[go: up one dir, main page]

KR101229611B1 - 산화마그네슘 입자 응집체 및 그 제조 방법 - Google Patents

산화마그네슘 입자 응집체 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101229611B1
KR101229611B1 KR1020097026196A KR20097026196A KR101229611B1 KR 101229611 B1 KR101229611 B1 KR 101229611B1 KR 1020097026196 A KR1020097026196 A KR 1020097026196A KR 20097026196 A KR20097026196 A KR 20097026196A KR 101229611 B1 KR101229611 B1 KR 101229611B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
magnesium oxide
magnesium
oxide particle
less
mass ppm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020097026196A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100022047A (ko
Inventor
류이치 이시바시
아츠야 카와세
카오리 야마모토
Original Assignee
다테호 가가쿠 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다테호 가가쿠 고교 가부시키가이샤 filed Critical 다테호 가가쿠 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20100022047A publication Critical patent/KR20100022047A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101229611B1 publication Critical patent/KR101229611B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F5/00—Compounds of magnesium
    • C01F5/02—Magnesia
    • C01F5/06—Magnesia by thermal decomposition of magnesium compounds
    • C01F5/08—Magnesia by thermal decomposition of magnesium compounds by calcining magnesium hydroxide
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J21/00—Catalysts comprising the elements, oxides, or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium, or hafnium
    • B01J21/10—Magnesium; Oxides or hydroxides thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
    • B01J35/40—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by dimensions, e.g. grain size
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
    • B01J35/40—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by dimensions, e.g. grain size
    • B01J35/45—Nanoparticles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F5/00—Compounds of magnesium
    • C01F5/14—Magnesium hydroxide
    • C01F5/22—Magnesium hydroxide from magnesium compounds with alkali hydroxides or alkaline- earth oxides or hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/50—Solid solutions
    • C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
    • C01P2004/32—Spheres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/50—Agglomerated particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80—Compositional purity
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)

Abstract

재분산 가능하고, 순도를 고순도로 유지한 채 공급하는 것이 가능한 고순도 산화마그네슘 입자 응집체 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 산화마그네슘 입자가 응집하여 이루어지는 산화마그네슘 입자 응집체로서, 산화마그네슘 입자의 평균입경 1㎛이고, 불순물로서 Si, Al, Ca, Fe, V, Cr, Mn, Ni, Zr, B 및 Zn의 각각을 10 질량ppm 이하 함유하며, 불순물의 합계 질량비가 100 질량ppm 이하인 산화마그네슘 입자 응집체이다.

Description

산화마그네슘 입자 응집체 및 그 제조 방법{MAGNESIUM OXIDE PARTICLE AGGREGATE, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF}
본 발명은 각종 첨가제나 전자재료, 형광체 원료, 촉매 재료, 각종 타겟재 원료, 초전도 박막 하지용 원료, 터널 자기저항 소자(TMR 소자) 용의 터널 장벽 원료, 플라스마 디스플레이 패널(PDP)용 보호막 원료, 또는 PDP용 결정 산화마그네슘층의 원료 등에 이용할 수 있는 고순도를 유지한 채 보관하고, 공급하는 것이 가능한 고순도 산화마그네슘 응집체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
산화마그네슘 (이하, 「MgO」라고 하는 경우가 있다)은 종래부터 내화물 외에 전자재료나 촉매 등, 여러 분야에서 사용되어 왔다. 예를 들면, 방전 발광 현상을 이용한 플라스마 디스플레이 패널 (이하, 「PDP」라고 하는 경우가 있다)에 있어서, 투명전극을 유리 유전체로 덮는 구조인 교류형 (AC형) PDP에서는 이온 충격의 스패터링에 의하여 유전체층 표면이 변질되어 방전 전압이 상승하는 것을 방지하기 위하여, 일반적으로, 유전체층 상에 보호막이 형성되어 있는데, 이 보호막으로 종래부터 MgO 막이 사용되고 있다. 보호막은 방전 전압이 낮고, 내스패터링성이 우수할 것이 요구되는데, 내스퍼터링성이 우수하고, 2차 전자의 방출 계수가 큰 절연체인 MgO막을 보호막으로서 사용하면, 방전 개시 전압을 낮출 수 있다. 이와 같 이, MgO막은 PDP의 장수명화에 기여하고 있다.
종래, PDP용 MgO 증착재는 MgO 단결정 분쇄품이 주로 사용되었다. 그러나, PDP의 고성능화에 따라 PDP 제조사가 요구하는 기술 수준이 높아지고, PDP 증착재도 더욱 개량될 것이 요망되고 있어서, 첨가물 원소량의 조정이 용이한 고순도 다결정 MgO 입자를 소결하는 소결체로 옮겨가고 있다. 또한, PDP 이외의 전자재료, 형광체 원료, 촉매 재료, 각종 타겟재 원료, 초전도 박막 기초용 원료, 터널 자기저항 소자(TMR 소자) 용 터널 장벽 원료 등이나 촉매에 있어서도, 고순도의 MgO 재료에 대한 요구는 높아지고 있다.
고순도의 산화마그네슘을 얻기 위한 기술로서는, 예를 들면 특허 문헌 1 (일본 공개 특허 공보 소 61-209911호)에는 고순도 산화마그네슘의 제조 방법이 기재되어 있다. 여기에는 마그네슘을 함유하는 조(粗)원료를 광산(鑛酸)으로 용해하여 마그네슘의 광산염의 조제액을 얻고, 이 조제액에 알칼리를 첨가하여 조원료 중의 불순물을 침전 제거하여 마그네슘의 광산염을 얻고, 이 정제액에 pH가 10 이상이 될 때까지 알칼리를 첨가하고, 알칼리 첨가액을 120℃ 이상의 온도에 있어서 수열 처리하고, 마그네슘 수산화물과 황산화물의 복염(複鹽)으로 이루어지는 마그네슘 화합물을 생성하여, 마그네슘 화합물을 수세, 탈수하고, 그 탈수품을 1000℃ 이상의 온도로 과열함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화마그네슘의 제조 방법이 기재되어 있다.
또한 고순도의 산화마그네슘으로서, 예를 들면 특허문헌 2(특개2004-084017호 공보)에는 AC형 플라스마 디스플레이 패널의 유전체층의 보호막을 형성할 때에 사용하는 산화마그네슘 증착재의 제조 원료가 되는 산화마그네슘 분말이 개시되어 있다. 이 산화마그네슘 분말은 MgO 순도가 99.98 질량%보다 높고, 비표면적이 5 내지 10㎡/g의 범위에 있으며, 또한 일차 입자의 형상이 입방체인 것을 특징으로 하고 있다. 또한, 이 산화마그네슘 분말은 고순도의 금속 마그네슘 증기와 산소를 기상 중에서 반응시키는 기상 산화 반응법에 따라 제조하는 것이 개시되어 있다.
그러나, 이 산화마그네슘 분말은 금속 마그네슘을 직접 산화하는 기상 산화법에 의하여 제조된 것이다. 기상법에 의하여 고순도의 산화마그네슘을 제조하는 방법은 제조 설비가 대규모가 되고, 또한 정교한 반응 조작이 필요하다. 이 때문에, 99.99 질량% 이상의 순도를 얻기가 어렵고, 제조 비용도 높아질 것으로 생각되지만, 아직 만족할만한 것을 얻지 못하고 있는 실정이다.
특허 문헌 3 (일본 공개 특허 공보 2007-91525호)에는 불순물의 함유량이 적고, 취급이 용이하며, 작업성이 우수한 컬러 플라스마 디스플레이 패널의 유전체층의 보호막 형성용 원료가 되는 산화마그네슘 분말로서 단결정 산화마그네슘의 일차 입자 및 복수의 일차 입자가 집합한 2차 입자를 함유하는 분말로서, 그 분말의 평균 입자 지름이 0.5 내지 10㎛이고, BET 비표면적이 0.1 내지 3㎡/g인 산화마그네슘 분말이 개시되어 있다. 이 산화마그네슘 분말은 소정의 평균 입자 지름의 옥살산마그네슘을 소정의 온도로 소성하여 제조하는 것이 개시되어 있다.
MgO 입자를 제조하는 경우, 수산화마그네슘을 소성하는 방법을 이용할 수 있다. 그 제조 방법의 경우, 원료로서의 수산화마그네슘의 고순도화가 필요하다. 그러나, 종래, 수산화마그네슘 유래의 산화마그네슘은 어느 정도 고순도인 것은 존재 하였지만, 개개의 금속 불순물 모두가 10질량ppm 이하인 고순도의 수산화마그네슘은 얻지 못하였다.
수산화마그네슘의 고순도화를 위하여, 예를 들면, 특허 문헌 4 (일본 공개 특허 공보 2001-302232호)에는 미세한 일차 입자가 독립된 고순도 단결정으로 이루어지는 MgO 미립자를 수화(水和)시킴으로써, MgO 환산 순도로서 99.98 질량% 이상의 고순도 수산화마그네슘이 개시되어 있다. 또한, 특허 문헌 5 (일본 공개 특허 공보 2002-255544호)에는 특정한 무기화합물의 함유량이 조정된 MgO 소성물을, 수용성 마그네슘염의 존재하에, 특정의 조건하에서 수화시킴으로써, 수산화마그네슘의 순도 99.5 질량% 이상을 얻을 수 있는 것이 개시되어 있다.
그러나, 이들 종래 기술에 개시된 고순도의 수산화마그네슘은 그 순도가 99.99 질량% 미만이며, 형광체 등의 원료로서 이용하는 경우에 요구되는 고도의 특성을 만족시키기 위하여 적어도 99.99 질량% 이상의 고순도 레벨에는 도달하지 못하였다.
한편, 각종 첨가제나 전자 재료, 형광체 원료, 촉매 재료, PDP용 단결정 산화마그네슘층의 원료 등의 용도에 이용할 수 있는 산화마그네슘은 그 입자를 물 등에 분산하였을 경우에, 양호한 분산성을 나타내는 것이 요구되고 있다. 이와 같은 분산성을 얻기 위하여, 분무 건조에 의하여 조립된 응집 입자를 얻는 기술이 개시되어 있다. 예를 들면, 특허 문헌 6 (일본 공개 특허 공보 평08-067505호)에는 평균 입자 지름 0.1 내지 1.0㎛인 입자를 물에 분산하였을 경우에 양호한 분산성을 얻기 위하여, 특정 범위의 평균 입자 지름 및 입자 지름 분포를 가진 미립자 (자 (子) 입자)가 분산된 무기 산화물을 포함하는 슬러리를 분무 건조함으로써 제조되는 무기 산화물 미립자 (자입자)가 응집하여 이루어지는 무기 산화물 입자 (모(母)입자)가 개시되어 있다. 또한, 특허 문헌 7 (일본 공개 특허 공보 2001-327849호)에는 개개의 과립이 균질의 밀도 분포의 대략 구형(球形)의 입자이고, 출발 고체에 사용되는 분산 조건 하에서, 완전하게 재분산할 수 있는 것을 특징으로 하는 10㎛보다 작은 일차 입도를 가진 분산성의 미세한 고체로 이루어진 과립이 개시되어 있다. 그러나, 종래 기술에서는 고순도의 산화마그네슘 응집체를 얻는 것에 대하여는 아무런 검토도 되어 있지 않다.
일반적으로, 산화마그네슘 미립자는 전구체를 소성하여 얻은 산화마그네슘을, 해쇄기, 분쇄기 등을 이용한 물리적인 방법에 의하여 분쇄하여 공급된다. 지금까지의 고순도 산화마그네슘은 각 공정에서의 불순물 혼입에 의하여, 99.99%의 고순도를 유지한 채 공급할 수 없었다. 또한, 해쇄기, 분쇄기 등을 이용하여 분쇄된 산화마그네슘은 응집하여, 그 유동성이나 분산성은 만족할 수 있는 것은 아니었다.
또한, 고순도의 산화마그네슘 분말을 제조하였을 경우에는 그 후에 불순물이 혼입되어 순도가 저하된다는 문제가 있다. 불순물은 특히, 산화마그네슘 분말의 분쇄 공정에 있어서, 많이 혼입하는 것이 알려져 있다. 따라서, 고순도의 산화마그네슘 분말을 제조한 후에도, 그 순도를 유지할 필요가 있다.
특허 문헌 1: 일본 공개 특허 공보 소61-209911호
특허 문헌 2: 일본 공개 특허 공보 2004-084017호
특허 문헌 3: 일본 공개 특허 공보 2007-91525호
특허 문헌 4: 일본 공개 특허 공보 2001-302232호
특허 문헌 5: 일본 공개 특허 공보 2002-255544호
특허 문헌 6: 일본 공개 특허 공보 평08-067505호
특허 문헌 7: 일본 공개 특허 공보 2001-327849호
본 발명은 재분산 가능하고, 순도를 고순도로 유지한 채로 공급하는 것이 가능한 고순도 산화마그네슘 입자 응집체 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
산화마그네슘 중의 일반적인 불순물로서는, Si, Al, Ca, Fe를 들 수 있는데, 이들은 다른 불순물 원소에 비하여 비교적 많이 포함되어 있다. 이들 불순물 양에 대하여는 사용하는 마그네슘 화합물의 원료 소스에 의존하기 때문에, 원료 소스의 선정이 중요하다. 이에, 본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위하여, 예를 들면, MgO 소결체의 출발 원료를 합성함에 있어서, 여러 가지 마그네슘 이온 함유물을 이용하여 수산화마그네슘의 합성 실험을 하였다. 그리고, 얻은 고순도의 수산화마그네슘을 이용한 산화마그네슘의 순도를 유지하기 위하여는 입자 응집체라고 하는 특수한 형상의 고순도 산화마그네슘 입자로 하는 것이 매우 적합한 것을 밝혀내고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 산화마그네슘 입자가 응집하여 이루어지는 산화마그네슘 입자 응집체이며, 산화마그네슘 입자가 평균 입자 지름 1㎛ 이하이고, 불순물로서 Si, Al, Ca, Fe, V, Cr, Mn, Ni, Zr, B 및 Zn의 각각을 10 질량ppm 이하 포함하며, 불순물의 합계 질량비가 100 질량ppm 이하, 좋기로는, 50 질량ppm 이하인, 산화마그네슘 입자 응집체이다. 바람직하기로는, 산화마그네슘 입자 응집체가 입자 지름 10㎛ 이상을 가진 산화마그네슘 입자 응집체이다. 또한, 바람직하기로는 수은 압입법에 따른 세공 분포 측정에 있어서, 제1 모드 지름과, 제1 모드 지름 보다 큰 제2 모드 지름을 가지고, 제1 모드 지름이 0.1 내지 1㎛, 및 제2 모드 지름이 8 내지 20㎛인 산화마그네슘 입자 응집체이다. 또한, 바람직하기로는, 산화마그네슘 입자 응집체의 형상이 대략 구형인 산화마그네슘 입자 응집체이다.
또한, 본 발명은 Si, Al, Fe, V, Cr, Mn, Ni, Zr, B 및 Zn의 각각이 10 질량ppm 이하이고, 또한, Ca가 30 질량ppm 이하인 염화마그네슘과 전기 전도전율을 0.1μS/cm 이하로 정제하여 순수를 혼합한 수용액에, 알칼리분이 20 내지 50 질량%인 알칼리 수용액을 반응시켜서, 수산화마그네슘을 생성하고, 이어서 생성된 수산화마그네슘을 오토클레이브 중에서 수열 처리한 후, 여과, 수세, 건조를 실시함으로써 고순도의 수산화마그네슘 입자를 제조하는 공정과, 고순도의 수산화마그네슘 입자를 소성하여, 고순도의 산화마그네슘 입자를 제조하는 공정과, 고순도의 산화마그네슘 입자가 분산한 슬러리를 분무 건조하는 공정을 포함하는, 산화마그네슘 입자 응집체의 제조 방법이다.
도 1은 본 발명 원료 합성예 1의 수산화마그네슘 SEM (주사 전자 현미경)으로 촬영한 화상이다.
도 2는 본 발명 원료 합성예 1의 수산화마그네슘을 SEM으로 촬영한 화상이 다.
도 3은 본 발명 실시예 1의 산화마그네슘 입자 응집체를 SEM으로 촬영한 화상이다.
도 4는 본 발명 실시예 1의 산화마그네슘 입자 응집체를 구성하는 산화마그네슘 입자를 SEM으로 촬영한 화상이다.
도 5는 비교예 1의 산화마그네슘을 SEM으로 촬영한 화상이다.
도 6은 비교예 2의 산화마그네슘을 SEM으로 촬영한 화상이다.
발명을 실시하기 위한 최선의 실시 상태
본 발명의, 고순도 산화마그네슘 입자 응집체는 고순도의 산화마그네슘 입자가 응집하여 이루어지는 산화마그네슘 입자 응집체이다.
고순도의 산화마그네슘 입자에는 불순물로서 Si, Al, Ca, Fe, V, Cr, Mn, Ni, Zr, B 및 Zn의 각각을, 10 질량ppm 이하, 즉, 0 내지 10 질량ppm 포함한다. 또한, 불순물의 합계 질량비가 100 질량ppm 이하, 좋기로는, 50 질량ppm 이하이다. 그 때문에, 본 발명의 산화마그네슘 입자 응집체의 불순물의 합계 질량비도, 100 질량ppm 이하, 좋기로는, 50 질량ppm 이하이다. 또한, 산화마그네슘의 순도는 100.0000 질량%로부터 상기 11종의 불순물 질량 측정의 합계값을 뺀 값으로서 산출한다. 즉, 본 발명의 산화마그네슘 입자 응집체의 순도는 99.99 질량% 이상이다. 또한, 이러한 순도의 산화마그네슘 입자는 후술하는 방법에 따라 제조할 수 있다.
고순도의 산화마그네슘 입자의 평균 입자 지름은 1㎛ 이하이다. 또한, 본 발명의 불순물 혼입 방지 및 재분산 가능이라는 효과를 높이려면 이 산화마그네슘 입 자가 응집한 산화마그네슘 입자 응집체의 입자 지름은 10㎛ 이상인 것이 좋다. 또한, 산화마그네슘 입자의 평균 입자 지름은 레이저 회절식 입도 측정 장치 (상품명: HIRA, 닛키소 (주) 제품)에 의하여 50% 입자 지름을 측정하고, 그 값을 평균 입자 지름으로 함으로써 얻을 수 있다. 산화마그네슘 입자 응집체의 입자 지름은 체가름법으로 측정함으로써 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 산화마그네슘 입자 응집체의 세공(細孔) 분포를, 수은 압입법에 따라 측정한 경우, 두 개의 모드 지름을 얻을 수 있다. 작은 모드 지름을 제1 모드 지름으로 하고, 큰 모드 지름을 제2 모드 지름으로 하면, 제1 모드 지름은 산화마그네슘 입자 사이의 공극에 대응하고, 제2 모드 지름은 산화마그네슘 입자 응집체의 사이의 공극에 대응하는 것으로 생각할 수 있다. 따라서, 제1 모드 지름과 제2 모드 지름을 규정함으로써, 본 발명의 산화마그네슘 입자 응집체의 응집 구조를 규정할 수 있다. 본 발명의, 산화마그네슘 입자가 응집한 산화마그네슘 입자 응집체는 수은 압입법에 따른 세공 분포 측정에 있어서, 제1 모드 지름이 0.1 내지 1㎛, 및 제2 모드 지름이 8 내지 20㎛라는 응집 구조를 가진다.
또한, 산화마그네슘 입자 응집체의 형상은 대략 구형인 것이 좋다. 형상이 구형에 가까운 경우에는 산화마그네슘 입자 응집체의 표면적이 작기 때문에, 불순물 등의 응집체에의 부착 면적을 작게 할 수 있고, 결과적으로, 고순도를 유지할 수 있다. 또한, 이와 같은 형상의 경우에는 유동성이 우수하여 취급하기 쉽다.
본 발명의 산화마그네슘 입자 응집체는 다음과 같은 방법에 의하여 제조할 수 있다.
먼저, Si, Al, Ca, Fe, V, Cr, Mn, Ni, Zr, B 및 Zn의 각각이 10 질량ppm 이하이며, 이들 불순물의 합계 질량비가, 100 질량ppm 이하인 수산화마그네슘 분말을 얻는다. 이 때문에 사용 원료를 미리 정제한 후 수산화마그네슘을 침전 분리시킨다.
수산화마그네슘 분말의 원료는 수용액 중에서 마그네슘 이온이 되는 마그네슘 화합물로서 염화마그네슘을 사용하는 것이 좋고, 무수 염화마그네슘을 사용하는 것이 더 좋다. 염화마그네슘의 순도로서는, Si, Al, Fe, V, Cr, Mn, Ni, Zr, B 및 Zn는 각각, 10 질량ppm 이하이고, 또한, Ca가 30 질량ppm 이하인 것이 필요하다. 또한, 염화마그네슘에 한정되지 않고, 마그네슘 화합물 중에서 물에 용해 후, Si, Al, Fe, V, Cr, Mn, Ni, Zr, B 및 Zn의 각각이 10 질량ppm 이하이고, 또한 Ca가 30 질량ppm 이하인 화합물이면 사용할 수 있다.
상기 염화마그네슘 원료에 물을 혼합하여 염화마그네슘 수용액으로 한다. 물의 첨가량은 무수 염화마그네슘에 대하여 2 내지 5배인 것이 좋다. 이 때 물은 이온 교환한 초순수를 사용한다. 특히, 수중에는 Si량이 유의하게 함유될 우려가 있기 때문에, 이온교환 수지를 통하여 전기 전도율을 0.1μS/cm 이하까지 정제한 초순수를 사용할 필요가 있다.
다음으로, 염화마그네슘 수용액 중에 포함되는 Si 등의 불순물을 정제 제거하기 위하여, 수산화나트륨을 사용하여 본 반응을 실시하기 전에, 마그네슘 이온에 대하여, 반응율 20몰%가 되도록 알칼리원을 투입하고, 정제 (1차) 반응에 의하여, 고순도의 정제 MgCl2 용액을 얻는다. 상기 반응에 의하여, 염화마그네슘 수용액 중에 포함되는 전체 마그네슘 이온의 20 몰%와 수산화물로서 침전하는 불순물이 침전되어 제거되고, 남은 정제 염화마그네슘 수용액의 순도가 올라간다. 또한, 수산화나트륨은 불순물이 적다는 점에서 바람직하지만, 암모니아수를 사용할 수도 있다. 또한, 수산화나트륨은 알칼리분이 20 내지 50 질량%인 알칼리를 용해한 수용액을 사용하는 것이 좋다. 또한, NaOH 자체에 혼입되어 있는 Si 등의 불순물을 정제 제거하기 위하여, 수산화나트륨을 본 반응에 사용하기 전에, 수산화물 이온에 대하여, 반응율 10몰%가 되도록 염화마그네슘 용액을 투입하여 예비 반응을 실시하여 순도를 높인다. 상기 반응에 의하여, 수산화나트륨 수용액 중의 수산화물 이온의 10몰%가 마그네슘 이온과 반응하여 수산화마그네슘으로서 침전하는 동시에, 불순물이 침전되어 제거되고, 남은 수산화나트륨 수용액의 불순물량이 저감된다.
다음으로, 얻은 정제 MgCl2 용액을, NaOH 등의 알칼리원과 2차 반응시킴으로써 수산화마그네슘 슬러리를 얻는다. 이어서, 얻은 수산화마그네슘 슬러리를 입자가 50% 입자 지름 1 ㎛ 이하, 비표면적 8 내지 30㎡/g의 결정이 되도록, 오토클레이브로 수열 처리 (온도: 100 내지 150℃, 시간: 0 내지 60분 )를 함으로써, 본 발명의 산화마그네슘 입자 응집체의 원료가 되는 수산화마그네슘을 얻을 수 있다. 오토클레이브 처리함으로써 결정 입자를 정돈할 수 있고, 또한 결정 중에 들어가 있는 불순물을 용액 중에 참출할 수 있다고 생각되며, 결과적으로 불순물양을 감소할 수 있다.
다음으로, 전술한 바와 같이 하여 얻은 고순도의 수산화마그네슘 입자를 소성함으로써, 고순도의 산화마그네슘 분말을 얻는다. 전술한 제조 방법으로 얻은 원료 수산화마그네슘은 고순도이고, 또한 분산성이 우수하기 때문에, 소성시에 이상 입자 성장이 발생하지 않고, 분산성이 양호한 산화마그네슘 분말을 얻을 수 있다.
소성 후의 산화마그네슘 분말을 습식의 포트 밀로 변성 알코올 용매 중, 2 내지 20 시간, 좋기로는, 5 내지 10 시간, 철심이 들어간 나일론 볼을 넣고 분산하여, 산화마그네슘 슬러리를 얻는다. 나이론 볼은, 예를 들면 약 15 mm의 것을 사용할 수 있다. 얻은 산화마그네슘 슬러리를 분무 건조하여 조립(造粒)함으로써, 본 발명의 산화마그네슘 입자 응집체를 제조할 수 있다. 분무 건조는 회전 원판 방식이나 가압 노즐 방식 등의 장치를 사용하여, 100 내지 수백 ℃ 정도의 온도에서 실시할 수 있다. 분무 건조는 스프레이 드라이어를 사용하여 실시하는 것이 좋다.
본 발명의 산화마그네슘 입자 응집체는 전술한 제조 방법으로 얻은 수산화마그네슘을 사용하여 제조할 수 있는 것에 그 특징이 있다. 통상의 액상 반응에 의하여 얻는 수산화마그네슘를 이용하는 경우에는 미립자가 응집된 상태이며, 여과성·수세 효율이 나쁘기 때문에, 생산성이 저하되고 불순물 함유량이 ㄴ높다고 하는 문제가 있다. 또한, 통상의 액상 반응으로 얻는 수산화마그네슘의 응집 입자는 크며, BET 비표면적이 작은 수산화마그네슘은 소성 후에는 이상 입자 성장한 조대 입자 산화마그네슘을 형성하기 쉽다. 전술한 제조 방법으로 얻은 수산화마그네슘은 이상 입자 성장의 문제를 해소하는 것이다. 또한, 본 발명의 산화마그네슘 입자 응집체는 물이나 유기 용매 등 여러 용매 중에서 용이하게 일차 입자에 분산하기 때문에, 각종 첨가제나 전자 재료, 형광체 원료, 촉매 재료, 초전도 박막 하지용 원료, PDP용 결정 산화마그네슘층의 원료 등의 높은 분산성이 요구되는 용도에 있어서 매우 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 응집체 그대로 성형, 소결시켜 각종 타겟재 원료, TMR 소자용 터널 장벽 원료, PDP용 보호막 원료로서도 매우 적합하게 사용할 수 있다.
이하, 실시예에 의하여, 본 발명을 더 상세하게 설명한다.
(물성 측정)
수산화마그네슘 (Mg(OH)2) 분말 및 산화마그네슘 (MgO) 분말의 물성값은 이하의 방법으로 측정하였다.
(1) Mg(OH)2 및 MgO 중의 불순물 양의 측정
측정한 미량 불순물로서는, Si, Al, Ca, Fe, V, Cr, Mn, Ni, Zr, B 및 Zn의 합계 11의 원소이며, 그러한 함유량은 ICP 발광분광분석 장치 (상품명: SPS-1700 VR, 세이코 인스트루먼트(주) 제)를 사용하고, 시료를 산(酸) 용해한 후 측정하였다. Mg(OH)2의 순도는 100.0000 질량%로부터 측정한 상기 11종의 불순물양의 합계값을 뺀 값으로서 산출하였다. 또한, 불순물 합계는 상기 11종의 불순물 양의 합계 값으로 하였다.
(2) 입도 분포
분말의 입도 분포는 레이저 회절식 입도 측정 장치 (상품명: HIRA, 닛키소 (주) 제)에 의하여 10% 입자 지름, 50% 입자 지름, 90% 입자 지름을 측정하였다.
(3) BET 비표면적
비표면적 측정 장치 (상품명: Macsorb1210, (주)마운텍제)를 사용하여, 가스 흡착법에 의하여 비표면적을 측정하였다.
(4) 세공 분포
수은 압입식 세공 분포 측정 장치 (상품명: 오토포아 9410, 마이크로메리틱스제)에 의하여 측정하였다.
(5) 유동성
분체 물성 측정 장치 (상품명: 파우더테스터 PT-N, 호소카와미크론(주) 제)를 사용하여, 분말의 응집도 및 유동성 지수를 측정하였다. 유동성 지수는 R. L. Carr가 제창한 분체의 유동성을 종합적으로 평가하는 지표로서, 이른바 Carr의 유동성 지수라고 불리는 것이다. 구체적으로는, 안식각, 압축도, 스패츌러각, 응집도를 측정하여, Carr의 환산표에 의하여 각각의 지수를 구하고, 이것을 합계한 수치이다.
(수산화마그네슘 및 산화마그네슘 입자의 제조)
[원료 합성예 1]
염화마그네슘 (MgCl2) (불순물 각 원소의 분석값: Si, Al, Fe, V, Cr, Mn, Ni, Zr, B 및 Zn의 각각이 10 질량ppm 이하이고, 또한, Ca가 30 질량ppm 이하) 1.0 ㎏를 이온 교환수 (도전율이 0.1μS/cm 이하인 순수)에 용해하고, 용액을 3 리터 (MgCl2= 약 3.5mol/ℓ)로 하였다. MgCl2의 반응율이 20몰%가 되도록, MgCl2 액과 NaOH 용액 (알칼리분 20 내지 50 질량%)을 각각 정량 펌프 및 롤러 펌프로 리액터에 송액하고, 연속 반응을 실시하였다. 반응 슬러리는 리액터로부터 체류 시간 30분간으로 오버플로우시키고, 응집제를 생성 수산화마그네슘에 대하여 500 질량ppm 첨가하여 침전시키고, 상등액 (정제 염화마그네슘 용액)을 회수하였다.
회수한 정제 염화마그네슘 용액을 교반하면서, NaOH 용액 (알칼리분 20 내지 50 질량%)을, MgCl의 반응율이 90몰%가 되도록 투입하고 30분간 교반하였다. 작제한 수산화마그네슘 슬러리를 오토클레이브로 130℃, 1 시간의 수열 처리를 하였다. 수열 처리한 수산화마그네슘 슬러리와, 수세, 건조하고, 수산화마그네슘 분말을 얻었다. 이 수산화마그네슘의 SEM (주사 전자 현미경)로 촬영한 화상을 도 1 및 2에, 화학 성분, 물성값을 측정한 결과를 표 1에 나타낸다.
[비교 원료 합성예 1]
시판하는 산화마그네슘 (기상법 고순도 산화마그네슘 미분말) 1.0 kg를, 60℃로 유지한 온수 30 리터에 투입하고, 4 시간 교반하여 산화마그네슘 미분말을 수화시켜, 수산화마그네슘 슬러리를 얻었다. 이어서, 얻은 수산화마그네슘 슬러리를 여과, 탈수, 건조하여 수산화마그네슘 고형물로 한 후, 분쇄기로 분쇄하여, 수산화마그네슘 분말을 제조하였다. 이 수산화마그네슘의 화학 성분, 물성값을 측정한 결과를 표1에 나타낸다.
[비교 원료 합성예 2]
시판하는 마그네시아 크린카 (해수계 고순도 마그네시아 크린카)를 분쇄하여 얻은 산화마그네슘 입상물 1.0kg을 0.25mol/l의 초산마그네슘 수용액 10리터 중에 투입하고, 교반 하에서 오토클레이브 중에서 130℃, 2시간 반응시킨 후, 생성물을 수세, 여과, 건조하고, 수산화마그네슘 분말을 제조하였다. 이 수산화마그네슘의 화학 성분, 물성값을 측정한 결과를 표 1에 나타낸다.
표 1에 나타내는 바와 같이, 원료 합성예 1의 방법에 의하면, 비교 원료 합성예 1 및 2의 방법과 비교하여, 고순도의 수산화마그네슘을 얻을 수 있었다. 따라서, 본 발명의 산화마그네슘 입자 응집체를 얻으려면 원료 합성예 1의 방법에 의하여 얻은 수산화마그네슘을 사용하는 것이 바람직한 것이 밝혀졌다.
[표 1]
원료 합성예 1 비교 원료 합성예 1 비교 원료 합성예 2
Mg(OH)2(%) 99.9991 99.9926 99.9600
Si (질량ppm) 3 6 100
Al (질량ppm) ＜1 3 90
Ca (질량ppm) 1 10 50
Fe (질량ppm) 1 5 90
V (질량ppm) ＜1 ＜1 ＜1
Cr (질량ppm) ＜1 2 6
Mn (질량ppm) ＜1 10 9
Ni (질량ppm) ＜1 1 30
Zr (질량ppm) 3 ＜1 3
B (질량ppm) 1 ＜1 20
Zn (질량ppm) ＜1 37 2
불순물 합계(질량ppm) ＜15 ＜77 ＜401
BET 비표면적(㎡/g) 13.6 17.3 10.4
50% 입자 지름 D50(㎛) 0.38 1.26 1.73
[실시예 1]
원료 합성예 1의 수산화마그네슘을, 셔틀 가마로 1400℃, 60분간 소성하여, 괴상의 산화마그네슘을 얻었다. 이 산화마그네슘을 습식의 포트 밀로 변성 알코올 용매 중 8 시간, 철심이 들어간 나일론 볼(약 φ15mm)를 넣어 분산하였다. 그 후, 스프레이 드라이어 (상품명: COC-20, 오카와라카코우키(주) 제품)를 사용하여, 건조 온도 140℃, 아토마이저 회전수 10000 rpm이라는 조건으로 분무 건조함으로써, 입자를 응집시켜 산화마그네슘 입자 응집체를 얻었다.
[비교예 1]
시판 중인 산화마그네슘 분말 (기상법 산화마그네슘 미분말)을 비교예 1로 하였다.
[비교예 2]
실시예 1의 소성 후의 산화마그네슘을, 분산, 분무 건조하지 않고, 단지 분쇄기 (상품명: 파워 밀, (주)달튼제)로 분쇄하여, 비교예 2로 하였다.
상기 실시예 1, 비교예 1 및 2의 산화마그네슘에 대하여, 화학 성분, 물성값, 수은 압입법에 따른 세공 분포 (제1 모드 지름 및 제2 모드 지름), 유동성 (응집도 및 유동성 지수)을 측정하였다. 그들의 측정 결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 실시예 1의 입도 분포 측정은 응집체로부터 입자로 분산한 후의 입도 분포를 측정하였다. 또한, 도 3 및 4에 본 발명 실시예 1의 산화마그네슘 입자 응집체 및 그것을 구성하는 산화마그네슘 입자의 SEM 화상을, 도 5에 비교예 1의 산화마그네슘의 SEM 화상을, 도 6에 비교예 2의 산화마그네슘의 SEM 화상을 나타낸다.
[표 2]
실시예 1
(분무 건조 있음)		 비교예 1
(분무 건조 없음)		 비교예 2
(분무 건조 없음)
Si (질량ppm) 1 6 2
Al (질량ppm) ＜1 2 1
Ca (질량ppm) 3 5 3
Fe (질량ppm) 2 4 11
V (질량ppm) ＜1 ＜1 3
Cr (질량ppm) ＜1 ＜1 3
Mn (질량ppm) ＜1 8 6
Ni (질량ppm) ＜1 ＜1 2
Zr (질량ppm) 9 ＜1 12
B (질량ppm) ＜1 ＜1 1
Zn (질량ppm) ＜1 34 1
불순물 합계(질량ppm) ＜22 ＜64 ＜55
입자 형상 구상 (응집체 형상) 부정형, 응집 부정형, 응집
제1 모드 지름(㎛) 0.21 0.20 0.37
제2 모드 지름(㎛) 13.87 없음 없음
응집도(%) 4 60.4 63.7
유동성 지수 63 32.5 34.5
50% 입자 지름 D50(㎛) 0.23 0.37 0.34
50% 입자 지름 D50(㎛) 0.40 1.04 1.09
50% 입자 지름 D50(㎛) 0.88 2.52 2.61
D90/D10 3.8 6.8 7.7
도 3 및 4에 나타내는 바와 같이, 상기의 방법에 의하여, 실시예 1의 산화마그네슘 입자 응집체의 경우에는 소정의 형상의 산화마그네슘 입자 응집체를 얻을 수 있었다. 또한, 표 2의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1의 산화마그네슘 입자 응집체의 경우에는 비교예 1 및 2의 산화마그네슘 분말과 비교하여, 유동성 및 분산성이 향상되었다. 또한, 90% 입자 지름과 10% 입자 지름의 비 D90/D10은 비율이 작을수록 분산성이 양호하다는(입도 분포가 좁다) 것을 나타낸다.
또한, 수은 압입식 세공 분포 측정 장치의 측정 성능이나, 산화마그네슘 입자 지름, 산화마그네슘 입자 응집체의 입자 지름 등을 고려하면, 제1 모드 지름 및 제2 모드 지름이 각각 0.1 내지 1㎛ 및 8 내지 20㎛인 경우에 본 발명의 효과를 가진 산화마그네슘 입자 응집체를 얻을 수 있다는 것이 표 2의 결과로부터 분명하다. 또한, 표 2에 나타내는 바와 같이, 실시예 1의 산화마그네슘 입자 응집체의 경우에는 비교예 1 및 2의 산화마그네슘 분말과 비교하여, 각 불순물이 각각 모두 10 ppm 이하이며, 그 순도를 고순도로 유지하는 것이 가능하다는 것이 밝혀졌다. 불순물의 측정 오차 등을 고려할 때, 불순물 합계로서는, 실시예 1과 동일한 정도의 자리 수, 즉, 불순물 합계량을 100 질량ppm 이하, 바람직한 경우에는 50 질량ppm 이하로 억제할 수 있다고 할 수 있다. 그 메커니즘은 충분히 밝혀져 있지 않지만, 산화마그네슘이 입자 응집체 구조를 취함으로써, 외부로부터의 오염을 피할 수 있기 때문이라고 추측된다.
본 발명의 산화마그네슘 입자 응집체를 사용함으로써, 재분산 가능한 산화마그네슘을 그 순도를 고순도로 유지한 채, 공급하는 것이 가능하게 된다. 또한, 본 발명의 제조 방법에 의하여 그 산화마그네슘 입자 응집체를 제조하는 것이 가능하게 된다.

Claims (5)

  1. 산화마그네슘 입자가 응집하여 이루어지는 산화마그네슘 입자 응집체로서, 산화마그네슘 입자가 평균 입자 지름 1㎛ 이하이고, 불순물로서 Si, Al, Ca, Fe, V, Cr, Mn, Ni, Zr, B 및 Zn의 각각을 10 질량ppm 이하 포함하고, 불순물의 합계 질량비가 100 질량ppm 이하이며, 산화마그네슘 입자 응집체가 입자 지름 10㎛ 이상을 갖고, 산화마그네슘 입자 응집체의 형상이 구형인 산화마그네슘 입자 응집체.
  2. 제1항에 있어서, 수은 압입법에 따른 세공 분포 측정에 있어서, 제1 모드 지름과 제1 모드 지름보다 큰 제2 모드 지름을 가지고, 제1 모드 지름이 0.1 내지 1 ㎛ 및 제2 모드 지름이 8 내지 20㎛인 산화마그네슘 입자 응집체.
  3. Si, Al, Fe, V, Cr, Mn, Ni, Zr, B 및 Zn의 각각이 10 질량ppm 이하이고, 또한, Ca가 30 질량ppm 이하인 염화마그네슘과 도전율을 0.1 μS/cm 이하로 정제한 순수를 혼합한 수용액에, 알칼리분이 20 내지 50 질량%인 알칼리 수용액을 반응시키고, 수산화마그네슘을 생성하며, 이어서 생성한 수산화마그네슘을 오토클레이브 중에서 수열 처리한 후, 여과, 수세, 건조를 실시함으로써 고순도의 수산화마그네슘 입자를 제조하는 공정과,
    고순도의 수산화마그네슘 입자를 소성하여, 고순도의 산화마그네슘 입자를 제조하는 공정과,
    고순도의 산화마그네슘 입자가 분산한 슬러리를 분무 건조하는 공정을 포함하는 산화마그네슘 입자 응집체의 제조 방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
KR1020097026196A 2007-06-27 2008-06-26 산화마그네슘 입자 응집체 및 그 제조 방법 Active KR101229611B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007168698A JP5016993B2 (ja) 2007-06-27 2007-06-27 酸化マグネシウム粒子凝集体及びその製造方法
JPJP-P-2007-168698 2007-06-27
PCT/JP2008/061608 WO2009001883A1 (ja) 2007-06-27 2008-06-26 酸化マグネシウム粒子凝集体及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100022047A KR20100022047A (ko) 2010-02-26
KR101229611B1 true KR101229611B1 (ko) 2013-02-04

Family

ID=40185695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097026196A Active KR101229611B1 (ko) 2007-06-27 2008-06-26 산화마그네슘 입자 응집체 및 그 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8518536B2 (ko)
JP (1) JP5016993B2 (ko)
KR (1) KR101229611B1 (ko)
CN (1) CN101687659B (ko)
TW (1) TWI429592B (ko)
WO (1) WO2009001883A1 (ko)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8652248B2 (en) 2008-02-06 2014-02-18 IMI Tami Institute for Research and Development ltd Cement mixes containing additives for altering the hardening rate of chemically bonded silico-phosphate cements and methods therefor
KR101052344B1 (ko) 2009-05-01 2011-07-27 한국기계연구원 염화마그네슘으로부터 고순도의 산화마그네슘 분말의 제조방법
JP5476826B2 (ja) 2009-07-14 2014-04-23 堺化学工業株式会社 酸化マグネシウム粒子、その製造方法、放熱性フィラー、樹脂組成物、放熱性グリース及び放熱性塗料組成物
US20110014469A1 (en) * 2009-07-14 2011-01-20 Sakai Chemical Industry Co., Ltd. Magnesium oxide particle, method for producing it, exoergic filler, resin composition, exoergic grease and exoergic coating composition
JP5415215B2 (ja) * 2009-10-02 2014-02-12 タテホ化学工業株式会社 分散性に優れる酸化マグネシウム粉末及びその製造方法
JP5686563B2 (ja) * 2010-09-28 2015-03-18 タテホ化学工業株式会社 水酸化マグネシウム微粒子及び酸化マグネシウム微粒子、並びにそれらの製造方法
JP2012072428A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Tateho Chemical Industries Co Ltd プラズマディスプレイパネルの保護膜用蒸着材
JP5773695B2 (ja) * 2011-03-23 2015-09-02 タテホ化学工業株式会社 球状の水酸化マグネシウム粒子、及び球状の酸化マグネシウム粒子、並びにそれらの製造方法
CN102198954A (zh) * 2011-04-22 2011-09-28 辽宁中大超导材料有限公司 一种烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法
EP2707338A4 (en) * 2011-05-12 2015-01-21 Imi Tami Institute Research PHOSPHOCOMENT WITH SLOW RELEASE
EP2742000A1 (de) * 2011-08-08 2014-06-18 Basf Se Verfahren zur herstellung von hochreinem magnesiumhydroxid und magnesiumoxid
JP5864178B2 (ja) * 2011-09-16 2016-02-17 タテホ化学工業株式会社 高い比表面積を有する球状の水酸化マグネシウム粒子、及び球状の酸化マグネシウム粒子、並びにそれらの製造方法
JP5944714B2 (ja) * 2012-03-27 2016-07-05 タテホ化学工業株式会社 水酸化マグネシウム粒子、及びそれを含む樹脂組成物
JP5836221B2 (ja) * 2012-08-03 2015-12-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP5992846B2 (ja) * 2013-02-13 2016-09-14 タテホ化学工業株式会社 高い比表面積を有する棒状の水酸化マグネシウム粒子、及び棒状の酸化マグネシウム粒子、並びにそれらの製造方法
KR101704757B1 (ko) * 2014-11-25 2017-02-08 전남대학교산학협력단 고순도 무기 산화물의 제조방법 및 상기 제조방법에 의해 제조된 고순도 무기 산화물
JP6582356B2 (ja) * 2015-06-12 2019-10-02 国立大学法人東京工業大学 化学蓄熱材
JP6031177B2 (ja) * 2015-11-17 2016-11-24 タテホ化学工業株式会社 高い比表面積を有する球状の水酸化マグネシウム粒子、及びその製造方法
JP6817235B2 (ja) * 2017-02-17 2021-01-20 タテホ化学工業株式会社 球状酸化マグネシウム及びその製造方法
JP6726146B2 (ja) * 2017-09-19 2020-07-22 宇部マテリアルズ株式会社 赤潮駆除剤及びこれを用いた赤潮駆除方法
US11325869B1 (en) * 2017-10-20 2022-05-10 United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration Environmental barrier coatings for improved temperature capabilities and longevity
EP3835264A4 (en) * 2018-08-09 2022-05-11 Joint Stock Company Kaustik Active highly pure magnesium oxide and method for the production thereof
JP6831498B1 (ja) * 2019-03-29 2021-02-17 タテホ化学工業株式会社 球状酸化マグネシウム、その製造方法、熱伝導性フィラー及び樹脂組成物
CN111717926A (zh) * 2020-07-31 2020-09-29 河北镁神科技股份有限公司 一种塑料母粒用氧化镁的制备方法及其制备出的氧化镁
US20250136460A1 (en) 2021-08-09 2025-05-01 Joint Stock Company Kaustik High-purity magnesium oxide and method for production thereof
JP2024542884A (ja) * 2021-11-30 2024-11-18 インダストリー アカデミック コーオペレイション ファウンデーション オブ ヨンナム ユニバーシティ 酸化マグネシウム製造装置
WO2023190806A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 タテホ化学工業株式会社 焼鈍分離剤用酸化マグネシウム及び方向性電磁鋼板
JP7382463B1 (ja) * 2022-07-27 2023-11-16 宇部マテリアルズ株式会社 アルカリ剤

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070035984A (ko) * 2005-09-28 2007-04-02 니폰 가가쿠 고교 가부시키가이샤 산화 마그네슘 분말, 산화 마그네슘 성형체용 전구체,그들의 제조 방법 및 산화 마그네슘 성형체 및 산화마그네슘 소결체 펠렛

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61209911A (ja) 1985-03-14 1986-09-18 Chuo Denki Kogyo Kk 高純度酸化マグネシウムの製造方法
JPH02141466A (ja) * 1988-11-24 1990-05-30 Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd セラミックス複合材料及びその製造方法
US6180258B1 (en) * 1997-06-04 2001-01-30 Chesapeake Composites Corporation Metal-matrix composites and method for making such composites
CA2340836A1 (en) 2000-03-18 2001-09-18 Degussa Ag Granular product
JP3965270B2 (ja) 2000-04-19 2007-08-29 宇部マテリアルズ株式会社 高分散性高純度水酸化マグネシウム粉末及びその製造方法、及び水酸化マグネシウムスラリー
JP2002055544A (ja) 2000-08-11 2002-02-20 Ricoh Co Ltd 画像形成装置
JP3965279B2 (ja) * 2001-02-23 2007-08-29 宇部マテリアルズ株式会社 高純度高配向性水酸化マグネシウム粉末の製造方法
JP4255256B2 (ja) 2002-08-27 2009-04-15 宇部マテリアルズ株式会社 酸化マグネシウム蒸着材の原料用酸化マグネシウム粉末
CN1401574A (zh) * 2002-09-29 2003-03-12 清华大学 高分散片状氢氧化镁的制备方法
JP2004345912A (ja) * 2003-05-23 2004-12-09 Kyowa Chem Ind Co Ltd 重金属フリーの酸化マグネシウム及びその原料の調整方法
CN1757600A (zh) * 2004-10-09 2006-04-12 天津城市建设学院 一种制取氢氧化镁的方法
JP2007138198A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Tateho Chem Ind Co Ltd 蒸着材用酸化マグネシウム焼結体
JP5069865B2 (ja) * 2006-03-27 2012-11-07 タテホ化学工業株式会社 高純度水酸化マグネシウム粉末及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070035984A (ko) * 2005-09-28 2007-04-02 니폰 가가쿠 고교 가부시키가이샤 산화 마그네슘 분말, 산화 마그네슘 성형체용 전구체,그들의 제조 방법 및 산화 마그네슘 성형체 및 산화마그네슘 소결체 펠렛

Also Published As

Publication number Publication date
TW200904756A (en) 2009-02-01
US8518536B2 (en) 2013-08-27
JP5016993B2 (ja) 2012-09-05
TWI429592B (zh) 2014-03-11
KR20100022047A (ko) 2010-02-26
US20100183877A1 (en) 2010-07-22
JP2009007192A (ja) 2009-01-15
WO2009001883A1 (ja) 2008-12-31
CN101687659B (zh) 2011-08-31
CN101687659A (zh) 2010-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101229611B1 (ko) 산화마그네슘 입자 응집체 및 그 제조 방법
CN108137325B (zh) 磷酸钨酸锆的制造方法
JP5069865B2 (ja) 高純度水酸化マグネシウム粉末及びその製造方法
JP3738454B2 (ja) 複合金属酸化物粉末およびその製造方法
KR100474845B1 (ko) 주석산화물 분말, 그 제조방법, 및 이를 사용한 고밀도인듐 주석 산화물 타겟의 제조방법
JP2009501688A (ja) α−酸化アルミニウム・ベースのナノ結晶焼結体、その製造方法およびその使用
CN100384738C (zh) 超细α－Al2O3粉末的制备方法
KR100474846B1 (ko) 인듐산화물 분말 및 인듐 주석 산화물 타겟의 제조방법
TW201731764A (zh) 負熱膨脹材及含有其的複合材料
KR100482912B1 (ko) 산화인듐-산화주석분말,이의 제조방법 및 산화인듐-산화주석 소결체의 제조방법
JP4984204B2 (ja) 酸化インジウム粉末およびその製造方法
JP2007137759A (ja) チタン酸バリウム微粒子粉末及び分散体
CN105008579A (zh) ZnO-Al2O3-MgO溅射靶及其制备方法
CN113744991B (zh) 一种Co2Z型铁氧体材料及其制备方法和用途
CN103796956A (zh) 草酸氧钛钡的制造方法和钛酸钡的制造方法
JP6573653B2 (ja) ペロブスカイト型チタン酸バリウム粉末の製造方法
JP7585191B2 (ja) スピネル粉末
KR20100022463A (ko) 산화 마그네슘 분말
JPH09221322A (ja) 酸化インジウム−酸化錫粉末及びその製造方法
JPH1072253A (ja) 高密度ｉｔｏ焼結体の製造方法および高密度ｉｔｏ焼結体、並びにそれを用いたｉｔｏスパッタターゲット
JP4638766B2 (ja) 蓚酸バリウムチタニルの製造方法及びチタン酸バリウムの製造方法
JPH06191846A (ja) 酸化インジウム粉末及びその製造方法並びにｉｔｏ焼結体の製造方法
JP6480844B2 (ja) ぺロブスカイト系黒色粉末、その製造方法及びこれを用いた樹脂組成物
JP4638767B2 (ja) 蓚酸バリウムチタニルの製造方法及びチタン酸バリウムの製造方法
KR101429042B1 (ko) 청정공정 이용 아연과 주석이 인듐에 고용된 인듐산화물(인듐-아연-주석 산화물)의 나노 분말 합성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0105 International application

Patent event date: 20091215

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20110712

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20120228

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20110712

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
PJ0201 Trial against decision of rejection

Patent event date: 20120529

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event code: PJ02012R01D

Patent event date: 20120228

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PJ02011S01I

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Decision date: 20121024

Appeal identifier: 2012101005120

Request date: 20120529

PB0901 Examination by re-examination before a trial

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20120529

Patent event code: PB09011R02I

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event date: 20120529

Patent event code: PB09011R01I

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20110905

Patent event code: PB09011R02I

B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
PB0601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial

Comment text: Report of Result of Re-examination before a Trial

Patent event code: PB06011S01D

Patent event date: 20120709

PJ1301 Trial decision

Patent event code: PJ13011S01D

Patent event date: 20121024

Comment text: Trial Decision on Objection to Decision on Refusal

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Request date: 20120529

Decision date: 20121024

Appeal identifier: 2012101005120

PS0901 Examination by remand of revocation
S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
PS0701 Decision of registration after remand of revocation

Patent event date: 20121122

Patent event code: PS07012S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20121024

Patent event code: PS07011S01I

Comment text: Notice of Trial Decision (Remand of Revocation)

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20130129

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20130129

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160120

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160120

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161221

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20161221

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171128

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20171128

Start annual number: 6

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191216

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20191216

Start annual number: 8

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20221214

Start annual number: 11

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20241210

Start annual number: 13

End annual number: 15