KR101244791B1 - 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법, 태양전지의 제조방법 및태양전지 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법, 이를 포함하는 태양전지의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법은, (S1) 두 장의 실리콘 웨이퍼 사이에 물을 주입한 후 밀착시켜 이들을 결합시키는 단계; (S2) 상기 (S1) 단계에서 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼를 요철 형성용 식각액으로 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼의 일면에 요철을 형성하는 단계; (S3) 상기 두 장의 실리콘 웨이퍼의 식각액으로 처리된 면 사이에 물을 주입한 후 이들이 마주하도록 밀착시켜 이들을 결합시키는 단계; (S4) 상기 (S3) 단계에서 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼를 평탄화용 식각액으로 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼의 일면을 평탄화하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법에 따르면, 물을 매개로 두 장의 실리콘 웨이퍼를 결합시킨 후 이들 실리콘 웨이퍼를 식각 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼 일면만이 식각되도록 함으로써, 간단한 공정 및 저렴한 비용으로 실리콘 웨이퍼의 표면을 평탄화하고 요철을 형성할 수 있으며, 궁극적으로 태양전지의 생산성을 향상시키고 제조 단가를 낮출 수 있다.
태양전지, 광기전력효과, p-n 접합, 실리콘 웨이퍼, 텍스쳐링, 식각액
Description
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도 1은 태양전지의 기본적인 구조를 나타낸 개략도이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
본 발명은 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법, 이를 포함하는 태양전지의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 태양전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 간단한 공정 및 저렴한 비용으로 실리콘 웨이퍼의 요철 형성 및 평탄화를 위한 식각을 할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법, 이를 포함하는 태양전지의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 태양전지에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양전지는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목 받고 있다. 태양전지에는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 전지와, 반도체의 성질을 이용하여 태양빛(photons)을 전기에너지로 변환시키는 태양광 전지가 있으며, 태양전지라고 하면 일반적으로 태양광 전지(이하 태양전지라 한다)를 일컫는다.
태양전지의 기본적인 구조를 나타낸 도 1을 참조하면, 태양전지는 다이오드와 같이 p형 반도체(101)와 n형 반도체(102)의 접합 구조를 가지며, 태양전지에 빛이 입사되면 빛과 태양전지의 반도체를 구성하는 물질과의 상호 작용으로 (-) 전하를 띤 전자와 전자가 빠져나가 (+) 전하를 띤 정공이 발생하여 이들이 이동하면서 전류가 흐르게 된다. 이를 광기전력효과(光起電力效果, photovoltaic effect)라 하는데, 태양전지를 구성하는 p형(101) 및 n형 반도체(102) 중 전자는 n형 반도체(102) 쪽으로, 정공은 p형 반도체(101) 쪽으로 끌어 당겨져 각각 n형 반도체(101) 및 p형 반도체(102)와 접합된 전극(103, 104)으로 이동하게 되고, 이 전극(103, 104)들을 전선으로 연결하면 전기가 흐르므로 전력을 얻을 수 있다
한편, 태양전지는 반도체 기판에 그와 상이한 도전형의 도전층을 형성하고, 반사방지막 및 전면전극과 후면전극을 형성함에 의해 제조될 수 있다. 다만, 이러 한 과정을 거치기 전에, as-cut 상태의 웨이퍼에는 미세 잔극이나 결함이 존재하므로 이를 없애고, 웨이퍼의 반사율을 감소시키기 위하여, 실리콘 웨이퍼를 텍스쳐링(texturing)하는 공정을 거치게 된다.
텍스쳐링 공정에서는, 실리콘 웨이퍼 전면은 태양광에 대한 반사율 저감을 위하여 요철을 형성한다. 그러나, 후면에 요철이 형성될 경우, 입사된 태양광의 장파장 영역에서의 산란을 통해 단락 전류를 상승시키나, 후면 표면적의 증가에 의한 표면 결함 수의 증가로 표면 재결합 즉 빛의 조사에 의해 생성된 전자, 정공의 손실을 유발하여, 오히려 태양전지의 효율을 떨어뜨리게 된다. 따라서, 실리콘 웨이퍼의 후면은 표면 결함을 줄일 수 있도록 평탄화시켜야 한다.
텍스쳐링 공정에 있어서, 요철 형성을 위한 식각액과 평탄화를 위한 식각액은 차이가 있으므로, 요철 형성용 식각 공정과 평탄화를 위한 식각 공정은 별도로 진행되며, 먼저 형성된 요철 또는 평탄화면을 보호하기 위해 SiNx로 증착하는 공정을 거치게 된다.
그러나, 이와 같은 방식에 의한 텍스쳐링 공정은 지나치게 복잡하여 태양전지의 제조 시간을 늘려 생산성을 저하시키고, 제조 단가를 높이는 문제점이 있다. 따라서, 이와 같은 문제점을 해결하려는 노력이 관련 분야에서 꾸준히 이루어져 왔으며, 이와 같은 기술적 배경하에서 본 발명이 안출된 것이다.
본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 실리콘 웨이퍼의 요철 형성 및 평탄화를 위한 텍스쳐링 공정을 단순화하여 태양전지의 제조 비용을 절감하고 생산성을 향상시킴에 있으며, 이러한 기술적 과제를 달성할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법, 이를 포함하는 태양전지의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 태양전지를 제공하는데 본 발명의 목적이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제의 달성을 위해 본 발명은, (S1) 두 장의 실리콘 웨이퍼 사이에 물을 주입한 후 밀착시켜 이들을 결합시키는 단계; (S2) 상기 (S1) 단계에서 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼를 요철 형성용 식각액으로 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼의 일면에 요철을 형성하는 단계; (S3) 상기 두 장의 실리콘 웨이퍼의 식각액으로 처리된 면 사이에 물을 주입한 후 이들이 마주하도록 밀착시켜 이들을 결합시키는 단계; (S4) 상기 (S3) 단계에서 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼를 평탄화용 식각액으로 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼의 일면을 평탄화하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법을 제공한다.
상기 요철 형성용 식각액은 불산 및 질산의 혼합액으로 상기 식각액 중 불산의 체적비는 70% 이상인 것이 바람직하고, 상기 평탄화용 식각액은 불산 및 질산의 혼합액으로 상기 식각액 중 질산의 체적비는 70% 이상인 것이 바람직하다. 상기 실리콘 웨이퍼로는 p-형 실리콘 웨이퍼가 대표적으로 사용될 수 있다.
본 발명은 또한, (S1) 두 장의 실리콘 웨이퍼 사이에 물을 주입한 후 이들을 밀착시켜 이들을 결합시키는 단계; (S2) 상기 (S1) 단계에서 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼를 평탄화용 식각액으로 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼의 일면을 평탄화하는 단계; (S3) 상기 두 장의 실리콘 웨이퍼의 식각액으로 처리된 면 사이에 물을 주입한 후 이들이 마주하도록 밀착시켜 이들을 결합시키는 단계; (S4) 상기 (S3) 단계에서 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼를 요철 형성용 식각액으로 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼의 일면에 요철을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법을 제공한다.
상기 텍스쳐링 방법에 있어서, 상기 요철 형성용 식각액은 대표적으로 불산을 포함하여 이루어질 수 있으며, 상기 평탄화용 식각액은 대표적으로 질산을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 실리콘 웨이퍼로는 p-형 실리콘 웨이퍼가 대표적으로 사용될 수 있다.
본 발명은 또한, 상기 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법을 포함하는 태양전지의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 본 발명의 태양전지의 제조방법을 이용하여 제조되는 태양전지를 제공한다.
이하, 본 발명에 대한 이해를 돕기 위해 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
본 발명의 텍스쳐링 방법의 제1 실시예에 따르면, 먼저 도 2a와 같이 마주하 는 두 장의 실리콘 웨이퍼(201) 사이에 물(203)을 주입한 후 밀착시킨다. 이 과정을 통해 실리콘 웨이퍼(201)의 표면은 수화되며, 각 웨이퍼(201)의 표면은 물(203)을 매개로 하여 반데르 발스힘 또는 물 분자 내부의 공유결합된 수소원자가 제공하는 전기적인 인력 (Hydrogen type Weak bond) 등을 통해 결합하게 된다. 다음으로, 앞서 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼(201)의 표면을 요철 형성용 식각액으로 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼(201)의 일면에 요철을 형성한다(도 2b 참조). 상기 식각액에 의한 처리 공정은, 예를 들어 요철 형성용 식각액이 담긴 용기에 소정 시간 동안 상기 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼를 담궈둠에 의해 실시될 수 있다. 식각액에 의한 처리 시간은 웨이퍼의 두께, 식각액의 농도 등을 고려하여 적절하게 선택될 수 있다. 두 장의 실리콘 웨이퍼(201)는 물(203)을 매개로 결합되어 있으므로, 각각의 실리콘 웨이퍼의 외부로 드러난 일면에만 요철이 형성되게 된다. 요철을 형성하기 위한 요철 형성용 식각액은 불산, 질산의 혼합액이며 일반적으로 식각액 중 불산이 70 % 이상의 체적비를 지닐 경우 불산 과다라 할 수 있으며 이를 이용함이 바람직하다.
다음으로, 상기 요철 형성용 식각액으로 처리된 두 장의 웨이퍼(201)를 분리한 후, 상기 두 장의 실리콘 웨이퍼(201)의 식각액으로 처리된 면 사이에 물(203)을 주입하고 이들이 마주하도록 밀착시켜 이들을 결합시킨다(도 2c 참조). 이 과정을 통해 요철이 형성된 면은 서로 마주하며 물(203)을 매개로 결합되므로, 식각 처리되지 않은 면만이 외부로 드러나게 된다.
다음으로, 상기 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼(201)를 평탄화용 식각액으로 처리한다(도 2d 참조). 상기 식각액에 의한 처리 공정은, 예를 들어 평탄화용 식각액이 담긴 용기에 소정 시간 동안 상기 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼를 담궈둠에 의해 실시될 수 있다. 식각액에 의한 처리 시간은 웨이퍼의 두께 식각액의 농도 등을 고려하여 적절하게 선택될 수 있다. 앞의 과정을 통해 식각 처리된 부분은 물(203)을 매개로 결합하여 평탄화용 식각액으로부터 보호되므로, 앞의 과정을 통해 식각 처리되지 않은 면만이 외부로 드러나 평탄화되게 된다. 이로써 두 장의 실리콘 웨이퍼(201)의 일면은 요철이 형성되고, 다른 일면은 평탄화된다. 이 과정을 통해 실리콘 웨이퍼(201) 표면의 미세 잔극이나 결함이 제거된다. 평탄화를 위한 평탄화용 식각액은 불산, 질산의 혼합액이며 일반적으로 식각액 중 질산이 70 % 이상의 체적비를 지닐 경우 질산 과다라 할 수 있으며 이를 이용함이 바람직하다.
상기 실리콘 웨이퍼(201)의 텍스쳐링 방법은 먼저 형성된 요철 형성면 또는 평탄화면을 보호하기 위한 진공 증착 공정이 필요 없으므로, 공정을 단순화하여 생산성을 향상시키고, 제조 단가를 크게 감소시킬 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 제1 실시예에 따르면 실리콘 웨이퍼(201)의 일면에 요철을 먼저 형성하고 다른 일면을 평탄화하였으나, 본 발명의 제2 실시예에 따르면 실리콘 웨이퍼의(201) 일면을 평탄화한 후 다른 일면에 요철을 형성한다. 도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
본 발명의 텍스쳐링 방법의 제2 실시예에 따르면, 먼저 마주하는 두 장의 실리콘 웨이퍼(201) 사이에 물(203)을 주입한 후 밀착시켜 이들을 결합시키고, 상기 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼(201)를 평탄화용 식각액으로 처리한다(도 2a 참조). 이 과정을 통해 외부로 드러난 각각의 실리콘 웨이퍼(201)의 일면이 평탄화되어 미세 잔극이나 결함이 제거된다.
다음으로, 상기 평탄화용 식각액으로 처리된 두 장의 웨이퍼(201)를 분리한 후, 상기 두 장의 실리콘 웨이퍼(201)의 식각액으로 처리된 면 사이에 물(203)을 주입하고 이들이 마주하도록 밀착시켜 이들을 결합시킨다(도 2b 참조). 이 과정을 통해 평탄화된 면은 서로 마주하며 물(203)을 매개로 결합되므로, 식각 처리되지 않은 면만이 외부로 드러나게 된다.
다음으로, 상기 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼(201)를 요철 형성용 식각액으로 처리한다(도 2c 참조). 앞의 과정을 통해 식각 처리된 부분은 물(203)을 매개로 결합하여 요철 형성용 식각액으로부터 보호되므로, 앞의 과정을 통해 식각 처리되지 않은 면만이 외부로 드러나 요철이 형성되게 된다. 이로써 두 장의 실리콘 웨이퍼(201)의 일면은 요철이 형성되고, 다른 일면은 평탄화된다.
상기 본 발명의 텍스쳐링 방법의 제2 실시예에 있어서, 평탄화용 식각액 및 요철 형성용 식각액은 제1 실시예와 동일한 것들이 사용될 수 있으며, 식각액에 의한 처리 또한 동일한 방법에 의해 행해질 수 있다.
본 발명의 태양전지의 제조방법은 상기 본 발명의 텍스쳐링 방법을 포함하여 진행된다. 상기 텍스쳐링 공정을 거친 후에는, 대표적으로 실리콘 웨이퍼에 p-n 접합을 형성하고, 반사방지막 및 전/후면 전극을 형성함으로써 태양전지를 제조할 수 있다. 이하, 본 발명의 태양전지 제조방법에 있어서, 상기 텍스쳐링 후의 공정에 대하여 살펴 본다.
먼저, 실리콘 웨이퍼 상에 상기 웨이퍼와 반대 도전형의 제2 도전형 도전층을 형성한다. 이를 통해 실리콘 웨이퍼 내의 제1 도전형 도전층과 제2 도전형 도전층의 계면에 p-n 접합이 형성된다. 실리콘 웨이퍼로는 p형 및 n형이 모두 사용될 수 있으며, 그 중 p형 실리콘 웨이퍼는 소수 케리어의 수명 및 모빌리티(mobility)가 커서(p형의 경우 전자가 소수 케리어임) 가장 바람직하게 사용될 수 있다. p형 실리콘 웨이퍼에는 대표적으로 B, Ga, In 등의 3족 원소들이 도핑되어 있는데, p형 실리콘 웨이퍼에 P, As, Sb 등의 5족 원소들을 도핑함으로써 n형 도전층을 형성하고 이를 통해 p-n 접합을 형성할 수 있다.
상기 제2 도전형 도전층 및 p-n 접합 형성 단계는 다양한 방식으로 수행될 수 있는데, 대표적으로 실리콘 웨이퍼를 확산로에 넣고 제2 도전형 도전층을 형성할 수 있는 도펀트를 함유하는 가스를 주입한 후 확산로를 가열하는 방법과 실리콘 웨이퍼의 일면에 도펀트를 함유하는 조성물을 도포하고 이를 확산로에 넣은 후 가열하는 방법이 있다. 전자의 방법은 실리콘 웨이퍼의 전 표면에 제2 도전형 도전층이 형성되므로, 실리콘 웨이퍼의 측단 가장자리 부분을 잘라내는 에지 아이솔레이션(edge isolation) 공정을 거치게 된다.
다음으로, 상기 실리콘 웨이퍼에 형성된 제2 도전형 도전층 상에 반사방지막을 형성한다. 제2 도전형 도전층 형성 공정에서 반도체 기판의 양면에 제2 도전형 도전층이 형성되는 경우는, 그 중 하나의 제2 도전형 도전층을 선택하여 반사방지막을 형성하면 된다. 반사방지막은 태양광에 대한 반사율을 낮추기 위해 형성되는 것으로, 대표적으로 실리콘나이트라이드를 포함하여 이루어질 수 있으며, 대표적으로 플라즈마 화학기상증착법(PECVD), 화학기상증착법(CVD) 및 스퍼터링으로 이루어지는 군에서 선택되는 방법에 의해 형성될 수 있다.
마지막으로, 상기 반사방지막을 관통하며 상기 제2 도전형 반도체층에 연결되도록 전면전극을 형성하고, 상기 실리콘 웨이퍼의 반사방지막이 형성된 면과 반대 면에 후면전극을 형성한다. 전면전극및 후면전극의 형성 순서는 제한되지 않아, 어느 전극을 먼저 형성하여도 좋다. 전면전극은 전면전극 형성용 페이스트를 소정 패턴에 따라 반사방지막 위에 도포한 후 열처리함에 의해 형성될 수 있으며, 열처리를 통해 전면전극은 반사방지막을 관통하여 제2 도전형 반도체층과 연결되게 된다(punch through). 후면전극은 후면전극 형성용 페이스트를 상기 실리콘 기판의 반사방지막이 형성된 면과 반대 면에 도포한 후 열처리함에 의해 실시될 수 있으며, 열처리에 의해 반도체 기판은 후면전극과 접하는 면으로부터 소정 깊이까지 전극 형성 물질이 도핑되어 BSF층(Back surface field)이 형성된다. 제2 도전형 도전층 형성 공정에서 반도체 기판의 양면에 제2 도전형 도전층이 형성되는 경우에도 역시, 후면의 제2 도전형 도전층의 도전형이 바뀌어 BSF층이 형성된다. 상기 전면전극 및 후면전극 형성 단계는 각각 전면전극 형성용 페이스트 및 후면전극 형성용 페이스트를 도포한 후, 동시에 열처리함에 의해 실시될 수도 있다.
전면전극으로는 대표적으로 은 전극이 사용되는데 이는 은 전극이 전기전도성이 우수하기 때문이며, 후면전극으로는 대표적으로 알루미늄 전극이 사용되는데 이는 알루미늄 전극이 전도성이 우수할 뿐만 아니라 실리콘과의 친화력이 좋아서 접합이 잘 되기 때문이다. 또한, 알루미늄 전극은 3가 원소로서 p-형 실리콘 기판을 사용할 경우 실리콘 기판에 p+ 층, 즉 BSF층을 형성하여 캐리어들이 표면에서 사라지지 않고 모이도록 하여 효율을 증대시킬 수 있기 때문이다
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되지 않아야 하며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
또한, 본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명의 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법에 따르면, 물을 매개로 두 장의 실리콘 웨이퍼를 결합시킨 후 이들 실리콘 웨이퍼를 식각 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼 일면만이 식각되도록 함으로써, 간단한 공정 및 저렴한 비용으로 실리콘 웨이퍼의 표면을 평탄화하고 요철을 형성할 수 있으며, 궁극적으로 태양전지의 생산성을 향상시키고 제조 단가를 낮출 수 있다.
Claims (10)
- (S1) 두 장의 실리콘 웨이퍼를 각각의 제1 면이 서로 마주하도록 배치한 상태에서 상기 제1 면들의 사이에 물을 주입한 후 밀착시켜 이들을 결합시키는 단계;(S2) 상기 (S1) 단계에서 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼 각각의 제2 면들을 요철 형성용 식각액으로 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼의 제2 면들에 요철을 형성하는 단계;(S3) 상기 요철이 형성된 상기 제2 면들이 서로 마주하도록 상기 두 장의 실리콘 웨이퍼를 배치한 상태에서 상기 제2 면들의 사이에 물을 주입한 후 이들이 마주하도록 밀착시켜 이들을 결합시키는 단계;(S4) 상기 (S3) 단계에서 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼의 상기 제1 면들을 평탄화용 식각액으로 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼의 상기 제1 면들을 평탄화하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법.
- 제1항에 있어서,상기 요철 형성용 식각액은 불산 및 질산의 혼합액으로, 상기 식각액 중 불산의 체적비는 70% 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법.
- 제1항에 있어서,상기 평탄화용 식각액은 불산 및 질산의 혼합액으로, 상기 식각액 중 질산의 체적비는 70% 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법.
- 제1항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는 p-형 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법.
- (S1) 두 장의 실리콘 웨이퍼를 각각의 제1 면이 서로 마주하도록 배치한 상태에서 상기 제1 면들의 사이에 물을 주입한 후 이들을 밀착시켜 이들을 결합시키는 단계;(S2) 상기 (S1) 단계에서 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼 각각의 제2 면들을 평탄화용 식각액으로 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼의 제2 면들을 평탄화하는 단계;(S3) 상기 제2 면들이 서로 마주하도록 상기 두 장의 실리콘 웨이퍼를 배치한 상태에서 상기 제2 면들의 사이에 물을 주입한 후 이들이 마주하도록 밀착시켜 이들을 결합시키는 단계;(S4) 상기 (S3) 단계에서 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼의 상기 제1 면들을 요철 형성용 식각액으로 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼의 상기 제1 면들에 요철을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법.
- 제5항에 있어서,상기 요철 형성용 식각액은 불산을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법.
- 제5항에 있어서,상기 평탄화용 식각액은 질산을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실 리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법.
- 제5항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는 p-형 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법을 포함하는 태양전지의 제조방법.
- 제9항에 따른 태양전지의 제조방법을 이용하여 제조된 태양전지.
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