KR101275840B1

KR101275840B1 - Transparent Solar Cell

Info

Publication number: KR101275840B1
Application number: KR1020090055025A
Authority: KR
Inventors: 임정욱; 윤선진; 이성현; 김제하
Original assignee: 한국전자통신연구원
Priority date: 2009-04-20
Filing date: 2009-06-19
Publication date: 2013-06-18
Anticipated expiration: 2029-06-19
Also published as: KR20100115691A

Abstract

투명 태양전지가 제공된다. 이 소자는 투명 기판; 상기 투명 기판에 접촉된 제1 면 및 상기 제1 면에 대향된 제2 면을 포함하는 선택적 투명 반사막; 상기 선택적 투명 반사막의 상기 제2 면 상에 차례로 적층된 제1 전극, 광전변환층 및 제2 전극을 포함하되, 상기 선택적 투명 반사막은 적어도 일부 파장의 가시광선은 투과하여 상기 투명기판으로 방출시키며 적외선을 반사하여 상기 광전변환층에 입사시킨다.A transparent solar cell is provided. This device comprises a transparent substrate; An optional transparent reflective film including a first surface in contact with the transparent substrate and a second surface opposite to the first surface; And a first electrode, a photoelectric conversion layer, and a second electrode, which are sequentially stacked on the second surface of the selective transparent reflecting film, wherein the selective transparent reflecting film transmits visible light of at least a portion of wavelength to the transparent substrate and emits infrared rays. Is reflected to enter the photoelectric conversion layer.

투명 태양전지, 선택적 투명 반사막, 가시광선, 적외선 Transparent solar cell, selective transparent reflector, visible light, infrared

Description

Transparent Solar Cell

본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 구체적으로 투명 태양전지에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell, and more particularly to a transparent solar cell.

태양 전지는 태양으로부터 방출되는 빛 에너지를 전기 에너지로 전환하는 광전 에너지 변환 시스템(phtovoltaic energy conversion system)이다. 실리콘 태양전지는 입사되는 광에 의해 반도체 내부에서 전자와 정공의 쌍이 생성되고, pn 접합에서 발생한 전기장에 의해 전자는 n형 반도체로 이동하고 정공은 p형 반도체로 이동함으로써 전력을 생산할 수 있다.Solar cells are photovoltaic energy conversion systems that convert light energy emitted from the sun into electrical energy. In a silicon solar cell, a pair of electrons and holes are generated inside a semiconductor by incident light, and electrons move to an n-type semiconductor and holes move to a p-type semiconductor by an electric field generated at a pn junction.

태양전지는 무한한 태양 광원을 소스로 사용하여 전력을 발생하고, 전력의 발생시 공해가 발생하지 않아 대표적인 미래의 친환경 에너지원으로 각광받고 있다. 다만, 태양전지는 광전 에너지 변환 효율이 낮아 실용화에 많은 문제가 있다. 이에 따라, 태양전지를 실용화시키기 위해 광전 에너지 변환 효율을 증가시키기 위한 많은 연구가 진행 중이다.Solar cells generate power by using infinite solar light sources as sources, and no pollution occurs when power is generated. However, solar cells have a lot of problems in practical use because of the low photoelectric energy conversion efficiency. Accordingly, many studies are underway to increase the photoelectric energy conversion efficiency for practical use of solar cells.

본 발명이 이루고자 하는 일 기술적 과제는 광전 에너지 변환 효율이 증가된 투명 태양 전지를 제공하는 데 있다.One object of the present invention is to provide a transparent solar cell with increased photoelectric energy conversion efficiency.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 광전 에너지 변환효율을 증가시킴과 더불어 투명도가 향상된 투명 태양전지를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a transparent solar cell having improved transparency while increasing photoelectric energy conversion efficiency.

본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 다양한 색상을 갖는 투명 태양전지를 제공하는 데 있다.Another technical problem to be achieved by the present invention is to provide a transparent solar cell having a variety of colors.

상기 기술적 과제를 달성하기 위해 본 발명은 투명 태양전지를 제공한다. 상기 투명 태양 전지는 투명 기판; 상기 투명 기판에 접촉된 제1 면 및 상기 제1 면에 대향된 제2 면을 포함하는 선택적 투명 반사막; 상기 선택적 투명 반사막의 상기 제2 면 상에 차례로 적층된 제1 전극, 광전변환층 및 제2 전극을 포함하되, 상기 선택적 투명 반사막은 적어도 일부 파장의 가시광선은 투과하여 상기 투명기판으로 방출시키며 적외선을 반사하여 상기 광전변환층에 입사시킨다.The present invention provides a transparent solar cell to achieve the above technical problem. The transparent solar cell is a transparent substrate; An optional transparent reflective film including a first surface in contact with the transparent substrate and a second surface opposite to the first surface; And a first electrode, a photoelectric conversion layer, and a second electrode, which are sequentially stacked on the second surface of the selective transparent reflecting film, wherein the selective transparent reflecting film transmits visible light of at least a portion of wavelength to the transparent substrate and emits infrared rays. Is reflected to enter the photoelectric conversion layer.

상기 투명 태양전지는 상기 제2 전극 상의 투명 반사 방지막을 더 포함할 수 있다.The transparent solar cell may further include a transparent anti-reflection film on the second electrode.

상기 제1 전극 및 상기 광전 변환층 사이에 개재된 추가 선택적 투명 반사막; 상기 제2 전극 및 광전 변환층 사이에 개재된 추가 투명 반사 방지막; 상기 추가 선택적 투명 반사막을 관통하여 상기 제1 전극과 상기 광전 변환층을 연결하는 제1 플러그 및 상기 추가 투명 반사 방지막을 관통하여 상기 제2 전극과 상기 광전 변환층을 연결하는 제2 플러그를 더 포함할 수 있다.An additional selective transparent reflective film interposed between the first electrode and the photoelectric conversion layer; An additional transparent anti-reflection film interposed between the second electrode and the photoelectric conversion layer; A first plug penetrating the additional selective transparent reflective film to connect the first electrode and the photoelectric conversion layer and a second plug penetrating the additional transparent antireflection film to connect the second electrode and the photoelectric conversion layer; can do.

상기 투명 반사 방지막의 굴절율은 상기 제2 전극의 굴절율보다 작고, 상기 제2 전극의 굴절율은 상기 추가 투명 반사 방지막의 굴절율보다 작으며, 상기 추가 선택적 투명 반사막의 굴절율은 상기 제1 전극의 굴절율보다 작고, 상기 제1 전극의 굴절율은 상기 선택적 투명 반사막의 최소 굴절율보다 작을 수 있다.The refractive index of the transparent antireflection film is smaller than the refractive index of the second electrode, the refractive index of the second electrode is smaller than the refractive index of the additional transparent antireflection film, and the refractive index of the additional selective transparent reflection film is smaller than the refractive index of the first electrode. The refractive index of the first electrode may be smaller than the minimum refractive index of the selective transparent reflective film.

상기 선택적 투명 반사막은 상기 제1 면에서 상기 제2 면으로 위치가 이동됨에 따른 굴절율의 변화를 가질 수 있다.The selective transparent reflective film may have a change in refractive index as the position is moved from the first surface to the second surface.

상기 굴절율의 변화는 감소하는 것일 수 있다.The change in the refractive index may be to decrease.

상기 선택적 투명 반사막은 다수의 교대로 적층된 제1 선택적 투명 반사막 및 제2 선택적 투명 반사막을 더 포함하되, 상기 제1 선택적 투명 반사막 및 상기 제2 선택적 투명 반사막의 굴절율은 다를 수 있다.The selective transparent reflecting film may further include a plurality of alternately stacked first selective transparent reflecting films and a second selective transparent reflecting film, and refractive indices of the first selective transparent reflecting film and the second selective transparent reflecting film may be different.

상기 투명 기판과 가장 인접한 제1 선택적 투명 반사막은 상기 투명 기판과 접폭하고, 상기 제1 전극과 가장 인접한 제2 선택적 투명 반사막은 상기 제1 전극과 접촉하되, 상기 제1 선택적 투명 반사막의 굴절율은 상기 제2 선택적 투명 반사막의 굴절율보다 클 수 있다.The first selective transparent reflective film closest to the transparent substrate contacts the transparent substrate, and the second selective transparent reflective film closest to the first electrode contacts the first electrode, and the refractive index of the first selective transparent reflective film is It may be larger than the refractive index of the second selective transparent reflective film.

상기 투명 태양전지는 상기 선택적 투명 반사막의 상기 제 1면 상에 배치된 다수의 홈을 매립하는 매립 선택적 투명 반사막을 더 포함할 수 있다. The transparent solar cell may further include a buried selective transparent reflective film filling a plurality of grooves disposed on the first surface of the selective transparent reflective film.

상기 선택적 투명 반사막의 최소 굴절율은 상기 매립 선택적 투명 반사막의 굴절율보다 클 수 있다.The minimum refractive index of the selective transparent reflective film may be greater than the refractive index of the buried selective transparent reflective film.

상기 광전변환층은 미세결정 실리콘층을 포함할 수 있다.The photoelectric conversion layer may include a microcrystalline silicon layer.

상기 광전변환층은 상기 미세결정 실리콘층 상에 배치된 비정질 실리콘층을 더 포함할 수 있다.The photoelectric conversion layer may further include an amorphous silicon layer disposed on the microcrystalline silicon layer.

상기 제1 및 제2 전극에 저항개선 물질이 점재된 것을 포함하되, 상기 저항개선 물질의 전도도는 상기 제1 및 제2 전극의 전도도보다 큰 것을 포함할 수 있다.The first and second electrodes may be interspersed with a resistance improvement material, and the conductivity of the resistance improvement material may include greater than the conductivity of the first and second electrodes.

상기 선택적 투명 반사막 및 상기 투명 반사 방지막은 원자층 증착법, 화학 기상 증착법, 물리 기상 증착법, 펄스 레이저 증착법, 졸겔법(Sol-Gel) 중에서 어느 하나의 방법에 의해 형성된 것을 포함할 수 있다.The selective transparent reflection film and the transparent anti-reflection film may include one formed by any one method of atomic layer deposition, chemical vapor deposition, physical vapor deposition, pulse laser deposition, and sol-gel.

상기 선택적 투명 반사막의 제1 파장 영역을 갖는 가시광선의 투과율이 상기 선택적 투명 반사막의 제2 파장 영역을 갖는 가시광선의 투과율보다 높을 수 있다.The transmittance of visible light having a first wavelength region of the selective transparent reflective film may be higher than the transmittance of visible light having a second wavelength region of the selective transparent reflective film.

상기 선택적 투명 반사막의 광학적 두께는 400nm~1000nm 일 수 있다.The optical thickness of the selective transparent reflective film may be 400nm ~ 1000nm.

적외선은 반사하는 선택적 투명 반사막에 의해 흡수되지 않고 투과된 적외선을 다시 흡수하여 광전 에너지 변환 효율을 개선된 투명 태양전지를 제공할 수 있다.The infrared rays may absorb the transmitted infrared rays again without being absorbed by the reflective selective transparent reflective film, thereby providing a transparent solar cell having improved photoelectric energy conversion efficiency.

적어도 일부파장의 가시광선을 투과시키는 선택적 투명 반사막에 의해 투명도가 향상된 투명 태양전지를 제공할 수 있다.A transparent solar cell having improved transparency may be provided by a selective transparent reflective film that transmits at least some wavelengths of visible light.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하 기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해 질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 막이 다른 막 또는 기판상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막이 개재될 수도 있다. 본 명세서에서 '및/또는' 이란 표현은 전후에 나열된 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용된다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed contents can be thorough and complete, and enough to convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. In addition, since according to a preferred embodiment, reference numerals presented in the order of description is not necessarily limited to the order. In the drawings, the thicknesses of the films and regions are exaggerated for clarity. Also, if it is mentioned that the film is on another film or substrate, it may be formed directly on the other film or substrate or a third film may be interposed therebetween. The expression 'and / or' is used herein to include at least one of the components listed before and after.

도 1 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a transparent solar cell according to an embodiment of the present invention.

도 1 을 참조하면, 투명 기판(110)이 제공된다. 상기 투명 기판(110) 상에 선택적 투명 반사막(120)이 배치될 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)은 상기 투명 기판(110)에 접촉된 제1 면 및 상기 제1 면에 대향된 제2 면을 포함할 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)은 적어도 일부 파장의 가시광선은 투과시키고, 적외선은 반사시키는 것이 바람직하다. 상기 선택적 투명 반사막(120)의 상기 제2 면 상에 제1 전극(130)이 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(130) 상에 제2 전극(138)이 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(130) 및 상기 제2 전극(138) 사이에 광전 변화층(132)이 개재될 수 있다. 이에 따라, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 상기 제2 면 상에 상기 제1 전극(130), 상기 광전 변화층(132) 및 상기 제2 전극(138)이 차례로 배치되어 적층 될 수 있다. 상기 제2 전극 상에 투명 반사 방지막(140)이 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1, a transparent substrate 110 is provided. An optional transparent reflective film 120 may be disposed on the transparent substrate 110. The selective transparent reflective layer 120 may include a first surface in contact with the transparent substrate 110 and a second surface opposite to the first surface. The selective transparent reflective film 120 transmits visible light of at least some wavelengths and reflects infrared rays. The first electrode 130 may be disposed on the second surface of the selective transparent reflection film 120. The second electrode 138 may be disposed on the first electrode 130. A photoelectric change layer 132 may be interposed between the first electrode 130 and the second electrode 138. Accordingly, the first electrode 130, the photoelectric change layer 132, and the second electrode 138 may be sequentially stacked on the second surface of the selective transparent reflective film 120. The transparent anti-reflection film 140 may be disposed on the second electrode.

투명이라는 용어는 사전적인 의미로 물체가 빛을 잘 통과시키는 것을 일컫는다. 그리고 물체의 투명 정도는 투명도로 표현될 수 있다. 투명도(혹은 투과도)는 물질이 투명한 정도 즉, 매질을 투과한 빛의 양을 매질에 입사된 빛의 양으로 나눈 값으로 정의될 수 있다. 본 명세서에서 투명이라는 용어는 투명도가 100% 인 경우뿐만이 아니라, 그 이하의 투명도를 갖는 경우에도 사용될 수 있다.The term transparency is a dictionary meaning that an object passes light well. And the degree of transparency of the object can be expressed as transparency. Transparency (or transmittance) may be defined as the degree of transparency of the material, that is, the amount of light transmitted through the medium divided by the amount of light incident on the medium. In the present specification, the term transparent may be used not only when the transparency is 100% but also when the transparency is lower than that.

상기 투명 반사 방지막(140)은 수광면을 포함할 수 있다. 상기 수광면으로 태양광이 조사될 수 있다. 상기 투명 반사 방지막(140)의 수광면으로 조사된 태양광은 상기 투명 반사 방지막(140)을 투과할 수 있다. 예를 들어, 상기 투명 반사 방지막(140)의 입사된 빛에 대한 투과도는 대략 60~90% 일 수 있다. 상기 투명 반사 방지막(140)의 상기 수광면은 요철구조를 갖도록 텍스처링될 수 있다. 상기 요철구조는 규칙적으로 배열된 역 피라미드 패턴을 포함할 수 있다. 이로 인해, 상기 투명 반사 방지막(140)의 수광면에서 태양광이 반사되는 것이 최소화될 수 있다. 상기 투명 반사 방지막(140)은 알루미늄 티타늄 산화물, 실리콘 티타늄 산화물, 알루미늄 지르코늄 산화물, 지르코늄 티타늄 산화물, 하프늄 티타늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물, 실리콘 산화물, 질화 실리콘 산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The transparent anti-reflection film 140 may include a light receiving surface. Sunlight may be irradiated onto the light receiving surface. Sunlight irradiated onto the light receiving surface of the transparent anti-reflection film 140 may pass through the transparent anti-reflection film 140. For example, the transparency of incident light of the transparent anti-reflection film 140 may be about 60 to 90%. The light receiving surface of the transparent anti-reflection film 140 may be textured to have an uneven structure. The uneven structure may include an inverse pyramid pattern arranged regularly. Thus, reflection of sunlight from the light receiving surface of the transparent anti-reflection film 140 may be minimized. The transparent anti-reflection film 140 is at least one of aluminum titanium oxide, silicon titanium oxide, aluminum zirconium oxide, zirconium titanium oxide, hafnium titanium oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, aluminum oxide, silicon oxide, silicon nitride oxide. It may include.

상기 제2 전극(138)에 입사된 태양광은 상기 제2 전극(138)을 투과할 수 있 다. 예를 들어, 상기 제2 전극(138)의 투과도는 80~90% 일 수 있다. 상기 제2 전극(138)은 투명한 도전물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 투명한 도전물질은 ZnO:Al, ZnO:Ga, ITO, SnO₂, SnO:F, RuO₂, IrO₂, Cu₂O 를 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(138)은 저항개선 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 저항 개선 물질은 상기 제2 전극(138) 내에 점재 될 수 있다. 상기 저항개선 물질의 전도성은 상기 투명 전극보다 전도성이 높을 수 있다. 예를 들어, 상기 저항개선 물질은 알루미늄, 백금, 몰리브덴, 은, 금, 티타늄, 질화 티타늄, 탄탈륨, 질화 탄탈룸, 니겔, 구리, 납, 아연, 코발트 및 주석 및 그래파이트(graphite)를 포함할 수 있다. 상기 저항 개선물질로 인하여, 상기 제2 전극(138)의 저항이 감소 될 수 있다. 따라서, 상기 제2 전극(138)에서 전기 에너지의 손실이 감소할 수 있고, 상기 투명 태양전지의 효율이 개선될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(138)에 점재된 저항개선 물질의 양에 따라 상기 투명 태양전지의 투명도가 조절될 수 있다.Sun light incident on the second electrode 138 may pass through the second electrode 138. For example, the transmittance of the second electrode 138 may be 80 to 90%. The second electrode 138 may include a transparent conductive material. For example, the transparent conductive material may include ZnO: Al, ZnO: Ga, ITO, SnO ₂ , SnO: F, RuO ₂ , IrO ₂ , Cu ₂ O. The second electrode 138 may further include a resistance improving material. The resistance improving material may be interspersed in the second electrode 138. The conductivity of the resistance improving material may be higher than that of the transparent electrode. For example, the resistance improving material may include aluminum, platinum, molybdenum, silver, gold, titanium, titanium nitride, tantalum, tantalum nitride, nigel, copper, lead, zinc, cobalt and tin, and graphite (graphite). . Due to the resistance improving material, the resistance of the second electrode 138 may be reduced. Therefore, the loss of electrical energy in the second electrode 138 can be reduced, and the efficiency of the transparent solar cell can be improved. In addition, transparency of the transparent solar cell may be adjusted according to the amount of resistance improving material interspersed with the second electrode 138.

상기 제2 전극(138)을 투과한 태양광은 상기 광전 변환층(132)에 도달할 수 있다. 상기 광전 변화층(132)은 제1 도전형과 제2 도전형을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형은 n형이고, 상기 제2 도전형은 p형 일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등 5족 원소에 의해 도핑된 것을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형은 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등 3족 원소에 의해 도핑된 것을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 및 상기 제2 도전형 사이에 PN 접합이 형성될 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 도전형 및 상기 제2 도전형 사이에 불순물이 도핑되지 않은 막이 개재될 수 있다.The sunlight transmitted through the second electrode 138 may reach the photoelectric conversion layer 132. The photovoltaic layer 132 may include a first conductivity type and a second conductivity type. The first conductivity type may be n-type, and the second conductivity type may be p-type. For example, the first conductivity type may include one doped with a Group 5 element such as phosphorus (P), arsenic (As), and antimony (Sb). The second conductivity type may include those doped with Group III elements such as boron (B), gallium (Ga), and indium (In). A PN junction may be formed between the first conductivity type and the second conductivity type. Alternatively, an impurity doped film may be interposed between the first conductivity type and the second conductivity type.

상기 광전 변환층(132)에 도달된 태양광은 캐리어(예를 들어, 전자 또는 홀)를 발생시킬 수 있다. 상기 캐리어(예를 들어, 전자 또는 홀)는 상기 PN 접합에 발생된 전계에 의해 제1 도전형 및 제2 도전형으로 이동될 수 있다. 예를 들어, 전자는 N형으로 이동될 수 있고, 홀은 P형으로 이동될 수 있다. 상기 N형 및 상기 P형 으로 이동된 상기 전자 및 상기 홀은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 통해 전자소자(미도시)로 전달되어 전기 에너지를 공급할 수 있다.The sunlight reaching the photoelectric conversion layer 132 may generate carriers (eg, electrons or holes). The carrier (eg, electrons or holes) may be moved to the first conductivity type and the second conductivity type by the electric field generated at the PN junction. For example, electrons can be moved to N-type and holes can be moved to P-type. The electrons and the holes moved to the N-type and the P-type may be transferred to an electronic device (not shown) through the first electrode and the second electrode to supply electrical energy.

상기 광전 변환층(132)은 단일층 또는 다층일 수 있다. 상기 광전 변환층(132)은 미세결정 실리콘층 및 비정질 실리콘층 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 미세결정 실리콘층 및 상기 비정질 실리콘층은 입사되는 빛의 파장에 따라 흡수율이 다를 수 있다. 상기 미세결정 실리콘층 및 상기 비정질 실리콘층의 빛의 파장에 따른 흡수율이 도 3 의 그래프를 참조하여 설명된다.The photoelectric conversion layer 132 may be a single layer or multiple layers. The photoelectric conversion layer 132 may include at least one of a microcrystalline silicon layer and an amorphous silicon layer. The microcrystalline silicon layer and the amorphous silicon layer may have different absorption rates depending on the wavelength of incident light. Absorption rate according to the wavelength of light of the microcrystalline silicon layer and the amorphous silicon layer is described with reference to the graph of FIG.

도 3 은 미세결정 실리콘층, 비정질 실리콘층의 빛의 파장에 따른 흡수율을 나타내는 그래프이다.3 is a graph showing the absorption rate according to the wavelength of light of the microcrystalline silicon layer and the amorphous silicon layer.

도 3 을 참조하면, 적외선 영역의 파장의 빛에 대한 흡수율은 상기 미세결정 실리콘층이 상기 비정질 실리콘층보다 높다. 반면, 가시광선 영역의 파장의 빛에 대한 흡수율은 상기 비정질 실리콘층이 상기 미세결정 실리콘층보다 높다. 이에 따라, 가시광선 영역의 파장의 빛에 대한 투과율은 상기 미세결정 실리콘층이 높다. 따라서, 충분한 투명도를 확보하기 위해서는 상기 비정질 실리콘층을 광전 변환층(132)으로 사용하는 것보다는 상기 미세결정 실리콘층을 사용하는 것이 유리할 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 태양전지는 충분한 투명성을 확보하기 위해 상기 광전 변환층(132)은 상기 미세결정 실리콘층을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 상술된 바와 같이, 상기 광전 변환층(132)은 상기 미세결정 실리콘층과 상기 비정질 실리콘층을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 비정질 실리콘층이 가시광선 영역의 파장의 빛에 대한 흡수율이 높기 때문에 상기 투명 태양전지의 광전 에너지 변환 효율이 개선될 수 있다. 투명 태양전지의 광전 에너지 변환 효율 향상을 위해 상기 비정질 실리콘층이 포함된 상기 광전 변환층(132)이 도 4 를 참조하여 설명된다.Referring to FIG. 3, the absorption rate of light having a wavelength in the infrared region is higher in the microcrystalline silicon layer than in the amorphous silicon layer. On the other hand, the absorption of light of the wavelength of the visible light region is higher in the amorphous silicon layer than the microcrystalline silicon layer. Accordingly, the microcrystalline silicon layer has a high transmittance for light having a wavelength in the visible light region. Therefore, in order to secure sufficient transparency, it may be advantageous to use the microcrystalline silicon layer rather than the amorphous silicon layer as the photoelectric conversion layer 132. In the transparent solar cell according to the exemplary embodiment of the present invention, the photoelectric conversion layer 132 may include the microcrystalline silicon layer to secure sufficient transparency. Alternatively, as described above, the photoelectric conversion layer 132 may include the microcrystalline silicon layer and the amorphous silicon layer. In this case, since the amorphous silicon layer has a high absorption rate for light of a wavelength in the visible light region, the photoelectric energy conversion efficiency of the transparent solar cell may be improved. The photoelectric conversion layer 132 including the amorphous silicon layer is described with reference to FIG. 4 to improve the photoelectric energy conversion efficiency of the transparent solar cell.

도 4 는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광전 변환층을 설명하기 위한 단면도이다.4 is a cross-sectional view for describing a photoelectric conversion layer according to an exemplary embodiment.

도 4 를 참조하면, 상기 광전 변환층(132)은 제1 도전형층(133) 및 상기 제1 도전형층(133) 상에 차례로 적층된 제1 광전 변환층(134) 및 제2 광전 변환층(135)을 포함할 수 있다. 상기 제2 광전 변환층(135) 상에 제2 도전형층(136)이 배치될 수 있다. 상기 제1 도전형층(133)은 N형이고, 상기 제2 도전형층(136)은 P형일 수 있다. 상기 제1 광전 변환층(134)은 미세결정 실리콘층이고, 상기 제2 광전 변환층(135)은 비정질 실리콘층일 수 있다. 상기 제1 광전 변환층(134) 및 상기 제2 광전 변환층(135)은 도핑되지 않은 것일 수 있다. 상기 광전 변환층(132)이 비정질 실리콘층을 포함하여, 상기 투명 태양전지의 광전 에너지 변환 효율이 향상될 수 있다.Referring to FIG. 4, the photoelectric conversion layer 132 includes a first photoelectric conversion layer 134 and a second photoelectric conversion layer 134 sequentially stacked on the first conductive type layer 133. 135). The second conductivity type layer 136 may be disposed on the second photoelectric conversion layer 135. The first conductivity type layer 133 may be N type, and the second conductivity type layer 136 may be P type. The first photoelectric conversion layer 134 may be a microcrystalline silicon layer, and the second photoelectric conversion layer 135 may be an amorphous silicon layer. The first photoelectric conversion layer 134 and the second photoelectric conversion layer 135 may be undoped. Since the photoelectric conversion layer 132 includes an amorphous silicon layer, the photoelectric energy conversion efficiency of the transparent solar cell may be improved.

상기 광전 변환층(132)의 두께를 조절하여 상기 투명 태양전지의 투명도가 조절될 수 있다. 예를 들어, 상기 광전 변환층(132)은 미세결정 실리콘층 및/또는 비정질 실리콘층을 포함할 수 있다. 상술된 바와 같이, 상기 비정질 실리콘층이 가시광선 영역의 빛의 파장에 대한 흡수율이 높다. 이에 따라, 상기 투명 태양전지의 투명도는 상기 미세결정 실리콘층의 두께보다는 상기 비정질 실리콘층의 두께에 더 민감하게 조절될 수 있다. 투명도를 증가시키기 위해 상기 광전 변환층(132)은 박막의 형태일 수 있다. 상기 광전 변환층(132)은 수 마이크로 미터의 두께일 수 있다.The transparency of the transparent solar cell may be controlled by adjusting the thickness of the photoelectric conversion layer 132. For example, the photoelectric conversion layer 132 may include a microcrystalline silicon layer and / or an amorphous silicon layer. As described above, the amorphous silicon layer has a high absorption rate with respect to the wavelength of light in the visible light region. Accordingly, the transparency of the transparent solar cell may be adjusted more sensitively to the thickness of the amorphous silicon layer than the thickness of the microcrystalline silicon layer. In order to increase transparency, the photoelectric conversion layer 132 may be in the form of a thin film. The photoelectric conversion layer 132 may be several micrometers thick.

상기 광전 변환층(132)에 입사된 태양광 중에서 흡수되지 않은 태양광은 상기 광전 변환층(132)을 투과할 수 있다. 예를 들어, 상기 광전 변환층(132)이 미세결정 실리콘층을 포함하는 경우, 상기 광전 변환층(132)의 가시광선에 대한 투과율은 5~70%일 수 있다.Solar light that is not absorbed among the sunlight incident on the photoelectric conversion layer 132 may pass through the photoelectric conversion layer 132. For example, when the photoelectric conversion layer 132 includes a microcrystalline silicon layer, the transmittance of visible light of the photoelectric conversion layer 132 may be 5 to 70%.

상기 광전 변환층(132)을 투과한 태양광은 상기 제1 전극(130)에 도달할 수 있다. 상기 제1 전극(130)에 입사된 태양광은 상기 제1 전극(130)을 투과할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(130)의 투과도는 80~90% 일 수 있다. 상기 제1 전극(130)은 투명한 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 투명한 도전 물질은 ZnO:Al, ZnO:Ga, ITO, SnO₂, SnO:F, RuO₂, IrO₂, Cu₂O 를 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(130)은 저항개선 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 저항 개선물질은 상기 제1 전극(130)내에 점재될 수 있다. 상기 저항개선 물질의 전도성은 상기 제1 전극(130)의 전도성이 높을 수 있다. 예를 들어, 상기 저항개선 물질은 알루미늄, 백 금, 몰리브덴, 은, 금, 티타늄, 질화 티타늄, 탄탈륨, 질화 탄탈룸, 니겔, 구리, 납, 아연, 코발트 및 주석 및 그래파이트(graphite)를 포함할 수 있다. 이로 인해, 상기 제1 전극(130)의 저항이 감소 될 수 있다. 이로 인해 상기 제1 전극(130)에서 전기 에너지의 손실이 감소할 수 있고, 상기 투명 태양전지의 효율이 개선될 수 있다. 상기 저항 개선물질은 불투명할 수 있다. 따라서, 상기 제1 전극(130)에 점재된 상기 저항개선 물질에 의해 상기 투명 태양전지의 투명도가 조절될 수 있다. Sunlight transmitted through the photoelectric conversion layer 132 may reach the first electrode 130. Sun light incident on the first electrode 130 may pass through the first electrode 130. For example, the transmittance of the first electrode 130 may be 80 to 90%. The first electrode 130 may include a transparent conductive material. For example, the transparent conductive material may include ZnO: Al, ZnO: Ga, ITO, SnO ₂ , SnO: F, RuO ₂ , IrO ₂ , Cu ₂ O. The first electrode 130 may further include a resistance improving material. The resistance improving material may be interspersed in the first electrode 130. The conductivity of the resistance improving material may have high conductivity of the first electrode 130. For example, the resistance improving material may include aluminum, platinum, molybdenum, silver, gold, titanium, titanium nitride, tantalum, tantalum nitride, nigel, copper, lead, zinc, cobalt and tin, and graphite (graphite). have. As a result, the resistance of the first electrode 130 may be reduced. As a result, loss of electrical energy in the first electrode 130 may be reduced, and efficiency of the transparent solar cell may be improved. The resistance improving material may be opaque. Therefore, transparency of the transparent solar cell may be controlled by the resistance improving material interspersed with the first electrode 130.

상기 제1 전극(130)을 투과한 태양광은 상기 선택적 투명 반사막(120)으로 입사될 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)의 특정 영역에 해당하는 파장의 빛에 대한 반사율이 나머지 영역에 해당하는 파장의 빛에 대한 반사율보다 높을 수 있다. 상기 반사율이 낮은 파장의 빛은 상시 선택적 투명 반사막(120)에 대한 투과도가 높을 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)에서 반사율이 높은 파장 영역을 반사 파장영역이라 하고, 상기 선택적 투명 반사막(120)을 투과율이 높은 파장 영역을 투과 파장영역이라 한다. 예를 들어, 상기 반사 파장 영역은 적외선 영역인 것이 바람직하다. 상기 선택적 투명 반사막(120)의 적외선 영역에 대한 반사율은 10~90%일 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)에서 반사된 적외선은 상기 광전 변환층(132)로 재입사 될 수 있다. 상기 재입사된 적외선에 의해 상기 투명 태양전지의 광전 에너지 변환 효율이 증가 될 수 있다. 따라서, 상기 광전 변환층(132)의 적외선 영역의 빛에 대한 흡수율이 높은 것이 광전 에너지 변환효율의 향상에 유리할 수 있다. 이에 따라, 상술된 바와 같이, 상기 광전 변환층(132)은 상기 미세결정 실리콘층을 포함할 수 있다. 한편, 상기 투과 파장영역은 적어도 일부의 가시광 선 영역인 것이 바람직하다. 상기 선택적 투명 반사막(120)의 가시광선에 대한 투과율은 5~70%일 수 있다. 이로 인해, 상기 투명 태양전지의 높은 투명도를 가질 수 있다.Sunlight transmitted through the first electrode 130 may be incident to the selective transparent reflection layer 120. The reflectance of light of a wavelength corresponding to a specific region of the selective transparent reflective film 120 may be higher than the reflectance of light of a wavelength corresponding to the remaining region. The light having a low reflectance may have high transmittance with respect to the selective transparent reflective film 120 at all times. In the selective transparent reflection film 120, a wavelength region having a high reflectance is called a reflection wavelength region, and in the selective transparent reflection film 120, a wavelength region having a high transmittance is called a transmission wavelength region. For example, the reflection wavelength region is preferably an infrared region. The reflectivity of the selective transparent reflective film 120 in the infrared region may be 10 to 90%. Infrared rays reflected by the selective transparent reflection layer 120 may be re-entered into the photoelectric conversion layer 132. Photoelectric energy conversion efficiency of the transparent solar cell may be increased by the re-incident infrared rays. Accordingly, a high absorption rate of light in the infrared region of the photoelectric conversion layer 132 may be advantageous for improving photoelectric energy conversion efficiency. Accordingly, as described above, the photoelectric conversion layer 132 may include the microcrystalline silicon layer. On the other hand, the transmission wavelength region is preferably at least part of the visible light region. The transmittance of visible light of the selective transparent reflective film 120 may be 5 to 70%. For this reason, the transparent solar cell may have high transparency.

상기 반사 파장영역 및 투과 파장영역은 상기 선택적 투명 반사막(120)의 광학적 두께에 의해 조절될 수 있다. 상기 광학적 두께는 매질의 물리적 두께와 매질의 굴절률의 곱으로 표현될 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)의 굴절율은 상기 선택적 투명 반사막(120)을 구성하는 물질의 조성비에 따라서 달라질 수 있다. 예를 들어, 상기 선택적 투명 반사막(120)이 알루미늄 티타늄 산화물을 포함하는 경우, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 굴절율은 각 원소의 조성비(알루미늄:티타늄:산소)에 의해 조절될 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)을 구성하는 물질의 조성비 및 두께는 상기 선택적 투명 반사막(120)의 형성과정에서 조절될 수 있다. 이에 따라, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 광학적 두께는 상기 선택적 투명 반사막(120)의 형성과정에서 조절될 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)의 광학적 두께는 적어도 일부 파장의 가시광선은 투과하고, 적외선은 반사하도록 조절될 수 있다. 예를 들어, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 광학적 두께는 400~1000[nm] 일 수 있다.The reflection wavelength region and the transmission wavelength region may be adjusted by the optical thickness of the selective transparent reflection layer 120. The optical thickness may be expressed as the product of the physical thickness of the medium and the refractive index of the medium. The refractive index of the selective transparent reflective film 120 may vary depending on the composition ratio of the material constituting the selective transparent reflective film 120. For example, when the selective transparent reflective film 120 includes aluminum titanium oxide, the refractive index of the selective transparent reflective film 120 may be controlled by the composition ratio (aluminum: titanium: oxygen) of each element. The composition ratio and thickness of the material constituting the selective transparent reflective film 120 may be adjusted during the formation of the selective transparent reflective film 120. Accordingly, the optical thickness of the optional transparent reflective film 120 may be adjusted during the formation of the selective transparent reflective film 120. The optical thickness of the optional transparent reflective film 120 may be adjusted to transmit visible light of at least some wavelengths and reflect infrared light. For example, the optical thickness of the selective transparent reflective film 120 may be 400 ~ 1000 [nm].

상기 선택적 투명 반사막(120)은 가시광선의 일부 파장 영역을 반사할 수 있다. 예를 들어, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 투과 파장 영역은 가시광선 영역의 제1 파장 영역이고, 반사 파장 영역은 가시광선 영역의 제2 파장 영역일 수 있다. 이로 인해, 상기 제1 파장 영역의 빛은 상기 선택적 투명 반사막(120)을 투과 하여 상기 투명 태양전지를 관통할 수 있다. 반면, 상기 제2 파장 영역의 빛은 반사되어 상기 광전 변환층(132)에서 흡수될 수 있다. 따라서, 상기 투명 태양전지를 관통한 빛은 특정 색상을 가질 수 있다. 또한, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 제1 파장 영역이 변경되는 경우 상기 투명 태양전지를 관통한 빛의 색상이 변경될 수 있다.The selective transparent reflective film 120 may reflect a portion of a wavelength range of visible light. For example, the transmission wavelength region of the selective transparent reflection film 120 may be a first wavelength region of the visible light region, and the reflection wavelength region may be a second wavelength region of the visible light region. As a result, the light of the first wavelength region may pass through the selective transparent reflective layer 120 to pass through the transparent solar cell. On the other hand, the light of the second wavelength region may be reflected and absorbed by the photoelectric conversion layer 132. Therefore, the light passing through the transparent solar cell may have a specific color. In addition, when the first wavelength region of the selective transparent reflective film 120 is changed, the color of light passing through the transparent solar cell may be changed.

상기 선택적 투명 반사막(120)은 상기 투명 기판(110)에 접촉된 상기 제1 면에서 상기 제1 면에 대향된 상기 제2 면으로 위치가 이동됨에 따른 굴절율의 변화를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 굴절율은 상기 제1 면에서 상기 제2 면으로 이동할수록 감소 될 수 있다. 이로 인해, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 투과 파장영역의 빛에 대한 투과도가 증가될 수 있다. 예를 들어, 상기 선태적 투명 반사막(120)은 가시광선 영역의 빛을 더 잘 투과시킬 수 있다. 이로 인해, 상기 투명 태양전지의 투명도가 증가할 수 있다. 상기 굴절율의 변화에 따라, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 굴절율은 최소 및 최대 굴절율을 가질 수 있다.The selective transparent reflective film 120 may have a change in refractive index as the position is moved from the first surface in contact with the transparent substrate 110 to the second surface opposite to the first surface. For example, the refractive index of the selective transparent reflective film 120 may decrease as it moves from the first surface to the second surface. As a result, the transmittance of light in the transmission wavelength region of the selective transparent reflection layer 120 may be increased. For example, the selective transparent reflective film 120 may transmit light in the visible light region better. For this reason, transparency of the transparent solar cell may increase. According to the change of the refractive index, the refractive index of the selective transparent reflective film 120 may have a minimum and maximum refractive index.

이와는 달리, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 전체는 균일한 굴절율을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 선택적 투명 반사막의 최소 굴절율 및 최대 굴절율은 동일하다.Unlike this, the entirety of the optional transparent reflective film 120 may have a uniform refractive index. In this case, the minimum refractive index and the maximum refractive index of the selective transparent reflecting film are the same.

상기 선택적 투명 반사막(120)은 단일막 또는 다층막일 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)이 단일막인 경우와 다층막인 경우에 따라서, 상기 반사 파장영역의 폭이 달라질 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)이 복수의 막으로 구성 됨에 따른 반사 파장영역의 폭의 변화를 도 5 를 참조하여 설명한다.The selective transparent reflective film 120 may be a single film or a multilayer film. Depending on the case where the selective transparent reflective film 120 is a single film or a multilayer film, the width of the reflective wavelength region may vary. A change in the width of the reflective wavelength region as the selective transparent reflective film 120 is composed of a plurality of films will be described with reference to FIG. 5.

도 5 는 선택적 투명 반사막을 구성하는 막의 개수와 선택적 투명 반사막이 반사하는 빛의 파장 대역의 폭과의 관계를 나타내는 그래프로써, 선택적 투명 반사막의 반사 파장 영역이 적외선 영역에 해당하는 경우이다.FIG. 5 is a graph showing the relationship between the number of films constituting the selective transparent reflection film and the width of the wavelength band of the light reflected by the selective transparent reflection film, in which the reflection wavelength region of the selective transparent reflection film corresponds to the infrared region.

도 5 를 참조하면, 상술된 바와 같이, 상기 선택적 투명 반사막(120)은 단일막 또는 복수의 막을 포함할 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)이 단일막인 경우, 상기 반사 파장영역의 폭이 좁다. 반면, 상기 선택적 투명 반사막(120)이 복수의 막을 포함하고, 상기 막의 개수가 증가할수록, 상기 반사 파장영역의 폭이 넓어진다. 상기 반사 파장영역의 폭이 넓어지면, 상기 선택적 투명 반사막(120)이 반사하는 빛(예를 들어, 적외선)의 양이 증가할 수 있다. 반사 파장 영역의 빛(예를 들어, 적외선)은 상기 광전 변환층(132)에서 흡수되어 전기 에너지로 전환될 수 있다. 이에 따라, 상기 선택적 투명 반사막(120)이 복수의 막을 포함할수록 상기 투명 태양전지의 광전 에너지 변환 효율이 증가할 수 있다. 이와는 달리, 상기 반사 파장영역의 폭이 좁아지면, 상기 투과 파장영역의 빛(예를 들어, 가시광선)의 양이 증가할 수 있다. 이로 인해, 상기 투명 태양전지는 보다 높은 투명도를 가질 수 있다.Referring to FIG. 5, as described above, the selective transparent reflective film 120 may include a single film or a plurality of films. When the selective transparent reflective film 120 is a single film, the width of the reflective wavelength region is narrow. On the other hand, the selective transparent reflecting film 120 includes a plurality of films, and as the number of films increases, the width of the reflecting wavelength region becomes wider. When the width of the reflective wavelength region is wider, the amount of light (eg, infrared light) reflected by the selective transparent reflective film 120 may increase. Light (eg, infrared rays) in the reflection wavelength region may be absorbed by the photoelectric conversion layer 132 and converted into electrical energy. Accordingly, the photoelectric energy conversion efficiency of the transparent solar cell may increase as the selective transparent reflecting film 120 includes a plurality of films. In contrast, when the width of the reflection wavelength region is narrowed, the amount of light (eg, visible light) in the transmission wavelength region may increase. For this reason, the transparent solar cell may have a higher transparency.

상술한 바와 같이, 상기 선택적 투명 반사막(120)은 복수의 막을 포함할 수 있다. 상기 복수의 막들은 서로 다른 굴절율을 갖는 막들이 적층된 것일 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)이 서로 다른 굴절율을 갖는 복수의 막을 포함하는 경우를 도 6 를 참조하여 설명한다.As described above, the selective transparent reflective film 120 may include a plurality of films. The plurality of films may be a stack of films having different refractive indices. A case in which the selective transparent reflective film 120 includes a plurality of films having different refractive indices will be described with reference to FIG. 6.

도 6 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 선택적 투명 반사막을 설명하기 위한 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a selective transparent reflective film according to an embodiment of the present invention.

도 6 을 참조하면, 상기 선택적 투명 반사막(120)은 복수의 막(200, 202, 210, 212)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 막(200, 202, 210, 212)은 교대로 적층된 제1 선택적 투명 반사막(200, 202) 및 제2 선택적 투명 반사막(210, 212)을 포함할 수 있다. 상기 제1 선택적 투명 반사막(200, 202) 및 상기 제2 선택적 투명 반사막(210, 212)의 굴절율은 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 선택적 투명 반사막(200, 202)의 굴절율은 상기 제2 선택적 투명 반사막(210, 212)의 굴절율보다 클 수 있다. 상기 투명 기판(110)과 가장 인접한 제1 선택적 투명 반사막(200)은 상기 투명 기판(110)과 접촉하고, 상기 제1 전극(130)과 가장 인접한 제2 선택적 투명 반사막(212)은 상기 제1 전극(130)과 접촉할 수 있다. 상기 제1 선택적 투명 반사막(200, 202)은 상기 제2 선택적 투명 반사막(210, 212)의 굴절율보다 클 수 있다. 도면에는 비록 각각 2개의 제1 선택적 투명 반사막 및 제2 선택적 투명 반사막이 도시되었지만, 복수의 제1 선택적 투명 반사막 및 제2 선택적 투명 반사막이 더 배치될 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)이 서로 다른 굴절율을 갖는 복수의 막으로 구성됨으로써, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 반사 파장영역에 대한 반사율이 증가될 수 있다. 예를 들어, 상기 선택적 투명 반사막(120)에서 반사되는 적외선의 양이 증가할 수 있다. 상기 반사된 적외선은 상기 광전 변환층(132)에서 재흡수될수 있다. 따라서, 상기 투명 태양전지의 광전 에너지 변환 효율이 증가할 수 있다.Referring to FIG. 6, the selective transparent reflective film 120 may include a plurality of films 200, 202, 210, and 212. The plurality of films 200, 202, 210, and 212 may include first and second selective transparent reflective films 200 and 202 and second selective transparent reflective films 210 and 212 that are alternately stacked. The refractive indexes of the first selective transparent reflective films 200 and 202 and the second selective transparent reflective films 210 and 212 may be different from each other. For example, the refractive indices of the first selective transparent reflecting films 200 and 202 may be greater than the refractive indices of the second selective transparent reflecting films 210 and 212. The first selective transparent reflective film 200 closest to the transparent substrate 110 contacts the transparent substrate 110, and the second selective transparent reflective film 212 closest to the first electrode 130 is the first first transparent reflective film 200. The electrode 130 may be in contact with the electrode 130. The first selective transparent reflective films 200 and 202 may be larger than the refractive indices of the second selective transparent reflective films 210 and 212. Although two first selective transparent reflective films and a second selective transparent reflective film are respectively shown in the drawings, a plurality of first selective transparent reflective films and a second selective transparent reflective film may be further disposed. Since the selective transparent reflective film 120 is composed of a plurality of films having different refractive indices, the reflectance of the selective transparent reflective film 120 in the reflective wavelength region may be increased. For example, the amount of infrared light reflected by the selective transparent reflective film 120 may increase. The reflected infrared rays may be reabsorbed by the photoelectric conversion layer 132. Therefore, the photoelectric energy conversion efficiency of the transparent solar cell may increase.

상기 선택적 투명 반사막(120)은 상기 선택적 투명 반사막(120)과 다른 굴절울을 갖는 패터닝된 반사막을 포함할 수 있다. 이를 도 7 을 참조하여 설명한다.The selective transparent reflecting layer 120 may include a patterned reflecting layer having a refractive index different from that of the selective transparent reflecting layer 120. This will be described with reference to FIG. 7.

도 7 은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 선택적 투명 반사막을 설명하기 위한 단면도이다.7 is a cross-sectional view illustrating a selective transparent reflective film according to another embodiment of the present invention.

도 7 을 참조하면, 상기 선택적 투명 반사막(120)은 상기 제2 면에 복수의 홈(122)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 홈(122) 중에서 인접한 홈 사이의 간격을 미세하게하여 텍스처링 효과가 발생 되도록 할 수 있다. 예를 들어, 상기 인접한 홈 사이의 간격은 300nm~1mm 일 수 있다. 상기 복수의 홈(122)을 매립하는 매립 선택적 투명 반사막(124)이 배치될 수 있다. 상기 매립 선택적 투명 반사막(124)은 상기 제1 전극(130)과 접촉할 수 있다. 상기 매립 선택적 투명 반사막(124)과 상기 선택적 투명 반사막(120)의 굴절율은 다를 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)의 최소 굴절율이 상기 매립 선택적 투명 반사막(124)의 굴절율보다 클 수 있다. 상기 투명 전극(110) 및 상기 제1 전극(130) 사이에 상기 선태적 투명 반사막(120) 및 상기 매립 선택적 투명 반사막(124)이 개재됨으로써, 반사 파장영역에 대한 반사율이 증가할 수 있다. 예를 들어, 상기 선택적 투명 반사막(120)에서 반사되는 적외선의 양이 증가할 수 있다. 상기 반사된 적외선은 상기 광전 변환층(132)에서 재흡수될수 있다. 따라서, 상기 투명 태양전지의 광전 에너지 변환 효율이 증가할 수 있다.Referring to FIG. 7, the selective transparent reflective film 120 may include a plurality of grooves 122 on the second surface. The spacing between adjacent grooves among the plurality of grooves 122 may be made smaller to cause a texturing effect. For example, the distance between the adjacent grooves may be 300nm ~ 1mm. A buried selective transparent reflective film 124 may be disposed to fill the plurality of grooves 122. The buried selective transparent reflection layer 124 may be in contact with the first electrode 130. The refractive index of the buried optional transparent reflective film 124 and the selective transparent reflective film 120 may be different. The minimum refractive index of the selective transparent reflective film 120 may be greater than the refractive index of the buried selective transparent reflective film 124. The optional transparent reflective film 120 and the buried selective transparent reflective film 124 are interposed between the transparent electrode 110 and the first electrode 130, thereby increasing the reflectance of the reflective wavelength region. For example, the amount of infrared light reflected by the selective transparent reflective film 120 may increase. The reflected infrared rays may be reabsorbed by the photoelectric conversion layer 132. Therefore, the photoelectric energy conversion efficiency of the transparent solar cell may increase.

상기 선택적 투명 반사막(120)은 알루미늄 티타늄 산화물, 실리콘 티타늄 산화물, 알루미늄 지르코늄 산화물, 지르코늄 티타늄 산화물, 하프늄 티타늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물, 실리콘 산화물, 질화 실리콘 산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The selective transparent reflective layer 120 may include at least one of aluminum titanium oxide, silicon titanium oxide, aluminum zirconium oxide, zirconium titanium oxide, hafnium titanium oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, aluminum oxide, silicon oxide, and silicon nitride oxide. It may include.

상기 선택적 투명 반사막(120)의 투과 파장영역의 빛은 상기 투명 기판(110)에 도달할 수 있다. 상기 투과 파장영역은 가시광선 영역일 수 있다. 이에 따라, 상기 투명 태양전지는 투명할 수 있다. 상기 투명 기판(110)은 단일막 또는 복수의 막으로 형성될 수 있다. 상기 투명 기판(110)은 유리, Quartz, 투명 유기물 및 사파이어 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.Light in the transmission wavelength region of the selective transparent reflection layer 120 may reach the transparent substrate 110. The transmission wavelength region may be a visible light region. Accordingly, the transparent solar cell may be transparent. The transparent substrate 110 may be formed of a single layer or a plurality of layers. The transparent substrate 110 may include at least one of glass, quartz, transparent organic material, and sapphire.

본 발명의 일 실시 예에 따른 상기 선택적 투명 반사막(120)은 적어도 일부 파장의 가시광선은 투과시키고, 적외선은 반사할 수 있다. 이로 인해, 광전 에너지 변환 효율이 증가와 더불어 투명도나 높은 투명 태양전지가 제공될 수 있다.The selective transparent reflective film 120 according to an embodiment of the present invention may transmit visible light of at least some wavelengths and reflect infrared light. As a result, a photovoltaic energy conversion efficiency may be increased and a transparent or high transparent solar cell may be provided.

도 2 는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view for describing a transparent solar cell according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 2 를 참조하면, 상술된 바와 같이, 투명 기판(110), 선택적 투명 반사막(120), 제1 전극(130), 광전 변환층(132), 제2 전극(138) 및 투명 반사 방지막(140)에 제공될 수 있다. 상기 제1 전극(130) 및 상기 광전 변환층(132) 사이에 추가 선택적 투명 반사막(126)이 개재될 수 있다. 상기 광전 변환층(132) 및 상기 투명 반사 방지막(140) 사이에 추가 투명 반사 방지막(142)이 개재될 수 있다.Referring to FIG. 2, as described above, the transparent substrate 110, the optional transparent reflective film 120, the first electrode 130, the photoelectric conversion layer 132, the second electrode 138, and the transparent anti-reflection film 140 ) May be provided. An additional selective transparent reflective film 126 may be interposed between the first electrode 130 and the photoelectric conversion layer 132. An additional transparent anti-reflection film 142 may be interposed between the photoelectric conversion layer 132 and the transparent anti-reflection film 140.

상기 추가 선택적 투명 반사막(126)을 관통하는 제1 플러그(131)가 배치될 수 있다. 상기 제1 플러그(131)은 상기 제1 전극(130)과 상기 광전 변환층(132)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 추가 투명 반사 방지막(142)을 관통하는 제2 플 러그(139)가 배치될 수 있다. 상기 제2 플러그(139)는 상기 광전 변환층(132) 및 상기 제2 전극(138)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 제1 플러그(131) 및 상기 제2 플러그(139)는 상기 제1 전극(130) 및 상기 제2 전극(138)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.The first plug 131 may be disposed to penetrate the additional selective transparent reflective film 126. The first plug 131 may electrically connect the first electrode 130 and the photoelectric conversion layer 132. The second plug 139 penetrating the additional transparent anti-reflection film 142 may be disposed. The second plug 139 may electrically connect the photoelectric conversion layer 132 and the second electrode 138. The first plug 131 and the second plug 139 may include the same material as the first electrode 130 and the second electrode 138.

상기 투명 반사 방지막(140)의 굴절율은 상기 제2 전극(138)의 굴절율보다 작을 수 있다. 상기 제2 전극(138)의 굴절율은 상기 추가 투명 반사 방지막(142)의 굴절율보다 작을 수 있다. 이로 인해, 상기 투명 반사 방지막(140), 상기 제2 전극(138) 및 상기 추가 투명 반사 방지막(142)에서 반사되는 빛의 양이 감소할 수 있다. 따라서, 상기 광전 변환층(132)에 입사되는 빛의 양이 증가 될 수 있고, 상기 투명 태양전지의 광전 에너지 변환 효율이 증가할 수 있다.The refractive index of the transparent anti-reflection film 140 may be smaller than the refractive index of the second electrode 138. The refractive index of the second electrode 138 may be smaller than the refractive index of the additional transparent anti-reflection film 142. As a result, the amount of light reflected by the transparent anti-reflection film 140, the second electrode 138, and the additional transparent anti-reflection film 142 may be reduced. Therefore, the amount of light incident on the photoelectric conversion layer 132 may be increased, and the photoelectric energy conversion efficiency of the transparent solar cell may be increased.

상기 추가 선택적 투명 반사막(126)의 굴절율은 상기 제1 전극(130)의 굴절율보다 작을 수 있다. 상기 제1 전극(130)의 굴절율은 상기 선택적 투명 반사막(120)의 최소 굴절율보다 작을 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120) 및 상기 추가 선택적 투명 반사막(126)의 반사 파장영역은 적외선 영역이고, 투과 파장 영역은 가시광선 영역일 수 있다. 이로 인해, 단일의 선택적 투명 반사막을 사용하는 경우와 비교하여 가시광선에 대한 투과도가 증가하고, 적외선에 대한 반사율이 증가할 수 있다. 따라서, 광전 에너지 변환 효율 및 투명도가 증가한 투명 태양전지를 제공할 수 있다. 도면에는 비록 선택적 투명 반사막 및 투명 반사 방지막이 2개 도시되어 있지만, 복수의 선택적 투명 반사막 및 투명 반사 방지막이 더 개재될 수 있다.The refractive index of the additional selective transparent reflective film 126 may be smaller than the refractive index of the first electrode 130. The refractive index of the first electrode 130 may be smaller than the minimum refractive index of the selective transparent reflective film 120. The reflective wavelength region of the selective transparent reflective layer 120 and the additional selective transparent reflective layer 126 may be an infrared ray region, and the transmission wavelength region may be a visible ray region. As a result, the transmittance to visible light and the reflectance to infrared light may be increased as compared with the case of using a single selective transparent reflecting film. Therefore, it is possible to provide a transparent solar cell with increased photoelectric energy conversion efficiency and transparency. Although two optional transparent reflective films and transparent antireflective films are shown in the figure, a plurality of selective transparent reflective films and transparent antireflective films may be further interposed.

도 8a 내지 도 8b 는 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 태양전지의 형성방법을 설명하기 위한 단면도이다.8A to 8B are cross-sectional views illustrating a method of forming a transparent solar cell according to an embodiment of the present invention.

도 8a 를 참조하면, 투명 기판(110)이 제공된다. 상기 투명 기판(110) 상에 선택적 투명 반사막(120)이 형성될 수 있다. 상기 선택적 투명 반사막(120)은 원자층 증착법(ALD), 화학 기상 증착법(CVD), 물리 기상 증착법(PVD), 펄스 레이저 증착법(PLD) 또는 졸겔법(Sol-Gel) 중에서 선택된 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 상술된 바와 같이, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 형성과정에서 상기 선택적 투명 반사막(120)을 구성하는 물질의 조성비 및 물리적 두께가 조절될 수 있다. 이에 따라, 상기 선택적 투명 반사막(120)의 형성광정에서 상기 선택적 투명 반사막(120)의 광학적 두께가 조절될 수 있다.Referring to FIG. 8A, a transparent substrate 110 is provided. An optional transparent reflective film 120 may be formed on the transparent substrate 110. The selective transparent reflective film 120 may be any one selected from atomic layer deposition (ALD), chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), pulse laser deposition (PLD), or sol-gel (Sol-Gel). Can be formed. As described above, in the process of forming the selective transparent reflective film 120, the composition ratio and physical thickness of the material constituting the selective transparent reflective film 120 may be controlled. Accordingly, the optical thickness of the optional transparent reflective film 120 can be adjusted in the formation light of the selective transparent reflective film 120.

도 8b 를 참조하면, 상기 선택적 투명 반사막(120) 상에 제1 전극(130)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(130)은 화학 기상 증착법(CVD), 물리 기상 증착법(PVD) 또는 원자층 증착법(ALD) 중에서 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(130) 상에 광전 변환층(132)이 형성될 수 있다. 상기 광전 변환층(132)은 제1 도전형 및 제2 도전형을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형은 N형일 수 있다. 상기 제1 도전형에는 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등 5족 원소가 주입될 수 있다. 상기 5족 원소의 주입 후 열처리공정이 수행될 수 있다. 상기 제2 도전형은 P형일 수 있다. 상기 제2 도전형에는 붕소(B), 갈룸(Ga), 인듐(In) 등 3족 원소가 주입될 수 있다. 상기 3족 원소의 주입 후 열처리 공정이 수행될 수 있다. 상기 제1 도전형과 상기 제2 도전형 사이에 PN접합이 형성될 수 있다. 이와는 달리, 상 기 제2 도전형의 형성 전에, 상기 제1 도전형 상에 불순물이 포함되지 않은 실리콘층이 형성될 수 있다. 상기 광전 변환층(132) 상에 제2 전극(138)이 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(138)은 상기 제1 전극(130)과 동일한 방법에 의하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 8B, a first electrode 130 may be formed on the selective transparent reflection film 120. The first electrode 130 may be formed by any one of chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), or atomic layer deposition (ALD). The photoelectric conversion layer 132 may be formed on the first electrode 130. The photoelectric conversion layer 132 may include a first conductivity type and a second conductivity type. The first conductivity type may be N type. Group 5 elements such as phosphorus (P), arsenic (As), and antimony (Sb) may be injected into the first conductivity type. After the injection of the Group 5 element, a heat treatment process may be performed. The second conductivity type may be P type. Group 2 elements such as boron (B), gallium (Ga), and indium (In) may be implanted into the second conductivity type. After the injection of the Group 3 element, a heat treatment process may be performed. A PN junction may be formed between the first conductive type and the second conductive type. Alternatively, before the formation of the second conductivity type, a silicon layer containing no impurities may be formed on the first conductivity type. The second electrode 138 may be formed on the photoelectric conversion layer 132. The second electrode 138 may be formed by the same method as the first electrode 130.

도 1 을 재차 참조하면, 상기 제2 전극(138) 상에 투명 반사 방지막(140)이 형성될 수 있다. 상기 투명 반사 방지막(140)은 원자층 증착법(ALD), 화학 기상 증착법(CVD), 물리 기상 증착법(PVD), 펄스 레이저 증착법(PLD) 또는 졸겔법(Sol-Gel) 중에서 선택된 어느 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 상기 투명 반사 방지막(140)의 수광면은 요철구조를 갖도록 텍스처링될 수 있다. 상기 요철구조는 플라즈마 식각 방법, 기계적인 스크라이빙 방법, 포토리소그래피 방법 및 화학적 식각 방법 중에서 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 이로써, 도 1 의 투명 태양전지를 제공할 수 있다.Referring again to FIG. 1, a transparent anti-reflection film 140 may be formed on the second electrode 138. The transparent anti-reflection film 140 may be any one selected from atomic layer deposition (ALD), chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), pulse laser deposition (PLD), or sol-gel (Sol-Gel). Can be formed. The light receiving surface of the transparent anti-reflection film 140 may be textured to have an uneven structure. The uneven structure may be formed using at least one of a plasma etching method, a mechanical scribing method, a photolithography method, and a chemical etching method. Thereby, the transparent solar cell of FIG. 1 can be provided.

도 9a 내지 도 9b 는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명 태양전지의 형성방법을 설명하기 위한 단면도이다.9A to 9B are cross-sectional views illustrating a method of forming a transparent solar cell according to another embodiment of the present invention.

도 9a 를 참조하면, 상술된 바와 같이, 투명 기판(110), 선택적 투명 반사막(120) 및 제1 전극(130)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(130) 상에 추가 선택적 투명 반사막(126)이 형성될 수 있다. 상기 추가 선택적 투명 반사막(126)은 상기 선택적 투명 반사막(120)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 상기 추가 선택적 반사막(126)를 식각하여 개구부를 형성한다. 상기 개구부는 상기 제1 전극(130)을 노출할 수 있다. 상기 개구부를 매립하는 제1 플러그(131)가 형성될 수 있다. 상기 제1 플러그(131)는 제1 전극(130)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 9A, as described above, the transparent substrate 110, the optional transparent reflective film 120, and the first electrode 130 may be formed. An additional selective transparent reflective film 126 may be formed on the first electrode 130. The additional selective transparent reflective film 126 may be formed in the same manner as the selective transparent reflective film 120. The additional selective reflection layer 126 is etched to form an opening. The opening may expose the first electrode 130. A first plug 131 may be formed to fill the opening. The first plug 131 may be formed in the same manner as the first electrode 130.

도 9b 를 참조하면, 상술된 바와 같이, 상기 추가 선택적 투명 반사막(126) 및 상기 제1 플러그(131) 상에 광전 변환층(132)이 형성될 수 있다. 상기 광전 변환층(132)은 상기 제1 플러그(131)에 의해 상기 제1 전극(130)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 광전 변환층(132) 상에 추가 투명 반사 방지막(142)이 형성될 수 있다. 상기 추가 반사 방지막(142)은 원자층 증착법(ALD), 화학 기상 증착법(CVD), 물리 기상 증착법(PVD), 펄스 레이저 증착법(PLD) 및 졸겔법(Sol-Gel) 중에서 어느 하나의 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 추가 투명 반사 방지막(142)을 식각하여 개구부를 형성할 수 있다. 상기 개구부는 광전 변화층(132)을 노출시킬 수 있다. 상기 개구부를 매립하는 제2 플러그(139)가 형성될 수 있다. 상기 제2 플러그(139)는 상기 제1 플러그(139)와 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 상기 추가 투명 반사 방지막(142) 및 상기 제2 플러그(139) 상에 제2 전극(138)이 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(138)은 상기 제1 전극(130)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(138)은 상기 제2 플러그(139) 및 상기 광전 변환층(132)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도 2 를 재차 참조하면, 상기 제2 전극(138) 상에 투명 반사 방지막(140)이 형성될 수 있다. 상기 투명 반사 방지막(140)은 상기 추가 투명 반사 방지막(142)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 이로써 도 2 의 투명 태양전지가 제공될 수 있다.Referring to FIG. 9B, as described above, a photoelectric conversion layer 132 may be formed on the additional selective transparent reflective film 126 and the first plug 131. The photoelectric conversion layer 132 may be electrically connected to the first electrode 130 by the first plug 131. An additional transparent anti-reflection film 142 may be formed on the photoelectric conversion layer 132. The additional anti-reflection film 142 may be any one of atomic layer deposition (ALD), chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), pulse laser deposition (PLD), and sol-gel (Sol-Gel). Can be formed. An opening may be formed by etching the additional transparent anti-reflection film 142. The opening may expose the photovoltaic layer 132. A second plug 139 may be formed to fill the opening. The second plug 139 may be formed in the same manner as the first plug 139. A second electrode 138 may be formed on the additional transparent anti-reflection film 142 and the second plug 139. The second electrode 138 may be formed in the same manner as the first electrode 130. The second electrode 138 may be electrically connected to the second plug 139 and the photoelectric conversion layer 132. Referring again to FIG. 2, a transparent anti-reflection film 140 may be formed on the second electrode 138. The transparent anti-reflection film 140 may be formed in the same manner as the additional transparent anti-reflection film 142. As a result, the transparent solar cell of FIG. 2 may be provided.

도 10을 참조하여, 본 발명의 실시 예들에 따른 태양전지를 사용하는 태양전지 어레이(300)가 설명된다. 상기 태양전지 어레이(300)는 메인 프레임(미도시)에 적어도 하나의 태양전지 모듈들(200)을 설치하여 구성될 수 있다. 상기 태양전지 모듈들(200)은 도 1 내지 도 2 를 참조하여 설명된 태양전지 모듈들(210, 220, 230)일 수 있다. 상기 태양전지 어레이(300)는 태양광을 잘 쪼이도록 남쪽을 향해서 일정한 각도를 갖도록 설치될 수 있다.Referring to FIG. 10, a solar cell array 300 using a solar cell according to embodiments of the present invention is described. The solar cell array 300 may be configured by installing at least one solar cell module 200 on a main frame (not shown). The solar cell modules 200 may be the solar cell modules 210, 220, and 230 described with reference to FIGS. 1 and 2. The solar cell array 300 may be installed to have a predetermined angle toward the south to shine the sunlight well.

전술한 태양전지 모듈 또는 태양전지 어레이는 자동차, 주택, 건물, 배, 등대, 교통 신호체계, 휴대용 전자기기 및 다양한 구조물 상에 배치되어 사용될 수 있다. 도 11을 참조하여, 본 발명의 실시 예들에 따른 태양전지를 사용하는 태양광 발전 시스템의 예가 설명된다. 상기 태양광 발전 시스템은 상기 태양전지 어레이(300) 및 상기 태양전지 어레이(300)로부터 전력을 공급받아 외부로 송출하는 전력 제어장치(400)를 포함할 수 있다. 상기 전력 제어장치(400)는 출력장치(410), 축전장치(420), 충방전 제어장치(430), 시스템 제어장치(440)를 포함할 수 있다. 상기 출력장치(410)는 전력 변환장치(412)를 포함할 수 있다.The above-described solar cell module or solar cell array can be disposed and used on an automobile, a house, a building, a ship, a lighthouse, a traffic signal system, a portable electronic device, and various structures. With reference to FIG. 11, an example of a photovoltaic power generation system using a solar cell according to embodiments of the present invention is described. The photovoltaic power generation system may include a power control device 400 that receives power from the solar cell array 300 and the solar cell array 300 and transmits the power to the outside. The power control device 400 may include an output device 410, a power storage device 420, a charge and discharge control device 430, a system control device 440. The output device 410 may include a power converter 412.

상기 전력 변환장치(Power Conditioning System: PCS, 412)는 상기 태양전지 어레이(300)로부터의 직류 전류를 교류 전류로 변환하는 인버터일 수 있다. 태양광은 밤에는 존재하지 않고 흐린 날에는 적게 비추기 때문에, 발전 전력이 감소할 수 있다. 상기 축전장치(420)는 발전 전력이 일기에 따라 변화되지 않도록 전기를 저장할 수 있다. 상기 충방전 제어장치(430)는 상기 태양전지 어레이(300)로부터의 전력을 상기 축전장치(420)에 저장하거나, 상기 축전장치(420)에 저장된 전기를 상기 출력장치(410)로 출력할 수 있다. 상기 시스템 제어장치(440)는 상기 출력장치(410), 상기 축전장치(420) 및 상기 충방전 제어장치(430)를 제어할 수 있다.The power conditioning system (PCS) 412 may be an inverter that converts a direct current from the solar cell array 300 into an alternating current. Solar power does not exist at night, but is low on cloudy days, so power generation can be reduced. The electrical storage device 420 may store electricity so that the generated power does not change with the weather. The charge / discharge control device 430 may store power from the solar cell array 300 in the power storage device 420, or output electricity stored in the power storage device 420 to the output device 410. have. The system controller 440 may control the output device 410, the power storage device 420, and the charge / discharge control device 430.

전술한 바와 같이, 변환된 교류 전류는 자동차, 가정과 같은 다양한 AC 부하(500)로 공급되어 사용될 수 있다. 나아가, 상기 출력장치(410)는 계통연계장치(grid connect system, 414)를 더 포함할 수 있다. 상기 계통연계장치(414)는 다른 전력 계통(600)과의 접속을 매개하여, 전력을 외부로 송출할 수 있다.As described above, the converted AC current may be supplied to and used with various AC loads 500 such as automobiles and homes. Furthermore, the output device 410 may further include a grid connect system 414. The grid linkage device 414 may transmit power to the outside through a connection with another power system 600.

도 1 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 투명 태양전지를 설명하기 위한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating a transparent solar cell according to an embodiment of the present invention.

도 3 은 미세결정 실리콘층 및 비정질 실리콘층의 빛의 파장에 따른 흡수율을 나타내는 그래프이다.3 is a graph showing the absorption rate according to the wavelength of light of the microcrystalline silicon layer and the amorphous silicon layer.

도 4 는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광전 변환층을 설명하기 위한 단면도이다. 4 is a cross-sectional view for describing a photoelectric conversion layer according to an exemplary embodiment.

도 5 는 선택적 투명 반사막을 구성하는 막의 개수와 선택적 투명 반사막이 반사하는 빛의 파장 대역의 폭과의 관계를 나타내는 그래프이다.5 is a graph showing the relationship between the number of films constituting the selective transparent reflection film and the width of the wavelength band of the light reflected by the selective transparent reflection film.

도 9a 내지 도 9b 는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 투명 태양전지의 형성방법을 설명하기 위한 단면도이다. 9A to 9B are cross-sectional views illustrating a method of forming a transparent solar cell according to another embodiment of the present invention.

도 10 은 본 발명의 실시 예들에 따른 투명 태양전지들을 사용하는 태양전지 어레이를 도시한다.10 illustrates a solar cell array using transparent solar cells according to embodiments of the present invention.

도 11 은 본 발명의 실시 예들에 따른 투명 태양전지들을 사용하는 태양광 발전 시스템의 일 예를 도시한다.11 illustrates an example of a photovoltaic power generation system using transparent solar cells according to embodiments of the present disclosure.

Claims

Transparent substrates;

An optional transparent reflective film including a first surface in contact with the transparent substrate and a second surface opposite to the first surface; And

And a first electrode, a photoelectric conversion layer, and a second electrode, which are sequentially stacked on the second surface of the selective transparent reflecting film, wherein the selective transparent reflecting film transmits visible light of at least a portion of wavelength to the transparent substrate and emits infrared rays. Transparent solar cell reflecting the incident light to the photoelectric conversion layer.

The method of claim 1,

The transparent solar cell further comprises a transparent anti-reflection film on the second electrode.

3. The method of claim 2,

An additional selective transparent reflective film interposed between the first electrode and the photoelectric conversion layer;

An additional transparent anti-reflection film interposed between the second electrode and the photoelectric conversion layer; And

A first plug penetrating the additional selective transparent reflective film to connect the first electrode and the photoelectric conversion layer and a second plug penetrating the additional transparent antireflection film to connect the second electrode and the photoelectric conversion layer; Transparent solar cells.

The method of claim 3,

The refractive index of the transparent antireflection film is smaller than the refractive index of the second electrode, the refractive index of the second electrode is smaller than the refractive index of the additional transparent antireflection film,

The refractive index of the additional selective transparent reflective film is less than the refractive index of the first electrode, the refractive index of the first electrode is smaller than the minimum refractive index of the selective transparent reflective film.

The method of claim 1,

The selective transparent reflective film is a transparent ocean cell in which the refractive index changes in the direction of the second surface from the first surface.

The method of claim 1,

The selective transparent reflective film is a transparent solar cell having a refractive index decreases from the first surface to the second surface direction.

The method of claim 1,

The selective transparent reflecting film may include a plurality of alternating first selective transparent reflecting films and a second selective transparent reflecting film,

The transparent solar cell of which the refractive index of the said 1st selective transparent reflecting film and said 2nd selective transparent reflecting film is different.

8. The method of claim 7,

The first selective transparent reflecting film closest to the transparent substrate is in contact with the transparent substrate, and the second selective transparent reflecting film closest to the first electrode is in contact with the first electrode,

The refractive index of the first selective transparent reflective film is a transparent solar cell comprising a larger than the refractive index of the second selective transparent reflective film.

The method according to claim 1,

And a buried selective transparent reflective film filling a plurality of grooves disposed on the second surface of the selective transparent reflective film.

10. The method of claim 9,

The minimum refractive index of the selective transparent reflective film is a transparent solar cell larger than the refractive index of the buried selective transparent reflective film.

The method of claim 1,

The photoelectric conversion layer is a transparent solar cell comprising a microcrystalline silicon layer.

12. The method of claim 11,

The photovoltaic layer is a transparent solar cell further comprises an amorphous silicon layer.

The method of claim 1,

The first and second electrodes include a resistance improving material interspersed therein,

The conductivity of the resistance improving material is a transparent solar cell comprising a greater than the conductivity of the first and second electrodes.

The method of claim 1,

The selective transparent reflective film and the transparent anti-reflection film is a transparent solar cell comprising one of an atomic layer deposition method, chemical vapor deposition method, physical vapor deposition method, pulse laser deposition method, sol-gel (Sol-Gel) of any one method.

The method of claim 1,

The transparent solar cell having a transmittance of visible light having a first wavelength region of the selective transparent reflective film is higher than a transmittance of visible light of a second wavelength region of the selective transparent reflective film.

The method of claim 1,

The optical thickness of the selective transparent reflective film is 40nm ~ 10000nm transparent solar cell.