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KR101319731B1 - 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로 - Google Patents

무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로 Download PDF

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Publication number
KR101319731B1
KR101319731B1 KR1020120044011A KR20120044011A KR101319731B1 KR 101319731 B1 KR101319731 B1 KR 101319731B1 KR 1020120044011 A KR1020120044011 A KR 1020120044011A KR 20120044011 A KR20120044011 A KR 20120044011A KR 101319731 B1 KR101319731 B1 KR 101319731B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wireless communication
switch circuit
speed switch
switching time
circuit
Prior art date
Application number
KR1020120044011A
Other languages
English (en)
Inventor
김유신
박성환
김상희
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to US13/801,766 priority patent/US9037097B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101319731B1 publication Critical patent/KR101319731B1/ko

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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/44—Transmit/receive switching

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  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
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Abstract

본 발명은 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로에 관한 것으로서, 안테나를 통해 송수신되는 신호를 입력받아 고속 스위칭 동작하는 고속 스위치 회로부; 안테나를 통해 송수신되는 신호를 입력받아 저속 스위칭 동작하는 저속 스위치 회로부; 및 고속 스위치 회로부 또는 저속 스위치 회로부에 스위칭 타임 제어를 위한 신호를 인가하는 제어부를 포함한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, GSM(Global System for Mobile Communications)과 WiFi용 스위치가 TDD(Time Division Duplex) 시스템에서 요구하는 스위칭 타임이 각각 다르다는 것을 이용하여 고주파 스위치 회로에 사용되는 NMOS 스위치의 RC 시정수(Time Constant)를 조절함으로써 무선 통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 맞추어 능동적으로 대응할 수 있으며, 이에 따라 다양한 무선통신 시스템에 적용할 수 있는 장점이 있다.

Description

무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로{Circuit for controlling switching time of transmitting and receiving signal in wireless communication system}
본 발명은 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로에 관한 것으로서, 특히 고주파 스위치 회로에 사용되는 NMOS 스위치의 RC 시정수(Time Constant)를 조절함으로써 다양한 무선통신 시스템에서 사용할 수 있는, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로에 관한 것이다.
휴대용 무선통신 시스템에는, 예를 들면 유럽에서 주로 사용되는 EGSM(Extended Global System for Mobile Communications) 방식 및 DCS(Digital Cellular System) 방식과, 미국에서 주로 사용되는 GSM850(Global System For Mobile Communications 850) 방식 및 GSM1900(Global System For Mobile Communications 1900) 방식과, 일본에서 주로 사용되는 PDC(Personal Digital Cellular) 방식 등이 있다. 그러나, 최근의 휴대전화기의 급격한 보급에 수반하여, 특히 선진국의 주요 대도시에 있어서 각 시스템에 할당된 주파수 대역에서는 시스템 이용자를 만족시키지 못하고 있다. 예컨대, 접속이 곤란하거나 통화 도중에 접속이 끊어지는 등의 문제가 발생하고 있다.
따라서, 이에 대한 대책으로 이용자가 복수의 시스템을 이용할 수 있도록 하여, 실질적으로 이용 가능한 주파수의 증가를 도모하고, 또한 서버　사용자 구역의 확충이나 각 시스템의 통신 인프라를 유효하게 활용하는 방안이 제시되고 있다.
한편, 무선통신 산업의 발전으로 인해 이동전화, 무선 랜 등 각종 응용분야에서 집적회로 기술에 의해 제조된 저잡음 증폭기, 발진기, 고출력 증폭기, 스위치 등과 같은 RF 부품들이 개발되고 있다. 이러한 무선통신 산업의 발전과 더불어 사용 주파수 대역 또한 점점 높아지는 추세에 있으며, X 대역 이상의 주파수에서 동작되는 RF 부품이 요구되고 있다.
마이크로파 등과 같은 고주파 대역에서 동작하는 스위치로서, 예를 들면, SPDT(Single Pole Double Through) 스위치가 있다. 일반적인 SPDT 스위치는 FET 계열의 소자를 사용한다. SPDT 스위치의 설계시에, 직렬 스위칭 소자로서는 삽입손실을 줄이기 위해 보통 면적이 큰 FET 소자가 사용되고, 직렬 스위칭 소자와 병렬로 연결되는 스위칭 소자로서는 격리도 특성을 향상시키기 위해 상대적으로 작은 면적의 FET 소자가 사용된다.
SPDT 스위치의 성능을 개선하기 위한 연구는 적용분야에 따라 다양하게 이루어지고 있다. 예를 들어, 기생성분을 제거하여 격리도 및 반사 손실을 개선하기 위해 병렬 공진기를 사용한 SPDT 스위치, 그리고, 스위칭 소자의 온 및 오프 상태에서의 임피던스를 확실하게 단락 및 개방하기 위하여 스위칭 소자 사이에 임피던스 변환회로를 추가한 SPDT 스위치 등이 있다. 특히, 후자의 경우는 높은 격리도 및 낮은 삽입손실을 얻을 수 있는 구조를 취하고 있으나, 기본적으로 필터 구조가 포함되어 있어 협대역 특성을 갖는다. 따라서, 적용분야가 제한적이며 보다 넓은 대역에서 사용이 곤란하다.
일본공개특허 제2007-143112호
본 발명은 상기와 같은 사항을 감안하여 창출된 것으로서, GSM(Global System for Mobile Communications)과 WiFi용 스위치가 TDD(Time Division Duplex) 시스템에서 요구하는 스위칭 타임이 각각 다르다는 것을 이용하여 고주파 스위치 회로에 사용되는 NMOS 스위치의 RC 시정수(Time Constant)를 조절함으로써 다양한 무선통신 시스템에서 사용가능한, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로를 제공함에 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로는, 무선 통신기기의 안테나와 신호 송수신부 사이에 설치되어, 무선 통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 따라 선택적으로 스위칭 동작하는 회로로서,
상기 안테나로부터 수신된 신호 또는 상기 안테나를 통해 송신될 신호를 입력받아 고속 스위칭 동작하는 고속 스위치 회로부;
상기 고속 스위치 회로부에 병렬로 접속되며, 상기 안테나로부터 수신된 신호 또는 안테나를 통해 송신될 신호를 입력받아 저속 스위칭 동작하는 저속 스위치 회로부; 및
상기 고속 스위치 회로부 및 저속 스위치 회로부와 각각 전기적으로 접속되며, 상기 고속 스위치 회로부 또는 저속 스위치 회로부에 스위칭 타임 제어를 위한 제어신호를 인가하는 제어부를 포함하며,
적용되는 무선통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 따라 상기 제어부로부터 상기 고속 스위치 회로부 또는 상기 저속 스위치 회로부로 제어신호를 선택적으로 인가하여 상기 고속 스위치 회로부 또는 상기 저속 스위치 회로부를 선택적으로 동작시키는 점에 그 특징이 있다.
여기서, 상기 고속 스위치 회로부는 적어도 한 개의 반도체 스위칭 소자와 저항으로 구성될 수 있다.
여기서, 상기 고속 스위치 회로부는 두 개의 반도체 스위칭 소자가 직렬 접속되고, 각 반도체 스위칭 소자의 게이트 단자를 공통으로 접속하는 공통 접속라인상에는 저항이 접속된 회로로 구성될 수 있다.
이때, 상기 반도체 스위칭 소자로는 FET(field effect transistor: 전계 효과 트랜지스터)가 사용될 수 있다.
또한, 이때 상기 반도체 스위칭 소자로는 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor: 산화 금속 반도체 전계 효과 트랜지스터)가 사용될 수 있다.
또한, 이때 상기 반도체 스위칭 소자로는 바람직하게는 N형 MOSFET이 사용된다.
또한, 상기 저속 스위치 회로부는 적어도 두 개의 반도체 스위칭 소자와 저항으로 구성될 수 있다.
여기서, 상기 저속 스위치 회로부는 4개의 반도체 스위칭 소자가 직렬 접속되고, 각 반도체 스위칭 소자의 게이트 단자를 공통으로 접속하는 공통 접속라인상에는 저항이 접속된 회로로 구성될 수 있다.
이때, 상기 반도체 스위칭 소자로는 FET(field effect transistor)가 사용될 수 있다.
또한, 이때 상기 반도체 스위칭 소자로는 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)가 사용될 수 있다.
또한, 이때 상기 반도체 스위칭 소자로는 바람직하게는 N형 MOSFET이 사용된다.
또한, 상기 제어부는 적용되는 무선 통신기기의 시스템(회로) 전체를 제어하는 메인 제어부로부터 스위칭 타임 제어와 관련된 명령을 받아 상기 고속 스위칭 회로부와 상기 저속 스위칭 회로부만을 제어하는 별도의 로컬 제어기 형태로 구성될 수 있다.
또한, 상기 제어부는 적용되는 무선 통신기기의 시스템(회로) 전체를 제어하는 메인 제어부와 일체로 구성될 수도 있다.
이와 같은 본 발명에 의하면, GSM(Global System for Mobile Communications)과 WiFi용 스위치가 TDD(Time Division Duplex) 시스템에서 요구하는 스위칭 타임이 각각 다르다는 것을 이용하여 고주파 스위치 회로에 사용되는 NMOS 스위치의 RC 시정수(Time Constant)를 조절함으로써 무선 통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 맞추어 능동적으로 대응할 수 있으며, 이에 따라 다양한 무선통신 시스템에 적용할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 고주파 대역 스위치의 NMOS 등가회로도.
도 2는 트랜지스터에서의 RC 시정수를 NMOSFET으로 구현한 회로도.
도 3은 도 2의 회로에 대한 RC 등가 회로도.
도 4는 시정수(T)에 대한 커패시터 충전 전압의 특성 곡선도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로가 무선 통신기기에 적용된 상태를 보여주는 도면.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로의 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로의 고속 스위치 회로부의 등가 회로도.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로의 저속 스위치 회로부의 등가 회로도.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정되어 해석되지 말아야 하며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "…부", "…기", "모듈", "장치" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.
여기서, 본 발명에 대한 설명을 본격적으로 하기에 앞서 본 발명에 대한 이해를 돕기 위해 먼저 고주파 대역 스위치와 관련하여 설명해 보기로 한다.
도 1은 고주파 대역 스위치의 NMOS 등가회로도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 고주파 대역 스위치는 폴리실리콘 게이트 NMOS로 구현할 수 있으며, 그 NMOS의 등가회로는 다수의 커패시턴스와 저항의 직병렬 조합회로로 나타낼 수 있다. 도 1에서 Cox는 게이트 옥사이드(gate oxide) 커패시턴스이고, C1은 게이트 인버젼(gate inversion) 커패시턴스이며, CD는 게이트 디플리션 (gate depletion) 커패시턴스이고, Wd는 채널 폭이며, L은 채널 길이를 나타낸다.
도 1의 트랜지스터에서 채널 변이 시간(Channel Transit Time)은 채널의 RC 시정수(Time Constant)에 의해 정의할 수 있다. 이에 대한 회로를 구현할 때는 도 2와 같이 NMOS의 게이트(gate)에 저항(Rg)을 접속하여 구현하며, 이 회로는 다시 도 3에서와 같이 RC 등가회로로 나타낼 수 있다.
도 3에서 게이트 저항 Rg와 게이트 채널 커패시턴스(capacitance) C는 시정수(Time Constant)의 함수 관계로 나타낼 수 있으며, 도 4에 도시된 바와 같이, 커패시터 충전 전압(Vc)은 5T 후에 완전히 충전되는 충전 특성을 보임을 알 수 있다.
그러면, 이제 이상과 같은 고주파 대역 스위치 및 그 등가회로와 시정수에 대한 사항을 바탕으로 본 발명의 스위칭 타임 제어회로에 대하여 설명해 보기로 한다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로를 나타낸 것으로서, 도 5는 본 발명의 스위칭 타임 제어회로가 무선 통신기기에 적용된 상태를 보여주는 도면이고, 도 6은 본 발명의 스위칭 타임 제어회로의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로(500)는 무선 통신기기의 안테나(501)와 신호 송수신부 (502)(503) 사이에 설치되어, 무선 통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 따라 선택적으로 스위칭 동작하는 회로로서, 고속 스위치 회로부(510), 저속 스위치 회로부(520) 및 제어부(530)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 고속 스위치 회로부(510)는 상기 안테나(501)로부터 수신된 신호 또는 상기 안테나(501)를 통해 송신될 신호를 입력받아 고속으로(예를 들면, 400ns의 속도로) 스위칭 동작한다. 여기서, 이와 같은 고속 스위치 회로부(510)는 적어도 한 개의 반도체 스위칭 소자와 저항으로 구성될 수 있다.
또한, 상기 고속 스위치 회로부(510)는 본 실시예에서와 같이, 두 개의 반도체 스위칭 소자(Q1,Q2)가 직렬 접속되고, 각 반도체 스위칭 소자의 게이트(G) 단자를 공통으로 접속하는 공통 접속 라인상에는 저항(R1)이 접속된 회로로 구성될 수 있다.
이때, 상기 반도체 스위칭 소자(Q1,Q2)로는 FET(field effect transistor: 전계 효과 트랜지스터)가 사용될 수 있다.
또한, 이때 상기 반도체 스위칭 소자(Q1,Q2)로는 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor: 산화 금속 반도체 전계 효과 트랜지스터)가 사용될 수 있다.
또한, 이때 상기 반도체 스위칭 소자(Q1,Q2)로는 바람직하게는 N형 MOSFET이 사용된다. 여기서, 물론 상기 반도체 스위칭 소자(Q1,Q2)가 이와 같이 반드시 N형 MOSFET으로 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라서는 P형 MOSFET 또는 CMOS (complementary metal oxide semiconductor) 등이 사용될 수도 있다.
상기 저속 스위치 회로부(520)는 상기 고속 스위치 회로부(510)에 병렬로 접속되며, 상기 안테나(501)로부터 수신된 신호 또는 안테나(501)를 통해 송신될 신호를 입력받아 저속으로(예를 들면, 2㎲의 속도로) 스위칭 동작한다. 여기서, 이와 같은 저속 스위치 회로부(520)는 적어도 두 개의 반도체 스위칭 소자와 저항으로 구성될 수 있다.
또한, 상기 저속 스위치 회로부(520)는 본 실시예에서와 같이, 4개의 반도체 스위칭 소자(Q3∼Q6)가 직렬 접속되고, 각 반도체 스위칭 소자의 게이트(G) 단자를 공통으로 접속하는 공통 접속 라인상에는 저항(R2)이 접속된 회로로 구성될 수 있다. 여기서, 본 실시예에서는 저속 스위치 회로부(520)가 4개의 반도체 스위칭 소자(Q3∼Q6)의 직렬 접속 회로로 구성된 것을 예시하고 있으나, 이는 반드시 이와 같이 4개의 반도체 스위칭 소자(Q3∼Q6)로 구성되는 것으로 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라서는 3개 또는 5개, 6개의 반도체 스위칭 소자로 구성될 수도 있다.
이때, 상기 반도체 스위칭 소자(Q3∼Q6)로는 FET(field effect transistor)가 사용될 수 있다.
또한, 이때 상기 반도체 스위칭 소자(Q3∼Q6)로는 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)가 사용될 수 있다.
또한, 이때 상기 반도체 스위칭 소자(Q3∼Q6)로는 바람직하게는 N형 MOSFET이 사용된다. 여기서, 물론 상기 반도체 스위칭 소자(Q3∼Q6)가 이와 같이 반드시 N형 MOSFET으로 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라서는 P형 MOSFET 또는 CMOS (complementary metal oxide semiconductor) 등이 사용될 수도 있다.
상기 제어부(530)는 상기 고속 스위치 회로부(510) 및 저속 스위치 회로부(520)와 각각 전기적으로 접속되며, 상기 고속 스위치 회로부(510) 또는 저속 스위치 회로부(520)에 스위칭 타임 제어를 위한 제어신호를 인가한다. 여기서, 이와 같은 제어부(530)는 적용되는 무선 통신기기의 시스템(회로) 전체를 제어하는 메인 제어부(미도시)로부터 스위칭 타임 제어와 관련된 명령을 받아 상기 고속 스위칭 회로부(510)와 저속 스위칭 회로부(520)만을 제어하는 별도의 로컬 제어기 형태로 구성될 수 있다.
또한, 상기 제어부(530)는 적용되는 무선 통신기기의 시스템(회로) 전체를 제어하는 메인 제어부와 일체로 구성될 수도 있다.
이상과 같은 구성의 본 발명에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로에 있어서, 적용되는 무선통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 따라 상기 제어부(530)로부터 상기 고속 스위치 회로부(510) 또는 상기 저속 스위치 회로부(520)로 제어신호를 선택적으로 인가하여 상기 고속 스위치 회로부(510) 또는 상기 저속 스위치 회로부(520)를 선택적으로 동작시킨다.
또한, 이상과 같은 구성의 본 발명에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로는, 전술한 바와 같이, GSM(Global System for Mobile Communications)과 WiFi용 스위치가 TDD(Time Division Duplex) 시스템에서 요구하는 스위칭 타임이 각각 다르다는 것을 이용하여 고주파 스위치 회로에 사용되는 NMOS 스위치의 RC 시정수(Time Constant)를 조절함으로써 무선 통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 맞추어 능동적으로 대응하여 다양한 무선통신 시스템에 사용할 수 있도록 하고자 한다. 따라서, 이를 위해 본 발명에서는 RC 시정수(Time Constant)를 도입한다.
본 발명에 도입된 RC 시정수(Time Constant)는 T = R * C로 표현할 수 있으며, 따라서 NMOS의 채널 커패시턴스(C)의 값을 줄이면 시정수(T)를 작게 만들 수 있어 송수신 신호의 스위칭 타임을 빠르게 조절할 수 있다.
또한, NMOS의 채널 커패시턴스(C)의 값을 크게 하면 시정수(T)를 크게 만들 수 있어 송수신 신호의 스위칭 타임을 느리게 조절할 수 있다.
따라서, 무선 통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 따라 선택적으로 스위치 회로(즉, 고속 스위치 회로부(510) 또는 저속 스위치 회로부(520))를 동작시킬 수 있게 된다.
도 6의 본 발명에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어 회로(500)에 있어서, 고속 스위칭이 필요한 경우에는 고속 스위치 회로부(510)에서와 같이 NMOS의 적층 수를 줄이고, 저속 스위칭이 필요한 경우에는 저속 스위치 회로부(520)와 같이 NMOS의 적층 수를 증가시킬 수 있다.
한편, 도 7은 고속 스위치 회로부(510)의 등가 회로도이고, 도 8은 저속 스위치 회로부(520)의 등가 회로도이다.
도 7을 참조하면, A 노드(node)에 제어부(530)로부터의 제어 신호가 인가되면, NMOS의 스위치 적층 수를 2단으로 사용하였으므로 2개의 커패시턴스(C1,C2)가 병렬로 연결된 회로가 구동될 수 있다. 따라서 이때의 총 커패시턴스 값은 C1+C2가 되고, 이에 따른 시정수 T = R *(C1+C2)가 된다. 이와 같이 채널 커패시턴스(C)의 값을 작게 하면, 시정수(T)도 또한 작게 만들 수 있고, 그 결과 송수신 신호의 스위칭 타임을 빠르게 조절할 수 있게 된다.
도 8을 참조하면, 위의 도 7과 동일한 방식으로 B 노드에 제어부(530)로부터의 제어 신호가 인가되면, NMOS의 스위치 적층 수를 4단으로 사용하였으므로 4개의 커패시턴스(Ca,Cb,Cc,Cd)가 병렬로 연결된 회로가 구동될 수 있다. 따라서 이때의 총 커패시턴스 값은 C1+C2+C3+C4가 되고, 이에 따른 시정수 T = R *(C1+C2+C3+C4)가 된다. 이와 같이 채널 커패시턴스(C)의 값을 크게 하면, 시정수(T)도 마찬가지로 크게 만들 수 있고, 그 결과 송수신 신호의 스위칭 타임을 느리게 조절할 수 있게 된다.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로는 GSM(Global System for Mobile Communications)과 WiFi용 스위치가 TDD(Time Division Duplex) 시스템에서 요구하는 스위칭 타임이 각각 다르다는 것을 이용하여 고주파 스위치 회로에 사용되는 NMOS 스위치의 RC 시정수 (Time Constant)를 조절함으로써 무선 통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 맞추어 능동적으로 대응할 수 있으며, 이에 따라 다양한 무선통신 시스템에 적용할 수 있는 장점이 있다.
이상, 바람직한 실시예를 통하여 본 발명에 관하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변경, 응용될 수 있음은 당업자에게 자명하다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 다음의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
500...(본 발명)스위칭 타임 제어회로
501...안테나 502...송신부
503...수신부 510...고속 스위치 회로부
520...저속 스위치 회로부 530...제어부

Claims (13)

  1. 무선 통신기기의 안테나와 신호 송수신부 사이에 설치되어, 무선 통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 따라 선택적으로 스위칭 동작하는 회로로서,
    상기 안테나로부터 수신된 신호 또는 상기 안테나를 통해 송신될 신호를 입력받아 고속 스위칭 동작하는 고속 스위치 회로부;
    상기 고속 스위치 회로부에 병렬로 접속되며, 상기 안테나로부터 수신된 신호 또는 안테나를 통해 송신될 신호를 입력받아 저속 스위칭 동작하는 저속 스위치 회로부; 및
    상기 고속 스위치 회로부 및 저속 스위치 회로부와 각각 전기적으로 접속되며, 상기 고속 스위치 회로부 또는 저속 스위치 회로부에 스위칭 타임 제어를 위한 제어신호를 인가하는 제어부를 포함하며,
    적용되는 무선통신 시스템에서 요구되는 스위칭 타임에 따라 상기 제어부로부터 상기 고속 스위치 회로부 또는 상기 저속 스위치 회로부로 제어신호를 선택적으로 인가하여 상기 고속 스위치 회로부 또는 상기 저속 스위치 회로부를 선택적으로 동작시키는, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고속 스위치 회로부는 적어도 한 개의 반도체 스위칭 소자와 저항으로 구성된, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 고속 스위치 회로부는 두 개의 반도체 스위칭 소자가 직렬 접속되고, 각 반도체 스위칭 소자의 게이트 단자를 공통으로 접속하는 공통 접속라인 상에는 저항이 접속된 회로로 구성되는, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자는 FET(field effect transistor: 전계 효과 트랜지스터)인, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자는 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor: 산화 금속 반도체 전계 효과 트랜지스터)인, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자는 N형 MOSFET인, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 저속 스위치 회로부는 적어도 두 개의 반도체 스위칭 소자와 저항으로 구성된, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 저속 스위치 회로부는 4개의 반도체 스위칭 소자가 직렬 접속되고, 각 반도체 스위칭 소자의 게이트 단자를 공통으로 접속하는 공통 접속라인 상에는 저항이 접속된 회로로 구성되는, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자는 FET(field effect transistor)인, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  10. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자는 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)인, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자는 N형 MOSFET인, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 적용되는 무선 통신기기의 시스템(회로) 전체를 제어하는 메인 제어부로부터 스위칭 타임 제어와 관련된 명령을 받아 상기 고속 스위칭 회로부와 상기 저속 스위칭 회로부만을 제어하는 별도의 로컬 제어기 형태로 구성된, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 적용되는 무선 통신기기의 시스템(회로) 전체를 제어하는 메인 제어부와 일체로 구성된, 무선통신 시스템에서의 송수신 신호 스위칭 타임 제어회로.
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