KR101281685B1 - Method for writing and reading data of phase-change random access memory and apparatus thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 상변화 메모리의 데이터 기록 방법, 데이터 판독 방법, 및 그 장치에 관한 것으로, 기록 요청된 데이터를 소정의 인코딩 함수에 의해 인코딩하는 단계; 기록 요청된 데이터 및 인코딩된 데이터 중에 상변화 메모리에 기록하기 위한 소비 전력이 낮은 데이터를 선택하는 단계; 선택 결과에 기초하여, 기록 요청된 데이터 및 인코딩된 데이터 중 어느 하나를 상변화 메모리에 기록하는 단계; 상변화 메모리에 기록되는 데이터를 나타내는 마킹 정보를 생성하는 단계; 및 마킹 정보를 상변화 메모리에 기록하는 단계를 포함하도록 함으로써, 상변화 메모리에 데이터를 기록할 때의 소비 전력을 줄일 수 있는 효과가 있다.
The present invention relates to a data writing method, a data reading method, and an apparatus of a phase change memory, comprising the steps of: encoding data requested for writing by a predetermined encoding function; Selecting data having low power consumption for writing to the phase change memory among the write requested data and the encoded data; Based on the selection result, writing any one of the write requested data and the encoded data to the phase change memory; Generating marking information indicative of data recorded in the phase change memory; And recording the marking information in the phase change memory, thereby reducing the power consumption when writing data in the phase change memory.
Description
본 발명은 상변화 메모리의 데이터 기록 방법, 데이터 판독 방법, 및 그 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상변화 메모리에 데이터를 기록할 때의 소비 전력을 줄이기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a data writing method, a data reading method, and an apparatus of a phase change memory, and more particularly, to a method and an apparatus for reducing power consumption when writing data to a phase change memory.
PRAM(Phase-change Random Access Memory)은 물질의 상 변화를 이용하여 데이터를 저장하는 메모리 디바이스이다. PRAM에 있어서 결정 상태 및 비결정 상태는 각각 데이터 비트 '0' 및 '1'을 표시한다(이는 디바이스 설계에 따라서 역으로 될 수도 있다). 물질의 상 변화는 전류에 의한 온도 차이로 유도된다. 이러한 성질을 가지는 셀 물질에는 게르마늄 안티몬 텔룰라이드(GST; Ge2Sb2Te5)가 있다.Phase-change random access memory (PRAM) is a memory device that stores data using a phase change of a material. For the PRAM, the crystalline state and the amorphous state represent the data bits '0' and '1', respectively (which may be reversed depending on the device design). The phase change of the material is induced by the temperature difference by the current. Cell materials having this property include germanium antimony telluride (GST; Ge2Sb2Te5).
PRAM은 NAND 플래시 메모리와 같이 비휘발성의 특징을 가진다. 그러나, PRAM은 NAND 플래시 메모리와는 달리 바이트 단위로 액세스를 제공하며 삭제(erase) 동작을 요구하지 않는다. 이와 같은 특성들로 인하여, PRAM은 모바일 응용에서 스토리지 장치로 사용되기에 적합하다.PRAM has the same nonvolatile characteristics as NAND flash memory. However, unlike NAND flash memory, PRAM provides byte-by-byte access and does not require an erase operation. These characteristics make PRAM suitable for use as storage devices in mobile applications.
그러나, PRAM은 데이터 프로그램 시에 상당히 큰 전력 소모를 가지며, 기록 데이터의 패턴에 따라서 전력 소모의 차이가 발생한다는 문제점이 있다. 예를 들어, 데이터 비트 '1'(또는 '0')을 PRAM에 기록하기 위한 소비 전력은 데이터 비트 '0'(또는 '1')을 기록하기 위한 소비 전력보다 크다. 본 명세서에서는, 데이터 비트 '1'의 기록은 데이터 비트 '0'의 기록보다 더 많은 소비 전력을 요구한다고 가정한다.However, PRAM has a large power consumption during data programming, and there is a problem that a difference in power consumption occurs depending on a pattern of write data. For example, the power consumption for writing data bit '1' (or '0') to the PRAM is greater than the power consumption for writing data bit '0' (or '1'). In this specification, it is assumed that writing of data bit '1' requires more power consumption than writing of data bit '0'.
도 1은 일반적인 스토리지 시스템을 도시한 도면이다.1 illustrates a general storage system.
도 1을 참조하면, 일반적인 스토리지 시스템은 프로세서(110), 버퍼 메모리(120) 및 상변화 메모리(130)를 포함한다. 프로세서(110), 버퍼 메모리(120) 및 상변화 메모리(130)는 시스템 버스에 의해 서로 연결되어 있다.Referring to FIG. 1, a general storage system includes a
프로세서(110)는 일반적으로 DRAM(Dynamic Random Access Memory)과 같은 버퍼 메모리(120)로부터 기록 데이터(즉, 사용자 데이터 A)를 수신하고, 수신된 사용자 데이터 A를 PRAM(130)의 특정 위치에 저장하기 위한 작업을 수행한다. 프로세서(110)는 사용자 데이터 A의 관리 및 복구(retrieval) 작업을 위한 메타 데이터를 더 추가하기도 하지만, 일반적으로는 그와 같은 추가가 없이 사용자 데이터 A를 PRAM(130)에 기록한다. 또한, 프로세서(110)는 PRAM(130)의 저장 공간을 절약하기 위하여 데이터 압축 알고리즘을 사용하여, 사용자 데이터 A를 압축하여 PRAM(130)에 기록하기도 한다.The
그러나, 이러한 스토리지 시스템은 데이터 기록시에 데이터 패턴과 무관하게 전력을 소비하는 것으로 가정된다. 따라서, 프로세서(110)는 PRAM에 기록되는 데이 터의 패턴('0' 혹은 '1')을 고려하지 않기 때문에 데이터 기록시 소비 전력이 낭비된다는 문제점이 있다. 또한, 최근에는 사용자 데이터 A 자체가 고도로 압축된 상태이기 때문에, 더 이상 압축을 해도 데이터 크기가 줄어들지 않는다는 문제점이 있다.However, such a storage system is assumed to consume power at the time of data writing regardless of the data pattern. Therefore, since the
특히, 모바일 환경에서는 전력 소비를 줄이는 것이 매우 중요하다. 따라서, PRAM을 이용한 프로그래밍 시에 전력 소비의 특성을 고려하여, 소비 전력을 줄여야 할 필요성이 있다.In particular, it is very important to reduce power consumption in a mobile environment. Accordingly, there is a need to reduce power consumption in consideration of characteristics of power consumption in programming using PRAM.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상변화 메모리에 데이터를 기록할 때 소비되는 전력을 감소시키기 위한 상변화 메모리의 데이터 기록 방법, 데이터 판독 방법, 및 그 장치를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and the problem to be solved by the present invention is a data writing method, a data reading method, And providing the apparatus.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리의 데이터 기록 방법은, 기록 요청된 데이터를 소정의 인코딩 함수에 의해 인코딩하는 단계; 상기 기록 요청된 데이터 및 상기 인코딩된 데이터 중에 상기 상변화 메모리에 기록하기 위한 소비 전력이 낮은 데이터를 선택하는 단계; 상기 선택 결과에 기초하여, 상기 기록 요청된 데이터 및 상기 인코딩된 데이터 중 어느 하나를 상기 상변화 메모리에 기록하는 단계; 상기 상변화 메모리에 기록되는 데이터를 나타내는 마킹 정보를 생성하는 단계; 및 상기 마킹 정보를 상기 상변화 메모리에 기록하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above technical problem, a data recording method of a phase change memory according to an embodiment of the present invention, the step of encoding the data requested to write by a predetermined encoding function; Selecting data having low power consumption for writing to the phase change memory among the write requested data and the encoded data; Based on the selection result, writing any one of the write requested data and the encoded data to the phase change memory; Generating marking information representing data recorded in the phase change memory; And recording the marking information in the phase change memory.
상기 인코딩 함수는 '0' 및 '1' 중 어느 하나의 값을 가진 비트들의 개수를 감소시키는 함수인 것이 바람직하다.The encoding function is preferably a function for reducing the number of bits having any one of '0' and '1'.
상기 인코딩 함수는 인버팅(inverting) 함수인 것이 바람직하다.The encoding function is preferably an inverting function.
바람직하게는, 버퍼 메모리로부터 상기 기록 요청된 데이터를 수신하는 단계를 더 포함한다.Preferably, the method further comprises receiving the write requested data from a buffer memory.
상기 상변화 메모리에 기록하기 위한 소비 전력이 낮은 것을 선택하는 단계는, 상기 상변화 메모리에서 비결정 상태로 기록되는 셀의 개수를 이용하여 선택하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.The selecting of the low power consumption for writing to the phase change memory preferably includes selecting using the number of cells recorded in the amorphous state in the phase change memory.
또한, 상기 상변화 메모리에 기록하기 위한 소비 전력이 낮은 것을 선택하는 단계는, 상기 기록 요청된 데이터를 상기 상변화 메모리에 기록하기 위한 제1 소비 전력 및 상기 인코딩된 데이터를 상기 상변화 메모리에 기록하기 위한 제2 소비 전력을 각각 계산하는 단계; 상기 계산 결과를 비교하는 단계; 및 상기 비교 결과에 따라 선택적으로 상기 기록 요청된 데이터 또는 상기 인코딩된 데이터를 출력하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.The selecting of the low power consumption for writing in the phase change memory may include: writing first encoded power and the encoded data in the phase change memory to write the requested data to the phase change memory. Calculating second power consumption for each; Comparing the calculation results; And selectively outputting the write requested data or the encoded data according to the comparison result.
또한, 상기의 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리의 데이터 기록 장치는, 기록 요청된 데이터를 소정의 인코딩 함수에 의해 인코딩하는 인코딩부; 상기 기록 요청된 데이터 및 상기 인코딩된 데이터 중에 상기 상변화 메모리에 기록하기 위한 소비 전력이 낮은 것을 선택하는 데이터 선택부; 상기 선택 결과에 기초하여, 상기 기록 요청된 데이터 및 상기 인코딩된 데이터 중 어느 하나를 상기 상변화 메모리에 기록하는 기록부; 및 상기 상변화 메모리에 기록되는 데이터를 나타내는 마킹 정보를 생성하는 마킹 정보 생성부를 포함하고, 상기 기록부는 상기 마킹 정보를 상기 상변화 메모리에 기록하는 것을 특징으로 한다.In addition, in order to solve the above technical problem, the data recording apparatus of the phase change memory according to an embodiment of the present invention, the encoding unit for encoding the data requested to be recorded by a predetermined encoding function; A data selector which selects one of the write requested data and the encoded data having a low power consumption for writing to the phase change memory; A recording unit for recording any one of the write requested data and the encoded data in the phase change memory based on the selection result; And a marking information generating unit for generating marking information representing data recorded in the phase change memory, wherein the recording unit records the marking information in the phase change memory.
또한, 상기의 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리의 데이터 판독 방법은, 판독 요청된 데이터를 상기 상변화 메모리로 부터 판독하는 단계; 상기 판독된 데이터가 소정의 인코딩 함수에 의해 인코딩된 데이터인지 여부를 나타내는 마킹 정보를 상기 상변화 메모리로부터 판독하는 단계; 상기 마킹 정보를 이용하여 상기 판독된 데이터가 상기 인코딩된 데이터인지 여부를 결정하는 단계; 상기 판독된 데이터가 상기 인코딩된 데이터이면, 상기 판독된 데이터를 소정의 디코딩 함수에 의해 디코딩하는 단계; 및 상기 판독된 데이터가 상기 인코딩된 데이터인지 여부에 따라 선택적으로 상기 판독된 데이터 및 상기 디코딩된 데이터 중 어느 하나를 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in order to solve the above technical problem, a data reading method of a phase change memory according to an embodiment of the present invention, the step of reading the data requested to read from the phase change memory; Reading marking information from the phase change memory indicating whether the read data is data encoded by a predetermined encoding function; Determining whether the read data is the encoded data using the marking information; If the read data is the encoded data, decoding the read data by a predetermined decoding function; And selectively outputting any one of the read data and the decoded data according to whether the read data is the encoded data.
또한, 상기의 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리의 데이터 판독 장치는, 판독 요청된 데이터 및 상기 판독 요청된 데이터가 소정의 인코딩 함수에 의해 인코딩된 데이터인지 여부를 나타내는 마킹 정보를 상기 상변화 메모리로부터 판독하는 판독부; 상기 마킹 정보를 이용하여 상기 판독된 데이터가 상기 인코딩된 데이터인지 여부를 결정하는 결정부; 상기 판독된 데이터가 상기 인코딩된 데이터이면, 상기 판독된 데이터를 소정의 디코딩 함수에 의해 디코딩하는 디코딩부; 및 상기 판독된 데이터가 상기 인코딩된 데이터인지 여부에 따라 선택적으로 상기 판독된 데이터 및 상기 디코딩된 데이터 중 어느 하나를 출력하는 출력부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in order to solve the above technical problem, the data readout apparatus of the phase change memory according to an embodiment of the present invention, whether the read-requested data and the read-requested data is data encoded by a predetermined encoding function; A reading unit which reads marking information indicating a from the phase change memory; A determination unit which determines whether the read data is the encoded data using the marking information; A decoding unit for decoding the read data by a predetermined decoding function if the read data is the encoded data; And an output unit for selectively outputting any one of the read data and the decoded data according to whether the read data is the encoded data.
또한, 상기의 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리의 데이터 기록 방법을 실행하기 위한 프로그램을 저장한 컴퓨터로 판독가능한 기록매체는 기록 요청된 데이터를 소정의 인코딩 함수에 의해 인코딩하 는 단계; 상기 기록 요청된 데이터 및 상기 인코딩된 데이터 중에 상기 상변화 메모리에 기록하기 위한 소비 전력이 낮은 데이터를 선택하는 단계; 상기 선택 결과에 기초하여, 상기 기록 요청된 데이터 및 상기 인코딩된 데이터 중 어느 하나를 상기 상변화 메모리에 기록하는 단계; 상기 상변화 메모리에 기록되는 데이터를 나타내는 마킹 정보를 생성하는 단계; 및 상기 마킹 정보를 상기 상변화 메모리에 기록하는 단계를 포함하는 방법을 실행하는 것을 특징으로 한다.In addition, in order to solve the above technical problem, a computer-readable recording medium storing a program for executing a data recording method of a phase change memory according to an embodiment of the present invention is a predetermined encoding function to write the data requested to write. Encoding by; Selecting data having low power consumption for writing to the phase change memory among the write requested data and the encoded data; Based on the selection result, writing any one of the write requested data and the encoded data to the phase change memory; Generating marking information representing data recorded in the phase change memory; And writing the marking information to the phase change memory.
또한, 상기의 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리의 데이터 판독 방법을 실행하기 위한 프로그램을 저장한 컴퓨터로 판독가능한 기록매체는 판독 요청된 데이터를 상기 상변화 메모리로부터 판독하는 단계; 상기 판독된 데이터가 소정의 인코딩 함수에 의해 인코딩된 데이터인지 여부를 나타내는 마킹 정보를 상기 상변화 메모리로부터 판독하는 단계; 상기 마킹 정보를 이용하여 상기 판독된 데이터가 상기 인코딩된 데이터인지 여부를 결정하는 단계; 상기 판독된 데이터가 상기 인코딩된 데이터이면, 상기 판독된 데이터를 소정의 디코딩 함수에 의해 디코딩하는 단계; 및 상기 판독된 데이터가 상기 인코딩된 데이터인지 여부에 따라 선택적으로 상기 판독된 데이터 및 상기 디코딩된 데이터 중 어느 하나를 출력하는 단계를 포함하는 방법을 실행하는 것을 특징으로 한다.In addition, in order to solve the above technical problem, a computer-readable recording medium storing a program for executing a method of reading a data of a phase change memory according to an embodiment of the present invention, the read request data to the phase change memory Reading from; Reading marking information from the phase change memory indicating whether the read data is data encoded by a predetermined encoding function; Determining whether the read data is the encoded data using the marking information; If the read data is the encoded data, decoding the read data by a predetermined decoding function; And selectively outputting either the read data or the decoded data according to whether the read data is the encoded data.
본 발명에 따르면, 상변화 메모리에 데이터를 기록할 때 상기 데이터를 소정의 인코딩 함수에 의해 전력을 덜 소비하는 형태로 인코딩함으로써, 상변화 메모리 에 데이터를 기록할 때 소비되는 전력을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, when data is written to the phase change memory, the data is encoded in a form that consumes less power by a predetermined encoding function, thereby reducing the power consumed when writing the data to the phase change memory. It works.
또한, 본 발명에 따르면, 상변화 메모리에 데이터를 기록할 때 소비되는 전력을 줄임으로써, 상변화 메모리를 사용하는 모바일 장치의 배터리 사용 시간을 늘릴 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, by reducing the power consumed when writing data in the phase change memory, it is possible to increase the battery life of the mobile device using the phase change memory.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리의 데이터 기록 장치를 도시한 도면이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리의 데이터 기록 장치(200)는 수신부(210), 인코딩부(220), 데이터 선택부(230), 마킹 정보 생성부(240), 및 기록부(250)를 포함한다.2 is a diagram illustrating a data recording apparatus of a phase change memory according to an exemplary embodiment of the present invention. The
수신부(210)는 상변화 메모리(260)에 기록할 사용자 데이터(즉, 기록 요청된 데이터)를 외부로부터 수신한다. 예를 들어, 수신부(210)는 다이내믹 랜덤 액세스 메모리(DRAM)와 같은 버퍼 메모리(도시되지 않음)로부터 사용자 데이터를 수신할 수 있다. 수신부(210)는 외부로부터 수신된 사용자 데이터를 인코딩부(220) 및 데이터 선택부(230)로 전송한다.The
인코딩부(220)는 수신부(210)로부터 사용자 데이터를 수신하고, 수신된 사용자 데이터를 소정의 인코딩 함수에 의해 인코딩한다. 여기서, 인코딩 함수는 '0' 및 '1' 중 어느 하나의 값을 가지는 비트들의 개수를 감소시키기 위한 함수이다.The
예를 들어, 데이터 비트 '1'을 상변화 메모리(260)에 기록하기 위한 소비 전 력이 데이터 비트 '0'을 기록하기 위한 소비 전력보다 크다고 가정한다(즉, 데이터 비트 '1'은 상변화 메모리(260)의 셀에 비결정 상태로 저장되고, 데이터 비트 '0'은 결정 상태로 저장된다고 가정). 이 경우에, 인코딩 함수는 인코딩부(220)에 수신된 사용자 데이터 중에서 데이터 비트 '1'의 개수를 감소시키기 위한(즉, 데이터 비트 '0'의 개수를 증가시키기 위한) 함수가 된다. 인코딩 결과, 데이터 비트 '1'의 개수가 감소되면, 인코딩된 데이터를 상변화 메모리(260)에 기록하기 위한 소비 전력은 감소될 것이다.For example, assume that power consumption for writing data bit '1' into
이러한 인코딩 함수의 예로써, 인버팅(inverting) 함수가 사용될 수 있다. 다만, 본 발명에서 인코딩 함수는 특정 종류에 한정되지 않으며, 실시예에 따라서 다양한 형태의 함수가 사용될 수 있다.As an example of such an encoding function, an inverting function can be used. However, in the present invention, the encoding function is not limited to a specific kind, and various types of functions may be used according to embodiments.
그러나, 인코딩된 데이터에 포함된 데이터 비트 '1'의 개수가 기록 요청된 원래의 데이터에 포함된 데이터 비트 '1'의 개수보다 많으면, 상변화 메모리(260)에 기록하기 위한 소비 전력은 오히려 증가될 것이다. 소비 전력이 증가하는 것을 방지하기 위해서 데이터 선택부(230)가 사용된다. 이에 대해서는 후술될 것이다.However, if the number of data bits '1' included in the encoded data is larger than the number of data bits '1' included in the original data requested to be written, the power consumption for writing to the
또한, 변형된 실시예로, 인코딩부(220)는 수신부(210)로부터 수신된 사용자 데이터를 압축하고, 그리고나서 소정의 인코딩 함수에 의해 인코딩할 수 있다. 사용자 데이터가 압축되면, 압축된 데이터에 포함된 데이터 비트 '1'의 개수도 감소될 가능성이 크기 때문이다.Also, in a modified embodiment, the
데이터 선택부(230)는 수신부(210)에 수신된 원래의 사용자 데이터(즉, 기록 요청된 데이터) 및 인코딩부(220)에서 인코딩된 데이터를 수신한다. 데이터 선택부(230)는 원래의 사용자 데이터 및 인코딩된 데이터 중에서 상변화 메모리(260)에 기록하기 위한 소비 전력이 낮은 데이터를 선택하여 기록부(250)로 출력한다.The
예를 들어, 데이터 선택부(230)는 상변화 메모리(260)에 비결정 상태(또는 결정 상태)로 기록되는 셀의 개수를 이용함으로써, 소비 전력이 낮은 데이터를 선택할 수 있다. 즉, 데이터 선택부(230)는 원래의 사용자 데이터에 포함된 데이터 비트 '1'(또는 데이터 비트 '0')의 개수를 카운트하고, 인코딩된 데이터에 포함된 데이터 비트 '1'(또는 데이터 비트 '0')의 개수를 카운트한다. 그리고나서, 데이터 선택부(230)는 카운트 결과를 비교하여 데이터 비트 '1'의 개수가 작은 데이터(또는 데이터 비트 '0'의 개수가 큰 데이터)를 선택할 수 있다.For example, the
또한, 변형된 실시예로, 데이터 선택부(230)는 소비 전력 계산부(도시되지 않음), 비교부(도시되지 않음), 및 출력부(도시되지 않음)를 포함할 수도 있다. 소비 전력 계산부는 원래의 사용자 데이터를 상변화 메모리(260)에 기록하기 위한 소비 전력 및 인코딩된 데이터를 상변화 메모리(260)에 기록하기 위한 소비 전력을 각각 계산한다. 소비 전력을 계산하는 방법은 특정 비트 값을 가진 데이터 비트를 카운트하는 방법 등 다양한 방법이 사용될 수 있을 것이다. 비교부는 소비 전력 계산부에서 출력된 계산 결과를 비교한다. 출력부는 비교부에서 출력된 비교 결과에 따라 원래의 사용자 데이터 및 인코딩된 데이터 중 상변화 메모리(260)에 기록하기 위한 소비 전력이 적은 데이터를 기록부(250)로 출력한다.Further, in a modified embodiment, the
또한, 데이터 선택부(230)는 원래의 사용자 데이터 및 인코딩된 데이터 중 어느 데이터가 선택되었는지에 대한 정보를 마킹 정보 생성부(240)로 출력한다.In addition, the
마킹 정보 생성부(240)는 상변화 메모리(260)에 기록되는 데이터에 관한 정보를 데이터 선택부(230)로부터 수신한다. 그리고나서, 마킹 정보 생성부(240)는 상변화 메모리(260)에 기록되는 데이터에 관한 정보를 포함하는 마킹 정보를 생성하고, 생성된 마킹 정보를 기록부(250)로 출력한다. 도 2에서는, 데이터 선택부(230) 및 마킹 정보 생성부(240)는 별도의 블록으로 도시되어 있지만, 실시예에 따라서 마킹 정보 생성부(240)는 데이터 선택부(230)에 포함될 수도 있다.The marking
기록부(250)는 데이터 선택부(230)로부터 원래의 사용자 데이터 및 인코딩된 데이터 중 소비 전력이 적은 하나의 데이터를 수신하고, 마킹 정보 생성부(240)로부터 마킹 정보를 수신한다. 기록부(250)는 수신된 데이터 및 마킹 정보를 상변화 메모리(260)에 기록한다.The
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리의 데이터 판독 장치를 도시한 기능 블록도이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리의 데이터 판독 장치(300)는 판독부(310), 결정부(320), 디코딩부(330), 및 출력부(340)를 포함한다.3 is a functional block diagram illustrating a data reading apparatus of a phase change memory according to an exemplary embodiment of the present invention. The
판독부(310)는 판독된 데이터 및 마킹 정보를 상변화 메모리(도시되지 않음)로부터 판독한다. 상변화 메모리에 저장되어 있던 판독 요청된 데이터 및 마킹 정보는 다이내믹 랜덤 액세스 메모리(DRAM)와 같은 버퍼 메모리에 전송 및 저장되고, 버퍼 메모리에 저장된 판독 요청된 데이터 및 마킹 정보가 판독부(310)에 전송되어 판독될 수 있다.The
판독된 데이터는 인코딩되지 않은 원래의 사용자 데이터일 수도 있고 또는 소정의 인코딩 함수에 의해 인코딩된 데이터일 수도 있다. 이는, 도 2를 참조하여 설명된 바와 같이, 상변화 메모리(도시되지 않음)에는 데이터 기록시의 전력 소모에 기초하여 원래의 사용자 데이터가 저장될 수도 있고 또는 인코딩된 데이터가 저장될 수도 있기 때문이다. 판독된 데이터가 인코딩되었는지 여부에 관한 정보는 판독부(310)에 의해서 판독된 마킹 정보에 포함되어 있다.The read data may be unencoded original user data or may be data encoded by a predetermined encoding function. This is because, as described with reference to FIG. 2, in the phase change memory (not shown), original user data may be stored or encoded data may be stored based on power consumption during data recording. . Information on whether the read data is encoded is included in the marking information read by the
인코딩 함수로는 인버팅(inverting) 함수가 사용될 수 있다. 그러나, 본 발명에서 인코딩 함수는 특정 종류에 한정되지 않으며, 실시예에 따라서 다양한 형태의 함수가 사용될 수 있다. 인코딩 함수에 대해서는 도 2를 참조하여 상술되었으므로 더 이상의 설명은 생략된다.As an encoding function, an inverting function may be used. However, in the present invention, the encoding function is not limited to a specific kind, and various types of functions may be used according to embodiments. Since the encoding function has been described above with reference to FIG. 2, further description thereof will be omitted.
판독부(310)에서 판독된 데이터 및 마킹 정보는 결정부(320)로 출력된다. 결정부(320)는 판독부(310)로부터 수신한 마킹 정보를 이용하여 판독된 데이터가 인코딩 함수에 의해 인코딩된 데이터인지 또는 원래의 사용자 데이터인지 여부를 결정한다. 결정 결과, 판독된 데이터가 인코딩된 데이터이면, 결정부(320)는 판독된 데이터를 디코딩부(330)로 전송한다. 또한, 판독된 데이터가 인코딩되지 않은 원래의 사용자 데이터이면, 결정부(320)는 판독된 데이터를 출력부(340)로 전송한다.The data and marking information read by the
디코딩부(330)는 결정부(320)로부터 판독된 데이터를 수신한다. 여기서, 디코딩부(330)가 수신한 데이터는 인코딩 함수에 의해 인코딩된 데이터이다. The
디코딩부(330)는 수신한 데이터를 소정의 디코딩 함수에 의해 디코딩한다. 여기서, 디코딩 함수는 도 2를 참조하여 설명한 인코딩 함수의 역 함수이다. 디코 딩 함수로는 인버팅(inverting) 함수가 사용될 수 있다. 그러나, 본 발명에서 디코딩 함수는 특정 종류에 한정되지 않으며, 실시예에 따라서 다양한 형태의 함수가 사용될 수 있다. 디코딩 결과, 사용자는 상변화 메모리(도시되지 않음)에 저장되기 이전의 원래의 사용자 데이터를 복원시킬 수 있다.The
출력부(340)는 디코딩부(330)로부터 수신된 데이터 또는 결정부(320)로부터 수신된 데이터를 출력한다. 결과적으로, 출력부(340)는 인코딩 함수에 의해 인코딩된 데이터가 아닌 원래의 사용자 데이터를 출력한다. 또한, 변형된 실시예로, 판독된 데이터가 압축된 데이터인 경우, 출력부(330)는 판독된 데이터의 압축을 풀고, 그리고나서 압축이 풀린 데이터를 출력할 수도 있다.The
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리의 데이터 기록 방법을 도시한 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a data writing method of a phase change memory according to an embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 단계 410에서는, 상변화 메모리의 데이터 기록 장치는 기록 요청된 원래의 사용자 데이터를 소정의 인코딩 함수에 의해 인코딩한다. 사용자 데이터는 버퍼 메모리로부터 수신될 수 있다. 또한, 인코딩 함수는 '0' 및 '1' 중 어느 하나의 값을 가진 비트들의 개수를 감소시키는 함수이다. 인코딩 함수는, 예를 들어, 인버팅(inverting) 함수일 수 있다.4, in
단계 420에서는, 상변화 메모리의 데이터 기록 장치는 원래의 사용자 데이터 및 인코딩된 데이터 중에 상변화 메모리에 기록하기 위한 소비 전력이 낮은 데이터를 선택한다. 소비 전력이 낮은 데이터를 선택하는 방법으로는, 상변화 메모리에서 비결정 상태로 기록되는 셀의 개수를 카운트하는 방법이 있다. 또는, 원래의 사용 자 데이터를 상변화 메모리에 기록하기 위한 소비 전력 및 인코딩된 데이터를 상변화 메모리에 기록하기 위한 소비 전력을 각각 계산하고, 계산 결과를 비교하며, 비교 결과에 따라 원래의 사용자 데이터 또는 인코딩된 데이터를 출력하는 방법도 가능하다.In
단계 430에서는, 상변화 메모리의 데이터 기록 장치는, 단계 420에서의 선택 결과에 기초하여, 기록 요청된 원래의 사용자 데이터 및 인코딩된 데이터 중 어느 하나를 상변화 메모리에 기록한다.In
단계 440에서는, 상변화 메모리의 데이터 기록 장치는 원래의 사용자 데이터 및 인코딩된 데이터 중 어느 데이터가 상변화 메모리에 기록되는지에 대한 정보를 포함하는 마킹 정보를 생성한다.In
단계 450에서는, 상변화 메모리의 데이터 기록 장치는 마킹 정보를 상변화 메모리에 기록한다.In
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리의 데이터 판독 방법을 도시한 흐름도이다.5 is a flowchart illustrating a data reading method of a phase change memory according to an embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 단계 510에서는, 상변화 메모리의 데이터 판독 장치는 판독 요청된 데이터를 상변화 메모리로부터 판독한다. 판독 요청된 데이터는 원래의 사용자 데이터일 수도 있고 또는 인코딩된 데이터일 수도 있다. 상변화 메모리의 데이터 판독 장치는 상기 판독 요청된 데이터를 상변화 메모리로부터 버퍼 메모리를 거쳐서 판독할 수 있다.Referring to FIG. 5, in
단계 520에서는, 상변화 메모리의 데이터 판독 장치는 판독된 데이터가 원래 의 사용자 데이터인지 또는 인코딩된 데이터인지 여부에 관한 정보를 포함하는 마킹 정보를 상변화 메모리로부터 판독한다.In
단계 530에서는, 상변화 메모리의 데이터 판독 장치는 단계 520에서 판독된 마킹 정보를 이용하여 판독된 데이터가 인코딩된 데이터인지 여부를 결정한다.In
단계 540에서는, 판독된 데이터가 인코딩된 데이터이면 프로세스는 단계 550으로 진행되고, 판독된 데이터가 원래의 사용자 데이터이면 프로세스는 단계 570으로 진행된다.In
단계 550에서는, 판독된 데이터가 인코딩된 데이터이면, 상변화 메모리의 데이터 판독 장치는 판독된 데이터를 소정의 디코딩 함수에 의해 디코딩한다. 예를 들어, 디코딩 함수는 인버팅(inverting) 함수일 수 있다. 디코딩 함수에 대해서는, 도 3을 참조하여 상술되었으므로 추가적인 설명은 생략된다.In
단계 560에서는, 상변화 메모리의 데이터 판독 장치는 디코딩된 데이터를 출력한다.In
단계 570에서는, 판독된 데이터가 원래의 사용자 데이터이면, 상변화 메모리의 데이터 판독 장치는 판독된 데이터를 출력한다.In
또한, 본 발명은 컴퓨터로 판독가능한 기록매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드로서 구현하는 것이 가능하다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록장치를 포함한다.The present invention can also be embodied as computer readable code on a computer readable recording medium. A computer-readable recording medium includes all kinds of recording apparatuses in which data that can be read by a computer system is stored.
컴퓨터로 판독가능한 기록매체의 예로는 ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피디스크, 광 데이터 저장장치 등이 있다. 또한 컴퓨터로 판독가능한 기록매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산되어, 분산방식으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드가 저장되고 실행될 수 있다.Examples of computer-readable recording media include ROM, RAM, CD-ROM, magnetic tape, floppy disks, optical data storage devices, and the like. The computer readable recording medium can also be distributed over network coupled computer systems so that the computer readable code is stored and executed in a distributed fashion.
상술한 내용은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 실시예들을 만들어 내는 것이 가능하다. 그러므로, 상기 실시예들은 본 발명을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 되고, 청구범위에 기재되어 있는 발명의 특징들의 범위 내에서 자유로이 변경될 수도 있다.The above description can be made in various embodiments without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the above embodiments should not be construed as limiting the invention, but may be varied freely within the scope of the features of the invention as set forth in the claims.
도 1은 일반적인 스토리지 시스템을 도시한 도면이다.1 illustrates a general storage system.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리의 데이터 기록 장치를 도시한 기능 블록도이다.2 is a functional block diagram showing a data recording apparatus of a phase change memory according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리의 데이터 판독 장치를 도시한 기능 블록도이다.3 is a functional block diagram illustrating a data reading apparatus of a phase change memory according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리의 데이터 기록 방법을 도시한 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a data writing method of a phase change memory according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리의 데이터 판독 방법을 도시한 흐름도이다.5 is a flowchart illustrating a data reading method of a phase change memory according to an embodiment of the present invention.
Claims (20)
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20070099881A KR101281685B1 (en) | 2007-10-04 | 2007-10-04 | Method for writing and reading data of phase-change random access memory and apparatus thereof |
US12/231,239 US7796427B2 (en) | 2007-10-04 | 2008-08-29 | Method and apparatus for writing data to and reading data from phase-change random access memory |
EP20080017428 EP2045815A1 (en) | 2007-10-04 | 2008-10-03 | Method, apparatus and computer-readable recording medium for writing data to and reading data from phase-change random access memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20070099881A KR101281685B1 (en) | 2007-10-04 | 2007-10-04 | Method for writing and reading data of phase-change random access memory and apparatus thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090034572A KR20090034572A (en) | 2009-04-08 |
KR101281685B1 true KR101281685B1 (en) | 2013-07-03 |
Family
ID=39952286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20070099881A Active KR101281685B1 (en) | 2007-10-04 | 2007-10-04 | Method for writing and reading data of phase-change random access memory and apparatus thereof |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7796427B2 (en) |
EP (1) | EP2045815A1 (en) |
KR (1) | KR101281685B1 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101583002B1 (en) * | 2009-02-23 | 2016-01-21 | 삼성전자주식회사 | Computing system, its booting method, and code data pinning method |
US8432729B2 (en) | 2010-04-13 | 2013-04-30 | Mosaid Technologies Incorporated | Phase-change memory with multiple polarity bits having enhanced endurance and error tolerance |
KR102049281B1 (en) * | 2012-10-23 | 2019-11-27 | 삼성전자주식회사 | Memory system including nonvolatile memory and controller and programming method of programming data into nonvolatile memory |
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-
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- 2007-10-04 KR KR20070099881A patent/KR101281685B1/en active Active
-
2008
- 2008-08-29 US US12/231,239 patent/US7796427B2/en active Active
- 2008-10-03 EP EP20080017428 patent/EP2045815A1/en not_active Withdrawn
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP2045815A1 (en) | 2009-04-08 |
US20090094405A1 (en) | 2009-04-09 |
US7796427B2 (en) | 2010-09-14 |
KR20090034572A (en) | 2009-04-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20071004 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20110808 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20071004 Comment text: Patent Application |
|
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20121127 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20130507 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20130627 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20130628 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160531 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20160531 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170601 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20180601 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190530 Year of fee payment: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20190530 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200529 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210528 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220525 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20230524 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240527 Start annual number: 12 End annual number: 12 |