[go: up one dir, main page]

KR101315012B1 - 신규한 방향족 엔다이인 유도체, 이를 이용한 유기 반도체 박막 및 전자 소자 - Google Patents

신규한 방향족 엔다이인 유도체, 이를 이용한 유기 반도체 박막 및 전자 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101315012B1
KR101315012B1 KR1020060113845A KR20060113845A KR101315012B1 KR 101315012 B1 KR101315012 B1 KR 101315012B1 KR 1020060113845 A KR1020060113845 A KR 1020060113845A KR 20060113845 A KR20060113845 A KR 20060113845A KR 101315012 B1 KR101315012 B1 KR 101315012B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
thin film
substituted
unsubstituted
organic semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020060113845A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080044973A (ko
Inventor
정은정
문현식
박정일
이상윤
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060113845A priority Critical patent/KR101315012B1/ko
Priority to US11/806,742 priority patent/US7884358B2/en
Publication of KR20080044973A publication Critical patent/KR20080044973A/ko
Priority to US12/929,078 priority patent/US8362471B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101315012B1 publication Critical patent/KR101315012B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/624—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing six or more rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D495/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
    • C07F7/0812—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 신규한 방향족 엔다이인(enediyne) 유도체, 이를 이용한 유기 반도체 박막 및 전자 소자에 관한 것으로, 소자 적용시 상온 스핀 코팅 등의 용액공정이 가능할 뿐만 아니라 화학적, 전기적으로 안정하고 신뢰성 있는 반도체 박막을 형성할 수 있는 신규 방향족 엔다이인 유도체, 이를 이용한 유기 반도체 박막 및 전자 소자에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 용액공정으로 대면적의 박막 형성이 가능하여 공정 단순화 및 비용절감 효과를 가져올 수 있고, 유기 박막 트랜지스터, 전기발광소자, 태양 전지 및 메모리 등 다양한 분야에 효과적으로 적용될 수 있는 유기 반도체를 제공할 수 있다.
엔다이인 유도체, 유기 반도체, 용액공정, 스핀코팅, 박막 트랜지스터, 전기발광소자, 태양 전지, 메모리

Description

신규한 방향족 엔다이인 유도체, 이를 이용한 유기 반도체 박막 및 전자 소자{Novel Aromatic Enediyne Derivatives, Organic Semiconductor Thin Film using the Same, and Electronic Device}
도 1은 본 발명의 제조예 1에서 합성한 방향족 엔다이인 유도체의 시차주사열량(Differential Scanning Calorimetry) 그래프이다.
도 2는 본 발명의 제조예 1에서 합성한 방향족 엔다이인 유도체의 열중량분석(Thermogravimetry Analysis) 그래프이다.
도 3은 본 발명의 한 가지 실시예에 따르는 유기 박막 트랜지스터의 개략적인 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 기판 2: 게이트 전극
3: 게이트 절연층 4: 소스 전극
5: 드레인 전극 6: 유기 반도체층
본 발명은 신규한 방향족 엔다이인 유도체(enediyne derivatives), 이를 이용한 유기 반도체 박막 및 전자 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 신규한 방향족 엔다이인 유도체를 이용하여 상온 스핀 코팅과 같은 용액공정이 가능할 뿐만 아니라 화학적, 전기적으로 안정하고 신뢰성 있는 유기 반도체 박막 및 이를 채용한 전자 소자에 관한 것이다.
액정 디스플레이 소자나 유기 전계 발광 디스플레이 소자 등과 같은 평판 디스플레이 소자에는, 이러한 소자들을 구동시키기 위한 다양한 박막 트랜지스터(TFT) 등이 구비된다. 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 및 드레인 전극, 그리고 게이트 전극의 구동에 따라 활성화되는 반도체층을 구비하며, p형 또는 n형 반도체층은 인가되는 게이트 전압에 의하여 소스와 드레인 전극 사이의 전류가 제어되는 전도성 채널 물질로서 작용한다.
박막 트랜지스터에 사용되는 반도체로는 비정질 실리콘(Amorphous Si, 이하 a-Si)과 다결정 실리콘(Polycrystalline Si, 이하 Poly-Si)이 주로 사용되고 있으나, 최근 디스플레이의 대면적화, 저가격화 및 유연화 경향에 따라 고가격, 고온진공 프로세스를 필요로 하는 무기계 물질에서 유기계 물질을 이용한 반도체에 관한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
현재 유기 반도체 재료로서 펜타센 등의 저분자 유기재료에 대한 연구가 가속화되고 있는 가운데, 펜타센 등의 저분자 유기재료의 경우, 3.2 내지 5.0㎠/Vs 이상의 높은 전하이동도 및 우수한 전류 점멸비를 갖는 것으로 보고되고 있으나, 박막 형성시 고가의 진공증착 장비를 필요로 하고, 미세패턴 형성에 어려움이 있기 때문에, 가격적인 면이나 대면적화에 있어서 적합하지 않은 문제점이 있다.
또한, 올리고머 유기 반도체로서 IBM에서는 전하이동도가 약 0.1㎠/Vs이고, 약 120 내지 200℃에서 어닐링이 가능한 가용성 펜타센 전구체를 보고하고 있으며(참고: M, JACS 2002, 124, 8812), 미국의 캘리포니아 대학에서는 전하이동도가 약 0.03 내지 0.05㎠/Vs이고, 180 내지 200℃에서 어닐링이 가능한 올리고티오펜 전구체 물질을 보고하고 있다(참고: Univ. California, JACS 2004, 126, 1596). 그러나 상기와 같은 유기 반도체는 디바이스 제조를 위한 공정 진행시 화학적으로 불안정하여 실제 소자 제조 라인에 적용하는 것이 불리하고, 전기적 안정성과 관련하여 전류-전자 스위핑을 반복하는 경우, 전압이 지연되고 신뢰도가 떨어지는 문제점이 있다.
한편, 미국 특허 제6,683,782호는 아세틸렌기를 포함하는 유기 화합물 및 당해 화합물을 진공증착법에 의해 박막을 제조하는 방법에 관하여 개시하고 있다. 그러나, 이는 진공증착법에 의하여 박막을 제조한다는 점에서 펜타센과 마찬가지로 가격적인 면이나 대면적화에 있어서 적합하지 않다는 문제점이 있다.
본 발명의 구현예들은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 구현예들의 하나의 목적은 소자 적용시 상온 스핀 코팅 등의 용액공정이 가능할 뿐만 아니라 화학적, 전기적으로 안정하고 신뢰성 있는 유기 반도체를 제조할 수 있는 신규한 방향족 엔다이인 유도체를 제공하는 것이다.
본 발명의 구현예들의 다른 목적은 방향족 엔다이인 유도체를 이용한 유기 반도체 박막(organic semiconductor thin film) 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 구현예들의 또 다른 목적은 유기 반도체 박막을 캐리어 수송층으로 포함하는 전자 소자를 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 하나의 양상은 하기 화학식 1 내지 3 중 어느 하나로 표시되는 방향족 엔다이인 유도체에 관한 것이다.
삭제
[화학식 1]
Figure 112006084288831-pat00001
[화학식 2]
Figure 112006084288831-pat00002
[화학식 3]
Figure 112006084288831-pat00003
상기 화학식 1 내지 3에서,
R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소; 할로겐 원소; 니트로기; 아미노기; 시아노기; -SiR1R2R3(여기서, R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C10 알킬기이다); 치환 또는 비치환된 C1-C20 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2-C20 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2-C20 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1-C20 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C6-C20 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C1-C20 헤테로알킬기; 및 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴알킬기로 이루어진 그룹으로부터 선택되고(단, 화학식 1 내지 3에서 R1, R2, R3 및 R4가 동시에 수소인 경우는 제외한다),
X는 탄소, 또는 질소, 산소, 황 및 셀레늄(Se) 등의 헤테로원자를 나타내며,
Ar은 치환 또는 비치환된 C2-C30의 융합된 아릴렌기; 및 치환 또는 비치환된 C2-C30의 융합된 헤테로아릴렌기로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, 좌우 아세틸렌이 치환된 고리들과 축합되어 결합된다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 양상은 방향족 엔다이인 유도체를 이용한 유기 반도체 박막 및 이의 제조방법이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 양상은 유기 반도체 박막을 캐리어 수송층으로서 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.
이하에서 첨부 도면을 참고하여 본 발명의 구현예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명의 구현예들에 따르는 방향족 엔다이인 유도체는 하기 화학식 1 내지 3 중의 어느 하나로 표시된다.
[화학식 1]
Figure 112006084288831-pat00004
[화학식 2]
Figure 112006084288831-pat00005
[화학식 3]
Figure 112006084288831-pat00006
상기 화학식 1 내지 3에서,
R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소; 할로겐 원소; 니트로기; 아미노기; 시아노기; -SiR1R2R3(여기서, R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C10 알킬기이다); 치환 또는 비치환된 C1-C20 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2-C20 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2-C20 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1-C20 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C6-C20 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C1-C20 헤테로알킬기; 및 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴알킬기로 이루어진 그룹으로부터 선택되고(단, 화학식 1 내지 3에서 R1, R2, R3 및 R4가 동시에 수소인 경우는 제외한다),
X는 탄소, 또는 질소, 산소, 황 및 셀레늄(Se) 등의 헤테로원자를 나타내며,
Ar은 치환 또는 비치환된 C2-C30의 융합된 아릴렌기; 및 치환 또는 비치환된 C2-C30의 융합된 헤테로아릴렌기로 이루어진 그룹으로부터 선택되며 좌우 아세틸렌이 치환된 고리들과 축합되어 결합된다.
R1, R2, R3 및 R4의 치환기로는 할로겐 원자, 하이드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미드기 또는 카복실산기이며, Ar 중 하나 이상의 수소 원자는 할로겐 원소; 니트로기; 아미노기; 시아노기; -SiR1R2R3(여기서, R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C10 알킬기); 치환 또는 비치환된 C1-C20 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2-C20 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2-C20 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1-C20 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C6-C20 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C1-C20 헤테로알킬기; 및 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴알킬기로 치환 가능하다.
삭제
플렉서블(flexible) 디스플레이 제작시 플라스틱 기판을 사용하는 경우, 일반적으로 150℃ 이상의 열경화 온도를 견디지 못하여 경량화 및 유연화에 문제가 발생할 수 있는 반면, 본 발명의 구현예들에서는 공액 사슬(conjugated chains)을 갖는 저분자 반도체 물질로서 방향족 엔다이인 유도체를 이용하여 유기 반도체 박막을 제조함으로써 저온에서의 용액공정이 가능할 뿐만 아니라, 저분자 반도체의 분자배열의 규칙성과 고분자의 전기적 안정성을 동시에 구비하는 유기 반도체 박막을 제조할 수 있다. 본 발명의 구현예들에서 사용되는 방향족 엔다이인 유도체는 구조적으로 방향족 치환기의 이중결합에 두 개의 아세틸렌기가 결합되어 불포화 코어를 이루고 있으며, 독특한 화학 구조 및 활성 기작으로 인해 높은 반응성을 가지고 있어서 낮은 온도에서도 쉽게 라디칼 벤젠 고리를 형성함으로써 분자내, 분자간 결합을 통하여 고분자화된다.
화학식 1 내지 3의 방향족 엔다이인 유도체에서 Ar은 특별히 제한되지는 않으나, 하기 화학식 4로 표시되는 그룹으로부터 선택될 수 있으며, 보다 바람직하게는 반도체의 이동도를 향상시키기 위한 측면에서 티오펜기 또는 페닐기가 좋다. 화학식 1 내지 3의 방향족 엔다이인 유도체에서 Ar은 좌우 아세틸렌이 치환된 고리들과 축합되어 결합된다.
삭제
[화학식 4]
Figure 112006084288831-pat00007
Figure 112006084288831-pat00008
Figure 112006084288831-pat00009
Figure 112006084288831-pat00010
Figure 112006084288831-pat00011
Figure 112006084288831-pat00012
Figure 112006084288831-pat00013
Figure 112006084288831-pat00014
Figure 112006084288831-pat00015
Figure 112006084288831-pat00016
Figure 112006084288831-pat00017
상기 화학식 4에서,
Y는 탄소, 또는 질소, 산소, 황 및 셀레늄(Se) 등의 헤테로원자를 나타내며,
n은 0 또는 1 내지 4의 양의 정수이다.
본 발명의 구현예들의 방향족 엔다이인 유도체는 통상의 방법을 이용하여 합성될 수 있으며 특별히 제한되는 것은 아니다.
이와 같은 방향족 엔다이인 유도체는 활성층을 이루는 새로운 유기 반도체 재료로서 이용되어 박막 트랜지스터, 전기발광소자, 태양 전지, 또는 메모리 등의 각종 전자 소자의 제조에 효과적으로 적용될 수 있다.
본 발명의 다른 양상은 방향족 엔다이인 유도체를 이용하여 형성된 유기 반도체 박막 및 이의 제조방법에 관계한다.
본 발명의 구현예들에 따른 유기 반도체 박막은, ⅰ) 화학식 1 내지 3 중의 어느 하나로 표시되는 방향족 엔다이인 유도체와 유기 용매를 포함하는 전구체 용액을 기판 위에 도포하여 코팅막을 형성하고, ⅱ) 코팅막을 열처리로 가교하여 형성된다.
전구체 용액은 화학식 1 내지 3으로 표시되는 방향족 엔다이인 유도체 중 서로 다른 2종 이상을 혼합하여 제조할 수도 있다. 방향족 엔다이인 유도체는 전구체 용액 중 0.001 내지 30중량%인 것이 바람직하다.
본 발명에서 사용되는 유기 용매는 특별히 제한되지는 않으며, 바람직하게는 헥산(hexane), 헵탄(heptane) 등의 지방족 탄화수소 용매(aliphatic hydrocarbon solvent); 톨루엔(toluene), 피리딘(pyridine), 퀴놀린(quinoline), 아니솔(anisol), 메시틸렌(mesitylene), 자일렌(xylene), 클로로벤젠 등의 방향족계 탄화수소 용매(aromatic hydrocarbon solvent); 메틸 이소부틸 케톤(methyl isobutyl ketone), 1-메틸-2-피롤리디논(1-methyl-2-pyrrolidinone), 사이클로헥산온(cyclohexanone), 아세톤(acetone) 등의 케톤계 용매(ketone-based solvent); 테트라히드로퓨란(tetrahydrofuran), 이소프로필 에테르(isopropyl ether) 등의 에테르계 용매(ether-based solvent); 에틸 아세테이트(ethyl acetate), 부틸 아세테이트(butyl acetate), 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(propylene glycol methyl ether acetate) 등의 아세테이트계 용매(acetate-based solvent); 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol), 부틸 알코올(butyl alcohol) 등의 알코올계 용매(alcohol-based solvent); 디메틸아세트아미드(dimethylacetamide), 디메틸포름아미드(dimethylformamide) 등의 아미드계 용매; 디클로로메탄, 트리클로로메탄 등 할로겐계 용매; 실리콘계 용매(silicon-based solvent); 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
방향족 엔다이인 유도체와 유기 용매를 포함하는 전구체 용액이 준비되면, 기판 위에 도포하여 코팅막을 형성한다.
본 발명에서 유기 반도체 박막이 형성되는 기판으로는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 한 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 유리 기판, 실리콘 웨이퍼, ITO 글라스, 수정(quartz), 실리카 도포 기판, 알루미나 도포 기판, 플라스틱 기판 등을 용도에 따라 선택하여 사용할 수 있다.　
전구체 용액을 기판 위에 도포하는 방법으로는 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating), 롤 코팅(roll coating), 스크린 코팅(screen coating), 분무 코팅(spray coating), 스핀 캐스팅(spin casting), 흐름 코팅(flow coating), 스크린 인쇄(screen printing), 잉크젯(ink jet) 또는 드롭 캐스팅(drop casting) 등의 코팅방법을 사용할 수 있다. 편의성 및 균일성의 측면에서 가장 바람직한 도포방법은 스핀 코팅이다. 스핀 코팅을 행하는 경우, 스핀 속도는 100 내지 10,000rpm의 범위 내에서 조절되는 것이 바람직하다.
이어서, 형성된 코팅막은 열처리로 가교하여 박막을 형성하게 된다. 열처리는 100 내지 250℃의 온도에서 수행하는 것이 바람직하며, 이러한 온도 범위 중 적정 온도에서 1분 내지 100분 동안 가열하거나 순차적으로 온도를 상승시킬 수도 있다.
방향족 엔다이인 유도체의 가교반응 메카니즘을 예를 들어 설명하면 하기 반응식 1과 같다.
[반응식 1]
Figure 112006084288831-pat00018
상기 반응식 1에서 보는 바와 같이, 방향족 엔다이인 유도체의 이중결합 양단에 결합된 아세틸렌기는 엔다이인 활성 기작의 높은 반응성으로 인하여 일정 반응온도에 이르게 되면 라디칼 벤젠 고리를 형성하게 되고, 이어서 분자내, 분자간 결합을 통하여 최종적으로 폴리머 네트워크를 형성하게 된다.
기존 전구체 용액을 이용하여 반도체 박막을 형성하는 경우, 열처리 과정에서 용매 내지 분자간 결합에서 발생되는 가스의 분출로 인하여 박막에 균열이 발생할 수 있는 것과는 달리, 본 발명에 따르는 유기 반도체 박막은 엔다이인 활성 기작의 높은 반응성으로 인하여 라디칼 반응을 통하여 고분자화됨으로써 연속공정 진행시 가스 발생으로 일어날 수 있는 박막의 균열 문제를 막을 수 있을 뿐만 아니라, 첨가제 없이 가교되기 때문에, 첨가제가 불순물로 작용하여 분자 배열을 깨뜨릴 수 있는 역효과를 예방할 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면은 유기 반도체 박막을 캐리어 수송층으로서 포함하는 전자 소자에 관계한다.
이와 같이 형성된 유기 반도체는 단분자형 방향족 엔다이인 유도체가 갖는 규칙적인 배열과 분자간 크로스 네트워크 형성에 의한 분자간 패킹으로 인하여 우수한 트랜지스터 특성을 유지할 뿐만 아니라, 고분자형 박막으로 형성되어 화학적, 전기적 안정성 및 신뢰성을 확보할 수 있어서, 캐리어 수송층으로서 전자 소자에 적용되는 경우, 우수한 물성을 제공할 수 있으며, 상온 용액공정에 의한 비용절감 효과를 극대화시킬 수 있다.
전자 소자의 구체적인 예로는 유기 박막 트랜지스터, 전기발광소자, 태양 전지 및 메모리 등을 예로 들 수 있으며, 본 발명의 방향족 엔다이인 유도체는 당 업계에 알려진 통상적인 공정에 의하여 전자 소자에 적용될 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
제조예 1 : 방향족 엔다이인 유도체의 합성
Figure 112013027158652-pat00038
디알데하이드 1당량과 1,6-사이클로헥사디온 0.5당량을 에탄올에 용해시키고, 5% NaOH 수용액을 서서히 첨가하였다. 하루 밤 동안 방치한 후, 침전물을 여과하여 건조시켰다. 트리메틸실릴 아세틸렌 3당량, PdCl2(PPh3)2 0.1당량 및 CuI 0.05당량을 THF와 디이소프로필아민 용매 속에서 10시간 동안 환류시켜 테트라에티닐 화합물을 수득하였다.
트리메틸실릴 아세틸렌 3당량을 그리냐드 시약으로 만든 후, THF 용액에 용해되어 있는 테트라에티닐 화합물에 천천히 첨가하고, 3시간 동안 환류시켰다. 수용액 SnCl2를 반응 용기에 첨가하고, 상온에서 1시간 동안 교반하였다. 물과 클로로포름을 이용하여 유기층을 세척하고, 건조시킨 후, 실리카 컬럼 크로마토그라피로 생성물 1을 수득하였다.
1H NMR (300 MHz, CDCl3) d (ppm) 0.37 (s, 18H), 0.90 - 0.95 (m, 18H), 1.12 - 1.27 (m, 22H), 1.31 - 1.38 (m, 8H), 1.67 - 1.72 (m, 4H), 2.60 (t, 4H, J = 6.8 Hz), 3.59 (s, 2H), 8.95 (s, 2H), 9.09 (s, 2H)
생성물 1을 CHCl3에 용해시키고, 메탄올과 THF를 첨가한 다음, 1N NaOH 수용액을 과량 첨가하여 반응시키고, 이어서 물로 세척한 다음, 유기층을 건조시키고, 실리카 컬럼 크로마토그라피로 최종 생성물 2를 수득하였다.
1H NMR (300 MHz, CDCl3) d (ppm) 0.88 - 0.96 (m, 18H), 1.12 - 1.30 (m, 22H), 1.31 - 1.40 (m, 8H), 1.67 - 1.72 (m, 4H), 2.61 (t, 4H, J = 6.9 Hz), 3.59 (s, 2H), 8.95 (s, 2H), 9.17 (s, 2H)
실시예 1 : 유기 반도체 박막의 제조
먼저 세정된 플라스틱 기판에 게이트 전극으로서 사용되는 알루미늄/니오브(Al/Nb) 합금을 스퍼터링법으로 1000Å 증착하고, 이어서 게이트 절연막으로서 사용되는 SiO2를 CVD법으로 1000Å 증착하였다.
그 위에 소스-드레인 전극으로서 사용되는 Au를 스퍼터링법으로 1200Å 증착하였다. 기판은 유기 반도체 재료를 코팅하기 전에 이소프로필 알콜을 이용하여 10분 동안 세척하여 건조시키고 사용하였다. 시료는 헥산에 10mM 농도로 희석시킨 옥타데실트리클로로실란 용액에 30초 동안 침지시키고, 아세톤으로 세척한 다음, 건조시키고, 제조예 1에서 수득한 엔다이인 유도체를 자일렌 용매에 0.1wt% 농도로 용해시켜 기판 위에 드랍핑(dropping)한 다음, 아르곤 분위기하에 100℃에서 30분 동안 베이킹하여 도 8에 나타낸 바텀-컨택(Bottom-contact) 방식의 유기 박막 트랜지스터 소자를 제작하였다.
실시예 2 : 유기 반도체 박막의 제조
실시예 1에서의 어닐링 과정에서 온도를 달리하여 160℃에서 30분 동안 베이킹하여 유기 박막 트랜지스터 소자를 제작하는 것을 제외하고는 동일한 과정을 수행하여 유기 박막 트랜지스터 소자를 제작하였다.
제조예 1에서 수득한 방향족 엔다이인 유도체에 있어서, 시차주사열량(Differential Scanning Calorimetry)을 측정하였으며, 그 결과를 도 1에 나타내었다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 구현예들에 따르는 방향족 엔다이인 유도체는 150℃ 정도에서 가교반응이 시작되어 170℃ 이하에서 반응이 활발히 진행된 것을 알 수 있다. 이러한 결과로부터 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명의 구현예들에 따르는 방향족 엔다이인 유도체는 저온 습식공정을 통하여 반도체 박막으로 형성될 수 있음을 알 수 있다.
제조예 1에서 수득한 방향족 엔다이인 유도체의 열중량분석(Thermogravimetry Analysis) 그래프를 측정하였고, 그 결과를 도 2에 나타내었다.
도 2를 참조하면, 약 300℃까지도 중량 손실을 나타내지 않음을 알 수 있다. 본 발명의 구현예들의 방향족 엔다이인 유도체가 150 내지 170℃의 반응온도를 훨씬 넘어섰음에도 불구하고 중량 손실이 없다는 것은, 형성된 고분자에서 더 이상 가스가 발생하지 않다는 것을 의미한다. 따라서, 본 발명의 구현예들의 방향족 엔다이인 유도체를 이용하여 반도체 박막을 형성하는 경우, 가스 발생으로 인한 박막의 균열 문제를 방지할 수 있음을 알 수 있다.
또한, 이는 어닐링 온도가 높아질수록 삼중 결합(C≡C)과 이에 결합된 수소결합(≡C-H)이 분자내, 또는 분자간 결합 반응을 일으켜 온도가 높아질수록 엔다이인 활성 기작이 벤젠 고리를 형성하면서 고분자화되는 것에 기인하는 것으로 판단된다.
실시예 1 및 2에 따라 제조된 유기 박막 트랜지스터 소자의 전기적 특성을 측정하기 위하여, KEITHLEY사의 Semiconductor Characterization System(4200-SCS)를 이용하여 전류 전달 특성을 측정하였다. 이로부터 계산한 전하이동도 및 차단누설전류값은 하기 표 1에 나타내었다.
전하이동도는 전류 전달 곡선을 사용하여 하기의 포화영역(saturation region)의 전류식으로부터 (ISD)1/2 과 VG를 변수로 한 그래프를 얻고 이의 기울기로부터 구하였다:
Figure 112006084288831-pat00020
상기 식에서,
ISD는 소스-드레인 전류이고,
μ 또는 μFET는 전하 이동도이며,
C0는 산화막 정전용량이고,
W는 채널 폭이며,
L은 채널 길이이고,
VG는 게이트 전압이며,
VT는 문턱전압이다.
또한, 차단누설전류(Ioff)는 오프 상태일 때 흐르는 전류로, 전류비에서 오프 상태에서 최소 전류로 구하였다.
[표 1]
유기 활성층 전하 이동도(㎠/Vs) 차단누설전류(A)
실시예 1(100℃ 어닐링) 8 × 10-3 10-11
실시예 2(160℃ 어닐링) 6 × 10-4 5 × 10-11
상기 표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 방향족 엔다이인 유도체는 트랜지스터의 성능을 유지하면서, 차단누설전류가 10-10A 이하 수준으로 매우 낮아 박막 트랜지스터, 전기발광소자, 태양 전지 및 메모리 등 각종 전자 소자에 적용시 전기적 특성이 우수한 유기 반도체 박막을 제공할 수 있음을 알 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 참고로 본 발명에 대해서 상세하게 설명하였으나, 이들은 단지 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
이와 같이 본 발명의 구현예들의 방향족 엔다이인 유도체는 새로운 구조의 저분자 유기 반도체 재료로서 상온 습식공정에 의하여 코팅이 가능하여 대면적 공정이 필요한 반도체 공정에 적용될 수 있으며, 화학적, 전기적으로 안정적일 뿐만 아니라, 분자배열이 규칙적이고 균열이 없는 신뢰성 있는 반도체 박막을 제공할 수 있다. 본 발명의 구현예들에 따르는 유기 반도체 박막은 유기 박막 트랜지스터, 전기발광소자, 태양 전지 및 메모리 등 다양한 분야에 유용하게 활용될 수 있다.

Claims (11)

  1. 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 방향족 엔다이인(enediyne) 유도체:
    [화학식 1]
    Figure 112013027158652-pat00021
    [화학식 2]
    Figure 112013027158652-pat00022
    상기 화학식 1 및 2에서,
    R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소; 할로겐 원소; 니트로기; 아미노기; 시아노기; -SiR1R2R3(여기서, R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C10 알킬기이다); 치환 또는 비치환된 C1-C20 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2-C20 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2-C20 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1-C20 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C6-C20 아릴알킬기; 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C1-C20 헤테로알킬기; 및 치환 또는 비치환된 C2-C30 헤테로아릴알킬기로 이루어진 그룹으로부터 선택되고(단, 화학식 1 및 2에서 R1, R2, R3 및 R4가 동시에 수소인 경우는 제외한다),
    X는 탄소, 또는 질소, 산소, 황 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 헤테로원자를 나타내며,
    Ar은 치환 또는 비치환된 C2-C30의 융합된 아릴렌기; 및 치환 또는 비치환된 C2-C30의 융합된 헤테로아릴렌기로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, 좌우 아세틸렌이 치환된 고리들과 축합되어 결합된다.
  2. 제1항에 있어서, 화학식 1 또는 2의 Ar이 하기 화학식 4로 표시되는 그룹으로부터 선택되며, 좌우 아세틸렌이 치환된 고리들과 축합고리화된 것을 특징으로 하는 방향족 엔다이인 유도체:
    [화학식 4]
    Figure 112013027158652-pat00024
    Figure 112013027158652-pat00025
    Figure 112013027158652-pat00026
    Figure 112013027158652-pat00027
    Figure 112013027158652-pat00028
    Figure 112013027158652-pat00029
    Figure 112013027158652-pat00030
    Figure 112013027158652-pat00031
    Figure 112013027158652-pat00032
    Figure 112013027158652-pat00033
    Figure 112013027158652-pat00034
    상기 화학식 4에서,
    Y는 탄소, 또는 질소, 산소, 황 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 헤테로원자를 나타내며,
    n은 0 또는 1 내지 4의 양의 정수이다.
  3. 화학식 1 또는 2로 표시되는 방향족 엔다이인 유도체를 이용하여 제조된 유기 반도체 박막.
    [화학식 1]
    Figure 112013027158652-pat00039
    [화학식 2]
    Figure 112013027158652-pat00040
    상기 화학식 1 및 2에서,
    R1, R2, R3, R4, X 및 Ar은 제1항에서 정의한 바와 같다.
  4. ⅰ) 화학식 1 또는 2로 표시되는 방향족 엔다이인 유도체와 유기 용매를 포함하는 전구체 용액을 기판 위에 도포하여 코팅막을 형성하는 단계 및
    ⅱ) 코팅막을 열처리로 가교하여 박막을 형성하는 단계를 포함하는, 유기 반도체 박막의 제조방법.
    [화학식 1]
    Figure 112013027158652-pat00041
    [화학식 2]
    Figure 112013027158652-pat00042
    상기 화학식 1 및 2에서,
    R1, R2, R3, R4, X 및 Ar은 제1항에서 정의한 바와 같다.
  5. 제4항에 있어서, 전구체 용액이 화학식 1 또는 2로 표시되는 방향족 엔다이인 유도체 중의 서로 다른 2종 이상을 혼합하여 제조된 것을 특징으로 하는, 유기 반도체 박막의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 방향족 엔다이인 유도체가 전구체 용액 중 0.001 내지 30 중량%인 것을 특징으로 하는, 유기 반도체 박막의 제조방법.
  7. 제4항에 있어서, 유기 용매가 헥산 또는 헵탄인 지방족 탄화수소 용매; 톨루엔, 피리딘, 퀴놀린, 아니솔, 메시틸렌, 자일렌 및 클로로벤젠으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 방향족계 탄화수소 용매; 메틸 이소부틸 케톤, 1-메틸-2-피롤리디논, 사이클로헥산온 및 아세톤으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 케톤계 용매; 테트라하이드로퓨란 또는 이소프로필 에테르인 에테르계 용매; 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트 및 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트로 이루어진 그룹으로부터 선택된 아세테이트계 용매; 이소프로필 알코올 또는 부틸 알코올인 알코올계 용매; 디메틸아세트아미드 또는 디메틸포름아미드인 아미드계 용매; 디클로로메탄 또는 트리클로로메탄인 할로겐계 용매; 실리콘계 용매; 및 이들 용매의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 유기 반도체 박막의 제조방법.
  8. 제4항에 있어서, 전구체 용액이 스핀 코팅, 딥 코팅, 롤 코팅, 스크린 코팅, 분무 코팅, 스핀 캐스팅, 흐름 코팅, 스크린 인쇄, 잉크젯 또는 드롭 캐스팅을 이용하여 도포되는 것을 특징으로 하는, 유기 반도체 박막의 제조방법.
  9. 제4항에 있어서, 열처리가 100 내지 250℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 유기 반도체 박막의 제조방법.
  10. 제3항에 따르는 유기 반도체 박막을 캐리어 수송층으로서 포함하는 전자 소자.
  11. 제10항에 있어서, 박막 트랜지스터, 전기발광소자, 태양 전지 또는 메모리인 것을 특징으로 하는 전자 소자.
KR1020060113845A 2006-11-17 2006-11-17 신규한 방향족 엔다이인 유도체, 이를 이용한 유기 반도체 박막 및 전자 소자 Active KR101315012B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060113845A KR101315012B1 (ko) 2006-11-17 2006-11-17 신규한 방향족 엔다이인 유도체, 이를 이용한 유기 반도체 박막 및 전자 소자
US11/806,742 US7884358B2 (en) 2006-11-17 2007-06-04 Aromatic enediyne derivative, organic semiconductor thin film, electronic device and methods of manufacturing the same
US12/929,078 US8362471B2 (en) 2006-11-17 2010-12-29 Aromatic enediyne derivative, organic semiconductor thin film, electronic device and methods of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060113845A KR101315012B1 (ko) 2006-11-17 2006-11-17 신규한 방향족 엔다이인 유도체, 이를 이용한 유기 반도체 박막 및 전자 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080044973A KR20080044973A (ko) 2008-05-22
KR101315012B1 true KR101315012B1 (ko) 2013-10-04

Family

ID=39416038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060113845A Active KR101315012B1 (ko) 2006-11-17 2006-11-17 신규한 방향족 엔다이인 유도체, 이를 이용한 유기 반도체 박막 및 전자 소자

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7884358B2 (ko)
KR (1) KR101315012B1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5452475B2 (ja) * 2008-04-10 2014-03-26 出光興産株式会社 有機薄膜トランジスタ用化合物及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ
WO2010074520A2 (ko) * 2008-12-23 2010-07-01 (주)루미나노 신규 유기 반도체 화합물, 그의 제조 방법, 상기를 포함하는 유기 반도체 조성물, 유기 반도체 박막 및 소자
EP2516530B1 (en) 2009-12-23 2019-03-20 Solvay Specialty Polymers Italy S.p.A. Curable composition
CN103242360B (zh) * 2013-05-16 2016-02-24 中国科学院化学研究所 一种线形可溶性含硫原子的并五苯衍生物及其制备方法与应用
KR102733768B1 (ko) * 2022-04-05 2024-11-26 한국과학기술연구원 카이랄 공액 분자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 반도체 소자

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6683782B2 (en) 2001-11-26 2004-01-27 Delaware Capital Formation, Inc. Surface flashover resistant capacitors and method for producing same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8026663B2 (en) * 2004-10-05 2011-09-27 National University Corporation Gunma University Triphenylene compounds, method of manufacturing the same and organic electroluminescent devices employing the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6683782B2 (en) 2001-11-26 2004-01-27 Delaware Capital Formation, Inc. Surface flashover resistant capacitors and method for producing same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080044973A (ko) 2008-05-22
US8362471B2 (en) 2013-01-29
US20110098486A1 (en) 2011-04-28
US7884358B2 (en) 2011-02-08
US20080116452A1 (en) 2008-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7385221B1 (en) Silylethynylated heteroacenes and electronic devices made therewith
US20030136964A1 (en) Thin film transistors using solution processed pentacene precursor as organic semiconductor
EP3039728B1 (en) Polymeric organic semiconductor compositions
TW200904821A (en) Silylethynylated heteroacenes and electronic devices made therewith
US20140131689A1 (en) Organic semiconductor compositions
KR20080100982A (ko) 헤테로아센 화합물, 이를 포함하는 유기 박막 및 상기박막을 포함하는 전자 소자
KR101215758B1 (ko) Ｎｐｎ-타입의 저분자 방향족 고리 화합물, 이를 이용한유기 반도체 및 전자 소자
KR101315012B1 (ko) 신규한 방향족 엔다이인 유도체, 이를 이용한 유기 반도체 박막 및 전자 소자
KR101450137B1 (ko) 유기반도체용 공중합체 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터 및 유기 전자소자
US7319153B2 (en) 6,13-Bis(thienyl)pentacene compounds
US20110079775A1 (en) Solution Processable Organic Semiconductors
CN1978439A (zh) 星形低聚噻吩－亚芳基衍生物和利用它的有机薄膜晶体管
CN105131535A (zh) 一种组合物及含有该组合物的有机半导体场效应晶体管和其制备方法
JP5096731B2 (ja) 新規な芳香族エンジイン誘導体、これを含む有機半導体製造用の前駆体溶液、その前駆体溶液を用いた有機半導体薄膜およびその製造方法、ならびに電子素子
KR101888617B1 (ko) 유기 반도체 화합물, 이를 포함하는 유기 박막, 상기 유기 박막을 포함하는 전자 소자 및 유기 박막의 제조방법
KR101139055B1 (ko) 신규한 방향족 엔다이인 유도체, 이를 이용한 유기 반도체및 전자소자
KR101403482B1 (ko) 벤조포르피린 유도체의 신규한 제조방법 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터의 제조
KR101121204B1 (ko) 방향족 엔다이인 유도체를 이용한 유기 반도체 박막의제조방법, 그에 의한 유기 반도체 박막 및 이를 채용한전자소자
KR101005808B1 (ko) 광 경화 가능한 유기절연체 제조 방법 및 이를 적용한 유기박막 트랜지스터
KR101572260B1 (ko) 유기 반도체 저분자 및 이를 포함하는 유기 박막트랜지스터
KR20110104218A (ko) 용액공정용 펜타센 유도체 및 이들의 제조방법과 이를 이용한 유기박막 트렌지스터
KR20100067386A (ko) 유기 반도체 저분자 및 이를 포함하는 유기 박막트랜지스터
Chang et al. High-mobility and solution-processable organic field-effect transistors based on carbazole-dihexylquaterthiophenes with controllable morphology
KR101736920B1 (ko) 아릴기가 치환된 안트라센 화합물, 그 제조 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터
Kim et al. Synthesis and Characterization of Arylacetylene Derivative as Solution Processable Organic Semiconductors for Organic Thin-Film Transistors

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20061117

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20110310

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20061117

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20130131

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20130830

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20130927

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20130927

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160819

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160819

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170817

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170817

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180820

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180820

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190814

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190814

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210823

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220817

Start annual number: 10

End annual number: 10