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KR101241140B1 - 섀도우마스크와 이를 이용한 유기전계발광소자 및 그제조방법 - Google Patents

섀도우마스크와 이를 이용한 유기전계발광소자 및 그제조방법 Download PDF

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KR101241140B1
KR101241140B1 KR1020060057344A KR20060057344A KR101241140B1 KR 101241140 B1 KR101241140 B1 KR 101241140B1 KR 1020060057344 A KR1020060057344 A KR 1020060057344A KR 20060057344 A KR20060057344 A KR 20060057344A KR 101241140 B1 KR101241140 B1 KR 101241140B1
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KR
South Korea
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pattern
light emitting
organic light
electrode
substrate
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유충근
이강주
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은, 제 1 기판 상에 다수의 화소영역을 갖는 액티브영역과 상기 액티브영역 외측의 전원접촉영역에 형성된 제 1 전극과; 상기 화소영역에 대응하여 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기발광층과; 상기 전원접촉영역에 대응하여 상기 제 1 전극 상에 위치하는 제 1 유기패턴과; 상기 전원접촉영역 외측의 영역에 대응하여 상기 제 1 기판 상에 위치하는 제 2 유기패턴과; 상기 유기발광층 상에 위치하는 제 2 전극과; 제 2 기판 상에 상기 제 2 전극과 연결되는 구동박막트랜지스터와; 상기 제 2 기판 상에 상기 제 1 유기패턴과 연결되는 전원공급단자를 포함하고, 상기 유기발광층과 제 1 유기패턴은 정상적인 패턴을 갖고, 상기 제 2 유기패턴은 비정상적인 패턴을 갖는 유기전계발광소자를 제공한다.

Description

섀도우마스크와 이를 이용한 유기전계발광소자 및 그 제조방법{Shadow mask, organic electroluminescent display device using the same and fabricating method thereof}
도 1은 종래의 듀얼패널타입 유기전계발광소자용 섀도우마스크를 개략적으로 도시한 평면도.
도 2는 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자용 섀도우마스크와, 유기발광기판의 일부를 개략적으로 도시한 도면.
도 3은 본발명의 실시예에 따른 섀도우마스크를 사용하여 형성된 듀얼패널 타입 유기전계발광소자를 도시한 도면.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
110 : 차단부 120 : 개구부
260 : 유기발광기판 SM : 섀도우마스크
S1 : 정상패턴부 S2 : 더미패턴부
본 발명은 유기전계발광소자(Organic electroluminescent display device : OELD)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 유기전계발광소자용 섀도우마스크와, 이를 사용한 유기전계발광소자 제조방법에 관한 것이다.
최근까지, CRT(cathode ray tube)가 표시장치로서 주로 사용되었다. 그러나, 최근에 CRT를 대신할 수 있는, 플라즈마표시장치(plasma display panel : PDP), 액정표시장치(liquid crystal display device : LCD), 유기전계발광소자와 같은 평판표시장치가 널리 연구되며 사용되고 있다.
위와 같은 평판표시장치 중에서, 유기전계발광소자는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하다. 그리고, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대조비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하다. 또한, 직류저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용온도범위도 넓으며, 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다.
일반적으로, 유기전계발광소자에는, 주요구성으로서 구동박막트랜지스터 등을 포함하는 어레이소자 뿐만 아니라 유기발광다이오드가 동일한 기판, 즉 제 1 기판에 형성된다. 따라서, 유기전계발광소자의 생산수율은 실질적으로 제 1 기판의 생산수율에 따르게 된다. 이에 따라, 어레이소자와 유기발광다이오드 중 어느 하나 에 대해 불량이 발생하게 되면, 유기전계발광소자는 불량이 된다. 이처럼, 주요 구성요소 중 어느 하나의 불량에 의해 생산수율이 저하될 가능성이 크다.
위와 같은 문제를 개선하기 위해, 듀얼패널타입(dual-panel type) 유기전계발광소자가 제안되었다.
듀얼패널타입 유기전계발광소자에는, 어레이소자와 유기발광다이오드가 서로마주보는 어레이기판과 유기발광기판에 각각 개별적으로 형성된다. 이에 따라, 생산수율이 개선될 수 있다.
유기발광기판에 유기발광다이오드를 형성함에 있어, 유기발광층은 스트라이프패턴(stripe pattern)의 섀도우마스크(shadow mask)를 이용하여 형성된다.
도 1은 종래의 듀얼패널타입 유기전계발광소자용 섀도우마스크를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 섀도우마스크(SM)는, 스트라이프패턴을 갖는 다수의 차단부(10)와, 차단부(10) 사이의 개구부(20)를 포함한다. 유기발광물질은 개구부(20)를 통과하여 유기발광기판에 증착되어, 유기발광층이 형성된다.
섀도우마스크(SM)는 에칭(etching)공정을 통해 형성된다. 그런데, 에칭공정에서의 오차에 의해, 섀도우마스크(SM)의 외측에 위치하는 차단부(10)에서는 선폭의 불량이 발생하게 된다. 이에 따라, 내측에는 정상적인 선폭을 갖는 정상패턴부(S1)가 형성되는 데 반해, 외측에는 비정상적인 선폭을 갖는 더미(dummy)패턴부(S2)가 형성된다.
따라서, 정상패턴부(S1)는 액티브영역 중 화소영역에 대응시키고, 더미패턴 부(S2)는 액티브영역 중 화소영역 외측의 더미화소영역에 대응시켜, 화소영역에 정상적인 패턴의 유기발광층을 형성하게 된다.
섀도우마스크(SM)에서, 더미패턴부(S2)가 많이 형성될수록, 정상패턴부(S1)의 선폭에 대한 균일도 또한 높아지게 되며, 이에 따라, 유기발광층의 불량을 더욱 줄일 수 있게 된다.
그런데, COG(chip on glass) 방식을 사용하는 유기전계발광소자에 대해서는, 더미패턴부의 수가 상당히 제한된다. 즉, COG 방식에서는, 어레이기판의 전원공급단자와 유기발광기판의 유기발광다이오드 전극이 비표시영역에서 접촉하여, 유기발광다이오드에 전원을 공급하게 된다. 종래에는, 이와 같은 전원접촉영역 내측의 더미화소영역까지 유기발광층을 형성하게 된다. 그런데, COG 방식에서는, 화소영역과 전원접촉영역 사이의 더미화소영역의 마진(margin)이 매우 작다. 이에 따라, 섀도우마스크의 더미패턴부를 충분한 만큼 형성할 수 없게 된다. 따라서, 정상패턴부에서 선폭의 균일도가 저하될 수 있다.
이는, 화소영역에서의 혼색 및 유기발광층의 성막 불량과 같은 문제를 초래하여, 유기전계발광소자의 화질을 저하시키게 된다.
본 발명은, 전술한 바와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로서, 고품위의 유기전계발광소자를 제조하기 위한 섀도우마스크 및 이를 사용한 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 제 1 기판 상에 다수의 화소영역을 갖는 액티브영역과 상기 액티브영역 외측의 전원접촉영역에 형성된 제 1 전극과; 상기 화소영역에 대응하여 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기발광층과; 상기 전원접촉영역에 대응하여 상기 제 1 전극 상에 위치하는 제 1 유기패턴과; 상기 전원접촉영역 외측의 영역에 대응하여 상기 제 1 기판 상에 위치하는 제 2 유기패턴과; 상기 유기발광층 상에 위치하는 제 2 전극과; 제 2 기판 상에 상기 제 2 전극과 연결되는 구동박막트랜지스터와; 상기 제 2 기판 상에 상기 제 1 유기패턴과 연결되는 전원공급단자를 포함하고, 상기 유기발광층과 제 1 유기패턴은 정상적인 패턴을 갖고, 상기 제 2 유기패턴은 비정상적인 패턴을 갖는 유기전계발광소자를 제공한다.
여기서, 상기 액티브영역은 상기 화소영역 외측에 위치하는 더미화소영역을 갖고, 상기 더미화소영역에 대응하여 상기 제 1 전극 상에 위치하고 정상적인 패턴을 갖는 더미유기발광층을 더욱 포함할 수 있다.
상기 더미유기발광층 상에 위치하는 더미전극과, 상기 제 2 기판 상에 상기 더미전극과 연결되는 더미박막트랜지스터를 더욱 포함할 수 있다.
상기 구동박막트랜지스터와 상기 제 2 전극을 연결하는 연결패턴과, 상기 더미박막트랜지스터와 상기 더미전극을 연결하는 더미연결패턴과, 상기 제 1 전원공급단자와 상기 제 1 유기패턴을 연결하는 전원공급패턴을 더욱 포함할 수 있다.
상기 연결패턴과, 상기 더미연결패턴과, 상기 전원공급패턴은 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제 1 전극 상에 위치하고, 상기 이웃하는 화소영역 사이에 위치하는 격벽을 더욱 포함할 수 있다.
다른 측면에서, 본발명은, 제 1 기판의 다수의 화소영역을 갖는 액티브영역과 상기 액티브영역 외측의 전원접촉영역에 제 1 전극을 형성하는 단계와; 섀도우마스크의 차단부가 상기 액티브영역 및 상기 전원접촉영역과 상기 전원접촉영역 외측의 영역에 위치하도록, 상기 섀도우마스크와 상기 제 1 전극을 갖는 제 1 기판을 얼라인하는 단계와; 상기 섀도우마스크를 사용하여, 상기 제 1 전극을 갖는 제 1 기판 상에 유기발광층을 형성하는 단계와; 상기 화소영역의 유기발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계와; 제 2 기판 상에 구동박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 제 2 기판 상에 전원공급단자를 형성하는 단계와; 씰패턴을 사용하여, 상기 제 1, 2 기판을 합착하는 단계를 포함하는 유기전계발광소자 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 차단부는, 상기 액티브영역 및 상기 전원접촉영역에 대응하는 정상패턴부와, 상기 전원접촉영역 외측의 영역에 대응하는 더미패턴부를 포함할 수 있다.
상기 차단부는, 상기 씰패턴이 상기 제 1 기판과 접촉하는 영역 내측까지 위치할 수 있다.
상기 차단부는, 상기 씰패턴이 상기 제 1 기판과 접촉하는 영역 외측의 영역까지 위치할 수 있다.
상기 제 1, 2 기판 사이에서, 상기 구동박막트랜지스터와 상기 제 2 전극을 연결하는 연결패턴을 형성하는 단계를 더욱 포함할 수 있다.
상기 연결패턴 형성시, 상기 제 1, 2 기판 사이에서, 상기 전원공급단자와 상기 전원접촉영역의 유기발광층을 연결하는 전원공급패턴을 형성하는 단계를 더욱 포함할 수 있다.
상기 섀도우마스크를 상기 제 1 기판과 얼라인 하기 전에, 상기 이웃하는 화소영역 사이에 격벽을 형성하는 단계를 더욱 포함할 수 있다.
또다른 측면에서, 본발명은, 다수의 화소영역을 갖는 액티브영역과 상기 액티브영역 외측의 전원접촉영역과 상기 전원접촉영역 외측의 씰영역을 갖는 기판 상에 유기발광층을 형성하기 위한 섀도우마스크로서, 상기 액티브영역 및 상기 전원접촉영역과 상기 전원접촉영역 외측의 영역에 대응되도록 위치하는 차단부와; 상기 차단부 사이의 개구부를 포함하는 섀도우마스크를 제공한다.
여기서, 상기 차단부는, 상기 액티브영역 및 상기 전원접촉영역에 대응하는 정상패턴부와, 상기 전원접촉영역 외측의 영역에 대응하는 더미패턴부를 포함할 수 있다.
상기 차단부는, 상기 씰영역 내측까지 위치할 수 있다.
상기 차단부는, 상기 씰영역 외측의 영역까지 위치할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자용 섀도우마스크와, 유기발 광기판의 일부를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본발명의 실시예에 따른 섀도우마스크(SM)는, 스트라이프패턴을 갖는 다수의 차단부(110)와, 차단부(110) 사이의 개구부(120)를 포함한다. 유기발광물질은, 개구부(120)를 통과하여 유기발광기판(260)에 증착되어 유기발광층이 형성된다.
섀도우마스크(SM)는, 에칭공정을 통해 형성된다. 그런데, 에칭공정에서의 오차에 의해, 섀도우마스크(SM)의 외측에서는 차단부의 선폭 불량이 발생하게 된다. 이에 따라, 내측에는 정상적인 선폭을 갖는 정상패턴부(S1)가 형성되는 데 반해, 외측에는 비정상적인 선폭을 갖는 더미패턴부(S2)가 형성된다.
도시하지는 않았지만, 유기발광다이오드는, 유기발광기판에 순차적으로 형성된 제 1 전극, 유기발광층, 제 2 전극을 포함한다.
유기발광기판에는, 영상을 표시하기 위한 다수의 화소영역과 화소영역 외측의 더미화소영역이 정의된 액티브영역(AR)과, 액티브영역(AR)을 제외한 비액티브영역(NR)이 정의된다. 화소영역에는 정상적인 구동을 하는 화소가 위치하며, 더미화소영역에는 화소영역과 동일한 구조의 더미화소가 위치하나 더미화소는 정상적인 구동을 하지 않는다. 비표시영역(NR)은, 전원접촉영역(PR)과 씰영역(SR)을 포함한다.
전원접촉영역(PR)은, 제 1 전극에 전원을 공급하기 위한 영역으로서, 어레이기판의 전원공급단자가 제 1 전극과 연결되는 영역에 해당된다. 전원공급단자는 전원공급패턴을 통해 제 1 전극과 연결된다.
따라서, 전원공급원으로부터 공급된 전원은 어레이기판의 전원공급단자를 통해 제 1 전극으로 공급된다. 예를 들면, 전원공급원와 연결된 COG용 칩은 어레이기판의 전원패드에 직접연결되고, 끝단에 전원공급단자를 갖는 전원전달배선이 전원패드에 연결된다. 이와 같은 경로를 통해, 전원공급원으로부터 전원이 제 1 전극에 전달된다.
씰영역(SR)은, 어레이기판과 유기발광기판을 결합하는 씰패턴이 두 기판과 접촉하는 영역에 해당된다.
본발명의 실시예의 더미패턴부(S2)는, 전원접촉영역(PR) 외측에 위치하게 된다. 최외각 더미패턴부(S2)는 씰영역(SR) 내측까지 확장될 수 있다. 한편, 최외곽 더미패턴부(S2)는 씰영역(SR)과 중첩될 수 있고, 더욱이, 씰영역(SR)의 외측을 넘어서까지 확장될 수 있다.
그리고, 정상패턴부(S1)는 전원접촉영역(PR) 외측까지 위치할 수 있다.
위와 같은 대응관계를 갖도록 섀도우마스크(SM)와 유기발광기판(260)을 정렬한 후에, 유기발광물질이 개구부(120)를 통과하도록 하여, 유기발광층을 유기발광기판에 형성하게 된다.
전술한 바와 같이, 본발명의 실시예에서는, 더미패턴부가 대응되는 영역을 전원접촉영역 외측으로 확장한다. 이에 따라, 섀도우마스크는, 종래에 비해, 더욱 많은 수의 더미패턴부를 가질 수 있게 된다.
더욱 많은 수의 더미패턴부가 위치함에 따라, 정상패턴부의 선폭에 대한 균일도 또한 높아지게 된다. 따라서, 정상패턴부에 대응되는 영역에는 정상적인 패턴 을 갖는 유기발광층이 형성되고, 더미패턴부에 대응되는 영역에는 다소 비정상적인 패턴을 갖는 유기발광층이 형성된다.
이에 따라, 화소영역에 형성되는 유기발광층의 불량을 현저히 감소시킬 수 있게 된다. 따라서, 화소영역의 혼색 및 유기발광층의 성막 불량과 같은 문제를 방지하여, 유기전계발광소자의 화질을 높일 수 있게 된다.
도 3은 본발명의 실시예에 따른 섀도우마스크를 사용하여 형성된 듀얼패널 타입 유기전계발광소자를 도시한 도면이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 듀얼패널타입 유기전계발광소자에는, 제 1, 2 기판(210, 260) 각각에 구동박막트랜지스터(Td)와 유기발광다이오드(E)가 분리되어 위치한다.
제 2 기판(260)에 위치하는 유기발광다이오드(E)는 제 1, 2 전극(244, 258)과 유기발광층(256)을 가진다. 유기발광층(256)을 형성함에 있어, 도 2의 섀도우마스크를 사용하게 되고, 이에 따라 정상적인 패턴의 유기발광층(256)이 화소영역(P)에 형성된다.
섀도우마스크의 정상패턴부(도 2의 S1)는 더미화소영역(DP)과 전원접촉영역(PR)에도 대응된다. 이에 따라, 유기발광층(256)과 마찬가지로, 더미화소영역(DP)에 정상적인 패턴의 더미유기발광층(257)이 형성되고, 전원접촉영역(PR)에 정상적인 패턴의 제 1 유기패턴(254)이 형성된다.
정상패턴부에 의해 형성되는 유기발광층(256), 더미유기발광층(257), 제 1 유기패턴(254)은 동일한 폭을 가질 수 있게 된다.
한편, 섀도우마스크의 더미패턴부(도 2의 S2)는 전원접촉영역(PR) 외측의 영역에 대응된다. 이에 따라, 전원접촉영역(PR) 외측의 영역에는, 유기발광층(256)과는 다른, 비정상적인 패턴의 제 2 유기패턴(255)이 형성된다.
제 1 전극(244)은 제 2 기판(260)의 내면에 형성되는데, 액티브영역(AR)으로부터 전원접촉영역(PR)까지 연장 형성된다.
제 1 전극(244) 상에는, 서로 이웃하는 화소영역(P)과 서로 이웃하는 더미화소영역(DP)을 분리하고, 화소영역(P)과 이에 이웃하는 더미화소영역(DP)를 분리하는 격벽(246)이 위치한다. 유기발광물질 증착시, 격벽(246)에 의해, 화소영역(P) 및 더미화소영역(DP) 각각에는 유기발광층(256) 및 더미유기발광층(257)이 자동적으로 분리되어 형성된다.
화소영역(P)에는 제 2 전극(258)이 형성되고, 더미화소영역(DP)에는 더미전극(259)이 형성된다. 제 2 전극물질 증착시, 격벽(246)에 의해, 각 화소영역(P)에는 제 2 전극(258)이 자동적으로 분리되어 형성되고, 각 더미화소영역(DP)에는 더미전극(259)이 자동적으로 분리되어 형성된다.
제 1 기판(210)의 화소영역(P)에는 구동박막트랜지스터(Td)와 연결전극(220)을 포함하는 어레이소자가 형성되어 있다. 한편, 도시하지는 않았지만, 제 1 기판(210)에는, 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트배선 및 데이터배선과, 게이트배선 및 데이터배선과 연결되는 스위칭박막트랜지스터가 형성되어 있다. 스위칭박막트랜지스터의 드레인전극은 구동박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 연결되어 있다. 연결전극(220)은 구동박막트랜지스터(Td)의 드레인전극과 연결되어 있 다.
제 1 기판(210)의 더미화소영역(DP)은 화소영역(P)과 동일한 구조를 갖는다. 예를 들면, 더미화소영역(DP)에는 더미박막트랜지스터(TD)와 더미연결전극(221)이 형성되어 있다.
제 1, 2 기판(210, 260) 사이에 위치하는 연결패턴(230)은 제 2 기판(260)의 유기발광다이오드(E)와 제 1 기판(210)의 구동박막트랜지스터(Td)를 연결하게 된다. 연결패턴(230)은 연결전극(220)을 통해 구동박막트랜지스터(Td)와 연결된다.
더미화소영역(DP)의 더미연결패턴(231)은 더미전극(259)와 더미연결전극(221)를 연결하게 된다.
제 1 기판(210)의 전원접촉영역(PR)에는 전원공급단자(225)가 위치한다. 전원공급단자(225)는 전원공급원으로부터 전원을 공급받는다. 전원공급단자(225)는, 제 1, 2 기판(210, 260) 사이에 위치하는 전원공급패턴(280)와 제 1 유기패턴(254)을 통해, 제 2 기판(260)의 전원접촉영역(PR)에 위치하는 제 1 전극(244)과 연결된다. 전원공급패턴(280)과 제 1 전극(244) 사이에 위치하는 제 1 유기패턴(254)는 200 내지 400 옴스트롱 정도의 얇은 두께를 갖게 된다. 이와 같은 두께의 제 1 유기패턴(254)는 화질에 영향을 줄 만큼의 저항을 갖지 않는다. 이에 따라, 전원은 별다른 문제없이 제 1 전극(244)에 공급된다.
제 1, 2 기판(210, 260) 사이에는, 전원접촉영역(PR) 외측의 씰영역(SR)에, 두기판(210, 260)을 합착하기 위한 씰패턴(270)이 위치한다. 씰패턴(270)은 제 1, 2 기판(210, 260)의 최외각을 따라 위치하게 된다. COG용 칩은 씰패턴(270)의 외측 에서 제 1 기판(210)에 직접 실장된다.
도 3을 참조하여, 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자를 제조하는 방법을 설명한다.
제 2 기판(260) 상의 액티브영역 및 전원접촉영역(AR, PR)에 제 1 전극(244)을 형성한다.
다음으로, 제 1 전극(244) 상에 격벽(246)을 형성한다. 격벽(246)은 화소영역(P) 및 더미화소영역(DP)의 주변을 따라 형성된다.
다음으로, 섀도우마스크(도 2의 SM)의 정상패턴부(도 2의 S1)가 액티브영역 및 전극접촉영역(AR, PR)에 대응하고 비정상패턴부(도 2의 S2)가 전원접촉영역(PR) 외측의 영역에 대응하도록, 섀도우마스크와 제 2 기판(260)을 얼라인한다.
다음으로, 섀도우마스크를 사용하여 유기발광물질을, 제 1 전극(244)이 형성된 제 2 기판(260) 상에 증착한다. 이에 따라, 정상적인 패턴을 갖는 유기발광층(256), 더미유기발광층(257), 제 1 유기패턴(254)은 각각, 화소영역(P), 더미화소영역(DP), 전원접촉영역(PR)에 형성된다. 그리고, 비정상적인 패턴을 갖는 제 2 유기패턴(255)은, 전원접촉영역(PR) 외측의 제 2 기판(260) 상에 형성된다.
격벽(246)에 의해, 각 화소영역(P)에는 유기발광층(256)이 형성되고, 각 더미화소영역(DP)에는 더미유기발광층(257)이 형성된다.
다음으로, 제 2 전극물질을 액티브영역(AR)에 증착한다. 격벽(246)에 의해, 제 2 전극(258)은 각 화소영역(P)에 형성되고, 더미전극(259)는 각 더미화소영역(DP)에 형성된다.
한편, 제 2 전극(258)을 형성하기 전에, 전원접촉영역(PR)을 포함하는 비액티브영역(NR)에 형성된 제 1, 2 유기패턴(254, 255)을 제거할 수 있다.
전술한 바와 같은 공정을 통해, 유기발광기판을 제조할 수 있다.
한편, 제 1 기판(210) 상에는 구동박막트랜지스터(Td)와 더미박막트랜지스터(TD)를 포함하는 어레이소자와 전원공급단자(280)를 형성한다. 그리고, 연결패턴(230), 더미연결패턴(231), 전원연결패턴(280)을 동일 공정에서 형성한다. 이와 같은 공정을 통해 어레이기판을 제조한다. 한편, 연결패턴(230), 더미연결패턴(231), 전원연결패턴(280)은 유기발광기판에 형성될 수 있다.
상기와 같이 형성된 어레이기판과 유기발광기판을 합착한다. 두 기판을 합착하기 위해, 두 기판 중 하나의 최외곽을 따라 씰패턴(270)을 형성한다.
두 기판을 합착한 후, COG용 칩을 어레이기판에 실장한다.
전술한 바와 같은 공정을 통해, 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자를 형성한다.
전술한 바와 같이, 본발명의 실시예에서는, 섀도우마스크의 더미패턴부가 대응되는 영역을 전원접촉영역 외측으로 확장한다. 이에 따라, 섀도우마스크는, 종래에 비해, 더욱 많은 수의 더미패턴부를 가질 수 있게 되어, 정상패턴부의 선폭에 대한 균일도가 높아지게 된다. 따라서, 화소영역에 형성되는 유기발광층의 불량을 현저히 감소시킬 수 있게 된다.
결국, 화소영역의 혼색 및 유기발광층의 성막 불량과 같은 문제를 방지하여, 유기전계발광소자의 화질을 높일 수 있게 된다.
전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
본발명의 실시예에서는, 섀도우마스크의 더미패턴부가 대응되는 영역을 전원접촉부 외측으로 확장한다. 이에 따라, 섀도우마스크는, 종래에 비해, 더욱 많은 수의 더미패턴부를 가질 수 있게 되어, 정상패턴부의 선폭에 대한 균일도가 높아지게 된다. 따라서, 화소영역에 형성되는 유기발광층의 불량을 현저히 감소시킬 수 있게 된다.
결국, 화소영역의 혼색 및 유기발광층의 성막 불량과 같은 문제를 방지하여, 유기전계발광소자의 화질을 높일 수 있게 된다.

Claims (17)

  1. 제 2 기판 상에 다수의 화소영역을 갖는 액티브영역과 상기 액티브영역 외측의 전원접촉영역에 형성된 제 1 전극과;
    상기 화소영역에 대응하여 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기발광층과;
    상기 전원접촉영역에 대응하여 상기 제 1 전극 상에 위치하는 제 1 유기패턴과;
    상기 전원접촉영역 외측의 영역에 대응하여 상기 제 2 기판 상에 위치하는 제 2 유기패턴과;
    상기 유기발광층 상에 위치하는 제 2 전극과;
    제 1 기판 상에 상기 제 2 전극과 연결되는 구동박막트랜지스터와
    상기 제 1 기판 상에 상기 제 1 유기패턴과 연결되는 전원공급단자를 포함하고,
    상기 유기발광층과 제 1 유기패턴은 정상적인 패턴을 갖고, 상기 제 2 유기패턴은 비정상적인 패턴을 갖는 유기전계발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 액티브영역은 상기 화소영역 외측에 위치하는 더미화소영역을 갖고,
    상기 더미화소영역에 대응하여 상기 제 1 전극 상에 위치하고 정상적인 패턴 을 갖는 더미유기발광층을 더욱 포함하는 유기전계발광소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 더미유기발광층 상에 위치하는 더미전극과, 상기 제 1 기판 상에 상기 더미전극과 연결되는 더미박막트랜지스터를 더욱 포함하는 유기전계발광소자.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 구동박막트랜지스터와 상기 제 2 전극을 연결하는 연결패턴과, 상기 더미박막트랜지스터와 상기 더미전극을 연결하는 더미연결패턴과, 상기 제 1 전원공급단자와 상기 제 1 유기패턴을 연결하는 전원공급패턴을 더욱 포함하는 유기전계발광소자.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 연결패턴과, 상기 더미연결패턴과, 상기 전원공급패턴은 동일한 물질로 이루어진 유기전계발광소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극 상에 위치하고, 상기 이웃하는 화소영역 사이에 위치하는 격벽을 더욱 포함하는 유기전계발광소자.
  7. 제 2 기판의 다수의 화소영역을 갖는 액티브영역과 상기 액티브영역 외측의 전원접촉영역에 제 1 전극을 형성하는 단계와;
    섀도우마스크의 차단부가 상기 액티브영역 및 상기 전원접촉영역과 상기 전원접촉영역 외측의 영역에 위치하도록, 상기 섀도우마스크와 상기 제 1 전극을 갖는 제 2 기판을 얼라인하는 단계와;
    상기 섀도우마스크를 사용하여, 상기 제 1 전극을 갖는 제 2 기판 상에 유기발광층을 형성하는 단계와;
    상기 화소영역의 유기발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계와;
    제 1 기판 상에 구동박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
    상기 제 1 기판 상에 전원공급단자를 형성하는 단계와;
    씰패턴을 사용하여, 상기 제 1, 2 기판을 합착하는 단계
    를 포함하는 유기전계발광소자 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 차단부는, 상기 액티브영역 및 상기 전원접촉영역에 대응하는 정상패턴부와, 상기 전원접촉영역 외측의 영역에 대응하는 더미패턴부를 포함하는 유기전계발광소자 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 차단부는, 상기 씰패턴이 상기 제 2 기판과 접촉하는 영역 내측까지 위치하는 유기전계발광소자 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 차단부는, 상기 씰패턴이 상기 제 2 기판과 접촉하는 영역 외측의 영역까지 위치하는 유기전계발광소자 제조방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1, 2 기판 사이에서, 상기 구동박막트랜지스터와 상기 제 2 전극을 연결하는 연결패턴을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 유기전계발광소자 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 연결패턴 형성시, 상기 제 1, 2 기판 사이에서, 상기 전원공급단자와 상기 전원접촉영역의 유기발광층을 연결하는 전원공급패턴을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 유기전계발광소자 제조방법.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 섀도우마스크를 상기 제 2 기판과 얼라인 하기 전에,
    상기 이웃하는 화소영역 사이에 격벽을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 유기전계발광소자 제조방법.
  14. 다수의 화소영역을 갖는 액티브영역과 상기 액티브영역 외측의 전원접촉영역과 상기 전원접촉영역 외측의 씰영역을 갖는 기판 상에 유기발광층을 형성하기 위한 섀도우마스크로서,
    상기 액티브영역 및 상기 전원접촉영역과 상기 전원접촉영역 외측의 영역에 대응되도록 위치하는 차단부와;
    상기 차단부 사이의 개구부
    를 포함하며, 상기 차단부는, 상기 액티브영역 및 상기 전원접촉영역에 대응하는 정상패턴부와, 상기 전원접촉영역 외측의 영역에 대응하는 더미패턴부를 포함하는 섀도우마스크.
  15. 삭제
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 차단부는, 상기 씰영역 내측까지 위치하는 섀도우마스크.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 차단부는, 상기 씰영역 외측의 영역까지 위치하는 섀도우마스크.
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