KR101312252B1

KR101312252B1 - 기판 냉각 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 설비

Info

Publication number: KR101312252B1
Application number: KR1020110131130A
Authority: KR
Inventors: 채희선; 양승국
Original assignee: 피에스케이 주식회사
Priority date: 2011-12-08
Filing date: 2011-12-08
Publication date: 2013-09-25
Anticipated expiration: 2031-12-08
Also published as: SG191474A1; TW201332041A; TWI545671B; KR20130064493A

Abstract

기판 냉각 유닛이 개시된다. 기판 냉각 유닛은 고온에서 공정 처리된 기판을 냉각하는 유닛으로, 내부에 공간이 형성된 하우징; 상기 하우징의 내부에서 상기 기판을 지지하며, 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 내부에 형성된 냉각 플레이트; 및 상기 하우징의 내부에 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 공급부를 포함한다.

Description

기판 냉각 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 설비{SUBSTRATE COOLING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING FACILITY UNCLUDING THE UNIT}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 냉가하는 장치에 관한 것이다.

반도체 소자, 평판 표시 패널, 그리고 솔라셀 등의 제조에는 포토레지스트를 제거하는 애싱 공정이 포함된다. 애싱 공정은 기판상에 도포된 포토레지스트를 제거한다.

애싱 공정은 기판의 온도가 약 250℃ 정도로 가열된 상태에서 수행된다. 애싱 처리가 완료된 기판은 냉각 플레이트로 이송되어 냉각된다. 기판은 냉각 플레이트의 내부를 순환하는 냉각 유체에 의해 냉각된다. 냉각 스테이지는 약 25℃의 온도로 유지되는데, 애싱 공정이 완료된 기판을 냉각하는데 상당 시간이 소요된다. 그리고, 온도가 충분히 냉각되지 않은 상태에서 기판을 풉에 이송할 경우, 기판이 대기압 상태에 놓여 산화물 생성률이 증가한다.

한국공개특허공보 제2011-10927호

본 발명의 실시예들은 기판상에 산화물 생성을 억제할 수 있는 기판 냉각 유닛을 제공한다.

또한, 본 발명의 실시예들은 짧은 시간 내에 기판의 온도를 낮출 수 있는 기판 냉각 유닛을 제공한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 냉각 유닛은 고온에서 공정 처리된 기판을 냉각하는 유닛으로, 내부에 공간이 형성된 하우징; 상기 하우징의 내부에서 상기 기판을 지지하며, 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 내부에 형성된 냉각 플레이트; 및 상기 하우징의 내부에 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 공급부를 포함한다.

또한, 상기 냉각 가스 공급부는 냉각 가스 저장부; 전단이 상기 하우징에 연결되고 후단이 상기 냉각 가스 저장부에 연결되며, 상기 냉각 가스 저장부에 저장된 상기 냉각 가스를 상기 하우징에 공급하는 냉각 가스 공급 라인; 및 상기 가스 공급 라인의 전단에 설치되며, 상기 하우징의 내부에 공급되는 상기 냉각 가스를 다방향으로 확산시키는 디퓨져를 포함할 수 있다.

또한, 상기 냉각 플레이트와 마주하는 상기 하우징의 상부벽에는 홀이 형성되고, 상기 디퓨져는 상기 냉각 가스가 분사되는 구멍들이 표면에 형성된 판으로 제공되며, 상기 홀에 삽입될 수 있다.

또한, 상기 디퓨져는 로드 형상으로 제공되고, 그 표면에 상기 냉각 가스가 분사되는 구멍들이 형성되며, 상기 냉각 플레이트의 상부에 위치할 수 있다.

또한, 상기 하우징은 상기 냉각 플레이트의 하부에 위치하며, 상기 하우징 내부의 가스가 외부로 배기되는 제1배기홀들이 형성된 바닥벽; 상기 냉각 플레이트의 일측에 위치하며, 상기 하우징 내부의 가스가 외부로 배기되는 제2배기홀들이 각각 형성된 측벽들을 가지며, 상기 제2배기홀들은 상기 냉각 플레이트보다 낮은 높이에 형성될 수 있다.

또한, 상기 냉각 플레이트에는 상기 기판의 저면으로 냉각 가스를 공급하는 가스 공급홀들이 복수개 형성되고, 상기 냉각 가스 공급부는 상기 냉각 플레이트의 하부에 위치하며, 상기 가스 공급홀들과 연결되는 버퍼 공간이 내부에 형성된 버퍼 부재; 및 상기 버퍼 공간에 상기 냉각가스를 공급하는 냉각가스 공급 라인을 포함할 수 있다.

또한, 상기 냉각 플레이트와 마주하는 상기 하우징의 상부벽에는 상기 냉각 가스가 배기되는 배기홀들이 형성될 수 있다.

또한, 상기 냉각 플레이트에 형성된 승강 홀들 내에 각각 위치하고, 상기 승강 홀을 따라 승강하여 상기 기판을 상기 냉각 플레이트로부터 언로딩하는 승강 핀들을 더 포함하며, 상기 하우징은 상기 냉각 플레이트의 상면과 마주하는 저면이 개방되고, 그 하단이 상기 승강 핀들의 상단에 놓일 수 있다.

또한, 상기 승강 핀들의 상면은 상기 하우징의 하단이 놓이는 평면; 및 상기 평면으로부터 연장되고, 그 끝단으로 갈수록 높이가 점점 낮아지도록 하향경사지며, 상기 기판의 측부를 지지하는 경사면을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비 로드 포트, 설비 전방 단부 모듈, 로드락 챔버, 그리고 공정 처리실의 순서로 일렬로 배치되며, 상기 설비 전방 모듈은 상기 로드 포트와 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 이송로봇을 포함하고, 상기 공정 처리실은 상기 기판을 가열 처리하는 공정 챔버와, 상기 로드락 챔버간에 상기 기판을 이송하는 반송 로봇이 포함된 반송 챔버를 포함하며, 상기 로드락 챔버는 상기 공정 챔버에서 가열 처리된 상기 기판이 상기 설비 전방 모듈로 이송되기 전에 대기하는 공간을 제공하는 제1하우징; 상기 제1하우징의 내부에서 상기 기판을 지지하며, 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 내부에 형성된 제1냉각 플레이트; 및 상기 제1하우징의 내부에 냉각 가스를 공급하는 제1냉각 가스 공급부를 포함할 수 있다.

또한, 상기 로드락 챔버는 상기 제1하우징의 일측에 위치하며, 상기 공정 챔버에서 가열 처리된 상기 기판이 상기 설비 전방 모듈로 이송되기 전에 대기하는 공간을 제공하는 제2하우징; 상기 제2하우징의 내부에서 상기 기판을 지지하며, 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 내부에 형성된 제2냉각 플레이트; 및 상기 제2하우징의 내부에 냉각 가스를 공급하는 제2냉각 가스 공급부를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 로드락 챔버는 상기 제1하우징의 하부에 위치하며, 상기 설비 전방 모듈에서 상기 공정 처리실로 이송되는 기판이 대기하는 공간을 제공하는 제3하우징; 및 상기 제2하우징의 하부에 위치하며, 상기 설비 전방 모듈에서 상기 공정 처리실로 이송되는 기판이 대기하는 공간을 제공하는 제4하우징을 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 제1냉각 가스 공급부는 냉각 가스 저장부; 전단이 상기 제1하우징에 연결되고 후단이 상기 냉각 가스 저장부에 연결되며, 상기 냉각 가스 저장부에 저장된 상기 냉각 가스를 상기 제1하우징에 공급하는 냉각 가스 공급 라인; 및 상기 가스 공급 라인의 전단에 설치되며, 상기 제1하우징의 내부에 공급되는 상기 냉각 가스를 다방향으로 확산시키는 디퓨져를 포함할 수 있다.

또한, 상기 제1하우징은 상기 제1냉각 플레이트의 하부에 위치하며, 상기 제1하우징 내부의 가스가 외부로 배기되는 제1배기홀들이 형성된 바닥벽; 상기 제1냉각 플레이트의 일측에 위치하며, 상기 제1하우징 내부의 가스가 외부로 배기되는 제2배기홀이 각각 형성된 측벽들을 가지며, 상기 제2배기홀은 상기 제1냉각 플레이트보다 낮은 높이에 형성될 수 있다.

또한, 상기 제1냉각 플레이트에는 상기 기판의 저면으로 냉각 가스를 공급하는 가스 공급홀들이 복수개 형성되며, 상기 제1냉각 가스 공급부는 상기 제1냉각 플레이트의 하부에 위치하며, 상기 가스 공급홀들과 연결되는 버퍼 공간이 내부에 형성된 버퍼 부재; 및 상기 버퍼 공간에 상기 냉각가스를 공급하는 냉각가스 공급 라인을 포함할 수 있다.

또한, 상기 제1냉각 플레이트에 형성된 승강 홀들 내에 각각 위치하고, 상기 승강 홀을 따라 승강하여 상기 기판을 상기 냉각 플레이트로부터 언로딩하는 승강 핀들을 더 포함하며, 상기 제1하우징은 상기 제1냉각 플레이트의 상면과 마주하는 저면이 개방되고, 그 하단이 상기 승강 핀들의 상단에 놓일 수 있다.

본 발명의 실시예에 의하면, 냉각 플레이트에서 전달된 열과 냉각 가스에 의해 기판은 짧은 시간 내에 온도가 냉각될 수 있다.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 기판은 온도가 충분히 낮아진 상태에서 대기압 상태에 놓이므로, 산화물 생성이 억제될 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비(1)를 간략하게 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A'선에 따른 로드락 챔버를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2의 제1기판 냉각 유닛의 일부를 나타내는 부분 사시도이다.
도 4는 본 발명의 실험예들에 따라 기판이 냉각되는 과정을 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 냉각 유닛을 간략하게 나타내는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 냉각 유닛을 간략하게 나타내는 사시도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 냉각 유닛을 간략하게 나타내는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 하우징의 바닥면을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 하우징의 바닥면을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 하우징의 측벽을 나타내는 사시도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1기판 냉각 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 12는 도 11의 기판 냉각 유닛을 이용하여 기판을 냉각하는 과정을 간략하게 나타내는 도면이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 냉각 유닛을 나타내는 단면도이다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 냉각 유닛 및 기판 처리 설비를 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비(1)를 간략하게 나타내는 평면도이다.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(load port, 10), 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM)(20), 로드락 챔버(30), 그리고 공정 처리실(40)을 포함한다. 로드 포트(10), 설비 전방 단부 모듈(20), 로드락 챔버(30), 그리고 공정 처리실(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 로드 포트(10), 설비 전방 단부 모듈(20), 로드락 챔버(30), 그리고 공정 처리실(40)이 배치되는 방향을 제1방향(X)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(X)에 수직 방향을 제2방향(Y)이라 한다. 그리고, 제1 및 제2방향(X, Y)에 수직 방향을 제3방향(Z)이라 한다.

로드 포트(10)는 기판 처리 설비(1)의 전단부에 배치되고, 복수 개의 지지부(6)를 가진다. 각각의 지지부(6)는 2방향(Y)으로 일렬로 배치된다. 지지부(6)들 각각에는 캐리어(4)(예를 틀어, 카세트, FOUP등)가 놓인다. 캐리어(4)에는 공정 처리에 제공되는 기판 및 공정처리가 완료된 기판이 내부에 수납된다.

설비 전방 단부 모듈(20)는 로드 포트(10)의 후방에 위치한다. 설비 전방 단부 모듈(20)은 프레임(21)과 이송 로봇(25)을 포함한다. 프레임(21)은 로드 포트(10)와 공정 처리부(30) 사이에 배치되며, 내부에 공간이 형성된다. 프레임(21)은 그 길이방향이 제2방향(Y)과 나란하게 배치된다. 이송 로봇(25)은 프레임(21) 내부에 배치된다. 이송 로봇(25)은 제2방향(12)으로 배치된 이송 레일(27)을 따라 이동한다. 이송 로봇(25)은 캐리어(4)와 로드락 챔버(30)간에 기판을 이송한다.

로드락 챔버(30)는 설비 전방 단부 모듈(20)의 후방에 배치된다. 로드락 챔버(30)는 공정 처리에 제공될 기판(W)이 공정 챔버(60)에 이송되기 전에, 그리고 공정 처리가 완료된 기판이 설비 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전에 대기하는 공간을 제공한다. 로드록 챔버(30) 내부는 진공 및 대기압으로 전환된다. 로드록 챔버(30)는 외부 오염물질이 반송 챔버(50) 및 공정 챔버(60)에 유입되는 것을 방지한다. 로드록 챔버(30)와 반송 챔버(50) 사이, 그리고 로드록 챔버(30)와 설비 전방 단부 모듈(20) 사이에는 도어(28, 52)가 설치된다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 로드록 챔버(30) 간에 기판(W)이 이동되는 경우 로드록 챔버(30)와 반송 챔버(50) 사이에 제공되는 도어(52)가 닫히고, 로드록 챔버(30)와 반송 챔버(50) 간에 기판(W)이 이동되는 경우, 로드록 챔버(30)와 설비 전방 단부 모듈(20) 사이에 제공되는 도어(28)가 닫힌다.

공정 처리실(40)은 제1방향(X)을 따라 로드락 챔버(30)의 후방에 배치된다. 공정 처리실(40)은 반송 챔버(50)와 공정 챔버(60)들을 포함한다.

반송 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때 다각형의 몸체를 갖는다. 반송 챔버(50)의 내부는 진공으로 유지된다. 반송 챔버(50)의 측부에는 로드락 챔버(30)와 공정 챔버(60)들이 반송 챔버(50)의 둘레를 따라 배치된다. 로드락 챔버(30)와 인접한 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(51)가 형성된다. 통로(51)는 반송 챔버(50)와 로드락 챔버(30)를 연결한다.

반송 챔버(50)의 내부에는 반송 로봇(53)이 배치된다. 반송 로봇(53)은 로드락 챔버(40)와 공정 챔버(60)들간에 기판(W)을 이송한다. 반송 로봇(53)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 기판(W)을 공정 챔버(60)로 이송하거나, 공정 챔버(60)에서 공정처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(40)로 이송한다. 그리고, 복수 개의 공정 챔버(60)들 간에 기판(W)을 순차적으로 이송한다. 실시예에 의하면 반송 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 사각형의 몸체를 갖는다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 인접한 일 측벽에는 로드락 챔버(40)가 배치되며, 나머지 측벽에는 공정챔버(60)들이 연속하여 배치된다. 반송 챔버(50)는 상기 형상뿐만 아니라, 요구되는 공정모듈에 따라 다양한 형태로 제공될 수 있다.

공정 챔버(60)는 기판(W)에 대한 소정 공정을 수행한다. 예컨대, 공정 챔버(60)는 애싱, 증착, 식각, 그리고 베이크 등과 같은 공정을 수행할 수 있다. 공정 챔버(60)들 각각에서는 동일 공정이 수행될 수 있다. 선택적으로 공정 챔버들(26)에서는 기판(W)에 대해 일련의 공정이 순차적으로 수행될 수 있다.

공정 챔버(60)는 하우징(61)과 지지 부재(62)를 가진다. 하우징(61)은 내부에 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(61)의 내부는 진공으로 유지된다. 지지 부재(62)는 하우징(61) 내에 제공되며, 공정 진행시 기판(W)을 지지한다. 지지 부재(62)는 기계적 클램핑에 의해 기판(W)을 고정하는 구조로 제공되거나, 정전력에 의해 기판(W)을 고정하는 구조로 제공될 수 있다. 지지 부재(62)의 내부에는 히터(미도시)가 제공될 수 있다. 히터는 열을 발생하여 기판(W)을 소정 온도로 가열한다. 애싱 공정의 경우, 기판(W)은 약 250℃로 가열된 상태에서 공정 처리된다. 하우징(61) 내에는 두 개의 지지 부재(62)들이 제공된다. 지지 부재(72)들은 측방향으로 나란하게 배치된다. 하우징(60)의 외벽 중 반송 챔버(50)와 마주하는 영역에는 기판(W)이 출입하는 출입구(63)가 형성된다. 출입구(63)는 도어(64)에 의해 개폐될 수 있다. 출입구(63)는 두 개의 기판들(W)이 동시에 출입될 수 있는 폭으로 제공된다. 선택적으로 출입구(63)는 하우징(61) 내 지지 부재(62)와 동일한 수로 제공되고, 각각의 출입구(64)는 하나의 기판(W)이 출입될 수 있는 폭으로 제공될 수 있다. 하우징(61)에 제공되는 지지 부재(62)들의 수는 더 증가될 수 있다.

도 2는 도 1의 A-A'선에 따른 로드락 챔버를 간략하게 나타내는 도면이다. 도 2를 참조하면, 로드락 챔버(30)는 공정 처리가 완료된 기판(W1)과, 미처리된 기판(W2)을 구분하여 수용한다. 로드락 챔버(30)는 기판 냉각 유닛(100a, 100b)과 기판 대기 유닛(200a, 200b)을 포함한다. 기판 냉각 유닛(100a, 100b)은 공정 처리된 기판(W1)을 수용하며, 기판(W1)이 수용되는 동안 기판(W1)을 냉각한다. 기판 대기 유닛(200a, 200b)은 미처리된 기판(W2)을 수용한다. 기판 냉각 유닛(100a, 100b)은 기판 대기 유닛(200a, 200b)의 상부에 위치할 수 있다.

실시예에 의하면, 기판 냉각 유닛(100a, 100b)은 두 개 제공되며, 제2기판 냉각 유닛(100b)은 제1기판 냉각 유닛(100a)의 일측에 위치한다. 그리고, 기판 대기 유닛(200a, 200b)은 두 개 제공되며, 제2기판 대기 유닛(200b)은 제1기판 대기 유닛(200a)의 일측에 위치한다. 제1기판 대기 유닛(200a)은 제1기판 냉각 유닛(100a)의 하부에 위치하고, 제2기판 대기 유닛(200b)은 제2기판 냉각 유닛(100b)의 하부에 위치한다.

도 3은 도 2의 제1기판 냉각 유닛의 일부를 나타내는 부분 사시도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 기판 냉각 유닛(100a)은 제1하우징(110), 제1냉각 플레이트(120), 그리고, 제1냉각 가스 공급부(130)를 포함한다.

제1하우징(110)은 공정 처리된 기판(W1)이 대기하는 공간을 제공한다. 제1하우징(110)은 바닥벽(110a), 상부벽(110b), 그리고 측벽(110c)들을 포함한다. 바닥벽(110a)은 제1냉각 플레이트(120)의 하부에 위치한다. 상부벽(110b)은 제1냉각 플레이트(120)의 상부에 위치하며, 바닥벽(110a)과 마주하여 배치된다. 측벽(110c)들은 제1냉각 플레이트(120)의 둘레를 따라 제공되며, 상부벽(110b)과 하부벽(110a)을 연결한다. 상술한 바닥벽(110a), 상부벽(110b), 그리고 측벽(110c)들의 조합으로, 제1하우징(110)의 내부에는 공간이 형성된다. 상부벽(110b)에는 홀(111)들이 형성된다. 홀(111)들은 서로 이격하여 형성된다. 그리고, 바닥벽(110a)에는 제1배기홀(112)들이 형성된다. 제1배기홀(112)들은 서로 이격하여 바닥벽(110a)에 균일하게 형성될 수 있다. 측벽(110c)들 각각에는 제2배기홀(113)들이 형성될 수 있다. 제2배기홀(113)들은 제1냉각 플레이트(120)보다 낮은 높이에 형성될 수 있다. 제1 및 제2배기홀(112, 113)들을 통해 제1하우징(110) 내부에는 진공압이 인가될 수 있다. 제1하우징(110) 내부에 머무르는 가스는 제1 및 제2배기홀(112, 113)들을 통해 외부로 배기된다.

제1냉각 플레이트(120)는 제1하우징(110)의 내부에 위치한다. 제1냉각 플레이트(120)는 기판(W1)보다 큰 반경을 갖는 판 형상으로 제공된다. 제1냉각 플레이트(120)의 상면에는 기판(W1)이 놓인다. 제1냉각 플레이트(120)는 지지 로드(125)들에 지지되며, 제1하우징(110)의 바닥벽(110a)으로부터 이격되어 소정 높이에 위치한다. 제1냉각 플레이트(120)의 내부에는 냉각 유로(121)가 형성된다. 냉각 유로(121)는 냉각 유체 공급부(130)와 연결되며, 냉각 유체가 순환하는 통로를 제공한다. 냉각 유로(121)는 나선형 또는 링 형상으로 제1냉각 플레이트(120) 내부에 형성될 수 있다. 냉각 유로(121)를 순환하는 냉각 유체는 제1냉각 플레이트(120)와 기판(W1)을 냉각한다. 냉각 유체는 액체 상태 또는 기체 상태의 유체가 사용될 수 있다.

제1냉각 가스 공급부(130)는 제1하우징(110)의 내부에 냉각 가스를 공급한다. 제1냉각 가스 공급부(130)는 가스 저장부(미도시), 가스 공급 라인(131), 가스 주입관(132), 그리고 디퓨져(135)를 포함한다.

가스 저장부는 냉각 가스를 저장한다. 냉각 가스는 불활성 가스가 사용될 수 있다. 냉각 가스는 헬륨(He) 가스가 사용될 수 있다. 헬륨 가스는 일반 공기(Air)보다 열 전도성이 높아 냉각 효율이 높게 나타난다. 이와 달리, 냉각 가스는 질소(N₂) 가스가 사용될 수 있다. 또한, 냉각 가스는 공기(Air)가 사용될 수 있다.

가스 공급 라인(131)은 제1하우징(110)과 가스 저장부를 연결한다. 가스 공급 라인(131)은 그 전단이 제1하우징(110)에 연결되고, 후단이 가스 저장부에 연결된다. 실시예에 의하면, 가스 공급 라인(131)의 전단은 복수 갈래로 나누어지며, 각각 제1하우징(110)에 연결된다. 가스 공급 라인(131)은 제1하우징(110)의 각 영역으로 냉각 가스를 공급할 수 있다. 가스 저장부에 저장된 냉각 가스는 가스 공급 라인(131)을 통해 제1하우징(110)에 공급된다.

가스 공급 라인(131)의 전단에는 가스 주입관(132)이 연결된다. 가스 주입관(132)은 제1하우징(110)의 상부벽(110b)과 연결된다. 가수 주입관(132)의 전단에는 역 깔대기 형상의 확산구(133)가 형성된다. 가스 공급 라인(131)을 통해 공급된 냉각 가스는 확산구(133)를 거치면서 확산된다.

디퓨저(135)는 가스 공급 라인(131)의 전단에 위치한다. 디퓨저(135)는 얇은 두께의 원형 판으로 제공되며, 제1하우징(110)의 상부벽(110b)에 형성된 홀(111)들에 각각 삽입된다. 디퓨저(135)는 그 표면에 구멍들이 형성될 수 있다. 냉각 가스는 디퓨져(135)에 형성된 구멍들을 통해 분사된다. 냉각 가스는 디퓨져(135)를 거치면서, 유속이 감속되고 다방향으로 확산된다. 냉각 가스가 가스 공급 라인(131)을 통해 제1하우징(110)의 내부에 직접 공급되는 경우, 냉각 가스는 방향성을 가지고 빠른 유속으로 공급된다. 때문에, 기판(W1)이 냉각 플레이트(120)로부터 이탈되거나, 기판(W1)이 손상될 수 있다. 그리고, 냉각 가스는 제1하우징(110) 내부에 잔류하는 파티클등을 부양시켜 기판(W1) 오염원으로 제공할 수 있다. 디퓨저(135)는공급되는 냉각 가스는 속도를 감속시키고 방향성을 제거하므로, 냉각 가스로 인한 상술한 문제 발생을 예방할 수 있다.

다시 도 2를 참조하면, 제2기판 냉각 유닛(100b)은 제2하우징(140), 제2냉각 플레이트(150), 그리고 제2냉각 가스 공급부(160)를 포함한다. 제2하우징(140)은 제1하우징(110)과, 제2냉각 플레이트(150)는 제1냉각 플레이트(120)와, 그리고 제2냉각 가스 공급부(160)는 제1냉각 가스 공급부(130)와 동일한 구조로 제공될 수 있다.

제1기판 대기 유닛(200a)은 제3하우징(210)과 지지 플레이트(220)를 포함한다. 제3하우징(210)은 제1하우징(110)의 하부에 위치하며, 설비 전방 단부 모듈(도 1의 20)에서 공정 처리실(도 1의 40)로 이송되는 기판(W2)이 대기하는 공간을 제공한다. 제3하우징(210)의 내부에는 지지 플레이트(220)가 제공되된다. 지지 플레이트(220)는 기판(W2)을 지지한다.

제2기판 대기 유닛(200b)은 제4하우징(230)과 지지 플레이트(240)를 포함한다. 제4하우징(230)은 제2하우징(140)의 하부에 위치하며, 설비 전방 단부 모듈(도 1의 20)에서 공정 처리실(도 1의 40)로 이송되는 기판(W2)이 대기하는 공간을 제공한다. 제4하우징(230)의 내부에는 지지 플레이트(240)가 제공되된다. 지지 플레이트(240)는 기판(W2)을 지지한다.

도 4는 본 발명의 실험예들에 따라 기판이 냉각되는 과정을 나타내는 그래프이다.

도 4를 참조하면, 그래프의 가로축은 냉각 시간(t)을 나타내고, 세로축은 기판 온도(℃)를 나타낸다. 그래프 1(Ⅰ)은 실험예 1에 따른 기판 냉각 과정을 나타내는 그래프다. 실험예 1은 냉각 플레이트(도 3의 120)의 온도를 약 25℃로 유지시킨 상태에서 기판(도 3의 W1)을 냉각하였다. 그래프 2(Ⅱ)는 실험예 2에 따른 기판 냉각 과정을 나타내는 그래프이다. 실험예 2는 냉각 플레이트(도 3의 120)의 온도를 약 25℃로 유지시킨 상태에서 냉각 가스를 공급하여 기판(도 3의 W1)을 냉각하였다. 공정 챔버(도 1의 60) 내에서 기판 온도가 약 250℃로 가열되어 공정처리되는 경우, 냉각 플레이트(120)에 이송되었을 때 기판(W1)의 온도는 약 190℃를 유지한다. 기판(W1)의 온도가 약 50℃로 낮아지는데, 그래프 1(Ⅰ)은 약 53초가 걸리는 반면, 그래프 2(Ⅱ)는 약 5초가 걸린다. 실험예 2의 경우, 실험예 1에 비하여 10배 이상의 냉각 효과가 있음이 확인된다. 실험예 2에서는 기판(W1)이 냉각 스테이지(120)에 의해 열전도 방식으로 냉각되고, 동시에 냉각 가스에 의해 강제 냉각되므로, 짧은 시간 내에 냉각될 수 있다.

한편, 실험예 2는 불활성 가스가 하우징(110) 내부로 공급되므로, 상압 상태에서 기판(W1) 냉각이 가능하다. 상압 상태에서 기판(W1)을 냉각하는 경우, 고온으로 가열된 기판(W1)이 대기에 노출되는 시간이 길어질수록 기판(W1) 표면에는 산화막 생성률이 높아진다. 그러나, 실험예 2는 불활성 가스가 냉각 가스로 사용되는 점, 그리고 기판(W1) 온도가 짧은 시간 내에 낮아진다는 점에서 산화막 생성량이 최소화될 수 있다.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 냉각 유닛(110a')을 간략하게 나타내는 사시도이다. 도 5를 참조하면, 디퓨저(135')는 제1하우징(110)의 내부에 위치한다. 디퓨저(135')는 단면이 원형이 로드 형상으로 제공된다. 디퓨저(135')의 표면에는 구멍들이 형성된다. 가스 공급 라인(131')은 제1하우징(110)의 측벽을 통해 제1하우징(110) 내부로 제공된다. 가스 공급 라인(131')을 통해 공급된 냉각 가스는 디퓨저(135')의 구멍들을 통해 제1하우징(110) 내부로 분사된다. 디퓨저(135')는 냉각 플레이트(120)의 상부에 위치한다. 디퓨저(135')는 그 길이방향이 냉각 플레이트(120)의 상면과 나란하게 배치된다. 실시예에 의하면, 제1하우징(110) 내부에는 2개의 디퓨저(135')가 제공된다. 하나의 디퓨저(135')는 냉각 플레이트(120)의 일측 상부에 위치하고, 다른 하나의 디퓨저(135')는 냉각 플레이트(120)의 타측 상부에 위치한다. 디퓨저(135')는 서로 나란하게 배치될 수 있다.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 냉각 유닛을 간략하게 나타내는 사시도이다. 도 6을 참조하면, 도 5에 도시된 기판 냉각 유닛(100a')과 달리, 디퓨저(135")는 냉각 플레이트(120)의 상부에 서로 나란하게 배치된다. 가스 공급 라인(131")은 제1하우징(110)의 상부벽을 통해 제1하우징(110)의 내부로 제공된다. 가스 공급 라인(131")을 통해 공급된 냉각 가스는 디퓨저(135")의 표면에 형성된 구멍들을 통해 제1하우징(110) 내부로 분사된다.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 냉각 유닛(100a°)을 간략하게 나타내는 사시도이다. 도 7을 참조하면, 디퓨저(135°)는 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 하나의 디퓨저(135°)는 냉각 플레이트(120)의 일측에서 상하방향으로 배치되고, 다른 하나의 디퓨저(135°)는 냉각 플레이트(120)의 타측에서 상하방향으로 배치된다. 디퓨저(135°)들은 서로 나란하게 배치된다.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 하우징의 바닥면을 나타내는 도면이다. 도 8을 참조하면, 하우징의 바닥면(110a)에는 배기홀(112)들이 형성된다. 배기홀(112)들은 폭에 비해 길이가 상대적으로 긴 슬릿 홀을 포함한다. 배기홀(112)들은 복수개가 상하방향으로 배치되어 하나의 열을 형성한다. 배기홀(112)들은 복수 라인으로 배치될 수 있다. 하나의 라인에 속한 배기홀(112)들은 인접한 라인에 속한 배기홀(112)들 사이에 위치할 수 있다.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 하우징의 바닥면을 나타내는 도면이다. 도 9를 참조하면, 하우징의 바닥면(110a)에 형성된 배기홀(112)들은 호 형상을 가진다. 배기홀(112)들은 복수개의 그룹으로 구분되며, 동일 그룹에 속한 배기홀(112)들은 서로 조합되어 링 형상으로 배치된다. 각 그룹의 링 형상은 서로 상이한 반경을 가지며, 동일한 중심(C)에 위치한다. 링의 반경이 커질수록 해당 그룹에 포함된 배기홀(112)들의 호 크기는 점차 증가한다.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 하우징의 측벽을 나타내는 사시도이다. 도 10을 참조하면, 하우징(110)의 측벽에는 배기홀(113)이 형성된다. 배기홀(113)은 원형홀로 형성된다. 배기홀(113)은 하우징(110)의 측벽을 따라 복수개 형성된다. 배기홀(113)들은 하우징(110)의 하단과 인접한 영역에 형성될 수 있다.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1기판 냉각 유닛을 나타내는 단면도이다. 도 11을 참조하면, 기판 냉각 유닛(100a)은 하우징(110), 냉각 플레이트(120), 그리고 냉각 가스 공급부(130)를 포함한다.

하우징(110)은 저면이 개방되며, 내부에 공간이 형성된다. 하우징(110)의 상부벽(111)에는 배기홀(112)들이 형성된다. 배기홀(112)들은 하우징(110)의 상부벽(111) 중심 영역에 형성될 수 있다.

냉각 플레이트(120)는 하우징(110)의 하부에 위치한다. 냉각 플레이트(120)의 상면은 기판(W1)보다 큰 반경을 가진다. 냉각 플레이트(120)의 상면에는 지지 돌기(121)들이 형성된다. 지지 돌기(121)들은 냉각 플레이트(120)의 상면으로부터 상부로 돌출된다. 지지 돌기(121)들은 소정 높이로 돌출된다. 기판(W1)은 지지 돌기(121)에 놓이며, 냉각 플레이트(120)의 상면으로부터 소정 간격 이격된다.

냉각 플레이트(120)에는 냉각 유로(122), 가스 공급홀(123)들, 그리고 승강홀(124)들이 형성된다. 냉각 유로(122)는 나선형 또는 링 형상으로 냉각 플레이트(120) 내부에 형성될 수 있으며, 냉각 유체가 순환하는 통로를 제공한다. 가스 공급홀(123)들은 냉각 플레이트(120)의 상면으로부터 저면으로 제공되는 관통홀로 형성된다. 가스 공급홀(123)들은 냉각 플레이트(120)의 각 영역에 균일하게 형성되며, 기판(W1) 저면으로 냉각 가스를 공급한다. 승강 홀(124)들은 냉각 플레이트(120)의 가장 자리 영역에 형성된다. 승강 홀(124)들은 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 형성된다. 승강 홀(124)들은 서로 이격하여 복수개 형성된다. 승강 홀(124)들 각각에는 승강 핀(125)이 위치한다. 승강 핀(125)은 승강 홀(124)을 따라 상하방향으로 이동한다. 승강 핀(125)의 상면은 평면(125a)과 경사면(125b)을 포함한다. 평면(125a)은 각 영역의 높이가 동일한 평탄면으로 제공된다. 경사면(125b)은 평면(125a)으로부터 연장되며, 그 끝단으로 갈수록 높이가 점차 낮아지도록 하향 경사진다. 평면(125a)에는 하우징(110)의 하단이 놓인다. 하우징(110)의 하단은 승강 핀(125)들의 평면(125a)에 고정될 수 있다. 경사면(125b)은 기판(W1)의 측부를 지지한다. 승강 핀(125)들이 승강 홀(124)들을 따라 상부로 이동하는 경우, 지지 돌기(121)들에 놓인 기판(W1)은 그 측부가 승강 핀(125)의 경사면(125b)에 지지되어 냉각 플레이트(120)로부터 언로딩된다. 그리고, 기판(W1)은 그 측부가 승강 핀(125)의 경사면(125b)에 놓이며, 승강 홀(124)들을 따라 하강하는 승강 핀(125)에 의하여 지지 돌기(121)들에 로딩된다.

냉각 가스 공급부(130)는 버퍼 부재(131)와 냉각 가스 공급 라인(135)을 포함한다. 버퍼 부재(131)는 냉각 플레이트(120)의 하부에 위치한다. 버퍼 부재(131)의 내부에는 버퍼 공간(132)이 형성된다. 버퍼 공간(132)은 냉각 플레이트(120)에 대응하는 너비로 형성된다. 버퍼 공간(132)은 가스 공급홀(123)들과 연결된다. 냉각 가스 공급 라인(135)은 버퍼 부재(131)와 연결되며, 버퍼 공간(132)에 냉각 가스를 공급한다. 냉각 가스는 버퍼 공간(132)에서 확산되며, 가스 공급홀(123)들을 통해 기판(W1) 저면으로 공급된다.

도 12는 도 11의 기판 냉각 유닛을 이용하여 기판을 냉각하는 과정을 간략하게 나타내는 도면이다.

도 12를 참조하면, 승강 핀(125)들이 승강 홀(124)들을 따라 하강하며, 기판(W1)이 지지 돌기(121)들에 놓인다. 냉각 유로(122)를 따라 냉각 유체(L)가 순환한다. 냉각 유체의 열이 기판(W1)으로 전달되며, 기판(W1)을 냉각한다. 냉각 가스 공급 라인(135)은 버퍼 공간(132)에 냉각 가스(G)를 공급한다. 버퍼 공간(132)에서 확산된 냉각 가스(G)는 가스 공급홀(123)들을 통해 기판(W1) 저면으로 공급된다. 냉각 가스(G)는 기판(W1)과 냉각 플레이트(120) 사이 공간을 따라 이동하며, 기판(W1)의 상부 영역으로 제공된다. 냉각 가스(G)는 기판(W1)의 상부 중심영역으로 이동되어 하우징(110)의 상부벽(111)에 형성된 배기홀(112)들을 통해 하우징(110) 외부로 배기된다. 냉각 유체(L)에 의한 냉각과 냉각 가스(G)에 의한 냉각으로 가열된 기판(W1)은 짧은 시간 내에 온도가 낮아질 수 있다.

도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 냉각 유닛을 나타내는 단면도이다. 도 13을 참조하면, 도 12의 실시예와 달리, 하우징(110)의 상부벽(111)에는 배기홀(112)들이 균일하게 형성될 수 있다. 배기홀(112)들은 하우징(110)의 상부벽(111) 각 영역에 균일하게 형성된다. 기판(W1)의 상부영역에 머무르는 냉각 가스는 배기홀(112)들을 통해 용이하게 외부로 배기될 수 있다.

상술한 실시예에서, 도 2의 제1 및 제2기판 냉각 유닛은 도 11 또는 도 13에서 설명한 기판 냉각 유닛으로 제공될 수 있다.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

10: 로드 포트 20: 설비 전방 단부 모듈
30: 로드락 챔버 40: 공정 처리실
100a: 제1기판 냉각 유닛 110: 제1하우징
120: 제1냉각 플레이트 130: 제1냉각 가스 공급부

Claims

고온에서 공정 처리된 기판을 냉각하는 유닛에 있어서,
내부에 공간이 형성된 하우징;
상기 하우징의 내부에서 상기 기판을 지지하며, 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 내부에 형성된 냉각 플레이트; 및
상기 하우징의 내부에 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 공급부를 포함하되,
상기 냉각 가스 공급부는
냉각 가스 저장부;
전단이 상기 하우징에 연결되고 후단이 상기 냉각 가스 저장부에 연결되며, 상기 냉각 가스 저장부에 저장된 상기 냉각 가스를 상기 하우징에 공급하는 냉각 가스 공급 라인; 및
상기 가스 공급 라인의 전단에 설치되며, 상기 하우징의 내부에 공급되는 상기 냉각 가스를 다방향으로 확산시키는 디퓨져를 포함하되,
상기 디퓨져는 로드 형상으로 제공되고, 그 표면에 상기 냉각 가스가 분사되는 구멍들이 형성되며, 상기 냉각 플레이트의 상부에 위치하는 기판 냉각 유닛.
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고온에서 공정 처리된 기판을 냉각하는 유닛에 있어서,
내부에 공간이 형성된 하우징;
상기 하우징의 내부에서 상기 기판을 지지하며, 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 내부에 형성된 냉각 플레이트; 및
상기 하우징의 내부에 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 공급부를 포함하되,
상기 냉각 가스 공급부는
냉각 가스 저장부;
전단이 상기 하우징에 연결되고 후단이 상기 냉각 가스 저장부에 연결되며, 상기 냉각 가스 저장부에 저장된 상기 냉각 가스를 상기 하우징에 공급하는 냉각 가스 공급 라인; 및
상기 가스 공급 라인의 전단에 설치되며, 상기 하우징의 내부에 공급되는 상기 냉각 가스를 다방향으로 확산시키는 디퓨져를 포함하되,
상기 하우징은
상기 냉각 플레이트의 하부에 위치하며, 상기 하우징 내부의 가스가 외부로 배기되는 제1배기홀들이 형성된 바닥벽;
상기 냉각 플레이트의 일측에 위치하며, 상기 하우징 내부의 가스가 외부로 배기되는 제2배기홀들이 각각 형성된 측벽들을 가지며,
상기 제2배기홀들은 상기 냉각 플레이트보다 낮은 높이에 형성되는 기판 냉각 유닛.
고온에서 공정 처리된 기판을 냉각하는 유닛에 있어서,
내부에 공간이 형성된 하우징;
상기 하우징의 내부에서 상기 기판을 지지하며, 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 내부에 형성된 냉각 플레이트; 및
상기 하우징의 내부에 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 공급부를 포함하되,
상기 냉각 플레이트에는 상기 기판의 저면으로 냉각 가스를 공급하는 가스 공급홀들이 복수개 형성되고,
상기 냉각 가스 공급부는
상기 냉각 플레이트의 하부에 위치하며, 상기 가스 공급홀들과 연결되는 버퍼 공간이 내부에 형성된 버퍼 부재; 및
상기 버퍼 공간에 상기 냉각가스를 공급하는 냉각가스 공급 라인을 포함하는 기판 냉각 유닛.
제 6 항에 있어서,
상기 냉각 플레이트와 마주하는 상기 하우징의 상부벽에는 상기 냉각 가스가 배기되는 배기홀들이 형성된 기판 냉각 유닛.
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 냉각 플레이트에 형성된 승강 홀들 내에 각각 위치하고, 상기 승강 홀을 따라 승강하여 상기 기판을 상기 냉각 플레이트로부터 언로딩하는 승강 핀들을 더 포함하며,
상기 하우징은 상기 냉각 플레이트의 상면과 마주하는 저면이 개방되고, 그 하단이 상기 승강 핀들의 상단에 놓이는 기판 냉각 유닛.
제 8 항에 있어서,
상기 승강 핀들의 상면은
상기 하우징의 하단이 놓이는 평면; 및
상기 평면으로부터 연장되고, 그 끝단으로 갈수록 높이가 점점 낮아지도록 하향경사지며, 상기 기판의 측부를 지지하는 경사면을 포함하는 기판 냉각 유닛.
로드 포트, 설비 전방 모듈, 로드락 챔버, 그리고 공정 처리실의 순서로 일렬로 배치된 기판 처리 설비에 있어서,
상기 설비 전방 모듈은 상기 로드 포트와 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 이송로봇을 포함하고,
상기 공정 처리실은 상기 기판을 가열 처리하는 공정 챔버와, 상기 로드락 챔버간에 상기 기판을 이송하는 반송 로봇이 포함된 반송 챔버를 포함하며,
상기 로드락 챔버는
상기 공정 챔버에서 가열 처리된 상기 기판이 상기 설비 전방 모듈로 이송되기 전에 대기하는 공간을 제공하는 제1하우징;
상기 제1하우징의 내부에서 상기 기판을 지지하며, 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 내부에 형성된 제1냉각 플레이트; 및
상기 제1하우징의 내부에 냉각 가스를 공급하는 제1냉각 가스 공급부를 포함하되,
상기 제1냉각 가스 공급부는
냉각 가스 저장부;
전단이 상기 제1하우징에 연결되고 후단이 상기 냉각 가스 저장부에 연결되며, 상기 냉각 가스 저장부에 저장된 상기 냉각 가스를 상기 제1하우징에 공급하는 냉각 가스 공급 라인; 및
상기 가스 공급 라인의 전단에 설치되며, 상기 제1하우징의 내부에 공급되는 상기 냉각 가스를 다방향으로 확산시키는 디퓨져를 포함하고,
상기 제1하우징은
상기 제1냉각 플레이트의 하부에 위치하며, 상기 제1하우징 내부의 가스가 외부로 배기되는 제1배기홀들이 형성된 바닥벽;
상기 제1냉각 플레이트의 일측에 위치하며, 상기 제1하우징 내부의 가스가 외부로 배기되는 제2배기홀이 각각 형성된 측벽들을 가지며,
상기 제2배기홀은 상기 제1냉각 플레이트보다 낮은 높이에 형성되는 기판 처리 설비.
로드 포트, 설비 전방 모듈, 로드락 챔버, 그리고 공정 처리실의 순서로 일렬로 배치된 기판 처리 설비에 있어서,
상기 설비 전방 모듈은 상기 로드 포트와 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 이송로봇을 포함하고,
상기 공정 처리실은 상기 기판을 가열 처리하는 공정 챔버와, 상기 로드락 챔버간에 상기 기판을 이송하는 반송 로봇이 포함된 반송 챔버를 포함하며,
상기 로드락 챔버는
상기 공정 챔버에서 가열 처리된 상기 기판이 상기 설비 전방 모듈로 이송되기 전에 대기하는 공간을 제공하는 제1하우징;
상기 제1하우징의 내부에서 상기 기판을 지지하며, 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 내부에 형성된 제1냉각 플레이트; 및
상기 제1하우징의 내부에 냉각 가스를 공급하는 제1냉각 가스 공급부를 포함하되,
상기 제1냉각 플레이트에는 상기 기판의 저면으로 냉각 가스를 공급하는 가스 공급홀들이 복수개 형성되며,
상기 제1냉각 가스 공급부는
상기 제1냉각 플레이트의 하부에 위치하며, 상기 가스 공급홀들과 연결되는 버퍼 공간이 내부에 형성된 버퍼 부재; 및
상기 버퍼 공간에 상기 냉각가스를 공급하는 냉각가스 공급 라인을 포함하는 기판 처리 설비.
로드 포트, 설비 전방 모듈, 로드락 챔버, 그리고 공정 처리실의 순서로 일렬로 배치된 기판 처리 설비에 있어서,
상기 설비 전방 모듈은 상기 로드 포트와 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 이송로봇을 포함하고,
상기 공정 처리실은 상기 기판을 가열 처리하는 공정 챔버와, 상기 로드락 챔버간에 상기 기판을 이송하는 반송 로봇이 포함된 반송 챔버를 포함하며,
상기 로드락 챔버는
상기 공정 챔버에서 가열 처리된 상기 기판이 상기 설비 전방 모듈로 이송되기 전에 대기하는 공간을 제공하는 제1하우징;
상기 제1하우징의 내부에서 상기 기판을 지지하며, 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 내부에 형성된 제1냉각 플레이트; 및
상기 제1하우징의 내부에 냉각 가스를 공급하는 제1냉각 가스 공급부를 포함하되,
상기 제1냉각 플레이트에 형성된 승강 홀들 내에 각각 위치하고, 상기 승강 홀을 따라 승강하여 상기 기판을 상기 냉각 플레이트로부터 언로딩하는 승강 핀들을 더 포함하며,
상기 제1하우징은 상기 제1냉각 플레이트의 상면과 마주하는 저면이 개방되고, 상기 제1하우징의 하단이 상기 승강 핀들의 상단에 놓이는 기판 처리 설비.
제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 로드락 챔버는
상기 제1하우징의 일측에 위치하며, 상기 공정 챔버에서 가열 처리된 상기 기판이 상기 설비 전방 모듈로 이송되기 전에 대기하는 공간을 제공하는 제2하우징;
상기 제2하우징의 내부에서 상기 기판을 지지하며, 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로가 내부에 형성된 제2냉각 플레이트; 및
상기 제2하우징의 내부에 냉각 가스를 공급하는 제2냉각 가스 공급부를 더 포함하는 기판 처리 설비.
제 13 항에 있어서,
상기 로드락 챔버는
상기 제1하우징의 하부에 위치하며, 상기 설비 전방 모듈에서 상기 공정 처리실로 이송되는 기판이 대기하는 공간을 제공하는 제3하우징; 및
상기 제2하우징의 하부에 위치하며, 상기 설비 전방 모듈에서 상기 공정 처리실로 이송되는 기판이 대기하는 공간을 제공하는 제4하우징을 더 포함하는 기판 처리 설비.
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