KR101335039B1 - Laser processing apparatus, and processing method for a workpiece using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명의 과제는 빔 프로파일이 진행 방향에 대해 등방적이 아니어도, 직교하는 2방향으로의 가공을 행하는 경우의 가공 정밀도 편차가 저감되는 레이저 가공 장치를 제공하는 것이다.
레이저 가공 장치가, 레이저광원으로부터 출사된 레이저광을 제1 분기광과 제2 분기광으로 분기시키는 분기 수단과 제2 분기광의 빔 프로파일을, 진행 방향을 축으로 하여 90° 회전시키는 변환 수단과, 제1 분기광의 광로와 변환 수단을 거친 제2 분기광의 광로를 집광 렌즈에 이르는 하나의 조사용 광로에 공통화시키는 광로 공통화 수단과, 분기 수단과 광로 공통화 수단 사이에서 제1 분기광과 제2 분기광을 선택적으로 차단하는 선택적 차단 수단을 갖는 광학계를 구비하고, 선택적 차단 수단에 의해 차단하는 광을 전환함으로써, 스테이지부에 고정된 피가공물에 대해 동일한 빔 프로파일을 갖고 또한 방향이 직교하는 2종류의 레이저광 중 어느 하나를 선택적으로 조사 가능하도록 하였다.An object of the present invention is to provide a laser processing apparatus in which the variation in machining accuracy when machining in two orthogonal directions is reduced even if the beam profile is not isotropic with respect to the advancing direction.
The laser processing apparatus includes a converting means for branching a laser beam emitted from a laser light source into a first branched light and a second branched light and a beam profile of the second branched light by 90 ° around an advancing direction; Optical path common means for commonizing the optical path of the first branched light and the second branched light passing through the conversion means to one irradiation optical path leading to the condensing lens, and the first branched light and the second branched light between the branching means and the optical path commoning means Two types of lasers having the same beam profile and orthogonal to the workpieces fixed to the stage by providing an optical system having an optional blocking means for selectively blocking the light, and switching the light blocked by the selective blocking means. Any one of the lights was made to be selectively irradiated.
Description
본 발명은 레이저광을 조사하여 피가공물을 가공하는 레이저 가공 장치와, 이를 사용한 피가공물의 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laser processing apparatus for processing a workpiece by irradiating a laser beam, and a processing method of a workpiece using the same.
반도체 기판 등의 피가공물에 펄스 레이저광(이하, 레이저광)을 조사함으로써 가공 홈(스크라이브 라인)을 형성하는 레이저 스크라이브 장치가, 이미 공지이다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조). 특허 문헌 1에 개시된 기술에 있어서는, 각각이 LED를 구성하는 단위 패턴을 2차원적으로 배열한 LED 회로 패턴이 표면에 형성된 반도체 기판(LED 기판)이 가공 대상이 된다. 구체적으로는, LED 회로 패턴에 따라서 격자 형상으로 설정된 분할 예정 위치(스트리트라고 불림)에 따라서 레이저광을 상대적으로 주사하면서 조사함으로써, LED 기판을 LED 칩으로 분할하기 위한 스크라이브 라인이 형성된다.Background Art A laser scribing apparatus for forming a processing groove (scribe line) by irradiating a pulsed laser light (hereinafter referred to as laser light) to a workpiece such as a semiconductor substrate is already known (see Patent Document 1, for example). In the technique disclosed in Patent Literature 1, a semiconductor substrate (LED substrate) on which a LED circuit pattern in which two-dimensionally arranged unit patterns constituting an LED is formed on a surface thereof is subjected to processing. Specifically, a scribe line for dividing the LED substrate into an LED chip is formed by irradiating while irradiating a laser beam relatively in accordance with a predetermined dividing position (called a street) set in a lattice shape according to the LED circuit pattern.
또한, 레이저광원으로부터 출사된 레이저광을 제1 편광 빔 스플리터에 의해 편광 상태가 다른 2종류의 레이저광으로 분기하고, 양자의 강도를 1/2 파장판에 의해 개별로 조정한 후, 제2 편광 빔 스플리터를 사용하여 양 레이저광을 이격시켜 조사하는 레이저 가공 장치도 공지이다(예를 들어, 특허 문헌 2 참조).Furthermore, after splitting the laser beam emitted from the laser light source into two kinds of laser beams having different polarization states by the first polarization beam splitter, the intensity of both is individually adjusted by the half wave plate, and then the second polarized light. The laser processing apparatus which uses a beam splitter and spaces apart and irradiates both laser beams is also known (for example, refer patent document 2).
특허 문헌 1에 개시되어 있는 바와 같은 종래의 레이저 가공 장치에 있어서 격자 형상으로 스크라이브 라인을 형성하는 경우, 레이저광은 직교하는 2방향에 있어서 주사된다. 이는 예를 들어, XY 2축 방향으로 이동 가능한 XY 스테이지 상에, LED 기판을 그 스트리트가 스테이지의 이동 방향과 일치하도록 고정한 상태에서, XY 각 방향으로 스테이지를 이동시키면서 가공 예정 위치에 따른 레이저광의 조사를 행함으로써 실현된다.In the conventional laser processing apparatus disclosed in Patent Document 1, when a scribe line is formed in a lattice shape, the laser light is scanned in two orthogonal directions. This is, for example, irradiation of a laser beam according to a processing scheduled position while moving the stage in the XY angular direction while the LED substrate is fixed on the XY stage movable in the XY biaxial direction so that the street coincides with the moving direction of the stage. It is realized by doing
이때, LED의 품질 안정성이라고 하는 관점으로부터는, XY 양 방향에 있어서 스크라이브 라인이 동일한 가공 정밀도로 형성되는 것이 바람직하지만, 그것을 위해서는, 레이저광의 빔 프로파일(레이저광의 강도의 공간 분포)이 조사 방향에 대해 등방적이거나, 적어도 XY 양 방향에서 등가인 것이 필요하다. 그러나, 이와 같은 레이저광의 조사를 실현하기 위해서는 많은 비용이 들기 때문에, 시판되고 있는 레이저광원을 사용하는 것만으로는 실현이 어렵다.At this time, from the viewpoint of the quality stability of the LED, it is preferable that the scribe lines are formed with the same processing accuracy in both the XY directions, but for that purpose, the beam profile (spatial distribution of the intensity of the laser light) of the laser beam is compared with the irradiation direction. It is necessary to be isotropic or equivalent at least in both XY directions. However, in order to realize such irradiation of a laser beam, since it costs a lot, it is difficult to implement | achieve only by using a commercially available laser light source.
혹은, 일방향(제1 방향)에 있어서의 스크라이브 라인의 형성 후, LED 기판을 수평면 내에서 90도 회전시켜, 제1 방향에 직교하는 제2 방향에 있어서의 스크라이브 라인의 형성을 행하도록 하는 형태도 생각된다. 이 경우, 빔 프로파일의 등가성은 요구되지 않지만, 회전 동작에 의해 LED 기판의 얼라인먼트에 어긋남이 생길 가능성이 있으므로, 가공 정밀도를 확보하기 위해서는, 회전 후에 다시 얼라인먼트 동작을 행하여, 레이저광의 조사 위치를 재설정할 필요가 있다. 그로 인해, 가공 시간을 필요로 한다고 하는 문제가 있다.Alternatively, after the formation of the scribe line in one direction (first direction), the LED substrate is rotated 90 degrees in the horizontal plane to form the scribe line in the second direction orthogonal to the first direction. I think. In this case, although the equivalence of the beam profile is not required, there is a possibility that misalignment of the LED substrate may occur due to the rotation operation. Therefore, in order to ensure processing accuracy, the alignment operation is performed again after rotation to reset the irradiation position of the laser beam. There is a need. Therefore, there exists a problem that processing time is required.
또한, 특허 문헌 2에 개시되어 있는 장치는, 하나의 가공 진행 방향에서 2종류의 레이저광을 이격시켜 조사할 수 있는 것에 지나지 않고, 가공 방향에 의한 가공 정밀도의 편차를 억제할 수는 없다.Moreover, the apparatus disclosed in patent document 2 can only irradiate and irradiate two types of laser beams in one process advancing direction, and cannot suppress the dispersion | variation in the process precision by a process direction.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 레이저광의 빔 프로파일이 조사 방향에 대해 등방적이 아니어도, 직교하는 2방향으로의 가공을 행하는 경우의 가공 정밀도의 편차가 저감되는 레이저 가공 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of the said subject, Comprising: Providing the laser processing apparatus which the dispersion | variation in the processing precision at the time of processing in the orthogonal two directions, even if the beam profile of a laser beam is not isotropic with respect to an irradiation direction is reduced. The purpose.
상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 1의 발명은, 레이저광을 조사하여 피가공물을 가공하는 레이저 가공 장치이며, 피가공물을 고정하는 스테이지부와, 레이저광원으로부터 출사된 레이저광을 집광 렌즈로부터 상기 스테이지부에 고정된 상기 피가공물에 대해 조사하는 광학계를 구비하고, 상기 광학계가, 상기 레이저광원으로부터 출사된 상기 레이저광을 제1 분기광과 제2 분기광으로 분기시키는 분기 수단과, 상기 제2 분기광의 빔 프로파일을, 진행 방향을 축으로 하여 90° 회전시키는 변환 수단과, 상기 제1 분기광과 상기 변환 수단을 거친 상기 제2 분기광의 상기 집광 렌즈에 이를 때까지의 조사용 광로를 공통화시키는 광로 공통화 수단과, 상기 분기 수단과 상기 광로 공통화 수단 사이에서 상기 제1 분기광과 상기 제2 분기광을 선택적으로 차단하는 선택적 차단 수단을 갖고, 상기 광로 공통화 수단을 거친 상기 제1 분기광을 제1 조사용 레이저광으로 하고, 상기 공통화 수단을 거친 상기 제2 분기광을 제2 조사용 레이저광으로 할 때에, 상기 선택적 차단 수단에 의한 상기 제1 분기광과 상기 제2 분기광 차단을 전환함으로써, 상기 스테이지부에 고정된 상기 피가공물에 대해 동일한 빔 프로파일을 갖고 또한 방향이 직교하는 상기 제1 조사용 레이저광과 상기 제2 조사용 레이저광 중 어느 하나를 선택적으로 조사 가능한 것을 특징으로 한다.In order to solve the said subject, invention of Claim 1 is a laser processing apparatus which irradiates a laser beam, and processes a to-be-processed object, The stage part which fixes a to-be-processed object, and the laser beam radiate | emitted from the laser light source from the said condensing lens An optical system for irradiating the workpiece to be fixed to a part, wherein the optical system is configured to branch the laser light emitted from the laser light source into first and second branch lights, and the second branch. An optical path for commonizing the beam profile of the light to the converging means until it reaches the converging lens of the diverging means for rotating the beam profile of the light by 90 ° with the axis of travel as the axis; Selectively blocking the first branched light and the second branched light between a commoning means and the branching means and the optical path commoning means; Has a selective blocking means, when the first branched light passed through the optical path commoning means is a first irradiation laser beam, and the second branched light passed through the commoning means is a second irradiation laser light, By switching the first branched light and the second branched light blocking by the selective blocking means, the first irradiation laser light having the same beam profile and orthogonal to the workpiece fixed to the stage unit; It is possible to selectively irradiate any one of said 2nd irradiation laser beams.
청구항 2의 발명은, 청구항 1에 기재된 레이저 가공 장치이며, 상기 스테이지부가 서로 직교하는 제1 방향과 제2 방향으로 이동 가능하게 되어 이루어지고, 상기 제1 조사용 레이저광을 상기 피가공물에 조사할 때에 상기 스테이지부를 상기 제1 방향으로 이동시키고, 상기 제2 조사용 레이저광을 상기 피가공물에 조사할 때에 상기 스테이지부를 상기 제2 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 한다.Invention of Claim 2 is a laser processing apparatus of Claim 1, Comprising: The said stage part is movable in the 1st direction and 2nd direction orthogonal to each other, and irradiates the said to-be-processed object with the said 1st irradiation laser beam. The stage portion is moved in the first direction at the time, and the stage portion is moved in the second direction when the second irradiation laser beam is irradiated onto the workpiece.
청구항 3의 발명은, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 레이저 가공 장치이며, 상기 변환 수단이 복수의 미러를 조합함으로써 구성되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.Invention of Claim 3 is the laser processing apparatus of Claim 1 or Claim 2, Comprising: The said conversion means is comprised by combining several mirror, It is characterized by the above-mentioned.
청구항 4의 발명은, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 레이저 가공 장치이며, 상기 변환 수단이 복수의 반사면을 갖는 프리즘에 의해 구성되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.Invention of Claim 4 is the laser processing apparatus of Claim 1 or Claim 2, Comprising: The said conversion means is comprised by the prism which has a some reflective surface, It is characterized by the above-mentioned.
청구항 5의 발명은, 청구항 2에 기재된 레이저 가공 장치를 사용한 피가공물의 가공 방법이며, 상기 피가공물을 상기 스테이지부에 고정하는 고정 공정과, 상기 피가공물에 설정된 격자 형상의 가공 대상 위치의 서로 직교하는 연장 방향을 상기 제1 방향과 상기 제2 방향에 합치시키는 얼라인먼트 공정과, 상기 스테이지부를 상기 제1 방향으로 이동시키면서 상기 제1 조사용 레이저광을 조사하여 상기 제1 방향으로 연장하는 가공 대상 위치를 가공하는 제1 가공 공정과, 상기 스테이지부를 상기 제2 방향으로 이동시키면서 상기 제2 조사용 레이저광을 조사하여 상기 제2 방향으로 연장하는 가공 대상 위치를 가공하는 제2 가공 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.Invention of Claim 5 is the processing method of the to-be-processed object using the laser processing apparatus of Claim 2, Comprising: The fixing process which fixes the said to-be-processed part, and the orthogonal process position of the grid-shaped process object set to the to-be-processed object An alignment step of matching the extension direction to the first direction and the second direction, and a machining target position that extends in the first direction by irradiating the first irradiation laser light while moving the stage part in the first direction; And a second processing step of processing a target position extending in the second direction by irradiating the second irradiation laser light while moving the stage portion in the second direction. It features.
청구항 1 내지 청구항 4의 발명에 따르면, 형상이 동일하고 방향이 직교하는 빔 프로파일을 갖는 2종류의 레이저광을 선택적으로 사용한 가공이 가능한 레이저 가공 장치가 실현된다.According to the invention of Claims 1 to 4, a laser processing apparatus capable of selectively using two kinds of laser beams having beam profiles having the same shape and orthogonal directions is realized.
특히, 청구항 2의 발명에 따르면, 레이저광원으로부터 출사되는 레이저광의 빔 프로파일이 가공 방향에 대해 등방적이 아니어도, 직교하는 2방향으로의 가공을 행하는 경우의 가공 정밀도의 편차가 저감되는 레이저 가공 장치가 실현된다.In particular, according to the invention of claim 2, even if the beam profile of the laser light emitted from the laser light source is not isotropic with respect to the processing direction, the laser processing apparatus in which the variation in the processing accuracy when processing in two orthogonal directions is reduced is Is realized.
또한, 청구항 5의 발명에 따르면, 레이저광원으로부터 출사되는 레이저광의 빔 프로파일 자체가 등방적인 것이 아니어도, 직교하는 2방향으로의 가공을 동일한 가공 정밀도로 행할 수 있다.According to the invention of claim 5, even if the beam profile of the laser light emitted from the laser light source itself is not isotropic, processing in two orthogonal directions can be performed with the same processing accuracy.
도 1은 본 실시 형태에 관한 레이저 가공 장치(100)의 구성을 도시하는 사시도.
도 2는 제1 광로 셔터(24a)가 개방되는 한편, 제2 광로 셔터(24b)에 의해 제2 광로 P2가 차단된 상태를 도시하는 도면.
도 3은 제1 광로 셔터(24a)에 의해 제1 광로 P1이 차단되는 한편, 제2 광로 셔터(24b)가 개방된 상태를 도시하는 도면.
도 4는 빔 프로파일 변환 유닛(30)의 구성을 도시하는 사시도.
도 5는 조사용 레이저광(LB3)이 조사되어 있는 상태의 스테이지부(10)의 상면도.
도 6은 빔 프로파일 변환 프리즘(130)을 도시하는 사시도.1 is a perspective view illustrating a configuration of a
2 is a view showing a state in which the first
3 is a view showing a state in which the first optical path P1 is blocked by the first
4 is a perspective view illustrating a configuration of the beam
5 is a top view of the
6 is a perspective view illustrating the beam
<레이저 가공 장치의 개요><Outline of Laser Processing Apparatus>
도 1은 본 실시 형태에 관한 레이저 가공 장치(100)의 구성을 도시하는 사시도이다. 레이저 가공 장치(100)는 피가공물에 펄스 레이저광(이하, 레이저광)을 조사함으로써 피가공물에 홈 가공이나 천공 가공 등을 행하는 장치이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 레이저 가공 장치(100)는, 주로, 스테이지부(10)와 광학계(20)를 구비한다. 또한, 레이저 가공 장치(100)는 각 부의 동작을 제어하는 도시하지 않은 제어부를 구비한다.1 is a perspective view illustrating a configuration of a
스테이지부(10)는 피가공물이 적재 고정되는 부위이다. 스테이지부(10)는, 주로, X 스테이지(11)와, Y 스테이지(12)와, θ 스테이지(13)와, 흡착 척(14)으로 구성된다.The
X 스테이지(11)는 수평면 내에 있어서 제1 방향으로 이동 가능하게 설치되어 이루어지는 이동 기구이다. Y 스테이지(12)는 X 스테이지(11) 상에 설치된, 수평면 내에 있어서 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 이동 가능한 이동 기구이다. θ 스테이지(13)는 Y 스테이지(12) 상에 설치된, 수평면 내에 있어서 회전 가능한 회전 기구이다. X 스테이지(11) 및 Y 스테이지(12)의 이동 동작이나, θ 스테이지(13)의 회전 동작은 도시하지 않은 공지의 구동 기구에 의해 실현 가능하다.The
흡착 척(14)은 θ 스테이지(13) 상에 설치된, 피가공물을 흡착 고정하는 테이블이다. 흡착 척(14)은 그 상면(14s)에 도시하지 않은 다수의 흡인 구멍을 갖고 있고, 상기 상면(14s)에 피가공물이 적재된 상태에서, 도시하지 않은 흡인 수단에 의해 흡인 구멍에 부압이 부여됨으로써, 피가공물을 흡착 고정할 수 있도록 되어 있다.The
또한, 도 1 및 이후의 도면에 있어서는, X 스테이지(11)의 이동 방향(제1 방향)을 X축 방향으로 하고, Y 스테이지(12)의 이동 방향(제2 방향)을 Y축 방향으로 하고, 연직 방향을 Z축 방향으로 하는 오른손계의 XYZ 좌표를 부여하고 있다.1 and subsequent drawings, the moving direction (first direction) of the
이상과 같은 구성을 갖는 스테이지부(10)에 있어서는, 흡착 척(14)에 피가공물을 적재 고정한 상태에서, X 스테이지(11), Y 스테이지(12) 및 θ 스테이지(13)를 구동함으로써, 상기 피가공물을, XY 2축 방향으로 수평 이동시키는 것이나, 수평면 내에서 회전시킬 수 있도록 되어 있다.In the
광학계(20)는 스테이지부(10)에 적재 고정된 피가공물에 대해 레이저광을 조사하기 위한 부위이다. 광학계(20)는 레이저광원(21)과, 2개의 1/2 파장판(22)[제1 1/2 파장판(22a), 제2 1/2 파장판(22b)]과, 2개의 편광 빔 스플리터(23)[제1 편광 빔 스플리터(23a), 제2 편광 빔 스플리터(23b)]와, 2개의 광로 셔터(24)[제1 광로 셔터(24a), 제2 광로 셔터(24b)]와, 1/4 파장판(25)과, 집광 렌즈(26)와, 제1 수평 반사 미러(27)와, 제2 수평 반사 미러(28)와, 수직 반사 미러(29)와, 빔 프로파일 변환 유닛(30)을 주로 구비한다. 이들 구성 요소 중, 집광 렌즈(26) 이외는, 스테이지부(10)의 상방이 설치된 배치대(20A) 상의 소정 위치에 배치되어 이루어진다.The
레이저광원(21)은 직선 편광의 레이저광(LB0)을 출사시킨다. 이러한 레이저광원(21)으로서는, 다양한 공지의 광원을 사용할 수 있다. 가공 목적에 따라서, 적절한 광원이 선택되어 사용되면 된다. Nd:YAG 레이저나, Nd:YVO4 레이저나 그 밖의 고체 레이저를 사용하는 형태가 적합하다. 또한, 레이저광원(21)은 Q 스위치가 부착된 것이 바람직하다.The
예를 들어, 사파이어 단결정 기재가 기초 기판으로서 사용된 LED 기판의 스트리트 위치에 스크라이브 라인을 형성하는 경우이면, Nd:YAG 레이저의 3배 고조파(파장:355㎚)를 사용하는 것이 적합하다. 또한, 본 실시 형태에 있어서 LED 기판이라 함은, 각각이 LED를 구성하는 단위 패턴을 2차원적으로 배열한 LED 회로 패턴이 표면에 형성된 반도체 기판을 말하고, 그 스트리트라 함은, 이러한 LED 기판을 개개의 LED 칩으로 분할할(개별화할) 때의 분할 예정 위치를 말한다.For example, when the sapphire single crystal substrate forms a scribe line at the street position of the LED substrate used as the base substrate, it is suitable to use triple harmonics (wavelength: 355 nm) of the Nd: YAG laser. In addition, in this embodiment, the LED board | substrate means the semiconductor substrate in which the LED circuit pattern which two-dimensionally arranged the unit pattern which comprises LED is formed on the surface, and the street means these LED board | substrates. It is the division planned position when dividing (individualizing) into individual LED chips.
레이저광원(21)으로부터 출사된 레이저광(LB0)은, 그 광로 P0 상에 설치되어 이루어지는 제1 1/2 파장판(22a)에 의해, 그 편광 방향이 적절하게 조정된다.The polarization direction of the laser light LB0 emitted from the
제1 1/2 파장판(22a)을 거친 레이저광(LB0)은 광로 P0 상에 설치되어 이루어지는 제1 편광 빔 스플리터(23a)에 도달한다. 제1 편광 빔 스플리터(23a)에 있어서, 레이저광(LB0)은 제1 광로 P1을 진행하는 제1 분기광(LB1)과, 제2 광로 P2를 진행하는 제2 분기광(LB2)으로 분기된다. 바꾸어 말하면, 제1 편광 빔 스플리터(23a)는, 레이저광(LB0)을 제1 분기광(LB1)과 제2 분기광(LB2)으로 분기시키는 분기 수단으로서 기능한다.The laser beam LB0 passing through the first 1/2
보다 상세하게는, 제1 편광 빔 스플리터(23a)는, 제1 분기광(LB1)은 P 편광의 투과광으로서 출사하고, 제2 분기광(LB2)은 S 편광의 반사광으로서 출사한다. 도 1에 도시하는 경우에 있어서는, 레이저광원(21)으로부터 Y축 부방향으로 출사된 레이저광(LB0)이, 제1 편광 빔 스플리터(23a)를 그대로 Y축 부방향을 향해 투과하는 제1 분기광(LB1)과, 제1 편광 빔 스플리터(23a)에서 X축 정방향으로 반사되는 제2 분기광(LB2)으로 분기한다. 또한, 제1 편광 빔 스플리터(23a)로서는, 투과 효율이 90% 내지 95%이고, 반사 효율은 약 99%인 것을 사용한다. 이에 의해, 제1 편광 빔 스플리터(23a)에 있어서의 광학적인 손실은 최소한으로 저감된다.More specifically, the first
제1 광로 P1 상에는 제1 수평 반사 미러(27)와 제1 광로 셔터(24a)와 제2 1/2 파장판(22b)이 구비되어 있다. 한편, 제2 광로 P2 상에는 빔 프로파일 변환 유닛(30)과 제2 수평 반사 미러(28)와, 제2 광로 셔터(24b)가 구비되어 있다.On the 1st optical path P1, the 1st
제1 광로 P1이 제1 광로 셔터(24a)에 의해 차단되어 있지 않은 경우(제1 광로 P1이 해방 상태에 있는 경우), 제1 분기광(LB1)은 제1 수평 반사 미러(27)에 의해 반사됨으로써 수평면 내에 있어서의 진행 방향이 적절하게 바뀐 후, 제1 광로 셔터(24a)의 위치를 통과하여 제2 1/2 파장판(22b)에 도달한다. 제2 1/2 파장판(22b)을 거침으로써, P 편광이었던 제1 분기광(LB1)은 S 편광으로 된다. S 편광으로 된 제1 분기광(LB1)은 제2 편광 빔 스플리터(23b)에 도달한다. 한편, 제1 광로 P1이 제1 광로 셔터(24a)에 의해 차단되어 있는 경우, 제1 광로 셔터(24a)에 도달한 제1 분기광(LB1)은 제1 광로 셔터(24a)에 의해 도시하지 않은 빔 디퓨저를 향해 반사되고, 제2 편광 빔 스플리터(23b)에는 도달하지 않는다.When the first optical path P1 is not blocked by the first optical path shutter 24a (when the first optical path P1 is in the released state), the first branched light LB1 is driven by the first
또한, 제2 광로 P2가 제2 광로 셔터(24b)에 의해 차단되어 있지 않은 경우(제2 광로 P2가 해방 상태에 있는 경우), 제2 분기광(LB2)은 빔 프로파일 변환 유닛(30)을 거침으로써 빔 프로파일이 변화된 후, 제2 수평 반사 미러(28)에 의해 반사됨으로써 수평면 내에 있어서의 진행 방향이 적절하게 바뀐 후, 제2 편광 빔 스플리터(23b)에 도달한다. 이 제2 편광 빔 스플리터에 도달한 제2 분기광(LB2)은, 빔 프로파일 변환 유닛(30)을 거침으로써 편광 방향도 변화되고, S 편광으로부터 P 편광으로 변화되어 있다. 한편, 제2 광로 P2가 제2 광로 셔터(24b)에 의해 차단되어 있는 경우, 제2 광로 셔터(24b)에 도달한 제2 분기광(LB2)은 제2 광로 셔터(24b)에 의해 도시하지 않은 빔 디퓨저를 향해 반사되고, 제2 편광 빔 스플리터(23b)에는 도달하지 않는다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 빔 프로파일이라 함은, 진행 방향(광로 방향)을 축으로 하는 레이저광의 강도의 공간 분포를 말한다. 편의적으로는, 빔 프로파일은 레이저광의 진행 방향에 수직인 임의의 단면에 있어서의 강도 분포로서 취할 수 있다.Further, when the second optical path P2 is not blocked by the second optical path shutter 24b (when the second optical path P2 is in the released state), the second branched light LB2 causes the beam
도 1에 있어서는, 4개의 제1 수평 반사 미러(27)와 1개의 제2 수평 반사 미러(28)를 설치한 경우가 도시되어 있지만, 제1 수평 반사 미러(27)와 제2 수평 반사 미러(28)의 개수는 이에 한정되지 않고, 광학계(20)를 구성하는 각 요소의 배치 레이아웃상의 요청 등에 따라서, 적절한 개수 및 배치 위치에서 설치되는 형태라도 좋다.In FIG. 1, the case where four first horizontal reflection mirrors 27 and one second
또한, 도 1에 있어서는 설명의 편의상 양쪽이 개방된 상태를 도시하고 있지만, 제1 광로 셔터(24a)에 의한 제1 광로 P1의 차단과, 제2 광로 셔터(24b)에 의한 제2 광로 P2의 차단은 배타적으로 행해진다. 따라서, 한쪽이 차단 상태에 있을 때에는, 반드시 다른 쪽은 해방 상태로 되어 있다.In addition, although FIG. 1 shows the state in which both were opened for the convenience of description, blocking of the 1st optical path P1 by the 1st optical path shutter 24a, and of the 2nd optical path P2 by the 2nd optical path shutter 24b. Blocking is done exclusively. Therefore, when one side is in the blocking state, the other side is always in the released state.
도 2는 제1 광로 셔터(24a)가 개방되는 한편, 제2 광로 셔터(24b)에 의해 제2 광로 P2가 차단된 상태를 도시하는 도면이다. 도 3은 제1 광로 셔터(24a)에 의해 제1 광로 P1이 차단되는 한편, 제2 광로 셔터(24b)가 개방된 상태를 도시하는 도면이다. 도 2에 도시하는 경우에 있어서, 제1 분기광(LB1)만이 제2 편광 빔 스플리터(23b)에 도달하여 그 앞으로 더 진행하여, 도 3에 도시하는 경우에 있어서는, 제2 분기광(LB2)만이 제2 편광 빔 스플리터(23b)에 도달하여 그 앞으로 더 진행하고 있다.2 is a view showing a state in which the first optical path shutter 24a is opened while the second optical path P2 is blocked by the second optical path shutter 24b. 3 is a diagram showing a state in which the first optical path P1 is blocked by the first optical path shutter 24a while the second
보다 상세하게는, 제2 편광 빔 스플리터(23b)는 제1 분기광(LB1)을 반사광으로 하여 제3 광로 P3을 향해 출사하고, 제2 분기광(LB2)을 투과광으로 하여 제3 광로 P3을 향해 출사한다. 바꾸어 말하면, 제2 편광 빔 스플리터(23b)는 제1 분기광(LB1)과 제2 분기광(LB2)의 광로를 공통화시키는 광로 공통화 수단으로서 기능한다.More specifically, the second
도 1 내지 도 3에 도시하는 경우에 있어서는, Y축 부방향을 직진하여 제2 편광 빔 스플리터(23b)에 입사한 제1 분기광(LB1)은 제2 편광 빔 스플리터(23b)에 의해 X축 부방향으로 반사되고, X축 부방향을 직진하여 제2 편광 빔 스플리터(23b)에 입사한 제2 분기광(LB2)은 그대로 X축 부방향으로 투과한다. 또한, 제2 편광 빔 스플리터(23b)로서는, 투과 효율이 90% 내지 95%이고, 반사 효율은 약 99%인 것을 사용한다. 이에 의해, 제2 편광 빔 스플리터(23b)에 있어서의 광학적인 손실은 최소한으로 저감된다.In the case shown in FIGS. 1 to 3, the first branched light LB1 incident on the second
이후, 제2 편광 빔 스플리터(23b)에 의해 반사된 제1 분기광(LB1)을 제1 조사용 레이저광(LB3a)이라고 칭하고, 제2 편광 빔 스플리터(23b)를 투과한 제2 분기광(LB2)을 제2 조사용 레이저광(LB3b)이라고 칭하고, 양자를 조사용 레이저광(LB3)이라고 총칭한다.Subsequently, the first branched light LB1 reflected by the second
조사용 레이저광(LB3)은 그 광로 P3 상에 설치된 1/4 파장판(25)에 의해 원편광으로 한 후, 마찬가지로 광로 P3 상에 설치된 수직 반사 미러(29)에 의해 연직 하방(Z축 부방향)을 향해 반사된다. 반사 후의 조사용 레이저광(LB3)은 배치대(20A)가 설치된 관통 구멍(20B)을 통과한 후, 광로 P3 상이며 상기 관통 구멍(20B)의 바로 아래에 배치된 집광 렌즈(26)에 의해 집광된 후, 그 조사 방향이 연직 방향으로 유지되면서 스테이지부(10)에[흡착 척(14)에] 적재 고정되어 이루어지는 피가공물에 대해 조사된다. 보다 상세하게는, 제1 광로 셔터(24a)와 제2 광로 셔터(24b)의 개방/차단 상태에 따라서, 제1 조사용 레이저광(LB3a)과 제2 조사용 레이저광(LB3b) 중 어느 하나가 선택적으로 조사된다. 또한, 집광 렌즈(26)에는 이것을 Z축 방향으로 이동시킴으로써 조사용 레이저광(LB3)의 포커싱 상태를 조정 가능한 도시하지 않은 포커싱 조정 기구가 설치되어 있다. 이러한 포커싱 조정 기구의 작용에 의해, 조사용 레이저광(LB3)의 포커싱 위치를 피가공물 표면에 조정하거나, 혹은 포커싱 위치를 의도적으로 피가공물 내부에 설정하는 디포커스 상태를 실현하는 것 등이 가능해진다.The irradiation laser light LB3 is circularly polarized by the
이상과 같은 구성을 갖는 레이저 가공 장치(100)에 있어서는, 개략, 조사용 레이저광(LB3)의 조사와, 스테이지부(10)에 구비되는 X 스테이지(11), Y 스테이지(12) 및 θ 스테이지(13)의 이동을 적절하게 조합함으로써, 피가공물의 원하는 가공 위치에 대해 가공을 행할 수 있다. 예를 들어, LED 기판의 스트리트에 스크라이브 라인을 형성하는 경우이면, 격자 형상으로 배치된 스트리트의 연장 방향을 XY 양축 방향에 일치시킨 상태에서, X 스테이지(11) 또는 Y 스테이지(12)를 이동시키면서 조사용 레이저광(LB3)을 스트리트 위치에 조사함으로써 실현된다.In the
또한, 레이저 가공 장치(100)에 있어서는, 제1 광로 셔터(24a)와 제2 광로 셔터(24b)의 개방/차단 상태에 따라서, 제1 조사용 레이저광(LB3a)과 제2 조사용 레이저광(LB3b) 중 어느 하나가 선택적으로 조사된다. 이 점에 대해서는, 다음에 상세하게 서술한다.Moreover, in the
<레이저광의 빔 프로파일과 선택적 조사의 관계><Relationship between Beam Profile of Laser Light and Selective Irradiation>
우선, 제1 조사용 레이저광(LB3a)과 제2 조사용 레이저광(LB3b)의 빔 프로파일의 차이를 만들어 내는 빔 프로파일 변환 유닛(30)에 대해 설명한다.First, the beam
본 실시 형태에 관한 레이저 가공 장치(100)에 있어서는, 레이저광원(21)으로부터 출사된 레이저광(LB0)이 제1 편광 빔 스플리터(23a)에 있어서 제1 분기광(LB1)과 제2 분기광(LB2)으로 분기하고, 제2 광로 P2를 진행하는 제2 분기광(LB2)만이 빔 프로파일 변환 유닛(30)을 경유하도록 되어 있다.In the
도 4는 빔 프로파일 변환 유닛(30)의 구성을 도시하는 사시도이다. 빔 프로파일 변환 유닛(30)은 출사하는 레이저광(출사광)의 빔 프로파일을 입사한 레이저광(입사광)의 빔 프로파일과는 다른 것으로 변환하는, 레이저 가공 장치(100)의 구성 요소이다.4 is a perspective view illustrating the configuration of the beam
빔 프로파일 변환 유닛(30)은 외부로부터 수평 방향(도 4에 있어서는 X축 정방향)으로 입사한 레이저광(LB)[입사광(LBα)]을 연직 상방(Z축 정방향)으로 반사하는 제1 미러(31)와, 제1 미러(31)에 의해 반사된 레이저광(LB)을 수평면 내이며 제1 미러(31)로의 입사 방향과 직교하는 방향(도 4에 있어서는 Y축 부방향)으로 반사하는 제2 미러(32)와, 제2 미러(32)에 의해 반사된 레이저광(LB)을 연직 하방(Z축 부방향)으로 반사하는 제3 미러(33)와, 제3 미러(33)에 의해 반사된 레이저광(LB)을 수평면 내이며 제2 미러(32)로부터의 반사광과 평행한 방향(도 4에 있어서는 Y축 부방향)으로 반사하는 제4 미러(34)의 4개의 미러로 이루어지는 미러군을 구비한다. 제4 미러(34)에 의해 반사된 레이저광(LB)이 외부로 출사되는 출사광(LBβ)으로 된다.The beam
또한, 도 4에 예시하는 빔 프로파일 변환 유닛(30)에 있어서는, 미러군을 저장하는 하우징(35)이 구비되어 있고, 외부로부터의 입사광(LBα)이 하우징(35)에 형성된 입사 구멍(35A)을 통해 제1 미러(31)로 조사되고, 제4 미러로부터의 반사광인 출사광(LBβ)이 하우징(35)에 형성된 출사 구멍(35B)을 통해 외부로 출사되는 것으로 되어 있지만, 빔 프로파일 변환 유닛(30)이 하우징(35)을 구비하는 것은 필수의 형태가 아니다.In addition, in the beam
상술한 구성을 갖는 빔 프로파일 변환 유닛(30)에 있어서는, 입사한 레이저광(LB)이 미러군에 의해 순차적으로 반사됨으로써, 입사광(LBα)의 빔 프로파일을, 진행 방향을 축으로 90° 회전시킨 빔 프로파일을 갖는 출사광(LBβ)이 출사된다.In the beam
예를 들어, 도 4에 도시하는 경우이면, 입사광(LBα)의 빔 프로파일은 화살표 AR1로 나타낸 바와 같이 수평면 내의 일방향인 Y축 방향으로 길이 방향을 갖지만, 출사광(LBβ)의 빔 프로파일은 화살표 AR2로 나타낸 바와 같이 Z축 방향으로 길이 방향을 갖는 것으로 되어 있다. 즉, 입사광(LBα)의 빔 프로파일과 출사광(LBβ)의 빔 프로파일은 진행 방향을 축으로 하면, 직교하고 있게 된다.For example, in the case shown in FIG. 4, the beam profile of the incident light LBα has a longitudinal direction in the Y-axis direction, which is one direction in the horizontal plane, as indicated by the arrow AR1, but the beam profile of the outgoing light LBβ is the arrow AR2. As shown by, it has a longitudinal direction in a Z-axis direction. That is, the beam profile of the incident light LBα and the beam profile of the outgoing light LBβ are orthogonal when the traveling direction is taken as the axis.
레이저 가공 장치(100)에 있어서는, 이러한 빔 프로파일 변환 유닛(30)을 제2 광로 P2 상에 구비하므로, 제2 분기광(LB2)의 빔 프로파일이, 빔 프로파일 변환 유닛(30)에 의해 진행 방향을 축으로 90° 회전되게 된다. 제2 광로 P2에 있어서 빔 프로파일 변환 유닛(30)과 제2 편광 빔 스플리터(23b) 사이에 구비되는 것은, 제2 수평 반사 미러(28)와 제2 광로 셔터(24b)뿐이므로, 빔 프로파일 변환 유닛(30)으로부터 수평면 내에 출사된 제2 분기광(LB2)의 빔 프로파일은, 제2 편광 빔 스플리터(23b)에 이를 때까지 유지되게 된다.In the
한편, 제1 광로 P1에는 제1 수평 반사 미러(27)와 제1 광로 셔터(24a)가 구비될 뿐이므로, 제1 광로 P1을 진행하는 제1 분기광(LB1)의 빔 프로파일은, 제1 편광 빔 스플리터(23a)로부터 제2 편광 빔 스플리터(23b)에 이를 때까지 유지된다.On the other hand, since the first optical path P1 is provided with only the first
그로 인해, 제2 편광 빔 스플리터(23b)에 입사하는 제1 분기광(LB1)과 제2 분기광(LB2)에 있어서도, 도 4에 도시한 경우와 마찬가지로, 서로의 빔 프로파일이 진행 방향을 축으로 90° 회전한 관계(90° 회전시키면 빔 프로파일이 합치하는 관계)에 있게 된다. 이것을, 양자의 빔 프로파일이 직교하거나, 혹은 직교 관계에 있다고 칭한다. 또한, 제1 분기광(LB1)과 제2 분기광(LB2)은 원래, 동일한 레이저광원(21)으로부터 출사된 레이저광(LB0)이 분기한 것이므로, 양자의 빔 프로파일은, 축 방향에 대한 방향은 다르지만 형상 자체는 동일하다.Therefore, also in the first branched light LB1 and the second branched light LB2 incident on the second
제2 편광 빔 스플리터(23b)로부터 스테이지부(10)에 이르는 광로 P3에는 1/4 파장판(25)과 수직 반사 미러(29)가 설치되어 있고, 제1 분기광(LB1)인 제1 조사용 레이저광(LB3a)과 제2 분기광(LB2)인 제2 조사용 레이저광(LB3b)은 각각, 제2 편광 빔 스플리터(23b)를 거친 후에 1/4 파장판(25)에 의해 원편광으로 된 후 수직 반사 미러(29)에 의해 반사된다. 그로 인해, 제1 조사용 레이저광(LB3a)과 제2 조사용 레이저광(LB3b)의 진행 방향 자체는 변화되지만, 양자의 빔 프로파일은 수직 반사 미러(29)에 의한 반사 후에도 직교 관계를 유지하고 있다.The optical path P3 extending from the second
상술한 바와 같이, 제1 조사용 레이저광(LB3a)과 제2 조사용 레이저광(LB3b)은 제1 광로 셔터(24a)와 제2 광로 셔터(24b) 중 어느 것을 개방/차단할지에 따라서, 선택적으로 피가공물에 조사되므로, 결국, 레이저 가공 장치(100)에 있어서는, 빔 프로파일이 동일 형상을 가지면서도 서로 직교하는 관계에 있는 제1 조사용 레이저광(LB3a)과 제2 조사용 레이저광(LB3b)을 선택적으로 피가공물에 조사할 수 있도록 되어 있다.As described above, the first irradiating laser light LB3a and the second irradiating laser light LB3b depend on which of the first optical path shutter 24a and the second
예를 들어, 도 2 및 도 3은 레이저광원(21)으로부터 Y축 부방향을 향해 출사되는 레이저광(LB0)의 빔 프로파일이 X축 방향으로 길이 방향을 갖는 경우의, 피가공물에 조사되는 제1 조사용 레이저광(LB3a)과 제2 조사용 레이저광(LB3b)의 빔 프로파일의 차이를 나타내고 있다. 도 2와 같이, 제1 광로 셔터(24a)가 개방되는 한편, 제2 광로 셔터(24b)에 의해 제2 광로 P2가 차단된 상태에서, 피가공물에 조사되는 제1 조사용 레이저광(LB3a)은 Y축 방향으로 길이 방향을 갖는 것으로 되어 있다. 한편, 도 3과 같이, 제2 광로 셔터(24b)가 개방되는 한편, 제1 광로 셔터(24a)에 의해 제1 광로 P1이 차단된 상태에서, 피가공물에 조사되는 제2 조사용 레이저광(LB3b)은 X축 방향으로 길이 방향을 갖는 것으로 되어 있다.For example, FIG. 2 and FIG. 3 show the workpiece irradiated to the workpiece when the beam profile of the laser light LB0 emitted from the
<스트리트 가공><Street processing>
이상과 같이 빔 프로파일이 직교 관계에 있는 2종의 조사용 레이저광(LB3)을 선택적으로 조사 가능한 레이저 가공 장치(100)는 LED 기판 등의 스트리트 가공, 즉 LED 기판의 표면에 정방 격자 형상으로 설정된 스트리트의 위치에 스크라이브 라인을 형성하는 경우와 같이, 직교하는 2방향으로 스크라이브 가공을 행하는 데 적합하다. 이하, 이 점에 대해 설명한다.As described above, the
도 5는, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 레이저광원(21)으로부터 출사되는 레이저광(LB0)의 빔 프로파일이 X축 방향으로 길이 방향을 갖는 경우에 있어서, 조사용 레이저광(LB3)이 조사되고 있는 상태의 스테이지부(10)의 상면도이다. 구체적으로는, 도 5의 (a)는 제1 조사용 레이저광(LB3a)이 조사되고 있을 때의 스테이지부(10)의 상면도이고, 도 5의 (b)는 제2 조사용 레이저광(LB3b)이 조사되고 있을 때의 스테이지부(10)의 상면도이다. 단, 모두, 피가공물인 LED 기판의 도시는 생략하고 있다. 또한, 각 부의 사이즈의 관계는 실제의 것과는 다르다. 실제로는, 스트리트의 폭이 수십㎛ 정도이고, LED 기판에 조사되는 레이저광의 빔 프로파일의 길이 방향 사이즈는 스트리트의 폭보다 약간 작거나 그 이하이고, 작아도 수㎛ 정도이다.FIG. 5 shows the irradiation laser light LB3 when the beam profile of the laser light LB0 emitted from the
도 5의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 조사용 레이저광(LB3a)은 빔 프로파일이 Y축 방향으로 길이 방향을 갖도록 조사된다. 한편, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 제2 조사용 레이저광(LB3b)은 빔 프로파일이 X축 방향으로 길이 방향을 갖도록 조사된다. 즉, 양자의 빔 프로파일은 동일 형상을 갖고 또한 직교한다. 그로 인해, 제1 조사용 레이저광(LB3a)을 조사하여 가공을 행할 때의 가공 진행 방향[피가공물에 대한 제1 조사용 레이저광(LB3a)의 상대 주사 방향]과, 제2 조사용 레이저광(LB3b)을 조사하여 가공을 행할 때의 가공 진행 방향[피가공물에 대한 제2 조사용 레이저광(LB3b)의 상대 주사 방향]을 직교시키도록 하면, 각각의 가공 진행 방향에 대해 보면, 동일 형상의 빔 프로파일을 갖는 레이저광에 의해 가공이 행해지게 된다.As shown in Fig. 5A, the first irradiation laser beam LB3a is irradiated so that the beam profile has a longitudinal direction in the Y-axis direction. On the other hand, as shown in Fig. 5B, the second irradiation laser light LB3b is irradiated so that the beam profile has a longitudinal direction in the X-axis direction. That is, both beam profiles have the same shape and are orthogonal. Therefore, the process progress direction (relative scanning direction of the 1st irradiation laser beam LB3a with respect to a to-be-processed object), and the 2nd irradiation laser beam at the time of irradiating and processing a 1st irradiation laser beam LB3a. When the processing advance direction (relative scanning direction of the 2nd irradiation laser beam LB3b with respect to a to-be-processed object) is made to be orthogonal when irradiating (LB3b), it is the same shape, when it sees about each processing advancing direction. Processing is performed by laser light having a beam profile of.
본 실시 형태에 있어서는, 이 관계를 이용하여, 스트리트 위치에 대한 스크라이브 라인을 형성한다. 구체적으로는, 흡착 척(14)에 흡착 고정한 LED 기판의 배치 위치를 공지의 방법으로 조정함(얼라인먼트함)으로써 격자 형상으로 배치된 스트리트의 서로 직교하는 2개의 연장 방향을 XY 양 축 방향에 일치시킨 후, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이 제1 조사용 레이저광(LB3a)을 조사하면서 화살표 AR3으로 나타낸 바와 같이 X 스테이지(11)를 이동시킴으로써, X축 방향을 따른 스트리트 위치에 대해 스크라이브 라인을 형성하도록 한다. 마찬가지로, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이 제2 조사용 레이저광(LB3b)을 조사하면서 화살표 AR4로 나타낸 바와 같이 Y 스테이지(12)를 이동시킴으로써, Y축 방향을 따른 스트리트 위치에 대해 스크라이브 라인을 형성하도록 한다.In this embodiment, a scribe line with respect to a street position is formed using this relationship. Specifically, by adjusting (aligning) the arrangement positions of the LED substrates adsorbed and fixed to the
이와 같이 하면, X축 방향을 따라서 본 제1 조사용 레이저광(LB3a)의 빔 프로파일과, Y축 방향을 따라서 본 제2 조사용 레이저광(LB3b)의 빔 프로파일이 동일해지므로, 결과적으로, 직교하는 XY 2방향의 스크라이브 라인은 동일한 가공 정밀도로 형성되게 된다. 또한, 이 경우, 레이저광원(21)으로부터 출사되는 레이저광(LB0)의 빔 프로파일 자체가 등방적일 필요는 없으므로, 상술한 가공은, 반드시 빔 프로파일의 등방성이 엄밀하게 보증되어 있는 것이 아닌 시판의 레이저광원(21)을 사용하여 구성된 레이저 가공 장치(100)에 의해서도, 적절하게 실현 가능해진다.In this case, the beam profile of the first irradiation laser beam LB3a viewed along the X-axis direction and the beam profile of the second irradiation laser beam LB3b viewed along the Y-axis direction are the same. The scribe lines in the orthogonal XY two directions are formed with the same machining accuracy. In this case, since the beam profile itself of the laser light LB0 emitted from the
이러한 형태에서 스트리트 가공을 행하는 경우에 있어서의 구체적인 가공 조건은, 원하는 스크라이브 라인이 형성되는 범위에 있어서 적절하게 정해지면 좋다. 예를 들어, LED 기판이 사파이어 단결정 기재를 사용하여 형성되어 있는 경우이면, 레이저광(LB0)의 파장은 150㎚ 내지 563㎚의 파장 범위에 속하는 것이 바람직하고, 그 중에서도 Nd:YAG 레이저를 레이저광원(21)으로 하는 경우에는, 그 3배 고조파(파장 약 355㎚)를 사용하는 것이 적합한 형태이다. 그때, 펄스의 반복 주파수는 50㎑ 이상 150㎑ 이하인 것이 바람직하고, 펄스 폭은 50nsec 이상 150nsec 이하인 것이 적합하다. 피크 파워는 100W 이상 500W 이하인 것이 적합하다. 또한, X 스테이지(11) 및 Y 스테이지(12)의 이동 속도는 100㎜/sec 이상 300㎜/sec 이하인 것이 적합하다.What is necessary is just to determine the specific processing conditions in the case of performing street processing in such a form suitably in the range in which a desired scribe line is formed. For example, when the LED substrate is formed using a sapphire single crystal substrate, the wavelength of the laser light LB0 preferably falls within a wavelength range of 150 nm to 563 nm, and among them, a Nd: YAG laser is a laser light source. In the case of (21), it is preferable to use the triplex harmonic (wavelength of about 355 nm). In that case, it is preferable that the repetition frequency of a pulse is 50 Hz or more and 150 Hz or less, and it is suitable that a pulse width is 50 nsec or more and 150 nsec or less. It is suitable that peak power is 100W or more and 500W or less. Moreover, it is suitable that the moving speeds of the
또한, 제1 조사용 레이저광(LB3a)과 제2 조사용 레이저광(LB3b)은 1/4 파장판(25)에 의해 원편광으로 된 후, 피가공물에 조사되도록 되어 있으므로, 편광의 상태가 가공 정밀도에 영향을 미치는 일은 없다.Further, since the first irradiation laser beam LB3a and the second irradiation laser beam LB3b are circularly polarized by the
이상, 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 피가공물을 흡착 고정한 상태에서 직교하는 2방향으로 이동 가능한 스테이지부를 구비하는 동시에, 형상이 동일하고 방향이 직교하는 빔 프로파일을 갖는 2종류의 레이저광을 선택적으로 사용한 가공이 가능한 레이저 가공 장치가 실현된다. 그리고, 이러한 레이저 가공 장치에 따르면, 예를 들어 LED 기판의 표면에 정방 격자 형상으로 설치된 스트리트 위치에 스크라이브 라인을 형성하는 경우와 같이, 직교하는 2방향에 대해 스크라이브 가공을 행하는 경우에, 스크라이브 라인의 형성 방향과 스테이지부의 이동 방향을 일치시킨 후, 이동 방향을 따라서 조사하는 레이저광을 정함으로써, 레이저광원으로부터 출사되는 레이저광의 빔 프로파일 자체가 등방적인 것이 아니어도, 직교하는 2방향의 스크라이브 라인을 동일한 가공 정밀도로 형성할 수 있다. 즉, 직교하는 2방향에 있어서의 스크라이브 라인의 가공 정밀도 편차가 저감된다.As described above, according to the present embodiment, two types of laser beams having a stage portion movable in two directions orthogonal to each other in a state in which the workpiece is fixed by adsorption and having a beam profile having the same shape and the direction perpendicular to each other are provided. A laser processing apparatus capable of selectively used processing is realized. And according to such a laser processing apparatus, when scribing is performed in two orthogonal directions, for example, when a scribe line is formed in the street position provided in the square grid shape on the surface of an LED substrate, By matching the forming direction with the moving direction of the stage, the laser beam to be irradiated along the moving direction is determined so that the scribe lines in two orthogonal directions are the same even if the beam profile of the laser light emitted from the laser light source itself is not isotropic. It can be formed with processing precision. That is, the deviation of the processing precision of the scribe line in two orthogonal directions reduces.
<변형예><Modifications>
상술한 실시 형태에 관한 빔 프로파일 변환 유닛(30)은, 도 4에 도시한 바와 같이 입사광과 출사광이 동일한 YX 평면 내를 진행하도록 구성되어 있는 동시에, 입사 방향과 출사 방향이 XY 평면 내에서 직교하도록 구성되어 있지만, 이들은 필수의 형태는 아니다. 예를 들어, 제3 미러(33)와 제4 미러(34)를 생략한 구성의 빔 프로파일 변환 유닛(30)의 경우, 입사광과 출사광의 높이 위치는 다르지만, 양자의 빔 프로파일은 평면에서 볼 때에는 직교하게 된다. 혹은, 제4 미러(34)로부터의 반사광을 X축 정방향으로 반사하는 제5 미러를 설치한 빔 프로파일 변환 유닛(30)의 경우, 출사 방향이 입사 방향과 동일해진다. 즉, 빔 프로파일 변환 유닛(30)의 구성은 수평 반사 미러 등 다른 구성 요소의 배치 위치에 따라서 적절하게 정해져도 된다.The beam
또한, 상술한 실시 형태에 있어서는, 레이저 가공 장치(100)가 제2 광로 P2 상에 미러군으로 이루어지는 빔 프로파일 변환 유닛(30)을 구비하는 형태에 대해 설명하였지만, 빔 프로파일 유닛의 구성은, 이것으로는 한정되지 않는다. 도 6은 빔 프로파일 변환 유닛(30) 대신에 사용이 가능한 빔 프로파일 변환 프리즘(130)을 도시하는 사시도이다.Moreover, in embodiment mentioned above, although the
빔 프로파일 변환 프리즘(130)은 제1 반사면(131)과, 제2 반사면(132)과, 제3 반사면(133)과, 제4 반사면(134)이, 각각, 입사광 및 반사광에 대해, 빔 프로파일 변환 유닛(30)의 제1 미러(31), 제2 미러(32), 제3 미러(33) 및 제2 미러(34)의 배치 관계와 동일한 배치 관계가 되도록 구성되어 이루어진다. 이러한 빔 프로파일 변환 프리즘(130)에 있어서도, 입사한 레이저광(LB)이 미러군에 의해 순차적으로 반사됨으로써, 입사광(LBα)의 빔 프로파일을, 진행 방향을 축으로 90° 회전시킨 빔 프로파일을 갖는 출사광(LBβ)이 출사된다.The beam
상술한 실시 형태에 관한 레이저 가공 장치에 있어서는, 빔 프로파일 변환 유닛이 제2 분기광(LB2)의 프로파일의 방향을 90° 회전시키고 있었지만, 빔 프로파일 변환 유닛 내외의 각종 미러의 배치를 적절하게 행함으로써, 제2 분기광(LB2)의 프로파일의 방향을 180° 회전시키는 빔 프로파일 변환 유닛을 구비한 레이저 가공 장치도 실현 가능하다. 이러한 레이저 가공 장치를 사용하면, 복수의 스크라이브 라인을 평행하게 형성하는 왕복 가공에 있어서 진행 방향의 가공과 복귀 방향의 가공을 동일한 빔 프로파일을 갖는 다른 레이저광에 의해 행하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 왕복 가공에 있어서 왕복 양 방향의 가공 정밀도 편차가 저감된다.In the laser processing apparatus according to the above-described embodiment, although the beam profile conversion unit has rotated the direction of the profile of the second branched light LB2 by 90 °, by arranging various mirrors inside and outside the beam profile conversion unit appropriately, The laser processing apparatus provided with the beam profile conversion unit which rotates the direction of the profile of 2nd branch light LB2 by 180 degrees is also realizable. When using such a laser processing apparatus, in the reciprocating process of forming a plurality of scribe lines in parallel, it becomes possible to perform the processing in the advancing direction and the processing in the return direction with another laser light having the same beam profile. As a result, in the reciprocating process, the deviation of the machining accuracy in the reciprocating direction is reduced.
10 : 스테이지부
11 : X 스테이지
12 : Y 스테이지
13 : θ 스테이지
14 : 흡착 척
20 : 광학계
20A : 배치대
20B : 관통 구멍
21 : 레이저광원
22(22a, 22b) : 파장판
23(23a, 23b) : 편광 빔 스플리터
24(24a, 24b) : 광로 셔터
25 : 파장판
26 : 집광 렌즈
27, 28 : 수평 반사 미러
29 : 수직 반사 미러
30 : 빔 프로파일 변환 유닛
100 : 레이저 가공 장치
130 : 빔 프로파일 변환 프리즘
LBα : (빔 프로파일 변환 유닛으로의) 입사광
LBβ : (빔 프로파일 변환 유닛으로부터의) 출사광
LB0 : (레이저광원으로부터 출사되는) 레이저광
LB1 : 제1 분기광
LB2 : 제2 분기광
LB3(LB3a, LB3b) : 조사용 레이저광10:
11: X stage
12: Y stage
13: θ stage
14: adsorption chuck
20: Optical system
20A: placement table
20B: through hole
21: Laser light source
22 (22a, 22b): wave plate
23 (23a, 23b): polarized beam splitter
24 (24a, 24b): optical path shutter
25: wave plate
26: condenser lens
27, 28: horizontal reflective mirror
29: vertical reflection mirror
30: beam profile conversion unit
100: laser processing device
130: beam profile conversion prism
LBα: incident light (to the beam profile conversion unit)
LBβ: emitted light (from beam profile conversion unit)
LB0: laser light (emitted from the laser light source)
LB1: 1st quarter light
LB2: second quarter light
LB3 (LB3a, LB3b): Laser light for irradiation
Claims (5)
피가공물을 고정하는 스테이지부와,
레이저광원으로부터 출사된 레이저광을 집광 렌즈로부터 상기 스테이지부에 고정된 상기 피가공물에 대해 조사하는 광학계를 구비하고,
상기 광학계가,
상기 레이저광원으로부터 출사된 상기 레이저광을 제1 분기광과 제2 분기광으로 분기시키는 분기 수단과,
상기 제2 분기광의 빔 프로파일을, 진행 방향을 축으로 하여 90° 회전시키는 변환 수단과,
상기 제1 분기광과 상기 변환 수단을 거친 상기 제2 분기광의 상기 집광 렌즈에 이를 때까지의 조사용 광로를 공통화시키는 광로 공통화 수단과,
상기 분기 수단과 상기 광로 공통화 수단 사이에서 상기 제1 분기광과 상기 제2 분기광을 선택적으로 차단하는 선택적 차단 수단을 갖고,
상기 광로 공통화 수단을 거친 상기 제1 분기광을 제1 조사용 레이저광으로 하고, 상기 공통화 수단을 거친 상기 제2 분기광을 제2 조사용 레이저광으로 할 때에,
상기 선택적 차단 수단에 의한 상기 제1 분기광과 상기 제2 분기광의 차단을 전환함으로써, 상기 스테이지부에 고정된 상기 피가공물에 대해 동일한 빔 프로파일을 갖고 또한 방향이 직교하는 상기 제1 조사용 레이저광과 상기 제2 조사용 레이저광 중 어느 하나를 선택적으로 조사 가능한 것을 특징으로 하는, 레이저 가공 장치. A laser processing apparatus for processing a workpiece by irradiating laser light,
A stage portion for fixing the workpiece;
An optical system for irradiating a laser beam emitted from a laser light source to the workpiece fixed to the stage from a condenser lens;
The optical system,
Branching means for branching the laser light emitted from the laser light source into a first branched light and a second branched light;
Conversion means for rotating the beam profile of the second branched light by 90 ° with respect to the traveling direction;
Optical path commoning means for commonizing the optical path for irradiation until the converging lens of the second branched light passes through the first branched light and the conversion means;
And selective blocking means for selectively blocking said first and second branched light between said branching means and said optical path commoning means,
When making the said 1st branched light which passed through the said optical path commoning means into a 1st irradiation laser beam, and making the said 2nd branched light which passed through the said commonization means into a 2nd irradiation laser beam,
The first irradiation laser light having the same beam profile and orthogonal to the workpiece fixed to the stage by switching the blocking of the first branched light and the second branched light by the selective blocking means. And any one of said 2nd irradiation laser beams can be selectively irradiated, The laser processing apparatus characterized by the above-mentioned.
상기 제1 조사용 레이저광을 상기 피가공물에 조사할 때에 상기 스테이지부를 상기 제1 방향으로 이동시키고, 상기 제2 조사용 레이저광을 상기 피가공물에 조사할 때에 상기 스테이지부를 상기 제2 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는, 레이저 가공 장치.The method of claim 1, wherein the stage portion is made to be movable in a first direction and a second direction orthogonal to each other,
When the first irradiation laser light is irradiated to the workpiece, the stage portion is moved in the first direction, and when the second irradiation laser light is irradiated to the workpiece, the stage portion is moved in the second direction. Laser processing apparatus characterized by the above-mentioned.
상기 피가공물을 상기 스테이지부에 고정하는 고정 공정과,
상기 피가공물에 설정된 격자 형상의 가공 대상 위치의 서로 직교하는 연장 방향을 상기 제1 방향과 상기 제2 방향에 합치시키는 얼라인먼트 공정과,
상기 스테이지부를 상기 제1 방향으로 이동시키면서 상기 제1 조사용 레이저광을 조사하여 상기 제1 방향으로 연장하는 가공 대상 위치를 가공하는 제1 가공 공정과,
상기 스테이지부를 상기 제2 방향으로 이동시키면서 상기 제2 조사용 레이저광을 조사하여 상기 제2 방향으로 연장하는 가공 대상 위치를 가공하는 제2 가공 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는, 레이저 가공 장치를 사용한 피가공물의 가공 방법.It is a processing method of the to-be-processed object using the laser processing apparatus of Claim 2,
A fixing step of fixing the workpiece to the stage;
An alignment step of bringing the mutually orthogonal extending directions of the lattice-shaped processing target positions set on the workpiece into the first and second directions;
A first processing step of processing a processing target position extending in the first direction by irradiating the first irradiation laser beam while moving the stage portion in the first direction;
And a second processing step of processing the position to be processed extending in the second direction by irradiating the second irradiation laser beam while moving the stage portion in the second direction. Processing method of the workpiece.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102148160B1 (en) * | 2019-03-14 | 2020-08-26 | 경북대학교 산학협력단 | Spherically mounted retro-reflector driving system for securing field of view in laser measurement and method of securing field of view using the same |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI502834B (en) * | 2013-06-13 | 2015-10-01 | Yung Fu Chen | Dual-wavelength laser device and manufacturing method thereof |
CN103331522B (en) * | 2013-07-01 | 2015-09-16 | 苏州东山精密制造股份有限公司 | A kind of light guide plate pattern process equipment |
KR101902991B1 (en) * | 2017-02-20 | 2018-10-02 | (주)큐엠씨 | Laser scribing device |
JP7034621B2 (en) * | 2017-07-25 | 2022-03-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing equipment |
CN109352189A (en) * | 2018-11-28 | 2019-02-19 | 无锡奥特维科技股份有限公司 | Laser scribing device, optical path conversion mechanism and optical path switching method thereof |
CN110508938A (en) * | 2019-08-13 | 2019-11-29 | 江苏屹诚激光装备制造有限公司 | A kind of high-precision laser cutter device |
DE102022118491A1 (en) * | 2022-07-25 | 2024-01-25 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Optical arrangement for converting an input laser beam into a line-like output beam |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004188487A (en) | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Hitachi Via Mechanics Ltd | Laser beam working apparatus and laser beam working method |
JP2005118814A (en) | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Hitachi Via Mechanics Ltd | Laser beam machining method and laser beam machining apparatus |
JP2005205469A (en) | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Laser beam machining apparatus and method |
JP2008049361A (en) | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Beam forming method, and laser beam machining apparatus using the method |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4574180A (en) * | 1984-06-19 | 1986-03-04 | Westinghouse Electric Corp. | Beam alignment system for laser welding system |
JP2004114075A (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Laser Solutions Co Ltd | Laser beam machining device |
CN1690857A (en) * | 2004-04-26 | 2005-11-02 | 中国科学院光电技术研究所 | Laser interference photoetching method and photoetching system adopting holographic optical element |
US20060261051A1 (en) * | 2005-05-19 | 2006-11-23 | Mark Unrath | Synthetic pulse repetition rate processing for dual-headed laser micromachining systems |
CN101020277A (en) * | 2007-03-22 | 2007-08-22 | 苏州德龙激光有限公司 | Distributed laser processing system |
JP5657874B2 (en) * | 2009-09-25 | 2015-01-21 | 株式会社日立情報通信エンジニアリング | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, method for modifying amorphous silicon film, silicon crystallization apparatus, silicon crystallization method |
CN101882446A (en) * | 2010-05-25 | 2010-11-10 | 中山大学 | A Portable Optical Volume Holographic Image Recognition System |
CN102029554B (en) * | 2010-11-22 | 2013-05-08 | 浙江大学 | Quick measurement system for circular trace motion error based on sweep frequency laser interference |
-
2011
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- 2012-08-24 KR KR1020120092698A patent/KR101335039B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004188487A (en) | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Hitachi Via Mechanics Ltd | Laser beam working apparatus and laser beam working method |
JP2005118814A (en) | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Hitachi Via Mechanics Ltd | Laser beam machining method and laser beam machining apparatus |
JP2005205469A (en) | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Laser beam machining apparatus and method |
JP2008049361A (en) | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Beam forming method, and laser beam machining apparatus using the method |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102148160B1 (en) * | 2019-03-14 | 2020-08-26 | 경북대학교 산학협력단 | Spherically mounted retro-reflector driving system for securing field of view in laser measurement and method of securing field of view using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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CN103008888A (en) | 2013-04-03 |
TW201313372A (en) | 2013-04-01 |
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KR20130033950A (en) | 2013-04-04 |
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