퍼커패시터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 그래핀 혹은 그래핀 산화물을 이용하여 전극필름을 제조하는 방법, 그래핀 혹은 그래핀 산화물 전극필름을 패터닝 기법을 통해 독립된 두 전극으로 분리하여 이차원 전극을 형성하는 방법, 이차원 전극이 가지는 인플레인(in-plane) 구조, 집전체(current collector)를 전극에 형성하는 방법 및 이차원 전극에 전해질을 공급하여 마이크로미터 규모의 두께를 가지는 수퍼커패시터를 제조하는 방법을 포함한다. 본 발명에 따른 박막형 마이크로-수퍼커패시터는 마이크로 전자기계 시스템 (MEMS: Microelectromechanical systems), 전자종이(Paper-like display), 스마트카드와 같은 매우 작은 전원공급장치가 필요한 초소형 전자기기 분야에 있어서 배터리를 효과적으로 대체 또는 보완할 수 있다.

Description

박막형 수퍼커패시터 및 그의 제조 방법{film-type supercapacitors and method for fabricating the same}
본 발명은 박막형 수퍼커패시터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 그래핀 혹은 그래핀 산화물을 이용하여 전극필름을 제조하는 방법, 그래핀 혹은 그래핀 산화물 전극필름을 패터닝 기법을 통해 독립된 두 전극으로 분리하여 이차원 전극을 형성하는 방법, 이차원 전극이 가지는 인플레인(in-plane) 구조, 집전체(current collector)를 전극에 형성하는 방법 및 이차원 전극에 전해질을 공급하여 마이크로미터 규모의 두께를 가지는 수퍼커패시터를 제조하는 방법을 포함한다.
여전히 소형화가 진행 중인 휴대전자기기는 점차 초소형 모델로 발전해가고 있으며 기기의 얇아진 두께에 비해 성능을 극대화하기 위하여 휴대전자기기에 배터리가 내장되는 추세에 있다. 향후 종이처럼 얇은 휴대전자기기로의 진화는 약속된 것과 다름없어 이에 발맞춰 전원공급수단(배터리)도 매우 얇아져야 하나 현재 사용되는 리튬배터리의 구조로는 초박형 전자기기에 적용하기에 어려움이 있다.
이를 극복하기 위해 개발된 리튬박막전지가 있으나, 단위부피당 충전능력이 일반리튬배터리보다 떨어지고 제조원가는 3배나 높으며 리튬을 포함하는 특성상 선천적인 위험성을 내포하고 있다. 그 때문에 주요 응용분야인 인공장기 및 마이크로-로봇(Micro-robot) 등 바이오-애플리케이션(Bio-application) 분야에 적용되기 어려운 점이 있다.
리튬전지를 대체할 미래 에너지 저장수단으로 급부상하고 있는 수퍼커패시터(supercapacitor)는 수초 만에 급속충방전이 가능하여 2차전지보다 10배 가량 고출력이면서도 50만 사이클 이상의 반영구적 수명을 자랑하는 차세대 에너지 저장장치이다. 수퍼커패시터의 무게당 에너지 저장수준은 종래 배터리의 1/10 수준이지만 부피당 에너지 저장수준은 리튬전지와 비슷하며, 최근 보고들에 따르면 부피당 에너지밀도 및 출력밀도 모든 면에서 오히려 더 우월한 결과를 보이고 있다.
절대적 무게가 작은 초소형 전자기기에게는 무게보다는 부피당 에너지 저장수준이 더욱 중요하므로 박막형 마이크로-수퍼커패시터는 초소형 전자기기에 매우 적합한 전원공급수단이다. 또한, 희토류 및 중금속을 전혀 포함하지 않아 저렴하고 친환경적이며, 산화환원반응을 동반하지 않아 폭발성이 전혀 없는 안전한 미래형 에너지 저장수단이다. 박막형 마이크로-수퍼커패시터는 종이처럼 얇아서 액세서리 형태의 휴대전화는 물론 마이크로-로봇, 인공장기, 스마트카드, 마이크로 전자기계 시스템 (MEMS: Microelectromechanical systems), 전자종이(Paper-like display)와 같은 매우 작은 전원공급장치가 필요한 초소형 전자기기 분야에서 기존 배터리를 대체하여 사용될 것으로 기대된다.
박막형 마이크로-수퍼커패시터는 리튬박막전지에 관한 기술개발과 더불어 현재 기술 및 학술적 논의가 시작되고 있는 단계이다.
그래핀을 이용한 초박막 수퍼커패시터를 개발하여 그래핀을 이용한 수퍼커패시터의 성능이 배터리의 대체품으로서 사용가능함을 확인한 실험결과가 Nano Letters (Yoo et al., 2011, Vol.11, 1423-1427쪽)에 게재되었다. 또한 툴루스 대학 (프랑스), 드렉셀 대학 (미국)의 공동연구팀은 양파모양의 탄소 입자 (OLC, onion-like carbon)를 이용한 수퍼커패시터 전극을 제작하여 주목할 만한 에너지와 전력 특성 향상을 확인하고 Nature nanotechnology (Brunet et al., Vol.5, 651-654쪽)에 보고하였다.
이 보고에서 리튬배터리, 전해액 커패시터, 일반 수퍼커패시터와의 비교를 통해, 양파모양의 탄소입자(OLC) 기반 수퍼커패시터가 일반 수퍼커패시터보다 월등한 성능을 보이는 것은 물론 에너지특성 면에서 리튬배터리와 비슷하거나 더 우수하고, 전력면에서 전해액 커패시터와 비등함을 보여주는 등 우수한 성능을 소개하였다. 이를 계기로 박막형 수퍼커패시터 관련기술의 급속한 성장이 예상된다.
수퍼커패시터는 리튬을 전혀 포함하고 있지 않으므로 안전성 확보 측면에서 가장 우수한 전원공급장치로 평가받고 있다. 그러나 기존의 수퍼커패시터는 일반적인 배터리와 동일한 구조를 가지므로 초소형화가 쉽지 않다. 다시 말해서, 종래의 수퍼커패시터는 두 전극과 전류 집전체, 분리막이 샌드위치 형상으로 적층되는 스택 구조이므로, MEMS에 사용될 수 있도록 아주 작고 얇은 형태로 제조하기에 어려움이 있다. 특히 수퍼커패시터로 그래핀을 사용할 경우, 스택 구조로는 이온 이동이 어려워 효율성이 크게 떨어질 수도 있다.
위의 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 기판에 부착된 전극필름의 양측으로 집전체(current collector)를 형성하는 단계; 및 상기 전극필름을 인플레인(in-plane) 구조로 패터닝하여 분리된 두 개의 전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막형 수퍼커패시터의 제조 방법을 일 양태로 제안한다.
또한 본 발명은 전극필름의 양측에 집전체(current collector)가 형성되어 있고, 상기 전극필름은 인플레인(in-plane) 구조로 패터닝되어 분리된 두 개의 전극을 형성하고 있는 박막형 수퍼커패시터를 다른 일 양태로 제안한다.
본 발명의 실시예에 따른 박막형 마이크로-수퍼커패시터는 마이크로 전자기계 시스템 (MEMS: Microelectromechanical systems), 전자종이(Paper-like display), 스마트카드와 같은 매우 작은 전원공급장치가 필요한 초소형 전자기기 분야에 있어서 배터리를 대체 또는 보완할 수 있을 것으로 기대된다. 또한 이러한 이차원적 그래핀 마이크로-수퍼커패시터는 초소형 전자기기를 위한 마이크로-에너지 저장장치로의 응용이 기대된다.
도 1은 일반적인 수퍼커패시터의 적층형 그래핀 전극 구조를 도시한 모식도이다.
도 2는 본 발명에 의한 인플레인(in-plane) 구조의 수퍼커패시터에 대한 그래핀 전극 구조를 도시한 모식도이다.
도 3은 수퍼커패시터의 제조 과정을 도시한 모식도이다.
도 4 내지 도 7은 분리 전극으로 사용 가능한 패턴의 변형 실시예를 각각 도시한 것이다.
도 8은 도 3의 제조 과정을 거쳐 완성된 수퍼커패시터의 구조도이고, 도 9는 완성된 수퍼캐패시터의 이차원 패턴 부위에 대한 사진 이미지이다.
도 10은 완성된 수퍼커패시터를 이용하여 측정한 순환 볼타모그램(cyclic voltammogram)의 실제 데이터이다.
도 11은 에너지밀도와 출력밀도의 관계를 단위부피로 표시한 라곤 플롯(Ragone plot)이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서는 본 발명을 명확하게 설명하기 위해 설명과 관계없는 부분은 생략하고 명세서 전체를 통하여 동일한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다. 또한, 명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다.
전극 소재
기존의 수퍼커패시터는 전극재료로 활성탄소(activated carbon)를 사용하고 있으나, 본 발명에서 제안하는 박막형 수퍼커패시터의 전극재료로 사용하기에는 몇 가지 불리한 점이 있다.
첫째, 수퍼커패시터는 원자단위로 층상구조를 가지는데 활성탄소는 그래핀에 비해 비표면적이 낮으므로 상대적으로 전하의 저장 공간이 작다. 게다가 활성탄소는 전기전도도가 낮아서 전하전달의 효율성이 저하되므로 이를 극복하기 위해 비표면적은 낮지만 전기전도도가 상대적으로 높은 카본블랙(carbon black)을 첨가제로 넣어 전극을 제조한다. 따라서 전극의 전체적인 비표면적은 더욱 낮아질 수밖에 없다.
이에 비해 그래핀은 2630 m2/g의 표면적을 가지는데, 이 수치는 그래파이트의 비표면적(~10 m2/g) 혹은 활성탄소의 비표면적(~500 m2/g)과 비교해볼 때 매우 크다. 그리고 전기전도도 또한 높으므로 전극을 형성할 때 카본블랙과 같은 첨가제가 필요치 않다. 그래핀의 전기화학적 성질은 탄소나노튜브와 매우 비슷하지만 탄소나노튜브와 같은 복잡한 정제과정이 필요치 않아 상업적인 측면에서 탄소나노튜브보다 그래핀의 작업의 용이성이 더 뛰어나다.
둘째, 탄소나노튜브를 생성할 때 사용되는 촉매물질은 정제과정을 수차례 거친다 해도 여전히 일정 양이 잔류한다는 사실이 확인되었다. 이러한 잔류 불순물은 주로 금속나노입자 형태로서 전기화학적 활성 특성을 나타내기 때문에 탄소나노튜브의 전체적인 전기화학적 성질에 변화를 가져오게 된다. 이러한 특성은 수퍼커패시터의 신뢰성에 영향을 끼칠 수 있다.
이에 비해 그래핀의 경우, 화학기상증착이나 화학적 박리 등 대부분의 생성방법에서 탄소나노튜브와 같은 촉매에 의한 문제가 전혀 발생하지 않는다. 이렇듯 그래핀은 높은 비표면적과 높은 전기전도도 및 전기화학적 안정성 등 전기화학적 에너지저장장치의 전극에 사용하기에 매우 적합한 물질이다.
전극 구조
본 발명의 박막형 수퍼커패시터를 제조하기 위해서는 제한된 부피 내에 가능한 한 많은 전하를 저장할 수 있어야 한다. 이러한 측면에서 공간의 낭비 없이 차곡차곡 쌓여 전하의 저장공간을 밀도 있게 제공하는 층상구조의 물질이 사용되는 것이 바람직하다.
그래핀은 원자단위의 층상구조를 가지므로 박막형 수퍼커패시터의 전극을 제작하기에 적합하다. 구체적으로, 그래핀을 자가적층조립(layer-by-layer self assembly) 하거나, 필터링 혹은 캐스팅 등 다양한 방법을 통해 적층하여 필름형태로 만들 수 있다.
다만 이러한 스택 구조의 그래핀 필름을 전극으로 사용하여 전하저장공간의 효율을 높인다 하더라도 기존의 샌드위치 구조의 수퍼커패시터 디자인을 사용한다면 전해질 이온의 이동이 원활하지 못하므로 수퍼커패시터의 효율을 최적화할 수 없다.
도 1은 스택구조를 가지는 일반적인 수퍼커패시터의 그래핀 전극 구조이고, 도 2는 본 발명에서 일 실시예로 제안하는 인플레인(in-plane) 구조의 마이크로-수퍼커패시터가 가지는 그래핀 전극 구조이다.
도 1에서, 적층된 두 그래핀 전극 사이에 전해질 이온의 접근이 용이하지 못하므로 이온의 전달이 효율적이지 못하여 결국 전하저장용량 역시 낮아짐을 알 수 있다. 이에 비해 도 2를 보면, 그래핀 층의 인플레인(in-plane) 방향으로 이온이 접근할 수 있도록 디자인함으로써 전해질 이온이 그래핀 층간에 용이하게 접근함을 알 수 있다. 이로 인해 양 전극 간의 이동거리가 짧아지므로 전하 저장의 효율이 높아진다.
인플레인(in-plane) 구조는 이차원 패터닝을 통해 만들어진다. 이차원 패터닝으로 반도체 공정에서 사용하는 UV 리소그래피를 이용하거나, 커터(cutter)를 이용한 기계적 패터닝법, 레이저(laser)를 이용하는 방법, 프린팅법(예를 들어 잉크젯프린팅), 임프린팅법 등이 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 박막형 수퍼커패시터가 초소형 기기나 마이크로전자기계 시스템(MEMS : Microelectromechanical systems)에 적용될 수 있음을 감안할 때, 패터닝 기법을 통한 전극 제작은 종래의 박막공정과 유사한 면이 많으므로 제조공정의 구현이 용이하다는 장점도 있다.
그래핀 또는 그래핀 산화물 소재의 필름 전극(이하 '그래핀 필름 전극'이라 한다)을 이차원 패터닝한 인플레인(in-plane) 구조의 수퍼커퍼시터는 경우에 따라 그래핀 필름의 두께를 조절함으로써 매크로 스케일부터 마이크로 스케일 또는, 나노 스케일의 수퍼커패시터를 제작할 수 있다. 즉, 그래핀 필름의 두께를 두껍게 하면 중대형 수퍼커패시터를, 마이크로 사이즈 두께의 그래핀 필름을 사용하면 마이크로-수퍼커패시터를, 나노 사이즈 두께의 그래핀 필름으로는 나노-수퍼커패시터를 제작할 수 있다. 따라서 본 발명의 박막형 수퍼커패시터는 그 다양한 변형 실시예에 따라 향후, 필름의 두께에 따라 다양한 나노 수퍼커패시터 혹은 일반 중대형 제품의 전원장치로도 사용가능하다.
제조 공정
1) 전극물질의 제조
전극을 구성하는데 쓰이는 전극물질의 일례로 그래핀 산화물을 들 수 있다. 그래핀 산화물은 그라파이트(graphite)를 화학적으로 박리하여 제조할 수 있는데, 구체적인 예로 modified Hummer's method(Ruoff et al., Carbon 2009, Vol.47, 145-152쪽)를 참고하여 그래핀 산화물을 제조할 수 있다.
제조된 그래핀 산화물 20 mg을 10 cc 탈염수(deionized water)에 넣고 30분간 초음파세척기에서 초음파 처리로 분산시켜 그래핀 산화물 용액을 만든다. 그리고 그래핀 산화물 용액을 Durapore membrane filter가 장착된 진공여과장치를 이용하여 필터링한다.
이와 같은 그래핀 산화물은 전술한 진공여과법 이외에도 화학기상증착을 통한 필름제조법, 캐스팅을 이용한 필름제조법, 코팅을 통한 필름제조법 등 다양한 기법을 통해 제조될 수 있다.
2) 마이크로-수퍼커패시터의 제작
도 3은 본 발명의 일례인 마이크로-수퍼커패시터의 각 제작 공정을 순차적으로 도시한 것이다.
도 3에서 보듯, 열처리된 그래핀 산화물 필름(12)을 자외선 레이저 드릴링 시스템(UV Laser drilling system)을 이용하여 적절한 크기(일례로 2x10mm2)로 잘라내고, 깨끗하게 세척된 슬라이드 글라스(10) 위에 에폭시를 이용하여 부착한다(S101). 그리고 적절한 마스크(도면에 미도시)를 글라스(10) 위에 올린 다음, 타이타늄(~200 nm)과 금(~700nm)을 스퍼터 증착하여 집전체(collector)(14)를 형성한다(S101). 집전체(14)는 이와 같은 스퍼터링 증착 이외에도 화학기상증착 또는 열증착 등과 같은 박막증착기법으로 형성될 수도 있고, 전기도금, 무전해도금, 영동도금 등과 같은 도금기법을 통해서도 형성될 수 있으며, 그 외에도 스크린 프린팅, 캐스팅, 필름부착 등 다양한 방식에 의해 형성될 수 있다.
집전체(14)와 그래핀 산화물 필름(12) 간의 결합부분을 더욱 공고히 하기 위하여 추가적으로 그래핀 산화물 필름과 집전체가 맞닿는 가장자리 부분에 ~2 um 두께로 금도금(16)을 할 수 있다. 금도금 공정의 일례로, 금도금용액은 KAu(CN)2를 10 g/l의 농도로 증류수에 녹여 제조하며, 양극으로는 스테인리스 스틸을 넣고, 음극에는 수퍼커패시터를 설치하고 1 mA/cm2의 전류밀도가 되도록 전류를 흘려 섭씨 60도에서 25분간 도금을 실시할 수 있다. 구체적으로, 수퍼커패시터는 도금테이프로 전체가 마스킹되고, 그래핀 산화물 필름(12)과 집전체(14)가 맞닿는 가장자리 부분만을 노출시켜 금도금용액에 담근다(S103).
다음으로, 자외선 레이저 드릴링 시스템을 이용하여 그래핀 산화물 필름(12) 표면에 ~20 um 의 너비를 가지는 간극을 소정의 형태로 패터닝하여 두 개의 독립된 전극을 형성한다(S104). 이와 같은 분리 전극은 도 3에서 도시된 바와 같은 사다리 형태의 패터닝에 의해 형성될 수도 있지만 그 외에도 일자형, 원형, 지그재그형 등의 패터닝에 의해 형성될 수도 있으며, 독립된 두 전극을 형성시킬 수만 있다면 어떠한 형태의 패턴이든지 관계없다. 도 4 내지 도 7은 분리 전극으로 사용 가능한 패턴의 예로서 각각 사다리형, 일자형, 원형, 지그재그형변형을 도시하고 있다.
마지막으로, 수퍼커패시터를 5 cc 히드라진 일수화물(hydrazine monohydrate) (98% aldrich)와 함께 진공 데시케이터(desiccator)에 48시간 동안 넣어 그래핀 산화물 전극을 화학적으로 환원시킨다(S105). 이 외에도, 그래핀 산화물 전극의 화학적 환원을 위해서는 완성된 수퍼커패시터 또는 그래핀 전극 필름을 환원성 물질이 담긴 용액에 담가 수용액 상에서 환원시키거나, 환원성 기체를 흘려주어 기상에서 환원시키거나, 열처리를 통해 환원시키는 등 기타 다양한 방법들이 사용될 수 있다.
참고로, 도 8은 완성된 박막형 마이크로-수퍼커패시터의 개략도이고, 도 9는 이차원 패턴 부위의 사진 이미지이다.
한편, 그래핀 필름의 성능향상을 위하여 추가적인 처리가 가능하다. 즉, 완성된 수퍼커패시터 또는 그래핀 필름을 KOH 용액에 담그거나, 플라즈마 처리를 하는 등 기타 다양한 방법들을 이용하여 그래핀 필름에 결함 및 기능기를 유도함으로써 의사커패시터 효과(pseudocapacitive effect)에 의한 성능 향상을 기대할 수 있다.
3) 전기화학적 특성의 측정
수퍼커패시터의 전기화학적 특성은 5.5M KOH 용액을 전해질 용액으로 사용하여 측정할 수 있다. 여기서 전해질은 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 당업자가 적의 선택하여 실시할 수 있는 것으로서 수용성 전해질, 유기전해질 및 이온성 액체전해질(ionic liquid electrolyte) 또는 고상전해질 등 다양한 전해질까지 모두 사용가능하다.
퍼텐시오스타트(potentiostat)를 이용하여 cyclic voltammetry, charge-discharge curve 및 electrochemical impediance spectroscopy를 측정하였다. cyclic voltammetry는 10 - 1000 mV/s 의 속도로 0 - 1 V 범위에서 측정되었으며, electrochemical impediance spectroscopy는 sinusoidal signal 10 mV 를 가진 dc bias 0 V 에서 500 KHz - 10 mHz 범위에 걸쳐 측정되었다. 용량은 cyclic voltammetry에서 얻어진 커브를 적분하여 얻어졌으며, 출력밀도 및 에너지 밀도는 위 측정들을 통해 얻어진 데이터로부터 계산되었다.
도 10은 완성된 수퍼커패시터를 이용하여 측정한 순환 볼타모그램(cyclic voltammogram)의 실제 데이터이다.
도 10에서 보듯이, cyclic voltammogram 의 모양이 사각형에 가깝게 보인다. 이상적인 커패시터의 cyclic voltammogram 모양이 직사각형 모양임을 생각할 때, 본 수퍼커패시터 전극에 전기이중층이 효과적으로 잘 형성되었다는 사실을 알 수 있다.
앞서 설명하였듯, 얻어진 용량은 185.4 Fg-1 과 33.4 mFcm- 2 로 ~400 mFcm-2 였던 초박막 수퍼커패시터(Yoo et al., Nano letters, 2011, Vol.11, 1423-1427쪽)에서의 값보다 약 330 배 정도 큰 수치이다. 이는 마이크로 스케일로 적층된 그래핀들이 수퍼커패시터의 전극으로서 효과적으로 사용될 수 있음을 의미한다.
한편 도 11은 에너지밀도와 출력밀도의 관계를 단위부피로 표시한 라곤 플롯(Ragone plot)이다.
본 발명에서 제안하는 마이크로 스케일의 수퍼커패시터의 에너지밀도(6.4 Whkg-1)와 전력밀도(~100 kWkg-1)는 그래핀을 이용하여 일반적인 방식으로 제조되는 매크로 스케일의 수퍼커패시터에 필적하는 수치를 보여준다.
즉, 도 11에서 보듯, 체적당 용량은 30 F/cm3이고, 체적당 에너지밀도(0.87 mWh/cm3)와 전력밀도(13.34 W/cm3)는 리튬전지의 체적당 에너지밀도와 비등하고 전력밀도는 3.5V의 작동전압을 가진 수퍼커패시터의 영역을 넘어 전해커패시터의 영역에 해당하는 수치를 보이고 있다.
여기서 본 발명의 마이크로-수퍼커패시터는 1V의 작동전압을 가지고도 3V의 작동전압을 가지는 유기전해질을 사용한 다른 마이크로-수퍼커패시터에 근접한 성능을 보이고 있다. 다시 말해서 그래핀의 높은 전기전도도, 짧은 이온 확산거리 및 인플레인 구조와 같은 본 마이크로-수퍼커패시터의 특징들은 그래핀 층간 이온들의 효과적인 전하전달을 이끌었고, 결과적으로 높은 효율의 수퍼커패시터를 제작 가능하게 한 것이다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위에 한정되는 것은 아니고 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 여러 가지로 변형 및 개량한 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속한다. 일례로 본 발명에서 제안하는 이차원 패터닝에 의한 인플레인 구조를 형성할 수만 있다면 전극 소재로 그래핀 또는 그래핀 산화물 이외에도 탄소재료, 금속산화물 및 질화물, 전도성 유기물 등이 대신 사용될 수 있다.
10 : 기판(glass)
12 : 전극 필름(film)
14 : Sputtered Au
16 : Electroplated Au

Claims (18)

  1. 기판에 부착된 전극필름의 양측으로 집전체(current collector)를 형성하는 단계; 및
    상기 전극필름을 인플레인(in-plane) 구조로 패터닝하여 분리된 두 개의 전극을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 집전체와 상기 두 개의 전극은 동일한 평면에 위치하고, 상기 전극필름은 탄소재료, 금속산화물, 금속질화물, 전도성 유기물, 또는 집전체에 수직방향으로 정렬된 그래핀 또는 그래핀 산화물인 수퍼커패시터의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전극필름과 상기 집전체의 결합 부위를 금속 도금으로 보강하는 단계를 더 포함하는 수퍼커패시터의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 집전체는 박막증착법, 도금법, 스크린 프린팅, 캐스팅, 필름부착 중 어느 하나의 기법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터의 제조 방법.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제조된 수퍼커패시터에 전해질을 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 전해질로 수용성 전해질, 유기 전해질, 이온성 액체전해질(ionic liquid electrolyte) 및 고상 전해질 중 어느 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 분리 전극은,
    광학적 패터닝, 기계적 패터닝, 화학적 에칭, 프린팅, 임프린트 중 어느 하나를 이용하여 상기 전극필름에 연속된 틈을 패터닝함으로써 분리된 두 전극을 형성하고, 패터닝에 의해 형성된 전극물질의 절단면에 결함(defect)을 유도하는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 분리 전극은,
    사다리형, 일자형, 원형, 지그재그형 중 어느 하나의 형상으로 단독 또는 연속으로 패터닝되는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 전극필름 또는 상기 분리 전극을 화학적으로 환원시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 전극필름 또는 상기 분리 전극을 환원성 기체에 노출하는 방법, 상기 전극필름 또는 상기 분리 전극을 환원성 물질이 포함된 수용액에 담그는 방법, 상기 전극필름 또는 상기 분리 전극을 열처리하는 방법, 광학처리하는 방법 중 어느 하나를 이용하여 상기 화학적 환원을 수행하는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터의 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    의사커패시터 효과(pseudocapacitive effect)를 얻기 위해 상기 전극필름 또는 상기 분리 전극에 결함 및 기능기를 유도하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 전극필름 또는 상기 분리 전극을 KOH 용액에 담그는 방법, 상기 전극필름 또는 상기 분리 전극을 플라즈마 처리하는 방법 중 어느 하나를 이용하여 결합 및 기능기를 유도하는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터의 제조 방법.
  13. 삭제
  14. 전극필름의 양측에 집전체(current collector)가 형성되어 있고,
    상기 전극필름은 인플레인(in-plane) 구조로 패터닝되어 분리된 두 개의 전극을 형성하고 있고,
    상기 집전체와 상기 두 개의 전극은 동일한 평면에 위치하고, 상기 전극필름은 탄소재료, 금속산화물, 금속질화물, 전도성 유기물, 또는 집전체에 수직방향으로 정렬된 그래핀 또는 그래핀 산화물인 수퍼커패시터.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 전극필름과 상기 집전체의 결합 부위는 금속 도금으로 보강되어 있는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터.
  16. 삭제
  17. 제14항에 있어서, 상기 분리 전극은,
    사다리형, 일자형, 원형, 지그재그형 중 어느 하나의 형상으로 단독 또는 연속으로 패터닝됨으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 수퍼커패시터.
  18. 삭제
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