[go: up one dir, main page]

KR101231330B1 - 소결체의 제조 방법 - Google Patents

소결체의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101231330B1
KR101231330B1 KR1020110009818A KR20110009818A KR101231330B1 KR 101231330 B1 KR101231330 B1 KR 101231330B1 KR 1020110009818 A KR1020110009818 A KR 1020110009818A KR 20110009818 A KR20110009818 A KR 20110009818A KR 101231330 B1 KR101231330 B1 KR 101231330B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
spacer
sintered body
raw material
pressing member
susceptor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020110009818A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120088459A (ko
Inventor
김영남
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110009818A priority Critical patent/KR101231330B1/ko
Publication of KR20120088459A publication Critical patent/KR20120088459A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101231330B1 publication Critical patent/KR101231330B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
    • C04B35/575—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by pressure sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02167—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon carbide not containing oxygen, e.g. SiC, SiC:H or silicon carbonitrides

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

실시예에 따른 소결체의 제조 방법은, 원료 내에 상기 원료보다 낮은 경도의 스페이서를 위치시키는 단계; 및 소결체를 형성하도록 상기 원료와 상기 스페이서를 열간 가압하는 단계를 포함한다.

Description

소결체의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING SINTERED BODY}
본 기재는 소결체의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 공정 등에서 증착, 에칭 공정 등을 위하여 기판 또는 웨이퍼 등이 서셉터(susceptor) 위에 놓여진다. 이러한 서셉터는 고온 등의 조건에서 견딜 수 있도록 내열성이 높은 탄화 규소를 포함할 수 있다. 일반적인 서셉터는 흑연을 포함하는 몸체의 외부면에 탄화 규소층을 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD)하여 형성된다.
그런데 이러한 화학 기상 증착 방법에 의하여 탄화 규소층을 형성한 서셉터는 탄화 규소층이 고른 두께로 형성되지 않아 열전도도가 저하될 수 있으며, 반복 사용에 의하여 균열이 발생하거나 탄화 규소층이 박리될 수 있다. 또한, 별도로 화학 기상 증착 방법을 수행하여야 하므로 제조에 의하여 서셉터의 가격이 상승될 수 있다.
이에 따라 탄화 규소로 이루어진 서셉터가 제안되었다. 그러나, 탄화 규소는 경도가 높아 일부를 제거하는 등의 가공이 어려워서 가공에 많은 시간과 비용이 소요된다. 특히, 삼차원 형태의 서셉터를 형성하기 위해서는 더 많은 시간 및 비용이 요구된다.
실시예는 생산성을 향상할 수 있는 소결체의 제조 방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 소결체의 제조 방법은, 원료 내에 상기 원료보다 낮은 경도의 스페이서를 위치시키는 단계; 및 소결체를 형성하도록 상기 원료와 상기 스페이서를 열간 가압하는 단계를 포함한다.
상기 열간 가압하는 단계 이후에, 상기 스페이서를 가공하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 서셉터의 제조 방법에 이용되는 열간 가압 소결 장치는, 챔버; 상기 챔버 내에 위치하는 몰드 부재; 상기 몰드 부재 내에서의 가압을 위한 상부 가압 부재 및 하부 가압 부재를 포함하는 가압 부재; 및 상기 챔버 내부를 가열하는 가열 부재를 포함할 수 있다.
상기 스페이서는 상기 상부 가압 부재 및 상기 하부 가압 부재 중 적어도 어느 하나에 인접하여 위치할 수 있다.
상기 원료 내에 상기 스페이서를 위치시키는 단계는, 상기 하부 가압 부재 위에 상기 스페이서를 위치시키는 단계; 및 상기 스페이서 위에 상기 원료를 위치시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 열간 가압하는 단계에서는, 상기 상부 가압 부재를 상기 원료 위에 위치시켜 상기 하부 가압 부재와 상기 상부 가압 부재에 의하여 상기 스페이서와 원료를 가압하면서 상기 가열 부재에 의하여 가열하고, 상기 소결체는 상기 스페이서가 내부에 위치할 수 있다.
상기 소결체가 서셉터로 이용되고, 상기 스페이서가 상기 소결체의 일면에서 중앙 부분에 위치할 수 있다.
상기 열간 가압하는 단계 이후에 상기 스페이서를 가공하는 단계를 포함하고, 상기 스페이서를 가공하는 단계에서는 상기 스페이서를 제거하여 오목부를 형성하여, 상기 오목부를 스핀들 장착부로 이용할 수 있다.
상기 원료 내에 상기 스페이서를 위치시키는 단계는, 상기 하부 가압 부재 위에 상기 원료를 위치시키는 단계; 및 상기 원료 위에 상기 스페이서를 위치시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 열간 가압하는 단계에서는, 상기 상부 가압 부재를 상기 스페이서 위에 위치시켜 상기 하부 가압 부재와 상기 상부 가압 부재에 의하여 상기 스페이서와 원료를 가압하면서 상기 가열 부재에 의하여 가열하고, 상기 소결체는 상기 스페이서가 내부에 위치할 수 있다.
상기 소결체가 서셉터로 이용되고, 상기 스페이서가 상기 소결체의 일면에서 중앙 부분에 위치할 수 있다.
상기 열간 가압하는 단계 이후에 상기 스페이서를 가공하는 단계를 포함하고, 상기 스페이서를 가공하는 단계에서는 상기 스페이서를 제거하여 오목부를 형성하여, 상기 오목부를 웨이퍼 장착부로 이용할 수 있다.
상기 소결체가 서셉터로 이용되고, 상기 원료가 탄화 규소를 포함하며 상기 스페이서가 흑연을 포함할 수 있다.
실시예에 따르면, 가공이 필요한 부분에 경도가 상대적으로 낮은 스페이서를 위치시켜 소결체를 형성한 다음, 스페이서의 일부 또는 전체를 제거하는 등의 가공을 함으로써 가공 시간 및 비용을 절감할 수 있다. 즉, 스페이서를 구비하도록 소결체를 형성한 후 상대적으로 낮은 경도를 가져 가공성이 우수한 스페이서를 가공함으로써 생산성을 향상할 수 있다.
또한, 고순도를 위하여 고순도 원료를 사용할 경우에, 가공에 의하여 제거될 부분에 순도가 높지 않은 물질을 포함하는 스페이서를 형성하게 되면, 고순도 원료의 소요량을 줄일 수 있어 생산성 향상에 좀더 기여할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 소결체 제조 방법에 사용되는 열간 가압 소결 장치의 개략적인 도면이다.
도 2는 도 1의 열간 가압 소결 장치에서 원료와 스페이서가 가압된 상태를 도시한 개략적인 도면이다.
도 3은 실시예에 따라 제조된 미가공 서셉터의 도면이다.
도 4는 실시예에 따라 제조된 서셉터의 단면도이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 실시예에 따른 소결체 제조 방법에 사용되는 열간 가압 소결 장치의 개략적인 도면이고, 도 2는 도 1의 열간 가압 소결 장치에서 원료와 스페이서가 가압된 상태를 도시한 개략적인 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 열간 가압 소결 장치(100)는, 진공이 유지되는 챔버(10), 이 챔버(10) 내에 위치하는 몰드 부재(20), 가압 부재(30), 가열 부재(40) 및 단열 부재(50)를 포함할 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다.
챔버(10)는 진공을 유지하기 위하여 밀폐될 수 있다. 이에 의하여 챔버(10) 내에 위치한 가열 부재(40) 등의 산화를 방지하는 한편, 소결 공정 중 원료에 분순물이 혼입되는 것을 방지할 수 있다.
진공을 유지하기 위하여 챔버(10)의 외부에 진공을 위한 진공 점프(102)가 위치하고, 이 진공 펌프(102)와 챔버(10)가 개폐 밸브(104) 및 배기구(106)를 통하여 연결될 수 있다. 이에 의하여 공기를 선택적으로 배출하여 챔버(10)의 내부를 일정 수준의 진공 상태로 유지할 수 있다. 그리고 챔버(10) 내로 불활성 가스를 주입하기 위한 별도의 가스 공급원(도시하지 않음), 개폐 밸브(도시하지 않음) 및 주입구(도시하지 않음)가 위치할 수 있다.
챔버(10) 내에 위치하는 몰드 부재(20) 내에는 본 실시예에 따른 서셉터를 제조하기 위한 원료(210a)와 스페이서(220)가 위치한다. 이에 대해서는 추후에 좀더 상세하게 설명한다.
몰드 부재(20) 내의 원료를 가압 성형하는 가압 부재(30)는, 원료의 하부에 위치하게 될 하부 가압 부재(31)와, 원료의 상부에 위치하게 될 상부 가압 부재(32)를 포함할 수 있다. 이러한 가압 부재(30)는 고온에서 견딜 수 있는 물질로 이루어질 수 있으며, 일례로 흑연을 포함할 수 있다.
이때, 하부 가압 부재(31)의 상면에는 고순도, 일례로 99.99~99.9999%의 흑연을 포함하는 흑연판 또는/및 흑연 시트(31a)가 위치할 수 있다. 마찬가지로, 상부 가압 부재(32)의 하면에는 고순도, 일례로 99.99~99.9999%의 흑연을 포함하는 흑연판 또는/및 흑연 시트(32a)이 위치할 수 있다. 이러한 흑연판 또는/및 흑연 시트(31a, 32a)는 소결 이후에 소결된 소결체와의 분리를 위한 것이다.
몰드 부재(20)의 외부에는 챔버(10)의 내부(특히, 몰드 부재(20) 내에 위치한 원료)를 가열하는 가열 부재(40)가 위치한다. 가열 부재(40)로는 몰드 부재(20)를 가열할 수 있는 다양한 방식이 적용될 수 있다. 일례로, 가열 부재(40)가 흑연을 포함하여, 외부에서 공급되는 전원에 의하여 발열되어 몰드 부재(20)를 가열할 수 있다.
가열 부재(40)와 챔버(10) 사이에 위치하는 단열 부재(50)는 몰드 부재(20)가 반응에 적정한 온도로 유지될 수 있도록 하는 역할을 한다. 이러한 단열 부재(50)는 고온에 견딜 수 있도록 흑연을 포함할 수 있다.
이러한 열간 가압 소결 장치(100)를 이용하여 실시예에 따른 소결체의 제조 방법을 도 3 및 도 4를 함께 참조하여 좀더 상세하게 설명한다. 도 3은 실시예에 따라 제조된 예비 서셉터의 도면이고, 도 4는 실시예에 따라 제조된 서셉터의 단면도이다.
먼저, 도 1에 도시한 바와 같이, 몰드 부재(20) 내에 하부 가압 부재(31)를 위치시키고, 이 하부 가압 부재(31) 위에 원료(210a)와 스페이서(220)를 위치시킨다.
이때, 원료(210a)는 제조된 소결체를 형성하기 위한 원료로서 다양한 물질을 포함할 수 있다. 그리고 스페이서(220)는 원료(210a)보다 낮은 경도를 가지는 물질로 이루어질 수 있다. 일례로, 서셉터(susceptor)를 제조하는 경우에는 이 원료(210a)가 탄화 규소를 포함하고, 스페이서(220)가 흑연을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 스페이서(220)가 하부 가압 부재(31)에 인접하도록 위치하는 제1 스페이서(222) 및 상부 가압 부재(32)에 인접하도록 위치하는 제2 스페이서(224)를 포함한다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제1 및 제2 스페이서(224) 중에 어느 하나만을 구비하는 것도 가능하다.
이러한 원료(210a) 및 스페이서(220)를 위치시키는 단계를 좀더 상세하게 설명하면, 하부 가압 부재(31) 위에 제1 스페이서(222)를 위치시키고, 제1 스페이서(222) 위에 원료(210a)를 위치시킨다. 그리고 원료(210a) 위에 제2 스페이서(224)를 위치시킨다.
이어서, 도 2에 도시한 바와 같이, 상부 가압 부재(32)를 원료(210a) 및 스페이서(220) 위에 위치시킨 상태에서 하부 가압 부재(31)와 상부 가압 부재(32)를 이용하여 원료(210a) 및 스페이서(220)를 가압하면서 가열한다.
이러한 열간 가압하는 단계에서의 온도 및 압력은 원하는 소결체(도 4의 참조부호 230, 이하 동일)의 형상 및 물질 등을 고려하여 다양하게 변경될 수 있다. 일례로, 서셉터를 제조하는 경우에는 열간 가압 단계가 2000 ℃ 이상의 온도에서, 10 내지 50 MPa 이상의 압력에서 1 내지 10 시간 동안 이루어질 수 있다. 이러한 온도, 압력, 시간은 서셉터를 구성할 수 있도록 최적화된 것이다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
그러면, 원료(210a) 및 스페이서(220)가 함께 소결되어 도 3에 도시한 바와 같은 소결체(230a)가 형성된다. 이하에서는 도 3의 소결체(230a)와 도 4의 소결체(230)의 명확한 구별을 위하여 도 3의 소결체(230a)를 미가공 소결체(230a)라고 지칭한다. 참고로, 도 3의 (a)는 미가공 소결체(230a)의 상면 사시도, (b)는 배면 사시도, (c)는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 미가공 소결체(230a) 내에 제1 스페이서(222) 및 제2 스페이서(234)가 위치한다. 즉, 제1 스페이서(222)는 미가공 소결체(230a)의 하면에서 중앙 부분에 위치하며, 제2 스페이서(224)는 미가공 소결체(230a)의 상면에서 중앙 부분에 위치할 수 있다. 그러나 실시예가 이러한 위치에 한정되는 것은 아니며 원하는 소결체(230)의 형상 등에 따라 달라질 수 있다.
이어서, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 스페이서(222, 224)를 가공하여 원하는 형상의 소결체(230)를 제조한다. 즉, 제1 및 제2 스페이서(222, 224)를 제거하여 원하는 형상의 소결체(230)를 제조한다. 도면 및 설명에서는 제1 및 제2 스페이서(222, 224) 전체를 제거하는 것을 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 및 제2 스페이서(222, 224)의 일부만을 제거하는 가공을 하는 것도 가능하며 이 또한 실시예의 범위에 속한다.
소결체(230)가 서셉터로 이용되는 경우, 제1 스페이서(222)를 제거하여 형성된 제1 오목부(232)를 스핀들 장착부로 이용할 수 있다. 스핀들(도시하지 않음)은 서셉터가 놓여지는 증착 장치(도시하지 않음) 등에서 서셉터 하부에 장착되어 서셉터를 회전시키는 부분이다.
소결체(230)가 서셉터로 이용되는 경우, 제2 스페이서(224)를 제거하여 형성된 제2 오목부(234)를 웨이퍼(도시하지 않음)이 장착되는 웨이퍼 장착부로 이용할 수 있다. 도면에서는 제2 오목부(234)가 하나로 형성된 것을 도시하였으나, 복수의 제2 오목부(234)를 형성하여 복수의 웨이퍼가 장착되도록 할 수도 있음은 물론이다.
이와 같이 실시예에 따르면, 가공이 될 부분에 경도가 상대적으로 낮은 제1 및 제2 스페이서(222, 224)를 위치시켜 미가공 소결체(230a)를 형성한 다음, 제1 및 제2 스페이서(222, 224)의 일부 또는 전체를 제거하는 등의 가공을 하여 소결체(230)를 형성한다. 이에 따라 가공 시간 및 비용을 절감할 수 있다.
일례로, 소결체(230)가 탄화 규소를 포함하고, 제1 및 제2 스페이서(222, 224)가 흑연을 포함할 경우를 살펴보면, 탄화 규소의 비커스 경도가 대략 3500인 반면, 흑연의 비커스 경도가 대략 680이다. 따라서, 탄화 규소로 이루어진 부분을 가공하는 것보다 흑연으로 이루어진 제1 및 제2 스페이서(222, 224) 부분을 가공하면, 가공에 필요한 시간 및 비용 등을 절감할 수 있다.
또한, 고순도를 위하여 고순도 원료를 사용할 경우에, 가공에 의하여 제거될 제1 및 제2 스페이서(222, 224)가 낮은 순도의 물질을 포함하도록 할 수 있다. 그러면, 고순도 원료의 소요량을 줄 일수 있어 생산성 향상에 좀더 기여할 수 있다.
상술한 실시예에서는 서셉터를 제조할 경우를 일례로 하여 주로 설명하였으나, 필요에 따라 링 형태 또는 도가니 형태의 소결체를 제조하는 것도 가능함은 물론이다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (12)

  1. 원료 내에 상기 원료보다 낮은 경도의 스페이서를 위치시키는 단계; 및
    소결체를 형성하도록 상기 원료와 상기 스페이서를 열간 가압하는 단계를 포함하고,
    상기 소결체를 형성하기 위해 이용되는 열간 가압 소결 장치는, 챔버; 상기 챔버 내에 위치하는 몰드 부재; 상기 몰드 부재 내에서의 가압을 위한 상부 가압 부재 및 하부 가압 부재를 포함하는 가압 부재; 및 상기 챔버 내부를 가열하는 가열 부재를 포함하며,
    상기 스페이서는 상기 상부 가압 부재 및 상기 하부 가압 부재 중 적어도 어느 하나에 인접하여 위치하는 소결체의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 열간 가압하는 단계 이후에, 상기 스페이서를 가공하는 단계를 포함하는 소결체의 제조 방법.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 원료 내에 상기 스페이서를 위치시키는 단계는,
    상기 하부 가압 부재 위에 상기 스페이서를 위치시키는 단계; 및
    상기 스페이서 위에 상기 원료를 위치시키는 단계
    를 포함하는 소결체의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 열간 가압하는 단계에서는, 상기 상부 가압 부재를 상기 원료 위에 위치시켜 상기 하부 가압 부재와 상기 상부 가압 부재에 의하여 상기 스페이서와 원료를 가압하면서 상기 가열 부재에 의하여 가열하고,
    상기 소결체는 상기 스페이서가 내부에 위치하는 소결체의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 소결체가 서셉터로 이용되고,
    상기 스페이서가 상기 소결체의 일면에서 중앙 부분에 위치하는 소결체의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 열간 가압하는 단계 이후에 상기 스페이서를 가공하는 단계를 포함하고,
    상기 스페이서를 가공하는 단계에서는 상기 스페이서를 제거하여 오목부를 형성하여, 상기 오목부를 스핀들 장착부로 이용하는 소결체의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 원료 내에 상기 스페이서를 위치시키는 단계는,
    상기 하부 가압 부재 위에 상기 원료를 위치시키는 단계; 및
    상기 원료 위에 상기 스페이서를 위치시키는 단계
    를 포함하는 소결체의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 열간 가압하는 단계에서는, 상기 상부 가압 부재를 상기 스페이서 위에 위치시켜 상기 하부 가압 부재와 상기 상부 가압 부재에 의하여 상기 스페이서와 원료를 가압하면서 상기 가열 부재에 의하여 가열하고,
    상기 소결체는 상기 스페이서가 내부에 위치하는 소결체의 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 소결체가 서셉터로 이용되고,
    상기 스페이서가 상기 소결체의 일면에서 중앙 부분에 위치하는 소결체의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 열간 가압하는 단계 이후에 상기 스페이서를 가공하는 단계를 포함하고,
    상기 스페이서를 가공하는 단계에서는 상기 스페이서를 제거하여 오목부를 형성하여, 상기 오목부를 웨이퍼 장착부로 이용하는 소결체의 제조 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 소결체가 서셉터로 이용되고,
    상기 원료가 탄화 규소를 포함하며 상기 스페이서가 흑연을 포함하는 소결체의 제조 방법.

KR1020110009818A 2011-01-31 2011-01-31 소결체의 제조 방법 Active KR101231330B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110009818A KR101231330B1 (ko) 2011-01-31 2011-01-31 소결체의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110009818A KR101231330B1 (ko) 2011-01-31 2011-01-31 소결체의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120088459A KR20120088459A (ko) 2012-08-08
KR101231330B1 true KR101231330B1 (ko) 2013-02-07

Family

ID=46873740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110009818A Active KR101231330B1 (ko) 2011-01-31 2011-01-31 소결체의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101231330B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6318006A (ja) * 1986-07-09 1988-01-25 Mazda Motor Corp 焼結部品の製造方法
JPH1046211A (ja) * 1996-07-31 1998-02-17 Toyama Pref Gov 中子を用いた加圧焼結法
JP2003192455A (ja) * 2001-12-21 2003-07-09 Sumitomo Heavy Ind Ltd 通電加圧焼結装置の焼結型
JP2007217723A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Hitachi Metals Ltd 加圧焼結ターゲット材の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6318006A (ja) * 1986-07-09 1988-01-25 Mazda Motor Corp 焼結部品の製造方法
JPH1046211A (ja) * 1996-07-31 1998-02-17 Toyama Pref Gov 中子を用いた加圧焼結法
JP2003192455A (ja) * 2001-12-21 2003-07-09 Sumitomo Heavy Ind Ltd 通電加圧焼結装置の焼結型
JP2007217723A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Hitachi Metals Ltd 加圧焼結ターゲット材の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120088459A (ko) 2012-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11417561B2 (en) Edge ring for a substrate processing chamber
JP2009513027A5 (ko)
KR101548903B1 (ko) 리프트 핀 및 이의 제조 방법
EP2082420B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus for equalizing heating temperature
US6510888B1 (en) Substrate support and method of fabricating the same
US20050184054A1 (en) Ceramics heater for semiconductor production system
KR20210128506A (ko) 라멜라 (lamellar) 세라믹 구조체
KR101231330B1 (ko) 소결체의 제조 방법
KR100730379B1 (ko) 화학 기상 증착장치의 히터모듈
JP2012238690A (ja) 温度変更システム
KR101231353B1 (ko) 열간 가압 소결 장치 및 이에 사용되는 가압 부재
KR101125314B1 (ko) 열간 가압 소결 장치
WO2022076740A1 (en) Heated substrate support to minimize heat loss and improve uniformity
KR101177749B1 (ko) 세라믹 히터, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 박막 증착 장치
KR101199088B1 (ko) 탄화 규소 소결체의 제조 방법, 그리고 탄화 규소 소결체를 포함하는 서셉터
KR20120057731A (ko) 서셉터 및 이의 제조 방법
KR101477142B1 (ko) 기판 지지대 및 이를 구비하는 기판 지지 장치.
US20070042118A1 (en) Encapsulated thermal processing
KR102668806B1 (ko) 세라믹 히터 및 그의 제조방법
KR102785667B1 (ko) 전극 패턴이 내장된 고정밀 소결체 및 그 제조 방법
KR20120072669A (ko) 열간 가압 소결 장치 및 이를 이용한 서셉터 제조 방법
CN116516468B (zh) 多片碳化硅籽晶涂层同时处理的装置和方法
KR101316804B1 (ko) 정전척용의 척 플레이트의 제조 방법
US20140242531A1 (en) Reaction container and vacuum heat treatment apparatus having the same
JP2007051335A (ja) Ｃｖｄ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20110131

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20120530

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20121127

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20130201

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20130201

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160107

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160107

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170105

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170105

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180105

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180105

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190114

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190114

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210112

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20221227

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20231220

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20241223

Start annual number: 13

End annual number: 13