KR101327089B1 - 태양전지 모듈 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실시예는 태양전지 모듈 및 이의 제조방법을 제공한다. 실시예에 따른 태양전지는 모듈은 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 포함하는 태양전지 패널; 상기 태양전지 패널 상에 배치되는 EVA층; 상기 EVA층 상에 배치되는 상부 패널; 및 상기 EVA층과 상기 상부 패널 사이에 배치되는 상부 패널을 포함한다.
Description
실시예는 태양전지 모듈 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
태양전지는 p-n 접합 다이오드에 빛을 쪼이면 전자가 생성 되는 광기전력 효과(photovoltaic effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 소자로 정의할 수 있다. 태양전지는 접합 다이오드로 사용되는 물질에 따라, 실리콘 태양전지, I-III-VI족 또는 III-V족 화합물로 대표되는 화합물 반도체 태양전지, 염료감응 태양전지, 유기물 태양전지로 나눌 수 있다.
I-III-VI족 Chalcopyrite계 화합물 반도체 중 하나인 CIGS(CuInGaSe) 태양전지는 광 흡수가 뛰어나고, 얇은 두께로도 높은 광전 변환효율을 얻을 수 있으며, 전기 광학적 안정성이 매우 우수하여 기존 실리콘 태양전지를 대체할 수 있는 태양전지로 부각되고 있다.
상기 언급한 바와 같이, CIGS 태양전지 모듈은 빛 에너지를 직접 전기에너지로 바꿔주는 소자이다. 따라서 태양전지 모듈의 효율을 높이기 위해서는, 광 흡수층에서 빛이 얼마나 흡수되는 가와 표면에서 빛이 반사되지 않고 전달되는 반사율 감소와 밀접한 관련이 있다.
이 중, 빛의 반사를 줄이는 방법으로 인위적으로 줄무늬 형식의 스크래칭 작업(texturing)하여 10% 정도로 반사를 줄일 수 있으며, 표면반사를 줄이기 위해 반도체 표면에 투명하고 굴절률이 반도체와 공기의 사이값을 갖는 박막 층을 적당한 두께로 만드는 반사방지막(Anti reflecting coating)이 있다.
일반적으로, 반사방지막을 형성하는 방법은 광이 통과하는 매질(공기)과 물질(유리)의 굴절율 사이값을 가지는 물질을 유리표면에 코팅하는 것이다. 이때, 반사방지 효과를 증대시키기 위하여 특정한 파장에 대해서 표면에 코팅하는 코팅물질의 두께를 그 파장의 λ/4로 맞추면 코팅물질의 표면과 코팅물질과 유리의 계면에서 반사되는 빛이 서로 간섭하여 상쇄되는 조건이 되므로 반사방지막 효과가 증대된다.
실시예는 반사방지입자층을 포함하는 태양전지 모듈을 제공함으로써, 태양광을 효과적으로 포획하여 그 효율을 높일 수 있는 태양전지 모듈 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
제 1 실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 포함하는 태양전지 패널; 상기 태양전지 패널 상에 배치되는 EVA층; 상기 EVA층 상에 배치되는 상부 패널; 및 상기 EVA층과 상기 상부 패널 사이에 배치되는 상부 패널을 포함한다.
제 2 실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 포함하는 태양전지 패널; 상기 태양전지 패널 상에 배치되는 EVA층; 상기 EVA층 상에 배치되는 반사방지입자층; 상기 반사방지입자층 상에 배치되는 상부 패널; 및 상기 지지기판과 상기 광 흡수층 사이에 배치되는 고반사층을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 지지기판 상에 순차적으로 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 증착하여 태양전지 패널을 형성하는 단계; 상기 태양전지 패널 상에 EVA층을 형성하는 단계; 상기 상부 패널 상에 반사방지입자층을 형성하는 단계; 및 상기 반사방지입자층과 상기 EVA층이 대향하도록 정렬하고, 라미네이션(lamination)하는 단계를 포함한다.
제 1 실시예에 따른 태양전지 모듈은 반사방지입자층을 제공함으로써, 태양광이 반사로 손실되는 것을 방지하고, 광 흡수층으로의 입사량을 증가시킨다. 또한, 실시예에 따른 반사방지입자층은 종래 반사방지층보다 표면적이 향상되어, 빛의 흡수율을 높일 수 있는 최대면적을 확보할 수 있을 뿐만 아니라, EVA층과의 접착력을 높일 수 있다.
또한, 제 2 실시예에 따른 태양전지 모듈은 반사방지입자층 뿐만 아니라 고반사층을 추가로 제공한다. 이에 따라, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 태양광을 광 흡수층으로 효과적으로 포획하여 변환 효율을 높일 수 있다.
도 1 내지 도 4는 제 1 실시예에 따른 태양전지의 단면을 도시하는 단면도들이다.
도 5는 및 도 6은 제 2 실시예에 따른 태양전지의 단면을 도시하는 단면도들이다.
도 7 내지 도 11은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시하는 단면도들이다.
도 5는 및 도 6은 제 2 실시예에 따른 태양전지의 단면을 도시하는 단면도들이다.
도 7 내지 도 11은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시하는 단면도들이다.
실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시하는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 태양전지 패널(100), EVA층(200), 반사방지입자층(300) 및 상부 패널(400)을 포함한다. 더 자세하게, 상기 태양전지 모듈(10)은 지지기판(10), 후면 전극층(20), 광 흡수층(30), 버퍼층(40), 고저항 버퍼층(50) 및 전면 전극층(60)을 포함한다.
상기 지지기판(10)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 상기 지지기판(10)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다. 예를 들어, 상기 지지기판(10)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판 또는 유연성이 있는 고분자 기판 등이 사용될 수 있다.
상기 후면 전극층(20)은 상기 지지기판(10) 상에 배치된다. 상기 후면 전극층(20)은 도전층이다. 상기 후면 전극층(20)은 몰리브덴(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 구리(Cu) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이 가운데, 특히 몰리브덴(Mo)은 다른 원소에 비해 상기 지지기판(10)과 열팽창 계수의 차이가 적기 때문에, 접착성이 우수하여 박리현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상기 광 흡수층(30)은 상기 후면 전극층(20) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(30)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(30)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)(Se,S)2; CIGSS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 버퍼층(40)은 상기 광 흡수층(30) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(40)은 황화 카드뮴, ZnS, InXSY 및 InXSeYZn(O, OH) 등을 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(50)은 상기 버퍼층(40) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(50)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다.
상기 전면 전극층(60)은 상기 광 흡수층(30) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 전면 전극층(60)은 상기 광 흡수층(30) 상의 고저항 버퍼층(50)과 직접 접촉하여 배치될 수 있다. 이 때, 상기 전면 전극층(60)은 상기 버퍼층(40)과 함께 n 형 반도체층을 형성하여 p 형 반도체층인 상기 광 흡수층(30)과 pn 접합을 형성할 수 있다. 상기 전면 전극층(60)은, 예를 들어, 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO)로 형성될 수 있다.
상기 EVA층(200)은 상기 태양전지 패널(100) 상에 배치될 수 있다. 상기 EVA층(200)은 상기 태양전지 패널(100)과 상기 상부 패널(400) 사이에 배치되어, 외부 충격에 약한 태양전지 패널(100)을 보호할 뿐만 아니라, 상기 태양전지 패널(100)과 상기 상부 패널(400) 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 상기 EVA층(210, 220)외에도 PVB(Poly vinyl butylo) 필름 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
상기 상부 패널(400)은 외부의 물리적인 충격 및/또는 이물질로부터 상기 태양전지 패널(100)을 보호한다. 상기 상부 패널(400)은 투명하며, 예를 들어, 강화 유리 등을 포함할 수 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저(low) 철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다.
상기 상부 패널(400)은 도 1에서와 같이 플레이트 형상이거나, 도 2에서와 같이 패턴층을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 상부 패널(400)의 하면은 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 패널(400)은 베이스층(410) 및 상기 베이스층(410)의 하면에 배치되는 패턴층(420)을 포함한다.
상기 패턴층(420)의 형상은 상기 태양전지 패널(100)로 입사되는 태양광의 반사를 최소화할 수 있는 형상이라면 특별히 제한 없이 사용 가능하다. 예를 들어, 상기 패턴층(420)의 단면은 구형, 반구형, 타원형, 또는 다각형으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
일 구현예로, 도 2를 참조하면, 상기 패턴층(420)은 상기 베이스층(410)에 대하여 경사지는 제 1 경사면(401) 및 상기 제 1 경사면(401)과 다른 방향으로 연장되는 제 2 경사면(402)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 경사면(401)과 상기 제 2 경사면(402)은 서로 대향 배치된다. 또한, 상기 제 1 경사면(401)과 상기 베이스층(410) 간의 각도 및 상기 제 2 경사면(402)과 상기 베이스층(410) 간의 각도는 각각 약 20° 내지 약 60° 일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
상기 반사방지입자층(300)은 상기 EVA층(200)과 상기 상부 패널(400) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사방지입자층(300)은 상기 상부 패널(400)의 하측면과 직접 접촉하여 배치될 수 있다. 또한, 상기 언급한 바와 같이, 상기 상부 패널(400)에 패턴층(420)이 형성된 경우, 상기 반사방지입자층(300)은 상기 패턴층(420)의 하측면과 접촉하여 배치될 수 있다.
상기 반사방지입자층(300)은 다수개의 반사방지입자들을 포함한다. 더 자세하게, 상기 반사방지입자층(300)은 다수개의 반사방지입자들이 연속적으로 분포되어 하나의 층을 이룰 수 있다. 예를 들어, 상기 다수개의 반사방지입자들의 평균 크기는 약 1 nm 내지 약 15 nm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이에 따라, 실시예에 따른 반사방지입자층(300)은 종래 사용되던 플랫(flat)한 형태의 반사방지층보다 표면적이 향상되어, 빛의 흡수율을 높일 수 있는 최대면적을 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 EVA층(200)과의 접착력을 높일 수 있다.
상기 반사방지입자층(300)은 상기 상부 패널(400)의 굴절률보다 크고, 상기 EVA층(200)의 굴절률보다 작은 값을 가지는 물질이라면 특별히 제한 없이 사용 가능하다. 즉, 상기 반사방지입자층(300)의 굴절율은 상기 상부 패널(400)과 상기 EVA층(200) 의 굴절률에 대하여 상대적으로 결정될 수 있다. 예를 들어, 상기 반사방지입자층(300)의 굴절률은 약 1.4 내지 약 2.9 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 반사방지입자층(300)은 SiO2, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, ZnO, Al2O3, SiN, AllnGaP 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 형성될 수 있다.
도 3은 제 1 실시예에 따른 반사방지입자층(300)의 기능을 설명하는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 태양전지 모듈로 입사되는 태양광(L11)은 상기 상부 패널(400)의 패턴층(420)과 상기 반사방지입자층(300)에 의해 반사가 최소화되고, 대부분의 광(L21)이 투과된다. 또한, 상기 투과된 광(L21)은 상기 EVA층(200)과 상기 태양전지 패널(100)의 계면에서 일부 광은 반사(L22)되고, 일부 광(L31)은 투과된다. 이어서, 일부 투과된 광(L31) 또한, 일부는 반사(L32)된다. 실시예에 따른 상기 반사방지입자층(300)을 상기 상부 패널(400)의 하측면에 배치시키고 굴절률을 조절함으로써, 각 층에서 반사되어 나오는 광들(L22, L32)을 다시 태양전지 패널(100)로 입사시킬 수 있다. 이에 따라, 태양전지 패널로 입사되는 태양광의 양은 최대화될 수 있으며, 광전 효율 역시 향상될 수 있다.
한편, 지금까지는 단일층의 반사방지입자층(300)만을 기재하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 즉, 상기 반사방지입자층(300)은 다수개의 층들로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 반사방지입자층(300)은 상기 상부 패널(400)의 하측면에 배치되는 제 1 반사방지입자층(310) 및 상기 제 1 반사방지입자층(310)의 하측면에 배치되는 제 2 반사방지입자층(320)을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 상기 제 1 반사방지입자층(310)의 굴절률은 상기 제 2 반사방지입자층(320)의 굴절률 보다 작은 것이 바람직하다,
도 5는 제 2 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면을 도시하는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 제 2 실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판(10)과 광 흡수층(30) 사이에 고반사층(500)이 추가로 배치된다. 더 자세하게, 상기 고반사층(500)은 후면 전극층(20)과 상기 광 흡수층(30) 사이에 배치될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 고반사층(100)은 상기 광 흡수층(30)에서 흡수하지 못하고 투과되는 광을 다시 상기 광 흡수층(30)으로 반사시킴으로써, 상기 광 흡수층(30)으로 입사되는 태양광량을 최대화할 수 있다. 즉, 제 2 실시예에 따른 태양전지 모듈은 상기 광 흡수층(30)의 상측에는 반사방지입자층(300)을, 상기 광 흡수층(30)의 하측에는 고반사층(500)을 형성함으로써, 태양광을 효과적으로 포획할 수 있는 구조를 제공한다.
상기 고반사층(500)은 당업계에서 통상적으로 사용되는 금속 반사 물질 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 고반사층(500)은 다수개의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 6을 참조하면, 상기 고반사층(500)은 상기 후면 전극층(20) 상에 배치되는 제 1 고반사층(510) 내지 제 4 고반사층(540)을 포함할 수 있다. 이 때, 굴절율은 상기 제 1 고반사층(510)에서 상기 제 4 고반사층(540)으로 갈수록 굴절율은 커질 수 있다. 즉, 상기 고반사층(500)을 상기 언급한 다수개의 층을 가지는 반사방지입자층(300)의 구조가 역전된 구조로, 상기 고반사층(500)에서의 흡수를 효과적으로 차단할 수 있다.
도 7 내지 도 11은 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조방법을 설명하는 단면도들이다. 본 제조방법에 관한 설명은 앞서 설명한 태양전지 모듈에 대한 설명을 참고한다.
도 7을 참조하면, 먼저 태양전지 패널(100)을 형성한다. 상기 태양전지 패널(100)은 지지기판(10) 상에 후면 전극층(20), 광 흡수층(30), 버퍼층(40), 고저항 버퍼층(50), 및 전면 전극층(60)을 순차적으로 형성함으로써 제조될 수 있다.
상기 후면 전극층(20)은 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금의 방법으로 형성될 수 있다. 이어서, 상기 후면 전극층(20) 상에 광 흡수층(30)을 형성한다. 상기 광 흡수층(30)은 예를 들어, 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을 동시 또는 구분하여 증발시키면서 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2; CIGS계)의 광 흡수층(30)을 형성하는 방법과 금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션(Selenization) 공정에 의해 형성시키는 방법이 폭넓게 사용되고 있다.
금속 프리커서 막을 형성시킨 후 셀레니제이션 하는 것을 세분화하면, 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정에 의해서, 상기 이면전극(300) 상에 금속 프리커서 막이 형성된다. 이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2; CIGS계)의 광 흡수층(30)이 형성된다.
이와는 다르게, 상기 구리 타겟, 인듐 타겟, 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 상기 셀레니제이션 공정은 동시에 진행될 수 있다.
이와는 다르게, 구리 타겟 및 인듐 타겟 만을 사용하거나, 구리 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하는 스퍼터링 공정 및 셀레니제이션 공정에 의해서, CIS계 또는 CIG계 광 흡수층(30)이 형성될 수 있다.
이후, 상기 광 흡수층 상에 버퍼층(40) 및 고저항 버퍼층(50)이 순차적으로 형성된다. 상기 버퍼층(40)은 상기 광 흡수층(30) 상에 황화 카드뮴이 화학 용액 증착법(chemical bath deposition; CBD)에 의해서 증착 되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(40) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착 되고, 상기 고저항 버퍼층(50)이 형성된다.
마지막으로, 상기 고저항 버퍼층(50) 상에 투명한 도전물질을 적층하여 전면 전극층(60)을 형성한다. 상기 전면 전극층(60)은 상기 광 흡수층(30)과 pn 접합을 형성하는 윈도우(window)층으로서, 태양전지 전면의 투명전극의 기능을 하기 때문에 광투과율이 높고 전기 전도성이 좋은 산화 아연(ZnO)으로 형성될 수 있다. 이 때, 상기 산화 아연에 알루미늄을 도핑함으로써 낮은 저항값을 가지는 전면 전극층(60)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 전면 전극층(60)은 RF 스퍼터링방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법과 Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링, 그리고 유기금속화학증착법 등으로 형성될 수 있다. 이후, 도 8을 참조하면, 상기 태양전지 패널(100) 상에 EVA층(200)을 형성한다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 상부 패널(400) 상에 반사방지입자층(300)을 형성한다. 먼저, 상기 상부 패널(400)은 통상의 식각 공정 또는 연마 공정에 의하여 베이스층(410) 및 상기 베이스층(410) 상에 형성되는 패턴층(420)으로 구분될 수 있다.
이어서, 상기 패턴층(420) 상에 반사방지입자를 포함하는 분산 용액을 도포한다. 상기 반사방지입자는 반사방지입자층(300)을 형성하는 일종의 전구물질로써, SiO2, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, ZnO, Al2O3, SiN AllnGaP 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 상기 분산 용액은 상기 반사방지입자층(300)이 분산될 수 있는 유기 용매라면 특별히 제한 없이 사용가능하며, 예를 들어, 알코올계 용매를 사용할 수 있다. 상기 분산 용액이 도포된 후, 상기 분산 용액을 열처리하여 상기 분산 용액 중 용매를 증발시킴으로써, 상기 반사방지입자층(300)이 형성될 수 있다.
이후, 도 11을 참조하면, 상기 상부 패널(400)과 상기 EVA층(200)이 대향하도록 정렬시킨다. 더 자세하게, 상기 상부 패널(400) 중 상기 반사방지입자층(300)이 형성된 패턴층(420)이 상기 EVA층(200)과 마주보도록 정렬시킨 후, 이를 라미네이션(lamination) 함으로써, 태양전지 모듈을 제조할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (15)
- 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 포함하는 태양전지 패널;
상기 태양전지 패널 상에 배치되는 EVA층;
상기 EVA층 상에 배치되는 상부 패널; 및
상기 EVA층과 상기 상부 패널 사이에 배치되는 반사방지입자층을 포함하는 태양전지 모듈.
- 제 1 항에 있어서,
상기 반사방지입자층은 다수개의 반사방지입자들을 포함하고,
상기 다수개의 반사방지입자들의 평균 크기는 1 nm 내지 15 nm 인 태양전지 모듈.
- 제 1 항에 있어서,
상기 반사방지입자층의 굴절률은 상기 상부 패널의 굴절률보다 크고, 상기 EVA층의 굴절률 보다 작은 태양전지 모듈.
- 제 3 항에 있어서,
상기 반사방지입자층의 굴절률은 1.4 내지 2.9 인 태양전지 모듈.
- 제 1 항에 있어서,
상기 반사방지입자층은 SiO2, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, ZnO, Al2O3, SiN, AllnGaP 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 형성되는 태양전지 모듈.
- 제 1 항에 있어서,
상기 반사방지입자층은 상기 상부 패널의 하측면에 배치되는 제 1 반사방지입자층 및 상기 제 1 반사방지입자층 하측면에 배치되는 제 2 반사방지 입자층을 포함하고,
상기 제 1 반사방지입자층의 굴절률은 상기 제 2 반사방지입자층의 굴절률 보다 작은 태양전지 모듈.
- 제 1 항에 있어서,
상기 상부 패널은 베이스층 및 상기 베이스층 하측면에 배치되는 패턴층을 포함하며,
상기 패턴층의 하측면과 접촉되는 상기 반사방지입자층을 포함하는 태양전지 모듈.
- 제 7 항에 있어서,
상기 패턴층의 단면은 구형, 반구형, 타원형, 또는 다각형을 포함하는 태양전지 모듈.
- 제 7 항에 있어서,
상기 패턴층은 상기 베이스층에 대하여 경사지는 제 1 경사면; 및
상기 제 1 경사면과 다른 방향으로 연장되는 제 2 경사면을 포함하고, 상기 제 1 경사면과 상기 제 2 경사면은 대향 배치되는 태양전지 모듈.
- 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 포함하는 태양전지 패널;
상기 태양전지 패널 상에 배치되는 EVA층;
상기 EVA층 상에 배치되는 반사방지입자층;
상기 반사방지입자층 상에 배치되는 상부 패널; 및
상기 후면 전극층과 상기 광 흡수층 사이에 배치되는 고반사층을 포함하는 태양전지 모듈.
- 제 10 항에 있어서,
상기 고반사층은 상기 후면 전극층과 상기 광 흡수층 사이에 배치되는 태양전지 모듈.
- 제 10 항에 있어서,
상기 고반사층은 상기 후면 전극층 상에 배치되는 제 1 고반사층과 상기 제 1 고반사층 상에 배치되는 제2 고반사층을 포함하고,
상기 제 2 고반사층의 굴절률은 상기 제 1 고반사층의 굴절률보다 큰 태양전지 모듈.
- 제 10 항에 있어서,
상기 반사방지입자층은 상기 상부 패널의 하측면에 배치되는 제 1 반사방지입자층 및 상기 제 1 반사방지입자층 하측면에 배치되는 제 2 반사방지 입자층을 포함하고,
상기 제 2 반사방지입자층의 굴절률은 상기 제 1 반사방지입자층의 굴절률 보다 큰 태양전지 모듈.
- 지지기판 상에 순차적으로 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 증착하여 태양전지 패널을 형성하는 단계;
상기 태양전지 패널 상에 EVA층을 형성하는 단계;
상부 패널 상에 반사방지입자층을 형성하는 단계; 및
상기 상부 패널 상에 형성된 상기 반사방지입자층과 상기 EVA층이 대향하도록 정렬하고, 라미네이션(lamination)하는 단계를 포함하는 태양전지 모듈의 제조방법.
- 제 14 항에 있어서,
상기 반사방지입자층을 형성하는 단계는,
상기 상부 패널을 패터닝하여 베이스층 및 상기 베이스층 상에 패터닝층을 형성하는 단계; 및
상기 패터닝층 상에 반사방지입자를 포함하는 분산 용액을 도포하는 단계를 포함하는 태양전지 모듈의 제조방법.
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