KR101317198B1 - 성장로 감시 장치 - Google Patents
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Abstract
상기의 목적 달성을 위하여 본 발명은 내부에 용융 알루미나를 담는 성장로, 성장로 상단에 형성된 헤드를 포함하는 성장로 감시장치에 있어서,
상기 헤드는 2개의 뷰어포인터를 포함하며, 상기 각 뷰어포인터에 장착되는 플랜지부; 일측 플랜지부에 장착되어 상기 성장로에 담긴 용융 알루미나의 상면을 촬영하는 디지털 카메라; 타측 플랜지부에 장착되어 상기 용융 알루미나 상면의 온도를 측정하는 온도계; 및 상기 디지털 카메라의 영상과 상기 온도계의 정보를 입력 받아 출력장치에 출력하는 제어장치를 포함하되,
상기 플랜지부는 상기 헤드에 고정되는 원통형상의 고정부; 상기 고정부 내경에 나사결합하며 끝단에는 투시창이 장착된 탈착부; 상기 탈착부 내경에 형성된 확산부; 아르곤 가스 주입을 위하여 상기 고정부에 형성된 주입홀; 및 상기 주입홀과 연통되어 내경부에 아르곤 가스를 주입을 위하여 상기 탈착부에 형성된 배출홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
상기 플랜지부는 상기 헤드에 고정되는 원통형상의 고정부; 상기 고정부 내경에 나사결합하며 끝단에는 투시창이 장착된 탈착부; 상기 탈착부 내경에 형성된 확산부; 아르곤 가스 주입을 위하여 상기 고정부에 형성된 주입홀; 및 상기 주입홀과 연통되어 내경부에 아르곤 가스를 주입을 위하여 상기 탈착부에 형성된 배출홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.
도 2는 도 1의 헤드의 결합 구성도이며,
도 3은 도 1의 플랜지부의 조립도이며,
도 4는 도 3의 탈착부의 단면도이다.
3: 상면 4: 제어봉
5: 단열재 10: 헤드
11: 제1뷰어포인터 12: 제2뷰어포인터
14: 제어홀 20: 플랜지부
21: 투시창 25: 고정부
26: 고정나사 27: 주입홀
30: 탈착부 31: 외경나사
32: 차단수단 33: 회전부
34: 조리개 35: 배출홀
36: 가속부 37: 확산부
50: 디지털 카메라 60: 온도계
70: 제어장치 80: 출력장치
100: 성장로 감시장치
Claims (8)
- 내부에 용융 알루미나를 담는 성장로, 성장로 상단에 형성된 헤드를 포함하는 성장로 감시장치에 있어서,
상기 헤드는 2개의 뷰어포인터를 포함하며,
상기 각 뷰어포인터에 장착되는 플랜지부;
일측 플랜지부에 장착되어 상기 성장로에 담긴 용융 알루미나의 상면을 촬영하는 디지털 카메라;
타측 플랜지부에 장착되어 상기 용융 알루미나 상면의 온도를 측정하는 온도계; 및
상기 디지털 카메라의 영상과 상기 온도계의 정보를 입력 받아 출력장치에 출력하는 제어장치를 포함하되,
상기 플랜지부는 상기 헤드에 고정되는 원통형상의 고정부;
상기 고정부 내경에 나사결합하며 끝단에는 투시창이 장착된 탈착부;
상기 탈착부 내경에 형성된 확산부;
아르곤 가스 주입을 위하여 상기 고정부에 형성된 주입홀; 및
상기 주입홀과 연통되어 내경부에 아르곤 가스를 주입을 위하여 상기 탈착부에 형성된 배출홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 성장로 감시장치.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서, 상기 탈착부의 내경은 하단으로 갈수록 직경이 감소하는 가속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 성장로 감시장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 탈착부의 내경은 하단으로 갈수록 직경이 감소하는 가속부와 상기 가속부에 연속하여 하단으로 갈수록 직경이 증가하는 확산부를 포함하는 것을 특징으로 하는 성장로 감시장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 탈착부는 상기 투시창의 아래에 내경을 차단할 수 있는 조리개 형태의 차단수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 성장로 감시장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제어장치는 상기 디지털 카메라에서 획득되는 상면의 영상과 상기 온도계에서 측정되는 온도 정보를 상기 출력장치에 주기적으로 출력하는 것을 특징으로 하는 성장로 감시장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제어장치는 상기 디지털 카메라에서 획득되는 상면의 디지털 영상의 명암과 상기 온도계의 정보를 이용하여 하강점의 발생을 판단하는 것을 특징으로 하는 성장로 감시장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제어장치는 상기 영상에서 가장 낮은 명암의 값이 선 정의된 명암 값보다 낮은 경우와 측정된 온도가 선 정의된 온도보다 낮은 경우에는 하강점이 발생된 것으로 판단하여 그 결과를 상기 출력장치에 출력하는 것을 특징으로 하는 성장로 감시장치.
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JPH09175890A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-08 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶引上炉の液温制御方法 |
JP3704710B2 (ja) * | 2000-07-28 | 2005-10-12 | 信越半導体株式会社 | 種結晶着液温度の設定方法及びシリコン単結晶の製造装置 |
KR20100015652A (ko) * | 2007-03-19 | 2010-02-12 | 엠엔케이-에스오지 실리콘 인코포레이티드 | 실리콘 잉곳의 제조방법 및 제조장치 |
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