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KR101305665B1 - 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

태양광 발전장치 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR101305665B1
KR101305665B1 KR1020110106120A KR20110106120A KR101305665B1 KR 101305665 B1 KR101305665 B1 KR 101305665B1 KR 1020110106120 A KR1020110106120 A KR 1020110106120A KR 20110106120 A KR20110106120 A KR 20110106120A KR 101305665 B1 KR101305665 B1 KR 101305665B1
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polymer adhesive
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Abstract

실시예는 태양광 발전장치 및 이의 제조방법을 제공한다. 실시예에 따른 태양광 발전장치는 지지기판 상에 배치되는 태양전지; 상기 태양전지 상에 배치되며, 광경화성 고분자를 포함하는 고분자 접착층; 및 상기 고분자 접착층 상에 배치되는 보호 패널을 포함한다.

Description

태양광 발전장치 및 이의 제조방법{SOLAR CELL MODULE APPARATUS AND METHOD FOR FABRICATING OF THE SAME}
실시예는 태양광 발전장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
태양전지는 p-n 접합 다이오드에 빛을 쪼이면 전자가 생성 되는 광기전력 효과(photovoltaic effect)를 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 소자로 정의할 수 있다. 태양전지는 접합 다이오드로 사용되는 물질에 따라, 실리콘 태양전지, I-III-VI족 또는 III-V족 화합물로 대표되는 화합물 반도체 태양전지, 염료감응 태양전지, 유기물 태양전지로 나눌 수 있다.
태양전지의 최소단위를 셀이라고 하며, 보통 태양전지 셀 1 개로부터 나오는 전압은 약 0.5 V 내지 약 0.6 V로 매우 작다. 따라서, 여러 개의 태양전지 셀을 기판 상에 직렬로 연결하여 수 V 에서 수백 V 이상의 전압을 얻도록 패널 형태로 제작한 것을 모듈이라고 하며, 여러 개의 모듈을 프레임 등에 설치한 것을 태양광 발전장치라고 한다.
일반적으로, 태양광 발전장치는 유리/충진재(ethylene vinyl acetate, EVA)/태양전지/충진재(EVA)/표면재(백시트)의 형태로 구성된다. 일반적으로 유리는 저철분 강화유리를 사용하는데 광 투과도가 높을 것, 표면 광반사 손실을 낮추기 위한 처리가 되어 있을 것 등이 요구된다.
충진재는 깨지기 쉬운 태양전지를 보호하기 위해 태양전지 전후면과 표면재 사이에 삽입하는 물질이다. 일반적으로, 충진재는 EVA와 같은 열가소성 고분자 또는 열경화성 고분자를 사용한다. 이와 같은 충진재는 태양전지 상에 고분자를 도포하고 열과 압력을 동시에 진행함으로써 제조되는데, 가열 과정에서 기포가 발생하고, 초기 투자비용이 많이 필요하며, 불량 발생시 재작업이 곤란한 문제점이 있다. 또한, 장기간 자외선에 노출될 경우 변색되고 방습성이 떨어지는 등의 문제가 있다.
실시예는 광경화성 고분자를 고분자 접착층을 사용하는 태양광 발전장치 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 지지기판 상에 배치되는 태양전지; 상기 태양전지 상에 배치되며, 광경화성 고분자를 포함하는 고분자 접착층; 및 상기 고분자 접착층 상에 배치되는 보호 패널을 포함한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 지지기판 상에 태양전지를 형성하는 단계; 상기 태양전지 상에 고분자 접착층을 형성하는 단계; 및 상기 고분자 접착층 상에 보호 패널을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치의 고분자 접착층은 종래 열가소성 /열경화성 고분자가 아닌 광경화성 고분자를 사용하여 제조된다. 상기 광경화성 고분자에 의해 제조되는 고분자 접착층은 태양전지의 미세 패턴까지 침투가 용이하여, 수분(H2O) 또는 산소(O2)가 태양전지 내부로 침투하는 것을 보다 최소화 할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 신뢰성 및 안정성이 향상될 수 있다.
또한, 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 광 조사전에 태양전지의 기포 유무를 확일 할 수 있는 바, 불량 발생 유무를 확인하고, 불량 발생시 재작업이 용이하다. 또한, 종래 열을 가하는 공정에 비하여 광조사 공정은 안정적인 연속공정으로 수행될 수 있는 바, 태양전지 상에 고분자 접착층을 저비용으로 대량으로 코팅할 수 있다.
도 1 및 도 2는 실시예에 따른 태양광 발전장치의 단면을 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 7은 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법을 설명하는 단면도들이다.
실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1 및 도 2는 실시예에 따른 태양광 발전장치의 단면을 도시한 단면도이다. 도 1을 참조하면, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 지지기판(10), 태양전지(20), 고분자 접착층(30), 보호 패널(40) 및 프레임(50)을 포함한다.
상기 지지기판(10)은 상기 태양전지(20), 상기 고분자 접착층(30), 상기 보호 패널(40)을 지지한다.
상기 지지기판(10)은 리지드(rigid) 패널 또는 플렉서블(flexible) 패널일 수 있다. 또한, 상기 지지기판(10)은 절연체일 수 있다. 예를 들어, 상기 지지기판(10)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(10)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 이와는 다르게, 상기 지지기판(10)의 재질로 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인레스 스틸, 유연성이 있는 고분자 등이 사용될 수 있다.
상기 태양전지(20)는상기 지지기판(10) 상에 형성된다. 상기 태양전지(20)는다수개의 태양전지 셀들(C1, C2, C3..)을 포함하며, 상기 다수개의 태양전지 셀들(C1, C2, C3..)은 서로 전기적으로 연결된다. 이에 따라, 상기 태양전지(20)는 태양광을 전기에너지로 변환시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 다수개의 태양전지 셀들(C1, C2, C3..)은 서로 직렬로 연결될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 다수개의 태양전지 셀들(C1, C2, C3..)은 일 방향으로 서로 나란히 연장되는 형상을 포함할 수 있다.
상기 태양전지(20)는각각 CIGS계 태양전지 등과 같은 I-III-IV족계 반도체 화합물을 포함하는 태양전지, 실리콘계 태양전지 또는 염료 감응 태양전지 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
더 자세하게, 상기 태양전지(20)는 I-III-IV족계 반도체 화합물을 포함하는 태양전지일 수 있다. 도 2를 참조하면, 상기 태양전지(20)는상기 지지기판(10) 상에 배치되는 후면 전극층(200), 상기 후면 전극층(200) 상에 배치되는 광 흡수층(300), 상기 광 흡수층(300) 상에 배치되는 버퍼층(400), 상기 버퍼층(400) 상에 배치되는 고저항 버퍼층(500), 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치되는 전면 전극층(600) 등을 포함할 수 있다.
상기 고분자 접착층(30)은 상기 태양전지(20) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 고분자 접착층(30)은 상기 태양전지(20)와 상기 보호 패널(40) 사이에 배치된다. 예를 들어, 상기 고분자 접착층(30)은 상기 태양전지(20)의 상면 및/또는 측면에 직접 접촉하여 배치될 수 있다. 상기 고분자 접착층(30)은 상기 태양전지(20)와 상기 보호 패널(240) 간의 접착력을 향상 시킬 뿐만 아니라, 외부의 충격으로부터 상기 태양전지(20)를 보호할 수 있다.
상기 고분자 접착층(30)은 광경화성 고분자를 포함한다. 즉, 상기 고분자 접착층(30)은 광경화성 고분자로 제조될 수 있다. 더 자세하게, 상기 고분자 접착층(30)은 광경화성 고분자로 구성될 수 있다. 상기 광경화성 고분자는 자외선에 의해 경화되고, 투명성이 있는 것으로서 당업계에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 제한없이 사용가능하다.
상기 광경화성 고분자는 반응성 올리고머, 반응성 모노머, 및 광개시재를 포함할 수 있다. 그 밖에, 상기 광경화성 고분자는 이형제, 슬립제, 가소제, 계면활성제, 또는 분산제 등의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 광경화성 수지는 반응성 올리고머 약 25 중량% 내지 약 79 중량%, 반응성 모너머 약 19.9 중량% 내지 약 60 중량%, 광개시제 약 1 중량% 내지 약 10 중량%, 첨가제 약 0.1 중량% 내지 약 5 중량% 를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 반응성 올리고머는 에폭시계 수지, 우레탄계수지, 폴리에스테르계 수지, 실리콘계 수지, 폴리엔/폴리티올계 수지, 스피란계 수지, 에폭시 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이싱의 것을 사용할 수 있다. 더 자세하게, 상기 반응성 올리고머는 에폭시 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트, 또는 실리콘 아크릴 레이트 등을 사용할 수 있다.
또한, 상기 반응성 모너머는 당업계에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 제한없이 사용가능하다. 상기 반응성 모너머는 아크릴레이트계를 주로 사용할 수 있으며, 예를 들어, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트(pentaeritriol triacrylate, PETA), 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트(dipentaeritritol pentaacrylate, DPPA), 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(dipentaeritritol hexaacrylate, DPHA), 트리메틸롤프로판트리아크릴레이트(trimethylolpropantriacrylate, TMPTA), 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 아크릴산 혹은 메틸메타아크릴레이트에서 선택된 하나 이상의 것을 사용할 수 있다.
또한, 상기 광개시제는 Benzionalkylether, Benzophenone, Benzyl dimethylkatal, Hydroxycyclohexylphenyletone, 1,1-Dichloro acetophenone, 2-Chloro thioxanthone 등을 사용할 수 있으며, 더 자세하게, 투명도를 유지하기 위해 알파 하이드록시 케톤계를 사용한다.
상기 언급한 바와 같이, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 종래 열가소성 /열경화성 고분자가 아닌 광경화성 고분자를 사용하여 고분자 접착층을 제조한다. 상기 광경화성 고분자에 의해 제조되는 고분자 접착층은 태양전지의 미세 패턴, 예를 들어, 제 3 분리패턴(P3)까지 침투가 용이하여, 수분(H2O) 또는 산소(O2)가 태양전지 내부로 침투하는 것을 보다 최소화 할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 신뢰성 및 안정성이 향상될 수 있다.
상기 보호 패널(40)은 상기 고분자 접착층(30) 상에 배치된다. 상기 보호 패널(40)은 외부의 물리적인 충격 및/또는 이물질로부터 상기 태양전지 (20)을 보호한다. 상기 보호 패널(40)은 투명하며, 예를 들어, 강화 유리 등을 포함할 수 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저(low) 철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다.
상기 프레임(50)은 상기 태양전지(20)를 둘러 감싼다. 더 자세하게, 상기 프레임(50)은 상기 태양전지(20)의 측면을 둘러 감싼다. 예를 들어, 도 1을 참조하면, 상기 지지기판(10), 상기 태양전지(20), 상기 고분자 접착층(30) 및 상기 보호 패널(40) 각각의 측면은 동일 절단면을 가질 수 있으며, 상기 프레임(50)은 상기 동일 절단면을 둘러 감싸게 형성될 수 있다.
한편, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 프레임(50)과 상기 태양전지(20) 사이에는 실링부재(미도시)가 추가로 형성될 수 있다. 상기 실링부재는 높은 접착력과 내구성을 가질 수 있다.
상기 프레임(50) 및 상기 실링부재(미도시)는 상기 태양전지 패널(20) 내부로 이물질이 침투하는 것을 방지한다. 더 자세하게, 상기 프레임(50) 및 상기 실링부재(미도시)는 상기 태양전지 패널(20)의 측면을 통하여, 외부의 습기 또는 먼지와 같은 이물질이 유입되는 것을 방지한다.
도 3 및 도 7은 실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법을 설명하는 단면도이다.
도 3내지 도 6을 참조하면, 지지기판(10) 상에 태양전지(20)를 형성한다. 먼저, 상기 지지기판(10) 상에 후면 전극층(200)을 형성한다. 상기 후면 전극층(200)은 도전층이다. 상기 후면 전극층(200)은 몰리브덴(Mo), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 구리(Cu) 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 후면 전극층(200)은 상기 지지기판(100) 상에 후면 전극을 형성하고, 상기 후면 전극을 분리하는 제 1 패턴(P1)을 형성함으로써 제조될 수 있다. 상기 제 1 패턴(P1)은 포토리소그라피(photo-lithography) 공정에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 전극층(200)은 상기 제 1 패턴(P1)에 의해서 서로 이격된다. 즉, 상기 후면 전극층(200)은 상기 제 1 패턴(P1)에 의하여 다수개의 후면전극들로 구분된다.
도 4를 참조하면, 상기 후면 전극층(200) 상에는 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)이 순차적으로 형성된다.
상기 광 흡수층(300)는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300)는 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)(Se,S)2; CIGSS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수층(300)은 스퍼터링 공정 또는 증발법 등에 의해서 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서, 구리 타겟, 인듐 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하여, 상기 후면전극층(200) 상에 CIG계 금속 프리커서 막이 형성된다. 이후, 상기 금속 프리커서 막은 셀레니제이션 공정에 의해서, 셀레늄과 반응하여 CIGS계 광 흡수층(300)이 형성된다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 황화 카드뮴이 화학 용액 증착법(chemical bath deposition; CBD)에 의해서 증착되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(400) 상에 징크 옥사이드가 스퍼터링 공정 등에 의해서 증착되고, 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성된다. 이어서, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)에는 제 2 패턴(P2)이 형성된다.
도 5를 참조하면, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 투명한 도전물질을 적층하여 전면 전극층(600)을 형성한다. 상기 전면 전극층(600)은 상기 광 흡수층(300) 상에 전면 전극을 형성하고, 상기 전면 전극을 분리하는 제 3 패턴(P3)을 형성함으로써 제조될 수 있다.
상기 제 3 패턴(P3)은 기계적인(mechnical) 방법으로 형성할 수 있으며, 상기 후면 전극층(300)의 일부가 노출된다. 예를 들어, 상기 제 3 패턴들(P3)의 폭은 약 80 ㎛ 내지 약 200 ㎛ 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 6을 참조하면, 상기와 같은 방법에 의하여 제조되는 태양전지(20) 상에 고분자 접착층(30)을 형성한다. 상기 고분자 접착층(30)은 상기 태양전지(20) 상에 광경화성 고분자를 도포하는 단계; 상기 광경화성 고분자에 자외선을 조사하여 상기 광경화성 고분자를 경화시켜 고분자 접착층을 형성하는 단계에 의하여 제조될 수 있다.
상기 광경화성 고분자는 반응성 올리고머, 반응성 모노머, 및 광개시재를 포함할 수 있다. 그 밖에, 상기 광경화성 고분자는 이형제, 슬립제, 가소제, 계면활성제, 또는 분산제 등의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 광경화성 수지는 반응성 올리고머 약 25 중량% 내지 약 79 중량%, 반응성 모너머 약 19.9 중량% 내지 약 60 중량%, 광개시제 약 1 중량% 내지 약 10 중량%, 첨가제 약 0.1 중량% 내지 약 5 중량% 를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 반응성 올리고머는 에폭시계 수지, 우레탄계수지, 폴리에스테르계 수지, 실리콘계 수지, 폴리엔/폴리티올계 수지, 스피란계 수지, 에폭시 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이싱의 것을 사용할 수 있다. 더 자세하게, 상기 반응성 올리고머는 에폭시 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트, 또는 실리콘 아크릴 레이트 등을 사용할 수 있다.
또한, 상기 반응성 모너머는 당업계에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 제한없이 사용가능하다. 상기 반응성 모너머는 아크릴레이트계를 주로 사용할 수 있으며, 예를 들어, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트(pentaeritriol triacrylate, PETA), 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트(dipentaeritritol pentaacrylate, DPPA), 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(dipentaeritritol hexaacrylate, DPHA), 트리메틸롤프로판트리아크릴레이트(trimethylolpropantriacrylate, TMPTA), 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 아크릴산 혹은 메틸메타아크릴레이트에서 선택된 하나 이상의 것을 사용할 수 있다.
또한, 상기 광개시제는 Benzionalkylether, Benzophenone, Benzyl dimethylkatal, Hydroxycyclohexylphenyletone, 1,1-Dichloro acetophenone, 2-Chloro thioxanthone 등을 사용할 수 있으며, 더 자세하게, 투명도를 유지하기 위해 알파 하이드록시 케톤계를 사용한다.
상기와 같은 조성의 광경화성 고분자는 상기 태양전지(20) 상에 도포된다. 예를 들어, 상기 상기 광경화성 고분자는 스핀 코팅법, 스크린 프린팅법, 바코팅법, 잉크젯법 또는 딥핑법에 의해 상기 태양전지(20) 상에 도포될 수 잇으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
실시예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 상기 태양전지(20) 상에 상기 광경화성 고분자를 도포시킨 후, 상기 태양전지(20) 상에 기포 발생 유무를 확인할 수 있다. 이에 따라, 상기 태양전지(20) 상에 기포가 발생한 경우, 상기 도포 과정을 다시 수행함으로써 기포 발생에 따른 불량률을 감소시킬 수 있다.
이어서, 상기 광경화성 고분자에 광을 조사시킨다. 조사되는 광은 단파장의 광을 사용할 수 있다. 더 자세하게, 자외선을 상기 광경화성 고분자에 조사시킬 수 있다. 예를 들어, 조사되는 광의 파장은 약 150 nm 내지 약 400 nm 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 일 구현예에 따른 태양광 발전장치의 제조방법은 자외선 경화기를 이용하여 약 1,000 mJ/㎠ 내지 9,000 mJ/㎠ 의 광량을 약 1 분 내지 약 10 분간 상기 광경화성 고분자에 고르게 조사함으로써, 상기 광경화성 고분자를 경화시킬 수 있다.
이와 같이, 상기 광경화성 고분자에 의해 제조되는 고분자 접착층(30)은 종래 열가소성/열경화성 수지에 의해 제조되는 고분자 접착층 보다 태양전지의 미세 패턴까지 침투가 용이하다. 도 6을 참조하면, 실시예에 따른 고분자 접착층(30)은 상기 태양전지(20)의 제 3 패턴(P3)과 같은 미세 패턴으로 용이하게 침투될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 탱야광 발전장치는 수분(H2O) 또는 산소(O2)가 태양전지 내부로 침투하는 것을 보다 최소화 할 수 있으며, 소자의 신뢰성 및 안정성이 향상될 수 있다. 또한, 종래 열을 가하는 공정에 비하여 광조사 공정은 안정적인 연속공정으로 수행될 수 있는 바, 태양전지 상에 고분자 접착층을 저비용으로 대량으로 코팅할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (7)

  1. 지지기판 상에 순차적으로 배치되는 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 포함하는 태양전지;
    상기 태양전지 상에 배치되며, 상기 태양전지 상에 광경화성 고분자를 도포하고, 상기 광경화성 고분자에 자외선을 조사하여 상기 광경화성 고분자를 경화시켜 형성되는 고분자 접착층; 및
    상기 고분자 접착층 상에 배치되며, 상기 광경화성 고분자가 경화되어 상기 고분자 접착층이 형성된 후에, 상기 고분자 접착층 상에 형성되는 보호 패널을 포함하는 태양광 발전장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광경화성 고분자는 반응성 올리고머, 반응성 모노머, 및 광개시재를 포함하는 태양광 발전장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반응성 올리고머는 에폭시계 수지, 우레탄계수지, 폴리에스테르계 수지, 실리콘계 수지, 폴리엔/폴리티올계 수지, 스피란계 수지, 에폭시 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 태양광 발전장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지기판, 상기 태양전지, 상기 고분자 접착층 및 상기 보호 패널 각각의 측면은 동일 절단면을 형성하며,
    상기 동일 절단면을 둘러싸는 프레임을 추가 포함하는 태양광 발전장치.
  5. 지지기판 상에 후면 전극층, 광 흡수층 및 전면 전극층을 순차적으로 형성하여 태양전지를 형성하는 단계;
    상기 태양전지 상에 광경화성 고분자를 도포하는 단계;
    상기 광경화성 고분자에 자외선을 조사하여 상기 광경화성 고분자를 경화시켜 고분자 접착층을 형성하는 단계; 및
    상기 고분자 접착층 상에 보호 패널을 형성하는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법.
  6. 삭제
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 광경화성 고분자는 스핀 코팅법, 스크린 프린팅법, 바코팅법, 잉크젯법 또는 딥핑법에 의해 도포되는 태양광 발전장치의 제조방법.
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